JPH05109889A - ウエハの分割方法 - Google Patents
ウエハの分割方法Info
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- JPH05109889A JPH05109889A JP11905891A JP11905891A JPH05109889A JP H05109889 A JPH05109889 A JP H05109889A JP 11905891 A JP11905891 A JP 11905891A JP 11905891 A JP11905891 A JP 11905891A JP H05109889 A JPH05109889 A JP H05109889A
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- Japan
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- wafer
- adhesive tape
- dividing
- adhesive
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】スクライブ時に破断面から生じる微細な半導体
の断片がウエハに付着せず、かつ、電極などを傷つける
ことのない分割方法を提供する。 【構成】ウエハ１裏面を第１の粘着テープ３に固定し、
分割する位置に微細な傷４を形成し、ウエハ表面に紫外
線照射により付着力の低下する第２の粘着テープ５を貼
り付け、弾性体ローラー７によりウエハ裏面を第１の粘
着テープを介して加圧し、紫外線照射後に第２の粘着テ
ープを剥離すること。 【効果】ウエハ表面は第２の粘着テープで覆われている
ため、破断面から生じる微細な半導体の断片はウエハの
表面に接することはない。加えて、破断面からの断片は
第２の粘着テープに付着したまま除去され、分割された
ウエハ（チップ）の取扱いも容易である。
の断片がウエハに付着せず、かつ、電極などを傷つける
ことのない分割方法を提供する。 【構成】ウエハ１裏面を第１の粘着テープ３に固定し、
分割する位置に微細な傷４を形成し、ウエハ表面に紫外
線照射により付着力の低下する第２の粘着テープ５を貼
り付け、弾性体ローラー７によりウエハ裏面を第１の粘
着テープを介して加圧し、紫外線照射後に第２の粘着テ
ープを剥離すること。 【効果】ウエハ表面は第２の粘着テープで覆われている
ため、破断面から生じる微細な半導体の断片はウエハの
表面に接することはない。加えて、破断面からの断片は
第２の粘着テープに付着したまま除去され、分割された
ウエハ（チップ）の取扱いも容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造にお
ける半導体ウエハ、特にはＧａＡｓなどのへき開性のあ
る化合物半導体ウエハの分割方法に関するものである。
ける半導体ウエハ、特にはＧａＡｓなどのへき開性のあ
る化合物半導体ウエハの分割方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓなどのへき開性のある化
合物半導体ウエハの分割は、スクライブ法により行われ
ている。スクライブ法は、スクライブとよばれる微細な
傷をウエハ表面に形成しておき、ウエハにローラーなど
で圧力をかけて微細な傷を拡大させて分割することによ
りウエハを分割する方法である。
合物半導体ウエハの分割は、スクライブ法により行われ
ている。スクライブ法は、スクライブとよばれる微細な
傷をウエハ表面に形成しておき、ウエハにローラーなど
で圧力をかけて微細な傷を拡大させて分割することによ
りウエハを分割する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スクラ
イブ法においてはローラーなどで圧力をかけて微細な傷
を拡大させるとき、その破断面から微細な半導体の断片
を生る。この断片が、ウエハの表面に付着し、または、
電極などを含むウエハの表面を傷つける。
イブ法においてはローラーなどで圧力をかけて微細な傷
を拡大させるとき、その破断面から微細な半導体の断片
を生る。この断片が、ウエハの表面に付着し、または、
電極などを含むウエハの表面を傷つける。
【０００４】本発明の目的は、スクライブ時に破断面か
ら生じる微細な半導体の断片が半導体ウエハに付着せ
ず、かつ、電極などを傷つけることのないウエハの分割
方法を提供することにある。
ら生じる微細な半導体の断片が半導体ウエハに付着せ
ず、かつ、電極などを傷つけることのないウエハの分割
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハの表面
に複数の電極を設けた半導体ウエハを分割するウエハ分
割方法において、該ウエハの裏面を第１の粘着テープに
固定し、該ウエハの表面の分割する位置に微細な傷を形
成し、該ウエハの表面に紫外線照射により付着力の低下
する第２の粘着テープを貼り付け、弾性体ローラーによ
り前記ウエハの裏面を前記第１の粘着テープを介して該
ウエハが完全に分割される圧力で加圧し、紫外線照射後
に前記第２の粘着テープを剥離することを要旨とするも
のである。
に複数の電極を設けた半導体ウエハを分割するウエハ分
割方法において、該ウエハの裏面を第１の粘着テープに
固定し、該ウエハの表面の分割する位置に微細な傷を形
成し、該ウエハの表面に紫外線照射により付着力の低下
する第２の粘着テープを貼り付け、弾性体ローラーによ
り前記ウエハの裏面を前記第１の粘着テープを介して該
ウエハが完全に分割される圧力で加圧し、紫外線照射後
に前記第２の粘着テープを剥離することを要旨とするも
のである。
【０００６】なお、弾性体ローラーにより前記ウエハの
裏面を加圧する際に、該ウエハの表面を平坦な弾性体に
接触させることが望ましい。
裏面を加圧する際に、該ウエハの表面を平坦な弾性体に
接触させることが望ましい。
【０００７】
【作 用】ウエハに圧力をかけて分割する際、ウエハの
表面は第２の粘着テープで覆われているため、破断面か
ら生じる微細な半導体の断片はウエハの表面に接するこ
とはない。加えて、ウエハの分割後に第２の粘着テープ
の付着力を弱めているので、破断面からの断片は第２の
粘着テープに付着したまま除去され、分割されたウエハ
（チップ）の取扱いも容易である。
表面は第２の粘着テープで覆われているため、破断面か
ら生じる微細な半導体の断片はウエハの表面に接するこ
とはない。加えて、ウエハの分割後に第２の粘着テープ
の付着力を弱めているので、破断面からの断片は第２の
粘着テープに付着したまま除去され、分割されたウエハ
（チップ）の取扱いも容易である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例であるＧａＡｓ半導体
からなるウエハの分割方法を図１を用いて詳細に説明す
る。
からなるウエハの分割方法を図１を用いて詳細に説明す
る。
【０００９】図１（ａ）に示すように、ＧａＡｓ半導体
からなるウエハ１の表面に複数のＭＥＳ−ＦＥＴ（ショ
ットキー接合型電界効果トランジスタ）を構成する電極
２を作成する。ウエハ１の裏面に粘着テープ３（８０μ
ｍ厚）を貼付けて固定する。塩化ビニルからなる粘着テ
ープ３は、２５ｍｍあたり１００ｇの付着力がある。な
お、電極２を形成した後にウエハ１の裏面を研磨し、そ
の厚さを約１００μｍとしている。
からなるウエハ１の表面に複数のＭＥＳ−ＦＥＴ（ショ
ットキー接合型電界効果トランジスタ）を構成する電極
２を作成する。ウエハ１の裏面に粘着テープ３（８０μ
ｍ厚）を貼付けて固定する。塩化ビニルからなる粘着テ
ープ３は、２５ｍｍあたり１００ｇの付着力がある。な
お、電極２を形成した後にウエハ１の裏面を研磨し、そ
の厚さを約１００μｍとしている。
【００１０】その後、ウエハ１の表面に一つのＭＥＳ−
ＦＥＴに対応した約４００μｍの間隔で微細な傷である
スクライブ線４をダイヤモンドポイントにより形成す
る。
ＦＥＴに対応した約４００μｍの間隔で微細な傷である
スクライブ線４をダイヤモンドポイントにより形成す
る。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、ウエハ１
の表面にＵＶテープ５（古河電気工業社製、ＵＣ−１８
２７）を貼付ける。このＵＶテープ５は、厚さ約２００
μｍの合成樹脂製のテープ上に粘着剤が塗布されている
もので、紫外線光の照射により粘着剤が硬化し、粘着力
が低下する特性を持つ。
の表面にＵＶテープ５（古河電気工業社製、ＵＣ−１８
２７）を貼付ける。このＵＶテープ５は、厚さ約２００
μｍの合成樹脂製のテープ上に粘着剤が塗布されている
もので、紫外線光の照射により粘着剤が硬化し、粘着力
が低下する特性を持つ。
【００１２】平坦な弾性体であるシリコンゴムシート６
にＵＶテープ５を介してウエハ１の表面を接触させ、そ
の裏面を粘着テープ３を介して空気圧：１．０kg/cm
2（ゲージ圧）の圧力でローラー７（直径１．５ｍｍ、
合成ゴム製）を回転させながら加圧する。この時、スク
ライブ線４はその傷がウエハ１の深さ方向に深く伸びて
微細な傷が拡大してウエハ１は完全に分割される。
にＵＶテープ５を介してウエハ１の表面を接触させ、そ
の裏面を粘着テープ３を介して空気圧：１．０kg/cm
2（ゲージ圧）の圧力でローラー７（直径１．５ｍｍ、
合成ゴム製）を回転させながら加圧する。この時、スク
ライブ線４はその傷がウエハ１の深さ方向に深く伸びて
微細な傷が拡大してウエハ１は完全に分割される。
【００１３】その後、ウエハ１の表面のＵＶテープ５に
紫外線を照射する。光量５００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を
照射すると、粘着力は４００ｇから１０ｇに低下する。
これにより、ＵＶテープ５の剥離が容易になるととも
に、破断面から生じた微細なＧａＡｓの断片は、粘着剤
の硬化時に粘着剤中に取り込まれ除去される。
紫外線を照射する。光量５００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を
照射すると、粘着力は４００ｇから１０ｇに低下する。
これにより、ＵＶテープ５の剥離が容易になるととも
に、破断面から生じた微細なＧａＡｓの断片は、粘着剤
の硬化時に粘着剤中に取り込まれ除去される。
【００１４】以上のようにしてウエハを分割したとき、
分割による不良の発生は皆無であった。
分割による不良の発生は皆無であった。
【００１５】比較例として、上記と同様のＭＥＳ−ＦＥ
Ｔを形成したウエハを、ウエハ１の表面にＵＶテープ５
を貼付けずにウエハを分割した。この場合、２０〜３０
％の不良が発生した。
Ｔを形成したウエハを、ウエハ１の表面にＵＶテープ５
を貼付けずにウエハを分割した。この場合、２０〜３０
％の不良が発生した。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウエハ
の表面に複数の電極を設けた半導体ウエハを分割するウ
エハ分割方法において、該ウエハの裏面を第１の粘着テ
ープに固定し、該ウエハの表面の分割する位置に微細な
傷を形成し、該ウエハの表面に紫外線照射により粘着力
の低下する第２の粘着テープを貼り付け、弾性体ローラ
ーにより前記ウエハの裏面を前記第１の粘着テープを介
して該ウエハが完全に分割される圧力で加圧し、紫外線
照射後に前記第２の粘着テープを剥離することを要旨と
するものである。
の表面に複数の電極を設けた半導体ウエハを分割するウ
エハ分割方法において、該ウエハの裏面を第１の粘着テ
ープに固定し、該ウエハの表面の分割する位置に微細な
傷を形成し、該ウエハの表面に紫外線照射により粘着力
の低下する第２の粘着テープを貼り付け、弾性体ローラ
ーにより前記ウエハの裏面を前記第１の粘着テープを介
して該ウエハが完全に分割される圧力で加圧し、紫外線
照射後に前記第２の粘着テープを剥離することを要旨と
するものである。
【００１７】本発明によれば、ウエハに圧力をかけて分
割する際、ウエハの表面は第２の粘着テープで覆われて
いるため、破断面から生じる微細な半導体の断片はウエ
ハの表面に接することはない。加えて、ウエハの分割後
に第２の粘着テープの付着力を弱めているので、破断面
からの断片は第２の粘着テープに付着したまま除去さ
れ、分割されたウエハ（チップ）の取扱などにも影響を
与えない。
割する際、ウエハの表面は第２の粘着テープで覆われて
いるため、破断面から生じる微細な半導体の断片はウエ
ハの表面に接することはない。加えて、ウエハの分割後
に第２の粘着テープの付着力を弱めているので、破断面
からの断片は第２の粘着テープに付着したまま除去さ
れ、分割されたウエハ（チップ）の取扱などにも影響を
与えない。
【００１８】したがって、破断面から生じる微細な半導
体の断片が半導体ウエハに付着せず、かつ、電極などを
傷つけることがなく、半導体装置を高い歩留まりで製造
することが可能となる。
体の断片が半導体ウエハに付着せず、かつ、電極などを
傷つけることがなく、半導体装置を高い歩留まりで製造
することが可能となる。
【図１】本発明のよるウエハの分割方法を説明するため
の概念図である。
の概念図である。
１…ウエハ、 ２…電極、３…粘着テー
プ、 ４…スクライブ線、５…ＵＶテープ、
６…シリコンゴムシート、７…ローラー。
プ、 ４…スクライブ線、５…ＵＶテープ、
６…シリコンゴムシート、７…ローラー。
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハの表面に複数の電極を設けた半導
体ウエハを分割するウエハ分割方法において、 該ウエハの裏面を第１の粘着テープに固定し、 該ウエハの表面の分割する位置に微細な傷を形成し、 該ウエハの表面に紫外線照射により付着力の低下する第
２の粘着テープを貼り付け、 弾性体ローラーにより前記ウエハの裏面を前記第１の粘
着テープを介して該ウエハが完全に分割される圧力で加
圧し、 紫外線照射後に前記第２の粘着テープを剥離することを
特徴としたウエハの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905891A JPH05109889A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905891A JPH05109889A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109889A true JPH05109889A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=14751865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11905891A Pending JPH05109889A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160102336A (ko) * | 2015-02-20 | 2016-08-30 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 분할 장치 및 분할 방법 |
| WO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP11905891A patent/JPH05109889A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160102336A (ko) * | 2015-02-20 | 2016-08-30 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 분할 장치 및 분할 방법 |
| WO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
| CN107533283A (zh) * | 2015-04-27 | 2018-01-02 | 三井化学株式会社 | 防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法 |
| JPWO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2018-02-15 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
| US10895805B2 (en) | 2015-04-27 | 2021-01-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle manufacturing method and method for manufacturing photomask with pellicle |
| TWI718143B (zh) * | 2015-04-27 | 2021-02-11 | 日商三井化學股份有限公司 | 防塵薄膜的製造方法及帶防塵薄膜的光罩的製造方法 |
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