CN107533283A - 防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。

Description

防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造 方法

技术领域

本发明涉及防护膜组件的制造方法。

背景技术

在LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示面板等的制造中，对光掩模、中间掩模曝光而形成图案，但如果在光掩模、中间掩模的表面具有异物，则每次曝光时异物都会转印到晶片上。因此，采用如下方式：以使防护膜在距离光掩模、中间掩模的表面为数mm的部分配置的方式粘贴具备防护膜组件框和防护膜的防护膜组件。即，在光掩模、中间掩模的至少图案面配置了防护膜组件的情况下，附着于防护膜组件表面的异物由于聚焦位置偏离，因此不会在形成于半导体晶片上的光致抗蚀剂上成像，不会使电路图案产生缺陷。

作为制造带有防护膜组件的光掩模的方法，以往采用了下述方法：将厚度10μm以下的由硝酸纤维素或纤维素衍生物等透明高分子膜形成的防护膜拉伸扩张而粘接于具有与光掩模、中间掩模的形状对应的形状的厚度数毫米左右的防护膜组件框体的一个边缘面，并且将防护膜组件框体的另一个边缘面介由粘着材而粘贴于光掩模、中间掩模的表面。

另外，关于光刻的波长，短波长化推进，作为新一代的光刻技术，EUV光刻的开发正在被推进。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。光刻中，图案的分辨极限为曝光波长的1/2左右，即使使用液浸法也据说是曝光波长的1/4左右，即使使用ArF激光(波长：193nm)的液浸法，其曝光波长的极限也被预测为45nm左右。因此，EUV光刻作为与以往的光刻相比能够大幅微细化的革新技术而受到期待。

另一方面，EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此，EUV光刻中，需要使曝光装置内为真空而进行曝光。因此，认为对光掩模安装防护膜组件并不是必须的。然而，由于是以往没有的微细工艺，层叠次数也增加，因此在半导体行业中担心仅靠装置内的清洁管理则不能成品率良好地制造LSI等，明确了对光掩模安装防护膜组件是必须的。如上所述，EUV光对于所有物质都易于被吸收。因此，为了充分确保防护膜的EUV透过率，配置于防护膜组件的防护膜也需要是以往没有的纳米级的膜。例如，在EUV光的波长为13.5±0.3nm的情况下，为了获得90.0％以上的透过率，防护膜的厚度需要为10nm以上50nm以下。

因此，例如，可以考虑通过蒸镀在基板形成防护膜，将基板回蚀(back etching)成框形状，从而使防护膜露出，获得配置有防护膜的防护膜组件的方法。然而，根据该方法，为了使防护膜组件与光掩模、中间掩模的形状对应，需要从整个基板中仅裁剪出(切出)防护膜组件所需的部分。由于防护膜的膜厚非常薄，因此优选考虑操作性，并在将基板残留于外周的状态下裁剪。通过裁剪，残留于膜外周的基板作为防护膜组件框的一部分使用。另外，关于回蚀，下述专利文献1中也有所记载。即，专利文献1中，记载了将SOI基板的硅基板薄化至50μm后，通过DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应离子蚀刻)形成蜂窝结构而制作防护膜，然后，将防护膜裁切成与防护膜组件框架相同的尺寸。这样，为了使防护膜组件与光掩模、中间掩模的形状对应，需要从整个基板中仅裁剪(切出)防护膜组件所需的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-004893号公报

发明内容

发明所要解决的课题

作为仅裁剪出防护膜组件所需的部分的方法，有机械地施加力，切断防护膜组件框这样的方法。然而，就该方法而言，会有在切断防护膜组件框时，从切断面产生异物粒子并附着于防护膜，污染防护膜这样的问题。

本发明要解决伴随上述那样的现有技术的课题，其目的在于，抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜。

用于解决课题的方法

根据本发明的一个实施方式，提供一种防护膜组件的制造方法，是制造包含防护膜和支撑防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片粘贴于上述基板的两面侧，在粘贴有上述粘着片的部分的上述基板的内部形成切口，维持粘贴有上述粘着片的状态，将上述基板的形成有上述切口的部分的外侧的基板外周部分离，从而形成防护膜组件框，对上述粘着片给予上述刺激而剥离粘着片。

可以包含如下操作：从上述基板的与形成有防护膜的面相反一侧的面进行蚀刻而露出上述防护膜。

可以在从上述基板的与形成有上述防护膜的面相反一侧的面进行蚀刻而露出上述防护膜后，在露出上述防护膜的区域的周围，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片粘贴于上述基板的两面侧。

上述基板可以具备将上述防护膜组件框与上述基板外周部之间联接的桥接部，在上述基板的内部形成切口是指在上述桥接部形成切口。

上述粘着片可以以覆盖上述桥接部的两面和侧面的方式粘贴。

上述桥接部可以与上述防护膜组件框的四角连接。

在上述基板的内部形成切口的操作可以使用隐形切割法。

上述粘着片可以进一步具有抗静电性。

在将上述基板外周部分离而形成上述防护膜组件框时，可以用吸引装置吸引分离部分的气体。

此外，根据本发明的一个实施方式，提供带有防护膜组件的光掩模的制造方法，其包含如下操作：将通过上述任一项所述的防护膜组件的制造方法制造的防护膜组件，介由安装于上述防护膜组件框的框体而与光掩模接合。

发明的效果

根据本发明涉及的防护膜组件的制造方法，能够抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜。

附图说明

图1A是通过第一实施方式而完成的带有防护膜组件的光掩模的示意图(俯视图)。

图1B是第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模在图1A的A-A线处的截面图。

图2A是显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。

图2B是显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。

图2C是显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。

图2D是显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。

图2E是显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。

图3A是第一实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的俯视图。

图3B是将图3A的裁剪部分放大的图。

图4A是详细地显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序中进行裁剪的工序的示意图。

图4B是详细地显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序中进行裁剪的工序的示意图。

图4C是详细地显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序中进行裁剪的工序的示意图。

图4D是详细地显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序中进行裁剪的工序的示意图。

图5A是显示第二实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的示意图。

图5B是显示第二实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的示意图。

图5C是图5B的线段C-C的截面图。

图5D是图5C的开口部被粘着片填埋的情况的图。

图6A是显示第三实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的示意图。

图6B是图6A的线段D-D的截面图。

图6C是图6B的开口部被粘着片填埋的情况的图。

图7A是显示通过机械地折断基板来裁剪的方法的示意图。

图7B是显示通过机械地折断基板来裁剪的方法的示意图。

图7C是显示通过机械地折断基板来裁剪的方法的示意图。

图8A是显示通过刀片切割、激光烧蚀来裁剪的方法的示意图。

图8B是显示通过刀片切割、激光烧蚀来裁剪的方法的示意图。

图8C是显示通过刀片切割、激光烧蚀来裁剪的方法的示意图。

图9A是显示通过隐形切割法来裁剪的方法的示意图。

图9B是显示通过隐形切割法来裁剪的方法的示意图。

图9C是显示通过隐形切割法来裁剪的方法的示意图。

图9D是显示通过隐形切割法来裁剪的方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造方法进行说明。但是，本发明的带有防护膜组件的光掩模的制造方法能够通过多种不同方式实施，不限定于以下所示的实施方式的记载内容而解释。另外，在本实施方式中参照的附图中，对相同部分或具有同样功能的部分附上相同符号，省略其重复的说明。此外，关于附图的尺寸比率(各构成间的比率、纵横高度方向的比率等)，有时为了便于说明，与实际的比率不同，或构成的一部分从附图中省略。

＜第一实施方式＞

[带有防护膜组件的光掩模的构成]

图1A是通过第一实施方式完成的带有防护膜组件的光掩模的示意图(俯视图)，图1B是第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模在图1A的A-A线处的截面图。带有防护膜组件的光掩模1包含防护膜组件10和光掩模104。防护膜组件10安装于光掩模104的形成有图案的面侧。防护膜组件10包含防护膜101、防护膜组件框102和框体103。

作为构成防护膜101的具体化合物，可举出氟系聚合物、聚烯烃、聚酰亚胺等高分子化合物、钌、镍、锆、钛、钼、铌等金属、晶体硅(例如单晶硅、多晶硅等)、无定形硅、类金刚石碳(DLC)、石墨、无定形碳、石墨烯、碳化硅、氮化硅等。

此外，防护膜101可以包含抗氧化膜、散热膜。抗氧化膜可以为由SiOx(x≤2)、SixNy(x/y为0.7～1.5)、SiON、SiC、Y₂O₃、YN、Mo、Ru或Rh形成的膜等。

散热膜优选为由热辐射率高的材料、热导性高的材料形成的膜。具体而言，可以为由与抗氧化膜同样的材料形成的膜、由Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯形成的膜等。抗氧化膜和散热膜可以形成于防护膜101的一个面，也可以形成于两面。防护膜101可以单独包含一种上述元素和化合物，也可以包含两种以上。

带有防护膜组件的光掩模1包含防护膜组件10和光掩模104。防护膜组件10包含防护膜101、防护膜组件框102和框体103。防护膜组件框102为0.7mm左右的硅，支撑防护膜101的周围。

框体103配置在光掩模104与防护膜组件框102之间。该例子中，以防护膜101与光掩模104具有2mm左右的间隔的方式确定框体103的厚度。框体103与光掩模104和防护膜组件框102介由粘接层接合。另外，可以在防护膜组件框102或框体103形成用于将形成于光掩模104与防护膜101之间的空间与外部空间连接的通气孔。

[带有防护膜组件的光掩模的制造工序]

本实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模，例如，可以参照图2A～图2E，如下制造。予以说明的是，以下的制造工序为一个例子。图2A～图2E是显示一个实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序的示意图。准备基板105，在基板105上形成防护膜101(图2A)。基板105是最终成为防护膜组件框102的构件。基板105可以使用例如硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等，但不限定于此。

基板的厚度没有特别限定，例如如果是硅基板则可以合适地使用SEMI标准725μm的8英寸的晶片。为了有效率地实施后述的回蚀，也可以使用更薄的膜厚的基板，如果为50μm以上的膜厚，则在形成防护膜时不会破裂，可以合适地使用。

防护膜101通过蒸镀以膜厚成为10nm以上50nm以下的方式形成在基板105上。由于EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此防护膜101例如对于13.5±0.3nm的波长的光具有90％以上的透射率。

对于形成有防护膜101的基板105，从与形成有防护膜101的面相反一侧的面进行蚀刻(回蚀)，以基板105成为框状的方式露出防护膜101(图2B)。作为回蚀的方法，可以为干蚀刻也可以为湿蚀刻。

进行了回蚀的基板105中，将基板外周部111分离，裁剪出作为与框体103接合所需的部分的防护膜组件框102(图2C)。关于裁剪方法的详细内容，参照图3A、3B、4A～4D在下文描述。此外，图2A～图2E中在回蚀后裁剪出防护膜组件框102，但也可以在裁剪后进行回蚀。

框体103接合于防护膜组件框102的与配置有防护膜101的面相反一侧的面(图2D)。

作为框体103，优选为具有对EUV光的耐性、平坦性高、低离子溶出性的材料。此外，由于为了除去碳来源的污染而在曝光装置内使氢气流通，因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。

框体103的材质没有特别限制，可以为通常的防护膜组件的框所使用的材质。作为框体103的材质，具体而言，可举出铝、铝合金(5000系、6000系、7000系等)、不锈钢、硅、硅合金、铁、铁系合金、碳钢、工具钢、陶瓷、金属-陶瓷复合材料、树脂等。其中，从轻量且刚性的方面考虑，更优选为铝、铝合金。此外，框体103可以在其表面具有保护膜。

作为保护膜，优选为对曝光气氛中存在的氢自由基和EUV光具有耐性的保护膜。作为保护膜，可举出例如氧化被膜。氧化被膜可以通过阳极氧化等公知的方法来形成。

将具备裁剪后的防护膜101、防护膜组件框102、框体103的防护膜组件10与光掩模104接合(图2E)。通过该工序，完成带有防护膜组件的光掩模1。

[裁剪方法的详细内容]

图3A是本发明的第一实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的俯视图，图3B是将图3A的裁剪的部分放大的图。单点划线表示从相反侧的面对基板105进行蚀刻(回蚀)而露出了防护膜101的区域。图3A表示框状的粘着片106的粘贴位置，但粘着片106不限于框状，也可以覆盖防护膜101的上表面。首先，在实施图2C所示的裁剪时，以覆盖由图3B的虚线显示的切断预定线L的方式，在基板105的两面粘贴粘着片。即，在防护膜101的上表面粘贴粘着片106。虽然图3A和图3B中没有记载，但在基板105的下表面，粘贴有粘着片107(参照图4A～图4C)。粘着片106、107是具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的片。所谓具有伸缩性，优选指当粘着片的杨氏模量为100MPa～600MPa，伸缩率为20～40％的范围时，抗拉强度为10MPa以上。所谓来自外部的刺激，是指紫外光。另外，只要是来自外部的刺激，则不限于紫外光，可以为热等其它刺激。

粘着片106、107的构成、材质没有特别限定，例如可以使用在基材膜上形成有粘着剂层的片。基材膜可以广泛使用以往公知的基材膜，例如，可以使用聚烯烃系、弹性体系等通用聚合物的膜。具体而言，可以使用聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等乙烯系共聚物、聚丙烯、聚丁烯、离子交联聚合物、聚丁二烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚甲基戊烯、聚氨酯等通用聚合物。

粘着剂层可以广泛使用以往公知的粘着剂层，例如，可以使用丙烯酸系粘着剂等。具体而言，可举出以丙烯酸酯为聚合物结构单元的聚合物和丙烯酸酯系共聚物等丙烯酸系聚合物、或与官能性单体的共聚物、以及这些聚合物的混合物。作为粘着剂层，优选使用紫外线固化型或热固化型的粘着剂层。如果粘着剂层为紫外线固化型或热固化型，则在剥离粘着片时，通过照射紫外线或加热而使得粘着剂层固化，粘着力降低，因此可以不对防护膜、防护膜组件框带来影响而剥离粘着片。此外，图4A～图4C中粘着片107粘贴于基板105的整个下表面，但只要至少存在于与粘着片106对置的位置，则如何粘贴都可以。

图4A～图4C是详细地显示第一实施方式涉及的带有防护膜组件的光掩模的制造工序中进行裁剪的工序的示意图。图4A对应于图3B的B-B线段的截面部分。如图4A所示，在基板105的两面粘贴有粘着片106、107。如上所述，以从两面覆盖裁剪时被切断的部分的方式粘贴有粘着片106、107。图4A中粘着片106粘贴在基板105的上表面的一部分，但只要以覆盖切断预定线的方式存在，则如何粘贴都可以。

接下来，在粘贴有粘着片106、107的部分的基板105的内部形成切口(图4B)。由于仅在基板105的内部形成切口，因此不会从基板105的表面产生粉尘。作为在基板105的内部形成切口的方法，例如，有隐形切割法，但只要能够在基板105的内部形成切口的方法，则不限于该方法。予以说明的是，所谓隐形切割法，是使激光的聚光点对准加工对象物的内部而照射激光，沿着加工对象物的切断预定线而在加工对象物的内部形成改性区域，以改性区域为起点而切断加工对象物的方法。

接下来，将基板105连同粘着片107一并扩张(拉伸)(图4C)。将基板105和粘着片107扩张时，基板外周部111被分离，形成防护膜组件框102。基板外周部111被分离时，存在于内部的切口部分的异物粒子109飞散而产生粉尘，但异物粒子109被粘着片106和粘着片107捕捉。作为扩张的方法，可以为从粘着片107的下部用棒状物推压的方法。此外，也可以将粘着片107沿水平方向扩张。进一步，也可以将粘着片106与粘着片107一起扩张。此外，也可以在扩张时，从粘着片106的上方，用真空装置(吸引装置)吸引。通过这样用真空装置吸引，从而异物粒子109易于被粘着片106捕捉、或异物粒子109被真空装置吸入。此外，为了使产生的异物粒子109高效地被粘着片捕捉，可以在扩张时或扩张后使用离子发生器等来消除静电。或者，也可以先仅剥离贴于两面的粘着片中的一片而形成可看到切断面的状态，用真空装置吸引异物粒子109，或也可以使气流流通而使异物粒子109被粘着片捕捉。作为仅剥离一方的粘着片的方法，有仅对一方的粘着片给予外部刺激、或使用剥离力(剥离温度)不同的两种粘着片等的方法。

最后，对粘着片106和粘着片107照射紫外光而使粘着力降低，然后从防护膜101剥离粘着片106，从防护膜组件框102剥离粘着片107(图4D)。图4A～图4D中，在回蚀后裁剪出防护膜组件框102，但在裁剪后进行回蚀的情况下，也可以以从两面覆盖裁剪时被切断的部分的方式粘贴粘着片106、107，与图4A～图4D同样地裁剪后，剥离粘着片106、107，然后对防护膜101进行回蚀。

根据本实施方式，与以往的机械地施加力而裁剪的方法相比，能够抑制在裁剪出所需部分的防护膜组件框时产生的异物粒子的附着。即，就以往的机械地施加力而裁剪的方法而言，如图7A～图7C所示，在切断基板405时会产生异物粒子409，并附着于防护膜401、防护膜组件框402。另一方面，根据本实施方式，如图4C的说明中描述的那样，由于异物粒子109被粘着片106和107捕捉，因此能够抑制异物粒子109附着于防护膜101。

此外，作为改善裁剪方法的方法，除了本实施方式以外，例如，如图8A～图8C所示，也可以考虑通过刀片切割、激光烧蚀这样的方法来裁剪基板的方法。然而，即使是这些方法，也不能避免在基板505的切断中产生异物粒子509，异物粒子509会附着于防护膜501、防护膜组件框502，污染防护膜组件。

此外，除此以外可以考虑使用上述的隐形切割的方法。根据该方法，由于在作为加工对象物的防护膜组件的表面不形成切口，因此在内部形成了改性区域的阶段，不会产生异物粒子。但是，如图9A～图9D所示，在以改性区域为起点将基板605和粘着片607扩张(拉伸)的阶段，异物粒子609飞散而产生粉尘。因此，即使利用隐形切割法，异物粒子609也会附着于防护膜601、防护膜组件框602，污染防护膜组件。

本实施方式与上述的其它裁剪方法相比，可以通过粘着片106、107来堵塞异物粒子飞散到外部的通路，因此能够抑制异物粒子109附着于防护膜101、防护膜组件框102。

[第二实施方式]

第二实施方式中，对于在基板中成为防护膜组件框的部分与基板外周部之间预先形成开口部，并介由桥接部互相联接时的粘着片的粘贴方法进行说明。根据该例子，为了裁剪而需要形成切口的部分仅为桥接部。

图5A和图5B是本发明的第二实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的俯视图，图5A表示除去了粘着片206的状态，图5B表示粘贴了粘着片206的状态。图5C是图5B的线段C-C的截面图。在防护膜组件框202的四角分别连接有桥接部210。防护膜组件框202在与基板外周部211之间具有开口部212，防护膜组件框202与基板外周部211介由桥接部210联接。以覆盖各桥接部210的两面和两侧面的方式贴有粘着片206、207。粘着片可以跨过桥接部而沿着开口部粘贴，如图5D所示，也可以以粘着片207A的粘着剂填埋开口部的方式粘贴。该例子中，对于两个桥接部210，用一片粘着片206来覆盖。

在粘贴粘着片206、207、207A后，在四角的桥接部分的内部形成切口。此时，在与桥接部210的延伸方向垂直的方向(例如，线段C-C)形成切口。然后，通过将粘着片207、207A和桥接部210扩张，从而桥接部被分离，形成防护膜组件框。然后，对粘着片206、207、207A照射紫外光，剥离粘着片206、207、207A。由此，裁剪结束。

[第三实施方式]

第三实施方式中，基板的构成与第二实施方式相同，而粘着片的贴法不同。

图6A是本发明的第三实施方式涉及的粘着片的粘贴位置的俯视图。图6B是图6A的线段D-D的截面图。与第二实施方式同样地，以覆盖各桥接部210的两面和两侧面的方式贴有粘着片306和307。另一方面，该例子中，分别对一个桥接部210用一片粘着片306和307来覆盖。粘着片可以跨过桥接部210而沿着开口部212粘贴，如图6C所示，也可以以粘着片307A的粘着剂填埋开口部212的方式粘贴。分离的方法等与第二实施方式同样，因此省略说明。

符号说明

1：带有防护膜组件的光掩模

10：防护膜组件

101、201、401、501、601：防护膜

102、402、502、602：防护膜组件框

103：框体

104：光掩模

105、405、505、605：基板

106、206、306：粘着片

107、207、207A、307、307A、607：粘着片

108、608：切口部

109、409、509、609：异物粒子

210：桥接部

111、211：基板外周部

212：开口部。

Claims (10)

1.一种防护膜组件的制造方法，是制造包含防护膜和支撑防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：

在基板上形成防护膜，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片粘贴于所述基板的两面侧，

在粘贴有所述粘着片的部分的所述基板的内部形成切口，

维持粘贴有所述粘着片的状态，将所述基板的形成了所述切口的部分的外侧的基板外周部分离，从而形成防护膜组件框，

对所述粘着片给予所述刺激而剥离粘着片。

2.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，其包含如下操作：从所述基板的与形成有防护膜的面相反一侧的面进行蚀刻而露出所述防护膜。

3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件的制造方法，从所述基板的与形成有所述防护膜的面相反一侧的面进行蚀刻而露出所述防护膜后，

在露出所述防护膜的区域的周围，将所述粘着片粘贴于所述基板的两面侧。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的防护膜组件的制造方法，所述基板具备将所述防护膜组件框与所述基板外周部之间联接的桥接部，

在所述基板的内部形成切口是指在所述桥接部形成切口。

5.根据权利要求4所述的防护膜组件的制造方法，所述粘着片以覆盖所述桥接部的两面和侧面的方式粘贴。

6.根据权利要求4或5所述的防护膜组件的制造方法，所述桥接部与所述防护膜组件框的四角连接。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的防护膜组件的制造方法，在所述基板的内部形成切口的操作使用隐形切割法。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的防护膜组件的制造方法，所述粘着片具有抗静电性。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的防护膜组件的制造方法，在将所述基板外周部分离而形成所述防护膜组件框时，用吸引装置吸引分离部分的气体。

10.一种带有防护膜组件的光掩模的制造方法，其包含如下操作：将通过权利要求1～9中任一项所述的防护膜组件的制造方法制造的防护膜组件，介由安装于所述防护膜组件框的框体而与光掩模接合。