JP6945726B2 - ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法 - Google Patents
ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6945726B2 JP6945726B2 JP2020510669A JP2020510669A JP6945726B2 JP 6945726 B2 JP6945726 B2 JP 6945726B2 JP 2020510669 A JP2020510669 A JP 2020510669A JP 2020510669 A JP2020510669 A JP 2020510669A JP 6945726 B2 JP6945726 B2 JP 6945726B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support frame
- pellicle
- filter
- plate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 400
- 239000010408 film Substances 0.000 description 127
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 34
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 33
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 25
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920012287 polyphenylene sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
発明は、半導体デバイス等をリソグラフィ技術により製造する際に使用するフォトマスクまたはレチクル（以下、これらを総称して「フォトマスク」ともいう）及び、塵埃が付着することを防ぐフォトマスク用防塵カバーであるペリクル等に関する。特に、本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）リソグラフィ用の極薄膜であるペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法に関する。
半導体素子は、リソグラフィと称される工程を経て製造される。リソグラフィでは、スキャナやステッパと呼ばれる露光装置を用いて、回路パターンが描画されたマスクに露光光を照射して、フォトレジストが塗布された半導体ウェハに回路パターンを転写する。そのときに、マスク上に塵埃などの異物が付着すると、該異物の影が半導体ウェハに転写され、回路パターンが正確に転写されない。その結果として、半導体素子が正常に作動せず不良品となってしまうことがある。
それに対して、ペリクル膜が貼り付けられた枠体で構成されるペリクルを、マスクに装着することによって、塵埃などの異物をペリクル膜上に付着させ、マスクに付着することを防ぐことが知られている。露光装置の露光光の焦点は、マスク面と半導体ウェハ面に設定されており、ペリクル膜の面には設定されていない。したがって、ペリクル膜に付着した異物の影が半導体ウェハ上で結象することはない。そのため、ペリクル膜に異物が付着した場合は、マスクに異物が付着した場合と比較して、回路パターンの転写を妨害する程度は大幅に軽減され、半導体素子の不良品発生率は著しく抑制される。
ペリクルに用いられるペリクル膜には、露光光を高透過率で透過させる特性が求められる。ペリクル膜の光透過率が低いと、回路パターンが形成されているマスクからの露光光の強度が低下して、半導体ウェハ上に形成されているフォトレジストが十分に感光されないからである。
現在までに、リソグラフィの波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術として、ＥＵＶリソグラフィの開発が進められている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長の光を指し、１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、露光装置内を真空にして露光する必要がある。
上述したように、ＥＵＶリソグラフィは、従来のリソグラフィとは異なり、真空下での露光となるため、フォトマスクへのペリクルの装着は必須ではないと考えられていた。しかし、従来にない微細プロセスであるため、フォトマスクの汚染防止等の観点から、フォトマスクにペリクルを装着することが必須であると判明した。しかし、ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクルに配置するペリクル膜も従来にないナノメートルオーダーの膜である必要がある。
さらに、当初、フォトマスクへのペリクルの装着は必須ではないと考えられていたため、現在開発されているＥＵＶ露光装置には、フォトマスクへペリクルを装着するための空間が３．０ｍｍ程度しか存在していない。しかし、５ｍｍ以上の高さを有する従来のペリクルを装着するための空間を露光装置内に確保するには、光学系の設計変更が必要となり、ＥＵＶリソグラフィの開発に遅延をきたすこととなる。したがって、従来のペリクルの半分以下程度の高さとするペリクルを新たに設計する必要がある。
真空下での露光であるため、フォトマスクとペリクルによって形成される閉空間（ペリクルの内側）と、その外側との圧力差が生じ、ペリクル膜がたるんだり、或いは膨らんだりしうる。この解決手段として、通気孔を設けることが考えられる。しかし、ペリクルの設置空間が大幅に制限されるため、ナノメートルオーダーのペリクル膜の損傷を防ぐには、ペリクルの枠体に配置した通気孔を介した十分な通気を確保する必要がある。通気孔にはペリクルの内側への異物混入を防ぐためその途中にフィルタを配置する必要があるが、ペリクルの設置空間が大幅に制限され、しかも枠体に許容される高さも大幅に制限されるため、枠体へのフィルタの配置も従来にない設計が要求される。
本発明は、上述の問題を解決するもので、通気孔及びフィルタが設けられ、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜を設けることができる支持枠、当該支持枠に極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜を設けたペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る支持枠は、ペリクル膜を配置するための支持枠であって、前記ペリクル膜の面方向と略平行な第１の方向に延びる孔及び前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる孔を有する貫通孔と、前記貫通孔の内部、または、前記第２の方向に延びる孔側の前記貫通孔の端部に設けられ、且つ、前記ペリクル膜から離間して配置されるフィルタと、を備える。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。また、貫通孔の端部にフィルタを設けた場合には、さらに、フィルタの着脱が容易である。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。
本発明の一実施形態において、前記支持枠が複数の層を有し、前記複数の層が、枠形状を有する底板と、前記底板上に設けられた枠形状を有する第１の薄板及び枠形状を有する第２の薄板とを有し、前記第１の薄板は、前記第１の薄板の内縁部に接続し、前記第１の方向に延伸する第１の凹部を有し、前記第２の薄板は、前記第２の薄板の外縁部に接続し、前記第１の方向に延伸する第２の凹部を有し、前記第１の凹部と前記第２の凹部の少なくとも一部が重畳することにより、前記第２の方向に延びる孔が形成されていてもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。また、複数の枠形状の板を積層することで通気孔の立体的な形状を簡便に形成できる。
本発明の一実施形態において、前記第１の薄板は前記底板上に設けられ、前記第２の薄板は前記第１の薄板上に設けられてもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。また、複数の枠形状の板を積層することで通気孔の立体的な形状を簡便に形成できる。
本発明の一実施形態において、前記第２の薄板は前記底板上に設けられ、前記第１の薄板は前記第２の薄板上に設けられてもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。また、複数の枠形状の板を積層することで通気孔の立体的な形状を簡便に形成できる。
本発明の一実施形態において、前記第１の薄板と前記第２の薄板との間に少なくとも１以上のスペーサー層をさらに有していてもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。また、複数の枠形状の板を積層することで通気孔の立体的な形状を簡便に形成できる。
本発明の一実施形態において、前記第１の薄板は前記底板上に設けられ、前記第１の薄板は前記第１の方向に延伸する複数の第１の凹部を有してもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。また、第１の薄板が複数の第１の凹部を有することにより、底板とスペーサー層の歪みを抑制することができる。
本発明の一実施形態において、前記第２の薄板は前記底板上に設けられ、前記第２の薄板は前記第１の方向に延伸する複数の第２の凹部を有してもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。また、第２の薄板が複数の第２の凹部を有することにより、底板とスペーサー層の歪みを抑制することができる。
本発明の一実施形態において、前記貫通孔が複数設けられ、前記貫通孔のそれぞれに前記フィルタが設けられ、複数の前記フィルタの面積の合計が１００ｍｍ2以上２０００ｍｍ2以下であってもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。
本発明の一実施形態において、前記フィルタの面方向が前記ペリクル膜の面方向と略平行であってもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。この支持枠にはペリクル膜を設けることができる。
本発明の一実施形態において、前記フィルタは、初期圧力損失が１００Ｐａ以上５５０Ｐａ以下であり、粒径が０．１５μｍ以上０．３μｍ以下の粒子に対して粒子捕集率が９９．７％以上１００％以下であってもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、高性能なフィルタであっても合計の面積が大きくなり真空になるまでに要する時間が短くなる。また、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜を設けることができる。
本発明の一実施形態において、前記枠体のペリクル膜が設けられる面から反対側の面までの厚みが、３．０ｍｍ以下であってもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、ＥＵＶ露光装置への設置が容易となる。
本発明の一実施形態において、前記何れかの支持枠に前記ペリクル膜が設けられた、ペリクルが提供される。
本発明の一実施形態に係るペリクルによると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、前記ペリクル膜の一方の面に設けられた枠体を介して、前記支持枠に前記ペリクル膜が設けられてもよい。
本発明の一実施形態に係る支持枠によると、ペリクル膜が枠体に支持されているため、支持枠への着脱が可能となり、フィルタの着脱が容易になる。
本発明の一実施形態において、原版と、前記原版のパターンを有する側の面に装着されたペリクルと、を含む露光原版が提供される。
本発明の一実施形態に係る露光原版によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、上記露光原版を有する、露光装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る露光装置によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、露光光を放出する光源と、上記の露光原版と、前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、を有し、前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る露光装置によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、露光光が、ＥＵＶ光である。
本発明の一実施形態に係る露光装置によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、光源から放出された露光光を、上記の露光原版のペリクル膜を透過させて原版に照射し、前記原版で反射させるステップと、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光するステップと、を有する、半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明の一実施形態において、前記露光光がＥＵＶ光である、半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、真空になるまでに要する時間が少なく、かつ、フィルタの劣化を抑えられる。
本発明によると、通気孔及びフィルタが設けられ、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜を設けることのできる支持枠、当該支持枠に極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜を設けたペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の実施の形態を、図１〜図３０を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
［定義］
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
本明細書において、極端紫外光（ＥＵＶ光）とは、波長５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の光を指す。ＥＵＶ光の波長は、５ｎｍ以上１４ｎｍ以下が好ましい。
本明細書において、ペリクルとは、ペリクル膜と、ペリクル膜の一方の面に設けられたペリクル膜を支持すると共に原版に接続される支持部と、を有するものを意味する。ペリクル膜とはペリクルに使用される薄膜を意味する。支持部は、少なくとも、原版に接続される支持枠を含む。支持枠は通気孔を備える。ペリクルが原版に配置されたときに、通気孔は、ペリクルと原版とにより形成される閉鎖空間の内側と外側との通気を可能とする孔である。通気孔の一端又は通気孔内部にはフィルタが配置される。支持枠は、通気孔の一端又は通気孔内部にフィルタが配置された枠体である。支持部は、支持枠でペリクル膜を吊架するものであってもよいし、ペリクル膜および支持枠に接続される別の枠体をさらに有していてもよい。支持部が支持枠と別の枠体とで構成される場合、ペリクル膜を吊架する枠体を第１の枠体と称し、第１の枠体を支持し、原版側に配置される支持枠を構成する枠体を第２の枠体と称する。第１の枠体にペリクル膜を吊架した構造物をペリクル枠体と称する。したがって、ペリクルとは、ペリクル膜と支持部とが接続した構造体と定義することもできるし、ペリクル枠体と支持枠とが接続した構造体と定義することもできる。なお、支持枠は、露光装置内のスペースに配置可能な範囲であれば、２つ以上の枠体を備えることを排除するものではない。
本明細書において、「面」とは、平面に限られるものではなく、曲面を含む。
［本発明において見出した従来技術の問題点］
ＥＵＶペリクルを用いたリソグラフィ装置内を真空にする際に、該ペリクルの支持部に設けられたフィルタの面積が小さいと、空気がフィルタを通りにくく、ペリクルの内部まで真空にするのに比較的時間がかかる。特に、支持部自体の高さが低いことから、従来技術に記載した特許文献１のような支持部の側面方向の孔を設けるタイプでは、フィルタ面積に限りがあることから、真空へ到達するのに必要な時間をさらに短くするための課題があることが分かった。また、従来技術に記載した特許文献２のような支持部の縦方向の孔を設けるタイプでは、フィルタが露光面に露出するため、ＥＵＶ光がフィルタにあたり、フィルタの劣化が比較的早く進行することが課題であると分かった。さらに、また、従来技術である特許文献２では、ＳｉＮ、ｐ−Ｓｉ、ＳｉＣなどのＥＵＶ用ペリクル膜の出発基板であるＳｉウェハに穴あけ加工が必要となり、加工プロセスが比較的複雑・高価となることが判明した。
ＥＵＶペリクルを用いたリソグラフィ装置内を真空にする際に、該ペリクルの支持部に設けられたフィルタの面積が小さいと、空気がフィルタを通りにくく、ペリクルの内部まで真空にするのに比較的時間がかかる。特に、支持部自体の高さが低いことから、従来技術に記載した特許文献１のような支持部の側面方向の孔を設けるタイプでは、フィルタ面積に限りがあることから、真空へ到達するのに必要な時間をさらに短くするための課題があることが分かった。また、従来技術に記載した特許文献２のような支持部の縦方向の孔を設けるタイプでは、フィルタが露光面に露出するため、ＥＵＶ光がフィルタにあたり、フィルタの劣化が比較的早く進行することが課題であると分かった。さらに、また、従来技術である特許文献２では、ＳｉＮ、ｐ−Ｓｉ、ＳｉＣなどのＥＵＶ用ペリクル膜の出発基板であるＳｉウェハに穴あけ加工が必要となり、加工プロセスが比較的複雑・高価となることが判明した。
［本発明の一実施形態に係る構成］
そこで本発明者らは、支持部における通気孔１（貫通孔）について、支持部を構成する枠体１０の内側（ペリクルを原版に装着した場合に閉空間が形成される側である。なお、ペリクルを原版に装着した場合の閉空間部分について、矢印Ｐにて示した。）では枠体１０の横方向又は側面方向（ペリクル膜の面方向と略平行な方向であり、第１の方向Ｌ１ともいう）に延びる孔３であり、枠体１０の外側までの間に折れ曲がり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５である、閉空間部分Ｐの外部へと貫通する通気孔１（貫通孔）とすることを想到した。図１（ａ）は枠体１０の上面図（ペリクル枠体が配置される面側の模式図）であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した線分ＡＢにおける、枠体１０の断面図である。なお、図１では、一体の部材により通気孔１が設けられる図を示している。これは、たとえばエッチング、機械加工等により枠体に通気孔１を設けるという方法で製造可能である。
そこで本発明者らは、支持部における通気孔１（貫通孔）について、支持部を構成する枠体１０の内側（ペリクルを原版に装着した場合に閉空間が形成される側である。なお、ペリクルを原版に装着した場合の閉空間部分について、矢印Ｐにて示した。）では枠体１０の横方向又は側面方向（ペリクル膜の面方向と略平行な方向であり、第１の方向Ｌ１ともいう）に延びる孔３であり、枠体１０の外側までの間に折れ曲がり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５である、閉空間部分Ｐの外部へと貫通する通気孔１（貫通孔）とすることを想到した。図１（ａ）は枠体１０の上面図（ペリクル枠体が配置される面側の模式図）であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した線分ＡＢにおける、枠体１０の断面図である。なお、図１では、一体の部材により通気孔１が設けられる図を示している。これは、たとえばエッチング、機械加工等により枠体に通気孔１を設けるという方法で製造可能である。
図２に示すフィルタ３０を配置するため、一実施形態として、枠体１０は、上面ａの一部を切り欠いた階段状の構造を有する。本実施形態においては、フィルタ３０を枠体１０に貼付するための面として、面ｂ及び面ｃが配置される。面ｂは、切り欠いた階段状の構造の縁部の面であり、面ｃは、切り欠いた階段状の構造において、上面ａと対向する下面である。面ｂと面ｃとは、フィルタ３０を配置するための空間Ｓを有する。この通気孔１の任意の場所（孔５の外側の端部である外側の通気口、孔３の内側の端部である内側の通気口、孔５の内部又は孔３の内部）にフィルタ３０を付けることで、支持枠１１１となる。図２（ａ）は枠体１０にフィルタ３０を配置した支持枠１１１の上面図であり、図２（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１の断面図である。一例として、フィルタ３０は、面ｂ及び面ｃを介して枠体１０に貼付される。即ち、フィルタ３０は、第２の方向に延びる孔側の貫通孔の端部に設けられる。図２では、通気孔１の、ペリクルに露光原版を接続した際に閉空間部分Ｐの外側となる部分である出口部分（外側の通気口）にフィルタ３０を配置しているが、この位置に限定されるものではなく、孔５の任意の場所に設置可能である。後述するペリクル膜またはペリクル枠体を支持枠１１１の上面ａに、配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。また、フィルタ３０はペリクル膜の下方（露光原版側）にペリクル膜から離間して配置されており、枠体１０により露光光が当たりにくい。そのため、フィルタ３０が劣化しにくい。
また、支持枠１１１は、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体１０の内側の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体１０の外側の通気口である枠体１０を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。図３は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ａを示す模式図である。図３（ａ）は、枠体１０Ａにフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ａの上面図であり、図３（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図３（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ａの断面図である。枠体１０Ａは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体１０Ａの外側の通気口と、第１の方向Ｌ１と交差する方向Ｌ２に延びる孔５が枠体１０Ａの内側の通気口と、を有する。枠体１０Ａにおいて、切り欠いた階段状の構造の縁部の面ｂは、枠体１０Ａの内縁部（ペリクル膜が吊架される側であり、ペリクルとして使用した際に閉空間を形成する側である）に配置される。したがって、支持枠１１１Ａにおいて、フィルタ３０は、枠体１０Ａの内縁部に位置する孔５の端部に設けられる。後述するペリクル膜またはペリクル膜体を支持枠１１１Ａの上面ａに、配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。また、フィルタ３０はペリクル膜の下方（露光原版側）にペリクル膜から離間して配置されており、露光光はペリクル膜を透過するため、フィルタに当たる露光光が少ない。そのため、フィルタ３０が劣化しにくい。
なお、支持枠１１１及び支持枠１１１Ａは、一体に構成された枠体１０及び枠体１０Ａのような構造体に限定されない。一実施形態において、複数の部材（複数の板状の層）を接続させて通気孔１を設けるようにしてもよい。
［実施形態１］
図４は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｂを示す模式図である。図４（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｂの上面図であり、図４（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図４（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｂの断面図である。実施形態１は、原版（フォトマスク）に接続される側（ペリクルを原版に接続した場合における閉空間側）から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３（第１の薄板）、外側の通気口付板層１７（第２の薄板）を積層させて枠体を形成するというものである。これらの各層を説明する。まず、図５は底板層１２の説明図であり、図５（ａ）は底板層１２の上面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した線分ＡＢでの底板層１２の断面図である。図６は内側の通気口付板層１３の説明図であり、図６（ａ）は内側の通気口付板層１３の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した線分ＡＢでの内側の通気口付板層１３の断面図である。図７は外側の通気口付板層１７の説明図であり、図７（ａ）は外側の通気口付板層１７の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した線分ＡＢでの外側の通気口付板層１７の断面図である。
図４は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｂを示す模式図である。図４（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｂの上面図であり、図４（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図４（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｂの断面図である。実施形態１は、原版（フォトマスク）に接続される側（ペリクルを原版に接続した場合における閉空間側）から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３（第１の薄板）、外側の通気口付板層１７（第２の薄板）を積層させて枠体を形成するというものである。これらの各層を説明する。まず、図５は底板層１２の説明図であり、図５（ａ）は底板層１２の上面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した線分ＡＢでの底板層１２の断面図である。図６は内側の通気口付板層１３の説明図であり、図６（ａ）は内側の通気口付板層１３の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した線分ＡＢでの内側の通気口付板層１３の断面図である。図７は外側の通気口付板層１７の説明図であり、図７（ａ）は外側の通気口付板層１７の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した線分ＡＢでの外側の通気口付板層１７の断面図である。
図５にて示す底板層１２は、たとえば、矩形の枠形状であるが、所望の枠体の形状に応じ適宜形状を設定可能である。底板層１２の原料としては金属、ガラス、シリコンウエハ、セラミクス、樹脂が挙げられる。なお、底板層１２と、後述する内側の通気口付板層１３と、外側の通気口付板層１７とは、それぞれ同種の材質から形成された薄板を組み合わせてもよいし、それぞれ異なった材質から形成された薄板を組み合わせてもよいし、一部共通する材質から形成された薄板を組み合わせてもよい。
図６にて示す内側の通気口付板層１３は、たとえば、矩形の枠形状であり、枠の内縁部（ペリクル膜が吊架される側であり、ペリクルとして使用した際に閉空間を形成する側である）に接続し、第１の方向に延伸する凹部（窪み形状）１４を有する。図６においては、凹部１４が各辺につき１か所設ける例を示している。しかし、凹部１４の数に特に限定はない。また、内側の通気口付板層１３自体の形状も、所望の枠体の形状に応じ適宜形状を設定可能である。凹部１４の大きさは、後述する外側の通気口付板層１７における凹部１９よりも小さいことが、耐久性の観点から好ましい。内側の通気口付板層１３の原料としては金属、ガラス、シリコンウエハ、セラミクス、樹脂が挙げられる。内側の通気口付板層１３は、第１の薄板に相当する。
図７にて示す外側の通気口付板層１７は、たとえば、矩形の枠形状であり、枠の外縁部（上記枠の内側とは反対側であり、ペリクルとして使用した際に閉空間を形成しない側である）に接続し、第１の方向に凹んだ凹部（窪み形状）１９を有する。図７においては、凹部１９が各辺につき１か所設ける例を示している。しかし、凹部１９の数に特に限定はない。また、外側の通気口付板層１７自体の形状も、所望の枠体の形状に応じ適宜形状を設定可能である。外側の通気口付板層１７の原料としては金属、ガラス、シリコンウエハ、セラミクス、樹脂が挙げられる。この実施形態では、凹部１９が形成する開口が、第２の方向Ｌ２の孔に相当する。また、外側の通気口付板層１７は、第２の薄板に相当する。
本実施形態では、薄板の固定は、固定されればよく、特に制限されない。固定方法としては、例えば、粘着シート、接着剤、接合剤、常温接合、ダイレクト接合、原子拡散接合、金属接合、溶着、ハンダ接合、熱圧着、ホットメルト、フラックス接合、面ファスナー、ねじ・ピン・クリップ・カシメ等の機械的固定、磁気を用いて挟み込んで固定する方法などが挙げられる。
このように、底板層１２上に内側の通気口付板層１３及び外側の通気口付板層１７を順次積層して固定し、凹部１４の少なくとも一部を底板層１２と外側の通気口付板層１７とで覆うことにより、枠体の内縁部に開口した第１の方向Ｌ１に延びる孔３が形成される。また、内側の通気口付板層１３の凹部１４と外側の通気口付板層１７の凹部１９の少なくとも一部が重畳することにより、孔３に接続し、第２の方向に延びる孔５が形成され、枠体の外縁部に開口した通気孔１が形成される。
枠体の孔５の端部に、フィルタ３０を設けることにより、支持枠１１１Ｂを得る。図４において、フィルタ３０は、内側の通気口付板層１３の上面に接して、すなわち凹部１９が形成する開口に接続することができるが、これに限定されるものではない。フィルタはＨＥＰＡ、ＵＬＰＡなどのメンブレンフィルタ、不織布フィルタ、カーボンナノチューブやセルロースなどファイバーを積層したフィルタ、セラミックスフィルタ、ガラスフィルタ、金属焼結フィルタ、中空紙フィルタなどを利用することができる。本発明の一実施形態に係る支持枠は、フィルタの通気抵抗が高い場合であっても、通気口の面積を大きくとることができるため、真空引きを行う時間を低減することが可能であり、好ましくは、フィルタは、初期圧力損失が１００Ｐａ以上５５０Ｐａ以下であり、粒径が０．１５μｍ以上０．３μｍ以下の粒子に対して粒子捕集率が９９．７％以上１００％以下との特性を有するフィルタである。また、貫通孔が複数設けられ、貫通孔のそれぞれにフィルタを設ける場合においては、複数のフィルタの合計の面積が１００ｍｍ2以上２０００ｍｍ2以下であることが好ましい。フィルタの固定は、固定されていればよく、特に制限されない。固定方法としては、例えば、薄板の固定と同様の方法が挙げられる。なお、このフィルタに関する説明は、各実施形態で共通するため、以下では説明を省略する。
後述するペリクル膜またはペリクル枠体を外側の通気口付板層１７の上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、外側の通気口付板層１７によりＥＵＶ光が当たりにくく、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本発明の一実施形態に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本発明の一実施形態に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態１の変形例］
実施形態１において、支持枠１１１Ｂは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
実施形態１において、支持枠１１１Ｂは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図８は、実施形態１の変形例である支持枠１１１Ｃを示す模式図である。図８（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｃの上面図であり、図８（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図８（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｃの断面図である。実施形態１の変形例は、原版に接続される側から順に底板層１２、外側の通気口付板層１３Ａ（第２の薄板）、内側の通気口付板層１７Ａ（第１の薄板）を積層させて枠体を形成するというものである。これらの各層を説明する。底板層１２は、上述した構成と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図９は外側の通気口付板層１３Ａの説明図であり、図９（ａ）は外側の通気口付板層１３Ａの上面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示した線分ＡＢでの外側の通気口付板層１３Ａの断面図である。図９にて示す外側の通気口付板層１３Ａは、たとえば、矩形の枠形状であり、枠の外縁部に接続し、第１の方向に凹んだ凹部（窪み形状）１４Ａを有する。なお、外側の通気口付板層１３Ａは、上述した外側の通気口付板層１７と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。この変形例では、凹部１４Ａが形成する開口が、第１の方向Ｌ１の孔に相当する。また、外側の通気口付板層１３Ａは、第１の薄板に相当する。
図１０は内側の通気口付板層１７Ａの説明図であり、図１０（ａ）は内側の通気口付板層１７Ａの上面図であり、図１０（ｂ）は図７（ａ）に示した線分ＡＢでの内側の通気口付板層１７Ａの断面図である。図１０にて示す内側の通気口付板層１７Ａは、たとえば、矩形の枠形状であり、枠の内縁部に接続し、第１の方向に延伸する凹部（窪み形状）１９Ａを有する。なお、内側の通気口付板層１７Ａは、上述した内側の通気口付板層１３と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。この変形例では、凹部１９Ａが形成する開口が、第２の方向Ｌ２の孔に相当する。また、内側の通気口付板層１７Ａは、第２の薄板に相当する。
薄板の固定は、固定されればよく、実施形態１に於いて説明した構成を適用可能であるため、詳細な説明は省略する。
このように、底板層１２上に外側の通気口付板層１３Ａ及び内側の通気口付板層１７Ａを順次積層して固定し、凹部１４Ａの少なくとも一部を底板層１２と内側の通気口付板層１７Ａとで覆うことにより、枠体の外側に開口した第１の方向Ｌ１に延びる孔３が形成される。また、外側の通気口付板層１３Ａの凹部１４Ａと内側の通気口付板層１７Ａの凹部１９Ａの少なくとも一部が重畳することにより、孔３に接続し、第２の方向に延びる孔５が形成され、枠体の内側に開口した通気孔１が形成される。
枠体の孔５の端部に、フィルタ３０を設けることにより、支持枠１１１Ｃを得る。図８において、フィルタ３０は、外側の通気口付板層１３Ａの上面に接して、すなわち凹部１９Ａが形成する開口に接続することができるが、これに限定されるものではない。フィルタに関する説明は上述したため、詳細な説明を省略する。
後述するペリクル膜またはペリクル膜体を内側の通気口付板層１７Ａの上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本変形例に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、ＥＵＶ光がペリクル膜を透過するため、フィルタに当たるＥＵＶ光が少ない。そのため、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本変形例に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本変形例に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態２］
図１１は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｄを示す模式図である。図１１（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｄの上面図であり、図１１（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１１（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｄの断面図である。実施形態２は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを積層させて枠体を形成するというものである。実施形態２においては、図１１（ｂ）にて示したように、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを徐々に外側（ペリクルとして露光原版に接続した際の外側）に向かって階段状になるよう、接続させることができる。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ及び外側の通気口付板層１７Ｂの構成は実施形態１で説明した内側の通気口付板層１３及び外側の通気口付板層１７の構成と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。また、実施形態１で説明した構成と同様の構成については、詳細な説明は省略する。
図１１は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｄを示す模式図である。図１１（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｄの上面図であり、図１１（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１１（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｄの断面図である。実施形態２は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを積層させて枠体を形成するというものである。実施形態２においては、図１１（ｂ）にて示したように、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを徐々に外側（ペリクルとして露光原版に接続した際の外側）に向かって階段状になるよう、接続させることができる。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ及び外側の通気口付板層１７Ｂの構成は実施形態１で説明した内側の通気口付板層１３及び外側の通気口付板層１７の構成と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。また、実施形態１で説明した構成と同様の構成については、詳細な説明は省略する。
図１２は、本発明の一実施形態に係る貫通孔付きのスペーサー層２５を示す模式図である。図１２（ａ）は、貫通孔付きのスペーサー層２５の上面図であり、図１２（ｂ）は線分ＡＢでの貫通孔付きのスペーサー層２５の断面図である。貫通孔付のスペーサー層２５は内側の通気口付板層１３Ｂと外側の通気口付板層１７Ｂとの間に設けられ、内側の通気口付板層１３Ｂと対向する面と外側の通気口付板層１７Ｂと対向する面とを貫通する貫通孔１８を有する。貫通孔付きのスペーサー層２５は、外側の通気口付板層１７Ｂと積層し、外側の通気口付板層１７Ｂ側から平面視した際に、貫通孔１８が外側の通気口付板層１７Ｂで隠れずに露出していることが好ましい。この構成によれば、実施形態２においてフィルタ３０を接続させる場合には、貫通孔付のスペーサー層２５上に接続させることができる。これにより、フィルタ３０はその四辺をスペーサー層２５に対して接着することが可能となり、フィルタ３０を設けた場合に、リークの少ない枠体とすることができる。また、フィルタ３０を貫通孔付のスペーサー層２５上に接続させると、フィルタ３０の着脱がさらに容易になる。この実施形態では、孔５は、外側の通気口付板層１７Ｂとスペーサー層２５で形成される開口とスペーサー層２５に存在する貫通孔１８と内側の通気口付板層１３Ｂで構成される。
なお、実施形態１において説明した支持枠１１１Ｂでは、図４（ｂ）に示したように、フィルタ３０と内側の通気口付板層１３とが接する部分及びフィルタ３０と外側の通気口付板層１７とが接する部分で、それぞれ固定する必要がある。一方、実施形態２に係る支持枠１１１Ｄにおいては、内側の通気口付板層１３と外側の通気口付板層１７との間にスペーサー層２５を配置することにより、フィルタ３０をスペーサー層２５のみに固定すればよく、フィルタ３０の固定を簡便に行うことができる。
後述するペリクル膜またはペリクル膜体を外側の通気口付板層１７Ｂ側の上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、例えば外側の通気口付板層１７ＢによりＥＵＶ光が当たりにくく、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本発明の一実施形態に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本発明の一実施形態に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態２の変形例］
実施形態２において、支持枠１１１Ｄは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
実施形態２において、支持枠１１１Ｄは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図１３は、実施形態２の変形例である支持枠１１１Ｅを示す模式図である。図１３（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｅの上面図であり、図１３（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１３（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｅの断面図である。実施形態２の変形例は、原版に接続される側から順に底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃを積層させて枠体を形成するというものである。本変形例においては、図１３（ｂ）にて示したように、底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃを徐々に外側に向かって階段状になるよう、接続させることができる。底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ及び内側の通気口付板層１７Ｃの構成は実施形態１の変形例で説明した外側の通気口付板層１３Ａ及び内側の通気口付板層１７Ａの構成と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。また、実施形態１で説明した構成と同様の構成については、詳細な説明は省略する。
図１４は、本発明の一実施形態に係る貫通孔付きのスペーサー層２５Ａを示す模式図である。図１４（ａ）は、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａの上面図であり、図１４（ｂ）は線分ＡＢでの貫通孔付きのスペーサー層２５Ａの断面図である。貫通孔付のスペーサー層２５Ａは外側の通気口付板層１３Ｃと内側の通気口付板層１７Ｃとの間に設けられ、外側の通気口付板層１３Ｃと対向する面と内側の通気口付板層１７Ｃと対向する面とを貫通する貫通孔１８Ａを有する。貫通孔付きのスペーサー層２５Ａは、内側の通気口付板層１７Ｃと積層し、内側の通気口付板層１７Ｃ側から平面視した際に、貫通孔１８Ａが内側の通気口付板層１７Ｃで隠れずに露出していることが好ましい。この構成によれば、本変形例においてフィルタ３０を接続させる場合には、貫通孔付のスペーサー層２５Ａ上に接続させることができる。これにより、フィルタ３０はその四辺をスペーサー層２５Ａに対して接着することが可能となり、フィルタ３０を設けた場合に、リークの少ない枠体とすることができる。また、フィルタ３０を貫通孔付のスペーサー層２５Ａ上に接続させると、フィルタ３０の着脱がさらに容易になる。本変形例では、孔５は、内側の通気口付板層１７Ｃとスペーサー層２５で形成される開口とスペーサー層２５Ａに存在する貫通孔１８Ａと外側の通気口付板層１３Ｃで構成される。
なお、実施形態１の変形例において説明した支持枠１１１Ｃでは、図８（ｂ）に示したように、フィルタ３０と外側の通気口付板層１３Ａとが接する部分及びフィルタ３０と内側の通気口付板層１７Ａとが接する部分で、それぞれ固定する必要がある。一方、実施形態２の変形例に係る支持枠１１１Ｅにおいては、外側の通気口付板層１３Ｃと内側の通気口付板層１７Ｃとの間にスペーサー層２５Ａを配置することにより、フィルタ３０をスペーサー層２５のみに固定すればよく、フィルタ３０の固定を簡便に行うことができる。
後述するペリクル膜またはペリクル膜体を内側の通気口付板層１７Ｃ側の上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本変形例に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、ＥＵＶ光がペリクル膜を透過するため、フィルタに当たるＥＵＶ光が少ない。そのため、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本変形例に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本変形例に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態３］
図１５は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｆを示す模式図である。図１５（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｆの上面図であり、図１５（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１５（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｆの断面図である。実施形態３は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、第２スペーサー層３６、第３スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７を積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図１５は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｆを示す模式図である。図１５（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｆの上面図であり、図１５（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１５（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｆの断面図である。実施形態３は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、第２スペーサー層３６、第３スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７を積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図１６は、本発明の一実施形態に係る貫通孔付きの第２スペーサー層３６を示す模式図である。図１６（ａ）は、第２スペーサー層３６の上面図であり、図１６（ｂ）は線分ＡＢでの第２スペーサー層３６の断面図である。第２スペーサー層３６は、貫通孔付きのスペーサー層２５と後述する第３スペーサー層４８との間に設けられ、貫通孔３８を有する。第２スペーサー層３６の貫通孔３８は、貫通孔付きのスペーサー層２５の貫通孔１８よりも、第１の方向Ｌ１に広い形状である。第２スペーサー層３６の原料としては金属、ガラス、シリコンウエハ、セラミクス、樹脂が挙げられる。
第３スペーサー層４８は、貫通孔付きのスペーサー層２５と略同一の形状であり、貫通孔１８を有する。第３スペーサー層４８は、貫通孔付きのスペーサー層２５と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
実施形態３においてフィルタ３０を接続させる位置は、内側の通気口付板層１３Ｂではなく、貫通孔付きのスペーサー層２５と第３スペーサー層４８との間の部分、すなわち第２スペーサー層３６と同一平面上に接続させることになる。実施形態２では、孔５は、外側の通気口付板層１７と貫通孔付きのスペーサー層２５に存在する貫通孔１８と第２スペーサー層３６に存在する貫通孔３８と第３スペーサー層４８に存在する貫通孔１８とで構成される。
この場合、フィルタ３０は、片面のみを貫通孔付きのスペーサー層２５に接着させてもよく、且つもう片面を第３スペーサー層４８に接着させてもよい。
フィルタ３０はその両面を貫通孔付きのスペーサー層２５や第３スペーサー層４８に対して接着することが可能となるため、フィルタ３０を設けた場合に、さらにリークの少ない支持枠１１１Ｆとすることができる。
さらに、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、外側の通気口付板層１７の何れかにおいて、わずかに歪みが存在する場合にも、スペーサー層を複数枚使用することによって、その歪みを補正することができる。例えば、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、外側の通気口付板層１７の何れかに歪みがある場合、その歪みと反対の歪みがあるスペーサー層を組み合わせることで歪みが補正できる。
［実施形態３の変形例］
実施形態３において、支持枠１１１Ｆは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
実施形態３において、支持枠１１１Ｆは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図１７は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｇを示す模式図である。図１７（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｇの上面図であり、図１７（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１７（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｇの断面図である。実施形態３の変形例は、原版に接続される側から順に底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、第２スペーサー層３６Ａ、第３スペーサー層４８Ａ、内側の通気口付板層１７Ａを積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ａの構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図１８は、本発明の一実施形態に係る第２スペーサー層３６Ａを示す模式図である。図１８（ａ）は、第２スペーサー層３６Ａの上面図であり、図１８（ｂ）は線分ＡＢでの第２スペーサー層３６Ａの断面図である。第２スペーサー層３６Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａと後述する第３スペーサー層４８Ａとの間に設けられ、貫通孔３８Ａを有する。第２スペーサー層３６Ａの貫通孔３８Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａの貫通孔１８Ａよりも、第１の方向Ｌ１に広い形状である。第２スペーサー層３６Ａの原料としては金属、ガラス、シリコンウエハ、セラミクス、樹脂が挙げられる。
第３スペーサー層４８Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａと略同一の形状であり、貫通孔１８Ａを有する。第３スペーサー層４８Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａと同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
本変形例においてフィルタ３０を接続させる位置は、外側の通気口付板層１３Ｃではなく、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａと第３スペーサー層４８Ａとの間の部分、すなわち第２スペーサー層３６Ａと同一平面上に接続させることになる。本変形例では、孔５は、内側の通気口付板層１７Ａと貫通孔付きのスペーサー層２５Ａに存在する貫通孔１８Ａと第２スペーサー層３６Ａに存在する貫通孔３８Ａと第３スペーサー層４８Ａに存在する貫通孔１８Ａとで構成される。
この場合、フィルタ３０は、片面のみを貫通孔付きのスペーサー層２５Ａに接着させてもよく、かつもう片面を第３スペーサー層４８に接着させてもよい。
フィルタ３０はその両面を貫通孔付きのスペーサー層２５Ａや第３スペーサー層４８Ａに対して接着することが可能となるため、フィルタ３０を設けた場合に、さらにリークの少ない支持枠１１１Ｇとすることができる。
さらに、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、外側の通気口付板層１７の何れかにおいて、わずかに歪みが存在する場合にも、スペーサー層を複数枚使用することによって、その歪みを補正することができる。例えば、底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、内側の通気口付板層１７Ａの何れかに歪みがある場合、その歪みと反対の歪みがあるスペーサー層を組み合わせることで歪みが補正できる。
［実施形態４］
図１９は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｈを示す模式図である。図１９（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｈの上面図であり、図１９（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１９（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｈの断面図である。実施形態４は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、フィルタ３０Ａ、第２スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７を積層させて支持枠１１１Ｈを形成するというものである。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。また、第２スペーサー層４８は、実施形態３で説明した第３スペーサー層４８と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図１９は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｈを示す模式図である。図１９（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｈの上面図であり、図１９（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１９（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｈの断面図である。実施形態４は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、フィルタ３０Ａ、第２スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７を積層させて支持枠１１１Ｈを形成するというものである。底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。また、第２スペーサー層４８は、実施形態３で説明した第３スペーサー層４８と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
本発明の一実施形態に係るフィルタ３０Ａは、通気孔１の内部に設けられる。フィルタ３０Ａは、上述したフィルタ３０とは異なり、底板層１２と概略同一の概略矩形の枠状の形状を有する。フィルタ３０Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５と第２スペーサー層４８との間に配置され、貫通孔付きのスペーサー層２５に配置された貫通孔１８以外の部分で貫通孔付きのスペーサー層２５と接続し、第２スペーサー層４８に配置された貫通孔１８以外の部分で第２スペーサー層４８と接続する。したがって、支持枠１１１Ｈにおいて、フィルタ３０Ａは、貫通孔付きのスペーサー層２５と第２スペーサー層４８との接触面積が大きく、貫通孔付きのスペーサー層２５と第２スペーサー層４８と接着した場合の信頼性を高めることができる。また、フィルタ３０Ａは、概略矩形形状のシート部材であるため、孔５毎に配置するフィルタ３０に比して、配置や交換が容易である。
なお、上述した各変形例でも説明したように、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｈは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。この場合でも、フィルタ３０Ａを用いて支持枠を構成することができる。
［実施形態５］
実施形態２の変形例として、実施形態５を説明する。図２０は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｋを示す模式図である。図２０（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｋの上面図であり、図２０（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２０（ａ）に示した線分ＣＤ）での支持枠１１１Ｋの断面図である。実施形態５は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｄ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂ及びフィルタ３０の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
実施形態２の変形例として、実施形態５を説明する。図２０は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｋを示す模式図である。図２０（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｋの上面図であり、図２０（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２０（ａ）に示した線分ＣＤ）での支持枠１１１Ｋの断面図である。実施形態５は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｄ、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂを積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７Ｂ及びフィルタ３０の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図２１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る内側の通気口付板層１３Ｄを示す上面図であり、図２１（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図１１（ａ）に示した線分ＣＤ）に対応する位置での支持枠１１１Ｄの歪みを説明する模式図である。なお、図２１（ｂ）は、本実施形態と比較するために歪みを強調した模式図であり、実施形態２の支持枠１１１Ｄがこのような歪みを必ず含むことを意図するものではない。
図２１（ｂ）において、孔３の開口幅を大きくする、即ち、内側の通気口付板層１３Ｂの凹部１４の長手方向（図２１（ｂ）の方向Ｌ１）の幅を大きくすると、孔３の位置において、底板層１２とスペーサー層２５及びフィルタ３０が孔３に向かって歪む可能性もある。底板層１２とスペーサー層２５及びフィルタ３０が孔３に向かって歪むのを抑制するため、本実施形態においては、図２１（ａ）に示したように内側の通気口付板層１３Ｄに櫛歯状の構造１３Ｄ−１を配置することにより、底板層１２とスペーサー層２５を支持する。したがって、本実施形態においては、複数の凹部１４Ｂと底板層１２及びスペーサー層２５とにより規定される複数の孔３Ａが構成されることにより、１つの孔３Ａ当たりの開口幅を小さくすることにより底板層１２とスペーサー層２５及びフィルタ３０の歪みを抑制しつつ、複数の孔３Ａ全体として十分な開口面積を確保することができる。
後述するペリクル膜またはペリクル膜体を外側の通気口付板層１７Ｂ側の上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、例えば外側の通気口付板層１７ＢによりＥＵＶ光が当たりにくく、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本発明の一実施形態に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本発明の一実施形態に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態５の変形例］
実施形態５において、支持枠１１１Ｋは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
実施形態５において、支持枠１１１Ｋは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図２２は、実施形態５の変形例である支持枠１１１Ｌを示す模式図である。図２２（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｌの上面図であり、図２２（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２２（ａ）に示した線分ＣＤ）での支持枠１１１Ｌの断面図である。実施形態５の変形例は、原版に接続される側から順に底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｅ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃを積層させて枠体を形成するというものである。底板層１２、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃ及びフィルタ３０の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図２３は、本発明の一実施形態に係る外側の通気口付板層１３Ｅを示す上面図である。本実施形態においては、図２３に示したように外側の通気口付板層１３Ｅに櫛歯状の構造１３Ｅ−１を配置することにより、底板層１２とスペーサー層２５Ａを支持する。したがって、本実施形態においては、複数の凹部１４Ｃと底板層１２及びスペーサー層２５Ａとにより規定される複数の孔３Ｂが構成されることにより、１つの孔３Ｂ当たりの開口幅を小さくすることにより底板層１２とスペーサー層２５Ａ及びフィルタ３０の歪みを抑制しつつ、複数の孔３Ｂ全体として十分な開口面積を確保することができる。
後述するペリクル膜またはペリクル膜体を内側の通気口付板層１７Ｃ側の上面に配置することにより、ペリクルを得ることができる。したがって、本発明の一実施形態に係るペリクルにおいては、フィルタ３０がペリクル膜から離間して配置される。より詳細には、フィルタ３０はペリクル膜よりも下方（原版側）に配置されることになる。そのため、例えば内側の通気口付板層１７ＣによりＥＵＶ光が当たりにくく、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。さらに、本発明の一実施形態に係る支持枠は、上述したように、フィルタが枠体に着脱可能に固定される。そのため、本発明の一実施形態に係る支持枠を用いたペリクルを露光装置から剥がした後に、フィルタのみを交換して、枠体を再利用することが可能であるとの利点がある。これに対し、枠体の内部にフィルタを埋め込む場合には、フィルタの劣化をより抑えられる。
［実施形態６］
図２４は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｉを示す模式図である。図２４（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｉの上面図であり、図２４（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２４（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｉの断面図である。実施形態６は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７、天板４１を積層させて枠体を形成するというものである。即ち、支持枠１１１Ｉは、上述した支持枠１１１Ｄに天板４１を配置した支持枠でもある。図２４（ａ）では、天板４１が存在するため、上面からフィルタ３０を観察することはできないが、下層でフィルタ３０が配置される場所について、点線を用いて示している。底板層１２、内側の通気口付板層１３、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図２４は、本発明の一実施形態に係る支持枠１１１Ｉを示す模式図である。図２４（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｉの上面図であり、図２４（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２４（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｉの断面図である。実施形態６は、原版に接続される側から順に底板層１２、内側の通気口付板層１３、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７、天板４１を積層させて枠体を形成するというものである。即ち、支持枠１１１Ｉは、上述した支持枠１１１Ｄに天板４１を配置した支持枠でもある。図２４（ａ）では、天板４１が存在するため、上面からフィルタ３０を観察することはできないが、下層でフィルタ３０が配置される場所について、点線を用いて示している。底板層１２、内側の通気口付板層１３、貫通孔付きのスペーサー層２５、外側の通気口付板層１７の構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
図２５は、本発明の一実施形態に係る天板４１を示す模式図である。図２５（ａ）は、天板４１の上面図であり、図２５（ｂ）は線分ＡＢでの天板４１の断面図である。天板４１は、概略矩形の枠状の形状であり、底板層１２と概略同一の形状であってもよい。天板４１は、外側の通気口付板層１７の上に接続される。天板４１は、ペリクル膜またはペリクル膜体と接続される。実施形態６では、ペリクル膜またはペリクル膜体との接続を天板全体で行うことができるため、接続強度を高くすることができる。また、フィルタ３０が天板４１で覆われるため、露光光がフィルタ３０に当たりにくく、フィルタ３０の劣化をより抑えることができる。
［実施形態６の変形例］
また、実施形態６において、支持枠１１１Ｉは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
また、実施形態６において、支持枠１１１Ｉは、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の内縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の外縁部の通気口である枠体を用いる例として示したが、本発明に係る支持枠はこれに限定されない。支持枠１１１Ａにおいて説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図２６は、変形例に係る支持枠１１１Ｊを示す模式図である。図２６（ａ）は、枠体にフィルタ３０を配置した支持枠１１１Ｊの上面図であり、図２６（ｂ）はフィルタ３０が配置された位置（図２６（ａ）に示した線分ＡＢ）での支持枠１１１Ｊの断面図である。実施形態６の変形例は、原版に接続される側から順に底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃ、天板４１を積層させて枠体を形成するというものである。即ち、支持枠１１１Ｊは、上述した支持枠１１１Ｅに天板４１を配置した支持枠でもある。図２６（ａ）では、天板４１が存在するため、上面からフィルタ３０を観察することはできないが、下層でフィルタ３０が配置される場所について、点線を用いて示している。底板層１２、外側の通気口付板層１３Ｃ、貫通孔付きのスペーサー層２５Ａ、内側の通気口付板層１７Ｃの構成は上述した実施形態と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
本変形例では、ペリクル膜またはペリクル膜体との接続を天板全体で行うことができるため、接着強度を高くすることができる。また、フィルタ３０が天板４１で覆われるため、露光光がフィルタ３０に当たりにくく、フィルタ３０の劣化を抑えることができる。
天板４１は、上述した全ての実施形態で説明した支持枠に配置可能であり実施形態６及びその変形例で説明した効果と同様の効果を奏することができる。
各実施形態はそれぞれ組み合わせてもよい。たとえば、実施形態３において、原版に接続される側から順に、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、貫通孔付きのスペーサー層２５、第３スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７とし、フィルタ３０をスペーサー層２５と第３スペーサー層４８との間に挟み込んで設置してもよい。したがって、第２スペーサー層３６を省略してもよい。また、実施形態１において、底板層１２、内側の通気口付板層１３、外側の通気口付板層１７を積層し、外側の通気口付板層１７の上面に実施形態６の天板４１を配置し、内側の通気口付板層１３と外側の通気口付板層１７とに構成される孔５にフィルタ３０を設置してもよい。また、実施形態３において、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、スペーサー層２５、第２スペーサー層３６、外側の通気口付板層１７を積層し、外側の通気口付板層１７の上面に実施形態６の天板４１を配置し、フィルタ３０をスペーサー層２５と第２スペーサー層３６との間に設置してもよい。したがって、第３スペーサー層４８を省略してもよい。また、実施形態３において、底板層１２、内側の通気口付板層１３Ｂ、スペーサー層２５、第３スペーサー層４８、外側の通気口付板層１７を積層し、外側の通気口付板層１７の上面に実施形態６の天板４１を配置し、フィルタ３０をスペーサー層２５と第３スペーサー層４８との間に挟み込んで設置してもよい。したがって、第２スペーサー層３６を省略してもよい。
実施形態５及び実施形態５の変形例で説明した内側の通気口付板層１３Ｂ又は外側の通気口付板層１３Ｅは、上述した各実施形態において、底板層１２とスペーサー層との間に配置される内側の通気口付板層又は外側の通気口付板層に適用してもよい。各実施形態における底板層１２、内側の通気口付板層１３、外側の通気口付板層１７、貫通孔付きのスペーサー層２５、第２スペーサー層３６、第３スペーサー層４８、天板４１は、それぞれ１枚の薄板から形成されてもよく、平面形状が同一の複数の薄板を積層して形成してもよい。
［ペリクル］
上述した各実施形態に示した支持枠にペリクル膜１０２またはペリクル枠体を配置することにより、ペリクルを構成することができる。具体的には、一例として、実施形態１で説明した外側の通気口付板層１７や、実施形態１の変形例で説明した内側の通気口付板層１７Ａの上面にペリクル膜１０２を形成した構成としてもよい。後述するように、本発明の実施形態に係るペリクル膜１０２は非常に薄い膜であるため、ハンドリングの面から、ペリクル膜１０２の一方の面に第１の枠体を設けたペリクル枠体とし、ペリクル枠体を支持枠に配置する構成とすることが好ましい。ペリクル膜１０２またはペリクル枠体と、支持枠との接続方法は特に制限されないが、例えば、粘着シート、接着剤、接合剤、常温接合、ダイレクト接合、原子拡散接合、金属接合、溶着、ハンダ接合、熱圧着、ホットメルト、フラックス接合、面ファスナー、ファンデルワールス力、静電力、磁力、ねじ・ピン・クリップ・カシメ等の機械力で接続することができる。
上述した各実施形態に示した支持枠にペリクル膜１０２またはペリクル枠体を配置することにより、ペリクルを構成することができる。具体的には、一例として、実施形態１で説明した外側の通気口付板層１７や、実施形態１の変形例で説明した内側の通気口付板層１７Ａの上面にペリクル膜１０２を形成した構成としてもよい。後述するように、本発明の実施形態に係るペリクル膜１０２は非常に薄い膜であるため、ハンドリングの面から、ペリクル膜１０２の一方の面に第１の枠体を設けたペリクル枠体とし、ペリクル枠体を支持枠に配置する構成とすることが好ましい。ペリクル膜１０２またはペリクル枠体と、支持枠との接続方法は特に制限されないが、例えば、粘着シート、接着剤、接合剤、常温接合、ダイレクト接合、原子拡散接合、金属接合、溶着、ハンダ接合、熱圧着、ホットメルト、フラックス接合、面ファスナー、ファンデルワールス力、静電力、磁力、ねじ・ピン・クリップ・カシメ等の機械力で接続することができる。
図２７は、本発明の一実施形態に係るペリクル１００を示す模式図である。図２７（ａ）は、ペリクル１００の上面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）に示した線分ＡＢでのペリクル１００の断面図である。図２７には、一例として、実施形態２の支持枠１１１Ｄを用いたペリクル１００を示す。ペリクル膜１０２は、第１の枠体１０４上に配置される。第１の枠体１０４は、略矩形の枠形状であり、シリコン、サファイア、炭化ケイ素等から選択される材料で構成される。ペリクル膜１０２は、第１の枠体１０４に吊架され、第１の枠体１０４は、ペリクル膜１０２を支持する。第１の枠体１０４上にペリクル膜１０２を配置した構造体をペリクル枠体と称する。ペリクル１００において、ペリクル枠体は、接着層３９を介して、支持枠１１１Ｄの外側の通気口付板層１７Ｂの上面に貼付される。したがって、本実施形態においては、ペリクル膜１０２の一方の面に設けられた第１の枠体１０４を介して、支持枠１１１Ｄにペリクル膜１０２が設けられた構成となる。本実施形態においては、支持部がペリクル膜１０２を支持する第１の枠体１０４と、支持枠１１１Ｄを構成する第２の枠体とを有する例を示したが、本実施形態はこれに限定されず、第１の枠体１０４を介さずに、支持枠１１１Ｄにペリクル膜１０２を配置してもよい。
接着層３９は、ペリクル膜または第１の枠体と、支持枠と、を接着する層である。接着層３９は、例えば、両面粘着テープ、シリコン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、無機系接着剤等である。ＥＵＶ露光時の真空度を保持する観点から、接着層３９は、アウトガスが少ないものが好ましい。アウトガスの評価方法として、例えば昇温脱離ガス分析装置を用いることができる。接着層３９は、ペリクル膜または第１の枠体と、支持枠との接続の前に、あらかじめ支持枠に形成されていてもよい。接着層３９は、支持枠のうち、最もペリクル膜側に配置された層の上に形成すればよい。
本実施形態に係るペリクル１００は、ペリクル膜１０２が配置される領域の外側にフィルタ３０が配置されるため、ＥＵＶ光がフィルタ３０に当たりにくくなり、フィルタ３０の劣化を低減することができる。このため、フィルタ３０の交換頻度を低減することができる。
［ペリクルの変形例］
また、上述した実施形態においても説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
また、上述した実施形態においても説明したように、第１の方向Ｌ１に延びる孔３が枠体の外縁部の通気口であり、第１の方向Ｌ１と交差する第２の方向Ｌ２に延びる孔５が枠体の内縁部の通気口である枠体を用いることもできる。
図２８は、本発明の一実施形態に係るペリクル１００Ａを示す模式図である。図２８（ａ）は、ペリクル１００Ａの上面図であり、図２８（ｂ）は図２８（ａ）に示した線分ＡＢでのペリクル１００Ａの断面図である。図２８には、一例として、実施形態２の変形例の支持枠１１１Ｅを用いたペリクル１００Ａを示す。ペリクル膜１０２、第１の枠体１０４及びペリクル枠体の構成は、上述した構成と同様の構成を用いることができるため、詳細な説明は省略する。ペリクル１００Ａにおいて、ペリクル枠体は、接着層３９を介して、支持枠１１１Ｅの内側の通気口付板層１７Ｃの上面に貼付される。したがって、本変形例においては、ペリクル膜１０２の一方の面に設けられた第１の枠体１０４を介して、支持枠１１１Ｅにペリクル膜１０２が設けられた構成となる。本実施形態においては、支持部がペリクル膜１０２を支持する第１の枠体１０４と、支持枠１１１Ｅを構成する第２の枠体とを有する例を示したが、本実施形態はこれに限定されず、第１の枠体１０４を介さずに、支持枠１１１Ｅにペリクル膜１０２を配置してもよい。
本変形例に係るペリクル１００Ａは、ペリクル膜１０２が配置される領域にフィルタ３０が配置される。このため、ペリクル膜１０２を透過したＥＵＶ光がフィルタ３０に照射される可能性もあるが、ペリクル膜１０２を透過することによりＥＵＶ光の光量が減るため、フィルタ３０の劣化は低減される。なお、原版の露光領域から十分離間した位置にフィルタ３０が配置されるようにペリクル１００Ａの大きさ（幅）を設定することにより、ＥＵＶ光がフィルタ３０に当たりにくくなり、フィルタ３０の劣化をさらに低減することができる。このため、フィルタ３０の交換頻度を低減することができる。なお、本実施形態に係るペリクルは、上述した各実施形態の支持枠を用いて構成することができる。
［ペリクル膜］
ペリクル膜の厚さ（二層以上で構成される場合には総厚）は、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍとすることができ、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜７０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍが特に好ましい。
ペリクル膜の厚さ（二層以上で構成される場合には総厚）は、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍとすることができ、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜７０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍが特に好ましい。
ペリクル膜はＥＵＶ光の透過率が高いことが好ましく、ＥＵＶリソグラフィに用いる光（例えば、波長１３．５ｎｍの光や波長６．７５ｎｍの光）の透過率が５０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。ペリクル膜が保護層と積層される場合には、これらを含む膜の光の透過率が５０％以上であることが好ましい。
ペリクル膜の材料は、公知のＥＵＶ用ペリクル膜の材料を用いればよい。ペリクル膜の材料としては、例えば、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、アモルファスカーボン、グラファイト、炭化ケイ素などの炭素系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどのシリコン系材料、芳香族ポリイミド、脂肪族ポリイミド、架橋ポリエチレン、架橋ポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルフォン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート、芳香族ポリアミド、パリレンなどの高分子系材料が挙げられる。
［露光原版］
図２９は、本発明の一実施形態に係る露光原版１８１の断面の構成を示す模式図である。一例として、露光原版１８１は、ペリクル膜１０２及び支持枠１１１を含むペリクル１００と、原版１８４と、を備える。本発明に係る露光原版１８１は、原版１８４に装着された極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜１０２が設けられたペリクル１００において、支持枠１１１の通気孔に設けられたフィルタ３０の着脱を可能にし、原版１８４へのコンタミネーションを低減することができる。図２９においては、ペリクル膜１０２及び支持枠１１１を含むペリクル１００をパターンが形成された原版１８４の面に配置する例を示したが、本発明に係る露光原版はこれに限定されるものではなく、ペリクル１００Ａを配置することができ、また、上述した各実施形態において説明した支持枠を有するペリクルを配置してもよい。
図２９は、本発明の一実施形態に係る露光原版１８１の断面の構成を示す模式図である。一例として、露光原版１８１は、ペリクル膜１０２及び支持枠１１１を含むペリクル１００と、原版１８４と、を備える。本発明に係る露光原版１８１は、原版１８４に装着された極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜１０２が設けられたペリクル１００において、支持枠１１１の通気孔に設けられたフィルタ３０の着脱を可能にし、原版１８４へのコンタミネーションを低減することができる。図２９においては、ペリクル膜１０２及び支持枠１１１を含むペリクル１００をパターンが形成された原版１８４の面に配置する例を示したが、本発明に係る露光原版はこれに限定されるものではなく、ペリクル１００Ａを配置することができ、また、上述した各実施形態において説明した支持枠を有するペリクルを配置してもよい。
本発明に係るペリクルを原版に装着する方法は、特に限定されない。例えば、原版に支持枠を直接貼り付けてもよく、支持枠の一方の端面にある原版用接着剤層を介してもよく、機械的に固定する方法や磁石などの引力を利用して原版と支持枠と、を固定してもよい。原版用接着剤層は、接着層３９と同様のものを用いることができるため詳細な記載は省略する。
［ペリクルの用途］
本発明のペリクルは、ＥＵＶ露光装置内で、原版に異物が付着することを抑制するための保護部材としてだけでなく、原版の保管時や、原版の運搬時に原版を保護するための保護部材としてもよい。例えば、原版にペリクルを装着した状態（露光原版）にしておけば、ＥＵＶ露光装置から取り外した後、そのまま保管すること等が可能となる。ペリクルを原版に装着する方法には、接着剤で貼り付ける方法、機械的に固定する方法等がある。
本発明のペリクルは、ＥＵＶ露光装置内で、原版に異物が付着することを抑制するための保護部材としてだけでなく、原版の保管時や、原版の運搬時に原版を保護するための保護部材としてもよい。例えば、原版にペリクルを装着した状態（露光原版）にしておけば、ＥＵＶ露光装置から取り外した後、そのまま保管すること等が可能となる。ペリクルを原版に装着する方法には、接着剤で貼り付ける方法、機械的に固定する方法等がある。
［露光装置］
図３０は、本発明の一実施形態に係る露光装置１８０を示す模式図である。図３０において、露光原版１８１は断面図で示す。
図３０は、本発明の一実施形態に係る露光装置１８０を示す模式図である。図３０において、露光原版１８１は断面図で示す。
一例として、ＥＵＶ露光装置１８０は、ＥＵＶ光を放出する光源１８２と、本実施形態の露光原版の一例である露光原版１８１と、光源１８２から放出されたＥＵＶ光を露光原版１８１に導く照明光学系１８３と、を備える。
ＥＵＶ露光装置１８０では、光源１８２から放出されたＥＵＶ光が照明光学系１８３で集光され照度が均一化され、露光原版１８１に照射される。露光原版１８１に照射されたＥＵＶ光は、原版１８４によりパターン状に反射される。
この露光原版１８１は、本実施形態の露光原版の一例である。光源１８２から放出されたＥＵＶ光がペリクル膜１０２を透過して原版１８４に照射されるように配置されている。原版１８４は、照射されたＥＵＶ光をパターン状に反射するものである。
照明光学系１８３には、ＥＵＶ光の光路を調整するための複数枚の多層膜ミラー１８９、１９０、１９１と光結合器（オプティカルインテグレーター）等が含まれる。
光源１８２及び照明光学系１８３は、公知の光源及び照明光学系を用いることができる。
ＥＵＶ露光装置１８０において、光源１８２と照明光学系１８３との間、及び照明光学系１８３と原版１８４の間には、フィルター・ウィンドウ１８５及び１８６がそれぞれ設置されている。フィルター・ウィンドウ１８５及び１８６は、飛散粒子（デブリ）を捕捉し得るものである。また、ＥＵＶ露光装置１８０は、原版１８４が反射したＥＵＶ光を感応基板１８７へ導く投影光学系１８８を備えている。
本発明の一実施形態に係る露光装置は、通気孔にフィルタが着脱可能に設けられ、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜が設けられたペリクルが露光原版に接続されているため、露光装置の光学系への影響を低減することができる。
なお、図３０においては、ペリクル膜１０２及び支持枠１１１を含むペリクル１００Ｂをパターンが形成された原版１８４の面に配置した露光原版１８１をＥＵＶ露光装置１８０に配置する例を示したが、本発明に係るＥＵＶ露光装置はこれに限定されるものではなく、ペリクル１００やペリクル１００Ａを配置した露光原版１８１をＥＵＶ露光装置１８０に配置することもでき、また、上述した各実施形態において説明した支持枠を有するペリクルを用いた露光原版１８１をＥＵＶ露光装置１８０に配置してもよい。
本実施形態の露光装置は、露光光（好ましくはＥＵＶ光等、より好ましくはＥＵＶ光。以下同じ。）を放出する光源と、本実施形態の露光原版と、光源から放出された露光光を露光原版に導く光学系と、を備え、露光原版は、光源から放出された露光光がペリクル膜を透過して原版に照射されるように配置されていることが好ましい。
この態様によれば、ＥＵＶ光等によって微細化されたパターン（例えば線幅３２ｎｍ以下）を形成できることに加え、異物による解像不良が問題となり易いＥＵＶ光を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減されたパターン露光を行うことができる。
［半導体装置の製造方法］
本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版のペリクル膜を透過させて原版に照射し、原版で反射させるステップと、原版によって反射された露光光を、ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、感応基板をパターン状に露光するステップと、を有する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版のペリクル膜を透過させて原版に照射し、原版で反射させるステップと、原版によって反射された露光光を、ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、感応基板をパターン状に露光するステップと、を有する。
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、異物による解像不良が問題となり易いＥＵＶ光を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減された半導体装置を製造することができる。例えば本発明に係る露光装置を用いることで、本実施形態の半導体装置の製造方法を行うことができる。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、通気孔にフィルタが着脱可能に設けられ、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル膜が設けられたペリクルが露光原版に接続されているため、極端紫外光リソグラフィにおいて、高精細の露光を行うことができる。
１ 通気孔、３ 孔、３Ａ 孔、３Ｂ 孔、５ 孔、１０ 枠体、１０Ａ 枠体、１２ 底板層、１３ 通気口付板層、１３Ａ 通気口付板層、１３Ｂ 通気口付板層、１３Ｃ 通気口付板層、１３Ｄ 通気口付板層、１３Ｄ−１ 櫛歯状の構造、１３Ｅ 通気口付板層、１３Ｅ−１ 櫛歯状の構造、１４ 凹部（窪み形状）、１４Ａ 凹部（窪み形状）、１４Ｂ 凹部、１４Ｃ 凹部、１７ 通気口付板層、１７Ａ 通気口付板層、１７Ｂ 通気口付板層、１７Ｃ 通気口付板層、１８ 貫通孔、１８Ａ 貫通孔、１９ 凹部（窪み形状）、１９Ａ 凹部（窪み形状）、２５ スペーサー層、２５Ａ スペーサー層、３０ フィルタ、３０Ａ フィルタ、３６ 第２スペーサー層、３６Ａ 第２スペーサー層、３８ 貫通孔、３８Ａ 貫通孔、３９ 接着層、４１ 天板、４８ スペーサー層、４８Ａ 第３スペーサー層、１００ ペリクル、１００Ａ ペリクル、１００Ｂ ペリクル、１０２ ペリクル膜、１０４ 第１の枠体、１１１ 支持枠、１１１Ａ 支持枠、１１１Ｂ 支持枠、１１１Ｃ 支持枠、１１１Ｄ 支持枠、１１１Ｅ 支持枠、１１１Ｆ 支持枠、１１１Ｇ 支持枠、１１１Ｈ 支持枠、１１１Ｉ 支持枠、１１１Ｊ 支持枠、１１１Ｋ 支持枠、１１１Ｌ 支持枠、１８０ 露光装置、１８１ 露光原版、１８２ 光源、１８３ 照明光学系、１８４ 原版、１８５ フィルター・ウィンドウ、１８６ フィルター・ウィンドウ、１８７ 感応基板、１８８ 投影光学系、１８９ 多層膜ミラー、１９０ 多層膜ミラー、１９１ 多層膜ミラー
Claims (17)
- ペリクル膜を配置するための支持枠であって、
前記ペリクル膜の面方向と略平行な第１の方向に延びる孔及び前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる孔を有する貫通孔と、
前記貫通孔の内部、または、前記貫通孔の端部に設けられ、且つ、前記ペリクル膜から離間して配置されるフィルタと、を備え、
前記支持枠が複数の層を有し、
前記複数の層が、枠形状を有する底板と、前記底板上に設けられた枠形状を有する第１の薄板及び枠形状を有する第２の薄板とを有し、
前記第１の薄板は、前記第１の薄板の内縁部に接続し、前記第１の方向に延伸する第１の凹部を有し、
前記第２の薄板は、前記第２の薄板の外縁部に接続し、前記第１の方向に延伸する第２の凹部を有し、
前記第１の凹部と前記第２の凹部の少なくとも一部が重畳することにより、前記第２の方向に延びる孔が形成されていることを特徴とする支持枠。 - 前記第１の薄板は前記底板上に設けられ、前記第２の薄板は前記第１の薄板上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 前記第２の薄板は前記底板上に設けられ、前記第１の薄板は前記第２の薄板上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 前記第１の薄板と前記第２の薄板との間に少なくとも１以上のスペーサー層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 前記第１の薄板は前記底板上に設けられ、前記第１の薄板は前記第１の方向に延伸する複数の第１の凹部を有することを特徴とする請求項４に記載の支持枠。
- 前記第２の薄板は前記底板上に設けられ、前記第２の薄板は前記第１の方向に延伸する複数の第２の凹部を有することを特徴とする請求項４に記載の支持枠。
- 前記貫通孔が複数設けられ、
前記貫通孔のそれぞれに前記フィルタが設けられ、
複数の前記フィルタの面積の合計が１００ｍｍ2以上２０００ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項１に記載の支持枠。 - 前記フィルタの面方向が前記ペリクル膜の面方向と略平行であることを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 前記フィルタは、初期圧力損失が１００Ｐａ以上５５０Ｐａ以下であり、粒径が０．１５μｍ以上０．３μｍ以下の粒子に対して粒子捕集率が９９．７％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 前記支持枠のペリクル膜が設けられる面から反対側の面までの厚みが、３．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の支持枠。
- 極端紫外光リソグラフィ用である、請求項１に記載の支持枠。
- 請求項１に記載の支持枠に前記ペリクル膜が設けられたことを特徴とするペリクル。
- 前記ペリクル膜の一方の面に設けられた枠体を介して、前記支持枠に前記ペリクル膜が設けられたことを特徴とする請求項１２に記載のペリクル。
- 原版と、前記原版のパターンを有する側の面に装着された請求項１２に記載のペリクルと、を含むことを特徴とする露光原版。
- 請求項１４に記載の露光原版を有することを特徴とする露光装置。
- 露光光を放出する光源と、請求項１４に記載の露光原版と、前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、を有し、前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されていることを特徴とする露光装置。
- 光源から放出された露光光を、請求項１４に記載の露光原版のペリクル膜を透過させて原版に照射し、前記原版で反射させるステップと、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018059416 | 2018-03-27 | ||
| JP2018059416 | 2018-03-27 | ||
| PCT/JP2019/010958 WO2019188445A1 (ja) | 2018-03-27 | 2019-03-15 | ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019188445A1 JPWO2019188445A1 (ja) | 2021-03-11 |
| JP6945726B2 true JP6945726B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=68061487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020510669A Active JP6945726B2 (ja) | 2018-03-27 | 2019-03-15 | ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11243463B2 (ja) |
| EP (1) | EP3779594B1 (ja) |
| JP (1) | JP6945726B2 (ja) |
| KR (1) | KR102465834B1 (ja) |
| CN (1) | CN111919171B (ja) |
| TW (1) | TWI797292B (ja) |
| WO (1) | WO2019188445A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN216118382U (zh) * | 2020-06-08 | 2022-03-22 | 信越化学工业株式会社 | 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统 |
| CN114885534B (zh) * | 2021-02-05 | 2024-05-28 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 电子装置 |
| KR102687699B1 (ko) * | 2023-08-18 | 2024-07-24 | 주식회사 에프에스티 | 응력 완충구조를 구비하는 euv 펠리클의 마운팅 블록, 마운팅 블록을 포함하는 euv 펠리클 구조체, euv 펠리클 구조체를 포함하는 euv 노광 장치 및 euv 펠리클의 마운팅 및 디마운팅 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422704A (en) * | 1992-07-13 | 1995-06-06 | Intel Corporation | Pellicle frame |
| US5529819A (en) * | 1995-04-17 | 1996-06-25 | Inko Industrial Corporation | Pellicle assembly with vent structure |
| JP2004354720A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスク用ペリクル |
| JPWO2008007521A1 (ja) | 2006-07-11 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | レチクル保持部材、レチクル・ステージ、露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| EP3118683A4 (en) * | 2014-05-02 | 2017-11-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof, exposure original plate and manufacturing method thereof, exposure device, and semiconductor device manufacturing method |
| EP3196700B1 (en) * | 2014-09-19 | 2019-01-30 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
| JP6275270B2 (ja) | 2014-09-19 | 2018-02-07 | 三井化学株式会社 | ペリクル、その製造方法及び露光方法 |
| KR20160043301A (ko) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | 한국미쓰비시엘리베이터 주식회사 | 모터 과열 검출장치 |
| KR20160043292A (ko) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | (주)엘프테크 | 수동형 광가입자망의 대역폭 확대를 위한 구성 방법 |
| JP6274079B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-02-07 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠および製造方法 |
| JP6519190B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2019-05-29 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠 |
| JP6395320B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| EP3079013B1 (en) * | 2015-03-30 | 2018-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle |
| JP2017083791A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
| US11143952B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle removal method |
| JP6941733B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2021-09-29 | 三井化学株式会社 | ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置 |
-
2019
- 2019-03-15 KR KR1020207028758A patent/KR102465834B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-15 CN CN201980022551.9A patent/CN111919171B/zh active Active
- 2019-03-15 WO PCT/JP2019/010958 patent/WO2019188445A1/ja unknown
- 2019-03-15 EP EP19776729.6A patent/EP3779594B1/en active Active
- 2019-03-15 JP JP2020510669A patent/JP6945726B2/ja active Active
- 2019-03-26 TW TW108110362A patent/TWI797292B/zh active
-
2020
- 2020-09-25 US US17/033,076 patent/US11243463B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102465834B1 (ko) | 2022-11-11 |
| JPWO2019188445A1 (ja) | 2021-03-11 |
| EP3779594B1 (en) | 2023-11-08 |
| TW201942665A (zh) | 2019-11-01 |
| TWI797292B (zh) | 2023-04-01 |
| CN111919171A (zh) | 2020-11-10 |
| US11243463B2 (en) | 2022-02-08 |
| US20210011372A1 (en) | 2021-01-14 |
| EP3779594A1 (en) | 2021-02-17 |
| CN111919171B (zh) | 2024-05-14 |
| WO2019188445A1 (ja) | 2019-10-03 |
| KR20200128134A (ko) | 2020-11-11 |
| EP3779594A4 (en) | 2022-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6941733B2 (ja) | ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置 | |
| JP6945726B2 (ja) | ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法 | |
| CN113917783B (zh) | 防护膜组件、其制造方法及曝光方法 | |
| KR101910302B1 (ko) | 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법 | |
| JP6279719B2 (ja) | ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2017083791A (ja) | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 | |
| TW202024782A (zh) | 使用及製作遮罩組件及監測該遮罩組件之護膜的方法、遮罩、遮罩組件、遮罩組件容器、護膜組件、及護膜組件容器 | |
| TWI817989B (zh) | 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| TW201836121A (zh) | 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| JP6148796B2 (ja) | ペリクルマウント装置 | |
| WO2015174412A1 (ja) | ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200925 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210907 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210914 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6945726 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |