JPH11204624A - 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面保護テープへの剥離テープ貼り付けによ
りウェーハに形成された半導体素子に不良を発生させる
ことがない半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１０の素子形成面に、紫
外線照射により接着力が低下する紫外線照射剥離テープ
１１を貼り付け、この紫外線照射剥離テープ１１の表面
に剥離用テープ１４を押し付けてこれをウェーハ１０か
ら引き離すことによりこの紫外線照射剥離テープ１１を
ウェーハ１０表面から剥離する半導体ウェーハの表面保
護テープ剥離方法において、剥離用テープ１４をウェー
ハ１０の素子形成領域以外の部分の紫外線照射剥離テー
プ１１に押し付けてこれをウェーハ１０から引き離し、
その後連続して素子形成領域の紫外線照射剥離テープ１
１を剥離用テープ１４を押し付けることなくウェーハ１
０から引き離して剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
表面保護テープ剥離方法に関し、特に、粘着テープをウ
ェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付
けてこれをウェーハから剥離し、保護テープの貼り付け
ダメージによる素子の不良を防止する半導体ウェーハの
表面保護テープ剥離方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造工程は、シリコンウェーハ
上に半導体素子を作り込んだ後に、ウェーハの表面に付
着した絶縁膜を除去する工程や、チップの厚みを合せる
ためにウェーハの裏面を研削する工程を有している。ウ
ェーハ裏面の研削工程においては、ウェーハ表面を保護
する表面保護テープをウェーハの表面に貼り付けた後、
裏面研削装置を用いてウェーハの裏面を所望の厚みまで
研削する。研削終了後は、剥離用テープを用いて表面保
護テープをウェーハから引き剥がす。

【０００３】表面保護テープを引き剥がすには、図３に
示すように、先ず、ウェーハ１の上方に位置するローラ
２に巻き付けられた剥離用テープ３を、ローラ２と共に
表面保護テープ４の表面の一端（例えばオリエンテーシ
ョンフラット５部分）に向けて下降させ（（ａ）参
照）、表面保護テープ４の表面に当接したローラ２によ
り剥離用テープ３を表面保護テープ４に押し当て、剥離
用テープ３を表面保護テープ４の表面の一端に貼り付け
る（（ｂ）参照）。

【０００４】次に、その剥離用テープ３を、ローラ２を
介して表面保護テープ４に押し付けたまま、表面保護テ
ープ４の一端側から引き上げる。引き上げられる剥離用
テープ３は、ローラ２の押し下げにより表面保護テープ
４との貼付状態を保持したまま表面保護テープ４の他端
側に向けて移動し、剥離用テープ３と共に表面保護テー
プ４も引き上げて表面保護テープ４をウェーハ１の表面
から引き剥がす（ｃ）参照）。その後、表面保護テープ
４の押し付け状態を維持しつつローラ２がその他端側ま
で移動して、ウェーハ１の表面から表面保護テープ４を
引き剥がす（（ｄ）参照）。

【０００５】このように、剥離用テープ３を用いて表面
保護テープ４を引き剥がす場合、剥離用テープ３は、表
面保護テープ４が持つ密着力より強い密着力で表面保護
テープ４に密着する必要があることから、剥離用テープ
３の貼り付け時の押し付け圧力は充分な密着力が得られ
る程まで高める必要がある。

【０００６】この押し付け圧力は、図４に示すように、
ウェーハ１の表面の一端から他端迄のローラ２の移動範
囲ａの全てに一様にかかるため、ウェーハ１の表面に作
り込まれた半導体素子（チップ）６が例えば変形等のダ
メージを受け易く、この結果半導体素子６の不良が発生
するおそれがある。

【０００７】ところで、表面保護テープをウェーハの表
面から剥離し易くするために、表面保護テープの密着力
そのものを低減させる方法が提案されている。例えば、
特開平４−２８０４２９号公報に開示された半導体装
置の製造方法は、紫外線（ＵＶ）照射硬化型テープを表
面保護テープとして用い、このテープに対し紫外線を照
射することによりその粘着力を弱めて、テープを容易に
引き剥がすことができるようにしている。同様に、保護
テープとして紫外線照射硬化型テープを用いたものとし
て、特開平６−２２４３９７号公報に開示された固体
撮像装置の製造方法、特開平４−２２５５７４号公報に
開示された半導体装置の製造方法、特開平７−２２３
５８号公報に開示された半導体装置の製造方法、およ
び特開平５−６２９５０号公報に開示された半導体ウ
ェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法が知られ
ている。

【０００８】この紫外線照射硬化型テープを表面保護テ
ープとして用いた場合、半導体装置の製造方法と半
導体ウェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法に
示すように、紫外線照射硬化型テープの全面に剥離テー
プを貼り付け、その後この剥離テープを引っ張り上げる
ことにより、ウェーハ表面から表面保護テープである紫
外線照射硬化型テープを引き剥がす。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、紫外線
照射硬化型テープを表面保護テープとして用いた上記従
来の各例において、ウェーハ表面から紫外線照射硬化型
テープを引き剥すための剥離用テープを紫外線照射硬化
型テープの全面に貼り付けた場合、剥離テープの貼り付
け時の押し付け圧力が紫外線照射硬化型テープを介して
ウェーハの表面にかかるのが避けられず、ウェーハ表面
に作り込まれた半導体素子が例えば変形等のダメージを
受けて半導体素子の不良が発生するおそれがある。

【００１０】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、表面保護テープへの剥離テープ貼り付
けによりウェーハに形成された半導体素子に不良を発生
させることがない半導体ウェーハの表面保護テープ剥離
方法の提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、半導体ウェーハの素子形成面
に、紫外線照射により接着力が低下する保護テープを貼
り付け、この保護テープの表面に粘着テープを押し付け
てこれを前記ウェーハから引き離すことによりこの保護
テープをウェーハ表面から剥離する半導体ウェーハの表
面保護テープ剥離方法において、前記粘着テープをウェ
ーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付け
てこれをウェーハから引き離し、その後連続して素子形
成領域の保護テープを前記粘着テープを押し付けること
なくウェーハから引き離して剥離することを特徴とする
半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を提供する。

【００１２】上記構成によれば、粘着テープは、ウェー
ハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けら
れてウェーハから引き離され、引き離し後連続して素子
形成領域の保護テープは粘着テープを押し付けることな
くウェーハから引き離され剥離される。これにより、保
護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成
された半導体素子に不良が発生することを防止すること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程
説明図である。図２は、図１の表面保護テープに貼り付
ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図
である。

【００１４】図１に示すように、半導体ウェーハ１０の
表面には、表面保護テープとして、紫外線（ＵＶ）の照
射により粘着力が低下する機能を備えた紫外線照射剥離
テープ（例えば、リンテック社のＥ−６１４２等）１１
が貼り付けられている。この紫外線照射剥離テープ１１
は、ウェーハ１０上に半導体素子（チップ）１２を作り
込んだ後、チップ１２の厚みを合せるためにウェーハ１
０の裏面を研削する際、チップ１２が形成されたウェー
ハ１０の表面を保護するために使用される。ウェーハ１
０の裏面研削後、紫外線照射剥離テープ１１は、ウェー
ハ１０の表面から引き剥がされる。

【００１５】次に、この紫外線照射剥離テープ１１の剥
離方法を説明する。半導体製造工程において、ウェーハ
１０の上にチップ１２を形成後、ウェーハ１０の表面に
この表面を保護するための紫外線照射剥離テープ１１を
貼りつけ、その後、ウェーハ１０が所望の厚みになるま
でウェーハ１０の裏面研削を行う。裏面研削後、紫外線
照射剥離テープ１１をウェーハ１０から引き剥がす。

【００１６】先ず、ウェーハ１０の表面に向けて例えば
１００〜２００ｍｊ／ｃｍ² の紫外線照射を行い、ウェ
ーハ１０の表面に貼り付けられた紫外線照射剥離テープ
１１の粘着力を低下させる。

【００１７】次に、紫外線照射の後、ウェーハ１０の上
方に位置するローラ１３に巻き付けられた剥離用テープ
（粘着テープ）１４を、ローラ１３と共に紫外線照射剥
離テープ１１の上に下降させる（図１（ａ）参照）。ロ
ーラ１３は、ウェーハ１０の一端に形成されたオリフラ
（オリエンテーションフラット）１５（図２参照）に向
かって移動し、オリフラ１５の近傍で紫外線照射剥離テ
ープ１１の表面に剥離用テープ１４を接触させる。この
とき、ローラ１３は、図２に示すように、ウェーハ１０
の表面の素子形成領域以外の部分であるオリフラ１５と
チップ１２の間の無効部分ｂ上に位置し、この無効部分
ｂで剥離用テープ１４が紫外線照射剥離テープ１１に接
触する。更にローラ１３が下降して、ウェーハ１０上の
無効部分ｂで剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ
１１に押し付け、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テ
ープ１１に貼り付ける（図１（ｂ）参照）。

【００１８】次に、ローラ１３を上方に引き上げて、ウ
ェーハ１０の表面に対するローラ１３の押し付けを解除
し（図１（ｃ）参照）。このローラ１３の押し付けを解
除した状態で、紫外線照射剥離テープ１１に貼り付けた
剥離用テープ１４を、ウェーハ１０の表面のオリフラ１
５側から引き離しつつローラ１３と共にオリフラ１５の
反対側に移動させる。剥離用テープ１４の引き上げによ
り、紫外線が照射されて粘着力が充分に低下した紫外線
照射剥離テープ１１は容易にウェーハ１０の表面から引
き剥がされ、剥離用テープ１４の移動に伴って剥離用テ
ープ１４と共にウェーハ１０の上方へと引き上げられる
（図１（ｄ）参照）。

【００１９】その後、上方に引き上げてウェーハ１０の
表面への押し付けを解除したままのローラ１３を、剥離
用テープ１４を引き離しながらウェーハ１０の表面の他
端側（オリフラ１５の反対側）まで移動させることによ
り、引き離し後連続して素子形成領域の紫外線照射剥離
テープ１１を、剥離用テープ１４を押し付けることなく
ウェーハ１０から引き離して剥離する（図１（ｅ）参
照）。

【００２０】従って、ローラ１３は、最初にチップ１２
が形成されないウェーハ１０の無効部分ｂでウェーハ１
０に当接した後は、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離
テープ１１に押し付けることがない。即ち、ローラ１３
はウェーハ１０の表面に押し付け圧力を付加させずに、
ウェーハ１０の表面から離間したまま移動する。

【００２１】このため、従来の表面保護テープを引き剥
がす場合に生じた、ウェーハ１０の表面のローラの移動
範囲ａにローラの押し付け圧力が加わってウェーハ１０
の表面のチップ１２が例えば変形等のダメージを受ける
ということがなく、剥離用テープ１４を用いて表面保護
テープである紫外線照射剥離テープ１１を引き剥がす際
にウェーハ１０に形成されたチップ１２に不良が発生す
ることを防止することができる。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの表面保護テープ剥離方法によれば、粘着テ
ープは、ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テー
プに押し付けられてウェーハから引き離され、引き離し
後連続して素子形成領域の保護テープは粘着テープを押
し付けることなくウェーハから引き離され剥離されるの
で、保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハ
に形成された半導体素子に不良が発生することを防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの
表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図。

【図２】 図１の表面保護テープに貼り付ける剥離テー
プの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。

【図３】 従来の半導体ウェーハの表面保護テープ剥離
方法を示す工程説明図。

【図４】 図３の表面保護テープに貼り付ける剥離テー
プの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。

【符号の説明】

１０：半導体ウェーハ、１１：紫外線照射剥離テープ、
１２：チップ、１３：ローラ、１４：剥離用テープ、１
５：オリフラ、ａ：移動範囲、ｂ：無効部分。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハの素子形成面に、紫外線照
   射により接着力が低下する保護テープを貼り付け、 この保護テープの表面に粘着テープを押し付けてこれを
   前記ウェーハから引き離すことによりこの保護テープを
   ウェーハ表面から剥離する半導体ウェーハの表面保護テ
   ープ剥離方法において、 前記粘着テープをウェーハの素子形成領域以外の部分の
   保護テープに押し付けてこれをウェーハから引き離し、 その後連続して素子形成領域の保護テープを前記粘着テ
   ープを押し付けることなくウェーハから引き離して剥離
   することを特徴とする半導体ウェーハの表面保護テープ
   剥離方法。
2. 【請求項２】前記ウェーハ表面に沿って移動する剥離ロ
   ーラにより前記粘着テープを保護テープ側に押圧してこ
   の保護テープを粘着させて引き離す剥離方法であって、 前記剥離ローラをウェーハのオリフラ部に押圧させた後
   これをウェーハから引き離し、 その後この剥離ローラをウェーハから引き離した状態で
   ウェーハ表面に沿って移動させることにより保護テープ
   をウェーハから引き離すことを特徴とする請求項１に記
   載の半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法。