WO2021251157A1 - ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法 - Google Patents

ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法 Download PDF

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frame
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pellicle frame
exposure
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優 簗瀬
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信越化学工業株式会社
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    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Definitions

  • the present invention relates to a pellicle frame, a pellicle, an exposure original plate with a pellicle, an exposure method, a semiconductor manufacturing method, and a liquid crystal display board manufacturing method, which are attached to a lithography photomask as a foreign matter shield.
  • the design rules of LSI have been miniaturized to sub-quarter microns, and along with this, the wavelength of the exposure light source has been shortened. That is, the exposure light source has shifted from g-ray (436 nm) and i-line (365 nm) by a mercury lamp to KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm) and the like, and further, EUV with a main wavelength of 13.5 nm. (Excimer UltraViolet) EUV exposure using light is being studied.
  • the basic structure of this pellicle is that a pellicle film with high transmittance for light used for exposure is attached to the upper end surface of a pellicle frame made of aluminum, titanium, etc., and an airtight gasket is formed on the lower end surface. Is what you are doing.
  • a pressure-sensitive adhesive layer is generally used for the airtight gasket, and a protective sheet for protecting the pressure-sensitive adhesive layer is attached.
  • the pellicle film is nitrocellulose, cellulose acetate, fluorine that well transmits light used for exposure (g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), etc. by mercury lamp). Although it is made of a polymer or the like, an ultrathin silicon film or a carbon film is being studied as a pellicle film for EUV exposure.
  • the EUV pellicle since EUV exposure is performed under vacuum, the EUV pellicle must withstand the pressure change from atmospheric pressure to vacuum, and the EUV pellicle is required to have a large ventilation area.
  • Patent Document 1 proposes a pellicle having a pellicle frame provided with vent holes having an opening area ratio of 50 to 90% with respect to the other side surfaces on two opposite side surfaces of the pellicle frame.
  • it is the ventilation area with respect to the internal space volume of the pellicle that affects the pressure change inside and outside the pellicle, and it is not sufficient to discuss only the opening area ratio of the pellicle frame.
  • Patent Document 2 proposes a pellicle frame in which the total flow path area of the through holes provided in the ceramic frame is 0.005 cm 2 or more per 1 cm 3 of the volume of the internal space of the pellicle.
  • the pellicle frame since the material is not ductile, it was found that if a strong force is locally applied to the pellicle frame, such as when peeling off the pellicle, the pellicle frame may be damaged and foreign matter may be generated. I came.
  • it is generally sufficient to make the pellicle frame thicker, but since the pellicle for EUV has a maximum height of 2.5 mm, the pellicle frame is thickened to prevent damage. It's difficult to do.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances.
  • EUV exposure is performed under vacuum
  • the pellicle film is less likely to be damaged by withstanding a pressure change from atmospheric pressure to vacuum, and the pellicle frame has good workability.
  • the present invention is a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask, and a notch is provided from the outer surface to the inner surface of the end surface of the pellicle frame.
  • the present invention has been made by finding that there is little risk of damage to the pellicle frame when the pellicle is peeled off from the photomask.
  • the present invention provides the following pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, semiconductor manufacturing method, and liquid crystal display board manufacturing method.
  • a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask, the pellicle frame is made of metal and a notch with an open upper end surface or lower end surface is formed from an outer surface.
  • a pellicle frame provided toward the inner side surface, wherein the total ventilation area on the inner side surface is 0.001 mm 2 or more per 1 mm 3 of the volume of the inner space of the pellicle. 2.
  • the pellicle frame In a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask, the pellicle frame is made of metal and a notch with an open upper end surface or lower end surface is formed from an outer surface.
  • a pellicle frame provided toward the inner side surface, wherein the total ventilation area on the inner space side of the pellicle is 0.001 mm 2 or more per 1 mm 3 of the volume of the inner space of the pellicle. 3.
  • the pellicle frame is made of metal and a notch with an open upper end surface or lower end surface is formed from an outer surface.
  • a pellicle frame provided toward the inner side surface, wherein the total ventilation area on the outer surface is 0.001 mm 2 or more per 1 mm 3 of the volume of the inner space of the pellicle. 4.
  • a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask
  • the pellicle frame is made of metal and a notch with an open upper end surface or lower end surface is formed from an outer surface.
  • a pellicle frame provided toward the inner side surface, wherein the total ventilation area on the outer space side of the pellicle is 0.001 mm 2 or more per 1 mm 3 of the volume of the inner space of the pellicle. 5.
  • the pellicle frame according to any one of 1 to 4 above, wherein a through hole having an opening is provided at least on the inner side surface. 6.
  • An exposure method comprising exposure using the exposure original plate with a pellicle according to the above 15. 19.
  • a method for manufacturing a semiconductor which comprises a step of exposing a substrate under vacuum or reduced pressure using the exposed original plate with pellicle according to the above 15.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display plate which comprises a step of exposing a substrate under vacuum or reduced pressure using the exposure original plate with a pellicle according to the above 15. 21.
  • a method for manufacturing a semiconductor which comprises a step of EUV-exposing a substrate using the exposure original plate with a pellicle according to the above 15. 22.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display plate which comprises a step of EUV exposing a substrate using the exposure original plate with a pellicle according to the above 15.
  • a pellicle frame and the pellicle of the present invention there is provided a pellicle frame and a pellicle that are less likely to be damaged when the pressure changes from atmospheric pressure to vacuum, and are less likely to be damaged when the pellicle frame is processed or when the pellicle is peeled off. Can be done. Further, the present invention is particularly useful for a pellicle for EUV exposure, and is very useful in a method for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal display plate, which comprises a step of exposing a substrate using an exposure original plate with a pellicle by using the pellicle. It is useful for.
  • FIG. 1 It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the pellicle frame of this invention, (A) is a view seen from the upper end surface side, (B) is a view seen from the long side outer surface side, (C) is a view. It is a figure seen from the side of the outer side of a short side. It is a schematic diagram which shows the appearance which the pellicle of this invention was attached to the photomask. It is a schematic diagram showing another embodiment of the pellicle frame of the present invention, (A) is a view seen from the upper end surface side, (B) is a view seen from the long side outer surface side, (C). Is a view seen from the outer side of the short side.
  • 1A to 1C show an example of the pellicle frame 1 of the present invention
  • reference numeral 11 is an inner surface of the pellicle frame
  • reference numeral 12 is an outer surface of the pellicle frame
  • reference numeral 13 is an upper end surface of the pellicle frame.
  • Reference numeral 14 indicates a lower end surface of the pellicle frame.
  • a notch 20 is provided on the upper end surface of the pellicle frame 1
  • reference numeral 21 indicates the width of the notch
  • reference numeral 22 indicates the depth of the notch
  • reference numeral 23 indicates the height of the notch.
  • the pellicle frame 1 is provided with a plurality of through holes 30. Normally, a jig hole used for peeling the pellicle from the photomask is provided on the long side of the pellicle frame, but it is not particularly shown in FIG.
  • FIG. 2 shows a photomask 10 with a pellicle in which the pellicle is attached to the photomask, and the pellicle film 2 is adhered or adhered to and stretched on the upper end surface of the pellicle frame 1 by an adhesive or an adhesive 4. Has been done. Further, the lower end surface of the pellicle frame 1 is peelably adhered or adhered to the photomask 3 with an adhesive or an adhesive 5 to protect the pattern surface on the photomask 3.
  • the pellicle frame of the present invention is a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask.
  • the pellicle frame is frame-shaped, its shape corresponds to the shape of the photomask on which the pellicle is attached. Generally, it has a rectangular (rectangular or square) frame shape.
  • the shape of the corner (edge) of the pellicle frame may be an angular (pointed) shape as it is, or it may be chamfered such as R chamfer or C chamfer and has another shape such as a curved shape. You may.
  • the pellicle frame has a surface for providing the pellicle film (here, the upper end surface) and a surface facing the photomask when the photomask is attached (here, the lower end surface).
  • a pellicle film is provided on the upper end surface of the pellicle frame via an adhesive or the like, and an adhesive or the like for attaching the pellicle to the photomask is provided on the lower end surface. Not as long.
  • the material of the pellicle frame is preferably ductile metal. Further, EUV exposure requires higher accuracy than ArF exposure, so that the photomask is required to have flatness. Flatness to photomasks is known to be affected by pellicle. It is preferable to use lightweight titanium, titanium alloy, aluminum, or aluminum alloy in order to suppress the influence of the pellicle on the photomask as much as possible.
  • the dimensions of the pellicle frame are not particularly limited, but when the height of the EUV pellicle is limited to 2.5 mm or less, the thickness of the EUV pellicle frame may be smaller than that and may be 2.5 mm or less. preferable.
  • the thickness of the pellicle frame for EUV is preferably 1.5 mm or less in consideration of the thickness of the pellicle film, the pressure-sensitive adhesive for a photomask, and the like.
  • the lower limit of the thickness of the pellicle frame is preferably 1.0 mm or more.
  • the pellicle frame of the present invention is provided with a notch portion having an open upper end surface or lower end surface toward the inner side surface from the outer side surface. That is, the notch portion means a recess (recess) provided on the upper end surface or the lower end surface of the pellicle frame and connected from the outer surface to the inner surface.
  • the notch 20 has a substantially U-shaped recess when viewed from the outer surface of the pellicle frame.
  • the substantially U-shaped depression includes not only a shape in which the corners are sharpened into a quadrangle, but also a shape in which the corners are R-processed. Further, as shown in FIG.
  • the cutout portion 20 is formed with a recess having the same width from the outer surface to the inner side surface when viewed from the upper surface, but is not limited to this, and the notch portion 20 is not limited to this and is formed from the outer surface to the inner surface. It may have a tapered shape that is gradually narrowed or widened toward the side surface. Further, the height direction of the notch portion (see reference numeral 23 in FIG. 1) is also tapered from the outer surface to the inner surface so that the height is not limited to the same but gradually expands or contracts. May be good. The location and number of the cutouts are not particularly limited.
  • the shape and dimensions of the notch are not particularly limited, but if the height of the notch (reference numeral 23 in FIG. 1) is increased, the thickness below the notch of the pellicle frame can be increased accordingly.
  • the height of the notch is preferably 50% or less, more preferably 30% or less, and further preferably 15% or less of the thickness of the pellicle frame.
  • the height of the notch is preferably 5% or more of the thickness of the pellicle frame.
  • a notch portion 20 is provided on the upper end surface of the pellicle frame 1, but as another aspect of the pellicle frame, a pellicle frame having the notch portion 20 provided on the lower end surface of the pellicle frame 1 is shown. 3 (A) to (C) are shown.
  • the ventilation area at any of the inner surface, the outer surface, the pellicle inner space side and the pellicle outer space side of the pellicle frame The total should be set to 0.001 mm 2 or more per 1 mm 3 of the space inside the pellicle. Larger ventilation areas are preferred to reduce the risk of pellicle membrane breakage.
  • a preferable value of the total ventilation area is 0.0013 mm 2 or more per 1 mm 3 volume of the space inside the pellicle, and a more preferable value is 0.0015 mm 2 or more.
  • the upper limit, in terms of damage prevention and maintaining strength of the pellicle frame preferably 0.02 mm 2 or less, more preferably 0.015 mm 2 or less.
  • the pellicle frame of the present invention is provided with a through hole having an opening at least on the inner side surface. That is, one of the openings of the through holes is provided on the inner side surface, and the other of the openings of the through holes can be formed on the outer surface of the pellicle frame or the upper end surface on which the pellicle film is located.
  • a filter can be provided on the upper end surface, which is particularly advantageous for EUV having a thin frame thickness.
  • the shape and dimensions of the through hole are not particularly limited, but it is preferable to adopt a shape such as a circular shape or an elliptical shape, and the opening area thereof is preferably 0.03 mm 2 or more. .. Further, from the viewpoint of ease of processing, it is preferable that the thinnest portion between the pellicle end face and the ventilation hole is 0.2 mm or more.
  • both a notch and a through hole are formed, but the present invention is not limited to this, and in the present invention, only the notch may be adopted. ..
  • the cutout portion and the through hole are provided. It is desirable to use in combination with.
  • the area of the cutout portion is 0.05 to 400 mm 2 and the number is in the range of 1 to 50 on each of the long side and the short side of the pellicle frame, while the area of the through hole is. It is 0.03 to 130 mm 2 , and the number can be provided in the range of 1 to 250.
  • the ventilation area is calculated as the ventilation area at any of the inner side surface, the outer surface, the pellicle inner space side and the pellicle outer space side when the pellicle is completed.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive for a pellicle film formed on the upper end surface other than the notch is 0.1 mm
  • the total aeration area existing in this pellicle is 140 mm 2 .
  • the thickness of the adhesive is also calculated as the aeration area.
  • [Area of ventilation holes: Equation 1] 0.4 ⁇ 0.4 ⁇ 3.14 ⁇ 40 (number) 20.096 (mm 2 )
  • [Opening area of notch: Equation 2] 10 ⁇ (0.2 + 0.1) ⁇ 40 (number) 120 (mm 2 )
  • the notch is easier to make than the ventilation hole, and the notch is provided as a ventilation space other than the notch by the thickness of the adhesive layer to be laminated as described above. Is also added, and in the present invention, there is a great merit that the notch portion is indispensable as the ventilation portion.
  • the internal space volume of the pellicle means the true internal space volume including the thickness of the adhesive when the pellicle is completed.
  • the inner dimensions of the pellicle frame are 143 mm in length ⁇ 110 mm in width ⁇ 1.5 mm in height
  • the thickness of the adhesive for the pellicle film and the adhesive for the photomask is 0.1 mm
  • the pellicle film is 0.725 mm higher.
  • the ultra-thin single crystal silicon film supported by the Si frame the ultra-thin silicon film is sufficiently thin and can be ignored at the time of volume calculation. Therefore, the internal space volume of the pellicle is 38145 mm 3 .
  • a filter may be provided in the ventilation portion if necessary.
  • a pellicle film is provided on the upper end surface of the pellicle frame as described above via an adhesive or an adhesive for the pellicle film.
  • the adhesive for the pellicle film or the adhesive is not particularly limited, and known adhesives can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive or the adhesive is formed to have a width equal to or less than the width of the pellicle frame over the entire circumferential direction of one end surface of the pellicle frame. When there is a notch on one end surface of the pellicle frame, it is preferably formed on the end surface other than the notch.
  • the material of the pellicle film is not particularly limited, but a material having high transmittance at the wavelength of the exposure light source and high light resistance is preferable.
  • a material having high transmittance at the wavelength of the exposure light source and high light resistance is preferable.
  • an ultrathin silicon film, a Si film, a carbon film, or the like is used for EUV exposure.
  • these carbon films include films such as graphene, diamond-like carbon, and carbon nanotubes.
  • a pellicle membrane supported by a frame such as silicon can be used. In that case, the pellicle can be easily manufactured by adhering the area of the frame and the pellicle frame.
  • an adhesive or an adhesive for attaching to the photomask is formed on the lower end surface of the pellicle frame.
  • the pressure-sensitive adhesive or the adhesive is formed to have a width equal to or less than the width of the pellicle frame over the entire circumferential direction of one end surface of the pellicle frame. If there is a notch on one end of the pellicle frame, it is formed on the end face other than the notch.
  • the pressure-sensitive adhesive for a photomask known ones can be used, and acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone-based pressure-sensitive adhesives, rubber-based pressure-sensitive adhesives and the like can be preferably used, and in particular, silicone-based pressure-sensitive adhesives can be used from the viewpoint of heat resistance.
  • the agent is preferred.
  • the adhesive may be processed into any shape, if necessary.
  • a release layer (separator) for protecting the adhesive may be attached to the lower end surface of the adhesive for photomask.
  • the material of the release layer is not particularly limited, but is, for example, polyethylene terephthalate (PET), polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polyethylene (PE), polycarbonate (PC). ), Polyvinyl chloride (PVC), polypropylene (PP) and the like can be used.
  • a mold release agent such as a silicone-based mold release agent or a fluorine-based mold release agent may be applied to the surface of the mold release layer.
  • the pellicle frame of the present invention may be provided with protrusions facing outward or inward.
  • a filter can also be formed by using such a protrusion.
  • a connection mechanism screws, adhesive, etc.
  • the pellicle of the present invention is used not only as a protective member for suppressing foreign matter from adhering to the exposure original plate in the EUV exposure apparatus, but also for protecting the exposure original plate during storage of the exposure original plate and transportation of the exposure original plate. It may be used as a protective member for.
  • a method of attaching a pellicle to an exposure original plate such as a photomask and manufacturing an exposure original plate with a pellicle in addition to the above-mentioned method of attaching with a photomask adhesive, an electrostatic adsorption method, a method of mechanically fixing, etc. be.
  • the method for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal display plate includes a step of exposing a substrate (semiconductor wafer or a liquid crystal display plate) with the above-mentioned exposed original plate with a pellicle.
  • a substrate semiconductor or a liquid crystal display plate
  • the exposure original plate with a pellicle is installed on a stepper and exposed.
  • EUV exposure a projection optical system in which EUV light is reflected by an exposure original plate and guided to a substrate is used, and these are performed under reduced pressure or vacuum.
  • Example 1 A titanium pellicle frame (inner dimensions 143 mm ⁇ 110 mm ⁇ height 1.5 mm, frame width 4 mm) was produced. A notch having a width of 30 mm, a height of 0.1 mm, and a depth of 4 mm was provided on the upper end surface at the center of each side of the pellicle frame. Further, 12 through holes having a diameter of 0.8 mm were provided on each side. Clean the pellicle frame, and apply a silicone adhesive ("X-40-3264" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) to 100 parts by mass of the silicone adhesive (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) on the upper end surface of the pellicle frame where there is no notch.
  • a silicone adhesive (“X-40-3264” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Example 2 An aluminum pellicle frame (inner dimensions 143 mm ⁇ 110 mm ⁇ height 1.5 mm, frame width 4 mm) was produced. Forty-eight through holes having a diameter of 0.8 mm were provided on each side of the pellicle frame. Except for the shape of this frame, it is the same as that of the first embodiment.
  • a titanium pellicle frame (inner dimensions 143 mm ⁇ 110 mm ⁇ 1.5 mm, frame width 4 mm) was produced.
  • Example 1 and Example 2 From the results in Table 1 above, in Example 1 and Example 2, no damage to the pellicle film was confirmed and it was good, but in Comparative Example 1, damage to the pellicle film was confirmed.

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Abstract

ペリクル膜を設ける上端面（１３）とフォトマスクに面する下端面（１４）とを有する枠状のペリクルフレーム（１）において、該ペリクルフレーム（１）は金属製であると共に、上端面（１３）又は下端面（１４）が開放された切り欠き部（２０）を外側面から内側面に向かって設け、内側面における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ３あたり０．００１ｍｍ２以上であるペリクルフレーム（１）、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法を提供する。ＥＵＶ露光を真空下で行う際、大気圧から真空への圧力変化に耐えてペリクル膜の破損に生じることがなく、フレームの加工性が良好で且つ、ペリクルを剥離する際にフレームが破損しないペリクルフレームを提供できる。

Description

ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法
　本発明は、リソグラフィ用フォトマスクに異物除けとして装着されるペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法に関する。
　近年、ＬＳＩのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴って、露光光源の短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は水銀ランプによるｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等に移行しており、さらには主波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を使用するＥＵＶ露光が検討されている。
　ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体製造又は液晶表示板の製造においては、半導体ウエハ又は液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、この場合に用いるリソグラフィ用フォトマスク及びレチクル（以下、総称して「露光原版」と記述する。）に異物が付着していると、この異物が光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジが粗雑なものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観等が損なわれるという問題があった。
　これらの作業は、通常クリーンルームで行われているが、それでも露光原版を常に清浄に保つことは難しい。そこで、露光原版の表面に異物除けとしてペリクルを貼り付けた後に露光をする方法が一般に採用されている。この場合、異物は露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上の異物は転写に無関係となる。
　このペリクルの基本的な構成は、アルミニウムやチタン等からなるペリクルフレームの上端面に露光に使われる光に対し透過率が高いペリクル膜が張設されるとともに、下端面に気密用ガスケットが形成されているものである。気密用ガスケットは一般的に粘着剤層が用いられ、この粘着剤層の保護を目的とした保護シートが貼り付けられる。ペリクル膜は、露光に用いる光（水銀ランプによるｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等）を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマー等からなるが、ＥＵＶ露光用では、ペリクル膜として極薄シリコン膜や炭素膜が検討されている。
　また、ＥＵＶ露光は真空下で行われるため、ＥＵＶ用ペリクルは大気圧から真空への圧力変化に耐える必要があり、ＥＵＶペリクルの通気面積が大きいことが要求される。
　そこで、特許文献１では、ペリクルフレームの対向する２側面に、他側面に対して開孔面積率が５０～９０％である通気孔がそれぞれ設けられたペリクルフレームを有するペリクルが提案されている。しかしながら、ペリクル内外の圧力変化に影響を与えるのは、ペリクルの内部空間体積に対する通気面積であり、ペリクルフレームの開孔面積率のみで議論するには不十分である。
　また、特許文献２では、セラミック製フレームに設けられた貫通孔の流路面積の合計が、ペリクルの内部空間の体積１ｃｍ3あたり０．００５ｃｍ2以上であるペリクルフレームを提案している。しかしながら、セラミック製の場合、素材に延性がないため、ペリクルを剥離する時など、ペリクルフレームに局所的に強い力が加わると、該ペリクルフレームが破損し、異物を発生させる場合があることが分かってきた。ペリクルフレームに強度を持たせるには、一般的にはペリクルフレームを厚くすればよいが、ＥＵＶ用のペリクルには最大高さ２．５ｍｍという制限があるため、ペリクルフレームを厚くして破損を防止することは難しい。
特開２００４－２９４７８６号公報 特開２０１８－２００３８０号公報
　本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ＥＵＶ露光を真空下で行う際、大気圧から真空への圧力変化に耐えてペリクル膜の破損が生じにくく、また、ペリクルフレームの加工性が良好であり、且つ、ペリクルを剥離する際に破損しにくいペリクルフレームを用いたペリクルを提供することを目的とする。
　本発明者は、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームの端面の外側面から内側面に向かって切り欠き部を設け、内側面、外側面、ペリクル内空間側及びペリクル外空間側のいずれかの箇所における通気面積を、ペリクル内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上に設定することにより、圧力変化時にペリクル膜の破損を抑制できることを見出した。また、多数の通気部を設けるには、ペリクルフレームに細かな加工を施す必要があるが、延性のある金属を材料に用いることで、ペリクルフレーム加工時のペリクルフレーム破損による損失を低減し、且つ、ペリクルをフォトマスクから剥離する際に、ペリクルフレームが破損するリスクが少ないことを見出し、本発明をなすに至ったものである。
　従って、本発明は、下記のペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法を提供する。
１．ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、内側面における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
２．ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、ペリクルの内空間側における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
３．ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、外側面における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
４．ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、ペリクルの外空間側における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
５．少なくとも内側面に開口部を有する貫通孔が設けられる上記１～４のいずれかに記載のペリクルフレーム。
６．ペリクルフレームの金属材料は、チタン、チタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選ばれる上記１～４のいずれかに記載のペリクルフレーム。
７．上記通気面積の合計は、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．０２ｍｍ2以下である上記１～４のいずれかに記載のペリクルフレーム。
８．上記切り欠き部の高さは、ペリクルフレームの厚みの５０％以下である上記１～４のいずれかに記載のペリクルフレーム。
９．ペリクルフレームの厚みは、２．５ｍｍ以下である上記１～４のいずれかに記載のペリクルフレーム。
１０．上記１～９のいずれかに記載のペリクルフレームと、該ペリクルフレームの上端面に粘着剤又は接着剤を介して設けられるペリクル膜とを具備することを特徴とするペリクル。
１１．真空下又は減圧下における露光に使用される上記１０記載のペリクル。
１２．ＥＵＶ露光に使用される上記１０又は１１記載のペリクル。
１３．ペリクルの高さが２．５ｍｍ以下である上記１０又は１１記載のペリクル。
１４．上記ペリクル膜は、枠に支えられたペリクル膜である上記１０又は１１記載のペリクル。
１５．露光原板に上記１０記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
１６．露光原版が、ＥＵＶ用露光原版である上記１５記載のペリクル付露光原版。
１７．ＥＵＶリソグラフィに用いられるペリクル付露光原版である上記１５記載のペリクル付露光原版。
１８．上記１５記載のペリクル付き露光原版を用いて露光することを特徴とする露光方法。
１９．上記１５記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
２０．上記１５記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
２１．上記１５記載のペリクル付露光原版を用いて、基板をＥＵＶ露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
２２．上記１５記載のペリクル付露光原版を用いて、基板をＥＵＶ露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
　本発明のペリクルフレーム及びペリクルによれば、大気圧から真空への圧力変化時にペリクル膜の破損が生じにくく、ペリクルフレームの加工時やペリクルの剥離時において破損し難いペリクルフレーム及びペリクルを提供することができる。また、本発明は、特に、ＥＵＶ露光用のペリクルに有用であり、また上記ペリクルを用いることにより、ペリクル付露光原版を用いて基板を露光する工程を備える半導体又は液晶表示板の製造方法において非常に有用である。
本発明のペリクルフレームの一実施形態を示す模式図であり、（Ａ）は上端面側から見た図であり、（Ｂ）は長辺外側面側から見た図であり、（Ｃ）は短辺外側面側から見た図である。 本発明のペリクルをフォトマスクに装着した様子を示す概略図である。 本発明のペリクルフレームの他の実施形態を示す模式図であり、（Ａ）は上端面側から見た図であり、（Ｂ）は長辺外側面側から見た図であり、（Ｃ）は短辺外側面側から見た図である。
　以下、本発明につき、更に詳しく説明する。
　図１（Ａ）～（Ｃ）は、本発明のペリクルフレーム１の一例を示し、符号１１はペリクルフレームの内側面、符号１２はペリクルフレームの外側面、符号１３はペリクルフレームの上端面、符号１４はペリクルフレームの下端面を示す。上記ペリクルフレーム１の上端面には切り欠き部２０が設けられ、符号２１は切り欠き部の幅、符号２２は切り欠き部の奥行、符号２３は切り欠き部の高さを示す。また、上記ペリクルフレーム１には貫通孔３０が複数個設けられている。なお、通常、ペリクルフレームの長辺側にはペリクルをフォトマスクから剥離するために用いられる治具穴が設けられるが、図１では特に図示していない。
　図２は、ペリクルをフォトマスクに装着したペリクル付フォトマスク１０を示すものであり、ペリクルフレーム１の上端面には、粘着剤又は接着剤４によりペリクル膜２が接着又は粘着されると共に張設されている。また、ペリクルフレーム１の下端面には、粘着剤又は接着剤５によりフォトマスク３に剥離可能に接着又は粘着されており、フォトマスク３上のパターン面を保護している。
　図１に示すように、本発明のペリクルフレームは、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームである。
　ペリクルフレームは枠状であれば、その形状はペリクルを装着するフォトマスクの形状に対応する。一般的には、四角形（長方形又は正方形）枠状である。ペリクルフレームの角部（エッジ部）の形状については、そのまま角ばった（尖った）形状であってもよく、或いは、Ｒ面取り又はＣ面取り等の面取りを施し、曲線形状等の他の形状であってもよい。
　また、ペリクルフレームには、ペリクル膜を設けるための面（ここでは上端面とする。）と、フォトマスク装着時にフォトマスクに面する面（ここでは下端面とする。）がある。
　図２に示すように、ペリクルフレームの上端面には、接着剤等を介してペリクル膜が設けられ、下端面には、ペリクルをフォトマスクに装着するための粘着剤等が設けられるが、この限りではない。
　ペリクルフレームの材質は延性のある金属であることが好ましい。さらに、ＥＵＶ露光では、ＡｒＦ露光よりも高い精度が求められるため、フォトマスクに対して平坦性の要求が厳しい。フォトマスクに対する平坦性は、ペリクルの影響を受けることが知られている。ペリクルのフォトマスクへの影響を少しでも抑えるために、軽量なチタン、チタン合金やアルミニウム、アルミニウム合金を用いることが好ましい。
　ペリクルフレームの寸法は特に限定されないが、ＥＵＶ用ペリクルの高さが２．５ｍｍ以下に制限される場合には、ＥＵＶ用のペリクルフレームの厚みはそれよりも小さくなり２．５ｍｍ以下であることが好ましい。特に、ＥＵＶ用のペリクルフレームの厚みは、ペリクル膜やフォトマスク用粘着剤等の厚みを勘案すると、１．５ｍｍ以下であることが好ましい。また、上記ペリクルフレームの厚みの下限値は１．０ｍｍ以上であることが好ましい。
　本発明のペリクルフレームには、上端面又は下端面が開放された切り欠き部が外側面から内側面に向かって設けられる。即ち、切り欠き部は、ペリクルフレームの上端面又は下端面に設けられ、外側面から内側面まで繋がったくぼみ（凹部）を意味する。例えば、図１（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、切り欠き部２０は、ペリクルフレームの外面からみて略コの字型のくぼみを有する。なお、略コの字型のくぼみは、角部が尖って四角形に削られた形状のほか、角部にＲ加工を施した形状も含まれる。また、図１（Ａ）に示すように、切り欠き部２０は、上面からみて、外側面から内側面に向けて同じ幅で凹部が形成されているが、これに限られず、外側面から内側面に向けて漸次幅狭又は幅広のテーパー形状であってもよい。さらに、切り欠き部の高さ方向（図１の符号２３参照）についても、外側面から内側面に向けて、高さが同一に限られず漸次拡張又は縮小となるようにテーパー形状になっていてもよい。なお、上記切り欠き部の配置場所や個数については特に制限はない。
　また、切り欠き部は、その形状や寸法については特に制限はないが、切り欠き部の高さ（図１の符号２３）を大きくすれば、その分、ペリクルフレームの切り欠き部下方の厚みが減り、ペリクルを剥離する時に、最薄部を起点としてペリクルフレームが折曲がってしまい、その衝撃でペリクル膜が破損する可能性がある。ペリクルを剥離する時のペリクル膜の破損は、フォトマスクを再生する際に時間を要するので問題である。そのため、切り欠き部の高さは、ペリクルフレームの厚みの５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。一方、加工の容易さから、切り欠き部の高さは、ペリクルフレームの厚さの５％以上であることが好ましい。
　なお、図１では、ペリクルフレーム１の上端面に切り欠き部２０を設けるものであるが、別のペリクルフレームの態様として、ペリクルフレーム１の下端面に切り欠き部２０を設けたペリクルフレームを図３（Ａ）～（Ｃ）に示す。
　また、本発明では、大気圧から真空への圧力変化時にペリクル膜の破損を防ぐため、ペリクルフレームの内側面、外側面、ペリクル内空間側及びペリクル外空間側のいずれかの箇所における通気面積の合計を、ペリクル内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上に設定する必要がある。ペリクル膜の破損のリスクを下げるために、通気面積は大きいほど好ましい。上記通気面積の合計の好ましい値は、ペリクル内空間の体積１ｍｍ3あたりで、０．００１３ｍｍ2以上であり、より好ましい値は、０．００１５ｍｍ2以上である。上限値としては、ペリクルフレームの破損防止及び強度維持の点から、好ましくは０．０２ｍｍ2以下、より好ましくは０．０１５ｍｍ2以下である。
　また、本発明のペリクルフレームは、少なくとも内側面に開口部を有する貫通孔が設けられることが好適である。即ち、貫通孔の開口部の一方は内側面に設けられるとともに、貫通孔の開口部の他方は、ペリクルフレームの外側面やペリクル膜が位置する上端面に形成することができる。貫通孔の他方の開口部をペリクルフレームの上端面に形成する場合、該上端面にフィルタを設けることができ、特にフレーム厚さが薄いＥＵＶ用には有利である。
　上記貫通孔（通気孔）は、その形状や寸法に特に制限はないが、円形、楕円形などの形状を採用することが好ましく、その開口面積は０．０３ｍｍ2以上であることが好適である。また、加工の容易さから、ペリクル端面と通気孔との間の最薄部を０．２ｍｍ以上にすることが好ましい。
　図１のペリクルフレームでは、切り欠き部と貫通孔（通気孔）との両方が形成されているが、これに限定されるものではなく本発明では、切り欠き部のみを採用しても構わない。但し、後述するように、通気部として一定上の面積を確保し、本発明の所望の効果を十分に発揮させ、且つペリクルフレームの強度を十分に確保するためには、切り欠き部と貫通孔とを併用することが望ましい。この場合のペリクルフレームの長辺、短辺の各辺において、切り欠き部の面積は、０．０５～４００ｍｍ2で、個数は１～５０個の範囲であり、一方、貫通孔の面積は、０．０３～１３０ｍｍ2で、個数は１～２５０個の範囲内で設けることができる。
　本発明のペリクルフレームにおいて、通気面積は、ペリクルを完成させた時の内側面、外側面、ペリクル内空間側及びペリクル外空間側のいずれかの箇所における通気面積として計算される。例えば、直径０．８ｍｍの通気孔を４０個、ペリクル膜側の端面に１０ｍｍ幅（図１の符号２１参照）、高さ０．２ｍｍ（図１の符号２３参照）の切り欠き部を４０個、切り欠き部以外の上端面に形成されたペリクル膜用粘着剤の厚みが０．１ｍｍとした場合、このペリクルに存在する通気面積の合計は１４０ｍｍ2となる。つまり、粘着剤の厚み分も通気面積として計算する。
［通気孔の面積：式１]　０．４×０．４×３．１４×４０（個数）＝２０．０９６（ｍｍ2）
［切り欠き部の開口面積：式２］　１０×（０．２＋０．１）×４０（個数）＝１２０（ｍｍ2）
　即ち、ペリクルフレームに切り欠き部を設けた場合、切り欠き部は通気孔より作製が容易であるとともに、切り欠き部以外の通気空間として、上記のとおり、積層される粘着剤層の厚みの分も加算されることとなり、本発明において、通気部として切り欠き部を必須とすることのメリットは大きい。
　そして、本発明において、ペリクルの内部空間体積とは、ペリクルを完成させた時の、粘着剤厚みを含む真の内部空間体積を意味する。例えば、ペリクルフレームの内寸が縦１４３ｍｍ×横１１０ｍｍ×高さ１．５ｍｍであり、ペリクル膜用粘着剤とフォトマスク用粘着剤との厚みが０．１ｍｍであり、ペリクル膜が０．７２５ｍｍ高さのＳｉ枠に支えられた極薄単結晶シリコン膜の場合、極薄シリコン膜は十分に薄いので体積計算時には無視することができ、従って、ペリクルの内部空間体積は３８１４５ｍｍ3となる。
［ペリクルの内部空間体積：式３］　１４３×１１０×（１．５＋０．１＋０．１＋０．７２５）＝３８１４５．２５（ｍｍ3）
　この時の通気面積の合計は、〔２０．０９６（ｍｍ2）＋１２０（ｍｍ2）〕／３８１４５ｍｍ3≒０．００３７である。ペリクル内空間の体積１ｍｍ3あたり約０．００３７ｍｍ2と計算できる。
　上記通気部には、必要に応じてフィルタを設けてもよい。
　本発明のペリクルは、上記のようなペリクルフレームの上端面に、ペリクル膜用の粘着剤又は接着剤を介して、ペリクル膜が設けられる。ペリクル膜用粘着剤又は接着剤としては、特に制限はなく、公知のものを使用することができる。一般的に、粘着剤や接着剤は、ペリクルフレームの一端面の周方向全周に亘って、ペリクルフレーム幅と同じ又はそれ以下の幅に形成される。ペリクルフレームの一端面に切り欠き部がある場合は、切り欠き部以外の端面上に形成されることが好ましい。
　上記ペリクル膜の材質については、特に制限はないが、露光光源の波長における透過率が高く耐光性の高いものが好ましい。例えば、ＥＵＶ露光に対しては極薄シリコン膜、Ｓｉ膜や炭素膜等が用いられる。これら炭素膜としては、例えば、グラフェン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等の膜が挙げられる。なお、ペリクル膜単独での取り扱いが難しい場合は、シリコン等の枠に支えられたペリクル膜を用いることができる。その場合、枠の領域とペリクルフレームとを接着することにより、ペリクルを容易に製造することができる。
　さらに、ペリクルフレームの下端面には、フォトマスクに装着するための粘着剤又は接着剤が形成される。一般的に、粘着剤や接着剤は、ペリクルフレームの一端面の周方向全周に亘って、ペリクルフレーム幅と同じ又はそれ以下の幅に形成される。ペリクルフレームの一端面に切り欠き部がある場合は、切り欠き部以外の端面上に形成される。
　上記フォトマスク用粘着剤としては、公知のものを使用することができ、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が好適に使用でき、特に、耐熱性の観点からシリコーン系粘着剤が好ましい。粘着剤は必要に応じて、任意の形状に加工されてもよい。
　上記フォトマスク用粘着剤の下端面には、粘着剤を保護するための離型層（セパレータ）が貼り付けられていてもよい。離型層の材質は、特に制限されないが、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等を使用することができる。また、必要に応じて、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等の離型剤を離型層の表面に塗布してもよい。
　本発明のペリクルフレームは、外側又は内側に向けた突起部を設けてもよい。このような突起部を用いることで、フィルタを形成することもできる。また、外側に向けた突起部に露光原版との接続機構（ネジ、粘着剤等）を設けることで、フォトマスク用粘着剤を省略することもできる。
　本発明のペリクルは、ＥＵＶ露光装置内で、露光原版に異物が付着することを抑制するための保護部材としてだけでなく、露光原版の保管時や、露光原版の運搬時に露光原版を保護するための保護部材としてもよい。ペリクルをフォトマスク等の露光原版に装着し、ペリクル付露光原版を製造する方法には、前述したフォトマスク用粘着剤で貼り付ける方法の他、静電吸着法、機械的に固定する方法等がある。
　本発明の実施形態に係る半導体又は液晶表示板の製造方法は、上記のペリクル付露光原版によって基板（半導体ウエハ又は液晶用原板）を露光する工程を備える。例えば、半導体又は液晶表示板の製造工程の一つであるリソグラフィ工程において、集積回路等に対応したフォトレジストパターンを基板上に形成するために、ステッパーに上記のペリクル付露光原版を設置して露光する。一般に、ＥＵＶ露光ではＥＵＶ光が露光原版で反射して基板へ導かれる投影光学系が使用され、これらは減圧又は真空下で行われる。これにより、仮にリソグラフィ工程において異物がペリクル上に付着したとしても、フォトレジストが塗布されたウエハ上にこれらの異物は結像しないため、異物の像による集積回路等の短絡や断線等を防ぐことができる。よって、ペリクル付露光原版の使用により、リソグラフィ工程における歩留まりを向上させることができる。
　以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［実施例１］
　チタン製のペリクルフレーム（内寸１４３ｍｍ×１１０ｍｍ×高さ１．５ｍｍ、フレーム幅４ｍｍ）を作製した。ペリクルフレーム各辺中央の上端面には、幅３０ｍｍ×高さ０．１ｍｍ×奥行４ｍｍの切り欠き部を設けた。さらに、各辺に直径０．８ｍｍの貫通孔を１２個設けた。
　ペリクルフレームを洗浄し、ペリクルフレーム上端面の切り欠き部の無い箇所にシリコーン粘着剤（信越化学工業（株）製「Ｘ－４０－３２６４」）１００質量部に硬化剤（信越化学工業（株）製「ＰＴ－５６」）１質量部加えて撹拌した材料を幅１ｍｍ、厚み０．１ｍｍになるよう塗布した。また、ペリクルフレームの下端面には、フォトマスク用粘着剤として、アクリル粘着剤（綜研化学（株）製「ＳＫダイン１４９９Ｍ」）１００質量部に硬化剤（綜研化学（株）製「Ｌ－４５」）を０．１質量部加えて撹拌した材料を全周に亘り、幅１ｍｍ、厚み０．１ｍｍになるよう塗布した。その後、ペリクルフレームを１００℃で１２時間加熱して、上下端面の粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として０．７２５ｍｍ厚のＳｉ枠に支えられた５０ｎｍ厚の極薄シリコン膜を、ペリクルフレームの上端面に形成した粘着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。
［実施例２］
　アルミ製のペリクルフレーム（内寸１４３ｍｍ×１１０ｍｍ×高さ１．５ｍｍ、フレーム幅４ｍｍ）を作製した。ペリクルフレーム各辺には、直径０．８ｍｍの貫通孔を４８個設けた。このフレームの形状以外は、実施例１と同じである。
［比較例１］
　チタン製のペリクルフレーム（内寸１４３ｍｍ×１１０ｍｍ×１．５ｍｍ、フレーム幅４ｍｍ）を作製した。ペリクルフレーム各辺中央の上端面には、幅３０ｍｍ×高さ０．１ｍｍ×奥行４ｍｍの切り欠き部を設けた。このペリクルフレームの形状以外は、実施例１と同じである。
［比較例２］
　セラミックであるアルミナで実施例１のペリクルフレームの作製を試みたが、製作途中で破損してしまった。
［真空テスト］
　実施例１，２及び比較例１で作製したペリクルを６インチ角の石英マスクに貼り付け、真空テストを実施した。この真空テストは、上記のマスク付ペリクルを真空チャンバーに入れ、大気圧から１Ｐａまで１７０秒で減圧し、その後、１Ｐａから大気圧まで２５０秒で戻し、ペリクル膜に破損があるかを確認した。その結果を下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記表１の結果から、実施例１及び実施例２では、ペリクル膜の破損は確認されず良好であったが、比較例１ではペリクル膜の破損を確認した。
１　　ペリクルフレーム
１１　ペリクルフレームの内側面
１２　ペリクルフレームの外側面
１３　ペリクルフレームの上端面
１４　ペリクルフレームの下端面
２０　切り欠き部
２１　切り欠き部の幅
２２　切り欠き部の奥行
２３　切り欠き部の高さ
３０　貫通孔（通気孔）
２　　ペリクル膜
３　　フォトマスク
４　　ペリクル膜用粘着剤又は接着剤
５　　フォトマスク用粘着剤又は接着剤
１０　ペリクル付フォトマスク

Claims (22)

  1. 　ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、内側面における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
  2. 　ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、ペリクルの内空間側における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
  3. 　ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、外側面における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
  4. 　ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、該ペリクルフレームは金属製であると共に、上端面又は下端面が開放された切り欠き部を外側面から内側面に向かって設け、ペリクルの外空間側における通気面積の合計が、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．００１ｍｍ2以上であることを特徴とするペリクルフレーム。
  5. 　少なくとも内側面に開口部を有する貫通孔が設けられる請求項１～４のいずれか１項記載のペリクルフレーム。
  6. 　ペリクルフレームの金属材料は、チタン、チタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選ばれる請求項１～４のいずれか１項記載のペリクルフレーム。
  7. 　上記通気面積の合計は、ペリクルの内空間の体積１ｍｍ3あたり０．０２ｍｍ2以下である請求項１～４のいずれか１項記載のペリクルフレーム。
  8. 　上記切り欠き部の高さは、ペリクルフレームの厚みの５０％以下である請求項１～４のいずれか１項記載のペリクルフレーム。
  9. 　ペリクルフレームの厚みは、２．５ｍｍ以下である請求項１～４のいずれか１項記載のペリクルフレーム。
  10. 　請求項１～９のいずれか１項記載のペリクルフレームと、該ペリクルフレームの上端面に粘着剤又は接着剤を介して設けられるペリクル膜とを具備することを特徴とするペリクル。
  11. 　真空下又は減圧下における露光に使用される請求項１０記載のペリクル。
  12. 　ＥＵＶ露光に使用される請求項１０又は１１記載のペリクル。
  13. 　ペリクルの高さが２．５ｍｍ以下である請求項１０又は１１記載のペリクル。
  14. 　上記ペリクル膜は、枠に支えられたペリクル膜である請求項１０又は１１記載のペリクル。
  15. 　露光原板に請求項１０記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
  16. 　露光原版が、ＥＵＶ用露光原版である請求項１５記載のペリクル付露光原版。
  17. 　ＥＵＶリソグラフィに用いられるペリクル付露光原版である請求項１５記載のペリクル付露光原版。
  18. 　請求項１５記載のペリクル付き露光原版を用いて露光することを特徴とする露光方法。
  19. 　請求項１５記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
  20. 　請求項１５記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
  21. 　請求項１５記載のペリクル付露光原版を用いて、基板をＥＵＶ露光する工程を備えることを特徴とする半導体の製造方法。
  22. 　請求項１５記載のペリクル付露光原版を用いて、基板をＥＵＶ露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
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