CN115668055A - 防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 41
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 41
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 101100227721 Rattus norvegicus Frk gene Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种防护薄膜框架(1)，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面(13)及面向光掩模的下端面(14)的框状的防护薄膜框架(1)，其中，所述防护薄膜框架(1)为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面(13)或下端面(14)的切口部(20)，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上，且提供一种防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。本发明可提供一种防护薄膜框架，其在真空下进行EUV曝光时，耐受自大气压到真空的压力变化而不会产生防护薄膜膜片的破损，框架的加工性良好且在剥离防护薄膜时框架不会破损。
Description
技术领域
本发明涉及一种作为异物去除器而装设于光刻(lithography)用光掩模的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。
背景技术
近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(ExtremeUltra Violet Light，EUV光)的EUV曝光。
在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的光刻用光掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有异物，则所述异物会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。
这些作业通常是在无尘室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，一般采用当在曝光原版的表面贴附防护薄膜作为异物去除器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜上，因此，若在光刻时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关。
所述防护薄膜的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护薄膜膜片，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫一般使用粘着剂层，并贴附有以保护所述粘着剂层为目的的保护片。防护薄膜膜片包含使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护薄膜膜片。
另外，由于EUV曝光是在真空下进行，因此EUV用防护薄膜需要耐受自大气压到真空的压力变化，要求EUV防护薄膜的通气面积要大。
因此，在专利文献1中提出了一种具有防护薄膜框架的防护薄膜，其在防护薄膜框架的相向的两侧面分别设置有相对于另一侧面开孔面积率为50％～90％的通气孔。然而，给防护薄膜内外的压力变化带来影响的是相对于防护薄膜的内部空间体积的通气面积，仅以防护薄膜框架的开孔面积率进行讨论并不充分。
另外，在专利文献2中提出了一种每1cm3体积的防护薄膜的内部空间中，设置于陶瓷制框架的贯通孔的流路面积的合计为0.005cm2以上的防护薄膜框架。然而，可知，在陶瓷制的情况下，由于原材料并无延展性，因此在剥离防护薄膜时等，若对防护薄膜框架局部施加强力，则所述防护薄膜框架会破损，有时会产生异物。为了使防护薄膜框架具有强度，一般而言加厚防护薄膜框架即可，但由于EUV用的防护薄膜存在最大高度2.5mm的限制，因而难以加厚防护薄膜框架来防止破损。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2004-294786号公报
专利文献2：日本专利特开2018-200380号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种使用防护薄膜框架的防护薄膜，其在真空下进行EUV曝光时，耐受自大气压到真空的压力变化而不易产生防护薄膜膜片的破损，而且，防护薄膜框架的加工性良好且在剥离防护薄膜时不易破损。
解决问题的技术手段
本发明人发现，一种框状的防护薄膜框架，具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面，其中，自所述防护薄膜框架的端面的外侧面朝向内侧面设置切口部，将每1mm3体积的防护薄膜内空间中，内侧面、外侧面、防护薄膜内空间侧及防护薄膜外空间侧的任一部位的通气面积设定为0.001mm2以上，由此可在压力变化时抑制防护薄膜膜片的破损。另外，发现，为了设置多个通气部而需要对防护薄膜框架实施细致的加工，但通过使用具有延展性的金属作为材料，减少防护薄膜框架加工时的防护薄膜框架破损引起的损失，且在将防护薄膜自光掩模剥离时，防护薄膜框架会破损的风险少，从而完成了本发明。
因此，本发明提供下述防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。
1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。
2.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的内空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。
3.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，外侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。
4.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的外空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。
5.根据所述1至4中任一项记载的防护薄膜框架，其中，设置有至少在内侧面具有开口部的贯通孔。
6.根据所述1至4中任一项记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的金属材料选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。
7.根据所述1至4中任一项记载的防护薄膜框架，其中，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，所述通气面积的合计为0.02mm2以下。
8.根据所述1至4中任一项记载的防护薄膜框架，其中，所述切口部的高度为防护薄膜框架的厚度的50％以下。
9.根据所述1至4中任一项记载的防护薄膜框架，其中，防护薄膜框架的厚度为2.5mm以下。
10.一种防护薄膜，其特征在于包括根据所述1至9中任一项记载的防护薄膜框架、及经由粘着剂或接着剂设置于所述防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片。
11.根据所述10记载的防护薄膜，其使用于真空下或减压下的曝光。
12.根据所述10或11记载的防护薄膜，其使用于EUV曝光。
13.根据所述10或11记载的防护薄膜，其中，防护薄膜的高度为2.5mm以下。
14.根据所述10或11记载的防护薄膜，其中，所述防护薄膜膜片是由框支撑的防护薄膜膜片。
15.一种带防护薄膜的曝光原版，其特征在于，在曝光原板装设有根据所述10记载的防护薄膜。
16.根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版，其中，曝光原版为EUV用曝光原版。
17根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版，其为用于EUV光刻的带防护薄膜的曝光原版。
18.一种曝光方法，其特征在于使用根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版来进行曝光。
19.一种半导体的制造方法，其特征在于包括在真空下或减压下使用根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
20.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括在真空下或减压下使用根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
21.一种半导体的制造方法，其特征在于包括使用根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行EUV曝光的步骤。
22.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括使用根据所述15记载的带防护薄膜的曝光原版对基板进行EUV曝光的步骤。
发明的效果
根据本发明的防护薄膜框架及防护薄膜，可提供一种在自大气压到真空的压力变化时不易产生防护薄膜膜片的破损，在防护薄膜框架的加工时或防护薄膜的剥离时不易破损的防护薄膜框架及防护薄膜。另外，本发明尤其对EUV曝光用的防护薄膜有用，并且通过使用所述防护薄膜，在包括使用带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤的半导体或液晶显示板的制造方法中非常有用。
附图说明
[图1]是表示本发明的防护薄膜框架的一实施方式的示意图，(A)是自上端面侧观察的图，(B)是自长边外侧面侧观察的图，(C)是自短边外侧面侧观察的图。
[图2]是表示将本发明的防护薄膜装设于光掩模的情形的概略图。
[图3]是表示本发明的防护薄膜框架的另一实施方式的示意图，(A)是自上端面侧观察的图，(B)是自长边外侧面侧观察的图，(C)是自短边外侧面侧观察的图。
具体实施方式
以下，对本发明进行更详细的说明。
图1(A)～(C)表示本发明的防护薄膜框架1的一例，符号11表示防护薄膜框架的内侧面，符号12表示防护薄膜框架的外侧面，符号13表示防护薄膜框架的上端面，符号14表示防护薄膜框架的下端面。在所述防护薄膜框架1的上端面设置有切口部20，符号21表示切口部的宽度，符号22表示切口部的深度，符号23表示切口部的高度。另外，在所述防护薄膜框架1设置有多个贯通孔30。此外，通常在防护薄膜框架的长边侧设置有用于将防护薄膜自光掩模剥离的夹具孔，但在图1中并未特别图示。
图2表示将防护薄膜装设于光掩模的带防护薄膜的光掩模10，防护薄膜膜片2通过粘着剂或接着剂4粘着或接着并且张设于防护薄膜框架1的上端面。另外，在防护薄膜框架1的下端面，通过粘着剂或接着剂5以能够剥离的方式粘着或接着于光掩模3，以保护光掩模3上的图案面。
如图1所示，本发明的防护薄膜框架为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架。
防护薄膜框架若为框状，则其形状与装设防护薄膜的光掩模的形状对应。一般为四边形(长方形或正方形)框状。关于防护薄膜框架的角部(边缘部)的形状，可保持原样而为有角(尖锐)的形状，或者也可实施R倒角或C倒角等倒角而为曲线形状等其他形状。
另外，在防护薄膜框架，存在用于设置防护薄膜膜片的面(此处设为上端面)及在装设光掩模时面向光掩模的面(此处设为下端面)。
如图2所示，在防护薄膜框架的上端面，经由接着剂等而设置防护薄膜膜片，且在下端面设置用于将防护薄膜装设于光掩模的粘着剂等，但并不限于此。
防护薄膜框架的材质优选为具有延展性的金属。进而，由于在EUV曝光中要求比ArF曝光更高的精度，因此对光掩模的平坦性的要求严格。已知对于光掩模而言的平坦性会受到防护薄膜的影响。为了尽量抑制防护薄膜对光掩模的影响，优选为使用轻量的钛、钛合金或铝、铝合金。
防护薄膜框架的尺寸并无特别限定，在EUV用防护薄膜的高度被限制为2.5mm以下的情况下，EUV用的防护薄膜框架的厚度优选为比其小而为2.5mm以下。特别是当考量到防护薄膜膜片或光掩模用粘着剂等的厚度时，EUV用的防护薄膜框架的厚度优选为1.5mm以下。另外，所述防护薄膜框架的厚度的下限值优选为1.0mm以上。
在本发明的防护薄膜框架，自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部。即，切口部意指设置于防护薄膜框架的上端面或下端面，自外侧面连接至内侧面的凹陷(凹部)。例如，如图1(B)及(C)所示，切口部20自防护薄膜框架的外表面观察具有大致コ字型的凹陷。此外，大致コ字型的凹陷除了包含角部尖锐被削成四边形的形状以外，还包含对角部实施了R加工的形状。另外，如图1(A)所示，切口部20自上表面观察时，自外侧面朝向内侧面以相同的宽度形成有凹部，但并不限于此，也可为自外侧面朝向内侧面逐渐变窄或变宽的锥形形状。进而，关于切口部的高度方向(参照图1的符号23)，高度也可不限于自外侧面朝向内侧面相同而是以逐渐扩大或缩小的方式成为锥形形状。此外，关于所述切口部的配置部位或个数，并无特别限制。
另外，切口部的形状或尺寸并无特别限制，但若增大切口部的高度(图1的符号23)，则相应地，防护薄膜框架的切口部下方的厚度减少，在剥离防护薄膜时，防护薄膜框架以最薄部为起点发生弯曲，有可能因所述冲击而导致防护薄膜膜片破损。由于在再生光掩模时需要时间，因此剥离防护薄膜时的防护薄膜膜片的破损成为问题。因此，切口部的高度优选为防护薄膜框架的厚度的50％以下，更优选为30％以下，进而优选为15％以下。另一方面，就加工的容易度而言，切口部的高度优选为防护薄膜框架的厚度的5％以上。
此外，在图1中，在防护薄膜框架1的上端面设置切口部20，但作为另一防护薄膜框架的形态，在图3(A)～(C)中示出在防护薄膜框架1的下端面设置切口部20的防护薄膜框架。
另外，在本发明中，为了防止自大气压到真空的压力变化时防护薄膜膜片的破损，需要将每1mm3体积的防护薄膜内空间中，防护薄膜框架的内侧面、外侧面、防护薄膜内空间侧及防护薄膜外空间侧的任一部位的通气面积的合计设定为0.001mm2以上。为了降低防护薄膜膜片破损的风险，通气面积越大越优选。每1mm3体积的防护薄膜内空间中，所述通气面积的合计的优选值为0.0013mm2以上，更优选的值为0.0015mm2以上。作为上限值，就防护薄膜框架的破损防止及强度维持的方面而言，优选为0.02mm2以下，更优选为0.015mm2以下。
另外，本发明的防护薄膜框架优选为设置至少在内侧面具有开口部的贯通孔。即，贯通孔的开口部的其中一个设置于内侧面，并且贯通孔的开口部的另一个可形成于防护薄膜框架的外侧面或防护薄膜膜片所处的上端面。当贯通孔的另一个开口部形成于防护薄膜框架的上端面时，可在所述上端面设置过滤器，尤其对框架厚度薄的EUV用有利。
所述贯通孔(通气孔)的形状或尺寸并无特别限制，但优选为采用圆形、椭圆形等形状，其开口面积优选为0.03mm2以上。另外，就加工的容易度而言，优选为将防护薄膜端面与通气孔之间的最薄部设为0.2mm以上。
在图1的防护薄膜框架中，形成有切口部与贯通孔(通气孔)这两者，但并不限定于此，在本发明中，也可仅采用切口部。但是，如后所述，为了确保作为通气部的一定以上的面积，充分发挥本发明的所期望的效果，且充分确保防护薄膜框架的强度，理想的是并用切口部与贯通孔。此时的防护薄膜框架的长边、短边的各边中，切口部的面积为0.05mm2～400mm2，个数为1个～50个的范围，另一方面，贯通孔的面积为0.03mm2～130mm2，个数可在1个～250个的范围内设置。
在本发明的防护薄膜框架中，通气面积是作为完成防护薄膜时的内侧面、外侧面、防护薄膜内空间侧及防护薄膜外空间侧的任一部位的通气面积来计算。例如，在直径0.8mm的通气孔为40个；在防护薄膜膜片侧的端面10mm宽(参照图1的符号21)、高度0.2mm(参照图1的符号23)的切口部为40个；形成于切口部以外的上端面的防护薄膜膜片用粘着剂的厚度为0.1mm的情况下，存在于所述防护薄膜的通气面积的合计为140mm2。即，粘着剂的厚度量也作为通气面积进行计算。
[通气孔的面积：式1]0.4×0.4×3.14×40(个数)＝20.096(mm2)
[切口部的开口面积：式2]10×(0.2+0.1)×40(个数)＝120(mm2)
即，当在防护薄膜框架设置切口部时，切口部比通气孔更容易制作，并且作为切口部以外的通气空间，如上所述，也加上层叠的粘着剂层的厚度的量，在本发明中，作为通气部而将切口部设为必需的优点大。
而且，在本发明中，所谓防护薄膜的内部空间体积，意指完成防护薄膜时的、包含粘着剂厚度的真实的内部空间体积。例如，在防护薄膜框架的内尺寸为纵143mm×横110mm×高度1.5mm，防护薄膜膜片用粘着剂与光掩模用粘着剂的厚度为0.1mm，防护薄膜膜片由0.725mm高度的Si框支撑的极薄单晶硅膜的情况下，由于极薄硅膜充分薄因而在体积计算时可忽略，因此防护薄膜的内部空间体积为38145mm3。
[防护薄膜的内部空间体积：式3]143×110×(1.5+0.1+0.1+0.725)＝38145.25(mm3)
此时的通气面积的合计为〔20.096(mm2)+120(mm2)〕/38145mm3≒0.0037。可计算为每1mm3体积的防护薄膜内空间中为约0.0037mm2。
在所述通气部，也可视需要设置过滤器。
本发明的防护薄膜中，防护薄膜膜片经由防护薄膜膜片用的粘着剂或接着剂设置于如上所述的防护薄膜框架的上端面。作为防护薄膜膜片用粘着剂或接着剂，并无特别限制，可使用公知者。一般而言，粘着剂或接着剂遍及防护薄膜框架的一端面的周向整周而形成为与防护薄膜框架宽度相同或其以下的宽度。当在防护薄膜框架的一端面存在切口部时，优选为形成于切口部以外的端面上。
关于所述防护薄膜膜片的材质，并无特别限制，优选为曝光光源的波长下的透过率高且耐光性高的材质。例如，针对EUV曝光而使用极薄硅膜、Si膜或碳膜。作为这些碳膜，例如可列举石墨烯、类金刚石碳、碳纳米管等的膜。此外，在难以对防护薄膜膜片进行单独操作的情况下，可使用由硅等的框支撑的防护薄膜膜片。此情况下，通过将框的区域与防护薄膜框架接着，可容易地制造防护薄膜。
进而，在防护薄膜框架的下端面形成有用于装设于光掩模的粘着剂或接着剂。一般而言，粘着剂或接着剂遍及防护薄膜框架的一端面的周向整周而形成为与防护薄膜框架宽度相同或其以下的宽度。当在防护薄膜框架的一端面存在切口部时，形成于切口部以外的端面上。
作为所述光掩模用粘着剂，可使用公知的粘着剂，可优选地使用丙烯酸系粘着剂、硅酮系粘着剂、橡胶系粘着剂等，就耐热性的观点而言，特别优选为硅酮系粘着剂。粘着剂可视需要被加工成任意形状。
在所述光掩模用粘着剂的下端面，也可贴附用于保护粘着剂的脱模层(隔离膜(separator))。脱模层的材质并无特别限制，例如可使用：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ethercopolymer，PFA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)等。另外，视需要，也可在脱模层的表面涂布硅酮系脱模剂或氟系脱模剂等脱模剂。
本发明的防护薄膜框架也可设置朝向外侧或内侧的突起部。通过使用此种突起部，也可形成过滤器。另外，通过在朝向外侧的突起部设置与曝光原版的连接机构(螺钉、粘着剂等)，也可省略光掩模用粘着剂。
本发明的防护薄膜不仅可作为用于在EUV曝光装置内抑制异物附着于曝光原版的保护构件，而且还可作为在曝光原版的保管时或在曝光原版的搬运时用于保护曝光原版的保护构件。将防护薄膜装设于光掩模等曝光原版并制造带防护薄膜的曝光原版的方法除了存在利用所述光掩模用粘着剂进行贴附的方法以外，还存在静电吸附法、进行机械性固定的方法等。
本发明的实施方式的半导体或液晶显示板的制造方法包括利用所述带防护薄膜的曝光原版对基板(半导体晶片或液晶用原板)进行曝光的步骤。例如，在作为半导体或液晶显示板的制造步骤之一的光刻步骤中，为了在基板上形成与集成电路等对应的光致抗蚀剂图案，而在步进器设置所述带防护薄膜的曝光原版进行曝光。一般，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射并被引导至基板的投影光学系统，这些是在减压或真空下进行。由此，假设即便在光刻步骤中异物附着于防护薄膜上，这些异物也不会在涂布有光致抗蚀剂的晶片上成像，因此可防止由异物的像引起的集成电路等的短路或断线等。因此，通过使用带防护薄膜的曝光原版，可提高光刻步骤中的良率。
实施例
以下，示出实施例及比较例，对本发明进行具体说明，但本发明并不受下述实施例的限制。
[实施例1]
制作钛制的防护薄膜框架(内尺寸143mm×110mm×高度1.5mm，框架宽度4mm)。在防护薄膜框架各边中央的上端面，设置有宽度30mm×高度0.1mm×深度4mm的切口部。进而，在各边设置有12个直径0.8mm的贯通孔。
对防护薄膜框架进行清洗，将向硅酮粘着剂(信越化学工业(股)制造的“X-40-3264”)100质量份中加入硬化剂(信越化学工业(股)制造的“PT-56”)1质量份并进行搅拌而得的材料以成为宽度1mm、厚度0.1mm的方式涂布于防护薄膜框架上端面的无切口部的部位。另外，在防护薄膜框架的下端面，将作为光掩模用粘着剂，向丙烯酸粘着剂(综研化学(股)制造的“SK戴恩(SK-Dyne)1499M”)100质量份中加入硬化剂(综研化学(股)制造的“L-45”)并进行搅拌而得的材料以成为宽度1mm、厚度0.1mm的方式遍及整周来涂布。然后，将防护薄膜框架在100℃下加热12小时，使上下端面的粘着剂硬化。接着，将由0.725mm厚的Si框支撑的50nm厚的极薄硅膜作为防护薄膜膜片压接于在防护薄膜框架的上端面形成的粘着剂，从而完成了防护薄膜。
[实施例2]
制作铝制的防护薄膜框架(内尺寸143mm×110mm×高度1.5mm、框架宽度4mm)。在防护薄膜框架各边设置有48个直径0.8mm的贯通孔。除了所述框架的形状以外，与实施例1相同。
[比较例1]
制作钛制的防护薄膜框架(内尺寸143mm×110mm×1.5mm、框架宽度4mm)。在防护薄膜框架各边中央的上端面设置有宽度30mm×高度0.1mm×深度4mm的切口部。除了所述防护薄膜框架的形状以外，与实施例1相同。
[比较例2]
利用作为陶瓷的氧化铝尝试制作实施例1的防护薄膜框架，但在制作中途发生破损。
[真空测试]
将实施例1、实施例2及比较例1中制作的防护薄膜贴附于6英寸见方的石英掩模，实施真空测试。所述真空测试是将所述带掩模的防护薄膜放入真空腔室内，以170秒自大气压减压至1Pa，然后以250秒自1Pa返回至大气压，确认防护薄膜膜片是否存在破损。将其结果示于下述表1。
[表1]
根据所述表1的结果，在实施例1及实施例2中，未确认到防护薄膜膜片的破损而为良好，但在比较例1中确认到防护薄膜膜片的破损。
符号的说明
1：防护薄膜框架
11：防护薄膜框架的内侧面
12：防护薄膜框架的外侧面
13：防护薄膜框架的上端面
14：防护薄膜框架的下端面
20：切口部
21：切口部的宽度
22：切口部的深度
23：切口部的高度
30：贯通孔(通气孔)
2：防护薄膜膜片
3：光掩模
4：防护薄膜膜片用粘着剂或接着剂
5：光掩模用粘着剂或接着剂
10：带防护薄膜的光掩模
Claims (22)
1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，内侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。
2.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的内空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。
3.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，外侧面的通气面积的合计为0.001mm2以上。
4.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护薄膜膜片的上端面及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于，所述防护薄膜框架为金属制，并且自外侧面朝向内侧面设置开放上端面或下端面的切口部，每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，防护薄膜的外空间侧的通气面积的合计为0.001mm2以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中设置有至少在内侧面具有开口部的贯通孔。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中防护薄膜框架的金属材料选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中每1mm3体积的防护薄膜的内空间中，所述通气面积的合计为0.02mm2以下。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中所述切口部的高度为防护薄膜框架的厚度的50％以下。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的防护薄膜框架，其中防护薄膜框架的厚度为2.5mm以下。
10.一种防护薄膜，其特征在于包括如权利要求1至9中任一项所述的防护薄膜框架、及经由粘着剂或接着剂设置于所述防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片。
11.根据权利要求10所述的防护薄膜，其使用于真空下或减压下的曝光。
12.根据权利要求10或11所述的防护薄膜，其使用于极紫外线曝光。
13.根据权利要求10或11所述的防护薄膜，其中防护薄膜的高度为2.5mm以下。
14.根据权利要求10或11所述的防护薄膜，其中所述防护薄膜膜片是由框支撑的防护薄膜膜片。
15.一种带防护薄膜的曝光原版，其特征在于，在曝光原板装设有如权利要求10所述的防护薄膜。
16.根据权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版，其中曝光原版为极紫外线用曝光原版。
17.根据权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版，其为用于极紫外线光刻的带防护薄膜的曝光原版。
18.一种曝光方法，其特征在于使用如权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版来进行曝光。
19.一种半导体的制造方法，其特征在于包括在真空下或减压下使用如权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
20.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括在真空下或减压下使用如权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版对基板进行曝光的步骤。
21.一种半导体的制造方法，其特征在于包括使用如权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版对基板进行极紫外线曝光的步骤。
22.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括使用如权利要求15所述的带防护薄膜的曝光原版对基板进行极紫外线曝光的步骤。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020099139 | 2020-06-08 | ||
| JP2020-099139 | 2020-06-08 | ||
| PCT/JP2021/020161 WO2021251157A1 (ja) | 2020-06-08 | 2021-05-27 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115668055A true CN115668055A (zh) | 2023-01-31 |
Family
ID=78845571
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202121151382.XU Active CN216118382U (zh) | 2020-06-08 | 2021-05-27 | 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统 |
| CN202180036072.XA Pending CN115668055A (zh) | 2020-06-08 | 2021-05-27 | 防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202121151382.XU Active CN216118382U (zh) | 2020-06-08 | 2021-05-27 | 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230221634A1 (zh) |
| EP (1) | EP4163720A4 (zh) |
| JP (1) | JP7537494B2 (zh) |
| KR (1) | KR20230019853A (zh) |
| CN (2) | CN216118382U (zh) |
| TW (2) | TWM618972U (zh) |
| WO (1) | WO2021251157A1 (zh) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1720070A3 (en) * | 2002-12-09 | 2006-11-22 | ASML Holding N.V. | Pellicle frame with heightened bonding surfaces |
| JP2004294786A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | ペリクル |
| US20060246234A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame |
| JP5454136B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2014-03-26 | 株式会社ニコン | ペリクルフレーム装置、マスク、レチクル装置、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
| KR20100049445A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | (주)엠에스티테크놀로지 | 리소그래피용 펠리클 |
| JP6837433B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2021-03-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ペリクル取り付け装置及びペリクル取り付け方法 |
| JP2018200380A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠及びその製造方法 |
| JP7357432B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2023-10-06 | 信越化学工業株式会社 | Ｅｕｖ用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法 |
| JP2019070745A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
| KR102465834B1 (ko) * | 2018-03-27 | 2022-11-11 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP7111566B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-02 | 日本特殊陶業株式会社 | ペリクル枠及びペリクル |
-
2021
- 2021-05-27 CN CN202121151382.XU patent/CN216118382U/zh active Active
- 2021-05-27 TW TW110206104U patent/TWM618972U/zh unknown
- 2021-05-27 WO PCT/JP2021/020161 patent/WO2021251157A1/ja unknown
- 2021-05-27 TW TW110119242A patent/TW202147018A/zh unknown
- 2021-05-27 CN CN202180036072.XA patent/CN115668055A/zh active Pending
- 2021-05-27 JP JP2022530126A patent/JP7537494B2/ja active Active
- 2021-05-27 US US18/009,019 patent/US20230221634A1/en active Pending
- 2021-05-27 KR KR1020227043362A patent/KR20230019853A/ko active Search and Examination
- 2021-05-27 EP EP21820863.5A patent/EP4163720A4/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4163720A1 (en) | 2023-04-12 |
| TWM618972U (zh) | 2021-11-01 |
| US20230221634A1 (en) | 2023-07-13 |
| EP4163720A4 (en) | 2024-08-14 |
| WO2021251157A1 (ja) | 2021-12-16 |
| JPWO2021251157A1 (zh) | 2021-12-16 |
| KR20230019853A (ko) | 2023-02-09 |
| CN216118382U (zh) | 2022-03-22 |
| TW202147018A (zh) | 2021-12-16 |
| JP7537494B2 (ja) | 2024-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |