TWI797292B - 支持框、防塵薄膜及曝光原版、及使用上述的曝光裝置、以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents
支持框、防塵薄膜及曝光原版、及使用上述的曝光裝置、以及半導體裝置的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI797292B TWI797292B TW108110362A TW108110362A TWI797292B TW I797292 B TWI797292 B TW I797292B TW 108110362 A TW108110362 A TW 108110362A TW 108110362 A TW108110362 A TW 108110362A TW I797292 B TWI797292 B TW I797292B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- support frame
- filter
- film
- layer
- frame
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 317
- 239000010408 film Substances 0.000 description 202
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 66
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 61
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 32
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011120 plywood Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920012287 polyphenylene sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本發明提供一種支持框，其可設置通氣孔，所述通氣孔可拆裝地設置有過濾器，且所述支持框可貼附極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜。本發明的一個實施形態的支持框用於配置防塵薄膜用膜，且包括：貫通孔，具有沿與所述防塵薄膜用膜的面方向大致平行的第一方向延伸的孔、及沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的孔；以及過濾器，設置於所述貫通孔的內部、或所述貫通孔的端部，且與所述防塵薄膜用膜分開設置。
Description
本發明是有關於一種作為利用微影技術製造半導體裝置等時所使用的光罩或網線(reticle)(以下，將該些亦統稱為「光罩」)及防止塵埃附著的光罩用防塵罩的防塵薄膜等。尤其，本發明是有關於一種極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影製程用的極薄膜的防塵薄膜用支持框、防塵薄膜及其製造方法、及使用上述的曝光原版、以及半導體裝置的製造方法。
半導體元件經過被稱為微影製程(lithography)的步驟而製造。對於微影製程而言，使用被稱為掃描器或步進機的曝光裝置，將曝光光照射至描繪有電路圖案的遮罩，並將電路圖案轉印至塗佈有光阻劑的半導體晶圓。此時，若塵埃等異物附著於遮罩上，則該異物的影子被轉印至半導體晶圓，從而無法準確地轉印電路圖案。其結果為，有時半導體元件無法正常地工作而成為不良品。
相對於此，已知有藉由將包含貼附有防塵薄膜用膜的框體的防塵薄膜安裝於遮罩，使塵埃等異物附著於防塵薄膜用膜上，從而防止附著於遮罩。將曝光裝置的曝光光的焦點設定於遮
罩面與半導體晶圓面，而非設定於防塵薄膜用膜的面。因而，附著於防塵薄膜用膜的異物的影子不會在半導體晶圓上成像。因此，在異物附著於防塵薄膜用膜的情況下，與異物附著於遮罩的情況相比，大幅度地減輕妨礙電路圖案的轉印的程度，且顯著地抑制半導體元件的不良品產生率。
對用於防塵薄膜的防塵薄膜用膜要求使曝光光以高透射率透射的特性。這是因為，若防塵薄膜用膜的透光率低，則來自形成有電路圖案的遮罩的曝光光的強度降低，導致形成於半導體晶圓上的光阻劑無法充分地感光。
至今，微影製程的波長正逐步短波長化，作為下一代微影技術，正逐步推進EUV微影製程的開發。所謂EUV光，是指軟性X射線區域或真空紫外線區域的波長的光，且是指13.5nm±0.3nm左右的光線。EUV光易於被一切物質吸收，因而，對於EUV微影製程而言，需要將曝光裝置內設為真空而進行曝光。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開2016/043292號
[專利文獻2] 國際公開2016/043301號
如上文所述般，由於EUV微影製程與先前的微影製程不同，成為在真空下的曝光，因此考量並非必須將防塵薄膜安裝於光
罩。然而，因是先前沒有的微細制程，因此自防止光罩污染等的觀點而言，明確必須於光罩安裝防塵薄膜。然而，由於EUV光易於被一切物質吸收，因此需要配置於防塵薄膜的防塵薄膜用膜亦是先前沒有的奈米級的膜。
進而，由於當初考量並非必須將防塵薄膜安裝於光罩，因此於當前開發的EUV曝光裝置中，用以將防塵薄膜安裝於光罩的空間僅有3.0mm左右。然而，為了在曝光裝置內確保用以安裝具有5mm以上高度的先前的防塵薄膜的空間，而需要進行光學系統的設計變更，而導致EUV微影製程的開發延遲。因而，需要重新設計具有先前的防塵薄膜的一半以下程度的高度的防塵薄膜。
由於是在真空下進行曝光，因此可產生由光罩與防塵薄膜形成的封閉空間(防塵薄膜的內側)、與其外側的壓力差，導致防塵薄膜用膜鬆弛、或膨起。作為所述解決手段，而考量設置通氣孔。然而，由於防塵薄膜的設置空間受到大幅度限制，因此為了防止損傷奈米級防塵薄膜用膜，而需要確保經由配置於防塵薄膜的框體的通氣孔的充分的通氣。於通氣孔為了防止異物混入防塵薄膜的內側而需要在其中途配置過濾器，但防塵薄膜的設置空間受到大幅度限制，並且框體所容許的高度亦受到大幅度限制，因此在將過濾器配置於框體方面亦要求先前所沒有的設計。
本發明解決所述問題，其目的在於提供一種可設置通氣孔及過濾器、且可設置極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜的支持框、於所述支持框設置極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜的
防塵薄膜及其製造方法、及使用上述的曝光原版、以及半導體裝置的製造方法。
本發明的一個實施形態的支持框是用於配置防塵薄膜用膜的支持框，包括：貫通孔，具有沿與所述防塵薄膜用膜的面方向大致平行的第一方向延伸的孔、及沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的孔；以及過濾器，設置於所述貫通孔的內部、或沿所述第二方向延伸的孔側的所述貫通孔的端部，且與所述防塵薄膜用膜分開設置。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。又，在將過濾器設置於貫通孔的端部的情況下，過濾器更加容易拆裝。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。
在本發明的一個實施形態中，所述支持框可具有多個層，所述多個層具有框形狀的底板、以及設置於所述底板上的具有框形狀的第一薄板及具有框形狀的第二薄板，所述第一薄板具有與所述第一薄板的內緣部連接、且沿所述第一方向延伸的第一凹部，所述第二薄板具有與所述第二薄板的外緣部連接、且沿所述第一方向延伸的第二凹部，藉由所述第一凹部與所述第二凹部的至少一部分重疊，而可形成沿所述第二方向延伸的孔。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。又，可藉由將多個框形
狀的板積層而簡便地形成通氣孔的立體的形狀。
在本發明的一個實施形態中，可將所述第一薄板設置於所述底板上，將所述第二薄板設置於所述第一薄板上。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。又，可藉由將多個框形狀的板積層而簡便地形成通氣孔的立體的形狀。
在本發明的一個實施形態中，可將所述第二薄板設置於所述底板上，將所述第一薄板設置於所述第二薄板上。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。又，可藉由將多個框形狀的板積層而簡便地形成通氣孔的立體的形狀。
在本發明的一個實施形態中，可在所述第一薄板與所述第二薄板之間更具有至少一層以上的隔離層。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。又，可藉由將多個框形狀的板積層而簡便地形成通氣孔的立體的形狀。
在本發明的一個實施形態中，可將所述第一薄板設置於所述底板上，所述第一薄板具有沿所述第一方向延伸的多個第一凹部。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。又，藉由第一薄板具有多個第一凹部，而可抑制底板與隔離層的變形。
在本發明的一個實施形態中，可將所述第二薄板設置於所述底板上，所述第二薄板具有沿所述第一方向延伸的多個第二凹部。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。又，藉由第二薄板具有多個第二凹部，而可抑制底板與隔離層的變形。
在本發明的一個實施形態中，可設置多個所述貫通孔，於所述貫通孔分別設置有所述過濾器，多個所述過濾器的面積的合計為100mm2以上、2000mm2以下。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。
在本發明的一個實施形態中，所述過濾器的面方向可與所述防塵薄膜用膜的面方向大致平行。
根據本發明的一個實施形態的支持框，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。可將防塵薄膜用膜設置於此種支持框。
在本發明的一個實施形態中，所述過濾器的初始壓力損失可為100Pa以上、550Pa以下，對粒徑為0.15μm以上、0.3μm以下的粒子而言粒子捕集率為99.7%以上、100%以下。
根據本發明的一個實施形態的支持框，即便為高性能過濾器，合計面積變大而直至成為真空為止所需的時間變短。又，可設置極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜。
在本發明的一個實施形態中，所述框體的自設置有防塵薄膜用膜的面至相反側的面的厚度可為3.0mm以下。
根據本發明的一個實施形態的支持框，容易設置於EUV曝光裝置。
在本發明的一個實施形態中，提供一種於所述任一支持框設置有所述防塵薄膜用膜的防塵薄膜。
根據本發明的一個實施形態的防塵薄膜，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，可將所述防塵薄膜用膜經由設置於所述防塵薄膜用膜的一個面的框體而設置於所述支持框。
根據本發明的一個實施形態的支持框，由於防塵薄膜用膜是受框體支持，因此能夠實現朝支持框的拆裝，且過濾器的拆裝變得容易。
在本發明的一個實施形態中，提供一種包含原版、以及安裝於所述原版的具有圖案側之面的防塵薄膜的曝光原版。
根據本發明的一個實施形態的曝光原版，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，提供一種具有所述曝光原版的曝光裝置。
根據本發明的一個實施形態的曝光裝置，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，提供一種曝光裝置，其具有：光源，放出曝光光；所述曝光原版；以及光學系統，將自所述光源放出的曝光光引導至所述曝光原版；且將所述曝光原版配置為自所述光源放出的曝光光透射所述防塵薄膜用膜而照射至所述原版。
根據本發明的一個實施形態的曝光裝置，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，曝光光為EUV光。
根據本發明的一個實施形態的曝光裝置，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，提供一種半導體裝置的製造方法，所述製造方法具有：使自光源放出的曝光光透射所述曝光原版的防塵薄膜用膜而照射至原版，並利用所述原版反射的步驟；以及藉由使由所述原版反射的曝光光透射所述防塵薄膜用膜而照射至感應基板，從而以圖案狀對所述感應基板進行曝光的步驟。
根據本發明的一個實施形態的半導體裝置的製造方法，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
在本發明的一個實施形態中，提供一種半導體裝置的製造方法，其中所述曝光光是EUV光。
根據本發明的一個實施形態的半導體裝置的製造方法，直至成為真空為止所需的時間少，且抑制過濾器的劣化。
根據本發明，提供一種可設置通氣孔及過濾器、且可設置極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜的支持框、於所述支持框設置極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜的防塵薄膜及其製造方法、及使用上述的曝光原版、以及半導體裝置的製造方法。
1:通氣孔(貫通孔)
3、3A、3B、5:孔
10、10A:框體
12:底板層
13:附有通氣口的板層(內側附有通氣口的板層)(第一薄板)
13A:附有通氣口的板層(外側附有通氣口的板層)(第二薄板)
13B、13D:附有通氣口的板層(內側附有通氣口的板層)
13C、13E:附有通氣口的板層(外側附有通氣口的板層)
13D-1、13E-1:櫛齒狀的構造
14、14A、14B、14C、19、19A:凹部(凹窪形狀)
17:附有通氣口的板層(外側附有通氣口的板層)(第二薄板)
17A:附有通氣口的板層(內側附有通氣口的板層)(第一薄板)
17B:附有通氣口的板層(外側附有通氣口的板層)
17C:附有通氣口的板層(內側附有通氣口的板層)
18、18A、38、38A:貫通孔
25、25A:附有貫通孔的隔離層、隔離層
30、30A:過濾器
36、36A:第二隔離層
39:接著層
41:頂板
48:隔離層(第二隔離層)、(第三隔離層)
48A:第三隔離層
100、100A、100B:防塵薄膜
102:防塵薄膜用膜
104:第一框體
111、111A、111B、111C、111D、111E、111F、111G、111H、111I、111J、111K、111L:支持框
180:曝光裝置、EUV曝光裝置
181:曝光原版
182:光源
183:照明光學系統
184:原版
185、186:過濾窗
187:感應基板
188:投影光學系統
189、190、191:多層膜反射鏡
a:上表面
AB:線、線段
b、c:面
CD:線段
L1:第一方向/方向
L2:第二方向/方向
P:封閉空間部分(箭頭)
S:(用於配置過濾器的)空間
圖1(a)及圖1(b)是一個實施形態的框體10的示意圖。圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是沿圖1(a)的AB線的剖面圖。
圖2(a)及圖2(b)是一個實施形態的支持框111的示意圖。圖2(a)是俯視圖，圖2(b)是沿圖2(a)的AB線的剖面圖。
圖3(a)及圖3(b)是一個實施形態的支持框111A的示意圖。圖3(a)是俯視圖，圖3(b)是沿圖3(a)的AB線的剖面圖。
圖4(a)及圖4(b)是第一實施形態的支持框111B的示意圖。圖4(a)是俯視圖，圖4(b)是沿圖4(a)的AB線的剖面
圖。
圖5(a)及圖5(b)是用於表示實施形態1的支持框111B的結構的示意圖，尤其是底板層12的說明圖。圖5(a)是俯視圖，圖5(b)是沿圖5(a)的AB線的剖面圖。
圖6(a)及圖6(b)是用於表示實施形態1的支持框111B的結構的示意圖，尤其是內側附有通氣口的板層13的說明圖。圖6(a)是俯視圖，圖6(b)是沿圖6(a)的AB線的剖面圖。
圖7(a)及圖7(b)是用於表示實施形態1的支持框111B的結構的示意圖，尤其是外側附有通氣口的板層17的說明圖。圖7(a)是俯視圖，圖7(b)是沿圖7(a)的AB線的剖面圖。
圖8(a)及圖8(b)是實施形態1的變形例的支持框111C的示意圖。圖8(a)是俯視圖，圖8(b)是沿圖8(a)的AB線的剖面圖。
圖9(a)及圖9(b)是用於表示實施形態1的變形例的支持框111B的結構的示意圖，尤其是外側附有通氣口的板層13A的說明圖。圖9(a)是俯視圖，圖9(b)是沿圖9(a)的AB線的剖面圖。
圖10(a)及圖10(b)是用於表示實施形態1的變形例的支持框111B的結構的示意圖，尤其是內側附有通氣口的板層17A的說明圖。圖10(a)是俯視圖，圖10(b)是沿圖10(a)的AB線的剖面圖。
圖11(a)及圖11(b)是用於表示實施形態2的支持框111D
的結構的示意圖。圖11(a)是俯視圖，圖11(b)是沿圖11(a)的AB線的剖面圖。
圖12(a)及圖12(b)是用於表示實施形態2的支持框111D的結構的示意圖，尤其是附有貫通孔的隔離層25的說明圖。圖12(a)是俯視圖，圖12(b)是沿圖12(a)的AB線的剖面圖。
圖13(a)及圖13(b)是實施形態2的變形例的支持框111E的示意圖。圖13(a)是俯視圖，圖13(b)是沿圖13(a)的AB線的剖面圖。
圖14(a)及圖14(b)是用於表示實施形態1的變形例的支持框111E的結構的示意圖，尤其是附有貫通孔的隔離層25A的說明圖。圖14(a)是俯視圖，圖14(b)是沿圖14(a)的AB線的剖面圖。
圖15(a)及圖15(b)是實施形態3的支持框111F的示意圖。圖15(a)是俯視圖，圖15(b)是沿圖15(a)的AB線的剖面圖。
圖16(a)及圖16(b)是用於表示實施形態3的支持框111F的結構的示意圖，尤其是第二隔離層36的說明圖。圖16(a)是俯視圖，圖16(b)是沿圖16(a)的AB線的剖面圖。
圖17(a)及圖17(b)是實施形態3的變形例的支持框111G的示意圖。圖17(a)是俯視圖，圖17(b)是沿圖17(a)的AB線的剖面圖。
圖18(a)及圖18(b)是用於表示實施形態1的變形例的支
持框111G的結構的示意圖，尤其是第二隔離層36A的說明圖。圖18(a)是俯視圖，圖18(b)是沿圖18(a)的AB線的剖面圖。
圖19(a)及圖19(b)是實施形態4的支持框111H的示意圖。圖19(a)是俯視圖，圖19(b)是沿圖19(a)的AB線的剖面圖。
圖20(a)及圖20(b)是表示實施形態5的支持框111K的示意圖。圖20(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111K的俯視圖，圖20(b)是在配置有過濾器30的位置(圖20(a)所示的線段CD)處的支持框111K的剖面圖。
圖21(a)是表示實施形態5的內側附有通氣口的板層13D的俯視圖，圖21(b)是說明支持框111D在與配置有過濾器30的位置(圖11(a)所示的線段CD)相應的位置處的變形的示意圖。
圖22(a)及圖22(b)是表示實施形態5的變形例即支持框111L的示意圖。圖22(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111L的俯視圖，圖22(b)是在配置有過濾器30的位置(圖22(a)所示的線段CD)處的支持框111L的剖面圖。
圖23是表示實施形態5的變形例的外側附有通氣口的板層13E的俯視圖。
圖24(a)及圖24(b)是實施形態4的支持框111I的示意圖。圖24(a)是俯視圖，利用虛線表示作為過濾器30的位置的部位。圖24(b)是沿圖24(a)的AB線的剖面圖。
圖25(a)及圖25(b)是一個實施形態的頂板41的示意圖。圖25(a)是俯視圖，圖25(b)是沿圖25(a)的AB線的剖面圖。
圖26(a)及圖26(b)是實施形態的一個變形例的具有頂板41的支持框111J的示意圖。圖26(a)是俯視圖，圖26(b)是沿圖26(a)的AB線的剖面圖。
圖27(a)及圖27(b)是一個實施形態的防塵薄膜100的示意圖。圖27(a)是俯視圖，圖27(b)是沿圖27(a)的AB線的剖面圖。
圖28(a)及圖28(b)是實施形態的一個變形例的防塵薄膜100A的示意圖。圖28(a)是俯視圖，圖28(b)是沿圖28(a)的AB線的剖面圖。
圖29是用於表示一個實施形態的防塵薄膜、曝光原版的示意圖。
圖30是用於表示一個實施形態的曝光裝置、半導體裝置的製造裝置的示意圖。
以下，參照圖1(a)及圖1(b)~圖30對本發明的實施形態進行說明。然而，本發明能夠以多種不同的態樣來實施，而並非限定於以下所例示的實施形態的記載內容而解釋。又，圖式為使說明更加明確，與實際態樣相比較雖有時將各部分的寬度、厚度、形狀等示意性表示，但其終極而言僅為一例，並非限
定本發明的解釋。又，在本說明書及各圖中，對與關於已出現的圖而所述的要素相同的要素，有時標注相同的符號並適當省略詳細的說明。
[定義]
在本說明書中，於某構件或區域設為在其他構件或區域的「上(或下)」的情況下，只要無特別限定，所述情況不僅包含位於其他構件或區域的正上方(或正下方)的情況，亦包含位於其他構件或區域的上方(或下方)的情況，亦即亦包含在其他構件或區域的上方(或下方)其間含有其他構成要素的情況。
在本說明書中，所謂極紫外光(EUV光)，是指波長5nm以上、30nm以下的光。EUV光的波長較佳為5nm以上、14nm以下。
在本說明書中，所謂防塵薄膜意指具有防塵薄膜用膜、以及支持部的膜。其中，所述支持部設置於防塵薄膜用膜的一個面、支持防塵薄膜用膜且與原版連接。所謂防塵薄膜用膜意指用於防塵薄膜的薄膜。支持部至少包含與原版連接的支持框。支持框具有通氣孔。通氣孔是在將防塵薄膜配置於原版時，可實現由防塵薄膜與原版形成的封閉空間的內側與外側通氣的孔。於通氣孔的一端或通氣孔內部配置有過濾器。支持框是在通氣孔的一端或通氣孔內部配置有過濾器的框體。支持部既可為利用支持框懸掛防塵薄膜用膜的構件，亦可更具有與防塵薄膜用膜及支持框連接的其他框體。在支持部包含支持框以及其他框體的情況下，將
懸掛防塵薄膜用膜的框體稱為第一框體，將支持第一框體、且構成配置於原版側的支持框的框體稱為第二框體。將在第一框體懸掛著防塵薄膜用膜而成的構造物稱為防塵薄膜框體。因而，所謂防塵薄膜，既可定義為將防塵薄膜用膜與支持部連接而成的構造體，亦可定義為將防塵薄膜框體與支持框連接而成的構造體。再者，支持框只要在可配置於曝光裝置內的空間的範圍內，並不排除具有2個以上的框體。
在本說明書中，所謂「面」並不限於平面，亦包含曲面。
[在本發明中發現的先前技術的問題點]
在將使用有EUV防塵薄膜的微影製程裝置內設為真空時，若設置於所述防塵薄膜的支持部的過濾器的面積小，則空氣不易穿過過濾器，從而為了將直至防塵薄膜的內部為止設為真空而比較耗費時間。尤其是，由於支持部自身的高度低，因此對於如先前技術記載的專利文獻1般設置支持部的側面方向的孔的類型而言，發現下述課題，即：由於在過濾器面積上存在限制，因此進一步縮短為了達到真空所需的時間。又，對於如先前技術記載的專利文獻2般設置支持部的豎方向的孔的類型而言，發現存在下述課題，即：由於過濾器露出至曝光面，而EUV光接觸過濾器，因此過濾器的劣化相對較快地進行。進而，又發現，在先前技術的專利文獻2中，需要對於氮化矽(Silicon nitride，SiN)、多晶矽(poly-Silicon，p-Si)、碳化矽(Silicon carbide，SiC)等EUV用防塵薄膜用膜的出發基板即矽(Si)晶圓進行開孔加工，而加
工製程變得比較複雜、昂貴。
[本發明的一個實施形態的結構]
因此，本發明者等人想到將支持部的通氣孔1(貫通孔)設為在構成支持部的框體10的內側(在將防塵薄膜安裝於原版時形成有封閉空間之側。再者，對將防塵薄膜安裝於原版時的封閉空間部分，利用箭頭P表示)是沿框體10的寬度方向或側面方向(與防塵薄膜用膜的面方向大致平行的方向，且亦稱為第一方向L1)延伸的孔3，且是在直至框體10的外側之間彎曲而沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5的貫通至封閉空間部分P的外部的通氣孔1(貫通孔)。圖1(a)是框體10的俯視圖(配置有防塵薄膜框體的面側的示意圖)，圖1(b)是圖1(a)所示的線段AB處的框體10的剖面圖。再者，在圖1(a)及圖1(b)中，表示藉由一體的構件設置通氣孔1的圖。這可利用藉由例如蝕刻、機械加工等而在框體設置通氣孔1的方法進行製造。
為了配置圖2(a)及圖2(b)所示的過濾器30，作為一個實施形態而框體10具有切除一部分上表面a的階梯狀構造。在本實施形態中，將面b及面c配置為用於將過濾器30貼附於框體10的面。面b是被切除的階梯狀構造的緣部的面，面c是在被切除的階梯狀構造中，與上表面a相向的下表面。面b與面c具有用於配置過濾器30的空間S。藉由在所述通氣孔1的任意的部位(孔5的外側端部的外側通氣口、孔3的內側端部的內側通氣口、孔5的內部或孔3的內部)安裝過濾器30，而形成支持框111。
圖2(a)是將過濾器30配置於框體10的支持框111的俯視圖，圖2(b)是支持框111在配置有過濾器30的位置(圖2(a)所示的線段AB)處的剖面圖。作為一例，將過濾器30經由面b及面c貼附於框體10。即，過濾器30設置於沿第二方向延伸的孔側的貫通孔的端部。在圖2中，是在通氣孔1的在將曝光原版連接於防塵薄膜時成為封閉空間部分P的外側的部分即出口部分(外側通氣口)配置過濾器30，但並不限於所述位置，可設置於孔5的任意部位。藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜框體配置於支持框111的上表面a，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。又，過濾器30在防塵薄膜用膜的下方(曝光原版側)與防塵薄膜用膜分開設置，因框體10而不易接觸曝光光。因此，過濾器30不易劣化。
又，例示支持框111使用框體10，所述框體10的沿第一方向L1延伸的孔3為框體10的內側通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體10的外側通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。圖3(a)及圖3(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111A的示意圖。圖3(a)是將過濾器30配置於框體10A的支持框111A的俯視圖，圖3(b)是支持框111A在配置有過濾器30的位置(圖3(a)所示的線段AB)處的剖面圖。框體10A具有下述通氣口，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體10A的外側通氣口；沿與第一方向L1交叉的方向L2延伸
的孔5為框體10A的內側通氣口。在框體10A，被切除的階梯狀構造的緣部的面b配置於框體10A的內緣部(懸掛有防塵薄膜用膜之側，且為在用作防塵薄膜時形成封閉空間之側)。因而，在支持框111A中，過濾器30設置於位於框體10A的內緣部的孔5的端部。藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配置於支持框111A的上表面a，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。又，由於將過濾器30在防塵薄膜用膜的下方(曝光原版側)與防塵薄膜用膜分開設置，而曝光光透射防塵薄膜用膜，因此與過濾器接觸的曝光光少。因此，過濾器30不易劣化。
再者，支持框111及支持框111A並不限於如一體地構成的框體10及框體10A的構造體。在一個實施形態中，可藉由使多個構件(多個呈板狀的層)連接而設置通氣孔1。
[實施形態1]
圖4(a)及圖4(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111B的示意圖。圖4(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111B的俯視圖；圖4(b)是支持框111B在配置有過濾器30的位置(圖4(a)所示線段AB)處的剖面圖。實施形態1是自與原版(光罩)連接之側(將防塵薄膜連接於原版時的封閉空間側)起依次使底板層12、內側附有通氣口的板層13(第一薄板)、外側附有通氣口的板層17(第二薄板)積層而形成框體。對所述各層進行說明。首先，圖5(a)及圖5(b)是底板層12的說明圖，圖5(a)是
底板層12的俯視圖，圖5(b)是底板層12在圖5(a)所示的線段AB處的剖面圖。圖6(a)及圖6(b)是內側附有通氣口的板層13的說明圖，圖6(a)是內側附有通氣口的板層13的俯視圖，圖6(b)是內側附有通氣口的板層13在圖6(a)所示的線段AB處的剖面圖。圖7(a)及圖7(b)是外側附有通氣口的板層17的說明圖，圖7(a)是外側附有通氣口的板層17的俯視圖，圖7(b)是外側附有通氣口的板層17在圖7(a)所示的線段AB處的剖面圖。
圖5(a)及圖5(b)所示的底板層12例如為矩形的框形狀，但可根據所期望的框體的形狀而適當設定形狀。作為底板層12的原料可舉出金屬、玻璃(glass)、矽晶圓(silicon wafer)、陶瓷(ceramics)、樹脂。再者，底板層12與後文所述的內側附有通氣口的板層13及外側附有通氣口的板層17，既可組合分別包含相同材質的薄板，亦可組合分別包含不同的材質的薄板，還可組合一部分包含共通的材質的薄板。
圖6(a)及圖6(b)所示的內側附有通氣口的板層13例如是矩形的框形狀，具有與框的內緣部(懸掛有防塵薄膜用膜之側，且為在用作防塵薄膜時形成封閉空間之側)連接、且沿第一方向延伸的凹部(凹窪形狀)14。在圖6(a)及圖6(b)中，表示將凹部14就各邊設置1處的例子。然而，凹部14的數目並無特別限定。又，內側附有通氣口的板層13自身的形狀亦可根據所期望的框體的形狀而適當設定形狀。自耐久性的觀點而言較佳
為凹部14的大小小於後文所述的外側附有通氣口的板層17的凹部19。作為內側附有通氣口的板層13的原料可舉出金屬、玻璃、矽晶圓、陶瓷、樹脂。內側附有通氣口的板層13相當於第一薄板。
圖7(a)及圖7(b)所示的外側附有通氣口的板層17例如是矩形的框形狀，具有與框的外緣部(與所述框的內側為相反側，且為在用作防塵薄膜時未形成封閉空間之側)連接、且沿第一方向凹陷的凹部(凹窪形狀)19。在圖7(a)及圖7(b)中，表示將凹部19就各邊設置1處的例子。然而，凹部19的數目並無特別限定。又，外側附有通氣口的板層17自身的形狀亦可根據所期望的框體的形狀而適當設定形狀。作為外側附有通氣口的板層17的原料可舉出金屬、玻璃、矽晶圓、陶瓷、樹脂。在所述實施形態中，凹部19所形成的開口相當於第二方向L2的孔。又，外側附有通氣口的板層17相當於第二薄板。
在本實施形態中，薄板的固定只要被固定即可，並無特別限制。作為固定方法，例如可舉出黏著片材、接著劑、接合劑、常溫接合、直接接合、原子擴散接合、金屬接合、熔接、焊料接合、熱壓接、熱熔接(hotmelt)、助焊劑(flux)接合、面扣件、螺釘/銷/夾子/鉚接等機械固定、利用磁力夾入而固定的方法等。
如此般，藉由在底板層12上順次積層內側附有通氣口的板層13及外側附有通氣口的板層17並固定，且利用底板層12與外側附有通氣口的板層17覆蓋至少一部分凹部14，而形成在框體的內緣部開口並沿第一方向L1延伸的孔3。又，藉由將內側附
有通氣口的板層13的凹部14與外側附有通氣口的板層17的凹部19至少一部分重疊，而形成與孔3連接、且沿第二方向延伸的孔5，從而形成朝框體的外緣部開口的通氣孔1。
藉由於框體的孔5的端部設置過濾器30，而獲得支持框111B。在圖4(a)及圖4(b)中，過濾器30與內側附有通氣口的板層13的上表面相接，亦即可與凹部19所形成的開口連接，但並不限定於此。過濾器可利用高效過濾器(High-Efficiency Particulate Air Filter，HEPA)、超低穿透率空氣過濾器(Ultra Low Penetration Air Filter，ULPA)等薄膜過濾器(membrane filter)、將不織布過濾器、碳奈米管或纖維素(cellulose)等纖維予以積層的過濾器、陶瓷過濾器、玻璃過濾器、金屬燒結過濾器、中空紙過濾器等。本發明的一個實施形態的支持框即便在過濾器的通氣阻力高時，由於可擴大通氣口的面積，因此可降低進行抽真空的時間，過濾器較佳為具有下述特性的過濾器，即：初始壓力損失為100Pa以上、550Pa以下，對粒徑為0.15μm以上、0.3μm以下的粒子而言粒子捕集率為99.7%以上、100%以下。又，在設置有多個貫通孔，且於各個貫通孔設置過濾器的情況下，多個過濾器的合計面積較佳為100mm2以上、2000mm2以下。過濾器的固定只要被固定即可，並無特別限制。作為固定方法，例如可舉出與薄板的固定相同的方法。再者，關於所述過濾器的說明在各實施形態中為共通，因此下文中省略說明。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜框體配置
於外側附有通氣口的板層17的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，過濾器30因外側附有通氣口的板層17而不易接觸EUV光，從而可抑制過濾器30的劣化。進而，本發明的一個實施形態的支持框如上文所述般，過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本發明的一個實施形態的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態1的變形例]
在實施形態1中，例示支持框111B使用下述框體，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。亦可使用下述框體，即：如在支持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖8(a)及圖8(b)是表示實施形態1的變形例的支持框111C的示意圖。圖8(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111C的俯視圖，圖8(b)是支持框111C在配置有過濾器30的位置(圖8(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態1的變
形例是自與原版連接之側起依次積層底板層12、外側附有通氣口的板層13A(第二薄板)、內側附有通氣口的板層17A(第一薄板)而形成框體。對所述各層進行說明。底板層12可採用與上文所述的結構相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖9(a)及圖9(b)是外側附有通氣口的板層13A的說明圖，圖9(a)是外側附有通氣口的板層13A的俯視圖，圖9(b)是外側附有通氣口的板層13A在圖9(a)所示的線段AB處的剖面圖。圖9(a)及圖9(b)中所示的外側附有通氣口的板層13A例如是矩形的框形狀，具有與框的外緣部連接、且沿第一方向凹陷的凹部(凹窪形狀)14A。再者，外側附有通氣口的板層13A可採用與上文所述的外側附有通氣口的板層17相同的結構，因此省略詳細的說明。在所述變形例中，凹部14A所形成的開口相當於第一方向L1的孔。又，外側附有通氣口的板層13A相當於第一薄板。
圖10(a)及圖10(b)是內側附有通氣口的板層17A的說明圖，圖10(a)是內側附有通氣口的板層17A的俯視圖，圖10(b)是內側附有通氣口的板層17A在圖7(a)所示的線段AB處的剖面圖。圖10(a)及圖10(b)中所示的內側附有通氣口的板層17A例如為矩形的框形狀，具有與框的內緣部連接、且沿第一方向延伸的凹部(凹窪形狀)19A。再者，內側附有通氣口的板層17A可採用與上文所述的內側附有通氣口的板層13相同的結構，因此省略詳細的說明。在所述變形例中，凹部19A所形成
的開口相當於第二方向L2的孔。又，內側附有通氣口的板層17A相當於第二薄板。
薄板的固定只要被固定即可，由於可應用在實施形態1中所說明的結構，因此省略詳細的說明。
如此般，藉由在底板層12上順次積層外側附有通氣口的板層13A及內側附有通氣口的板層17A並固定，且利用底板層12與內側附有通氣口的板層17A覆蓋至少一部分凹部14A，而形成在框體的外側開口並沿第一方向L1延伸的孔3。又，藉由外側附有通氣口的板層13A的凹部14A與內側附有通氣口的板層17A的凹部19A的至少一部分重疊，而形成與孔3連接、且沿第二方向延伸的孔5，從而形成朝框體的內側開口的通氣孔1。
藉由在框體的孔5的端部設置過濾器30，而獲得支持框111C。在圖8(a)及圖8(b)中，過濾器30可與外側附有通氣口的板層13A的上表面相接，亦即可與凹部19A所形成的開口連接，但並不限定於此。有關於過濾器的說明已在上文中描述，因此省略詳細的說明。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配置於內側附有通氣口的板層17A的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本變形例的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，由於EUV光透射防塵薄膜用膜，而與過濾器接觸的EUV光少。因此，可抑制過濾器30的劣化。進而，本變
形例的支持框如上文所述般，是將過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本變形例的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態2]
圖11(a)及圖11(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111D的示意圖。圖11(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111D的俯視圖，圖11(b)是支持框111D在配置有過濾器30的位置(圖11(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態2是自與原版連接之側起依次積層底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17B而形成框體。在實施形態2中，如圖11(b)所示般，使底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17B以逐漸朝向外側(作為防塵薄膜而與曝光原版連接時的外側)形成階梯狀的方式連接。由於底板層12、內側附有通氣口的板層13B及外側附有通氣口的板層17B的結構可採用與在實施形態1中所說明的內側附有通氣口的板層13及外側附有通氣口的板層17的結構相同的結構，因此省略詳細的說明。又，對與在實施形態1中所說明的結構相同的結構，省略詳細的說明。
圖12(a)及圖12(b)是表示本發明的一個實施形態的附有貫通孔的隔離層25的示意圖。圖12(a)是附有貫通孔的
隔離層25的俯視圖，圖12(b)是附有貫通孔的隔離層25在線段AB處的剖面圖。附有貫通孔的隔離層25設置於內側附有通氣口的板層13B與外側附有通氣口的板層17B之間，具有將與內側附有通氣口的板層13B相向的面、和與外側附有通氣口的板層17B相向的面貫通的貫通孔18。附有貫通孔的隔離層25與外側附有通氣口的板層17B積層，較佳為在自外側附有通氣口的板層17B側俯視時，貫通孔18不被外側附有通氣口的板層17B遮蓋而露出。根據所述結構，在實施形態2中在使過濾器30連接時，可使其連接於附有貫通孔的隔離層25上。藉此，過濾器30可將其四邊與隔離層25接著，而在設置過濾器30時，可形成洩漏少的框體。又，當使過濾器30連接於附有貫通孔的隔離層25上時，更加容易進行過濾器30的拆裝。在所述實施形態中，孔5是由外側附有通氣口的板層17B與隔離層25形成的開口、位於隔離層25的貫通孔18、及內側附有通氣口的板層13B構成。
再者，在實施形態1中所說明的支持框111B中，如圖4(b)所示，在過濾器30與內側附有通氣口的板層13相接的部分及過濾器30與外側附有通氣口的板層17相接的部分處，分別需要固定。另一方面，在實施形態2的支持框111D中，藉由在內側附有通氣口的板層13與外側附有通氣口的板層17之間配置隔離層25，而將過濾器30僅固定於隔離層25即可，可簡單地進行過濾器30的固定。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配
置於外側附有通氣口的板層17B側的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，例如過濾器30因外側附有通氣口的板層17B而不易接觸EUV光，從而可抑制過濾器30的劣化。進而，本發明的一個實施形態的支持框如上文所述般，過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本發明的一個實施形態的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態2的變形例]
在實施形態2中，例示支持框111D使用下述框體，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。亦可使用下述框體，即：如在支持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖13(a)及圖13(b)是表示實施形態2的變形例的支持框111E的示意圖。圖13(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111E的俯視圖，圖13(b)是支持框111E在配置有過濾器30的位置(圖13(a)所示的線段AB)的剖面圖。實施形態2的
變形例是自與原版連接之側起依次積層底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C而形成框體。在本變形例中，如圖13(b)所示，可使底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C以逐漸朝向外側形成階梯狀的方式連接。由於底板層12、外側附有通氣口的板層13C及內側附有通氣口的板層17C的結構可採用與實施形態1的變形例中所說明的外側附有通氣口的板層13A及內側附有通氣口的板層17A的結構相同的結構，因此省略詳細的說明。又，對與在實施形態1中所說明的結構相同的結構，省略詳細的說明。
圖14(a)及圖14(b)是表示本發明的一個實施形態的附有貫通孔的隔離層25A的示意圖。圖14(a)是附有貫通孔的隔離層25A的俯視圖，圖14(b)是附有貫通孔的隔離層25A在線段AB處的剖面圖。附有貫通孔的隔離層25A設置於外側附有通氣口的板層13C與內側附有通氣口的板層17C之間，具有將與外側附有通氣口的板層13C相向的面、和與內側附有通氣口的板層17C相向的面貫通的貫通孔18A。附有貫通孔的隔離層25A與內側附有通氣口的板層17C積層，較佳為在自內側附有通氣口的板層17C側俯視時，貫通孔18A不被內側附有通氣口的板層17C遮蓋而露出。根據所述結構，在本變形例中使過濾器30連接時，可使其連接於附有貫通孔的隔離層25A上。藉此，過濾器30可將其四邊與隔離層25A接著，而在設置過濾器30時，可形成洩漏少
的框體。又，當使過濾器30連接於附有貫通孔的隔離層25A上時，更加容易進行過濾器30的拆裝。在本變形例中，孔5是由內側附有通氣口的板層17C與隔離層25形成的開口、位於隔離層25A的貫通孔18A、及外側附有通氣口的板層13C構成。
再者，在實施形態1的變形例中所說明的支持框111C中，如圖8(b)所示，在過濾器30與外側附有通氣口的板層13A相接的部分、及過濾器30與內側附有通氣口的板層17A相接的部分，需要分別固定。另一方面，在實施形態2的變形例的支持框111E中，藉由在外側附有通氣口的板層13C與內側附有通氣口的板層17C之間配置隔離層25A，而將過濾器30僅固定於隔離層25即可，可簡單地進行過濾器30的固定。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配置於內側附有通氣口的板層17C側的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本變形例的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，由於EUV光透射防塵薄膜用膜，而與過濾器接觸的EUV光少。因此，可抑制過濾器30的劣化。進而，本變形例的支持框如上文所述般，將過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本變形例的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態3]
圖15(a)及圖15(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111F的示意圖。圖15(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111F的俯視圖；圖15(b)是支持框111F在配置有過濾器30的位置(圖15(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態3是自與原版連接之側起依次積層底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、第二隔離層36、第三隔離層48、外側附有通氣口的板層17而形成框體。由於底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖16(a)及圖16(b)是表示本發明的一個實施形態的附有貫通孔的第二隔離層36示意圖。圖16(a)是第二隔離層36的俯視圖，圖16(b)是第二隔離層36在線段AB處的剖面圖。第二隔離層36設置於附有貫通孔的隔離層25與後文所述的第三隔離層48之間，具有貫通孔38。第二隔離層36的貫通孔38與附有貫通孔的隔離層25的貫通孔18相比，為沿第一方向L1更寬的形狀。作為第二隔離層36的原料可舉出金屬、玻璃、矽晶圓、陶瓷、樹脂。
第三隔離層48為與附有貫通孔的隔離層25大致相同的形狀，具有貫通孔18。由於第三隔離層48可採用與附有貫通孔的隔離層25相同的結構，因此省略詳細的說明。
在實施形態3中使過濾器30連接的位置不是內側附有通氣口的板層13B、而是附有貫通孔的隔離層25與第三隔離層48之間的部分，即與第二隔離層36連接於同一平面上。在實施形態2中，孔5是由外側附有通氣口的板層17、位於附有貫通孔的隔離層25的貫通孔18、位於第二隔離層36的貫通孔38、以及位於第三隔離層48的貫通孔18構成。
此種情況下，過濾器30既可僅使單面接著於附有貫通孔的隔離層25，且亦可使另一單面接著於第三隔離層48。
由於過濾器30可將其兩面接著於附有貫通孔的隔離層25或第三隔離層48，因此在設置過濾器30的情況下，可進一步形成洩漏少的支持框111F。
進而，即便在底板層12、內側附有通氣口的板層13B、外側附有通氣口的板層17的任一層上略微存在變形的情況下，可藉由使用多層隔離層來修正所述變形。例如，在底板層12、內側附有通氣口的板層13B、外側附有通氣口的板層17的任一層具有變形的情況下，可藉由組合具有與所述變形相反的變形的隔離層來修正變形。
[實施形態3的變形例]
在實施形態3中，例示支持框111F使用下述框體，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。亦可使用下述框體，即：如在支
持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖17(a)及圖17(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111G的示意圖。圖17(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111G的俯視圖，圖17(b)是支持框111G在配置有過濾器30的位置(圖17(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態3的變形例是自與原版連接之側起依次積層底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、第二隔離層36A、第三隔離層48A、內側附有通氣口的板層17A而形成框體。由於底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17A的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖18(a)及圖18(b)是表示本發明的一個實施形態的第二隔離層36A的示意圖。圖18(a)是第二隔離層36A的俯視圖，圖18(b)是第二隔離層36A在線段AB處的剖面圖。第二隔離層36A設置於附有貫通孔的隔離層25A與後文所述的第三隔離層48A之間，具有貫通孔38A。第二隔離層36A的貫通孔38A與附有貫通孔的隔離層25A的貫通孔18A相比，為沿第一方向L1更寬的形狀。作為第二隔離層36A的原料可舉出金屬、玻璃、矽晶圓、陶瓷、樹脂。
第三隔離層48A為與附有貫通孔的隔離層25A大致相
同的形狀，具有貫通孔18A。由於第三隔離層48A可採用與附有貫通孔的隔離層25A相同的結構，因此省略詳細的說明。
在本變形例中使過濾器30連接的位置不是外側附有通氣口的板層13C、而是附有貫通孔的隔離層25A與第三隔離層48A之間的部分、即與第二隔離層36A連接於同一平面上。在本變形例中，孔5是由內側附有通氣口的板層17A、位於附有貫通孔的隔離層25A的貫通孔18A、位於第二隔離層36A的貫通孔38A、以及位於第三隔離層48A的貫通孔18A構成。
此種情況下，過濾器30既可僅將單面接著於附有貫通孔的隔離層25A，且亦可使另一單面接著於第三隔離層48。
由於過濾器30可將其兩面接著於附有貫通孔的隔離層25A或第三隔離層48A，因此在設置過濾器30的情況下，可進一步形成洩漏少的支持框111G。
進而，即便在底板層12、內側附有通氣口的板層13B、外側附有通氣口的板層17的任一層上略微存在變形的情況下，可藉由使用多層隔離層來修正所述變形。例如，在底板層12、外側附有通氣口的板層13C、內側附有通氣口的板層17A的任一層具有變形的情況下，可藉由組合具有與所述變形相反的變形的隔離層來修正變形。
[實施形態4]
圖19(a)及圖19(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111H的示意圖。圖19(a)是將過濾器30配置於框體的支持框
111H的俯視圖，圖19(b)是支持框111H在配置有過濾器30的位置(圖19(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態4是自與原版連接之側起依次積層底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、過濾器30A、第二隔離層48、外側附有通氣口的板層17而形成支持框111H。由於底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。又，由於第二隔離層48可採用與在實施形態3中所說明的第三隔離層48相同的結構，因此省略詳細的說明。
本發明的一個實施形態的過濾器30A設置於通氣孔1的內部。過濾器30A與上文所述的過濾器30不同，具有與底板層12大致相同的大致矩形的框狀形狀。過濾器30A配置於附有貫通孔的隔離層25與第二隔離層48之間，在配置於附有貫通孔的隔離層25的除貫通孔18以外的部分處與附有貫通孔的隔離層25連接，在配置於第二隔離層48的除貫通孔18以外的部分處與第二隔離層48連接。因而，在支持框111H中，過濾器30A與附有貫通孔的隔離層25以及第二隔離層48的接觸面積大，而可提高附有貫通孔的隔離層25與第二隔離層48接著時的可靠性。又，由於過濾器30A是大致矩形形狀的片材構件，因此與就每個孔5配置的過濾器30相比，容易進行配置或更換。
再者，如在上文所述的各變形例中所說明般，例示本發明的一個實施形態的支持框111H使用下述框體，即：沿第一方向
L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。可使用下述框體，即：如在支持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。此種情況下亦可使用過濾器30A而構成支持框。
[實施形態5]
作為實施形態2的變形例而說明實施形態5。圖20(a)及圖20(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111K的示意圖。圖20(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111K的俯視圖，圖20(b)是支持框111K在配置有過濾器30的位置(圖20(a)所示的線段CD)處的剖面圖。實施形態5是自與原版連接之側起依次積層底板層12、內側附有通氣口的板層13D、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17B而形成框體。由於底板層12、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17B及過濾器30的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖21(a)是表示本發明的一個實施形態的內側附有通氣口的板層13D的俯視圖，圖21(b)是說明支持框111D在與配置有過濾器30的位置(圖11(a)所示的線段CD)對應的位置處的變形的示意圖。再者，圖21(b)是為了與本實施形態進行比較而強調變形的示意圖，並非意圖指實施形態2的支持框111D一定
包含此種變形。
在圖21(b)中，若擴大孔3的開口寬度，即，若擴大內側附有通氣口的板層13B的凹部14的長度方向(圖21(b)的方向L1)的寬度，則亦有可能在孔3的位置處，底板層12與隔離層25及過濾器30朝孔3變形。為了抑制底板層12與隔離層25及過濾器30朝孔3變形，在本實施形態中，藉由如圖21(a)所示般在內側附有通氣口的板層13D配置櫛齒狀的構造13D-1，而支持底板層12與隔離層25。因而，在本實施形態中，藉由構成有由多個凹部14B與底板層12及隔離層25界定的多個孔3A，而可在藉由縮小每1個孔3A的開口寬度而抑制底板層12與隔離層25及過濾器30的變形下，確保作為多個孔3A整體的充分的開口面積。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配置於外側附有通氣口的板層17B側的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，例如過濾器30因外側附有通氣口的板層17B而不易接觸EUV光，從而可抑制過濾器30的劣化。進而，本發明的一個實施形態的支持框如上文所述般，過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本發明的一個實施形態的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入
框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態5的變形例]
在實施形態5中，例示支持框111K使用下述框體，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。亦可使用下述框體，即：如在支持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖22(a)及圖22(b)是表示實施形態5的變形例的支持框111L的示意圖。圖22(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111L的俯視圖，圖22(b)是支持框111L在配置有過濾器30的位置(圖22(a)所示的線段CD)處的剖面圖。實施形態5的變形例是自與原版連接之側起依次積層底板層12、外側附有通氣口的板層13E、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C而形成框體。由於底板層12、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C及過濾器30的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖23是表示本發明的一個實施形態的外側附有通氣口的板層13E的俯視圖。在本實施形態中，藉由如圖23所示般在外側附有通氣口的板層13E配置櫛齒狀的構造13E-1，而支持底板層12與隔離層25A。因而，在本實施形態中，藉由構成有由多個凹
部14C與底板層12及隔離層25A界定的多個孔3B，而可在藉由縮小每1個孔3B的開口寬度而抑制底板層12與隔離層25A及過濾器30的變形下，確保作為多個孔3B整體的充分的開口面積。
藉由將後文所述的防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體配置於內側附有通氣口的板層17C側的上表面，而可獲得防塵薄膜。因而，在本發明的一個實施形態的防塵薄膜中，是將過濾器30與防塵薄膜用膜分開設置。更詳細而言，過濾器30配置於較防塵薄膜用膜更下方(原版側)。因此，例如過濾器30因內側附有通氣口的板層17C而不易接觸EUV光，從而可抑制過濾器30的劣化。進而，本發明的一個實施形態的支持框如上文所述般，過濾器可拆裝地固定於框體。因此，具有下述優點，即：在將利用本發明的一個實施形態的支持框的防塵薄膜自曝光裝置剝離後，僅更換過濾器，而可對框體進行再利用。對此，在將過濾器埋入框體的內部的情況下，可進一步抑制過濾器的劣化。
[實施形態6]
圖24(a)及圖24(b)是表示本發明的一個實施形態的支持框111I的示意圖。圖24(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111I的俯視圖，圖24(b)是支持框111I在配置有過濾器30的位置(圖24(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態6是自與原版連接之側起依次積層底板層12、內側附有通氣口的板層13、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17、以及頂板41而形成框體。即，支持框111I亦是將頂板41配置於上文所述的支
持框111D的支持框。在圖24(a)中由於存在頂板41而無法自上表面觀察過濾器30，利用虛線表示在下層配置有過濾器30的部位。由於底板層12、內側附有通氣口的板層13、附有貫通孔的隔離層25、外側附有通氣口的板層17的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
圖25(a)及圖25(b)是表示本發明的一個實施形態的頂板41的示意圖。圖25(a)是頂板41的俯視圖，圖25(b)是頂板41在線段AB處的剖面圖。頂板41是大致矩形的框狀形狀，可為與底板層12大致相同的形狀。頂板41連接於外側附有通氣口的板層17上。頂板41與防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體連接。在實施形態6中，由於可利用頂板整體進行與防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體的連接，因此可提高連接強度。又，由於過濾器30被頂板41覆蓋，因此曝光光不易接觸過濾器30，而可進一步抑制過濾器30的劣化。
[實施形態6的變形例]
又，在實施形態6中，例示支持框111I使用下述框體，即：沿第一方向L1延伸的孔3為框體的內緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的外緣部的通氣口，但本發明的支持框並不限定於此。亦可使用下述框體，即：如在支持框111A中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖26(a)及圖26(b)是表示變形例的支持框111J的示意圖。圖26(a)是將過濾器30配置於框體的支持框111J的俯視圖，圖26(b)是支持框111J在配置有過濾器30的位置(圖26(a)所示的線段AB)處的剖面圖。實施形態6的變形例是自與原版連接之側起依次積層底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C、以及頂板41而形成框體。即，支持框111J亦為將頂板41配置於上文所述的支持框111E的支持框。在圖26(a)中由於存在頂板41而無法自上表面觀察過濾器30，利用虛線表示在下層配置有過濾器30的部位。由於底板層12、外側附有通氣口的板層13C、附有貫通孔的隔離層25A、內側附有通氣口的板層17C的結構可採用與上文所述的實施形態相同的結構，因此省略詳細的說明。
在本變形例中，由於可利用頂板整體進行與防塵薄膜用膜或防塵薄膜用膜體的連接，因此可提高接著強度。又，由於過濾器30被頂板41覆蓋，因此曝光光不易接觸過濾器30，而可抑制過濾器30的劣化。
頂板41可配置於上文所述的全部實施形態中所說明的支持框，可發揮與實施形態6及其變形例中所說明的效果相同的效果。
可分別組合各實施形態。例如，可在實施形態3中，在自與原版連接之側起依次設為底板層12、內側附有通氣口的板層13B、附有貫通孔的隔離層25、第三隔離層48、外側附有通氣口
的板層17，且將過濾器30夾入隔離層25與第三隔離層48之間而設置。因而，可省略第二隔離層36。又，可在實施形態1中，積層底板層12、內側附有通氣口的板層13、外側附有通氣口的板層17，並在外側附有通氣口的板層17的上表面配置實施形態6的頂板41，且將過濾器30設置於由內側附有通氣口的板層13與外側附有通氣口的板層17構成的孔5。又，亦可在實施形態3中，積層底板層12、內側附有通氣口的板層13B、隔離層25、第二隔離層36、以及外側附有通氣口的板層17，並將實施形態6的頂板41配置於外側附有通氣口的板層17的上表面，且將過濾器30設置於隔離層25與第二隔離層36之間。因而，可省略第三隔離層48。又，亦可在實施形態3中，積層底板層12、內側附有通氣口的板層13B、隔離層25、第三隔離層48、外側附有通氣口的板層17，並將實施形態6的頂板41配置於外側附有通氣口的板層17的上表面，且將過濾器30夾入隔離層25與第3隔離層48之間而設置。因而，可省略第二隔離層36。
在實施形態5及實施形態5的變形例中所說明的內側附有通氣口的板層13B或外側附有通氣口的板層13E亦可應用於所述各實施形態中，配置在底板層12與隔離層之間的內側附有通氣口的板層或外側附有通氣口的板層。各實施形態中的底板層12、內側附有通氣口的板層13、外側附有通氣口的板層17、附有貫通孔的隔離層25、第二隔離層36、第三隔離層48、以及頂板41各者既可包含1張薄板，亦可將平面形狀為相同的多張薄板積層而
形成。
[防塵薄膜]
藉由將防塵薄膜用膜102或防塵薄膜框體配置於上文所述的各實施形態所示的支持框，而可構成防塵薄膜。具體而言，作為一例，可採用在實施形態1中所說明的外側附有通氣口的板層17、或在實施形態1的變形例中所說明的內側附有通氣口的板層17A的上表面形成防塵薄膜用膜102的結構。如後文所述般，由於本發明的實施形態的防塵薄膜用膜102是非常薄的膜，因此自操作之面而言，較佳為設置將第一框體設置於防塵薄膜用膜102的一個面的防塵薄膜框體，且將防塵薄膜框體配置於支持框的結構。防塵薄膜用膜102或防塵薄膜框體與支持框的連接方法並無特別限制，例如，可利用黏著片材、接著劑、接合劑、常溫接合、直接接合、原子擴散接合、金屬接合、熔接、焊料接合、熱壓接、熱熔接、助焊劑接合、面扣件、范德華力(Van der Waals force)、靜電力、磁力、螺釘/銷/夾子/鉚接等機械力來連接。
圖27(a)及圖27(b)是表示本發明的一個實施形態的防塵薄膜100的示意圖。圖27(a)是防塵薄膜100的俯視圖，圖27(b)是防塵薄膜100在圖27(a)所示的線段AB處的剖面圖。在圖27(a)及圖27(b)中，作為一例，表示使用實施形態2的支持框111D的防塵薄膜100。防塵薄膜用膜102配置於第一框體104上。第一框體104為大致矩形的框形狀，由選自矽(silicon)、藍寶石(sapphire)、碳化矽等的材料構成。防塵薄膜
用膜102懸掛於第一框體104，第一框體104支持防塵薄膜用膜102。將在第一框體104上配置有防塵薄膜用膜102的構造體稱為防塵薄膜框體。在防塵薄膜100中，防塵薄膜框體經由接著層39貼附於支持框111D的外側附有通氣口的板層17B的上表面。因而，在本實施形態中，形成下述構成，即經由設置於防塵薄膜用膜102的一個面的第一框體104，將防塵薄膜用膜102設置於支持框111D。在本實施形態中，例示支持部具有支持防塵薄膜用膜102的第一框體104、以及構成支持框111D的第二框體，但本實施形態並不限定於此，亦可不經由第一框體104，而將防塵薄膜用膜102配置於支持框111D。
接著層39是將防塵薄膜用膜或第一框體、與支持框進行接著的層。接著層39例如為雙面黏著膠帶、矽樹脂黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚烯烴系黏著劑、無機系接著劑等。自保持EUV曝光時的真空度的觀點而言，接著層39較佳為釋氣(outgas)少。作為釋氣的評估方法，例如可利用升溫脫離氣體分析裝置。可在將防塵薄膜用膜或第一框體與支持框進行連接之前，預先將接著層39形成於支持框。接著層39亦可形成於配置在支持框中的最靠近防塵薄膜用膜側的層上。
本實施形態的防塵薄膜100由於在配置有防塵薄膜用膜102的區域的外側配置過濾器30，因此EUV光不易接觸過濾器30，而可降低過濾器30的劣化。因此，可降低過濾器30的更換頻度。
[防塵薄膜的變形例]
又，亦可使用下述框體，即：如在上文所述的實施形態中所說明般，沿第一方向L1延伸的孔3為框體的外緣部的通氣口，沿與第一方向L1交叉的第二方向L2延伸的孔5為框體的內緣部的通氣口。
圖28(a)及圖28(b)是表示本發明的一個實施形態的防塵薄膜100A的示意圖。圖28(a)是防塵薄膜100A的俯視圖，圖28(b)是防塵薄膜100A在圖28(a)所示的線段AB處的剖面圖。在圖28(a)及圖28(b)中，作為一例，表示使用實施形態2的變形例的支持框111E的防塵薄膜100A。由於防塵薄膜用膜102、第一框體104及防塵薄膜框體的結構可採用與上文所述的結構相同的結構，因此省略詳細的說明。在防塵薄膜100A中，防塵薄膜框體經由接著層39貼附於支持框111E的內側附有通氣口的板層17C的上表面。因而，在本變形例中，採用經由設置於防塵薄膜用膜102的一個面的第一框體104，將防塵薄膜用膜102設置於支持框111E的結構。在本實施形態中，例示支持部具有支持防塵薄膜用膜102的第一框體104、以及構成支持框111E的第二框體，但本實施形態並不限定於此，亦可不經由第一框體104，而將防塵薄膜用膜102配置於支持框111E。
本變形例的防塵薄膜100A是在配置有防塵薄膜用膜102的區域配置過濾器30。因此，透射防塵薄膜用膜102的EUV光亦有可能照射至過濾器30，但藉由透射防塵薄膜用膜102而
EUV光的光量減少，因此降低過濾器30的劣化。再者，藉由以將過濾器30配置於與原版的曝光區域充分分開的位置的方式設定防塵薄膜100A的大小(寬度)，而EUV光不易接觸過濾器30，從而可進一步降低過濾器30的劣化。因此，可降低過濾器30的更換頻度。再者，本實施形態的防塵薄膜可使用所述各實施形態的支持框而構成。
[防塵薄膜用膜]
防塵薄膜用膜的厚度(在構成為二層以上時為總厚度)例如可為10nm~200nm，較佳為10nm~100nm，更佳為10nm~70nm，尤佳為10nm~50nm。
防塵薄膜用膜較佳為EUV光的透射率高，EUV微影製程中所用的光(例如，波長13.5nm的光或波長6.75nm的光)的透射率較佳為50%以上，更佳為80%以上，尤佳為90%以上。在將防塵薄膜用膜與保護層積層時，較佳為含有所述積層的膜的光透射率為50%以上。
防塵薄膜用膜的材料使用周知的EUV用防塵薄膜用膜的材料即可。作為防塵薄膜用膜的材料，例如可舉出碳奈米管、類金剛石碳(Diamond-like carbon，DLC)、非晶碳(Amorphous carbon)、石墨(Graphite)、碳化矽等碳系材料、單晶矽、多晶矽、非晶質矽等矽系材料、芳香族聚醯亞胺、脂肪族聚醯亞胺、交聯聚乙烯(cross-linking polyethylene)、交聯聚苯乙烯(cross-linking polystyrene)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、聚苯碸(Polyphenylene
sulfone)、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚醚碸(polyethersulfone)、聚醚醚酮(polyetheretherketone)、液晶聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、芳香族聚醯胺(Aromatic polyamide)、派瑞林(Parylene)等高分子系材料。
[曝光原版]
圖29是表示本發明的一個實施形態的曝光原版181的剖面結構的示意圖。作為一例，曝光原版181包括含有防塵薄膜用膜102及支持框111的防塵薄膜100、以及原版184。本發明的曝光原版181在設置有安裝於原版184的極紫外光微影製程用的防塵薄膜用膜102的防塵薄膜100處，可對設置於支持框111的通氣孔的過濾器30進行拆裝，而可降低對原版184的污染。在圖29中，例示將包含防塵薄膜用膜102及支持框111的防塵薄膜100配置於形成有圖案的原版184的面，但本發明的曝光原版並不限定於此，可配置防塵薄膜100A，且，亦可配置具有在所述各實施形態中所說明的支持框的防塵薄膜。
將本發明的防塵薄膜安裝於原版的方法並無特別限定。例如，既可將支持框直接貼附於原版，亦可經由位於支持框的一個端面的原版用接著劑層固定，還可利用機械性固定的方法或磁鐵等的引力而將原版與支持框進行固定。由於原版用接著劑層可使用與接著層39相同的層，因此省略詳細的記載。
[防塵薄膜的用途]
本發明的防塵薄膜不僅可作為用於在EUV曝光裝置內抑制
異物附著於原版的保護構件，亦可作為用於在保管原版時、或搬運原版時保護原版的保護構件。例如，若保持將防塵薄膜安裝於原版的狀態(曝光原版)，可在自EUV曝光裝置拆卸後，原樣不變地進行保管。在將防塵薄膜安裝於原版的方法中，具有利用接著劑進行貼附的方法、機械地固定的方法等。
[曝光裝置]
圖30是表示本發明的一個實施形態的曝光裝置180的示意圖。在圖30中，表示曝光原版181的剖面圖。
作為一例，EUV曝光裝置180包括：光源182，放出EUV光；作為本實施形態的曝光原版的一例的曝光原版181；以及照明光學系統183，將自光源182放出的EUV光引導至曝光原版181。
在EUV曝光裝置180中，自光源182放出的EUV光被照明光學系統183聚光而將照度均一化，且照射至曝光原版181。照射至曝光原版181的EUV光被原版184圖案狀地反射。
所述曝光原版181為本實施形態的曝光原版的一例。配置為自光源182放出的EUV光透射防塵薄膜用膜102而照射至原版184。原版184將被照射的EUV光圖案狀地反射。
在照明光學系統183內，包含用於調整EUV光的光路的多個多層膜反射鏡189、190、191、以及光耦合器(光學積分器(Optical integrator))等。
光源182及照明光學系統183可使用周知的光源及照明光學系統。
在EUV曝光裝置180中，在光源182與照明光學系統183之間、及照明光學系統183與原版184之間，分別設置有過濾窗(Filter window)185及過濾窗186。過濾窗185及過濾窗186可捕捉飛散粒子(碎屑(debris))。又，EUV曝光裝置180包括投影光學系統188，將原版184所反射的EUV光朝感應基板187引導。
本發明的一個實施形態的曝光裝置由於在通氣孔可拆裝地設置有過濾器，且將設置有極紫外光微影製程用防塵薄膜用膜的防塵薄膜與曝光原版連接，而可降低對曝光裝置的光學系統的影響。
再者，在圖30中，例示將曝光原版181配置於EUV曝光裝置180，所述曝光原版181將包含防塵薄膜用膜102及支持框111的防塵薄膜100B配置於形成有圖案的原版184之面，但本發明的EUV曝光裝置並不限定於此，亦可將配置有防塵薄膜100或防塵薄膜100A的曝光原版181配置於EUV曝光裝置180，又，還可將使用具有上文所述的各實施形態中所說明的支持框的防塵薄膜的曝光原版181配置於EUV曝光裝置180。
本實施形態的曝光裝置包括：光源，放出曝光光(較佳為EUV光等，更佳為EUV光。以下相同)；本實施形態的曝光原版；以及光學系統，將自光源放出的曝光光朝曝光原版引導；曝光原版較佳為配置為自光源放出的曝光光透射防塵薄膜用膜而照射至原版。
根據此種態樣，除了可藉由EUV光等形成細微化的圖案(例如線寬度32nm以下)以外，即便在使用易於出現因異物所致的解析不良的問題的EUV光時，亦可進行經降低因異物所致的解析不良的圖案曝光。
[半導體裝置的製造方法]
本實施形態的半導體裝置的製造方法具有：使自光源放出的曝光光透射本實施形態的曝光原版的防塵薄膜用膜而照射至原版，並利用原版反射的步驟；以及藉由使由原版反射的曝光光透射防塵薄膜用膜而照射至感應基板，從而以圖案狀對感應基板進行曝光的步驟。
根據本實施形態的半導體裝置的製造方法，即便在使用易於出現因異物所致的解析不良的問題的EUV光時，仍可製造經降低因異物所致的解析不良的半導體裝置。例如藉由使用本發明的曝光裝置，可進行本實施形態的半導體裝置的製造方法。
根據本發明的一個實施形態的半導體裝置的製造方法，由於在通氣孔可拆裝地設置有過濾器，且將設置有極紫外光微影製程用防塵薄膜用膜的防塵薄膜與曝光原版連接，因此可在極紫外光微影製程中，進行高精細曝光。
1:通氣孔(貫通孔)
3、5:孔
10:框體
a:上表面
AB:線、線段
b、c:面
L1:第一方向/方向
L2:第二方向/方向
P:封閉空間部分(箭頭)
S:(用於配置過濾器的)空間
Claims (17)
- 一種支持框，其用於配置防塵薄膜用膜，且所述支持框的特徵在於包括：貫通孔，具有沿與所述防塵薄膜用膜的面方向大致平行的第一方向延伸的孔、以及沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的孔；以及過濾器，設置於所述貫通孔的內部、或所述貫通孔的端部，且與所述防塵薄膜用膜分開設置，所述支持框具有多個層，所述多個層具有：具有框形狀的底板、以及設置於所述底板上的具有框形狀的第一薄板及具有框形狀的第二薄板，所述第一薄板具有與所述第一薄板的內緣部連接、且沿所述第一方向延伸的第一凹部，所述第二薄板具有與所述第二薄板的外緣部連接、且沿所述第一方向延伸的第二凹部，藉由所述第一凹部與所述第二凹部的至少一部分重疊，而形成沿所述第二方向延伸的孔。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中所述第一薄板設置於所述底板上，所述第二薄板設置於所述第一薄板上。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中所述第二薄板設置於所述底板上，所述第一薄板設置於所述第二薄板上。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中在所述第 一薄板與所述第二薄板之間更具有至少一層以上的隔離層。
- 如申請專利範圍第4項所述的支持框，其中所述第一薄板設置於所述底板上，所述第一薄板具有沿所述第一方向延伸的多個第一凹部。
- 如申請專利範圍第4項所述的支持框，其中所述第二薄板設置於所述底板上，所述第二薄板具有沿所述第一方向延伸的多個第二凹部。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中設置多個所述貫通孔，於各個所述貫通孔設置有所述過濾器，多個所述過濾器的合計面積為100mm2以上、2000mm2以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中所述過濾器的面方向與所述防塵薄膜用膜的面方向大致平行。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中所述過濾器的初始壓力損失為100Pa以上、550Pa以下，對粒徑為0.15μm以上、0.3μm以下的粒子而言粒子捕集率為99.7%以上、100%以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其中所述支持框的自設置有防塵薄膜用膜的面至相反側的面的厚度為3.0mm以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的支持框，其用於極紫外光微影製程。
- 一種防塵薄膜，其特徵在於將所述防塵薄膜用膜設置於如申請專利範圍第1項所述的支持框。
- 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜，其中經由設置於所述防塵薄膜用膜的一個面的框體，將所述防塵薄膜用膜設置於所述支持框。
- 一種曝光原版，其特徵在於包括：原版；以及如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜，安裝於所述原版的具有圖案側之面。
- 一種曝光裝置，其特徵在於具有如申請專利範圍第14項所述的曝光原版。
- 一種曝光裝置，其特徵在於具有：光源，放出曝光光；如申請專利範圍第14項所述的曝光原版；以及光學系統，將自所述光源放出的曝光光引導至所述曝光原版；且將所述曝光原版配置為自所述光源放出的曝光光透射所述防塵薄膜用膜而照射至所述原版。
- 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於具有：使自光源放出的曝光光透射如申請專利範圍第14項所述的曝光原版的防塵薄膜用膜而照射至原版，並利用所述原版反射的步驟；以及藉由使由所述原版反射的曝光光透射所述防塵薄膜用膜而照射至感應基板，而以圖案狀對所述感應基板進行曝光的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-059416 | 2018-03-27 | ||
| JP2018059416 | 2018-03-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201942665A TW201942665A (zh) | 2019-11-01 |
| TWI797292B true TWI797292B (zh) | 2023-04-01 |
Family
ID=68061487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108110362A TWI797292B (zh) | 2018-03-27 | 2019-03-26 | 支持框、防塵薄膜及曝光原版、及使用上述的曝光裝置、以及半導體裝置的製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11243463B2 (zh) |
| EP (1) | EP3779594B1 (zh) |
| JP (1) | JP6945726B2 (zh) |
| KR (1) | KR102465834B1 (zh) |
| CN (1) | CN111919171B (zh) |
| TW (1) | TWI797292B (zh) |
| WO (1) | WO2019188445A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN216118382U (zh) * | 2020-06-08 | 2022-03-22 | 信越化学工业株式会社 | 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统 |
| CN114885534B (zh) * | 2021-02-05 | 2024-05-28 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 电子装置 |
| KR102687699B1 (ko) * | 2023-08-18 | 2024-07-24 | 주식회사 에프에스티 | 응력 완충구조를 구비하는 euv 펠리클의 마운팅 블록, 마운팅 블록을 포함하는 euv 펠리클 구조체, euv 펠리클 구조체를 포함하는 euv 노광 장치 및 euv 펠리클의 마운팅 및 디마운팅 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201614367A (en) * | 2014-09-19 | 2016-04-16 | Mitsui Chemicals Inc | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
| TW201627776A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-01 | Nippon Light Metal Co | 防塵膜用支持框 |
| JP2016191902A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| JP2017083791A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422704A (en) * | 1992-07-13 | 1995-06-06 | Intel Corporation | Pellicle frame |
| US5529819A (en) * | 1995-04-17 | 1996-06-25 | Inko Industrial Corporation | Pellicle assembly with vent structure |
| JP2004354720A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスク用ペリクル |
| JPWO2008007521A1 (ja) | 2006-07-11 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | レチクル保持部材、レチクル・ステージ、露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| EP3118683A4 (en) * | 2014-05-02 | 2017-11-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof, exposure original plate and manufacturing method thereof, exposure device, and semiconductor device manufacturing method |
| JP6275270B2 (ja) | 2014-09-19 | 2018-02-07 | 三井化学株式会社 | ペリクル、その製造方法及び露光方法 |
| KR20160043301A (ko) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | 한국미쓰비시엘리베이터 주식회사 | 모터 과열 검출장치 |
| KR20160043292A (ko) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | (주)엘프테크 | 수동형 광가입자망의 대역폭 확대를 위한 구성 방법 |
| JP6274079B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-02-07 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠および製造方法 |
| EP3079013B1 (en) * | 2015-03-30 | 2018-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle |
| US11143952B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle removal method |
| JP6941733B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2021-09-29 | 三井化学株式会社 | ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置 |
-
2019
- 2019-03-15 KR KR1020207028758A patent/KR102465834B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-15 CN CN201980022551.9A patent/CN111919171B/zh active Active
- 2019-03-15 WO PCT/JP2019/010958 patent/WO2019188445A1/ja unknown
- 2019-03-15 EP EP19776729.6A patent/EP3779594B1/en active Active
- 2019-03-15 JP JP2020510669A patent/JP6945726B2/ja active Active
- 2019-03-26 TW TW108110362A patent/TWI797292B/zh active
-
2020
- 2020-09-25 US US17/033,076 patent/US11243463B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201614367A (en) * | 2014-09-19 | 2016-04-16 | Mitsui Chemicals Inc | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
| TW201627776A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-01 | Nippon Light Metal Co | 防塵膜用支持框 |
| JP2016191902A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| JP2017083791A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6945726B2 (ja) | 2021-10-06 |
| KR102465834B1 (ko) | 2022-11-11 |
| JPWO2019188445A1 (ja) | 2021-03-11 |
| EP3779594B1 (en) | 2023-11-08 |
| TW201942665A (zh) | 2019-11-01 |
| CN111919171A (zh) | 2020-11-10 |
| US11243463B2 (en) | 2022-02-08 |
| US20210011372A1 (en) | 2021-01-14 |
| EP3779594A1 (en) | 2021-02-17 |
| CN111919171B (zh) | 2024-05-14 |
| WO2019188445A1 (ja) | 2019-10-03 |
| KR20200128134A (ko) | 2020-11-11 |
| EP3779594A4 (en) | 2022-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI787522B (zh) | 防護薄膜用支撐框架、防護薄膜及防護薄膜用支撐框架的製造方法以及使用了防護薄膜的曝光原版及曝光裝置 | |
| TWI797292B (zh) | 支持框、防塵薄膜及曝光原版、及使用上述的曝光裝置、以及半導體裝置的製造方法 | |
| TWI817989B (zh) | 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| CN107533283B (zh) | 防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法 | |
| TWI653501B (zh) | 防塵薄膜組件製造裝置 | |
| WO2013186929A1 (ja) | マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2017083791A (ja) | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 | |
| JPH1167882A (ja) | 基板吸着装置及び基板吸着方法 | |
| JP6148796B2 (ja) | ペリクルマウント装置 | |
| JP2015176934A (ja) | 静電チャッククリーナ、クリーニング方法、および露光装置 | |
| JPWO2015174412A1 (ja) | ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2011023425A (ja) | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2023523420A (ja) | Ｅｕｖリソグラフィのためのペリクルフレーム | |
| KR102207853B1 (ko) | 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클 | |
| JP6362416B2 (ja) | 保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
| TW201823857A (zh) | 用於光罩的防塵框架結構 |