TW202147022A - 用於極紫外光(euv)微影之護膜框 - Google Patents

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布恩 羅恩 杰拉爾 卡塔琳娜 迪
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Abstract

一種護膜框包含：一第一部分；及複數個第二部分。該第一部分係用於連接至一護膜之一邊界。該第一部分包含一中空且大體上矩形的本體。該複數個第二部分係用於連接至一圖案化裝置。該第一部分及該複數個第二部分皆由一第一材料形成。該等第二部分中之每一者藉由一彈簧部分連接至該第一部分，該彈簧部分由該第一材料形成。此類護膜框為有利的，此係由於該第一部分、該複數個第二部分及該等彈簧部分皆由相同材料形成。此情形顯著簡化該護膜框之製造。舉例而言，該護膜框之所有零件可一起一體式地形成。

Description

用於極紫外光(EUV)微影之護膜框
本發明係關於一種適合於用於極紫外光(EUV)微影設備內的護膜框。該護膜框可促進護膜至倍縮光罩或遮罩的連接。本發明亦係關於一種包含該護膜框之護膜總成，且係關於一種包含該護膜總成之遮罩總成。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將來自圖案化裝置(例如，遮罩)之圖案投影至設置於基板上之一層輻射敏感材料(光阻劑)上。
由微影設備使用以將圖案投影至基板上之輻射的波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影設備(其可例如使用具有為193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4 nm至20 nm之範圍內的波長之電磁輻射之EUV輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
用於將圖案賦予至微影設備中之輻射射束的圖案化裝置(例如，遮罩)可形成遮罩總成之零件。遮罩總成可包括保護圖案化裝置不受粒子污染之護膜。護膜可由護膜框支撐。
可能需要提供避免或緩和與先前技術相關聯之一或多個問題的設備。
根據本發明之第一態樣，提供一種護膜框，其包含：一第一部分，其用於連接至一護膜之一邊界，該第一部分包含一中空且大體上矩形的本體；及複數個第二部分，其等用於連接至一圖案化裝置；其中該第一部分及該複數個第二部分皆由一第一材料形成；且其中該等第二部分中之每一者藉由一彈簧部分連接至該第一部分，該彈簧部分由該第一材料形成。
根據本發明之第一態樣的護膜框為有利的，此係由於第一部分、複數個第二部分及彈簧部分皆由相同材料，即第一材料形成。此情形顯著簡化該護膜框之製造。舉例而言，護膜框之所有零件可一起一體式地形成。
此情形與現有配置形成對比，藉此用於連接至護膜之邊界的第一部分由一種材料(例如，矽)形成，且用於連接至圖案化裝置的複數個第二零件由另一材料(例如，鈦或鈦合金)形成。此現有配置對於製造商為顯著地更複雜的，此係由於零件必須經分離地製造且接著組裝在一起。又，此情形顯著地增大製造此類現有護膜框的成本(相對於根據本發明之第一態樣的護膜框)。此情形特別為真，此係由於具有此等分離零件之總成根據對用於EUV微影設備中之護膜框的相當嚴格之要求並非直接的。
首先，對於護膜框(及包含護膜框之所得護膜總成)而言清潔為重要的，以便減小污染圖案化裝置(倍縮光罩)的風險，護膜框在使用中將附接至該圖案化裝置。舉例而言，可能需要確保護膜框上粒子的數目低於所要粒子臨限值(較佳地，將無粒子安置於護膜框上)。為達成此情形，護膜框之組件零件可保持於清潔環境中，直至組件零件經組裝。組裝可在清潔環境中達成。此等清潔環境可維持於真空條件下。維持複數個清潔環境(或具有增大大小的清潔環境)將增大製造成本。此外，清潔環境內之組裝為具挑戰性的。
第二，在使用中，護膜框將附接至將藉由倍縮光罩載物台支撐的倍縮光罩。對於被稱作掃描器的微影設備，其中圖案化裝置及晶圓經由EUV輻射射束經同步地掃描，倍縮光罩載物台及附接至的護膜框將經受顯著加速度。重要的是，移動遮罩總成之所有零件經充分良好地連接，使得所有零件保持連接而不管此等大的加速度。出於此原因，可較佳的是減小連接在一起的零件之總數。根據本發明之第一態樣之新的護膜框達成此情形。
應瞭解，每一彈簧部分可包含具有一尺寸的第一材料之一部分，該尺寸小於第一部分及複數個第二部分的尺寸。
在一些實施例中，第一材料可具有＜10*10- 6 K- 1 ，較佳地＜10- 6 K- 1 的熱膨脹係數(CTE)。第一材料可為彈性的。第一材料可為延展性的。在一些實施例中，第一材料可具有大於100 GPa的楊氏模數。在一些實施例中，第一材料可具有小於1000 MPa，較佳小於900 MPa的屈服應力。在一些實施例中，第一材料的密度可小於5000 kg/m3 ，更佳小於1500 kg/m3 。 第一材料性質經選擇諸如以便確保影像區域中400 pm或以下的倍縮光罩變形。第一材料可適合於用於真空環境中。第一材料可適合於用於EUV微影設備內的環境中。
該第一材料可包含鈦。
舉例而言，第一材料可為鈦合金。舉例而言，第一材料可包含5級鈦。5級鈦亦可稱為Ti6Al4V、Ti-6Al-4V或Ti 6-4。5級鈦包含6%的鋁(Al)、4%的釩(V)以及微量鐵及氧；剩餘物包含鈦。
第一材料可包含至少50%的鈦。第一材料可包含至少70%的鈦。第一材料可包含至少85%的鈦。
鈦適合於用於真空環境中，且詳言之鈦適合於用於EUV微影設備內的環境中。此外，鈦為足夠彈性的以提供彈簧部分且確保護膜框並不足夠脆，使得其在使用期間可不斷裂。
可存在四個第二部分，每一第二部分藉由彈簧部分連接至第一部分。
四個第二部分中之每一者可接近於第一部分之拐角。
該等第二部分中之兩者可設置於第一部分之中空且大體上矩形的本體的一側上，且該等第二部分中之另外兩者可設置於該第一部分之該中空且大體上矩形的本體的一相對側上。
複數個第二部分中之每一者可包含大體上立方形本體，使得在護膜框之主平面中，第二部分中之每一者為矩形。
第二部分中之每一者因此提供大體上矩形表面，該大體上矩形表面可黏附至圖案化裝置的表面。
彈簧部分中之每一者可經組態，以便允許第一部分與第二部分之間在移動方向上之某相對移動。
彈簧部分中之每一者可包含大體上立方形本體。彈簧部分之數個尺寸中之一者可顯著小於其他兩個尺寸，使得每一彈簧部分通常為平面的。詳言之，彈簧部分在其移動方向上的尺寸可顯著小於彈簧部分的其他兩個尺寸。
在該護膜框之一平面中，該等彈簧部分中之每一者可包含該第一材料的在一連接方向上自該第一部分延伸至該等第二部分中之一者的一部分，該彈簧部分在一移動方向上具有一較小尺寸，該移動方向係在該護膜框之一平面中且垂直於該連接方向以便允許該第二部分及該第一部分在該移動方向上之某相對移動。
即，每一彈簧部分為第一材料的相對薄的部分，該相對薄的部分在連接方向上自第一部分延伸至第二部分中之一者。
在使用中，藉由彈簧部分提供之移動及可撓性允許護膜框相對於圖案化裝置的撓區，該等第二部分連接至圖案化裝置。此情形可適應圖案化裝置、護膜框及護膜之差分熱膨脹。此情形為有利的，此係因為其減少在護膜框中產生的潛在有損害熱應力(其可損害護膜)及圖案化裝置中產生的潛在有損害熱應力(其可使成像於晶圓上之圖案失真)。此情形亦減小黏著劑上的負載，該黏著劑將護膜連接至圖案化裝置(即，護膜框之第一部分與護膜之間的黏著層；及護膜框之第二部分中每一者與圖案化裝置之間的黏著層)。
儘管彈簧部分中之每一者包含大體上立方形本體，但此本體在移動方向上的尺寸顯著小於其他兩個尺寸。詳言之，彈簧部分之尺寸係使得彈簧部分允許第二部分及第一部分在移動方向上之某相對移動。將瞭解，達成此情形之合適尺寸大體而言將取決於第一材料(例如，鈦或鈦合金)的彈力性質。
彈簧部分在垂直於護膜框之平面中的尺寸較佳足夠大以便防止或至少顯著減小第一部分與複數個第二部分之間脫離護膜框之平面的任何相對移動。
大體而言，每一彈簧部分可具有不同移動方向。
每一對對角對置之彈簧部分可具有相同移動方向，使得兩個彈簧部分具有一第一移動方向且兩個彈簧部分具有一第二移動方向。
該等彈簧部分中之每一者可經組態使得其移動方向大體上指向該第一部分之一中心。
此情形為有利的，此係因為其意謂每一彈簧部分允許護膜框及任何附接護膜在第二部分中之每一者附近(即，在使用中第二部分中之每一者連接至圖案化裝置的位置)在通過第一部分之中心的方向上移動。此情形允許護膜框(及護膜總成)在所有方向上同樣膨脹而不相對於護膜框附接至之圖案化裝置旋轉，此情形為有益的。因此，在此配置情況下，若存在護膜框之均一加熱(相對於該護膜框附接至之圖案化裝置的該溫度)，則護膜框相對於圖案化裝置的定向及中心位置將保持相同。
彈簧部分中之每一者可經組態使得其連接方向延伸穿過該彈簧部分被連接至的該第二部分上之一中心點。在一實施例中，一或多個彈簧部分形成彈簧，例如，第一彈簧部分及第二彈簧部分可形成彈簧。舉例而言，在框加熱且具有熱失真時，彈簧確保框自倍縮光罩的機械去耦。機械去耦確保最小力及力矩施加至倍縮光罩。框例如在倍縮光罩上之四個點中運用彈簧約束。
彈簧可為板片彈簧，例如單一或雙重板片彈簧。較佳地，彈簧為單一板片彈簧，使得彈簧力矩經實質上減小，且倍縮光罩變形相較於倍縮光罩之xy平面中確切而言在z方向上發生。
彈簧可朝向框之熱中心定向。熱中心為框的點，當溫度改變施加時，該點不具有移位。朝向熱中心定向之彈簧的優勢為框變形、應力及應變圍繞熱中心為對稱的。彈簧可在框中旋轉，使得框之熱中心係在中間，從而與對稱中心重疊。
第二部分中之每一者可安置於第一部分之大體上中空矩形的本體外部。
護膜框可進一步包含自中空且大體上矩形的本體突起的複數個側突起部。各側突起部可由第一材料形成。各側突起部及中空且大體上矩形的本體可界定孔隙，且複數個第二部分中之每一者可安置於該等孔隙中之一者中。
即，各側突起部連同第一部分形成圍繞第二部分中之一者(及其對應彈簧部分)的框。
側突起部可與第一部分一體式地形成。自大體上矩形第一部分突起的每一突起部可通常具有中空三角形形式。間隙可設置於每一第二部分與側突起部及/或第一部分之間。此間隙允許每一第二部分與第一部分之間在移動方向上的某有限移動。然而，側突起部具有足夠大的尺寸以便為大體上剛性的。側突起部可因此充當實體擋板以限制每一第二部分與第一部分之間在移動方向上的移動範圍。有利地，此情形可防止彈簧部分的失效。可存在護膜框之處置期間，例如安裝至護膜總成及/或遮罩總成期間的此類失效的風險。
根據本發明的第二態樣，提供一種護膜總成，其包含：根據本發明之第一態樣的護膜框；及一護膜，該護膜包含：一邊界部分，該邊界部分為中空的且為大體上矩形的；及藉由該邊界部分定界之一膜；其中該護膜之該邊界部分附接至該護膜框之該第一部分。
該護膜之該邊界部分可附接至護膜框之第一部分的中空且大體上矩形的本體。
該護膜之該邊界部分可由一第二材料形成，該第二材料不同於供形成該護膜框之該第一材料。
護膜之邊界部分可由矽形成。
如此項技術中已知曉，護膜可藉由將一或多個薄材料層沈積於大體上矩形矽基板上來形成。矽基板在護膜之構造的此階段期間支撐一或多個薄層。一旦已施加了所要或目標厚度及組合物的層，矽基板的中心部分便藉由蝕刻被移除(此情形可被稱為回蝕)。矩形矽基板之周邊部分並未經蝕刻(或可替代地相較於中心部分蝕刻達較低範圍)。此周邊部分形成最終護膜之邊界部分，同時一或多個薄層形成護膜之膜(其藉由邊界部分定界)。
此類護膜通常需要來自更剛性護膜框的某支撐。該護膜框提供兩個功能：(a)其支撐護膜且亦可拉伸護膜膜；及(b)其促進護膜至圖案化裝置(倍縮光罩)的連接。為了提供允許護膜及倍縮光罩在此等組件在使用中經歷之操作溫度範圍上的不同熱膨脹的某靈活性，需要選擇用於連接至圖案化裝置的材料，此材料為足夠彈性的，且適合於用於EUV微影設備內的條件下。一種合適的材料為鈦。由於護膜框之主中空矩形零件通常黏附至邊界部分，因此在已知總成中，護膜框之此主中空矩形零件由一材料形成，該材料的熱特性通常與護膜之該邊界部分之彼等熱特性匹配。舉例而言，通常使用矽。出於此等原因存在如下情形：已知護膜框包含膠合至護膜之主矽本體及膠合至此主本體之側的四個鈦附接機構。
歸因於矽及鈦之非常不同的熱特性(鈦具有為矽之熱膨脹係數之大約四倍的熱膨脹係數)，在此項技術中存在對使用護膜框之主體之材料(諸如鈦)的顯著偏見，該材料具有不同於矽之熱特性的熱特性。此情形之原因為，隨著護膜總成之溫度發生變化，框及邊界之差分熱膨脹將使得護膜總成翹曲或屈曲。又，此情形可對圖案化裝置施加應力，此情形可導致諸如增大之覆疊的成像錯誤。然而出人意料地，本發明人已發現，當使用新的護膜框時，覆疊相較於使用已知護膜框時不會更差。因此，新的護膜框在不損害成像效能情況下提供更簡單且較不昂貴的配置。
護膜之邊界部分可藉由黏著劑附接至護膜框之第一部分。
黏著劑可為聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑。
替代地，黏著劑可為環氧樹脂黏著劑。 根據本發明的第三態樣，提供一種遮罩總成，其包含：根據本發明之第二態樣的護膜總成；及圖案化裝置，其中護膜框之複數個第二部分附接至圖案化裝置。
根據本發明之第三態樣的遮罩總成特定而言優於已知配置，該等配置通常使用中間固定部件(被稱為螺柱)，該等固定部件附連至圖案化裝置且其與護膜總成嚙合，如現今論述。
相比於使用諸如螺柱(附連至圖案化裝置)之中間固定部件及用以與中間固定部件(螺柱)嚙合之嚙合機構(設置於護膜總成上)的遮罩總成，根據本發明之第三態樣之遮罩總成包含更少組件。因此，有利地，根據本發明之第三態樣的遮罩總成對於製造為相對簡單的。較少數目個組件及較簡單製造工序可引起較低製造成本。
此情形尤其為真，此係由於遮罩總成之組裝根據關於用於EUV微影設備中之遮罩總成的相當嚴格之要求並非直接的。
首先，對於遮罩總成重要的是為清潔的，以便減小污染圖案化裝置(倍縮光罩)的風險。舉例而言，可能需要確保遮罩總成上粒子的數目低於所要粒子臨限值(較佳無粒子將安置於遮罩總成上)。為達成此情形，遮罩總成之組件零件可保持於清潔環境中，直至組件零件經組裝。組裝可在清潔環境中達成。此等清潔環境可維持於真空條件下。維持複數個清潔環境(或具有增大大小的清潔環境)將增大製造成本。此外，清潔環境內之組裝為具挑戰性的。
第二，在使用中，遮罩總成將藉由倍縮光罩載物台支撐。對於被稱作掃描器的微影設備，其中圖案化裝置及晶圓經由EUV輻射射束經同步地掃描，倍縮光罩載物台及附接至的護膜框將經受顯著加速度。重要的是，移動遮罩總成之所有零件經充分良好地連接，使得所有零件保持連接而不管此等大的加速度。出於此原因，可較佳的是減小連接在一起的零件之總數。根據本發明之第三態樣之新的遮罩總成達成此情形。
據估計，相對於製造已知遮罩總成的成本，存在製造根據本發明之第三態樣之遮罩總成的成本上的顯著減小。舉例而言，相較於製造根據本發明之第三態樣之遮罩總成的成本，製造已知遮罩總成的成本可具有大出大約10倍。
此外，遮罩總成及其製造的顯著減小之複雜度在製造遮罩總成的製程期間導致較少組件、較少處置步驟，且此外，此等處置步驟可被較少涉及。因此，存在最終遮罩總成在上面具有粒子或殘渣的較低風險。此情形為有益的，此係由於此類粒子可導致成像錯誤或瑕疵。
在一些實施例中，護膜與圖案化裝置之間的間距可例如為大約1 mm與10 mm之間，例如1 mm與5 mm之間，例如2 mm與2.5 mm之間。
護膜框之複數個第二部分可藉由一黏著劑附接至圖案化裝置。
黏著劑可為聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑。
PMMA膠之材料特性，尤其PMMA膠之彈性及可塗覆PMMA膠之尺寸歸因於PMMA膠之固化使圖案化裝置之變形相對較小(相比於其他膠)。相比之下，若護膜框使用其他膠直接附貼至圖案化裝置，則圖案化裝置歸因於其他膠之固化的變形可為顯著較大的，從而導致藉由微影設備投影於基板上之圖案中的錯誤。
相比於例如環氧樹脂膠，PMMA膠可更容易地移除且為相對更具彈性的。有利地，此情形可使得形成根據本發明之第三態樣的遮罩總成之零件的護膜總成更易於替換。
替代地，黏著劑可為環氧樹脂黏著劑。
應瞭解，上文所描述或在以下描述中參考之一或多個態樣或特徵可與一或多個其他態樣或特徵組合。
圖1展示微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生極紫外光(EUV)輻射射束B。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐包括圖案化裝置MA (例如，遮罩)之遮罩總成15的支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射射束B入射於圖案化裝置MA上之前調節輻射射束B。投影系統經組態以將輻射射束B (現藉由該圖案化裝置MA經圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影設備將經圖案化輻射射束B與先前形成於基板W上之圖案對準。
輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。
圖1中所展示之輻射源SO屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO2雷射之雷射1經配置以經由雷射束2將能量沈積至自燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以引導例如呈小滴形式之錫沿著軌道朝向電漿形成區4之噴嘴。雷射射束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生電漿7。包括EUV輻射之輻射在電漿之離子之去激發及重組期間自電漿7發射。
EUV輻射係由近正入射輻射收集器5 (有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，該橢圓形組態具有兩個橢圓焦點。第一焦點可處於電漿形成區4處，且第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。
在雷射產生電漿(LPP)源之其他實施例中，收集器5可為所謂的掠入射收集器，其經組態以在掠入射角下接收EUV輻射且將EUV輻射聚焦在中間焦點處。舉例而言，掠入射收集器可為巢套式收集器，其包含複數個掠入射反射器。掠入射反射器可經安置成圍繞光軸軸向地對稱。
輻射源SO可包括一或多個污染截留器(未展示)。舉例而言，污染截留器可位於電漿形成區4與輻射收集器5之間。污染截留器可例如為旋轉箔片截留器，或可為任何其他合適形式之污染截留器。
雷射1可與輻射源SO分離。在此種狀況下，雷射射束2可憑藉包含例如合適導向鏡面及/或射束擴展器及/或其他光學件之射束遞送系統(未展示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起視為輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成輻射射束B。輻射射束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射射束B聚焦於之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
輻射射束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射射束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需角度分佈之輻射射束B。輻射射束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之遮罩總成15上。遮罩總成15包括圖案化裝置MA及護膜19，該護膜藉由護膜框17固持於適當的位置。圖案化裝置MA反射並圖案化輻射射束B。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或裝置。
在自圖案化裝置MA反射之後，經圖案化輻射射束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射射束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射射束，從而形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵之影像。舉例而言，可應用為4之縮減因數。儘管在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。
微影設備可例如以掃描模式使用，其中在將經賦予至輻射射束之圖案投影至基板W上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，動態曝光)。可藉由投影系統PS之縮小率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。入射於基板W上之經圖案化輻射射束可包含輻射帶。輻射帶可被稱作曝光縫隙。在掃描曝光期間，基板台WT及支撐結構MT之移動可使得曝光隙縫遍及基板W之曝光場行進。
圖1中所展示之輻射源SO及/或微影設備可包括未經說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源SO中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線(IR)輻射。
在微影系統之其他實施例中，輻射源SO可呈其他形式。舉例而言，在替代實施例中，輻射源SO可包含一或多個自由電子雷射。該一或多個自由電子雷射可經組態以發射可提供至一或多個微影設備之EUV輻射。
如上文簡要地描述，遮罩總成15包括鄰近於圖案化裝置MA設置之護膜19。護膜19提供於輻射射束B之路徑中，使得輻射射束B在其自照明系統IL接近圖案化裝置MA及在其由圖案化裝置MA朝向投影系統PS反射兩個情況下傳遞通過護膜19。護膜19包含對EUV輻射實質上透明的薄膜(但其將吸收少量EUV輻射)。在本文中EUV透明護膜或對於EUV輻射實質上透明的膜意謂護膜19透射EUV輻射之至少65%，較佳地至少80%且更佳地EUV輻射之至少90%。護膜19用以保護圖案化裝置MA免於粒子污染。
儘管可努力維持微影設備LA內部之清潔環境，但粒子可仍存在於微影設備LA內部。在不存在護膜19之情況下，粒子可沈積至圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA上之粒子可不利地影響向輻射射束B賦予之圖案且因此影響轉印至基板W之圖案。護膜19有利地在圖案化裝置MA與微影設備LA中之環境之間提供障壁以便防止粒子沈積於圖案化裝置MA上。
護膜19經定位成與圖案化裝置MA相距一距離，該距離足以使得入射於護膜19之表面上的任何粒子不在微影設備LA之場平面中。護膜19與圖案化裝置MA之間的此間距用以縮減護膜19之表面上之任何粒子將圖案賦予至成像至基板W上之輻射射束B的範圍。將瞭解，在粒子存在於輻射射束B中但處於不在輻射射束B之場平面中之位置處(亦即，不在圖案化裝置MA之表面處)的情況下，粒子之任何影像不會聚焦於基板W之表面處。在不存在其他考慮因素之情況下，可能需要將護膜19定位成與圖案化裝置MA相距相當大的距離。然而，實務上，微影設備LA中可用於容納護膜之空間歸因於其他組件之存在而受限。在一些實施例中，護膜19與圖案化裝置MA之間的間距可例如為約1 mm與10 mm之間，例如1 mm與5 mm之間，更佳2 mm與2.5 mm之間。
遮罩總成可藉由將護膜附接至護膜框及藉由將護膜框附接至圖案化裝置而製備以供用於微影設備中。包含圖案化裝置MA及鄰近於該圖案化裝置由護膜框支撐之護膜的遮罩總成可遠離微影設備LA而製備，且該遮罩總成可經輸送至微影設備LA以用於微影設備LA中。舉例而言，支撐護膜之護膜框可在圖案被賦予至圖案化裝置上所在之位點處附接至圖案化裝置，以便形成遮罩總成。遮罩總成可接著被輸送至微影設備LA位於的單獨位點，且遮罩總成可接著被提供至該微影設備LA以用於微影設備LA中。
其中護膜藉由護膜框固持於適當位置的遮罩總成可係精密的且遮罩總成之輸送可有損壞護膜之風險。在獨立環境中將遮罩總成組裝至微影設備LA可另外導致遮罩總成暴露至多種壓力條件。舉例而言，遮罩總成可在環境壓力條件下輸送至微影設備。遮罩總成可接著經由經泵浦至真空壓力條件的裝載鎖裝載至微影設備LA中。遮罩總成暴露至的壓力條件之改變可使得壓力差越過護膜存在，該壓力差可使得護膜彎曲且可有損壞護膜的風險。在一實施例中，微影系統可包含連接至護膜框附接設備之微影設備LA。在此狀況下，包含遮罩及護膜之遮罩總成可直接自護膜框附接設備傳送至微影設備，同時保持於受控環境(例如，真空環境)中。
遮罩總成之製造為複雜製程，且因此生產遮罩總成的成本為極高的。本發明之實施例係關於一種新的護膜框，該護膜框顯著地減小遮罩總成及其製造之複雜度。又，此情形導致成本減小到約1/10。此外，遮罩總成及其製造的顯著減小之複雜度在製造遮罩總成的製程期間導致較少組件、較少處置步驟，且此外，此等處置步驟可被較少涉及。因此，存在最終遮罩總成在上面具有粒子或殘渣的較低風險。此情形為有益的，此係由於此類粒子可導致成像錯誤或瑕疵。為了更好地瞭解新的護膜框(且使用該新的護膜框之護膜總成及遮罩總成)的優勢，有用的是首先考慮現有已知配置及製造製程，此情形因此現將參看圖2至圖4描述。
圖2為適合於組裝已知類型之遮罩總成15'及將遮罩總成傳送至微影設備LA之已知設備的示意性說明。圖2描繪以下兩者：護膜附接設備855，該護膜附接設備可用以將護膜19附接至已知護膜框17'；及護膜總成輸送裝置881，其可用以輸送護膜總成16'。另外，描繪螺柱附接設備840，其可用以將螺柱51附接至圖案化裝置MA。螺柱51允許護膜框17' (及藉此支撐之護膜19)至圖案化裝置MA的可釋放附接。亦描繪遮罩輸送裝置880，其可用以輸送具有經附接螺柱之遮罩。亦描繪護膜框附接設備857，其可用以將護膜框17' (及護膜19)附接至圖案化裝置MA，藉此形成遮罩總成15'。亦展示遮罩總成輸送裝置853，其可用以將遮罩總成15'自護膜框附接設備857輸送至微影設備LA。
護膜附接設備855可位於與微影設備位於之位點不同的位點處。螺柱附接設備840可位於與微影設備LA位於之位點不同的位點處。替代地，護膜附接設備855及螺柱附接設備840中之任一者或兩者可位於與微影設備LA位於之位點相同的位點處(例如，在微影廠房中)。
護膜附接設備855收納護膜19、已知護膜框17'及嚙合機構(未說明)。護膜19及已知護膜框17'可手動地置放於護膜附接設備855中。膠施配於已知護膜框17'之嚙合機構收納開口(例如，在下文參考圖3及圖4進一步描述的方位)中。膠施配可為手動的，或可為自動的(或部分自動的)。
嚙合機構及已知護膜框17'相對於彼此對準(例如，使用光學對準設備)，且嚙合機構接著插入於已知護膜框17'的開口中。
膠亦施配至已知護膜框17'上(例如，在圍繞已知護膜框17'之隔開位置處)。膠施配可為手動的，或可為自動的(或部分自動的)。光學對準系統用以將護膜19相對於已知護膜框17'對準，且護膜接著壓靠於已知護膜框17'上。
護膜19可由護膜操控器操控，該護膜操控器形成護膜附接設備855之零件。護膜操控器可包含用於使護膜19張緊之構件。護膜操控器可使護膜19張緊且在室溫下在足以允許膠固化之一段時間內抵靠已知護膜框17'固持護膜19，藉此將護膜19緊固至已知護膜框17'。接著移除護膜19上之壓力。接著使用固化烘箱(其可形成護膜附接設備855之零件)執行膠在高溫下之額外固化。此亦將固化將嚙合機構附接至已知護膜框17'之膠。在替代性方法中，某加熱可經施加以在護膜19與已知護膜框17'相抵地固持時使膠固化(替代允許固化在室溫下進行)。
膠可由膠施配器提供。膠施配器可形成護膜附接設備855之零件。
所得已知護膜總成16'使用粒子檢測工具來檢測。粒子檢測工具可形成護膜附接設備855之零件(或可為單獨工具)。粒子檢測工具可經組態以檢測安置於護膜19及/或已知護膜框17'上的粒子。粒子檢測工具可例如拒絕已知護膜總成16'，該已知護膜總成具有大於給定粒子臨限值的數目個粒子。粒子檢測工具亦可用於在護膜及護膜框膠合在一起之前檢測護膜19及/或已知護膜框17'。
護膜附接設備855可經組態以在檢測之後將已知護膜總成16'密封於護膜總成輸送裝置881 (密封箱)中。如所描繪，護膜總成輸送裝置881可經配置以在護膜19處於已知護膜框17'下方之定向中固持護膜總成。因為輸送裝置881被密封，所以可在已知護膜總成16'不受污染之情況下輸送護膜總成。已知護膜總成16'可在傳輸裝置881中輸送至護膜框附接設備857。
護膜附接設備855可包括清潔環境以便減少密封環境內部之粒子之數目，藉此減少可沈積於護膜19上之粒子的數目。護膜附接設備855可例如位於製造護膜所在之位點處。可將護膜19自在裏面製造護膜19之護膜製造工具(未展示)直接提供至護膜附接設備855。可例如將護膜19自護膜製造工具提供至護膜附接設備855，同時將護膜19保持於清潔環境內部。此可降低護膜19在被提供至護膜附接設備855之前被污染或損害的機率。清潔環境可為例如密封環境(亦即，與外部環境完全隔離)。密封環境可經泵浦以便維持密封環境中之真空。
可控制護膜19至已知護膜框17'之附接以便在護膜19中達成合乎需要之張力。舉例而言，可在護膜19附接至已知護膜框17'期間或之後量測護膜19中之張力，且可回應於量測而調整張力以便在護膜19中達成合乎需要之張力。舉例而言，可藉由施加外向力至已知護膜框17'之組件以便拉伸護膜19來維持護膜19中之張力。可例如藉由使用護膜框與護膜之間的熱膨脹係數差來維持護膜19中之張力。
圖案化裝置(其可被稱為遮罩) MA可具備突起部，該等突起部藉由嚙合機構(例如，如下文參看圖3及圖4進一步描述)收納。圖案化裝置可例如收納四個突起部(在本文中被稱作螺柱)。如圖2中所描繪，螺柱附接設備840可用以將螺柱51附接至圖案化裝置MA。
螺柱51及圖案化裝置MA可手動地置放於螺柱附接設備840中。圖案化裝置MA可固持於與螺柱附接設備840之其餘部分分離的受控環境841中。間距可由具有開口之分割區842提供，螺柱51可經由該等開口突出以便接觸圖案化裝置MA。相比於螺柱附接設備840之其他零件，受控環境841可固持於更高壓力下(例如，在受控環境中藉由經由出口遞送氣體)。此情形將阻止或防止污染粒子自螺柱附接設備之其他零件傳遞至受控環境841中。
螺柱附接設備840可包括螺柱操控器(未描繪)，諸如用於準確地置放螺柱之機器人或致動器。用於將螺柱置放至圖案化裝置上之合適致動器之實例為勞侖茲(Lorentz)致動器(未描繪)。螺柱附接設備840亦可包括用於將給定量之膠或黏著劑自動提供至待附接至圖案化裝置MA之螺柱表面的裝置。亦可手動地塗覆膠或黏著劑。空氣自分割區842上方之受控環境841至分割區下方的流動防止或減少了來自膠或黏著劑之污染物對圖案化裝置MA之污染(空氣流動係由分割區上方之壓力高於分割區下方之壓力引起)。
螺柱附接設備840可進一步包括光學對準系統，該光學對準系統使螺柱相對於存在於倍縮光罩上之對準標記物對準以便準確地定位螺柱。舉例而言，習知地設置於圖案化裝置MA上且用於圖案對準之對準標記物亦可用於對準螺柱。
螺柱附接設備可包括可在X-Y-Z及Rz方向上移動以用於調整圖案化裝置MA之位置的支撐結構。固持圖案化裝置MA之支撐結構之位置可藉助於粗略及精細機械調整裝置或使用自動(或半自動)致動器或適合於對準及定位之耦接至圖案化裝置台的任何其他類型之裝置來手動地調整。
一旦螺柱51與圖案化裝置MA已對準，便接著將螺柱51壓靠於圖案化裝置MA上。可在室溫下在足以允許膠固化之一段時間內抵靠圖案化裝置MA固持螺柱51，藉此將螺柱51緊固至遮罩MA。替代地，可加熱螺柱51以便加速膠之固化。可接著使用固化烘箱(其可形成螺柱附接設備840之部分)執行膠在高溫下之額外固化。
膠可由膠施配器提供。膠施配器可形成螺柱附接設備840的零件。
可使用粒子檢測工具(其可形成螺柱附接設備840之零件)來檢測圖案化裝置MA及螺柱51。
螺柱附接設備840將圖案化裝置MA及螺柱51密封於遮罩輸送裝置880 (密封箱)中。因為遮罩輸送裝置880被密封，所以可在遮罩MA不受污染之情況下輸送圖案化裝置MA及螺柱51。圖案化裝置MA及螺柱可在遮罩輸送裝置880中輸送至護膜框附接設備857。
在密封箱中可將遮罩MA提供至螺柱附接設備840 (以降低污染風險)。該箱可保持密封，直至恰好在螺柱51要附接至圖案化裝置MA之前為止，藉此使污染可行進至遮罩MA之時間最小化。
螺柱附接設備840之受控環境841可部分地由外殼提供，該外殼隨後形成圖案化裝置MA輸送裝置880 (密封箱)之零件。外殼可形成遮罩輸送裝置880之壁及頂，其中遮罩輸送裝置880之底面係由在螺柱51已被附接之後(例如，隨後即刻)裝配之板形成。以此方式使用外殼可幫助防止污染入射於圖案化裝置MA上。外殼可包含艙(pod)之罩蓋。螺柱附接設備840之遮罩台可經組態以收納外殼。
類似地，亦可藉由外殼部分形成護膜附接設備855，該外殼隨後形成護膜總成輸送裝置881的一部分。
護膜總成輸送裝置881中之已知護膜總成16'及遮罩輸送裝置880中之圖案化裝置MA (及螺柱51)皆被輸送至護膜框附接設備857。護膜框附接設備857可在廠房中提供，在廠房中亦提供一或多個微影設備。
護膜框附接設備857經組態以將已知護膜總成16'之已知護膜框17'附接至圖案化裝置MA上的螺柱51以便形成遮罩總成15。護膜框附接設備857可包括與護膜框附接設備857之其餘部分分離的受控環境860。間距可由具有開口之分割區862提供，操控器延伸穿過該等開口(圖2中未展示)。操控器可由控制系統870 (下文進一步描述)操作。受控環境860可維持為清潔環境以便減少受控環境內部之粒子的數目，藉此減少可沈積於已知遮罩總成15'上之粒子的數目。相比於護膜框附接設備857之其他部分，受控環境860可固持於更高壓力下(例如，藉由經由受控環境860中之出口遞送氣體)。此將阻止或防止污染粒子自護膜框附接設備857之其他部分傳遞至受控環境860中。
由護膜框附接設備857組裝之已知遮罩總成15'在遮罩總成輸送裝置853中自護膜框附接設備857輸送至微影設備LA。遮罩總成輸送裝置853可包含輸送已知遮罩總成15'之密封且清潔的環境。此降低已知遮罩總成15'在已知遮罩總成15'之輸送期間被污染或損傷的機率。密封且清潔的環境可例如被泵浦至真空。
護膜框附接設備857用以將已知護膜總成16'安裝至圖案化裝置MA。護膜框附接設備857包含經配置以操控護膜框17之嚙合機構的操控器(如下文進一步描述)。
圖案化裝置MA可例如具備對準標記。已知護膜框17'可相對於圖案化裝置MA上的對準標記定位。相對於圖案化裝置MA上之對準標記對準護膜框17可有利地增大準確性，已知護膜框17'在已知護膜框17'附接至圖案化裝置MA期間運用該準確度定位於圖案化裝置MA上。
護膜框附接設備857可包括粒子檢測工具(圖中未示)。粒子檢測工具可經組態以檢測已知遮罩總成15'用於安置於已知遮罩總成15'上的粒子。粒子檢測工具可例如拒絕安置於已知遮罩總成15'上之粒子之數目大於給定粒子臨限值的遮罩總成15'。
護膜框附接設備857可包括針對任何缺陷檢測圖案化裝置MA上之圖案的圖案檢測系統。圖案檢測系統可在已知護膜框17'連接至圖案化裝置MA之前及/或之後檢測圖案化裝置MA上的圖案。
微影設備LA可包括組件，該等組件經組態以自遮罩總成輸送裝置853接收已知遮罩總成15'且將已知遮罩總成15'加載於微影設備LA的支撐結構MT上。
已知護膜總成16'可附接至圖案化裝置MA以便在護膜框附接設備857中在真空條件下形成已知遮罩總成15'。已知遮罩總成15'可隨後在真空條件下由遮罩總成輸送裝置853輸送至微影設備LA，且可在真空條件下固持於微影設備LA中。已知遮罩總成15'可因此在護膜框附接設備857中貫穿其組裝暴露至大約相同的壓力條件，且用於微影設備LA中。此有利地減少已知遮罩總成15'暴露於之任何壓力改變，且因此減少可跨越護膜19而發展之任何壓力差。
可針對護膜框附接設備857中之粒子及/或缺陷檢測圖案化裝置MA及/或護膜19，同時組件固持於真空中。圖案化裝置MA及/或護膜19因此有利地在與在微影設備LA中之使用期間曝露之彼等壓力條件類似的壓力條件下檢測。此係有利的，此係因為可在向下泵浦至真空條件期間沈積至圖案化裝置MA及/或護膜上之任何粒子可在護膜框附接設備857中偵測到。
應注意，圖案化裝置MA之經圖案化側在圖2中所描繪之各種操作期間被向下引導。保持圖案化裝置MA之經圖案化側面向下方係有利的，此係因為此減低污染粒子入射於圖案上之可能性。較大污染粒子歸因於重力而下落且因此將入射於遮罩之相對側上。較小污染粒子受重力影響較小，且替代地受其他輸送物理學影響。設備可包括意欲解決此問題之裝置。舉例而言，設備可包括用以移除靜態電荷且藉此降低靜電使粒子變得附接至護膜之風險的離子化器。
已知護膜總成16'說明於圖3中，且包含此已知護膜總成16'的已知遮罩總成說明於圖4中。
圖3中所展示之已知護膜總成16'包含護膜19及已知護膜框17'。護膜19包含邊界部分19a及膜19b。邊界部分19a為中空且大體上矩形的並包圍膜19b，該膜藉由邊界部分19a定界。邊界部分19a可由矽形成。
已知護膜框17'包含中空且大體上矩形的本體，該本體具備四個突起部20a至20d，該等突起部在已知護膜框17'的主平面中自大體上矩形的本體延伸。四個突起部20a至20d通常為梯形。突起部中之兩者20a至20b自大體上矩形的本體的一側突起，且突起部中之另外兩者20c至20d自大體上矩形的本體的相對側突起。大體上矩形的本體及四個突起部20a至20d一體式地形成且由矽形成。
已知護膜框17'具備四個嚙合機構22a至22d。四個突起部20a至20d中之每一者界定收納嚙合機構22a至22d中之一者的凹槽。
每一嚙合機構22a至22d經組態以嚙合突起部24 (其可例如被稱作螺柱51)，該等突起部自圖案化裝置MA延伸(如確切而言在圖4中示意性地圖示)。
護膜19附接至已知護膜框17'。詳言之，護膜19之邊界部分19a附接至已知護膜框17'的大體上矩形的本體。護膜19之邊界部分19a可例如膠合至已知護膜框17'。
由嚙合機構22a至22d收納之突起部51位於圖案化裝置MA之前表面上。
圖3描繪緊固至護膜框17之四個嚙合機構22a至22d。所有四個嚙合機構22a至22d經組態以允許經由y方向上的移動在嚙合機構22a至22d與突起部51(未描繪)之間達成嚙合。
各嚙合機構22a至22d包含大體上正方形的外部部分24，該外部部分固定(例如，膠合)至藉由護膜框17之突起部20a至20b中之一者界定的凹槽中。各嚙合機構220a至22d設置於具有凸緣26 (其可被稱作突片26)之外部部分24上，且促進嚙合機構22a至22d與已知護膜框17'之間的嚙合及對準。此外，每一嚙合機構22a至22d包含與圖案化裝置MA上之突起部51嚙合的大體上正方形的內部部分28 (外部部分24內)。內部部分28經由兩個臂30連接至外部部分24且藉由該外部部分支撐。此等兩個臂30允許y方向之x方向上的移動/可撓性。兩個嚙合機構22a、22d經組態以允許在y方向上移動(亦即，在y方向上提供可撓性或順應性)。兩個嚙合機構22b、22c經組態以允許在x方向上移動(亦即，在x方向上提供可撓性或順應性)。
儘管此處將不描述細節，但每一者之內部部分28為具有嚙合臂32的嚙合機構22a至22d，該等嚙合臂可藉由致動力腦曲脫離嚙合機構22a至22d的主平面，以允許突起部51中之一者之一遠端的插入。一旦突起部51處於適當位置，致動力便被移除，且突起部51保持捕獲於嚙合機構22a至22d中。此情形要求操控器設置於護膜框附接設備857內，護膜框附接設備包含若干獨立可移動臂。一般而言，對於各嚙合機構22a至22d，至少兩個臂被要求以卡扣嚙合機構22a至22d，而至少第三臂被要求施加致動力至嚙合臂32。可在清潔環境操作的四個此類致動器(一個致動器用於每一嚙合機構22a至22d)的設置為極具挑戰性的。
圖4以橫截面描繪一個嚙合機構22a連同自圖案化裝置MA突出之突起部51。可被稱作螺柱的突起部51可例如膠合至圖案化裝置MA或可藉由其他嚙合構件(光學接觸、磁力或凡得瓦爾力等等)附接。突起部51由包含鈦的材料形成。
圖5為如上文所述之已知遮罩總成15'之一部分的橫截面之另一示意圖。圖5中展示之橫斷面係在垂直於y方向(即，垂直於圖4之平面)的平面中，且穿過嚙合機構22a及關聯螺柱51中之一者。螺柱51使用膠固定至圖案化裝置MA。
圖6為根據本發明之實施例之新的護膜框17之透視圖。
護膜框17包含：第一部分40、四個第二部分42及四個彈簧部分44。第一部分40、四個第二部分42及四個彈簧部分44皆一體式地形成，且由可被稱作第一材料的相同材料形成。在此實施例中，第一部分40、四個第二部分42及四個彈簧部分44皆由包含鈦的材料(例如，鈦合金)形成。詳言之，第一部分40、四個第二部分42及四個彈簧部分44皆由鈦(5級)形成。5級鈦亦可稱為Ti6Al4V、Ti-6Al-4V或Ti 6-4。5級鈦包含6%的鋁(Al)、4%的釩(V)以及微量鐵及氧；剩餘物包含鈦。
如將在下文進一步解釋，第一部分係用於連接至護膜19的邊界19a。第一部分40包含一中空且大體上矩形的本體。
如將在下文進一步解釋，四個第二部分42係用於連接至圖案化裝置MA。
第二部分42中之每一者藉由彈簧部分44連接至第一部分40。四個第二部分42中之每一者緊接第一部分40的拐角。第二部分42中的兩者設置於第一部分40之中空且大體上矩形的部件的一側46上。第二部分42中之另外兩者設置於第一部分40之中空且大體上矩形的部件的相對側48上。
複數個第二部分42中之每一者包含大體上立方形本體。在護膜框17之主平面(圖6中之x-y平面)中，第二部分42中之每一者為矩形。第二部分42中之每一者因此提供大體上矩形表面，該大體上矩形表面可黏附至圖案化裝置MA的表面(如下文進一步論述)。
彈簧部分44中之每一者經配置以便允許第一部分40及第二部分42的某相對移動，該第二部分在移動方向上連接至第一部分，如現今描述。
彈簧部分44中之每一者包含大體上立方形本體。在護膜框17之主平面(圖6中之x-y平面)中，彈簧部分44中之每一者在連接方向上自第一部分40延伸至第二部分42中之一者。每一彈簧部分44在移動方向50、52上具有較小尺寸，該移動方向係在護膜框17之主平面中且垂直於連接方向。每一彈簧部分44的移動方向在圖6中藉由箭頭50、52指示。請注意，大體而言，每一彈簧部分44可具有不同移動方向50、52。在此實施例中，每一對對角對置之彈簧部分44具有相同移動方向50、52，使得兩個彈簧部分44具有一第一移動方向50且兩個彈簧部分44具有一第二移動方向52。儘管彈簧部分44中之每一者包含大體上立方形本體，但此本體在移動方向50、52上的尺寸顯著小於其他兩個尺寸。詳言之，彈簧部分44之尺寸係使得彈簧部分44允許第二部分42及第一部分40在移動方向50、52上之某相對移動。將瞭解，達成此情形之合適尺寸大體而言將取決於第一材料(在此實例中為鈦合金)的彈力性質。在一個實施例中，彈簧部分44可具有以下近似尺寸：寬度0.2 mm、長度5.5 mm及高度1.4 mm。
每一彈簧部分44為第一材料的相對較薄部分(第一部分40及第二部分42由第一材料形成)，該相對較薄部分在連接方向上自第一部分40延伸至第二部分42中之一者。在使用中，藉由彈簧部分44提供之移動及可撓性允許護膜框17 (及附接護膜19)相對於第二部分42被連接至之圖案化裝置MA的撓曲。此情形可適應圖案化裝置MA、護膜框17及護膜19的差分熱膨脹。此情形為有利的，此係因為其減少在護膜框17 (其可損害護膜19)及圖案化裝置MA (其可使投影於晶圓W上之圖案失真)中產生的潛在有損害熱應力。此情形亦減小黏著劑上的負載，該黏著劑將護膜19連接至圖案化裝置MA (亦即，護膜框17之第一部分40與護膜19之間的黏著層；及護膜框17之第二部分42中每一者與圖案化裝置MA之間的黏著層)。
此外，歸因於形成護膜19及護膜框17的不同材料，可存在護膜19及護膜框17的某差分熱膨脹，此情形可導致此等組件形成之護膜總成16的某失真。藉由彈簧部分44提供之移動及可撓性亦適應此類失真而不對圖案化裝置MA或黏著劑中的任一者提供負載，該等黏著劑將護膜19連接至圖案化裝置MA (或至少減小任何此類負載)。
彈簧部分44在垂直於護膜框17之主平面之方向上的尺寸較佳足夠大以便防止或至少顯著減小第一部分40與第二部分42之間脫離護膜框的任何相對移動(亦即，圖6之z方向)。
每一第二部分42及其被連接至之彈簧部分44可被視為形成自第一部分40懸置的系統。類似地，彈簧部分44及第一部分40可被認為是形成自連接至該彈簧部分44之第二部分42懸置的系統。
在護膜框17之主平面(圖6中之x-y平面)中，第二部分42的尺寸可大約與第一部分之厚度相同，例如為約5 mm。在護膜框17之主平面(圖6之x-y平面)中，彈簧部分44可具有與第二部分42之尺寸及第一部分之厚度相同，例如大約5 mm的長度。在一個實施例中，在護膜框17的主平面(圖6中之x-y平面)中，第二部分42之尺寸為4.5 mm乘以4.5 mm；第一部分之厚度為約3.85 mm；且彈簧部分44的長度為大約5.5 mm。
在護膜框17之主平面(圖6中之x-y平面)中，彈簧部分44具有的寬度相較於第二部分42之長度及尺寸及第一部分的厚度小約20倍。
垂直於護膜框17之主平面，護膜框17之所有零件的尺寸可大約相等，且可例如為約1.4 mm。
彈簧部分44中之每一者經組態使得其移動方向50、52大體上指向第一部分40的中心54。為了更好地說明此情形，數個直線設置於圖6上。展示兩個短劃線，每一短劃線在第一部分40的對角對置的角落之間延伸。此等兩個短劃線之交叉點為第一部分40的中心54。亦展示為自每一第二部分42上之中心點至第一部分40之中心54的直線。可看出，每一彈簧部分44之移動方向50、52大體上指向第一部分40的中心54。此情形藉由定向每一彈簧部分44來達成，使得其連接方向(自第一部分40至護膜框17之平面中的第二部分42)垂直於自該第二部分42上之中心點至第一部分40之中心54的直線。此情形為有利的，因為其意謂每一彈簧部分44允許護膜框17及護膜在四個第二部分42中之每一者附近(亦即，其連接至圖案化裝置MA的四個位置)在通過第一部分40之幾何中心54 (且因此護膜總成之幾何中心)的方向上移動。此情形允許護膜框17 (及護膜總成)在所有方向上同樣膨脹而不相對於圖案化裝置MA旋轉，此情形為有益的。因此，運用此配置，若存在護膜框17(相對於圖案化裝置MA之溫度)的均一加熱，護膜框17相對於圖案化裝置MA的定向及中心位置將保持相同。自每一第二部分42上之中心點至第一部分40之中心54的直線之交叉點可被視為膨脹的「開始點」，且由於此等線在一個組合式點處交叉，系統將在每一方向上同樣地膨脹。
彈簧部分44中之每一者經組態使得其連接方向(自第一部分40至護膜框17之平面中的第二部分42)延伸穿過該第二部分42上的中心點。
第二部分42中之每一者安置於第一部分40之大體上中空矩形本體外部。
護膜框17進一步包含自第一部分40突起的四個側突起部56。突起部56亦由第一材料(在此實例中，鈦合金)形成。突起部56與第一部分40一體式地形成。各側突起部56與第一部分40一起界定孔隙，且第二部分42中之每一者(及其對應彈簧部分44)安置於該等孔隙中之一者中。即，各側突起部56連同第一部分40形成第二部分42中之一者(及其對應彈簧部分44)周圍的框。自大體上矩形第一部分40突起的每一突起部56通常具有中空三角形形式。間隙設置於第二部分42與突起部56及/或第一部分40之間(如下文將參看圖7進一步描述)。此間隙允許每一第二部分42與第一部分40之間在移動方向50、52上的某有限移動。然而，突起部56具有足夠大的尺寸以便為大體上剛性的。在一個實施例中，在護膜框17的主平面(亦即，圖6中之x-y平面)中，突起部56可具有大約1 mm的厚度。側突起部56在垂直於護膜框17之主平面的方向上之尺寸可與護膜框之其他零件的尺寸大體上相同，例如，大約1.4 mm。突起部56因此充當實體擋板以限制每一第二部分42與第一部分40之間在移動方向50、52上的移動範圍。有利地，此情形可防止彈簧部分44的失效。詳言之，突起部56於在護膜框17之處置期間(例如，在護膜總成及遮罩總成的的組裝期間)保護彈簧部分44免於此類失效影響上為有益的。
新的護膜框17為有利的，此是由於第一部分40、複數個第二部分42及彈簧部分44皆由相同材料，例如鈦合金形成。此情形顯著簡化護膜框17的製造。舉例而言，護膜框之所有零件可一起一體式地形成。
此情形與現有配置(如上文參看圖2至圖4所描述)形成對比，藉此用於連接至護膜19之邊界19a的第一部分(已知護膜框17')由一種材料(例如，矽)形成，且用於連接至圖案化裝置MA的複數個第二零件(嚙合機構22a至22d)由另一材料(例如，鈦合金)形成。此類現有配置對於製造為顯著更複雜的，此係由於零件必須經分離地製造且接著組裝在一起(例如，在護膜附接設備855中)。又，此情形顯著地增大製造此現有護膜框總成17'、22a至22d (相對於新護膜框17)的成本。此情形特別為真，此係由於此等單獨零件之組裝根據用於EUV微影設備中的護膜框之相當嚴格的要求並非直接的，如上文參看圖2所解釋。
首先，對於護膜框(及包含護膜框之所得護膜總成)而言清潔為重要的，以便減小污染圖案化裝置(倍縮光罩)的風險，護膜框在使用中將附接至該圖案化裝置。舉例而言，可能需要確保護膜框上粒子的數目低於所要粒子臨限值(較佳地，將無粒子安置於護膜框上)。為了達成此情形，已知護膜框17'之組件零件可保持於清潔環境中，直至組件零件經組裝。組裝可在清潔環境中達成。此等清潔環境可維持於真空條件下。維持複數個清潔環境(或具有增大大小的清潔環境)將增大製造成本。此外，清潔環境內之組裝為具挑戰性的。
第二，在使用中，護膜框將附接至將藉由倍縮光罩載物台支撐的倍縮光罩。對於被稱作掃描器的微影設備LA，其中圖案化裝置MA及晶圓W經由EUV輻射射束經同步地掃描，倍縮光罩載物台MT及附接至的護膜框將經受顯著加速度。重要的是，移動遮罩總成之所有零件經充分良好地連接，使得所有零件保持連接而不管此等大的加速度。出於此原因，可較佳的是減小連接在一起的零件之總數。新的護膜框17達成此情形。
儘管上述護膜框17由鈦合金形成，但在替代性實施例中，可使用不同材料。在一些實施例中，材料可具有＜10- 6 K- 1 的熱膨脹係數(CTE)。材料可為彈性的。材料可為延展性的。在一些實施例中，材料可具有大於100 GPa的楊氏模數。在一些實施例中，材料可具有小於1500 kg/m3 的密度。材料可適合於用於真空環境中。詳言之，材料可適合於用於EUV微影設備內的環境中。
鈦及鈦合金適合於用於真空環境中，且詳言之其適合於用於EUV微影設備內的環境中。此外，鈦及其合金為足夠彈性的以提供彈簧部分44且確保護膜框17並不足夠脆，使得其在使用期間可不斷裂。
根據本發明的一些實施例，可提供一種護膜總成16，該護膜總成包含上述護膜框17及護膜19。根據本發明的一些實施例，可提供一種包含此類護膜總成16及圖案化裝置的遮罩總成15。此類遮罩總成的實例現參看圖7來描述。
圖7為新的遮罩總成15之一部分的示意性橫截面。展示於圖7中之橫截面係在垂直於y方向的平面中，且通過第二部分42中之一者。在此橫截面中，可看到展示於圖6中之護膜框17之第二部分42中之一者。在第二部分42之一側(圖7中之左側)上，可看到大體上三角形中空突起部56之零件。在第二部分42之另一側(圖7中之右側)上，通常三角形中空突起部56的另一零件可與護膜框之第一部分40的零件一起看到。將瞭解，第一部分40及突起部56由同一材料一體式地形成，且因此在所展示的第一部分40與突起部56之間不存在邊界。然而，朝向圖7之底部，標記已經添加以展示哪一零件對應於第一部分40，且哪一零件對應於突起部56。
在圖7中可清楚地看到，間隙設置於第二部分42與突起部56及/或第一部分40之間(如下文參看圖7將進一步描述)。此間隙允許每一第二部分42與第一部分40之間在移動方向50、52上的某有限移動。
遮罩總成進一步包含護膜19及圖案化裝置MA。
護膜19包含邊界部分19a及膜19b。邊界部分19a為中空且大體上矩形的並包圍膜19b，該膜藉由邊界部分19a定界。護膜19之邊界部分19a附接至護膜框17的第一部分40。
護膜19可具有已知護膜19的形式(且可具有上文參看護膜描述的任何特徵)。如本領域中已知曉，護膜19可藉由將一或多個薄材料層沈積於大體上矩形矽基板上來形成。矽基板在護膜19之構造的此階段期間支撐一或多個薄層。一旦已施加了所要或目標厚度及組合物的層，矽基板的中心部分便藉由蝕刻被移除(此情形可被稱為回蝕)。矩形矽基板之周邊部分並未經蝕刻(或可替代地相較於中心部分蝕刻達較低範圍)。此周邊部分形成最終護膜之邊界部分19a，同時一或多個薄層形成護膜之膜19b(其藉由邊界部分19a定界)。
護膜19之邊界部分19a藉由黏著劑G附接至護膜框17的第一部分40。黏著劑可例如包含聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑(其可被稱為PMMA黏著劑)。替代地，黏著劑可為環氧樹脂黏著劑。將瞭解，其他類型之黏著劑亦有可能。大體而言，黏著劑可經選擇，使得自黏著劑除氣足夠低，以便不染污區域及/或適合於與EUV輻射一起使用及/或並不影響微影設備及其光學件的效能。
護膜19及護膜框17可一起被視為形成護膜總成16。
邊界部分19a可由矽形成。如上文所解釋，護膜框17典型地由諸如鈦合金的更大彈性材料形成。
護膜19通常需要來自剛性更大之護膜框17的支撐。護膜框提供兩個功能：(a)其支撐護膜19且亦可拉伸護膜膜19b；及(b)其促進護膜19至圖案化裝置MA的連接。為了提供某靈活性以允許護膜19及倍縮光罩MA在此等組件在使用中經歷之操作溫度範圍上的不同熱膨脹，需要選擇用於連接至圖案化裝置的材料，此材料為足夠彈性的，且適合於用於EUV微影設備內的條件。一種合適的材料包含鈦。由於護膜框之主中空矩形零件通常黏附至邊界部分，因此在已知總成中，護膜框之此主中空矩形零件由一材料形成，該材料的熱特性通常與護膜之該邊界部分之彼等熱特性匹配。舉例而言，通常使用矽。出於此等原因，已知護膜框17'包含膠合至護膜19的主矽本體及膠合至此主體17'之側的四個鈦附接機構22a至22d。
歸因於矽及鈦之差別很大的熱特性(鈦具有大約為矽之熱膨脹係數之四倍的熱膨脹係數)，在此項技術中存在使用護膜框之主體之材料的顯著偏見，該材料具有不同於矽之熱特性的熱特性(諸如鈦或鈦合金)。此情形之原因為，隨著護膜總成之溫度發生變化，框及邊界之差分熱膨脹將使得護膜總成翹曲或屈曲。又，此情形可對圖案化裝置MA施加應力，此情形可導致諸如增大之覆疊的成像錯誤。然而，出人意料地，本發明人已發現，相較於使用已知護膜框17'時，覆疊在使用新的護膜框17時不會更差。因此，新的護膜框17在不損害成像效能情況下提供更簡單且較不昂貴的配置。
護膜框17的複數個第二部分42附接至圖案化裝置MA。護膜框17之第二部分42藉由黏著劑G附接至圖案化裝置MA。
黏著劑可為聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑，其可被稱為PMMA膠。PMMA膠之材料特性，尤其PMMA膠之彈性及可塗覆PMMA膠之尺寸歸因於PMMA膠之固化導致圖案化裝置MA的相對較低變形(相比於其他膠)。相比於例如環氧樹脂膠，PMMA膠可更容易地移除且為相對更具彈性的。有利地，此情形可使得護膜總成16能夠更容易地被替換。
替代地，黏著劑可為環氧樹脂黏著劑。
再者，將瞭解，其他類型之黏著劑亦有可能。大體而言，黏著劑可經選擇，使得自黏著劑除氣足夠低，以便不染污區域及/或適合於與EUV輻射一起使用及/或並不影響微影設備及其光學件的效能。
新的遮罩總成15尤其優於通常使用貼附至圖案化裝置MA且與護膜總成17'嚙合之中間固定部件(被稱為螺柱51)的已知配置，如現在所論述。
相比於使用諸如螺柱51 (貼附至圖案化裝置)之中間固定部件及用以與中間固定部件(螺柱51)嚙合之嚙合機構22a至22d (設置於護膜總成16'上)的遮罩總成15'，新的遮罩總成15包含更少組件。因此，有利地，新的遮罩總成15對於製造商為相對簡單的。較少數目個組件及較簡單製造工序可引起較低製造成本。
此情形特別為真，此係由於遮罩總成15之總成根據關於用於EUV微影設備中之遮罩總成的相當嚴格之要求並非直接的。
首先，對於遮罩總成重要的是為清潔的，以便減小污染圖案化裝置(倍縮光罩)的風險。舉例而言，可能需要確保遮罩總成上粒子的數目低於所要粒子臨限值(較佳無粒子將安置於遮罩總成上)。為達成此情形，遮罩總成之組件零件可保持於清潔環境中，直至組件零件經組裝。組裝可在清潔環境中達成。此等清潔環境可維持於真空條件下。維持複數個清潔環境(或具有增大大小的清潔環境)將增大製造成本。此外，清潔環境內之組裝為具挑戰性的。
第二，在使用中，遮罩總成將藉由倍縮光罩載物台支撐。對於被稱作掃描器的微影設備，其中圖案化裝置及晶圓經由EUV輻射射束經同步地掃描，倍縮光罩載物台及附接至的護膜框將經受顯著加速度。重要的是，移動遮罩總成之所有零件經充分良好地連接，使得所有零件保持連接而不管此等大的加速度。出於此原因，可較佳的是減小連接在一起的零件之總數。根據本發明之第三態樣之新的遮罩總成達成此情形。
據估計，相對於製造上文參看圖2至圖4描述之類型的已知遮罩總成15'的成本，存在製造新的遮罩總成15之成本的顯著減小。舉例而言，製造已知遮罩總成15'的成本相較於製造展示於圖7中之類型之新的遮罩總成15的成本可大出大約為10倍。
對此存在若干原因。首先，新的遮罩總成15相較於已知遮罩總成15'包含較少零件。若干零件的組裝具有多個關聯問題：總成應在清潔環境中發生，且若干零件必須在此等有挑戰條件下準確地對準。第二，已知遮罩總成15'之零件中的一些對於製造為極其昂貴的。
在一些實施例中，護膜19與圖案化裝置MA之間的間距可例如為約1 mm與10 mm之間，例如1 mm與5 mm之間，更佳2 mm與2.5 mm之間。
儘管在上述實施例中，護膜框17包含各自藉由彈簧部分44連接至第一部分40的四個第二部分42，但在其他實施例中，可提供各自藉由彈簧部分44連接至第一部分40的不同數目個第二部分42。
護膜總成16之組裝可藉由將護膜19膠合至護膜框17來達成。此製程可與用於將護膜19膠合至已知護膜框17'的現有製程共同地共用一或多個特徵。
護膜19膠合至該護膜框17的第一部分40及/或第二部分42膠合至圖案化裝置可使用任何合適膠施配器來達成。
膠施配器可包含注射器。注射器可施配經界定體積之一或多種膠組份。膠施配器可包含噴嘴。舉例而言，噴嘴可連接至注射器，且膠之一或多種組份可使用連接至噴嘴之注射器來提供。膠可藉由圓柱形噴嘴來塗覆。膠可藉由錐形噴嘴來塗覆。膠施配器可包含刷子且可使用該刷子來塗覆膠之一或多種組份。膠施配器可包含海綿，且可使用海綿來塗覆膠之一或多種組份。膠施配器可包含用於提供膠之一或多種組份的印刷設備(例如，絲網印刷設備)。膠施配器可包含用於提供膠之一或多種組份作為噴霧的施配設備(例如，可使用氣溶膠噴霧施配系統)。將瞭解，可以任何已知方式提供膠。
膠施配器可以多種組份(例如，膠之促進劑及引發劑)提供膠。膠之一種組份可具有高於膠之另一組份的黏度。亦即，可存在具有相對較高黏度的膠之組份(「黏稠」組份)及具有相對較低黏度的膠之組份(「稀薄」組份)。在實例實施例中，膠施配器可使用注射器及噴嘴來施配膠之黏稠組份。在實例實施例中，膠施配器可使用刷子、海綿、絲網印刷設備或氣溶膠噴霧施配系統來施配膠之組份。
儘管上文描述使用膠將護膜19附接至護膜框17，但可使用任何合適類型之接合(包括不使用膠)將護膜附接至護膜框。
儘管上文描述使用膠將護膜框17附接至圖案化裝置MA，但可使用任何合適類型之接合(包括不使用膠)將護膜框17附接至圖案化裝置MA。
在此文獻中參考遮罩或倍縮光罩可解釋為參考圖案化裝置(遮罩或倍縮光罩為圖案化裝置的實例)且可互換地使用術語。詳言之，術語遮罩總成與倍縮光罩總成及圖案化裝置總成同義。
儘管可在本文中在微影設備之內容背景中特定地參考本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成以下各者的零件：遮罩檢測設備、度量衡設備，或者量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4 nm至20 nm之範圍內(例如，在13 nm至14 nm之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10 nm之波長，例如在4 nm至10 nm之範圍內的波長，諸如6.7 nm或6.8 nm的波長。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見的是，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1:雷射 2:雷射束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:近正入射輻射收集器 6:中間焦點 7:電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 15:遮罩總成 15':遮罩總成 16:護膜總成 16':護膜總成 17:護膜框 17':護膜框 19:護膜 19a:邊界部分 19b:膜 20a:突起部 20d:突起部 20d:突起部 20d:突起部 22a:嚙合機構 22b:嚙合機構 22c:嚙合機構 22d:嚙合機構 24:外部部分 26:凸緣/突片 28:內部部分 30:臂 32:嚙合臂 40:第一部分 42:第二部分 44:彈簧部分 46:側 48:側 50:移動方向 52:移動方向 51:螺柱 54:中心 56:側突起部 840:螺柱附接設備 841:受控環境 842:分割區 853:遮罩總成輸送裝置 855:護膜附接設備 857:護膜框附接設備 860:受控環境 862:分割區 870:控制系統 880:遮罩輸送裝置 881:護膜總成輸送裝置 B:輻射射束 G:黏著劑 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
現將參看隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中： -  圖1為包含微影設備及輻射源之微影系統之示意性說明； -  圖2為根據本發明之實施例之各種設備及微影設備的示意性說明； -  圖3為已知類型之護膜總成的透視圖； -  圖4為包含圖3之護膜總成的已知遮罩總成的零件之示意性橫截面圖； -  圖5為已知遮罩總成的另一示意性說明； -  圖6為根據本發明之實施例的新護膜框之透視圖；且 -  圖7為新的遮罩總成之一部分的示意性橫截面，該遮罩總成包含圖6中所展示之新的護膜框。
15':遮罩總成
16':護膜總成
17':護膜框
19:護膜
51:螺柱
840:螺柱附接設備
841:受控環境
842:分割區
853:遮罩總成輸送裝置
855:護膜附接設備
857:護膜框附接設備
860:受控環境
862:分割區
870:控制系統
880:遮罩輸送裝置
881:護膜總成輸送裝置
LA:微影設備
MA:圖案化裝置

Claims (22)

  1. 一種護膜框，其包含： 一第一部分，其用於連接至一護膜之一邊界，該第一部分包含一中空且大體上矩形的本體；及 複數個第二部分，其等用於連接至一圖案化裝置； 其中該第一部分及該複數個第二部分皆由一第一材料形成；且 其中該等第二部分中之每一者藉由一彈簧部分連接至該第一部分，該彈簧部分由該第一材料形成。
  2. 如請求項1之護膜框，其中該第一材料包含鈦。
  3. 如請求項1或請求項2之護膜框，其中存在四個第二部分，每一第二部分藉由一彈簧部分連接至該第一部分。
  4. 如請求項3之護膜框，其中該四個第二部分中之每一者接近於該第一部分之一拐角。
  5. 如請求項3之護膜框，其中該等第二部分中之兩者設置於該第一部分之該中空且大體上矩形的本體的一側上，且該等第二部分中之另外兩者設置於該第一部分之該中空且大體上矩形的本體的一相對側上。
  6. 如請求項1或請求項2之護膜框，其中該複數個第二部分中之每一者包含一大體上立方形本體，使得在該護膜框之一主平面中，該等第二部分中之每一者為矩形。
  7. 如請求項1或請求項2之護膜框，其中該等彈簧部分中之每一者經組態以便允許該第一部分及該第二部分在一移動方向上之某相對移動。
  8. 如請求項1或請求項2之護膜框，其中在該護膜框之一平面中，該等彈簧部分中之每一者包含該第一材料的在一連接方向上自該第一部分延伸至該等第二部分中之一者的一部分，該彈簧部分在一移動方向上具有一較小尺寸，該移動方向係在該護膜框之一平面中且垂直於該連接方向以便允許該第二部分及該第一部分在該移動方向上之某相對移動。
  9. 如請求項7之護膜框，其中每一對對角對置之彈簧部分具有相同移動方向，使得兩個彈簧部分具有一第一移動方向且兩個彈簧部分具有一第二移動方向。
  10. 如請求項7之護膜框，其中該等彈簧部分中之每一者經組態使得其移動方向大體上指向該第一部分之一中心。
  11. 如請求項8之護膜框，其中該等彈簧部分中之每一者經組態使得其連接方向延伸穿過該彈簧部分被連接至的該第二部分上之一中心點。
  12. 如請求項1或請求項2之護膜框，其進一步包含自該中空且大體上矩形的本體突起的複數個側突起部，其中每一側突起部由該第一材料形成，且其中每一側突起部及該中控且大體上矩形的本體界定一孔隙，且其中該複數個第二部分中之每一者安置於該等孔隙中之一者中。
  13. 一種護膜總成，其包含： 如請求項1至12中任一項之護膜框；及 一護膜，該護膜包含：一邊界部分，該邊界部分為中空且大體上矩形的；及藉由該邊界部分定界之一膜； 其中該護膜之該邊界部分附接至該護膜框之該第一部分。
  14. 如請求項13之護膜總成，其中該護膜之該邊界部分由一第二材料形成，該第二材料不同於供形成該護膜框之該第一材料。
  15. 如請求項14之護膜總成，其中該護膜之該邊界部分由矽形成。
  16. 如請求項13至15中任一項之護膜總成，其中該護膜之該邊界部分藉由一黏著劑附接至該護膜框之該第一部分。
  17. 如請求項16之護膜總成，其中該黏著劑為一聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑。
  18. 如請求項16之護膜總成，其中該黏著劑為一環氧樹脂黏著劑。
  19. 一種遮罩總成，其包含： 一如請求項13至18中任一項之護膜總成；及 一圖案化裝置， 其中該護膜框之該複數個第二部分附接至該圖案化裝置。
  20. 如請求項19之遮罩總成，其中該護膜框之該複數個第二部分藉由一黏著劑附接至該圖案化裝置。
  21. 如請求項20之遮罩總成，其中該黏著劑為一聚(甲基丙烯酸甲酯)類黏著劑。
  22. 如請求項20之遮罩總成，其中該黏著劑為一環氧樹脂黏著劑。
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JPH11194481A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル装着構造
US6239863B1 (en) * 1999-10-08 2001-05-29 Silicon Valley Group, Inc. Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same
KR20100049445A (ko) * 2008-11-03 2010-05-12 (주)엠에스티테크놀로지 리소그래피용 펠리클
US10539886B2 (en) * 2014-11-17 2020-01-21 Asml Netherlands B.V. Pellicle attachment apparatus
JP2017083791A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP2019070745A (ja) * 2017-10-10 2019-05-09 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びペリクル
JP7307054B2 (ja) * 2017-10-27 2023-07-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ペリクルフレーム及びペリクルアセンブリ

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