TWI693466B - 防塵薄膜、防塵薄膜的製造方法及使用防塵薄膜的曝光方法 - Google Patents

防塵薄膜、防塵薄膜的製造方法及使用防塵薄膜的曝光方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法及曝光方法。本發明的防塵薄膜具備：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，支持所述第1框體；貫穿孔，貫穿所述第1框體；以及過濾網，在所述第1框體的配置有所述防塵薄膜用膜的面側覆蓋所述貫穿孔。所述貫穿孔亦可貫穿所述防塵薄膜用膜，所述過濾網亦可配置於所述防塵薄膜用膜上。而且，所述過濾網亦可鄰接於所述防塵薄膜用膜而配置於所述第1框體上。

Description

防塵薄膜、防塵薄膜的製造方法及使用防塵薄膜的曝光方法
本發明是有關於一種在光微影(photolithography)步驟中所用的防塵薄膜(pellicle)、該防塵薄膜的製造方法及曝光方法。尤其，本發明是有關於一種極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影用的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法及使用該防塵薄膜的曝光方法。
光微影步驟中，為了防止塵埃等附著於遮罩(mask)或網線(reticle)上，使用有在包圍遮罩圖案(mask pattern)的大小的框的一端張設有防塵薄膜用膜的防塵薄膜。在將此種防塵薄膜安裝於遮罩上的狀態下，防塵薄膜內部的氣密性極高，有時會因氣壓變化或溫度變化而導致薄薄的防塵薄膜用膜處於鬆弛或鼓起的狀態。在防塵薄膜用膜如此般失去平滑性的情況下，不僅會使防塵薄膜用膜的光學特性發生變化，而且在凹凸程度劇烈的情況下，防塵薄膜用膜有時會接觸至遮罩，或者碰到收納防塵薄膜的殼體(case)的蓋，而導致防塵薄膜用膜受到損傷。
作為解決此種問題的方法，例如在專利文獻1中揭示有一種防塵薄膜，其在防塵薄膜框上形成有至少一個通氣孔，並在通氣孔內，以不會脫落至由框構件、遮罩基板及防塵薄膜用膜所 圍成的空間內的方式，而設置有阻止塵埃等通過的過濾網(filter)構件。在專利文獻2中揭示有一種防塵薄膜，其在防塵薄膜框側面的至少一部分設置有開口部，且將其內面設為黏接狀。而且，在專利文獻3中揭示有一種防塵薄膜，其在框內部設置有空洞，以捕捉通過氣體(gas)中的異物。
另一方面，在設置有過濾網的防塵薄膜中，為了確實地捕捉微小的塵埃等，必須使過濾網的篩眼較細，因此存在過濾網的氣體穿透速度慢，直至壓力差得到緩和為止需要耗費時間的問題。為了解決此問題，在專利文獻4中揭示有一種防塵薄膜，其將防塵薄膜框分割為內側構件與外側構件，使內側構件由耐光性優異的自然發色陽極氧化鋁或陶瓷(ceramic)構成，使外側構件由耐力大的鋁合金7075-T6構成，在防塵薄膜框的內部，設置具有三處彎曲部的2個通氣孔，在通氣孔的內表面設置有用於吸附灰塵(dust)的黏接層。
此外，微影的波長正推進短波長化，作為次世代的微影技術，正推進EUV微影的開發。EUV光是指軟X射線區域或真空紫外線區域的波長的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光線。在光微影中，圖案的解析極限為曝光波長的1/2左右，即便使用液浸法亦不過是曝光波長的1/4左右，即便使用ArF雷射(波長：193nm)的液浸法，預想該曝光波長的極限為45nm左右。因此，EUV微影作為可從先前的微影實現大幅的微細化的革新的技術而受到期待。
另一方面，EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此，EUV微影中，必須將曝光裝置內設為真空來進行曝光。而且，相對於所有物質，EUV光的折射率接近1，因此無法如先前的使用可見光或紫外光的光微影般使用折射光學系統，該折射光學系統使用透鏡(lens)與透射型光罩(photo mask)。因此，EUV微影中，必須利用使用反射型光罩與鏡(mirror)的反射光學系統來進行曝光。反射型光罩例如專利文獻5所揭示般，具有下述結構，即，在基板上具有將Mo層與Si層交替地多次積層而成的多層反射膜，且在反射層上形成有吸收EUV光的吸收層。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利實公昭63-39703號公報
專利文獻2：日本專利特開平5-113658號公報
專利文獻3：日本專利特開平5-107747號公報
專利文獻4：日本專利特開2003-107678號公報
專利文獻5：日本專利特開2014-160752號公報
如上所述，EUV微影不同於先前的微影，是在真空下進行曝光，因此認為無須對光罩安裝防塵薄膜。然而，已明確的是，由於是先前所沒有的微細製程(process)，因此必須對光罩安裝防塵薄膜。然而，EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此配置 於防塵薄膜中的防塵薄膜用膜亦必須是先前所沒有的奈米級(nano-meter order)的膜。
而且，由於當初認為無須對光罩安裝防塵薄膜，因此在當前開發的EUV曝光裝置中，用於對光罩安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度。然而，要在曝光裝置內確保用於安裝具有5mm以上高度的先前的防塵薄膜的空間，則必須對光學系統進行設計變更，將會耽擱EUV微影的開發。
由於是在真空下進行曝光，因此假定防塵薄膜用膜發生鬆弛或鼓起，但由於防塵薄膜的設置空間受到大幅限制，因此要防止奈米級的防塵薄膜用膜的損傷，必須確保經由防塵薄膜的框體上配置的通氣孔來進行充分的通氣。必須在通氣孔中配置過濾網，但由於防塵薄膜的設置空間受到大幅限制，因此框體所允許的高度亦受到大幅限制，因此過濾網在框體中的配置亦要求先前所沒有的設計。
本發明的目的在於解決所述問題，提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法及曝光方法。
而且，極紫外光微影用的防塵薄膜是將非常薄的防塵薄膜用膜貼附於框體上，因此在貼附於光罩時，若如先前般從框體之上用力進行貼附，則防塵薄膜用膜有可能發生破損。因此，極紫外光微影用的防塵薄膜必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式貼附至光罩。此處所說的非接觸是指不從框體之上施加強力，強力的目標是先前的光罩貼附時所承載的1kgf左右以上。本 發明除了所述課題以外，還提供一種能以非接觸方式貼附至光罩的極紫外光微影用的防塵薄膜及該防塵薄膜的製造方法。
根據本發明的一實施形態，提供一種防塵薄膜，其包括：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，支持所述第1框體；貫穿孔，貫穿所述第1框體；以及過濾網，在所述第1框體的配置有所述防塵薄膜用膜的面側覆蓋所述貫穿孔。
在所述防塵薄膜中，所述貫穿孔亦可貫穿所述防塵薄膜用膜，所述過濾網亦可配置在所述防塵薄膜用膜上。
在所述防塵薄膜中，所述過濾網亦可鄰接於所述防塵薄膜用膜而配置於所述第1框體上。
在所述防塵薄膜中，所述過濾網亦可以所述過濾網的上表面與所述防塵薄膜用膜成為同一面的方式來配置於所述第1框體上。
在所述防塵薄膜中，所述第1框體亦可在與所述第2框體相向的面上，具有連接於所述貫穿孔的槽部，所述槽部藉由與所述第2框體的結合而形成連接於所述貫穿孔的孔，所述孔在所述第1框體的內側的面上具有開口。
在所述防塵薄膜中，所述第2框體亦可具有配置在與所述第1框體相向的面上的第1開口、及配置在所述第2框體的內側的面上的第2開口，2個所述開口利用配置在所述第2框體內部的孔而連接，所述第1開口連接於所述貫穿孔。
在所述防塵薄膜中，所述第2框體亦可在與所述第1框體相向的面上，具有連接於所述貫穿孔的槽部，所述槽部藉由與所述第1框體的結合而形成連接於所述貫穿孔的孔，所述孔在所述第2框體的內側的面上具有開口。
在所述防塵薄膜中，所述防塵薄膜用膜亦可對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率，膜厚為20nm以上且50nm以下。
在所述防塵薄膜中，高度亦可為2mm以下。
而且，根據本發明的一實施形態，提供一種防塵薄膜的製造方法，其是在基板上形成防塵薄膜用膜，去除規定位置的所述防塵薄膜用膜以使所述基板露出，去除所述基板的一部分，使所述防塵薄膜用膜露出而形成第1框體，並在所述規定位置形成貫穿所述第1框體的貫穿孔，在所述第1框體的配置有所述防塵薄膜用膜的面側，配置覆蓋所述貫穿孔的過濾網，以所述第1框體側的所述貫穿孔開口的方式，將所述第1框體經由黏著層而固定於第2框體。
在所述防塵薄膜的製造方法中，所述貫穿孔亦可為在所述規定位置貫穿所述防塵薄膜用膜而形成，在所述防塵薄膜用膜上，配置覆蓋所述貫穿孔的過濾網。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可鄰接於所述防塵薄膜用膜而在所述第1框體上配置所述過濾網。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可以所述過濾網的上 表面與所述防塵薄膜用膜成為同一面的方式，而在所述第1框體上配置所述過濾網。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可在所述第1框體的與所述第2框體相向的面上，形成連接於所述貫穿孔的槽部，經由黏著層而將所述第1框體固定於第2框體，並形成孔，所述孔連接於所述貫穿孔且在所述第1框體的內側的面上具有開口。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可在所述第2框體的與所述第1框體相向的面上形成第1開口，在所述第2框體的內側的面上形成第2開口，在所述第2框體的內部形成連接2個所述開口的孔，將所述第1開口連接於所述貫穿孔。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可在所述第2框體的與所述第1框體相向的面上，形成連接於所述貫穿孔的槽部，經由黏著層而將所述第1框體固定於第2框體，並形成孔，所述孔連接於所述貫穿孔且在所述第2框體的內側的面上具有開口。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可在所述基板上形成膜厚為20nm以上且50nm以下的所述防塵薄膜用膜，所述防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可將高度設為2mm以下。
一種曝光方法，其是將所述任一防塵薄膜配置於光罩的網線面，將所述光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從所述網線 面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容所述防塵薄膜，在真空下，對配置有所述防塵薄膜的所述光罩照射5nm以上且30nm以下波長的光，將從配置有所述防塵薄膜的所述光罩的所述網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材。
根據本發明，提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法及曝光方法。而且，本發明可提供一種能以非接觸方式貼附至光罩的極紫外光微影用的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1800、1900:防塵薄膜
101、201、301、401、501、601、701、801、901、1001、1101、1801、1901:防塵薄膜用膜
105、205、305、405、505、605、705、805:基板
111、211、311、411、511、611、711、811、911、1011、1111、1811、1911:第1框體
113、213、313、413、513、613、713、813、913、1013、1113、1813、1913:第2框體
121、221、321、421、521、621、721、821、921、1021、1114A、1114B、1116A、1116B、1121、1821、1921:貫穿孔
131、231、331、431、531、631、731、831、931、1031、1131、1831、1931:過濾網
133:上膠部
135:通氣部
137、141、143、241、243、341、343、441、443、541、543、641、643、741、743、841、843、941、943、1041、1043、1141、1143、1841、1843、1941、1943:黏著層
151、251、351、451、551、651、751、851、951、1051、1151、1851、1951:護襯
223、323、423、523、627、727、823、923、927、1023:孔
225、325、445、525、825、1025:槽部
623、723:第1開口
625、725、925:第2開口
1114、1116:槽
1890、1990:間隙
5000:防塵薄膜製造裝置
5100、6100、7100:真空腔室
5110、6110、7110:供給管
5120A、5120B、6120A、6120B、7120A、7120B、7220A、7220B:排出管
5200:載置台
6000、7000:光罩製造裝置
6500、7500:光罩
C1、C2:切槽
圖1是一實施形態的防塵薄膜100的示意圖(立體圖)。
圖2(a)、圖2(b)是一實施形態的防塵薄膜100在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖3(a)~圖3(d)是表示一實施形態的防塵薄膜100的製造步驟的圖。
圖4(a)~圖4(c)是表示一實施形態的防塵薄膜100的製造步驟的圖。
圖5是一實施形態的防塵薄膜200在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖6(a)~圖6(d)是表示一實施形態的防塵薄膜200的製造步驟的圖。
圖7(a)~圖7(c)是表示一實施形態的防塵薄膜200的製造步驟的圖。
圖8是一實施形態的防塵薄膜300在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖9(a)~圖9(d)是表示一實施形態的防塵薄膜300的製造步驟的示意圖。
圖10是一實施形態的防塵薄膜400在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖11(a)~圖11(d)是表示一實施形態的防塵薄膜400的製造步驟的示意圖。
圖12(a)~圖12(c)是表示一實施形態的防塵薄膜400的製造步驟的示意圖。
圖13是一實施形態的防塵薄膜500在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖14(a)~圖14(d)是表示一實施形態的防塵薄膜500的製造步驟的示意圖。
圖15是一實施形態的防塵薄膜600在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖16(a)~圖16(d)是表示一實施形態的防塵薄膜600的製造步驟的示意圖。
圖17是一實施形態的防塵薄膜700在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖18(a)~圖18(d)是表示一實施形態的防塵薄膜700的製造步驟的示意圖。
圖19(a)~圖19(d)是表示一實施形態的防塵薄膜700的製造步驟的示意圖。
圖20是一實施形態的防塵薄膜800在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖21是一實施形態的防塵薄膜900在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖22是一實施形態的防塵薄膜1000在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖23是一實施形態的防塵薄膜1100中所用的第2框體1113的示意圖。
圖24是概念性地表示一實施形態的防塵薄膜製造裝置5000的剖面圖。
圖25是概念性地表示一實施形態的光罩製造裝置6000的剖面圖。
圖26(a)、圖26(b)是概念性地表示一實施形態的光罩製造裝置7000的剖面圖。
圖27(a)、圖27(b)是表示實施形態的研究例的圖，圖27(a)是防塵薄膜1800的剖面圖，圖27(b)是防塵薄膜1900的剖面圖。
本說明書中，所謂EUV光，是指波長5nm以上且30nm以下的光。EUV光的波長較佳為5nm~13.5nm左右，進而較佳為13.5nm±0.3nm。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此在本發明中，防塵薄膜用膜必須為奈米級的膜。本發明的防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下波長的光具有90.0%以上的透射率。本發明的防塵薄膜用膜較佳為相對於5nm~13.5nm左右波長的光而具有90.0%以上的透射率，進而較佳為相對於13.5nm±0.3nm波長的光具有90.0%以上的透射率。為了獲得此種透射率，本發明的防塵薄膜用膜為10nm以上且100nm以下的膜厚，進而較佳為10nm以上且50nm以下。
防塵薄膜用膜的EUV透射率T是由以下的式(1)來定義。
Figure 104130869-A0305-02-0013-1
式(1)中，I表示透射光強度，I0表示入射光強度。對於透射光強度I及入射光強度I0、防塵薄膜用膜的厚度d、密度ρ及防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ，由以下的式(2)表示的關係成立。
[數2] I=I 0 exp(-μρd)．．．(2)
式(2)中的密度ρ為構成防塵薄膜用膜的物質固有的密度。而且，所述式(2)中的質量吸收係數μ是以下述方式求出。當光子的能量大致大於30eV，且光子的能量充分遠離原子的吸收端時，質量吸收係數μ並不依存於原子彼此的結合狀態等。波長13.5nm的光子能量為92.5eV附近，亦充分遠離原子的吸收端。因而，所述質量吸收係數μ並不依存於構成防塵薄膜用膜的化合物的原子彼此的結合狀態。因此，防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ可根據構成防塵薄膜用膜的各元素(1、2、...、i)的質量吸收係數μ1與各元素的質量分率Wi，由以下的式(3)來求出。
[數3]μ=μ1W1+μ2W2+...μiWi…(3)
所述Wi是以Wi=niAi/ΣniAi求出的值。Ai為各元素i的原子量，ni為各元素i的數量。
所述式(3)中的各元素的質量吸收係數μi可適用由Henke等人總結的以下的參考文獻的值。(B.L.亨克、E.M.古力克森和J.C.戴維斯、“X射線交互作用：E=50-30,000eV、Z=1-92時的光吸收、散射、透射和反射”原子資料核資料表54,181(1993)(B.L.Henke、E.M.Gullikson、and J.C.Davis、“X-Ray Interactions：Photoabsorption、Scattering、Transmission、and Reflection at E=50-30,000 eV、Z=1-92、”At.Data Nucl.Data Tables 54、181(1993))該些數值的最新版刊載於http：//wwwcxro.lbl.gov/optical_constants/)
只要可確定防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ、防塵薄膜用膜的密度ρ及防塵薄膜用膜的厚度d，便可基於式(1)及式(2)而算出防塵薄膜用膜對波長13.5nm的光的透射率。另外，所述透射率亦可利用勞倫斯柏克來(Lawrence Berkeley)國立研究所的X射線光學中心的光學常數網站(website)來計算。
為了加厚膜厚且提高透射率，較為理想的是使用吸收係數低的材質來作為所述防塵薄膜用膜的材質。具體而言，在將氫的質量吸收係數μi相對地表示為1時，較為理想的是使用包含100以下的元素的材質。尤其理想的是使用H、Be、B、C、N、O、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru等元素。
作為構成防塵薄膜用膜的具體化合物，可列舉氟系聚合物(polymer)、聚烯烴(polyolefine)、聚醯亞胺(polyimide)等高分子化合物；釕(ruthenium)、鎳(nickel)、鋯石(zirconium)、鈦(titanium)、鉬(molybdenum)、鈮(niobium)等金屬；結晶矽(例如單晶矽、多晶矽等)、非晶矽(amorphous silicon)、類鑽碳(Diamond LikeCarbon，DLC)、石墨(graphite)、非晶碳(amorphous carbon)、石墨烯(graphene)、碳化矽、氮化矽等。
而且，防塵薄膜用膜亦可包含抗氧化膜或散熱膜。抗氧化膜可為包含SiOx(x≦2)、SixNy(x/y為0.7~1.5)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru或Rh的膜等。
散熱膜較佳為包含熱輻射率高的材料或導熱性高的材料的膜。具體而言，可為包含與抗氧化膜同樣的材料的膜或者包含Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯的膜等。抗氧化膜及散熱膜既可形成於防塵薄膜用膜的其中一個面上，亦可形成於兩面。防塵薄膜用膜既可單獨包含一種所述元素及化合物，亦可包含兩種以上的所述元素及化合物。
在先前的ArF微影用的防塵薄膜中，使用包含鋁或陶瓷(ceramics)等的框體，經由黏著層而將防塵薄膜用膜黏著於框體。然而，EUV微影用的本發明的防塵薄膜用膜為20nm以上且50nm以下的非常薄的膜厚，因此難以藉由黏著而固定至框體。因作，使用半導體製造製程，例如藉由蒸鍍而在基板上形成防塵薄膜用膜，並將基板背面蝕刻(back etching)成框形狀，藉此使防塵薄膜用膜露出，從而可獲得配置有防塵薄膜用膜的框體。作為本發明的基板，例如可使用矽基板、藍寶石(sapphire)基板、碳化矽基板等。但並不限定於該些基板，作為基板，較佳為矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板，進而較佳為矽基板。
如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜的破損，防塵薄膜的高度較佳為2mm以下。當利用如上所述的方法來形成非常薄的防塵薄 膜用膜時，難以在框體的側面形成貫穿孔來作為通氣口。因此，考慮下述方法，即，獨立地形成配置有防塵薄膜用膜的第1框體與在側面形成有貫穿孔的第2框體，並經由黏著層予以黏著。考慮到防塵薄膜用膜的形成及處理(handling)的觀點，第1框體較佳為將厚度設為1mm以下，但難以設為100μm以下。而且，由於具備第1框體與第2框體的黏著層、以及防塵薄膜與遮罩的黏著層，因此配置貫穿孔的第2框體所允許的高度為1mm~1.5mm。然而，當為了防塵而以過濾網來覆蓋貫穿孔時，考慮到黏著性或處理的觀點，難以將1.5mm以下的過濾網配置於第2框體的側面。
因此，考慮在經由黏著層而黏著的第1框體及第2框體的側面配置2mm左右的過濾網。然而，此時會產生圖27(a)、圖27(b)所示的問題。圖27(a)、圖27(b)是在經由黏著層而黏著的第1框體及第2框體的側面配置有2mm左右的過濾網的防塵薄膜的示意圖，圖27(a)是藉由乾式蝕刻(dry etching)而形成有第1框體的防塵薄膜1800的示意圖，圖27(b)是藉由濕式蝕刻(wet etching)而形成有第1框體的防塵薄膜1900的示意圖。
防塵薄膜1800具備：配置有防塵薄膜用膜1801的第1框體1811、以及經由黏著層1841而與第1框體1811固定的第2框體1813。在第2框體1813上，形成有貫穿外側的側面與內側的側面的貫穿孔1821。在經由黏著層1841而黏著的第1框體1811及第2框體1813的側面，經由黏著層(未圖示)而黏著有覆蓋貫 穿孔1821的過濾網1831。而且，在第2框體1813的底面，形成有用於將防塵薄膜1800固定至光罩的黏著層1843，藉由護襯1851來保護黏著層1843，直至固定至光罩為止。此時，在黏著第1框體1811與第2框體1813的黏著層1841上產生間隙1890。
而且，此種在過濾網的背面(黏著面)上產生的間隙在藉由濕式蝕刻來形成第1框體時變得顯著。防塵薄膜1900具備：配置有防塵薄膜用膜1901的第1框體1911、及經由黏著層1941而與第1框體1911固定的第2框體1913。在第2框體1913上，形成有貫穿外側的側面與內側的側面的貫穿孔1921。在經由黏著層1941而黏著的第1框體1911及第2框體1913的側面，經由黏著層(未圖示)而黏著有覆蓋貫穿孔1921的過濾網1931。而且，在第2框體1913的底面，形成有用於將防塵薄膜1900固定至光罩的黏著層1943，藉由護襯1951來保護黏著層1943，直至固定至光罩為止。此處，在防塵薄膜1900中，第1框體1911是藉由濕式蝕刻而形成，因此如圖27(b)所示，在第1框體1911的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。此時，在第1框體1911與黏著層1941上產生間隙1990，無法獲得過濾網1931的充分的密接性。
因此，本發明者等人研究了不會在過濾網的背面產生間隙而可獲得充分的密接性的防塵薄膜的結構。以下，參照圖式來說明本發明的防塵薄膜、該防塵薄膜的製造方法及照射方法。但是，本發明的防塵薄膜及其製造方法能以多種不同的態樣來實施，並不受以下所示的實施形態的記載內容而限定地解釋。另外， 在本實施形態中參照的圖式中，對於相同部分或具有同樣功能的部分標註相同的符號，並省略其重複說明。
本發明的防塵薄膜的特徵在於包括：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，支持第1框體；貫穿孔，貫穿第1框體；以及過濾網，在第1框體的配置有防塵薄膜用膜的面側覆蓋貫穿孔。以下一邊例示具體的態樣，一邊對本發明的防塵薄膜進行說明。
(實施形態1)
圖1是本發明的一實施形態的防塵薄膜100的示意圖(立體圖)。圖2(a)、圖2(b)是防塵薄膜100在圖1的線段AA'處的剖面圖。圖2(a)是防塵薄膜100在圖1的線段AA'處的剖面圖，圖2(b)是圖2(a)的局部放大圖。防塵薄膜100具備：第1框體111，配置有防塵薄膜用膜101；以及第2框體113，支持第1框體111。而且，防塵薄膜100具備：貫穿孔121，貫穿防塵薄膜用膜101與第1框體111；以及過濾網131，配置於防塵薄膜用膜101上，且覆蓋貫穿孔121(圖2(a))。過濾網131經由黏著層137而配置於第1框體111上的防塵薄膜用膜101的區域(圖2(b))。另外，圖2(a)、圖2(b)中，在第1框體111的與配置有防塵薄膜用膜101的面為相反側的面上具備第2框體113，但亦可在第1框體111的側面側具備第2框體113。
作為防塵薄膜用膜101及第1框體111，可使用所述的防塵薄膜用膜及基板，因此省略詳細說明。對於構成第1框體111 的材質，較佳為矽、藍寶石、碳化矽，進而較佳為矽。作為第2框體113，較佳為具有相對於EUV光的耐性、平坦性高且低離子(ion)溶出性的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基(radical)的耐性的材料。
第2框體113(防塵薄膜框)的材質並無特別限制，可採用防塵薄膜框中所用的通常的材質。作為第2框體113的材質，具體而言可列舉鋁、鋁合金(5000系、6000系、7000系等)、不鏽鋼(stainless)、矽、矽合金、鐵、鐵系合金、碳鋼、工具鋼、陶瓷、金屬-陶瓷複合材料、樹脂等。其中，考慮到輕量且剛性方面，進而較佳為鋁、鋁合金。而且，第2框體113亦可在其表面具有保護膜。
作為保護膜，較佳為相對於曝光環境中存在的氫自由基及EUV光具有耐性的保護膜。作為保護膜，例如可列舉氧化覆膜。氧化覆膜可藉由陽極氧化等公知的方法而形成。
第1框體111與第2框體113經由黏著層141而固定。對於黏著層141的厚度，較佳為在可確保第1框體111與第2框體113的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，作為用於黏著層141的黏著劑，較佳為具有相對於EUV光的耐性且氣體的產生量少的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基的耐性的材料。
本實施形態中，「黏著劑」是指廣義上的黏著劑，「黏著劑」的概念中亦包括黏接劑。作為黏著劑，可列舉丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑、雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑等。
作為與防塵薄膜用膜或其他防塵薄膜框的黏著時所用的黏著劑，較佳為丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑。作為與光罩的黏著時所用的黏著劑，較佳為雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑。
貫穿孔121是貫穿防塵薄膜用膜101與第1框體111而配置。貫穿孔121的直徑為：當從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄膜用膜101的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔121的直徑是考慮到在減壓時貫穿孔121中產生的壓力損失的上限值來設定。
減壓時貫穿孔中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網131是以覆蓋貫穿孔121的方式而設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網131部分產生，而在貫穿孔121中幾乎不產生壓力損失。例如，調整貫穿孔121的尺寸及貫穿孔121的數量，以使貫穿孔121中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳為0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔121中產生的防塵薄膜100內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔121的直徑為400μm且數量為4個、或者直徑為300μm且數量為40個。貫穿孔121的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔的直徑並無特別限制，較為理想的是在第1框體的強度不會下降的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔的數量亦無特別限制，可根據過濾網的長度或過濾網的寬度來選擇。在設置多個貫穿孔121的情況下，貫穿孔121的位置或間隔並無特別限定，但較佳為在過濾網131內等間隔地配置。
當將防塵薄膜100設置於光罩時，第1框體111的寬度會影響到防塵薄膜100的數值孔徑。特別是在使用反射型遮罩的EUV微影中，EUV光相對於光罩而傾斜地入射並被反射，因此第1框體111的寬度越窄越好。因此，本實施形態中，貫穿孔121較佳為接近第2框體113的內側的面而配置。
過濾網131是由可防止塵埃等流入固定至光罩的防塵薄膜100內的材料所形成，較為理想的是使用如下所述的過濾網，即，初始壓力損失為100Pa以上且550Pa以下，相對於粒徑為0.15μm以上且0.3μm以下的粒子而粒子捕集率為99.7%以上且100%以下。作為過濾網的種類，例如可使用ULPA過濾網(Ultra Low Penetration Air Filter：超低穿透空氣過濾網)。ULPA過濾網是如下所述的空氣過濾網，即，在額定風量下相對於粒徑為0.15μm的 粒子而具備99.9995%以上的粒子捕集率，且具備初始壓力損失為245Pa以下的性能。而且，作為過濾網131，亦可使用HEPA過濾網(High Efficiency Particulate Air Filter：高效粒子空氣過濾網)。HEPA過濾網是如下所述的空氣過濾網，即，在額定風量下相對於粒徑為0.3μm的粒子而具備99.97%以上的粒子捕集率，且具備初始壓力損失為245Pa以下的性能。考慮到確保對防塵薄膜用膜101的黏著性，並且確保防塵薄膜100的數值孔徑的觀點，過濾網131較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。
過濾網131包含通氣部135及配置有黏著層137的上膠部133(圖2(b))。上膠部133以包圍通氣部135的方式而配置在過濾網131的外周部。黏著層137起到無間隙地黏著防塵薄膜用膜101與通氣部135的作用。在與黏著層137接觸的上膠部133處，氣體不通過。上膠部133的寬度為0.2mm以上且1.0mm以下。為了加大通氣部135的面積，較為理想的是上膠部133的寬度儘可能細。所謂通氣部135，是指不與過濾網131的黏著層137接觸的部分。通氣部135供氣體通過，以捕捉氣體中所含的粒子。由於在通氣部135中會產生壓力損失，因此過濾網的換氣性能是由通氣部135的換氣性能來決定。
過濾網131的總面積是考慮到在減壓時過濾網131中產生的壓力損失的上限值來設定。較為理想的是，在減壓時過濾網131中產生的壓力損失為2Pa以下。過濾網131的長度可藉由將過濾網131的面積除以過濾網的寬度來算出。每1片過濾網的長 度範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。
當前，作為EUV曝光用的防塵薄膜，假定長邊為152mm以下、短邊為120mm以下、高度為2mm以下的大小，且假定以350Pa/sec的速度進行減壓及加壓。為了使從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時以及從真空狀態加壓至恢復常壓時的、因防塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄膜用膜101的膨脹小於0.5mm，過濾網131的通氣部的合計面積相對於防塵薄膜100的內部體積的比率(過濾網的通氣部面積/防塵薄膜內部體積)較佳為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。若該比率為0.007mm-1以上，則在減壓及加壓時通過過濾網通氣部的氣體的流速不會變得過快，因此可抑制防塵薄膜100內外的差壓的上升，可將防塵薄膜用膜101的膨脹抑制為小於0.5mm。而且，由於可形成的通氣部135的大小的限制，若該比率為0.026mm-1以下，則可充分設置過濾網131的通氣部135及上膠部133。
而且，由於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅為2.5mm，因此對於過濾網的厚度(高度)，必須考慮到防塵薄膜與過濾網的厚度(高度)的合計要小於2.5mm。儘管亦要視防塵薄膜的高度而定，但厚度較佳為0.05mm以上且1.0mm以下的範圍，更為理想的是0.1mm以上且0.4mm以下。
而且，在第2框體113的底面，配置有黏著層143。黏著層143是用於將防塵薄膜100固定至光罩的部件。對於黏著層 143的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體113的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，作為用於黏著層143的黏著劑，較佳為具有相對於EUV光的耐性且氣體的產生量少的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基的耐性的材料。
作為黏著劑，可列舉丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑、雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑等。黏著層143的材料既可與黏著層141相同，亦可與黏著層141不同。
防塵薄膜100中，包括防塵薄膜用膜101、第1框體111、黏著層141、第2框體113及黏著層143在內的高度較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜101的破損，防塵薄膜100的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜100的黏著層143，藉由可剝離的護襯151來保護黏著層143。
本發明中，貫穿孔121貫穿防塵薄膜用膜101與第1框體，過濾網131被配置在第1框體111上的防塵薄膜用膜101的區域，因此不會在過濾網131的背面產生貫穿孔121以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網131。
(防塵薄膜100的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜100例如可參照圖3(a)~圖3(d)及圖4(a)~圖4(c)而以下述方式製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖3(a)~圖3(d)及圖4(a)~圖4(c)是表示防塵薄膜100的製造步驟的圖。準備基板105，在基板105上形成防塵薄膜用膜101(圖3(a))。對於基板105，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等，但並不限定於該些基板。
防塵薄膜用膜101是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板105上。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜101較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜101較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
藉由蝕刻將形成貫穿孔121的規定位置的防塵薄膜用膜101予以去除而使基板105露出(圖3(b))。對與形成有防塵薄膜用膜101的面為相反側的基板105的面進行蝕刻，將基板105一部分去除而使防塵薄膜用膜101露出，以形成第1框體111。而且，在去除了防塵薄膜用膜101的規定位置，形成貫穿防塵薄膜用膜101與第1框體111的貫穿孔121(圖3(c))。
貫穿孔121設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防 塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄膜用膜101的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔121被過濾網131覆蓋，因此貫穿孔121的直徑是考慮到過濾網131的阻力來設定。
如上所述，當將防塵薄膜100設置於光罩時，第1框體111的寬度會影響到防塵薄膜100的數值孔徑。特別是在使用反射型遮罩的EUV微影中，EUV光相對於光罩而傾斜地入射並被反射，因此第1框體111的寬度越窄越好。因此，本實施形態中，貫穿孔121較佳為接近第2框體113的內側的面而配置。
在防塵薄膜用膜101上，黏著覆蓋貫穿孔121的過濾網131(圖3(d))。過濾網131較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對防塵薄膜用膜101的黏著性，並且確保防塵薄膜100的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。黏著過濾網131的時機(timing)並無特別限制，亦可在固定於第2框體之後進行貼附。
另行準備第2框體113。在第2框體113的底面形成黏著層143。而且，配置保護黏著層143的護襯151(圖4(a))。此處，亦可準備形成有黏著層143的護襯151，並經由黏著層143而將護襯151貼附於第2框體113的底面。
在第2框體113的上表面形成黏著層141(圖4(b))。經由所形成的黏著層141而將第1框體111固定於第2框體113(圖4(c))。此時，以第1框體111側的貫穿孔121開口的方式，經由黏著層141而將第1框體111固定於第2框體113。
用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為將包括過濾網131、防塵薄膜用膜101、第1框體111、黏著層141、第2框體113及黏著層143在內的高度設為2mm以下。
本發明中，貫穿孔121貫穿防塵薄膜用膜101與第1框體，過濾網131被配置在第1框體111上的防塵薄膜用膜101的區域內，因此不會在過濾網131的背面產生貫穿孔121以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網131。
(實施形態2)
實施形態1的防塵薄膜100中，貫穿孔121較第2框體113而配置於內側，因此必須使第1框體111的寬度寬於第2框體113的寬度。如上所述，當將防塵薄膜設置於光罩時，第1框體的寬度會影響到防塵薄膜的數值孔徑。本實施形態中，對縮窄第1框體的寬度且配置貫穿孔的示例進行說明。
圖5是本發明的一實施形態的防塵薄膜200在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜200具備：配置有防塵薄膜用膜201的第1框體211、及支持第1框體211的第2框體213。而且，防塵薄膜200具備：貫穿防塵薄膜用膜201與第1框體211的貫穿孔221、及配置於防塵薄膜用膜201上且覆蓋貫穿孔221的過濾網231。
本實施形態中，第1框體211在與第2框體213相向的面上，具有連接於貫穿孔221的槽部225。槽部225藉由與第2 框體213的結合而形成連接於貫穿孔221的孔223。孔223在第1框體211的內側的面上具有開口。過濾網231經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體211上的防塵薄膜用膜201的區域。
作為防塵薄膜用膜201、第1框體211及第2框體213，可使用與所述的防塵薄膜用膜、基板及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體211與第2框體213經由黏著層241而固定。對於黏著層241的厚度，較佳為在可確保第1框體211與第2框體213的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，用於黏著層241的黏著劑可使用與黏著層141同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
貫穿孔221是貫穿防塵薄膜用膜201與第1框體211而配置。而且，本實施形態中，藉由在第1框體211的與第2框體213相向的面上，配置連接於貫穿孔221的槽部225，從而藉由槽部225與第2框體213的結合來形成連接於貫穿孔221的孔223。因此，貫穿孔221以及將貫穿孔221與配置在第1框體211的內側的面上的開口予以連接的孔223設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜200內外的差壓造成的防塵薄膜用膜201的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔221被過濾網231覆蓋，因此貫穿孔221及孔223的直徑是考慮到在減壓時於貫穿孔221中產生的壓力損失的上限值來設定。
在減壓時於貫穿孔221中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網231是以覆蓋貫穿孔221的方式而設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網231部分中產生，而在貫穿孔221中幾乎不產生壓力損失。例如，調整貫穿孔221的尺寸，以使貫穿孔221中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳為0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，若貫穿孔221的直徑為480μm且數量為4個，則貫穿孔221中產生的防塵薄膜200內外的壓力損失為1Pa以下。貫穿孔221的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔221的直徑並無特別限制，較為理想的是在第1框或膜的強度不會下降的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔221的數量亦無特別限制，可根據過濾網的長度或過濾網的寬度來選擇。
過濾網231可使用與過濾網131同樣的過濾網，因此省略詳細說明。考慮到確保對防塵薄膜用膜201的黏著性，並且確保防塵薄膜200的數值孔徑的觀點，過濾網231較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。過濾網231的寬度只要被控制在第1框體211的寬度內即可。
過濾網的總面積是考慮到在減壓時於過濾網231中產生的壓力損失的上限值來設定。在減壓時於過濾網231中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網231的長度可藉由將過濾網231的面積除以過濾網231的寬度來算出。每1片過濾網的長 度的範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。由於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm，因此對於過濾網的厚度(高度)，必須考慮到防塵薄膜與過濾網的厚度(高度)的合計小於2.5mm。儘管亦要視防塵薄膜的高度而定，但厚度較佳為0.05mm以上且1.0mm以下的範圍，更為理想的是0.1mm以上且0.4mm以下。
而且，在第2框體213的底面配置有黏著層243。黏著層243是用於將防塵薄膜200固定至光罩的部件。對於黏著層243的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體213的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。用於黏著層243的黏著劑可使用與黏著層143同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
防塵薄膜200中，包括防塵薄膜用膜201、第1框體211、黏著層241、第2框體213及黏著層243在內的高度較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜201的破損，防塵薄膜200的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜200的黏著層243，藉由可剝離的護襯251來保護黏著層243。
本發明中，貫穿孔221貫穿防塵薄膜用膜201與第1框體211，藉由第1框體211的槽部225與第2框體213的結合來形成連接於貫穿孔221的孔223，因此不會在過濾網231的背面產生貫穿孔221以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網 231。
(防塵薄膜200的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜200例如可參照圖6(a)~圖6(d)及圖7(a)~圖7(c)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖6(a)~圖6(d)及圖7(a)~圖7(c)是表示防塵薄膜200的製造步驟的圖。準備基板205，在基板205上形成防塵薄膜用膜201(圖6(a))。對於基板205，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等，但並不限定於該些基板。
防塵薄膜用膜201是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板205上。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜201較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜201較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
藉由蝕刻將形成貫穿孔221的規定位置的防塵薄膜用膜201予以去除而使基板205露出(圖6(b))。對與形成有防塵薄膜用膜201的面為相反側的基板205的面進行蝕刻，將基板205一部分去除，並在第1框體211的與第2框體213相向的面上，形成連接於貫穿孔221的槽部225。而且，在去除了防塵薄膜用膜201的規定位置，形成貫穿防塵薄膜用膜201與第1框體211的貫 穿孔221(圖6(c))。
本實施形態中，藉由在第1框體211的與第2框體213相向的面上配置連接於貫穿孔221的槽部225，從而藉由槽部225與第2框體213的結合來形成連接於貫穿孔221的孔223。因此，貫穿孔221的直徑及孔223的大小設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜200內外的差壓造成的防塵薄膜用膜201的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔221被過濾網231覆蓋，因此貫穿孔221的直徑及孔223的大小是考慮到過濾網231的阻力來設定。
在防塵薄膜用膜201上，黏著覆蓋貫穿孔221的過濾網231(圖6(d))。過濾網231較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對防塵薄膜用膜201的黏著性，並且確保防塵薄膜200的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。黏著過濾網231的時機並無特別限制，亦可在固定於第2框體之後進行貼附。
另行準備第2框體213。在第2框體213的底面形成黏著層243。而且，配置保護黏著層243的護襯251(圖7(a))。此處，亦可準備形成有黏著層243的護襯251，並經由黏著層243而將護襯251貼附於第2框體213的底面。
在第2框體213的上表面形成黏著層241(圖7(b))。經由所形成的黏著層241而將第1框體211固定於第2框體213 (圖7(c))。此時，藉由在與第2框體相向的面上形成的槽部225和第2框體213的結合，形成連接於貫穿孔221的孔223。
用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為將包括過濾網231、防塵薄膜用膜201、第1框體211、黏著層241、第2框體213及黏著層243在內的高度設為2mm以下。
本發明中，貫穿孔221貫穿防塵薄膜用膜201與第1框體211，藉由第1框體211的槽部225與第2框體213的結合來形成連接於貫穿孔221的孔223，因此不會在過濾網231的背面產生貫穿孔221以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網231。
(實施形態3)
作為實施形態2的變形例，對實施形態3的防塵薄膜300進行說明。圖8是本發明的一實施形態的防塵薄膜300在圖1的線段AA'處的剖面圖。實施形態3的防塵薄膜300與實施形態2的防塵薄膜200的不同之處在於，將第1框體311的槽部325蝕刻至與防塵薄膜用膜301接觸的位置為止，形成與貫穿孔321為同程度的高度的孔323。其他結構與防塵薄膜200同樣，因此省略詳細說明。
防塵薄膜300中，貫穿孔321貫穿防塵薄膜用膜301與第1框體311，形成第1框體311的槽部325與第2框體313直接連結的孔323，因此通氣性大幅提高。
(防塵薄膜300的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜300例如可參照圖9(a)~圖9(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖9(a)~圖9(d)是表示防塵薄膜300的製造步驟的圖。準備基板305，在基板305上形成防塵薄膜用膜301(圖9(a))。基板305可使用與所述基板205同樣的構件，因此省略詳細說明。
防塵薄膜用膜301是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板305上。防塵薄膜用膜301的材質及結構與所述防塵薄膜用膜201同樣，因此省略詳細說明。
藉由蝕刻將形成貫穿孔321的規定位置的防塵薄膜用膜301予以去除而使基板305露出(圖9(b))。對與形成有防塵薄膜用膜301的面為相反側的基板305的面進行蝕刻，將基板305一部分去除，並在第1框體311的與第2框體313相向的面上，統一形成貫穿孔321與連接於貫穿孔321的槽部325(圖9(c))。本實施形態中，藉由該蝕刻步驟，在去除了防塵薄膜用膜301的規定位置，與槽部325一體地形成貫穿防塵薄膜用膜301的貫穿孔321。
因此，貫穿孔321的直徑及孔323的大小設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜300內外的差壓造成的防塵薄膜用膜301的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔321被過 濾網331覆蓋，因此貫穿孔321的直徑及孔323的大小是考慮到過濾網331的阻力來設定。
在防塵薄膜用膜301上，黏著覆蓋貫穿孔321的過濾網331(圖9(d))。過濾網331的材質及結構與所述過濾網231同樣，因此省略詳細說明。
另行準備第2框體313。第2框體313、黏著層341、黏著層343及護襯351的材質及結構與第2框體213、黏著層241、黏著層243及護襯251同樣，因此省略詳細說明。而且，第1框體311與第2框體213的貼合步驟與所述防塵薄膜200同樣，因此省略詳細說明。
(實施形態4)
對實施形態2的防塵薄膜200的另一變形例進行說明。圖10是本發明的一實施形態的防塵薄膜400在圖1的線段AA'處的剖面圖。實施形態4的防塵薄膜400與實施形態2的防塵薄膜200的不同之處在於，藉由局部性的塗佈來形成第1框體411與第2框體413之間所設的黏著層441，藉此形成連接於貫穿孔421並在防塵薄膜400的內側開口的孔423。其他結構與防塵薄膜200同樣，因此省略詳細說明。
防塵薄膜400中，將局部性地塗佈而形成的黏著層441配置於第1框體411與第2框體413之間而形成孔423，藉此可簡便地連接貫穿孔421與孔423，該貫穿孔421貫穿防塵薄膜用膜401與第1框體411。而且，由於第1框體411的寬度與第2框體 413的寬度相同，因此可加大防塵薄膜用膜401的開口面積。
(防塵薄膜400的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜400例如可參照圖11(a)~圖11(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖11(a)~圖11(d)是表示防塵薄膜400的製造步驟的圖。準備基板405，在基板405上形成防塵薄膜用膜401(圖11(a))。基板405可使用與所述基板205同樣的構件，因此省略詳細說明。
防塵薄膜用膜401是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板405上。防塵薄膜用膜401的材質及結構與所述防塵薄膜用膜201同樣，因此省略詳細說明。
藉由蝕刻將形成貫穿孔421的規定位置的防塵薄膜用膜401予以去除而使基板405露出(圖11(b))。對與形成有防塵薄膜用膜401的面為相反側的基板405的面進行蝕刻，將基板405一部分去除，並在第1框體411的與第2框體413相向的面上形成貫穿孔421(圖11(c))。
在防塵薄膜用膜401上，黏著覆蓋貫穿孔421的過濾網431(圖11(d))。過濾網431的材質及結構與所述過濾網231同樣，因此省略詳細說明。
另行準備第2框體413(圖12(a))。第2框體413、黏著層443及護襯451的材質及結構與第2框體213、黏著層243及護襯251同樣，因此省略詳細說明。
在第2框體413的上表面形成黏著層441(圖12(b))。本實施形態中，在第2框體413的上表面局部性地塗佈黏著層441而形成槽部445，該槽部445用於形成連接於貫穿孔421的孔423。經由黏著層441而將第1框體411固定至第2框體413(圖12(c))。此時，由第1框體411、第2框體413及槽部425來規定連接於貫穿孔421的孔423。另外，黏著層341的材質與黏著層241同樣，因此省略詳細說明。
此處，貫穿孔421的直徑及孔423的大小是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜400內外的差壓造成的防塵薄膜用膜401的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔421被過濾網431覆蓋，因此貫穿孔421的直徑及孔423的大小是考慮到過濾網431的阻力來設定。
(實施形態5)
實施形態1及實施形態2中，為了覆蓋貫穿防塵薄膜用膜與第1框體的貫穿孔，而將過濾網配置於防塵薄膜用膜的上表面。然而，如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度。本實施形態中，對鄰接於防塵薄膜用膜而在第1框體上配置過濾網，藉此來降低防塵薄膜的高度的示例進行說明。
圖13是本發明的一實施形態的防塵薄膜500在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜500具備：配置有防塵薄膜用膜501的第1框體511、及支持第1框體511的第2框體513。而且， 防塵薄膜500具備：貫穿第1框體511的貫穿孔521、及在第1框體511的配置有防塵薄膜用膜501的面側覆蓋貫穿孔521的過濾網531。本實施形態中，過濾網531是鄰接於防塵薄膜用膜501而配置於第1框體上511上。
本實施形態中，第1框體511在與第2框體513相向的面上，具有連接於貫穿孔521的槽部525。槽部525藉由與第2框體513的結合，而形成連接於貫穿孔521的孔523。孔523在第1框體511的內側的面上具有開口。本實施形態中，鄰接於防塵薄膜用膜501而在第1框體511上配置過濾網531。而且，較佳為，以過濾網531的上表面與防塵薄膜用膜501成為同一面的方式來配置過濾網531。過濾網531是經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體511上的已將防塵薄膜用膜501及第1框體511的一部分予以去除的區域。藉由如此般將防塵薄膜用膜501配置於第1框體511，從而可使防塵薄膜500的高度降低過濾網531的厚度量。
作為防塵薄膜用膜501、第1框體511及第2框體513，可使用與所述防塵薄膜用膜101、基板105及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體511與第2框體513是經由黏著層541而固定。對於黏著層541的厚度，較佳為在可確保第1框體511與第2框體513的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，用於黏著層541的黏著劑可使用與黏著層141同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
貫穿孔521是在將防塵薄膜用膜501及第1框體511的一部分予以去除的區域內貫穿第1框體511而配置。而且，本實施形態中，藉由在第1框體511的與第2框體513相向的面上配置連接於貫穿孔521的槽部525，從而藉由槽部525與第2框體513的結合來形成連接於貫穿孔521的孔523。因此，貫穿孔521、以及將貫穿孔521與配置在第1框體511的內側的面上的開口予以連接的孔523為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜500內外的差壓造成的防塵薄膜用膜501的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔521及孔523的直徑是考慮到在減壓時於貫穿孔521中產生的壓力損失的上限值而設定。
在減壓時於貫穿孔521中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網531是以覆蓋貫穿孔521的方式來設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網531部分產生，而貫穿孔521中幾乎不產生壓力損失。例如，調整貫穿孔521的尺寸，以使貫穿孔521中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳為0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔521中產生的防塵薄膜500內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔521的直徑為480μm且數量為4個。貫穿孔521的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔521的直徑並無特別限制，較為理想的是在第1框體的強度不會下降 的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔521的數量亦無特別限制，可根據過濾網的長度或過濾網的寬度來選擇。
過濾網531可使用與過濾網131同樣的過濾網，因此省略詳細說明。對於過濾網531，考慮到確保對第1框體511的黏著性，並且確保防塵薄膜500的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。過濾網531的寬度只要被控制在第1框體511的寬度內即可。
過濾網531的總面積是考慮到在減壓時於過濾網531中產生的壓力損失的上限值來設定。在減壓時於過濾網531中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網531的長度可藉由將過濾網531的面積除以過濾網531的寬度來算出。每1片過濾網的長度的範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。由於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm，因此對於過濾網的厚度(高度)，必須考慮到防塵薄膜與過濾網的厚度(高度)的合計小於2.5mm。儘管亦要視防塵薄膜的高度而定，但厚度較佳為0.05mm以上且1.0mm以下的範圍，更為理想的是0.1mm以上且0.4mm以下。
而且，在第2框體513的底面配置有黏著層543。黏著層543是用於將防塵薄膜500固定於光罩的部件。對於黏著層543的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體513的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。用於黏著層543 的黏著劑可使用與黏著層143同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
防塵薄膜500中，以過濾網531的上表面與防塵薄膜用膜501成為同一面的方式來配置過濾網，因此包括防塵薄膜用膜501、第1框體511、黏著層541、第2框體513及黏著層543在內的高度較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜501的破損，防塵薄膜500的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜500的黏著層543，藉由可剝離的護襯551來保護黏著層543。
本發明中，在已將防塵薄膜用膜501及第1框體511的一部分予以去除的區域內，貫穿孔521貫穿第1框體511，藉由第1框體511的槽部525與第2框體513的結合來形成連接於貫穿孔521的孔523，因此不會在過濾網531的背面產生貫穿孔521以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網531。而且，本發明中，鄰接於防塵薄膜用膜501而在第1框體511上配置過濾網531，藉此可降低防塵薄膜500的高度。而且，藉由以過濾網531的上表面與防塵薄膜用膜501成為同一面的方式來配置過濾網531，從而可將防塵薄膜500的高度降低過濾網531的厚度量。
(防塵薄膜500的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜500例如可參照圖14(a)~圖14(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖14(a)~圖14(d)是表示防 塵薄膜500的製造步驟的圖。準備基板505，在基板505上形成防塵薄膜用膜501(圖14(a))。對於基板505，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等。但並不限定於該些基板，作為基板，較佳為矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板，進而較佳為矽基板。
防塵薄膜用膜501是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板505上。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜301較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜501較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
藉由蝕刻將形成貫穿孔521的規定位置的防塵薄膜用膜501及基板505的一部分予以去除而使基板505露出(圖14(b))。對與形成有防塵薄膜用膜501的面為相反側的基板505的面進行蝕刻，將基板505一部分去除而使防塵薄膜用膜501露出，以在第1框體511與第2框體513相向的面上形成連接於貫穿孔521的槽部525。而且，在已將防塵薄膜用膜501及基板505的一部分予以去除的規定位置，形成貫穿防塵薄膜用膜501與第1框體511的貫穿孔521(圖14(c))。
本實施形態中，藉由在第1框體511的與第2框體513相向的面上配置連接於貫穿孔521的槽部525，從而藉由槽部525 與第2框體513的結合來形成連接於貫穿孔521的孔523。因此，貫穿孔521的直徑及孔523的大小是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜500內外的差壓造成的防塵薄膜用膜501的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔521被過濾網531覆蓋，因此貫穿孔521的直徑及孔523的大小是考慮到過濾網531的阻力來設定。
在將防塵薄膜用膜501及基板505的一部分予以去除的區域，黏著覆蓋貫穿孔521的過濾網531(圖14(d))。過濾網531較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對第1框體511的黏著性，並且確保防塵薄膜500的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。黏著過濾網531的時機並無特別限制，亦可在固定於第2框體之後進行貼附。
過濾網531的總面積是考慮到在減壓時於過濾網531中產生的壓力損失的上限值來設定。在減壓時於濾網531中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網531的長度可藉由將過濾網的面積除以過濾網531的寬度來算出。每1片過濾網的長度的範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。由於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm，因此對於過濾網的厚度(高度)，必須考慮到防塵薄膜與過濾網的厚度(高度)的合計小於2.5mm。儘管亦要視防塵薄膜的高度而定，但厚度較佳為0.05mm以上且 10mm以下的範圍，更為理想的是01mm以上且0.4mm以下。
另行，與實施形態1同樣地，準備第2框體513。在第2框體513的底面形成黏著層543。而且，配置保護黏著層543的護襯551。此處，亦可準備形成有黏著層543的護襯551，經由黏著層543而將護襯551貼附於第2框體513的底面。
在第2框體513的上表面，形成黏著層541。經由所形成的黏著層541而將第1框體511固定於第2框體513。此時，藉由在與第2框體513相向的面上形成的槽部525和第2框體513的結合，形成連接於貫穿孔521的孔523。
用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有25mm的高度，因此本實施形態中，以過濾網531的上表面與防塵薄膜用膜501成為同一面的方式來配置過濾網，因此包括防塵薄膜用膜501、第1框體511、黏著層541、第2框體513及黏著層543在內的高度較佳為2mm以下。
本發明中，在已將防塵薄膜用膜501及第1框體511的一部分予以去除的區域內，貫穿孔521貫穿第1框體511，藉由第1框體511的槽部525與第2框體513的結合來形成連接於貫穿孔521的孔523，因此不會在過濾網531的背面產生貫穿孔521以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網531。而且，本發明中，鄰接於防塵薄膜用膜501而在第1框體511上配置過濾網531，藉此可降低防塵薄膜500的高度。而且，藉由以過濾網531的上表面與防塵薄膜用膜501成為同一面的方式來配置過濾網531，從 而可抑制防塵薄膜500的高度，以使其降低過濾網531的厚度量。
(實施形態6)
作為實施形態5的變形例，對實施形態6的防塵薄膜600進行說明。圖15是本發明的一實施形態的防塵薄膜600在圖1的線段AA'處的剖面圖。實施形態6的防塵薄膜600與實施形態5的防塵薄膜500的不同之處在於，將第1框體611的槽部625蝕刻至與防塵薄膜用膜601接觸的位置為止，形成與貫穿孔621為同程度的高度的孔623。其他結構與防塵薄膜500同樣，因此省略詳細說明。
防塵薄膜600中，在已將防塵薄膜用膜601及第1框體611的一部分予以去除的區域內，貫穿孔621貫穿第1框體611，藉由第1框體611的槽部625與第2框體613的結合來形成連接於貫穿孔621的孔623，因此不會在過濾網631的背面產生貫穿孔621以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網631。而且，本發明中，藉由鄰接於防塵薄膜用膜601而在第1框體611上配置過濾網631，從而可降低防塵薄膜600的高度。而且，藉由以過濾網631的上表面與防塵薄膜用膜601成為同一面的方式來配置過濾網631，從而可抑制防塵薄膜600的高度，以使其降低過濾網631的厚度量。進而，防塵薄膜600中，貫穿孔621貫穿防塵薄膜用膜601與第1框體611，並形成第1框體611的槽部625與第2框體613直接連結的孔623，因此通氣性大幅提高。
(防塵薄膜600的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜600例如可參照圖16(a)~圖16(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖16(a)~圖16(d)是表示防塵薄膜600的製造步驟的圖。準備基板605，在基板605上形成防塵薄膜用膜601(圖16(a))。基板605可使用與所述基板505同樣的構件，因此省略詳細說明。
防塵薄膜用膜601是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板605上。防塵薄膜用膜601的材質及結構與所述防塵薄膜用膜501同樣，因此省略詳細說明。
藉由蝕刻將形成貫穿孔621的規定位置的防塵薄膜用膜601及基板605的一部分予以去除而使基板605露出(圖16(b))。對與形成有防塵薄膜用膜601的面為相反側的基板605的面進行蝕刻，將基板605一部分去除，在第1框體611的與第2框體613相向的面上，統一形成貫穿孔621及連接於貫穿孔621的槽部625(圖16(c))。本實施形態中，藉由該蝕刻步驟，在去除了防塵薄膜用膜601的規定位置，與槽部625一體地形成貫穿防塵薄膜用膜601的貫穿孔621。
因此，貫穿孔621的直徑及孔623的大小是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜600內外的差壓造成的防塵薄膜用膜601的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔621被過濾網631覆蓋，因此貫穿孔621的直徑及孔623的大小是考慮到 過濾網631的阻力來設定。
在已將防塵薄膜用膜601及基板605的一部分予以去除的區域，黏著覆蓋貫穿孔621的過濾網631(圖16(d))。過濾網631的材質及結構與所述過濾網531同樣，因此省略詳細說明。
另行準備第2框體613。第2框體613、黏著層641、黏著層643及護襯651的材質及結構與第2框體513、黏著層541、黏著層543及護襯551同樣，因此省略詳細說明。而且，第1框體611與第2框體613的貼合步驟與所述防塵薄膜500同樣，因此省略詳細說明。
(實施形態7)
實施形態2~實施形態6的防塵薄膜中，在第1框體上形成連接於貫穿孔的槽部而形成孔。本實施形態中，對在第2框體上形成連接於貫穿孔的孔的示例進行說明。
圖17是本發明的一實施形態的防塵薄膜700在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜700具備：配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711、及支持第1框體711的第2框體713。而且，防塵薄膜700具備：貫穿防塵薄膜用膜701與第1框體711的貫穿孔721、及配置於防塵薄膜用膜701上且覆蓋貫穿孔721的過濾網731。
本實施形態中，第2框體713具有在第1框體711相向的面上配置的第1開口723、及在第2框體713的內側的面上配置的第2開口725，2個開口利用配置在第2框體713內部的孔727 而連接，第1開口723連接於貫穿孔721。過濾網731經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體711上的防塵薄膜用膜701的區域。
作為防塵薄膜用膜701、第1框體711及第2框體713，可使用與所述防塵薄膜用膜101、基板105及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體711與第2框體713經由黏著層741而固定。對於黏著層741的厚度，較佳為在可確保第1框體711與第2框體713的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，用於黏著層741的黏著劑可使用與黏著層141同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
貫穿孔721是貫穿防塵薄膜用膜701與第1框體711而配置。而且，本實施形態中，具有在第2框體713的與第1框體711相向的面上配置的第1開口723、及在第2框體713的內側的面上配置的第2開口725，2個開口利用配置在第2框體713內部的孔727而連接，第1開口723連接於貫穿孔721。因此，貫穿孔721的直徑、以及配置在貫穿孔721與第2框體713內部的孔727的直徑是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜700內外的差壓造成的防塵薄膜用膜701的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔421及孔427的直徑是考慮到在減壓時於貫穿孔721內產生的壓力損失的上限值來設定。
在減壓時於貫穿孔721內產生的壓力損失較為理想的是 1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網731是以覆蓋貫穿孔721的方式而設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網731部分產生，而貫穿孔721中幾乎不產生壓力損失。例如，調整貫穿孔721的尺寸，以使貫穿孔721中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳的是0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔721中產生的防塵薄膜400內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔721的直徑為500μm且數量為4個。貫穿孔721的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔721的直徑並無特別限制，較為理想的是在第1框體的強度不會下降的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔721的數量亦無特別限制，可根據過濾網的長度或過濾網的寬度來選擇。
過濾網731可使用與過濾網131同樣的過濾網，因此省略詳細說明。對於過濾網731，考慮到確保對防塵薄膜用膜701的黏著性，並且確保防塵薄膜700的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。過濾網731的寬度只要被控制在第1框體711的寬度內即可。
過濾網731的總面積是考慮到在減壓時於過濾網731中產生的壓力損失的上限值來設定。在減壓時於過濾網731中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網731的長度可藉由將過濾網731的面積除以過濾網731的寬度來算出。每1片過濾網的長度的範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm 以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。
而且，在第2框體713的底面，配置有黏著層743。黏著層743是用於將防塵薄膜700固定於光罩的部件。對於黏著層743的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體713的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。用於黏著層743的黏著劑可使用與黏著層143同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
防塵薄膜700中，包括防塵薄膜用膜701、第1框體711、黏著層741、第2框體713及黏著層743在內的高度較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜701的破損，防塵薄膜700的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜700的黏著層743，藉由可剝離的護襯751來保護黏著層743。
本實施形態中，貫穿孔721貫穿防塵薄膜用膜701與第1框體711，且連接於配置在第2框體713上的孔727，因此不會在過濾網731的背面產生貫穿孔721以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網731。而且，本實施形態中，在第2框體713上形成孔727，因此可比第1框體更容易進行加工。
(防塵薄膜700的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜700例如可參照圖18(a)~圖18(d)及圖19(a)~圖19(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製 造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖18(a)~圖18(d)及圖19(a)~圖19(d)是表示防塵薄膜700的製造步驟的圖。準備基板705，在基板705上形成防塵薄膜用膜701(圖18(a))。對於基板705，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等，但並不限定於該些基板。
防塵薄膜用膜701是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板705上。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜701較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜701較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
藉由蝕刻將形成貫穿孔721的規定位置的防塵薄膜用膜701予以去除而使基板705露出(圖18(b))。對與形成有防塵薄膜用膜701的面為相反側的基板705的面進行蝕刻，在去除了防塵薄膜用膜701的規定位置，形成貫穿防塵薄膜用膜701與第1框體711的貫穿孔721(圖18(c))。
本實施形態中，在第2框體713的與第1框體711相向的面上形成第1開口723，在第2框體713的內側的面上形成第2開口725，在第2框體713的內部形成連接2個開口的孔727，將第1開口723連接至貫穿孔721。因此，貫穿孔721的直徑及孔727的大小是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減 壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜700內外的差壓造成的防塵薄膜用膜701的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔721被過濾網731覆蓋，因此貫穿孔721的直徑及孔727的大小是考慮到過濾網731的阻力來設定。
在防塵薄膜用膜701上，黏著覆蓋貫穿孔721的過濾網731(圖18(d))。過濾網731較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對防塵薄膜用膜701的黏著性，並且確保防塵薄膜700的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。黏著過濾網731的時機並無特別限制，亦可在固定於第2框體之後進行貼附。
另行準備第2框體713。本實施形態中，在第2框體713的與第1框體711相向的面上形成第1開口723，在第2框體713的內側的面上形成第2開口725，在第2框體713的內部形成連接2個開口的孔727(圖19(a))。
而且，在第2框體713的底面形成黏著層743。進而，配置保護黏著層743的護襯751(圖19(b))。此處，亦可準備形成有黏著層743的護襯751，並經由黏著層743而將護襯751貼附至第2框體713的底面。
在第2框體713的上表面形成黏著層741(圖19(c))。經由所形成的黏著層741而將第1框體711固定於第2框體713(圖19(d))。此時，第1開口723連接於貫穿孔721，貫穿孔721與孔727形成通氣口。
用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為，將包括過濾網731、防塵薄膜用膜701、第1框體711、黏著層741、第2框體713及黏著層743在內的高度設為2mm以下。
本實施形態中，貫穿孔721貫穿防塵薄膜用膜701與第1框體711，並連接於配置在第2框體713上的孔727，因此不會在過濾網731的背面產生貫穿孔721以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網731。而且，本實施形態中，由於在第2框體713上形成孔727，因此可比第1框體更容易地進行加工。
(實施形態8)
作為實施形態7的變形例，展示防塵薄膜800。圖20是本發明的一實施形態的防塵薄膜800在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜800具備：配置有防塵薄膜用膜801的第1框體811、及支持第1框體811的第2框體813。而且，防塵薄膜800具備：貫穿防塵薄膜用膜801與第1框體811的貫穿孔821、及配置於防塵薄膜用膜801上且覆蓋貫穿孔821的過濾網831。
本實施形態中，第2框體813在與第1框體811相向的面上，具有連接於貫穿孔821的槽部825，槽部825藉由與第1框體811的結合而形成連接於貫穿孔821的孔823，孔823在第2框體813的內側的面上具有開口。過濾網831經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體811上的防塵薄膜用膜801的區域。
作為防塵薄膜用膜801、第1框體811及第2框體813， 可使用與所述防塵薄膜用膜101、基板105及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體811與第2框體813經由黏著層841而固定。對於黏著層841的厚度，較佳為在可確保第1框體811與第2框體813的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，用於黏著層841的黏著劑可使用與黏著層141同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
貫穿孔821是貫穿防塵薄膜用膜801與第1框體811而配置。而且，本實施形態中，在第2框體813的與第1框體811相向的面上，具有連接於貫穿孔821的槽部825，槽部825藉由與第1框體811的結合而形成連接於貫穿孔821的孔823，孔823在第2框體813的內側的面上具有開口。因此，貫穿孔821的直徑、及藉由槽部825與第1框體811的結合而形成的孔823的大小是設為如下所述的直徑，即，在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜800內外的差壓造成的防塵薄膜用膜801的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔821的直徑及孔823的大小是考慮到在減壓時於貫穿孔中產生的壓力損失的上限值來設定。
在減壓時於貫穿孔821中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網831是以覆蓋貫穿孔821的方式而設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網831部分產生，而在貫穿孔821中幾乎不產生 壓力損失。例如，調整貫穿孔821的尺寸，以使貫穿孔821中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳的是0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔821中產生的防塵薄膜800內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔821的直徑為480μm且數量為4個。貫穿孔821的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔821的直徑並無特別限制，較為理想的是在第1框體的強度不會下降的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔821的數量亦無特別限制，可根據過濾網的長度或過濾網的寬度來選擇。
過濾網831可使用與過濾網131同樣的過濾網，因此省略詳細說明。對於過濾網831，考慮到確保對防塵薄膜用膜801的黏著性，並且確保防塵薄膜800的數值孔徑的觀點，較佳為將寬度設為1mm以上且4mm以下。過濾網831的寬度只要被控制在第1框體811的寬度內即可。
過濾網831的總面積是考慮到在減壓時於過濾網831中產生的壓力損失的上限值來設定。在減壓時於過濾網831中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網831的長度可藉由將過濾網831的面積除以過濾網831的寬度來算出。每1片過濾網的長度的範圍並無特別限制，較為理想的是1cm~15cm的範圍，更為理想的是2cm~10cm。
而且，在第2框體813的底面配置有黏著層843。黏著層843是用於將防塵薄膜800固定至光罩的部件。對於黏著層843 的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體813的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。用於黏著層843的黏著劑可使用與黏著層143同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
防塵薄膜800中，包括過濾網831、防塵薄膜用膜801、第1框體811、黏著層841、第2框體813及黏著層843在內的高度較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜801的破損，防塵薄膜800的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜800的黏著層843，藉由可剝離的護襯851來保護黏著層843。
本實施形態中，貫穿孔821貫穿防塵薄膜用膜801與第1框體811，且連接於孔823，該孔823是藉由形成於第2框體813上的槽部825與第1框體811的結合而形成，因此不會在過濾網831的背面產生貫穿孔821以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網831。而且，本實施形態中，由於在第2框體813上形成槽部825，因此可比第1框體更容易地進行加工。
(防塵薄膜800的製造方法)
防塵薄膜800的製造方法與防塵薄膜700的製造方法的不同之處在於，在第2框體813上形成槽部825。本實施形態中，在第2框體813的與第1框體811相向的面上，形成連接於貫穿孔821的槽部825，經由黏著層841而將第1框體811固定於第2框體813，從而形成孔823，該孔823連接於貫穿孔821且在第2框體 813的內側的面上具有開口。其他製造步驟與防塵薄膜700同樣，因此省略詳細說明。
而且，本領域技術人員當明白，可與如下所述的實施形態進行組合，即，在所述實施形態7及實施形態8的防塵薄膜上，以實施形態5及實施形態6中說明的過濾網的上表面與防塵薄膜用膜成為同一面的方式來配置過濾網。本發明的防塵薄膜包含此種態樣。
(實施形態9)
對下述示例進行說明，即，將實施形態5中說明的鄰接於防塵薄膜用膜501而在第1框體511上配置過濾網531的結構與實施形態7的具備孔727的第2框體713加以組合的示例。
圖21是本發明的一實施形態的防塵薄膜900在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜900具備：配置有防塵薄膜用膜901的第1框體911、及支持第1框體911的第2框體913。而且，防塵薄膜900具備：貫穿第1框體911的貫穿孔921、及過濾網931，該過濾網931在第1框體911的配置有防塵薄膜用膜901的面側鄰接於防塵薄膜用膜901而覆蓋貫穿孔921。而且，較佳為，以過濾網931的上表面與防塵薄膜用膜901成為同一面的方式來配置過濾網931。過濾網931是經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體911上的防塵薄膜用膜901的區域。
第2框體913具有在與第1框體911相向的面上配置的第1開口923、及在第2框體913的內側的面上配置的第2開口 925，2個開口利用配置在第2框體913內部的孔927而連接，第1開口923連接於貫穿孔921。其他結構與實施形態5及實施形態7中說明的結構同樣，因此省略詳細說明。
本實施形態中，貫穿孔921貫穿第1框體911，並連接於配置在第2框體913上的孔927，因此不會在過濾網931的背面產生貫穿孔921以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網931。本實施形態中，由於在第2框體913上形成孔927，因此可比第1框體更容易地進行加工。而且，藉由將防塵薄膜用膜901配置於第1框體911，從而可將防塵薄膜900的高度降低過濾網931的厚度量。
(防塵薄膜900的製造方法)
防塵薄膜900的製造方法中，直至在第1框體911的與第2框體913相向的面上形成貫穿孔921的步驟為止，與實施形態5同樣，因此省略詳細說明。與實施形態5的不同之處在於，在第1框體911上不形成與貫穿孔921連接的槽部。而且，在第2框體913的與第1框體911相向的面上形成第1開口923，在第2框體913的內側的面上形成第2開口925，在第2框體913的內部形成連接2個開口的孔927，將第1開口923連接至貫穿孔921。其他製造步驟與防塵薄膜700同樣，因此省略詳細說明。
(實施形態10)
對下述示例進行說明，即，將實施形態5中說明的鄰接於防塵薄膜用膜501而在第1框體511上配置過濾網531的結構與實 施形態8的具備孔823的第2框體813加以組合的示例。
圖22是本發明的一實施形態的防塵薄膜1000在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜1000具備：配置有防塵薄膜用膜1001的第1框體1011、及支持第1框體1011的第2框體1013。而且，防塵薄膜1000具備：貫穿第1框體1011的貫穿孔1021、及過濾網1031，該過濾網1031在第1框體1011的配置有防塵薄膜用膜1001的面側鄰接於防塵薄膜用膜1001而覆蓋貫穿孔1021。而且，較佳為，以過濾網1031的上表面與防塵薄膜用膜1001成為同一面的方式來配置過濾網1031。過濾網1031經由黏著層(未圖示)而配置於第1框體1011上的防塵薄膜用膜1001的區域。
第2框體1013在與第1框體1011相向的面上，具有連接於貫穿孔1021的槽部1025，槽部1025藉由與第1框體1011的結合而形成連接於貫穿孔1021的孔1023，孔1023在第2框體1013的內側的面上具有開口。其他結構與實施形態5及實施形態8中說明的結構同樣，因此省略詳細說明。
本實施形態中，貫穿孔1021貫穿第1框體1011，並連接於孔1023，該孔1023是藉由形成在第2框體1013上的槽部1025與第1框體1011的結合而形成，因此不會在過濾網1031的背面產生貫穿孔1021以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網1031。而且，本實施形態中，由於在第2框體1013上形成槽部1025，因此可比第1框體更容易地進行加工。而且，藉由將防塵 薄膜用膜1001配置於第1框體1011，從而可將防塵薄膜1000的高度降低過濾網1031的厚度量。
(防塵薄膜1000的製造方法)
防塵薄膜1000的製造方法中，直至在第1框體1011的與第2框體1013相向的面上形成貫穿孔1021的步驟為止，與實施形態5同樣，因此省略詳細說明。與實施形態5的不同之處在於，在第1框體1011上不形成與貫穿孔1021連接的槽部。而且，在第2框體1013的與第1框體1011相向的面上，形成連接於貫穿孔1021的槽部1025，經由黏著層1041而將第1框體1011固定至第2框體1013，從而形成孔1023，該孔1023連接於貫穿孔1021且在第2框體1013的內側的面上具有開口。其他製造步驟與防塵薄膜800同樣，因此省略詳細說明。
所述實施形態中，本發明的防塵薄膜的防塵薄膜用膜是膜厚為20nm以上且50nm以下的先前所沒有的較薄的膜，因此難以如先前的防塵薄膜般用手固定至光罩。因此，必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式貼附至光罩。本實施形態中，對下述示例進行說明，即，在第2框體上設置以非接觸方式貼附至光罩的貼附部件。
圖23是本發明的一實施形態的防塵薄膜1100中所用的第2框體1113的示意圖，上側的圖是第2框體1113的上表面側的立體圖，下側的圖是第2框體1113的底面側的立體圖。防塵薄膜1100具備：配置有防塵薄膜用膜1101的第1框體1111、及支 持第1框體1111的第2框體1113。而且，防塵薄膜1100具備：貫穿防塵薄膜用膜1101與第1框體1111的貫穿孔1121、及覆蓋貫穿孔1121的過濾網1131。過濾網1131經由黏著層(未圖示)而配置在配置有防塵薄膜用膜1101的第1框體1111的面上。
在第2框體1113上表面設置有槽1114。本實施形態中，從第2框體1113的上表面(厚度方向)觀察的槽1114的形狀是沿著第2框體1113的形狀為一周的無接頭形狀。
第2框體1113具有貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。貫穿孔1114A及貫穿孔1114B分別貫穿槽1114的底面與第2框體1113的外側的面之間。
此處，貫穿孔1114A及貫穿孔1114B亦可分別貫穿槽1114的側面與第2框體1113的外側的面之間。而且，貫穿孔1114A及貫穿孔1114B中的任一者亦可省略。即，第2框體1113中，相對於1個槽(槽1114)而連接有2個貫穿孔(貫穿孔1114A及貫穿孔1114B)，但本實施形態並不限定於該態樣。本實施形態中，只要相對於1個槽(槽1114、槽1116)而連接有至少一個貫穿孔即可。
而且，如圖23所示，在第2框體1113的與上表面為相反側的底面上，設置有槽1116。本實施形態中，槽1116的形狀亦與槽1114的形狀同樣，成為在從厚度方向觀察時沿著第2框體1113的形狀為一周的無接頭形狀。
第2框體1113具有貫穿孔1116A及貫穿孔11161B。貫 穿孔1116A及貫穿孔1116B分別貫穿槽1116的底面與第2框體1113的外側的面之間。對於貫穿孔1116A及貫穿孔1116B的變形例(variation)，則與貫穿孔1114A及貫穿孔1114B的變形例同樣。
第2框體1113適合於將防塵薄膜用膜1101與第1框體1111予以固定(支持)來製作防塵薄膜1100的用途。在第2框體1113上，在成為與第1框體1111的相向面的上表面設置有槽1114，且設置有連接於該槽1114的貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。因此，在將第1框體1111固定於第2框體1113時，(例如藉由真空泵(pump)等排氣部件)通過貫穿孔1114A及貫穿孔1114B來對槽1114的內部減壓，藉此可對第2框體1113與第1框體1111之間的壓力進行減壓。藉由該減壓，可使壓合力作用於第2框體1113與第1框體1111之間，因此不會接觸至第2框體1113及第1框體1111的前表面及背面(即，第2框體1113的上表面及底面、和第1框體1111的配置有防塵薄膜用膜1101的面及第1框體1111的底面)，而可將兩者予以固定。
第2框體1113與第1框體1111的固定是經由黏著層1141而進行。藉由進行減壓，可經由黏著層1141來按壓第2框體1113與防塵薄膜用膜1101，因此可牢固地固定第2框體1113與第1框體1111。
另外，對於其他結構，與實施形態1中說明的結構同樣，因此省略詳細說明。而且，在圖23中，對與在實施形態1中所示的第1框體111為同樣結構的第1框體1111進行了說明，但本實 施形態亦可適用於實施形態2~實施形態8所示般的與第1框體卡合的第2框體。
(防塵薄膜1100的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜1100的製造方法的基本步驟與實施形態1同樣。與實施形態1同樣，形成第1框體1111。
另行準備第2框體1113。在第2框體1113的上表面形成槽1114，並且形成貫穿槽1114的側面與第2框體1113的外側的面之間的貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。同樣，在第2框體1113的底面形成槽1116，並且形成貫穿槽1116的側面與第2框體1113的外側的面之間的貫穿孔1116A及貫穿孔1116B。
在第2框體1113的底面形成黏著層1143。此時，以第2框體1113的底面上所設的槽1116不會被黏著層1143覆蓋的方式而形成黏著層1143。而且，配置保護黏著層1143的護襯1151。此處，亦可準備形成有黏著層1143的護襯1151，經由黏著層1143而將護襯1151貼附至第2框體1113的底面。
在第2框體1113的上表面，形成黏著層1141。此時，以第2框體1113的上表面所設的槽1114不會被黏著層1141覆蓋的方式而形成黏著層1141。經由黏著層1141而將第1框體1111固定於第2框體1113。用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為，將第2框體1113的高度與配置在第2框體1113下表面的黏著層1143的高度的合計值設為2mm以下。
將第1框體1111固定於第2框體1113的步驟例如是使用圖24所示的防塵薄膜製造裝置5000來進行。防塵薄膜製造裝置5000具備真空腔室(chamber)5100、被載置於真空腔室5100內的載置台5200、用於對真空腔室5100供給氣體的供給管5110、及用於將真空腔室5100內的氣體排出至真空腔室5100外的排出管5120A及排出管5120B。排出管5120A及排出管5120B在真空腔室5100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室5100內的載置台5200上，載置第2框體1113。詳細而言，以相接觸的方式載置第2框體1113的護襯1151與載置台5200。然後，在第2框體1113的黏著層1141上，配置防塵薄膜用膜1101與第1框體1111的複合構件。
作為一例，使用作為矽晶圓(silicon wafer)(例如8吋矽晶圓)的第1框體1111與作為多晶矽膜(p-Si膜)的防塵薄膜用膜1101的複合構件，來作為複合構件。在複合構件的規定位置，設置有用於切割(cut)成第1框體1111的規定尺寸的切槽C1及切槽C2。第1框體1111較佳的是在與第2框體1113貼合前切割成規定尺寸(以下，亦將該操作稱作「修切(trimming)」)。
而且，排出管5120A及排出管5120B分別在真空腔室5100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對第2框體1113的槽1114的內部進行減壓的2個貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。
以下，對使用所述防塵薄膜製造裝置5000的防塵薄膜的製造方法的示例進行說明。首先，在真空腔室5100內的載置台 5200上載置第2框體1113，在第2框體1113的上方載置第1框體1111。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著劑層1141與第1框體1111。
接下來，依照公知的方法來進行第2框體1113與第1框體1111的定位。藉由定位，以由第2框體1113所圍成的開口部來嵌套第1框體1111的方式配置第1框體1111。接下來，將排出管5120A及排出管5120B各自的端部分別連接於用於對第2框體1113(框本體)的槽1114的內部進行減壓的2個貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。
接下來，藉由所述修切，利用切槽C1及切槽C2將第1框體1111與防塵薄膜用膜1101的複合構件切割成與第2框體1113相同的尺寸。
接下來，藉由從供給管5110向真空腔室5100內供給氣體，從而對真空腔室5100內進行加壓。同時，藉由使與排出管5120A及排出管5120B在真空腔室5100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管5120A及排出管5120B、以及第2框體1113的2個貫穿孔1114A及貫穿孔1114B來對設置在第2框體1113上表面的槽1114的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室5100內的整體壓力與槽1114的內部壓力之差(差壓)所產生的第1框體1111與第2框體1113之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第1框體1111與第2框體1113之間產生壓合力， 從而第2框體1113的黏著層1141與第1框體1111黏著。
以上述方式，不會接觸至第1框體1111與第2框體1113的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(對光罩配置防塵薄膜的配置方法)
本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法具有：配置步驟，將防塵薄膜和光罩以第2框體1113的設置有槽1116的面與光罩相向的方式予以配置，所述防塵薄膜是本實施形態的防塵薄膜1100，且在第2框體1113的至少與支持第1框體1111的面為相反側的面上設置有槽1116，所述第1框體1111配置有防塵薄膜用膜1101；以及固定步驟，通過貫穿孔1116A及貫穿孔1116B來對槽1116的內部進行減壓，從而將防塵薄膜1100與光罩予以固定。
根據本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法，藉由槽1116內部的減壓，可使壓合力作用於防塵薄膜1100與光罩之間，因此不會接觸至防塵薄膜1100及光罩的前表面及背面，而可將兩者予以固定。
在本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，較佳為，固定步驟中的減壓是在防塵薄膜1100及光罩被配置於加壓環境下的狀態下進行。根據該態樣，可使配置防塵薄膜1100及光罩的整體環境的壓力與槽1116的內部壓力之差(差壓)更大，因此可使防塵薄膜1100及光罩之間的壓合力更大。因此，可更容易 地固定兩者。
防塵薄膜1100與光罩之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)較佳為1N以上，進而較佳為2N以上。防塵薄膜1100與光罩之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)更佳為10N以上，尤佳為20N以上。防塵薄膜1100與光罩之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)的上限並無特別限制，但考慮到生產性等的觀點，例如為500N，較佳為400N。
接下來，參照圖25來說明本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的一例。但是，本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不受此一例限定。圖25是概念性地表示適合於本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的光罩製造裝置的一例的剖面圖。
圖25所示的光罩製造裝置6000具備真空腔室6100、用於對真空腔室6100供給氣體的供給管6110、及用於將真空腔室6100內的氣體排出至真空腔室6100外的排出管6120A及排出管6120B。排出管6120A及排出管6120B在真空腔室6100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室6100內，配置光罩6500。作為光罩6500，使用如下所述的光罩，該光罩包含支持基板、積層於該支持基板上的反射層、及形成於反射層上的吸收體層。光罩6500是在真空腔室6100內，以前表面(光照射面，即，設置有反射層及吸收體層的一側的面)為上、背面(光照射面的相反側的面，即，支持 基板側的面)為下的方式而配置。
並且，在光罩6500的反射層及吸收層的上方，配置有去除了護襯1151的防塵薄膜1100。詳細而言，防塵薄膜1100的黏著層1143側朝向與光罩6500的前表面(光照射面)相向的方向而配置。
而且，排出管6120A及排出管6120B分別在真空腔室6100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對設置在第2框體1113底面的槽1116的內部進行減壓的2個貫穿孔。
以下，對使用光罩製造裝置6000來對光罩配置防塵薄膜的配置方法的示例進行說明。首先，準備去除了護襯1151而獲得的防塵薄膜1100。接下來，在真空腔室6100內，以前表面(光照射面)為上的方向來配置光罩6500。此時，為了避免異物附著於光罩6500的前表面及背面，例如以下述方式進行配置，即，僅支持光罩6500的側面等，而機械、夾具、手等不會接觸到光罩6500的前表面及背面。
接下來，將防塵薄膜1100配置於光罩6500的上方。此時，在防塵薄膜1100的膜面上，為了避免異物附著，例如以下述方式進行配置，即，僅支持第2框體1113的側面(外周面)等，而機械、夾具、手等不會接觸到防塵薄膜1100的膜面。而且，在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層1143與光罩6500。接下來，依照公知的方法，進行防塵薄膜1100與光罩6500的定位。
接下來，將排出管6120A及排出管6120B各自的端部分 別連接至用於對第2框體1113的底側的槽1116的內部進行減壓的2個貫穿孔。接下來，從供給管6110對真空腔室6100內供給氣體，藉此來對真空腔室內進行加壓。同時，藉由使與排出管6120A及排出管6120B在真空腔室6100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管6120A及排出管6120B、以及第2框體1113的2個貫穿孔1116A及貫穿孔1116B而對設置在第2框體1113底面的槽1116的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室6100內的整體壓力與槽1116的內部壓力之差(差壓)所產生的防塵薄膜1100與光罩6500之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在防塵薄膜1100與光罩6500之間產生壓合力，從而防塵薄膜1100的黏著層1143與光罩6500黏著。
以上述方式，不會接觸至防塵薄膜1100及光罩6500的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。藉此，可一邊抑制異物向防塵薄膜1100及光罩6500上的附著，一邊將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(對光罩配置防塵薄膜的配置方法的變形例)
所述的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，在將第1框體1111與第2框體1113予以黏著而形成防塵薄膜1100後，配置於光罩6500。然而，本發明的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不限定於此，亦可調換順序。作為一例，對將第2框體配置於光罩之後，在第2框體上黏著第1框體而完成防塵薄膜的示例進行說 明。
本實施形態中，具有：配置步驟，將第2框體1113與光罩以第2框體1113的設置有槽1116的面與光罩相向的方式予以配置，所述第2框體1113在與支持第1框體1111的面為相反側的面上設置有槽1116，所述第1框體1111配置有防塵薄膜用膜1101；固定步驟，通過貫穿孔1116A及貫穿孔1116B來對槽1116的內部進行減壓，從而將防塵薄膜1100與光罩予以固定；以及將配置有防塵薄膜用膜1101的第1框體1111固定至第2框體1113的步驟。
另外，如實施形態9中所說明般，第2框體1113支持配置有防塵薄膜用膜1101的第1框體1111。而且，在第2框體1113上，具備：設置於上表面的槽1114、貫穿槽1114的底面與第2框體1113的外側的面之間的貫穿孔1114A及貫穿孔1114B、設置在與上表面為相反側的底面上的槽1116、以及貫穿槽1116的底面與第2框體1113的外側的面之間的貫穿孔1116A及貫穿孔1116B。
根據本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法，藉由槽1116的內部減壓，可使壓合力作用於第2框體1113與光罩之間，因此不會接觸至第2框體1113及光罩的前表面及背面，而可經由黏著層1143來固定兩者。
本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，較佳為，第2框體1113的固定步驟中的減壓是在第2框體1113及光罩被配置於加壓環境下的狀態下進行。根據該態樣，可使配置有 第2框體1113及光罩的整體環境的壓力與槽1116的內部壓力之差(差壓)更大，因此可使第2框體1113及光罩之間的壓合力更大。因此，可更容易地固定兩者。
第2框體1113與光罩之間的壓合力較佳為1N以上，進而較佳為2N以上。第2框體1113與光罩之間的壓合力更佳為10N以上，尤佳為20N以上。第2框體1113與光罩之間的壓合力的上限並無特別限制，但考慮到生產性等的觀點，例如為500N，較佳為400N。
而且，(例如藉由真空泵等排氣部件)通過貫穿孔1114A及貫穿孔1114B來對槽1114的內部進行減壓，藉此可對第2框體1113與第1框體1111之間的壓力進行減壓。藉由該減壓，可使壓合力作用於第2框體1113與第1框體1111之間，因此不會接觸至第2框體1113及第1框體1111的前表面及背面(即，第2框體1113的上表面及底面、和第1框體1111的配置有防塵薄膜用膜1101的面及第1框體1111的底面)，而可將兩者予以固定。
第2框體1113與第1框體1111的固定是經由黏著層1141來進行。藉由進行減壓，可經由黏著層1141來按壓第2框體1113與防塵薄膜用膜，因此可牢固地固定第2框體1113與第1框體1111。
接下來，參照圖26(a)、圖26(b)來說明本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的變形例。但是，本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不受此一例限定。圖26(a)、 圖26(b)是概念性地表示適合於本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的光罩製造裝置7000的一例的剖面圖。
圖26(a)、圖26(b)所示的光罩製造裝置7000具備：真空腔室7100、用於對真空腔室7100供給氣體的供給管7110、用於將真空腔室7100內的氣體排出至真空腔室7100外的排出管7120A及排出管7120B、以及排出管7220A及排出管7220B。排出管7120A及排出管7120B與排出管7220A及排出管7220B在真空腔室7100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室7100內，配置有光罩7500。作為光罩7500，使用如下所述的光罩，該光罩包含支持基板、積層於該支持基板上的反射層、及形成於反射層上的吸收體層。光罩7500是在真空腔室7100內，以前表面(光照射面，即，設置有反射層及吸收體層的一側的面)為上、背面(光照射面的相反側的面，即，支持基板側的面)為下的方式而配置。
並且，在光罩7500的反射層及吸收層的上方，配置有去除了護襯1151的第2框體1113。詳細而言，第2框體1113的黏著層1143側朝向與光罩7500的前表面(光照射面)相向的方向而配置。
而且，排出管7120A及排出管7120B分別在真空腔室7100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對設置在第2框體1113底面的槽1116的內部進行減壓的2個貫穿孔。
以下，對使用光罩製造裝置7000來對光罩配置防塵薄膜的配置方法的示例進行說明。首先，準備去除了護襯1151而獲得的第2框體1113。接下來，在真空腔室7100內，以前表面(光照射面)為上的方向來配置光罩7500。此時，為了避免異物附著於光罩7500的前表面及背面，例如以下述方式進行配置，即，僅支持光罩7500的側面等，而機械、夾具、手等不會接觸到光罩7500的前表面及背面。
接下來，將第2框體1113配置於光罩7500的上方。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層1143與光罩7500。接下來，依照公知的方法，進行第2框體1113與光罩7500的定位。
接下來，將排出管7120A及排出管7120B各自的端部分別連接至用於對第2框體1113的底側的槽1116的內部進行減壓的2個貫穿孔。接下來，藉由從供給管7110對真空腔室7100內供給氣體，從而對真空腔室7100內進行加壓。同時，藉由使與排出管7120A及排出管7120B在真空腔室7100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管7120A及排出管7120B、以及第2框體1113的2個貫穿孔1116A及貫穿孔1116B來對設置在第2框體1113底面的槽1116的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室7100內的整體壓力與槽1116的內部壓力之差(差壓)所產生的第2框體1113與光罩7500之間的壓合力例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第2框體1113與光罩7500之間產生壓合力，從而防塵薄膜1100的黏著層1143與光罩 7500黏著。(圖26(a))
接下來，在第2框體1113的上方配置第1框體1111。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層1141與第1框體1111。進而，依照公知的方法，進行第2框體1113與第1框體1111的定位。藉由定位，以由第2框體1113所圍成的開口部來嵌套第1框體1111的方式配置第1框體1111。接下來，將排出管7220A及排出管7220B各自的端部分別連接至用於對第2框體1113(框本體)的槽1114的內部進行減壓的2個貫穿孔1114A及貫穿孔1114B。
接下來，藉由從供給管7110向真空腔室7100內供給氣體，從而對真空腔室7100內進行加壓。同時，藉由使與排出管7220A及排出管7220B在真空腔室7100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管7220A及排出管7220B、以及第2框體1113的2個貫穿孔1114A及貫穿孔1114B來對設置在第2框體1113上表面的槽1114的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室7100內的整體壓力與槽1114的內部壓力之差(差壓)所產生的第1框體1111與第2框體1113之間的壓合力(對第2框體1113整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第1框體1111與第2框體1113之間產生壓合力，從而第2框體1113的黏著層1141與第1框體1111黏著(圖26(b))。
藉由所述修切，利用切槽C1及切槽C2將第1框體1111與防塵薄膜用膜1101的複合構件切割成與第2框體1113相同的尺寸。
以上述方式，不會接觸至防塵薄膜1100及光罩7500的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。藉此，可一邊抑制異物向防塵薄膜1100及光罩7500上的附著，一邊將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(曝光方法)
使用所述實施形態的防塵薄膜，可實現藉由極紫外光微影的微細加工。將本發明的防塵薄膜配置於光罩的網線面，將光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從網線面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容防塵薄膜，在真空下，對配置有防塵薄膜的光罩照射5nm以上且30nm以下的光，將從配置有防塵薄膜的光罩的網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材，藉此可在抗蝕劑層上曝光出圖案。
本發明的防塵薄膜的防塵薄膜用膜是膜厚為20nm以上且50nm以下的先前所沒有的較薄的膜，因此難以如先前的防塵薄膜般用手固定至光罩。因此，必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式進行貼附。
將貼附有本發明的防塵薄膜的光罩配置於曝光裝置的規定位置，但在從網線面算起具有3mm以下、尤其是2.5mm的距離的空隙內收容防塵薄膜。
將形成有抗蝕劑層的基材導入至曝光裝置內，將曝光裝置內設為10-4Pa~10-6Pa左右的真空狀態。此時，空氣從貼附於光罩的本發明的防塵薄膜內流出。如上所述，本發明的防塵薄膜 使用剖面具有L字形狀的構件來作為第2框體，並使過濾網的高度與第2框體的高度大致相等，藉此，不會在過濾網的背面產生貫穿孔以外的空隙，而具備充分的密接性來配置過濾網，因此防塵薄膜用膜不會受到損傷，而可將防塵薄膜內設為真空狀態。
隨後，對配置有防塵薄膜的光罩照射5nm以上且30nm以下的EUV光。光罩在網線面更下層形成有多層反射膜，因此入射至網線面的EUV光被多層反射膜反射後，反映出由網線面的吸收體所形成的圖案的EUV光從網線面透過防塵薄膜而出射。
藉由將從光罩的網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材，從而可在抗蝕劑層上曝光出圖案。藉此，實現先前所沒有的微細加工。
100‧‧‧防塵薄膜
101‧‧‧防塵薄膜用膜
111‧‧‧第1框體
113‧‧‧第2框體
121‧‧‧貫穿孔
131‧‧‧過濾網
141‧‧‧黏著層

Claims (19)

  1. 一種防塵薄膜，其特徵在於包括：第1框體，配置有膜厚為10nm以上且100nm以下的防塵薄膜用膜；第2框體，支持所述第1框體；貫穿孔，貫穿所述第1框體；以及過濾網，在所述第1框體的配置有所述防塵薄膜用膜的面側覆蓋所述貫穿孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述貫穿孔貫穿所述防塵薄膜用膜，所述過濾網被配置在所述防塵薄膜用膜上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述過濾網鄰接於所述防塵薄膜用膜而配置於所述第1框體上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的防塵薄膜，其中所述過濾網以所述過濾網的上表面與所述防塵薄膜用膜成為同一面的方式來配置於所述第1框體上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第1框體在與所述第2框體相向的面上，具有連接於所述貫穿孔的槽部，所述槽部藉由與所述第2框體的結合而形成連接於所述貫穿孔的孔， 所述孔在所述第1框體的內側的面上具有開口。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第2框體具有配置在與所述第1框體相向的面上的第1開口、及配置在所述第2框體的內側的面上的第2開口，2個所述開口利用配置在所述第2框體內部的孔而連接，所述第1開口連接於所述貫穿孔。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第2框體在與所述第1框體相向的面上，具有連接於所述貫穿孔的槽部，所述槽部藉由與所述第1框體的結合而形成連接於所述貫穿孔的孔，所述孔在所述第2框體的內側的面上具有開口。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述防塵薄膜用膜對於13.5nm波長的光具有90.0%以上的透射率，膜厚為20nm以上且50nm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中高度為2mm以下。
  10. 一種防塵薄膜的製造方法，其特徵在於，在基板上形成防塵薄膜用膜，去除規定位置的所述防塵薄膜用膜以使所述基板露出，去除所述基板的一部分，使所述防塵薄膜用膜露出而形成第1框體，並在所述規定位置形成貫穿所述第1框體的貫穿孔， 在所述第1框體的配置有所述防塵薄膜用膜的面側，配置覆蓋所述貫穿孔的過濾網，以所述第1框體側的所述貫穿孔開口的方式，將所述第1框體經由黏著層而固定於第2框體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述貫穿孔是在所述規定位置貫穿所述防塵薄膜用膜而形成，在所述防塵薄膜用膜上，配置覆蓋所述貫穿孔的過濾網。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中鄰接於所述防塵薄膜用膜而在所述第1框體上配置所述過濾網。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中以所述過濾網的上表面與所述防塵薄膜用膜成為同一面的方式，而在所述第1框體上配置所述過濾網。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在所述第1框體的與所述第2框體相向的面上，形成連接於所述貫穿孔的槽部，經由黏著層而將所述第1框體固定於第2框體，並形成孔， 所述孔連接於所述貫穿孔且在所述第1框體的內側的面上具有開口。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在所述第2框體的與所述第1框體相向的面上形成第1開口，在所述第2框體的內側的面上形成第2開口，在所述第2框體的內部形成連接2個所述開口的孔，將所述第1開口連接於所述貫穿孔。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在所述第2框體的與所述第1框體相向的面上，形成連接於所述貫穿孔的槽部，經由黏著層而將所述第1框體固定於第2框體，並形成孔，所述孔連接於所述貫穿孔且在所述第2框體的內側的面上具有開口。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在所述基板上形成膜厚為20nm以上且50nm以下的所述防塵薄膜用膜，所述防塵薄膜用膜對於13.5nm波長的光具有90.0%以上的透射率。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的防塵薄膜的製造方法， 其中將高度設為2mm以下。
  19. 一種曝光方法，其特徵在於，將如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的防塵薄膜配置於光罩的網線面，將所述光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從所述網線面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容所述防塵薄膜，在真空下，對配置有所述防塵薄膜的所述光罩照射13.5nm的光，將從配置有所述防塵薄膜的所述光罩的所述網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113917783B (zh) * 2014-09-19 2023-12-19 三井化学株式会社 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
KR101910302B1 (ko) 2014-09-19 2018-10-19 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법
WO2017179199A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 凸版印刷株式会社 ペリクル
KR102189172B1 (ko) * 2016-06-28 2020-12-09 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법
KR20220162888A (ko) 2016-07-05 2022-12-08 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클, 그 제조 방법, 노광 원판, 노광 장치, 반도체 장치의 제조 방법
WO2018151056A1 (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP2018200380A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
US11143952B2 (en) * 2017-09-28 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle removal method
JP7357432B2 (ja) 2017-10-10 2023-10-06 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法
CN112088334A (zh) 2018-03-05 2020-12-15 三井化学株式会社 防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法
CN111919171B (zh) 2018-03-27 2024-05-14 三井化学株式会社 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法
KR102099872B1 (ko) 2018-05-25 2020-05-28 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
TWI787522B (zh) * 2018-06-12 2022-12-21 日商三井化學股份有限公司 防護薄膜用支撐框架、防護薄膜及防護薄膜用支撐框架的製造方法以及使用了防護薄膜的曝光原版及曝光裝置
TWI687760B (zh) * 2019-04-16 2020-03-11 家登精密工業股份有限公司 具有擾流結構的光罩盒
KR102207853B1 (ko) 2019-06-27 2021-01-27 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
US11347143B2 (en) * 2019-09-30 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof
KR102530226B1 (ko) * 2020-10-28 2023-05-09 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임 및 그 제조방법
KR20220142571A (ko) * 2021-04-14 2022-10-24 한국전자기술연구원 극자외선 노광용 펠리클

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JP2004258113A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Nikon Corp マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法
JP2014049677A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｅｕｖ用ペリクル

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939703U (zh) 1972-07-08 1974-04-08
JPS6141255U (ja) 1984-08-20 1986-03-15 株式会社ニコン マスク保護装置
JPS6344824Y2 (zh) * 1985-02-28 1988-11-21
JPH0262542A (ja) 1988-08-29 1990-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
JPH0342153A (ja) 1989-07-10 1991-02-22 Hitachi Ltd 薄板鋳片連続鋳造機
JPH0342153U (zh) * 1989-08-31 1991-04-22
JPH0493945A (ja) * 1990-08-07 1992-03-26 Seiko Epson Corp フォトマスク
JPH05107747A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JPH05113658A (ja) 1991-10-21 1993-05-07 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
US5604955A (en) 1994-06-10 1997-02-25 Graphic Controls Corporation Surgical lighting fixture cover
JP3529062B2 (ja) * 1994-10-07 2004-05-24 株式会社渡辺商行 ペリクル及びレチクル
JPH1048812A (ja) 1996-08-07 1998-02-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置と、その支持構造
JP2000292909A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
US6300019B1 (en) 1999-10-13 2001-10-09 Oki Electric Industry Co., Ltd. Pellicle
JP2001133960A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法
JP2001312048A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
JP2002107915A (ja) 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの固定方法
US6524754B2 (en) 2001-01-22 2003-02-25 Photronics, Inc. Fused silica pellicle
US6593035B1 (en) * 2001-01-26 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films
JP2002323752A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2003107678A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
DE10253928A1 (de) 2001-11-21 2003-06-18 Asahi Glass Co Ltd Struktur zum Anbringen eines Häutchens an einer Photomaske
JP2004294786A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクル
JP2004354720A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク用ペリクル
JP2005019822A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Asahi Glass Co Ltd マスク保護装置及びマスク保護装置の製造方法、並びにマスク
US20050042524A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Bellman Robert A. Process for making hard pellicles
JP2005250188A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2006060037A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Inc 露光装置
JP4478558B2 (ja) 2004-12-08 2010-06-09 大日本印刷株式会社 大型ペリクルの搬送方法、搬送用治具及びペリクルケース
US8323855B2 (en) * 2007-03-01 2012-12-04 Nikon Corporation Pellicle frame apparatus, mask, exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8018578B2 (en) * 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101689018B (zh) 2007-07-06 2013-03-20 旭化成电子材料株式会社 大型表膜构件的框体及该框体的把持方法
US7829248B2 (en) 2007-07-24 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle stress relief
JP4928494B2 (ja) * 2008-05-02 2012-05-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4934099B2 (ja) * 2008-05-22 2012-05-16 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4903829B2 (ja) * 2009-04-02 2012-03-28 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5047232B2 (ja) 2009-06-26 2012-10-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5479868B2 (ja) 2009-12-02 2014-04-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ペリクル及びその取付方法
JP5033891B2 (ja) * 2010-02-23 2012-09-26 信越化学工業株式会社 ペリクル膜の製造方法
KR101969476B1 (ko) 2010-06-25 2019-04-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
JP2012093595A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレームおよびペリクル
JP2012151158A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｅｕｖ用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法
JP5279862B2 (ja) 2011-03-31 2013-09-04 信越化学工業株式会社 ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル
KR20130067325A (ko) * 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
KR101303795B1 (ko) 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
JP5854511B2 (ja) 2012-10-16 2016-02-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの貼付け方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
JP6008784B2 (ja) 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
CN103246157A (zh) * 2013-05-21 2013-08-14 上海和辉光电有限公司 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法
JP6364404B2 (ja) 2013-05-24 2018-07-25 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置
US9140975B2 (en) * 2013-12-13 2015-09-22 Globalfoundries Inc. EUV pellicle frame with holes and method of forming
CN106233201A (zh) * 2014-05-02 2016-12-14 三井化学株式会社 防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法
JP6423730B2 (ja) * 2014-05-26 2018-11-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
CN113917783B (zh) * 2014-09-19 2023-12-19 三井化学株式会社 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
KR101910302B1 (ko) 2014-09-19 2018-10-19 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클, 펠리클의 제조 방법 및 펠리클을 사용한 노광 방법
SG11201705304PA (en) * 2015-02-24 2017-07-28 Mitsui Chemicals Inc Pellicle film, pellicle frame, and pellicle and method for producing same
EP3079013B1 (en) * 2015-03-30 2018-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
SG11201708585SA (en) * 2015-04-27 2017-11-29 Mitsui Chemicals Inc Method for producing pellicle, and method for producing pellicle-attached photomask

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JP2004258113A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Nikon Corp マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法
JP2014049677A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｅｕｖ用ペリクル

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