JP2023523420A - Ｅｕｖリソグラフィのためのペリクルフレーム - Google Patents

Abstract

ペリクルフレーム（１７）が第１の部分（４０）及び複数の第２の部分（４２）を備える。第１の部分はペリクル（１９）の縁（１９ａ）に接続するためのものである。第１の部分は中空の概ね矩形の本体を含む。複数の第２の部分はパターニングデバイス（ＭＡ）に接続するためのものである。第１の部分及び複数の第２の部分は全て第１の材料から形成されている。第２の部分のそれぞれは、第１の材料から形成されたばね部（４４）によって第１の部分に接続されている。かかるペリクルフレームは、第１の部分、複数の第２の部分及びばね部が全て同じ材料から形成されているために有利である。このことはペリクルフレームの製造を大幅に簡素化する。例えばペリクルフレームの全ての部品が一体形成されることがある。
【選択図】 図６

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２０年４月２３日出願の欧州出願２０１７０９７７．１の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内での使用に適したペリクルフレームに関する。ペリクルフレームは、ペリクルのレチクル又はマスクへの接続を促進することがある。本発明は、ペリクルフレームを備えたペリクルアセンブリ、及び上記ペリクルフレームを備えたマスクアセンブリにも関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

[0005] リソグラフィ装置において放射ビームにパターンを付与するのに使用されるパターニングデバイス（例えばマスク）がマスクアセンブリの一部を構成することがある。マスクアセンブリは、パターニングデバイスを粒子汚染から保護するペリクルを備えることがある。ペリクルはペリクルフレームによって支持されることがある。

[0006] 従来技術に関連する１つ以上の問題を未然に防ぐ又は緩和する装置を提供することが望ましい場合がある。

[0007] 本発明の第１の態様によれば、中空の概ね矩形の本体を含む、ペリクルの縁に接続される第１の部分と、パターニングデバイスに接続される複数の第２の部分とを備え、第１の部分及び複数の第２の部分が全て第１の材料から形成され、第２の部分のそれぞれが第１の材料から形成されたばね部によって第１の部分に接続されているペリクルフレームが提供される。

[0008] 本発明の第１の態様に係るペリクルフレームは、第１の部分、複数の第２の部分及びばね部が全て同じ材料、つまり第１の材料から形成されているために有利である。このことはペリクルフレームの製造を大幅に簡素化する。例えばペリクルフレームの全ての部品が一体形成されることがある。

[0009] これは、ペリクルの縁に接続される第１の部分が１つの材料（例えばシリコン）から形成され、パターニングデバイスに接続される複数の第２の部分が別の材料（例えばチタン又はチタン合金）から形成される既存の構成とは対照的である。かかる既存の構成は、部品を別々に製造した後で組み立てなければならないため、製造がかなり複雑である。そして、このことは（本発明の第１の態様に係るペリクルフレームと比べて）かかる既存のペリクルフレームを製造するコストを大幅に増加させる。このことは、これらの別々の部品の組立がＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルフレームに関するかなり厳しい要件の結果として単純でないためなおさらである。

[00010] 第１に、ペリクルフレーム（及び結果として得られるペリクルフレームを含むペリクルアセンブリ）は、使用時に取り付けられることになるパターニングデバイス（レチクル）を汚染するリスクを軽減するためにクリーンであることが重要である。例えば、ペリクルフレーム上の粒子の数が所望の粒子閾値未満である（好ましくはペリクルフレーム上に粒子が配置されない）ことを確実にすることが望ましい場合がある。これを達成するために、ペリクルフレームの構成部品は組み立てられるまでクリーンな環境に保持されることがある。組立はクリーンな環境で達成されることがある。これらのクリーンな環境は真空条件下で維持されることがある。複数のクリーンな環境（又は大きいサイズのクリーンな環境）を維持することは製造コストを増大させることになる。また、クリーンな環境内での組立は困難である。

[00011] 第２に、使用時にペリクルフレームは、レチクルステージにより支持されるレチクルに取り付けられることになる。パターニングデバイス及びウェーハがＥＵＶ放射ビームで同期的にスキャンされるスキャナと呼ばれるリソグラフィ装置では、レチクルステージと、これに取り付けられたペリクルフレームとが大幅な加速にさらされることになる。可動マスクアセンブリの全ての部品がこれらの大きい加速にもかかわらず接続されたままとなるように十分良好に接続されていることが重要である。このため、一緒に接続される部品の総数を減らすことが好ましい場合がある。本発明の第１の態様に係る新規のペリクルフレームはこれを達成する。

[00012] 各ばね部が第１の部分及び複数の第２の部分の寸法より小さい寸法を有する第１の材料の部分を含み得ることが理解されるであろう。

[00013] 一部の実施形態では、第１の材料は、１０*１０^－６Ｋ^－１より小さい、好ましくは１０^－６Ｋ^－１より小さい熱膨張係数（ＣＴＥ）を有することがある。第１の材料は弾性である場合がある。第１の材料は延性がある場合がある。一部の実施形態では、第１の材料は１００ＧＰａより大きいヤング率を有することがある。一部の実施形態では、第１の材料は１０００ＭＰａより小さい、好ましくは９００ＭＰａより小さい降伏応力を有することがある。一部の実施形態では、第１の材料は５０００ｋｇ／ｍ^３より小さい、より好ましくは１５００ｋｇ／ｍ^３より小さい密度を有することがある。第１の材料の特性は、４００ｐｍ以下の撮像エリアにおけるレチクル変形を確保するように選ばれる。第１の材料は真空環境での使用に適している場合がある。第１の材料は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の環境での使用に適している場合がある。

[00014] 第１の材料はチタンを含むことがある。

[00015] 例えば第１の材料はチタン合金である場合がある。例えば第１の材料はチタングレード５を含む場合がある。チタングレード５は、Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ、Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ又はＴｉ６－４と呼ばれることもある。チタングレード５は、６％のアルミニウム（Ａｌ）、４％のバナジウム（Ｖ）並びに微量の鉄及び酸素を含み、残りの部分はチタンを含む。

[00016] 第１の材料は少なくとも５０％のチタンを含むことがある。第１の材料は少なくとも７０％のチタンを含むことがある。第１の材料は少なくとも８５％のチタンを含むことがある。

[00017] チタンは真空環境での使用に適しており、具体的にはＥＵＶリソグラフィ装置内の環境での使用に適している。また、チタンは、ばね部を提供し、ペリクルフレームが使用中に破損し得るほど脆くないように十分な弾性がある。

[00018] それぞれが第１の部分にばね部により接続された４つの第２の部分がある場合がある。

[00019] ４つの第２の部分のそれぞれは第１の部分のコーナーに近接している場合がある。

[00020] 第２の部分のうち２つは、第１の部分の中空の概ね矩形の本体の一方の側に設けられることがあり、第２の部分のうち別の２つは、第１の部分の中空の概ね矩形の本体の反対側に設けられることがある。

[00021] 複数の第２の部分のそれぞれは、ペリクルフレームの主平面において第２の部分のそれぞれが矩形となるように概ね立方体状の本体を含むことがある。

[00022] したがって、第２の部分のそれぞれは、パターニングデバイスの表面に付着され得る概ね矩形の表面を提供する。

[00023] ばね部のそれぞれは、第１の部分と第２の部分との移動方向への相対移動を可能にするように構成されることがある。

[00024] ばね部のそれぞれは概ね立方体状の本体を含むことがある。ばね部の寸法の１つは、各ばね部が概ね平面となるように他の２つの寸法より大幅に小さい場合がある。具体的には、ばね部のその移動方向の寸法はばね部の他の２つの寸法より大幅に小さい場合がある。

[00025] ペリクルフレームの平面内に、ばね部のそれぞれは、第１の部分から第２の部分の１つまで接続方向に延在する第１の材料の部分を含むことがあり、ばね部は、ペリクルフレームの平面内にあり接続方向に対して垂直な移動方向に、第２の部分と第１の部分との移動方向への相対移動を可能にするためにより小さい寸法を有する。

[00026] つまり、各ばね部は第１の部分から第２の部分の１つまで接続方向に延在する第１の材料の比較的薄い部分である。

[00027] 使用時、ばね部によりもたらされる動きと柔軟性は、第２の部分が接続されているパターニングデバイスに対するペリクルフレームのたわみを可能にする。これはパターニングデバイス、ペリクルフレーム及びペリクルの示差熱膨張を調整することができる。これは、損傷を与えかねないペリクルフレームに生じる（ペリクルを損傷させることがある）熱応力及びパターニングデバイスに生じる（ウェーハに結像されるパターンを歪めることがある）熱応力を低下させるため有利である。また、ペリクルをパターニングデバイスに接続する接着剤（すなわち、ペリクルフレームの第１の部分とペリクルとの間の接着層、及びペリクルフレームの第２の部分のそれぞれとパターニングデバイスとの間の接着層）の負荷を軽減する。

[00028] ばね部のそれぞれは概ね立方体状の本体を含んでいるが、この本体の移動方向の寸法は他の２つの寸法より大幅に小さい。具体的には、ばね部は、ばね部が第２の部分と第１の部分との移動方向への相対移動を可能にするような寸法である。これを達成するのに適した寸法が一般に第１の材料（例えばチタン又はチタン合金）の弾性特性に依存することになることが理解されるであろう。

[00029] ペリクルフレームの平面に対して垂直な方向のばね部の寸法は、好ましくは第１の部分と複数の第２の部分とのペリクルフレームの平面外の相対移動を妨げる、又は少なくとも大幅に減らすように十分大きい。

[00030] 一般に、各ばね部は異なる移動方向を有することがある。

[00031] 対角線上に対向したばね部の各対は、２つのばね部が第１の移動方向を有し、２つのばね部が第２の移動方向を有するように同じ移動方向を有することがある。

[00032] ばね部のそれぞれは、その移動方向が概ね第１の部分の中心を指すように構成されることがある。

[00033] これは、各ばね部がペリクルフレーム、及び第２の部分のそれぞれの近く（すなわち、使用時にパターニングデバイスに接続する位置）にある取り付けられたペリクルが第１の部分の中心を通る方向に移動することを可能にすることを意味するため有利である。これによってペリクルフレーム（及びペリクルアセンブリ）は取り付けられているパターニングデバイスに対して回転することなく全ての方向に等しく膨張することが可能になり、有益である。したがって、かかる構成によれば、ペリクルフレームの（取り付けられているパターニングデバイスの温度に対する）均一加熱がある場合、ペリクルフレームのパターニングデバイスに対する向き及び中心位置は変わらないことになる。

[00034] ばね部のそれぞれは、その接続方向が接続されている第２の部分の中心点を通って延びるように構成されることがある。ある実施形態では、１つ以上のばね部がばねを形成し、例えば第１のばね部及び第２のばね部がばねを形成することがある。ばねは、例えばフレームが熱くなり熱変形がある場合に、フレームのレチクルからの機械的分離を保証する。機械的分離は最小の力とモーメントがレチクルに印加されることを保証する。フレームは、ばねによって、例えばレチクル上の４つの点で拘束されることがある。

[00035] ばねは板ばね、例えば単一板ばね又は二重板ばねである場合がある。好ましくは、ばねはばねモーメントが実質的に小さく、レチクル変形がレチクルのｘｙ平面よりもむしろｚ方向に生じる単一板ばねである。

[00036] ばねはフレームの熱的中心に配向されていることがある。熱的中心は、温度変化が加えられたときに移動しないフレームの点である。ばねが熱的中心に配向されていることの利点は、フレーム変形、応力及び歪みが熱的中心周りに対称であることである。ばねは、フレームの熱的中心が中央にあり対称中心と重なるようにフレーム内で回転することがある。

[00037] 第２の部分のそれぞれは、第１の部分の中空の概ね矩形の本体の外側に配置されていることがある。

[00038] ペリクルフレームは、中空の概ね矩形の本体からの複数の側面突出体を更に備えることがある。各側面突出体は第１の材料から形成されることがある。各側面突出体及び中空の概ね矩形の本体は開口部を画定することがあり、複数の第２の部分のそれぞれは上記開口部の１つに配置されることがある。

[00039] つまり、各側面突出体は第１の部分と共に、第２の部分の１つ（及びその対応するばね部）の周りにフレームを形成する。

[00040] 側面突出体は第１の部分と一体形成されることがある。概ね矩形の第１の部分からの各側面突出体は、概ね中空の三角形の形をしている場合がある。隙間が各第２の部分と側面突出体及び／又は第１の部分との間に設けられることがある。この隙間は、各第２の部分と第１の部分との移動方向への制限された移動を可能にする。しかしながら、側面突出体は実質的に硬くなるように十分に大きい寸法を有することがある。したがって、側面突出体は、各第２の部分と第１の部分との移動方向への移動の範囲を制限するための物理的ストップの役割を果たすことができる。有利には、このことはばね部の故障を防ぐことがある。かかる故障のリスクは、ペリクルフレームの取扱中、例えばばね部のペリクルアセンブリ及び／又はマスクアセンブリへの設置中にある場合がある。

[00041] 本発明の第２の態様によれば、本発明の第１の態様に係るペリクルフレームと、中空で概ね矩形の縁部、及び縁部により境界が定められた膜を備えたペリクルとを備え、ペリクルの縁部がペリクルフレームの第１の部分に取り付けられるペリクルアセンブリが提供される。

[00042] ペリクルの縁部は、ペリクルフレームの第１の部分の中空の概ね矩形の本体に取り付けられることがある。

[00043] ペリクルの縁部は、ペリクルフレームが形成されている第１の材料と異なる第２の材料から形成されることがある。

[00044] ペリクルの縁部はシリコンから形成されることがある。

[00045] 当技術分野で知られているように、ペリクルは１つ以上の薄い材料の層の概ね矩形のシリコン基板への付着によって形成されることがある。シリコン基板はこのペリクルの作製段階の間１つ以上の薄層を支持する。層の所望の又は目標厚さ及び組成が適用されると、シリコン基板の中央部分はエッチングによって除去される（これはバックエッチングと呼ばれることがある）。矩形のシリコン基板の周辺部はエッチングされない（あるいは中央部分よりエッチングの程度が少ない）。この周辺部は最終ペリクルの縁部を形成する一方、１つ以上の薄層はペリクルの（縁部により境界が定められる）膜を形成する。

[00046] かかるペリクルは、一般により硬質のペリクルフレームからのサポートを必要とする。ペリクルフレームは次の２つの機能を提供する。（ａ）ペリクルを支持し、更にペリクル膜をぴんと張ることがあること、及び（ｂ）ペリクルのパターニングデバイス（レチクル）への接続を促進すること。ペリクル及びレチクルの異なる熱膨張をこれらのコンポーネントが使用時に経験する動作温度の範囲にわたって可能にする柔軟性を提供するために、十分に弾性がありＥＵＶリソグラフィ装置内の条件での使用に適した材料をパターニングデバイスとの接続のために選択することは望ましい。１つの適切な材料はチタンである。ペリクルフレームの主要な中空矩形部は既知のアセンブリでは一般に縁部に付着されるため、このペリクルフレームの主要な中空矩形部は、熱的特性がペリクルの縁部の熱的特性と概ね一致する材料から形成される。例えば一般にシリコンが使用される。したがって、既知のペリクルフレームは、ペリクルに糊付けされているシリコン本体及びこの本体の側部に糊付けされている４つのチタン取付機構を備える。

[00047] シリコンとチタンの熱的特性が非常に異なる（チタンはシリコンの約４倍の熱膨張係数を有する）ため、ペリクルフレームの本体にシリコンと異なる熱的特性を有する材料（例えばチタンなど）を使用することに対しては当該技術分野において著しい偏見がある。この理由は、ペリクルアセンブリの温度が変化すると、フレーム及び縁の示差熱膨張がペリクルアセンブリをたわませたり曲げたりすることになるためである。そして、このことはパターニングデバイスにストレスを与えることがあり、オーバーレイの増加などの結像誤差をもたらすことがある。しかしながら、驚くべきことに本発明者らは、新規のペリクルフレームを使用する場合に、オーバーレイが既知のペリクルフレームを使用する場合より悪化しないことがわかった。したがって、新規のペリクルフレームは、結像性能に関して妥協することなくより単純で低コストの構成を提供する。

[00048] ペリクルの縁部は、接着剤によってペリクルフレームの第１の部分に取り付けられることがある。

[00049] 接着剤はポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤である場合がある。

[00050] 代替的に、接着剤はエポキシ接着剤である場合がある。
本発明の第３の態様によれば、本発明の第２の態様に係るペリクルアセンブリと、パターニングデバイスとを備え、ペリクルフレームの複数の第２の部分がパターニングデバイスに取り付けられるマスクアセンブリが提供される。

[00051] 本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリは、これより考察されるように、パターニングデバイスに固定され、ペリクルアセンブリと係合する中間固定部材（スタッドとして知られている）を一般的に使用する既知の構成より特に有利である。

[00052] 本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリは、（パターニングデバイスに固定された）スタッドなどの中間固定部材及び中間固定部材（スタッド）と係合する（ペリクルアセンブリに設けられた）係合機構を使用するマスクアセンブリより少ないコンポーネントを備える。したがって、有利なことに、本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリは製造するのが比較的簡単である場合がある。コンポーネントの数が少なくなり製造手順が簡単になることで製造コストが低くなることがある。

[00053] このことは、マスクアセンブリの組立がＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるマスクアセンブリに関するかなり厳しい要件の結果として単純でないためなおさらである。

[00054] 第１に、マスクアセンブリは、パターニングデバイス（レチクル）を汚染するリスクを軽減するためにクリーンであることが重要である。例えば、マスクアセンブリ上の粒子の数が所望の粒子閾値未満である（好ましくはマスクアセンブリ上に粒子が配置されない）ことを確実にすることが望ましい場合がある。これを達成するために、マスクアセンブリの構成部品は組み立てられるまでクリーンな環境に保持されることがある。組立はクリーンな環境で達成されることがある。これらのクリーンな環境は真空条件下で維持されることがある。複数のクリーンな環境（又は大きいサイズのクリーンな環境）を維持することは製造コストを増大させることになる。また、クリーンな環境内での組立は困難である。

[00055] 第２に、使用時にマスクアセンブリは、レチクルステージによって支持されることになる。パターニングデバイス及びウェーハがＥＵＶ放射ビームで同期的にスキャンされるスキャナと呼ばれるリソグラフィ装置では、レチクルステージと、これに取り付けられたペリクルフレームとが大幅な加速にさらされることになる。可動マスクアセンブリの全ての部品がこれらの大きい加速にもかかわらず接続されたままとなるように十分良好に接続されることが重要である。このため、一緒に接続される部品の総数を減らすことが好ましい場合がある。本発明の第３の態様に係る新規のマスクアセンブリはこれを達成する。

[00056] 既知のマスクアセンブリを製造するコストと比べて、本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリを製造するコストの大幅な削減があると推定される。例えば、既知のマスクアセンブリを製造するコストは、本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリを製造するコストより約１０倍大きい場合がある。

[00057] また、マスクアセンブリ及びその製造の複雑性が大幅に低減することによって、コンポーネントの数、マスクアセンブリを製造するプロセスにおける取扱ステップの数が少なくなり、更にこれらの取扱ステップは関係性が薄くなることがある。結果として、最終マスクアセンブリ上に粒子やデブリが存在するリスクが軽減する。これはかかる粒子が結像誤差や欠陥をもたらす可能性があることから有益である。

[00058] 一部の実施形態では、ペリクルとパターニングデバイスとの間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、例えば２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。

[00059] ペリクルフレームの複数の第２の部分は、接着剤によってパターニングデバイスに取り付けられることがある。

[00060] 接着剤はポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤である場合がある。

[00061] ＰＭＭＡ糊の材料特性、具体的にはＰＭＭＡ糊の弾性及びＰＭＭＡ糊が塗布され得る寸法によって、ＰＭＭＡ糊の硬化に起因したパターニングデバイスの変形は（他の糊に比べて）比較的小さくなる。これに対して、ペリクルフレームを他の糊を使用してパターニングデバイスに直接固定したならば、他の糊の硬化に起因したパターニングデバイスの変形は著しく大きくなり、その結果、リソグラフィ装置によって基板に投影されるパターンにエラーが生じることがある。

[00062] ＰＭＭＡ糊は、例えばエポキシ糊より容易に除去可能であり、比較的弾性が大きい。有利には、これにより、本発明の第３の態様に係るマスクアセンブリの一部を構成するペリクルアセンブリをより容易に交換することが可能となる場合がある。

[00063] 代替的に、接着剤はエポキシ接着剤である場合がある。

[00064] 上述されているか又は以下の説明で言及される１つ以上の態様又は特徴が、１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わせられ得ることが理解されるであろう。

[00065] 本発明の実施形態を、添付の図面を参照して、単なる例示として以下に説明する。

リソグラフィ装置及び放射源を備えたリソグラフィシステムの模式図である。 本発明の実施形態に係る様々な装置及びリソグラフィ装置の模式図である。 既知のタイプのペリクルアセンブリの斜視図である。 図３のペリクルアセンブリを備えた既知のマスクアセンブリの一部の模式的断面図である。 既知のマスクアセンブリの別の模式図である。 本発明の実施形態に係る新規のペリクルフレームの斜視図である。 図６に示す新規のペリクルフレームを備えた新規のマスクアセンブリの一部分の模式的断面である。

[00066] 図１はリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を含むマスクアセンブリ１５を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成されている。投影システムは、放射ビームＢ（今やマスクＭＡによってパターニングされている）を基板Ｗ上に投影するように構成されている。基板Ｗは先に形成されたパターンを含んでいてもよい。その場合、リソグラフィ装置は、パターニングされた放射ビームＢを先に基板Ｗ上に形成されたパターンと位置合わせする。

[00067] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは全て外部環境から隔離できるように構築及び配置されることがある。放射源ＳＯ内に、大気圧よりも低い圧力のガス（例えば水素）が提供されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に真空が提供されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）が提供されることがある。

[00068] 図１に示されている放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えばＣＯ２レーザであり得るレーザ１は、レーザビーム２を介して、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギーを付与するように配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料が使用されることがある。燃料は、例えば液体の形態である場合や、例えば金属又は合金である場合がある。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されたノズルを備えることがある。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。レーザエネルギーのスズへの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマイオンの脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。

[00069] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）によって収集及び集束される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置されている多層構造を有することがある。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することがある。以下で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域４にある場合があり、第２の焦点は中間焦点６にある場合がある。

[00070] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の他の実施形態では、コレクタ５は、ＥＵＶ放射を斜入射角で受け取ってこのＥＵＶ放射を中間焦点に集束するように構成されている、いわゆる斜入射型コレクタである場合がある。斜入射型コレクタは、例えば複数の斜入射リフレクタを含む入れ子型コレクタである場合がある。斜入射リフレクタは、光軸を中心として軸対称に配置されることがある。

[00071] 放射源ＳＯは、１つ以上の汚染トラップ（図示せず）を備えることがある。例えば汚染トラップは、プラズマ形成領域４と放射コレクタ５との間に位置することがある。汚染トラップは、例えば回転フォイルトラップであるか、又は他の任意の適切な形態の汚染トラップである場合がある。

[00072] レーザ１は放射源ＳＯから分離していてもよい。その場合、レーザビーム２は、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビーム送出システム（図示しない）及び／又は他の光学部品の助けを借りて、レーザ１から放射源ＳＯへと渡されてもよい。レーザ１及び放射源ＳＯは、併せて放射システムと見なされ得る。

[00073] コレクタ５によって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６で集束されてプラズマ形成領域４の画像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束される点６は、中間焦点と称され得る。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの内包構造体９の開口８に又はその付近に位置するように配置される。

[00074] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するように構成されている照明システムＩＬ内に進む。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることがある。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから出射し、支持構造ＭＴにより保持されたマスクアセンブリ１５に入射する。マスクアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡと、ペリクルフレーム１７により所定位置に保持されているペリクル１９とを備える。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射しこれにパターンを付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることもある。

[00075] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターニングされた放射ビームＢは、投影システムＰＳに進入する。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラーを備える。投影システムＰＳはある縮小係数を放射ビームに適用してもよく、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する画像を形成する。例えば、４という縮小係数が適用され得る。図１では投影システムＰＳは２つのミラーを有しているが、投影システムは任意の数のミラー（例えば６つのミラー）を含んでいてもよい。

[00076] リソグラフィ装置は、例えばスキャンモードで使用されることがある。スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンを基板Ｗに投影する（すなわち動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定されることがある。基板Ｗに入射するパターン付与された放射ビームは、ある放射帯を含むことがある。この放射帯は露光スリットと呼ばれることがある。スキャン露光中、露光スリットが基板Ｗの露光フィールド上を進んでいくように基板テーブルＷＴ及び支持構造ＭＴが移動することがある。

[00077] 図１に示されている放射源ＳＯ及び／又はリソグラフィ装置は、図示されていないコンポーネントを備えることがある。例えば、放射源ＳＯ内にスペクトルフィルタが提供されることがある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に阻止することがある。

[00078] リソグラフィシステムの他の実施形態では、放射源ＳＯは他の形態をとることもある。例えば代替的な実施形態では、放射源ＳＯは１つ以上の自由電子レーザを含むことがある。１つ以上の自由電子レーザは、１つ以上のリソグラフィ装置に提供され得るＥＵＶ放射を放出するように構成されることがある。

[00079] 以上で簡単に述べたように、マスクアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられているペリクル１９を備える。ペリクル１９は放射ビームＢの経路内に設けられているので、放射ビームＢは、照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近付く時、及びパターニングデバイスＭＡによって反射されて投影システムＰＳに向かう時の両方でペリクル１９を通過する。ペリクル１９は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性である（が、少量のＥＵＶ放射を吸収することになる）薄膜を含む。本明細書において、ＥＵＶ透過ペリクル又はＥＵＶ放射に対して実質的に透過性である膜とは、ペリクル１９がＥＵＶ放射の少なくとも６５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくはＥＵＶ放射の少なくとも９０％に対して透過性であることを意味する。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡを粒子汚染から保護する役割を果たす。

[00080] リソグラフィ装置ＬＡ内部でクリーンな環境を維持するように努力しても、リソグラフィ装置ＬＡ内部に依然として粒子が存在する場合がある。ペリクル１９がなければ、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に付着されることがある。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、ひいては基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼす恐れがある。ペリクル１９は、有利なことにパターニングデバイスＭＡ上に粒子が付着されるのを防止するために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを与える。

[00081] ペリクル１９は、ペリクル１９の表面に入射する粒子がリソグラフィ装置ＬＡのフィールド面内に存在しないように十分な距離だけパターニングデバイスＭＡから離して位置決めされている。ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間のこの間隔は、ペリクル１９の表面上の粒子が基板Ｗ上に結像される放射ビームＢにパターンを付与する程度を抑える役割を果たす。粒子が放射ビームＢ内に存在しても、その位置が放射ビームＢのフィールド面内でない（すなわちパターニングデバイスＭＡの表面でない）場合、この粒子の像は基板Ｗの表面で焦点外になることが理解されるであろう。他に考慮すべき事項が存在しないならば、ペリクル１９をパターニングデバイスＭＡからかなり離れた距離に位置決めすることが望ましい場合がある。しかしながら実際は、リソグラフィ装置ＬＡ内に他のコンポーネントが存在するので、ペリクルを収容するために利用可能な空間は限られている。一部の実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、より好ましくは２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。

[00082] ペリクルをペリクルフレームに取り付け、このペリクルフレームをパターニングデバイスに取り付けることによって、マスクアセンブリがリソグラフィ装置での使用のために用意されることがある。パターニングデバイスＭＡと、パターニングデバイスに隣接してペリクルフレームにより支持されたペリクルとを備えたマスクアセンブリが、リソグラフィ装置ＬＡから遠隔で用意されることがあり、このマスクアセンブリをリソグラフィ装置ＬＡで使用するためにリソグラフィ装置ＬＡへ搬送することがある。例えば、パターニングデバイスにパターンを付与する場所に、マスクアセンブリを形成するために、ペリクルを支持しているペリクルフレームがパターニングデバイスに取り付けられることがある。次いでマスクアセンブリは、リソグラフィ装置ＬＡが位置している別の場所へ搬送されることがあり、マスクアセンブリは、リソグラフィ装置ＬＡで使用するためにリソグラフィ装置ＬＡに提供されることがある。

[00083] ペリクルフレームによってペリクルが所定位置に保持されているマスクアセンブリは壊れやすい場合があり、マスクアセンブリの搬送はペリクルの損傷のリスクを冒すことがある。また、リソグラフィ装置ＬＡとは別の環境でマスクアセンブリを組み立てることによって、マスクアセンブリが様々な圧力条件にさらされることがある。例えばマスクアセンブリは、周囲圧力条件下でリソグラフィ装置に搬送されることがある。次いでマスクアセンブリは、真空圧力条件に排気されているロードロックを介してリソグラフィ装置ＬＡ内にロードされることがある。マスクアセンブリがさらされる圧力条件の変化は、ペリクルに圧力差を発生させることがあり、これによってペリクルがたわみ、ペリクルの損傷のリスクを冒すことがある。ある実施形態では、リソグラフィシステムは、ペリクルフレーム取付装置に接続されたリソグラフィ装置ＬＡを含むことがある。この場合、マスク及びペリクルを備えたマスクアセンブリは、制御された環境（例えば真空環境）にとどまったままペリクルフレーム取付装置からリソグラフィ装置へ直接移送されることがある。

[00084] マスクアセンブリの製造は複雑なプロセスであるため、マスクアセンブリを製造するコストは非常に高い。本発明の実施形態は、マスクアセンブリ及びその製造の複雑性を大幅に低減させる新規のペリクルフレームに関する。そしてこれによって約１０倍のコスト低減がもたらされる。また、マスクアセンブリ及びその製造の複雑性が大幅に低減することによって、コンポーネントの数、マスクアセンブリを製造するプロセスにおける取扱ステップの数が少なくなり、更にこれらの取扱ステップは関係性が薄くなることがある。結果として、最終マスクアセンブリ上に粒子やデブリが存在するリスクが軽減する。これはかかる粒子が結像誤差や欠陥をもたらす可能性があることから有益である。新規のペリクルフレーム（並びに新規のペリクルフレームを使用したペリクルアセンブリ及びマスクアセンブリ）の利点をより良く理解するために、これより図２～４を参照して説明される既存の既知の構成及び製造プロセスをまずは検討することが有用である。

[00085] 図２は、既知のタイプのマスクアセンブリ１５’を組み立てるとともにこのマスクアセンブリをリソグラフィ装置ＬＡに移送するのに適した既知の装置の模式図である。図２は、既知のペリクルフレーム１７’にペリクル１９を取り付けるのに使用され得るペリクル取付装置８５５と、ペリクルアセンブリ１６’を搬送するのに使用され得るペリクルアセンブリ搬送デバイス８８１とを示す。更に、パターニングデバイスＭＡにスタッド５１を取り付けるのに使用され得るスタッド取付装置８４０が示されている。スタッド５１によって、ペリクルフレーム１７’（及びこれにより支持されたペリクル１９）のパターニングデバイスＭＡへの解放可能な取り付けが可能になる。スタッドが取り付けられたマスクを搬送するのに使用され得るマスク搬送デバイス８８０も図示されている。パターニングデバイスＭＡにペリクルフレーム１７’（及びペリクル１９）を取り付けることによってマスクアセンブリ１５’を形成するのに使用され得るペリクルフレーム取付装置８５７も図示されている。ペリクルフレーム取付装置８５７からリソグラフィ装置ＬＡにマスクアセンブリ１５’を搬送するのに使用され得るマスクアセンブリ搬送デバイス８５３も示されている。

[00086] ペリクル取付装置８５５は、リソグラフィ装置が位置する場所とは異なる場所に位置することがある。スタッド取付装置８４０は、リソグラフィ装置ＬＡが位置する場所とは異なる場所に位置することがある。代替的に、ペリクル取付装置８５５及びスタッド取付装置８４０の一方又は両方が、リソグラフィ装置ＬＡが位置する（例えばリソグラフィ製造工場内の）場所と同一の場所に位置することがある。

[00087] ペリクル取付装置８５５は、ペリクル１９、既知のペリクルフレーム１７’及び係合機構（図示せず）を収容する。ペリクル１９及び既知のペリクルフレーム１７’は、手動でペリクル取付装置８５５内に置かれることがある。既知のペリクルフレーム１７’の係合機構収容開口（例えば、図３及び４を参照して以下で更に説明される位置）に糊が分注される。糊の分注は手動であるか、又は自動化される（若しくは部分的に自動化される）場合がある。

[00088] 係合機構及び既知のペリクルフレーム１７’は、（例えば光学アライメント装置を用いて）相互に位置合わせされ、次いで係合機構は既知のペリクルフレーム１７’の開口に挿入される。

[00089] 既知のペリクルフレーム１７’上（例えば既知のペリクルフレーム１７’の周囲の間隔をあけた位置）にも糊が分注される。糊の分注は手動であるか、又は自動化される（又は部分的に自動化される）場合がある。光学アライメントシステムを使用して既知のペリクルフレーム１７’に対してペリクル１９を位置合わせし、次いでペリクルを既知のペリクルフレーム１７’に押し付ける。

[00090] ペリクル１９は、ペリクル取付装置８５５の一部を構成するペリクル操作部によって操作されることがある。ペリクル操作部は、ペリクル１９に張力を加えるための手段を備えることがある。ペリクル操作部は、糊が硬化するのに十分な期間に室温でペリクル１９に張力を加え、ペリクル１９を既知のペリクルフレーム１７’に押し付けることによって、ペリクル１９を既知のペリクルフレーム１７’に固定することがある。その後、ペリクル１９に対する圧力を除去する。次いで、硬化オーブン（ペリクル取付装置８５５の一部を構成し得る）を使用して、高温での糊の更なる硬化を実行する。これによって、既知のペリクルフレーム１７’に係合機構を取り付ける糊も硬化することになる。代替的なアプローチでは、ペリクル１９を既知のペリクルフレーム１７’に押し付けている時に、（室温で硬化を進行させずに）多少の熱を加えて糊を硬化させることがある。

[00091] 糊は、糊ディスペンサによって提供されることがある。糊ディスペンサはペリクル取付装置８５５の一部を構成することがある。

[00092] 結果として得られる既知のペリクルアセンブリ１６’は、粒子検査ツールを使用して検査される。粒子検査ツールは、ペリクル取付装置８５５の一部を構成することがある（又は別個のツールである場合がある）。粒子検査ツールは、ペリクル１９及び／又は既知のペリクルフレーム１７’上に配置された粒子を検査するように構成されることがある。粒子検査ツールは、例えば所与の粒子閾値よりも多くの数の粒子を有する既知のペリクルアセンブリ１６’を却下することがある。また、粒子検査ツールを使用して、ペリクル及びペリクルフレームが糊で接合される前にペリクル１９及び／又は既知のペリクルフレーム１７’を検査することがある。

[00093] ペリクル取付装置８５５は、検査の後、既知のペリクルアセンブリ１６’をペリクルアセンブリ搬送デバイス８８１（密閉ボックス）内に密閉するように構成されることがある。図示されるように、ペリクルアセンブリ搬送デバイス８８１は、ペリクル１９が既知のペリクルフレーム１７’の下になる向きでペリクルアセンブリを保持するように構成されることがある。搬送デバイス８８１は密閉されているので、既知のペリクルアセンブリ１６’が汚染されることなく既知のペリクルアセンブリを搬送することができる。既知のペリクルアセンブリ１６’は搬送デバイス８８１でペリクルフレーム取付装置８５７に搬送されることがある。

[00094] ペリクル取付装置８５５は、密閉環境内部の粒子の数を減らすためにクリーンな環境を備え、これによってペリクル１９に付着され得る粒子の数が減ることがある。ペリクル取付装置８５５は、例えばペリクルが製造される場所に位置することがある。ペリクル１９は、ペリクル１９が製造されるペリクル製造ツール（図示せず）から直接ペリクル取付装置８５５に提供されることがある。ペリクル１９は、例えばペリクル１９をクリーンな環境の内部に保持しながら、ペリクル製造ツールからペリクル取付装置８５５に提供されることがある。これによって、ペリクル取付装置８５５に提供される前にペリクル１９が汚染されたり損傷したりする可能性が低下することがある。クリーンな環境は、例えば密閉環境である（すなわち、外部環境から完全に隔離されている）場合がある。密閉環境は、密閉環境内に真空を維持するために排気されることがある。

[00095] ペリクル１９の既知のペリクルフレーム１７’への取り付けは、ペリクル１９において望ましい張力を達成するように制御されることがある。例えば、ペリクル１９における張力は、ペリクル１９の既知のペリクルフレーム１７’への取り付け中又は取り付け後に測定されることがあり、張力はペリクル１９において望ましい張力を達成するために、この測定に応じて調整されることがある。ペリクル１９における張力は、例えばペリクル１９を伸ばすように既知のペリクルフレーム１７’のコンポーネントに外側への力を加えることによって維持されることがある。ペリクル１９における張力は、例えばペリクルフレームとペリクルとの熱膨張係数の差を用いることによって維持されることがある。

[00096] パターニングデバイス（マスクと呼ばれることがある）ＭＡは、（例えば図３及び４を参照して以下で更に説明される）係合機構によって受け入れられる突出体を備えることがある。パターニングデバイスは、例えば４つの突出体（本明細書ではスタッドと呼ばれる）を受け入れることがある。図２に示されているように、スタッド取付装置８４０は、パターニングデバイスＭＡにスタッド５１を取り付けるのに使用されることがある。

[00097] スタッド５１及びパターニングデバイスＭＡは、手動でスタッド取付装置８４０内に配置されることがある。パターニングデバイスＭＡは、スタッド取付装置８４０の残りの部分から分離されている制御された環境８４１内に保持されることがある。この分離は、パターニングデバイスＭＡに接触するためにスタッド５１が突出し得る開口を備えたパーティション８４２によって行われることがある。制御された環境８４１は、（例えば、制御された環境の出口を介してガスを送出することによって）スタッド取付装置８４０の他の部品よりも高い圧力に保持されることがある。これによって、スタッド取付装置の他の部品から制御された環境８４１内への汚染粒子の侵入が抑制又は防止されることになる。

[00098] スタッド取付装置８４０は、スタッドを正確に配置するためのロボット又はアクチュエータなどのスタッド操作部（図示せず）を備えることがある。パターニングデバイス上にスタッドを配置するのに適したアクチュエータの例は、ローレンツアクチュエータ（図示せず）である。また、スタッド取付装置８４０は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられるスタッド表面に所与の量の糊又は接着剤を自動的に提供するためのデバイスを備えることがある。糊又は接着剤の塗布は手動で行われることもある。パーティション８４２上方の制御された環境８４１からパーティション下方への空気流によって、糊又は接着剤からの汚染物質によるパターニングデバイスＭＡの汚染が防止又は低減される（この空気流は、パーティション上方の圧力がパーティション下方の圧力より高いことによって生じる）。

[00099] スタッド取付装置８４０は更に、スタッドを正確に位置決めするためにレチクル上に存在するアライメントマーカに対してスタッドを位置合わせする光学アライメントシステムを備えることがある。例えば、従来からパターニングデバイスＭＡ上に設けられパターンアライメントに使用されていたアライメントマーカは、スタッドの位置合わせのために使用されることもある。

[000100] スタッド取付装置は、パターニングデバイスＭＡの位置を調整するためにＸ－Ｙ－Ｚ及びＲｚ方向に移動可能な支持構造を備えることがある。パターニングデバイスＭＡを保持する支持構造の位置は、手動で粗動及び微動機械調整デバイスによって、又は自動化（又は半自動化）アクチュエータ若しくはパターニングデバイステーブルに結合されているアライメント及び位置決めに適した他の任意のタイプのデバイスを使用して調整可能である場合がある。

[000101] スタッド５１とパターニングデバイスＭＡが位置合わせされると、スタッド５１はパターニングデバイスＭＡに押し付けられる。糊が硬化するのに十分な期間、室温でスタッド５１がパターニングデバイスＭＡに押し付けられることによって、スタッド５１をマスクＭＡに固定することがある。代替的に、スタッド５１は糊の硬化を加速するために加熱されることがある。次いで高温での糊の更なる硬化が、硬化オーブン（スタッド取付装置８４０の一部を構成し得る）を使用して実行されることがある。

[000102] 糊は糊ディスペンサによって提供されることがある。糊ディスペンサはスタッド取付装置８４０の一部を構成することがある。

[000103] パターニングデバイスＭＡ及びスタッド５１は、粒子検査ツール（スタッド取付装置８４０の一部を構成し得る）を使用して検査されることがある。

[000104] スタッド取付装置８４０は、パターニングデバイスＭＡ及びスタッド５１をマスク搬送デバイス８８０（密閉ボックス）内に密閉する。マスク搬送デバイス８８０は密閉されているので、パターニングデバイスＭＡ及びスタッド５１はマスクＭＡが汚染されることなく搬送される可能性がある。パターニングデバイスＭＡ及びスタッドは、マスク搬送デバイス８８０でペリクルフレーム取付装置８５７に搬送されることがある。

[000105] マスクＭＡは、（汚染のリスクを軽減するために）密閉ボックスでスタッド取付装置８４０に提供されることがある。このボックスは、スタッド５１がパターニングデバイスＭＡに取り付けられる直前まで密閉されたままであり、これによって汚染がマスクＭＡに移動し得る時間が最短に抑えられることがある。

[000106] スタッド取付装置８４０の制御された環境８４１は、一部が後にパターニングデバイスＭＡ搬送デバイス８８０（密閉ボックス）の一部を構成する筐体によって提供されることがある。この筐体はマスク搬送デバイス８８０の壁と屋根を形成することがあり、マスク搬送デバイス８８０の床は、スタッド５１が取り付けられた後（例えば直後）に嵌められるプレートによって形成される。筐体をこのように使用することは、汚染がパターニングデバイスＭＡに侵入することを防ぐのを助けることがある。筐体は、ポッドのカバーを備えることがある。スタッド取付装置８４０のマスクテーブルは、筐体を収容するように構成されることがある。

[000107] 同様に、ペリクル取付装置８５５は、一部が後にペリクルアセンブリ搬送デバイス８８１の一部を構成する筐体によって形成されることもある。

[000108] ペリクルアセンブリ搬送デバイス８８１内の既知のペリクルアセンブリ１６’、及びマスク搬送デバイス８８０内のパターニングデバイスＭＡ（及びスタッド５１）は、どちらもペリクルフレーム取付装置８５７に搬送される。ペリクルフレーム取付装置８５７は、１つ以上のリソグラフィ装置も提供される製造工場内に提供されることがある。

[000109] ペリクルフレーム取付装置８５７は、マスクアセンブリ１５を形成するために、パターニングデバイスＭＡ上のスタッド５１に既知のペリクルアセンブリ１６’の既知のペリクルフレーム１７’を取り付けるよう構成されている。ペリクルフレーム取付装置８５７は、ペリクルフレーム取付装置８５７の残りの部分から分離されている制御された環境８６０を備えることがある。この分離は、開口を備えたパーティション８６２によって行われることがあり、操作部がこの開口を通って延びる（図２には示されていない）。操作部は、（以下で更に説明される）制御システム８７０によって操作されることがある。制御された環境８６０は、制御された環境内部の粒子数を減らすためにクリーンな環境として維持され、これによって既知のマスクアセンブリ１５’上に付着され得る粒子の数を減らすことがある。制御された環境８６０は、（例えば、制御された環境８６０の出口を介してガスを送出することによって）ペリクルフレーム取付装置８５７の他の部品よりも高い圧力に維持されることがある。これによって、ペリクルフレーム取付装置８５７の他の部品からの制御された環境８６０への汚染粒子の侵入が抑制又は防止されることになる。

[000110] ペリクルフレーム取付装置８５７により組み立てられる既知のマスクアセンブリ１５’は、マスクアセンブリ搬送デバイス８５３でペリクルフレーム取付装置８５７からリソグラフィ装置ＬＡに搬送される。マスクアセンブリ搬送デバイス８５３は、既知のマスクアセンブリ１５’が搬送される密閉されたクリーンな環境を備えることがある。これによって、既知のマスクアセンブリ１５’の搬送中に既知のマスクアセンブリ１５’が汚染又は損傷される可能性が低下する。密閉されたクリーンな環境は、例えば真空に排気されることがある。

[000111] ペリクルフレーム取付装置８５７を使用して既知のペリクルアセンブリ１６’をパターニングデバイスＭＡに取り付ける。ペリクルフレーム取付装置８５７は、ペリクルフレーム１７の係合機構を操作するように配置された操作部を備える（以下で更に説明される）。

[000112] パターニングデバイスＭＡには、例えばアライメントマークが設けられることがある。既知のペリクルフレーム１７’は、パターニングデバイスＭＡ上のアライメントマークに対して位置決めされることがある。パターニングデバイスＭＡ上のアライメントマークに対してペリクルフレーム１７を位置合わせすることは、有利なことに既知のペリクルフレーム１７’のパターニングデバイスＭＡへの取り付け中に既知のペリクルフレーム１７’がパターニングデバイスＭＡ上に位置決めされる精度を向上させることがある。

[000113] ペリクルフレーム取付装置８５７は粒子検査ツール（図示せず）を備えることがある。粒子検査ツールは、既知のマスクアセンブリ１５’上に配置された粒子について既知のマスクアセンブリ１５’を検査するように構成されることがある。粒子検査ツールは、例えば所与の粒子閾値よりも多くの数の粒子が配置された既知のマスクアセンブリ１５’を却下することがある。

[000114] ペリクルフレーム取付装置８５７は、パターニングデバイスＭＡ上のパターンを欠陥があるかどうか検査するパターン検査システムを備えることがある。パターン検査システムは、既知のペリクルフレーム１７’がパターニングデバイスＭＡに取り付けられる前及び／又は取り付けられた後にパターニングデバイスＭＡ上のパターンを検査することがある。

[000115] リソグラフィ装置ＬＡは、マスクアセンブリ搬送デバイス８５３から既知のマスクアセンブリ１５’を受け取り、既知のマスクアセンブリ１５’をリソグラフィ装置ＬＡの支持構造ＭＴにロードするように構成されているコンポーネントを備えることがある。

[000116] 既知のペリクルアセンブリ１６’は、ペリクルフレーム取付装置８５７内の真空条件下で既知のマスクアセンブリ１５’を形成するためにパターニングデバイスＭＡに取り付けられることがある。既知のマスクアセンブリ１５’は、この後マスクアセンブリ搬送デバイス８５３によって真空条件下でリソグラフィ装置ＬＡに搬送されることがあり、リソグラフィ装置ＬＡ内に真空条件下で保持されることがある。したがって、既知のマスクアセンブリ１５’は、ペリクルフレーム取付装置８５７内での組立及びリソグラフィ装置ＬＡ内での使用の期間中ずっとほぼ同一の圧力条件にさらされることがある。これには、既知のマスクアセンブリ１５’がさらされる圧力変化を軽減し、ひいてはペリクル１９において生じ得る圧力差を低減させるという利点がある。

[000117] パターニングデバイスＭＡ及び／又はペリクル１９は、コンポーネントを真空内に保持しながら、ペリクルフレーム取付装置８５７内の粒子及び／又は欠陥について検査されることがある。したがって、パターニングデバイスＭＡ及び／又はペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡでの使用中にさらされるのと同様の圧力条件下で検査されるという利点がある。これは、真空条件にポンピングダウンしている間にパターニングデバイスＭＡ及び／又はペリクルに付着され得る粒子がペリクルフレーム取付装置８５７で検出されることがあるため有利である。

[000118] 図２に示されている様々な操作中に、パターニングデバイスＭＡのパターン付与された側が下方を向いていることに留意されたい。パターニングデバイスＭＡのパターン付与された側を下向きに保つことは、パターンに汚染粒子が入射する可能性を低減するので有利である。より大きい汚染粒子は重力によって下方へ落下する傾向があるため、マスクの反対側に入射することになる。より小さい汚染粒子は、重力の影響は小さいが、代わりに他の輸送物理の影響を受けることがある。本装置は、これに対処することを目的としたデバイスを備えることがある。例えば、装置は静電荷を除去するイオン化装置を備え、これによって静電気が粒子をペリクルに付着させるリスクが軽減することがある。

[000119] 既知のペリクルアセンブリ１６’は図３に示されており、この既知のペリクルアセンブリ１６’を備えた既知のマスクアセンブリは図４に示されている。

[000120] 図３に示された既知のペリクルアセンブリ１６’は、ペリクル１９及び既知のペリクルフレーム１７’を備える。ペリクル１９は縁部１９ａ及び膜１９ｂを含む。縁部１９ａは中空で概ね矩形であり膜１９ｂを取り囲んでおり、膜１９ｂは縁部１９ａによって境界が定められている。縁部１９ａはシリコンから形成されることがある。

[000121] 既知のペリクルフレーム１７’は、中空の概ね矩形の本体であって、既知のペリクルフレーム１７’の主平面において概ね矩形の本体から延在する４つの突出体２０ａ～２０ｄが設けられた本体を含む。４つの突出体２０ａ～２０ｄは概ね台形である。突出体の２つ２０ａ～２０ｂは概ね矩形の本体の一方の側から突出し、突出体の他の２つ２０ｃ～２０ｄは概ね矩形の本体の反対側から突出する。概ね矩形の本体及び４つの突出体２０ａ～２０ｄは一体形成され、シリコンから形成される。

[000122] 既知のペリクルフレーム１７’は、４つの係合機構２２ａ～２２ｄが設けられている。４つの突出体２０ａ～２０ｄのそれぞれは係合機構２２ａ～２２ｄの１つを受け入れる凹部を画定する。

[000123] 各係合機構２２ａ～２２ｄは、（図４にかなり模式的に示されている）パターニングデバイスＭＡから延在する突出体２４（例えばスタッド５１と呼ばれることがある）と係合するように構成されている。

[000124] ペリクル１９は既知のペリクルフレーム１７’に取り付けられている。具体的にはペリクル１９の縁部１９ａが既知のペリクルフレーム１７’の概ね矩形の本体に取り付けられている。ペリクル１９の縁部１９ａは、例えば既知のペリクルフレーム１７’に糊付けされることがある。

[000125] 係合機構２２ａ～２２ｄが受け入れる突出体５１は、パターニングデバイスＭＡの前面に位置している。

[000126] 図３は、ペリクルフレーム１７に固定された４つの係合機構２２ａ～２２ｄを示している。４つの係合機構２２ａ～２２ｄは、全てｙ方向の動きを介して係合機構２２ａ～２２ｄと突出体５１（図示せず）との係合を達成できるように構成されている。

[000127] 各係合機構２２ａ～２２ｄは、ペリクルフレーム１７の突出体２０ａ～２０ｂの１つにより画定された凹部に固定（例えば糊付け）されている概ね正方形の外側部２４を備える。各係合機構２２０ａ～２２ｄは、フランジ２６（タブ２６と呼ばれることがある）を備えた外側部２４に設けられ、係合機構２２ａ～２２ｄと既知のペリクルフレーム１７’との係合及び位置合わせを促進する。また、各係合機構２２ａ～２２ｄは、パターニングデバイスＭＡ上の突出体５１と係合する概ね正方形の内側部２８（外側部２４の内側にある）を備える。内側部２８は、２つのアーム３０を介して外側部２４に接続され、外側部２４によって支持される。これらの２つのアーム３０は、ｘ方向又はｙ方向の動き／柔軟性を許容する。２つの係合機構２２ａ、２２ｄはｙ方向の動きを可能にする（すなわち、ｙ方向の柔軟性又はコンプライアンスを提供する）ように構成されている。２つの係合機構２２ｂ、２２ｃはｘ方向の動きを可能にする（すなわち、ｘ方向の柔軟性又はコンプライアンスを提供する）ように構成されている。

[000128] 本明細書では詳しく説明されないが、各係合機構２２ａ～２２ｄの内側部２８は、１つの突出体５１の先端の挿入を可能にする作動力によって係合機構２２ａ～２２ｄの主平面外にたわみ可能な係合アーム３２を備える。突出体５１が定位置にくると、作動力が取り除かれ、突出体５１は係合機構２２ａ～２２ｄ内に拘束されたままとなる。これはいくつかの独立可動アームを備えるペリクルフレーム取付装置８５７内に操作部が設けられることを要求する。一般に、各係合機構２２ａ～２２ｄについて、係合機構２２ａ～２２ｄを留めるのに少なくとも２つのアームが必要とされる一方、作動力を係合アーム３２に印加するのに少なくとも第３のアームが必要とされる。クリーンな環境で動作し得るこのような４つのアクチュエータ（各係合機構２２ａ～２２ｄに１つ）を設けることは非常に困難である。

[000129] 図４は、１つの係合機構２２ａをパターニングデバイスＭＡから突出する突出体５１とともに断面で示している。スタッドと呼ばれることがある突出体５１は、例えばパターニングデバイスＭＡに糊付けされることがあるか、又は他の結合手段（光接触、磁気又はファンデルワールス力など）によって取り付けられることがある。突出体５１はチタンを含む材料から形成されている。

[000130] 図５は、上記の既知のマスクアセンブリ１５’の一部分の別の断面図である。図５に示す断面は、ｙ方向に垂直（すなわち、図４の平面に垂直）で係合機構の１つ２２ａ及び関連するスタッド５１を通る平面内にある。スタッド５１は糊を使用してパターニングデバイスＭＡに固定されている。

[000131] 図６は、本発明のある実施形態に係る新規のペリクルフレーム１７の斜視図である。

[000132] ペリクルフレーム１７は、第１の部分４０、４つの第２の部分４２及び４つのばね部４４を備える。第１の部分４０、４つの第２の部分４２及び４つのばね部４４は全てが一体形成され、第１の材料と呼ばれることがある同一の材料から形成される。この実施形態では、第１の部分４０、４つの第２の部分４２及び４つのばね部４４は、全てがチタンを含む材料（例えばチタン合金）から形成されている。具体的には第１の部分４０、４つの第２の部分４２及び４つのばね部４４は、全てがチタン（グレード５）から形成されている。チタングレード５はＴｉ６Ａｌ４Ｖ、Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ又はＴｉ６－４と呼ばれることもある。チタングレード５は、６％のアルミニウム（Ａｌ）、４％のバナジウム（Ｖ）並びに微量の鉄及び酸素を含み、残りの部分はチタンを含む。

[000133] 以下で更に説明されるように、第１の部分はペリクル１９の縁１９ａに接続するためのものである。第１の部分４０は中空の概ね矩形の本体を含む。

[000134] 以下で更に説明されるように、４つの第２の部分４２はパターニングデバイスＭＡに接続するためのものである。

[000135] 第２の部分４２のそれぞれは、第１の部分４０にばね部４４によって接続されている。４つの第２の部分４２のそれぞれは、第１の部分４０のコーナーに近接している。第２の部分４２のうち２つは、第１の部分４０の中空の概ね矩形の部材の一方の側４６に設けられている。第２の部分４２のうち他の２つは、第１の部分４０の中空の概ね矩形の部材の反対側４８に設けられている。

[000136] 複数の第２の部分４２のそれぞれは概ね立方体状の本体を含む。ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）において、第２の部分４２のそれぞれは矩形である。したがって、第２の部分４２のそれぞれは、（以下で更に考察されるように）パターニングデバイスＭＡの表面に固着され得る概ね矩形の表面を提供する。

[000137] ばね部４４のそれぞれは、これより説明するように、移動方向に第１の部分に接続するように第１の部分４０と第２の部分４２との相対移動を可能にするように構成されている。

[000138] ばね部４４のそれぞれは概ね立方体状の本体を含む。ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）において、ばね部４４のそれぞれは第１の部分４０から第２の部分４２の１つに接続方向に延在する。各ばね部４４は、ペリクルフレーム１７の主平面内にあり、接続方向に対して垂直な移動方向５０、５２により小さい寸法を有する。各ばね部４４の移動方向は図６に矢印５０、５２で示されている。なお、一般に各ばね部４４は異なる移動方向５０、５２を有することがある。この実施形態では、対角線上に対向したばね部４４の各対は、２つのばね部４４が第１の移動方向５０を有し、２つのばね部４４が第２の移動方向５２を有するように同じ移動方向５０、５２を有する。ばね部４４のそれぞれは概ね立方体状の本体を含んでいるが、この本体の移動方向５０、５２の寸法は他の２つの寸法より大幅に小さい。具体的には、ばね部４４は、ばね部４４が第２の部分４２と第１の部分４０との移動方向５０、５２への相対移動を可能にするような寸法である。これを達成するのに適した寸法が一般に第１の材料（この例ではチタン合金）の弾性特性に依存することになることが理解されるであろう。一実施形態では、ばね部４４は次のおおよその寸法を有することがある。幅０．２ｍｍ、長さ５．５ｍｍ及び高さ１．４ｍｍ。

[000139] 各ばね部４４は、接続方向に第１の部分４０から第２の部分４２の１つまで延在する、（第１の部分４０及び第２の部分４２が形成されている）第１の材料の比較的薄い部分である。使用時、ばね部４４により与えられる動き及び柔軟性は、第２の部分４２が接続されているパターニングデバイスＭＡに対するペリクルフレーム１７（及び取り付けられたペリクル１９）のたわみを可能にする。これはパターニングデバイスＭＡ、ペリクルフレーム１７及びペリクル１９の示差熱膨張を調整することができる。これは、損傷を与えかねないペリクルフレーム１７に生じる（ペリクル１９を損傷させ得る）熱応力及びパターニングデバイスＭＡに生じる（ウェーハＷに結像されるパターンを歪め得る）熱応力を低下させるため有利である。また、ペリクル１９をパターニングデバイスＭＡに接続する接着剤（すなわち、ペリクルフレーム１７の第１の部分４０とペリクル１９との間の接着層、及びペリクルフレーム１７の第２の部分４２のそれぞれとパターニングデバイスＭＡとの間の接着層）の負荷を軽減する。

[000140] 更に、ペリクル１９とペリクルフレーム１７とが形成されている材料が異なるため、ペリクル１９とペリク
ルフレーム１７とに示差熱膨張が生じることがあり、これらのコンポーネントが形成するペリクルアセンブリ１６に歪みがもたらされることがある。ばね部４４により与えられる動き及び柔軟性はまた、パターニングデバイスＭＡ、又はペリクル１９をパターニングデバイスＭＡに接続する接着剤に負荷をかけることなく（あるいはかかる負荷を少なくとも軽減して）かかる歪みを調整する。

[000141] ペリクルフレーム１７の主平面に対して垂直な方向のばね部４４の寸法は、好ましくは第１の部分４０と第２の部分４２とのペリクルフレームの平面外（すなわち図６のｚ方向）の相対移動を妨げる、又は少なくとも大幅に減らすように十分大きい。

[000142] 各第２の部分４２と各第２の部分４２が接続されているばね部４４とは、第１の部分４０から片持ち支持されるシステムを形成すると見なされることがある。同様に、ばね部４４と第１の部分４０とは、上記ばね部４４に接続された第２の部分４２から片持ち支持されるシステムを形成すると見なされることがある。

[000143] ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）では、第２の部分４２の寸法は第１の部分の厚さと同等程度、例えば約５ｍｍである場合がある。ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）では、ばね部４４は第２の部分４２の寸法及び第１の部分の厚さと同等程度、例えば約５ｍｍの長さを有することがある。一実施形態では、ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）では、第２の部分４２の寸法は４．５ｍｍ×４．５ｍｍであり、第１の部分の厚さは約３．８５ｍｍであり、ばね部４４の長さは約５．５ｍｍである。

[000144] ペリクルフレーム１７の主平面（図６のｘｙ平面）では、ばね部４４は、その長さ、第２の部分４２の寸法及び第１の部分の厚さより約２０倍小さい幅を有することがある。

[000145] ペリクルフレーム１７の主平面に対して垂直に、ペリクルフレーム１７の全ての部品の寸法は、おおよそ等しい場合があり、例えば約１．４ｍｍである場合がある。

[000146] ばね部４４のそれぞれは、その移動方向５０、５２が概ね第１の部分４０の中心５４を指すように構成されている。これをより良く図示するために、図６には複数の直線が示されている。それぞれが第１の部分４０の対角線上に対向したコーナー間に延びる２本の破線が示されている。これら２本の破線の交点は第１の部分４０の中心５４である。各第２の部分４２の中心点から第１の部分４０の中心５４への直線も示されている。各ばね部４４の移動方向５０、５２が概ね第１の部分４０の中心５４を指すことが分かる。これは、（ペリクルフレーム１７の平面における第１の部分４０から第２の部分４２への）その接続方向が上記第２の部分４２の中心点から第１の部分４０の中心５４への直線に対して垂直となるように各ばね部４４を配向することによって達成される。これは、各ばね部４４が、４つの第２の部分４２（すなわち、パターニングデバイスＭＡに接続する４つの位置）のそれぞれの近くにあるペリクルフレーム１７及びペリクルが第１の部分４０の幾何学中心５４（したがって、ペリクルアセンブリの幾何学中心）を通る方向に移動することを可能にすることを意味するため有利である。これによってペリクルフレーム１７（及びペリクルアセンブリ）は、パターニングデバイスＭＡに対して回転することなく全ての方向に等しく膨張することが可能になり、有益である。したがって、かかる構成によれば、ペリクルフレーム１７の（パターニングデバイスＭＡの温度に対する）均一加熱がある場合、ペリクルフレーム１７のパターニングデバイスＭＡに対する向き及び中心位置は変わらないことになる。各第２の部分４２の中心点から第１の部分４０の中心５４への直線の交点は、膨張の「起点」と見なされることがあり、これらの線は１つの結合点で交差するため、システムは各方向に等しく膨張することになる。

[000147] ばね部４４のそれぞれは、（ペリクルフレーム１７の平面における第１の部分４０から第２の部分４２への）その接続方向が上記第２の部分４２の中心点を通って延びるようにように構成されている。

[000148] 第２の部分４２のそれぞれは、第１の部分４０の中空の概ね矩形の本体の外側に配置されている。

[000149] ペリクルフレーム１７は、第１の部分４０からの４つの側面突出体５６を更に備える。突出体５６も第１の材料（この例ではチタン合金）から形成されている。突出体５６は第１の部分４０と一体形成されている。各側面突出体５６は、第１の部分４０とともに開口部を画定し、第２の部分４２のそれぞれ（及びその対応するばね部４４）は上記開口部の１つに配置されている。つまり、各側面突出体５６は、第１の部分４０とともに第２の部分４２の１つ（及びその対応するばね部４４）の周りにフレームを形成する。概ね矩形の第１の部分４０からの各突出体５６は、概ね中空の三角形の形をしている。隙間が第２の部分４２と突出体５６及び／又は第１の部分４０との間に設けられる（図７を参照して以下で更に説明される）。この隙間は、各第２の部分４２と第１の部分４０との移動方向５０、５２への制限された移動を可能にする。しかしながら、突出体５６は実質的に硬くなるように十分に大きい寸法を有する。一実施形態では、ペリクルフレーム１７の主平面（すなわち図６のｘｙ平面）において、突出体５６は約１ｍｍの厚さを有することがある。ペリクルフレーム１７の主平面に対して垂直な方向の側面突出体５６の寸法は、ペリクルフレームの他の部品の寸法と実質的に同じ、例えば約１．４ｍｍである場合がある。したがって、突出体５６は、各第２の部分４２と第１の部分４０との移動方向５０、５２への移動の範囲を制限するための物理的ストップの役割を果たす。有利には、このことはばね部４４の故障を防ぐことがある。具体的には突出体５６は、ペリクルフレーム１７の取扱中の（例えばペリクルアセンブリ及びマスクアセンブリの組立中の）かかる障害からばね部４４を保護する点で有益である。

[000150] 新規のペリクルフレーム１７は、第１の部分４０、複数の第２の部分４２及びばね部４４が全て同じ材料、例えばチタン合金から形成されているため有利である。このことはペリクルフレーム１７の製造を大幅に簡素化する。例えばペリクルフレームの全ての部品が一体形成される場合がある。

[000151] これは、ペリクル１９の縁１９ａに接続される第１の部分（既知のペリクルフレーム１７’）が１つの材料（例えばシリコン）から形成され、パターニングデバイスＭＡに接続される複数の第２の部分（係合機構２２ａ～２２ｄ）が別の材料（例えばチタン合金）から形成されている既存の構成（図２～４を参照して以上で説明されている）とは対照的である。かかる既存の構成は、部品を別々に製造した後で（例えばペリクル取付装置８５５において）組み立てなければならないため、製造がかなり複雑である。そして、このことは（新規のペリクルフレーム１７と比べて）かかる既存のペリクルフレームアセンブリ１７’、２２ａ～２２ｄを製造するコストを大幅に増加させる。このことは、図２を参照して以上で説明したように、これらの別々の部品の組立がＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるペリクルフレームに関するかなり厳しい要件の結果として単純でないためなおさらである。

[000152] 第１に、ペリクルフレーム（及び結果として得られるペリクルフレームを含むペリクルアセンブリ）は、使用時に取り付けられるパターニングデバイス（レチクル）を汚染するリスクを軽減するためにクリーンであることが重要である。例えば、ペリクルフレーム上の粒子の数が所望の粒子閾値未満である（好ましくはペリクルフレーム上に粒子が配置されない）ことを確実にすることが望ましい場合がある。これを達成するために、既知のペリクルフレーム１７’の構成部品は組み立てられるまでクリーンな環境に保持されることがある。組立はクリーンな環境で達成されることがある。これらのクリーンな環境は真空条件下で維持されることがある。複数のクリーンな環境（又は大きいサイズのクリーンな環境）を維持することは製造コストを増大させることになる。また、クリーンな環境内での組立は困難である。

[000153] 第２に、使用時にペリクルフレームは、レチクルステージにより支持されることになるレチクルに取り付けられることになる。パターニングデバイスＭＡ及びウェーハＷがＥＵＶ放射ビームで同期的にスキャンされるスキャナと呼ばれるリソグラフィ装置ＬＡでは、レチクルステージＭＴと、これに取り付けられたペリクルフレームとは大幅な加速にさらされることになる。可動マスクアセンブリの全ての部品がこれらの大きい加速にもかかわらず接続されたままとなるように十分良好に接続されることが重要である。このため、一緒に接続される部品の総数を減らすことが好ましい場合がある。新規のペリクルフレーム１７はこれを達成する。

[000154] 上記のペリクルフレーム１７はチタン合金から形成されているが、代替的な実施形態では異なる材料が使用されることがある。一部の実施形態では、材料は１０^－６Ｋ^－１より小さい熱膨張係数（ＣＴＥ）を有することがある。材料は弾性がある場合がある。材料は延性がある場合がある。一部の実施形態では、材料は１００ＧＰａより大きいヤング率を有することがある。一部の実施形態では、材料は１５００ｋｇ／ｍ^３より小さい密度を有することがある。材料は真空環境での使用に適している場合がある。具体的には材料は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の環境での使用に適している場合がある。

[000155] チタン及びチタン合金は、真空環境での使用に適しており、具体的にはＥＵＶリソグラフィ装置内の環境での使用に適している。また、チタン及びその合金は、ばね部４４を提供し、ペリクルフレーム１７が使用中に破損し得るほど脆くないように十分な弾性がある。

[000156] 本発明の一部の実施形態によれば、上記のペリクルフレーム１７及びペリクル１９を備えたペリクルアセンブリ１６が提供されることがある。本発明の一部の実施形態によれば、かかるペリクルアセンブリ１６及びパターニングデバイスを備えたマスクアセンブリ１５が提供されることがある。かかるマスクアセンブリの例を図７を参照してこれより説明する。

[000157] 図７は新規のマスクアセンブリ１５の一部分の模式的断面である。図７に示す断面は、ｙ方向に垂直で第２の部分４２の１つを通る平面内にある。この断面には、図６に示したペリクルフレーム１７の第２の部分４２の１つが見られる。第２の部分４２の一方の側（図７の左側）には、中空の概ね三角形の突出体５６の一部が見られる。第２の部分４２の他方の側（図７の右側）には、中空の概ね三角形の突出体５６の別の部分が、ペリクルフレームの第１の部分４０の一部と一緒に見られる。第１の部分４０及び突出体５６が同じ材料から一体形成されているため、第１の部分４０と突出体５６との間に境界が示されていないことが理解されるであろう。ただし、図７の下方には、どの部分が第１の部分４０に対応し、どの部分が突出体５６に対応するかを示す表示が付されている。

[000158] （図７を参照して以下で更に説明されるように）第２の部分４２と突出体５６及び／又は第１の部分４０との間に隙間が設けられていることが図７によりはっきりと見られる。この隙間は、各第２の部分４２と第１の部分４０との移動方向５０、５２への制限された移動を可能にする。

[000159] マスクアセンブリは、ペリクル１９及びパターニングデバイスＭＡを更に備える。

[000160] ペリクル１９は縁部１９ａ及び膜１９ｂを含む。縁部１９ａは中空で概ね矩形であり、膜１９ｂを取り囲み、膜１９ｂは縁部１９ａによって境界が定められている。ペリクル１９の縁部１９ａは、ペリクルフレーム１７の第１の部分４０に取り付けられている。

[000161] ペリクル１９は、既知のペリクル１９の形をしている場合がある（そしてペリクルについて以上で説明した特徴を有することがある）。当技術分野で知られているように、ペリクル１９は１つ以上の薄い材料の層の概ね矩形のシリコン基板への付着によって形成されることがある。シリコン基板はこのペリクル１９の作製段階の間１つ以上の薄層を支持する。層の所望の又は目標厚さ及び組成が適用されると、シリコン基板の中央部分はエッチングによって除去される（これはバックエッチングと呼ばれることがある）。矩形のシリコン基板の周辺部はエッチングされない（あるいは中央部分よりエッチングの程度が少ない）。この周辺部は最終ペリクルの縁部１９ａを形成する一方、１つ以上の薄層はペリクルの（縁部１９ａにより境界が定められる）膜１９ｂを形成する。

[000162] ペリクル１９の縁部１９ａは、接着剤Ｇによってペリクルフレーム１７の第１の部分４０に取り付けられる。接着剤は、例えばポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤（ＰＭＭＡ接着剤と呼ばれることがある）を含むことがある。代替的に、接着剤はエポキシ接着剤である場合がある。他のタイプの接着剤も可能であることが理解されるであろう。一般に、接着剤の選択は、接着剤からのガス放出がエリアを汚染しないように十分に低く、ＥＵＶ放射での使用に適するように、及び／又はリソグラフィ装置及びその光学系の性能に影響を及ぼさないように行われることがある。

[000163] ペリクル１９及びペリクルフレーム１７は、一体となってペリクルアセンブリ１６を構成すると見なされることがある。

[000164] 縁部１９ａはシリコンから形成されることがある。以上で説明したように、ペリクルフレーム１７は一般的にチタン合金などのより弾性的な材料から形成されている。

[000165] ペリクル１９は、一般により硬質のペリクルフレーム１７からのサポートを必要とする。ペリクルフレームは次の２つの機能を提供する。（ａ）ペリクル１９を支持し、更にペリクル膜１９ｂをぴんと張ること、及び（ｂ）ペリクル１９のパターニングデバイスＭＡとの接続を促進すること。ペリクル１９及びレチクルＭＡの異なる熱膨張をこれらのコンポーネントが使用時に経験する動作温度の範囲にわたって可能にする柔軟性を提供するために、十分に弾性がありＥＵＶリソグラフィ装置内の条件での使用に適した材料をパターニングデバイスとの接続のために選択することが望ましい。１つの適切な材料はチタンを含む。ペリクルフレームの主要な中空矩形部は既知のアセンブリでは一般に縁部に付着されるため、このペリクルフレームの主要な中空矩形部は、熱的特性がペリクルの縁部の熱的特性と概ね一致する材料から形成されている。例えば一般にシリコンが使用される。したがって、既知のペリクルフレーム１７’は、ペリクル１９に糊付けされているシリコン本体及びこの本体１７’の側部に糊付けされている４つのチタン取付機構２２ａ～２２ｄを備える。

[000166] シリコンとチタンの熱的特性が非常に異なる（チタンはシリコンの約４倍の熱膨張係数を有する）ため、ペリクルフレームの本体にシリコンと異なる熱的特性を有する材料（例えばチタン又はチタン合金など）を使用することに対して当該技術分野において著しい偏見がある。この理由は、ペリクルアセンブリの温度が変化すると、フレーム及び縁の示差熱膨張がペリクルアセンブリをたわませたり曲げたりすることになるためである。そして、このことはパターニングデバイスＭＡにストレスを与えることがあり、オーバーレイの増加などの結像誤差をもたらすことがある。しかしながら、驚くべきことに本発明者らは、新規のペリクルフレーム１７を使用する場合に、オーバーレイが既知のペリクルフレーム１７’を使用する場合より悪化しないことがわかった。したがって、新規のペリクルフレーム１７は、結像性能に関して妥協することなくより単純で低コストの構成を提供する。

[000167] ペリクルフレーム１７の複数の第２の部分４２は、パターニングデバイスＭＡに取り付けられる。ペリクルフレーム１７の第２の部分４２は、接着剤ＧによってパターニングデバイスＭＡに取り付けられる。

[000168] 接着剤は、ＰＭＭＡ糊と呼ばれることがあるポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤である場合がある。ＰＭＭＡ糊の材料特性、具体的にはＰＭＭＡ糊の弾性及びＰＭＭＡ糊が塗布され得る寸法によって、ＰＭＭＡ糊の硬化に起因したパターニングデバイスＭＡの変形は（他の糊に比べて）比較的小さくなる。ＰＭＭＡ糊は、例えばエポキシ糊より容易に除去可能であり、比較的弾性が大きい。有利には、これによってペリクルアセンブリ１６をより容易に交換することが可能になる場合がある。

[000169] 代替的に、接着剤はエポキシ接着剤である場合がある。

[000170] 繰り返しになるが、他のタイプの接着剤も可能であることが理解されるであろう。一般に、接着剤の選択は、接着剤からのガス放出がエリアを汚染しないように十分に低く、ＥＵＶ放射での使用に適するように、及び／又はリソグラフィ装置及びその光学系の性能に影響を及ぼさないように行われることがある。

[000171] 新規のマスクアセンブリ１５は、これより考察されるように、パターニングデバイスＭＡに固定され、ペリクルアセンブリ１７’と係合する中間固定部材（スタッド５１として知られている）を一般的に使用する既知の構成より特に有利である。

[000172] 新規のマスクアセンブリ１５は、（パターニングデバイスに固定された）スタッド５１などの中間固定部材及び中間固定部材（スタッド５１）と係合する（ペリクルアセンブリ１６’に設けられた）係合機構２２ａ～２２ｄを使用するマスクアセンブリ１５’より少ないコンポーネントを備える。したがって、有利なことに、新規のマスクアセンブリ１５は製造するのが比較的簡単である。コンポーネントの数が少なくなり製造手順が簡単になることで製造コストが低くなることがある。

[000173] このことは、マスクアセンブリ１５の組立がＥＵＶリソグラフィ装置で使用されるマスクアセンブリに関するかなり厳しい要件の結果として単純でないためなおさらである。

[000174] 第１に、マスクアセンブリは、パターニングデバイス（レチクル）を汚染するリスクを軽減するためにクリーンであることが重要である。例えば、マスクアセンブリ上の粒子の数が所望の粒子閾値未満である（好ましくはマスクアセンブリ上に粒子が配置されない）ことを確実にすることが望ましい場合がある。これを達成するために、マスクアセンブリの構成部品は組み立てられるまでクリーンな環境に保持されることがある。組立はクリーンな環境で達成されることがある。これらのクリーンな環境は真空条件下で維持されることがある。複数のクリーンな環境（又は大きいサイズのクリーンな環境）を維持することは製造コストを増大させることになる。また、クリーンな環境内での組立は困難である。

[000175] 第２に、使用時にマスクアセンブリは、レチクルステージによって支持されることになる。パターニングデバイス及びウェーハがＥＵＶ放射ビームで同期的にスキャンされるスキャナと呼ばれるリソグラフィ装置では、レチクルステージと、これに取り付けられたペリクルフレームとが大幅な加速にさらされることになる。可動マスクアセンブリの全ての部品がこれらの大きい加速にもかかわらず接続されたままとなるように十分良好に接続されることが重要である。このため、一緒に接続される部品の総数を減らすことが好ましい場合がある。本発明の第３の態様に係る新規のマスクアセンブリはこれを達成する。

[000176] 図２～４を参照して以上で説明したタイプの既知のマスクアセンブリ１５’を製造するコストと比べて、新規のマスクアセンブリ１５を製造するコストの大幅な削減があると推定される。例えば、既知のマスクアセンブリ１５’を製造するコストは、図７に示すタイプの新規のマスクアセンブリ１５を製造するコストより約１０倍大きい場合がある。

[000177] これにはいくつかの理由がある。第１は、新規のマスクアセンブリ１５が備える部品の数が既知のマスクアセンブリ１５’より少ないことである。いくつかの部品の取付には複数の関連する問題がある。つまり、取付をクリーンな環境で行う必要があり、いくつかの部品をこれらの困難な条件下で正確に位置合わせする必要がある。第２に、既知のマスクアセンブリ１５’の部品の一部は製造コストが非常に高いことである。

[000178] 一部の実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、より好ましくは２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。

[000179] 上記の実施形態では、ペリクルフレーム１７はそれぞれが第１の部分４０にばね部４４により接続された４つの第２の部分４２を備えるが、他の実施形態では、それぞれが第１の部分４０にばね部４４により接続された様々な数の第２の部分４２が設けられることがある。

[000180] ペリクルアセンブリ１６の組立は、ペリクル１９をペリクルフレーム１７に糊付けすることによって達成されることがある。このプロセスは、ペリクル１９を既知のペリクルフレーム１７’に糊付けするための既存のプロセスと共通の１つ以上の特徴を共有することがある。

[000181] ペリクルフレーム１７の第１の部分４０へのペリクル１９の糊付け及び／又はパターニングデバイスへの第２の部分４２の糊付けは、任意の適切な糊ディスペンサを使用して達成されることがある。

[000182] 糊ディスペンサは注射器を備えることがある。注射器は糊の規定量の１種類以上の成分を分注することがある。糊ディスペンサはノズルを備えることがある。例えばノズルは注射器に接続されることがあり、糊の１種類以上の成分はノズルに接続された注射器を使用して提供されることがある。糊は円筒ノズルで塗布されることがある。糊はテーパノズルで塗布されることがある。糊ディスペンサはブラシを備えることがあり、ブラシを使用して糊の１種類以上の成分を塗布することがある。糊ディスペンサはスポンジを備えることがあり、スポンジを使用して糊の１種類以上の成分を塗布することがある。糊ディスペンサは、糊の１種類以上の成分を提供するための印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を備えることがある。糊ディスペンサは、糊の１種類以上の成分をスプレーとして提供するための分注装置を備えることがある（例えばエアロゾル噴霧分注システムが使用されることがある）。糊が任意の既知の方法で提供され得ることが理解されるであろう。

[000183] 糊ディスペンサは、複数の成分（例えば、糊の促進剤及び開始剤）の糊を提供することがある。糊の１つの成分は、糊の別の成分より高い粘度を有することがある。つまり、比較的高い粘度を有する糊の成分（「濃い成分」）及び比較的低い粘度を有する糊の成分（「薄い成分」）がある場合がある。例示的な実施形態では、糊ディスペンサは、注射器及びノズルを使用して糊の濃い成分を分注することがある。例示的な実施形態では、糊ディスペンサは、ブラシ、スポンジ、スクリーン印刷装置、又はエアロゾル噴霧分注システムを使用して糊の薄い成分を分注することがある。

[000184] ペリクル１９をペリクルフレーム１７に取り付けるのに糊を使用することが以上に記載されているが、ペリクルは（糊を使用しないことを含む）任意の適切な接合方式を使用してペリクルフレームに取り付けられることがある。

[000185] ペリクルフレーム１７をパターニングデバイスＭＡに取り付けるのに糊を使用することが以上に記載されているが、ペリクルフレーム１７は（糊を使用しないことを含む）任意の適切な接合方式を使用してパターニングデバイスＭＡに取り付けられることがある。

[000186] 本明細書におけるマスク又はレチクルへの言及は、パターニングデバイスへの言及と解釈されることがあり（マスク又はレチクルはパターニングデバイスの例である）、これらの用語は交換可能に使用されることがある。具体的には、マスクアセンブリという用語は、レチクルアセンブリ及びパターニングデバイスアセンブリと同義である。

[000187] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置において用いられることもある。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）若しくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を構成することがある。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。かかるリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することがある。

[000188] 「ＥＵＶ放射」という用語は、波長が４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内である電磁放射を包含すると考えられることがある。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなど４～１０ｎｍの範囲内の波長を有することがある。

[000189] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。

[000190] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (22)

1. 中空の概ね矩形の本体を含む、ペリクルの縁に接続される第１の部分と、
   パターニングデバイスに接続される複数の第２の部分とを備え、
   前記第１の部分及び複数の前記第２の部分が全て第１の材料から形成されており、
   前記第２の部分のそれぞれが、前記第１の材料から形成されたばね部によって前記第１の部分に接続されているペリクルフレーム。
2. 前記第１の材料がチタンを含む、請求項１のペリクルフレーム。
3. それぞれがばね部により前記第１の部分に接続された４つの第２の部分がある、請求項１又は請求項２のペリクルフレーム。
4. 前記４つの第２の部分のそれぞれが前記第１の部分のコーナーに近接している、請求項３のペリクルフレーム。
5. 前記第２の部分のうち２つが、前記第１の部分の前記中空の概ね矩形の本体の一方の側に設けられており、前記第２の部分のうち別の２つが、前記第１の部分の前記中空の概ね矩形の本体の反対側に設けられている、請求項３又は請求項４のペリクルフレーム。
6. 前記複数の第２の部分のそれぞれが、前記ペリクルフレームの主平面において前記第２の部分のそれぞれが矩形となるように概ね立方体状の本体を含む、請求項１から５のいずれかのペリクルフレーム。
7. 前記ばね部のそれぞれが、前記第１の部分と前記第２の部分との移動方向への相対移動を可能にするように構成されている、請求項１から６のいずれかのペリクルフレーム。
8. 前記ペリクルフレームの平面内に、前記ばね部のそれぞれが、前記第１の部分から前記第２の部分の１つまで接続方向に延在する前記第１の材料の部分を含み、前記ばね部が、前記ペリクルフレームの平面内にあり前記接続方向に対して垂直な移動方向に、前記第２の部分と前記第１の部分との前記移動方向への相対移動を可能にするためにより小さい寸法を有する、請求項１から７のいずれかのペリクルフレーム。
9. 対角線上に対向したばね部の各対が、２つのばね部が第１の移動方向を有し、２つのばね部が第２の移動方向を有するように同じ移動方向を有する、請求項７又は請求項８のペリクルフレーム。
10. 前記ばね部のそれぞれが、その移動方向が概ね前記第１の部分の中心を指すように構成されている、請求項７から９のいずれか一項のペリクルフレーム。
11. 前記ばね部のそれぞれが、その接続方向が接続されている前記第２の部分の中心点を通って延びるように構成されている、請求項８、又は請求項８に従属する場合の請求項９若しくは１０のいずれか一項のペリクルフレーム。
12. 前記中空の概ね矩形の本体からの複数の側面突出体を更に備え、各側面突出体が前記第１の材料から形成されており、各側面突出体及び前記中空の概ね矩形の本体が開口部を画定し、複数の前記第２の部分のそれぞれが前記開口部の１つに配置されている、請求項１から１１のいずれかのペリクルフレーム。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載のペリクルフレームと、
    中空で概ね矩形の縁部、及び前記縁部により境界が定められた膜を備えたペリクルとを備え、
    前記ペリクルの前記縁部が前記ペリクルフレームの前記第１の部分に取り付けられているペリクルアセンブリ。
14. 前記ペリクルの前記縁部が、前記ペリクルフレームが形成されている前記第１の材料と異なる第２の材料から形成されている、請求項１３のペリクルアセンブリ。
15. 前記ペリクルの前記縁部がシリコンから形成されている、請求項１４のペリクルアセンブリ。
16. 前記ペリクルの前記縁部が、接着剤によって前記ペリクルフレームの前記第１の部分に取り付けられている、請求項１３から１５のいずれか一項のペリクルアセンブリ。
17. 前記接着剤がポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤である、請求項１６のペリクルアセンブリ。
18. 前記接着剤がエポキシ接着剤である、請求項１６のペリクルアセンブリ。
19. 請求項１３から１８のいずれか一項に記載のペリクルアセンブリと、
    パターニングデバイスとを備え、
    前記ペリクルフレームの複数の前記第２の部分が前記パターニングデバイスに取り付けられているマスクアセンブリ。
20. 前記ペリクルフレームの複数の前記第２の部分が、接着剤によって前記パターニングデバイスに取り付けられている、請求項１９のペリクルアセンブリ。
21. 前記接着剤がポリ（メチルメタクリレート）ベースの接着剤である、請求項２０のペリクルアセンブリ。
22. 前記接着剤がエポキシ接着剤である、請求項２０のペリクルアセンブリ。

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