CN107003602B - 防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法 - Google Patents

防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

防护膜组件存在如下的问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。对此，本发明提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后至少去除基板的一部分。此外，在去除基板的一部分之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。

Description

防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在光刻用掩模所使用的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明尤其涉及作为远紫外线(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的极薄膜的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法。
背景技术
光刻工序中，为了防止掩模或分划板(reticule)上附着尘埃等废物(颗粒)，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧地架设有防护膜组件膜的防护膜组件。
其中，由于防护膜组件原本就是为了保护光掩模免受尘埃等废物影响而使用的，因此如果制造的防护膜组件上附着了尘埃等，则使用防护膜组件的意义就减弱了。因此，减少尘埃等的附着的防护膜组件的制造方法是现在迫切期望的技术。
其中，尤其是关于EUV用的防护膜组件，如专利文献1那样记载了以下的方法。防护膜组件膜是通过如下那样得到的：首先使用CVD或溅射或者除此之外的成膜方法在硅基板等基板上进行成膜，然后仅将基板在残留周围的框状区域的情况下通过蚀刻等去除(背蚀刻)；由于蚀刻中通常使用已有的半导体制造过程，因此直接以圆盘状、即晶片状态进行。其结果是为了获得防护膜组件膜体，在防护膜组件膜的基板的背蚀刻后，实施防护膜组件膜的修整。不过，如果使用该方法来制造防护膜组件膜，则存在有修整时产生的颗粒(粒子)堆积于膜表面，污染防护膜组件膜的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-004893号公报
发明内容
发明所要解决的课题
防护膜组件存在如下问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。
这里，考虑了将完成的防护膜组件膜进行洗涤的方法，但是，就作为极薄膜的EUV用防护膜组件膜而言，膜厚为纳米级，非常容易破裂。还考虑了通过隐形切割来进行修整的方法，但展开时产生粒子且附着于防护膜组件膜的现象仍然存在，没有实现根本性地解决。
这里，本发明的目的在于提供一种减少尘埃等的附着的EUV用防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法。
用于解决课题的方法
为了解决上述课题，提供一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整防护膜组件膜，以及在修整后从防护膜组件膜去除基板的一部分。
此外，为了解决上述课题，提供一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后从防护膜组件膜去除基板的一部分。
一个实施方式中，可以在将基板的一部分去除之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。
一个实施方式中，可以在将基板的一部分去除之前，将基板的端部进行倒角加工。
一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在基板中形成孔。
一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在防护膜组件膜和基板中形成孔。
一个实施方式中，可以在去除粒子之前，至少在防护膜组件膜中形成孔。
一个实施方式中，可以为了形成孔，使用极短脉冲激光。
一个实施方式中，去除基板的一部分的工序为湿法蚀刻工序，孔可以通过湿法蚀刻工序设置。
一个实施方式中，可以使用极短脉冲激光进行修整。
根据本发明，提供一种防护膜组件框体，其具有防护膜组件膜和第一框体，防护膜组件膜张紧地架设于第一框体，在第一框体的端部具有至少一个弯曲部。
根据本发明，提供一种防护膜组件框体，其具有防护膜组件膜和第一框体，防护膜组件膜张紧地架设于第一框体，在第一框体的端部具有斜面，第一框体的上表面与斜面所成的角度为100度～170度。
根据本发明，提供一种防护膜组件，防护膜组件框体连接于第二框体，在第二框体的端部具有弯曲部。
本发明中，第一框体的端部是指侧面、角部、转角部。具体而言，包括基板(在使用基板作为第一框体的情况下，为第一框体)的侧面与侧面所成的角部、基板的上表面(与防护膜组件膜相接的一侧的表面)与侧面所成的角部、以及作为包含基板的上表面与两个侧面相交的点的区域的转角部。
发明的效果
本发明涉及的防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前进行孔形成、修整等伴有产生尘埃的工序，从而即使在由于伴有产生尘埃的工序导致尘埃等附着于防护膜组件膜的情况下，也能通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前洗涤防护膜组件膜，从而使完成的防护膜组件的尘埃等的附着减少到极限，能够提供高品质的防护膜组件。
此外，本发明的一个实施方式中，可以提供防护膜组件框体和防护膜组件，其通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前进行R面加工或C面加工，从而(即使在制造后)能够减少尘埃等的附着。
附图说明
图1为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的流程图。
图2为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示基板100的截面图，(b)表示基板100以及层叠于基板100的防护膜组件膜102的截面图。
图3为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)、(c)表示A-A’间的剖面图。
图4为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)、(d)表示上表面图，(b)、(c)表示A-A’间的剖面图。
图5为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)(c)(d)(e)(f)表示A-A’间的剖面图。
图6为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的流程图。
图7为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图。
图8为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图。
图9为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图。
图10为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图。
图11为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的流程图。
图12为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体和防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图。
图13为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体、防护膜组件、防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示部分放大图，(c)表示A-A’间的剖面图，(d)表示部分放大图。
图14为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体、防护膜组件、防护膜组件的制造方法的示意图，(a)表示上表面图，(b)表示A-A’间的剖面图，(c)表示部分放大图。
图15为表示一个实施方式涉及的防护膜组件框体、防护膜组件、防护膜组件的制造方法的示意图。
具体实施方式
以下，一边参照附图等一边说明本发明的实施方式。但是，本发明能够以多种不同的方式实施，不应限定性地解释为以下所例示的实施方式的记载内容。此外，关于附图，为了使说明更明确，与实际的方式相比，对于各部分的宽度、厚度、形状等，有时进行示意性表示，其仅是一例，而不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，对于与已经出现过的附图相关并且与前述同样的要素，赋予相同的符号，有时适当省略详细的说明。
本说明书中，当某一部件或区域设为位于另一部件或区域的“上方(或下方)”时，只要没有特别限定，就不仅包括该部件或区域位于另一部件或区域的正上方(或正下方)的情况，还包括位于另一部件或区域的上方(或下方)的情况，也就是说，也包括在与另一部件或区域的上方(或下方)之间含有另外的构成要素的情况。
此外，本说明书中，防护膜组件膜是指防护膜组件所使用的薄膜。防护膜组件框体是指第一框体连接于防护膜组件膜而成的结构。防护膜组件是指第二框体连接于防护膜组件框体而成的结构。
修整是指将基板、或形成于基板和基板上的防护膜组件膜根据期望的防护膜组件形状进行切断。防护膜组件的形状大多为矩形，因此在本说明书中，示出了切断为矩形形状的例子作为修整的具体例。
本说明书中，残留防护膜组件膜而将基板的一部分去除的工序称为背蚀刻。说明书中，作为背蚀刻的例子，示出了从背面(基板的与形成有防护膜组件膜的面相反侧的面)蚀刻的情况。
本说明书中，所谓倒角加工为包含R面加工和C面加工的概念。R面加工是指对基板、第一框体(包括对基板进行背蚀刻而成的结构)、第二框体的至少一个端部(是指侧面、角或转角部等)进行加工，从而形成弯曲部。C面加工是指将上述至少一个端部倾斜地(不限于135度)削去。
(实施方式1)
关于实施本发明的方式，用图1～图5进行说明。
要通过本发明涉及的防护膜组件的制造方法制造的防护膜组件是光刻用防护膜组件。
图1为表示本实施方式涉及的防护膜组件的制造方法的流程图。图2(a)为基板的截面图。本发明中，首先，通过CVD法(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))(例如LP-CVD成膜、PE-CVD成膜等)、溅射制膜等方法，在基板100(例如硅晶片)上如图1那样形成防护膜组件膜102(S101)。图3中基板为正圆，但不限定于此，也可以形成有定向平面、凹口等。此外，基板的种类没有特别限定。
作为防护膜组件膜的材料，可列举多晶硅等，但不限定于此。在使硅系的材料层叠的情况下，从层叠的容易性考虑，优选使用硅晶片作为基板。
从使EUV透过的观点考虑，防护膜组件膜的厚度为10nm以上100nm以下的程度，优选为20nm以上60nm以下。防护膜组件膜可以不形成于整个基板。
此外，防护膜组件膜不限于单层，也可以是层叠结构。例如，可以采取第一氮化硅层、多晶硅层、第二氮化硅层的三层的层叠结构。防护膜组件膜设为第一氮化硅层、多晶硅层、第二氮化硅层的三层的层叠结构时，氮化硅可形成为1nm以上5nm以下，多晶硅可形成为30nm以上60nm以下，氮化硅可形成为1nm以上5nm以下。进一步优选形成为氮化硅1.5nm以上3nm以下、多晶硅30nm以上50nm以下、氮化硅1.5nm以上3nm以下。
本发明中，如图3那样，基板100可以开有一个以上的孔110(S102)。图3为在基板的四个方向形成了孔110的图。图3(a)为上表面图，图3(b)和(c)为作为上表面图的图3(a)的A-A’间的剖面图。孔可以不贯通基板100。如图3(b)那样，可以在所形成的基板100上的防护膜组件膜102中开有一个以上的孔110(S102)。
孔可以如图3(b)那样，不贯通基板。当然，也可以如图3(c)那样，贯通基板。如图3(b)、(c)那样，孔可以形成于防护膜组件膜和基板。
当设置贯通基板的孔时，在后述的修整工序中选择了通过蚀刻进行修整的情况下，以及进行背蚀刻的情况下，可以为了进行孔的保护而设有在进行蚀刻时临时将孔堵塞、或利用抗蚀剂进行孔部分的保护等的工序。
孔110的大小没有限定，例如，如果孔为大致圆形的形状，则开有直径50μm以上2000μm以下程度的孔。优选开有直径200μm以上700μm以下程度的孔。此外，对于孔110的形状没有特别限定，也可以是多边形(例如大致四边形)。在大致四边形的情况下，一条边的长度没有限定，可以开有长边的长度为100μm以上3000μm以下、短边的长度为50μm以上1000μm以下的孔，优选长边的长度为150μm以上2000μm以下、短边的长度为100μm以上700μm以下。
如图4(a)那样，孔110可以配置于防护膜组件的转角部，设置孔的位置没有限定。孔110可以作为将防护膜组件膜安装于光掩模或从光掩模卸下时的定位孔、通气口使用，但作为防护膜组件，孔并不是必须的构成要素。
孔110是通过极短脉冲激光、其他激光、蚀刻等形成的。在通过激光形成时，从制成尘埃等少的高品质的防护膜组件膜的观点出发，优选使用能够减少残屑而加工的极短脉冲激光(例如皮秒激光、纳秒激光)来形成孔。然而，通过不在该时刻形成孔，而是在后述的基板的背蚀刻时通过蚀刻而同时形成孔110，从而能够简化工序。即，顺序是，在进行了修整后同时进行孔形成和蚀刻。
作为使用纳秒激光时的条件，可以设为重复振动频率5kHz以上15kHz以下、脉冲能量5W以上15W以下、扫描每秒5mm以上30mm以下、扫描次数40次以上300次以下，但不限定于此。
此外，使用极短脉冲激光进行加工时，可以使用激光用的残渣(dross)附着防止剂。例如，作为残渣防止剂，可列举在形成孔之前在基板上涂布将异丙醇(IPA)与微石墨混合而成的CBX等试剂，但不限定于此。在使用了残渣附着防止剂的情况下，在孔形成后通过洗涤将其去除。作为其他的残渣附着防止法，例如可通过一边向加工基板吹送氮气一边进行激光加工，从而抑制残渣附着。
本发明中，修整防护膜组件膜(S103)。
本发明中，修整基板(S103)，也可以进一步将在基板上形成的防护膜组件膜与基板一起修整(S103)。也就是说，可以仅修整基板。
具有不将修整后的基板贯通的孔的防护膜组件膜的示意图为图4(b)，具有将基板贯通的孔的防护膜组件膜的示意图为图4(c)。作为修整的例子，记载了修整为矩形形状的具体例，但可加工成任意的形状。修整方法没有限定。例如，施加机械力而将防护膜组件膜和基板切断的方法，也可以通过激光切断、激光半切割(隐形切割)、刀片切割、喷砂、结晶各向异性蚀刻、干法蚀刻进行修整。优选在修整时异物粒子的产生尘埃少的方法。此外，修整后的大小、形状没有限定。
例如，作为产生尘埃少的修整方法，将具有伸缩性并且如果受到来自外部的刺激则粘着力降低的粘着片112贴附于基板的两面侧，并且制作位于贴附有粘着片的部分基板的内部的桥部114(图4(d))，然后，在该桥部114中设置切痕，从而进行修整。
上述说明中，在孔形成(S102)后进行修整(S103)，当然，修整与开孔即使前后颠倒也没有关系，也可以在其间插入其他工序。然而，使用硅晶片作为基板时，从加工的容易性考虑，可以说期望按照孔形成、修整、蚀刻的顺序进行。
本发明中，通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前进行孔形成、修整等伴有产生尘埃的工序，从而即使在由于伴有产生尘埃的工序导致尘埃等粒子附着于防护膜组件膜的情况下，也可以通过在防护膜组件膜下的基板的最终去除工序前洗涤防护膜组件膜等而将粒子去除。这一点是与以往的防护膜组件的制造方法大为不同的点。
本发明中，可以包含去除粒子的工序(S104)。作为去除粒子的方法，例如可列举湿式洗涤法、机械洗涤法、干式洗涤法等，但不限定于此。
作为湿式洗涤法，例如可以为利用纯水的洗涤、利用有机溶剂的洗涤。此外，可以为硫酸过氧化氢溶液洗涤(硫酸和过氧化氢的混合物)、利用缓冲的氢氟酸(氢氟酸和氟化铵的混合物)、氢氟酸等的洗涤。此外，也可以以任意的顺序组合洗涤。
作为机械洗涤法，可以利用刷洗、摇摆洗涤、超声波洗涤或氩气等气溶胶的高压喷射。
作为干式洗涤法，有使用了O2等离子体的灰化洗涤(ashing wash)、氩气溅射等。
本发明中，包括将基板的一部分去除的工序(S105)。图5示出了去除了基板的一部分后的防护膜组件膜的示意图。基板的去除可以将基板在残留框形状的情况下去除。由此，即使是作为极薄膜的EUV用防护膜组件膜，也能被成为框形状的基板支持，防止破损。
基板的去除可以利用湿法结晶各向异性蚀刻、干法各向异性蚀刻或干法各向同性蚀刻等蚀刻，可以利用蚀刻或者研磨，或将其与减薄基板的方法(例如CMP研磨等)组合。
当通过蚀刻进行基板的去除时，可以在同一工序中通过蚀刻来设置孔110。
减薄基板的工序可以在孔的形成前或基板的去除前等进行。通过引入该工序，能够缩短蚀刻所需的时间。关于进行该过程的阶段，没有特别限定。
如图5那样，可以残留基板的一部分而进行去除。残留的部分可以作为防护膜组件膜的第一框体116而利用。作为框体而残留的基板的形状没有特别限定。从提高强度这样的观点考虑，还可以使作为框体而残留的基板多。
为了残留基板的一部分，通过对相当于不去除的位置的基板的背面侧实施掩蔽，从而进行图案化。掩模使用通常在蚀刻时所使用的掩模即可，例如可列举氮化硅。通过蚀刻而形成孔时，不仅对背蚀刻的对应位置进行图案化，也将孔的对应位置包含在内而进行图案化。
此外，蚀刻前，可以在成为框体的部分贴附其他框体的状态下实施蚀刻。通过贴附其他框体，能够增强框体。作为其他框体，例如可以使用后述的第二框体118，也可以使用与框体和第二框体不同的增强框。
在修整后且蚀刻前，可以形成保护膜。保护膜是为了防止由于蚀刻工序、激光加工而导致防护膜组件膜和第一框体被污染或者被蚀刻而形成的。形成了保护膜时，需要在蚀刻工序、激光加工后进行灰化。
例如，引入了减薄基板的工序时，由于基板的物理强度有可能暂时性下降，因此可以通过使用增强框来防止破损。
对于制成的防护膜组件框体，可以利用粘接剂或粘着剂等连接另外的第二框体118(图5(c)(d))。此外，对于另外连接的第二框体的形状、大小、材质没有特别限定。例如，如果如图5那样将防护膜组件膜修整为大致长方形，通过背蚀刻制成第一框体116，则可以另外制成与第一框体116大致相同形状的第二框体并与第一框体116连接。但是，EUV用防护膜组件由于在防护膜组件的高度方面存在限制，因此防护膜组件膜与框体的合计高度优选为2mm以下。此外，如图5(d)那样，另外连接的第二框体中可以设有定位孔，也可以如图5(c)那样不设有定位孔。
此外，可以如图5(e)那样，另外连接没有贯通孔的第二框体，也可以如图5(f)那样，另外连接具有贯通孔的第二框体。图5(f)的贯通孔可以作为通气孔而发挥功能。
作为形成有防护膜组件膜的框的第一框体，由于用于EUV激光环境中，因此虽然也可以使用ArF激光用防护膜组件所使用的那样的铝合金等，但是为了减少作为防护膜组件整体的热应变，优选使用包含与防护膜组件膜的线性热膨胀率接近的硅、蓝宝石、碳化硅中的至少任一种的材质。更优选为硅。
此外，防护膜组件框体(将第一框体连接于防护膜组件膜而成的结构)与第二框体可以通过销栓连接。也就是说，在防护膜组件框体的角、边上等设置销栓孔，并在第二框体中与该销栓孔重叠的位置设置销栓孔，用销栓将其连接。
本实施方式涉及的防护膜组件的制造方法通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前进行孔形成、修整等伴有产生尘埃的工序，从而即使在由于伴有产生尘埃的工序导致尘埃等附着于防护膜组件膜的情况下，也能通过在防护膜组件膜下的基板的去除工序前洗涤防护膜组件膜，从而使完成的防护膜组件膜的尘埃等的附着减少到极限，能够提供高品质的防护膜组件膜的制造方法。
(实施例1)
图6为表示实施例1涉及的防护膜组件的制造方法的流程图。图7为表示在基板200上形成有防护膜组件膜202的状态的示意图。本实施方式中，首先在725μm厚、8英寸的硅晶片200上通过CVD法(化学气相沉积)形成5nm的氮化硅204，在其上形成60nm的多晶硅206，在其上形成5nm的氮化硅208，从而制成防护膜组件膜202(S201)。
本实施例中，接下来，形成合计48个孔210(S202)。孔为短边200μm、长边1500μm的大致长方形，在8英寸晶片的长边侧形成14个，在短边侧形成10个(图8(a))。
本实施例中，孔是使用纳秒的极短脉冲激光形成的(S202)。极短脉冲激光是脉冲宽度位于皮秒或纳秒区域的激光，由于脉冲宽度极短，从而几乎不对防护膜组件膜造成热影响，能够避免不良状况(例如微破裂的产生)而进行加工。
为了形成孔，首先在防护膜组件膜表面涂布激光用残渣防止剂。作为激光用残渣防止剂，使用了JAY INTERNATIONAL制的激光CBX(水溶性速干型、IPA中含有微石墨)。涂布激光CBX后，使激光CBX干燥。
干燥后，利用纳秒激光形成孔。纳秒激光为纳秒2ω激光，将1064nm波长的YAG光源进行波长变换，照射二阶波的532nm波长光的纳秒激光，以重复振动频率10kHz、脉冲能量9W、扫描每秒20mm、扫描次数200次而使用。
根据孔形成方法，如图8(a)所示形成了48个孔后，洗涤激光CBX。
使用纳秒激光，将硅晶片修整为长边145.4mm、短边112.6mm(S203)。图9为表示修整后的状态的示意图。
修整后，通过利用超纯水的洗涤而将粒子去除(S204)。
将粒子去除后，通过背蚀刻，从防护膜组件膜将硅晶片去除(S205)。此时，不去除全部硅晶片，而是残存一部分硅晶片作为框体(图10)。
本发明涉及的防护膜组件的制造方法通过在粒子的去除之前将孔形成、修整等产生尘埃过程全部完成，从而能够使完成的防护膜组件的尘埃等的附着减少到极限，能够提供高品质的防护膜组件的制造方法。
(实施方式2)
一边参照图11一边说明实施方式2。实施方式2是用于制造在制造后(运输时、处理时等)难以产生粒子(颗粒)的防护膜组件框体、防护膜组件的实施方式。对于与实施方式1中叙述的内容相同的情况，记载其主旨，省略详细记载。本实施方式中，在基板300上形成防护膜组件膜302(S301)。该工序与实施方式1的S101中叙述的工序相同。
本实施方式中，可以形成孔310(未图示)。该工序与实施方式1的S102中叙述的工序相同。但是，由于图11中示出的是通过蚀刻进行基板的去除的情况，因此在后述的背蚀刻工序中，基板的去除工序也兼作为孔310的形成过程。
本实施方式中，对基板进行修整(S302)。该工序与实施方式1的S103中叙述的工序相同。
本发明中，在进行了修整后，进行侧面的倒角加工(S303)。侧面的倒角加工包括加工成前述那样的R形状，以及加工成C形状。将作为进行倒角加工的位置的端部(是指侧面、角、转角部等)示于图12。图12中的虚线区域307表示进行倒角加工的具体位置。
参照图12(a)可知，由虚线包围的从防护膜组件膜表面侧看过去的四个转角的位置进行了C面加工。此外，参照截取图12(a)的A-A’位置而得到的图12(b)可知，基板的边(外周部)的由虚线区域307包围的位置进行了C面加工。
在进行了C面加工时，在第一框体(基板)的端部形成斜面。第一框体的上表面(与防护膜组件膜相接的一侧的表面)与端部的斜面所成的角为100度～170度，优选为120度～150度。进一步，第一框体的下表面(与防护膜组件膜相接的一侧的表面的相反面)与端部的斜面所成的角度优选为100度～170度。进一步优选为120度～150度。进一步，在角部，侧面与侧面所成的角度优选为100度～170度。
C面加工中，第一框体的上表面与端部的斜面所成的角可以不全为相同角度，只要为100度～170度即可。第一框体的下表面与端部的斜面所成的角、角部的侧面与侧面所成的角也是同样的状况。
此外，图13(a)还示出进行了R面加工的图。图13(a)中可知，由虚线包围的从防护膜组件膜表面侧看过去的四个转角的位置309进行了R面加工。图13(b)为将虚线区域309放大的、用于表示本说明书中的半径R1的定义的图。此外，参照截取图13(a)的A-A’位置而得到的图13(c)可知，基板的边(外周部)由虚线区域311包围的位置的基板的角部进行了R面加工。图13(d)为将虚线区域311放大的、用于表示本说明书中的半径R2的定义的图。
如图13(a)和(b)所记载的那样，下述弯曲部的曲率半径为半径R1，所述弯曲部为基板的侧面与侧面所成的角部处的弯曲部、和/或作为包含基板的上表面与两个侧面相交的点的区域的转角部处的弯曲部、和/或作为包含基板的底面与两个侧面相交的点的区域的转角部处的弯曲部。本发明中，半径R1为5μm～10mm，优选为5μm～4mm。
如图13(c)和(d)所记载的那样，下述弯曲部的曲率半径为半径R2，所述弯曲部为基板的上表面与侧面所成的角部处的弯曲部、和/或基板的底面与侧面所成的角部处的弯曲部。本发明中，半径R2为5μm～100μm，优选为10μm～50μm。
图14为与图13所示不同的R面加工的附图。可知，图14(a)与图13(a)同样，由虚线包围的从防护膜组件膜表面侧看过去的四个转角的位置进行了R面加工。此外，参照截取图14(a)的A-A’位置而得到的图14(b)可知，基板的边(外周部)由虚线区域312包围的位置在基板的整个侧面进行了整体R面加工。图14(c)为将虚线区域312放大的、用于表示本说明书中的半径R3的定义的图。
如图14(a)、(b)、(c)所记载的那样，在基板的整个侧面进行了整体R面加工时，基板侧面的弯曲部的曲率半径为半径R3。本发明中，半径R3为100μm～500μm，优选为200μm～400μm。
倒角加工是为了去除制造过程中的碎片(由于修整导致的碎片、由于切割导致的破碎痕迹等)，并且为了将尖锐部分(锐角部)去除以使得即使在制造后的运输时、处理时与任意部件碰撞也难以产生碎片而进行的。予以说明的是，从去除锐角部这一观点考虑，倒角加工的范围需要在10μm～3mm程度的范围内进行。
作为R面加工的方法，可以通过利用金刚石研磨等机械研磨、准分子激光(ExcimerLaser)加工、湿法蚀刻、干法蚀刻(例如XeF2等)的加工等来进行。从加工的容易性考虑，优选为金刚石研磨等机械研磨。作为C面加工的方法，可以利用金刚石研磨等物理的研磨、准分子激光(Excimer Laser)加工、湿法蚀刻、干法蚀刻(例如XeF2等)。这里，在R面加工和C面加工中，由于C面加工依然残留了角，成为产生颗粒的原因，因此优选更难以产生颗粒的R面加工。特别是，由于硅晶片比铝的硬度高，因此C面加工中残留了角，由于该角缺损等原因而容易产生颗粒。此外，出于同样的理由，相比于C面加工后的形状，完成的防护膜组件、第一框体、防护膜组件框体优选为具有弯曲部的R形状。予以说明的是，具有弯曲部的R形状所优选的曲率半径的值为上述半径R1、半径R2、半径R3的优选半径的值。
本实施方式中，可以在修整后、蚀刻前形成保护膜303(S304)。形成保护膜303的工序需要在蚀刻之前进行。保护膜是为了防止防护膜组件膜和第一框体由于蚀刻工序、激光加工而被污染或被蚀刻而形成的。
本实施方式中，在背蚀刻之前，进行将粒子去除的洗涤(S305)。粒子的去除与S104所述的相同。予以说明的是，可以在保护膜形成前追加对基板进行洗涤。
作为保护膜303的材料，可列举抗蚀剂、氟系聚合物、对二甲苯系聚合物(例如商用化的PARYLENE(注册商标)等)等。由于后述的灰化工序在背蚀刻后进行，因此优选为容易灰化的对二甲苯系聚合物。保护膜可以通过涂布来形成，也可以通过CVD等蒸镀来形成。
保护膜303优选不仅设置于上表面，还设置于侧面(图15(a))。图15(a)中示出形成了保护膜的状态的防护膜组件框体。予以说明的是，关于基板的背面侧，由于难以通过后述的灰化去除，因此优选不设置保护膜303。因此，未形成保护膜303的基板的背面侧优选用掩蔽膜(未图示)进行养护。基板的背面侧为了图案化而被掩蔽，因此从掩模上方用掩蔽膜进行养护。形成保护层303后，将掩蔽膜去除。
接下来，利用蚀刻液进行背蚀刻工序(S306)。将形成保护膜303并且进行了背蚀刻(对基板的中央部进行蚀刻)后的图示于图15(b)。虽然在图15(b)中没有图示，但不只是基板的中央部，还可以使对应于通气孔等贯通孔的位置的基板溶解、去除。
在形成保护膜的情况下，在背蚀刻之后将保护膜303通过灰化(O2等离子体灰化、大气压等离子体灰化等)而去除(S307，图15(c))。
与实施方式1同样地，可以对第一框体连接第二框体。第二框体可以使用金属(例如经过铝表面钝化(alumite)加工的铝等)。此外，对于第二框体也可以进行倒角加工。
本实施方式中，由于在背蚀刻之前进行了防护膜组件的基板(将基板用作框体时，是指第一框体)的倒角加工，因此能够在防护膜组件框体和防护膜组件的端部形成弯曲部，能够制造在运输时、卸下时等制造后难以产生颗粒的防护膜组件框体和防护膜组件。也就是说，根据本发明人等的见解，虽然已知如果在防护膜组件制造后在基板等的端部存在角，则在运输时、处理时等从角部产生颗粒，但是由于防护膜组件膜是薄膜，因此制造后难以洗涤。即使在制造时进行防护膜组件的倒角加工，在进行防护膜组件膜下的基板的去除后，还是会由于防护膜组件膜是薄膜，因此如果进行R面加工、C面加工，则存在由于此时的压力而导致防护膜组件膜破裂的可能性。此外，R面加工、C面加工通常为产生尘埃工序，从高品质的防护膜组件这一观点考虑，在进行防护膜组件膜下的基板的去除后进行R面加工、C面加工是非常困难的。与此相对，根据本发明的一个实施方式，在背蚀刻之前进行防护膜组件框体和防护膜组件的R面加工和C面加工，因此能够提供高品质的防护膜组件。
在进行了防护膜组件膜下的基板的去除后，由于防护膜组件膜是薄膜，因此如果进行R面加工、C面加工，则由于此时的压力而导致防护膜组件膜破裂。此外，R面加工、C面加工通常为产生尘埃工序，从高品质的防护膜组件这一观点考虑，在进行防护膜组件膜下的基板的去除后进行R面加工、C面加工是非常困难的。因此，通过本发明的制造方法制成的进行了R面加工、C面加工的防护膜组件框体和防护膜组件可以说是本制造方法特有的产品。
(实施例2)
工序1 本实施例中，与实施例1同样地，首先通过CVD法在作为基板的硅晶片上(基板的厚度400μm)进行防护膜组件膜的制膜。
工序2 接下来，在硅晶片的背面(以下，将基板中与形成有防护膜组件膜的表面相反侧的表面称为背面。)，通过CVD法进行氮化硅(厚度400nm)的制膜(以下，将该氮化硅膜称为工艺膜(process film)。)。
工序3 在工艺膜中的对应于将来进行背蚀刻的位置(即，基板的中央部附近)和通气孔形成部的部分，使用抗蚀剂进行图案化。
工序4 通过切割，将硅晶片切断成防护膜组件所使用的矩形形状、防护膜组件所使用的大小(修整工序。此次切断成长边150mm、短边120mm的大小)。
工序5 为了去除由于切割而导致的破碎痕迹，通过辊研磨将切断部的端部周围0.1mm去除(倒角加工工序)。进一步，为了去除角部，通过辊研磨而将R研磨为30μm(倒角加工工序)。
工序6 在防护膜组件膜上制膜派瑞林镀膜(PARYLENE)作为保护膜。
工序7 将形成了防护膜组件膜、工艺膜和保护膜的硅晶片用超纯水通过湿式洗涤法进行洗涤。
工序8 利用蚀刻液(TMAH，四甲基氢氧化铵)进行将硅晶片一部分去除的工序。按照由工序3的图案化形成的图案，使背蚀刻部(基板中央部)和通气孔部的硅晶片溶解、去除。
工序9 将保护膜(PARYLENE)通过灰化(O2灰化)去除。
由上，获得了周围不存在锐角并且能够抑制异物的产生、带有通气孔的防护膜组件。
本实施例中，由于在背蚀刻之前进行防护膜组件的R面加工，因此能够在防护膜组件框体和防护膜组件的端部形成弯曲部，能够制造高品质、并且在制造后(运输时、卸下时等)难以产生颗粒的防护膜组件框体和防护膜组件。在进行防护膜组件膜下的基板的去除后，由于防护膜组件膜是薄膜，因此如果进行R面加工、C面加工，则由于此时的压力而会导致防护膜组件膜破裂。此外，R面加工、C面加工通常为产生尘埃工序，从高品质的防护膜组件这一观点考虑，在进行了防护膜组件膜下的基板的去除后进行R面加工、C面加工是非常困难的。
(实施例3)
实施例3除了工序5以外(工序1～4和6～9)均与实施例2相同。实施例3中，在工序5中，利用具有R为1mm的曲率的凹状研磨辊，将侧面进行辊研磨。
本实施例中，由于在背蚀刻之前进行防护膜组件的R面加工，因此能够在防护膜组件框体和防护膜组件的端部形成弯曲部，并且能够制造高品质、并且制造后(运输时、卸下时等)难以产生颗粒的防护膜组件框体和防护膜组件。
(实施例4)
实施例4除了工序3、6、8以外(工序1、2、4～5、7、9)与实施例2相同。就本实施例而言，工序3中，通过纳米脉冲激光(YAG高阶波)贯通地形成通气孔后，将背面的工艺膜的背蚀刻对应部进行图案化。
此外，就本实施例而言，在工序6中，在防护膜组件膜上和通气孔制膜派瑞林镀膜(PARYLENE)作为保护膜。
此外，就本实施例而言，在工序8中，利用蚀刻液(TMAH)将基板的一部分去除。按照工序3的图案，将中央部(背蚀刻对应部)的基板溶解去除。
本实施例中，由于在背蚀刻之前进行防护膜组件的R面加工，因此能够在防护膜组件框体和防护膜组件的端部形成弯曲部，并且能够制造高品质、并且制造后(运输时、卸下时等)难以产生颗粒的防护膜组件框体和防护膜组件。
以上，对根据本发明的优选实施方式的防护膜组件膜的制造方法进行了说明。但是，这些仅仅是示例，本发明的技术范围不限定于这些。实际上，只要是本领域技术人员，就能够在不脱离权利要求书所请求的本发明主旨的情况下进行各种变更。因此，这些变更当然也应当理解为属于本发明的技术范围。
符号的说明
100：基板；102：防护膜组件膜；108：氮化硅；110：孔；112：粘着片；114：桥部；116：第一框体；118：第二框体；200：基板；202：防护膜组件膜；204、208：氮化硅；206：多晶硅；210：孔；300：基板；302：防护膜组件膜；303：保护膜；316：第一框体。

Claims (9)

1.一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，
在基板上形成防护膜组件膜，
修整所述基板，以及
在所述修整后至少去除附着于所述防护膜组件膜表面的粒子，
在去除所述粒子后，从所述基板的与形成有所述防护膜组件膜的面相反侧的面进行蚀刻，至少去除所述基板的一部分而以框形状残留，将所述以框形状残留的所述基板作为支持所述防护膜组件膜的框体。
2.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，其包括：在去除所述粒子之前，将所述基板的端部进行倒角加工。
3.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，去除所述基板的一部分的工序为湿法蚀刻工序。
4.根据权利要求2所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在去除所述粒子之前，至少在所述基板中形成孔。
5.根据权利要求2所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在去除所述粒子之前，至少在所述防护膜组件膜和所述基板中形成孔。
6.根据权利要求4所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，所述孔是使用极短脉冲激光形成的。
7.根据权利要求5所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，所述孔是使用极短脉冲激光形成的。
8.根据权利要求3所述的防护膜组件的制造方法，通过所述湿法蚀刻工序设置孔。
9.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，使用极短脉冲激光进行所述修整。
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