KR20200128134A - 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
필터를 착탈 가능하게 설치한 통기 구멍을 마련할 수 있고, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 첩부할 수 있는 지지 프레임을 제공한다. 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 펠리클막을 배치하기 위한 지지 프레임이며, 상기 펠리클막의 면 방향과 대략 평행한 제1 방향으로 연장되는 구멍 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 구멍을 갖는 관통 구멍과, 상기 관통 구멍의 내부, 또는 상기 관통 구멍의 단부에 마련되고, 또한 상기 펠리클막으로부터 이격하여 배치되는 필터를 구비한다.
Description
발명은, 반도체 디바이스 등을 리소그래피 기술에 의해 제조할 때에 사용하는 포토마스크 또는 레티클(이하, 이들을 총칭하여 「포토마스크」라고도 함) 및 진애가 부착되는 것을 방지하는 포토마스크용 방진 커버인 펠리클 등에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 극단 자외광(Extreme Ultraviolet: EUV) 리소그래피용의 극박막인 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는, 리소그래피라고 칭해지는 공정을 거쳐서 제조된다. 리소그래피에서는, 스캐너나 스테퍼라고 불리는 노광 장치를 사용하여, 회로 패턴이 묘화된 마스크에 노광 광을 조사하고, 포토레지스트가 도포된 반도체 웨이퍼에 회로 패턴을 전사한다. 그때, 마스크 위에 진애 등의 이물이 부착되면, 해당 이물의 그림자가 반도체 웨이퍼에 전사되어, 회로 패턴이 정확하게 전사되지 않는다. 그 결과로서, 반도체 소자가 정상적으로 작동하지 않아 불량품으로 되어 버리는 경우가 있다.
그것에 비해, 펠리클막이 첩부된 프레임체로 구성되는 펠리클을, 마스크에 장착함으로써, 진애 등의 이물을 펠리클막 상에 부착시켜, 마스크에 부착되는 것을 방지하는 것이 알려져 있다. 노광 장치의 노광 광의 초점은, 마스크면과 반도체 웨이퍼면에 설정되어 있고, 펠리클막의 면에는 설정되어 있지 않다. 따라서, 펠리클막에 부착된 이물의 그림자가 반도체 웨이퍼 위에서 결상되는 경우는 없다. 그 때문에, 펠리클막에 이물이 부착된 경우는, 마스크에 이물이 부착된 경우와 비교하여, 회로 패턴의 전사를 방해하는 정도는 대폭으로 경감되어, 반도체 소자의 불량품 발생율은 현저하게 억제된다.
펠리클에 사용되는 펠리클막에는, 노광 광을 고투과율로 투과시키는 특성이 요구된다. 펠리클막의 광투과율이 낮으면, 회로 패턴이 형성되어 있는 마스크로부터의 노광 광의 강도가 저하되어, 반도체 웨이퍼 위에 형성되어 있는 포토레지스트가 충분히 감광되지 않기 때문이다.
현재까지, 리소그래피의 파장은 단파장화가 진행되고, 차세대의 리소그래피 기술로서, EUV 리소그래피의 개발이 진행되고 있다. EUV광은, 연X선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광을 가리키고, 13.5㎚±0.3㎚ 정도의 광선을 가리킨다. EUV광은, 모든 물질에 대하여 흡수되기 쉽고, 따라서, EUV 리소그래피에서는, 노광 장치 내를 진공으로 하여 노광할 필요가 있다.
상술한 바와 같이, EUV 리소그래피는, 종래의 리소그래피와는 달리, 진공 하에서의 노광으로 되기 때문에, 포토마스크에 대한 펠리클의 장착은 필수는 아니라고 생각되고 있었다. 그러나, 종래에 없는 미세 프로세스이기 때문에, 포토마스크의 오염 방지 등의 관점에서, 포토마스크에 펠리클을 장착하는 것이 필수라고 판명되었다. 그러나, EUV광은, 모든 물질에 대하여 흡수되기 쉽기 때문에, 펠리클에 배치하는 펠리클막도 종래에 없는 나노미터 오더의 막일 필요가 있다.
또한, 당초, 포토마스크에 대한 펠리클의 장착은 필수는 아니라고 생각되고 있었기 때문에, 현재 개발되고 있는 EUV 노광 장치에는, 포토마스크에 펠리클을 장착하기 위한 공간이 3.0㎜ 정도밖에 존재하지 않았다. 그러나, 5㎜ 이상의 높이를 갖는 종래의 펠리클을 장착하기 위한 공간을 노광 장치 내에 확보하기 위해서는, 광학계의 설계 변경이 필요해져, EUV 리소그래피의 개발에 지연을 초래하게 된다. 따라서, 종래의 펠리클의 절반 이하 정도의 높이로 하는 펠리클을 새롭게 설계할 필요가 있다.
진공 하에서의 노광이기 때문에, 포토마스크와 펠리클에 의해 형성되는 폐공간(펠리클의 내측)과, 그 외측의 압력차가 발생하여, 펠리클막이 느슨해지거나, 혹은 팽팽해지거나 할 수 있다. 이 해결 수단으로서, 통기 구멍을 마련하는 것이 생각된다. 그러나, 펠리클의 설치 공간이 대폭으로 제한되기 때문에, 나노미터 오더의 펠리클막의 손상을 방지하기 위해서는, 펠리클의 프레임체에 배치한 통기 구멍을 통한 충분한 통기를 확보할 필요가 있다. 통기 구멍에는 펠리클의 내측으로의 이물 혼입을 방지하기 위해 그 도중에 필터를 배치할 필요가 있지만, 펠리클의 설치 공간이 대폭으로 제한되고, 또한 프레임체에 허용되는 높이도 대폭으로 제한되기 때문에, 프레임체에 대한 필터의 배치도 종래에 없는 설계가 요구된다.
본 발명은, 상술한 문제를 해결하는 것으로, 통기 구멍 및 필터가 마련되어, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 마련할 수 있는 지지 프레임, 당해 지지 프레임에 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 마련한 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 펠리클막을 배치하기 위한 지지 프레임이며, 상기 펠리클막의 면 방향과 대략 평행한 제1 방향으로 연장되는 구멍 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 구멍을 갖는 관통 구멍과, 상기 관통 구멍의 내부, 또는 상기 제2 방향으로 연장되는 구멍측의 상기 관통 구멍의 단부에 마련되고, 또한 상기 펠리클막으로부터 이격하여 배치되는 필터를 구비한다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 또한, 관통 구멍의 단부에 필터를 마련한 경우에는, 또한, 필터의 착탈이 용이하다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 지지 프레임이 복수의 층을 갖고, 상기 복수의 층이, 프레임 형상을 갖는 저판과, 상기 저판 위에 마련된 프레임 형상을 갖는 제1 박판 및 프레임 형상을 갖는 제2 박판을 갖고, 상기 제1 박판은, 상기 제1 박판의 내연부에 접속하여, 상기 제1 방향으로 연신되는 제1 오목부를 갖고, 상기 제2 박판은, 상기 제2 박판의 외연부에 접속하여, 상기 제1 방향으로 연신되는 제2 오목부를 갖고, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부의 적어도 일부가 중첩함으로써, 상기 제2 방향으로 연장되는 구멍이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 또한, 복수의 프레임 형상의 판을 적층함으로써 통기 구멍의 입체적인 형상을 간편하게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제2 박판은 상기 제1 박판 위에 마련되어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다. 또한, 복수의 프레임 형상의 판을 적층함으로써 통기 구멍의 입체적인 형상을 간편하게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 제2 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제1 박판은 상기 제2 박판 위에 마련되어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다. 또한, 복수의 프레임 형상의 판을 적층함으로써 통기 구멍의 입체적인 형상을 간편하게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 박판과 상기 제2 박판 사이에 적어도 1 이상의 스페이서층을 더 갖고 있어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다. 또한, 복수의 프레임 형상의 판을 적층함으로써 통기 구멍의 입체적인 형상을 간편하게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 제1 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제1 박판은 상기 제1 방향으로 연신되는 복수의 제1 오목부를 가져도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다. 또한, 제1 박판이 복수의 제1 오목부를 가짐으로써, 저판과 스페이서층의 변형을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 제2 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제2 박판은 상기 제1 방향으로 연신되는 복수의 제2 오목부를 가져도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다. 또한, 제2 박판이 복수의 제2 오목부를 가짐으로써, 저판과 스페이서층의 변형을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 관통 구멍이 복수 마련되고, 상기 관통 구멍의 각각에 상기 필터가 마련되고, 복수의 상기 필터의 면적의 합계가 100㎟ 이상 2000㎟ 이하여도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 필터의 면 방향이 상기 펠리클막의 면 방향과 대략 평행이어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다. 이 지지 프레임에는 펠리클막을 마련할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 필터는, 초기 압력 손실이 100㎩ 이상 550㎩ 이하이고, 입경이 0.15㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 입자에 대하여 입자 포집률이 99.7％ 이상 100％ 이하여도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 고성능의 필터라도 합계의 면적이 커져 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧아진다. 또한, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 마련할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 프레임체의 펠리클막이 마련되는 면으로부터 반대측의 면까지의 두께가, 3.0㎜ 이하여도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, EUV 노광 장치로의 설치가 용이해진다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 어느 지지 프레임에 상기 펠리클막이 마련된, 펠리클이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 펠리클막의 한쪽 면에 마련된 프레임체를 통해, 상기 지지 프레임에 상기 펠리클막이 마련되어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임에 의하면, 펠리클막이 프레임체에 지지되어 있기 때문에, 지지 프레임에 대한 착탈이 가능해져, 필터의 착탈이 용이해진다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 원판과, 상기 원판의 패턴을 갖는 측의 면에 장착된 펠리클을 포함하는 노광 원판이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 원판에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 노광 원판을 갖는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 장치에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 노광 광을 방출하는 광원과, 상기한 노광 원판과, 상기 광원으로부터 방출된 노광 광을 상기 노광 원판으로 유도하는 광학계를 갖고, 상기 노광 원판은, 상기 광원으로부터 방출된 노광 광이 상기 펠리클막을 투과하여 상기 원판에 조사되도록 배치되어 있는, 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 장치에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 노광 광이 EUV광이다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 장치에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 광원으로부터 방출된 노광 광을, 상기한 노광 원판의 펠리클막을 투과시켜 원판에 조사하고, 상기 원판에서 반사시키는 스텝과, 상기 원판에 의해 반사된 노광 광을, 상기 펠리클막을 투과시켜 감응 기판에 조사함으로써, 상기 감응 기판을 패턴상으로 노광하는 스텝을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 노광 광이 EUV광인, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 진공으로 될 때까지 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 필터의 열화가 억제된다.
본 발명에 의하면, 통기 구멍 및 필터가 마련되어, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 마련할 수 있는 지지 프레임, 당해 지지 프레임에 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막을 마련한 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 프레임체(10)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 2는 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111A)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 지지 프레임(111B)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 5는 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 저판층(12)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 6은 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 7은 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 8은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111C)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 9는 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 10은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 11은 실시 형태 2에 관한 지지 프레임(111D)의 구성을 나타내기 위한 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 12는 실시 형태 2에 관한 지지 프레임(111D)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 13은 실시 형태 2의 변형예에 관한 지지 프레임(111E)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 14는 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111E)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 15는 실시 형태 3에 관한 지지 프레임(111F)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 16은 실시 형태 3에 관한 지지 프레임(111F)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 제2 스페이서층(36)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 17은 실시 형태 3의 변형예에 관한 지지 프레임(111G)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 18은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111G)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 제2 스페이서층(36A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 19는 실시 형태 4에 관한 지지 프레임(111H)의 모식도이다. (a)는 상면도이고 점선으로 필터(30)의 위치가 되는 장소를 나타내고 있다. (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 20은 실시 형태 5에 관한 지지 프레임(111K)을 나타내는 모식도이다. (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111K)의 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치((a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111K)의 단면도이다.
도 21의 (a)는, 실시 형태 5에 관한 내측의 통기구를 갖는 판층(13D)을 나타내는 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 11의 (a)에 나타낸 선분 CD)에 대응하는 위치에서의 지지 프레임(111D)의 변형을 설명하는 모식도이다.
도 22는 실시 형태 5의 변형예인 지지 프레임(111L)을 나타내는 모식도이다. (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111L)의 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치((a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111L)의 단면도이다.
도 23은 실시 형태 5의 변형예에 관한 외측의 통기구를 갖는 판층(13E)을 나타내는 상면도이다.
도 24는 실시 형태 4에 관한 지지 프레임(111I)의 모식도이다. (a)는 상면도이고 점선으로 필터(30)의 위치가 되는 장소를 나타내고 있다. (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 25는 일 실시 형태에 관한 천장판(41)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 26은 실시 형태의 일 변형예에 관한 천장판(41)을 구비한 지지 프레임(111J)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 27은 일 실시 형태에 관한 펠리클(100)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 28은 실시 형태의 일 변형예에 관한 펠리클(100A)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 29는 일 실시 형태에 관한 펠리클, 노광 원판을 나타내기 위한 모식도이다.
도 30은 일 실시 형태에 관한 노광 장치, 반도체 장치의 제조 장치를 나타내기 위한 모식도이다.
도 2는 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111A)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 지지 프레임(111B)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 5는 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 저판층(12)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 6은 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 7은 실시 형태 1에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 8은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111C)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 9는 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 10은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111B)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 11은 실시 형태 2에 관한 지지 프레임(111D)의 구성을 나타내기 위한 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 12는 실시 형태 2에 관한 지지 프레임(111D)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 13은 실시 형태 2의 변형예에 관한 지지 프레임(111E)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 14는 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111E)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 15는 실시 형태 3에 관한 지지 프레임(111F)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 16은 실시 형태 3에 관한 지지 프레임(111F)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 제2 스페이서층(36)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 17은 실시 형태 3의 변형예에 관한 지지 프레임(111G)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 18은 실시 형태 1의 변형예에 관한 지지 프레임(111G)의 구성을 나타내기 위한 모식도이며, 특히 제2 스페이서층(36A)의 설명도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 19는 실시 형태 4에 관한 지지 프레임(111H)의 모식도이다. (a)는 상면도이고 점선으로 필터(30)의 위치가 되는 장소를 나타내고 있다. (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 20은 실시 형태 5에 관한 지지 프레임(111K)을 나타내는 모식도이다. (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111K)의 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치((a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111K)의 단면도이다.
도 21의 (a)는, 실시 형태 5에 관한 내측의 통기구를 갖는 판층(13D)을 나타내는 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 11의 (a)에 나타낸 선분 CD)에 대응하는 위치에서의 지지 프레임(111D)의 변형을 설명하는 모식도이다.
도 22는 실시 형태 5의 변형예인 지지 프레임(111L)을 나타내는 모식도이다. (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111L)의 상면도이고, (b)는 필터(30)가 배치된 위치((a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111L)의 단면도이다.
도 23은 실시 형태 5의 변형예에 관한 외측의 통기구를 갖는 판층(13E)을 나타내는 상면도이다.
도 24는 실시 형태 4에 관한 지지 프레임(111I)의 모식도이다. (a)는 상면도이고 점선으로 필터(30)의 위치가 되는 장소를 나타내고 있다. (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 25는 일 실시 형태에 관한 천장판(41)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 26은 실시 형태의 일 변형예에 관한 천장판(41)을 구비한 지지 프레임(111J)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 27은 일 실시 형태에 관한 펠리클(100)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 28은 실시 형태의 일 변형예에 관한 펠리클(100A)의 모식도이다. (a)는 상면도이고, (b)는 (a)의 AB선에 의한 단면도이다.
도 29는 일 실시 형태에 관한 펠리클, 노광 원판을 나타내기 위한 모식도이다.
도 30은 일 실시 형태에 관한 노광 장치, 반도체 장치의 제조 장치를 나타내기 위한 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도 1 내지 도 30을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 많은 다른 양태로 실시하는 것이 가능하고, 이하에 예시하는 실시 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 도면은 설명을 더 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출의 도면에 관하여 전술한 것과 동일한 요소에는, 동일한 부호를 붙여, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
[정의]
본 명세서에 있어서, 어느 부재 또는 영역이, 다른 부재 또는 영역의 「위에 또는 아래에)」 있다고 하는 경우, 특별의 한정이 없는 한, 이것은 다른 부재 또는 영역의 바로 위(또는 바로 아래)에 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있는 경우를 포함하고, 즉, 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 두고 사이에 별도의 구성 요소가 포함되어 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 극단 자외광(EUV광)이란, 파장 5㎚ 이상 30㎚ 이하의 광을 가리킨다. EUV광의 파장은, 5㎚ 이상 14㎚ 이하가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 펠리클이란, 펠리클막과, 펠리클막의 한쪽 면에 마련된 펠리클막을 지지함과 함께 원판에 접속되는 지지부를 갖는 것을 의미한다. 펠리클막이란 펠리클에 사용되는 박막을 의미한다. 지지부는, 적어도, 원판에 접속되는 지지 프레임을 포함한다. 지지 프레임은 통기 구멍을 구비한다. 펠리클이 원판에 배치되었을 때에, 통기 구멍은, 펠리클과 원판에 의해 형성되는 폐쇄 공간의 내측과 외측의 통기를 가능하게 하는 구멍이다. 통기 구멍의 일단 또는 통기 구멍 내부에는 필터가 배치된다. 지지 프레임은, 통기 구멍의 일단 또는 통기 구멍 내부에 필터가 배치된 프레임체이다. 지지부는, 지지 프레임으로 펠리클막을 매다는 것이어도 되고, 펠리클막 및 지지 프레임에 접속되는 별도의 프레임체를 더 갖고 있어도 된다. 지지부가 지지 프레임과 별도의 프레임체로 구성되는 경우, 펠리클막을 매다는 프레임체를 제1 프레임체라고 칭하고, 제1 프레임체를 지지하고, 원판측에 배치되는 지지 프레임을 구성하는 프레임체를 제2 프레임체라고 칭한다. 제1 프레임체에 펠리클막을 매단 구조물을 펠리클 프레임체라고 칭한다. 따라서, 펠리클이란, 펠리클막과 지지부가 접속한 구조체라고 정의할 수도 있고, 펠리클 프레임체와 지지 프레임이 접속한 구조체라고 정의할 수도 있다. 또한, 지지 프레임은, 노광 장치 내의 스페이스에 배치 가능한 범위라면, 둘 이상의 프레임체를 구비하는 것을 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 「면」이란, 평면에 한정되는 것은 아니고, 곡면을 포함한다.
[본 발명에 있어서 발견한 종래 기술의 문제점]
EUV 펠리클을 사용한 리소그래피 장치 내를 진공에 할 때에, 해당 펠리클의 지지부에 마련된 필터의 면적이 작으면, 공기가 필터를 통하기 어렵고, 펠리클의 내부까지 진공으로 하는 데 비교적 시간이 걸린다. 특히, 지지부 자체의 높이가 낮은 점에서, 종래 기술에 기재한 특허문헌 1과 같은 지지부의 측면 방향의 구멍을 마련하는 타입에서는, 필터 면적에 한계가 있는 점에서, 진공에 도달하는 데 필요한 시간을 더 짧게 하기 위한 과제가 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 종래 기술에 기재한 특허문헌 2와 같은 지지부의 세로 방향의 구멍을 마련하는 타입에서는, 필터가 노광면에 노출되기 때문에, EUV광이 필터에 닿아, 필터의 열화가 비교적 빨리 진행되는 것이 과제라고 알 수 있었다. 또한, 종래 기술인 특허문헌 2에서는, SiN, p-Si, SiC 등의 EUV용 펠리클막의 출발 기판인 Si 웨이퍼에 펀칭 가공이 필요해져, 가공 프로세스가 비교적 복잡·고가로 되는 것이 판명되었다.
[본 발명의 일 실시 형태에 관한 구성]
그래서 본 발명자들은, 지지부에 있어서의 통기 구멍(1)(관통 구멍)에 대하여, 지지부를 구성하는 프레임체(10)의 내측(펠리클을 원판에 장착한 경우에 폐공간이 형성되는 측임. 또한, 펠리클을 원판에 장착한 경우의 폐공간 부분에 대하여, 화살표 P로 나타냄.)에서는 프레임체(10)의 가로 방향 또는 측면 방향(펠리클막의 면 방향과 대략 평행한 방향이고, 제1 방향 L1이라고도 함)으로 연장되는 구멍(3)이고, 프레임체(10)의 외측까지의 사이에 절곡되고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)인, 폐공간 부분 P의 외부로 관통하는 통기 구멍(1)(관통 구멍)으로 하는 것을 상도했다. 도 1의 (a)는 프레임체(10)의 상면도(펠리클 프레임체가 배치되는 면측의 모식도)이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에 나타낸 선분 AB에 있어서의, 프레임체(10)의 단면도이다. 또한, 도 1에서는, 일체의 부재에 의해 통기 구멍(1)이 마련되는 도면을 나타내고 있다. 이것은, 예를 들어 에칭, 기계 가공 등에 의해 프레임체에 통기 구멍(1)을 마련한다는 방법으로 제조 가능하다.
도 2에 나타내는 필터(30)를 배치하기 위해, 일 실시 형태로서, 프레임체(10)는, 상면 a의 일부를 절결한 계단상의 구조를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서는, 필터(30)를 프레임체(10)에 첩부하기 위한 면으로서, 면 b 및 면 c가 배치된다. 면 b는, 절결한 계단상의 구조의 에지부의 면이고, 면 c는, 절결한 계단상의 구조에 있어서, 상면 a와 대향하는 하면이다. 면 b와 면 c는, 필터(30)를 배치하기 위한 공간 S를 갖는다. 이 통기 구멍(1)이 임의의 장소(구멍(5)의 외측의 단부인 외측의 통기구, 구멍(3)의 내측의 단부인 내측의 통기구, 구멍(5)의 내부 또는 구멍(3)의 내부)에 필터(30)를 붙임으로써, 지지 프레임(111)으로 된다. 도 2의 (a)는 프레임체(10)에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111)의 상면도이고, 도 2의 (a)는 필터(30)가 배치된 위치(도 2의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111)의 단면도이다. 일례로서, 필터(30)는, 면 b 및 면 c를 통해 프레임체(10)에 첩부된다. 즉, 필터(30)는, 제2 방향으로 연장되는 구멍측의 관통 구멍의 단부에 마련된다. 도 2에서는, 통기 구멍(1)의, 펠리클에 노광 원판을 접속했을 때에 폐공간 부분 P의 외측이 되는 부분인 출구 부분(외측의 통기구)에 필터(30)를 배치하고 있지만, 이 위치에 한정되는 것은 아니고, 구멍(5)의 임의의 장소에 설치 가능하다. 후술하는 펠리클막 또는 펠리클 프레임체를 지지 프레임(111)의 상면 a에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 또한, 필터(30)는 펠리클막의 하방(노광 원판측)에 펠리클막으로부터 이격하여 배치되어 있고, 프레임체(10)에 의해 노광 광이 닿기 어렵다. 그 때문에, 필터(30)가 열화되기 어렵다.
또한, 지지 프레임(111)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체(10)의 내측의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체(10)의 외측의 통기구인 프레임체(10)를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111A)을 나타내는 모식도이다. 도 3의 (a)는, 프레임체(10A)에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111A)의 상면도이고, 도 3의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 3의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111A)의 단면도이다. 프레임체(10A)는, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체(10A)의 외측의 통기구와, 제1 방향 L1과 교차하는 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체(10A)의 내측의 통기구를 갖는다. 프레임체(10A)에 있어서, 절결한 계단상의 구조의 에지부의 면 b는, 프레임체(10A)의 내연부(펠리클막이 매달린 측이고, 펠리클로서 사용했을 때에 폐공간을 형성하는 측임)에 배치된다. 따라서, 지지 프레임(111A)에 있어서, 필터(30)는, 프레임체(10A)의 내연부에 위치하는 구멍(5)의 단부에 마련된다. 후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 지지 프레임(111A)의 상면 a에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 또한, 필터(30)는 펠리클막의 하방(노광 원판측)에 펠리클막으로부터 이격하여 배치되어 있고, 노광 광은 펠리클막을 투과하기 때문에, 필터에 닿는 노광 광이 적다. 그 때문에, 필터(30)가 열화되기 어렵다.
또한, 지지 프레임(111) 및 지지 프레임(111A)은, 일체로 구성된 프레임체(10) 및 프레임체(10A)와 같은 구조체에 한정되지 않는다. 일 실시 형태에 있어서, 복수의 부재(복수의 판상의 층)를 접속시켜 통기 구멍(1)을 마련하도록 해도 된다.
[실시 형태 1]
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111B)을 나타내는 모식도이다. 도 4의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111B)의 상면도이고, 도 4의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 4의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111B)의 단면도이다. 실시 형태 1은, 원판(포토마스크)에 접속되는 측(펠리클을 원판에 접속한 경우에 있어서의 폐공간측)으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13)(제1 박판), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)(제2 박판)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 이들 각 층을 설명한다. 먼저, 도 5는 저판층(12)의 설명도이고, 도 5의 (a)는 저판층(12)의 상면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 저판층(12)의 단면도이다. 도 6은 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 설명도이고, 도 6의 (a)는 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 상면도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 단면도이다. 도 7은 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 설명도이고, 도 7의 (a)는 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 상면도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 단면도이다.
도 5에 나타내는 저판층(12)은, 예를 들어 직사각형의 프레임 형상이지만, 원하는 프레임체의 형상에 따라 적절히 형상을 설정 가능하다. 저판층(12)의 원료로서는 금속, 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스, 수지를 들 수 있다. 또한, 저판층(12)과, 후술하는 내측의 통기구를 갖는 판층(13)과, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)은, 각각 동종의 재질로 형성된 박판을 조합해도 되고, 각각 상이한 재질로 형성된 박판을 조합해도 되고, 일부 공통되는 재질로 형성된 박판을 조합해도 된다.
도 6에 나타내는 내측의 통기구를 갖는 판층(13)은, 예를 들어 직사각형의 프레임 형상이고, 프레임의 내연부(펠리클막이 매달리는 측이고, 펠리클로서 사용했을 때에 폐공간을 형성하는 측임)에 접속하고, 제1 방향으로 연신되는 오목부(패임 형상)(14)를 갖는다. 도 6에 있어서는, 오목부(14)가 각 변에 대하여 1개소 마련되는 예를 나타내고 있다. 그러나, 오목부(14)의 수에 특별히 한정은 없다. 또한, 내측의 통기구를 갖는 판층(13) 자체의 형상도, 원하는 프레임체의 형상에 따라 적절히 형상을 설정 가능하다. 오목부(14)의 크기는, 후술하는 외측의 통기구를 갖는 판층(17)에 있어서의 오목부(19)보다도 작은 것이, 내구성의 관점에서 바람직하다. 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 원료로서는 금속, 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스, 수지를 들 수 있다. 내측의 통기구를 갖는 판층(13)은, 제1 박판에 상당한다.
도 7에 나타내는 외측의 통기구를 갖는 판층(17)은, 예를 들어 직사각형의 프레임 형상이고, 프레임의 외연부(상기 프레임의 내측과는 반대측이고, 펠리클로서 사용했을 때에 폐공간을 형성하지 않는 측임)에 접속하고, 제1 방향으로 오목한 오목부(패임 형상)(19)를 갖는다. 도 7에 있어서는, 오목부(19)가 각 변에 대하여 1개소 마련되는 예를 나타내고 있다. 그러나, 오목부(19)의 수에 특별히 한정은 없다. 또한, 외측의 통기구를 갖는 판층(17) 자체의 형상도, 원하는 프레임체의 형상에 따라 적절히 형상을 설정 가능하다. 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 원료로서는 금속, 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스, 수지를 들 수 있다. 이 실시 형태에서는, 오목부(19)가 형성하는 개구가, 제2 방향 L2의 구멍에 상당한다. 또한, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)은, 제2 박판에 상당한다.
본 실시 형태에서는, 박판의 고정은, 고정되면 되고, 특별히 제한되지 않는다. 고정 방법으로서는, 예를 들어, 점착 시트, 접착제, 접합제, 상온 접합, 다이렉트 접합, 원자 확산 접합, 금속 접합, 용착, 땜납 접합, 열압착, 핫 멜트, 플럭스 접합, 면 패스너, 나사·핀·클립·코오킹 등의 기계적 고정, 자기를 사용하여 끼워 넣어 고정하는 방법 등을 들 수 있다.
이와 같이, 저판층(12) 위에 내측의 통기구를 갖는 판층(13) 및 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 순차 적층하여 고정하고, 오목부(14)의 적어도 일부를 저판층(12)과 외측의 통기구를 갖는 판층(17)으로 덮음으로써, 프레임체의 내연부에 개구된 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 형성된다. 또한, 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 오목부(14)와 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 오목부(19)의 적어도 일부가 중첩됨으로써, 구멍(3)에 접속하고, 제2 방향으로 연장되는 구멍(5)이 형성되고, 프레임체의 외연부에 개구된 통기 구멍(1)이 형성된다.
프레임체의 구멍(5)의 단부에, 필터(30)를 마련함으로써, 지지 프레임(111B)을 얻는다. 도 4에 있어서, 필터(30)는, 내측의 통기구를 갖는 판층(13)의 상면에 접하고, 즉 오목부(19)가 형성하는 개구에 접속할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 필터는 HEPA, ULPA 등의 멤브레인 필터, 부직포 필터, 카본 나노 튜브나 셀룰로오스 등 파이버를 적층한 필터, 세라믹스 필터, 유리 필터, 금속 소결 필터, 중공지 필터 등을 이용할 수 있다. 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 필터의 통기 저항이 높은 경우라도, 통기구의 면적을 크게 취할 수 있기 때문에, 진공화를 행하는 시간을 저감시키는 것이 가능하고, 바람직하게는 필터는, 초기 압력 손실이 100㎩ 이상 550㎩ 이하이고, 입경이 0.15㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 입자에 대하여 입자 포집률이 99.7％ 이상 100％ 이하인 특성을 갖는 필터이다. 또한, 관통 구멍이 복수 마련되고, 관통 구멍의 각각에 필터를 마련하는 경우에 있어서는, 복수의 필터의 합계의 면적이 100㎟ 이상 2000㎟ 이하인 것이 바람직하다. 필터의 고정은, 고정되어 있으면 되고, 특별히 제한되지 않는다. 고정 방법으로서는, 예를 들어, 박판의 고정과 동일한 방법을 들 수 있다. 또한, 이 필터에 관한 설명은, 각 실시 형태에서 공통되기 때문에, 이하에는 설명을 생략한다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클 프레임체를 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)에 의해 EUV광이 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하여, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 1의 변형예]
실시 형태 1에 있어서, 지지 프레임(111B)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 8은, 실시 형태 1의 변형예인 지지 프레임(111C)을 나타내는 모식도이다. 도 8의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111C)의 상면도이고, 도 8의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 8의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111C)의 단면도이다. 실시 형태 1의 변형예는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)(제2 박판), 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)(제1 박판)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 이들 각 층을 설명한다. 저판층(12)은, 상술한 구성과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 9는 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 설명도이고, 도 9의 (a)는 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 상면도이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 단면도이다. 도 9에 나타내는 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)은, 예를 들어 직사각형의 프레임 형상이고, 프레임의 외연부에 접속하고, 제1 방향으로 오목한 오목부(패임 형상)(14A)를 갖는다. 또한, 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)은, 상술한 외측의 통기구를 갖는 판층(17)과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 이 변형예에서는, 오목부(14A)가 형성하는 개구가, 제1 방향 L1의 구멍에 상당한다. 또한, 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)은, 제1 박판에 상당한다.
도 10은 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 설명도이고, 도 10의 (a)는 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 상면도이고, 도 10의 (b)는 도 7의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 단면도이다. 도 10에 나타내는 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)은, 예를 들어 직사각형의 프레임 형상이고, 프레임의 내연부에 접속하고, 제1 방향으로 연신되는 오목부(패임 형상)(19A)를 갖는다. 또한, 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)은, 상술한 내측의 통기구를 갖는 판층(13)과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 이 변형예에서는, 오목부(19A)가 형성하는 개구가, 제2 방향 L2의 구멍에 상당한다. 또한, 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)은, 제2 박판에 상당한다.
박판의 고정은, 고정되면 되고, 실시 형태 1에 있어서 설명한 구성을 적용 가능하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
이와 같이, 저판층(12) 위에 외측의 통기구를 갖는 판층(13A) 및 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)을 순차 적층하여 고정하고, 오목부(14A)의 적어도 일부를 저판층(12)과 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)으로 덮음으로써, 프레임체의 외측에 개구된 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 형성된다. 또한, 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 오목부(14A)와 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 오목부(19A)의 적어도 일부가 중첩됨으로써, 구멍(3)에 접속하여, 제2 방향으로 연장되는 구멍(5)이 형성되고, 프레임체의 내측에 개구된 통기 구멍(1)이 형성된다.
프레임체의 구멍(5)의 단부에, 필터(30)를 마련함으로써, 지지 프레임(111C)을 얻는다. 도 8에 있어서, 필터(30)는, 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)의 상면에 접하고, 즉 오목부(19A)가 형성되는 개구에 접속할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 필터에 관한 설명은 상술했기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 변형예에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, EUV광이 펠리클막을 투과하기 때문에, 필터에 닿는 EUV광이 적다. 그 때문에, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 변형예에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 변형예에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하고, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 2]
도 11은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111D)을 나타내는 모식도이다. 도 11의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111D)의 상면도이고, 도 11의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 11의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111D)의 단면도이다. 실시 형태 2는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 실시 형태 2에 있어서는, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)을 서서히 외측(펠리클로서 노광 원판에 접속했을 때의 외측)을 향해 계단상으로 되도록, 접속시킬 수 있다. 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B) 및 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)의 구성은 실시 형태 1에서 설명한 내측의 통기구를 갖는 판층(13) 및 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 구성과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 또한, 실시 형태 1에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는, 상세한 설명은 생략한다.
도 12는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)을 나타내는 모식도이다. 도 12의 (a)는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)의 상면도이고, 도 12의 (b)는 선분 AB에서의 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)의 단면도이다. 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)은 내측의 통기구를 갖는 판층(13B)과 외측의 통기구를 갖는 판층(17B) 사이에 마련되고, 내측의 통기구를 갖는 판층(13B)과 대향하는 면과 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)과 대향하는 면을 관통하는 관통 구멍(18)을 갖는다. 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)은, 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)과 적층하고, 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)측으로부터 평면으로 보았을 때에, 관통 구멍(18)이 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)으로 가려지지 않고 노출되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 실시 형태 2에 있어서 필터(30)를 접속시키는 경우에는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25) 위에 접속시킬 수 있다. 이에 의해, 필터(30)는 그의 네변을 스페이서층(25)에 대하여 접착하는 것이 가능해져, 필터(30)를 설치한 경우에, 누설이 적은 프레임체로 할 수 있다. 또한, 필터(30)를 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25) 위에 접속시키면, 필터(30)의 착탈이 더 용이해진다. 이 실시 형태에서는, 구멍(5)은, 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)과 스페이서층(25)으로 형성되는 개구와 스페이서층(25)에 존재하는 관통 구멍(18)과 내측의 통기구를 갖는 판층(13B)으로 구성된다.
또한, 실시 형태 1에 있어서 설명한 지지 프레임(111B)에서는, 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 필터(30)와 내측의 통기구를 갖는 판층(13)이 접하는 부분 및 필터(30)와 외측의 통기구를 갖는 판층(17)이 접하는 부분에서, 각각 고정할 필요가 있다. 한편, 실시 형태 2에 관한 지지 프레임(111D)에 있어서는, 내측의 통기구를 갖는 판층(13)과 외측의 통기구를 갖는 판층(17) 사이에 스페이서층(25)을 배치함으로써, 필터(30)를 스페이서층(25)에만 고정하면 되고, 필터(30)의 고정을 간편하게 행할 수 있다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)측의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, 예를 들어 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)에 의해 EUV광이 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하고, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 2의 변형예]
실시 형태 2에 있어서, 지지 프레임(111D)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 13은, 실시 형태 2의 변형예인 지지 프레임(111E)을 나타내는 모식도이다. 도 13의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111E)의 상면도이고, 도 13의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 13의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111E)의 단면도이다. 실시 형태 2의 변형예는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 본 변형예에 있어서는, 도 13의 (b)에 나타낸 바와 같이, 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)을 서서히 외측을 향해 계단상으로 되도록, 접속시킬 수 있다. 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C) 및 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)의 구성은 실시 형태 1의 변형예에서 설명한 외측의 통기구를 갖는 판층(13A) 및 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 구성과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 또한, 실시 형태 1에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는, 상세한 설명은 생략한다.
도 14는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)을 나타내는 모식도이다. 도 14의 (a)는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)의 상면도이고, 도 14의 (b)는 선분 AB에서의 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)의 단면도이다. 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)은 외측의 통기구를 갖는 판층(13C)과 내측의 통기구를 갖는 판층(17C) 사이에 마련되고, 외측의 통기구를 갖는 판층(13C)과 대향하는 면과 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)과 대향하는 면을 관통하는 관통 구멍(18A)을 갖는다. 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)은, 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)과 적층하고, 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)측으로부터 평면으로 보았을 때에, 관통 구멍(18A)이 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)으로 가려지지 않고 노출되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 본 변형예에 있어서 필터(30)를 접속시키는 경우에는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A) 위에 접속시킬 수 있다. 이에 의해, 필터(30)는 그의 네변을 스페이서층(25A)에 대하여 접착하는 것이 가능해지고, 필터(30)를 설치한 경우에, 누설이 적은 프레임체로 할 수 있다. 또한, 필터(30)를 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A) 위에 접속시키면, 필터(30)의 착탈이 더 용이해진다. 본 변형예에서는, 구멍(5)은, 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)과 스페이서층(25)으로 형성되는 개구와 스페이서층(25A)에 존재하는 관통 구멍(18A)과 외측의 통기구를 갖는 판층(13C)으로 구성된다.
또한, 실시 형태 1의 변형예에 있어서 설명한 지지 프레임(111C)에서는, 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 필터(30)와 외측의 통기구를 갖는 판층(13A)이 접하는 부분 및 필터(30)와 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)이 접하는 부분에서, 각각 고정할 필요가 있다. 한편, 실시 형태 2의 변형예에 관한 지지 프레임(111E)에 있어서는, 외측의 통기구를 갖는 판층(13C)과 내측의 통기구를 갖는 판층(17C) 사이에 스페이서층(25A)을 배치함으로써, 필터(30)를 스페이서층(25)에만 고정하면 되고, 필터(30)의 고정을 간편하게 행할 수 있다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)측의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 변형예에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, EUV광이 펠리클막을 투과하기 때문에, 필터에 닿는 EUV광이 적다. 그 때문에, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 변형예에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 변형예에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하고, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 3]
도 15는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111F)을 나타내는 모식도이다. 도 15의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111F)의 상면도이고, 도 15의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 15의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111F)의 단면도이다. 실시 형태 3은, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 제2 스페이서층(36), 제3 스페이서층(48), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 16은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 관통 구멍을 갖는 제2 스페이서층(36)을 나타내는 모식도이다. 도 16의 (a)는, 제2 스페이서층(36)의 상면도이고, 도 16의 (b)는 선분 AB에서의 제2 스페이서층(36)의 단면도이다. 제2 스페이서층(36)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 후술하는 제3 스페이서층(48) 사이에 마련되고, 관통 구멍(38)을 갖는다. 제2 스페이서층(36)의 관통 구멍(38)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)의 관통 구멍(18)보다도, 제1 방향 L1로 넓은 형상이다. 제2 스페이서층(36)의 원료로서는 금속, 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스, 수지를 들 수 있다.
제3 스페이서층(48)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 대략 동일한 형상이고, 관통 구멍(18)을 갖는다. 제3 스페이서층(48)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
실시 형태 3에 있어서 필터(30)를 접속시키는 위치는, 내측의 통기구를 갖는 판층(13B)이 아니라, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 제3 스페이서층(48) 사이의 부분, 즉 제2 스페이서층(36)과 동일 평면 위에 접속시키게 된다. 실시 형태 2에서는, 구멍(5)은, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)과 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)에 존재하는 관통 구멍(18)과 제2 스페이서층(36)에 존재하는 관통 구멍(38)과 제3 스페이서층(48)에 존재하는 관통 구멍(18)으로 구성된다.
이 경우, 필터(30)는, 편면만을 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)에 접착시켜도 되고, 또한 다른 편면을 제3 스페이서층(48)에 접착시켜도 된다.
필터(30)는 그 양면을 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)이나 제3 스페이서층(48)에 대하여 접착하는 것이 가능해지기 때문에, 필터(30)를 설치한 경우에, 더 누설이 적은 지지 프레임(111F)으로 할 수 있다.
또한, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 어느 것에 있어서, 약간 변형이 존재하는 경우에도, 스페이서층을 복수매 사용함으로써, 그 변형을 보정할 수 있다. 예를 들어, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 어느 것에 변형이 있는 경우, 그 변형과 반대의 변형이 있는 스페이서층을 조합함으로써 변형을 보정할 수 있다.
[실시 형태 3의 변형예]
실시 형태 3에 있어서, 지지 프레임(111F)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 17은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111G)을 나타내는 모식도이다. 도 17의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111G)의 상면도이고, 도 17의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 17의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111G)의 단면도이다. 실시 형태 3의 변형예는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 제2 스페이서층(36A), 제3 스페이서층(48A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 18은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 제2 스페이서층(36A)을 나타내는 모식도이다. 도 18의 (a)는, 제2 스페이서층(36A)의 상면도이고, 도 18의 (b)는 선분 AB에서의 제2 스페이서층(36A)의 단면도이다. 제2 스페이서층(36A)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)과 후술하는 제3 스페이서층(48A) 사이에 마련되고, 관통 구멍(38A)을 갖는다. 제2 스페이서층(36A)의 관통 구멍(38A)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)의 관통 구멍(18A)보다도, 제1 방향 L1로 넓은 형상이다. 제2 스페이서층(36A)의 원료로서는 금속, 유리, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스, 수지를 들 수 있다.
제3 스페이서층(48A)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)과 대략 동일한 형상이고, 관통 구멍(18A)을 갖는다. 제3 스페이서층(48A)은, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
본 변형예에 있어서 필터(30)를 접속시키는 위치는, 외측의 통기구를 갖는 판층(13C)이 아니라, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)과 제3 스페이서층(48A) 사이의 부분, 즉 제2 스페이서층(36A)과 동일 평면 상에 접속시키게 된다. 본 변형예에서는, 구멍(5)은, 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)과 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)에 존재하는 관통 구멍(18A)과 제2 스페이서층(36A)에 존재하는 관통 구멍(38A)과 제3 스페이서층(48A)에 존재하는 관통 구멍(18A)으로 구성된다.
이 경우, 필터(30)는, 편면만을 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)에 접착시켜도 되고, 또한 다른 편면을 제3 스페이서층(48)에 접착시켜도 된다.
필터(30)는 그 양면을 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A)이나 제3 스페이서층(48A)에 대하여 접착하는 것이 가능해지기 때문에, 필터(30)를 설치한 경우에, 더 누설이 적은 지지 프레임(111G)으로 할 수 있다.
또한, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 어느 것에 있어서, 약간 변형이 존재하는 경우에도, 스페이서층을 복수매 사용함으로써, 그 변형을 보정할 수 있다. 예를 들어, 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 어느 것에 변형이 있는 경우, 그 변형과 반대의 변형이 있는 스페이서층을 조합함으로써 변형을 보정할 수 있다.
[실시 형태 4]
도 19는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111H)을 나타내는 모식도이다. 도 19의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111H)의 상면도이고, 도 19의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 19의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111H)의 단면도이다. 실시 형태 4는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 필터(30A), 제2 스페이서층(48), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 적층시켜 지지 프레임(111H)을 형성한다는 것이다. 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 또한, 제2 스페이서층(48)은, 실시 형태 3에서 설명한 제3 스페이서층(48)과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 필터(30A)는, 통기 구멍(1)의 내부에 마련된다. 필터(30A)는, 상술한 필터(30)와는 달리, 저판층(12)과 개략 동일한 개략 직사각형의 프레임상의 형상을 갖는다. 필터(30A)는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 제2 스페이서층(48) 사이에 배치되고, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)에 배치된 관통 구멍(18) 이외의 부분에서 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 접속하고, 제2 스페이서층(48)에 배치된 관통 구멍(18) 이외의 부분에서 제2 스페이서층(48)과 접속한다. 따라서, 지지 프레임(111H)에 있어서, 필터(30A)는, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 제2 스페이서층(48)의 접촉 면적이 크고, 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25)과 제2 스페이서층(48)과 접착한 경우의 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 필터(30A)는, 개략 직사각형 형상의 시트 부재이기 때문에, 구멍(5)마다 배치하는 필터(30)에 비해, 배치나 교환이 용이하다.
또한, 상술한 각 변형예에서도 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111H)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다. 이 경우에도, 필터(30A)를 사용하여 지지 프레임을 구성할 수 있다.
[실시 형태 5]
실시 형태 2의 변형예로서, 실시 형태 5를 설명한다. 도 20은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111K)을 나타내는 모식도이다. 도 20의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111K)의 상면도이고, 도 20의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 20의 (a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111K)의 단면도이다. 실시 형태 5는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13D), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 저판층(12), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17) 및 필터(30)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 21의 (a)는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 내측의 통기구를 갖는 판층(13D)을 나타내는 상면도이고, 도 21의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 11의 (a)에 나타낸 선분 CD)에 대응하는 위치에서의 지지 프레임(111D)의 변형을 설명하는 모식도이다. 또한, 도 21의 (b)는, 본 실시 형태와 비교하기 위해 변형을 강조한 모식도이고, 실시 형태 2의 지지 프레임(111D)이 이러한 변형을 반드시 포함하는 것을 의도하는 것은 아니다.
도 21의 (b)에 있어서, 구멍(3)의 개구 폭을 크게 하는, 즉, 내측의 통기구를 갖는 판층(13B)의 오목부(14)의 길이 방향(도 21의 (b)의 방향 L1)의 폭을 크게 하면, 구멍(3)의 위치에 있어서, 저판층(12)과 스페이서층(25) 및 필터(30)가 구멍(3)을 향해 변형될 가능성도 있다. 저판층(12)과 스페이서층(25) 및 필터(30)가 구멍(3)을 향해 변형되는 것을 억제하기 위해, 본 실시 형태에 있어서는, 도 21의 (a)에 나타낸 바와 같이 내측의 통기구를 갖는 판층(13D)에 빗살상의 구조(13D-1)를 배치함으로써, 저판층(12)과 스페이서층(25)을 지지한다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 복수의 오목부(14B)와 저판층(12) 및 스페이서층(25)에 의해 규정되는 복수의 구멍(3A)이 구성됨으로써, 하나의 구멍(3A)당의 개구 폭을 작게 함으로써 저판층(12)과 스페이서층(25) 및 필터(30)의 변형을 억제하면서, 복수의 구멍(3A) 전체적으로 충분한 개구 면적을 확보할 수 있다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)측의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, 예를 들어 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)에 의해 EUV광이 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하고, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 5의 변형예]
실시 형태 5에 있어서, 지지 프레임(111K)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 22는, 실시 형태 5의 변형예인 지지 프레임(111L)을 나타내는 모식도이다. 도 22의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111L)의 상면도이고, 도 22의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 22의 (a)에 나타낸 선분 CD)에서의 지지 프레임(111L)의 단면도이다. 실시 형태 5의 변형예는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13E), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)를 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 저판층(12), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 내측의 통기구를 갖는 판층(17C) 및 필터(30)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 23은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 외측의 통기구를 갖는 판층(13E)을 나타내는 상면도이다. 본 실시 형태에 있어서는, 도 23에 나타낸 바와 같이 외측의 통기구를 갖는 판층(13E)에 빗살상의 구조(13E-1)를 배치함으로써, 저판층(12)과 스페이서층(25A)을 지지한다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 복수의 오목부(14C)와 저판층(12) 및 스페이서층(25A)에 의해 규정되는 복수의 구멍(3B)이 구성됨으로써, 하나의 구멍(3B)당의 개구 폭을 작게 함으로써 저판층(12)과 스페이서층(25A) 및 필터(30)의 변형을 억제하면서, 복수의 구멍(3B) 전체적으로 충분한 개구 면적을 확보할 수 있다.
후술하는 펠리클막 또는 펠리클막체를 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)측의 상면에 배치함으로써, 펠리클을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클에 있어서는, 필터(30)가 펠리클막으로부터 이격하여 배치된다. 더 상세하게는, 필터(30)는 펠리클막보다도 하방(원판측)에 배치되게 된다. 그 때문에, 예를 들어 외측의 내측의 통기구를 갖는 판층(17C)에 의해 EUV광이 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임은, 상술한 바와 같이, 필터가 프레임체에 착탈 가능하게 고정된다. 그 때문에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임을 사용한 펠리클을 노광 장치로부터 박리한 후에, 필터만을 교환하고, 프레임체를 재이용하는 것이 가능하다는 이점이 있다. 이에 비해, 프레임체의 내부에 필터를 매립하는 경우에는, 필터의 열화가 더 억제된다.
[실시 형태 6]
도 24는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 지지 프레임(111I)을 나타내는 모식도이다. 도 24의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111I)의 상면도이고, 도 24의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 24의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111I)의 단면도이다. 실시 형태 6은, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17), 천장판(41)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 즉, 지지 프레임(111I)은, 상술한 지지 프레임(111D)에 천장판(41)을 배치한 지지 프레임이기도 하다. 도 24의 (a)에서는, 천장판(41)이 존재하기 때문에, 상면으로부터 필터(30)를 관찰할 수는 없지만, 하층에서 필터(30)가 배치되는 장소에 대하여, 점선을 사용하여 나타내고 있다. 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 25는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 천장판(41)을 나타내는 모식도이다. 도 25의 (a)는, 천장판(41)의 상면도이고, 도 25의 (b)는 선분 AB에서의 천장판(41)의 단면도이다. 천장판(41)은, 개략 직사각형의 프레임상의 형상이고, 저판층(12)과 개략 동일한 형상이어도 된다. 천장판(41)은, 외측의 통기구를 갖는 판층(17) 위에 접속된다. 천장판(41)은, 펠리클막 또는 펠리클막체와 접속된다. 실시 형태 6에서는, 펠리클막 또는 펠리클막체의 접속을 천장판 전체에서 행할 수 있기 때문에, 접속 강도를 높게 할 수 있다. 또한, 필터(30)가 천장판(41)으로 덮이기 때문에, 노광 광이 필터(30)에 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 더 억제할 수 있다.
[실시 형태 6의 변형예]
또한, 실시 형태 6에 있어서, 지지 프레임(111I)은, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 내연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 외연부의 통기구인 프레임체를 사용하는 예로서 나타냈지만, 본 발명에 관한 지지 프레임은 이것에 한정되지 않는다. 지지 프레임(111A)에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 26은, 변형예에 관한 지지 프레임(111J)을 나타내는 모식도이다. 도 26의 (a)는, 프레임체에 필터(30)를 배치한 지지 프레임(111J)의 상면도이고, 도 26의 (b)는 필터(30)가 배치된 위치(도 26의 (a)에 나타낸 선분 AB)에서의 지지 프레임(111J)의 단면도이다. 실시 형태 6의 변형예는, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 외측의 통기구를 갖는 판층(17C), 천장판(41)을 적층시켜 프레임체를 형성한다는 것이다. 즉, 지지 프레임(111J)은, 상술한 지지 프레임(111E)에 천장판(41)을 배치한 지지 프레임이기도 하다. 도 26의 (a)에서는, 천장판(41)이 존재하기 때문에, 상면으로부터 필터(30)를 관찰할 수는 없지만, 하층에서 필터(30)가 배치되는 장소에 대하여, 점선을 사용하여 나타내고 있다. 저판층(12), 외측의 통기구를 갖는 판층(13C), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25A), 외측의 통기구를 갖는 판층(17C)의 구성은 상술한 실시 형태와 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
본 변형예에서는, 펠리클막 또는 펠리클막체의 접속을 천장판 전체에서 행할 수 있기 때문에, 접착 강도를 높게 할 수 있다. 또한, 필터(30)가 천장판(41)으로 덮이기 때문에, 노광 광이 필터(30)에 닿기 어려워, 필터(30)의 열화를 억제할 수 있다.
천장판(41)은, 상술한 모든 실시 형태에서 설명한 지지 프레임에 배치 가능하고 실시 형태 6 및 그 변형예에서 설명한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
각 실시 형태는 각각 조합해도 된다. 예를 들어, 실시 형태 3에 있어서, 원판에 접속되는 측으로부터 차례로, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 제3 스페이서층(48), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)으로 하고, 필터(30)를 스페이서층(25)과 제3 스페이서층(48) 사이에 끼워 넣고 설치해도 된다. 따라서, 제2 스페이서층(36)을 생략해도 된다. 또한, 실시 형태 1에 있어서, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 적층하고, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 상면에 실시 형태 6의 천장판(41)을 배치하고, 내측의 통기구를 갖는 판층(13)과 외측의 통기구를 갖는 판층(17)에 구성되는 구멍(5)에 필터(30)를 설치해도 된다. 또한, 실시 형태 3에 있어서, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 스페이서층(25), 제2 스페이서층(36), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 적층하고, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 상면에 실시 형태 6의 천장판(41)을 배치하고, 필터(30)를 스페이서층(25)과 제2 스페이서층(36) 사이에 설치해도 된다. 따라서, 제3 스페이서층(48)을 생략해도 된다. 또한, 실시 형태 3에 있어서, 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13B), 스페이서층(25), 제3 스페이서층(48), 외측의 통기구를 갖는 판층(17)을 적층하고, 외측의 통기구를 갖는 판층(17)의 상면에 실시 형태 6의 천장판(41)을 배치하고, 필터(30)를 스페이서층(25)과 제3 스페이서층(48) 사이에 끼워 넣고 설치해도 된다. 따라서, 제2 스페이서층(36)을 생략해도 된다.
실시 형태 5 및 실시 형태 5의 변형예에서 설명한 내측의 통기구를 갖는 판층(13B) 또는 외측의 통기구를 갖는 판층(13E)은, 상술한 각 실시 형태에 있어서, 저판층(12)과 스페이서층 사이에 배치되는 내측의 통기구를 갖는 판층 또는 외측의 통기구를 갖는 판층에 적용해도 된다. 각 실시 형태에 있어서의 저판층(12), 내측의 통기구를 갖는 판층(13), 외측의 통기구를 갖는 판층(17), 관통 구멍을 갖는 스페이서층(25), 제2 스페이서층(36), 제3 스페이서층(48), 천장판(41)은, 각각 1매의 박판으로 형성되어도 되고, 평면 형상이 동일한 복수의 박판을 적층하여 형성해도 된다.
[펠리클]
상술한 각 실시 형태에 나타낸 지지 프레임에 펠리클막(102) 또는 펠리클 프레임체를 배치함으로써, 펠리클을 구성할 수 있다. 구체적으로는, 일례로서, 실시 형태 1에서 설명한 외측의 통기구를 갖는 판층(17)이나, 실시 형태 1의 변형예에서 설명한 내측의 통기구를 갖는 판층(17A)의 상면에 펠리클막(102)을 형성한 구성으로 해도 된다. 후술하는 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 관한 펠리클막(102)은 매우 얇은 막이기 때문에, 핸들링의 면에서, 펠리클막(102)의 한쪽 면에 제1 프레임체를 마련한 펠리클 프레임체로 하고, 펠리클 프레임체를 지지 프레임에 배치하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 펠리클막(102) 또는 펠리클 프레임체와, 지지 프레임의 접속 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 점착 시트, 접착제, 접합제, 상온 접합, 다이렉트 접합, 원자 확산 접합, 금속 접합, 용착, 땜납 접합, 열압착, 핫 멜트, 플럭스 접합, 면 패스너, 반데르발스힘, 정전기의 힘, 자력, 나사·핀·클립·코오킹 등의 기계력으로 접속할 수 있다.
도 27은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클(100)을 나타내는 모식도이다. 도 27의 (a)는, 펠리클(100)의 상면도이고, 도 27의 (b)는 도 27의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 펠리클(100)의 단면도이다. 도 27에는, 일례로서, 실시 형태 2의 지지 프레임(111D)을 사용한 펠리클(100)을 나타낸다. 펠리클막(102)은, 제1 프레임체(104) 위에 배치된다. 제1 프레임체(104)는, 대략 직사각형의 프레임 형상이고, 실리콘, 사파이어, 탄화규소 등으로부터 선택되는 재료로 구성된다. 펠리클막(102)은, 제1 프레임체(104)에 매달리고, 제1 프레임체(104)는, 펠리클막(102)을 지지한다. 제1 프레임체(104) 위에 펠리클막(102)을 배치한 구조체를 펠리클 프레임체(106)라고 칭한다. 펠리클(100)에 있어서, 펠리클 프레임체(106)는, 접착층(39)을 통해, 지지 프레임(111D)의 외측의 통기구를 갖는 판층(17B)의 상면에 첩부된다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 펠리클막(102)의 한쪽 면에 마련된 제1 프레임체(104)를 통해, 지지 프레임(111D)에 펠리클막(102)이 마련된 구성으로 된다. 본 실시 형태에 있어서는, 지지부가 펠리클막(102)을 지지하는 제1 프레임체(104)와, 지지 프레임(111D)을 구성하는 제2 프레임체를 갖는 예를 나타냈지만, 본 실시 형태는 이것에 한정되지 않고, 제1 프레임체(104)를 통하지 않고, 지지 프레임(111D)에 펠리클막(102)을 배치해도 된다.
접착층(39)은, 펠리클막 또는 제1 프레임체와, 지지 프레임을 접착하는 층이다. 접착층(39)은, 예를 들어 양면 점착 테이프, 실리콘 수지 점착제, 아크릴계 점착제, 폴리올레핀계 점착제, 무기계 접착제 등이다. EUV 노광 시의 진공도를 유지하는 관점에서, 접착층(39)은, 아웃 가스가 적은 것이 바람직하다. 아웃 가스의 평가 방법으로서, 예를 들어 승온 탈리 가스 분석 장치를 사용할 수 있다. 접착층(39)은, 펠리클막 또는 제1 프레임체와, 지지 프레임의 접속 전에, 미리 지지 프레임에 형성되어 있어도 된다. 접착층(39)은, 지지 프레임 중, 가장 펠리클막측에 배치된 층 위에 형성하면 된다.
본 실시 형태에 관한 펠리클(100)은, 펠리클막(102)이 배치되는 영역의 외측에 필터(30)가 배치되기 때문에, EUV광이 필터(30)에 닿기 어려워져, 필터(30)의 열화를 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 필터(30)의 교환 빈도를 저감시킬 수 있다.
[펠리클의 변형예]
또한, 상술한 실시 형태에 있어서도 설명한 바와 같이, 제1 방향 L1로 연장되는 구멍(3)이 프레임체의 외연부의 통기구이고, 제1 방향 L1과 교차하는 제2 방향 L2로 연장되는 구멍(5)이 프레임체의 내연부의 통기구인 프레임체를 사용할 수도 있다.
도 28은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 펠리클(100A)을 나타내는 모식도이다. 도 28의 (a)는, 펠리클(100A)의 상면도이고, 도 28의 (b)는 도 28의 (a)에 나타낸 선분 AB에서의 펠리클(100A)의 단면도이다. 도 28에는, 일례로서, 실시 형태 2의 변형예의 지지 프레임(111E)을 사용한 펠리클(100A)을 나타낸다. 펠리클막(102), 제1 프레임체(104) 및 펠리클 프레임체(106)의 구성은, 상술한 구성과 동일한 구성을 사용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 펠리클(100A)에 있어서, 펠리클 프레임체(106)는, 접착층(39)을 통해, 지지 프레임(111E)의 외측의 통기구를 갖는 판층(17C)의 상면에 첩부된다. 따라서, 본 변형예에 있어서는, 펠리클막(102)의 한쪽 면에 마련된 제1 프레임체(104)를 통해, 지지 프레임(111E)에 펠리클막(102)이 마련된 구성으로 된다. 본 실시 형태에 있어서는, 지지부가 펠리클막(102)을 지지하는 제1 프레임체(104)와, 지지 프레임(111E)을 구성하는 제2 프레임체를 갖는 예를 나타냈지만, 본 실시 형태는 이것에 한정되지 않고, 제1 프레임체(104)를 통하지 않고, 지지 프레임(111E)에 펠리클막(102)을 배치해도 된다.
본 변형예에 관한 펠리클(100A)은, 펠리클막(102)이 배치되는 영역에 필터(30)가 배치된다. 이 때문에, 펠리클막(102)을 투과한 EUV광이 필터(30)에 조사될 가능성도 있지만, 펠리클막(102)을 투과함으로써 EUV광의 광량이 줄어들기 때문에, 필터(30)의 열화는 저감된다. 또한, 원판의 노광 영역으로부터 충분히 이격된 위치에 필터(30)가 배치되도록 펠리클(100A)의 크기(폭)를 설정함으로써, EUV광이 필터(30)에 닿기 어려워져, 필터(30)의 열화를 더 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 필터(30)의 교환 빈도를 저감시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 펠리클은, 상술한 각 실시 형태의 지지 프레임을 사용하여 구성할 수 있다.
[펠리클막]
펠리클막의 두께(2층 이상으로 구성되는 경우에는 총 두께)는, 예를 들어 10㎚ 내지 200㎚로 할 수 있고, 10㎚ 내지 100㎚가 바람직하고, 10㎚ 내지 70㎚가 보다 바람직하고, 10㎚ 내지 50㎚가 특히 바람직하다.
펠리클막은 EUV광의 투과율이 높은 것이 바람직하고, EUV 리소그래피에 사용하는 광(예를 들어, 파장 13.5㎚의 광이나 파장 6.75㎚의 광)의 투과율이 50％ 이상인 것이 바람직하고, 80％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 90％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 펠리클막이 보호층과 적층되는 경우에는, 이것들을 포함하는 막의 광의 투과율이 50％ 이상인 것이 바람직하다.
펠리클막의 재료는, 공지의 EUV용 펠리클막의 재료를 사용하면 된다. 펠리클막의 재료로서는, 예를 들어 카본 나노 튜브, 다이아몬드 라이크 카본, 아몰퍼스 카본, 그래파이트, 탄화규소 등의 탄소계 재료, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등의 실리콘계 재료, 방향족 폴리이미드, 지방족 폴리이미드, 가교 폴리에틸렌, 가교 폴리스티렌, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 액정 폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 방향족 폴리아미드, 파릴렌 등의 고분자계 재료를 들 수 있다.
[노광 원판]
도 29는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 원판(181)의 단면의 구성을 나타내는 모식도이다. 일례로서, 노광 원판(181)은, 펠리클막(102) 및 지지 프레임(111)을 포함하는 펠리클(100)과, 원판(184)을 구비한다. 본 발명에 관한 노광 원판(181)은, 원판(184)에 장착된 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막(102)이 마련된 펠리클(100)에 있어서, 지지 프레임(111)의 통기 구멍에 마련된 필터(30)의 착탈을 가능하게 하여, 원판(184)에 대한 콘타미네이션을 저감시킬 수 있다. 도 29에 있어서는, 펠리클막(102) 및 지지 프레임(111)을 포함하는 펠리클(100)을 패턴이 형성된 원판(184)의 면에 배치하는 예를 나타냈지만, 본 발명에 관한 노광 원판은 이것에 한정되는 것은 아니고, 펠리클(100A)을 배치할 수 있고, 또한 상술한 각 실시 형태에 있어서 설명한 지지 프레임을 갖는 펠리클을 배치해도 된다.
본 발명에 관한 펠리클을 원판에 장착하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 원판에 지지 프레임을 직접 첩부해도 되고, 지지 프레임의 한쪽의 단부면에 있는 원판용 접착제층을 개재해도 되고, 기계적으로 고정하는 방법이나 자석 등의 인력을 이용하여 원판과 지지 프레임을 고정해도 된다. 원판용 접착제층은, 접착층(39)과 동일한 것을 사용할 수 있기 때문에 상세한 기재는 생략한다.
[펠리클의 용도]
본 발명의 펠리클은, EUV 노광 장치 내에서, 원판에 이물이 부착되는 것을 억제하기 위한 보호 부재로서뿐만 아니라, 원판의 보관 시나, 원판의 운반 시에 원판을 보호하기 위한 보호 부재로 해도 된다. 예를 들어, 원판에 펠리클을 장착한 상태(노광 원판)로 해 두면, EUV 노광 장치로부터 분리한 후, 그대로 보관하는 것 등이 가능해진다. 펠리클을 원판에 장착하는 방법에는, 접착제로 첩부하는 방법, 기계적으로 고정하는 방법 등이 있다.
[노광 장치]
도 30은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 장치(180)를 나타내는 모식도이다. 도 30에 있어서, 노광 원판(181)은 단면도로 나타낸다.
일례로서, EUV 노광 장치(180)는, EUV광을 방출하는 광원(182)과, 본 실시 형태의 노광 원판의 일례인 노광 원판(181)과, 광원(182)으로부터 방출된 EUV광을 노광 원판(181)으로 유도하는 조명 광학계(183)를 구비한다.
EUV 노광 장치(180)에서는, 광원(182)으로부터 방출된 EUV광이 조명 광학계(183)에서 집광되어 조도가 균일화되어, 노광 원판(181)에 조사된다. 노광 원판(181)에 조사된 EUV광은, 원판(184)에 의해 패턴상으로 반사된다.
이 노광 원판(181)은, 본 실시 형태의 노광 원판의 일례이다. 광원(182)으로부터 방출된 EUV광이 펠리클막(102)을 투과하여 원판(184)에 조사되도록 배치되어 있다. 원판(184)은, 조사된 EUV광을 패턴상으로 반사하는 것이다.
조명 광학계(183)에는, EUV광의 광로를 조정하기 위한 복수매의 다층막 미러(189)와 광결합기(옵티컬 인테그레이터) 등이 포함된다.
광원(182) 및 조명 광학계(183)는, 공지의 광원 및 조명 광학계를 사용할 수 있다.
EUV 노광 장치(180)에 있어서, 광원(182)과 조명 광학계(183) 사이 및 조명 광학계(183)와 원판(184) 사이에는, 필터·윈도우(185 및 186)가 각각 설치되어 있다. 필터·윈도우(185 및 186)는, 비산 입자(파편)를 포착할 수 있는 것이다. 또한, EUV 노광 장치(180)는, 원판(184)이 반사한 EUV광을 감응 기판(187)으로 유도하는 투영 광학계(188)를 구비하고 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 노광 장치는, 통기 구멍에 필터가 착탈 가능하게 마련되고, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막이 마련된 펠리클이 노광 원판에 접속되어 있기 때문에, 노광 장치의 광학계에 대한 영향을 저감시킬 수 있다.
또한, 도 30에 있어서는, 펠리클막(102) 및 지지 프레임(111)을 포함하는 펠리클(100B)을 패턴이 형성된 원판(184)의 면에 배치한 노광 원판(181)을 EUV 노광 장치(180)에 배치하는 예를 나타냈지만, 본 발명에 관한 EUV 노광 장치는 이것에 한정되는 것은 아니고, 펠리클(100)이나 펠리클(100A)을 배치한 노광 원판(181)을 EUV 노광 장치(180)에 배치할 수도 있고, 또한 상술한 각 실시 형태에 있어서 설명한 지지 프레임을 갖는 펠리클을 사용한 노광 원판(181)을 EUV 노광 장치(180)에 배치해도 된다.
본 실시 형태의 노광 장치는, 노광 광(바람직하게는 EUV광 등, 보다 바람직하게는 EUV광. 이하 동일함.)을 방출하는 광원과, 본 실시 형태의 노광 원판과, 광원으로부터 방출된 노광 광을 노광 원판으로 유도하는 광학계를 구비하고, 노광 원판은, 광원으로부터 방출된 노광 광이 펠리클막을 투과하여 원판에 조사되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이 양태에 의하면, EUV광 등에 의해 미세화된 패턴(예를 들어, 선 폭 32㎚ 이하)을 형성할 수 있는 것에 더하여, 이물에 의한 해상 불량이 문제로 되기 쉬운 EUV광을 사용한 경우라도, 이물에 의한 해상 불량이 저감된 패턴 노광을 행할 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 광원으로부터 방출된 노광 광을, 본 실시 형태의 노광 원판의 펠리클막을 투과시켜 원판에 조사하고, 원판에서 반사시키는 스텝과, 원판에 의해 반사된 노광 광을, 펠리클막을 투과시켜 감응 기판에 조사함으로써, 감응 기판을 패턴상으로 노광하는 스텝을 갖는다.
본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 이물을 의한 해상 불량이 문제로 되기 쉬운 EUV광을 사용한 경우라도, 이물에 의한 해상 불량이 저감된 반도체 장치를 제조할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 관한 노광 장치를 사용함으로써, 본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법을 행할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 통기 구멍에 필터가 착탈 가능하게 마련되고, 극단 자외광 리소그래피용의 펠리클막이 마련된 펠리클이 노광 원판에 접속되어 있기 때문에, 극단 자외광 리소그래피에 있어서, 고정밀의 노광을 행할 수 있다.
1: 통기 구멍
3: 구멍
3A: 구멍
3B: 구멍
5: 구멍
10: 프레임체
10A: 프레임체
12: 저판층
13: 통기구를 갖는 판층
13A: 통기구를 갖는 판층
13B: 통기구를 갖는 판층
13C: 통기구를 갖는 판층
13D: 통기구를 갖는 판층
13D-1: 빗살상의 구조
13E: 통기구를 갖는 판층
13E-1: 빗살상의 구조
14: 오목부(패임 형상)
14A: 오목부(패임 형상)
14B: 오목부
14C: 오목부
17: 통기구를 갖는 판층
17A: 통기구를 갖는 판층
17B: 통기구를 갖는 판층
17C: 통기구를 갖는 판층
18: 관통 구멍
18A: 관통 구멍
19: 오목부(패임 형상)
19A: 오목부(패임 형상)
25: 스페이서층
25A: 스페이서층
30: 필터
30A: 필터
36: 제2 스페이서층
36A: 제2 스페이서층
38: 관통 구멍
38A: 관통 구멍
39: 접착층
41: 천장판
48: 스페이서층
48A: 제3 스페이서층
100: 펠리클
100A: 펠리클
100B: 펠리클
102: 펠리클막
104: 제1 프레임체
106: 펠리클 프레임체
111: 지지 프레임
111A: 지지 프레임
111B: 지지 프레임
111C: 지지 프레임
111D: 지지 프레임
111E: 지지 프레임
111F: 지지 프레임
111G: 지지 프레임
111H: 지지 프레임
111I: 지지 프레임
111J: 지지 프레임
111K: 지지 프레임
111L: 지지 프레임
180: 노광 장치
181: 노광 원판
182: 광원
183: 조명 광학계
184: 원판
185: 필터·윈도우
186: 필터·윈도우
187: 감응 기판
188: 투영 광학계
189: 다층막 미러
190: 다층막 미러
191: 다층막 미러
3: 구멍
3A: 구멍
3B: 구멍
5: 구멍
10: 프레임체
10A: 프레임체
12: 저판층
13: 통기구를 갖는 판층
13A: 통기구를 갖는 판층
13B: 통기구를 갖는 판층
13C: 통기구를 갖는 판층
13D: 통기구를 갖는 판층
13D-1: 빗살상의 구조
13E: 통기구를 갖는 판층
13E-1: 빗살상의 구조
14: 오목부(패임 형상)
14A: 오목부(패임 형상)
14B: 오목부
14C: 오목부
17: 통기구를 갖는 판층
17A: 통기구를 갖는 판층
17B: 통기구를 갖는 판층
17C: 통기구를 갖는 판층
18: 관통 구멍
18A: 관통 구멍
19: 오목부(패임 형상)
19A: 오목부(패임 형상)
25: 스페이서층
25A: 스페이서층
30: 필터
30A: 필터
36: 제2 스페이서층
36A: 제2 스페이서층
38: 관통 구멍
38A: 관통 구멍
39: 접착층
41: 천장판
48: 스페이서층
48A: 제3 스페이서층
100: 펠리클
100A: 펠리클
100B: 펠리클
102: 펠리클막
104: 제1 프레임체
106: 펠리클 프레임체
111: 지지 프레임
111A: 지지 프레임
111B: 지지 프레임
111C: 지지 프레임
111D: 지지 프레임
111E: 지지 프레임
111F: 지지 프레임
111G: 지지 프레임
111H: 지지 프레임
111I: 지지 프레임
111J: 지지 프레임
111K: 지지 프레임
111L: 지지 프레임
180: 노광 장치
181: 노광 원판
182: 광원
183: 조명 광학계
184: 원판
185: 필터·윈도우
186: 필터·윈도우
187: 감응 기판
188: 투영 광학계
189: 다층막 미러
190: 다층막 미러
191: 다층막 미러
Claims (18)
- 펠리클막을 배치하기 위한 지지 프레임이며,
상기 펠리클막의 면 방향과 대략 평행한 제1 방향으로 연장되는 구멍 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 구멍을 갖는 관통 구멍과,
상기 관통 구멍의 내부, 또는 상기 관통 구멍의 단부에 마련되고, 또한 상기 펠리클막으로부터 이격하여 배치되는 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 프레임. - 제1항에 있어서, 상기 지지 프레임이 복수의 층을 갖고,
상기 복수의 층이, 프레임 형상을 갖는 저판과, 상기 저판 위에 마련된 프레임 형상을 갖는 제1 박판 및 프레임 형상을 갖는 제2 박판을 갖고,
상기 제1 박판은, 상기 제1 박판의 내연부에 접속하여, 상기 제1 방향으로 연신되는 제1 오목부를 갖고,
상기 제2 박판은, 상기 제2 박판의 외연부에 접속하여, 상기 제1 방향으로 연신되는 제2 오목부를 갖고,
상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부의 적어도 일부가 중첩함으로써, 상기 제2 방향으로 연장되는 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 지지 프레임. - 제2항에 있어서, 상기 제1 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제2 박판은 상기 제1 박판 위에 마련된 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제2항에 있어서, 상기 제2 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제1 박판은 상기 제2 박판 위에 마련된 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 박판과 상기 제2 박판 사이에 적어도 1 이상의 스페이서층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제1 박판은 상기 제1 방향으로 연신되는 복수의 제1 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제5항에 있어서, 상기 제2 박판은 상기 저판 위에 마련되고, 상기 제2 박판은 상기 제1 방향으로 연신되는 복수의 제2 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 관통 구멍이 복수 마련되고,
상기 관통 구멍의 각각에 상기 필터가 마련되고,
복수의 상기 필터의 면적의 합계가 100㎟ 이상 2000㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 지지 프레임. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필터의 면 방향이 상기 펠리클막의 면 방향과 대략 평행한 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필터는, 초기 압력 손실이 100㎩ 이상 550㎩ 이하이고, 입경이 0.15㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 입자에 대하여 입자 포집률이 99.7％ 이상 100％ 이하인 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 프레임의 펠리클막이 마련되는 면으로부터 반대측의 면까지의 두께가, 3.0㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 지지 프레임.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 극단 자외광 리소그래피용인 지지 프레임.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 지지 프레임에 상기 펠리클막이 마련된 것을 특징으로 하는 펠리클.
- 제13항에 있어서, 상기 펠리클막의 한쪽 면에 마련된 프레임체를 통해, 상기 지지 프레임에 상기 펠리클막이 마련된 것을 특징으로 하는 펠리클.
- 원판과, 상기 원판의 패턴을 갖는 측의 면에 장착된 제13항에 기재된 펠리클을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 원판.
- 제15항에 기재된 노광 원판을 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 노광 광을 방출하는 광원과, 제15항에 기재된 노광 원판과, 상기 광원으로부터 방출된 노광 광을 상기 노광 원판으로 유도하는 광학계를 갖고, 상기 노광 원판은, 상기 광원으로부터 방출된 노광 광이 상기 펠리클막을 투과하여 상기 원판에 조사되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 광원으로부터 방출된 노광 광을, 제15항에 기재된 노광 원판의 펠리클막을 투과시켜 원판에 조사하고, 상기 원판에서 반사시키는 스텝과, 상기 원판에 의해 반사된 노광 광을, 상기 펠리클막을 투과시켜 감응 기판에 조사함으로써, 상기 감응 기판을 패턴상으로 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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