TWM618972U

TWM618972U - 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版、極紫外線曝光裝置、曝光系統、半導體的製造系統及液晶顯示板的製造系統

Info

Publication number: TWM618972U
Application number: TW110206104U
Authority: TW
Inventors: 簗瀬優
Original assignee: 日商信越化學工業股份有限公司
Priority date: 2020-06-08
Filing date: 2021-05-27
Publication date: 2021-11-01
Also published as: EP4163720A1; US20230221634A1; EP4163720A4; WO2021251157A1; JPWO2021251157A1; KR20230019853A; CN216118382U; TW202147018A; CN115668055A; JP7537494B2

Abstract

本新型創作的目的在於提供一種使用防護薄膜框架的防護薄膜，其在真空下進行EUV曝光時，耐受自大氣壓到真空的壓力變化而不會產生防護薄膜膜片的破損，而且，框架的加工性良好且在剝離防護薄膜時框架不會破損。本新型創作提供一種防護薄膜框架，其為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於，所述防護薄膜框架為金屬製，並且自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，內側面的通氣面積的合計為0.001mm²以上，且提供一種防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版、極紫外線曝光裝置、曝光系統、半導體的製造系統及液晶顯示板的製造系統。

Description

防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版、極紫外線曝光裝置、曝光系統、半導體的製造系統及液晶顯示板的製造系統

本新型創作有關於一種作為異物去除器而裝設於微影(lithography)用光遮罩的防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版、極紫外線曝光裝置、曝光系統、半導體的製造系統及液晶顯示板的製造系統。

近年來，大規模積體電路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的設計規則正推進向次四分之一微米(sub-quarter micron)的微細化，伴隨於此，正推進曝光光源的短波長化。即，曝光光源自基於水銀燈的g射線(436nm)、i射線(365nm)轉移為KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等，進而研究有使用主波長13.5nm的極紫外光(Extreme Ultra Violet Light，EUV光)的EUV曝光。

在LSI、超LSI等半導體製造或液晶顯示板的製造中，對半導體晶片或液晶用原板照射光來製作圖案，若此時使用的微影用光遮罩及標線(reticle)(以下，加以總稱而記述為「曝光原版」) 附著有異物，則所述異物會吸收光，或者會使光彎曲，因此所轉印的圖案變形，或者邊緣粗雜，此外，還存在基底被染黑，尺寸、品質、外觀等受損的問題。

這些作業通常是在無塵室(clean room)內進行，但即便如此，也難以使曝光原版始終保持潔淨。因此，一般採用當在曝光原版的表面貼附防護薄膜作為異物去除器後進行曝光的方法。此情況下，異物不會直接附著於曝光原版的表面，而是附著於防護薄膜上，因此，若在微影時使焦點在曝光原版的圖案上對焦，則防護薄膜上的異物便與轉印無關。

所述防護薄膜的基本結構為：在包含鋁或鈦等的防護薄膜框架的上端面張設相對於曝光中所使用的光而透過率高的防護薄膜膜片，並且在下端面形成氣密用襯墊(gasket)。氣密用襯墊一般使用黏著劑層，並貼附有以保護所述黏著劑層為目的的保護片。防護薄膜膜片包含使曝光中使用的光(基於水銀燈的g射線(436nm)、i射線(365nm)、KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等)良好地透過的硝基纖維素、乙酸纖維素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用中，正在研究極薄矽膜或碳膜來作為防護薄膜膜片。

另外，由於EUV曝光是在真空下進行，因此EUV用防護薄膜需要耐受自大氣壓到真空的壓力變化，要求EUV防護薄膜的通氣面積要大。

因此，在專利文獻1中提出了一種具有防護薄膜框架的防護薄膜，其在防護薄膜框架的相向的兩側面分別設置有相對於另一側面開孔面積率為50%~90%的通氣孔。然而，給防護薄膜內外的壓力變化帶來影響的是相對於防護薄膜的內部空間體積的通氣面積，僅以防護薄膜框架的開孔面積率進行討論並不充分。

另外，在專利文獻2中提出了一種每1cm³體積的防護薄膜的內部空間中，設置於陶瓷製框架的貫通孔的流路面積的合計為0.005cm²以上的防護薄膜框架。然而，可知，在陶瓷製的情況下，由於原材料並無延展性，因此在剝離防護薄膜時等，若對防護薄膜框架局部施加強力，則所述防護薄膜框架會破損，有時會產生異物。為了使防護薄膜框架具有強度，一般而言加厚防護薄膜框架即可，但由於EUV用的防護薄膜存在最大高度2.5mm的限制，因而難以加厚防護薄膜框架來防止破損。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-294786號公報

[專利文獻2]日本專利特開2018-200380號公報

本新型創作是鑒於所述情況而成，其目的在於提供一種使用防護薄膜框架的防護薄膜，其在真空下進行EUV曝光時，耐受自大氣壓到真空的壓力變化而不易產生防護薄膜膜片的破損，而且，防護薄膜框架的加工性良好且在剝離防護薄膜時不易破損。

本新型創作創作人發現，一種框狀的防護薄膜框架，具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面，其中，自所述防護薄膜框架的端面的外側面朝向內側面設置切口部，將每1mm³體積的防護薄膜內空間中，內側面、外側面、防護薄膜內空間側及防護薄膜外空間側的任一部位的通氣面積設定為0.001mm²以上，由此可在壓力變化時抑制防護薄膜膜片的破損。另外，發現，為了設置多個通氣部而需要對防護薄膜框架實施細緻的加工，但藉由使用具有延展性的金屬作為材料，減少防護薄膜框架加工時的防護薄膜框架破損引起的損失，且在將防護薄膜自光遮罩剝離時，防護薄膜框架會破損的風險少，從而完成了本新型創作。

因此，本新型創作提供下述帶防護薄膜的曝光原版、極紫外線曝光裝置、曝光系統、半導體的製造系統及液晶顯示板的製造系統。

本新型創作的防護薄膜框架，其為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的四邊形框狀的防護薄膜框架，其特徵在於，所述防護薄膜框架為金屬製，並且自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，內側面的通氣面積的合計為0.001mm²以上。

本新型創作的防護薄膜框架，其為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的四邊形框狀的防護薄膜框架，其特徵在於，所述防護薄膜框架為金屬製，並且自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，防護薄膜的內空間側的通氣面積的合計為0.001mm²以上。

本新型創作的防護薄膜框架，其為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的四邊形框狀的防護薄膜框架，其特徵在於，所述防護薄膜框架為金屬製，並且自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，外側面的通氣面積的合計為0.001mm²以上。

本新型創作的防護薄膜框架，其為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的四邊形框狀的防護薄膜框架，其特徵在於，所述防護薄膜框架為金屬製，並且自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，防護薄膜的外空間側的通氣面積的合計為0.001mm²以上。

在本新型創作的一實施例中，設置有至少在內側面具有開口部的貫通孔。

在本新型創作的一實施例中，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，所述通氣面積的合計為0.0013mm²以上。

在本新型創作的一實施例中，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，所述通氣面積的合計為0.0015mm²以上。

在本新型創作的一實施例中，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，所述通氣面積的合計為0.02mm²以下。

在本新型創作的一實施例中，每1mm³體積的防護薄膜的內空間中，所述通氣面積的合計為0.015mm²以下。

在本新型創作的一實施例中，所述貫通孔的開口面積為0.03mm²以上。

在本新型創作的一實施例中，所述貫通孔與防護薄膜端面之間的最薄部為0.2mm以上。

在本新型創作的一實施例中，所述切口部的高度為防護薄膜框架的厚度的50%以下。

在本新型創作的一實施例中，所述切口部的高度為防護薄膜框架的厚度的30%以下。

在本新型創作的一實施例中，所述切口部的高度為防護薄膜框架的厚度的15%以下。

在本新型創作的一實施例中，所述切口部的高度為防護薄膜框架的厚度的5%以上。

在本新型創作的一實施例中，防護薄膜框架的厚度為2.5mm以下。

在本新型創作的一實施例中，防護薄膜框架的厚度為1.5mm以下。

在本新型創作的一實施例中，防護薄膜框架的厚度為1.0mm以上。

在本新型創作的一實施例中，防護薄膜框架的角部是進行了 R倒角或C倒角加工的形狀。

本新型創作的防護薄膜，其包括所述防護薄膜框架、及經由黏著劑或接著劑設置於所述防護薄膜框架的上端面的防護薄膜膜片。

在本新型創作的一實施例中，防護薄膜的高度為2.5mm以下。

在本新型創作的一實施例中，所述防護薄膜膜片是由框支撐的防護薄膜膜片。

本新型創作的帶防護薄膜的曝光原版，在曝光原板裝設有所述防護薄膜。

在本新型創作的一實施例中，曝光原版為EUV用曝光原版。

本新型創作的極紫外線曝光裝置，裝設有所述帶防護薄膜的曝光原版。

本新型創作的曝光系統，包括曝光光源、及所述帶防護薄膜的曝光原版，所述曝光光源的光被所述曝光原版反射並被引導至基板。

在本新型創作的一實施例中，所述曝光光源是發出EUV光的曝光光源。

本新型創作的半導體的製造系統，包括曝光光源、及所述帶防護薄膜的曝光原版，所述曝光光源的光被所述曝光原版反射並被引導至基板。

本新型創作的液晶顯示板的製造系統，包括曝光光源、及所述帶防護薄膜的曝光原版，所述曝光光源的光被所述曝光原版反射並被引導至基板。

根據本新型創作的防護薄膜框架及防護薄膜，可提供一種在自大氣壓到真空的壓力變化時不易產生防護薄膜膜片的破損，在防護薄膜框架的加工時或防護薄膜的剝離時不易破損的防護薄膜框架及防護薄膜。另外，本新型創作尤其對EUV曝光用的防護薄膜有用，並且藉由使用所述防護薄膜，在包括使用帶防護薄膜的曝光原版對基板進行曝光的機構的半導體或液晶顯示板的製造系統中非常有用。

1:防護薄膜框架

11:防護薄膜框架的內側面

12:防護薄膜框架的外側面

13:防護薄膜框架的上端面

14:防護薄膜框架的下端面

20:切口部

21:切口部的寬度

22:切口部的深度

23:切口部的高度

30:貫通孔(通氣孔)

2:防護薄膜膜片

3:光遮罩

4:防護薄膜膜片用黏著劑或接著劑

5:光遮罩用黏著劑或接著劑

10:帶防護薄膜的光遮罩

圖1A~圖1C是表示本新型創作的防護薄膜框架的一實施方式的示意圖，圖1A是自上端面側觀察的圖，圖1B是自長邊外側面側觀察的圖，圖1C是自短邊外側面側觀察的圖。

圖2是表示將本新型創作的防護薄膜裝設於光遮罩的情形的概略圖。

圖3A~圖3C是表示本新型創作的防護薄膜框架的另一實施方式的示意圖，圖3A是自上端面側觀察的圖，圖3B是自長邊外側面側觀察的圖，圖3C是自短邊外側面側觀察的圖。

以下，對本新型創作進行更詳細的說明。

圖1A~圖1C表示本新型創作的防護薄膜框架1的一例，符號11表示防護薄膜框架的內側面，符號12表示防護薄膜框架的外側面，符號13表示防護薄膜框架的上端面，符號14表示防護薄膜框架的下端面。在所述防護薄膜框架1的上端面設置有切口部20，符號21表示切口部的寬度，符號22表示切口部的深度，符號23表示切口部的高度。另外，在所述防護薄膜框架1設置有多個貫通孔30。此外，通常在防護薄膜框架的長邊側設置有用於將防護薄膜自光遮罩剝離的夾具孔，但在圖1A~圖1C中並未特別圖示。

圖2表示將防護薄膜裝設於光遮罩的帶防護薄膜的光遮罩10，防護薄膜膜片2藉由黏著劑或接著劑4黏著或接著並且張設於防護薄膜框架1的上端面。另外，在防護薄膜框架1的下端面，藉由黏著劑或接著劑5以能夠剝離的方式黏著或接著於光遮罩3，以保護光遮罩3上的圖案面。

如圖1A~圖1C所示，本新型創作的防護薄膜框架為具有設置防護薄膜膜片的上端面及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架。

防護薄膜框架若為框狀，則其形狀與裝設防護薄膜的光遮罩的形狀對應。一般為四邊形(長方形或正方形)框狀。關於防護薄膜框架的角部(邊緣部)的形狀，可保持原樣而為有角(尖銳)的形狀，或者也可實施R倒角或C倒角等倒角而為曲線形狀等其他形狀。

另外，在防護薄膜框架，存在用於設置防護薄膜膜片的面(此處設為上端面)及在裝設光遮罩時面向光遮罩的面(此處設為下端面)。

如圖2所示，在防護薄膜框架的上端面，經由接著劑等而設置防護薄膜膜片，且在下端面設置用於將防護薄膜裝設於光遮罩的黏著劑等，但並不限於此。

防護薄膜框架的材質較佳為具有延展性的金屬。進而，由於在EUV曝光中要求比ArF曝光更高的精度，因此對光遮罩的平坦性的要求嚴格。已知對於光遮罩而言的平坦性會受到防護薄膜的影響。為了儘量抑制防護薄膜對光遮罩的影響，較佳為使用輕量的鈦、鈦合金或鋁、鋁合金。

防護薄膜框架的尺寸並無特別限定，在EUV用防護薄膜的高度被限制為2.5mm以下的情況下，EUV用的防護薄膜框架的厚度較佳為比其小而為2.5mm以下。特別是當考量到防護薄膜膜片或光遮罩用黏著劑等的厚度時，EUV用的防護薄膜框架的厚度較佳為1.5mm以下。另外，所述防護薄膜框架的厚度的下限值較佳為1.0mm以上。

在本新型創作的防護薄膜框架，自外側面朝向內側面設置開放上端面或下端面的切口部。即，切口部意指設置於防護薄膜框架的上端面或下端面，自外側面連接至內側面的凹陷(凹部)。例如，如圖1B及圖1C所示，切口部20自防護薄膜框架的外表面觀察具有大致

字型的凹陷。此外，大致

字型的凹陷除了包含角部尖銳被削成四邊形的形狀以外，還包含對角部實施了R加工的形狀。另外，如圖1A所示，切口部20自上表面觀察時，自外側面朝向內側面以相同的寬度形成有凹部，但並不限於此，也可為自外側面朝向內側面逐漸變窄或變寬的錐形形狀。進而，關於切口部的高度方向(參照圖1A~圖1C的符號23)，高度也可不限於自外側面朝向內側面相同而是以逐漸擴大或縮小的方式成為錐形形狀。此外，關於所述切口部的配置部位或個數，並無特別限制。

另外，切口部的形狀或尺寸並無特別限制，但若增大切口部的高度(圖1A~圖1C的符號23)，則相應地，防護薄膜框架的切口部下方的厚度減少，在剝離防護薄膜時，防護薄膜框架以最薄部為起點發生彎曲，有可能因所述衝擊而導致防護薄膜膜片破損。由於在再生光遮罩時需要時間，因此剝離防護薄膜時的防護薄膜膜片的破損成為問題。因此，切口部的高度較佳為防護薄膜框架的厚度的50%以下，更佳為30%以下，進而較佳為15%以下。另一方面，就加工的容易度而言，切口部的高度較佳為防護薄膜框架的厚度的5%以上。

此外，在圖1A~圖1C中，在防護薄膜框架1的上端面設置切口部20，但作為另一防護薄膜框架的形態，在圖3A~圖3C中示出在防護薄膜框架1的下端面設置切口部20的防護薄膜框架。

另外，在本新型創作中，為了防止自大氣壓到真空的壓力變化時防護薄膜的破損，需要將每1mm³體積的防護薄膜內空間中，防護薄膜框架的內側面、外側面、防護薄膜內空間側及防護薄膜外空間側的任一部位的通氣面積的合計設定為0.001mm²以上。為了降低防護薄膜膜片破損的風險，通氣面積越大越較佳。每1mm³體積的防護薄膜內空間中，所述通氣面積的合計的較佳值為0.0013mm²以上，更佳的值為0.0015mm²以上。作為上限值，就防護薄膜框架的破損防止及強度維持的方面而言，較佳為0.02mm²以下，更佳為0.015mm²以下。

另外，本新型創作的防護薄膜框架較佳為設置至少在內側面具有開口部的貫通孔。即，貫通孔的開口部的其中一個設置於內側面，並且貫通孔的開口部的另一個可形成於防護薄膜框架的外側面或防護薄膜膜片所處的上端面。當貫通孔的另一個開口部形成於防護薄膜框架的上端面時，可在所述上端面設置過濾器，尤其對框架厚度薄的EUV用有利。

所述貫通孔(通氣孔)的形狀或尺寸並無特別限制，但較佳為採用圓形、橢圓形等形狀，其開口面積較佳為0.03mm²以上。另外，就加工的容易度而言，較佳為將防護薄膜端面與通氣孔之間的最薄部設為0.2mm以上。

在圖1A~圖1C的防護薄膜框架中，形成有切口部與貫通孔(通氣孔)這兩者，但並不限定於此，在本新型創作中，也可僅採用切口部。但是，如後所述，為了確保作為通氣部的一定以上的面積，充分發揮本新型創作的所期望的效果，且充分確保防護薄膜框架的強度，理想的是並用切口部與貫通孔。此時的防護薄膜框架的長邊、短邊的各邊中，切口部的面積為0.05mm²~400mm²，個數為1個~50個的範圍，另一方面，貫通孔的面積為0.03mm²~130mm²，個數可在1個~250個的範圍內設置。

在本新型創作的防護薄膜框架中，通氣面積是作為完成防護薄膜時的內側面、外側面、防護薄膜內空間側及防護薄膜外空間側的任一部位的通氣面積來計算。例如，在直徑0.8mm的通氣孔為40個；在防護薄膜膜片側的端面10mm寬(參照圖1A~圖1C的符號21)、高度0.2mm(參照圖1A~圖1C的符號23)的切口部為40個；形成於切口部以外的上端面的防護薄膜膜片用黏著劑的厚度為0.1mm的情況下，存在於所述防護薄膜的通氣面積的合計為140mm²。即，黏著劑的厚度量也作為通氣面積進行計算。

[通氣孔的面積：式1]0.4×0.4×3.14×40(個數)=20.096(mm²)

[切口部的開口面積：式2]10×(0.2+0.1)×40(個數)=120 (mm²)

即，當在防護薄膜框架設置切口部時，切口部比通氣孔更容易製作，並且作為切口部以外的通氣空間，如上所述，也加上層疊的黏著劑層的厚度的量，在本新型創作中，作為通氣部而將切口部設為必需的優點大。

而且，在本新型創作中，所謂防護薄膜的內部空間體積，意指完成防護薄膜時的、包含黏著劑厚度的真實的內部空間體積。例如，在防護薄膜框架的內尺寸為縱143mm×橫110mm×高度1.5mm，防護薄膜膜片用黏著劑與光遮罩用黏著劑的厚度為0.1mm，防護薄膜膜片由0.725mm高度的Si框支撐的極薄單晶矽膜的情況下，由於極薄矽膜充分薄因而在體積計算時可忽略，因此防護薄膜的內部空間體積為38145mm³。

[防護薄膜的內部空間體積：式3]143×110×(1.5+0.1+0.1+0.725)=38145.25(mm³)

此時的通氣面積的合計為〔20.096(mm²)+120(mm²)〕/38145mm³≒0.0037。可計算為每1mm³體積的防護薄膜內空間中為約0.0037mm²。

在所述通氣部，也可視需要設置過濾器。

本新型創作的防護薄膜中，防護薄膜膜片經由防護薄膜膜片用的黏著劑或接著劑設置於如上所述的防護薄膜框架的上端面。作為防護薄膜膜片用黏著劑或接著劑，並無特別限制，可使用公知者。一般而言，黏著劑或接著劑遍及防護薄膜框架的一端面的周向整周而形成為與防護薄膜框架寬度相同或其以下的寬度。當在防護薄膜框架的一端面存在切口部時，較佳為形成於切口部以外的端面上。

關於所述防護薄膜膜片的材質，並無特別限制，較佳為曝光光源的波長下的透過率高且耐光性高的材質。例如，針對EUV曝光而使用極薄矽膜、Si膜或碳膜。作為這些碳膜，例如可列舉石墨烯、類金剛石碳、碳奈米管等的膜。此外，在難以對防護薄膜膜片進行單獨操作的情況下，可使用由矽等的框支撐的防護薄膜膜片。此情況下，藉由將框的區域與防護薄膜框架接著，可容易地製造防護薄膜。

進而，在防護薄膜框架的下端面形成有用於裝設於光遮罩的黏著劑或接著劑。一般而言，黏著劑或接著劑遍及防護薄膜框架的一端面的周向整周而形成為與防護薄膜框架寬度相同或其以下的寬度。當在防護薄膜框架的一端面存在切口部時，形成於切口部以外的端面上。

作為所述光遮罩用黏著劑，可使用公知的黏著劑，可較佳地使用丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等，就耐熱性的觀點而言，特佳為矽酮系黏著劑。黏著劑可視需要被加工成任意形狀。

在所述光遮罩用黏著劑的下端面，也可貼附用於保護黏著劑的脫模層(隔離膜(separator))。脫模層的材質並無特別限制，例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)等。另外，視需要，也可在脫模層的表面塗佈矽酮系脫模劑或氟系脫模劑等脫模劑。

本新型創作的防護薄膜框架也可設置朝向外側或內側的突起部。藉由使用此種突起部，也可形成過濾器。另外，藉由在朝向外側的突起部設置與曝光原版的連接機構(螺釘、黏著劑等)，也可省略光遮罩用黏著劑。

本新型創作的防護薄膜不僅可作為用於在極紫外線曝光裝置內抑制異物附著於曝光原版的保護構件，而且還可作為在曝光原版的保管時或在曝光原版的搬運時用於保護曝光原版的保護構件。將防護薄膜裝設於光遮罩等曝光原版並製造帶防護薄膜的曝光原版的方法除了存在利用所述光遮罩用黏著劑進行貼附的方法以外，還存在靜電吸附法、進行機械性固定的方法等。

本新型創作的實施方式的半導體或液晶顯示板的製造系統包括利用所述帶防護薄膜的曝光原版對基板(半導體晶片或液晶用原板)進行曝光的系統。例如，在作為半導體或液晶顯示板的製造步驟之一的微影步驟中，為了在基板上形成與積體電路等對應的光致抗蝕劑圖案，而在步進器設置所述帶防護薄膜的曝光原版進行曝光。一般，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射並被引導至基板的投影光學系統，這些是在減壓或真空下進行。由此，假設即便在微影步驟中異物附著於防護薄膜上，這些異物也不會在塗佈有光致抗蝕劑的晶片上成像，因此可防止由異物的像引起的積體電路等的短路或斷線等。因此，藉由使用帶防護薄膜的曝光原版，可提高微影步驟中的良率。

[實施例]

以下，示出實施例及比較例，對本新型創作進行具體說明，但本新型創作並不受下述實施例的限制。

[實施例1]

製作鈦製的防護薄膜框架(內尺寸143mm×110mm×高度1.5mm，框架寬度4mm)。在防護薄膜框架各邊中央的上端面，設置有寬度30mm×高度0.1mm×深度4mm的切口部。進而，在各邊設置有12個直徑0.8mm的貫通孔。

對防護薄膜框架進行清洗，將向矽酮黏著劑(信越化學工業(股)製造的「X-40-3264」)100質量份中加入硬化劑(信越化學工業(股)製造的「PT-56」)1質量份並進行攪拌而得的材料以成為寬度1mm、厚度0.1mm的方式塗佈於防護薄膜框架上端面的無切口部的部位。另外，在防護薄膜框架的下端面，將作為光遮罩用黏著劑，向丙烯酸黏著劑(綜研化學(股)製造的「SK戴恩 (SK-Dyne)1499M」)100質量份中加入硬化劑(綜研化學(股)製造的「L-45」)並進行攪拌而得的材料以成為寬度1mm、厚度0.1mm的方式遍及整周來塗佈。然後，將防護薄膜框架在100℃下加熱12小時，使上下端面的黏著劑硬化。接著，將由0.725mm厚的Si框支撐的50nm厚的極薄矽膜作為防護薄膜膜片壓接於在防護薄膜框架的上端面形成的黏著劑，從而完成了防護薄膜。

[實施例2]

製作鋁製的防護薄膜框架(內尺寸143mm×110mm×高度1.5mm、框架寬度4mm)。在防護薄膜框架各邊設置有48個直徑0.8mm的貫通孔。除了所述框架的形狀以外，與實施例1相同。

[比較例1]

製作鈦製的防護薄膜框架(內尺寸143mm×110mm×1.5mm、框架寬度4mm)。在防護薄膜框架各邊中央的上端面設置有寬度30mm×高度0.1mm×深度4mm的切口部。除了所述防護薄膜框架的形狀以外，與實施例1相同。

[比較例2]

利用作為陶瓷的氧化鋁嘗試製作實施例1的防護薄膜框架，但在製作中途發生破損。

[真空測試]

將實施例1、實施例2及比較例1中製作的防護薄膜貼附於6英寸見方的石英遮罩，實施真空測試。所述真空測試是將所述帶遮罩的防護薄膜放入真空腔室內，以170秒自大氣壓減壓至1Pa，然後以250秒自1Pa返回至大氣壓，確認防護薄膜膜片是否存在破損。將其結果示於下述表1。

根據所述表1的結果，在實施例1及實施例2中，未確認到防護薄膜膜片的破損而為良好，但在比較例1中確認到防護薄膜膜片的破損。