CN111919171B - 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法 - Google Patents

支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111919171B
CN111919171B CN201980022551.9A CN201980022551A CN111919171B CN 111919171 B CN111919171 B CN 111919171B CN 201980022551 A CN201980022551 A CN 201980022551A CN 111919171 B CN111919171 B CN 111919171B
Authority
CN
China
Prior art keywords
support frame
filter
layer
hole
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980022551.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111919171A (zh
Inventor
石川彰
大久保敦
小野阳介
高村一夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Publication of CN111919171A publication Critical patent/CN111919171A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111919171B publication Critical patent/CN111919171B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供一种支撑框,其能够设置能够装卸地设置了过滤器的通气孔,粘贴极端紫外光光刻用的防护膜。本发明的一实施方式的支撑框是用于配置防护膜的支撑框,具备:贯通孔,其具有在与上述防护膜的面方向大致平行的第一方向上延伸的孔以及在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的孔;以及过滤器,其设于上述贯通孔的内部或上述贯通孔的端部,并且从上述防护膜离开地配置。

Description

支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法
技术领域
本发明涉及在通过光刻技术制造半导体装置等时使用的光掩膜或中间掩膜(以下将这些统称为“光掩膜”)以及作为防止尘埃附着的情况的光掩膜用防尘罩的防护件等。本发明尤其涉及作为极端紫外光(Extreme Ultraviolet:EUV)光刻用的极薄膜的防护件用支撑框、防护件以及其制造方法、以及使用这些的露光底版、半导体装置制造方法。
背景技术
半导体元件经过称为光刻的工序而制造。在光刻中,使用被称为多点测量仪、分节器的露光装置对描绘电路图案的光掩膜照射露光光,在涂覆了光致抗蚀剂的半导体晶片上转印电路图案。此时,若尘埃等异物附着在光掩膜上,则将该异物的影子转印在半导体晶片上,无法正确地转印电路图案。作为其结果,有时半导体元件未正常地进行动作而成为次品。
相对于此,通过在光掩膜上安装由粘贴了防护膜的框体构成的防护件,使尘埃等异物附着在防护膜上,防止附着于光掩膜的情况。露光装置的露光光的焦点设定在光掩膜面和半导体晶片面上,未设置在防护膜的面上。因此,附着于防护膜的异物的影子不会在半导体晶片上成像。因此,在异物附着于防护膜的情况下,与异物附着于光掩膜的情况相比,妨碍电路图案的转印的程度被大幅降低,显著地抑制了半导体元件的次品产生率。
对用于防护件的防护膜要求使露光光以高透过率透过的特性。这是因为,若防护膜的光透过率低,则来自形成有电路图案的光掩膜的露光光的强度下降,形成在半导体晶片上的光致抗蚀剂未充分地被感光。
以往,光刻的波长进行了短波长化,作为下一代的技术,进行了EUV光刻的开发。EUV光是指软X线区域或真空紫外线区域的波长的光,是指13.5nm±0.3nm左右的光线。EUV光相对于所有的物质容易被吸收,因此,在EUV光刻中,需要使露光装置内为真空地进行露光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开2016/043292号
专利文献2:国际公开2016/043301号
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述,EUV光刻与现有的光刻不同,由于为在真空下的露光,因此认为在光掩膜上的防护件的安装不是必须的。但是,由于是在以往没有的微细工艺,因此从防止光掩膜的污染等的观点来看,可以看出,在光掩膜上安装防护件是必须的。但是,EUV光由于相对于所有物质容易被吸收,因此配置于防护件的防护膜需要是以往没有的纳米程度的膜。
另外,由于当初认为在光掩膜上的防护件的安装不是必须的,因此在以往开发的EUV露光装置上只存在用于向光掩膜安装防护件的3.0mm左右的空间。但是,为了在露光装置内确保用于安装具有5mm以上的高度的现有的防护件的空间,需要光学系统的设计改变,对EUV光刻的开发带来延迟。因此,需要重新设计为现有的防护件的一半以下左右的高度的防护件。
由于是真空下的露光,因此产生由光掩膜和防护件形成的封闭空间(防护件的内侧)与其外侧的压力差,防护膜松弛或鼓起。作为其解决方案,考虑设置通气孔的方案。但是,由于防护件的设置空间被大幅地限制,因此为了防止纳米程度的防护膜的损伤,需要确保通过配置于防护件的框体的通气孔的充分的通气。为了防止在通气孔中产生向防护件的内侧的异物混入,需要在其中途配置过滤器,但由于防护件的设置空间被大幅地限制且框体所容许的高度也被大幅地限制,因此过滤器向框体的配置也要求以往没有的设计。
本发明是解决上述问题的方案,其目的在于提供一种设置有通气孔以及过滤器且能够设置极端紫外光光刻用的防护膜的支撑框、在该支撑框上设置有极端紫外光光刻用的防护膜的防护件以及其制造方法、以及使用这些的露光底版、半导体装置制造方法。
用于解决课题的方案
本发明的一实施方式的支撑框是用于配置防护膜的支撑框,具备具有在与上述防护膜的面方向大致平行的第一方向上延伸的孔以及在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的孔的贯通孔、设置于上述贯通孔的内部或在上述第二方向上延伸的孔侧的上述贯通孔的端部且从上述防护膜离开地配置的过滤器。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间少并且抑制过滤器的劣化。另外,当在贯通孔的端部设置了过滤器时,过滤器的装卸更加容易。能够在该支撑框上设置防护膜。
在本发明的一实施方式中,上述支撑框具有多个层,上述多个层具备具有框形状的底板和设置在上述底板上的具有框形状的第一薄板以及具有框形状的第二薄板,上述第一薄板具有连接于上述第一薄板的内缘部且在上述第一方向上延伸的第一凹部,上述第二薄板具有连接于上述第二薄板的外缘部且在上述第一方向上延伸的第二凹部,通过上述第一凹部与上述第二凹部的至少一部分重叠,可以形成在上述第二方向上延伸的孔。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间少且抑制过滤器的劣化。另外,通过层叠多个框形状的板,能够简便地形成通气孔的立体的形状。
在本发明的一实施方式中,可以上述第一薄板设置在上述底板上,上述第二薄板设置在上述第一薄板上。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。另外,通过层叠多个框形状的板,能够简便地形成通气孔的立体的形状。
在本发明的一实施方式中,可以上述第二薄板设置在上述底板上,上述第一薄板设置在上述第二薄板上。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。另外,通过层叠多个框形状的板,能够简便地形成通气孔的立体的形状。
在本发明的一实施方式中,在上述第一薄板与上述第二薄板之间还可以具有至少一个以上的衬垫层。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。另外,通过层叠多个框形状的板能够简便地形成通气孔的立体的形状。
在本发明的一实施方式中,可以上述第一薄板设置在上述底板上,上述第一薄板具有在上述第一方向上延伸的多个第一凹部。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。另外,通过第一薄板具有多个第一凹部,能够抑制底板和衬垫层的歪斜。
在本发明的一实施方式中,可以上述第二薄板设置在上述底板上,上述第二薄板具有在上述第一方向上延伸的多个第二凹部。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。另外,通过第二薄板具有多个第二凹部,能够抑制底板和衬垫层的歪斜。
在本发明的一实施方式中,设置有多个上述贯通孔,在上述贯通孔的各个上设置上述过滤器,多个上述过滤器的面积的合计可以是100mm2以上且2000mm2以下。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。
在本发明的一实施方式中,上述过滤器的面方向可以与上述防护膜的面方向大致平行。
根据本发明的一实施方式的支撑框,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。能够在该支撑框上设置防护膜。
在本发明的一实施方式中,上述过滤器的初期压力损失为100pa以上且550pa以下,相对于粒径为0.15μm以上且0.3μm以下的粒子,粒子捕获率可以为99.7%以上且100%以下。
根据本发明的一实施方式的支撑框,即使是高性能的过滤器,合计的面积也变大,直到成为真空所需的时间变短。另外,能够设置极端紫外光光刻用的防护膜。
在本发明的一实施方式中,从上述框体的设置有防护膜的面到相反侧的面的厚度可以为3.0mm以下。
根据本发明的一实施方式的支撑框,向EUV露光装置的设置变得容易。
在本发明的一实施方式中,提供了一种在上述任一个支撑框上设置有上述防护膜的防护件。
根据本发明的一实施方式的防护件,直到成为真空所需的时间变短且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,可以通过设置于上述防护膜的一个面的框体,在上述支撑框上设置上述防护膜。
根据本发明的一实施方式的支撑框,由于将防护膜支撑在框体上,因此能进行向支撑框的装卸,过滤器的装卸变得容易。
在本发明的一实施方式中,提供一种包括底版、安装于具有上述底版的图案的一侧的面的防护件的露光底版。
根据本发明的一实施方式的露光底版,直到成为真空所需的时间变少且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,提供一种具有上述露光底版的露光装置。
根据本发明的一实施方式的露光装置,直到成为真空的时间变少且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,提供一种露光装置,具有放出露光光的光源、上述露光底版以及将从上述光源放出的露光光向上述露光底版引导的光学系统,上述露光底版以从上述光源放出的露光光透过上述防护膜且照射到上述底版的方式配置。
根据本发明的一实施方式的露光装置,直到成为真空所需的时间变少,并且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,露光光是EUV光。
根据本发明的一实施方式的露光装置,直到成为真空所需的时间变短且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,提供一种半导体装置制造方法,具有使从光源放出的露光光透过上述露光底版的防护膜并照射到底版上并利用上述底版反射的步骤和通过使由上述底版反射的露光光透过上述防护膜并照射到感应基板而使上述感应基板以图案状露光的步骤。
根据本发明的一实施方式的半导体装置制造方法,直到成为真空所需的时间变少,并且抑制过滤器的劣化。
在本发明的一实施方式中,提供一种半导体装置制造方法,上述露光光是EUV光。
根据本发明的一实施方式的半导体装置制造方法,直到成为真空所需的时间变少,并且抑制过滤器的劣化。
发明效果
根据本发明,提供一种设置有通气孔以及过滤器且能够设置极端紫外光光刻用的防护膜的支撑框、在该支撑框上设置极端紫外光用光刻的防护膜的防护件以及其制造方法、以及使用这些的露光底版、半导体装置制造方法。
附图说明
图1是一实施方式的框体10的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图2是一实施方式的支撑框111的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图3是一实施方式的支撑框111A的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图4是第一实施方式的支撑框111B的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图5是用于表示实施方式一的支撑框111B的结构的示意图,尤其是底层板12的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图6是用于表示实施方式一的支撑框111B的结构的示意图,尤其是内侧的带通气口板层13的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图7是用于表示实施方式一的支撑框111B的结构的示意图,尤其是外侧的带通气口板层17的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图8是实施方式一的变形例的支撑框111C的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图9是用于表示实施方式一的变形例的支撑框111B的结构的示意图,尤其是外侧的带通气口板层13A的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图10是用于表示实施方式一的变形例的支撑框111B的结构的示意图,尤其是内侧的带通气口板层17A的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图11是用于表示实施方式二的支撑框111D的结构的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图12是用于表示实施方式二的支撑框111D的结构的示意图,尤其是带贯通孔的衬垫层25的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图13是实施方式二的变形例的支撑框111E的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图14是用于表示实施方式一的变形例的支撑框111E的结构的示意图,尤其是带贯通孔的衬垫层25A的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图15是实施方式三的支撑框111F的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图16是用于表示实施方式三的支撑框111F的结构的示意图,尤其是第二衬垫层36的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图17是实施方式三的变形例的支撑框111G的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图18是用于表示实施方式一的变形例的支撑框111G的结构的示意图,尤其是第二衬垫层36A的说明图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图19是实施方式四的支撑框111H的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图20是表示实施方式五的支撑框111K的示意图。(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111K的俯视图,(b)是在配置有过滤器30的位置((a)所示的线段CD)的支撑框111K的剖视图。
图21(a)是表示实施方式五的内侧的带通气口板层13D的俯视图,图21(b)是说明与配置有过滤器30的位置(图11(a)所示的线段CD)对应的位置的支撑框111D的歪斜的示意图。
图22是表示实施方式五的变形例的支撑框111L的示意图。(a)是在框体上配置有过滤器30的支撑框111L的俯视图,(b)是在配置有过滤器30的位置((a)所示的线段CD)的支撑框111L的剖视图。
图23是表示实施方式五的变形例的外侧的带通气口板层13E的俯视图。
图24是实施方式四的支撑框111I的示意图。(a)是俯视图,由虚线表示成为过滤器30的位置的场所。(b)是(a)的AB线的剖视图。
图25是一实施方式的天板41的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图26是具备实施方式一的变形例的顶板41的支撑框111J的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图27是一实施方式的防护件100的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图28是实施方式的一变形例的防护件100A的示意图。(a)是俯视图,(b)是(a)的AB线的剖视图。
图29是用于表示一实施方式的防护件、露光底版的示意图。
图30是用于表示一实施方式的露光装置、半导体装置的制造装置的示意图。
具体实施方式
下面,参照图1~图30说明本发明的实施方式。但是,本发明能以多种不同的方式实施,并不是限定为以下所示的实施方式的内容来进行解释的内容。另外,附图为了使说明更明确,与实施方式相比,关于各部的宽度、厚度、形状等存在示意地进行表示的情况,但只不过是一例,并不限定本发明的解释。另外,在本说明书与各图中,在关于已有的附图与上述相同的要素标注相同的符号,存在适当省略详细的说明的情况。
[定义]
在本说明书中,在某部件或领域位于其他部件或领域“上(或下)”的情况下,只要没有特别的限定,不仅是这些位于其他部件或领域的正上方(正下方)的情况,也包括位于其他部件或区域的上方(或下方)的情况,即,在其他部件或区域的上方(或下方)在其间还包括其他构成要素的情况。
在本说明书中,防护件表示具有防护膜、设于防护膜的一个面的支撑防护膜且连接于底版的支撑部的含义。防护膜表示用于防护件的薄膜。支撑部至少包括连接于底版的支撑框。支撑框具备通气孔。在将防护件配置于底版时,通气孔是能进行由防护件和底版形成的封闭空间的内侧与外侧的通气的孔。在通气孔的一端或通气孔内部配置过滤器。支撑框是在通气孔的一端或通气孔内部配置了过滤器的框体。支撑部可以利用支撑框吊架防护膜,也可以还具有连接于防护膜以及支撑框的其他框体。在支撑部由支撑框和其他框体构成的情况下,将吊架防护膜的框体称为第一框体,将支撑第一框体且构成配置于底版侧的支撑框的框体称为第二框体。将在第一框体上吊架了防护膜的结构物称为防护框体。因此,防护件也能够定义为防护膜和支撑框连接了的结构体,也能够定义为防护框体和支撑框连接了的结构体。另外,支撑框只要是能配置在露光装置内的空间的范围,并不排除具备两个以上的框体的情况。
在本说明书中,“面”未限于平面,包括曲面。
[在本发明中发现的现有技术的问题点]
在使使用了EUV防护件的光刻装置内为真空时,若设于该防护件的支撑部的过滤器的面积小,则空气难以通过过滤器,在使防护件的内部成为真空方面比较花费时间。尤其由于支撑部自身的高度低,因此在现有技术记载的专利文献1那样的设置支撑部的侧面方向的孔的类型中,在过滤器面积方面有界限,因此具有为了进一步缩短到达真空所需的时间的课题。另外,在现有技术记载的专利文献2那样的设置支撑部的纵向的孔的类型中,由于过滤器在露光面露出,因此EUV光照到过滤器,存在过滤器的劣化比较早进行的课题。另外,在作为现有技术的专利文献2中,需要在SiN、p-Si、SiC等EUV用防护膜的出发基板即Si晶片上进行开孔加工,明显加工工序比较复杂且高价。
[本发明的一实施方式的结构]
因此,本发明人关于支撑部中的通气孔1(贯通孔),想到了下述通气孔1(贯通孔):在构成支撑部的框体10的内侧(在将防护件安装于底版的情况下形成有封闭空间的一侧。另外,关于在将防护件安装于底版的情况下的封闭空间部分,由箭头P表示),在框体10的横向或侧面方向(与防护膜的面方向大致平行的方向,也称为第一方向L1)上延伸的孔3,在直到框体10的外侧之间折弯,在与第一方向L1相交的方向第二方向L2上延伸的孔5,向封闭空间部分P的外部贯通。图1(a)是框体10的俯视图(配置有防护框体的面侧的示意图),图1(b)是图1(a)所示的线段AB中的框体10的剖视图。另外,在图1中,表示通过一体的部件设置有通气孔1的图。这些例如能够以通过蚀刻、机械加工等在框体上设置通气孔1的方法制造。
为了配置图2所示的过滤器30,作为一实施方式,框体10具有切割了上面a的一部分的台阶状的构造。在本实施方式中,作为用于将过滤器30粘贴在框体10上的面,配置有面b以及面c。面b是切割了的台阶状的构造的缘部的面,面c在切割了的台阶状的构造中是与上面a对置的下面。面b和面c具有用于配置过滤器30的空间S。通过在该通气孔1的任意的场所(作为孔5的外侧的端部的外侧的通气口、作为孔3的内侧的端部的内侧的通气口、孔5的内部或孔3的内部)粘贴过滤器30,成为支撑框111。图2(a)是在框体10上配置了过滤器30的支撑框111的俯视图,图2(b)是在配置了过滤器30的位置(图2(a)所示的线段AB)的支撑框111的剖视图。作为一例,过滤器30通过面b以及面c粘贴在框体10上。即,过滤器30设置于在第二方向上延伸的孔侧的贯通孔的端部。在图2中,在通气孔1的、作为在将露光底版连接于防护件时成为封闭空间部分P的外侧的部分即出口部分(外侧的通气口)配置过滤器30,但并未限定于该位置,能设置于孔5的任意的场所。通过在后述的防护膜或防护框体配置于支撑框111的上面a而能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。另外,过滤器30在防护膜的下方(露光底版侧)从防护膜离开地配置,通过框体10而使露光光难以照射。因此,过滤器30难以劣化。
另外,支撑框111表示使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体10的内侧的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体10的外侧的通气口的框体10的例子,但本发明的支撑框并未限定于此。图3是表示本发明的一实施方式的支撑框111A的示意图。图3(a)是在框体10A上配置了过滤器30的支撑框111A的俯视图,图3(b)是在配置了过滤器30的位置(图3(a)所示的线段AB)的支撑框111A的剖视图。框体10A具有在第一方向L1上延伸的孔3为框体10A的外侧的通气口、在与第一方向L1相交的方向L2上延伸的孔5为框体10A的内侧的通气口的结构。在框体10A中,切割了的台阶状的构造的缘部的面b配置于框体10A的内缘部(吊架防护膜的一侧,是在作为防护件使用时形成封闭空间的一侧)。因此,在支撑框111A中,过滤器30设置于位于框体10A的内缘部的孔5的端部。通过将后述的防护膜或防护膜体配置在支撑框111A的上面a,能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。另外,过滤器30在防护膜的下方(露光底版侧)从防护膜离开地配置,露光光透过防护膜,因此照射到过滤器的露光光少。因此,过滤器30难以劣化。
另外,支撑框111以及支撑框111A未限定于一体构成的框体10以及框体10A那样的构造体。在一实施方式中,可以连接多个部件(多个板状的层)设置通气孔1。
[实施方式一]
图4是表示本发明的一实施方式的支撑框111B的示意图。图4(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111B的俯视图,图4(b)是在配置了过滤器30的位置(图4(a)所示的线段AB)的支撑框111B的剖视图。实施方式一从连接于底版(光掩模)的一侧(将防护件连接于底版的情况下的封闭空间侧)依次层叠底板层12、内侧的带通气口板层13(第一薄板)、外侧的带通气口板层17(第二薄板)而形成框体。说明这些各层。首先,图5是底板层12的说明图,图5(a)是底板层12的俯视图,图5(b)是在图5(a)所示的线段AB的底板层12的剖视图。图6是内侧的带通气口板层13的说明图,图6(a)是内侧的带通气口板层13的俯视图,图6(b)是在图6(a)所示的线段AB的内侧的带通气口板层13的剖视图。图7是外侧的带通气口板层17的说明图,图7(a)是外侧的带通气口板层17的俯视图,图7(b)是在图7(a)所示的线段AB的外侧的带通气口板层17的剖视图。
在图5中表示的底板层12例如是矩形的框形状,但能根据期望的框体的形状适当地设定形状。作为底板层12的原料列举金属、玻璃、硅晶片、陶瓷、树脂。另外,底板层12、后述的内侧的带通气口板层13、外侧的带通气口板层17可以组合分别由同种的材质形成的薄板而成,也可以组合由分别不同的材质形成的薄板而成,也可以组合由一部分共通的材质形成的薄板。
在图6中表示的内侧的带通气口板层13例如是矩形的框形状,具有连接于框的内缘部(吊架防护膜的一侧,是在作为防护件使用时形成封闭空间的一侧)且在第一方向上延伸的凹部(凹陷形状)14。在图6中,表示凹部14在各边设置一处的例子。但是,凹部14的数量未特别地限定。另外,内侧的带通气口板层13自身的形状也能与期望的框体的形状适当地设定形状。凹部14的大小比后述的外侧的带通气口板层17中的凹部19小从耐久性的观点来看优选。作为内侧的带通气口板层13的原料列举金属、玻璃、硅晶片、陶瓷、树脂。内侧的带通气口板层13相当于第一薄板。
在图7中表示的外侧的带通气口板层17例如是矩形的框形状,具有连接于框的外缘部(与上述框的内侧相反侧,是在作为防护件使用时未形成封闭空间的一侧)且在第一方向上凹的凹部(凹陷形状)19。在图7中,表示凹部19在各边设置一处的例子。但是,凹部19的数量未特别地限定。另外,外侧的带通气口板层17自身的形状也能根据期望的框体的形状适当地设定。作为外侧的带通气口板层17的原料列举金属、玻璃、硅晶片、陶瓷、树脂。在该实施方式中,凹部19形成的开口相当于第二方向L2的孔。另外,外侧的带通气口板层17相当于第二薄板。
在本实施方式中,薄板的固定只要被固定即可,并未特别地限制。作为固定方法,例如列举粘着板、粘接剂、接合剂、常温接合、直接接合、原子扩散接合、金属接合、融敷、钎焊接合、热粘合、热熔、氧熔接合、面拉锁、螺钉、销、夹子、铆接等机械固定、使用磁性夹入并固定的方法等。
这样,通过在底板层12上依次层叠内侧的带通气口板层13以及外侧的带通气口板层17并固定,利用底板层12和外侧的带通气口17覆盖凹部14的至少一部分,形成向框体的内缘部开口的在第一方向L1上延伸的孔3。另外,通过内侧的带通气口板层13的凹部14与外侧的带通气口板层17的凹部19的至少一部分重叠,形成连接于孔3且在第二方向上延伸的孔5,从而形成向框体的外缘部开口的通气孔1。
通过在框体的孔5的端部设置过滤器30,得到支撑框111B。在图4中,过滤器30与内侧的带通气口板层13的上面接触,即能够与凹部19形成的开口连接,但并未限定于此。过滤器能够利用HEPA、ULPA等薄膜过滤器、无纺布过滤器、层叠了碳纳米管、纤维素等纤维的过滤器、陶瓷过滤器、玻璃过滤器、金属烧结过滤器、中空纸过滤器等。本发明的一实施方式的支撑框即使是过滤器的通气阻力高的情况下也能增大通气口的面积,因此能够降低进行抽真空的时间,优选是过滤器的初期压力损失为100Pa以上且550Pa以下且具有相对于粒径为0.15μm以上且0.3μm以下的粒子的粒子捕获率为99.7%以上且100%以下的特性的过滤器。另外,在设置有多个贯通孔且在各个贯通孔上设置过滤器的情况下,优选多个过滤器的合计的面积为100mm2以上且2000mm2以下。过滤器的固定只要被固定即可,未特别地限制。作为固定方法,例如列举与薄板的固定相同的方法。另外,与该过滤器相关的说明在各实施方式中共通,因此在以下省略说明。
通过将后述的防护膜或防护框体配置在外侧的带通气口板层17的上面,能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,通过外侧的带通气口板层17,EUV光难以照射,能抑制过滤器30的劣化。另外,本发明的一实施方式的支撑框如上所述,能装卸地将过滤器固定于框体。因此,具有在将使用了本发明的一实施方式的支撑框的防护件从露光装置剥开后,只更换过滤器,能再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式一的变形例]
在实施方式一中,支撑框111B表示为在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框未限定于此。如在支撑框111A中说明那样,也能够使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图8是表示实施方式一的变形例的支撑框111C的示意图。图8(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111C的俯视图,图8(b)是在配置了过滤器30的位置(图8(a)所示的线段AB)的支撑框111C的剖视图。实施方式一的变形例从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、外侧的带通气口板层13A(第二薄板)、内侧的带通气口板层17A(第一薄板)而形成。说明这些各层。底板层12能够使用与上述结构相同的结构,因此省略详细的说明。
图9是外侧的带通气口板层13A的说明图,图9(a)是外侧的带通气口板层13A的俯视图,图9(b)是在图9(a)所示的线段AB的外侧的带通气口板层13A的剖视图。在图9中所示的外侧的带通气口板层13A例如是矩形的框形状,具有连接于框的外缘部且在第一方向上凹的凹部(凹陷形状)14A。另外,外侧的带通气口板层13A能够使用与上述的外侧的带通气口板层17A相同的结构,因此省略详细的说明。在该变形例中,凹部14A形成的开口相当于第一方向L1的孔。另外,外侧的带通气口板层13A相当于第一薄板。
图10是内侧的带通气口板层17A的说明图,图10(a)是内侧的带通气口板层17A的俯视图,图10(b)是在图7(a)所示的线段AB的内侧的带通气口板层17A的剖视图。在图10中表示的内侧的带通气口板层17A例如是矩形的框形状,具有连接于框的内缘部且在第一方向上延伸的凹部(凹陷形状)19A。另外,内侧的带通气口板层17A能够使用与上述的内侧的带通气口板层13相同的结构,因此省略详细的说明。在该变形例中,凹部19A形成的开口相当于第二方向L2的孔。另外,内侧的带通气口板层17A相当于第二薄板。
薄板的固定只要被固定即可,能够适用在实施方式一中说明的结构,因此省略详细的说明。
这样,通过在底板层12A上依次层叠外侧的带通气口板层13A以及内侧的带通气口板层17A并固定且利用底板层12和内侧的带通气口板层17A覆盖凹部14A的至少一部分,形成向框体的外侧开口的在第一方向L1上延伸的孔3。另外,通过外侧的带通气口板层13A的凹部14A与内侧的带通气口板层17A的凹部19A的至少一部分重叠,与孔3连续地形成在第二方向上延伸的孔5,从而形成向框体的内侧开口的通气孔1。
通过在框体的孔5的端部设置过滤器30,得到支撑框111C。在图8中,过滤器30与外侧的带通气口板层13A的上面接触,即能够与凹部19A形成的开口连接,但并未限定于此。与过滤器相关的说明为上述,因此省略详细的说明。
通过将后述的防护膜或防护膜体配置在内侧的带通气口板层17A的上面,能够得到防护件。因此,在本变形例的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,由于EUV光透过防护膜,因此照射到过滤器的EUV光少。因此,能够抑制过滤器30劣化。另外,本变形例的支撑框如上所述,能装卸地将过滤器固定于框体。因此,具有将使用了本变形例的支撑框的防护件从露光装置剥开后,只更换过滤器,能再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式二]
图11是表示本发明的一实施方式的支撑框111D的示意图。图11(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111D的俯视图,图11(b)是在配置了过滤器30的位置(图11(a)所示的线段AB)的支撑框111D的剖视图。实施方式二从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、内侧的带通气口13B、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17B而形成框体。在实施方式二中,如图11(b)所示,能够以逐渐向外侧(作为防护件连接于露光底版时的外侧)成为台阶状的方式连接底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17B。底板层12、内侧的带通气口板层13B以及外侧的带通气口板层17B的结构能够使用与在实施方式一中说明的内侧的带通气口板层13以及外侧的带通气口板层17的结构相同的结构,因此省略详细的说明。另外,关于与在实施方式一中说明的结构相同的结构,省略详细的说明。
图12是表示本发明的一实施方式的带贯通孔的衬垫层25的示意图。图12(a)是带贯通孔的衬垫层25的俯视图,图12(b)是在线段AB的带贯通孔的衬垫层25的剖视图。带贯通孔的衬垫层25设置于内侧的带通气口板层13B与外侧的带通气口板层17B之间,具有贯通与内侧的带通气口板层13B对置的面和与外侧的带通气口板层17B对置的面的贯通孔18。带贯通孔的衬垫层25与外侧的带通气口板层17B层叠,从外侧的带通气口板层17B侧俯视时,优选贯通孔18不会被外侧的带通气口板层17B隐藏而露出。根据该结构,在实施方式二中连接过滤器30的情况下,能够连接在带贯通孔的衬垫层25上。由此,过滤器30能将其四边粘接于衬垫层25,在设置了过滤器30的情况下,能成为泄漏少的框体。另外,若将过滤器30连接在带贯通孔的衬垫层25上,则过滤器30的装卸更容易。在该实施方式中,孔5包括由外侧的带通气口板层17B和衬垫层25形成的开口、位于衬垫层25的贯通孔的贯通孔18以及内侧的带通气口板层13B构成。
另外,在实施方式一中说明的支撑框111B中,如图4(b)所示,需要在过滤器30与内侧的带通气口板层13接触的部分以及过滤器30与外侧的带通气口板层17接触的部分分别固定。另一方面,在实施方式二的支撑框111D中,通过在内侧的带通气口板层13与外侧的带通气口板层17之间配置衬垫层25,只要将过滤器30仅固定于衬垫层25即可,能够简便地进行过滤器30的固定。
通过将后述的防护膜或防护膜体配置在外侧的带通气口板层17B侧的上面,能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,例如通过外侧的带通气口板层17B,EUV光难以照射,能够抑制过滤器30劣化。另外,本发明的一实施方式的支撑框如上所述,能将过滤器装卸地固定于框体。因此,具有在将使用本发明的一实施方式的支撑框的防护件从露光装置剥开后,只更换过滤器,能再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式二的变形例]
在实施方式二中,表示为支撑框111D使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框未限定于此。如在支撑框111A中所说明,也能使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图13是表示实施方式二的变形例的支撑框111E的示意图。图13(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111E的俯视图,图13(b)是在配置了过滤器30的位置(图13(a)所示的线段AB)的支撑框111E的剖视图。实施方式二的变形例从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C而形成框体。在本变形例中,如图13(b)所示,以逐渐朝向外侧成为台阶状的方式连接底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C。底板层12、外侧的带通气口板层13C以及内侧的带通气口板层17C的结构能够使用与在实施方式一的变形例中说明的外侧的带通气口板层13A以及内侧的带通气口板层17A的结构相同的结构,因此省略详细的说明。另外,关于与在实施方式一中说明的结构相同的结构,省略详细的说明。
图14是表示本发明的一实施方式的带贯通孔的衬垫层25A的示意图。图14(a)是带贯通孔的衬垫层25A的俯视图,图14(b)是在线段AB的带贯通孔的衬垫层25A的剖视图。带贯通孔的衬垫层25A设于外侧的带通气口板层13C与内侧的带通气口板层17C之间,具有贯通与外侧的带通气口板层13C对置的面和与内侧的带通气口板层17C对置的面的贯通孔18A。带贯通孔的衬垫层25A与内侧的带通气口板层17C层叠,在从内侧的带通气口板层17C侧俯视时,优选贯通孔18A不被内侧的带通气口板层17C隐藏而露出。根据该结构,在本变形例中连接过滤器30的情况下,能连接在带贯通孔的衬垫层25A上。由此,过滤器30能够将其四边粘接在衬垫层25A上,在设置了过滤器30的情况下,能成为泄漏少的框体。另外,若将过滤器30连接在带贯通孔的衬垫层25A上,则过滤器30的装卸更加容易。在本变形例中,孔5包括由内侧的带通气口板层17C和衬垫层25形成的开口、位于衬垫层25A的贯通孔18A以及外侧的带通气口板层13C。
另外,在实施方式一的变形例中说明的支撑框111C中,如图8(b)所示,在过滤器30与外侧的带通气口板层13A接触的部分以及过滤器30与内侧的带通气口板层17A接触的部分,需要分别进行固定。另外,在实施方式二的变形例的支撑框111E中,通过在外侧的带通气口板层13C与内侧的带通气口板层17C之间配置衬垫层25A,只要将过滤器30仅固定在衬垫层25上即可,能够简便地进行过滤器30的固定。
通过将后述的防护膜或防护膜体配置在内侧的带通气口板层17C侧的上面,能够得到防护件。因此,在本变形例的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,由于EUV光透过防护膜,因此照射到过滤器的EUV光少。因此,能抑制过滤器30的劣化。另外,本变形例的支撑框如上所述,将过滤器能装卸地固定于框体。因此,具有能在将使用了本变形例的支撑框的防护件从露光装置剥开后,只更换过滤器,再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式三]
图15是表示本发明的一实施方式的支撑框111F的示意图。图15(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111F的俯视图,图15(b)是在配置了过滤器30的位置(图15(a)所示的线段AB)的支撑框111F的剖视图。实施方式三是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、第二衬垫层36、第三衬垫层48、外侧的带通气口板层17而形成框体的例子。底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17的结构能够使用与上述实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
图16是表示本发明的一实施方式的带贯通孔的第二衬垫层36的示意图。图16(a)是第二衬垫层36的俯视图,图16(b)是在线段AB的第二衬垫层36的剖视图。第二衬垫层36设于带贯通孔的衬垫层25与后述的第三衬垫层48之间,具有贯通孔38。第二衬垫层36的贯通孔38与带贯通孔的衬垫层25的贯通孔18相比,是在第一方向L1上宽的形状。作为第二衬垫层36的原料,列举金属、玻璃、硅晶片、陶瓷、树脂。
第三衬垫层48是与带贯通孔的衬垫层25大致相同的形状,具有贯通孔18。第三衬垫层48能够使用与带贯通孔的衬垫层25相同的结构,因此省略详细的说明。
在实施方式三中连接过滤器30的位置不是内侧的带通气口板层13B,而是连接于带贯通孔的衬垫层25与第三衬垫层48之间的部分、即与第二衬垫层36同一平面上。在实施方式二中,孔5由外侧的带通气口板层17、位于带贯通孔的衬垫层25的贯通孔18、位于第二衬垫层36的贯通孔38以及位于第三衬垫层48的贯通孔18构成。
在该情况下,过滤器30可以仅将一面粘接于带贯通孔的衬垫层25且将另一面粘接于第三衬垫层48。
过滤器30能将其两面粘接于带贯通孔的衬垫层25、第三衬垫层48,因此在设置了过滤器30的情况下,能为泄漏更少的支撑框111F。
另外,在底板层12、内侧的带通气口板层13B、外侧的带通气口板层17的任一个中,即使在稍微存在歪斜的情况下,也能通过使用多张衬垫层修正该歪斜。例如,在底板层12、内侧的带通气口板层13B、外侧的带通气口板层17的任一个中存在歪斜的情况下,能够通过组合具有与该歪斜相反的歪斜的衬垫层修正歪斜。
[实施方式三的变形例]
在实施方式三中,表示为支撑框111F使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框未限定于此。如在支撑框111A中所说明那样,也能够使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图17是表示本发明的一实施方式的支撑框111G的示意图。图17(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111G的俯视图,图17(b)是在配置了过滤器30的位置(图17(a)所示的线段AB)的支撑框111G的剖视图。实施方式三的变形例是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、第二衬垫层36A、第三衬垫层48A、内侧的带通气口板层17A而形成框体的例子。底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17A的结构能够使用与上述的实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
图18是表示本发明的一实施方式的第二衬垫层36A的示意图。图18(a)是第二衬垫层36A的俯视图,图18(b)是在线段AB的第二衬垫层36A的剖视图。第二衬垫层36A设于带贯通孔的衬垫层25A与后述的第三衬垫层48A之间,具有贯通孔38A。第二衬垫层36A的贯通孔38A与带贯通孔的衬垫层25A的贯通孔18A相比,是在第一方向L1上宽的形状。作为第二衬垫层36A的原料,列举金属、玻璃、硅晶片、陶瓷、树脂。
第三衬垫层48A是与带贯通孔的衬垫层25A大致相同的形状,具有贯通孔18A。第三衬垫层48A能够使用与带贯通孔的衬垫层25A相同的结构,因此省略详细的说明。
在本变形例中,连接过滤器30的位置不是外侧的带通气口板层13C,而是连接于带贯通孔的衬垫层25A与第三衬垫层48A之间的部分、即与第二衬垫层36A相同平面上。在本变形例中,孔5由内侧的带通气口板层17A、位于带贯通孔的衬垫层25A的贯通孔18A、位于第二衬垫层36A的贯通孔38A以及位于第三衬垫层48A的贯通孔18A构成。
在该情况下,过滤器30可以仅将一面粘接于带贯通孔的衬垫层25A且将另一面粘接于第三衬垫层48。
过滤器30能将其两面粘接于带贯通孔的衬垫层25A、第三衬垫层48A,因此在设置过滤器30的情况下,能成为泄漏更少的支撑框111G。
另外,在底板层12、内侧的带通气口板层13B、外侧的带通气口板层17的任一个中,即使在稍微存在歪斜的情况下,也能通过使用多张衬垫层修正该歪斜。例如,在底板层12、外侧的带通气口板层13C、内侧的带通气口板层17A的任一个存在歪斜的情况下,也能通过组合具有与该歪斜相反的歪斜的衬垫层修正歪斜。
[实施方式四]
图19是表示本发明的一实施方式的支撑框111H的示意图。图19(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111H的俯视图,图19(b)是在配置了过滤器30的位置(图19(a)所示的线段AB)的支撑框111H的剖视图。实施方式四是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、过滤器30A、第二衬垫层48、外侧的带通气口板层17而形成支撑框111H的例子。底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17的结构能够使用与上述实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。另外,第二衬垫层48能够使用与在实施方式三中说明的第三衬垫层48相同的结构,因此省略详细的说明。
本发明的一实施方式的过滤器30A设于通气孔1的内部。过滤器30A与上述的过滤器30不同,具有与底板层12大致相同的概略矩形的框状的形状。过滤器30A配置于带贯通孔的衬垫层25与第二衬垫层48之间,在配置于带贯通孔的衬垫层25的贯通孔18以外的部分与带贯通孔的衬垫层25连接,在配置于第二衬垫层48的贯通孔18以外的部分与第二衬垫层48连接。因此,在支撑框111H中,过滤器30A与带贯通孔的衬垫层25和第二衬垫层48的接触面积大,能够提高与带贯通孔的衬垫层25和第二衬垫层48粘接的情况下的可靠性。另外,过滤器30A是大致矩形形状的薄板部件,因此与配置于每个孔5的过滤器30相比,配置、更换容易。
另外,如在上述各变形例中也说明那样,表示本发明的一实施方式的支撑框111H是使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框未限定于此。如在支撑框111A中说明那样,也能够使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。即使在该情况下也能使用过滤器30A构成支撑框。
[实施方式五]
作为实施方式二的变形例,说明实施方式五。图20是表示本发明的一实施方式的支撑框111H的示意图。图20(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111K的俯视图,图20(b)是在配置了过滤器30的位置(图20(a)所示的线段CD)的支撑框111K的剖视图。实施方式五是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、内侧的带通气口板层13D、带贯通孔的衬垫层25以及外侧的带通气口板层17B而形成框体的例子。底板层12、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17B以及过滤器30的结构能够使用与上述实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
图21(a)是表示本发明一实施方式的内侧的带通气口板层13D的俯视图,图21(b)是说明在与配置了过滤器30的位置(图11(a)所示的线段CD)对应的位置的支撑框111D的歪斜的示意图。另外,图21(b)是为了与本实施方式比较仅强调歪斜的示意图,并不是实施方式二的支撑框111D必须包括这种歪斜。
在图21(b)中,若增大孔3的开口宽度、即增大内侧的带通气口板层13B的凹部14的长度方向(图21(b)的方向L1)的宽度,则在孔3的位置,也存在底板层12、衬垫层25以及过滤器30向孔3歪斜的可能性。为了抑制底板层12、衬垫层25以及过滤器30向孔3歪斜,在本实施方式中,如图21(a)所示,通过在内侧的带通气口板层13D配置梳齿状的构造13D-1,支撑底板层12和衬垫层25。因此,在本实施方式中,通过构成由多个凹部14B、底板层12以及衬垫层25规定的多个孔3A,减小每一个孔3A的开口宽度,从而抑制底板层12、衬垫层25以及过滤器30的歪斜,并且作为多个孔3A整体确保充分的开口面积。
通过将后述的防护膜或防护膜体配置在外侧的带通气口板层17B侧的上面,能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,例如通过外侧的带通气口板层17B,EUV光难以照射,能抑制过滤器30的劣化。另外,本发明的一实施方式的支撑框如上所述,将过滤器能装卸地固定于框体。因此,具有在将使用了本发明的一实施方式的支撑框的防护件从露光装置剥开后,仅更换过滤器,能再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,能进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式五的变形例]
在实施方式五中,表示为支撑框111K是在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框并未限定于此。如在支撑框111A中说明那样,也能使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图22是表示实施方式五的变形例的支撑框111L的示意图。图22(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111L的俯视图,图22(b)是在配置了过滤器30的位置(图22(a)所示的线段CD)的支撑框111L的剖视图。实施方式五的变形例是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、外侧的带通气口板层13E、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C而形成框体的例子。底板层12、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C以及过滤器30的结构能够使用与上述实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
图23是表示本发明的一实施方式的外侧的带通气口板层13E的俯视图。在本实施方式中,如图23所示,通过在外侧的带通气口板层13E上配置梳齿状的构造13E-1,支撑底板层12和衬垫层25A。因此,在本实施方式中,通过构成由多个凹部14C、底板层12以及衬垫层25A规定的多个孔3B,减小每一个孔3B的开口宽度,从而能抑制底板层12、衬垫层25A以及过滤器30的歪斜,并且作为多个孔3B整体能确保充分的开口面积。
通过将后述的防护膜或防护膜体配置在内侧的带通气口板层17C侧的上面,能够得到防护件。因此,在本发明的一实施方式的防护件中,过滤器30从防护膜离开地配置。更详细地说,过滤器30配置于比防护膜靠下方(底版侧)。因此,例如通过内侧的带通气口板层17C,EUV光难以照射,能抑制过滤器30的劣化。另外,本发明的一实施方式的支撑框如上所述,将过滤器能装卸地固定于框体。因此,具有在将使用了本发明的一实施方式的支撑框的防护件从露光装置剥开后,仅更换过滤器,能再次利用框体的优点。相对于此,在将过滤器埋入框体的内部的情况下,进一步抑制过滤器的劣化。
[实施方式六]
图24是表示本发明的一实施方式的支撑框111I的示意图。图24(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111I的俯视图,图24(b)是在配置了过滤器30的位置(图24(a)所示的线段AB)的支撑框111I的剖视图。实施方式六是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、内侧的带通气口板层13、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17、顶板41而形成框体的例子。即,支撑框111I也是在上述的支撑框111D上配置了顶板41的支撑框。在图24(a)中,由于存在顶板41,因此无法从上面观察过滤器30,但关于在下层配置过滤器30的场所,使用虚线进行表示。底板层12、内侧的带通气口板层13、带贯通孔的衬垫层25、外侧的带通气口板层17的结构能够使用与上述的实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
图25是表示本发明的一实施方式的顶板41的示意图。图25(a)是顶板41的俯视图,图25(b)是在线段AB的顶板41的剖视图。顶板41是大致矩形的框状的形状,可以是与底板层12大致相同的形状。顶板41连接在外侧带通气口板层17上。顶板41与防护膜或防护膜体连接。在实施方式六中,能够在顶板整体上进行防护膜或防护膜体的连接,因此能够提高连接强度。另外,由于过滤器30由顶板41覆盖,因此露光光难以照射到过滤器30,能进一步抑制过滤器30的劣化。
[实施方式六的变形例]
另外,在实施方式六中,表示为支撑框111I使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的内缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的外缘部的通气口的框体的例子,但本发明的支撑框并未限定于此。如在支撑框111A中说明那样,也能使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图26是表示变形例的支撑框111J的示意图。图26(a)是在框体上配置了过滤器30的支撑框111J的俯视图,图26(b)是在配置了过滤器30的位置(图26(a)所示的线段AB)的支撑框111J的剖视图。实施方式六的变形例是从连接于底版的一侧依次层叠底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C、顶板41而形成框体的例子。即,支撑框111J也是在上述的支撑框111E上配置顶板41的支撑框。在图26(a)中,由于存在顶板41,因此无法从上面观察过滤器30,但关于在下层配置过滤器30的场所,使用虚线进行表示。底板层12、外侧的带通气口板层13C、带贯通孔的衬垫层25A、内侧的带通气口板层17C的结构能够使用与上述实施方式相同的结构,因此省略详细的说明。
在本变形例中,由于能够在顶板整体上进行防护膜或防护膜体的连接,因此能提高粘接强度。另外,由于过滤器30由顶板41覆盖,因此露光光难以照射到过滤器30,能抑制过滤器30的劣化。
顶板41能配置于在上述全部的实施方式中说明的支撑框,能起到与在实施方式六及其变形例中说明的效果相同的效果。
各实施方式可以分别组合。例如,在实施方式三中,也从连接于底版的一侧依次为底板层12、内侧的带通气口板层13B、带贯通孔的衬垫层25、第三衬垫层48、外侧的带通气口板层17,将过滤器30夹入衬垫层25与第三衬垫层48之间进行设置。因此,可以省略第二衬垫层36。另外,在实施方式一中,可以层叠底板层12、内侧的带通气口板层13、外侧的带通气口板层17,在构成于内侧的带通气口板层13和外侧的带通气口板层17的孔5上设置过滤器30。另外,在实施方式三中,可以层叠底板层12、内侧的带通气口板层13B、衬垫层25、第二衬垫层36、外侧的带通气口板层17,在外侧的带通气口板层17的上面配置实施方式六的顶板41,将过滤器30配置于衬垫层25与第二衬垫层36之间。因此,可以省略第三衬垫层48。另外,在实施方式三中,可以层叠底板层12、内侧的带通气口板层13B、衬垫层25、第三衬垫层48、外侧的带通气口板层17,在外侧的带通气口板层17上配置实施方式六的顶板41,将过滤器30夹入衬垫层25与第三衬垫层48之间而进行设置。因此,可以省略第二衬垫层36。
在实施方式五以及实施方式五的变形例中说明的内侧的带通气口板层13B或外侧的带通气口板层13E在上述各实施方式中,可以使用于配置在底板层12与衬垫层之间的内侧的带通气口板层或外侧的带通气口板层。各实施方式中的底板层12、内侧的带通气口板层13、外侧的带通气口板层17、带贯通孔的衬垫层25、第二衬垫层36、第三衬垫层48、顶板41分别可以由一张薄板形成,层叠平面形状相同的多张薄板而形成。
[防护件]
通过在上述各实施方式所示的支撑框上配置防护膜102或防护框体,能够构成防护件。具体地说,作为一例,可以为在实施方式一所说明的外侧的带通气口板层17、实施方式一的变形例所说明的内侧的带通气口板层17A的上面形成防护膜102的结构。如后所述,由于本发明的实施方式的防护膜102是非常薄的膜,因此,优选为从处理面成为在防护膜102的一方的面上设置了第一框体的防护框体、将防护框体配置在支撑框上的结构。防护膜102或防护框体与支撑框的连接方法未特别地限制,但例如能够以粘着板、粘接剂、接合剂、常温接合、直接接合、原子扩散接合、金属接合、融敷、钎焊接合、热粘合、热熔、氧熔接合、面拉锁、范德瓦尔斯力、静电力、磁力、螺钉、销、夹子、铆接等的机械力进行连接。
图27是表示本发明的一实施方式的防护件100的示意图。图27(a)是防护件100的俯视图,图27(b)是在图27(a)所示的线段AB的防护件100的剖视图。在图27中作为一例,表示使用了实施方式二的支撑框111D的防护件100。防护膜102配置在第一框体104上。第一框体104是大致矩形的框形状,由从硅、蓝石英、碳化硅等选择的材料构成。防护膜102被吊架在第一框体104上,第一框体104支撑防护膜102。将在第一框体104上配置了防护膜102的构造体称为防护框体。在防护件100中,防护框体通过粘接层39粘贴在支撑框111D的外侧的带通气口板层17B的上面。因此,在本实施方式中,为通过设于防护膜102的一方的面的第一框体104在支撑框111D上设置防护膜102的结构。在本实施方式中,表示具有支撑部支撑防护膜102的第一框体104、构成支撑框111D的第二框体的例子,但本实施方式并未限定于此,可以不通过第一框体104在支撑框111D上配置防护膜102。
粘接层39是粘接防护膜或第一框体和支撑框的层。粘接层39例如是双面胶、硅树脂粘接剂、丙烯酸类粘接剂、无机类粘接剂等。从保持EUV露光时的真空度的观点来看,粘接剂39优选废气少。作为废气的评价方法,例如能够使用升温气体脱离分析装置。粘接层39可以在防护膜或第一框体与支撑框的连接前预先形成于支撑框。粘接层39只要形成于支撑框中的最配置于防护膜侧的层上即可。
本实施方式的防护件100在配置有防护膜102的区域的外侧配置过滤器30,因此EUV光难以照射到过滤器30,能够减少过滤器30的劣化。因此,能减少过滤器30的更换频率。
[防护件的变形例]
另外,如在上述实施方式中说明那样,也能够使用在第一方向L1上延伸的孔3是框体的外缘部的通气口、在与第一方向L1相交的第二方向L2上延伸的孔5是框体的内缘部的通气口的框体。
图28是表示本发明的一实施方式的防护件100A的示意图。图28(a)是防护件100A的俯视图,图28(b)是在图28(a)所示的线段AB的防护件100A的剖视图。在图28中,作为一例,表示使用了实施方式二的变形例的支撑框111E的防护件100A。防护膜102、第一框体104以及防护框体的结构能够使用与上述结构相同的结构,因此省略详细的说明。在防护件100A中,防护框体通过粘接层39粘贴在支撑框111E的内侧的带通气口板层17C的上面。因此,在本变形例中,为通过设于防护膜102的一方的面的第一框体104在支撑框111E上设置有防护膜102的结构。在本实施方式中,表示具有支撑部支撑防护膜102的第一框体104和构成支撑框111E的第二框体的例子,但本实施方式并未限定于此,也可以不通过第一框体104在支撑框111E上配置防护膜102。
本变形例的防护件100A在配置有防护膜102的区域配置过滤器30。因此,也存在透过了防护膜102的EUV光照射到过滤器30的可能性,但通过透过防护膜102,EUV光的光量减少,因此过滤器30的劣化减少。另外,通过以在从底版的露光区域充分离开的位置配置过滤器30的方式设定防护件100A的大小(宽度),EUV光难以到达过滤器30,能进一步减少过滤器30的劣化。因此,能减少过滤器30的更换频率。另外,本实施方式的防护件能够使用上述的各实施方式的支撑框而构成。
[防护膜]
防护膜的厚度(在由两层以上构成的情况下总厚度)例如能够为100nm~200nm,优选10nm~100nm,更优选10nm~70nm,尤其优选10nm~50nm。
防护膜优选EUV光的透过率高,优选用于EUV光刻的光(例如波长13.5nm的光、波长6.75nm的光)的透过率为50%以上,更优选为80%以上,更优选为90%以上。在防护膜与保护层层叠的情况下,优选包括这些的膜的光的透过率为50%以上。
防护膜的材料只要使用公知的EUV用防护膜的材料即可。作为防护膜的材料,例如列举碳纳米管、金刚石驱动碳、非晶碳、石墨、碳化硅等碳素类材料、单结晶硅、多结晶硅、非晶质硅等硅类材料、芳香族聚酰亚胺、脂肪族聚酰亚胺、架桥聚乙烯、架桥聚苯乙烯、聚醚酰胺、聚亚苯基砜、聚对苯二酚、聚醚砜、聚醚酮、液晶聚合物、聚对苯二甲酸乙酯、芳香族聚酰胺、聚对亚苯基二甲基等高分子类材料。
[露光底版]
图29是表示本发明的一实施方式的露光底版181的剖面的结构的示意图。作为一例,露光底版181具备包括防护膜102以及支撑框111的防护件100和底版184。本发明的露光底版181在安装于底版184的极端紫外光光刻用的设置有防护膜102的防护件100中,能进行设于支撑框111的通气孔的过滤器30的装卸,能减少对底版184的污染。在图29中,表示将包括防护膜102以及支撑框111的防护架100配置在形成有图案的底版184的面的例子,但本发明的露光底版并未限定于此,能够配置防护件100A,另外,也可以配置具有在上述各实施方式中说明的支撑框的防护件。
将本发明的防护件安装于底版的方法并未特别地限定。例如,可以在底版上直接粘贴支撑框,也可以通过位于支撑框的一方的端面的底版用粘接剂层,也可以利用机械地进行固定的方法、磁铁等引力固定底版和支撑框。底版用粘接剂层能够使用与粘接层39相同的粘接层,因此省略详细的记载。
[防护件的用途]
本发明的防护件不仅作为在EUV露光装置内用于抑制异物附着于底版的保护部件,也可以为在底版的保管时、底版的搬运时用于保护底版的保护部件。例如,如果为在底版上安装了防护件的状态(露光底版),则能在从EUV露光装置卸下后原样进行保管等。将防护件安装于底版的方法具有利用粘接剂粘贴的方法、机械地进行固定的方法等。
[露光装置]
图30是表示本发明的一实施方式的露光装置180的示意图。在图30中,用剖视图表示露光底版181。
作为一例,EUV露光装置180具备放出EUV光的光源182、作为本实施方式的露光底版的一例的露光底版181、将从光源182放出的EUV光引导到露光底版181的照明光学系统183。
在EUV露光装置180中,利用照明光学系统183使从光源182放出的EUV光聚光并使亮度均匀化,并照射到露光底版181。照射到露光底版181的EUV光利用底版184反射为图案状。
该露光底版181是本实施方式的露光底版的一例。以从光源182放出的EUV光透过防护膜102照射到底版184的方式设置。底版184将所照射的EUV光反射为图案状。
在照明光学系统183中包括用于调整EUV光的光路的多张多层膜反射镜189、190、191和光结合器(光学积分器)等。
光源182以及照明光学系统183能够使用公知的光源以及照明光学系统。
在EUV露光装置180中,在光源182与照明光学系统183之间以及照明光学系统183与底版184之间分别设置有过滤器窗185以及186。过滤器窗185以及186能够捕捉飞散粒子(碎片)。另外,EUV露光装置180具备将底版184反射的EUV光向感应基板187引导的投影光学系统188。
本发明的一实施方式的露光装置能装卸地在通气孔上设置过滤器,设置有极端紫外光光刻用的防护膜的防护件连接于露光底版,因此能减少对露光装置的光学系统的影响。
另外,在图30中,表示了在EUV露光装置180上配置露光底版181的例子,该露光底版181在形成有图案的底版184的面上配置了包括防护膜102以及支撑框111的防护件100B,但本发明的EUV露光装置并未限定于此,也能在EUV露光装置180上配置露光底版181,该露光底版181配置了防护件100、防护件100A。另外,也可以在露光装置180上配置使用了具有在上述各实施方式中说明的支撑框的防护件的露光底版181。
本实施方式的露光装置具备放出露光光(优选EUV光等,更优选EUV光。以下相同)的光源、本实施方式的露光底版、将从光源放出的露光光引导到露光底版的光学系统,露光底版优选以从光源放出的露光光透过防护膜并照射到底版的方式配置。
根据该方式,除了能够通过EUV光等形成微细化的图案(例如线宽32nm以下),即使在使用了由异物引起的图像不良容易成为问题的EUV光的情况下也能进行减少由异物引起的图像不良的图案露光。
[半导体的制造方法]
本实施方式的半导体装置制造方法具有使从光源放出的露光光透过本实施方式的露光底板的防护膜并照射到底版且由底版反射的步骤、将由底版反射的露光光透过防护膜照射到感应基板而以图案状使感应基板露光的步骤。
根据本实施方式的半导体装置制造方法,即使是使用了由异物引起的图像不良容易成为问题的EUV光的情况下,也能制造减少了由图像引起的图像不良的半导体装置。例如,通过使用本发明的露光装置,能进行本实施方式的半导体装置制造方法。
根据本发明的一实施方式的半导体装置制造方法,在通气孔中能装卸地设置过滤器,设置有极端紫外光光刻用的防护膜的防护件连接于露光底版,因此在极端紫外光光刻中,能进行高精细的露光。
符号说明
1—通气孔,3—孔,3A—孔,3B—孔,5—孔,10—框体,10A—框体,12—底板层,13—带通气口板层,13A—带通气口板层,13B—带通气口板层,13C—带通气口板层,13D—带通气口板层,13D-1—梳齿状的构造,13E—带通气口板层,13E-1—梳齿状的构造,14—凹部(凹陷形状),14A—凹部(凹陷形状),14B—凹部,14C—凹部,17—带通气口板层,17A—带通气口板层,17B—带通气口板层,17C—带通气口板层,18—贯通孔,18A—贯通孔,19—凹部(凹陷形状),19A—凹部(凹陷形状),25—衬垫层,25A—衬垫层,30—过滤器,30A—过滤器,36—第二衬垫层,36A—第二衬垫层,38—贯通孔,38A—贯通孔,39—粘接层,41—顶板,48—衬垫层,48A—第三衬垫层,100—防护件,100A—防护件,100B—防护件,102—防护膜,104—第一框体,111—支撑框,111A—支撑框,111B—支撑框,111C—支撑框,111D—支撑框,111E—支撑框,111F—支撑框,111G—支撑框,111H—支撑框,111I—支撑框,111J—支撑框,111K—支撑框,111L—支撑框,180—露光装置,181—露光底版,182—光源,183—照明光学系统,184—底版,185—过滤器窗,186—过滤器窗,187—感应基板,188—投影光学系统,189—多层膜反射镜,190—多层膜反射镜,191—多层膜反射镜。

Claims (17)

1.一种支撑框,其用于配置防护膜,该支撑框的特征在于,
具备:
贯通孔,其具有在与上述防护膜的面方向大致平行的第一方向上延伸的孔以及在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的孔;以及
过滤器,其设置于上述贯通孔的内部或上述贯通孔的端部,并且以从上述防护膜离开的方式配置,
上述支撑框具有多个层,
上述多个层具备具有框形状的底板和设置在上述底板上的具有框形状的第一薄板以及具有框形状的第二薄板,
上述第一薄板具有连接于上述第一薄板的内缘部且在上述第一方向上延伸的第一凹部,
上述第二薄板具有连接于上述第二薄板的外缘部且在上述第一方向上延伸的第二凹部,
通过上述第一凹部与上述第二凹部的至少一部分重叠,形成在上述第二方向上延伸的孔。
2.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
上述第一薄板设置在上述底板上,上述第二薄板设置在上述第一薄板上。
3.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
上述第二薄板设置在上述底板上,上述第一薄板设置在上述第二薄板上。
4.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
在上述第一薄板与上述第二薄板之间还具有至少一个以上的衬垫层。
5.根据权利要求4所述的支撑框,其特征在于,
上述第一薄板设置在上述底板上,上述第一薄板具有在上述第一方向上延伸的多个第一凹部。
6.根据权利要求4所述的支撑框,其特征在于,
上述第二薄板设置在上述底板上,上述第二薄板具有在上述第一方向上延伸的多个第二凹部。
7.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
设置有多个上述贯通孔,
在各个上述贯通孔上设置有上述过滤器,
多个上述过滤器的面积的合计为100mm2以上且2000mm2以下。
8.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
上述过滤器的面方向与上述防护膜的面方向大致平行。
9.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
上述过滤器的初期压力损失为100pa以上且550pa以下,相对于粒径为0.15μm以上且0.3μm以下的粒子,粒子捕获率为99.7%以上且100%以下。
10.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
上述支撑框的从设置有防护膜的面到相反侧的面的厚度为3.0mm以下。
11.根据权利要求1所述的支撑框,其特征在于,
为极端紫外光光刻用。
12.一种防护件,其特征在于,
在权利要求1所述的支撑框上设置有上述防护膜。
13.根据权利要求12所述的防护件,其特征在于,
在上述防护膜的一个面上设置有框体,上述防护膜通过上述框体设置在上述支撑框上。
14.一种露光底版,其特征在于,
包括底版、安装于具有上述底版的图案的一侧的面的权利要求12所述的防护件。
15.一种露光装置,其特征在于,
具有权利要求14所述的露光底版。
16.一种露光装置,其特征在于,
具有放出露光光的光源、权利要求14所述的露光底版以及将从上述光源放出的露光光向上述露光底版引导的光学系统,上述露光底版以从上述光源放出的露光光透过上述防护膜且照射到上述底版的方式配置。
17.一种半导体装置制造方法,其特征在于,
具有下述步骤:
使从光源放出的露光光透过权利要求14所述的露光底版的防护膜并照射到底版上且由上述底版反射的步骤;以及
通过使由上述底版反射的露光光透过上述防护膜并照射到感应基板而使上述感应基板以图案状露光的步骤。
CN201980022551.9A 2018-03-27 2019-03-15 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法 Active CN111919171B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-059416 2018-03-27
JP2018059416 2018-03-27
PCT/JP2019/010958 WO2019188445A1 (ja) 2018-03-27 2019-03-15 ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111919171A CN111919171A (zh) 2020-11-10
CN111919171B true CN111919171B (zh) 2024-05-14

Family

ID=68061487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980022551.9A Active CN111919171B (zh) 2018-03-27 2019-03-15 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11243463B2 (zh)
EP (1) EP3779594B1 (zh)
JP (1) JP6945726B2 (zh)
KR (1) KR102465834B1 (zh)
CN (1) CN111919171B (zh)
TW (1) TWI797292B (zh)
WO (1) WO2019188445A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN216118382U (zh) * 2020-06-08 2022-03-22 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统
CN114885534B (zh) * 2021-02-05 2024-05-28 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置
KR102687699B1 (ko) * 2023-08-18 2024-07-24 주식회사 에프에스티 응력 완충구조를 구비하는 euv 펠리클의 마운팅 블록, 마운팅 블록을 포함하는 euv 펠리클 구조체, euv 펠리클 구조체를 포함하는 euv 노광 장치 및 euv 펠리클의 마운팅 및 디마운팅 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103384A (ko) * 2003-05-29 2004-12-08 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 마스크용 펠리클
WO2016043292A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
JP2016191902A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2017083791A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
CN106796391A (zh) * 2014-09-19 2017-05-31 三井化学株式会社 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5422704A (en) * 1992-07-13 1995-06-06 Intel Corporation Pellicle frame
US5529819A (en) * 1995-04-17 1996-06-25 Inko Industrial Corporation Pellicle assembly with vent structure
JPWO2008007521A1 (ja) 2006-07-11 2009-12-10 株式会社ニコン レチクル保持部材、レチクル・ステージ、露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法
EP3118683A4 (en) * 2014-05-02 2017-11-01 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof, exposure original plate and manufacturing method thereof, exposure device, and semiconductor device manufacturing method
KR20160043301A (ko) 2014-10-13 2016-04-21 한국미쓰비시엘리베이터 주식회사 모터 과열 검출장치
KR20160043292A (ko) 2014-10-13 2016-04-21 (주)엘프테크 수동형 광가입자망의 대역폭 확대를 위한 구성 방법
JP6274079B2 (ja) * 2014-11-04 2018-02-07 日本軽金属株式会社 ペリクル用支持枠および製造方法
JP6519190B2 (ja) * 2015-01-16 2019-05-29 日本軽金属株式会社 ペリクル用支持枠
EP3079013B1 (en) * 2015-03-30 2018-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
US11143952B2 (en) * 2017-09-28 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle removal method
JP6941733B2 (ja) * 2018-06-12 2021-09-29 三井化学株式会社 ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103384A (ko) * 2003-05-29 2004-12-08 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 마스크용 펠리클
WO2016043292A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
CN106662806A (zh) * 2014-09-19 2017-05-10 三井化学株式会社 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
CN106796391A (zh) * 2014-09-19 2017-05-31 三井化学株式会社 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法
JP2016191902A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2017083791A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6945726B2 (ja) 2021-10-06
KR102465834B1 (ko) 2022-11-11
JPWO2019188445A1 (ja) 2021-03-11
EP3779594B1 (en) 2023-11-08
TW201942665A (zh) 2019-11-01
TWI797292B (zh) 2023-04-01
CN111919171A (zh) 2020-11-10
US11243463B2 (en) 2022-02-08
US20210011372A1 (en) 2021-01-14
EP3779594A1 (en) 2021-02-17
WO2019188445A1 (ja) 2019-10-03
KR20200128134A (ko) 2020-11-11
EP3779594A4 (en) 2022-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102459119B1 (ko) 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 펠리클용 지지 프레임의 제조 방법, 그리고 펠리클을 사용한 노광 원판 및 노광 장치
CN111919171B (zh) 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法
CN113917783B (zh) 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
US6317479B1 (en) X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same
US7829248B2 (en) Pellicle stress relief
KR102517767B1 (ko) 펠리클, 노광 원판, 노광 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2017083791A (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP2004077583A (ja) ディスプレイパネルの貼り合わせ装置
TW201600924A (zh) 防塵薄膜組件安裝裝置
JP2013195950A (ja) ベルクル及びフォトマスク
JP2006119477A (ja) マスク構造体及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
CN115668055A (zh) 防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法
CN115485618A (zh) 防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、半导体的制造方法、液晶显示板的制造方法及曝光方法
KR20020006975A (ko) 레티클 오염을 방지하기 위한 펠리클 구조

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant