CN106796391A - 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法 - Google Patents

防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106796391A
CN106796391A CN201580046926.7A CN201580046926A CN106796391A CN 106796391 A CN106796391 A CN 106796391A CN 201580046926 A CN201580046926 A CN 201580046926A CN 106796391 A CN106796391 A CN 106796391A
Authority
CN
China
Prior art keywords
framework
hole
membrane module
protecting film
protection membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580046926.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106796391B (zh
Inventor
高村夫
高村一夫
种市大树
河关孝志
小野阳介
石川比佐子
美谷岛恒明
大久保敦
佐藤泰之
广田俊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Mitsui Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemical Industry Co Ltd filed Critical Mitsui Chemical Industry Co Ltd
Publication of CN106796391A publication Critical patent/CN106796391A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106796391B publication Critical patent/CN106796391B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备:配置有防护膜的第1框体;支持上述第1框体的第2框体;贯通上述第1框体的贯通孔;以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。上述贯通孔可以贯通上述防护膜,上述过滤器可以配置在上述防护膜上。此外,上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。

Description

防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的 曝光方法
技术领域
本发明涉及光刻工序所使用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。特别是,本发明涉及远紫外光(Extreme Ultraviolet:EUV)光刻用的防护膜组件、其制造方法以及使用了该防护膜组件的曝光方法。
背景技术
光刻工序中,为了防止在掩模或中间掩模上附着尘埃等,使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧架设了防护膜的防护膜组件。在这样的防护膜组件被安装在掩模上的状态下,防护膜组件内部的气密性极其高,由于气压变化、温度变化,有时薄膜的防护膜成为松弛或膨胀的状态。这样在防护膜失去平滑性的情况下,不仅使防护膜的光学特性变化,而且在凹凸的程度剧烈的情况下,有时防护膜与掩模接触,或碰到收纳防护膜组件的壳体的盖而损伤防护膜。
作为解决这样的问题的防护膜组件,例如,专利文献1中记载了如下的防护膜组件:在防护膜组件框形成至少一个通气孔,在通气孔中,以不脱落到被框构件、掩模基板和防护膜包围的空间内的方式设置有阻止尘埃等通过的过滤器构件。专利文献2中记载了,在防护膜组件框侧面的至少一部分设置有开口部,使其内面为粘着状的防护膜组件。此外,专利文献3中记载了,在框内部设置有空洞,捕捉通气气体中的异物的防护膜组件。
另一方面,对于设置有过滤器的防护膜组件,为了确实地捕捉微小的尘埃等而必须使过滤器的滤眼细,因此存在过滤器的气体透过速度慢,到压力差被缓和为止花费时间这样的问题。为了解决该问题,专利文献4中记载了下述防护膜组件:将防护膜组件框分割成内侧构件和外侧构件,由耐光性优异的自然显色阳极氧化铝或陶瓷构成内侧构件,由耐力大的铝合金7075-T6构成外侧构件,在防护膜组件框的内部设置有具有3处弯曲部的2个通气孔,在通气孔的内表面设置有用于吸附粉尘的粘着层。
另外,光刻的波长向短波长化发展,作为新一代的光刻技术,EUV光刻的开发推进。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光,是指13.5nm±0.3nm左右的光线。对于光刻,图案的析像极限为曝光波长的1/2左右,即使使用液浸法,也据说图案的析像极限是曝光波长的1/4左右,即使使用ArF激光(波长:193nm)的液浸法,对于其曝光波长,也预想45nm左右为极限。因此,EUV光刻作为与以往的光刻相比能够大幅微细化的革新技术而受到期待。
另一方面,EUV光对于所有物质都易于被吸收,因此,对于EUV光刻,需要使曝光装置内为真空进行曝光。此外,对于所有物质,EUV光的折射率都接近于1,因此不能使用如以往的使用了可见光或紫外光的光刻那样,使用透镜和透射型光掩模的折射光学系统。因此,对于EUV光刻,使用反射型光掩模和镜片的反射光学系统中的曝光是必要的。反射型光掩模,例如,如专利文献5所记载的那样,具有下述结构:在基板上具有Mo层与Si层交替地多次叠层而得的多层反射膜,在反射层上形成有吸收EUV光的吸收层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本实公昭63-39703号公报
专利文献2:日本特开平5-113658号公报
专利文献3:日本特开平5-107747号公报
专利文献4:日本特开2003-107678号公报
专利文献5:日本特开2014-160752号公报
发明内容
发明所要解决的问题
如上述那样,EUV光刻与以往的光刻不同,为真空下的曝光,因此可以认为防护膜组件对光掩模的安装不是必须的。然而渐渐明确由于为以往所没有的微细工艺,因此防护膜组件对光掩模的安装是必须的。然而,由于EUV光对于所有物质都易于被吸收,因此配置于防护膜组件的防护膜也需要为以往所没有的纳米级的膜。
此外,最初认为防护膜组件对光掩模的安装不是必须的,因此现在开发的EUV曝光装置中,用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度。然而,为了在曝光装置内确保用于安装具有5mm以上高度的以往的防护膜组件的空间,需要变更光学系统的设计,导致EUV光刻的开发延迟。
由于为真空下的曝光,因此设想防护膜松弛或膨胀,但受防护膜组件的设置空间的大幅限制,因此为了防止纳米级的防护膜的损伤,需要确保经由在防护膜组件的框体配置的通气孔的充分的通气。在通气孔配置过滤器是必要的,但受防护膜组件的设置空间的大幅限制,因此框体所允许的高度也被大幅限制,因此过滤器对框体的配置也要求以往所没有的设计。
本发明的目的在于解决上述问题,提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。
此外,远紫外光光刻用的防护膜组件由于将非常薄的防护膜粘贴于框体,因此在粘贴于光掩模时,如果如以往那样从框体上施加力而进行粘贴则担心防护膜破损。因此,远紫外光光刻用的防护膜组件需要使用专用的粘贴装置,以非接触方式的对光掩模的粘贴。这里所谓非接触,是指不从框体上施加强力这样的意思,强力的标准为以往的光掩模粘贴时被负载的1kgf左右以上。本发明除了上述课题以外,还提供能够进行非接触方式的对光掩模的粘贴的远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法。
用于解决课题的方法
根据本发明的一实施方式,提供一种防护膜组件,其具备:配置有防护膜的第1框体;支持上述第1框体的第2框体;贯通上述第1框体的贯通孔;以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。
上述防护膜组件中,上述贯通孔可以贯通上述防护膜,上述过滤器可以配置在上述防护膜上。
上述防护膜组件中,上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。
上述防护膜组件中,可以以上述过滤器的上表面与上述防护膜成为同一面的方式,在上述第1框体上配置上述过滤器。
上述防护膜组件中,上述第1框体可以在与上述第2框体对置的面,具有与上述贯通孔连接的槽部,上述槽部可以通过与上述第2框体的结合而形成与上述贯通孔连接的孔,上述孔可以在上述第1框体的内侧的面具有开口。
上述防护膜组件中,上述第2框体可以具有在与上述第1框体对置的面配置的第1开口、和在上述第2框体的内侧的面配置的第2开口,2个上述开口可以通过在上述第2框体的内部配置的孔被连接,上述第1开口可以与上述贯通孔连接。
上述防护膜组件中,上述第2框体可以在与上述第1框体对置的面具有与上述贯通孔连接的槽部,上述槽部可以通过与上述第1框体的结合而形成与上述贯通孔连接的孔,上述孔可以在上述第2框体的内侧的面具有开口。
上述防护膜组件中,上述防护膜可以对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率,膜厚可以为20nm以上50nm以下。
上述防护膜组件中,高度可以为2mm以下。
此外,根据本发明的一实施方式,提供一种防护膜组件的制造方法,在基板上形成防护膜,除去规定位置的上述防护膜使上述基板露出,除去上述基板的一部分,使上述防护膜露出而形成第1框体,在上述规定位置形成贯通上述第1框体的贯通孔,在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧,配置覆盖上述贯通孔的过滤器,以上述第1框体侧的上述贯通孔开口的方式,经由粘接层将上述第1框体固定于第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中,上述贯通孔可以在上述规定位置贯通上述防护膜而形成,可以在上述防护膜上配置覆盖上述贯通孔的过滤器。
上述防护膜组件的制造方法中,可以与上述防护膜相邻地在上述第1框体上配置上述过滤器。
上述防护膜组件的制造方法中,可以以上述过滤器的上表面与上述防护膜成为同一面的方式,在上述第1框体上配置上述过滤器。
上述防护膜组件的制造方法中,可以在上述第1框体的与上述第2框体对置的面形成与上述贯通孔连接的槽部,经由粘接层将上述第1框体固定于第2框体,形成与上述贯通孔连接并且在上述第1框体的内侧的面具有开口的孔。
上述防护膜组件的制造方法中,可以在上述第2框体的与上述第1框体对置的面形成第1开口,在上述第2框体的内侧的面形成第2开口,在上述第2框体的内部形成连接2个上述开口的孔,将上述第1开口与上述贯通孔连接。
上述防护膜组件的制造方法中,可以在上述第2框体的与上述第1框体对置的面形成与上述贯通孔连接的槽部,经由粘接层将上述第1框体固定于第2框体,形成与上述贯通孔连接并且在上述第2框体的内侧的面具有开口的孔。
上述防护膜组件的制造方法中,可以将膜厚为20nm以上50nm以下的上述防护膜形成在上述基板上,上述防护膜可以对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率。
上述防护膜组件的制造方法中,可以使高度为2mm以下。
一种曝光方法,将上述任一防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面,将上述光掩模配置在曝光装置的规定位置,在与上述中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳上述防护膜组件,在真空下,对配置有上述防护膜组件的上述光掩模照射5nm以上30nm以下的光,将从配置有上述防护膜组件的上述光掩模的上述中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材。
发明的效果
根据本发明,提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。此外,可以提供能够以非接触方式对光掩模粘贴的远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法。
附图说明
图1是一实施方式涉及的防护膜组件100的示意图(立体图)。
图2是一实施方式涉及的防护膜组件100的图1的线段AA’处的剖面图。
图3是显示一实施方式涉及的防护膜组件100的制造工序的图。
图4是显示一实施方式涉及的防护膜组件100的制造工序的图。
图5是一实施方式涉及的防护膜组件200的图1的线段AA’处的剖面图。
图6是显示一实施方式涉及的防护膜组件200的制造工序的图。
图7是显示一实施方式涉及的防护膜组件200的制造工序的图。
图8是一实施方式涉及的防护膜组件300的图1的线段AA’处的剖面图。
图9是显示一实施方式涉及的防护膜组件300的制造工序的示意图。
图10是一实施方式涉及的防护膜组件400的图1的线段AA’处的剖面图。
图11是显示一实施方式涉及的防护膜组件400的制造工序的示意图。
图12是显示一实施方式涉及的防护膜组件400的制造工序的示意图。
图13是一实施方式涉及的防护膜组件500的图1的线段AA’处的剖面图。
图14是显示一实施方式涉及的防护膜组件500的制造工序的示意图。
图15是一实施方式涉及的防护膜组件600的图1的线段AA’处的剖面图。
图16是显示一实施方式涉及的防护膜组件600的制造工序的示意图。
图17是一实施方式涉及的防护膜组件700的图1的线段AA’处的剖面图。
图18是显示一实施方式涉及的防护膜组件700的制造工序的示意图。
图19是显示一实施方式涉及的防护膜组件700的制造工序的示意图。
图20是一实施方式涉及的防护膜组件800的图1的线段AA’处的剖面图。
图21是一实施方式涉及的防护膜组件900的图1的线段AA’处的剖面图。
图22是一实施方式涉及的防护膜组件1000的图1的线段AA’处的剖面图。
图23是一实施方式涉及的防护膜组件1100所使用的第2框体1113的示意图。
图24是概念性示出一实施方式涉及的5000的剖面图。
图25是概念性示出一实施方式涉及的光掩模制造装置6000的剖面图。
图26是概念性示出一实施方式涉及的光掩模制造装置7000的剖面图。
图27是显示实施方式的研究例的图,(a)是防护膜组件1800的剖面图,(b)是防护膜组件1900的剖面图。
具体实施方式
在本说明书中,所谓EUV光,是指波长5nm以上30nm以下的光。EUV光的波长优选为5nm~13.5nm程度,更优选为13.5±0.3nm。EUV光由于对于所有物质都易于被吸收,因此在本发明中,防护膜需要为纳米级的膜。本发明涉及的防护膜对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率。本发明涉及的防护膜优选对5nm~13.5nm程度的波长的光,更优选对13.5±0.3nm的波长的光,具有90.0%以上的透射率。为了获得这样的透射率,本发明涉及的防护膜的膜厚为10nm以上100nm以下,更优选为10nm以上50nm以下。
防护膜的EUV透射率T由下式(1)定义。
[数1]
式(1)中,I表示透射光强度,I0表示入射光强度。对于透射光强度I和入射光强度I0、防护膜的厚度d、密度ρ和防护膜的质量吸收系数μ,以下式(2)表示的关系成立。
[数2]
I=I0exp(-μρd)…(2)
式(2)中的密度ρ为构成防护膜的物质固有的密度。此外,上述式(2)中的质量吸收系数μ如下求出。在光子的能量约大于30eV,并且光子的能量与原子的吸收端充分分离的情况下,质量吸收系数μ不依赖于原子彼此的结合状态等。波长13.5nm的光子能量为92.5eV附近,与原子的吸收端也充分分离。因此,上述质量吸收系数μ不依赖于构成防护膜的化合物的原子彼此的结合状态。因此,防护膜的质量吸收系数μ从构成防护膜的各元素(1,2,···,i)的质量吸收系数μ1和各元素的质量分率Wi,由以下式(3)求出。
[数3]
μ=μ1W12W2+…μiWi…(3)
上述Wi是由Wi=niAi/ΣniAi求出的值。Ai是各元素i的原子量,ni是各元素i的数。
上述式(3)中的各元素的质量吸收系数μi可以应用由Henke等人归纳的以下参考文献的值。(B.L.Henke,E.M.Gullikson,and J.C.Davis,“X-Ray Interactions:Photoabsorption,Scattering,Transmission,and Reflection at E=50-30,000eV,Z=1-92,”At.Data Nucl.Data Tables 54,181(1993)这些数值的最新版登载于http://wwwcxro.lbl.gov/optical_constants/。)
如果防护膜的质量吸收系数μ、防护膜的密度ρ和防护膜的厚度d可以指定,则可以基于式(1)和式(2),算出防护膜的波长13.5nm的光的透射率。另外,上述透射率也可以通过Lawrence Berkeley国立研究所的X射线光学中心的光学常数万维网址来计算。
为了增厚膜厚并且提高透射率,作为上述防护膜的材质,期望使用吸收系数低的材质。具体而言,在将氢的质量吸收系数μi设为1来相对地表示时,期望使用由100以下的元素构成的材质。特别是,期望使用H、Be、B、C、N、O、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru等元素。
作为构成防护膜的具体的化合物,可举出氟系聚合物、聚烯烃、聚酰亚胺等高分子化合物、钌、镍、锆、钛、钼、铌等金属、结晶硅(例如,单晶硅、多晶硅等)、无定形硅、类金刚石碳(DLC)、石墨、无定形碳、石墨烯、碳化硅、氮化硅等。
此外,防护膜可以包含抗氧化膜、放热膜。抗氧化膜能够为由SiOx(x≤2)、SixNy(x/y为0.7~1.5)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru或Rh形成的膜等。
放热膜优选为由热辐射率高的材料、导热性高的材料形成的膜。具体而言,能够为由与抗氧化膜同样的材料形成的膜、由Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯形成的膜等。抗氧化膜和放热膜可以形成于防护膜的一面,也可以形成于两面。防护膜可以包含单独1种上述元素和化合物,也可以包含2种以上。
对于以往的ArF光刻用的防护膜组件,使用由铝、陶瓷等构成的框体,经由粘接层将防护膜与框体粘接。然而,EUV光刻用的本发明涉及的防护膜由于为20nm以上50nm以下的非常薄的膜厚,因此难以通过粘接对框体固定。因此,通过使用半导体制造工艺,例如,通过蒸镀在基板上形成防护膜,将基板回蚀成框形状,从而可以使防护膜露出,获得配置有防护膜的框体。作为本发明涉及的基板,可以使用例如,硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等。不限定于此,但作为基板,优选为硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板,更优选为硅基板。
如上所述,由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜的破损,防护膜组件的高度优选为2mm以下。在通过如上述那样的方法来形成非常薄的防护膜的情况下,难以在框体的侧面形成贯通孔作为通气口。因此,可以考虑将配置有防护膜的第1框体、与侧面形成有贯通孔的第2框体分别形成,经由粘接层而粘接的方法。关于第1框体,从防护膜的形成和操作的观点考虑,优选使厚度为1mm以下,但为100μm以下是困难的。此外,由于具备第1框体与第2框体的粘接层、和防护膜组件与掩模的粘接层,因此配置贯通孔的第2框体所允许的高度为1~1.5mm。然而,为了防尘而将贯通孔用过滤器覆盖的情况下,从粘接性、操作的观点考虑,难以将1.5mm以下的过滤器配置于第2框体的侧面。
因此,可以考虑在经由粘接层而粘接的第1框体和第2框体的侧面配置2mm左右的过滤器。然而,在该情况下,发生图27所示那样的问题。图27是在经由粘接层而粘接的第1框体和第2框体的侧面配置有2mm左右的过滤器的防护膜组件的示意图,图27(a)是通过干蚀刻而形成有第1框体的防护膜组件1800的示意图,图27(b)是通过湿蚀刻而形成有第1框体的防护膜组件1900的示意图。
防护膜组件1800具备配置有防护膜1801的第1框体1811、经由粘接层1841与第1框体1811固定的第2框体1813。在第2框体1813形成有将外侧的侧面与内侧的侧面贯通了的贯通孔1821。在经由粘接层1841而粘接的第1框体1811和第2框体1813的侧面,经由粘接层(未图示)而粘接覆盖贯通孔1821的过滤器1831。此外,在第2框体1813的底面形成用于将防护膜组件1800固定于光掩模的粘接层1843,粘接层1843被衬垫1851保护,直到固定于光掩模为止。此时,在将第1框体1811与第2框体1813粘接的粘接层1841产生间隙1890。
此外,在这样的过滤器的背面(粘接面)产生的间隙,在通过湿蚀刻而形成有第1框体的情况下变得显著。防护膜组件1900具备配置有防护膜1901的第1框体1911、和经由粘接层1941与第1框体1911固定了的第2框体1913。在第2框体1913形成将外侧的侧面与内侧的侧面贯通了的贯通孔1921。在经由粘接层1941而粘接的第1框体1911和第2框体1913的侧面,经由粘接层(未图示)而粘接覆盖贯通孔1921的过滤器1931。此外,在第2框体1913的底面形成用于将防护膜组件1900固定于光掩模的粘接层1943,通过粘接层1943被衬垫1951保护,直到固定于光掩模为止。这里,在防护膜组件1900中,由于第1框体1911通过湿蚀刻而形成,因此如图27(b)所示,在第1框体1911的侧面发生倾斜,截面变为梯形。此时,第1框体1911与粘接层1941产生间隙1990,不能获得过滤器1931的充分的密合性。
因此,本发明人等研究了在过滤器的背面不产生间隙,而获得充分的密合性的防护膜组件的构成。以下,参照附图来对本发明涉及的防护膜组件、其制造方法以及照射方法进行说明。但是,本发明的防护膜组件及其制造方法能够通过多种不同方式来实施,不限定于以下所示的实施方式的记载内容来解释。另外,本实施方式中参照的附图中,对同一部分或具有同样功能的部分附上同一符号,省略其重复的说明。
本发明涉及的防护膜组件,其特征在于,具备配置有防护膜的第1框体、支持第1框体的第2框体、贯通第1框体的贯通孔、和在第1框体的配置有防护膜的面侧覆盖贯通孔的过滤器。以下一边例示具体方式,一边说明本发明涉及的防护膜组件。
(实施方式1)
图1是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件100的示意图(立体图)。图2是防护膜组件100的图1的线段AA’处的剖面图。图2(a)是防护膜组件100的图1的线段AA’处的剖面图,图2(b)是图2(a)的局部放大图。防护膜组件100具备配置有防护膜101的第1框体111、和支持第1框体111的第2框体113。此外,防护膜组件100具备将防护膜101与第1框体111贯通的贯通孔121、和配置在防护膜101上并覆盖贯通孔121的过滤器131(图2(a))。过滤器131经由粘接层137而配置在第1框体111上的防护膜101的区域(图2(b))。另外,图2中,在第1框体111的与配置有防护膜101的面相反侧的面具备第2框体113,但也可以在第1框体111的侧面侧具备第2框体113。
作为防护膜101和第1框体111,可以使用上述防护膜和基板,因此省略详细的说明。构成第1框体111的材质中,优选为硅、蓝宝石、碳化硅,更优选为硅。作为第2框体113,优选为对EUV光具有耐性,平坦性高,低离子溶出性的材料。此外,为了除去碳来源的污染,而使氢气流动到曝光装置内,因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
第2框体113(防护膜组件框)的材质没有特别限制,可以为防护膜组件框所使用的通常的材质。作为第2框体113的材质,具体而言,可举出铝、铝合金(5000系、6000系、7000系等)、不锈钢、硅、硅合金、铁、铁系合金、碳钢、工具钢、陶瓷、金属-陶瓷复合材料、树脂等。其中,铝、铝合金从轻量并且刚性方面考虑更优选。此外,第2框体113可以在其表面具有保护膜。
作为保护膜,优选为对在曝光气氛中存在的氢自由基和EUV光具有耐性的保护膜。作为保护膜,可举出例如,氧化被膜。氧化被膜可以通过阳极氧化等公知的方法来形成。
第1框体111与第2框体113经由粘接层141而被固定。粘接层141的厚度优选在可以确保第1框体111与第2框体113的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,作为粘接层141所使用的粘接剂,优选为对EUV光具有耐性,气体的产生量少的材料。此外,为了除去碳来源的污染,而将氢气流动到曝光装置内,因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
在本实施方式中,“粘接剂”是指广义的粘接剂,在“粘接剂”的概念中,也包含粘着剂。作为粘接剂,可举出丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂、双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂等。
作为与防护膜或其它防护膜组件框的粘接所使用的粘接剂,优选为丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂。作为与光掩模的粘接所使用的粘接剂,优选为双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂。
贯通孔121将防护膜101与第1框体111贯通而配置。在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,贯通孔121形成如下的孔径:由防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,关于贯通孔121的孔径,考虑在减压时贯通孔121发生的压力损失的上限值来设定。
期望在减压时贯通孔发生的压力损失为1Pa以下,更期望为0.5Pa以下。这里,优选以覆盖贯通孔121的方式设置过滤器131,减压时的压力损失的大部分发生在过滤器131部分,贯通孔121几乎不发生压力损失。例如,以使得贯通孔121的压力损失成为1Pa以下的方式,更优选以成为0.1Pa左右的方式,来调整贯通孔121的尺寸和贯通孔121的孔数。
例如,在以350Pa/sec的速度减压时,贯通孔121发生的防护膜组件100内外的压力损失成为1Pa时的贯通孔121的直径为400μm且孔数为4个,或直径为300μm且孔数为40个。贯通孔121的形状没有特别限制,可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔的孔径没有特别限制,期望在第1框的强度不降低的范围内,成为10~500μm左右。贯通孔的孔数也没有特别限制,可以根据过滤器的长度、过滤器的宽度来选择。在设置多个贯通孔121的情况下贯通孔121的位置、间隔没有特别限制,但优选为在过滤器131内等间隔地配置。
在将防护膜组件100设置于光掩模时,第1框体111的宽度影响防护膜组件100的开口率。特别是,在使用反射型掩模的EUV光刻中,EUV光相对于光掩模倾斜地入射,被反射,因此优选第1框体111的宽度窄。因此,在本实施方式中,贯通孔121优选与第2框体113的内侧的面接近地配置。
过滤器131期望使用由能够防止尘埃等向固定于光掩模的防护膜组件100内流入的材料来形成,初始压力损失为100Pa以上550Pa以下,对粒径为0.15μm以上0.3μm以下的粒子的粒子捕集率为99.7%以上100%以下的过滤器。作为过滤器的种类,可以使用例如,ULPA过滤器(超低穿透率空气过滤器,(Ultra Low Penetration Air Filter))。ULPA过滤器是在额定风量下对粒径为0.15μm的粒子具有99.9995%以上的粒子捕集率,并且具有初始压力损失为245Pa以下的性能的空气过滤器。此外,作为过滤器131,可以使用HEPA过滤器(高效微粒空气过滤器,(High Efficiency Particulate Air Filter))。HEPA过滤器是在额定风量对粒径为0.3μm的粒子具有99.97%以上的粒子捕集率,并且具有初始压力损失为245Pa以下的性能的空气过滤器。关于过滤器131,从确保对防护膜101的粘接性,并且确保防护膜组件100的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。
过滤器131由通气部135和配置粘接层137的粘贴留出部133构成(图2(b))。粘贴留出部133以包围通气部135的方式,配置在过滤器131的外周部。粘接层137发挥将防护膜101与通气部135没有间隙地粘接的作用。在与粘接层137相接的粘贴留出部137,气体不通过。粘贴留出部137的宽度为0.2mm以上1.0mm以下。为了使通气部135的面积大,期望粘贴留出部137的宽度尽可能细。所谓通气部135,是指过滤器131的不与粘接层137相接的部分。气体通过通气部135,捕捉气体所包含的粒子。在通气部135,发生压力损失,因此过滤器的换气性能由通气部135的换气性能来决定。
关于过滤器131的总面积,考虑减压时过滤器131发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时在过滤器131发生的压力损失为2Pa以下。过滤器131的长度可以通过将过滤器131的面积除以过滤器的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,期望为1cm以上15cm以下的范围,更期望为2cm以上10cm以下。
现在,作为EUV曝光用的防护膜组件,假定长边152mm以下、短边120mm以下、高度2mm以下的大小,假定350Pa/sec的减压和加压。为了使从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时、或者从真空状态恢复到常压时进行了加压时的由防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm,过滤器131的通气部的合计面积相对于防护膜组件100的内部体积的比率(过滤器的通气部面积/防护膜组件内部体积)优选为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。如果该比率为0.007mm-1以上,则减压和加压时通过过滤器通气部的气体的流速不会过快,因此防护膜组件100内外的差压的上升被抑制,防护膜101的膨胀可以抑制到小于0.5mm。此外,由于能够形成的通气部135的大小的限制,如果该比率为0.026mm-1以下,则可以充分地设置过滤器131的通气部135和粘贴留出部137。
此外,关于过滤器的厚度(高度),由于对光掩模安装防护膜组件的空间仅为2.5mm,因此需要考虑使防护膜组件与过滤器的厚度(高度)的合计小于2.5mm。虽然与防护膜组件的高度有关,但厚度优选为0.05mm以上1.0mm以下的范围,更期望为0.1mm以上0.4mm以下。
此外,在第2框体113的底面配置有粘接层143。粘接层143为将防护膜组件100固定于光掩模的机构。粘接层143的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体113的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,作为粘接层143所使用的粘接剂,优选为对EUV光具有耐性,气体的产生量少的材料。此外,为了除去碳来源的污染,而将氢气流动到曝光装置内,因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
作为粘接剂,可举出丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂、双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂等。粘接层143的材料与粘接层141可以相同,也可以不同。
在防护膜组件100中,包含防护膜101、第1框体111、粘接层141、第2框体113和粘接层143的高度优选为2mm以下。如上述那样,用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜101的破损,防护膜组件100的高度优选为2mm以下。
为了防止在使用前的防护膜组件100的粘接层143附着尘埃等,通过能够剥离的衬垫151来保护粘接层143。
在本发明中,贯通孔121贯通防护膜101与第1框体,过滤器131配置在第1框体111上的防护膜101的区域,因此在过滤器131的背面不产生贯通孔121以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器131。
(防护膜组件100的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件100,例如,可以参照图3和图4,如下制造。另外,以下的制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图3和图4是显示防护膜组件100的制造工序的图。
准备基板105,在基板105上形成防护膜101(图3(a))。在基板105中,如上述那样,可以使用例如,硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等,但不限定于此。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板105上形成防护膜101。由于EUV光相对于所有物质都易于被吸收,因此为了使防护膜101对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率,优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜101优选对5nm~13.5nm左右的波长的光,更优选对13.5±0.3nm的波长的光,具有90.0%以上的透射率。
通过蚀刻来除去形成贯通孔121的规定位置的防护膜101,使基板105露出(图3(b))。对与形成有防护膜101的面相反侧的基板105的面进行蚀刻,除去基板105的一部分,使防护膜101露出而形成第1框体111。此外,在除去了防护膜101的规定位置形成贯通防护膜101与第1框体111的贯通孔121(图3(c))。
在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,贯通孔121形成如下的孔径:由防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔121被过滤器131覆盖,因此考虑过滤器131产生的阻力来设定贯通孔121的孔径。
如上述那样,在将防护膜组件100设置于光掩模时,第1框体111的宽度影响防护膜组件100的开口率。特别是,在使用反射型掩模的EUV光刻中,EUV光相对于光掩模倾斜地入射,被反射,因此优选第1框体111的宽度窄。因此,在本实施方式中,贯通孔121优选与第2框体113的内侧的面接近地配置。
在防护膜101上粘接覆盖贯通孔121的过滤器131(图3(d))。
过滤器131优选为具有上述特性的过滤器,从确保对防护膜101的粘接性,并且确保防护膜组件100的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。粘接过滤器131的时机没有特别限制,可以在固定于第2框体后粘贴。
另行准备第2框体113。在第2框体113的底面形成粘接层143。此外,配置保护粘接层143的衬垫151(图4(a))。这里,可以准备形成有粘接层143的衬垫151,经由粘接层143,将衬垫151粘贴于第2框体113的底面。
在第2框体113的上表面,形成粘接层141(图4(b))。经由形成的粘接层141,将第1框体111固定于第2框体113(图4(c))。此时,以第1框体111侧的贯通孔121开口的方式,经由粘接层141将第1框体111固定于第2框体113。
由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此在本实施方式中,优选使包含过滤器131、防护膜101、第1框体111、粘接层141、第2框体113和粘接层143的高度为2mm以下。
在本发明中,贯通孔121贯通防护膜101与第1框体,过滤器131配置在第1框体111上的防护膜101的区域,因此在过滤器131的背面不产生贯通孔121以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器131。
(实施方式2)
在实施方式1的防护膜组件100中,由于贯通孔121与第2框体113相比配置在内侧,因此需要使第1框体111的宽度大于第2框体113的宽度。如上述那样,在将防护膜组件设置于光掩模时,第1框体的宽度影响防护膜组件的开口率。在本实施方式中,对使第1框体的宽度窄同时配置贯通孔的例子进行说明。
图5是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件200的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件200具备:配置有防护膜201的第1框体211、和支持第1框体211的第2框体213。此外,防护膜组件200具备:贯通防护膜201与第1框体211的贯通孔221、和配置在防护膜201上并覆盖贯通孔221的过滤器231。
在本实施方式中,第1框体211在与第2框体213对置的面具有与贯通孔221连接的槽部225。槽部225通过与第2框体213的结合,而形成与贯通孔221连接的孔223。孔223在第1框体211的内侧的面具有开口。过滤器231经由粘接层(未图示)而配置在第1框体211上的防护膜201的区域。
作为防护膜201、第1框体211和第2框体213,可以使用与上述的防护膜、基板和第2框体113同样的材料,因此省略详细的说明。
第1框体211与第2框体213经由粘接层241而被固定。粘接层241的厚度优选在可以确保第1框体211与第2框体213的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,粘接层241所使用的粘接剂可以使用与粘接层141同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
贯通孔221贯通防护膜201与第1框体211而配置。此外,在本实施方式中,在第1框体211的与第2框体213对置的面,配置与贯通孔221连接的槽部225,从而通过槽部225与第2框体213的结合,来形成与贯通孔221连接的孔223。因此,贯通孔221和、将贯通孔221与配置于第1框体211的内侧的面的开口连接的孔223是,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件200内外的差压引起的防护膜201的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔221被过滤器231覆盖,因此关于贯通孔221和孔223的孔径,考虑减压时贯通孔221产生的压力损失的上限值来设定。
期望在减压时贯通孔221发生的压力损失为1Pa以下,更期望为0.5Pa以下。这里,优选以覆盖贯通孔221的方式设置过滤器231,减压时的压力损失的大部分发生在过滤器231部分,在贯通孔221,压力损失几乎不发生。例如,以贯通孔221的压力损失成为1Pa以下的方式,更优选以成为0.1Pa左右的方式,调整贯通孔221的尺寸。
例如,在以350Pa/sec的速度减压时,如果贯通孔221的直径为480μm和孔数为4个,则在贯通孔221发生的防护膜组件200内外的压力损失成为1Pa以下。贯通孔221的形状没有特别限制,可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔221的孔径没有特别限制,但期望在第1框、膜的强度不降低的范围内为10~500μm程度。贯通孔221的孔数也没有特别限制,可以根据过滤器的长度、过滤器的宽度来选择。
过滤器231可以使用与过滤器131同样的过滤器,因此省略详细的说明。关于过滤器231,从确保对防护膜201的粘接性,并且确保防护膜组件200的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。过滤器231的宽度只要纳入第1框体211的宽度即可。
关于过滤器的总面积,考虑减压时过滤器231发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器231发生的压力损失为2Pa以下。过滤器231的长度可以通过将过滤器231的面积除以过滤器231的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,但期望为1cm以上15cm以下的范围,更期望为2cm以上10cm以下。关于过滤器的厚度(高度),由于对光掩模安装防护膜组件的空间仅为2.5mm,因此需要考虑使防护膜组件与过滤器的厚度(高度)的合计小于2.5mm。虽然与防护膜组件的高度有关,但厚度优选为0.05mm以上1.0mm以下的范围,更期望为0.1mm以上0.4mm以下。
此外,在第2框体213的底面配置粘接层243。粘接层243为用于将防护膜组件200固定于光掩模的机构。粘接层243的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体213的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。粘接层243所使用的粘接剂可以使用与粘接层143同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
在防护膜组件200中,包含防护膜201、第1框体211、粘接层241、第2框体213和粘接层243的高度优选为2mm以下。如上述那样,由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜201的破损,防护膜组件200的高度优选为2mm以下。
为了防止使用前的防护膜组件200的粘接层243附着尘埃等,通过能够剥离的衬垫251来保护粘接层243。
在本发明中,贯通孔221贯通防护膜201与第1框体211,通过第1框体211的槽部225与第2框体213的结合,形成与贯通孔221连接的孔223,因此在过滤器231的背面不产生贯通孔221以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器231。
(防护膜组件200的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件200,例如,可以参照图6和图7,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图6和图7是显示防护膜组件200的制造工序的图。
准备基板205,在基板205上形成防护膜201(图6(a))。对于基板205,如上述那样,可以使用例如,硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等,但不限定于此。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板205上形成防护膜201。由于EUV光对于所有物质都易于被吸收,因此为了使防护膜201对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率,优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜201,优选对于5nm~13.5nm程度的波长的光,更优选对于13.5±0.3nm的波长的光,具有90.0%以上的透射率。
通过蚀刻来除去形成贯通孔221的规定位置的防护膜201,使基板205露出(图6(b))。对与形成有防护膜201的面相反侧的基板205的面进行蚀刻,除去基板205的一部分,在第1框体211的与第2框体213对置的面,形成与贯通孔221连接的槽部225。此外,在除去了防护膜201的规定位置,形成贯通防护膜201与第1框体211的贯通孔221(图6(c))。
在本实施方式中,通过在第1框体211的与第2框体213对置的面,配置与贯通孔221连接的槽部225,从而通过槽部225与第2框体213的结合,来形成与贯通孔221连接的孔223。因此,贯通孔221的孔径和孔223的大小是,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件200内外的差压引起的防护膜201的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔221被过滤器231覆盖,因此关于贯通孔221的孔径和孔223的大小,考虑过滤器231产生的阻力来设定。
在防护膜201上,粘接覆盖贯通孔221的过滤器231(图6(d))。过滤器231优选为具有上述特性的过滤器,从确保对防护膜201的粘接性,并且确保防护膜组件200的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。粘接过滤器231的时机没有特别限制,可以在固定于第2框体后粘贴。
另行准备第2框体213。在第2框体213的底面形成粘接层243。此外,配置保护粘接层243的衬垫251(图7(a))。这里,可以准备形成有粘接层243的衬垫251,经由粘接层243,将衬垫251粘贴于第2框体213的底面。
在第2框体213的上表面,形成粘接层241(图7(b))。经由形成的粘接层241,将第1框体211固定于第2框体213(图7(c))。此时,通过在与第2框体对置的面形成的槽部225与第2框体213的结合,从而形成与贯通孔221连接的孔223。
由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此在本实施方式中,优选使包含过滤器231、防护膜201、第1框体211、粘接层241、第2框体213和粘接层243的高度为2mm以下。
在本发明中,贯通孔221贯通防护膜201与第1框体211,通过第1框体211的槽部225与第2框体213的结合,形成与贯通孔221连接的孔223,因此在过滤器231的背面不产生贯通孔221以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器231。
(实施方式3)
作为实施方式2的变形例,对实施方式3的防护膜组件300进行说明。图8是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件300的图1的线段AA’处的剖面图。实施方式3的防护膜组件300,在以下方面与实施方式2的防护膜组件200不同:对第1框体311的槽部325进行蚀刻直到与防护膜301相接的位置,形成与贯通孔321同等程度的高度的孔323。关于其它构成,与防护膜组件200同样,因此省略详细的说明。
在防护膜组件300中,贯通孔321贯通防护膜301与第1框体311,形成第1框体311的槽部325与第2框体313直接连结的孔323,因此透气性大幅度提高。
(防护膜组件300的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件300,例如,可以参照图9,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图9是显示防护膜组件300的制造工序的图。准备基板305,在基板305上形成防护膜301(图9(a))。基板305可以使用与上述的基板205同样的构件,因此省略详细的说明。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板305上形成防护膜301。防护膜301的材质和构成与上述的防护膜201同样,因此省略详细的说明。
通过蚀刻来除去形成贯通孔321的规定位置的防护膜301,使基板305露出(图9(b))。对与形成有防护膜301的面相反侧的基板305的面进行蚀刻,除去基板305的一部分,在第1框体311的与第2框体313对置的面,一并形成贯通孔321、和与贯通孔321连接的槽部325(图9(c))。在本实施方式中,通过该蚀刻工序,在除去了防护膜301的规定位置,与槽部325一体形成贯通防护膜301的贯通孔321。
因此,贯通孔321的孔径和孔323的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件300内外的差压引起的防护膜301的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔321被过滤器331覆盖,因此关于贯通孔321的孔径和孔323的大小,考虑过滤器331产生的阻力来设定。
在防护膜301上,粘接覆盖贯通孔321的过滤器331(图9(d))。过滤器331的材质和构成与上述的过滤器231同样,因此省略详细的说明。
另行准备第2框体313。第2框体313、粘接层341、粘接层343和衬垫351的材质和构成,与第2框体213、粘接层241、粘接层243和衬垫251相同,因此省略详细的说明。此外,第1框体311与第2框体213的贴合的工序与上述的防护膜组件200同样,因此省略详细的说明。
(实施方式4)
对实施方式2的防护膜组件200的其它变形例进行说明。图10是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件400的图1的线段AA’处的剖面图。实施方式4的防护膜组件400,在以下方面与实施方式2的防护膜组件200不同:通过部分的涂布来形成在第1框体411与第2框体413之间设置的粘接层441,从而形成与贯通孔421连接并在防护膜组件400的内侧开口的孔423。关于其它构成,与防护膜组件200相同,因此省略详细的说明。
在防护膜组件400中,通过将部分地涂布而形成的粘接层441配置在第1框体411与第2框体413之间而形成孔423,从而可以将贯通防护膜401与第1框体411的贯通孔421与孔423简便地连接。此外,由于第1框体411的宽度与第2框体413的宽度相同,因此可以使防护膜401的开口面积大。
(防护膜组件400的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件400,例如,可以参照图11,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图11是显示防护膜组件400的制造工序的图。准备基板405,在基板405上形成防护膜401(图11(a))。基板405可以使用与上述的基板205同样的构件,因此省略详细的说明。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板405上形成防护膜401。防护膜401的材质和构成与上述的防护膜201同样,因此省略详细的说明。
通过蚀刻而除去形成贯通孔421的规定位置的防护膜401,使基板405露出(图11(b))。对与形成有防护膜401的面相反侧的基板405的面进行蚀刻,除去基板405的一部分,在第1框体411的与第2框体413对置的面,形成贯通孔421(图11(c))。
在防护膜401上,粘接覆盖贯通孔421的过滤器431(图11(d))。过滤器431材质和构成与上述的过滤器231同样,因此省略详细的说明。
另行准备第2框体413(图12(a))。第2框体413、粘接层443和衬垫451的材质和构成与第2框体213、粘接层243和衬垫251同样,因此省略详细的说明。
在第2框体413的上表面,形成粘接层441(图12(b))。在本实施方式中,将粘接层441部分地涂布在第2框体413的上表面,形成用于形成与贯通孔421连接的孔423的槽部445。经由粘接层441,将第1框体411固定于第2框体413(图12(c))。此时,通过第1框体411、第2框体413和槽部425,来规定与贯通孔421连接的孔423。另外,粘接层341的材质与粘接层241同样,因此省略详细的说明。
这里,贯通孔421的孔径和孔423的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件400内外的差压引起的防护膜401的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔421被过滤器431覆盖,因此关于贯通孔421的孔径和孔423的大小,考虑过滤器431产生的阻力来设定。
(实施方式5)
在实施方式1和实施方式2中,为了覆盖贯通防护膜与第1框体的贯通孔,将过滤器配置在防护膜的上表面。然而,如上述那样,用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度。在本实施方式中,对通过与防护膜相邻地在第1框体上配置过滤器来降低防护膜组件的高度的例子进行说明。
图13是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件500的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件500具备:配置有防护膜501的第1框体511、和支持第1框体511的第2框体513。此外,防护膜组件500具备:贯通第1框体511的贯通孔521、和在第1框体511的配置有防护膜501的面侧覆盖贯通孔521的过滤器531。在本实施方式中,过滤器531与防护膜501相邻地配置在第1框体511上。
在本实施方式中,第1框体511在与第2框体513对置的面具有与贯通孔521连接的槽部525。槽部525通过与第2框体513的结合,形成与贯通孔521连接的孔523。孔523在第1框体511的内侧的面具有开口。在本实施方式中,与防护膜501相邻地在第1框体511上配置过滤器531。此外,优选以过滤器531的上表面与防护膜501成为同一面的方式,配置过滤器531。过滤器531经由粘接层(未图示)而配置在第1框体511上的除去了防护膜501和第1框体511的一部分的区域。通过这样将防护膜501配置于第1框体511,可以与过滤器531的厚度对应地降低防护膜组件500的高度。
作为防护膜501、第1框体511和第2框体513,可以使用与上述的防护膜101、基板105和第2框体113同样的材料,因此省略详细的说明。
第1框体511与第2框体513经由粘接层541而被固定。粘接层541的厚度优选在可以确保第1框体511与第2框体513的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,粘接层541所使用的粘接剂可以使用与粘接层141同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
贯通孔521贯通第1框体511而配置在除去了防护膜501和第1框体511的一部分的区域。此外,在本实施方式中,通过在第1框体511的与第2框体513对置的面,配置与贯通孔521连接的槽部525,从而通过槽部525与第2框体513的结合,形成与贯通孔521连接的孔523。因此,贯通孔521和、将贯通孔521与配置于第1框体511的内侧的面的开口连接的孔523为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件500内外的差压引起的防护膜501的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,关于贯通孔521和孔523的孔径,考虑减压时贯通孔521产生的压力损失的上限值来设定。
期望在减压时贯通孔521发生的压力损失成为1Pa以下,更期望为0.5Pa以下。这里,优选以覆盖贯通孔521的方式设置过滤器531,减压时的压力损失的大部分发生在过滤器531部分,在贯通孔521处压力损失几乎不发生。例如,以使得贯通孔521的压力损失成为1Pa以下的方式,更优选以成为0.1Pa左右的方式,调整贯通孔521的尺寸。
例如,在以350Pa/sec的速度减压时,贯通孔521发生的防护膜组件500内外的压力损失成为1Pa时的贯通孔521的直径为480μm且孔数为4个。贯通孔521的形状没有特别限制,可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔521的孔径没有特别限制,但期望在第1框的强度不降低的范围内为10~500μm程度。贯通孔521的孔数也没有特别限制,可以根据过滤器的长度、过滤器的宽度来选择。
过滤器531可以使用与过滤器131同样的过滤器,因此省略详细的说明。关于过滤器531,从确保对第1框体511的粘接性,并且确保防护膜组件500的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。过滤器531的宽度只要纳入第1框体511的宽度即可。
关于过滤器531的总面积,考虑减压时过滤器531发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器531发生的压力损失成为2Pa以下。过滤器531的长度可以通过将过滤器531的面积除以过滤器531的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,但期望为1cm以上15cm以下的范围,更期望为2cm以上10cm以下。关于过滤器的厚度(高度),由于对光掩模安装防护膜组件的空间仅为2.5mm,因此需要考虑使防护膜组件与过滤器的厚度(高度)的合计小于2.5mm。虽然与防护膜组件的高度有关,但厚度优选为0.05mm以上1.0mm以下的范围,更期望为0.1mm以上0.4mm以下。
此外,在第2框体513的底面配置粘接层543。粘接层543为用于将防护膜组件500固定于光掩模的机构。粘接层543的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体513的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。粘接层543所使用的粘接剂可以使用与粘接层143同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
在防护膜组件500中,由于以过滤器531的上表面与防护膜501成为同一面的方式配置过滤器,因此包含防护膜501、第1框体511、粘接层541、第2框体513和粘接层543的高度优选为2mm以下。如上述那样,用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜501的破损,防护膜组件500的高度优选为2mm以下。
为了防止使用前的防护膜组件500的粘接层543附着尘埃等,通过能够剥离的衬垫551来保护粘接层543。
在本发明中,在除去了防护膜501和第1框体511的一部分的区域,贯通孔521贯通第1框体511,通过第1框体511的槽部525与第2框体513的结合,形成与贯通孔521连接的孔523,因此在过滤器531的背面不产生贯通孔521以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器531。此外,在本发明中,通过与防护膜501相邻地在第1框体511上配置过滤器531,从而可以降低防护膜组件500的高度。此外,通过以过滤器531的上表面与防护膜501成为同一面的方式,配置过滤器531,从而可以与过滤器531的厚度对应地,将防护膜组件500的高度抑制得低。
(防护膜组件500的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件500,例如,可以参照图14,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图14是显示防护膜组件500的制造工序的图。准备基板505,在基板505上形成防护膜501(图14(a))。对于基板505,如上述那样,可以使用例如,硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等。不限定于此,作为基板,优选为硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板,更优选为硅基板。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板505上形成防护膜501。由于EUV光对于所有物质都易于被吸收,因此为了使防护膜301对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率,优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜501优选对于5nm~13.5nm程度的波长的光,更优选对于13.5±0.3nm的波长的光,具有90.0%以上的透射率。
通过蚀刻来除去形成贯通孔521的规定位置的防护膜501和基板505的一部分,使基板505露出(图14(b))。对与形成有防护膜501的面相反侧的基板505的面进行蚀刻,除去基板505的一部分,使防护膜501露出而在第1框体511的与第2框体513对置的面,形成与贯通孔521连接的槽部525。此外,在除去了防护膜501和基板505的一部分的规定位置,形成贯通防护膜501与第1框体511的贯通孔521(图14(c))。
在本实施方式中,通过在第1框体511的与第2框体513对置的面,配置与贯通孔521连接的槽部525,从而通过槽部525与第2框体513的结合,形成与贯通孔521连接的孔523。因此,贯通孔521的孔径和孔523的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件500内外的差压引起的防护膜501的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔521被过滤器531覆盖,因此关于贯通孔521的孔径和孔523的大小,考虑过滤器531产生的阻力来设定。
在除去了防护膜501和基板505的一部分的区域,粘接覆盖贯通孔521的过滤器531(图14(d))。过滤器531优选为具有上述特性的过滤器,从确保对第1框体511的粘接性,并且确保防护膜组件500的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。粘接过滤器531的时机没有特别限制,可以在固定于第2框体后粘贴。
关于过滤器531的总面积,考虑减压时过滤器531发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器531发生的压力损失成为2Pa以下。过滤器531的长度可以通过将过滤器的面积除以过滤器531的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,期望为1cm以上15cm以下的范围,更期望为2cm以上10cm以下。关于过滤器的厚度(高度),由于对光掩模安装防护膜组件的空间仅为2.5mm,因此需要考虑使防护膜组件与过滤器的厚度(高度)的合计小于2.5mm。虽然与防护膜组件的高度有关,但厚度优选为0.05mm以上1.0mm以下的范围,更期望为0.1mm以上0.4mm以下。
另行与实施方式1同样地,准备第2框体513。在第2框体513的底面形成粘接层543。此外,配置保护粘接层543的衬垫551。这里,可以准备形成有粘接层543的衬垫551,经由粘接层543,将衬垫551粘贴于第2框体513的底面。
在第2框体513的上表面,形成粘接层541。经由形成的粘接层541,将第1框体511固定于第2框体513。此时,通过形成于与第2框体513对置的面的槽部525与第2框体513的结合,从而形成了与贯通孔521连接的孔523。
由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此在本实施方式中,以过滤器531的上表面与防护膜501成为同一面的方式配置过滤器,因而包含防护膜501、第1框体511、粘接层541、第2框体513和粘接层543的高度优选为2mm以下。
在本发明中,在除去了防护膜501和第1框体511的一部分的区域,贯通孔521贯通第1框体511,通过第1框体511的槽部525与第2框体513的结合,形成与贯通孔521连接的孔523,因此在过滤器531的背面不产生贯通孔521以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器531。此外,在本发明中,通过与防护膜501相邻地在第1框体511上配置过滤器531,从而可以降低防护膜组件500的高度。此外,通过以过滤器531的上表面与防护膜501成为同一面的方式,配置过滤器531,从而可以与过滤器531的厚度对应地,将防护膜组件500的高度抑制得低。
(实施方式6)
作为实施方式5的变形例,对实施方式6的防护膜组件600进行说明。图15是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件600的图1的线段AA’处的剖面图。实施方式6的防护膜组件600在以下方面与实施方式5的防护膜组件500不同:在将第1框体611的槽部625进行蚀刻直到与防护膜601相接的位置,形成与贯通孔621同等程度的高度的孔623。关于其它构成,与防护膜组件500同样,因此省略详细的说明。
在防护膜组件600中,在除去了防护膜601和第1框体611的一部分的区域,贯通孔621贯通第1框体611,通过第1框体611的槽部625与第2框体613的结合,形成与贯通孔621连接的孔623,因此在过滤器631的背面不产生贯通孔621以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器631。此外,在本发明中,通过与防护膜601相邻地在第1框体611上配置过滤器631,从而可以降低防护膜组件600的高度。此外,通过以过滤器631的上表面与防护膜601成为同一面的方式,配置过滤器631,从而可以与过滤器631的厚度对应地,将防护膜组件600的高度抑制得低。进一步,在防护膜组件600中,贯通孔621贯通防护膜601与第1框体611,形成第1框体611的槽部625与第2框体613直接连结的孔623,因此透气性大幅度提高。
(防护膜组件600的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件600,例如,可以参照图16,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图16是显示防护膜组件600的制造工序的图。准备基板605,在基板605上形成防护膜601(图16(a))。基板605可以使用与上述基板505同样的构件,因此省略详细的说明。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板605上形成防护膜601。防护膜601的材质和构成与上述的防护膜501同样,因此省略详细的说明。
通过蚀刻来除去形成贯通孔621的规定位置的防护膜601和基板605的一部分,使基板605露出(图16(b))。对与形成有防护膜601的面相反侧的基板605的面进行蚀刻,除去基板605的一部分,在第1框体611的与第2框体613对置的面,一并形成贯通孔621、和与贯通孔621连接的槽部625(图16(c))。在本实施方式中,通过该蚀刻工序,在除去了防护膜601的规定位置,与槽部625一体形成贯通防护膜601的贯通孔621。
因此,贯通孔621的孔径和孔623的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件600内外的差压引起的防护膜601的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔621被过滤器631覆盖,因此关于贯通孔621的孔径和孔623的大小,考虑过滤器631产生的阻力来设定。
在除去了防护膜601和基板605的一部分的区域,粘接覆盖贯通孔621的过滤器631(图16(d))。过滤器631的材质和构成与上述的过滤器531同样,因此省略详细的说明。
另行准备第2框体613。第2框体613、粘接层641、粘接层643和衬垫651的材质和构成与第2框体513、粘接层541、粘接层543和衬垫551同样,因此省略详细的说明。此外,第1框体611与第2框体613的贴合的工序与上述的防护膜组件500同样,因此省略详细的说明。
(实施方式7)
在实施方式2~6的防护膜组件中,将与贯通孔连接的槽部形成于第1框体而形成孔。在本实施方式中,对在第2框体形成与贯通孔连接的孔的例子进行说明。
图17是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件700的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件700具备:配置有防护膜701的第1框体711、和支持第1框体711的第2框体713。此外,防护膜组件700具备:贯通防护膜701与第1框体711的贯通孔721、和配置在防护膜701上并覆盖贯通孔721的过滤器731。
在本实施方式中,第2框体713具有在与第1框体711对置的面配置的第1开口723、和在第2框体713的内侧的面配置的第2开口725,2个开口通过在第2框体713的内部配置的孔727被连接,第1开口723与贯通孔721连接。过滤器731经由粘接层(未图示)而配置在第1框体711上的防护膜701的区域。
作为防护膜701、第1框体711和第2框体713,可以使用与上述的防护膜101、基板105和第2框体113同样的材料,因此省略详细的说明。
第1框体711与第2框体713经由粘接层741而被固定。粘接层741的厚度优选在可以确保第1框体711与第2框体713的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,粘接层741所使用的粘接剂可以使用与粘接层141同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
贯通孔721贯通防护膜701与第1框体711而配置。此外,在本实施方式中,具有在第2框体713的与第1框体711对置的面配置的第1开口723、和在第2框体713的内侧的面配置的第2开口725,2个开口通过在第2框体713的内部配置的孔727被连接,第1开口723与贯通孔721连接。因此,贯通孔721的孔径和、在贯通孔721与第2框体713的内部配置的孔727的孔径为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件700内外的差压引起的防护膜701的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,贯通孔421和孔427的孔径考虑减压时贯通孔721发生的压力损失的上限值来设定。
期望减压时贯通孔721发生的压力损失成为1Pa以下,更期望为0.5Pa以下。这里,优选以覆盖贯通孔721的方式设置过滤器731,减压时的压力损失的大部分发生在过滤器731部分,在贯通孔721处压力损失几乎不发生。例如,以使得贯通孔721的压力损失成为1Pa以下的方式,更优选以成为0.1Pa左右的方式,调整贯通孔721的尺寸。
例如,在以350Pa/sec的速度减压时,贯通孔721发生的防护膜组件400内外的压力损失成为1Pa时的贯通孔721的直径为500μm且孔数为4个。贯通孔721的形状没有特别限制,可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔721的孔径没有特别限制,期望在第1框的强度不降低的范围内为10~500μm程度。贯通孔721的孔数也没有特别限制,可以根据过滤器的长度、过滤器的宽度来选择。
过滤器731可以使用与过滤器131同样的过滤器,因此省略详细的说明。关于过滤器731,从确保对防护膜701的粘接性,并且确保防护膜组件700的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。过滤器731的宽度只要纳入第1框体711的宽度即可。
关于过滤器731的总面积,考虑减压时过滤器731发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器731发生的压力损失为2Pa以下。过滤器731的长度可以通过将过滤器731的面积除以过滤器731的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,期望为1cm以上15cm以下的范围,更期望为2cm以上10cm以下。
此外,在第2框体713的底面配置粘接层743。粘接层743是用于将防护膜组件700固定于光掩模的机构。粘接层743的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体713的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。粘接层743所使用的粘接剂可以使用与粘接层143同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
在防护膜组件700中,包含防护膜701、第1框体711、粘接层741、第2框体713和粘接层743的高度优选为2mm以下。如上述那样,由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜701的破损,防护膜组件700的高度优选为2mm以下。
为了防止使用前的防护膜组件700的粘接层743附着尘埃等,通过能够剥离的衬垫751来保护粘接层743。
在本实施方式中,贯通孔721贯通防护膜701与第1框体711,与配置于第2框体713的孔727连接,因此在过滤器731的背面不产生贯通孔721以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器731。此外,在本实施方式中,在第2框体713形成孔727,因此与第1框体相比可以更容易地加工。
(防护膜组件700的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件700,例如,可以参照图18和图19,如下制造。另外,以下制造工序是一例,根据需要也可以变更制造工序的顺序。图18和图19是显示防护膜组件700的制造工序的图。准备基板705,在基板705上形成防护膜701(图18(a))。在基板705上,如上述那样,可以使用例如,硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等,但不限定于此。
通过蒸镀,以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式,在基板705上形成防护膜701。由于EUV光对于所有物质都易于被吸收,因此为了使防护膜701对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0%以上的透射率,优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜701优选对于5nm~13.5nm左右的波长的光,更优选对于13.5±0.3nm的波长的光,具有90.0%以上的透射率。
通过蚀刻来除去形成贯通孔721的规定位置的防护膜701,使基板705露出(图18(b))。对与形成有防护膜701的面相反侧的基板705的面进行蚀刻,在除去了防护膜701的规定位置,形成贯通防护膜701与第1框体711的贯通孔721(图18(c))。
在本实施方式中,在第2框体713的与第1框体711对置的面形成第1开口723,在第2框体713的内侧的面形成第2开口725,在第2框体713的内部形成连接2个开口的孔727,将第1开口723与贯通孔721连接。因此,贯通孔721的孔径和孔727的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件700内外的差压引起的防护膜701的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,由于贯通孔721被过滤器731覆盖,因此关于贯通孔721的孔径和孔727的大小,考虑过滤器731产生的阻力来设定。
在防护膜701上粘接覆盖贯通孔721的过滤器731(图18(d))。过滤器731优选为具有上述特性的过滤器,从确保对防护膜701的粘接性,并且确保防护膜组件700的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。粘接过滤器731的时机没有特别限制,可以在固定于第2框体后粘贴。
另行准备第2框体713。在本实施方式中,在第2框体713的与第1框体711对置的面形成第1开口723,在第2框体713的内侧的面形成第2开口725,在第2框体713的内部形成连接2个开口的孔727(图19(a))。
此外,在第2框体713的底面形成粘接层743。进一步,配置保护粘接层743的衬垫751(图19(b))。这里,可以准备形成有粘接层743的衬垫751,经由粘接层743,将衬垫751粘贴于第2框体713的底面。
在第2框体713的上表面形成粘接层741(图19(c))。经由形成的粘接层741,将第1框体711固定于第2框体713(图19(d))。此时,在贯通孔721连接第1开口723,贯通孔721与孔727形成通气口。
由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此在本实施方式中,优选使包含过滤器731、防护膜701、第1框体711、粘接层741、第2框体713和粘接层743的高度为2mm以下。
在本实施方式中,贯通孔721贯通防护膜701与第1框体711,与配置于第2框体713的孔727连接,因此可以在过滤器731的背面不产生贯通孔721以外的空隙,具有充分的密合性地配置过滤器731。此外,在本实施方式中,由于在第2框体713形成孔727,因此与第1框体相比可以更容易地加工。
(实施方式8)
作为实施方式7的变形例,显示防护膜组件800。图20是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件800的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件800具备:配置有防护膜801的第1框体811、和支持第1框体811的第2框体813。此外,防护膜组件800具备:贯通防护膜801与第1框体811的贯通孔821、和配置在防护膜801上并覆盖贯通孔821的过滤器831。
在本实施方式中,第2框体813在与第1框体811对置的面具有与贯通孔821连接的槽部825,槽部825通过与第1框体811的结合,形成与贯通孔821连接的孔823,孔823在第2框体813的内侧的面具有开口。过滤器831经由粘接层(未图示)而配置在第1框体811上的防护膜801的区域。
作为防护膜801、第1框体811和第2框体813,可以使用与上述的防护膜101、基板105和第2框体113同样的材料,因此省略详细的说明。
第1框体811与第2框体813经由粘接层841而被固定。粘接层841的厚度优选在可以确保第1框体811与第2框体813的充分的粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。此外,粘接层841所使用的粘接剂可以使用与粘接层141同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
贯通孔821贯通防护膜801和第1框体811而配置。此外,在本实施方式中,在第2框体813的与第1框体811对置的面,具有与贯通孔821连接的槽部825,槽部825通过与第1框体811的结合,形成与贯通孔821连接的孔823,孔823在第2框体813的内侧的面具有开口。因此,贯通孔821的孔径和、通过槽部825与第1框体811的结合而形成的孔823的大小为,在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4~10-6Pa)时,由防护膜组件800内外的差压引起的防护膜801的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中,关于贯通孔821的孔径和孔823的大小,考虑减压时贯通孔产生的压力损失的上限值来设定。
期望减压时贯通孔821发生的压力损失成为1Pa以下,更期望为0.5Pa以下。这里,优选以覆盖贯通孔821的方式设置过滤器831,减压时的压力损失的大部分发生在过滤器831部分,在贯通孔821处压力损失几乎不发生。例如,以使得贯通孔821的压力损失成为1Pa以下的方式,更优选以成为0.1Pa左右的方式,调整贯通孔821的尺寸。
例如,在以350Pa/sec的速度减压时,贯通孔821发生的防护膜组件800内外的压力损失成为1Pa时的贯通孔821的直径为480μm且孔数为4个。贯通孔821的形状没有特别限制,可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔821的孔径没有特别限制,但期望在第1框的强度不降低的范围内为10~500μm程度。贯通孔821的孔数也没有特别限制,可以根据过滤器的长度、过滤器的宽度来选择。
过滤器831可以使用与过滤器131同样的过滤器,因此省略详细的说明。关于过滤器831,从确保对防护膜801的粘接性,并且确保防护膜组件800的开口率的观点考虑,优选使宽度为1mm以上4mm以下。过滤器831的宽度只要纳入第1框体811的宽度即可。
关于过滤器831的总面积,考虑减压时过滤器831发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器831发生的压力损失为2Pa以下。过滤器831的长度可以通过将过滤器831的面积除以过滤器831的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制,期望为1cm~15cm的范围,更期望为2cm~10cm。
此外,在第2框体813的底面配置粘接层843。粘接层843为用于将防护膜组件800固定于光掩模的机构。粘接层843的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体813的充分粘接的范围内尽可能薄,例如为10μm以上300μm以下。粘接层843所使用的粘接剂可以使用与粘接层143同样的粘接剂,因此省略详细的说明。
在防护膜组件800中,包含过滤器831、防护膜801、第1框体811、粘接层841、第2框体813和粘接层843的高度优选为2mm以下。如上述那样,由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此为了防止防护膜801的破损,因此优选防护膜组件800的高度为2mm以下。
为了防止使用前的防护膜组件800的粘接层843附着尘埃等,通过能够剥离的衬垫851来保护粘接层843。
在本实施方式中,贯通孔821贯通防护膜801与第1框体811,与通过形成于第2框体813的槽部825与第1框体811的结合而形成的孔823连接,因此在过滤器831的背面不产生贯通孔821以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器831。此外,在本实施方式中,由于在第2框体813形成槽部825,因此与第1框体相比可以更容易地加工。
(防护膜组件800的制造方法)
防护膜组件800的制造方法的制造方法,在第2框体813形成槽部825方面,与防护膜组件700的制造方法不同。在本实施方式中,在第2框体813的与第1框体811对置的面,形成与贯通孔821连接的槽部825,经由粘接层841将第1框体811固定于第2框体813,形成与贯通孔821连接并且在第2框体813的内侧的面具有开口的孔823。其它制造工序与防护膜组件700同样,因此省略详细的说明。
此外,在上述实施方式7和8的防护膜组件中,能够组合实施方式5和6中说明的以过滤器的上表面与防护膜成为同一面的方式配置过滤器的实施方式,这对于本区域技术人员而言是显而易见的。本发明涉及的防护膜组件中,包含这样的方式。
(实施方式9)
对于将实施方式5中说明的与防护膜501相邻地在第1框体511上配置过滤器531的构成、和实施方式7的具备孔727的第2框体713组合而得的例子进行说明。
图21是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件900的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件900具备:配置有防护膜901的第1框体911、和支持第1框体911的第2框体913。此外,防护膜组件900具备贯通第1框体911的贯通孔921、和在第1框体911的配置有防护膜901的面侧与防护膜901相邻并覆盖贯通孔921的过滤器931。此外,优选以过滤器931的上表面与防护膜901成为同一面的方式,配置过滤器931。过滤器931经由粘接层(未图示)而配置在第1框体911上的防护膜901的区域。
第2框体913具有在与第1框体911对置的面配置的第1开口923、和在第2框体913的内侧的面配置的第2开口925,2个开口通过在第2框体913的内部配置的孔927被连接,第1开口923与贯通孔921连接。其它构成与实施方式5和7中说明的构成同样,因此省略详细的说明。
在本实施方式中,由于贯通孔921贯通第1框体911,与配置于第2框体913的孔927连接,因此在过滤器931的背面不产生贯通孔921以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器931。在本实施方式中,由于在第2框体913形成孔927,因此与第1框体相比可以更容易地加工。此外,通过将防护膜901配置于第1框体911,可以与过滤器931的厚度对应地降低防护膜组件900的高度。
(防护膜组件900的制造方法)
防护膜组件900的制造方法的制造方法,直到在第1框体911的与第2框体913对置的面,形成贯通孔921的工序,与实施方式5同样,因此省略详细的说明。在第1框体911不形成与贯通孔921连接的槽部,这一点与实施方式5不同。此外,在第2框体913的与第1框体911对置的面形成第1开口923,在第2框体913的内侧的面形成第2开口925,在第2框体913的内部形成连接2个开口的孔927,将第1开口923与贯通孔921连接。其它制造工序与防护膜组件700同样,因此省略详细的说明。
(实施方式10)
对于将实施方式5中说明的与防护膜501相邻地在第1框体511上配置过滤器531的构成、与实施方式8的具备孔823的第2框体813组合而得的例子进行说明。
图22是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件1000的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件1000具备:配置有防护膜1001的第1框体1011、和支持第1框体1011的第2框体1013。此外,防护膜组件1000具备:贯通第1框体1011的贯通孔1021、和在第1框体1011的配置有防护膜1001的面侧与防护膜1001相邻并覆盖贯通孔1021的过滤器1031。此外,优选以过滤器1031的上表面与防护膜1001成为同一面的方式,配置过滤器1031。过滤器1031经由粘接层(未图示)而配置于第1框体1011上的防护膜1001的区域。
第2框体1013在与第1框体1011对置的面具有与贯通孔1021连接的槽部1025,槽部1025通过与第1框体1011的结合,形成与贯通孔1021连接的孔1023,孔1023在第2框体1013的内侧的面具有开口。其它构成与实施方式5和8中说明的构成同样,因此省略详细的说明。
在本实施方式中,由于贯通孔1021贯通第1框体1011,与通过形成于第2框体1013的槽部1025与第1框体1011的结合而形成的孔1023连接,因此在过滤器1031的背面不产生贯通孔1021以外的空隙,可以具有充分的密合性地配置过滤器1031。此外,在本实施方式中,由于在第2框体1013形成槽部1025,因此与第1框体相比可以更容易地加工。此外,通过将防护膜1001配置于第1框体1011,从而可以与过滤器1031的厚度对应地降低防护膜组件1000的高度。
(防护膜组件1000的制造方法)
防护膜组件1000的制造方法的制造方法,直到在第1框体1011的与第2框体1013对置的面形成贯通孔1021的工序,与实施方式5同样,因此省略详细的说明。在第1框体1011不形成与贯通孔1021连接的槽部,这一点与实施方式5不同。此外,在第2框体1013的与第1框体1011对置的面,形成与贯通孔1021连接的槽部1025,经由粘接层1041将第1框体1011固定于第2框体1013,形成与贯通孔1021连接并且在第2框体1013的内侧的面具有开口的孔1023。其它制造工序与防护膜组件800同样,因此省略详细的说明。
在上述的实施方式中,由于本发明涉及的防护膜组件的防护膜的膜厚为20nm以上50nm以下的以往所没有的薄的膜,因此如以往的防护膜组件那样用手固定于光掩模是困难的。因此,需要使用专用的粘贴装置,以非接触方式的对光掩模的粘贴。在本实施方式中,对将非接触方式的对光掩模的粘贴机构设置于第2框体的例子进行说明。
图23是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件1100所使用的第2框体1113的示意图,上侧的图是第2框体1113的上表面侧的立体图,下侧的图是第2框体1113的底面侧的立体图。防护膜组件1100具备:配置有防护膜1101的第1框体1111、和支持第1框体1111的第2框体1113。此外,防护膜组件1100具备:贯通防护膜1101与第1框体1111的贯通孔1121、和覆盖贯通孔1121的过滤器1131。过滤器1131经由粘接层(未图示)而配置在配置有防护膜1101的第1框体1111的面。
在第2框体1113上表面设置有槽1114。在本实施方式中,从第2框体1113的上表面(厚度方向)看到的槽1114的形状成为沿着第2框体1113的形状绕一圈的无端形状。
第2框体1113具有贯通孔1114A和贯通孔1114B。贯通孔1114A和贯通孔1114B分别贯通槽1114的底面与第2框体1113的外侧的面之间。
这里,贯通孔1114A和1114B可以分别贯通槽1114的侧面与第2框体1113的外侧的面之间。此外,贯通孔1114A和1114B的任一者可以省略。即,第2框体1113中,对1个槽(槽1114)连接2个贯通孔(贯通孔1114A和1114B),但本实施方式不限定于该形态。在本实施方式中,只要对1个槽(槽1114、槽1116),连接至少1个贯通孔即可。
此外,如图23所示,在第2框体1113的与上表面相反侧的底面,设置有槽1116。在本实施方式中,槽1116的形状也与槽1114的形状同样地,从厚度方向观察时成为沿着第2框体1113的形状绕一圈的无端形状。
第2框体1113具有贯通孔1116A和贯通孔1116B。贯通孔1116A和贯通孔1116B分别贯通槽1116的底面与第2框体1113的外侧的面之间。关于贯通孔1116A和1116B的变形,与贯通孔1114A和1114B的变形同样。
第2框体1113适合于将防护膜1101与第1框体1111固定(支持)而制作防护膜组件1100的用途。对于第2框体1113,在成为与第1框体1111的对置面的上表面设置槽1114,并且设置有与该槽1114连接的贯通孔1114A和1114B。因此,在第2框体1113固定第1框体1111时,通过贯通孔1114A和1114B而将槽1114的内部(例如通过真空泵等排气机构)减压,可以对第2框体1113与第1框体1111之间的压力进行减压。通过该减压,可以在第2框体1113与第1框体1111之间使彼此推压的力起作用,因此可以不与第2框体1113和第1框体1111的正面和背面(即,第2框体1113的上表面和底面、以及第1框体1111的配置有防护膜1101的面和第1框体1111的底面)接触,而将两者固定。
第2框体1113与第1框体1111的固定经由粘接层1141来进行。通过进行减压,可以经由粘接层1141将第2框体1113与防护膜1101推压,因此可以将第2框体1113与第1框体1111牢固地固定。
另外,关于其它构成,与实施方式1中说明的构成同样,因此省略详细的说明。此外,在图23中,对与实施方式1所示的第1框体111同样的构成的第1框体1111进行了说明,但本实施方式也可以应用于实施方式2~8所示那样的与第1框体卡合的第2框体。
(防护膜组件1100的制造方法)
本实施方式的防护膜组件1100的制造方法的基本工序与实施方式1同样。与实施方式1同样地,形成第1框体1111。
另行准备第2框体1113。在第2框体1113的上表面形成槽1114,并且形成贯通槽1114的侧面与第2框体1113的外侧的面之间的贯通孔1114A和1114B。同样地,在第2框体1113的底面形成槽1116,并且形成贯通槽1116的侧面与第2框体1113的外侧的面之间的贯通孔1116A和1116B。
在第2框体1113的底面形成粘接层1143。此时,以在第2框体1113的底面设置的槽1116不被粘接层1143覆盖的方式,形成粘接层1143。此外,配置保护粘接层1143的衬垫1151。这里,可以准备形成有粘接层1143的衬垫1151,经由粘接层1143,将衬垫1151粘贴于第2框体1113的底面。
在第2框体1113的上表面形成粘接层1141。此时,以第2框体1113的上表面设置的槽1114不被粘接层1141覆盖的方式,形成粘接层1141。经由粘接层1141,将第1框体1111固定于第2框体1113。由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度,因此在本实施方式中,优选使第2框体1113的高度与在第2框体1113的下表面配置的粘接层1143的高度的合计为2mm以下。
将第1框体1111固定于第2框体1113的工序,例如,使用图24所示的防护膜组件制造装置5000来进行。防护膜组件制造装置5000具备:真空室5100、在真空室5100内配置的载置台5200、用于向真空室5100供给气体的供给管5110、和用于将真空室5100内的气体排出到真空室5100外的排出管5120A和5120B。排出管5120A和5120B的在真空室5100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室5100内的载置台5200上,载置第2框体1113。具体而言,以第2框体1113的衬垫1151与载置台5200相接的方式载置。而且在第2框体1113的粘接层1141上,配置防护膜1101与第1框体1111的复合构件。
作为一例,作为复合构件,使用了作为硅晶片(例如8英寸硅晶片)的第1框体1111、与作为多晶硅膜(p-Si膜)的防护膜1101的复合构件。在复合构件的规定位置,设置有用于切割成第1框体1111的规定尺寸的切口C1和C2。第1框体1111优选在与第2框体1113的贴合前,切割成规定尺寸(以下,将该操作也称为“裁切”)。
此外,排出管5120A和5120B分别在真空室5100内具有端部。这些端部可以分别与用于对第2框体1113的槽1114的内部进行减压的2个贯通孔1114A和1114B连接。
以下,说明使用了上述防护膜组件制造装置5000的防护膜组件的制造方法的例子。首先,在真空室5100内的载置台5200上,载置第2框体1113,在第2框体1113的上方配置第1框体1111。在该阶段,以粘接剂层1131不与第1框体1111接触的方式配置。
接下来,通过公知的机构,进行第2框体1113与第1框体1111的定位。通过定位,通过被第2框体1113包围的开口部,以第1框体1111嵌入的方式配置。接下来,将排出管5120A和5120B各自的端部分别与用于对第2框体1113(框主体)的槽1114的内部进行减压的2个贯通孔1114A和1114B连接。
接下来,通过上述裁切,将第1框体1111与防护膜1101的复合构件在切口C1和C2切割成与第2框体1113相同尺寸。
接下来,通过从供给管910向真空室5100内供给气体,对真空室5100内加压。同时地,通过使与排出管5120A和5120B的在真空室5100外的端部连接的真空泵(未图示)工作,通过排出管5120A和5120B、以及第2框体1113的2个贯通孔1114A和1114B,对在第2框体1113的上表面设置的槽1114的内部进行减压。关于加压和减压的程度,以由真空室5100内的整体压力、与槽1114的内部压力之差(差压)产生的第1框体1111与第2框体1113之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)例如成为2N左右的方式调整。通过上述差压,在第1框体1111与第2框体1113之间产生彼此推压的力,第2框体1113的粘接层1141与第1框体1111被粘接。
如以上那样操作,可以不与第1框体1111和第2框体1113的正面和背面接触,而将两者粘接。另外,上述各操作的顺序也能够适当替换。
(防护膜组件对光掩模的配置方法)
本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法,具有下述工序:将第2框体1113的至少与支持配置有防护膜1101的第1框体1111的面相反侧的面设置有槽1116的本实施方式的防护膜组件1100、和光掩模以第2框体1113的设置有槽1116的面与光掩模对置的方式配置的配置工序;以及通过贯通孔1116A和1116B对槽1116的内部进行减压,将防护膜组件1100和光掩模固定的固定工序。
根据本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法,通过槽1116的内部的减压,可以在防护膜组件1100与光掩模之间使彼此推压的力起作用,因此可以不与防护膜组件1100和光掩模的正面和背面接触,而将两者固定。
在本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法中,固定工序中的减压优选在防护膜组件1100和光掩模在加压气氛下被配置的状态下进行。根据该方式,可以使配置防护膜组件1100和光掩模的整体气氛的压力、与槽1116的内部压力之差(差压)更大,因此可以使防护膜组件1100和光掩模之间的彼此推压的力更大。因此,可以将两者更容易地固定。
防护膜组件1100与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)优选为1N以上,更优选为2N以上。防护膜组件1100与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)进一步优选为10N以上,特别优选为20N以上。防护膜组件1100与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)的上限没有特别限制,但从生产率等方面考虑,例如为500N,优选为400N。
接下来,参照图25对本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的一例进行说明。但是,本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法不受该一例的限定。图25是概念性示出适合于本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的光掩模制造装置的一例的剖面图。
图25所示的光掩模制造装置6000具备:真空室6100、用于向真空室6100供给气体的供给管6110、和用于将真空室6100内的气体排出到真空室6100外的排出管6120A和6120B。排出管6120A和6120B的在6100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室6100内,配置光掩模6500。作为光掩模6500,使用包含支持基板、在该支持基板上叠层的反射层、和在反射层上形成的吸收体层的光掩模。光掩模6500在真空室6100内,以正面(光照射面;即,设置有反射层和吸收体层的一侧的面)成为上,以背面(光照射面的相反侧的面;即,支持基板侧的面)成为下的方式配置。
而且在光掩模6500的反射层和吸收层的上方,配置除去了衬垫1151的防护膜组件1100。具体而言,防护膜组件1100的粘接层1143侧沿与光掩模6500的正面(光照射面)对置的方向配置。
此外,排出管6120A和6120B分别在真空室6100内具有端部。这些端部可以分别与在第2框体1113的底面设置的用于对槽1116的内部进行减压的2个贯通孔连接。
以下,说明使用了光掩模制造装置6000对光掩模配置防护膜组件的方法的例子。首先,准备除去衬垫1151而获得的防护膜组件1100。接下来,在真空室6100内,将光掩模6500沿以正面(光照射面)成为上的方向配置。此时,为了使光掩模6500的正面和背面不附着异物,例如,以仅支持光掩模6500的侧面等,机械、夹具、手等不与光掩模6500的正面和背面接触的方式配置。
接下来,将防护膜组件1100配置于光掩模6500的上方。此时,为了不在防护膜组件1100的膜面附着异物,例如,以仅支持第2框体1113的侧面(外周面)等,机械、夹具、手等不与防护膜组件1100的膜面接触的方式配置。此外,在该阶段,以粘接层1143与光掩模6500不接触的方式配置。接下来,通过公知的机构,进行防护膜组件1100与光掩模6500的定位。
接下来,将排出管6120A和6120B各自的端部分别与用于对第2框体1113的底侧的槽1116的内部进行减压的2个贯通孔分别连接。接下来,通过从供给管6110向真空室6100内供给气体,将真空室内加压。同时,通过使与排出管6120A和6120B的在真空室6100外的端部连接的真空泵(未图示)工作,通过排出管6120A和6120B、以及第2框体1113的2个贯通孔1116A和1116B,对在第2框体1113的底面设置的槽1116的内部进行减压。关于加压和减压的程度,以由真空室6100内的整体压力、与槽1116的内部压力之差(差压)而产生的防护膜组件1100与光掩模6500之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压,防护膜组件1100与光掩模6500之间产生彼此推压的力,防护膜组件1100的粘接层1143与光掩模6500被粘接。
如以上那样操作,可以不与防护膜组件1100和光掩模6500的正面和背面接触,而将两者粘接。由此,可以一边抑制异物对防护膜组件1100和光掩模6500的附着,一边将两者粘接。另外,上述各操作的顺序也能够适当替换。
(防护膜组件对光掩模的配置方法的变形例)
在上述的防护膜组件对光掩模的配置方法中,将第1框体1111与第2框体1113粘接而形成防护膜组件1100后,配置于光掩模6500。然而,本发明涉及的防护膜组件对光掩模的配置方法不限定于此,也能够替换顺序。作为一例,对将第2框体配置于光掩模后,对第2框体粘接第1框体而使防护膜组件完成的例子进行说明。
在本实施方式中,具有:将在与支持配置有防护膜1101的第1框体1111的面相反侧的面设置有槽1116的第2框体1113、和光掩模以第2框体1113的设置有槽1116的面与光掩模对置的方式配置的配置工序;通过贯通孔1116A和1116B对槽1116的内部进行减压,从而将防护膜组件1100与光掩模固定的固定工序;将配置有防护膜1101的第1框体1111固定于第2框体1113的工序。
另外,如实施方式9中说明地那样,第2框体1113支持配置有防护膜1101的第1框体1111。此外,第2框体1113具备:在上表面设置的槽1114、贯通槽1114的底面与第2框体1113的外侧的面之间的贯通孔1114A和贯通孔1114B、在与上表面相反侧的底面设置的槽1116、和贯通槽1116的底面与第2框体1113的外侧的面之间的贯通孔1116A和贯通孔1116B。
根据本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法,通过槽1116的内部的减压,可以在第2框体1113与光掩模之间使彼此推压的力起作用,因此可以不与第2框体1113和光掩模的正面和背面接触,经由粘接层1143,将两者固定。
在本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法中,第2框体1113的固定工序中的减压优选在第2框体1113和光掩模在加压气氛下被配置的状态下进行。根据该方式,可以使配置第2框体1113和光掩模的整体气氛的压力、与槽1116的内部压力之差(差压)更大,因此可以使第2框体1113和光掩模之间的彼此推压的力更大。因此,可以将两者更容易地固定。
第2框体1113与光掩模之间的彼此推压的力优选为1N以上,更优选为2N以上。第2框体1113与光掩模之间的彼此推压的力进一步优选为10N以上,特别优选为20N以上。第2框体1113与光掩模之间的彼此推压的力的上限没有特别限制,但从生产率等方面考虑,例如为500N,优选为400N。
此外,通过贯通孔1114A和1114B将槽1114的内部(通过例如真空泵等排气机构)减压,从而可以将第2框体1113与第1框体1111之间的压力减压。通过该减压,可以在第2框体1113与第1框体1111之间使彼此推压的力起作用,因此可以不与第2框体1113和第1框体1111的正面和背面(即,第2框体1113的上表面和底面、以及第1框体1111的配置有防护膜1101的面和第1框体1111的底面)接触,而将两者固定。
第2框体1113与第1框体1111的固定经由粘接层1141而进行。通过减压,可以经由粘接层1141而推压第2框体1113与防护膜,因此可以将第2框体1113与第1框体1111牢固地固定。
接下来,参照图26说明本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的变形例。但是,本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法不受该一例的限定。图26是概念性示出适合于本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的光掩模制造装置7000的一例的剖面图。
图26所示的光掩模制造装置7000具备:真空室7100、用于向真空室7100供给气体的供给管7110、用于将真空室7100内的气体排出到真空室7100外的排出管7120A和7120B、以及排出管7220A和7220B。排出管7120A和7120B、与排出管7220A和7220B的在真空室7100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室7100内,配置光掩模7500。作为光掩模7500,使用包含支持基板、在该支持基板上叠层的反射层、以及在反射层上形成的吸收体层的光掩模。光掩模7500在真空室7100内,以正面(光照射面;即,设置有反射层和吸收体层的一侧的面)成为上,以背面(光照射面的相反侧的面;即,支持基板侧的面)成为下的方式配置。
而且在光掩模7500的反射层和吸收层的上方配置除去了衬垫1151的第2框体1113。具体而言,第2框体1113的粘接层1143侧沿与光掩模7500的正面(光照射面)对置的方向配置。
此外,排出管7120A和7120B分别在真空室7100内具有端部。这些端部分别可以与用于将在第2框体1113的底面设置的槽1116的内部进行减压的2个贯通孔连接。
以下,说明使用了光掩模制造装置7000的防护膜组件对光掩模的配置方法的例子。首先,准备除去衬垫1151而获得的第2框体1113。接下来,在真空室7100内,将光掩模7500沿以正面(光照射面)成为上的方向配置。此时,为了不使异物附着于光掩模7500的正面和背面,例如,以仅支持光掩模7500的侧面等,机械、夹具、手等不与光掩模7500的正面和背面接触的方式配置。
接下来,将第2框体1113配置于光掩模7500的上方。在该阶段,以粘接层1143与光掩模7500不接触的方式配置。接下来,通过公知的机构,进行第2框体1113与光掩模7500的定位。
接下来,将排出管7120A和7120B各自的端部分别与用于将第2框体1113的底侧的槽1116的内部进行减压的2个贯通孔连接。接下来,通过从供给管7110向真空室7100内供给气体,将真空室7100内加压。同时,通过使与排出管7120A和7120B的在真空室7100外的端部连接的真空泵(未图示)工作,通过排出管7120A和7120B、以及第2框体1113的2个贯通孔1116A和1116B,将在第2框体1113的底面设置的槽1116的内部进行减压。关于加压和减压的程度,以由真空室7100内的整体压力、与槽1116的内部压力之差(差压)产生的第2框体1113与光掩模7500之间的彼此推压的力成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压,在第2框体1113与光掩模7500之间产生彼此推压的力,防护膜组件1100的粘接层1143与光掩模7500被粘接。(图26(a))
接下来,在第2框体1113的上方配置第1框体1111。在该阶段,以粘接层1141与第1框体1111不接触的方式配置。进一步,通过公知的机构,进行第2框体1113与第1框体1111的定位。通过定位,通过被第2框体1113包围的开口部,以第1框体1111嵌入的方式配置。接下来,将排出管7220A和7220B各自的端部与将第2框体1113(框主体)的槽1114的内部进行减压的2个贯通孔1114A和1114B分别连接。
接下来,通过从供给管7110向真空室7100内供给气体,将真空室7100内加压。同时,使与排出管7220A和7220B的在真空室7100外的端部连接的真空泵(未图示)工作,通过排出管7220A和7220B、以及第2框体1113的2个贯通孔1114A和1114B,将在第2框体1113的上表面设置的槽1114的内部进行减压。加压和减压的程度,以由真空室7100内的整体压力、与槽1114的内部压力之差(差压)产生的第1框体1111与第2框体1113之间的彼此推压的力(施加于第2框体1113整体的力)成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压,在第1框体1111与第2框体1113之间产生彼此推压的力,第2框体1113的粘接层1141与第1框体1111被粘接(图26(b))。
通过上述裁切,将第1框体1111与防护膜1101的复合构件在切口C1和C2切割成与第2框体1113相同尺寸。
如以上那样操作,可以不与防护膜组件1100和光掩模7500的正面和背面接触,而将两者粘接。由此,可以抑制异物对防护膜组件1100和光掩模7500的附着,同时将两者粘接。另外,上述各操作的顺序也能够适当替换。
(曝光方法)
使用上述实施方式涉及的防护膜组件,可以实现利用远紫外光光刻进行的微细加工。将本发明涉及的防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面,将光掩模配置于曝光装置的规定位置,在与中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳防护膜组件,在真空下,对配置有防护膜组件的光掩模照射5nm以上30nm以下的光,将从配置有防护膜组件的光掩模的中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材,从而可以在抗蚀剂上使图案曝光。
本发明涉及的防护膜组件的防护膜是膜厚为20nm以上50nm以下的以往所没有的薄的膜,因此如以往的防护膜组件那样用手固定于光掩模是困难的。因此,需要使用专用的粘贴装置,非接触方式的粘贴。
将粘贴了本发明涉及的防护膜组件的光掩模配置于曝光装置的规定位置,在与中间掩模面具有3mm以下,特别是2.5mm距离的空隙收纳防护膜组件。
在曝光装置内导入形成有抗蚀剂层的基材,使曝光装置内为10-4~10-6Pa左右的真空状态。此时,空气从粘贴于光掩模的本发明涉及的防护膜组件内流出。如上述那样,本发明涉及的防护膜组件中,作为第2框体,使用截面具有L字形状的构件,使过滤器的高度与第2框体的高度大致相等,从而在过滤器的背面不产生贯通孔以外的空隙,具有充分的密合性地配置过滤器,因此防护膜不被损伤,可以使防护膜组件内为真空状态。
然后,对配置有防护膜组件的光掩模照射5nm以上30nm以下的EUV光。光掩模从中间掩模面向下层形成多层反射膜,因此入射到中间掩模面的EUV光通过多层反射膜反射,反映了在中间掩模面的吸收体形成有的图案的EUV光从中间掩模面透过防护膜组件而射出。
将从光掩模的中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材,从而可以在抗蚀剂上使图案曝光。由此,实现以往所没有的微细加工。
符号的说明
100:防护膜组件,101:防护膜,105:基板、111:第1框体,113:第2框体,121:贯通孔,131:过滤器,133:粘贴留出部,135:通气部,137:粘接层,141:粘接层,143:粘接层,151:衬垫,
200:防护膜组件,201:防护膜,205:基板、211:第1框体,213:第2框体,221:贯通孔,223:孔,225:槽部,231:过滤器,243:粘接层,251:衬垫,
300:防护膜组件,301:防护膜,305:基板、311:第1框体,313:第2框体,321:贯通孔,331:过滤器,341:粘接层,343:粘接层,351:衬垫,
400:防护膜组件,401:防护膜,405:基板、411:第1框体,413:第2框体,421:贯通孔,431:过滤器,441:粘接层,443:粘接层,451:衬垫,
500:防护膜组件,501:防护膜,505:基板、511:第1框体,513:第2框体,521:贯通孔,523:孔,525:槽部,531:过滤器,543:粘接层,551:衬垫,
600:防护膜组件,601:防护膜,605:基板、611:第1框体,613:第2框体,621:贯通孔,623:第1开口,625:第2开口,627:孔,631:过滤器,643:粘接层,651:衬垫,
700:防护膜组件,701:防护膜,705:基板、711:第1框体,713:第2框体,721:贯通孔,723:第1开口,725:第2开口,727:孔,731:过滤器,743:粘接层,751:衬垫,
800:防护膜组件,801:防护膜,805:基板、811:第1框体,813:第2框体,821:贯通孔,823:孔,831:过滤器,841:粘接层,843:粘接层,851:衬垫,
900:防护膜组件,901:防护膜,911:第1框体,913:第2框体,921:贯通孔,923:孔,931:过滤器,941:粘接层,943:粘接层,951:衬垫,
1000:防护膜组件,1001:防护膜,1011:第1框体,1013:第2框体,1021:贯通孔,1023:孔,1031:过滤器,1041:粘接层,1043:粘接层,1051:衬垫,
1100:防护膜组件,1101:防护膜,1111:第1框体,1113:第2框体,1121:贯通孔,1131:过滤器,1141:粘接层,1143:粘接层,1151:衬垫,
5000:防护膜组件制造装置,5100:真空室,5200:载置台,5110:供给管,5120A:排出管,5120B:排出管,
6000:光掩模制造装置,6100:真空室,6110:供给管,6120A:排出管,6120B:排出管,6500:光掩模,
7000:光掩模制造装置,7100:真空室,7110:供给管,7120A:排出管,7120B:排出管,7220A:排出管,7220B:排出管,7500:光掩模,
1800:防护膜组件,1801:防护膜,1811:第1框体,1813:第2框体,1821:贯通孔,1831:过滤器,1841:粘接层,1843:粘接层,1851:衬垫,1890:间隙,1900:防护膜组件,1901:防护膜,1911:第1框体,1913:第2框体,1921:贯通孔,1919:粘接层,1943:粘接层,1951:衬垫,1990:间隙。

Claims (19)

1.一种防护膜组件,其特征在于,具备:
配置有防护膜的第1框体;
支持所述第1框体的第2框体;
贯通所述第1框体的贯通孔;以及
在所述第1框体的配置有所述防护膜的面侧覆盖所述贯通孔的过滤器。
2.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述贯通孔贯通所述防护膜,
所述过滤器配置在所述防护膜上。
3.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述过滤器与所述防护膜相邻地配置在所述第1框体上。
4.根据权利要求3所述的防护膜组件,其特征在于,以所述过滤器的上表面与所述防护膜成为同一面的方式,在所述第1框体上配置所述过滤器。
5.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述第1框体在与所述第2框体对置的面,具有与所述贯通孔连接的槽部,
所述槽部通过与所述第2框体的结合而形成与所述贯通孔连接的孔,
所述孔在所述第1框体的内侧的面具有开口。
6.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述第2框体具有在与所述第1框体对置的面配置的第1开口、和在所述第2框体的内侧的面配置的第2开口,
2个所述开口通过在所述第2框体的内部配置的孔被连接,
所述第1开口与所述贯通孔连接。
7.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述第2框体在与所述第1框体对置的面具有与所述贯通孔连接的槽部,
所述槽部通过与所述第1框体的结合而形成与所述贯通孔连接的孔,
所述孔在所述第2框体的内侧的面具有开口。
8.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,所述防护膜对13.5nm的波长的光具有90.0%以上的透射率,膜厚为20nm以上50nm以下。
9.根据权利要求1所述的防护膜组件,其特征在于,高度为2mm以下。
10.一种防护膜组件的制造方法,其特征在于,在基板上形成防护膜,
除去规定位置的所述防护膜以使所述基板露出,
除去所述基板的一部分,使所述防护膜露出而形成第1框体,在所述规定位置形成贯通所述第1框体的贯通孔,
在所述第1框体的配置有所述防护膜的面侧,配置覆盖所述贯通孔的过滤器,
以所述第1框体侧的所述贯通孔开口的方式,经由粘接层将所述第1框体固定于第2框体。
11.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,所述贯通孔在所述规定位置贯通所述防护膜而形成,
在所述防护膜上,配置覆盖所述贯通孔的过滤器。
12.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,与所述防护膜相邻地在所述第1框体上配置所述过滤器。
13.根据权利要求12所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,以所述过滤器的上表面与所述防护膜成为同一面的方式,在所述第1框体上配置所述过滤器。
14.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,在所述第1框体的与所述第2框体对置的面,形成与所述贯通孔连接的槽部,
经由粘接层将所述第1框体固定于第2框体,形成与所述贯通孔连接并且在所述第1框体的内侧的面具有开口的孔。
15.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,在所述第2框体的与所述第1框体对置的面形成第1开口,
在所述第2框体的内侧的面形成第2开口,
在所述第2框体的内部形成连接2个所述开口的孔,
将所述第1开口与所述贯通孔连接。
16.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,在所述第2框体的与所述第1框体对置的面,形成与所述贯通孔连接的槽部,
经由粘接层将所述第1框体固定于第2框体,形成与所述贯通孔连接并且在所述第2框体的内侧的面具有开口的孔。
17.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,将膜厚为20nm以上50nm以下的所述防护膜形成在所述基板上,
所述防护膜对13.5nm的波长的光具有90.0%以上的透射率。
18.根据权利要求10所述的防护膜组件的制造方法,其特征在于,使高度为2mm以下。
19.一种曝光方法,其特征在于,将权利要求1所述的防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面,
将所述光掩模配置在曝光装置的规定位置,在与所述中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳所述防护膜组件,
在真空下,对配置有所述防护膜组件的所述光掩模照射13.5nm的光,
将从配置有所述防护膜组件的所述光掩模的所述中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材。
CN201580046926.7A 2014-09-19 2015-09-18 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法 Active CN106796391B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-192007 2014-09-19
JP2014192007 2014-09-19
PCT/JP2015/076605 WO2016043301A1 (ja) 2014-09-19 2015-09-18 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106796391A true CN106796391A (zh) 2017-05-31
CN106796391B CN106796391B (zh) 2020-02-11

Family

ID=55533337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580046926.7A Active CN106796391B (zh) 2014-09-19 2015-09-18 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10585348B2 (zh)
EP (1) EP3196700B1 (zh)
JP (1) JP6367342B2 (zh)
KR (1) KR101910302B1 (zh)
CN (1) CN106796391B (zh)
SG (1) SG11201701802SA (zh)
TW (1) TWI693466B (zh)
WO (1) WO2016043301A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581806A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 台湾积体电路制造股份有限公司 具有护膜的装置、从光掩模移除护膜及使用护膜的方法
CN111919171A (zh) * 2018-03-27 2020-11-10 三井化学株式会社 防护件用支撑框、防护件及其制造方法以及使用这些的露光底版、半导体装置制造方法
CN112154376A (zh) * 2018-06-12 2020-12-29 三井化学株式会社 防护膜组件用支撑框、防护膜组件及防护膜组件用支撑框的制造方法、以及使用防护膜组件的曝光原版和曝光装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016043301A1 (ja) 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
SG11201701805QA (en) * 2014-09-19 2017-04-27 Mitsui Chemicals Inc Pellicle, production method thereof, exposure method
WO2017179199A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 凸版印刷株式会社 ペリクル
WO2018003603A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 三井化学株式会社 ペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクル、及びその製造方法
CN116594257A (zh) 2016-07-05 2023-08-15 三井化学株式会社 防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法
WO2018151056A1 (ja) 2017-02-17 2018-08-23 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP2018200380A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
JP7357432B2 (ja) 2017-10-10 2023-10-06 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法
US11106127B2 (en) 2017-11-08 2021-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure of pellicle-mask structure with vent structure
EP3764161A4 (en) * 2018-03-05 2021-12-01 Mitsui Chemicals, Inc. PELLICLE, EXPOSURE MASTER, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
KR102099872B1 (ko) 2018-05-25 2020-05-28 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
TWI687760B (zh) * 2019-04-16 2020-03-11 家登精密工業股份有限公司 具有擾流結構的光罩盒
KR102207853B1 (ko) 2019-06-27 2021-01-27 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
US11347143B2 (en) * 2019-09-30 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof
KR102530226B1 (ko) * 2020-10-28 2023-05-09 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임 및 그 제조방법
KR20220142571A (ko) * 2021-04-14 2022-10-24 한국전자기술연구원 극자외선 노광용 펠리클

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
JP2004294786A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクル
JP2005019822A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Asahi Glass Co Ltd マスク保護装置及びマスク保護装置の製造方法、並びにマスク
JP2005250188A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
US20080259291A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101930164A (zh) * 2009-06-19 2010-12-29 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件
CN103246157A (zh) * 2013-05-21 2013-08-14 上海和辉光电有限公司 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法
CN103676460A (zh) * 2012-09-03 2014-03-26 信越化学工业株式会社 Euv用防尘薄膜组件

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939703U (zh) 1972-07-08 1974-04-08
JPS6141255U (ja) 1984-08-20 1986-03-15 株式会社ニコン マスク保護装置
JPS6344824Y2 (zh) * 1985-02-28 1988-11-21
JPH0262542A (ja) 1988-08-29 1990-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
JPH0342153A (ja) 1989-07-10 1991-02-22 Hitachi Ltd 薄板鋳片連続鋳造機
JPH0342153U (zh) * 1989-08-31 1991-04-22
JPH0493945A (ja) * 1990-08-07 1992-03-26 Seiko Epson Corp フォトマスク
JPH05107747A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JPH05113658A (ja) 1991-10-21 1993-05-07 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
US5604955A (en) 1994-06-10 1997-02-25 Graphic Controls Corporation Surgical lighting fixture cover
JP3529062B2 (ja) * 1994-10-07 2004-05-24 株式会社渡辺商行 ペリクル及びレチクル
JPH1048812A (ja) 1996-08-07 1998-02-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置と、その支持構造
JP2000292909A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
US6300019B1 (en) 1999-10-13 2001-10-09 Oki Electric Industry Co., Ltd. Pellicle
JP2001133960A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法
JP2001312048A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2002107915A (ja) 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの固定方法
US6524754B2 (en) 2001-01-22 2003-02-25 Photronics, Inc. Fused silica pellicle
US6593035B1 (en) * 2001-01-26 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films
JP2002323752A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2003107678A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
KR20030041811A (ko) * 2001-11-21 2003-05-27 아사히 가라스 가부시키가이샤 페리클의 포토마스크에 대한 장착구조
JP2004258113A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Nikon Corp マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法
JP2004354720A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク用ペリクル
US20050042524A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Bellman Robert A. Process for making hard pellicles
JP2006060037A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Inc 露光装置
JP4478558B2 (ja) 2004-12-08 2010-06-09 大日本印刷株式会社 大型ペリクルの搬送方法、搬送用治具及びペリクルケース
WO2008105531A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
KR101191055B1 (ko) 2007-07-06 2012-10-15 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 대형 펠리클 프레임체 및 그 프레임체의 파지 방법
US7829248B2 (en) * 2007-07-24 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle stress relief
JP4928494B2 (ja) * 2008-05-02 2012-05-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4934099B2 (ja) * 2008-05-22 2012-05-16 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4903829B2 (ja) * 2009-04-02 2012-03-28 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5047232B2 (ja) 2009-06-26 2012-10-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5479868B2 (ja) 2009-12-02 2014-04-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ペリクル及びその取付方法
JP5033891B2 (ja) * 2010-02-23 2012-09-26 信越化学工業株式会社 ペリクル膜の製造方法
KR101968675B1 (ko) 2010-06-25 2019-04-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
JP2012093595A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレームおよびペリクル
JP2012151158A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Euv用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法
JP5279862B2 (ja) 2011-03-31 2013-09-04 信越化学工業株式会社 ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル
KR20130067325A (ko) * 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
KR101303795B1 (ko) 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
JP5854511B2 (ja) 2012-10-16 2016-02-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの貼付け方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
JP6008784B2 (ja) 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
KR101707763B1 (ko) 2013-05-24 2017-02-16 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클 및 이것을 포함하는 euv 노광 장치
US9140975B2 (en) * 2013-12-13 2015-09-22 Globalfoundries Inc. EUV pellicle frame with holes and method of forming
CN106233201A (zh) * 2014-05-02 2016-12-14 三井化学株式会社 防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法
JP6423730B2 (ja) * 2014-05-26 2018-11-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
SG11201701805QA (en) * 2014-09-19 2017-04-27 Mitsui Chemicals Inc Pellicle, production method thereof, exposure method
WO2016043301A1 (ja) 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
SG11201705304PA (en) * 2015-02-24 2017-07-28 Mitsui Chemicals Inc Pellicle film, pellicle frame, and pellicle and method for producing same
EP3079013B1 (en) * 2015-03-30 2018-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
WO2016175019A1 (ja) * 2015-04-27 2016-11-03 三井化学株式会社 ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
JP2004294786A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクル
JP2005019822A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Asahi Glass Co Ltd マスク保護装置及びマスク保護装置の製造方法、並びにマスク
JP2005250188A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
US20080259291A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101930164A (zh) * 2009-06-19 2010-12-29 信越化学工业株式会社 防尘薄膜组件
CN103676460A (zh) * 2012-09-03 2014-03-26 信越化学工业株式会社 Euv用防尘薄膜组件
CN103246157A (zh) * 2013-05-21 2013-08-14 上海和辉光电有限公司 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581806A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 台湾积体电路制造股份有限公司 具有护膜的装置、从光掩模移除护膜及使用护膜的方法
US11143952B2 (en) 2017-09-28 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle removal method
CN111919171A (zh) * 2018-03-27 2020-11-10 三井化学株式会社 防护件用支撑框、防护件及其制造方法以及使用这些的露光底版、半导体装置制造方法
CN111919171B (zh) * 2018-03-27 2024-05-14 三井化学株式会社 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法
CN112154376A (zh) * 2018-06-12 2020-12-29 三井化学株式会社 防护膜组件用支撑框、防护膜组件及防护膜组件用支撑框的制造方法、以及使用防护膜组件的曝光原版和曝光装置
CN112154376B (zh) * 2018-06-12 2023-08-18 三井化学株式会社 防护膜组件用支撑框及其制造方法、防护膜组件及曝光原版和曝光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10585348B2 (en) 2020-03-10
SG11201701802SA (en) 2017-04-27
TW201614367A (en) 2016-04-16
US20170184957A1 (en) 2017-06-29
TWI693466B (zh) 2020-05-11
JPWO2016043301A1 (ja) 2017-06-29
EP3196700B1 (en) 2019-01-30
JP6367342B2 (ja) 2018-08-01
EP3196700A1 (en) 2017-07-26
EP3196700A4 (en) 2018-06-20
CN106796391B (zh) 2020-02-11
WO2016043301A1 (ja) 2016-03-24
KR20170038910A (ko) 2017-04-07
KR101910302B1 (ko) 2018-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106796391A (zh) 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法
CN106662806A (zh) 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
TWI592737B (zh) 微影遮罩及其製造方法及晶圓的製造方法
JP4861963B2 (ja) ペリクルおよびペリクルの製造方法
US7901846B2 (en) Pellicle and method for manufacturing the same
KR101717615B1 (ko) 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법
US10831094B2 (en) Pellicle for EUV mask and fabrication thereof
JP2017083791A (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
TWI659261B (zh) 從光罩移除護膜的方法、使用護膜的方法及具有護膜的裝置
CN102736400B (zh) 防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件
CN107533283A (zh) 防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法
KR20210090189A (ko) Euv 리소그래피를 위한 펠리클
JP2013195950A (ja) ベルクル及びフォトマスク
JPWO2015174412A1 (ja) ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
KR20230054032A (ko) Euv 리소그래피용 펠리클 구조 및 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant