TW201738650A - 防護膜組件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種防護膜組件，其能夠實現半導體圖案的高品質化，還有防護膜組件及遮罩的長壽命化。本實施形態涉及的EUV防護膜組件，係設於EUV遮罩上的EUV防護膜組件，在防護膜(02)的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於防護膜(02)的低反射層(06)。

Description

防護膜組件

本發明關於防護膜組件。

關於以極端紫外線區域之波長的光，即極端紫外光(Extreme Ultraviolet光；以下亦稱為「EUV光」)作為光源進行圖案轉印時所適用之安裝於反射型光罩的防護膜組件的技術而言，例如有記載於專利文獻1、專利文獻2者。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2010-256434號公報

專利文獻2：日本特開2011-211250號公報

習知技術涉及之，備有樑結構部與薄膜(以下亦稱為「膜部」)的EUV遮罩用防護膜組件(以下亦簡稱為「EUV防護膜組件」)，尤其是在樑結構部之EUV光量的損失會變大。因此，在習知技術涉及之EUV防護膜組件來說，在半導體轉印圖案會誘發光強度不均，有會使半 導體圖案的尺寸均勻性降低之課題。再者，來自樑結構部的異物亦多，而成為了課題。又，由於EUV曝光機之光源所含之頻帶外的光(EUV光以外之光之意，稱為Out of band光)碰到防護膜組件表面會反射，因此有會使半導體圖案的品質劣化之課題。又，亦有因EUV光的高能量照射而使防護膜組件溫度上升所致之劣化、該輻射熱誘發EUV遮罩表面的溫度上升而使EUV遮罩劣化(因EUV光的反射率降低及膜應力變化所致之圖案位置精密度的降低等)之課題。

本發明係解決這樣的課題，目的在於提供一種防護膜組件，其能夠實現半導體圖案的高品質化，還有防護膜組件及遮罩的長壽命化。

本發明之一態樣係一種防護膜組件，其係設於EUV遮罩上的防護膜組件，其特徵為在防護膜的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於前述防護膜的低反射層。

依據本發明之一態樣，即能夠防止異物附著至使用EUV光之微影術中使用的EUV遮罩的圖案表面，並且，能夠減少EUV光源所含之頻帶外的光的反射，而能夠防範半導體圖案的劣化。又，依據本發明之一態樣時，由於變得能夠抑制防護膜組件的溫度上升，故能夠防範防護膜組件本身的劣化及起因於該輻射熱之EUV遮罩的劣化。即，依據本發明之一態樣，即能夠實現半導 體圖案的高品質化，還有防護膜組件及遮罩的長壽命化。

01‧‧‧外框部

02、02a、02b‧‧‧防護膜

03‧‧‧樑結構部

04a、04b‧‧‧抗氧化膜

05‧‧‧絕緣體層

06‧‧‧低反射層

07、07a、07b‧‧‧導熱層

10‧‧‧膜部

30‧‧‧防護膜框架

圖1係習知技術涉及之EUV防護膜組件的結構截面圖。

圖2係本實施形態涉及之，不具有樑結構部之EUV防護膜組件的結構截面圖。

圖3係本實施形態涉及之，不具有樑結構部之EUV防護膜組件的結構截面圖。

圖4係本實施形態涉及之，具有樑結構部之EUV防護膜組件的結構截面圖。

圖5係本實施形態涉及之，具有樑結構部之EUV防護膜組件的結構截面圖。

[實施發明之形態]

首先，針對習知技術涉及之EUV防護膜組件的形態，以下使用圖進行說明。圖1係習知技術涉及之EUV防護膜組件的結構截面圖。就EUV防護膜組件的基材而言，可使用市售的SOI(Silicon On Insulator)晶圓，若與上述專利文獻2同樣地作成電子束曝光用模板遮罩基底(stencil mask blank)，即成為EUV防護膜組件的基本結構。

如圖1所示般，EUV防護膜組件備有外框部01、防護膜02與樑結構部03。又，在防護膜02的兩面(外側面與內側面)來說，分別形成有抗氧化膜04a、04b。進一步，在 外框部01的下部來說，接合有防護膜框架30。

(EUV防護膜組件的整體構成)

其次，針對本實施形態涉及的EUV防護膜組件，使用圖進行說明。再者，本實施形態並非被限定於以下記載的實施形態，亦能夠施加基於本技術領域人員知識之設計的變更等變形，施加有這般變形的實施形態亦包含於本實施形態的範圍。

又，在以下的詳細說明中，係針對本發明實施形態，就特定的細節進行記載以提供完整的理解。惟，明確可知即便沒有這般特定的細節，亦可實施一個以上的實施形態。又，為了使圖式簡潔，有以略圖顯示習知結構及裝置的狀況。又，在各圖中，對於發揮同樣或類似功能的構成要素係標記同一參照符號，並省略重複的說明。

圖2(a)~(e)、圖3(f)~(g)、圖4(a)~(e)及圖5(f)~(g)為本實施形態涉及之EUV防護膜組件的結構截面圖。

圖2(a)~(e)及圖3(f)~(g)所示之EUV防護膜組件，其任一者皆備有外框部01、膜部10與防護膜框架30。

圖2(a)所示之膜部10係防護膜02與低反射層06的2層結構。換言之，圖2(a)所示之膜部10係在防護膜02的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於防護膜02的低反射層06的結構。此處，所謂防護膜02的「外側面」係意指在EUV遮罩上設有本實施形態涉及之EUV防護膜組件的狀態下，與防護膜02的EUV遮罩側係相反側的面。又，所謂防護膜02的「內側面」係意 指在EUV遮罩上設有本實施形態涉及之EUV防護膜組件的狀態下，防護膜02之EUV遮罩側的面。

圖2(b)所示之膜部10，其防護膜02係由導熱層07a、07b所夾住的結構。換言之，圖2(b)所示之膜部10係在防護膜02的外側面及為其背面的內側面，分別備有導熱率高於防護膜02的導熱層07(07a、07b)的結構。再者，在圖2(b)來說，雖未例示，但該導熱層07a、07b，亦可不是形成在防護膜02的兩面(外側面及內側面)，而是僅形成在至少任一面。

圖2(c)所示之膜部10，其導熱層07係由防護膜02a、02b所夾住的結構。換言之，圖2(c)所示之膜部10係在導熱層07的外側面及內側面，分別備有防護膜02a、02b的結構。

圖2(d)所示之膜部10係藉由後述之導熱層07的材料而形成有防護膜。

圖2(e)所示之膜部10係在圖2(b)所示之膜部10的最表面，即在導熱層07a上，形成有對於頻帶外的光的反射率低於導熱層07a的低反射層06的結構。

圖3(f)所示之膜部10係在圖2(c)所示之膜部10的最表面，即在防護膜02a上，形成有對於頻帶外的光的反射率低於防護膜02a的低反射層06的結構。

圖3(g)所示之膜部10係在圖2(d)所示之膜部10的最表面，即在導熱層07上，形成有低反射層06的結構。

再者，亦確認到在EUV微影術中，採用具備 可解除對圖案轉印精密度招致重大問題的上述弊害(EUV光量的損失、光強度不均、異物的產生)且技術性優勢高的「不具有樑結構的膜部」的防護膜組件，藉著注意EUV遮罩搬運時的操作，可使實用上的影響少。因此，本實施形態可適用於具有/不具有樑結構的結構這兩者，以下針對具有樑結構的狀況進行說明。再者，上述所謂「不具有樑結構的結構」係指在EUV遮罩上設有本實施形態涉及的EUV防護膜組件的狀態下，最接近EUV遮罩的防護膜02或者導熱層07的內側面中的曝光區域的整個區域為露出的結構。

圖4(a)~(e)及圖5(f)~(g)所示之EUV防護膜組件，其任一者皆備有外框部01、膜部10、樑結構部03與防護膜框架30。

圖4(a)所示之膜部10係防護膜02與低反射層06的2層結構。換言之，圖4(a)所示之膜部10係在防護膜02的外側面，備有對於頻帶外的光的反射率低於防護膜02的低反射層06的結構。

圖4(b)所示之膜部10，其防護膜02係由導熱層07a、07b所夾住的結構。換言之，圖4(b)示之膜部10係在防護膜02的外側面及內側面，分別備有導熱率高於防護膜02的導熱層07(07a、07b)的結構。再者，在圖4(b)來說，雖未例示，但該導熱層07a、07b，亦可不是形成在防護膜02的兩面，而是僅形成在至少任一面。

圖4(c)所示之膜部10，其導熱層07係由防護膜02a、02b所夾住的結構。換言之，圖4(c)所示之膜部 10係在導熱層07的外側面及內側面，分別備有防護膜02a、02b的結構。

圖4(d)所示之膜部10係藉由後述之導熱層07的材料而形成有防護膜。

圖4(e)所示之膜部10係在圖4(b)所示之膜部10的最表面，即在導熱層07a上，形成有對於頻帶外的光的反射率低於導熱層07a的低反射層06的結構。

圖5(f)所示之膜部10係在圖4(c)所示之膜部10的最表面，即在防護膜02a上，形成有對於頻帶外的光的反射率低於防護膜02a的低反射層06的結構。

圖5(g)所示之膜部10係在圖4(d)所示之膜部10的最表面，即在導熱層07上，形成有低反射層06的結構。

如至此所說明的，本實施形態涉及的EUV防護膜組件，特徵在於具有習知技術涉及的EUV防護膜組件所未有之低反射層06及導熱層07(07a、07b)的至少一者。

此外，本實施形態涉及的EUV防護膜組件，不特別限定防護膜02(02a、02b)的材料等。

本實施形態涉及之EUV防護膜組件的低反射層06，對於EUV光源所含的頻帶外的光(波長150~400nm)，須具有低反射性。因此，低反射層06係以例如包含Si、Cr、Al、Zr及該等的氧化物、氮化物、氮氧化物的至少1種類的材料形成。又，低反射層06的膜厚較佳為10nm以上200nm以下的範圍內。此處，所謂「低反射 層06」係指對於頻帶外的光的反射率低於鄰接於低反射層06而設的防護膜02(02a、02b)或導熱層07(07a、07b)的層。

本實施形態涉及之EUV防護膜組件的導熱層07(07a、07b)，須以導熱率高的材料(大概100W‧m^-1‧K^-1)以上)形成。因此，導熱層07(07a、07b)係以例如包含鑽石、奈米鑽石(微晶鑽石)、DLC(類鑽碳)、石墨、CNT(奈米碳管)、氮化鋁、金、銀、銅、鋁、氮化矽(Si₃N₄)之至少1種類的材料形成。又，導熱層07(07a、07b)的膜厚越厚越能提高使熱逸散的能力，因而能夠抑制EUV防護膜組件的溫度上升，但EUV光量的損失會變多。因此，就導熱層07(07a、07b)的膜厚來說，係只要因應需要的曝光量來適宜設定即可。此處，所謂「導熱層07(07a、07b)」係指導熱率高於鄰接於導熱層07(07a、07b)而設的防護膜02(02a、02b)或低反射層06的層。

在本實施形態之EUV防護膜組件來說，可採如圖2(b)與圖4(b)所示般防護膜02被導熱層07(07a、07b)夾住的結構、與如圖2(c)與圖4(c)所示般導熱層07(07a、07b)被防護膜02夾住的結構這兩者，但考慮與在曝光機內EUV遮罩之清潔所使用的氣體(一般來說使用氫或氧)的反應性，較佳係選擇難反應的材料。

(EUV防護膜組件的製造方法)

在本實施形態中，不限定EUV防護膜組件的製造方法。作為本實施形態涉及之EUV防護膜組件的製造方法之一，例如，亦可應用電子束曝光用模板遮罩基底的製 造步驟。

又，作為本實施形態涉及之EUV防護膜組件的其他製造方法，例如，以SOI晶圓為基礎，以與模板遮罩同樣的製造步驟，預先製造備有以Si所形成的膜部(Si膜部)10與外框部01(因應需要亦備有樑結構部03)的結構體。接著，或在Si膜部10的表面形成成為低反射層06的材料，或在Si膜部10的兩面形成成為導熱層07(07a、07b)的材料，或者形成該兩者。如此進行，即能夠作成本實施形態涉及的EUV防護膜組件。

又，亦能夠將該等低反射層06及導熱層07(07a、07b)直接形成至SOI晶圓後再製造備有膜部10與外框部01(因應需要亦備有樑結構部03)的結構體。在該等低反射層06及導熱層07(07a、07b)的形成來說，例如，能夠使用CVD法(化學蒸鍍法)、PVD法(物理蒸鍍法)、離子注入法、擴散法、熱氧化等各種各樣的方法。

(本實施形態的效果)

(1)本實施形態涉及之EUV防護膜組件，係設於EUV遮罩上的防護膜組件，在防護膜02的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於防護膜02的低反射層06。

依據這般的構成，即變得能夠對於頻帶外的光具有低反射性，還有能夠防範曝光中的溫度上升。因此，能夠實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(2)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件， 係設於EUV遮罩上的防護膜組件，在防護膜02的外側面及為其背面之內側面的至少一者，備有導熱率高於防護膜02的導熱層07。

依據這般的構成，即變得能夠防範曝光中的溫度上升。因此，能夠實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(3)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，亦可在防護膜02的外側面備有導熱層07，在該導熱層07上，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於導熱層07的低反射層06。

依據這般的構成，即變得能夠對於頻帶外的光具有強的低反射性，還有能夠充分地防範曝光中的溫度上升。因此，能夠確實提高並實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(4)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，係設於EUV遮罩上的防護膜組件，在導熱層07的外側面及為其背面的內側面備有防護膜02，且導熱層07的導熱率高於防護膜02。

依據這般的構成，即變得能夠防範曝光中的溫度上升。因此，能夠實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(5)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，亦可於在導熱層07的外側面具備的防護膜02上，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於防護膜02的低反射層06。

依據這般的構成，即變得能夠對於頻帶外的光具有強的低反射性，還有能夠充分地防範曝光中的溫度上升。因此，能夠確實提高並實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(6)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，係設於EUV遮罩上的防護膜組件，且防護膜(02)係以包含：鑽石、奈米鑽石(微晶鑽石)、DLC(類鑽碳)、石墨、CNT(奈米碳管)、氮化鋁、金、銀、銅、鋁及氮化矽(Si₃N₄)的至少1種類的材料所形成。

依據這般的構成，即變得能夠防範曝光中的溫度上升。因此，能夠實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(7)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，亦可在防護膜02的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於防護膜02的低反射層06。

依據這般的構成，即變得能夠對於頻帶外的光具有強的低反射性，還有能夠充分地防範曝光中的溫度上升。因此，能夠確實提高並實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(8)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件的低反射層06，亦可係以包含：Si、Cr、Al、Zr及該等的氧化物、氮化物、氮氧化物的至少1種類的材料所形成。

依據這般的構成，即變得能夠對於頻帶外的光具有強的低反射性，還有能夠充分地防範曝光中的溫度上升。因此，能夠確實提高並實現EUV防護膜組件及EUV遮 罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(9)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件的導熱層07，亦可係以包含：鑽石、奈米鑽石(微晶鑽石)、DLC(類鑽碳)、石墨、CNT(奈米碳管)、氮化鋁、金、銀、銅、鋁及氮化矽(Si₃N₄)的至少1種類的材料所形成。

依據這般的構成，即變得能夠充分地防範曝光中的溫度上升。因此，能夠確實提高並實現EUV防護膜組件及EUV遮罩的長壽命化、半導體圖案的高品質化。

(10)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，亦可係於已在EUV遮罩上設防護膜組件的狀態下，在最接近EUV遮罩的防護膜02內側面中的曝光區域的整個區域露出。

依據這般的構成，由於不具備習知技術涉及的防護膜組件備有的樑結構部，因而與習知技術涉及的防護膜組件相比較，能夠減少在樑結構部的EUV光量損失。因此，可使曾在習知技術涉及的防護膜組件產生的半導體圖案尺寸均勻性的降低不易發生。

(11)又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，亦可於已在EUV遮罩上設防護膜組件的狀態下，在最接近EUV遮罩的導熱層07的內側面中的曝光區域的整個區域露出。

依據這般的構成，由於不具備習知技術涉及的防護膜組件備有的樑結構部，因而與習知技術涉及的防護膜組件相比較，能夠減少在樑結構部的EUV光量損失。因此，可使曾在習知技術涉及的防護膜組件產生的半導體 圖案尺寸均勻性的降低不易發生。

[實施例1]

以下，以使用有SOI基板之EUV防護膜組件的製造步驟為例，顯示本發明實施例1的詳情。

首先，準備了直徑200mm(8吋)的SOI基板。該SOI基板，按此順序備有：矽薄膜層、BOX層、支持基板層，且矽薄膜層、BOX層、支持基板層的厚度分別為2μm、1μm、725μm。

其次，在支持基板層上藉由濺鍍形成了氮化鉻層。其次，將已形成在圖案有效區域(即，相當於曝光區域的區域)的氮化鉻層，藉由光微影法與使用有氯系氣體的RIE(Reactive Ion Etching)乾蝕刻法而除去。

接著，使用氟系氣體來以ICP(Inductively Coupled Plasma)電漿蝕刻裝置，將支持基板層進行了蝕刻處理。再者，從蝕刻面的光反射率的變化檢測了成為蝕刻停止層的BOX層露出。又，預先賦予有氮化鉻層的區域(圖案有效區域以外的部分)，由於未藉由氟系氣體被蝕刻，故會作為蝕刻遮罩充分地發揮作用，蝕刻處理後亦殘存。

其次，以氫氟酸水溶液來將BOX層予以蝕刻去除。其次，以用超純水沖洗使潔淨的矽薄膜層露出。如此，便獲得了圖案有效區域為矽薄膜層(膜)的結構體。

其次，在矽薄膜層表面大致全部區域，藉由濺鍍將SiO₂膜形成了膜厚25nm的低反射層。藉此，獲得了相當於圖2(a)的EUV防護膜組件。

針對實施例1涉及之EUV防護膜組件的膜部，測定了為頻帶外的光之波長150~400nm的平均反射率時，係17%，與未形成有低反射層之狀況的反射率40%相比，了解到具有充分的低反射功能。

[實施例2]

以下，顯示本發明實施例2的詳情。以SOI基板為基礎，形成圖案有效區域為矽薄膜層的結構體為止的步驟，係與實施例1相同。

其次，在矽薄膜層的兩面，藉由微波電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)，形成了具有約20nm膜厚的鑽石薄膜作為導熱層。藉此，獲得了相當於圖2(b)的EUV防護膜組件。

以雷射閃光法熱常數測定裝置來測定了實施例2涉及之EUV防護膜組件之膜部的導熱時，係332W‧m^-1‧K^-1，與未形成導熱層時的導熱率134W‧m^-1‧K^-1相比，了解到具有高的導熱性。

[實施例3]

以下，顯示本發明實施例3的詳情。以SOI基板為基礎，形成圖案有效區域為矽薄膜層的結構體為止的步驟，係與實施例1相同。

又，以與實施例2同樣的方法製造了形成有導熱層的膜部之後，進一步以與實施例1同樣的方法來在導熱層的上層形成了低反射層。藉此，獲得了相當於圖2(e)的EUV防護膜組件。

針對實施例3涉及之EUV防護膜組件的膜部，測定了 波長150~400nm的平均反射率時，係12%，了解到具有充分的低反射性。又，測定了導熱率時，係308W‧m^-1‧K^-1，了解到具有高的導熱性。

(本實施形態涉及之EUV防護膜組件的參考例)

以下，說明本實施形態涉及之EUV防護膜組件的參考例。

為了使性能及及生產率提升，半導體積體電路正進展著微細化、高積體化，而用以形成電路圖案的微影術技術，也正進展著用以高精密度地形成更微細的圖案的技術開發。隨之，使用於圖案形成之曝光裝置的光源亦正進展著短波長化，而開發有使用波長13.5奈米(nm)之EUV光的圖案轉印的製程。

就使用EUV光的微影術來說，其與習知的193nm等深紫外光不同，所有物質的折射率為接近1的值，且吸收係數亦大，因此無法進行使用用有折射之透射光學系的曝光。於是，係使用用有交互地積層有折射率差大的材料而得的多層膜鏡的反射光學系的曝光裝置。具體而言，主要使用鉬與矽的多層膜。

針對遮罩亦係同樣地，先在基板上形成了鉬與矽的多層膜後，利用以高效率吸收EUV光的材料來形成曝光圖案。例如，就吸收圖案的材料而言，典型地使用以鉭作為主成分者，在多層膜的最上層來說，亦可使用形成有以釕等作為成分的保護膜者。

在習知之透射型遮罩來說，在形成了圖案之 後，安裝防護膜組件來防止異物直接附著至圖案形成面。藉此，由於防護膜組件表面大大地自焦點偏離了的緣故，即使異物附著到了遮罩上，附著的異物也不解像而不會成為缺陷。

在EUV微影術來說，由於無法使用在習知的光微影一直使用的樹脂性防護膜，因此開發有：即便無防護膜組件亦能防止將異物附著至遮罩圖案表面的技術。

與此同時，亦開發有與習知類似之結構的EUV防護膜組件。為了將EUV光量的損失抑制為最小限度，膜需要作得非常地薄，如上述般，因EUV光在所有材料吸收係數高，不得不作成薄至數μm以下的膜厚。因此，僅有防護膜則機械強度弱，有時亦會因搬運中的振動等而容易破損。

考慮上述之點，而開發有例如：在以金屬線構成之網狀的結構上形成有薄膜者、或研磨了矽單晶而得者等作為EUV防護膜組件。該等之中，例如，於專利文獻1所揭示之，使用SOI基板所形成之備有矽的樑結構部與薄膜(膜)的EUV防護膜組件，其係藉著設樑結構部，而變得能夠保持其機械強度。此係與在電子束曝光用的模板遮罩中未形成透射電子束的圖案者類似的結構，例如，於專利文獻2所揭示般者。此處，兩者的差異在於是否有在上述膜結構進行圖案加工，至於防護膜組件係與對模板遮罩賦予圖案之前的模板遮罩基底非常類似的結構。

[產業上之可利用性]

本實施形態涉及之EUV防護膜組件，係防止異物附著至使用EUV光之微影術中使用的EUV遮罩的圖案表面的防護膜組件，能夠減少EUV光源所含之頻帶外的光的反射。又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，能夠防範半導體圖案的劣化。又，本實施形態涉及之EUV防護膜組件，由於變得能夠抑制防護膜組件的溫度上升，而能夠防範防護膜組件本身的劣化及起因於該輻射熱的EUV遮罩的劣化。進一步，若使用本實施形態涉及之EUV防護膜組件之中，無樑結構部類型時，因沒有在樑結構部的EUV光量損失，故在習知技術涉及的防護膜組件曾產生的半導體圖案尺寸均勻性的降低，會變得不易發生。

01‧‧‧外框部

02、02a、02b‧‧‧防護膜

06‧‧‧低反射層

07、07a、07b‧‧‧導熱層

10‧‧‧膜部

30‧‧‧防護膜框架

Claims (11)

1. 一種防護膜組件，其係設於EUV遮罩上的防護膜組件，其特徵為在防護膜的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於前述防護膜的低反射層。
2. 一種防護膜組件，其係設於EUV遮罩上的防護膜組件，其特徵為在防護膜的外側面及為其背面的內側面的至少一者，備有導熱率高於前述防護膜的高導熱層。
3. 如請求項2之防護膜組件，其中在前述防護膜的前述外側面備有前述高導熱層，在該高導熱層上，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於前述高導熱層的低反射層。
4. 一種防護膜組件，其係設於EUV遮罩上的防護膜組件，其特徵為在高導熱層的外側面及為其背面的內側面分別備有防護膜，且前述高導熱層的導熱率高於前述防護膜。
5. 如請求項4之防護膜組件，其中在前述高導熱層的前述外側面具備的前述防護膜上，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於前述防護膜的低反射層。
6. 一種防護膜組件，其係設於EUV遮罩上的防護膜組件，其特徵為防護膜係以包含：鑽石、奈米鑽石(微晶鑽石)、DLC(類鑽碳)、石墨、CNT(奈米碳管)、氮化鋁、金、銀、銅、鋁及氮化矽(Si₃N₄)的至少1種類的材料所形成。
7. 如請求項6之防護膜組件，其中在前述防護膜的外側面，備有對於EUV光源所含之頻帶外的光的反射率低於 前述防護膜的低反射層。
8. 如請求項1、請求項3、請求項5、請求項7中任1項之防護膜組件，其中前述低反射層係以包含：Si、Cr、Al、Zr及該等的氧化物、氮化物、氮氧化物的至少1種類的材料所形成。
9. 如請求項2至請求項5中任1項之防護膜組件，其中前述高導熱層係以包含：鑽石、奈米鑽石(微晶鑽石)、DLC(類鑽碳)、石墨、CNT(奈米碳管)、氮化鋁、金、銀、銅、鋁及氮化矽(Si₃N₄)的至少1種類的材料所形成。
10. 如請求項1、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7中任1項之防護膜組件，其中以在前述EUV遮罩上設有前述防護膜組件的狀態下，在最接近前述EUV遮罩之前述防護膜的內側面中的曝光區域的整個區域露出。
11. 如請求項2或請求項3之防護膜組件，其中以在前述EUV遮罩上設有前述防護膜組件的狀態下，在最接近前述EUV遮罩之前述高導熱層的內側面中的曝光區域的整個區域露出。