TWI718143B - 防塵薄膜的製造方法及帶防塵薄膜的光罩的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明抑制在修整時起塵的異物粒子附著於防塵薄膜。本發明的防塵薄膜的製造方法為製造包含防塵薄膜膜及防塵薄膜框的防塵薄膜的方法，所述防塵薄膜框支持該防塵薄膜膜的周圍，該防塵薄膜的製造方法包括：在基板上形成防塵薄膜膜，將具有伸縮性，且在受到來自外部的刺激後，黏著力會降低的黏著片貼附於基板的兩面側，在貼附有黏著片的部分的基板的內部形成切口，維持貼附有黏著片的狀態，將基板的形成有所述切口的部分的外側的基板外周部分離，藉此形成防塵薄膜框，對黏著片施加刺激而剝離黏著片。
Description
本發明是有關於一種防塵薄膜(pellicle)的製造方法。
在大型積體電路(Large Scale Integrated circuit，LSI)、超大LSI等半導體裝置或液晶顯示面板(panel)等的製造中，對光罩(photomask)或網線(reticle)進行曝光而製成圖案，但若光罩或網線的表面存在異物，則會導致每當進行曝光時，異物被轉印至晶圓(wafer)上。因此，採用了如下方式，即，以將防塵薄膜膜配置於與光罩或網線的表面相距數mm的部分的方式，貼附包括防塵薄膜框與防塵薄膜膜的防塵薄膜。即，在將防塵薄膜配置於光罩或網線的至少圖案面的情況下，附著於防塵薄膜表面的異物使聚焦(focus)位置偏移，因此，不在半導體晶圓上所形成的光阻劑(photoresist)上成像，從而不使電路圖案產生缺陷。
作為製造帶防塵薄膜的光罩的方法，以往採用如下方法：將如下防塵薄膜膜拉伸擴大而黏接於具有與光罩或網線的形狀相匹配的形狀的厚度為數毫米左右的防塵薄膜框體的一個緣面，且於防塵薄膜框體的另一個緣面經由黏著材料而貼附於光罩或網線的表面，所述防塵薄膜膜包含厚度為10μm以下的硝化纖維素(nitrocellulose)或纖維素衍生物等的透明高分子膜。
然而，微影術(lithography)的波長正逐步短波長化，作為次世代的微影技術，正逐步開發極紫外線(Extreme Ultraviolet，EUV)微影術。EUV光是指弱X射線區域或真空紫外線區域的波長的光，且是指13.5nm±0.3nm左右的光線。對於光微影術而言，圖案的解析極限為曝光波長的1/2左右，即便使用液浸法，所述圖案的解析極限亦可謂為曝光波長的1/4左右，且即便使用ArF雷射(laser)(波長：193nm)的液浸法，亦可預測其曝光波長的極限為45nm左右。因此，EUV微影術作為能比以往的微影術大幅度地實現微細化的革新性技術而受到期待。
另一方面，EUV光容易被一切物質吸收，因此，EUV微影術需要使曝光裝置內成為真空後進行曝光。因此，認為並非必須在光罩上安裝防塵薄膜。然而，由於所述EUV微影術為前所未有的微細製程，且積層次數亦增加，故而半導體業界擔心只有對裝置內進行無塵管理，才能夠良率佳地製造LSI等，顯然必須在光罩上安裝防塵薄膜。如上所述，EUV光容易被一切物質吸收。因此，為了充分地確保防塵薄膜膜的EUV透射率，配置於防塵薄膜的防塵薄膜膜亦需要為前所未有的奈米級別(nanometer order)的膜。例如在EUV光的波長為13.5nm±0.3nm的情況下，為了獲得90.0%以上的透射率，防塵薄膜膜的厚度需要為10nm以上且為50nm以下。
因此，例如可考慮如下方法：藉由蒸鍍在基板上形成防塵薄膜膜，呈框形狀地對基板進行背向蝕刻(back etching)，藉此
使防塵薄膜膜露出，獲得配置有防塵薄膜膜的防塵薄膜。然而，根據所述方法，為了使防塵薄膜與光罩或網線的形狀相匹配，需要自整個基板僅修整(trimming)出(切出)防塵薄膜所需的部分。由於防塵薄膜膜的膜厚非常薄，故而考慮到搬運(handling)，較佳為以於外周有剩餘的狀態對基板進行修整。藉由修整，於膜的外周剩餘出的基板被用作防塵薄膜框的一部分。再者，背向蝕刻亦已記載於下述的專利文獻1。即，專利文獻1中記載了使作為絕緣層上覆矽(Silicon On Insulator，SOI)基板的矽基板變薄至50μm後，利用DRIE(Deep Reactive Ion Etching：深反應性離子蝕刻)形成蜂窩(honeycomb)構造而製成防塵薄膜膜，然後，將防塵薄膜膜裁斷為與防塵薄膜框架(frame)相同的尺寸。如此，為了使防塵薄膜與光罩或網線的形狀相匹配，需要自整個基板僅修整出(切出)防塵薄膜所需的部分。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-004893號公報
作為僅修整出防塵薄膜所需的部分的方法，已有機械地施力來將防塵薄膜框切斷的方法。然而，該方法存在如下問題：在將防塵薄膜框切斷時，異物粒子會自切斷面起塵(dusting)而附著於防塵薄膜膜，導致防塵薄膜膜受到污染。
本發明是欲解決伴隨如上所述的現有技術的課題的發明，其目的在於抑制在修整時起塵的異物粒子附著於防塵薄膜膜。
根據本發明的一實施形態，提供一種防塵薄膜的製造方法，其為製造包含防塵薄膜膜及防塵薄膜框的防塵薄膜的方法，該防塵薄膜框支持防塵薄膜膜的周圍，該防塵薄膜的製造方法包括：在基板上形成防塵薄膜膜，將具有伸縮性，且在受到來自外部的刺激後，黏著力會降低的黏著片貼附於所述基板的兩面側，在貼附有所述黏著片的部分的所述基板的內部形成切口，維持貼附有所述黏著片的狀態，將所述基板的形成有所述切口的部分的外側的基板外周部分離，藉此形成防塵薄膜框，對所述黏著片施加所述刺激而剝離黏著片。
所述防塵薄膜的製造方法亦可包括：自所述基板的形成有防塵薄膜膜的面的相反側的面進行蝕刻，使所述防塵薄膜膜露出。
亦可在自所述基板的形成有所述防塵薄膜膜的面的相反側的面進行蝕刻，使所述防塵薄膜膜露出後，在露出有所述防塵薄膜膜的區域的周圍，將具有伸縮性，且在受到來自外部的刺激後，黏著力會降低的黏著片貼附於所述基板的兩面側。
所述基板亦可包括將所述防塵薄膜框與所述基板外周部之間予以連接的橋部，在所述基板的內部形成切口是在所述橋部形成切口。
所述黏著片亦可以覆蓋所述橋部的兩個面及側面的方式被貼附。
所述橋部亦可連接於所述防塵薄膜框的4個角。
亦可使用隱形切割(stealth dicing)法在所述基板的內部形成切口。
所述黏著片亦可進而具有抗靜電性。
亦可在將所述基板外周部分離而形成所述防塵薄膜框時，利用抽吸裝置來抽吸分離部分的氣體。
而且，根據本發明的一實施形態，提供一種帶防塵薄膜的光罩的製造方法，其包括：將藉由所述任一項所述的防塵薄膜的製造方法所製造的防塵薄膜經由安裝於所述防塵薄膜框的框體而接合於光罩。
根據本發明的防塵薄膜的製造方法，能夠抑制在修整時起塵的異物粒子附著於防塵薄膜膜。
1:帶防塵薄膜的光罩
10:防塵薄膜
101、201、401、501、601:防塵薄膜膜
102、402、502、602:防塵薄膜框
103:框體
104:光罩
105、405、505、605:基板
106、107、206、207、207A、306、307、307A、607:黏著片
108:切口
109、409、509、609:異物粒子
111、211:基板外周部
202:成為防塵薄膜框的部分
210:橋部
212:開口部
A-A:線
B-B、C-C、D-D:線段
L:切斷預定線
圖1A是第1實施形態所完成的帶防塵薄膜的光罩的示意圖(俯視圖)。
圖1B是圖1A中的A-A線處的第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的剖面圖。
圖2A是表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟
的示意圖。
圖2B是表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟的示意圖。
圖2C是表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟的示意圖。
圖2D是表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟的示意圖。
圖2E是表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟的示意圖。
圖3A是第1實施形態的黏著片的貼附位置的俯視圖。
圖3B是將圖3A的修整部分放大後的圖。
圖4A是詳細地表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟中的修整步驟的示意圖。
圖4B是詳細地表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟中的修整步驟的示意圖。
圖4C是詳細地表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟中的修整步驟的示意圖。
圖4D是詳細地表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟中的修整步驟的示意圖。
圖5A是表示第2實施形態的黏著片的貼附位置的示意圖。
圖5B是表示第2實施形態的黏著片的貼附位置的示意圖。
圖5C是圖5B中的線段C-C的剖面圖。
圖5D是圖5C的開口部被黏著片填埋後的圖。
圖6A是表示第3實施形態的黏著片的貼附位置的示意圖。
圖6B是圖6A中的線段D-D的剖面圖。
圖6C是圖6B的開口部被黏著片填埋後的圖。
圖7A是表示藉由機械地彎折基板來進行修整的方法的示意圖。
圖7B是表示藉由機械地彎折基板來進行修整的方法的示意圖。
圖7C是表示藉由機械地彎折基板來進行修整的方法的示意圖。
圖8A是表示藉由刀片切割(blade dicing)或雷射剝蝕(laser ablation)來進行修整的方法的示意圖。
圖8B是表示藉由刀片切割或雷射剝蝕來進行修整的方法的示意圖。
圖8C是表示藉由刀片切割或雷射剝蝕來進行修整的方法的示意圖。
圖9A是表示藉由隱形切割法來進行修整的方法的示意圖。
圖9B是表示藉由隱形切割法來進行修整的方法的示意圖。
圖9C是表示藉由隱形切割法來進行修整的方法的示意圖。
圖9D是表示藉由隱形切割法來進行修整的方法的示意圖。
以下，參照圖式對本發明的帶防塵薄膜的光罩的製造方
法進行說明。然而，本發明的帶防塵薄膜的光罩的製造方法能以多種不同的形態實施，並不限定於以下所示的實施形態的記載內容來進行解釋。再者，在本實施形態所參照的圖式中，對同一部分或具有相同功能的部分附上相同符號且省略其重複說明。而且，為了便於說明，有時圖式的尺寸比率(各構成之間的比率、縱橫高度方向的比率等)與實際比率不同，或圖式中省略一部分的構成。
<第1實施形態>
[帶防塵薄膜的光罩的構成]
圖1A是第1實施形態所完成的帶防塵薄膜的光罩的示意圖(俯視圖)，圖1B是圖1A中的A-A線處的第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的剖面圖。帶防塵薄膜的光罩1包含防塵薄膜10與光罩104。防塵薄膜10安裝於光罩104的形成有圖案的面側。防塵薄膜10包含防塵薄膜膜101、防塵薄膜框102及框體103。
作為構成防塵薄膜膜101的具體的化合物，可列舉氟系聚合物(polymer)、聚烯烴(polyolefin)、聚醯亞胺(polyimide)等高分子化合物；或釕、鎳、鋯、鈦、鉬、鈮等金屬；結晶矽(例如單晶矽、多晶矽等)、非晶矽(amorphous silicon)、類鑽碳(Diamond Like Carbon，DLC)、石墨(graphite)、非晶碳(amorphous carbon)、石墨烯(graphene)、碳化矽、氮化矽等。
而且，防塵薄膜膜101亦可包含抗氧化膜或散熱膜。抗氧化膜可為包含SiOx(x≦2)、SixNy(x/y為0.7~1.5)、SiON、
SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru或Rh的膜等。
散熱膜較佳為包含熱輻射率高的材料或導熱性高的材料的膜。具體而言，所述散熱膜可為包含與抗氧化膜相同的材料的膜、或包含Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯的膜等。抗氧化膜及散熱膜可形成於防塵薄膜膜101的一個面，亦可形成於該防塵薄膜膜101的兩個面。防塵薄膜膜101可單獨含有一種所述元素及化合物，亦可含有兩種以上的所述元素及化合物。
帶防塵薄膜的光罩1包含防塵薄膜10與光罩104。防塵薄膜10包含防塵薄膜膜101、防塵薄膜框102及框體103。防塵薄膜框102為0.7mm左右的矽，且支持防塵薄膜膜101的周圍。
框體103配置於光罩104與防塵薄膜框102之間。在該例中，以使防塵薄膜膜101與光罩104具有2mm左右的間隔的方式而決定框體103的厚度。框體103經由黏接層而與光罩104及防塵薄膜框102接合。再者，亦可在防塵薄膜框102或框體103中形成通氣孔，該通氣孔用以連接光罩104與防塵薄膜膜101之間所形成的空間與外部空間。
[帶防塵薄膜的光罩的製造步驟]
本實施形態的帶防塵薄膜的光罩例如參照圖2A至圖2E，能夠以如下方式製造。再者，以下的製造步驟為一例。圖2A至圖2E是表示一實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟的示意圖。準備基板105，在基板105上形成防塵薄膜膜101(圖2A)。基板105最終成為防塵薄膜框102。基板105例如能夠使用矽基板、藍
寶石(sapphire)基板、碳化矽基板等，但並不限定於此。
基板105的厚度並無特別限定，例如若為矽基板，則可較佳地使用半導體設備與材料學會(Semiconductor Equipment and Materials Institute，SEMI)標準下的725μm、8吋(inch)的晶圓。為了高效地實施後述的背向蝕刻，亦能夠使用膜厚更薄的基板，只要為50μm以上的膜厚，則不會在形成防塵薄膜膜時裂開，能夠較佳地使用。
防塵薄膜膜101是以藉由蒸鍍使膜厚達到10nm以上且為50nm以下的方式，形成於基板105上。EUV光容易被一切物質吸收，因此，防塵薄膜膜101例如對於波長為13.5nm±0.3nm的光具有90%以上的透射率。
自形成有防塵薄膜膜101的面的相反側的面，對形成有防塵薄膜膜101的基板105進行蝕刻(背向蝕刻)，以使基板105成為框狀的方式而使防塵薄膜膜101露出(圖2B)。背向蝕刻的方法可為乾式蝕刻(dry etching)，亦可為濕式蝕刻(wet etching)。
將經過背向蝕刻後的基板105中的基板外周部111分離，對接合於框體103所需的部分即防塵薄膜框102進行修整(圖2C)。參照圖3A、圖3B、圖4A至圖4D，對修整方法的詳情進行後述。而且，圖2A至圖2E是在背向蝕刻後，對防塵薄膜框102進行修整，但亦可在修整後進行背向蝕刻。
框體103接合於防塵薄膜框102的配置有防塵薄膜膜101的面的相反側的面(圖2D)。
框體103較佳為具有對於EUV光的耐受性，平坦性高且離子溶析性低的材料。而且，為了將源於碳的污染除去而使氫氣在曝光裝置內流動，因此，較佳為利用具有對於氫自由基的耐受性的材料來構成所述框體103。
框體103的材質並無特別限制，能夠設為通常用於防塵薄膜的框的材質。作為框體103的材質，具體而言可列舉鋁、鋁合金(5000系、6000系、7000系等)、不鏽鋼、矽、矽合金、鐵、鐵系合金、碳鋼(carbon steel)、工具鋼(tool steel)、陶瓷(ceramics)、金屬-陶瓷複合材料、樹脂等。其中，考慮到輕量及剛性的方面，鋁、鋁合金更佳。而且，框體103亦可在表面具有保護膜。
保護膜較佳為對於存在於曝光環境中的氫自由基及EUV光具有耐受性的保護膜。作為保護膜，例如可列舉氧化覆膜。氧化覆膜能夠由陽極氧化等眾所周知的方法形成。
將包括修整後的防塵薄膜膜101、防塵薄膜框102、框體103的防塵薄膜10接合於光罩104(圖2E)。藉由該步驟而完成帶防塵薄膜的光罩1。
[修整方法的詳情]
圖3A是本發明第1實施形態的黏著片的貼附位置的俯視圖，圖3B是將圖3A的修整部分放大後的圖。一點劃線表示自相反側的面對基板105進行蝕刻(背向蝕刻)而使防塵薄膜膜101露出的區域。圖3A表示框狀的黏著片106的貼附位置，但黏著片
106不限於框狀，亦可覆蓋防塵薄膜膜101的上表面。首先，當實施圖2C所示的修整時，以覆蓋圖3B的虛線所示的切斷預定線L的方式，將黏著片貼附於基板105的兩個面。即，將黏著片106貼附於防塵薄膜膜101的上表面。圖3A及圖3B中雖未記載，但在基板105的下表面貼附有黏著片107(參照圖4A至圖4C)。黏著片106、107為具有伸縮性，且若存在來自外部的刺激，則黏著力會降低的片材。所謂具有伸縮性，較佳為在黏著片的楊氏模量(Young's modulus)為100MPa~600MPa且伸縮率為20%~40%的範圍內，拉伸強度為10MPa以上。來自外部的刺激是指紫外光。再者，來自外部的刺激不限於紫外光，亦可為熱等其他刺激。
黏著片106、107的構成或材質並無特別限定，例如能夠使用在基材膜上形成有黏著劑層的片材。基材膜能廣泛使用以往已眾所周知的膜，例如能使用聚烯烴系或彈性體(elastomer)系等通用聚合物的膜。具體而言，能夠使用聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系共聚物、聚丙烯、聚丁烯、離子聚合物(ionomer)、聚丁二烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基戊烯、聚胺基甲酸酯等通用聚合物。
黏著劑層能廣泛使用以往已眾所周知的黏著劑，例如可使用丙烯酸系黏著劑等。具體而言，可列舉以丙烯酸酯作為聚合物構成單元的聚合物及丙烯酸酯系共聚物等丙烯酸系聚合物、或與官能性單體的共聚物、以及這些聚合物的混合物。較佳為使用紫外線硬化型或熱硬化型的黏著劑層。若黏著劑層為紫外線硬化
型或熱硬化型，則在剝離黏著片時，黏著劑層會因照射紫外線或加熱而硬化，黏著力降低，因此，能夠不對防塵薄膜膜或防塵薄膜框產生影響而剝離黏著片。而且，在圖4A至圖4C中，黏著片107貼附於基板105的整個下表面，但只要至少存在於與黏著片106相對向的位置，則可以任何方式貼附所述黏著片107。
圖4A至圖4C是詳細地表示第1實施形態的帶防塵薄膜的光罩的製造步驟中的修整步驟的示意圖。圖4A對應於圖3B中的B-B線段的剖面部分。如圖4A所示，在基板105的兩個面貼附有黏著片106、107。如上所述，以自兩個面覆蓋修整時被切斷的部分的方式來貼附黏著片106、107。圖4A中，黏著片106貼附於基板105的上表面的一部分，但只要以覆蓋切斷預定線的方式存在，則可以任何方式貼附所述黏著片106。
其次，在貼附有黏著片106、107的部分的基板105的內部形成切口108(圖4B)。由於僅在基板105的內部形成切口108，故而基板105的表面不會起塵。作為在基板105的內部形成切口108的方法，例如已有隱形切割法，但只要能夠在基板105的內部形成切口108，則並不限定於所述方法。再者，隱形切割法是指如下方法，即，將雷射的聚光點對準加工對象物的內部而照射雷射光，沿著加工對象物的切斷預定線在加工對象物的內部形成改質區域，以改質區域為起點將加工對象物切斷。
其次，連同黏著片107一起擴展(拉伸)基板105(圖4C)。擴展基板105與黏著片107後，分離出基板外周部111，從
而形成防塵薄膜框102。分離出基板外周部111後，存在於內部的切口108部分的異物粒子109會飛散而起塵，但異物粒子109會被黏著片106及黏著片107捕捉。擴展方法亦可為利用棒狀物自黏著片107的下部進行按壓的方法。而且，亦可沿著水平方向擴展黏著片107。進而，亦可與黏著片107一併擴展黏著片106。而且，在擴展時，亦可利用吸塵器(vacuum)(抽吸裝置)自黏著片106的上方進行抽吸。以所述方式，利用吸塵器進行抽吸，藉此，異物粒子109容易被黏著片106捕捉，或異物粒子109會被吸入至吸塵器。而且，為了使黏著片效率良好地捕捉所產生的異物粒子109，亦可在擴展時或擴展後，使用游離器(ionizer)等除去靜電。或者，亦可先僅將貼附於兩個面的黏著片中的一塊片材剝離，成為能夠看到切斷面的狀態，利用吸塵器來抽吸異物粒子109，或亦可使氣流流動而使黏著片捕捉異物粒子109。作為僅將一塊黏著片剝離的方法，例如已有僅對一塊黏著片施加外部刺激，或使用剝離力(剝離溫度)不同的兩種黏著片等方法。
最後，將紫外光照射至黏著片106及黏著片107而使黏著力降低後，自防塵薄膜膜101剝離黏著片106，自防塵薄膜框102剝離黏著片107(圖4D)。圖4A至圖4D是在背向蝕刻後對防塵薄膜框102進行修整，但在修整後進行背向蝕刻的情況下，亦可以自兩個面覆蓋修整時被切斷的部分的方式來貼附黏著片106、107，與圖4A至圖4D同樣地，在修整後剝離黏著片106、107，然後對防塵薄膜膜101進行背向蝕刻。
根據本實施形態，與以往的機械地施力而進行修整的方法相比較，能夠抑制在對必需部分的防塵薄膜框進行修整時起塵的異物粒子的附著。即，以往的機械地施力而進行修整的方法如圖7A至圖7C所示，在切斷基板405時，異物粒子409會起塵而附著於防塵薄膜膜401或防塵薄膜框402。另一方面，根據本實施形態，如圖4C的說明所述，異物粒子109被黏著片106及黏著片107捕捉，因此，能夠抑制異物粒子109附著於防塵薄膜膜101。
而且，作為對修整方法進行改善的方法，除了本實施形態以外，例如亦可考慮如下方法，該方法如圖8A至圖8C所示，利用如刀片切割或雷射剝蝕之類的方法對基板進行修整。然而，這些方法亦無法避免異物粒子509在基板505的切斷過程中起塵，異物粒子509會附著於防塵薄膜膜501或防塵薄膜框502，導致防塵薄膜受到污染。
而且，除此以外，亦可考慮使用所述隱形切割的方法。根據該方法，由於未在作為加工對象物的防塵薄膜的表面形成切口，故而在內部形成有改質區域的階段，異物粒子不會起塵。然而，如圖9A至圖9D所示，在以改質區域為起點而擴展(拉伸)基板605及黏著片607的階段，異物粒子609會飛散而起塵。因此，即使採用隱形切割法，異物粒子609亦會附著於防塵薄膜膜601或防塵薄膜框602，導致防塵薄膜受到污染。
本實施形態與所述其他修整方法相比較，能夠利用黏著片106、107封堵異物粒子109向外部飛散的路徑，因此，能夠抑
制異物粒子109附著於防塵薄膜膜101或防塵薄膜框102。
[第2實施形態]
在第2實施形態中，對如下情況下的黏著片的貼附方法進行說明，所述情況是指預先在基板中的成為防塵薄膜框的部分與基板外周部之間形成開口部，且經由橋部而使所述成為防塵薄膜框的部分與基板外周部彼此連結。根據該例，為了修整而需要形成切口的部分僅為橋部。
圖5A及圖5B是本發明第2實施形態的黏著片的貼附位置的俯視圖，圖5A表示拆除黏著片206後的狀態，圖5B表示貼附有黏著片206的狀態。圖5C是圖5B中的線段C-C的剖面圖。在成為防塵薄膜框的部分202的4個角分別連接有橋部210。成為防塵薄膜框的部分202與基板外周部211之間存在開口部212，成為防塵薄膜框的部分202與基板外周部211經由橋部210而連結。以覆蓋各橋部210的兩個面及兩個側面的方式而貼附有黏著片206、207。黏著片206貼附於防塵薄膜膜201的上表面。黏著片207可跨越橋部210而沿著開口部212貼附，亦可如圖5D所示，以使黏著片207A的黏著劑填埋開口部212的方式而貼附該黏著片207A。在該例中，兩個橋部210由一塊黏著片206覆蓋。
貼附黏著片206、207、207A後，在4個角的橋部分的內部形成切口。此時，沿著與橋部210的延伸方向垂直的方向(例如線段C-C)形成切口。然後，藉由對黏著片207、207A及橋部210進行擴展，橋部210分離，從而形成防塵薄膜框。然後，對黏
著片206、207、207A照射紫外光而剝離黏著片206、207、207A。藉此，修整結束。
[第3實施形態]
在第3實施形態中，基板的構成與第2實施形態相同，黏著片的貼附方法不同。
圖6A是本發明第3實施形態的黏著片的貼附位置的俯視圖。圖6B是圖6A中的線段D-D的剖面圖。與第2實施形態同樣地，以覆蓋各橋部210的兩個面及兩個側面的方式而貼附有黏著片306及黏著片307。另一方面，在該例中，每個橋部210由一塊黏著片306及黏著片307覆蓋。黏著片307可跨越橋部210而沿著開口部212貼附，亦可如圖6C所示，以使黏著片307A的黏著劑填埋開口部212的方式而貼附該黏著片307A。分離方法等與第2實施形態相同，因此省略說明。
101‧‧‧防塵薄膜膜
102‧‧‧防塵薄膜框
106、107‧‧‧黏著片
109‧‧‧異物粒子
111‧‧‧基板外周部
Claims (8)
- 一種防塵薄膜的製造方法，其為製造包含防塵薄膜膜及防塵薄膜框的防塵薄膜的方法，所述防塵薄膜框支持所述防塵薄膜膜的周圍，所述防塵薄膜的製造方法包括：在基板上形成所述防塵薄膜膜，在形成所述防塵薄膜膜之後，自所述基板的形成有所述防塵薄膜膜的面的相反側的面進行蝕刻，使所述防塵薄膜膜露出，在露出有所述防塵薄膜膜的區域的周圍，將具有伸縮性，且在受到來自外部的刺激後，黏著力會降低的黏著片分別貼附於所述基板上的所述防塵薄膜膜、及所述基板的形成有所述防塵薄膜膜的面的相反側的面，使用隱形切割法在貼附有所述黏著片的部分的所述基板的內部形成切口，維持貼附有所述黏著片的狀態，將所述基板的形成有所述切口的部分的外側的基板外周部分離，藉此形成所述防塵薄膜框，對所述黏著片施加所述刺激而剝離所述黏著片。
- 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述基板於成為所述防塵薄膜框的部分與所述基板外周部之間具有開口部，且所述基板包括將成為所述防塵薄膜框的部分與所述基板外周部之間予以連接的橋部，在所述基板的內部形成所述切口是在所述橋部形成所述切口。
- 如申請專利範圍第2項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述黏著片是以覆蓋所述橋部的兩個面及側面的方式被貼附。
- 如申請專利範圍第2項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述橋部連接於所述防塵薄膜框的4個角。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述黏著片具有抗靜電性。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在將所述基板外周部分離而形成所述防塵薄膜框時，利用抽吸裝置來抽吸分離部分的氣體。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述防塵薄膜膜的膜厚為10nm以上且50nm以下。
- 一種帶防塵薄膜的光罩的製造方法，其包括：將藉由如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜的製造方法所製造的防塵薄膜經由安裝於所述防塵薄膜框的框體而接合於光罩。
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