JPS6169133A - 軟ｘ線露光方法 - Google Patents
軟ｘ線露光方法Info
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- JPS6169133A JPS6169133A JP60095502A JP9550285A JPS6169133A JP S6169133 A JPS6169133 A JP S6169133A JP 60095502 A JP60095502 A JP 60095502A JP 9550285 A JP9550285 A JP 9550285A JP S6169133 A JPS6169133 A JP S6169133A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は軟Ｘ線により微細な半導体集積回路装菫を転写
する軟Ｘ線露光方法に関する。
する軟Ｘ線露光方法に関する。
従来マスク基板材料として、パリレン−Ｎ、ポリイミド
等の有機薄膜を用いマスクの吸収材料として金を用いた
軟Ｘ線露光用マスクが提案されている。又、そのような
マスクはたとえば「第３９回応用物理学会学術講演会講
演予稿集１９７８年第９５頁」に示されているような方
法で製造される。
等の有機薄膜を用いマスクの吸収材料として金を用いた
軟Ｘ線露光用マスクが提案されている。又、そのような
マスクはたとえば「第３９回応用物理学会学術講演会講
演予稿集１９７８年第９５頁」に示されているような方
法で製造される。
即ち、シリコン基板上忙パリレンＮ膜を蒸着によって形
成し、該パリレンＮ膜上にクロム、金。
成し、該パリレンＮ膜上にクロム、金。
ＰＭＭ・Ａレジストをこの順序に形成し、上記レジスト
をエレクトロンビームにより選択的に除去し、次にリフ
トオフによりクロム膜を形成し、該クロム膜をマスクと
してイオンエツチングにより上記金をイオンエツチング
する。そして、上記シリコン基板を化学エツチングによ
るバックエツチングにより支持台部分を残して除去する
。という方法である。
をエレクトロンビームにより選択的に除去し、次にリフ
トオフによりクロム膜を形成し、該クロム膜をマスクと
してイオンエツチングにより上記金をイオンエツチング
する。そして、上記シリコン基板を化学エツチングによ
るバックエツチングにより支持台部分を残して除去する
。という方法である。
しかし乍ら、上記した従来技術には次のような欠点があ
る。１）金は高価な材料であるため高価格のマスクとな
る。２）金等の軟金属の微細パターン形成は、リフト・
オフの技術によらねば形成できず、リフトオフ特有のパ
リ不良をさけることはできない。
る。１）金は高価な材料であるため高価格のマスクとな
る。２）金等の軟金属の微細パターン形成は、リフト・
オフの技術によらねば形成できず、リフトオフ特有のパ
リ不良をさけることはできない。
本発明の目的はマスクの吸収材として金と同穆度のある
いはそれ以上の吸収能を有しかつ容易に微細加工が可能
な軟Ｘ線露光技術を提供することである。
いはそれ以上の吸収能を有しかつ容易に微細加工が可能
な軟Ｘ線露光技術を提供することである。
次に本発明の一実施例を第１図及び第２図（ａ）乃至（
ｄ）をもとに説明する。
ｄ）をもとに説明する。
まず、第１図に本発明に従った軟Ｘ線用マスク２０の構
造を示す。同図に示すよ５Ｋ、有機薄膜であるパリレン
薄膜から成る基板１１の一主面上にシリコン膜１５が選
択的に形成されており、かつ上記基［１１の他の主面の
周辺部にはシリコン材１６が形成されている。このシリ
コン材１６はマスク２０を支持するだめの支持体である
。
造を示す。同図に示すよ５Ｋ、有機薄膜であるパリレン
薄膜から成る基板１１の一主面上にシリコン膜１５が選
択的に形成されており、かつ上記基［１１の他の主面の
周辺部にはシリコン材１６が形成されている。このシリ
コン材１６はマスク２０を支持するだめの支持体である
。
次に上記したマスク２００裂造法を第２図（ａｌ乃至（
ｄｌをもとに説明する。
ｄｌをもとに説明する。
まず同図（ａｌに示すようにシリコンウェハかもなる基
体１０上に２μｍ程度の厚さのパリレン膜１１を蒸着あ
るいは塗布法で形成し、その上に０．２μｍ程度の多結
晶又はアモルファスのシリコン膜１２を蒸着等により形
成し、その上忙厚さ約０．４μｍのレジスト１３（例え
ばＰＭＭＡレジスト）を塗布する。次に（ｂ）のように
上記レジスト１３を露光して選択的に除去し所望パター
ンのレジスト１４に形成する。そして（ｃｌのように上
記レジストパタｌ −ン１４７にマスク、と
じて、シリコン膜１２をＣＦ４プラズマエツチング等に
よりエツチングし所望パターンのシリコン膜１５に形成
する。次に（ｄｌのようｌｃシリコンウェハ１（１’ｉ
面から上記パリレン膜１１の裏面が露出するまでエツチ
ングする。その時、シリコンウェハ１０の一部１６が残
るように選択的にエツチングする。
体１０上に２μｍ程度の厚さのパリレン膜１１を蒸着あ
るいは塗布法で形成し、その上に０．２μｍ程度の多結
晶又はアモルファスのシリコン膜１２を蒸着等により形
成し、その上忙厚さ約０．４μｍのレジスト１３（例え
ばＰＭＭＡレジスト）を塗布する。次に（ｂ）のように
上記レジスト１３を露光して選択的に除去し所望パター
ンのレジスト１４に形成する。そして（ｃｌのように上
記レジストパタｌ −ン１４７にマスク、と
じて、シリコン膜１２をＣＦ４プラズマエツチング等に
よりエツチングし所望パターンのシリコン膜１５に形成
する。次に（ｄｌのようｌｃシリコンウェハ１（１’ｉ
面から上記パリレン膜１１の裏面が露出するまでエツチ
ングする。その時、シリコンウェハ１０の一部１６が残
るように選択的にエツチングする。
上記のよう圧して得られた軟Ｘ線用マスクは、その吸収
能は特！ＩｃＸ＃波長が、５０＾〜１０ｏ′Ａ程度のと
き、金と同程度あるいはそれ以上であり従来のように金
を吸収材とした場合と同程度あるいはそれ以上の吸収効
果となる。又、シリコンは金よりも安価な材料であるた
め低価格のマスクとなる。さらにプラズマエッチ等のエ
ツチング法により容易に微細加工でき、かつリフトオフ
法によるパリ不良をさけることができる。さらに、本発
明においては吸収材にシリコンを用いるため通、常−５
，般に行なわれているイリコンーウエハ加工技術に屓応
した方法により容易に軟Ｘ線用マスクを螺進することが
できる等の種々の効果がある。
能は特！ＩｃＸ＃波長が、５０＾〜１０ｏ′Ａ程度のと
き、金と同程度あるいはそれ以上であり従来のように金
を吸収材とした場合と同程度あるいはそれ以上の吸収効
果となる。又、シリコンは金よりも安価な材料であるた
め低価格のマスクとなる。さらにプラズマエッチ等のエ
ツチング法により容易に微細加工でき、かつリフトオフ
法によるパリ不良をさけることができる。さらに、本発
明においては吸収材にシリコンを用いるため通、常−５
，般に行なわれているイリコンーウエハ加工技術に屓応
した方法により容易に軟Ｘ線用マスクを螺進することが
できる等の種々の効果がある。
本発明は上記した一実施例〈限定されず１例えば、シリ
コンクエバ１０のかわりに一般の平坦な表面を有する支
持部材を用いることもできるが、シリコンウェハを用い
た方が１通常の半導体集積回路装置製造技術に適用でき
るので望ましい。さらに、パリレン膜１１のかわりにポ
リイミド、マイラー等の有機薄膜でも良い。また、所望
パターンのレジスト１４なマスクとしてシリコン膜１２
をエツチングするとき、プラズマエッチする代りに上記
レジスト１４をマスクとして所定のエツチング液により
エツチングしても良い。
コンクエバ１０のかわりに一般の平坦な表面を有する支
持部材を用いることもできるが、シリコンウェハを用い
た方が１通常の半導体集積回路装置製造技術に適用でき
るので望ましい。さらに、パリレン膜１１のかわりにポ
リイミド、マイラー等の有機薄膜でも良い。また、所望
パターンのレジスト１４なマスクとしてシリコン膜１２
をエツチングするとき、プラズマエッチする代りに上記
レジスト１４をマスクとして所定のエツチング液により
エツチングしても良い。
本発明により構成されるマスクは、数１０＾以上の波長
を有するＸ線を使用するとき、最も有効となる。
を有するＸ線を使用するとき、最も有効となる。
第１図は本発明の一実施例に供する軟Ｘ線用マスクの断
面図、第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例に供
する軟Ｘ線用マスクの製造法を示す工程断面図を示す。 １０．１６・・・基体、１１・・・パリレン薄膜、１２
゜１５・・・シリコン膜、１３．１４・・・レジスト、
２゜・・・マスク。
面図、第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例に供
する軟Ｘ線用マスクの製造法を示す工程断面図を示す。 １０．１６・・・基体、１１・・・パリレン薄膜、１２
゜１５・・・シリコン膜、１３．１４・・・レジスト、
２゜・・・マスク。
Claims (1)
- １、実質的にＳｉよりなるマスク・パターンにより、Ｓ
ｉに対する軟Ｘ線の吸収率の高い波長領域を用いてパタ
ーンの転写を行なうことを特徴とする軟Ｘ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095502A JPS6169133A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 軟ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095502A JPS6169133A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 軟ｘ線露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP925879A Division JPS55102232A (en) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | Soft x-rays mask and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169133A true JPS6169133A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=14139370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095502A Pending JPS6169133A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 軟ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08331930A (ja) * | 1996-07-11 | 1996-12-17 | Iseki & Co Ltd | 施肥装置付き歩行型田植機 |
| JP2007053147A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Sony Corp | 有機半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153673A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Siemens Ag | Method of manufacturing mask for xxray lithography |
| JPS5312274A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for x-ray exposure |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP60095502A patent/JPS6169133A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153673A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Siemens Ag | Method of manufacturing mask for xxray lithography |
| JPS5312274A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for x-ray exposure |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08331930A (ja) * | 1996-07-11 | 1996-12-17 | Iseki & Co Ltd | 施肥装置付き歩行型田植機 |
| JP2007053147A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Sony Corp | 有機半導体装置及びその製造方法 |
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