TWI693467B - 防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法 - Google Patents

防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI693467B
TWI693467B TW104130889A TW104130889A TWI693467B TW I693467 B TWI693467 B TW I693467B TW 104130889 A TW104130889 A TW 104130889A TW 104130889 A TW104130889 A TW 104130889A TW I693467 B TWI693467 B TW I693467B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
frame
dust
frame body
proof film
Prior art date
Application number
TW104130889A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201612622A (en
Inventor
高村一夫
種市大樹
小野陽介
石川比佐子
美谷島恒明
大久保敦
佐藤泰之
廣田俊明
Original Assignee
日商三井化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三井化學股份有限公司 filed Critical 日商三井化學股份有限公司
Publication of TW201612622A publication Critical patent/TW201612622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI693467B publication Critical patent/TWI693467B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法。本發明的防塵薄膜具備：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，具有包含下述第1面的厚壁部及下述第2面，且外包圍所述防塵薄膜用膜與所述第1框體，所述第1面支承所述第1框體的與配置有所述防塵薄膜用膜的面為相反側的面，所述第2面連接於所述第1面，且支承所述第1框體的側面；貫穿孔，配置於所述第2框體的所述厚壁部；以及過濾網，配置在與配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面交叉的所述第2框體的外側的側面，且覆蓋所述貫穿孔。

Description

防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法
本發明是有關於一種在光微影(photolithography)步驟中所用的防塵薄膜(pellicle)及其製造方法以及曝光方法。尤其，本發明是有關於一種極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影用的防塵薄膜及其製造方法以及使用該防塵薄膜的曝光方法。
光微影步驟中，為了防止塵埃等附著於遮罩(mask)或網線(reticle)上，使用有在包圍遮罩圖案(mask pattern)的大小的框的一端張設有防塵薄膜用膜的防塵薄膜。在將此種防塵薄膜安裝於遮罩上的狀態下，防塵薄膜內部的氣密性極高，有時會因氣壓變化或溫度變化而導致薄薄的防塵薄膜用膜處於鬆弛或鼓起的狀態。在防塵薄膜用膜如此般失去平滑性的情況下，不僅會使防塵薄膜用膜的光學特性發生變化，而且在凹凸程度劇烈的情況下，防塵薄膜用膜有時會接觸至遮罩，或者碰到收納防塵薄膜的殼體(case)的蓋，而導致防塵薄膜用膜受到損傷。
作為解決此種問題的方法，例如在專利文獻1中揭示有一種防塵薄膜，其在防塵薄膜框上形成有至少一個通氣孔，並在通氣孔內，以不會脫落至由框構件、遮罩基板及防塵薄膜用膜所圍成的空間內的方式，而設置有阻止塵埃等通過的過濾網(filter) 構件。在專利文獻2、專利文獻3中揭示有一種防塵薄膜，其在防塵薄膜框側面的至少一部分設置有開口部，且將其內面設為黏接狀。而且，在專利文獻4中揭示有一種防塵薄膜，其在框內部設置有空洞，以捕捉通過氣體(gas)中的異物。
另一方面，在設置有過濾網的防塵薄膜中，為了確實地捕捉微小的塵埃等，必須使過濾網的篩眼較細，因此存在過濾網的氣體穿透速度慢，直至壓力差得到緩和為止需要耗費時間的問題。為了解決此問題，在專利文獻5中揭示有一種防塵薄膜，其將防塵薄膜框分割為內側構件與外側構件，使內側構件由耐光性優異的自然發色陽極氧化鋁或陶瓷(ceramic)構成，使外側構件由耐力大的鋁合金7075-T6構成，在防塵薄膜框的內部，設置具有三處彎曲部的2個通氣孔，在通氣孔的內表面設置有用於吸附灰塵(dust)的黏接層。
此外，微影的波長正推進短波長化，作為次世代的微影技術，正推進EUV微影的開發。EUV光是指軟X射線區域或真空紫外線區域的波長的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光線。在光微影中，圖案的解析極限為曝光波長的1/2左右，即便使用液浸法亦不過是曝光波長的1/4左右，即便使用ArF雷射(波長：193nm)的液浸法，預想該曝光波長的極限為45nm左右。因此，EUV微影作為可從先前的微影實現大幅的微細化的革新的技術而受到期待。
另一方面，EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因 此，EUV微影中，必須將曝光裝置內設為真空來進行曝光。而且，相對於所有物質，EUV光的折射率接近1，因此無法如先前的使用可見光或紫外光的光微影般使用折射光學系統，該折射光學系統使用透鏡(lens)與透射型光罩(photo mask)。因此，EUV微影中，必須利用使用反射型光罩與鏡(mirror)的反射光學系統來進行曝光。反射型光罩例如專利文獻6所揭示般，具有下述結構，即，在基板上具有將Mo層與Si層交替地多次積層而成的多層反射膜，且在反射層上形成有吸收EUV光的吸收層。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利實公昭63-39703號公報
專利文獻2：日本專利特開平5-113658號公報
專利文獻3：日本專利特開2001-312048號公報
專利文獻4：日本專利特開平5-107747號公報
專利文獻5：日本專利特開2003-107678號公報
專利文獻6：日本專利特開2014-160752號公報
非專利文獻1：卡門佐德斯等人，「EUV防塵薄膜的發展」SPIE會議錄(Carmen Zoldesi,et al.,“Progress on EUV Pellicle development”Proceedings of SPIE)，2014.02.23，vol.9048，90481N
如上所述，EUV微影不同於先前的微影，是在真空下進 行曝光，因此認為無須對光罩安裝防塵薄膜。然而，已明確的是，由於是先前所沒有的微細製程(process)，因此必須對光罩安裝防塵薄膜。然而，EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此配置於防塵薄膜中的防塵薄膜用膜亦必須是先前所沒有的奈米級(nano-meter order)的膜。
而且，由於當初認為無須對光罩安裝防塵薄膜，因此在當前開發的EUV曝光裝置中，用於對光罩安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度。然而，要在曝光裝置內確保用於安裝具有5mm以上高度的先前的防塵薄膜的空間，則必須對光學系統進行設計變更，將會耽擱EUV微影的開發。
由於是在真空下進行曝光，因此假定防塵薄膜用膜發生鬆弛或鼓起，但由於防塵薄膜的設置空間受到大幅限制，因此要防止奈米級的防塵薄膜用膜的損傷，必須確保經由防塵薄膜的框體上配置的通氣孔來進行充分的通氣。必須在通氣孔中配置過濾網，但由於防塵薄膜的設置空間受到大幅限制，因此框體所允許的高度亦受到大幅限制，因此過濾網在框體中的配置亦要求先前所沒有的設計。
本發明的目的在於解決所述問題，提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法。
而且，極紫外光微影用的防塵薄膜是將非常薄的防塵薄膜用膜貼附於框體上，因此在貼附於光罩時，若如先前般從框體之上用力進行貼附，則防塵薄膜用膜有可能發生破損。因此，極 紫外光微影用的防塵薄膜必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式貼附至光罩。此處所說的非接觸是指不從框體之上施加強力，強力的目標是先前的光罩貼附時所承載的1kgf左右以上。本發明除了所述課題以外，還提供一種能以非接觸方式貼附至光罩的極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法。
根據本發明的一實施形態，提供一種防塵薄膜，具備：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，具有包含下述第1面的厚壁部及下述第2面，且外包圍所述防塵薄膜用膜與所述第1框體，所述第1面支承所述第1框體的與配置有所述防塵薄膜用膜的面為相反側的面，所述第2面連接於所述第1面，且支承所述第1框體的側面；貫穿孔，配置於所述第2框體的所述厚壁部；以及過濾網，配置在與配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面交叉的所述第2框體的外側的側面，且覆蓋所述貫穿孔。
在所述防塵薄膜中，與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第2面亦可相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角。
在所述防塵薄膜中，與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第2面亦可相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜。
在所述防塵薄膜中，所述第2框體亦可更包括第3面，所述第3面連接於所述第1面，且與所述第2面相對，所述第2 框體的所述第3面是與所述第1框體的內側的側面相向地配置。
在所述防塵薄膜中，與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第3面亦可相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角。
在所述防塵薄膜中，與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第3面亦可以下述方式而傾斜，即，從所述第1面朝向配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面，與所述第2面的距離變大。
在所述防塵薄膜中，所述第1框體與所述第2框體的厚壁部亦可經由黏著層而黏著。
在所述防塵薄膜中，所述防塵薄膜用膜亦可對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率，且膜厚為20nm以上且50nm以下。
在所述防塵薄膜中，所述第2框體的高度與配置在所述第2框體下表面的黏著層的高度的合計值亦可為2mm以下。
在所述防塵薄膜中，所述第1框體亦可包含選自由矽、藍寶石及碳化矽構成的群中的材料。
在所述防塵薄膜中，所述過濾網的通氣部的合計面積相對於所述防塵薄膜的內部體積的比率亦可為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。
而且，根據本發明的一實施形態，提供一種防塵薄膜的製造方法，即，在基板上形成防塵薄膜用膜，以所述基板成為框 形狀的方式而使所述防塵薄膜用膜露出以形成第1框體，準備具有包含下述第1面的厚壁部及下述第2面的第2框體，在所述第2框體的所述厚壁部形成貫穿孔，在與所述第2框體的高度方向平行的所述第2框體的外側的面上，黏著有覆蓋所述貫穿孔的過濾網，以外包圍所述第1框體的方式，經由黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體，所述第1面支承所述第1框體的與配置有所述防塵薄膜用膜的面為相反側的面，所述第2面連接於所述第1面，且支承所述第1框體的側面。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可藉由乾式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備所述第2框體，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體，所述第2框體的所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可藉由濕式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備所述第2框體，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體，所述第2框體的所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可藉由乾式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備所述第2框體，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體，所述第2框體的所述第2面與第3面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角，所述第3面連接於所述第1面且與所述第2面相對。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可藉由濕式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備具有下述第2面與下述第3面的所述第2框體，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體，所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜，所述第3面是以下述方式而傾斜，即，從所述第1面朝向配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面，與所述第2面的距離變大。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可在所述基板上形成膜厚為20nm以上且50nm以下的所述防塵薄膜用膜，所述防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可將所述第2框體的高度與配置在所述第2框體下表面的黏著層的高度的合計值設為2mm以下。
在所述防塵薄膜的製造方法中，所述基板亦可為選自由矽基板、藍寶石基板及碳化矽基板構成的群中的基板。
在所述防塵薄膜的製造方法中，亦可將所述過濾網的通氣部的合計面積相對於所述防塵薄膜的內部體積的比率設為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。
本發明提供一種曝光方法，即，將所述任一防塵薄膜配置於光罩的網線面，將所述光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從所述網線面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容所述防塵 薄膜，在真空下，對配置有所述防塵薄膜的所述光罩照射5nm以上且30nm以下的波長的光，將從配置有所述防塵薄膜的所述光罩的所述網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材。
根據本發明，提供一種極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法。而且，本發明可提供一種能以非接觸方式貼附至光罩的極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法。
根據本發明，提供一種降低因極紫外光造成的黏著層劣化的極紫外光微影用的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法。
100、200、300、400、500、600、700、800、900:防塵薄膜
101、201、301、401、501、601、701、801、901:防塵薄膜用膜
105、205、305:基板
111、211、311、411、511、611、711、811、911:第1框體
113、213、313、413、513、613、713、813、913:第2框體
113A、213A、313A、413A、513A、613A、713A:第1面
113B、213B、313B、413B、513B、613B、713B:第2面
115、215、315、415、515、615、715:厚壁部
117、217、317、417、517、617、717:薄壁部
121、221、321、421、521、621、714A、714B、716A、716B、721、821、921:貫穿孔
131、231、331、431、531、631、731、831、931:過濾網
135:通氣部
137:上膠部
141、143、241、243、341、343、441、443、541、543、641、643、741、743、841、843、941、943:黏著層
151、251、351、451、551、651、751、851、951:護襯
217A、417A:第1薄壁部
217B、417B:第2薄壁部
513C、613C:第3面
714、716:槽
890、990:間隙
1000:防塵薄膜製造裝置
1100、2100、3100:真空腔室
1200:載置台
1110、2110、3110:供給管
1120A、1120B、2120A、2120B、3120A、3120B、3220A、3220B:排出管
2000、3000:光罩製造裝置
2500、3500:光罩
圖1是一實施形態的防塵薄膜100的示意圖(立體圖)。
圖2是一實施形態的防塵薄膜100在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖3(a)、圖3(b)是一實施形態的防塵薄膜100的圖2所示的框體的放大圖，圖3(a)是框體的放大圖，圖3(b)是表示過濾網131的通氣部135與上膠部137的結構的示意圖。
圖4(a)~圖4(d)是表示一實施形態的防塵薄膜100的製造步驟的示意圖。
圖5(a)~圖5(d)是表示一實施形態的防塵薄膜100的製造步驟的示意圖。
圖6是一實施形態的防塵薄膜200在圖1的線段AA'處的剖 面圖。
圖7是一實施形態的防塵薄膜300在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖8(a)~圖8(d)是表示一實施形態的防塵薄膜300的製造步驟的示意圖。
圖9(a)~圖9(d)是表示一實施形態的防塵薄膜300的製造步驟的示意圖。
圖10是一實施形態的防塵薄膜400在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖11是一實施形態的防塵薄膜500在圖1的線段AA'處的剖面圖。
圖12(a)~圖12(d)是一實施形態的防塵薄膜600的示意圖，圖12(a)是圖1的線段AA'處的剖面圖，圖12(b)~圖12(d)是第2框體613的變形例。
圖13是一實施形態的防塵薄膜700中所用的第2框體713的示意圖。
圖14是表示使用一實施形態的防塵薄膜製造裝置1000的防塵薄膜700的製造步驟的示意圖。
圖15是概念性地表示一實施形態的光罩製造裝置2000的剖面圖。
圖16(a)、圖16(b)是概念性地表示一實施形態的光罩製造裝置3000的剖面圖。
圖17(a)、圖17(b)是表示實施形態的研究例的圖，圖17(a)是防塵薄膜800的剖面圖，圖17(b)是防塵薄膜900的剖面圖。
本說明書中，所謂EUV光，是指波長5nm以上且30nm以下的光。EUV光的波長較佳為5nm~13.5nm左右，進而較佳為13.5nm±0.3nm。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此在本發明中，防塵薄膜用膜必須為奈米級的膜。本發明的防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率。本發明的防塵薄膜用膜較佳為相對於5nm~13.5nm左右的波長的光而具有90.0%以上的透射率，進而較佳為相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。為了獲得此種透射率，本發明的防塵薄膜用膜的10nm以上且100nm以下的膜厚，進而較佳為10nm以上且50nm以下。
防塵薄膜用膜的EUV透射率T是由以下的式(1)來定義。
Figure 104130889-A0305-02-0013-2
式(1)中，I表示透射光強度，I0表示入射光強度。對於透 射光強度I及入射光強度I0、防塵薄膜用膜的厚度d、密度ρ及防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ，由以下的式(2)表示的關係成立。
[數2]I=I 0 exp(-μρd)‧‧‧(2)
式(2)中的密度ρ為構成防塵薄膜用膜的物質固有的密度。而且，所述式(2)中的質量吸收係數μ是以下述方式求出。當光子的能量大致大於30eV，且光子的能量充分遠離原子的吸收端時，質量吸收係數μ並不依存於原子彼此的結合狀態等。波長13.5nm的光子能量為92.5eV附近，亦充分遠離原子的吸收端。因而，所述質量吸收係數μ並不依存於構成防塵薄膜用膜的化合物的原子彼此的結合狀態。因此，防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ可根據構成防塵薄膜用膜的各元素(1、2、...、i)的質量吸收係數μ1與各元素的質量分率Wi，由以下的式(3)來求出。
[數3]μ=μ1W1+μ2W2+...μiWi…(3)
所述Wi是以Wi=niAi/ΣniAi求出的值。Ai為各元素i的原子量，ni為各元素i的數量。
所述式(3)中的各元素的質量吸收係數μi可適用由 Henke等人總結的以下的參考文獻的值。(B.L.亨克、E.M.古力克森和J.C.戴維斯、「X射線交互作用：E=50-30,000eV、Z=1-92時的光吸收、散射、透射和反射」原子資料核資料表54,181(1993)(B.L.Henke,E.M.Gullikson,and J.C.Davis,“X-Ray Interactions：Photoabsorption,Scattering,Transmission,and Reflection at E=50-30,000eV、Z=1-92,”At.Data Nucl.Data Tables 54,181(1993))該些數值的最新版刊載於http：//wwwcxro.lbl.gov/optical_constants/)
只要可確定防塵薄膜用膜的質量吸收係數μ、防塵薄膜用膜的密度ρ及防塵薄膜用膜的厚度d，便可基於式(1)及式(2)而算出防塵薄膜用膜對波長13.5nm的光的透射率。另外，所述透射率亦可利用勞倫斯柏克來(Lawrence Berkeley)國立研究所的X射線光學中心的光學常數網站(website)來計算。
為了加厚膜厚且提高透射率，較為理想的是使用吸收係數低的材質來作為所述防塵薄膜用膜的材質。具體而言，在將氫的質量吸收係數μi相對地表示為1時，較為理想的是使用包含100以下的元素的材質。尤其理想的是使用H、Be、B、C、N、O、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru等元素。
作為構成防塵薄膜用膜的具體化合物，可列舉氟系聚合物(polymer)、聚烯烴(polyolefine)、聚醯亞胺(polyimide)等高分子化合物；釕(ruthenium)、鎳(nickel)、鋯石(zirconium)、 鈦(titanium)、鉬(molybdenum)、鈮(niobium)等金屬；結晶矽(例如單晶矽、多晶矽等)、非晶矽(amorphous silicon)、類鑽碳(Diamond Like Carbon，DLC)、石墨(graphite)、非晶碳(amorphous carbon)、石墨烯(graphene)、碳化矽、氮化矽等。
而且，防塵薄膜用膜亦可包含抗氧化膜或散熱膜。抗氧化膜可為包含SiOx(x≦2)、SixNy(x/y為0.7~1.5)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru或Rh的膜等。
散熱膜較佳為包含熱輻射率高的材料或導熱性高的材料的膜。具體而言，可為包含與抗氧化膜同樣的材料的膜或者包含Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯的膜等。抗氧化膜及散熱膜既可形成於防塵薄膜用膜的其中一個面上，亦可形成於兩面。防塵薄膜用膜既可單獨包含一種所述元素及化合物，亦可包含兩種以上的所述元素及化合物。
在先前的ArF微影用的防塵薄膜中，使用包含鋁或陶瓷等的框體，經由黏著層而將防塵薄膜用膜黏著於框體。然而，EUV微影用的本發明的防塵薄膜用膜為20nm以上且50nm以下的非常薄的膜厚，因此難以藉由黏著而固定至框體。因此，使用半導體製造製程，例如藉由蒸鍍而在基板上形成防塵薄膜用膜，並將基板背面蝕刻(back etching)成框形狀，藉此使防塵薄膜用膜露出，從而可獲得配置有防塵薄膜用膜的框體。作為本發明的基板，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等。但並不限定於該些基板，作為基板，較佳為矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板， 進而較佳為矽基板。
如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜的破損，防塵薄膜的高度較佳為2mm以下。當利用如上所述的方法來形成非常薄的防塵薄膜用膜時，難以在框體的側面形成貫穿孔來作為通氣口。因此，考慮下述方法，即，獨立地形成配置有防塵薄膜用膜的第1框體與在側面形成有貫穿孔的第2框體，並經由黏著層予以黏著。考慮到防塵薄膜用膜的形成及處理(handling)的觀點，第1框體較佳為將厚度設為1mm以下，但難以設為100μm以下。而且，由於具備第1框體與第2框體的黏著層、以及防塵薄膜與遮罩的黏著層，因此配置貫穿孔的第2框體所允許的高度為1mm~1.5mm。然而，當為了防塵而以過濾網來覆蓋貫穿孔時，考慮到黏著性或處理的觀點，難以將1.5mm以下的過濾網配置於第2框體的側面。
因此，考慮在經由黏著層而黏著的第1框體及第2框體的側面配置2mm左右的過濾網。然而，此時會產生圖17(a)、圖17(b)所示的問題。圖17(a)、圖17(b)是在經由黏著層而黏著的第1框體及第2框體的側面配置有2mm左右的過濾網的防塵薄膜的示意圖，圖17(a)是藉由乾式蝕刻而形成有第1框體的防塵薄膜800的示意圖，圖17(b)是藉由濕式蝕刻而形成有第1框體的防塵薄膜900的示意圖。
防塵薄膜800具備：配置有防塵薄膜用膜801的第1框 體811、以及經由黏著層841而與第1框體811固定的第2框體813。在第2框體813上，形成有貫穿外側的側面與內側的側面的貫穿孔821。在經由黏著層841而黏著的第1框體811及第2框體813的側面，經由黏著層(未圖示)而黏著有覆蓋貫穿孔821的過濾網831。而且，在第2框體813的底面，形成有用於將防塵薄膜800固定至光罩的黏著層843，藉由護襯851來保護黏著層843，直至固定至光罩為止。此時，在黏著第1框體811與第2框體813的黏著層841上產生間隙890。
而且，此種在過濾網的背面(黏著面)上產生的間隙在藉由濕式蝕刻來形成第1框體時變得顯著。防塵薄膜900具備：配置有防塵薄膜用膜901的第1框體911、以及經由黏著層941而與第1框體911固定的第2框體913。在第2框體913上，形成有貫穿外側的側面與內側的側面的貫穿孔921。在經由黏著層941而黏著的第1框體911及第2框體913的側面，經由黏著層(未圖示)而黏著有覆蓋貫穿孔921的過濾網931。而且，在第2框體913的底面，形成有用於將防塵薄膜900固定至光罩的黏著層943，藉由護襯951來保護黏著層943，直至固定至光罩為止。此處，在防塵薄膜900中，第1框體911是藉由濕式蝕刻而形成，因此如圖17(b)所示，在第1框體911的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。此時，在第1框體911與黏著層941上產生間隙990，無法獲得過濾網931的充分的密接性。
因此，本發明者等人研究了不會在過濾網的背面產生間 隙而可獲得充分的密接性的防塵薄膜的結構。以下，參照圖式來說明本發明的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法。但是，本發明的防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法能以多種不同的態樣來實施，並不受以下所示的實施形態及實施例的記載內容而限定地解釋。另外，在本實施形態及實施例中參照的圖式中，對於相同部分或具有同樣功能的部分標註相同的符號，並省略其重複說明。
(實施形態1)
圖1是本發明的一實施形態的防塵薄膜100的示意圖(立體圖)。圖2是防塵薄膜100在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜100具備：第1框體111，配置有防塵薄膜用膜101；以及第2框體113，固定第1框體111。第2框體113具有包含下述第1面113A的厚壁部115及下述第2面113B，且外包圍防塵薄膜用膜101與第1框體111，所述第1面113A支承第1框體111的與配置有防塵薄膜用膜101的面為相反側的面，所述第2面113B連接於第1面113A，且支承第1框體111的側面。第2框體113的與防塵薄膜用膜101正交的剖面具有L字形狀。而且，防塵薄膜100具備：配置於第2框體113上的貫穿孔121、及覆蓋貫穿孔121的過濾網131。貫穿孔121配置於在與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的方向上具有厚度的第2框體113的厚壁部115。過濾網131經由黏著層(未圖示)而配置在與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的第2框體113的外側的側面。
作為防塵薄膜用膜101及第1框體111，可使用所述的防塵薄膜用膜及基板，因此省略詳細說明。對於構成第1框體111的材質，較佳為矽、藍寶石、碳化矽，進而較佳為矽。作為第2框體113，較佳為具有相對於EUV光的耐性、平坦性高且低離子(ion)溶出性的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基(radical)的耐性的材料。
第2框體113(防塵薄膜框)的材質並無特別限制，可採用防塵薄膜框中所用的通常的材質。作為第2框體113的材質，具體而言可列舉鋁、鋁合金(5000系、6000系、7000系等)、不鏽鋼(stainless)、矽、矽合金、鐵、鐵系合金、碳鋼、工具鋼、陶瓷、金屬-陶瓷複合材料、樹脂等。其中，考慮到輕量且剛性方面，進而較佳為鋁、鋁合金。而且，第2框體113亦可在其表面具有保護膜。
作為保護膜，較佳為相對於曝光環境中存在的氫自由基及EUV光具有耐性的保護膜。作為保護膜，例如可列舉氧化覆膜。氧化覆膜可藉由陽極氧化等公知的方法而形成。
第1框體111與第2框體113經由黏著層141而固定。圖2中，黏著層141配置於在與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的方向上具有厚度的第2框體113的厚壁部115的第1面113A上。為了加強黏著層141，例如亦可在第1框體111的側面、與和第1框體111的側面接觸的第2框體113的薄壁部 117的第2面113B之間進而配置黏著層。
對於黏著層141的厚度，較佳為在可確保第1框體111與第2框體113的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，作為用於黏著層141的黏著劑，較佳為具有相對於EUV光的耐性且氣體的產生量少的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基的耐性的材料。
本實施形態中，「黏著劑」是指廣義上的黏著劑，「黏著劑」的概念中亦包括黏接劑。作為黏著劑，可列舉丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑、雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑等。
作為第1框體111與第2框體113的黏著時所用的黏著劑，較佳為丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑。作為與光罩的黏著時所用的黏著劑，較佳為雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑。
貫穿孔121配置於在與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的方向上具有厚度的第2框體113的厚壁部115。由於曝光裝置的限制，因此防塵薄膜100的高度上限為2.5mm，考慮到防止異物的成像，防塵薄膜100的高度越高越好。然而，根據公知資訊，防塵薄膜的高度需要2mm(例如非專利文獻 1)。鑒於以上所述，貫穿孔121的直徑設為：在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄膜用膜101的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔121的直徑是考慮到在減壓時貫穿孔121中產生的壓力損失的上限值來設定。
減壓時貫穿孔121中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。此處，較佳為，過濾網131是以覆蓋貫穿孔121的方式而設置，以使得減壓時的壓力損失的大部分是在過濾網131部分產生，而在貫穿孔121中幾乎不產生壓力損失。例如，調整貫穿孔121的尺寸及貫穿孔121的數量，以使貫穿孔121中的壓力損失為1Pa以下、進而較佳為0.1Pa左右。
例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔121中產生的防塵薄膜100內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔121的直徑為480μm且數量為4個、或者直徑為300μm且數量為40個。貫穿孔121的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔121的直徑並無特別限制，較為理想的是在框的強度不會下降的範圍內，設為10μm~500μm左右。貫穿孔121的數量亦無特別限制，可根據過濾網131的長度或過濾網131的寬度來選擇。在設置多個貫穿孔121的情況下，貫穿孔121的位置或間隔並無特別限定，但較佳為在過濾網131內等間隔地配置。
過濾網131是由可防止塵埃等流入固定至光罩的防塵薄 膜100內的材料所形成，較為理想的是使用如下所述的過濾網，即，初始壓力損失為100Pa以上且550Pa以下，相對於粒徑為0.15μm以上且0.3μm以下的粒子而粒子捕集率為99.7%以上且100%以下。作為過濾網的種類，例如可使用ULPA過濾網(Ultra Low Penetration Air Filter：超低穿透空氣過濾網)。ULPA過濾網是如下所述的空氣過濾網，即，在額定風量下相對於粒徑為0.15μm的粒子而具備99.9995%以上的粒子捕集率，且具備初始壓力損失為245Pa以下的性能。而且，作為過濾網131，亦可使用HEPA過濾網(High Efficiency Particulate Air Filter：高效粒子空氣過濾網)。HEPA過濾網是如下所述的空氣過濾網，即，在額定風量下相對於粒徑為0.3μm的粒子而具備99.97%以上的粒子捕集率，且具備初始壓力損失為245Pa以下的性能。考慮到確保對第2框體113的黏著性，過濾網131較佳為寬度(高度)與第2框體113的高度大致相等。
過濾網131包含通氣部135及上膠部137(圖3(a)、圖3(b))。上膠部137以包圍通氣部135的方式而配置在過濾網131的外周部。上膠部137起到無間隙地黏著第2框體113與通氣部135的作用。在上膠部137處，氣體不通過。上膠部137的寬度為0.2mm以上且1.0mm以下。為了加大通氣部135的面積，較為理想的是上膠部137的寬度儘可能細。
所謂通氣部135，是指過濾網131的未被上膠部137覆蓋的部分。通氣部135供氣體通過，以捕捉氣體中所含的粒子。 由於在通氣部135中會產生壓力損失，因此過濾網的換氣性能是由通氣部135的換氣性能來決定。
過濾網131的通氣部135的總面積是考慮到在減壓時過濾網中產生的壓力損失的上限值來設定。較為理想的是，在減壓時過濾網131的通氣部135中產生的壓力損失為2Pa以下。過濾網131的通氣部135的長度可藉由將過濾網131的通氣部135的面積除以過濾網131的通氣部135的寬度來算出。每1片過濾網的通氣部135的長度範圍並無特別限制，但較為理想的是1cm以上且15cm以下的範圍，更為理想的是2cm以上且10cm以下。
當前，作為EUV曝光用的防塵薄膜，假定長邊為152mm以下、短邊為120mm以下、高度為2mm以下的大小，且假定以350Pa/sec的速度進行減壓及加壓。為了使從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時以及從真空狀態加壓至恢復常壓時的、因防塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄膜用膜101的膨脹小於0.5mm，過濾網131的通氣部135的合計面積相對於防塵薄膜100的內部體積的比率(過濾網的通氣部面積/防塵薄膜內部體積)較佳為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。若該比率為0.007mm-1以上，則在減壓及加壓時通過過濾網通氣部的氣體的流速不會變得過快，因此可抑制防塵薄膜100內外的差壓的上升，可將防塵薄膜用膜101的膨脹抑制為小於0.5mm。而且，由於可形成的通氣部135的大小的限制，若該比率為0.026mm-1以下，則可充分設置過濾網131的通氣部135及上膠部 137。
本實施形態中，與第1框體111卡合且與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的第2框體113內側的第2面113B，相對於配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面而成直角。第1框體111的側面相對於配置有防塵薄膜用膜101的面而為直角，與第1框體111卡合的第2框體113的薄壁部117內側的第2面113B相對於第2框體113的第1面113A而為直角，因此可獲得第1框體111與第2框體113的高密接性。此時，較佳為，防塵薄膜用膜101的上表面與第2框體113的上表面以處於同一面上的方式而配置。
而且，在第2框體113的厚壁部115的底面，配置有黏著層143。黏著層143是用於將防塵薄膜100固定至光罩的部件。對於黏著層143的厚度，較佳為在可確保光罩與第2框體113的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，作為用於黏著層143的黏著劑，較佳為具有相對於EUV光的耐性且氣體的產生量少的材料。而且，為了使氫氣在曝光裝置內流動以去除來源於碳的污垢，較佳為包含具有相對於氫自由基的耐性的材料。
作為黏著劑，可列舉丙烯樹脂黏著劑、環氧樹脂黏著劑、聚醯亞胺樹脂黏著劑、矽酮樹脂黏著劑、無機系黏著劑、雙面膠帶、矽酮樹脂黏接劑、丙烯系黏接劑、聚烯烴系黏接劑等。黏著層143的材料既可與黏著層141相同，亦可與黏著層141不 同。
防塵薄膜100中，第2框體113的高度與配置在第2框體113下表面的黏著層143的高度的合計值較佳為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜101的破損，防塵薄膜100的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜100的黏著層143，藉由可剝離的護襯151來保護黏著層143。
本發明中，作為第2框體113，使用剖面具有L字形狀的構件，並使過濾網131的高度與第2框體113的高度大致相等，藉此，不會在過濾網131的背面產生貫穿孔121以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網131。
(防塵薄膜100的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜100例如可參照圖4(a)~圖4(d)及圖5(a)~圖5(d)而以下述方式製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖4(a)~圖4(d)及圖5(a)~圖5(d)是表示防塵薄膜100的製造步驟的圖。準備基板105，在基板105上形成防塵薄膜用膜101(圖4(a))。對於基板105，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等，但並不限定於該些基板。
防塵薄膜用膜101是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板105上。EUV光相對於所有物 質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜101較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜101較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
對形成有防塵薄膜用膜101的基板105進行乾式蝕刻，以基板105成為框形狀的方式而使防塵薄膜用膜101露出以形成第1框體111(圖4(b))。藉由乾式蝕刻而形成的第1框體111的側面相對於形成有防塵薄膜用膜101的面而大致成直角。
另行準備框的高度方向的剖面具有L字形狀的第2框體113(圖4(c))。本實施形態中，第2框體113中，薄壁部117內側的側面即第2面113B相對於第1面113A而大致為直角。即，與配置有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面交叉的第2框體113內側的第2面113B相對於形成有防塵薄膜用膜101的第1框體111的面而成直角。
在與第2框體113的高度方向交叉的方向上具有厚度的厚壁部115上形成貫穿孔121(圖4(d))。由於曝光裝置的限制，因此防塵薄膜100的高度上限為2.5mm，考慮到防止異物的成像，防塵薄膜高度越高越好。然而，根據公知資訊，防塵薄膜的高度需要2mm(例如非專利文獻1)。鑒於以上所述，貫穿孔121的直徑設為：在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜100內外的差壓造成的防塵薄 膜用膜101的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔121被過濾網131覆蓋，因此，貫穿孔121的直徑是考慮到過濾網131的阻力來設定。
在與第2框體113的高度方向平行的第2框體113外側的面上，黏著有覆蓋貫穿孔121的過濾網131(圖5(a))。過濾網131較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對第2框體113的黏著性的觀點，較佳為寬度(高度)與第2框體113的高度大致相等。
如上所述，考慮到確保過濾網131的密接性與增加過濾網面積的觀點，過濾網131的寬度是將與第2框體113的寬度(高度)相同的寬度設為上限。然而，若過濾網131的寬度(高度)超過第2框體113的高度，則上膠部137會從第2框體113突出，因此密接力下降而不佳。
在第2框體113的厚壁部115的底面形成黏著層143。而且，配置保護黏著層143的護襯151(圖5(b))。此處，亦可準備形成有黏著層143的護襯151，並經由黏著層143而將護襯151貼附於第2框體113的厚壁部115的底面。
在第2框體113的厚壁部115的第1面113A形成黏著層141(圖5(c))。以外包圍第1框體111的方式，經由所形成的黏著層141而將第1框體111固定於第2框體113(圖5(d))。此時，為了加強黏著層141，例如亦可在第1框體111的側面、與和第1框體111的側面接觸的第2框體113的薄壁部117的第2 面113B之間進而配置黏著層。用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為將第2框體113的高度與配置在第2框體113下表面的黏著層143的高度的合計值設為2mm以下。
本發明中，使用剖面具有L字形狀的構件來作為第2框體113，且使過濾網131的高度與第2框體113的高度大致相等，藉此，不會在過濾網131的背面產生貫穿孔121以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網131。而且，第1框體111的側面相對於配置有防塵薄膜用膜101的面而為直角，與第1框體111卡合的第2框體113的薄壁部117內側的第2面113B相對於第2框體113的第1面113A而為直角，因此可獲得第1框體111與第2框體113的高密接性。
另外，本實施形態的防塵薄膜100中，只要如下所述即可：第1框體111的側面相對於配置有防塵薄膜用膜101的面而為直角，第2框體113具有包含下述第1面113A的厚壁部115及下述第2面113B，且外包圍防塵薄膜用膜101與第1框體111，所述第1面113A支承第1框體111的與配置有防塵薄膜用膜101的面為相反側的面，所述第2面113B連接於第1面113A且支承第1框體111的側面，與第1框體111卡合的第2框體113的第2面113B相對於配置有防塵薄膜用膜101的第1面113A而為直角。因此，本實施形態例如亦包含如圖6所示的防塵薄膜200般的變形例。
防塵薄膜200中，第2框體213的形狀與第2框體113不同。第2框體213具有包含下述第1面213A的厚壁部215及下述第2面213B，且外包圍防塵薄膜用膜201與第1框體211，所述第1面213A支承第1框體211的與配置有防塵薄膜用膜201的面為相反側的面，所述第2面213B連接於第1面213A且支承第1框體211的側面。而且，第2框體213具有：與第1框體211的側面接觸的第2框體213的第1薄壁部217A、及連接於厚壁部215的下表面且包含第2框體213的底面的第2薄壁部217B。因此，第2框體213具有使T字橫置般的形狀。其他結構與防塵薄膜100同樣，因此省略詳細說明。
(實施形態2)
如圖17(b)的防塵薄膜900所示，在藉由濕式蝕刻來形成第1框體111的情況下，在第1框體911的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。此時，若使用實施形態1所示的第2框體113，則會在第1框體側面與第2框體的內側的側面之間產生間隙。本實施形態中，對使用與藉由濕式蝕刻而形成的第1框體相適合的第2框體的示例進行說明。
圖7是本發明的一實施形態的防塵薄膜300在圖1的線段AA'處的剖面圖。防塵薄膜300具備：配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311、及固定第1框體311的第2框體313。第2框體313具有包含下述第1面313A的厚壁部315及下述第2面313B，且外包圍防塵薄膜用膜301與第1框體311，所述第1面313A支 承第1框體311的與配置有防塵薄膜用膜301的面為相反側的面，所述第2面313B連接於第1面313A且支承第1框體311的側面。第2框體313的與防塵薄膜用膜301正交的剖面具有大致L字形狀。而且，防塵薄膜300具備：配置於第2框體313的貫穿孔321、及覆蓋貫穿孔321的過濾網331。貫穿孔321配置於在與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的方向上具有厚度的第2框體313的厚壁部315。過濾網331經由黏著層(未圖示)而配置於與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313外側的側面。
本實施形態中，第1框體311是藉由濕式蝕刻而形成，因此在第1框體311的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。因此，與第1框體311卡合的第2框體313具有下述結構，即，與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313內側的面，相對於配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜。即，第2框體313的薄壁部317成為具有下述傾斜的大致L字形狀的剖面，即，上表面側的寬度變小，而厚壁部315側的寬度變大。
防塵薄膜300中，與第1框體311卡合且與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313內側的面，相對於配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜，藉此，第2框體313可獲得與藉由濕式蝕刻而形成的第1框體311的高密接性。
作為防塵薄膜用膜301、第1框體311及第2框體313，可使用與所述防塵薄膜用膜、基板及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體311與第2框體313經由黏著層341而固定。圖7中，黏著層341配置於在與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的方向上具有厚度的第2框體313的厚壁部315的第1面313A上。為了加強黏著層341，例如亦可在第1框體311的側面(傾斜面)、與和第1框體311的側面(傾斜面)接觸的第2框體313的薄壁部317的側面(傾斜面)即第2面313B之間進而配置黏著層。
黏著層341的厚度較佳為在可確保第1框體311與第2框體313的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。而且，用於黏著層341的黏著劑可使用與黏著層141同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
貫穿孔321是配置於在與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的方向上具有厚度的第2框體313的厚壁部315。由於曝光裝置的限制，因此防塵薄膜300的高度上限為2.5mm，考慮到防止異物的成像，防塵薄膜300的高度越高越好。然而，根據公知資訊，防塵薄膜的高度需要2mm(例如非專利文獻1)。鑒於以上所述，貫穿孔321的直徑設為：在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜300內外的差壓造成的防塵薄膜用膜301的膨脹小於0.5mm。本 實施形態中，貫穿孔321被過濾網331覆蓋，因此貫穿孔321的直徑是考慮到在減壓時於貫穿孔321中產生的壓力損失的上限值來設定。
減壓時於貫穿孔321中產生的壓力損失較為理想的是1Pa以下，更為理想的是0.5Pa以下。例如，在以350Pa/sec的速度進行減壓時，貫穿孔321中產生的防塵薄膜300內外的壓力損失為1Pa時的貫穿孔321的直徑為480μm，數量為4個。
貫穿孔321的形狀並無特別限定，可為圓形、橢圓形、長方形、多邊形、梯形等形狀。貫穿孔321的直徑並無特別限制，較為理想的是，在框的強度不會下降的範圍內設為10μm~500μm左右。貫穿孔321的數量亦無特別限制，可根據過濾網331的長度或過濾網331的寬度來選擇。
過濾網331可使用與過濾網131同樣的過濾網，因此省略詳細說明。而且，考慮到確保對第2框體313的黏著性的觀點，過濾網331的寬度(高度)較佳為與第2框體313的高度大致相等。
此處，過濾網331是與過濾網131同樣地，包含通氣部與上膠部(未圖示)。上膠部以覆蓋通氣部的方式而包圍過濾網的周邊。上膠部起到無間隙地黏著第2框體與通氣部的作用。在上膠部處，氣體不通過。上膠部的寬度為0.2mm以上且1.0mm以下。為了加大通氣部的面積，較為理想的是上膠部的寬度儘可能細。
所謂通氣部，是指過濾網的未被上膠部覆蓋的部分。通氣部供氣體通過，以捕捉氣體中所含的粒子。由於在通氣部中會產生壓力損失，因此過濾網的換氣性能是由通氣部的換氣性能來決定。
過濾網331的通氣部的總面積是考慮到在減壓時過濾網331的通氣部中產生的壓力損失的上限值來設定。減壓時過濾網331的通氣部中產生的壓力損失較為理想的是2Pa以下。過濾網331的通氣部的長度可藉由將過濾網331的通氣部的面積除以過濾網331的通氣部的寬度而算出。每1片過濾網的長度的範圍並無特別限制，較為理想的是1cm~15cm的範圍，更為理想的是2cm~10cm。
本實施形態中，與第1框體311卡合且與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313內側的第2面313B，相對於配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜。第1框體311具有相對於配置有防塵薄膜用膜301的面而底面側的寬度變細的傾斜，因此與第1框體311卡合的第2框體313的薄壁部317內側的第2面313B相對於第2框體313的第1面313A而以厚壁部315側寬度變寬的方式傾斜，可獲得第1框體311與第2框體313的高密接性。此時，較佳為，防塵薄膜用膜301的上表面與第2框體313的上表面以處於同一面上的方式而配置。
而且，在第2框體313的厚壁部315的底面配置有黏著 層343。黏著層343是用於將防塵薄膜300固定至光罩的部件。對於黏著層343的厚度，較佳為在確保光罩與第2框體313的充分黏著的範圍內儘可能薄，例如為10μm以上且300μm以下。用於黏著層343的黏著劑可使用與黏著層143同樣的黏著劑，因此省略詳細說明。
防塵薄膜300中，較佳為，第2框體313的高度與配置在第2框體313下表面的黏著層343的高度的合計值為2mm以下。如上所述，用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此為了防止防塵薄膜用膜301的破損，防塵薄膜300的高度較佳為2mm以下。
為了防止塵埃等附著於使用前的防塵薄膜300的黏著層343，藉由可剝離的護襯351來保護黏著層343。
本發明中，使用剖面具有大致L字形狀的構件來作為第2框體313，並使過濾網331的高度與第2框體313的高度大致相等，藉此，不會在過濾網331的背面產生貫穿孔321以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網331。
(防塵薄膜300的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜300例如可參照圖8(a)~圖8(d)及圖9(a)~圖9(d)而以下述方式來製造。另外，以下的製造步驟僅為一例，亦可根據需要來變更製造步驟的順序。圖8(a)~圖8(d)及圖9(a)~圖9(d)是表示防塵薄膜300的製造步驟的圖。準備基板305，在基板305上形成防塵薄膜用膜301(圖 8(a))。對於基板305，如上所述，例如可使用矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板等，但並不限定於該些基板。
防塵薄膜用膜301是藉由蒸鍍，以膜厚成為20nm以上且50nm以下的方式而形成於基板305上。EUV光相對於所有物質而容易被吸收，因此防塵薄膜用膜301較佳為以對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率的方式而形成為較薄。本發明的防塵薄膜用膜301較佳的是相對於5nm~13.5nm左右的波長的光具有90.0%以上的透射率，進而較佳的是相對於13.5nm±0.3nm的波長的光具有90.0%以上的透射率。
對形成有防塵薄膜用膜301的基板305進行濕式蝕刻，以基板305成為框形狀的方式而使防塵薄膜用膜301露出，以形成第1框體311(圖8(b))。藉由濕式蝕刻而形成的第1框體311的側面以形成有防塵薄膜用膜301的面側寬度變寬的方式，在第1框體311的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。
另行準備框的高度方向的剖面具有大致L字形狀的第2框體313(圖8(c))。本實施形態中，第2框體313以厚壁部315側的第1面313A的寬度相對於上表面而變大的方式，薄壁部317內側的側面即第2面313B傾斜。即，與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313內側的第2面313B，相對於形成有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜。
於在與第2框體313的高度方向交叉的方向上具有厚度的厚壁部315上形成貫穿孔321(圖8(d))。由於曝光裝置的限 制，因此防塵薄膜300的高度上限為2.5mm，考慮到防止異物的成像，防塵薄膜高度越高越好。然而，根據公知資訊，防塵薄膜的高度需要2mm(例如非專利文獻1)。鑒於以上所述，貫穿孔321的直徑設為：在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜300內外的差壓造成的防塵薄膜用膜301的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔321被過濾網331覆蓋，因此貫穿孔321的直徑是考慮到過濾網331的阻力來設定。
在與第2框體313的高度方向平行的第2框體313的外側的面上，黏著有覆蓋貫穿孔321的過濾網331(圖9(a))。過濾網331較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對第2框體313的黏著性的觀點，較佳為寬度(高度)與第2框體313的高度大致相等。
如上所述，考慮到確保過濾網331的密接性與增加過濾網面積的觀點，過濾網331的寬度是將與第2框體313的寬度(高度)相同的寬度設為上限。然而，若過濾網331的寬度(高度)超過第2框體313的高度，則上膠部會從第2框體313突出，因此密接力下降而不佳。
在第2框體313的厚壁部315的底面形成黏著層343。而且，配置保護黏著層343的護襯351(圖9(b))。此處，亦可準備形成有黏著層343的護襯351，經由黏著層343而將護襯351貼附至第2框體313的厚壁部315的底面。
在第2框體313的厚壁部315的第1面313A上，形成黏著層341(圖9(c))。以外包圍第1框體311的方式，經由所形成的黏著層341而將第1框體311固定至第2框體313(圖9(d))。此時，為了加強黏著層341，例如亦可在第1框體311的側面(傾斜面)、與和第1框體311的側面(傾斜面)接觸的第2框體313的薄壁部317的側面(傾斜面)的第2面313B之間進而配置黏著層。
本發明中，使用剖面具有大致L字形狀的構件來作為第2框體313，並使過濾網331的高度與第2框體313的高度大致相等，藉此，不會在過濾網331的背面產生貫穿孔321以外的空隙，而可具備充分的密接性來配置過濾網331。而且，與第1框體311卡合且與配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面交叉的第2框體313內側的第2面313B，相對於配置有防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜，藉此，第2框體313可獲得與藉由濕式蝕刻而形成的第1框體311的高密接性。
另外，本實施形態的防塵薄膜300只要如下所述即可，即：第1框體311的側面相對於底面而朝內側傾斜，第2框體313具有包含下述第1面313A的厚壁部315及下述第2面313B，且外包圍防塵薄膜用膜301與第1框體311，所述第1面313A支承第1框體311的與配置有防塵薄膜用膜301的面為相反側的面，所述第2面313B連接於第1面313A且支承第1框體311的側面，與第1框體311卡合的第2框體313的第2面313B相對於配置有 防塵薄膜用膜301的第1框體311的面而朝內側傾斜。因此，本實施形態例如亦包含如圖10所示的防塵薄膜400般的變形例。
防塵薄膜400中，第2框體413的形狀與第2框體313不同。第2框體413具有包含下述第1面413A的厚壁部415及下述第2面413B，且外包圍防塵薄膜用膜401與第1框體411，所述第1面413A支承第1框體411的與配置有防塵薄膜用膜401的面為相反側的面，所述第2面413B連接於第1面413A且支承第1框體411的側面。而且，第2框體413具有：與第1框體411的側面接觸的第2框體413的第1薄壁部417A、及連接於厚壁部415的下表面且包含第2框體413的底面的第2薄壁部417B。
圖10中，第2框體413的第2薄壁部417B具有朝向底面而朝第2框體413外側的側面方向傾斜的結構。另外，作為另一變形性，亦可如所述的防塵薄膜200的第2框體213般，第2薄壁部417B內側的側面與第2框體413外側的側面為平行。
而且，亦可將所述實施形態1的變形例即防塵薄膜200的第2框體213如第2框體413的第2薄壁部417B般，設為朝向底面而朝第2框體413外側的側面方向傾斜的結構。
(實施形態3)
所述實施形態中，第2框體利用第1面與第2面來外包圍防塵薄膜用膜與第1框體，並經由黏著層來固定第1框體。另一方面，本發明的防塵薄膜中，極紫外光透過防塵薄膜用膜而入射至配置有第2框體的光罩，該入射的極紫外光使與光罩圖案相應的 極紫外光、及作為因高次反射或擴散反射造成的迷光的極紫外光出射。當對光罩入射及/或出射的極紫外光照射至黏著層時，黏著層會發生劣化。
本實施形態中，對藉由使用下述第2框體來抑制黏著層劣化的防塵薄膜進行說明，該第2框體具有連接於第1面且與第2面相對的第3面。圖11是本發明的一實施形態的防塵薄膜500在圖1的線段AA'處的剖面圖。
防塵薄膜500具備：配置有防塵薄膜用膜501的第1框體511、及固定第1框體511的第2框體513。第2框體513具有：厚壁部515，包含第1面513A，該第1面513A支承第1框體511的與配置有防塵薄膜用膜501的面為相反側的面；以及第2面513B，連接於第1面513A且支承第1框體511的側面。本實施形態中，第2框體513更具有連接於第1面513A且與第2面513B相對的第3面513C，第2框體513的第3面513C是與第1框體511內側的側面相向地配置。
防塵薄膜500具備：配置於第2框體513的貫穿孔521、及覆蓋貫穿孔521的過濾網531。貫穿孔521配置於在與配置有防塵薄膜用膜501的第1框體511的面交叉的方向上具有厚度的第2框體513的厚壁部515。過濾網531經由黏著層(未圖示)而配置在與配置有防塵薄膜用膜501的第1框體511的面交叉的第2框體513外側的側面。
作為防塵薄膜用膜501、第1框體511及第2框體513， 可使用與所述的防塵薄膜用膜、基板及第2框體113同樣的材料，因此省略詳細說明。
第1框體511與第2框體513經由黏著層541而固定。黏著層541配置於在與配置有防塵薄膜用膜501的第1框體511的面交叉的方向上具有厚度的第2框體513的厚壁部515的第1面513A上。為了加強黏著層541，例如亦可在第1框體511的側面、與和第1框體511的側面接觸的第2框體513的薄壁部517的第2面513B及第3面513C之間進而配置黏著層。
本實施形態中，第2框體513具備突出部，該突出部具有第3面513C，該第3面513C連接於第1面513A且與第2面513B相對。具有第3面513C的突出部可遮擋對光罩入射及/或出射的極紫外光，防止其照射至黏著層541。因此，可抑制因極紫外光造成的黏著層541的劣化。
黏著層541、貫穿孔521及過濾網531的結構已上述，因此省略詳細說明。
防塵薄膜500的製造方法僅有第2框體513的製造步驟與防塵薄膜100不同。即，準備下述第2框體513，且經由黏著層541而將第1框體511固定於第2框體513，該第2框體513的第2面513B、與連接於第1面513A且和第2面513B相對的第3面513C相對於形成有防塵薄膜用膜的第1框體511的面而成直角。其他製造步驟與防塵薄膜100同樣，因此省略詳細說明。
而且，第2框體的包括具有第3面的突出部的結構，亦 可與實施形態2中說明的藉由濕式蝕刻而使防塵薄膜用膜露出的第1框體加以組合。圖12(a)~圖12(d)是一實施形態的防塵薄膜600的示意圖，圖12(a)是圖1的線段AA'處的剖面圖，圖12(b)~圖12(d)是第2框體613的變形例。
防塵薄膜600具備：配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611、及固定第1框體611的第2框體613。第2框體613具有：厚壁部615，包含第1面613A，該第1面613A支承第1框體611的與配置有防塵薄膜用膜601的面為相反側的面；以及第2面613B，連接於第1面613A且支承第1框體611的側面。本實施形態中，第2框體613更具有連接於第1面613A且與第2面613B相對的第3面613C，第2框體613的第3面613C是與第1框體611內側的側面相向地配置。
第2框體613中，與防塵薄膜用膜601正交的剖面具有大致L字形狀。而且，防塵薄膜600具備：配置於第2框體613的貫穿孔621、及覆蓋貫穿孔621的過濾網631。貫穿孔621配置於在與配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面交叉的方向上具有厚度的第2框體613的厚壁部615。過濾網631經由黏著層(未圖示)而配置在與配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面交叉的第2框體613外側的側面。
本實施形態中，第1框體611是藉由濕式蝕刻而形成，因此在第1框體611的側面產生傾斜，剖面成為梯形狀。因此，與第1框體611卡合的第2框體613具有下述結構：與配置有防 塵薄膜用膜601的第1框體611的面交叉的第2框體613內側的面，相對於配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面而朝內側傾斜，並且，與第1框體611卡合的第2框體613的第3面613C以下述方式而傾斜，即，從第1面613A朝向配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面，與第2面613B的距離變大。
防塵薄膜600具有第2面613B與第3面613C，該第2面613B與第3面613C連接於第1面613A，且以下述方式而傾斜，即，朝向配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面而彼此距離變大，藉此，第2框體613可獲得與藉由濕式蝕刻而形成的第1框體611的高密接性。
而且，本實施形態中，第2框體613包括具有第3面613C的突出部，該第3面613C以下述方式而傾斜，即，從所述第1面朝向配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面，與所述第2面的距離變大。具有第3面613C的突出部可遮擋對光罩入射及/或出射的極紫外光，防止其照射至黏著層641。因此，可抑制因極紫外光造成的黏著層641的劣化。
另外，第2框體613的具有第3面613C的突出部包含圖12(b)~圖12(d)所示般的前端形狀的變形例。因此，本實施形態的防塵薄膜600中，第2框體613的具有第3面613C的突出部前端的剖面形狀既可為圖12(b)般的銳角，亦可為圖12(c)般的梯形，還可具有圖12(d)般的R形狀，並不限定於該些形狀。
防塵薄膜600的製造方法僅有第2框體613的製造步驟與防塵薄膜300不同。即，準備具有下述第2面613B及下述第3面613C的第2框體613，且經由黏著層641而將第1框體611固定至第2框體613，所述第2面613B相對於形成有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面而朝內側傾斜，所述第3面613C以下述方式而傾斜，即，從第1面613A朝向配置有防塵薄膜用膜601的第1框體611的面，與第2面613B的距離變大。其他製造步驟與防塵薄膜300與同樣，因此省略詳細說明。
另外，防塵薄膜500及防塵薄膜600中，第2框體亦可如所述的第2框體413的第2薄壁部417B般，具有朝向底面而朝第2框體外側的側面方向傾斜的結構。而且，作為另一變形性，亦可如所述的防塵薄膜200的第2框體213般，第2薄壁部內側的側面與第2框體外側的側面平行。
(實施形態4)
所述實施形態中，本發明的防塵薄膜的防塵薄膜用膜是膜厚為20nm以上且50nm以下的先前所沒有的較薄的膜，因此難以如先前的防塵薄膜般用手固定至光罩。因此，必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式貼附至光罩。本實施形態中，對下述示例進行說明，即，在第2框體上設置以非接觸方式貼附至光罩的貼附部件。
圖13是本發明的一實施形態的防塵薄膜700中所用的第2框體713的示意圖，上側的圖是第2框體713的上表面側的 立體圖，下側的圖是第2框體713的底面側的立體圖。如圖14所示，防塵薄膜700具備：配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711、及固定第1框體711的第2框體713。第2框體713外包圍防塵薄膜用膜701與第1框體711，且與防塵薄膜用膜701正交的剖面具有L字形狀。而且，防塵薄膜700具備：配置於第2框體713的貫穿孔721、及覆蓋貫穿孔721的過濾網731。貫穿孔721配置於在與配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711的面交叉的方向上具有厚度的第2框體713的厚壁部715。過濾網731經由黏著層(未圖示)而配置在與配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711的面交叉的第2框體713外側的面上。
第2框體713在厚壁部715的上表面設置有槽714。本實施形態中，從第2框體713的上表面(厚度方向)觀察的槽714的形狀是沿著第2框體713的形狀為一周的無接頭形狀。
第2框體713具有貫穿孔714A及貫穿孔714B。貫穿孔714A及貫穿孔714B分別貫穿槽714的底面與第2框體713的外側的面之間。
此處，貫穿孔714A及貫穿孔714B亦可分別貫穿槽714的側面與第2框體713的外側的面之間。而且，貫穿孔714A及貫穿孔714B中的任一者亦可省略。即，第2框體713中，相對於1個槽(槽714)而連接有2個貫穿孔(貫穿孔714A及貫穿孔714B)，但本實施形態並不限定於該態樣。本實施形態中，只要相對於1個槽(槽714、槽716)而連接有至少一個貫穿孔即可。
而且，如圖13及圖14所示，在第2框體713的與厚壁部715的上表面為相反側的底面上，設置有槽716。本實施形態中，槽716的形狀亦與槽714的形狀同樣，成為在從厚度方向觀察時沿著第2框體713的形狀為一周的無接頭形狀。
第2框體713具有貫穿孔716A及貫穿孔716B。貫穿孔716A及貫穿孔716B分別貫穿槽716的底面與第2框體713的外側的面之間。對於貫穿孔716A及貫穿孔716B的變形例，則與貫穿孔714A及貫穿孔714B的變形例同樣。
第2框體713適合於將防塵薄膜用膜701與第1框體711予以固定(支持)來製作防塵薄膜700的用途。在第2框體713上，在成為與第1框體711的相向面的厚壁部715的上表面設置有槽714，且設置有連接於該槽714的貫穿孔714A及貫穿孔714B。因此，在將第1框體711固定於第2框體713的厚壁部715時，(例如藉由真空泵(pump)等排氣部件)通過貫穿孔714A及貫穿孔714B來對槽714的內部進行減壓，藉此可對第2框體713與第1框體711之間的壓力進行減壓。藉由該減壓，可使壓合力作用於第2框體713與第1框體711之間，因此不會接觸至第2框體713及第1框體711的前表面及背面(即，第2框體713的厚壁部715的上表面及底面、和第1框體711的配置有防塵薄膜用膜701的面及第1框體711的底面)，而可將兩者予以固定。
第2框體713與第1框體711的固定是經由黏著層741而進行。藉由進行減壓，可經由黏著層741來按壓第2框體713 與防塵薄膜用膜，因此可牢固地固定第2框體713與第1框體711。
另外，對於其他結構，與實施形態1及實施形態2中說明的結構同樣，因此省略詳細說明。而且，在圖13及圖14中，對與實施形態1所示的第1框體111同樣地，第1框體711的側面與底面為大致正交形狀的情況進行了說明，但本實施形態亦可適用於實施形態2所示般的與側面具有傾斜的第1框體卡合的第2框體。
(防塵薄膜700的製造方法)
本實施形態的防塵薄膜700的製造方法的基本步驟與實施形態1及實施形態2同樣。與實施形態1或實施形態2同樣，形成第1框體711。
另行準備框的高度方向的剖面具有L字形狀的第2框體713。本實施形態中，第2框體713中，薄壁部717內側的側面相對於上表面而大致為直角。即，與配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711的面交叉的第2框體713內側的面，相對於形成有防塵薄膜用膜701的第1框體711的面為直角。
於在與第2框體713的高度方向交叉的方向上具有厚度的厚壁部715上形成貫穿孔721。由於曝光裝置的限制，因此防塵薄膜700的高度上限為2.5mm，考慮到防止異物的成像，防塵薄膜700的高度越高越好。然而，根據公知資訊，防塵薄膜700的高度需要2mm(例如非專利文獻1)。鑒於以上所述，貫穿孔721的直徑設為：在從常壓(0.1MPa)減壓至曝光時的真空狀態(10-4 Pa~10-6Pa)為止時，因防塵薄膜700內外的差壓造成的防塵薄膜用膜701的膨脹小於0.5mm。本實施形態中，貫穿孔721被過濾網731覆蓋，因此貫穿孔721的直徑是考慮到過濾網731的阻力來設定。
而且，在第2框體713的厚壁部715的上表面形成槽714，並且形成貫穿孔714A及貫穿孔714B，該貫穿孔714A及貫穿孔714B貫穿槽714的側面與第2框體713外側的面之間。同樣，在第2框體713的厚壁部715的底面形成槽716，並且形成貫穿孔716A及貫穿孔716B，該貫穿孔716A及貫穿孔716B貫穿槽716的側面與第2框體713外側的面之間。
在與第2框體713的高度方向平行的第2框體713外側的面上，黏著有覆蓋貫穿孔721的過濾網731。過濾網731較佳為具有所述特性的過濾網，考慮到確保對第2框體713的黏著性的觀點，較佳為寬度(高度)與第2框體713的高度大致相等。
此處，過濾網731是與過濾網131同樣，包含通氣部與上膠部(未圖示)。上膠部以覆蓋通氣部的方式而包圍過濾網的周邊。上膠部起到無間隙地黏著第2框體與通氣部的作用。在上膠部處，氣體不通過。上膠部的寬度為0.2mm以上且1.0mm以下。為了加大通氣部的面積，較為理想的是上膠部的寬度儘可能細。
所謂通氣部，是指過濾網的未被上膠部覆蓋的部分。通氣部供氣體通過，以捕捉氣體中所含的粒子。由於在通氣部中會產生壓力損失，因此過濾網的換氣性能是由通氣部的換氣性能來 決定。
在第2框體713的厚壁部715的底面形成黏著層743。此時，以第2框體713的厚壁部715的底面上所設的槽716不會被黏著層743覆蓋的方式而形成黏著層743。而且，配置保護黏著層743的護襯751。此處，亦可準備形成有黏著層743的護襯751，經由黏著層743而將護襯751貼附至第2框體713的厚壁部715的底面。
在第2框體713的厚壁部715的上表面，形成黏著層741。此時，以第2框體713的厚壁部715的上表面所設的槽714不會被黏著層741覆蓋的方式而形成黏著層741。以外包圍第1框體711的方式，經由所形成的黏著層741而將第1框體711固定於第2框體713。此時，為了加強黏著層741，例如亦可在第1框體711的側面、與和第1框體711的側面接觸的第2框體713的薄壁部717之間進而配置黏著層。用於在光罩上安裝防塵薄膜的空間僅有2.5mm的高度，因此本實施形態中，較佳為將第2框體713的高度與配置在第2框體713下表面的黏著層743的高度的合計值設為2mm以下。
將第1框體711固定於第2框體713的步驟例如是使用圖14所示的防塵薄膜製造裝置1000來進行。防塵薄膜製造裝置1000具備：真空腔室(chamber)1100、被載置於真空腔室1100內的載置台1200、用於對真空腔室1100供給氣體的供給管1110、及用於將真空腔室1100內的氣體排出至真空腔室1100外的排出 管1120A及排出管1120B。排出管1120A及排出管1120B在真空腔室1100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室1100內的載置台1200上，載置第2框體713。詳細而言，以相接觸的方式載置第2框體713的護襯751與載置台1200。然後，在第2框體713的黏著層741上，配置防塵薄膜用膜701與第1框體711的複合構件。
作為一例，使用作為矽晶圓(silicon wafer)(例如8吋矽晶圓)的第1框體711與作為多晶矽膜(p-Si膜)的防塵薄膜用膜701的複合構件，來作為複合構件。在複合構件的規定位置，設置有用於切割(cut)成第1框體711的規定尺寸的切槽。第1框體711較佳的是在與第2框體713貼合前切割成規定尺寸(以下，亦將該操作稱作「修切(trimming)」)。
而且，排出管1120A及排出管1120B分別在真空腔室1100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對第2框體713的槽714的內部進行減壓的2個貫穿孔714A及貫穿孔714B。
以下，對使用所述防塵薄膜製造裝置1000的防塵薄膜的製造方法的示例進行說明。首先，在真空腔室1100內的載置台1200上載置第2框體713，在第2框體713的上方配置第1框體711。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層741與第1框體711。
接下來，依照公知的方法來進行第2框體713與第1框體711的定位。藉由定位，以由第2框體713所圍成的開口部來嵌套第1框體711的方式配置第1框體711。接下來，將排出管 1120A及排出管1120B各自的端部分別連接於用於對第2框體713(框本體)的槽714的內部進行減壓的2個貫穿孔714A及貫穿孔714B。
接下來，藉由從供給管1110向真空腔室1100內供給氣體，從而對真空腔室1100內進行加壓。同時，藉由使與排出管1120A及排出管1120B在真空腔室1100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管1120A及排出管1120B、以及第2框體713的2個貫穿孔714A及貫穿孔714B來對設置在第2框體713的厚壁部715上表面的槽714的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室1100內的整體壓力與槽714的內部壓力之差(差壓)所產生的第1框體711與第2框體713之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第1框體711與第2框體713之間產生壓合力，從而第2框體713的黏著層741與第1框體711黏著。
以上述方式，不會接觸至第1框體711與第2框體713的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(對光罩配置防塵薄膜的配置方法)
作為一例，本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法具有：配置步驟，將防塵薄膜和光罩以第2框體713的設置有槽716的面與光罩相向的方式予以配置，所述防塵薄膜是本實施形態的防塵薄膜700，且在第2框體713的至少與支持第1框體711的面 為相反側的面上設置有槽716，所述第1框體711配置有防塵薄膜用膜701；以及固定步驟，通過貫穿孔716A及貫穿孔716B來對槽716的內部進行減壓，從而將防塵薄膜700與光罩予以固定。
根據本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法，藉由槽716內部的減壓，可使壓合力作用於防塵薄膜700與光罩之間，因此不會接觸至防塵薄膜700及光罩的前表面及背面，而可將兩者予以固定。
在本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，較佳為，固定步驟中的減壓是在防塵薄膜700及光罩被配置於加壓環境下的狀態下進行。根據該態樣，可使配置防塵薄膜700及光罩的整體環境的壓力與槽716的內部壓力之差(差壓)更大，因此可使防塵薄膜700及光罩之間的壓合力更大。因此，可更容易地固定兩者。
防塵薄膜700與光罩之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)較佳為1N以上，進而較佳為2N以上。防塵薄膜700與光罩之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)更佳為10N以上，尤佳為20N以上。防塵薄膜700與光罩之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)的上限並無特別限制，但考慮到生產性等的觀點，例如為500N，較佳為400N。
接下來，參照圖15來說明本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的一例。但是，本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不受此一例限定。圖15是概念性地表示適合於 本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的光罩製造裝置2000的一例的剖面圖。
圖15所示的光罩製造裝置2000具備：真空腔室2100、用於對真空腔室2100供給氣體的供給管2110、及用於將真空腔室2100內的氣體排出至真空腔室2100外的排出管2120A及排出管2120B。排出管2120A及排出管2120B在真空腔室2100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室2100內，配置光罩2500。作為光罩2500，使用如下所述的光罩，該光罩包含支持基板、積層於該支持基板上的反射層、及形成於反射層上的吸收體層。光罩2500是在真空腔室2100內，以前表面(光照射面，即，設置有反射層及吸收體層的一側的面)為上、背面(光照射面的相反側的面，即，支持基板側的面)為下的方式而配置。
並且，在光罩2500的反射層及吸收層的上方，配置有去除了護襯751的防塵薄膜700。詳細而言，防塵薄膜700的黏著層743側朝向與光罩2500的前表面(光照射面)相向的方向而配置。
而且，排出管2120A及排出管2120B分別在真空腔室2100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對設置在第2框體713底面的槽716的內部進行減壓的2個貫穿孔。
以下，對使用光罩製造裝置2000來對光罩配置防塵薄膜的配置方法的示例進行說明。首先，準備去除了護襯751而獲 得的防塵薄膜700。接下來，在真空腔室2100內，以前表面(光照射面)為上的方向來配置光罩2500。此時，為了避免異物附著於光罩2500的前表面及背面，例如以下述方式進行配置，即，僅支持光罩2500的側面等，而機械、夾具、手等不會接觸到光罩2500的前表面及背面。
接下來，將防塵薄膜700配置於光罩2500的上方。此時，在防塵薄膜700的膜面上，為了避免異物附著，例如以下述方式進行配置，即，僅支持第2框體713的側面(外周面)等，而機械、夾具、手等不會接觸到防塵薄膜700的膜面。而且，在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層743與光罩2500。接下來，依照公知的方法，進行防塵薄膜700與光罩2500的定位。
接下來，將排出管2120A及排出管2120B各自的端部分別連接至用於對第2框體713的底側的槽716的內部進行減壓的2個貫穿孔。接下來，從供給管2110對真空腔室2100內供給氣體，藉此來對真空腔室內進行加壓。同時，藉由使與排出管2120A及排出管2120B在真空腔室2100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管2120A及排出管2120B、以及第2框體713的2個貫穿孔716A及貫穿孔716B而對設置在第2框體713底面的槽716的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室2100內的整體壓力與槽716的內部壓力之差(差壓)所產生的防塵薄膜700與光罩2500之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在防塵薄膜 700與光罩2500之間產生壓合力，從而防塵薄膜700的黏著層743與光罩2500黏著。
以上述方式，不會接觸至防塵薄膜700及光罩2500的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。藉此，可一邊抑制異物向防塵薄膜700及光罩2500上的附著，一邊將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(對光罩配置防塵薄膜的配置方法的變形例)
所述的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，在將第1框體711與第2框體713予以黏著而形成防塵薄膜700後，配置於光罩2500。然而，本發明的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不限定於此，亦可調換順序。作為一例，對將第2框體配置於光罩之後，在第2框體上黏著第1框體而完成防塵薄膜的示例進行說明。
本實施形態中，具有：配置步驟，將第2框體713與光罩以第2框體713的設置有槽716的面與光罩相向的方式予以配置，所述第2框體713在與支持第1框體711的面為相反側的面上設置有槽716，所述第1框體711配置有防塵薄膜用膜701；固定步驟，通過貫穿孔716A及貫穿孔716B來對槽716的內部進行減壓，從而將防塵薄膜700與光罩予以固定；以及將配置有防塵薄膜用膜701的第1框體711固定至第2框體713的步驟。
另外，如實施形態4中所說明般，第2框體713外包圍防塵薄膜用膜701與第1框體711，且與防塵薄膜用膜701正交的剖面具有L字形狀，且具備配置於第2框體713的貫穿孔721、 及覆蓋貫穿孔721的過濾網731。而且，在第2框體713上，具備：設置在厚壁部715上表面的槽714、貫穿槽714的底面與第2框體713外側的面之間的貫穿孔714A及貫穿孔714B、設置在厚壁部715的與上表面為相反側的底面上的槽716、以及貫穿槽716的底面與第2框體713外側的面之間的貫穿孔716A及貫穿孔716B。
根據本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法，藉由槽716的內部減壓，可使壓合力作用於第2框體713與光罩之間，因此不會接觸至第2框體713及光罩的前表面及背面，而可經由黏著層743來固定兩者。
本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法中，較佳為，第2框體713的固定步驟中的減壓是在第2框體713及光罩被配置於加壓環境下的狀態下進行。根據該態樣，可使配置有第2框體713及光罩的整體環境的壓力與槽716的內部壓力之差(差壓)更大，因此可使第2框體713及光罩之間的壓合力更大。因此，可更容易地固定兩者。
第2框體713與光罩之間的壓合力較佳為1N以上，進而較佳為2N以上。第2框體713與光罩之間的壓合力更佳為10N以上，尤佳為20N以上。第2框體713與光罩之間的壓合力的上限並無特別限制，但考慮到生產性等的觀點，例如為500N，較佳為400N。
而且，(例如藉由真空泵等排氣部件)通過貫穿孔714A及貫穿孔714B來對槽714的內部進行減壓，藉此可對第2框體 713與第1框體711之間的壓力進行減壓。藉由該減壓，可使壓合力作用於第2框體713與第1框體711之間，因此不會接觸至第2框體713及第1框體711的前表面及背面(即，第2框體713的厚壁部715的上表面及底面、和第1框體711的配置有防塵薄膜用膜701的面及第1框體711的底面)，而可將兩者予以固定。
第2框體713與第1框體711的固定是經由黏著層741來進行。藉由進行減壓，可經由黏著層741來按壓第2框體713與防塵薄膜用膜，因此可牢固地固定第2框體713與第1框體711。
接下來，參照圖16(a)、圖16(b)來說明本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的變形例。但是，本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法並不受此一例限定。圖16(a)、圖16(b)是概念性地表示適合於本實施形態的對光罩配置防塵薄膜的配置方法的光罩製造裝置3000的一例的剖面圖。
圖16(a)、圖16(b)所示的光罩製造裝置3000具備：真空腔室3100、用於對真空腔室3100供給氣體的供給管3110、以及用於將真空腔室3100內的氣體排出至真空腔室3100外的排出管3120A及排出管3120B。排出管3120A及排出管3120B在真空腔室3100外的端部(未圖示)連接於真空泵等排氣部件(未圖示)。
在真空腔室3100內，配置有光罩3500。作為光罩3500，使用如下所述的光罩，該光罩包含支持基板、積層於該支持基板上的反射層、及形成於反射層上的吸收體層。光罩3500是在真空 腔室3100內，以前表面(光照射面，即，設置有反射層及吸收體層的一側的面)為上、背面(光照射面的相反側的面，即，支持基板側的面)為下的方式而配置。
並且，在光罩3500的反射層及吸收層的上方，配置去除了護襯751的第2框體713。詳細而言，第2框體713的黏著層743側朝向與光罩3500的前表面(光照射面)相向的方向而配置。
而且，排出管3120A及排出管3120B分別在真空腔室3100內具有端部。該些端部可分別連接於用於對設置在第2框體713底面的槽716的內部進行減壓的2個貫穿孔。
以下，對使用光罩製造裝置3000來對光罩配置防塵薄膜的配置方法的示例進行說明。首先，準備去除了護襯751而獲得的第2框體713。接下來，在真空腔室3100內，以前表面(光照射面)為上的方向來配置光罩3500。此時，為了避免異物附著於光罩3500的前表面及背面，例如以下述方式進行配置，即，僅支持光罩3500的側面等，而機械、夾具、手等不會接觸到光罩3500的前表面及背面。
接下來，將第2框體713配置於光罩3500的上方。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層743與光罩3500。接下來，依照公知的方法，進行第2框體713與光罩3500的定位。
接下來，將排出管3120A及排出管3120B各自的端部分別連接至用於對第2框體713的底側的槽716的內部進行減壓的2個貫穿孔。接下來，藉由從供給管3110對真空腔室3100內供給 氣體，從而對真空腔室3100內進行加壓。同時，藉由使與排出管3120A及排出管3120B在真空腔室3100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管3120A及排出管3120B、以及第2框體713的2個貫穿孔716A及貫穿孔716B來對設置在第2框體713底面的槽716的內部進行減壓。加壓及減壓的程度以因真空腔室3100內的整體壓力與槽716的內部壓力之差(差壓)所產生的第2框體713與光罩3500之間的壓合力例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第2框體713與光罩3500之間產生壓合力，從而防塵薄膜700的黏著層743與光罩3500黏著。
接下來，在第2框體713的上方配置第1框體711。在此階段，以不會接觸的方式配置黏著層741與第1框體711。進而，依照公知的方法，進行第2框體713與第1框體711的定位。藉由定位，以由第2框體713所圍成的開口部來嵌套第1框體711的方式配置第1框體711。接下來，將排出管3220A及排出管3220B各自的端部分別連接至用於對第2框體713(框本體)的槽714的內部進行減壓的2個貫穿孔714A及貫穿孔714B。
接下來，藉由從供給管3110向真空腔室3100內供給氣體，從而對真空腔室3100內進行加壓。同時，藉由使與排出管3220A及排出管3220B在真空腔室3100外的端部連接的真空泵(未圖示)作動，從而通過排出管3220A及排出管3220B、以及第2框體713的2個貫穿孔714A及貫穿孔714B來對設置在第2框體713的厚壁部715上表面的槽714的內部進行減壓。加壓及 減壓的程度以因真空腔室3100內的整體壓力與槽714的內部壓力之差(差壓)所產生的第1框體711與第2框體713之間的壓合力(對第2框體713整體施加的力)例如變為2N左右的方式進行調整。藉由所述差壓，在第1框體711與第2框體713之間產生壓合力，從而第2框體713的黏著層741與第1框體711黏著。
以上述方式，不會接觸至防塵薄膜700及光罩3500的前表面及背面，而可將兩者予以黏著。藉此，可一邊抑制異物向防塵薄膜700及光罩3500上的附著，一邊將兩者予以黏著。另外，所述各操作的順序亦可適當調換。
(曝光方法)
使用所述實施形態的防塵薄膜，可實現藉由極紫外光微影的微細加工。將本發明的防塵薄膜配置於光罩的網線面，將光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從網線面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容防塵薄膜，在真空下，對配置有防塵薄膜的光罩照射5nm以上且30nm以下的光，將從配置有防塵薄膜的光罩的網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材，藉此可在抗蝕劑上曝光出圖案。
本發明的防塵薄膜的防塵薄膜用膜是膜厚為20nm以上且50nm以下的先前所沒有的較薄的膜，因此難以如先前的防塵薄膜般用手固定至光罩。因此，必須使用專用的貼附裝置來以非接觸的方式進行貼附。
將貼附有本發明的防塵薄膜的光罩配置於曝光裝置的 規定位置，但在從網線面算起具有3mm以下、尤其是2.5mm的距離的空隙內收容防塵薄膜。
將形成有抗蝕劑層的基材導入至曝光裝置內，將曝光裝置內設為10-4Pa~10-6Pa左右的真空狀態。此時，空氣從貼附於光罩的本發明的防塵薄膜內流出。如上所述，本發明的防塵薄膜使用剖面具有L字形狀的構件來作為第2框體，並使過濾網的高度與第2框體的高度大致相等，藉此，不會在過濾網的背面產生貫穿孔以外的空隙，而具備充分的密接性來配置過濾網，因此防塵薄膜用膜不會受到損傷，而可將防塵薄膜內設為真空狀態。
隨後，對配置有防塵薄膜的光罩照射5nm以上且30nm以下的EUV光。光罩在網線面更下層形成有多層反射膜，因此入射至網線面的EUV光被多層反射膜反射後，反映出由網線面的吸收體所形成的圖案的EUV光從網線面透過防塵薄膜而出射。
藉由將從光罩的網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材，從而可在抗蝕劑上曝光出圖案。藉此，實現先前所沒有的微細加工。
100:防塵薄膜
101:防塵薄膜用膜
111:第1框體
113:第2框體
121:貫穿孔
131:過濾網

Claims (21)

  1. 一種防塵薄膜，其特徵在於包括：第1框體，配置有防塵薄膜用膜；第2框體，具有包含第1面的厚壁部及第2面，且外包圍所述防塵薄膜用膜與所述第1框體，所述第1面支承所述第1框體的其中一面，所述其中一面與配置有所述防塵薄膜用膜的面為相反側，所述第2面連接於所述第1面，且支承所述第1框體的側面；貫穿孔，配置於所述第2框體的所述厚壁部；以及過濾網，配置在所述第2框體的外側的面上，且覆蓋所述貫穿孔，所述第2框體與配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面相交。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第2面相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第2面相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第2框體更包括第3面，所述第3面連接於所述第1面，且與所述第2面相對，所述第2框體的所述第3面是與所述第1框體的內側的側面 相向地配置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的防塵薄膜，其中與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第3面相對於配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的防塵薄膜，其中與所述第1框體卡合的所述第2框體的所述第3面是以下述方式而傾斜，即，從所述第1面朝向配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面，與所述第2面的距離變大。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第1框體與所述第2框體的厚壁部經由黏著層而黏著。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率，且膜厚為20nm以上且50nm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第2框體的高度與配置在所述第2框體下表面的黏著層的高度的合計值為2mm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第1框體包含選自由矽、藍寶石及碳化矽構成的群中的材料。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述過濾網的通氣部的合計面積相對於所述防塵薄膜的內部體積的比率為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。
  12. 一種防塵薄膜的製造方法，其特徵在於，在基板上形成防塵薄膜用膜，以所述基板成為框形狀的方式而使所述防塵薄膜用膜露出以形成第1框體，準備具有包含第1面的厚壁部及第2面的第2框體，所述第1面支承所述第1框體的其中一面，所述其中一面與配置有所述防塵薄膜用膜的面為相反側，所述第2面連接於所述第1面，且支承所述第1框體的側面，在所述第2框體的所述厚壁部形成貫穿孔，在與所述第2框體的高度方向平行的所述第2框體的外側的面上，黏著有覆蓋所述貫穿孔的過濾網，以外包圍所述第1框體的方式，經由黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中藉由乾式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備所述第2框體，所述第2框體的所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中藉由濕式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出， 準備所述第2框體，所述第2框體的所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中藉由乾式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備所述第2框體，所述第2框體的所述第2面與第3面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而成直角，所述第3面連接於所述第1面且與所述第2面相對，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中藉由濕式蝕刻而使所述防塵薄膜用膜露出，準備具有所述第2面與第3面的所述第2框體，所述第2面相對於形成有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面而朝內側傾斜，所述第3面是以下述方式而傾斜，即，從所述第1面朝向配置有所述防塵薄膜用膜的所述第1框體的面，與所述第2面的距離變大，經由所述黏著層而將所述第1框體固定至所述第2框體。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中在所述基板上形成膜厚為20nm以上且50nm以下的所述防 塵薄膜用膜，所述防塵薄膜用膜對於5nm以上且30nm以下的波長的光具有90.0%以上的透射率。
  18. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中將所述第2框體的高度與配置在所述第2框體下表面的黏著層的高度的合計值設為2mm以下。
  19. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中所述基板是選自由矽基板、藍寶石基板及碳化矽基板構成的群中的基板。
  20. 如申請專利範圍第12項所述的防塵薄膜的製造方法，其中將所述過濾網的通氣部的合計面積相對於所述防塵薄膜的內部體積的比率設為0.007mm-1以上且0.026mm-1以下。
  21. 一種曝光方法，其特徵在於，將如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的防塵薄膜配置於光罩的網線面，將所述光罩配置於曝光裝置的規定位置，在從所述網線面算起具有3mm以下的距離的空隙內收容所述防塵薄膜，在真空下，對配置有所述防塵薄膜的所述光罩照射5nm以上且30nm以下的波長的光， 將從配置有所述防塵薄膜的所述光罩的所述網線面出射的光照射至形成有抗蝕劑層的基材。
TW104130889A 2014-09-19 2015-09-18 防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法 TWI693467B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014191930 2014-09-19
JP2014-191930 2014-09-19
JP2014-233128 2014-11-17
JP2014233128 2014-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201612622A TW201612622A (en) 2016-04-01
TWI693467B true TWI693467B (zh) 2020-05-11

Family

ID=55533328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104130889A TWI693467B (zh) 2014-09-19 2015-09-18 防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10488751B2 (zh)
EP (1) EP3196699A4 (zh)
JP (1) JP6275270B2 (zh)
KR (1) KR101915912B1 (zh)
CN (2) CN113917783B (zh)
SG (1) SG11201701805QA (zh)
TW (1) TWI693467B (zh)
WO (1) WO2016043292A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6275270B2 (ja) 2014-09-19 2018-02-07 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
JP6367342B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-01 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
WO2017141835A1 (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 エア・ウォーター株式会社 化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法
CN116594258A (zh) 2016-07-05 2023-08-15 三井化学株式会社 防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法
US10001701B1 (en) * 2016-12-15 2018-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle structures and methods of fabricating thereof
SG11201907482YA (en) 2017-02-17 2019-09-27 Mitsui Chemicals Inc Pellicle, exposure original plate, exposure device, and semiconductor device manufacturing method
EP3404485B1 (en) * 2017-05-15 2019-07-03 IMEC vzw A lithographic reticle system
JP2018200380A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
JP7451442B2 (ja) * 2017-10-10 2024-03-18 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルフレームの通気構造、ｅｕｖ用ペリクル、ｅｕｖ用ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法
JP7357432B2 (ja) * 2017-10-10 2023-10-06 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法
KR20200071080A (ko) * 2017-10-27 2020-06-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 펠리클 프레임 및 펠리클 조립체
EP3764161A4 (en) * 2018-03-05 2021-12-01 Mitsui Chemicals, Inc. PELLICLE, EXPOSURE MASTER, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP7019472B2 (ja) * 2018-03-22 2022-02-15 三井化学株式会社 カーボンナノチューブ自立膜の製造方法、およびペリクルの製造方法
KR102465834B1 (ko) 2018-03-27 2022-11-11 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법
KR102459119B1 (ko) * 2018-06-12 2022-10-26 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 펠리클용 지지 프레임의 제조 방법, 그리고 펠리클을 사용한 노광 원판 및 노광 장치
TWI670562B (zh) * 2018-06-21 2019-09-01 美商微相科技股份有限公司 光罩保護組件結構
WO2020009169A1 (ja) * 2018-07-04 2020-01-09 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠
JP7111566B2 (ja) * 2018-09-07 2022-08-02 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びペリクル
TWI687760B (zh) * 2019-04-16 2020-03-11 家登精密工業股份有限公司 具有擾流結構的光罩盒
KR102207853B1 (ko) * 2019-06-27 2021-01-27 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
CN115485618A (zh) 2020-05-14 2022-12-16 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、半导体的制造方法、液晶显示板的制造方法及曝光方法
CN117261271B (zh) * 2023-11-20 2024-02-20 深圳市龙图光罩股份有限公司 掩模版贴膜方法、装置及存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JPH0342153U (zh) * 1989-08-31 1991-04-22
JP2002107915A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの固定方法
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
US20100328635A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
TW201224644A (en) * 2010-10-28 2012-06-16 Shinetsu Chemical Co A pellicle frame and a pellicle

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939703U (zh) 1972-07-08 1974-04-08
JPS6141255U (ja) 1984-08-20 1986-03-15 株式会社ニコン マスク保護装置
JPS6344824Y2 (zh) 1985-02-28 1988-11-21
JPH0262542A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
JPH0342153A (ja) 1989-07-10 1991-02-22 Hitachi Ltd 薄板鋳片連続鋳造機
JPH0493945A (ja) 1990-08-07 1992-03-26 Seiko Epson Corp フォトマスク
JPH05107747A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JPH05113658A (ja) 1991-10-21 1993-05-07 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JP3445685B2 (ja) * 1994-08-11 2003-09-08 三井化学株式会社 マスク保護装置
JP3529062B2 (ja) 1994-10-07 2004-05-24 株式会社渡辺商行 ペリクル及びレチクル
JPH1048812A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置と、その支持構造
JP2000292909A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
US6300019B1 (en) * 1999-10-13 2001-10-09 Oki Electric Industry Co., Ltd. Pellicle
JP2001133960A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法
JP2001312048A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
US6524754B2 (en) * 2001-01-22 2003-02-25 Photronics, Inc. Fused silica pellicle
US6593035B1 (en) 2001-01-26 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films
JP2002323752A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2003107678A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
DE10253928A1 (de) 2001-11-21 2003-06-18 Asahi Glass Co Ltd Struktur zum Anbringen eines Häutchens an einer Photomaske
JP2004258113A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Nikon Corp マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法
JP2004294786A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクル
JP2004354720A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク用ペリクル
JP2005019822A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Asahi Glass Co Ltd マスク保護装置及びマスク保護装置の製造方法、並びにマスク
US20050042524A1 (en) 2003-08-22 2005-02-24 Bellman Robert A. Process for making hard pellicles
JP2005250188A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2006060037A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Inc 露光装置
JP4478558B2 (ja) * 2004-12-08 2010-06-09 大日本印刷株式会社 大型ペリクルの搬送方法、搬送用治具及びペリクルケース
JP2007108367A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク
WO2008105531A1 (ja) 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US8018578B2 (en) * 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101264571B1 (ko) * 2007-07-06 2013-05-14 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 대형 펠리클 프레임체 및 그 프레임체의 파지 방법
US7829248B2 (en) * 2007-07-24 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle stress relief
JP4928494B2 (ja) 2008-05-02 2012-05-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4934099B2 (ja) * 2008-05-22 2012-05-16 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4903829B2 (ja) 2009-04-02 2012-03-28 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5411595B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5479868B2 (ja) * 2009-12-02 2014-04-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ペリクル及びその取付方法
JP5033891B2 (ja) 2010-02-23 2012-09-26 信越化学工業株式会社 ペリクル膜の製造方法
CN105700300B (zh) * 2010-06-25 2019-06-18 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片
JP2012151158A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｅｕｖ用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法
JP5279862B2 (ja) 2011-03-31 2013-09-04 信越化学工業株式会社 ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル
KR20130067325A (ko) 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
KR101303795B1 (ko) * 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
JP5711703B2 (ja) 2012-09-03 2015-05-07 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクル
JP5854511B2 (ja) 2012-10-16 2016-02-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの貼付け方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
JP6008784B2 (ja) * 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
CN103246157A (zh) 2013-05-21 2013-08-14 上海和辉光电有限公司 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法
JP6364404B2 (ja) * 2013-05-24 2018-07-25 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置
US9140975B2 (en) 2013-12-13 2015-09-22 Globalfoundries Inc. EUV pellicle frame with holes and method of forming
US10216081B2 (en) * 2014-05-02 2019-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle frame, pellicle and method of manufacturing the same, original plate for exposure and method of manufacturing the same, exposure device, and method of manufacturing semiconductor device
JP6423730B2 (ja) * 2014-05-26 2018-11-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
JP6275270B2 (ja) 2014-09-19 2018-02-07 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
JP6367342B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-01 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
CN107003602B (zh) 2015-02-24 2021-03-12 三井化学株式会社 防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法
EP3079013B1 (en) 2015-03-30 2018-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
WO2016175019A1 (ja) * 2015-04-27 2016-11-03 三井化学株式会社 ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JPH0342153U (zh) * 1989-08-31 1991-04-22
JP2002107915A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの固定方法
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
US20100328635A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
TW201224644A (en) * 2010-10-28 2012-06-16 Shinetsu Chemical Co A pellicle frame and a pellicle

Also Published As

Publication number Publication date
US10488751B2 (en) 2019-11-26
CN113917783B (zh) 2023-12-19
JP6275270B2 (ja) 2018-02-07
CN106662806B (zh) 2021-11-05
US20170184956A1 (en) 2017-06-29
WO2016043292A1 (ja) 2016-03-24
TW201612622A (en) 2016-04-01
JPWO2016043292A1 (ja) 2017-06-29
EP3196699A4 (en) 2018-05-16
CN113917783A (zh) 2022-01-11
KR101915912B1 (ko) 2018-11-06
EP3196699A1 (en) 2017-07-26
CN106662806A (zh) 2017-05-10
KR20170038907A (ko) 2017-04-07
SG11201701805QA (en) 2017-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI693467B (zh) 防塵薄膜及其製造方法以及曝光方法
TWI693466B (zh) 防塵薄膜、防塵薄膜的製造方法及使用防塵薄膜的曝光方法
JP2017083791A (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP6279719B2 (ja) ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法
TWI718143B (zh) 防塵薄膜的製造方法及帶防塵薄膜的光罩的製造方法
US20060160031A1 (en) EUV lithography filter
JP6941733B2 (ja) ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置
TWI761451B (zh) 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法
JP2011209344A (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
WO2015174412A1 (ja) ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP2023526897A (ja) リソグラフィ装置用の光学素子及びペリクル膜
KR102465834B1 (ko) 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법
TW202336524A (zh) 使用於微影設備中之表膜及護膜