WO2017179199A1 - ペリクル - Google Patents

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WO2017179199A1
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euv
film
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conductive layer
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Inventor
福上　典仁
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凸版印刷株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Definitions

  • the present invention relates to a pellicle.
  • EUV light extreme ultraviolet light
  • a pellicle for an EUV mask (hereinafter also simply referred to as “EUV pellicle”) including a beam structure portion and a thin film (hereinafter also referred to as “membrane portion”) according to the prior art is particularly suitable for the beam structure portion.
  • EUV pellicle including a beam structure portion and a thin film (hereinafter also referred to as “membrane portion”) according to the prior art is particularly suitable for the beam structure portion.
  • the loss of the EUV light amount increases.
  • the EUV pellicle according to the prior art has a problem of inducing unevenness of light intensity in the semiconductor transfer pattern and reducing the dimensional uniformity of the semiconductor pattern.
  • many foreign objects are generated from the beam structure, which is a problem.
  • out-of-band light (referred to as “out of band light” in the sense of light other than EUV light) included in the light source of an EUV exposure machine hits the pellicle surface and is reflected, which degrades the quality of the semiconductor pattern. There is a problem of making it happen.
  • deterioration due to temperature rise of the pellicle due to high energy irradiation of EUV light, and its radiant heat induces temperature rise on the EUV mask surface, and deteriorates the EUV mask (pattern position due to decrease in EUV light reflectivity and film stress change) There was also a problem of reducing accuracy).
  • the present invention solves such problems, and an object of the present invention is to provide a pellicle capable of improving the quality of a semiconductor pattern and extending the lifetime of a pellicle and a mask.
  • One aspect of the present invention is a pellicle provided on an EUV mask, wherein a pellicle film is provided with a low-reflection layer having a lower reflectance than the pellicle film on the outer surface of the pellicle film with respect to out-of-band light.
  • the pellicle is a feature.
  • foreign matter can be prevented from adhering to the pattern surface of an EUV mask used for lithography using EUV light, and reflection of out-of-band light included in an EUV light source can be prevented. It can be reduced, and the deterioration of the semiconductor pattern can be prevented. Further, according to one embodiment of the present invention, it is possible to suppress an increase in the temperature of the pellicle, and thus it is possible to prevent the degradation of the pellicle itself and the degradation of the EUV mask due to the radiant heat. That is, according to one embodiment of the present invention, high quality semiconductor patterns and long lifetimes of pellicles and masks can be realized.
  • FIG. 1 is a structural sectional view of an EUV pellicle according to the prior art.
  • a commercially available SOI (Silicon On Insulator) wafer can be used, and if a stencil mask blank for electron beam exposure is created as in the above-mentioned Patent Document 2, the basic structure of the EUV pellicle is obtained.
  • the EUV pellicle includes an outer frame part 01, a pellicle film 02, and a beam structure part 03.
  • Antioxidation films 04a and 04b are formed on both surfaces (outer surface and inner surface) of the pellicle film 02, respectively.
  • a pellicle frame 30 is bonded to the lower portion of the outer frame portion 01.
  • FIGS. 2A to 2E and FIGS. 3F to 3G show the structure of the EUV pellicle according to this embodiment. It is sectional drawing.
  • Each of the EUV pellicles shown in FIGS. 2A to 2E and FIGS. 3F to 3G includes an outer frame portion 01, a membrane portion 10, and a pellicle frame 30.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 2A has a two-layer structure of a pellicle film 02 and a low reflection layer 06. In other words, the membrane unit 10 shown in FIG.
  • the outer surface of the pellicle film 02 includes a low reflection layer 06 having a lower reflectance than the pellicle film 02 with respect to the out-of-band light included in the EUV light source. It has become.
  • the “outer surface” of the pellicle film 02 means a surface opposite to the EUV mask side of the pellicle film 02 in a state where the EUV pellicle according to the present embodiment is provided on the EUV mask.
  • the “inner side surface” of the pellicle film 02 means a surface on the EUV mask side of the pellicle film 02 in a state where the EUV pellicle according to the present embodiment is provided on the EUV mask.
  • the membrane portion 10 shown in FIG. 2B has the heat conductive layers 07 (07a, 07b) having higher thermal conductivity than the pellicle film 02 on the outer surface of the pellicle film 02 and the inner surface that is the back surface thereof. It has a prepared structure.
  • the heat conductive layers 07a and 07b are formed not on both surfaces (outer surface and inner surface) of the pellicle film 02 but on at least one surface thereof. May be.
  • the membrane portion 10 shown in FIG. 2C has a structure in which the pellicle films 02a and 02b are provided on the outer side surface and the inner side surface of the heat conductive layer 07, respectively.
  • a pellicle film is formed of a material of a heat conductive layer 07 described later.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 2 (e) is a low reflection whose reflectance for out-of-band light is lower than that of the heat conduction layer 07a on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG. 2 (b), that is, on the heat conduction layer 07a.
  • the layer 06 is formed.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 3F has a low reflection layer 06 having a lower reflectivity for out-of-band light than the pellicle film 02a on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG.
  • the structure is formed.
  • 3 (g) has a structure in which a low reflection layer 06 is formed on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG. 2 (d), that is, on the heat conductive layer 07.
  • the “structure without a beam structure” means an exposure region on the inner surface of the pellicle film 02 or the heat conductive layer 07 closest to the EUV mask in a state where the EUV pellicle according to the present embodiment is provided on the EUV mask. A structure in which the entire area is exposed.
  • Each of the EUV pellicles shown in FIGS. 4A to 4E and FIGS. 5F to 5G includes an outer frame portion 01, a membrane portion 10, a beam structure portion 03, and a pellicle frame 30.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 4A has a two-layer structure of a pellicle film 02 and a low reflection layer 06.
  • the membrane portion 10 shown in FIG. 4A has a structure in which a low reflection layer 06 having a lower reflectivity for out-of-band light than the pellicle film 02 is provided on the outer surface of the pellicle film 02.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 4B has a structure in which the pellicle film 02 is sandwiched between the heat conductive layers 07a and 07b.
  • the membrane portion 10 shown in FIG. 4B has a structure in which the thermal conductivity layers 07 (07a and 07b) having higher thermal conductivity than the pellicle film 02 are provided on the outer surface and the inner surface of the pellicle film 02, respectively. It has become.
  • the heat conductive layers 07a and 07b may be formed not on both surfaces of the pellicle film 02 but only on at least one surface thereof.
  • the membrane portion 10 shown in FIG. 4C has a structure in which the pellicle films 02a and 02b are provided on the outer side surface and the inner side surface of the heat conductive layer 07, respectively.
  • a pellicle film is formed of a material of a heat conductive layer 07 described later.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 4 (e) is a low reflection whose reflectance for out-of-band light is lower than that of the heat conduction layer 07a on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG. 4 (b), that is, on the heat conduction layer 07a.
  • the layer 06 is formed.
  • the membrane part 10 shown in FIG. 5 (f) has a low reflection layer 06 having a lower reflectivity for out-of-band light than the pellicle film 02a on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG. 4 (c), that is, on the pellicle film 02a.
  • the structure is formed.
  • a low reflection layer 06 is formed on the outermost surface of the membrane part 10 shown in FIG. 4 (d), that is, on the heat conduction layer 07.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment has at least one of the low reflection layer 06 and the heat conductive layer 07 (07a, 07b) that the EUV pellicle according to the related art does not have. There is a special feature.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment does not particularly limit the material of the pellicle film 02 (02a, 02b).
  • the low reflection layer 06 of the EUV pellicle needs to have low reflectivity with respect to out-of-band light (wavelength 150 to 400 nm) included in the EUV light source.
  • the low reflection layer 06 is formed of, for example, a material containing at least one of Si, Cr, Al, Zr and oxides, nitrides, and oxynitrides thereof.
  • the film thickness of the low reflection layer 06 is preferably in the range of 10 nm to 200 nm.
  • the “low reflection layer 06” refers to the pellicle film 02 (02a, 02b) or the heat conduction layer 07 (07a, 07b) provided adjacent to the low reflection layer 06 with respect to the out-of-band light. Refers to the lower layer.
  • the heat conductive layer 07 (07a, 07b) of the EUV pellicle according to the present embodiment needs to be formed of a material having a high heat conductivity (approximately 100 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 ).
  • the heat conductive layer 07 (07a, 07b) includes, for example, diamond, nanodiamond (microcrystalline diamond), DLC (diamond-like carbon), graphite, CNT (carbon nanotube), aluminum nitride, gold, silver, copper, It is made of a material containing at least one of aluminum and silicon nitride (Si 3 N 4 ).
  • the “thermal conductive layer 07 (07a, 07b)” refers to the pellicle film 02 (02a, 02b) or the low reflective layer 06 provided with a thermal conductivity adjacent to the thermal conductive layer 07 (07a, 07b). Refers to the higher layer.
  • the heat conduction layer 07 (07a, 07b) can be both sandwiched by the pellicle film 02, but the gas used for cleaning the EUV mask in the exposure machine (generally It is preferable to select a material that hardly reacts in consideration of reactivity with hydrogen and oxygen.
  • the manufacturing method of the EUV pellicle is not limited.
  • a manufacturing process of a stencil mask blank for electron beam exposure may be applied.
  • a membrane part (Si membrane part) 10 and an outer frame formed of Si are manufactured in the same manufacturing process as a stencil mask.
  • a structure including the portion 01 (and the beam structure portion 03 as necessary) is manufactured in advance.
  • a material to be the low reflection layer 06 is formed on the surface of the Si membrane portion 10
  • a material to be the heat conductive layer 07 (07a, 07b) is formed on both surfaces of the Si membrane portion 10, or both are formed.
  • the EUV pellicle according to this embodiment can be created.
  • the low reflection layer 06 and the heat conductive layer 07 are directly formed on the SOI wafer, and then the membrane portion 10 and the outer frame portion 01 (and the beam structure portion 03 as necessary) are provided. It is also possible to produce a body.
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • PVD method physical vapor deposition method
  • ion implantation method diffusion method
  • thermal oxidation thermal oxidation
  • the EUV pellicle according to the present embodiment is a pellicle provided on an EUV mask, and has a low reflectivity on the outer surface of the pellicle film 02, which is lower than that of the pellicle film 02, with respect to the out-of-band light included in the EUV light source.
  • Layer 06 is provided. With such a configuration, it has low reflectivity with respect to out-of-band light, and can prevent a temperature rise during exposure. For this reason, the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask can be increased, and the quality of the semiconductor pattern can be improved.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment is a pellicle provided on the EUV mask, and the thermal conductivity of the pellicle film 02 is higher than that of the pellicle film 02 on at least one of the outer side surface and the back side inner side surface.
  • a high heat conduction layer 07 is provided.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment includes the heat conductive layer 07 on the outer surface of the pellicle film 02, and the reflectance for the out-of-band light included in the EUV light source is heat on the heat conductive layer 07.
  • a low reflective layer 06 lower than the conductive layer 07 may be provided. With such a configuration, it has high low reflectivity with respect to out-of-band light, and can sufficiently prevent a temperature rise during exposure. Therefore, it is possible to increase the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask and to improve the quality of the semiconductor pattern with increased certainty.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment is a pellicle provided on the EUV mask, and includes a pellicle film 02 on the outer side surface of the heat conductive layer 07 and the inner side surface that is the back surface thereof.
  • the thermal conductivity is higher than that of the pellicle film 02.
  • the EUV pellicle according to this embodiment has a low reflection layer on the pellicle film 02 provided on the outer surface of the heat conductive layer 07 and has a lower reflectance than the pellicle film 02 with respect to the out-of-band light included in the EUV light source. 06 may be provided.
  • it has high low reflectivity with respect to out-of-band light, and can sufficiently prevent a temperature rise during exposure. Therefore, it is possible to increase the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask and to improve the quality of the semiconductor pattern with increased certainty.
  • the EUV pellicle according to the present embodiment is a pellicle provided on an EUV mask, and the pellicle film (02) includes diamond, nanodiamond (microcrystalline diamond), DLC (diamond-like carbon), graphite, It is made of a material containing at least one of CNT (carbon nanotube), aluminum nitride, gold, silver, copper, aluminum, and silicon nitride (Si 3 N 4 ). With such a configuration, it is possible to prevent a temperature rise during exposure. For this reason, the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask can be increased, and the quality of the semiconductor pattern can be improved.
  • CNT carbon nanotube
  • Si 3 N 4 silicon nitride
  • the EUV pellicle according to the present embodiment may include the low reflection layer 06 having a lower reflectance than the pellicle film 02 with respect to the out-of-band light included in the EUV light source on the outer surface of the pellicle film 02. .
  • the low reflection layer 06 having a lower reflectance than the pellicle film 02 with respect to the out-of-band light included in the EUV light source on the outer surface of the pellicle film 02. .
  • it has high low reflectivity with respect to out-of-band light, and can sufficiently prevent a temperature rise during exposure. Therefore, it is possible to increase the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask and to improve the quality of the semiconductor pattern with increased certainty.
  • the low reflection layer 06 of the EUV pellicle according to the present embodiment is formed of a material containing at least one of Si, Cr, Al, Zr and oxides, nitrides, and oxynitrides thereof. May be. With such a configuration, it has high low reflectivity with respect to out-of-band light, and can sufficiently prevent a temperature rise during exposure. Therefore, it is possible to increase the lifetime of the EUV pellicle and EUV mask and to improve the quality of the semiconductor pattern with increased certainty.
  • the heat conductive layer 07 of the EUV pellicle according to the present embodiment includes diamond, nanodiamond (microcrystalline diamond), DLC (diamond-like carbon), graphite, CNT (carbon nanotube), aluminum nitride, gold, silver , Copper, aluminum, and silicon nitride (Si 3 N 4 ).
  • the entire exposure region on the inner surface of the pellicle film 02 closest to the EUV mask may be exposed in a state where the pellicle is provided on the EUV mask.
  • the entire exposure region on the inner surface of the heat conductive layer 07 closest to the EUV mask in a state where the pellicle is provided on the EUV mask may be exposed.
  • the beam structure portion included in the pellicle according to the prior art is not provided, it is possible to reduce the EUV light amount loss in the beam structure portion as compared with the pellicle according to the conventional technology. . For this reason, it is possible to make it difficult to cause a reduction in the dimensional uniformity of the semiconductor pattern that may have occurred in the pellicle according to the prior art.
  • Example 1 The details of the first embodiment of the present invention will be described below by taking the manufacturing process of the EUV pellicle using the SOI substrate as an example.
  • an SOI substrate having a diameter of 200 mm (8 inches) was prepared.
  • This SOI substrate includes a silicon thin film layer, a BOX layer, and a support substrate layer in this order.
  • the thicknesses of the silicon thin film layer, the BOX layer, and the support substrate layer are 2 ⁇ m, 1 ⁇ m, and 725 ⁇ m, respectively.
  • a chromium nitride layer was formed on the support substrate layer by sputtering.
  • the chromium nitride layer formed in the pattern effective region was removed by a RIE (Reactive Ion Etching) dry etching method using a photolithography method and a chlorine-based gas.
  • the supporting substrate layer was etched with an ICP (Inductively Coupled Plasma) plasma etching apparatus using a fluorine-based gas.
  • ICP Inductively Coupled Plasma
  • the exposure of the BOX layer serving as an etching stopper was detected from the change in the light reflectance of the etched surface.
  • the region to which the chromium nitride layer was previously applied portion other than the pattern effective region was not etched by the fluorine-based gas, it sufficiently functioned as an etching mask and remained after the etching process.
  • the BOX layer was removed by etching with a hydrofluoric acid aqueous solution. Next, it was rinsed with ultrapure water to expose a clean silicon thin film layer. Thus, a structure in which the pattern effective region was a silicon thin film layer (membrane) was obtained.
  • a low-reflective layer having a thickness of 25 nm was formed by sputtering an SiO 2 film over almost the entire region of the surface of the silicon thin film layer. As a result, an EUV pellicle corresponding to FIG. 2A was obtained.
  • Example 2 Details of the second embodiment of the present invention will be described below.
  • the process until the pattern effective region is formed of the silicon thin film layer based on the SOI substrate is the same as that of the first embodiment.
  • a diamond thin film having a thickness of about 20 nm was formed as a heat conductive layer on both sides of the silicon thin film layer by microwave plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • microwave plasma CVD Chemical Vapor Deposition
  • the heat conduction of the membrane part of the EUV pellicle according to Example 2 was measured with a laser flash method thermal constant measurement device, and was 332 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 , and the heat when no heat conduction layer was formed. It was found that it has a higher thermal conductivity than the conductivity 134 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 .
  • Example 3 Details of Example 3 of the present invention will be described below.
  • the process until the pattern effective region is formed of the silicon thin film layer based on the SOI substrate is the same as that of the first embodiment.
  • the low reflection layer was further formed in the upper layer of the heat conductive layer by the method similar to Example 1.
  • FIG. As a result, an EUV pellicle corresponding to FIG. With respect to the membrane part of the EUV pellicle according to Example 3, when the average reflectance at a wavelength of 150 to 400 nm was measured, it was found to be 12% and to have a sufficiently low reflectivity. Further, when the thermal conductivity was measured, it was 308 W ⁇ m ⁇ 1 ⁇ K ⁇ 1 , and it was found that the thermal conductivity was high.
  • lithography using EUV light unlike conventional deep ultraviolet light such as 193 nm, the refractive index of all materials is close to 1, and the absorption coefficient is large, so a transmission optical system using refraction is used. Exposure is not possible. Therefore, an exposure apparatus of a reflective optical system using a multilayer mirror in which materials having a large refractive index difference are alternately stacked is used. Specifically, a multilayer film of molybdenum and silicon is mainly used.
  • a multilayer film of molybdenum and silicon is formed on the substrate, and an exposure pattern is formed using a material that absorbs EUV light with high efficiency.
  • a material for the absorption pattern a material mainly composed of tantalum is typically used, and a material in which a protective film containing ruthenium or the like is formed on the uppermost layer of the multilayer film is also used.
  • a pellicle is attached after forming a pattern to prevent foreign matter from adhering directly to the pattern forming surface.
  • EUV pellicles with a structure similar to the conventional one have also been developed.
  • the film needs to be very thin in order to minimize the loss of EUV light quantity.
  • EUV light has a high absorption coefficient in all materials, so it must be thinned to a film thickness of several ⁇ m or less. I must. For this reason, the mechanical strength of the pellicle film alone is weak, and it may be easily broken by vibration during transportation.
  • an EUV pellicle has been developed in which a thin film is formed on a net-like structure composed of metal wires, or a silicon single crystal is polished.
  • an EUV pellicle having a silicon beam structure and a thin film (membrane) formed by using an SOI substrate disclosed in Patent Document 1 is provided with the beam structure.
  • Mechanical strength can be maintained.
  • This is a structure similar to that in which an electron beam transmitting pattern is not formed in an electron beam exposure stencil mask, such as that disclosed in Patent Document 2.
  • the difference between them is whether or not pattern processing is performed on the membrane structure.
  • the pellicle has a structure very similar to the stencil mask blank before the pattern is applied to the stencil mask.
  • the EUV pellicle according to this embodiment is a pellicle that prevents foreign matter from adhering to the pattern surface of an EUV mask used for lithography using EUV light, and reduces reflection of out-of-band light contained in the EUV light source. it can. Further, the EUV pellicle according to the present embodiment can prevent the semiconductor pattern from deteriorating. In addition, since the EUV pellicle according to the present embodiment can suppress the temperature rise of the pellicle, it is possible to prevent the degradation of the pellicle itself and the degradation of the EUV mask due to its radiant heat.
  • EUV pellicles according to the present embodiment if a type having no beam structure is used, there is no loss of EUV light quantity in the beam structure, and thus there is a semiconductor pattern that may occur in the pellicle according to the prior art. A decrease in dimensional uniformity is less likely to occur.

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Abstract

　本発明は、半導体パターンの高品質化、またペリクルやマスクの長寿命化が実現できるペリクルを提供する。本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上に設けるＥＵＶペリクルであって、ペリクル膜（０２）の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜（０２）より低い低反射層（０６）を備えている。

Description

ペリクル
　本発明は、ペリクルに関する。
　極端紫外領域の波長の光、即ち極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ光。以下、「ＥＵＶ光」とも称する。）を光源としてパターン転写を行う際に適用可能な反射型フォトマスクに取り付けられるペリクルに関する技術としては、例えば、特許文献１、特許文献２に記載されたものがある。
特開２０１０－２５６４３４号公報 特開２０１１－２１１２５０号公報
　従来技術に係る、梁構造部と薄膜（以下、「メンブレン部」とも称する。）とを備えたＥＵＶマスク用のペリクル（以下、単に「ＥＵＶペリクル」とも称する。）は、特に梁構造部でのＥＵＶ光量の損失が大きくなる。このため、従来技術に係るＥＵＶペリクルには、半導体転写パターンに光強度ムラを誘発し、半導体パターンの寸法均一性を低下させるといった課題がある。さらに、梁構造部からの異物の発生も多く、課題となっている。また、ＥＵＶ露光機の光源に含まれるアウトオブバンド光（ＥＵＶ光以外の光という意味でＯｕｔ　ｏｆ　ｂａｎｄ光と呼ばれている）がペリクル表面に当たって反射してしまうために、半導体パターンの品質を劣化させるといった課題がある。また、ＥＵＶ光の高いエネルギー照射によってペリクルが温度上昇することによる劣化、その輻射熱がＥＵＶマスク表面の温度上昇を誘発し、ＥＵＶマスクを劣化（ＥＵＶ光の反射率の低下や膜応力変化によるパターン位置精度の低下等）させるといった課題もあった。
　本発明は、このような課題を解決するものであり、半導体パターンの高品質化、またペリクルやマスクの長寿命化が実現できるペリクルを提供することを目的とする。
　本発明の一態様は、ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が前記ペリクル膜より低い低反射層を備えたことを特徴とするペリクルである。
　本発明の一態様によれば、ＥＵＶ光を使用するリソグラフィに使用するＥＵＶマスクのパターン表面に異物が付着するのを防止することができ、且つ、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光の反射を低減でき、半導体パターンの劣化を防ぐことが出来る。また、本発明の一態様によれば、ペリクルの温度上昇を抑制することが可能となるため、ペリクル自体の劣化やその輻射熱に起因するＥＵＶマスクの劣化を防ぐことが出来る。即ち、本発明の一態様によれば、半導体パターンの高品質化、またペリクルやマスクの長寿命化が実現できる。
従来技術に係るＥＵＶペリクルの構造断面図である。 本実施形態に係る、梁構造部を有しないＥＵＶペリクルの構造断面図である。 本実施形態に係る、梁構造部を有しないＥＵＶペリクルの構造断面図である。 本実施形態に係る、梁構造部を有するＥＵＶペリクルの構造断面図である。 本実施形態に係る、梁構造部を有するＥＵＶペリクルの構造断面図である。
　まず、従来技術に係るＥＵＶペリクルの形態について、以下、図を用いて説明する。図１は、従来技術に係るＥＵＶペリクルの構造断面図である。ＥＵＶペリクルの基材としては、市販のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハを用いることができ、上述した特許文献２と同様に電子線露光用ステンシルマスクブランクを作成すれば、ＥＵＶペリクルの基本構造となる。
　ＥＵＶペリクルは、図１に示すように、外枠部０１とペリクル膜０２と梁構造部０３とを備えている。また、ペリクル膜０２の両面（外側面と内側面）には、酸化防止膜０４ａ、０４ｂがそれぞれ形成されている。さらに、外枠部０１の下部には、ペリクルフレーム３０が接着されている。
（ＥＵＶペリクルの全体構成）
　次に、本実施形態に係るＥＵＶペリクルについて、図を用いて説明する。なお、本実施形態は、以下に記載する実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づく設計の変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本実施形態の範囲に含まれるものである。
　また、以下の詳細な説明では、本発明の実施形態について、完全な理解を提供するように、特定の細部について記載する。しかしながら、かかる特定の細部が無くとも、一つ以上の実施形態が実施可能であることは明確である。また、図面を簡潔なものとするために、周知の構造及び装置を、略図で示す場合がある。また、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
　図２（ａ）～（ｅ）、図３（ｆ）～（ｇ）、図４（ａ）～（ｅ）、図５（ｆ）～（ｇ）は、本実施形態に係るＥＵＶペリクルの構造断面図である。
　図２（ａ）～（ｅ）及び図３（ｆ）～（ｇ）に示すＥＵＶペリクルは、いずれも外枠部０１とメンブレン部１０とペリクルフレーム３０とを備えている。
　図２（ａ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２と低反射層０６の２層構造となっている。換言すると、図２（ａ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２より低い低反射層０６を備えた構造となっている。ここで、ペリクル膜０２の「外側面」とは、ＥＵＶマスク上に本実施形態に係るＥＵＶペリクルを設けた状態で、ペリクル膜０２のＥＵＶマスク側とは反対側の面を意味する。また、ペリクル膜０２の「内側面」とは、ＥＵＶマスク上に本実施形態に係るＥＵＶペリクルを設けた状態で、ペリクル膜０２のＥＵＶマスク側の面を意味する。
　図２（ｂ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２が熱伝導層０７ａ、０７ｂによって挟まれた構造となっている。換言すると、図２（ｂ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２の外側面及びその裏面である内側面に、熱伝導率がペリクル膜０２より高い熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）をそれぞれ備えた構造となっている。なお、図２（ｂ）では例示していないが、この熱伝導層０７ａ、０７ｂは、ペリクル膜０２の両面（外側面及び内側面）ではなく、少なくとものどちらか一方の面だけに形成されていても良い。
　図２（ｃ）に示すメンブレン部１０は、熱伝導層０７がペリクル膜０２ａ、０２ｂによって挟まれた構造となっている。換言すると、図２（ｃ）に示すメンブレン部１０は、熱伝導層０７の外側面及び内側面にペリクル膜０２ａ、０２ｂをそれぞれ備えた構造となっている。
　図２（ｄ）に示すメンブレン部１０は、後述する熱伝導層０７の材料によってペリクル膜が形成されている。
　図２（ｅ）に示すメンブレン部１０は、図２（ｂ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ち熱伝導層０７ａ上に、アウトオブバンド光に対する反射率が熱伝導層０７ａより低い低反射層０６が形成された構造となっている。
　図３（ｆ）に示すメンブレン部１０は、図２（ｃ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ちペリクル膜０２ａ上に、アウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２ａより低い低反射層０６が形成された構造となっている。
　図３（ｇ）に示すメンブレン部１０は、図２（ｄ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ち熱伝導層０７上に低反射層０６が形成された構造となっている。
　なお、ＥＵＶリソグラフィにおいて、パターン転写精度に重大な問題を招く上記弊害（ＥＵＶ光量の損失，光強度ムラ，異物の発生）を解消し、技術的な優位性の高い「梁構造を持たないメンブレン部」を具備するペリクルの採用も、ＥＵＶマスクの搬送時の取扱いに注意することで、実用上の影響が少ないことが確認されている。このため、本実施形態は、梁構造を持つ構造／持たない構造の双方への適用が可能であり、以後、梁構造を持つ場合について説明する。なお、上記「梁構造を持たない構造」とは、ＥＵＶマスク上に本実施形態に係るＥＵＶペリクルを設けた状態で、ＥＵＶマスクに最も近いペリクル膜０２または熱伝導層０７の内側面における露光領域の全域が露出している構造をいう。
　図４（ａ）～（ｅ）及び図５（ｆ）～（ｇ）に示すＥＵＶペリクルは、いずれも外枠部０１とメンブレン部１０と梁構造部０３とペリクルフレーム３０とを備えている。
　図４（ａ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２と低反射層０６の２層構造となっている。換言すると、図４（ａ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２の外側面に、アウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２より低い低反射層０６を備えた構造となっている。
　図４（ｂ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２が熱伝導層０７ａ、０７ｂによって挟まれた構造となっている。換言すると、図４（ｂ）に示すメンブレン部１０は、ペリクル膜０２の外側面及び内側面に、熱伝導率がペリクル膜０２より高い熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）をそれぞれ備えた構造となっている。なお、図４（ｂ）では例示していないが、この熱伝導層０７ａ、０７ｂは、ペリクル膜０２の両面ではなく、少なくとものどちらか一方の面だけに形成されていても良い。
　図４（ｃ）に示すメンブレン部１０は、熱伝導層０７がペリクル膜０２ａ、０２ｂによって挟まれた構造となっている。換言すると、図４（ｃ）に示すメンブレン部１０は、熱伝導層０７の外側面及び内側面にペリクル膜０２ａ、０２ｂをそれぞれ備えた構造となっている。
　図４（ｄ）に示すメンブレン部１０は、後述する熱伝導層０７の材料によってペリクル膜が形成されている。
　図４（ｅ）に示すメンブレン部１０は、図４（ｂ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ち熱伝導層０７ａ上に、アウトオブバンド光に対する反射率が熱伝導層０７ａより低い低反射層０６が形成された構造となっている。
　図５（ｆ）に示すメンブレン部１０は、図４（ｃ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ちペリクル膜０２ａ上に、アウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２ａより低い低反射層０６が形成された構造となっている。
　図５（ｇ）に示すメンブレン部１０は、図４（ｄ）に示すメンブレン部１０の最表面、即ち熱伝導層０７上に低反射層０６が形成された構造となっている。
　これまで説明してきたように、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、従来技術に係るＥＵＶペリクルが備えていない、低反射層０６及び熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）の少なくとも一方を有していることに特徴がある。
　なお、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ペリクル膜０２（０２ａ、０２ｂ）の材料等を特に限定するものではない。
　本実施形態に係るＥＵＶペリクルの低反射層０６は、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光（波長１５０～４００ｎｍ）に対して、低反射性を持たせる必要がある。このため、低反射層０６は、例えば、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物の少なくとも１種類を含む材料で形成されている。また、低反射層０６の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。ここで、「低反射層０６」とは、アウトオブバンド光に対する反射率が低反射層０６に隣接して設けられたペリクル膜０２（０２ａ、０２ｂ）または熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）より低い層をいう。
　本実施形態に係るＥＵＶペリクルの熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）は、熱伝導率の高い材料（概ね１００Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１)以上）で形成されている必要がある。このため、熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）は、例えば、ダイヤモンド、ナノダイヤモンド（微結晶ダイヤモンド）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、グラファイト、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）、窒化アルミニウム、金、銀、銅、アルミニウム、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の少なくとも１種類を含む材料で形成されている。また、熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）の膜厚は、厚ければ厚いほど熱を逃がす能力を高く出来るので、ＥＵＶペリクルの温度上昇を抑制できるが、ＥＵＶ光量の損失が多くなってしまう。このため、熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）の膜厚については、必要な露光量に応じて、適宜設定すればよい。ここで、「熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）」とは、熱伝導率が熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）に隣接して設けられたペリクル膜０２（０２ａ、０２ｂ）または低反射層０６より高い層をいう。
　本実施形態のＥＵＶペリクルでは、図２（ｂ）と図４（ｂ）に示すように、ペリクル膜０２が熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）に挟まれた構造と、図２（ｃ）と図４（ｃ）に示すように、熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）がペリクル膜０２に挟まれた構造の両方を取り得るが、露光機内でＥＵＶマスクのクリーニングに使用されるガス（一般には水素や酸素が使われる）との反応性を考慮して、反応し難い材料を選択するのが好ましい。
（ＥＵＶペリクルの製造方法）
　本実施形態において、ＥＵＶペリクルの製造方法を限定するものではない。本実施形態に係るＥＵＶペリクルの製造方法の一つとして、例えば、電子線露光用ステンシルマスクブランクの製造工程を応用してもよい。
　また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルの他の製造方法として、例えば、ＳＯＩウェハを元に、ステンシルマスクと同様の製造工程にて、Ｓｉで形成されたメンブレン部（Ｓｉメンブレン部）１０と外枠部０１（必要に応じて梁構造部０３も）を備えた構造体を予め製造する。次いで、Ｓｉメンブレン部１０の表面に低反射層０６となる材料を形成したり、Ｓｉメンブレン部１０の両面に熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）となる材料を形成したり、あるいはその両方を形成したりする。こうして、本実施形態に係るＥＵＶペリクルを作成することが出来る。
　また、これら低反射層０６や熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）をＳＯＩウェハに直接形成してから、メンブレン部１０と外枠部０１（必要に応じて梁構造部０３も）を備えた構造体を製造することも可能である。これらの低反射層０６や熱伝導層０７（０７ａ、０７ｂ）の形成には、例えば、ＣＶＤ法（化学蒸着法）、ＰＶＤ法（物理蒸着法）、イオン注入法、拡散法、熱酸化など、様々な方法を用いることが可能である。
（本実施形態の効果）
（１）本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜０２の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２より低い低反射層０６を備えている。
　このような構成であれば、アウトオブバンド光に対して低反射性を有し、また露光中の温度上昇を防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が実現できる。
（２）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜０２の外側面及びその裏面である内側面の少なくとも一方に、熱伝導率がペリクル膜０２より高い熱伝導層０７を備えている。
　このような構成であれば、露光中の温度上昇を防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が実現できる。
（３）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ペリクル膜０２の外側面に熱伝導層０７を備え、その熱伝導層０７上に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が熱伝導層０７より低い低反射層０６を備えてもよい。
　このような構成であれば、アウトオブバンド光に対して高い低反射性を有し、また露光中の温度上昇を十分に防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が確実性を高めて実現できる。
（４）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、熱伝導層０７の外側面及びその裏面である内側面にペリクル膜０２を備え、熱伝導層０７の熱伝導率は、ペリクル膜０２よりも高い。
　このような構成であれば、露光中の温度上昇を防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が実現できる。
（５）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、熱伝導層０７の外側面に備わるペリクル膜０２上に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２より低い低反射層０６を備えてもよい。
　このような構成であれば、アウトオブバンド光に対して高い低反射性を有し、また露光中の温度上昇を十分に防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が確実性を高めて実現できる。
（６）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜（０２）は、ダイヤモンド、ナノダイヤモンド（微結晶ダイヤモンド）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、グラファイト、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）、窒化アルミニウム、金、銀、銅、アルミニウム及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されている。
　このような構成であれば、露光中の温度上昇を防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が実現できる。
（７）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ペリクル膜０２の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率がペリクル膜０２より低い低反射層０６を備えていてもよい。
　このような構成であれば、アウトオブバンド光に対して高い低反射性を有し、また露光中の温度上昇を十分に防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が確実性を高めて実現できる。
（８）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルの低反射層０６は、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されていてもよい。
　このような構成であれば、アウトオブバンド光に対して高い低反射性を有し、また露光中の温度上昇を十分に防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が確実性を高めて実現できる。
（９）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルの熱伝導層０７は、ダイヤモンド、ナノダイヤモンド（微結晶ダイヤモンド）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、グラファイト、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）、窒化アルミニウム、金、銀、銅、アルミニウム及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されていてもよい。
　このような構成であれば、露光中の温度上昇を十分に防ぐことが可能となる。このため、ＥＵＶペリクルやＥＵＶマスクの長寿命化、半導体パターンの高品質化が確実性を高めて実現できる。
（１０）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上にペリクルを設けた状態でＥＵＶマスクに最も近いペリクル膜０２の内側面における露光領域の全域は、露出していてもよい。
　このような構成であれば、従来技術に係るペリクルが備えていた梁構造部を備えていないので、従来技術に係るペリクルと比較して、梁構造部でのＥＵＶ光量損失を低減することができる。このため、従来技術に係るペリクルで発生することがあった半導体パターンの寸法均一性の低下を生じにくくすることができる。
（１１）また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶマスク上にペリクルを設けた状態でＥＵＶマスクに最も近い熱伝導層０７の内側面における露光領域の全域は、露出していてもよい。
　このような構成であれば、従来技術に係るペリクルが備えていた梁構造部を備えていないので、従来技術に係るペリクルと比較して、梁構造部でのＥＵＶ光量損失を低減することができる。このため、従来技術に係るペリクルで発生することがあった半導体パターンの寸法均一性の低下を生じにくくすることができる。
［実施例１］
　以下、ＳＯＩ基板を用いたＥＵＶペリクルの製造工程を例にとり、本発明の実施例１の詳細を示す。
　まず、直径２００ｍｍ（８インチ）のＳＯＩ基板を用意した。このＳＯＩ基板は、シリコン薄膜層、ＢＯＸ層、支持基板層をこの順に備えており、シリコン薄膜層、ＢＯＸ層、支持基板層の厚さは、それぞれ２μｍ、１μｍ、７２５μｍである。
　次に、支持基板層上にスパッタリングにより窒化クロム層を形成した。次に、パターン有効領域（即ち、露光領域に相当する領域）に形成された窒化クロム層を、フォトリソグラフィ法と塩素系ガスとを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）ドライエッチング法により除去した。
　続いて、フッ素系ガスを用いてＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）プラズマエッチング装置にて、支持基板層をエッチング処理した。なお、エッチングストッパーとなるＢＯＸ層が露出するのをエッチング面の光反射率の変化から検出した。また、あらかじめ窒化クロム層を付与した領域（パターン有効領域以外の部分）は、フッ素系ガスによってエッチングされないため、エッチングマスクとして充分に機能し、エッチング処理後も残存した。
　次に、ＢＯＸ層をフッ酸水溶液でエッチングし除去した。次に、超純水でリンスして清浄なシリコン薄膜層を露出させた。こうして、パターン有効領域がシリコン薄膜層（メンブレン）の構造体を得た。
　次に、シリコン薄膜層の表面のほぼ全領域に、ＳｉＯ２膜をスパッタリングにより膜厚２５ｎｍの低反射層を形成した。これにより、図２（ａ）に相当するＥＵＶペリクルを得た。
　実施例１に係るＥＵＶペリクルのメンブレン部について、アウトオブバンド光である波長１５０～４００ｎｍの平均反射率を測定したところ、１７％となり、低反射層を形成しなかった場合の反射率４０％と比べて、充分な低反射機能を有していることが分かった。
［実施例２］
　以下、本発明の実施例２の詳細を示す。ＳＯＩ基板を元に、パターン有効領域がシリコン薄膜層の構造体を形成するまでの工程は、実施例１と同じである。
　次に、シリコン薄膜層の両面に、マイクロ波プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、約２０ｎｍの膜厚を有するダイヤモンド薄膜を熱伝導層として形成した。これにより、図２（ｂ）に相当するＥＵＶペリクルを得た。
　実施例２に係るＥＵＶペリクルのメンブレン部の熱伝導を、レーザーフラッシュ法熱定数測定装置にて測定したところ、３３２Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１となり、熱伝導層を形成しなかった場合の熱伝導率１３４Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１と比べて、高い熱伝導性を有していることが分かった。
［実施例３］
　以下、本発明の実施例３の詳細を示す。ＳＯＩ基板を元に、パターン有効領域がシリコン薄膜層の構造体を形成するまでの工程は、実施例１と同じである。
　また、実施例２と同様の方法で熱伝導層を形成したメンブレン部を製造した後、さらに実施例１と同様の方法で熱伝導層の上層に低反射層を形成した。これにより、図２（ｅ）に相当するＥＵＶペリクルを得た。
　実施例３に係るＥＵＶペリクルのメンブレン部について、波長１５０～４００ｎｍの平均反射率を測定したところ、１２％となり、充分な低反射性を有することが分かった。また、熱伝導率を測定したところ、３０８Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１となり、高い熱伝導性を有していることが分かった。
（本実施形態に係るＥＵＶペリクルの参考例）
　以下、本実施形態に係るＥＵＶペリクルの参考例を説明する。
　半導体集積回路は、性能及び生産性を向上させるために微細化、高集積化が進んでおり、回路パターンを形成するためのリソグラフィ技術についても、より微細なパターンを高精度に形成するための技術開発が進められている。これに伴い、パターン形成に使用される露光装置の光源についても短波長化が進められ、波長１３．５ナノメートル（ｎｍ）のＥＵＶ光を用いたパターン転写のプロセスが開発されている。
　ＥＵＶ光を用いるリソグラフィでは、従来の１９３ｎｍ等の深紫外光とは異なり、あらゆる物質の屈折率が１に近い値であり、且つ吸収係数も大きいことから、屈折を用いた透過光学系を用いた露光が出来ない。そこで、屈折率差の大きい材料を交互に積層した多層膜ミラーを用いた反射光学系の露光装置が用いられている。具体的には、モリブデンとシリコンの多層膜が主に用いられる。
　マスクについても同様に基板上にモリブデンとシリコンの多層膜を形成した上にＥＵＶ光を高効率で吸収する材料で露光パターンを形成する。例えば、吸収パターンの材料としてはタンタルを主成分とするものが典型的に用いられ、多層膜の最上層にはルテニウムなどを成分とする保護膜が形成されているものも使用されている。
　従来の透過型のマスクにおいては、パターンを形成した後にペリクルを取り付けてパターン形成面に直接異物が付着するのを防止する。こうすることで、仮にマスク上に異物が付着したとしても、ペリクル表面は焦点から大きくずれているために付着した異物が解像せず欠陥にならない。
　ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来のフォトリソグラフィで使用されてきた樹脂性のペリクル膜が使用できないため、ペリクルがなくてもマスクパターン表面に異物を付着することを防止する技術が開発されてきた。
　それとともに、従来と類似した構造のＥＵＶペリクルも開発されてきた。ＥＵＶ光量の損失を最小限に抑えるために膜は非常に薄くする必要があるが、上述したようにＥＵＶ光は、あらゆる材料で吸収係数が高いことから、数μｍ以下の膜厚まで薄くしなければならない。このため、ペリクル膜だけでは機械的強度が弱く、搬送中の振動などによって、容易に破壊してしまうこともあった。
　上記の点を考慮して、例えば、金属ワイヤーで構成した網状の構造の上に薄膜を形成したものや、シリコン単結晶を研磨したものなどがＥＵＶペリクルとして開発されてきた。それらの中でも、例えば、特許文献１に開示されている、ＳＯＩ基板を用いて形成された、シリコンの梁構造部と薄膜（メンブレン）を備えたＥＵＶペリクルは、梁構造部を設けることによって、その機械的強度が保つことが出来るようになっている。これは、電子線露光用のステンシルマスクにおいて電子線を透過するパターンが形成されていないものと類似の構造であり、例えば、特許文献２に開示されているようなものである。ここで、両者の差異は、上記メンブレン構造にパターン加工が行われているか否かにあり、ペリクルはステンシルマスクにパターンを付与する前のステンシルマスクブランクと非常に類似した構造である。
　本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ＥＵＶ光を使用するリソグラフィに使用するＥＵＶマスクのパターン表面に異物が付着するのを防止するペリクルであって、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光の反射を低減できる。また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、半導体パターンの劣化を防ぐことが出来る。また、本実施形態に係るＥＵＶペリクルは、ペリクルの温度上昇を抑制することが可能となるため、ペリクル自体の劣化やその輻射熱に起因するＥＵＶマスクの劣化を防ぐことが出来る。さらに、本実施形態に係るＥＵＶペリクルのうち、梁構造部の無いタイプを用いれば、梁構造部でのＥＵＶ光量損失が無いために、従来技術に係るペリクルで発生することがあった半導体パターンの寸法均一性の低下は生じにくくなる。
０１…外枠部
０２、０２ａ、０２ｂ…ペリクル膜
０３…梁構造部
０４ａ、０４ｂ…酸化防止膜
０５…絶縁体層
０６…低反射層
０７、０７ａ、０７ｂ…熱伝導層
１０…メンブレン部
３０…ペリクルフレーム

Claims (11)

  1. 　ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が前記ペリクル膜より低い低反射層を備えたことを特徴とするペリクル。
  2. 　ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜の外側面及びその裏面である内側面の少なくとも一方に、熱伝導率が前記ペリクル膜より高い高熱伝導層を備えたことを特徴とするペリクル。
  3. 　前記ペリクル膜の前記外側面に前記高熱伝導層を備え、その高熱伝導層上に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が前記高熱伝導層より低い低反射層を備えたことを特徴とする請求項２に記載のペリクル。
  4. 　ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、高熱伝導層の外側面及びその裏面である内側面にペリクル膜をそれぞれ備え、前記高熱伝導層の熱伝導率は、前記ペリクル膜よりも高いことを特徴とするペリクル。
  5. 　前記高熱伝導層の前記外側面に備わる前記ペリクル膜上に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が前記ペリクル膜より低い低反射層を備えたことを特徴とする請求項４に記載のペリクル。
  6. 　ＥＵＶマスク上に設けるペリクルであって、ペリクル膜は、ダイヤモンド、ナノダイヤモンド（微結晶ダイヤモンド）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、グラファイト、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）、窒化アルミニウム、金、銀、銅、アルミニウム及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されていることを特徴とするペリクル。
  7. 　前記ペリクル膜の外側面に、ＥＵＶ光源に含まれるアウトオブバンド光に対する反射率が前記ペリクル膜より低い低反射層を備えたことを特徴とする請求項６に記載のペリクル。
  8. 　前記低反射層は、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されていることを特徴とする請求項１、請求項３、請求項５、請求項７のいずれか１項に記載のペリクル。
  9. 　前記高熱伝導層は、ダイヤモンド、ナノダイヤモンド（微結晶ダイヤモンド）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、グラファイト、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）、窒化アルミニウム、金、銀、銅、アルミニウム及び窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の少なくとも１種類を含んだ材料で形成されていることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載のペリクル。
  10. 　前記ＥＵＶマスク上に前記ペリクルを設けた状態で前記ＥＵＶマスクに最も近い前記ペリクル膜の内側面における露光領域の全域は、露出していることを特徴とする請求項１、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７のいずれか１項に記載のペリクル。
  11. 　前記ＥＵＶマスク上に前記ペリクルを設けた状態で前記ＥＵＶマスクに最も近い前記高熱伝導層の内側面における露光領域の全域は、露出していることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のペリクル。
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