JP4131027B2 - 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 - Google Patents
半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法に関し、特に、粘着テープをウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けてこれをウェーハから剥離し、保護テープの貼り付けダメージによる素子の不良を防止する半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の製造工程は、シリコンウェーハ上に半導体素子を作り込んだ後に、ウェーハの表面に付着した絶縁膜を除去する工程や、チップの厚みを合せるためにウェーハの裏面を研削する工程を有している。ウェーハ裏面の研削工程においては、ウェーハ表面を保護する表面保護テープをウェーハの表面に貼り付けた後、裏面研削装置を用いてウェーハの裏面を所望の厚みまで研削する。研削終了後は、剥離用テープを用いて表面保護テープをウェーハから引き剥がす。
【０００３】
表面保護テープを引き剥がすには、図３に示すように、先ず、ウェーハ１の上方に位置するローラ２に巻き付けられた剥離用テープ３を、ローラ２と共に表面保護テープ４の表面の一端（例えばオリエンテーションフラット５部分）に向けて下降させ（（ａ）参照）、表面保護テープ４の表面に当接したローラ２により剥離用テープ３を表面保護テープ４に押し当て、剥離用テープ３を表面保護テープ４の表面の一端に貼り付ける（（ｂ）参照）。
【０００４】
次に、その剥離用テープ３を、ローラ２を介して表面保護テープ４に押し付けたまま、表面保護テープ４の一端側から引き上げる。引き上げられる剥離用テープ３は、ローラ２の押し下げにより表面保護テープ４との貼付状態を保持したまま表面保護テープ４の他端側に向けて移動し、剥離用テープ３と共に表面保護テープ４も引き上げて表面保護テープ４をウェーハ１の表面から引き剥がす（ｃ）参照）。その後、表面保護テープ４の押し付け状態を維持しつつローラ２がその他端側まで移動して、ウェーハ１の表面から表面保護テープ４を引き剥がす（（ｄ）参照）。
【０００５】
このように、剥離用テープ３を用いて表面保護テープ４を引き剥がす場合、剥離用テープ３は、表面保護テープ４が持つ密着力より強い密着力で表面保護テープ４に密着する必要があることから、剥離用テープ３の貼り付け時の押し付け圧力は充分な密着力が得られる程まで高める必要がある。
【０００６】
この押し付け圧力は、図４に示すように、ウェーハ１の表面の一端から他端迄のローラ２の移動範囲ａの全てに一様にかかるため、ウェーハ１の表面に作り込まれた半導体素子（チップ）６が例えば変形等のダメージを受け易く、この結果半導体素子６の不良が発生するおそれがある。
【０００７】
ところで、表面保護テープをウェーハの表面から剥離し易くするために、表面保護テープの密着力そのものを低減させる方法が提案されている。例えば、特開平４−２８０４２９号公報に開示された▲１▼半導体装置の製造方法は、紫外線（ＵＶ）照射硬化型テープを表面保護テープとして用い、このテープに対し紫外線を照射することによりその粘着力を弱めて、テープを容易に引き剥がすことができるようにしている。同様に、保護テープとして紫外線照射硬化型テープを用いたものとして、特開平６−２２４３９７号公報に開示された▲２▼固体撮像装置の製造方法、特開平４−２２５５７４号公報に開示された▲３▼半導体装置の製造方法、特開平７−２２３５８号公報に開示された▲４▼半導体装置の製造方法、および特開平５−６２９５０号公報に開示された▲５▼半導体ウェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法が知られている。
【０００８】
この紫外線照射硬化型テープを表面保護テープとして用いた場合、▲４▼半導体装置の製造方法と▲５▼半導体ウェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法に示すように、紫外線照射硬化型テープの全面に剥離テープを貼り付け、その後この剥離テープを引っ張り上げることにより、ウェーハ表面から表面保護テープである紫外線照射硬化型テープを引き剥がす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、紫外線照射硬化型テープを表面保護テープとして用いた上記従来の各例において、ウェーハ表面から紫外線照射硬化型テープを引き剥すための剥離用テープを紫外線照射硬化型テープの全面に貼り付けた場合、剥離テープの貼り付け時の押し付け圧力が紫外線照射硬化型テープを介してウェーハの表面にかかるのが避けられず、ウェーハ表面に作り込まれた半導体素子が例えば変形等のダメージを受けて半導体素子の不良が発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は、上記従来技術を考慮してなされたものであって、表面保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良を発生させることがない半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法は、紫外線照射して半導体ウェーハの素子形成面に貼り付けられた保護テープの接着力を低下させる工程と、剥離ローラに巻き付けられた粘着テープを、剥離ローラを下降させて半導体ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けて粘着テープを保護テープの一端に貼り付ける工程と、剥離ローラを半導体ウェーハの上方に引き離して、保護テープの一端を半導体ウェーハから剥離する工程と、剥離ローラを半導体ウェーハから引き離された状態で前記粘着テープと共に、半導体ウェーハ表面に沿って移動させ、保護テープを半導体ウェーハの表面から剥離する工程とを有する。
【００１２】
上記構成によれば、粘着テープは、ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けられてウェーハから引き離され、引き離し後連続して素子形成領域の保護テープは粘着テープを押し付けることなくウェーハから引き離され剥離される。これにより、保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良が発生することを防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図である。図２は、図１の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体ウェーハ１０の表面には、表面保護テープとして、紫外線（ＵＶ）の照射により粘着力が低下する機能を備えた紫外線照射剥離テープ（例えば、リンテック社のＥ−６１４２等）１１が貼り付けられている。この紫外線照射剥離テープ１１は、ウェーハ１０上に半導体素子（チップ）１２を作り込んだ後、チップ１２の厚みを合せるためにウェーハ１０の裏面を研削する際、チップ１２が形成されたウェーハ１０の表面を保護するために使用される。ウェーハ１０の裏面研削後、紫外線照射剥離テープ１１は、ウェーハ１０の表面から引き剥がされる。
【００１５】
次に、この紫外線照射剥離テープ１１の剥離方法を説明する。
半導体製造工程において、ウェーハ１０の上にチップ１２を形成後、ウェーハ１０の表面にこの表面を保護するための紫外線照射剥離テープ１１を貼りつけ、その後、ウェーハ１０が所望の厚みになるまでウェーハ１０の裏面研削を行う。裏面研削後、紫外線照射剥離テープ１１をウェーハ１０から引き剥がす。
【００１６】
先ず、ウェーハ１０の表面に向けて例えば１００〜２００ｍｊ／ｃｍ2 の紫外線照射を行い、ウェーハ１０の表面に貼り付けられた紫外線照射剥離テープ１１の粘着力を低下させる。
【００１７】
次に、紫外線照射の後、ウェーハ１０の上方に位置するローラ１３に巻き付けられた剥離用テープ（粘着テープ）１４を、ローラ１３と共に紫外線照射剥離テープ１１の上に下降させる（図１（ａ）参照）。ローラ１３は、ウェーハ１０の一端に形成されたオリフラ（オリエンテーションフラット）１５（図２参照）に向かって移動し、オリフラ１５の近傍で紫外線照射剥離テープ１１の表面に剥離用テープ１４を接触させる。このとき、ローラ１３は、図２に示すように、ウェーハ１０の表面の素子形成領域以外の部分であるオリフラ１５とチップ１２の間の無効部分ｂ上に位置し、この無効部分ｂで剥離用テープ１４が紫外線照射剥離テープ１１に接触する。更にローラ１３が下降して、ウェーハ１０上の無効部分ｂで剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に押し付け、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に貼り付ける（図１（ｂ）参照）。
【００１８】
次に、ローラ１３を上方に引き上げて、ウェーハ１０の表面に対するローラ１３の押し付けを解除し（図１（ｃ）参照）。このローラ１３の押し付けを解除した状態で、紫外線照射剥離テープ１１に貼り付けた剥離用テープ１４を、ウェーハ１０の表面のオリフラ１５側から引き離しつつローラ１３と共にオリフラ１５の反対側に移動させる。剥離用テープ１４の引き上げにより、紫外線が照射されて粘着力が充分に低下した紫外線照射剥離テープ１１は容易にウェーハ１０の表面から引き剥がされ、剥離用テープ１４の移動に伴って剥離用テープ１４と共にウェーハ１０の上方へと引き上げられる（図１（ｄ）参照）。
【００１９】
その後、上方に引き上げてウェーハ１０の表面への押し付けを解除したままのローラ１３を、剥離用テープ１４を引き離しながらウェーハ１０の表面の他端側（オリフラ１５の反対側）まで移動させることにより、引き離し後連続して素子形成領域の紫外線照射剥離テープ１１を、剥離用テープ１４を押し付けることなくウェーハ１０から引き離して剥離する（図１（ｅ）参照）。
【００２０】
従って、ローラ１３は、最初にチップ１２が形成されないウェーハ１０の無効部分ｂでウェーハ１０に当接した後は、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に押し付けることがない。即ち、ローラ１３はウェーハ１０の表面に押し付け圧力を付加させずに、ウェーハ１０の表面から離間したまま移動する。
【００２１】
このため、従来の表面保護テープを引き剥がす場合に生じた、ウェーハ１０の表面のローラの移動範囲ａにローラの押し付け圧力が加わってウェーハ１０の表面のチップ１２が例えば変形等のダメージを受けるということがなく、剥離用テープ１４を用いて表面保護テープである紫外線照射剥離テープ１１を引き剥がす際にウェーハ１０に形成されたチップ１２に不良が発生することを防止することができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法によれば、粘着テープは、ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けられてウェーハから引き離され、引き離し後連続して素子形成領域の保護テープは粘着テープを押し付けることなくウェーハから引き離され剥離されるので、保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良が発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図。
【図２】 図１の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。
【図３】 従来の半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図。
【図４】 図３の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。
【符号の説明】
１０：半導体ウェーハ、１１：紫外線照射剥離テープ、１２：チップ、
１３：ローラ、１４：剥離用テープ、１５：オリフラ、ａ：移動範囲、
ｂ：無効部分。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法に関し、特に、粘着テープをウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けてこれをウェーハから剥離し、保護テープの貼り付けダメージによる素子の不良を防止する半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の製造工程は、シリコンウェーハ上に半導体素子を作り込んだ後に、ウェーハの表面に付着した絶縁膜を除去する工程や、チップの厚みを合せるためにウェーハの裏面を研削する工程を有している。ウェーハ裏面の研削工程においては、ウェーハ表面を保護する表面保護テープをウェーハの表面に貼り付けた後、裏面研削装置を用いてウェーハの裏面を所望の厚みまで研削する。研削終了後は、剥離用テープを用いて表面保護テープをウェーハから引き剥がす。
【０００３】
表面保護テープを引き剥がすには、図３に示すように、先ず、ウェーハ１の上方に位置するローラ２に巻き付けられた剥離用テープ３を、ローラ２と共に表面保護テープ４の表面の一端（例えばオリエンテーションフラット５部分）に向けて下降させ（（ａ）参照）、表面保護テープ４の表面に当接したローラ２により剥離用テープ３を表面保護テープ４に押し当て、剥離用テープ３を表面保護テープ４の表面の一端に貼り付ける（（ｂ）参照）。
【０００４】
次に、その剥離用テープ３を、ローラ２を介して表面保護テープ４に押し付けたまま、表面保護テープ４の一端側から引き上げる。引き上げられる剥離用テープ３は、ローラ２の押し下げにより表面保護テープ４との貼付状態を保持したまま表面保護テープ４の他端側に向けて移動し、剥離用テープ３と共に表面保護テープ４も引き上げて表面保護テープ４をウェーハ１の表面から引き剥がす（ｃ）参照）。その後、表面保護テープ４の押し付け状態を維持しつつローラ２がその他端側まで移動して、ウェーハ１の表面から表面保護テープ４を引き剥がす（（ｄ）参照）。
【０００５】
このように、剥離用テープ３を用いて表面保護テープ４を引き剥がす場合、剥離用テープ３は、表面保護テープ４が持つ密着力より強い密着力で表面保護テープ４に密着する必要があることから、剥離用テープ３の貼り付け時の押し付け圧力は充分な密着力が得られる程まで高める必要がある。
【０００６】
この押し付け圧力は、図４に示すように、ウェーハ１の表面の一端から他端迄のローラ２の移動範囲ａの全てに一様にかかるため、ウェーハ１の表面に作り込まれた半導体素子（チップ）６が例えば変形等のダメージを受け易く、この結果半導体素子６の不良が発生するおそれがある。
【０００７】
ところで、表面保護テープをウェーハの表面から剥離し易くするために、表面保護テープの密着力そのものを低減させる方法が提案されている。例えば、特開平４−２８０４２９号公報に開示された▲１▼半導体装置の製造方法は、紫外線（ＵＶ）照射硬化型テープを表面保護テープとして用い、このテープに対し紫外線を照射することによりその粘着力を弱めて、テープを容易に引き剥がすことができるようにしている。同様に、保護テープとして紫外線照射硬化型テープを用いたものとして、特開平６−２２４３９７号公報に開示された▲２▼固体撮像装置の製造方法、特開平４−２２５５７４号公報に開示された▲３▼半導体装置の製造方法、特開平７−２２３５８号公報に開示された▲４▼半導体装置の製造方法、および特開平５−６２９５０号公報に開示された▲５▼半導体ウェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法が知られている。
【０００８】
この紫外線照射硬化型テープを表面保護テープとして用いた場合、▲４▼半導体装置の製造方法と▲５▼半導体ウェーハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法に示すように、紫外線照射硬化型テープの全面に剥離テープを貼り付け、その後この剥離テープを引っ張り上げることにより、ウェーハ表面から表面保護テープである紫外線照射硬化型テープを引き剥がす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、紫外線照射硬化型テープを表面保護テープとして用いた上記従来の各例において、ウェーハ表面から紫外線照射硬化型テープを引き剥すための剥離用テープを紫外線照射硬化型テープの全面に貼り付けた場合、剥離テープの貼り付け時の押し付け圧力が紫外線照射硬化型テープを介してウェーハの表面にかかるのが避けられず、ウェーハ表面に作り込まれた半導体素子が例えば変形等のダメージを受けて半導体素子の不良が発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は、上記従来技術を考慮してなされたものであって、表面保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良を発生させることがない半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法は、紫外線照射して半導体ウェーハの素子形成面に貼り付けられた保護テープの接着力を低下させる工程と、剥離ローラに巻き付けられた粘着テープを、剥離ローラを下降させて半導体ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けて粘着テープを保護テープの一端に貼り付ける工程と、剥離ローラを半導体ウェーハの上方に引き離して、保護テープの一端を半導体ウェーハから剥離する工程と、剥離ローラを半導体ウェーハから引き離された状態で前記粘着テープと共に、半導体ウェーハ表面に沿って移動させ、保護テープを半導体ウェーハの表面から剥離する工程とを有する。
【００１２】
上記構成によれば、粘着テープは、ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けられてウェーハから引き離され、引き離し後連続して素子形成領域の保護テープは粘着テープを押し付けることなくウェーハから引き離され剥離される。これにより、保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良が発生することを防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図である。図２は、図１の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体ウェーハ１０の表面には、表面保護テープとして、紫外線（ＵＶ）の照射により粘着力が低下する機能を備えた紫外線照射剥離テープ（例えば、リンテック社のＥ−６１４２等）１１が貼り付けられている。この紫外線照射剥離テープ１１は、ウェーハ１０上に半導体素子（チップ）１２を作り込んだ後、チップ１２の厚みを合せるためにウェーハ１０の裏面を研削する際、チップ１２が形成されたウェーハ１０の表面を保護するために使用される。ウェーハ１０の裏面研削後、紫外線照射剥離テープ１１は、ウェーハ１０の表面から引き剥がされる。
【００１５】
次に、この紫外線照射剥離テープ１１の剥離方法を説明する。
半導体製造工程において、ウェーハ１０の上にチップ１２を形成後、ウェーハ１０の表面にこの表面を保護するための紫外線照射剥離テープ１１を貼りつけ、その後、ウェーハ１０が所望の厚みになるまでウェーハ１０の裏面研削を行う。裏面研削後、紫外線照射剥離テープ１１をウェーハ１０から引き剥がす。
【００１６】
先ず、ウェーハ１０の表面に向けて例えば１００〜２００ｍｊ／ｃｍ2 の紫外線照射を行い、ウェーハ１０の表面に貼り付けられた紫外線照射剥離テープ１１の粘着力を低下させる。
【００１７】
次に、紫外線照射の後、ウェーハ１０の上方に位置するローラ１３に巻き付けられた剥離用テープ（粘着テープ）１４を、ローラ１３と共に紫外線照射剥離テープ１１の上に下降させる（図１（ａ）参照）。ローラ１３は、ウェーハ１０の一端に形成されたオリフラ（オリエンテーションフラット）１５（図２参照）に向かって移動し、オリフラ１５の近傍で紫外線照射剥離テープ１１の表面に剥離用テープ１４を接触させる。このとき、ローラ１３は、図２に示すように、ウェーハ１０の表面の素子形成領域以外の部分であるオリフラ１５とチップ１２の間の無効部分ｂ上に位置し、この無効部分ｂで剥離用テープ１４が紫外線照射剥離テープ１１に接触する。更にローラ１３が下降して、ウェーハ１０上の無効部分ｂで剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に押し付け、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に貼り付ける（図１（ｂ）参照）。
【００１８】
次に、ローラ１３を上方に引き上げて、ウェーハ１０の表面に対するローラ１３の押し付けを解除し（図１（ｃ）参照）。このローラ１３の押し付けを解除した状態で、紫外線照射剥離テープ１１に貼り付けた剥離用テープ１４を、ウェーハ１０の表面のオリフラ１５側から引き離しつつローラ１３と共にオリフラ１５の反対側に移動させる。剥離用テープ１４の引き上げにより、紫外線が照射されて粘着力が充分に低下した紫外線照射剥離テープ１１は容易にウェーハ１０の表面から引き剥がされ、剥離用テープ１４の移動に伴って剥離用テープ１４と共にウェーハ１０の上方へと引き上げられる（図１（ｄ）参照）。
【００１９】
その後、上方に引き上げてウェーハ１０の表面への押し付けを解除したままのローラ１３を、剥離用テープ１４を引き離しながらウェーハ１０の表面の他端側（オリフラ１５の反対側）まで移動させることにより、引き離し後連続して素子形成領域の紫外線照射剥離テープ１１を、剥離用テープ１４を押し付けることなくウェーハ１０から引き離して剥離する（図１（ｅ）参照）。
【００２０】
従って、ローラ１３は、最初にチップ１２が形成されないウェーハ１０の無効部分ｂでウェーハ１０に当接した後は、剥離用テープ１４を紫外線照射剥離テープ１１に押し付けることがない。即ち、ローラ１３はウェーハ１０の表面に押し付け圧力を付加させずに、ウェーハ１０の表面から離間したまま移動する。
【００２１】
このため、従来の表面保護テープを引き剥がす場合に生じた、ウェーハ１０の表面のローラの移動範囲ａにローラの押し付け圧力が加わってウェーハ１０の表面のチップ１２が例えば変形等のダメージを受けるということがなく、剥離用テープ１４を用いて表面保護テープである紫外線照射剥離テープ１１を引き剥がす際にウェーハ１０に形成されたチップ１２に不良が発生することを防止することができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法によれば、粘着テープは、ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けられてウェーハから引き離され、引き離し後連続して素子形成領域の保護テープは粘着テープを押し付けることなくウェーハから引き離され剥離されるので、保護テープへの剥離テープ貼り付けによりウェーハに形成された半導体素子に不良が発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図。
【図２】 図１の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。
【図３】 従来の半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法を示す工程説明図。
【図４】 図３の表面保護テープに貼り付ける剥離テープの貼り付け部分を示すウェーハの平面図。
【符号の説明】
１０：半導体ウェーハ、１１：紫外線照射剥離テープ、１２：チップ、
１３：ローラ、１４：剥離用テープ、１５：オリフラ、ａ：移動範囲、
ｂ：無効部分。
Claims (2)
- 紫外線照射して半導体ウェーハの素子形成面に貼り付けられた保護テープの接着力を低下させる工程と、
剥離ローラに巻き付けられた粘着テープを、該剥離ローラを下降させて半導体ウェーハの素子形成領域以外の部分の保護テープに押し付けて粘着テープを保護テープの一端に貼り付ける工程と、
前記剥離ローラを半導体ウェーハの上方に引き離して、前記保護テープの一端を前記半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記剥離ローラを半導体ウェーハから引き離された状態で前記粘着テープと共に、半導体ウェーハ表面に沿って移動させ、前記保護テープを前記半導体ウェーハの表面から剥離する工程と
を有する半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法。 - 前記貼り付け工程では、前記粘着テープを前記半導体ウェーハのオリフラ部の保護テープの一端に貼り付ける
請求項１記載の半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497098A JP4131027B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497098A JP4131027B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204624A JPH11204624A (ja) | 1999-07-30 |
| JP4131027B2 true JP4131027B2 (ja) | 2008-08-13 |
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ID=11598462
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP497098A Expired - Fee Related JP4131027B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4131027B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054618U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203828A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | ウエハの裏面研削方法 |
| JP2002203827A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | 半導体ウエハの裏面研削方法 |
| JP4326418B2 (ja) | 2004-07-16 | 2009-09-09 | 株式会社東京精密 | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
| JP2010108995A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Lintec Corp | シート貼り換え装置及びシート貼り換え方法 |
| JP6584846B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-10-02 | 株式会社ディスコ | 剥離テープ |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP497098A patent/JP4131027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054618U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11204624A (ja) | 1999-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080404 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080430 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080513 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 5 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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