CN113917783A - 防护膜组件、其制造方法及曝光方法 - Google Patents

防护膜组件、其制造方法及曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113917783A
CN113917783A CN202111214914.4A CN202111214914A CN113917783A CN 113917783 A CN113917783 A CN 113917783A CN 202111214914 A CN202111214914 A CN 202111214914A CN 113917783 A CN113917783 A CN 113917783A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pellicle
frame body
frame
disposed
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111214914.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113917783B (zh
Inventor
高村一夫
种市大树
小野阳介
石川比佐子
美谷岛恒明
大久保敦
佐藤泰之
广田俊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Priority to CN202111214914.4A priority Critical patent/CN113917783B/zh
Publication of CN113917783A publication Critical patent/CN113917783A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113917783B publication Critical patent/CN113917783B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。

Description

防护膜组件、其制造方法及曝光方法
本申请是原申请、申请日为2015年9月17日，申请号为201580046947.9，发明名称为“防护膜组件、其制造方法及曝光方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光刻工序所使用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。特别是，本发明涉及远紫外光(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的防护膜组件、其制造方法及使用了该防护膜组件的曝光方法。
背景技术
光刻工序中，为了防止在掩模或中间掩模上附着尘埃等，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧架设了防护膜的防护膜组件。在这样的防护膜组件被安装在掩模上的状态下，防护膜组件内部的气密性极其高，由于气压变化、温度变化，有时薄膜的防护膜成为松弛或膨胀的状态。这样在防护膜失去平滑性的情况下，不仅使防护膜的光学特性变化，而且在凹凸的程度剧烈的情况下，有时防护膜与掩模接触，或碰到收纳防护膜组件的壳体的盖而损伤防护膜。
作为解决这样的问题的防护膜组件，例如，专利文献1中记载了如下的防护膜组件：在防护膜组件框形成至少一个通气孔，在通气孔中，以不脱落到被框构件、掩模基板和防护膜包围的空间内的方式设置有阻止尘埃等通过的过滤器构件。专利文献2、3中记载了，在防护膜组件框侧面的至少一部分设置有开口部，使其内面为粘着状的防护膜组件。此外，专利文献4中记载了，在框内部设置有空洞，捕捉通气气体中的异物的防护膜组件。
另一方面，对于设置有过滤器的防护膜组件，为了确实地捕捉微小的尘埃等而必须使过滤器的滤眼细，因此存在过滤器的气体透过速度慢，到压力差被缓和为止花费时间这样的问题。为了解决该问题，专利文献5中记载了下述防护膜组件：将防护膜组件框分割成内侧构件和外侧构件，由耐光性优异的自然显色阳极氧化铝或陶瓷构成内侧构件，由耐力大的铝合金7075-T6构成外侧构件，在防护膜组件框的内部设置有具有3处弯曲部的2个通气孔，在通气孔的内表面设置有用于吸附粉尘的粘着层。
另外，光刻的波长向短波长化发展，作为新一代的光刻技术，EUV光刻的开发推进。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。对于光刻，图案的析像极限为曝光波长的1/2左右，即使使用液浸法，图案的析像极限也据说是曝光波长的1/4左右，即使使用ArF激光(波长：193nm)的液浸法，对于其曝光波长，也预想到45nm左右为极限。因此，EUV光刻作为与以往的光刻相比能够大幅微细化的革新技术而受到期待。
另一方面，EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此，对于EUV光刻，需要使曝光装置内为真空进行曝光。此外，对于所有物质，EUV光的折射率都接近于1，因此不能使用如以往的使用了可见光或紫外光的光刻那样，使用透镜和透射型光掩模的折射光学系统。因此，对于EUV光刻，使用反射型光掩模和镜片的反射光学系统中的曝光是必要的。反射型光掩模，例如，如专利文献6所记载的那样，具有下述结构：在基板上具有Mo层与Si层交替地多次叠层而得的多层反射膜，在反射层上形成有吸收EUV光的吸收层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本实公昭63-39703号公报
专利文献2：日本特开平5-113658号公报
专利文献3：日本特开2001-312048号公报
专利文献4：日本特开平5-107747号公报
专利文献5：日本特开2003-107678号公报
专利文献6：日本特开2014-160752号公报
非专利文献1：Carmen Zoldesi,et al.,“Progress on EUV Pellicledevelopment”Proceedings of SPIE,2014.02.23,vol.9048,90481N
发明内容
发明所要解决的问题
如上述那样，EUV光刻与以往的光刻不同，为真空下的曝光，因此可以认为防护膜组件对光掩模的安装不是必须的。然而渐渐明确，由于为以往所没有的微细工艺，因此防护膜组件对光掩模的安装是必须的。然而，由于EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此配置于防护膜组件的防护膜也需要为以往所没有的纳米级的膜。
此外，最初认为防护膜组件对光掩模的安装不是必须的，因此现在开发的EUV曝光装置中，用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度。然而，为了在曝光装置内确保用于安装具有5mm以上高度的以往的防护膜组件的空间，需要变更光学系统的设计，导致EUV光刻的开发延迟。
由于为真空下的曝光，因此设想防护膜松弛或膨胀，但受防护膜组件的设置空间的大幅限制，因此为了防止纳米级的防护膜的损伤，需要确保经由在防护膜组件的框体配置的通气孔的充分的通气。在通气孔配置过滤器是必要的，但受防护膜组件的设置空间的大幅限制，因此框体所允许的高度也被大幅限制，因此过滤器对框体的配置也要求以往所没有的设计。
本发明的目的在于解决上述问题，提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。
此外，远紫外光光刻用的防护膜组件由于将非常薄的防护膜粘贴于框体，因此在粘贴于光掩模时，如果如以往那样从框体上施加力而进行粘贴则担心防护膜破损。因此，远紫外光光刻用的防护膜组件需要使用专用的粘贴装置，以非接触方式的对光掩模的粘贴。这里所谓非接触，是指不从框体上施加强力这样的意思，强力的标准为以往的光掩模粘贴时被负载的1kgf左右以上。本发明除了上述课题以外，还提供能够进行非接触方式的对光掩模的粘贴的远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法。
用于解决课题的方法
根据本发明的一实施方式，提供一种防护膜组件，其具备：第1框体，上述第1框体配置有防护膜；第2框体，上述第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，上述贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，上述过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。
上述防护膜组件中，与上述第1框体卡合的上述第2框体的上述第2面可以相对于配置有上述防护膜的上述第1框体的面成直角。
上述防护膜组件中，与上述第1框体卡合的上述第2框体的上述第2面可以相对于配置有上述防护膜的上述第1框体的面向内侧倾斜。
上述防护膜组件中，上述第2框体可以进一步具有与上述第1面连接并与上述第2面相对的第3面，上述第2框体的上述第3面与上述第1框体的内侧的侧面对置地配置。
上述防护膜组件中，与上述第1框体卡合的上述第2框体的上述第3面可以相对于配置有上述防护膜的上述第1框体的面成直角。
上述防护膜组件中，与上述第1框体卡合的上述第2框体的上述第3面可以以从上述第1面向着配置有上述防护膜的上述第1框体的面而与上述第2面的距离变大的方式倾斜。
上述防护膜组件中，上述第1框体与上述第2框体的厚部可以经由粘接层而粘接。
上述防护膜组件中，上述防护膜可以对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率，膜厚为20nm以上50nm以下。
上述防护膜组件中，上述第2框体的高度与在上述第2框体的下表面配置的粘接层的高度的合计可以为2mm以下。
上述防护膜组件中，上述第1框体可以由选自由硅、蓝宝石和碳化硅所组成的组中的材料构成。
上述防护膜组件中，上述过滤器的通气部的合计面积相对于上述防护膜组件的内部体积的比率可以为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。
此外，根据本发明的一实施方式，提供一种防护膜组件的制造方法，在基板上形成防护膜，以上述基板成为框形状的方式，使上述防护膜露出而形成第1框体，准备具有厚部和第2面的第2框体，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面，在上述第2框体的上述厚部形成贯通孔，在与上述第2框体的高度方向平行的上述第2框体的外侧的面粘接覆盖上述贯通孔的过滤器，以从外侧包围上述第1框体的方式，经由粘接层将上述第1框体固定于上述第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中，可以通过干蚀刻使上述防护膜露出，准备上述第2面相对于形成有上述防护膜的上述第1框体的面成直角的上述第2框体，经由上述粘接层将上述第1框体固定于上述第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中，可以通过湿蚀刻使上述防护膜露出，准备上述第2面相对于形成有上述防护膜的上述第1框体的面向内侧倾斜的上述第2框体，经由上述粘接层将上述第1框体固定于上述第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中，可以通过干蚀刻使上述防护膜露出，准备上述第2面和与上述第1面连接并与上述第2面相对的第3面相对于形成有上述防护膜的上述第1框体的面成直角的上述第2框体，经由上述粘接层将上述第1框体固定于上述第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中，可以通过湿蚀刻使上述防护膜露出，准备具有相对于形成有上述防护膜的上述第1框体的面向内侧倾斜的第2面、和以从上述第1面向着配置有上述防护膜的上述第1框体的面而与上述第2面的距离变大的方式倾斜的第3面的上述第2框体，经由上述粘接层将上述第1框体固定于上述第2框体。
上述防护膜组件的制造方法中，可以在上述基板上形成膜厚为20nm以上50nm以下的上述防护膜，上述防护膜对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率。
上述防护膜组件的制造方法中，可以使上述第2框体的高度与在上述第2框体的下表面配置的粘接层的高度的合计为2mm以下。
上述防护膜组件的制造方法中，上述基板可以为选自由硅基板、蓝宝石基板和碳化硅基板所组成的组中的基板。
上述防护膜组件的制造方法中，可以使上述过滤器的通气部的合计面积相对于上述防护膜组件的内部体积的比率为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。
提供一种曝光方法，将上述任一防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面，将上述光掩模配置于曝光装置的规定位置，在与上述中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳上述防护膜组件，在真空下，对配置有上述防护膜组件的上述光掩模照射5nm以上30nm以下的波长的光，将从配置有上述防护膜组件的上述光掩模的上述中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材。
发明的效果
根据本发明，提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。此外，可以提供能够以非接触方式对光掩模粘贴的远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法。
根据本发明，提供降低由远紫外光导致的粘接层劣化的远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。
附图说明
图1是一实施方式涉及的防护膜组件100的示意图(立体图)。
图2是一实施方式涉及的防护膜组件100的图1的线段AA’处的剖面图。
图3是一实施方式涉及的防护膜组件100的图2所示的框体的放大图，(a)是框体的放大图，(b)是显示过滤器131的通气部135和粘贴留出部137的构成的示意图。
图4是显示一实施方式涉及的防护膜组件100的制造工序的示意图。
图5是显示一实施方式涉及的防护膜组件100的制造工序的示意图。
图6是一实施方式涉及的防护膜组件200的图1的线段AA’处的剖面图。
图7是一实施方式涉及的防护膜组件300的图1的线段AA’处的剖面图。
图8是显示一实施方式涉及的防护膜组件300的制造工序的示意图。
图9是显示一实施方式涉及的防护膜组件300的制造工序的示意图。
图10是一实施方式涉及的防护膜组件400的图1的线段AA’处的剖面图。
图11是一实施方式涉及的防护膜组件500的图1的线段AA’处的剖面图。
图12是一实施方式涉及的防护膜组件600的示意图，(a)是图1的线段AA’处的剖面图，(b)～(d)是第2框体613的变形例。
图13是一实施方式涉及的防护膜组件700所使用的第2框体713的示意图。
图14是显示使用了一实施方式涉及的防护膜组件制造装置1000的防护膜组件700的制造工序的示意图。
图15是概念性地显示一实施方式涉及的光掩模制造装置2000的剖面图。
图16是概念性地显示一实施方式涉及的光掩模制造装置3000的剖面图。
图17是显示实施方式的研究例的图，(a)是防护膜组件800的剖面图，(b)是防护膜组件900的剖面图。
具体实施方式
在本说明书中，所谓EUV光，是指波长5nm以上30nm以下的光。EUV光的波长优选为5nm～13.5nm程度，更优选为13.5±0.3nm。EUV光由于对于所有物质都易于被吸收，因此在本发明中，防护膜需要为纳米级的膜。本发明涉及的防护膜对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率。本发明涉及的防护膜优选对5nm～13.5nm程度的波长的光，更优选对13.5±0.3nm的波长的光，具有90.0％以上的透射率。为了获得这样的透射率，本发明涉及的防护膜的膜厚为10nm以上100nm以下，更优选为10nm以上50nm以下。
防护膜的EUV透射率T由以下式(1)定义。
[数1]
Figure BDA0003310398210000081
式(1)中，I表示透射光强度，I0表示入射光强度。对于透射光强度I和入射光强度I0、防护膜的厚度d、密度ρ和防护膜的质量吸收系数μ，以下式(2)表示的关系成立。
[数2]
I＝I0exp(-μρd)…(2)
式(2)中的密度ρ为构成防护膜的物质固有的密度。此外，上述式(2)中的质量吸收系数μ如下求出。在光子的能量约大于30eV，而且光子的能量与原子的吸收端充分分离的情况下，质量吸收系数μ不依赖于原子彼此的结合状态等。波长13.5nm的光子能量为92.5eV附近，与原子的吸收端也充分分离。因此，上述质量吸收系数μ不依赖于构成防护膜的化合物的原子彼此的结合状态。因此，防护膜的质量吸收系数μ基于构成防护膜的各元素(1，2，···，i)的质量吸收系数μ1和各元素的质量分率Wi，由以下式(3)求出。
[数3]
μ＝μ1W1+μ2W2+…μiWi…(3)
上述Wi是由Wi＝niAi/ΣniAi求出的值。Ai是各元素i的原子量，ni是各元素i的数。
上述式(3)中的各元素的质量吸收系数μi可以应用由Henke等人归纳的以下参考文献的值。(B.L.Henke,E.M.Gullikson,and J.C.Davis,“X-Ray Interactions:Photoabsorption,Scattering,Transmission,and Reflection at E＝50-30,000eV,Z＝1-92,”At.Data Nucl.Data Tables 54,181(1993)这些数值的最新版登载于http://www.cxro.lbl.gov/optical_constants/。)
如果防护膜的质量吸收系数μ、防护膜的密度ρ和防护膜的厚度d可以指定，则可以基于式(1)和式(2)，算出防护膜的波长13.5nm的光的透射率。另外，上述透射率也可以通过Lawrence Berkeley国立研究所的X射线光学中心的光学常数万维网址来计算。
为了增厚膜厚并且提高透射率，作为上述防护膜的材质，期望使用吸收系数低的材质。具体而言，在将氢的质量吸收系数μi设为1来相对地表示时，期望使用由100以下的元素构成的材质。特别是，期望使用H、Be、B、C、N、O、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru等元素。
作为构成防护膜的具体的化合物，可举出氟系聚合物、聚烯烃、聚酰亚胺等高分子化合物、钌、镍、锆、钛、钼、铌等金属、结晶硅(例如，单晶硅、多晶硅等)、无定形硅、类金刚石碳(DLC)、石墨、无定形碳、石墨烯、碳化硅、氮化硅等。
此外，防护膜可以包含抗氧化膜、放热膜。抗氧化膜能够为由SiOx(x≤2)、SixNy(x/y为0.7～1.5)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru或Rh形成的膜等。
放热膜优选为由热辐射率高的材料、导热性高的材料形成的膜。具体而言，能够为由与抗氧化膜同样的材料形成的膜、由Rb、Sr、Y、Zr、Nb、石墨、石墨烯形成的膜等。抗氧化膜和放热膜可以形成于防护膜的一面，也可以形成于两面。防护膜可以包含单独1种上述元素和化合物，也可以包含2种以上。
对于以往的ArF光刻用的防护膜组件，使用由铝、陶瓷等构成的框体，经由粘接层将防护膜与框体粘接。然而，EUV光刻用的本发明涉及的防护膜由于为20nm以上50nm以下的非常薄的膜厚，因此难以通过粘接对框体固定。因此，通过使用半导体制造工艺，例如，通过蒸镀在基板上形成防护膜，将基板回蚀成框形状，从而可以使防护膜露出，获得配置有防护膜的框体。作为本发明涉及的基板，可以使用例如，硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等。不限定于此，但作为基板，优选为硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板，更优选为硅基板。
如上所述，由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度，因此为了防止防护膜的破损，防护膜组件的高度优选为2mm以下。在通过如上述那样的方法来形成非常薄的防护膜的情况下，难以在框体的侧面形成贯通孔作为通气口。因此，可以考虑将配置有防护膜的第1框体、与侧面形成有贯通孔的第2框体分别形成，经由粘接层而粘接的方法。关于第1框体，从防护膜的形成和操作的观点考虑，优选使厚度为1mm以下，但为100μm以下是困难的。此外，由于具备第1框体与第2框体的粘接层、和防护膜组件与掩模的粘接层，因此配置贯通孔的第2框体所允许的高度为1～1.5mm。然而，为了防尘而将贯通孔用过滤器覆盖的情况下，从粘接性、操作的观点考虑，难以将1.5mm以下的过滤器配置于第2框体的侧面。
因此，可以考虑在经由粘接层而粘接的第1框体和第2框体的侧面配置2mm左右的过滤器。然而，在该情况下，发生图17所示那样的问题。图17是在经由粘接层而粘接的第1框体和第2框体的侧面配置有2mm左右的过滤器的防护膜组件的示意图，图17(a)是通过干蚀刻而形成了第1框体的防护膜组件800的示意图，图17(b)是通过湿蚀刻而形成了第1框体的防护膜组件900的示意图。
防护膜组件800具备配置有防护膜801的第1框体811、和经由粘接层841而与第1框体811固定的第2框体813。在第2框体813形成有贯通了外侧的侧面和内侧的侧面的贯通孔821。在经由粘接层841而粘接的第1框体811和第2框体813的侧面，覆盖贯通孔821的过滤器831经由粘接层(未图示)而粘接。此外，在第2框体813的底面形成用于将防护膜组件800固定于光掩模的粘接层843，粘接层843被衬垫851保护，直到固定于光掩模为止。此时，在将第1框体811与第2框体813粘接的粘接层841产生间隙890。
此外，这样的在过滤器的背面(粘接面)产生的间隙在通过湿蚀刻而形成有第1框体的情况下变得显著。防护膜组件900具备配置有防护膜901的第1框体911、和经由粘接层941而与第1框体911固定的第2框体913。在第2框体913形成有将外侧的侧面与内侧的侧面贯通了的贯通孔921。在经由粘接层941而粘接的第1框体911和第2框体913的侧面，覆盖贯通孔921的过滤器931经由粘接层(未图示)而粘接。此外，在第2框体913的底面形成有用于将防护膜组件900固定于光掩模的粘接层943，粘接层943被衬垫951保护，直到固定于光掩模为止。这里，在防护膜组件900中，由于第1框体911通过湿蚀刻而形成，因此如图17(b)所示，在第1框体911的侧面发生倾斜，截面变为梯形。此时，在第1框体911与粘接层941产生间隙990，不能获得过滤器931的充分的密合性。
因此，本发明人等研究了在过滤器的背面不产生间隙，而获得充分的密合性的防护膜组件的构成。以下，参照附图来对本发明涉及的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法进行说明。但是，本发明的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法能够通过多种不同方式来实施，不限定于以下所示的实施方式和实施例的记载内容来解释。另外，本实施方式和实施例中参照的附图中，对同一部分或具有同样功能的部分附上同一符号，省略其重复的说明。
(实施方式1)
图1是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件100的示意图(立体图)。图2是防护膜组件100的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件100具备配置有防护膜101的第1框体111、和固定了第1框体111的第2框体113。第2框体113具有包含第1面113A的厚部115、和与第1面113A连接并承接第1框体111的侧面的第2面113B，并将防护膜101与第1框体111从外侧包围，所述第1面113A承接与第1框体111的配置有防护膜101的面相反侧的面。第2框体113的与防护膜101正交的截面具有L字形状。此外，防护膜组件100具备配置于第2框体113的贯通孔121、和覆盖贯通孔121的过滤器131。贯通孔121配置于第2框体113的厚部115，第2框体113的厚部115在与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的方向具有厚度。过滤器131经由粘接层(未图示)而配置在与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的第2框体113的外侧的侧面。
作为防护膜101和第1框体111，可以使用上述的防护膜和基板，因此省略详细的说明。构成第1框体111的材质中，优选为硅、蓝宝石、碳化硅，更优选为硅。作为第2框体113，优选为对EUV光具有耐性，平坦性高，低离子溶出性的材料。此外，为了除去碳来源的污染，而使氢气流动到曝光装置内，因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
第2框体113(防护膜组件框)的材质没有特别限制，可以为防护膜组件框所使用的通常的材质。作为第2框体113的材质，具体而言，可举出铝、铝合金(5000系、6000系、7000系等)、不锈钢、硅、硅合金、铁、铁系合金、碳钢、工具钢、陶瓷、金属-陶瓷复合材料、树脂等。其中，铝、铝合金从轻量并且刚性方面考虑更优选。此外，第2框体113可以在其表面具有保护膜。
作为保护膜，优选为对在曝光气氛中存在的氢自由基和EUV光具有耐性的保护膜。作为保护膜，可举出例如，氧化被膜。氧化被膜可以通过阳极氧化等公知的方法来形成。
第1框体111与第2框体113经由粘接层141而被固定。在图2中，粘接层141配置于第2框体113的厚部115的第1面113A上，第2框体113的厚部115在与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的方向具有厚度。为了增强粘接层141，例如，可以在第1框体111的侧面与第2框体113的薄部117的第2面113B之间进一步配置粘接层，所述第2面113B和第1框体111的侧面相接。
粘接层141的厚度优选在可以确保第1框体111与第2框体113的充分粘接的范围内尽可能薄，例如为10μm以上300μm以下。此外，作为粘接层141所使用的粘接剂，优选为对EUV光具有耐性，气体的产生量少的材料。此外，为了除去碳来源的污染，而将氢气流动到曝光装置内，因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
在本实施方式中，“粘接剂”是指广义的粘接剂，“粘接剂”的概念中，也包含粘着剂。作为粘接剂，可举出丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂、双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂等。
作为第1框体111与第2框体113的粘接所使用的粘接剂，优选为丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂。作为与光掩模的粘接所使用的粘接剂，优选为双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂。
贯通孔121配置于第2框体113的厚部115，所述第2框体113的厚部115在与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的方向具有厚度。在曝光装置的限制方面，防护膜组件100的高度的上限为2.5mm，从防止异物的成像考虑，防护膜组件100的高度越高越好。然而，根据公知信息，防护膜组件的高度据说需要为2mm(例如，非专利文献1)。鉴于以上，在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10-6Pa)时，贯通孔121形成如下的孔径：防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中，考虑在减压时贯通孔121发生的压力损失的上限值来设定贯通孔121的孔径。
期望在减压时贯通孔121发生的压力损失为1Pa以下，更期望为0.5Pa以下。这里，优选以覆盖贯通孔121的方式设置过滤器131，减压时的压力损失的大部分发生在过滤器131部分，贯通孔121几乎不发生压力损失。例如，以使得贯通孔121的压力损失成为1Pa以下的方式，更优选以成为0.1Pa左右的方式，来调整贯通孔121的尺寸和贯通孔121的孔数。
例如，在以350Pa/sec的速度减压时，在贯通孔121发生的防护膜组件100内外的压力损失成为1Pa时的贯通孔121的直径为480μm且孔数为4个，或直径为300μm且孔数为40个。贯通孔121的形状不特别限制，可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔121的孔径没有特别限制，期望在框的强度不降低的范围内，成为10～500μm程度。贯通孔121的孔数也没有特别限制，可以根据过滤器131的长度、过滤器131的宽度来选择。在设置多个贯通孔121的情况下贯通孔121的位置、间隔不特别限制，但优选为在过滤器131内等间隔地配置。
过滤器131期望使用由能够防止尘埃等向固定于光掩模的防护膜组件100内流入的材料来形成，初始压力损失为100Pa以上550Pa以下，对粒径为0.15μm以上0.3μm以下的粒子的粒子捕集率为99.7％以上100％以下的过滤器。作为过滤器的种类，可以使用例如，ULPA过滤器(超低穿透率空气过滤器(Ultra Low Penetration Air Filter))。ULPA过滤器是在额定风量下对粒径为0.15μm的粒子具有99.9995％以上的粒子捕集率，并且具有初始压力损失为245Pa以下的性能的空气过滤器。此外，作为过滤器131，可以使用HEPA过滤器(高效微粒空气过滤器(High Efficiency Particulate Air Filter))。HEPA过滤器是在额定风量下对粒径为0.3μm的粒子具有99.97％以上的粒子捕集率，并且具有初始压力损失为245Pa以下的性能的空气过滤器。关于过滤器131，从确保对第2框体113的粘接性的观点考虑，优选宽度(高度)与第2框体113的高度大致相等。
过滤器131由通气部135和粘贴留出部137构成(图3)。粘贴留出部137以覆盖通气部135的方式，包围过滤器131的周边。粘贴留出部137发挥无间隙地粘接第2框体113与通气部135的作用。在粘贴留出部137，气体不通过。粘贴留出部137的宽度为0.2mm以上1.0mm以下。为了使通气部135的面积大，期望粘贴留出部137的宽度尽可能细。
所谓通气部135，是指过滤器131的不被粘贴留出部137覆盖的部分。气体通过通气部135，捕捉气体所包含的粒子。在通气部135，发生压力损失，因此过滤器的换气性能由通气部135的换气性能来决定。
对于过滤器131的通气部135的总面积，考虑减压时过滤器发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时在过滤器131的通气部135发生的压力损失为2Pa以下。过滤器131的通气部135的长度可以通过将过滤器131的通气部135的面积除以过滤器131的通气部135的宽度来算出。每1片过滤器的通气部135的长度的范围没有特别限制，期望为1cm以上15cm以下的范围，更期望为2cm以上10cm以下。
现在，作为EUV曝光用的防护膜组件，假定长边152mm以下、短边120mm以下、高度2mm以下的大小，假定以350Pa/sec的减压和加压。为了使从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10-6Pa)时、或者从真空状态恢复到常压时进行了加压时的由防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm，过滤器131的通气部135的合计面积相对于防护膜组件100的内部体积的比率(过滤器的通气部面积/防护膜组件内部体积)优选为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。如果该比率为0.007mm-1以上，则减压和加压时通过过滤器通气部的气体的流速不会过快，因此防护膜组件100内外的差压的上升被抑制，防护膜101的膨胀可以被抑制到小于0.5mm。此外，由于能够形成的通气部135的大小的限制，如果该比率为0.026mm-1以下，则可以充分地设置过滤器131的通气部135和粘贴留出部137。
在本实施方式中，与第1框体111卡合并与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的第2框体113的内侧的第2面113B，相对于配置有防护膜101的第1框体111的面成为直角。相对于配置有防护膜101的面，第1框体111的侧面为直角，与第1框体111卡合的第2框体113的薄部117的内侧的第2面113B相对于第2框体113的第1面113A为直角，因此可以获得第1框体111与第2框体113的高密合性。此时，优选以防护膜101的上表面与第2框体113的上表面成为同一面上的方式配置。
此外，在第2框体113的厚部115的底面配置有粘接层143。粘接层143是将防护膜组件100固定于光掩模的机构。粘接层143的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体113的充分粘接的范围内尽可能薄，例如为10μm以上300μm以下。此外，作为粘接层143所使用的粘接剂，优选为对EUV光具有耐性，气体的产生量少的材料。此外，为了除去碳来源的污染，而将氢气流动到曝光装置内，因此优选由对氢自由基具有耐性的材料构成。
作为粘接剂，可举出丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、聚酰亚胺树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、无机系粘接剂、双面胶带、有机硅树脂粘着剂、丙烯酸系粘着剂、聚烯烃系粘着剂等。粘接层143的材料与粘接层141可以相同，也可以不同。
在防护膜组件100中，第2框体113的高度与第2框体113的下表面所配置的粘接层143的高度的合计优选为2mm以下。如上述那样，用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度，因此为了防止防护膜101的破损，防护膜组件100的高度优选为2mm以下。
为了防止在使用前的防护膜组件100的粘接层143附着尘埃等，通过能够剥离的衬垫151来保护粘接层143。
在本发明中，作为第2框体113，使用截面具有L字形状的构件，使过滤器131的高度与第2框体113的高度大致相等，从而在过滤器131的背面不产生贯通孔121以外的空隙，可以具有充分的密合性地配置过滤器131。
(防护膜组件100的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件100，例如，可以参照图4和图5，如下制造。另外，以下的制造工序是一例，根据需要也可以变更制造工序的顺序。图4和图5是显示防护膜组件100的制造工序的图。准备基板105，在基板105上形成防护膜101(图4(a))。对于基板105，如上述那样，可以使用例如，硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等，但不限定于此。
通过蒸镀以使膜厚成为20nm以上50nm以下的方式，在基板105上形成防护膜101。由于EUV光相对于所有物质都易于被吸收，因此为了使防护膜101对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率，优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜101优选对5nm～13.5nm程度的波长的光，更优选对13.5±0.3nm的波长的光，具有90.0％以上的透射率。
对形成有防护膜101的基板105进行干蚀刻，以基板105成为框形状的方式，使防护膜101露出，形成第1框体111(图4(b))。通过干蚀刻而形成的第1框体111的侧面相对于形成有防护膜101的面成为大致直角。
另行准备框的高度方向的截面具有L字形状的第2框体113(图4(c))。在本实施方式中，关于第2框体113，薄部117的内侧的侧面即第2面113B相对于第1面113A为大致直角。即，与配置有防护膜101的第1框体111的面交叉的第2框体113的内侧的第2面113B相对于形成有防护膜101的第1框体111的面成为直角。
在与第2框体113的高度方向交叉的方向具有厚度的厚部115形成贯通孔121(图4(d))。在曝光装置的限制方面，防护膜组件100的高度的上限为2.5mm，从防止异物的成像考虑，防护膜组件高度越高越好。然而，根据公知信息，防护膜组件100的高度据说需要为2mm(例如，非专利文献1)。鉴于以上，在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10- 6Pa)时，贯通孔121形成如下的孔径：由防护膜组件100内外的差压引起的防护膜101的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中，贯通孔121被过滤器131覆盖，因此考虑过滤器131产生的阻力来设定贯通孔121的孔径。
在与第2框体113的高度方向平行的第2框体113的外侧的面粘接覆盖贯通孔121的过滤器131(图5(a))。过滤器131优选为具有上述特性的过滤器，从确保对第2框体113的粘接性的观点考虑，优选宽度(高度)与第2框体113的高度大致相等。
如上述那样，从确保过滤器131的密合性和过滤器面积增加的观点考虑，过滤器131的宽度以与第2框体113的宽度(高度)相同宽度为上限。然而，如果过滤器131的宽度(高度)超过第2框体113的高度，则由于粘贴留出部137从第2框体113伸出，因此密合力降低，不优选。
在第2框体113的厚部115的底面形成粘接层143。此外，配置用于保护粘接层143的衬垫151(图5(b))。这里，可以准备形成有粘接层143的衬垫151，经由粘接层143，将衬垫151粘贴于第2框体113的厚部115的底面。
在第2框体113的厚部115的第1面113A形成粘接层141(图5(c))。以从外侧包围第1框体111的方式，经由形成的粘接层141，将第1框体111固定于第2框体113(图5(d))。此时，为了增强粘接层141，例如，可以在第1框体111的侧面与第2框体113的薄部117的第2面113B之间进一步配置粘接层，所述第2面113B和第1框体111的侧面相接。由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度，因此在本实施方式中，优选使第2框体113的高度、与配置在第2框体113的下表面的粘接层143的高度的合计为2mm以下。
在本发明中，作为第2框体113，使用截面具有L字形状的构件，使过滤器131的高度与第2框体113的高度大致相等，从而可以在过滤器131的背面不产生贯通孔121以外的空隙，具有充分的密合性地配置过滤器131。此外，相对于配置有防护膜101的面，第1框体111的侧面为直角，与第1框体111卡合的第2框体113的薄部117的内侧的第2面113B相对于第2框体113的第1面113A为直角，因此可以获得第1框体111与第2框体113的高密合性。
另外，本实施方式的防护膜组件100如下即可：相对于配置有防护膜101的面，第1框体111的侧面为直角，第2框体113具有包含第1面113A的厚部115、以及与第1面113A连接并承接第1框体111的侧面的第2面113B，并将防护膜101与第1框体111从外侧包围，所述第1面113A承接与第1框体111的配置有防护膜101的面相反侧的面，与第1框体111卡合的第2框体113的第2面113B相对于配置有防护膜101的第1面113A为直角。因此，本实施方式例如，也包含图6所示的防护膜组件200那样的变形例。
在防护膜组件200中，第2框体213的形状与第2框体113不同。第2框体213具有包含第1面213A的厚部215、和与第1面213A连接并承接第1框体211的侧面的第2面213B，并将防护膜201与第1框体211从外侧包围，所述第1面213A承接与第1框体211的配置有防护膜201的面相反侧的面。此外，第2框体213具有与第1框体211的侧面相接的第2框体213的第1薄部217A、和与厚部215的下表面连接并包含第2框体213的底面的第2薄部217B。因此，第2框体213具有将T字横卧那样的形状。其它构成与防护膜组件100同样，因此省略详细的说明。
(实施方式2)
如图17(b)的防护膜组件900所示，在通过湿蚀刻而形成有第1框体111的情况下，在第1框体911的侧面发生倾斜，截面变为梯形。在该情况下，如果使用实施方式1所示的第2框体113，则在第1框体侧面与第2框体的内侧的侧面之间会产生间隙。在本实施方式中，对使用与通过湿蚀刻而形成的第1框体相适应的第2框体的例子进行说明。
图7是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件300的图1的线段AA’处的剖面图。防护膜组件300具备配置有防护膜301的第1框体311、和固定了第1框体311的第2框体313。第2框体313具有包含第1面313A的厚部315、和与第1面313A连接并承接第1框体311的侧面的第2面313B，并将防护膜301与第1框体311从外侧包围，所述第1面313A承接与第1框体311的配置有防护膜301的面相反侧的面。第2框体313的与防护膜301正交的截面具有大致L字形状。此外，防护膜组件300具备配置于第2框体313的贯通孔321、和覆盖贯通孔321的过滤器331。贯通孔321配置于第2框体313的厚部315，所述第2框体313的厚部315在与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的方向具有厚度。在与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的外侧的侧面经由粘接层(未图示)而配置过滤器331。
在本实施方式中，由于第1框体311通过湿蚀刻而形成，因此在第1框体311的侧面发生倾斜，截面变为梯形。因此，与第1框体311卡合的第2框体313具有以下结构：与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的内侧的面，相对于配置有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜。即，第2框体313的薄部317成为具有上表面侧的宽度小，厚部315侧的宽度大那样的倾斜的大致L字形状的截面。
关于防护膜组件300，与第1框体311卡合并与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的内侧的面，相对于配置有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜，从而可以获得第2框体313与通过湿蚀刻而形成的第1框体311的高密合性。
作为防护膜301、第1框体311和第2框体313，可以使用与上述的防护膜、基板和第2框体113同样的材料，因此省略详细的说明。
第1框体311与第2框体313经由粘接层341而被固定。在图7中，粘接层341配置于第2框体313的厚部315的第1面313A上，所述第2框体313的厚部315在与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的方向具有厚度。为了增强粘接层341，例如，可以在第1框体311的侧面(倾斜面)与第2面313B之间进一步配置粘接层，所述第2面313B是与第1框体311的侧面(倾斜面)相接的第2框体313的薄部317的侧面(倾斜面)。
粘接层341的厚度优选在可以确保第1框体311与第2框体313的充分粘接的范围内尽可能薄，例如为10μm以上300μm以下。此外，粘接层341所使用的粘接剂可以使用与粘接层141同样的粘接剂，因此省略详细的说明。
贯通孔321配置于第2框体313的厚部315，所述第2框体313的厚部315在与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的方向具有厚度。在曝光装置的限制方面，防护膜组件300的高度的上限为2.5mm，从防止异物的成像考虑，防护膜组件300的高度越高越好。然而，根据公知信息，防护膜组件的高度据说需要为2mm(例如，非专利文献1)。鉴于以上，从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10-6Pa)时，贯通孔321设为以下的孔径：防护膜组件300内外的差压引起的防护膜301的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中，由于贯通孔321被过滤器331覆盖，因此考虑减压时贯通孔321发生的压力损失的上限值来设定贯通孔321的孔径。
期望减压时贯通孔321发生的压力损失为1Pa以下，更期望为0.5Pa以下。例如，在以350Pa/sec的速度减压时，在贯通孔321发生的防护膜组件300内外的压力损失为1Pa时的贯通孔321的直径为480μm，孔数为4个。
贯通孔321的形状不特别限制，可以为圆形、椭圆形、长方形、多边形、梯形等形状。贯通孔321的孔径没有特别限制，但期望在框的强度不降低的范围内，成为10～500μm程度。贯通孔321的孔数也没有特别限制，可以根据过滤器331的长度、过滤器331的宽度来选择。
过滤器331可以使用与过滤器131同样的过滤器，因此省略详细的说明。此外，关于过滤器331，从确保对第2框体313的粘接性的观点考虑，优选宽度(高度)与第2框体313的高度大致相等。
这里，过滤器331与过滤器131同样地，由通气部和粘贴留出部构成(未图示)。粘贴留出部以覆盖通气部的方式，包围过滤器的周边。粘贴留出部发挥将第2框体与通气部没有间隙地粘接的作用。在粘贴留出部，气体不通过。粘贴留出部的宽度为0.2mm以上1.0mm以下。为了使通气部的面积大，期望粘贴留出部的宽度尽可能细。
所谓通气部，是指过滤器的未被粘贴留出部覆盖的部分。气体通过通气部，捕捉气体所包含的粒子。在通气部发生压力损失，因此过滤器的换气性能由通气部的换气性能决定。
关于过滤器331的通气部的总面积，考虑减压时过滤器331的通气部发生的压力损失的上限值来设定。期望减压时过滤器331的通气部发生的压力损失为2Pa以下。过滤器331的通气部的长度可以通过将过滤器331的通气部的面积除以过滤器331的通气部的宽度来算出。每1片过滤器的长度的范围没有特别限制，但期望为1cm～15cm的范围，更期望为2cm～10cm。
在本实施方式中，与第1框体311卡合并与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的内侧的第2面313B，相对于配置有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜。由于第1框体311具有相对于配置有防护膜301的面而底面侧的宽度变细的倾斜，因此与第1框体311卡合的第2框体313的薄部317的内侧的第2面313B以相对于第2框体313的第1面313A而厚部315侧变宽幅的方式倾斜，可以获得第1框体311与第2框体313的高密合性。此时，优选以防护膜301的上表面与第2框体313的上表面成为同一面上的方式配置。
此外，在第2框体313的厚部315的底面配置有粘接层343。粘接层343是用于将防护膜组件300固定于光掩模的机构。粘接层343的厚度优选在可以确保光掩模与第2框体313的充分粘接的范围内尽可能薄，例如为10μm以上300μm以下。由于粘接层343所使用的粘接剂可以使用与粘接层143同样的粘接剂，因此省略详细的说明。
在防护膜组件300中，第2框体313的高度与第2框体313的下表面所配置的粘接层343的高度的合计优选为2mm以下。如上述那样，用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度，因此为了防止防护膜301的破损，防护膜组件300的高度优选为2mm以下。
为了防止在使用前的防护膜组件300的粘接层343附着尘埃等，通过能够剥离的衬垫351保护粘接层343。
在本发明中，作为第2框体313，使用截面具有大致L字形状的构件，使过滤器331的高度与第2框体313的高度大致相等，从而可以在过滤器331的背面不产生贯通孔321以外的空隙，具有充分的密合性地配置过滤器331。
(防护膜组件300的制造方法)
本实施方式涉及的防护膜组件300，例如，可以参照图8和图9，如下制造。另外，以下的制造工序是一例，根据需要也可以变更制造工序的顺序。图8和图9是显示防护膜组件300的制造工序的图。准备基板305，在基板305上形成防护膜301(图8(a))。对于基板305，如上述那样，可以使用例如，硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板等，但不限定于此。
通过蒸镀以膜厚成为20nm以上50nm以下的方式，在基板305上形成防护膜301。EUV光由于对于所有物质都易于被吸收，因此为了使防护膜301对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率，优选薄薄地形成。本发明涉及的防护膜301优选对5nm～13.5nm左右的波长的光，更优选对13.5±0.3nm的波长的光，具有90.0％以上的透射率。
对形成有防护膜301的基板305进行湿蚀刻，以基板305成为框形状的方式，使防护膜301露出，形成第1框体311(图8(b))。关于通过湿蚀刻而形成的第1框体311的侧面，以形成有防护膜301的面侧变为宽幅的方式，在第1框体311的侧面发生倾斜，截面变为梯形。
另行准备框的高度方向的截面具有大致L字形状的第2框体313(图8(c))。在本实施方式中，关于第2框体313，以相对于上表面而厚部315侧的第1面313A的宽度变大的方式，薄部317的内侧的侧面即第2面313B倾斜。即，与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的内侧的第2面313B相对于形成有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜。
在厚部315形成贯通孔321，所述厚部315在与第2框体313的高度方向交叉的方向具有厚度(图8(d))。在曝光装置的限制方面，防护膜组件300的高度的上限为2.5mm，从防止异物的成像考虑，防护膜组件高度越高越好。然而，根据公知信息，防护膜组件的高度据说需要为2mm(例如，非专利文献1)。鉴于以上，从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10-6Pa)时，贯通孔321形成如下的孔径：防护膜组件300内外的差压引起的防护膜301的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中，由于贯通孔321被过滤器331覆盖，因此考虑过滤器331产生的阻力来设定贯通孔321的孔径。
在与第2框体313的高度方向平行的第2框体313的外侧的面粘接覆盖贯通孔321的过滤器331(图9(a))。过滤器331优选为具有上述特性的过滤器，从确保对第2框体313的粘接性的观点考虑，优选宽度(高度)与第2框体313的高度大致相等。
如上述那样，从确保过滤器331的密合性和过滤器面积增加的观点考虑，过滤器331的宽度以与第2框体313的宽度(高度)相同宽度作为上限。然而，如果过滤器331的宽度(高度)超过第2框体313的高度，则粘贴留出部从第2框体313伸出，因此密合力降低，不优选。
在第2框体313的厚部315的底面形成粘接层343。此外，配置保护粘接层343的衬垫351(图9(b))。这里，可以准备形成有粘接层343的衬垫351，经由粘接层343，将衬垫351粘贴于第2框体313的厚部315的底面。
在第2框体313的厚部315的第1面313A形成粘接层341(图9(c))。以从外侧包围第1框体311的方式，经由形成的粘接层341，将第1框体311固定于第2框体313(图9(d))。此时，为了增强粘接层341，例如，可以在第1框体311的侧面(倾斜面)、与和第1框体311的侧面(倾斜面)相接的第2框体313的薄部317的侧面(倾斜面)的第2面313B之间进一步配置粘接层。
在本发明中，作为第2框体313，使用截面具有大致L字形状的构件，使过滤器331的高度与第2框体313的高度大致相等，从而可以在过滤器331的背面不产生贯通孔321以外的空隙，具有充分的密合性地配置过滤器331。此外，与第1框体311卡合并与配置有防护膜301的第1框体311的面交叉的第2框体313的内侧的第2面313B，相对于配置有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜，从而可以获得第2框体313与通过湿蚀刻而形成的第1框体311的高密合性。
另外，本实施方式的防护膜组件300如下即可：第1框体311的侧面相对于底面向内侧倾斜，第2框体313具有包含第1面313A的厚部315、和与第1面313A连接并承接第1框体311的侧面的第2面313B，并将防护膜301与第1框体311从外侧包围，所述第1面313A承接与第1框体311的配置有防护膜301的面相反侧的面，与第1框体311卡合的第2框体313的第2面313B相对于配置有防护膜301的第1框体311的面向内侧倾斜。因此，本实施方式例如也包含图10所示的防护膜组件400那样的变形例。
在防护膜组件400中，第2框体413的形状与第2框体313不同。第2框体413具有包含第1面413A的厚部415、和与第1面413A连接并承接第1框体411的侧面的第2面413B，并将防护膜401与第1框体411从外侧包围，所述第1面413A承接与第1框体411的配置有防护膜401的面相反侧的面。此外，第2框体413具有与第1框体411的侧面相接的第2框体413的第1薄部417A、和与厚部415的下表面连接并包含第2框体413的底面的第2薄部417B。
在图10中，第2框体413的第2薄部417B具有朝着底面而向第2框体413的外侧的侧面方向倾斜的结构。另外，作为其它变形例，如上述的防护膜组件200的第2框体213那样，第2薄部417B的内侧的侧面可以与第2框体413的外侧的侧面平行。
此外，也能够使作为上述的实施方式1的变形例的防护膜组件200的第2框体213为如第2框体413的第2薄部417B那样，朝着底面而向第2框体413的外侧的侧面方向倾斜的结构。
(实施方式3)
在上述实施方式中，第2框体通过第1面和第2面将防护膜与第1框体从外侧包围，经由粘接层而固定第1框体。另一方面，关于本发明涉及的防护膜组件，透过防护膜的远紫外光入射到配置有第2框体的光掩模，该入射的远紫外光射出与光掩模的图案对应的远紫外光、和作为高度反射或扩散反射引起的杂散光的远紫外光。如果入射到光掩模和/或射出的远紫外光碰到粘接层，则粘接层劣化。
在本实施方式中，对通过使用具有与第1面连接并与第2面相对的第3面的第2框体来抑制粘接层的劣化的防护膜组件进行说明。图11是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件500的图1的线段AA’处的剖面图。
防护膜组件500具备配置有防护膜501的第1框体511、和固定了第1框体511的第2框体513。第2框体513具有包含第1面513A的厚部515、和与第1面513A连接并承接第1框体511的侧面的第2面513B，所述第1面513A承接与第1框体511的配置有防护膜501的面相反侧的面。在本实施方式中，第2框体513进一步具有与第1面513A连接并与第2面513B相对的第3面513C，第2框体513的第3面513C与第1框体511的内侧的侧面对置地配置。
防护膜组件500具备配置于第2框体513的贯通孔521、和覆盖贯通孔521的过滤器531。贯通孔521配置于第2框体513的厚部515，所述第2框体513的厚部515在与配置有防护膜501的第1框体511的面交叉的方向具有厚度。在与配置有防护膜501的第1框体511的面交叉的第2框体513的外侧的侧面经由粘接层(未图示)而配置过滤器531。
作为防护膜501、第1框体511和第2框体513，可以使用与上述的防护膜、基板和第2框体113同样的材料，因此省略详细的说明。
第1框体511与第2框体513经由粘接层541而被固定。粘接层541配置于第2框体513的厚部515的第1面513A上，所述第2框体513的厚部515在与配置有防护膜501的第1框体511的面交叉的方向具有厚度。为了增强粘接层541，例如，可以在第1框体511的侧面、与和第1框体511的侧面相接的第2框体513的薄部517的第2面513B和第3面513C之间进一步配置粘接层。
在本实施方式中，第2框体513具备突出部，该突出部具有与第1面513A连接并与第2面513B相对的第3面513C。具有第3面513C的突出部可以遮挡入射到光掩模和/或射出的远紫外光，防止碰到粘接层541。因此，可以抑制远紫外光引起的粘接层541的劣化。
粘接层541、贯通孔521和过滤器531的构成为上述构成，因此省略详细的说明。
关于防护膜组件500的制造方法，仅第2框体513的制造工序与防护膜组件100不同。即，准备第2面513B和第3面513C相对于形成有防护膜的第1框体511的面成为直角的第2框体513，所述第3面513C与第1面513A连接并与第2面513B相对，经由粘接层541将第1框体511固定于第2框体513。其它制造工序与防护膜组件100同样，因此省略详细的说明。
此外，第2框体的具备具有第3面的突出部的构成也可以与实施方式2中说明的通过湿蚀刻而使防护膜露出的第1框体组合。图12是一实施方式涉及的防护膜组件600的示意图，图12(a)是图1的线段AA’处的剖面图，图12(b)～(d)是第2框体613的变形例。
防护膜组件600具备配置有防护膜601的第1框体611、和固定了第1框体611的第2框体613。第2框体613具有包含第1面613A的厚部615、和与第1面613A连接并承接第1框体611的侧面的第2面613B，所述第1面613A承接与第1框体611的配置有防护膜601的面相反侧的面。在本实施方式中，第2框体613进一步具有与第1面613A连接并与第2面613B相对的第3面613C，第2框体613的第3面613C与第1框体611的内侧的侧面对置地配置。
第2框体613的与防护膜601正交的截面具有大致L字形状。此外，防护膜组件600具备配置于第2框体613的贯通孔621、和覆盖贯通孔621的过滤器631。贯通孔621配置于第2框体613的厚部615，所述第2框体613的厚部615在与配置有防护膜601的第1框体611的面交叉的方向具有厚度。在与配置有防护膜601的第1框体611的面交叉的第2框体613的外侧的侧面经由粘接层(未图示)而配置过滤器631。
在本实施方式中，由于第1框体611通过湿蚀刻而形成，因此在第1框体611的侧面发生倾斜，截面变为梯形。因此，与第1框体611卡合的第2框体613具有下述结构：与配置有防护膜601的第1框体611的面交叉的第2框体613的内侧的面相对于配置有防护膜601的第1框体611的面向内侧倾斜，并且与第1框体611卡合的第2框体613的第3面613C以从第1面613A向着配置有防护膜601的第1框体611的面，与第2面613B的距离变大的方式倾斜。
防护膜组件600具有与第1面613A连接并以下述方式倾斜的第2面613B和第3面613C：面向配置有防护膜601的第1框体611的面彼此距离变大的方式，从而可以获得第2框体613与通过湿蚀刻而形成的第1框体611的高密合性。
此外，在本实施方式中，第2框体613具备突出部，该突出部具有以从上述第1面向着配置有上述防护膜的上述第1框体的面，与上述第2面的距离变大的方式倾斜的第3面613C。具有第3面613C的突出部可以遮挡入射到光掩模和/或射出的远紫外光，防止碰到粘接层641。因此，可以抑制远紫外光引起的粘接层641的劣化。
另外，第2框体613的具有第3面613C的突出部，包含如图12(b)～(d)所示那样的前端形状的变形例。因此，在本实施方式涉及的防护膜组件600中，第2框体613的具有第3面613C的突出部的前端的截面形状可以为图12(b)那样的锐角，可以为图12(c)那样的梯形，可以具有图12(d)那样的R形状，不限定于此。
关于防护膜组件600的制造方法，仅第2框体613的制造工序与防护膜组件300不同。即，准备具有第2面613B和第3面613C的第2框体613，所述第2面613B相对于形成有防护膜601的第1框体611的面向内侧倾斜，所述第3面613C以从第1面613A向着配置了防护膜601的第1框体611的面而与第2面613B的距离变大的方式倾斜，经由粘接层641将第1框体611固定于第2框体613。其它制造工序与防护膜组件300同样，因此省略详细的说明。
另外，在防护膜组件500和防护膜组件600中，如上述的第2框体413的第2薄部417B那样，第2框体可以具有朝着底面而向第2框体的外侧的侧面方向倾斜的结构。此外，作为其它变形例，如上述的防护膜组件200的第2框体213那样，第2薄部的内侧的侧面可以与第2框体的外侧的侧面平行。
(实施方式4)
在上述实施方式中，由于本发明涉及的防护膜组件的防护膜的膜厚为20nm以上50nm以下的以往所没有的薄的膜，因此如以往的防护膜组件那样用手固定于光掩模是困难的。因此，需要使用专用的粘贴装置，以非接触方式的对光掩模的粘贴。在本实施方式中，对将非接触方式的对光掩模的粘贴机构设置于第2框体的例子进行说明。
图13是本发明的一实施方式涉及的防护膜组件700所使用的第2框体713的示意图，上侧的图是第2框体713的上表面侧的立体图，下侧的图是第2框体713的底面侧的立体图。如图14所示，防护膜组件700具备配置有防护膜701的第1框体711、和固定了第1框体711的第2框体713。第2框体713将防护膜701与第1框体711从外侧包围，与防护膜701正交的截面具有L字形状。此外，防护膜组件700具备配置于第2框体713的贯通孔721、和覆盖贯通孔721的过滤器731。贯通孔721配置于第2框体713的厚部715，所述第2框体713的厚部715在与配置有防护膜701的第1框体711的面交叉的方向具有厚度。在与配置有防护膜701的第1框体711的面交叉的第2框体713的外侧的面经由粘接层(未图示)而配置过滤器731。
关于第2框体713，在厚部715的上表面设置有槽714。在本实施方式中，从第2框体713的上表面(厚度方向)看到的槽714的形状为沿着第2框体713的形状绕一圈的无端形状。
第2框体713具有贯通孔714A和贯通孔714B。贯通孔714A和贯通孔714B分别贯通槽714的底面与第2框体713的外侧的面之间。
这里，贯通孔714A和714B可以分别贯通槽714的侧面与第2框体713的外侧的面之间。此外，贯通孔714A和714B的任一方可以被省略。即，第2框体713中，对1个槽(槽714)连接有2个贯通孔(贯通孔714A和714B)，但本实施方式不限定于该形态。在本实施方式中，只要对1个槽(槽714、槽716)，连接至少1个贯通孔即可。
此外，如图13和图14所示，在第2框体713的厚部715的与上表面相反侧的底面设置有槽716。在本实施方式中，槽716的形状也与槽714的形状同样地，从厚度方向观察时，成为沿着第2框体713的形状绕一圈的无端形状。
第2框体713具有贯通孔716A和贯通孔716B。贯通孔716A和贯通孔716B分别贯通槽716的底面与第2框体713的外侧的面之间。对于贯通孔716A和716B的变形，与贯通孔714A和714B的变形同样。
第2框体713适合于将防护膜701与第1框体711固定(支持)而制作防护膜组件700的用途。在第2框体713，在成为与第1框体711的对置面的厚部715的上表面设置有槽714，并且，设置有与该槽714连接的贯通孔714A和714B。因此，在第2框体713的厚部715固定第1框体711时，穿过贯通孔714A和714B而将槽714的内部(例如通过真空泵等排气机构)减压，从而可以将第2框体713与第1框体711之间的压力减压。通过该减压，可以在第2框体713与第1框体711之间使彼此推压的力起作用，因此可以不与第2框体713和第1框体711的正面和背面(即，第2框体713的厚部715的上表面和底面、以及第1框体711的配置有防护膜701的面和第1框体711的底面)接触，而将两者固定。
第2框体713与第1框体711的固定经由粘接层741进行。通过减压，可以经由粘接层741而推压第2框体713与防护膜，因此可以将第2框体713与第1框体711牢固地固定。
另外，关于其它构成，与实施方式1和2中说明的构成同样，因此省略详细的说明。此外，虽然在图13和图14中，对与实施方式1所示的第1框体111同样地，第1框体711的侧面与底面大致正交的形状的情况进行了说明，但本实施方式也可以应用于实施方式2所示那样的侧面具有倾斜的与第1框体卡合的第2框体。
(防护膜组件700的制造方法)
本实施方式的防护膜组件700的制造方法的基本工序与实施方式1和2同样。与实施方式1或2同样地，形成第1框体711。
另行准备框的高度方向的截面具有L字形状的第2框体713。在本实施方式中，关于第2框体713，薄部717的内侧的侧面相对于上表面为大致直角。即，与配置有防护膜701的第1框体711的面交叉的第2框体713的内侧的面相对于形成有防护膜701的第1框体711的面成为直角。
在与第2框体713的高度方向交叉的方向具有厚度的厚部715形成贯通孔721。在曝光装置的限制方面，防护膜组件700的高度的上限为2.5mm，从防止异物的成像考虑，防护膜组件700的高度越高越好。然而，根据公知信息，防护膜组件700的高度据说需要为2mm(例如，非专利文献1)。鉴于以上，在从常压(0.1MPa)减压到曝光时的真空状态(10-4～10-6Pa)时，贯通孔721形成防护膜组件700内外的差压引起的防护膜701的膨胀小于0.5mm的孔径。在本实施方式中，贯通孔721被过滤器731覆盖，因此考虑过滤器731产生的阻力来设定贯通孔721的孔径。
此外，在第2框体713的厚部715的上表面形成槽714，并且形成贯通槽714的侧面与第2框体713的外侧的面之间的贯通孔714A和714B。同样地，在第2框体713的厚部715的底面形成槽716，并且形成贯通槽716的侧面与第2框体713的外侧的面之间的贯通孔716A和716B。
在与第2框体713的高度方向平行的第2框体713的外侧的面粘接覆盖贯通孔721的过滤器731。过滤器731优选为具有上述特性的过滤器，从确保对第2框体713的粘接性的观点考虑，优选宽度(高度)与第2框体713的高度大致相等。
这里，过滤器731与过滤器131同样地，由通气部和粘贴留出部构成(未图示)。粘贴留出部以覆盖通气部的方式，包围过滤器的周边。粘贴留出部发挥将第2框体与通气部没有间隙地粘接的作用。在粘贴留出部，气体不通过。粘贴留出部的宽度为0.2mm以上1.0mm以下。为了使通气部的面积大，期望粘贴留出部的宽度尽可能细。
所谓通气部，是指过滤器的未被粘贴留出部覆盖的部分。气体通过通气部，捕捉气体所包含的粒子。在通气部，发生压力损失，因此过滤器的换气性能由通气部的换气性能决定。
在第2框体713的厚部715的底面形成粘接层743。此时，以使得设置于第2框体713的厚部715的底面的槽716未被粘接层743覆盖的方式，形成粘接层743。此外，配置保护粘接层743的衬垫751。这里，可以准备形成有粘接层743的衬垫751，经由粘接层743，将衬垫751粘贴于第2框体713的厚部715的底面。
在第2框体713的厚部715的上表面，形成粘接层741。此时，以使得在第2框体713的厚部715的上表面设置的槽714未被粘接层741覆盖的方式，形成粘接层741。以从外侧包围第1框体711的方式，经由形成的粘接层741，将第1框体711固定于第2框体713。此时，为了增强粘接层741，例如，可以在第1框体711的侧面、与和第1框体711的侧面相接的第2框体713的薄部717之间进一步配置粘接层。由于用于对光掩模安装防护膜组件的空间仅存在2.5mm的高度，因此在本实施方式中，优选使第2框体713的高度、与在第2框体713的下表面配置的粘接层743的高度的合计为2mm以下。
将第1框体711固定于第2框体713的工序，例如，使用图14所示的防护膜组件制造装置1000进行。防护膜组件制造装置1000具备：真空室1100；配置于真空室1100内的载置台1200；用于向真空室1100供给气体的供给管1110；以及用于将真空室1100内的气体排出到真空室1100外的排出管1120A和1120B。排出管1120A和1120B的真空室1100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室1100内的载置台1200上载置第2框体713。具体而言，以第2框体713的衬垫751与载置台1200相接的方式载置。而且在第2框体713的粘接层741上，配置防护膜701与第1框体711的复合构件。
作为一例，作为复合构件，使用了作为硅晶片(例如8英寸硅晶片)的第1框体711、与作为多晶硅膜(p-Si膜)的防护膜701的复合构件。在复合构件的规定位置，设置有用于切割成第1框体711的规定尺寸的切口。第1框体711优选在与第2框体713贴合前切割成规定尺寸(以下，也将该操作称为“裁切”)。
此外，排出管1120A和1120B分别在真空室1100内具有端部。这些端部可以分别与用于将第2框体713的槽714的内部减压的2个贯通孔714A和714B连接。
以下，说明使用了上述防护膜组件制造装置1000的防护膜组件的制造方法的例子。首先，在真空室1100内的载置台1200上载置第2框体713，在第2框体713的上方配置第1框体711。在该阶段，以粘接层741与第1框体711不接触的方式配置。
接下来，通过公知的机构，进行第2框体713与第1框体711的定位。通过定位，通过被第2框体713包围的开口部，以第1框体711嵌入的方式配置。接下来，将排出管1120A和1120B各自的端部，与用于将第2框体713(框主体)的槽714的内部减压的2个贯通孔714A和714B分别连接。
接下来，通过从供给管1110向真空室1100内供给气体，从而将真空室1100内加压。同时，使与排出管1120A和1120B的真空室1100外的端部连接的真空泵(未图示)工作，从而穿过排出管1120A和1120B、和第2框体713的2个贯通孔714A和714B，将在第2框体713的厚部715的上表面设置的槽714的内部减压。关于加压和减压的程度，以由真空室1100内的整体压力与槽714的内部的压力之差(差压)产生的第1框体711与第2框体713之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压，在第1框体711与第2框体713之间产生彼此推压的力，第2框体713的粘接层741与第1框体711被粘接。
如以上那样操作，可以不与第1框体711和第2框体713的正面和背面接触，而将两者粘接。另外，上述各操作的顺序也能够适当替换。
(防护膜组件对光掩模的配置方法)
本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法，作为一例，具有下述工序：将本实施方式的防护膜组件700即在第2框体713的至少与支持配置了防护膜701的第1框体711的面相反侧的面设置有槽716的防护膜组件、和光掩模以第2框体713的设置有槽716的面与光掩模对置的方式配置的配置工序；以及通过贯通孔716A和716B将槽716的内部减压，从而将防护膜组件700与光掩模固定的固定工序。
根据本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法，通过槽716的内部的减压，可以在防护膜组件700与光掩模之间使彼此推压的力起作用，因此可以不与防护膜组件700和光掩模的正面和背面接触，而将两者固定。
在本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法中，固定工序中的减压优选在防护膜组件700和光掩模在加压气氛下被配置的状态下进行。根据该形态，可以使配置防护膜组件700和光掩模的整体气氛的压力、与槽716的内部压力之差(差压)更大，因此可以使防护膜组件700和光掩模之间的彼此推压的力更大。因此，可以使两者更容易固定。
在防护膜组件700与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)优选为1N以上，更优选为2N以上。防护膜组件700与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)更优选为10N以上，特别优选为20N以上。防护膜组件700与光掩模之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)的上限没有特别限制，但从生产率等方面考虑，例如为500N，优选为400N。
接下来，参照图15说明本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的一例。但是，本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法不受该一例限定。图15是概念性显示适合于本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的光掩模制造装置2000的一例的剖面图。
图15所示的光掩模制造装置2000具备：真空室2100、用于向真空室2100供给气体的供给管2110、以及用于将真空室2100内的气体排出到真空室2100外的排出管2120A和2120B。排出管2120A和2120B的真空室2100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室2100内配置光掩模2500。作为光掩模2500，使用包含支持基板、叠层在该支持基板上的反射层、形成在反射层上的吸收体层的光掩模。光掩模2500以在真空室2100内正面(光照射面；即，设置有反射层和吸收体层的一侧的面)成为上，背面(光照射面的相反侧的面；即，支持基板侧的面)成为下的方式配置。
而且在光掩模2500的反射层和吸收层的上方，配置除去了衬垫751的防护膜组件700。具体而言，防护膜组件700的粘接层743侧以与光掩模2500的正面(光照射面)对置的方向配置。
此外，排出管2120A和2120B分别在真空室2100内具有端部。这些端部分别可以与第2框体713的底面设置的用于将槽716的内部进行减压的2个贯通孔连接。
以下，说明使用了光掩模制造装置2000的防护膜组件对光掩模的配置方法的例子。首先，准备除去衬垫751而获得的防护膜组件700。接下来，在真空室2100内，将光掩模2500在正面(光照射面)成为上的方向配置。此时，为了不在光掩模2500的正面和背面附着异物，例如，以仅支持光掩模2500的侧面等，机械、夹具、手等不与光掩模2500的正面和背面接触的方式配置。
接下来，将防护膜组件700配置在光掩模2500的上方。此时，为了在防护膜组件700的膜面不附着异物，例如，以仅支持第2框体713的侧面(外周面)等，机械、夹具、手等不与防护膜组件700的膜面接触的方式配置。此外，在该阶段，以粘接层743与光掩模2500不接触的方式配置。接下来，通过公知的机构，进行防护膜组件700与光掩模2500的定位。
接下来，将排出管2120A和2120B各自的端部与第2框体713的底侧的用于将槽716的内部减压的2个贯通孔分别连接。接下来，从供给管2110向真空室2100内供给气体，从而将真空室内加压。同时，使与排出管2120A和2120B的真空室2100外的端部连接的真空泵(未图示)工作，从而通过排出管2120A和2120B、和第2框体713的2个贯通孔716A和716B，将在第2框体713的底面设置的槽716的内部进行减压。关于加压和减压的程度，以由真空室2100内的整体压力与槽716的内部压力之差(差压)产生的防护膜组件700与光掩模2500之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压，在防护膜组件700与光掩模2500之间产生彼此推压的力，防护膜组件700的粘接层743与光掩模2500被粘接。
如以上那样操作，可以不与防护膜组件700和光掩模2500的正面和背面接触，而将两者粘接。由此，可以抑制异物对防护膜组件700和光掩模2500的附着，同时将两者粘接。另外，上述各操作的顺序也能够适当替换。
(防护膜组件对光掩模的配置方法的变形例)
上述防护膜组件对光掩模的配置方法中，将第1框体711与第2框体713粘接而形成防护膜组件700后，配置于光掩模2500。然而，本发明涉及的防护膜组件对光掩模的配置方法，不限定于此，也能够替换顺序。作为一例，对在将第2框体配置于光掩模后，在第2框体粘接第1框体而使防护膜组件完成的例子进行说明。
在本实施方式中，具有下述工序：将在与支持配置有防护膜701的第1框体711的面相反侧的面设置有槽716的第2框体713、和光掩模以第2框体713的设置有槽716的面与光掩模对置的方式进行配置的配置工序；通过贯通孔716A和716B将槽716的内部进行减压，从而将防护膜组件700与光掩模进行固定的固定工序；以及将配置有防护膜701的第1框体711固定于第2框体713的工序。
另外，如实施方式4中说明地那样，第2框体713从外侧包围防护膜701和第1框体711，与防护膜701正交的截面具有L字形状，具备配置于第2框体713的贯通孔721、和覆盖贯通孔721的过滤器731。此外，在第2框体713具备：在厚部715的上表面设置的槽714、贯通槽714的底面与第2框体713的外侧的面之间的贯通孔714A和贯通孔714B、在厚部715的与上表面的相反侧的底面设置的槽716、以及贯通槽716的底面与第2框体713的外侧的面之间的贯通孔716A和贯通孔716B。
根据本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法，通过槽716的内部的减压，可以在第2框体713与光掩模之间使彼此推压的力起作用，因此可以不与第2框体713和光掩模的正面和背面接触，而经由粘接层743将两者固定。
在本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法中，第2框体713的固定工序中的减压优选在第2框体713和光掩模在加压气氛下被配置的状态下进行。根据该形态，可以使配置第2框体713和光掩模的整体气氛的压力与槽716的内部压力之差(差压)更大，因此可以使第2框体713与光掩模之间的彼此推压的力更大。因此，可以将两者更容易地固定。
第2框体713与光掩模之间的彼此推压的力优选为1N以上，更优选为2N以上。第2框体713与光掩模之间的彼此推压的力更优选为10N以上，特别优选为20N以上。第2框体713与光掩模之间的彼此推压的力的上限没有特别限制，但从生产率等方面考虑，例如为500N，优选为400N。
此外，通过贯通孔714A和714B将槽714的内部(例如通过真空泵等排气机构)减压，从而可以将第2框体713与第1框体711之间的压力减压。通过该减压，可以在第2框体713与第1框体711之间使彼此推压的力起作用，因此可以不与第2框体713和第1框体711的正面和背面(即，第2框体713的厚部715的上表面和底面，以及第1框体711的配置有防护膜701的面和第1框体711的底面)接触，而将两者固定。
第2框体713与第1框体711的固定经由粘接层741进行。通过减压，可以经由粘接层741来推压第2框体713与防护膜，因此可以将第2框体713与第1框体711牢固地固定。
接下来，参照图16对本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的变形例进行说明。但是，本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法不受该一例限定。图16是概念性地显示适合于本实施方式的防护膜组件对光掩模的配置方法的光掩模制造装置3000的一例的剖面图。
图16所示的光掩模制造装置3000具备真空室3100、用于向真空室3100供给气体的供给管3110、以及用于将真空室3100内的气体排出到真空室3100外的排出管3120A和3120B。排出管3120A和3120B的真空室3100外的端部(未图示)与真空泵等排气机构(未图示)连接。
在真空室3100内配置光掩模3500。作为光掩模3500，使用包含支持基板、叠层在该支持基板上的反射层、和形成在反射层上的吸收体层的光掩模。光掩模3500以在真空室3100内，正面(光照射面；即，设置有反射层和吸收体层的一侧的面)成为上，背面(光照射面的相反侧的面；即，支持基板侧的面)成为下的方式配置。
而且在光掩模3500的反射层和吸收层的上方，配置除去了衬垫751的第2框体713。具体而言，第2框体713的粘接层743侧以与光掩模3500的正面(光照射面)对置的方向配置。
此外，排出管3120A和3120B分别在真空室3100内具有端部。这些端部可以分别与第2框体713的底面设置的用于将槽716的内部进行减压的2个贯通孔连接。
以下，说明使用了光掩模制造装置3000的防护膜组件对光掩模的配置方法的例子。首先，准备除去衬垫751而获得的第2框体713。接下来，在真空室3100内，将光掩模3500以正面(光照射面)成为上的方向配置。此时，为了不在光掩模3500的正面和背面附着异物，例如，以仅支持光掩模3500的侧面等，机械、夹具、手等不与光掩模3500的正面和背面接触的方式配置。
接下来，将第2框体713配置在光掩模3500的上方。在该阶段，以粘接层743与光掩模3500不接触的方式配置。接下来，通过公知的机构，进行第2框体713与光掩模3500的定位。
接下来，将排出管3120A和3120B各自的端部与第2框体713的底侧的用于将槽716的内部减压的2个贯通孔分别连接。接下来，通过从供给管3110向真空室3100内供给气体，将真空室3100内加压。同时，使与排出管3120A和3120B的真空室3100外的端部连接的真空泵(未图示)工作，从而通过排出管3120A和3120B、和第2框体713的2个贯通孔716A和716B，将第2框体713的底面设置的槽716的内部进行减压。关于加压和减压的程度，以由真空室3100内的整体压力与槽716的内部压力之差(差压)产生的第2框体713与光掩模3500之间的彼此推压的力成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压，在第2框体713与光掩模3500之间产生彼此推压的力，防护膜组件700的粘接层743与光掩模3500被粘接。
接下来，在第2框体713的上方配置第1框体711。在该阶段，以粘接层741不与第1框体711接触的方式配置。进一步，通过公知的机构，进行第2框体713与第1框体711的定位。通过定位，通过被第2框体713包围的开口部，以第1框体711嵌入的方式配置。接下来，将排出管3220A和3220B各自的端部与第2框体713(框主体)的用于将槽714的内部进行减压的2个贯通孔714A和714B分别连接。
接下来，通过从供给管3110向真空室3100内供给气体，将真空室3100内加压。同时，通过使与排出管3220A和3220B的真空室3100外的端部连接的真空泵(未图示)工作，从而通过排出管3220A和3220B、和第2框体713的2个贯通孔714A和714B，将第2框体713的厚部715的上表面设置的槽714的内部减压。关于加压和减压的程度，以由真空室3100内的整体压力与槽714的内部压力之差(差压)产生的第1框体711与第2框体713之间的彼此推压的力(施加于第2框体713整体的力)成为例如2N左右的方式调整。通过上述差压，在第1框体711与第2框体713之间产生彼此推压的力，第2框体713的粘接层741与第1框体711被粘接。
如以上那样操作，可以不与防护膜组件700和光掩模3500的正面和背面接触，而将两者粘接。由此，可以抑制异物对防护膜组件700和光掩模3500的附着，同时将两者粘接。另外，上述各操作的顺序也能够适当替换。
(曝光方法)
使用上述实施方式涉及的防护膜组件，可以实现利用远紫外光光刻进行的微细加工。将本发明涉及的防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面，将光掩模配置于曝光装置的规定位置，在与中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳防护膜组件，在真空下，对配置有防护膜组件的光掩模照射5nm以上30nm以下的光，将从配置有防护膜组件的光掩模的中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材，从而可以在抗蚀剂层上使图案曝光。
本发明涉及的防护膜组件的防护膜是膜厚为20nm以上50nm以下的以往所没有的薄的膜，因此如以往的防护膜组件那样用手固定于光掩模是困难的。因此，需要使用专用的粘贴装置，以非接触方式的粘贴。
将粘贴了本发明涉及的防护膜组件的光掩模配置于曝光装置的规定位置，在与中间掩模面具有3mm以下，特别是2.5mm距离的空隙收纳防护膜组件。
在曝光装置内导入形成有抗蚀剂层的基材，使曝光装置内为10-4～10-6Pa程度的真空状态。此时，空气从粘贴于光掩模的本发明涉及的防护膜组件内流出。如上述那样，关于本发明涉及的防护膜组件，作为第2框体，使用截面具有L字形状的构件，使过滤器的高度与第2框体的高度大致相等，从而在过滤器的背面不产生贯通孔以外的空隙，具有充分的密合性地配置过滤器，因此防护膜不损伤，可以使防护膜组件内为真空状态。
然后，对配置有防护膜组件的光掩模照射5nm以上30nm以下的EUV光。光掩模从中间掩模面向下层形成多层反射膜，因此入射到中间掩模面的EUV光通过多层反射膜反射，反映了在中间掩模面的吸收体形成的图案的EUV光从中间掩模面透过防护膜组件而射出。
将从光掩模的中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材，从而可以在抗蚀剂层上使图案曝光。由此，实现以往所没有的微细加工。
符号的说明
100：防护膜组件，101：防护膜，105：基板，111：第1框体，113：第2框体，113A：第1面，113B：第2面，115：厚部，117：薄部，121：贯通孔，131：过滤器，135：通气部，137：粘贴留出部，141：粘接层，143：粘接层，151：衬垫，200：防护膜组件，201：防护膜，205：基板，211：第1框体，213：第2框体，213A：第1面，213B：第2面，215：厚部，217：薄部，221：贯通孔，231：过滤器，241：粘接层，243：粘接层，251：衬垫，300：防护膜组件，301：防护膜，305：基板，311：第1框体，313：第2框体，313A：第1面，313B：第2面，315：厚部，317：薄部，321：贯通孔，331：过滤器，341：粘接层，343：粘接层，351：衬垫，400：防护膜组件，401：防护膜，411：第1框体，413：第2框体，413A：第1面，413B：第2面，415：厚部，417：薄部，421：贯通孔，431：过滤器，441：粘接层，443：粘接层，451：衬垫，500：防护膜组件，501：防护膜，511：第1框体，513：第2框体，513A：第1面，513B：第2面，513C：第3面，515：厚部，517：薄部，521：贯通孔，531：过滤器，541：粘接层，543：粘接层，551：衬垫，600：防护膜组件，601：防护膜，611：第1框体，613：第2框体，613A：第1面，613B：第2面，613C：第3面，615：厚部，617：薄部，621：贯通孔，631：过滤器，641：粘接层，643：粘接层，651：衬垫，700：防护膜组件，701：防护膜，711：第1框体，713：第2框体，713A：第1面，713B：第2面，714：槽，714A：贯通孔，714B：贯通孔，715：厚部，716：槽，716A：贯通孔，716B：贯通孔，717：薄部，721：贯通孔，731：过滤器，741：粘接层，743：粘接层，751：衬垫，800：防护膜组件，801：防护膜，811：第1框体，813：第2框体，821：贯通孔，831：过滤器，841：粘接层，843：粘接层，851：衬垫，890：间隙，900：防护膜组件，901：防护膜，911：第1框体，913：第2框体，921：贯通孔，931：过滤器，941：粘接层，943：粘接层，951：衬垫，990：间隙，1000：防护膜组件制造装置，1100：真空室，1200：载置台，1110：供给管，1120A：排出管，1120B：排出管，2000：光掩模制造装置，2100：真空室，2110：供给管，2120A：排出管，2120B：排出管，2500：光掩模，3000：光掩模制造装置，3100：真空室，3110：供给管，3120A：排出管，3120B：排出管，3220A：排出管，3220B：排出管，3500：光掩模。

Claims (19)

1.一种远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，具备：
第1框体，所述第1框体配置有防护膜；
第2框体，所述第2框体具有厚部和第2面，并将所述防护膜和所述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与所述第1框体的配置有所述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与所述第1面连接并承接所述第1框体的侧面；
贯通孔，所述贯通孔配置在所述第2框体的所述厚部；以及
过滤器，所述过滤器配置在与配置有所述防护膜的所述第1框体的面交叉的所述第2框体的外侧的侧面，并覆盖所述贯通孔，
所述过滤器在所述第2框体的外侧的侧面具有粘贴留出部，所述粘贴留出部的宽度为0.2mm以上1.0mm以下，
所述过滤器具有不被所述粘贴留出部覆盖的通气部，
所述过滤器的所述通气部的合计面积相对于所述防护膜组件的内部体积的比率为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。
2.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，与所述第1框体卡合的所述第2框体的所述第2面相对于配置有所述防护膜的所述第1框体的面成直角。
3.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，与所述第1框体卡合的所述第2框体的所述第2面相对于配置有所述防护膜的所述第1框体的面向内侧倾斜。
4.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，所述第2框体进一步具有与所述第1面连接并与所述第2面相对的第3面，
所述第2框体的所述第3面与所述第1框体的内侧的侧面对置地配置。
5.根据权利要求4所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，与所述第1框体卡合的所述第2框体的所述第3面相对于配置有所述防护膜的所述第1框体的面成直角。
6.根据权利要求4所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，与所述第1框体卡合的所述第2框体的所述第3面，以从所述第1面向着配置有所述防护膜的所述第1框体的面而与所述第2面的距离变大的方式倾斜。
7.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，所述第1框体与所述第2框体的厚部经由粘接层而粘接。
8.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，所述防护膜对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率。
9.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，所述第2框体的高度与在所述第2框体的下表面配置的粘接层的高度的合计为2mm以下。
10.根据权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件，其特征在于，所述第1框体由选自由硅、蓝宝石和碳化硅所组成的组中的材料构成。
11.一种远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜，
以所述基板成为框形状的方式，使所述防护膜露出而形成第1框体，
准备具有厚部和第2面的第2框体，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与所述第1框体的配置有所述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与所述第1面连接并承接所述第1框体的侧面，
在所述第2框体的所述厚部形成贯通孔，
在与所述第2框体的高度方向平行的所述第2框体的外侧的面粘接覆盖所述贯通孔的过滤器，
以从外侧包围所述第1框体的方式，经由粘接层将所述第1框体固定于所述第2框体，
所述过滤器在所述第2框体的外侧的侧面具有粘贴留出部，所述粘贴留出部的宽度为0.2mm以上1.0mm以下，
所述过滤器具有不被所述粘贴留出部覆盖的通气部，
所述过滤器的所述通气部的合计面积相对于所述防护膜组件的内部体积的比率为0.007mm-1以上0.026mm-1以下。
12.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，通过干蚀刻使所述防护膜露出，
准备所述第2面相对于形成有所述防护膜的所述第1框体的面成直角的所述第2框体，
经由所述粘接层将所述第1框体固定于所述第2框体。
13.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，通过湿蚀刻使所述防护膜露出，
准备所述第2面相对于形成有所述防护膜的所述第1框体的面向内侧倾斜的所述第2框体，
经由所述粘接层将所述第1框体固定于所述第2框体。
14.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，通过干蚀刻使所述防护膜露出，
准备所述第2面和与所述第1面连接并与所述第2面相对的第3面相对于形成有所述防护膜的所述第1框体的面成直角的所述第2框体，
经由所述粘接层将所述第1框体固定于所述第2框体。
15.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，通过湿蚀刻使所述防护膜露出，
准备具有第2面和第3面的所述第2框体，所述第2面相对于形成有所述防护膜的所述第1框体的面向内侧倾斜，所述第3面以从所述第1面向着配置有所述防护膜的所述第1框体的面而与所述第2面的距离变大的方式倾斜，
经由所述粘接层将所述第1框体固定于所述第2框体。
16.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，
所述防护膜对5nm以上30nm以下的波长的光具有90.0％以上的透射率。
17.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，使所述第2框体的高度与在所述第2框体的下表面配置的粘接层的高度的合计为2mm以下。
18.根据权利要求11所述的远紫外光光刻用的防护膜组件的制造方法，其特征在于，所述基板为选自由硅基板、蓝宝石基板和碳化硅基板所组成的组中的基板。
19.一种曝光方法，其特征在于，将权利要求1所述的远紫外光光刻用的防护膜组件配置于光掩模的中间掩模面，
将所述光掩模配置于曝光装置的规定位置，在与所述中间掩模面具有3mm以下距离的空隙收纳所述防护膜组件，
在真空下，对配置有所述防护膜组件的所述光掩模照射5nm以上30nm以下的波长的光，
将从配置有所述防护膜组件的所述光掩模的所述中间掩模面射出的光照射到形成有抗蚀剂层的基材。
CN202111214914.4A 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法 Active CN113917783B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111214914.4A CN113917783B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014191930 2014-09-19
JP2014-191930 2014-09-19
JP2014-233128 2014-11-17
JP2014233128 2014-11-17
CN202111214914.4A CN113917783B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
CN201580046947.9A CN106662806B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
PCT/JP2015/076568 WO2016043292A1 (ja) 2014-09-19 2015-09-17 ペリクル、その製造方法及び露光方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580046947.9A Division CN106662806B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113917783A true CN113917783A (zh) 2022-01-11
CN113917783B CN113917783B (zh) 2023-12-19

Family

ID=55533328

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580046947.9A Active CN106662806B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
CN202111214914.4A Active CN113917783B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580046947.9A Active CN106662806B (zh) 2014-09-19 2015-09-17 防护膜组件、其制造方法及曝光方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10488751B2 (zh)
EP (1) EP3196699A4 (zh)
JP (1) JP6275270B2 (zh)
KR (1) KR101915912B1 (zh)
CN (2) CN106662806B (zh)
SG (1) SG11201701805QA (zh)
TW (1) TWI693467B (zh)
WO (1) WO2016043292A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6275270B2 (ja) 2014-09-19 2018-02-07 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
JP6367342B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-01 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
CN108699687B (zh) * 2016-02-19 2022-03-01 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
JP6781864B2 (ja) 2016-07-05 2020-11-11 三井化学株式会社 ペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクル、その製造方法、露光原版、露光装置、半導体装置の製造方法
US10001701B1 (en) * 2016-12-15 2018-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle structures and methods of fabricating thereof
CN110325908A (zh) 2017-02-17 2019-10-11 三井化学株式会社 防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法
EP3404485B1 (en) * 2017-05-15 2019-07-03 IMEC vzw A lithographic reticle system
JP2018200380A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
JP7451442B2 (ja) * 2017-10-10 2024-03-18 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルフレームの通気構造、ｅｕｖ用ペリクル、ｅｕｖ用ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法
JP7357432B2 (ja) 2017-10-10 2023-10-06 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、及び半導体の製造方法
KR20200071080A (ko) * 2017-10-27 2020-06-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 펠리클 프레임 및 펠리클 조립체
KR102517767B1 (ko) * 2018-03-05 2023-04-03 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클, 노광 원판, 노광 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7019472B2 (ja) * 2018-03-22 2022-02-15 三井化学株式会社 カーボンナノチューブ自立膜の製造方法、およびペリクルの製造方法
EP3779594B1 (en) 2018-03-27 2023-11-08 Mitsui Chemicals, Inc. Supporting frame for pellicle, pellicle, method for manufacturing same, exposure master using same, and method for manufacturing semiconductor device
KR102459119B1 (ko) * 2018-06-12 2022-10-26 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 펠리클용 지지 프레임의 제조 방법, 그리고 펠리클을 사용한 노광 원판 및 노광 장치
TWI670562B (zh) * 2018-06-21 2019-09-01 美商微相科技股份有限公司 光罩保護組件結構
JPWO2020009169A1 (ja) * 2018-07-04 2021-08-02 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠
JP7111566B2 (ja) * 2018-09-07 2022-08-02 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びペリクル
TWI687760B (zh) * 2019-04-16 2020-03-11 家登精密工業股份有限公司 具有擾流結構的光罩盒
KR102207853B1 (ko) * 2019-06-27 2021-01-27 주식회사 에프에스티 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클
KR20230011957A (ko) 2020-05-14 2023-01-25 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법
CN117261271B (zh) * 2023-11-20 2024-02-20 深圳市龙图光罩股份有限公司 掩模版贴膜方法、装置及存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007108367A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク
CN101587294A (zh) * 2008-05-22 2009-11-25 信越化学工业株式会社 防护薄膜组件及其制造方法
CN101930166A (zh) * 2009-06-24 2010-12-29 信越化学工业株式会社 防护膜框架及光刻用防护膜

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4939703U (zh) 1972-07-08 1974-04-08
JPS60147737A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd ペリクルホルダ
JPS6141255U (ja) 1984-08-20 1986-03-15 株式会社ニコン マスク保護装置
JPS6344824Y2 (zh) 1985-02-28 1988-11-21
JPH0262542A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
JPH0342153A (ja) 1989-07-10 1991-02-22 Hitachi Ltd 薄板鋳片連続鋳造機
JPH0342153U (zh) * 1989-08-31 1991-04-22
JPH0493945A (ja) 1990-08-07 1992-03-26 Seiko Epson Corp フォトマスク
JPH05107747A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JPH05113658A (ja) 1991-10-21 1993-05-07 Seiko Epson Corp フオトマスク及び半導体装置の製造方法
JP3445685B2 (ja) * 1994-08-11 2003-09-08 三井化学株式会社 マスク保護装置
JP3529062B2 (ja) 1994-10-07 2004-05-24 株式会社渡辺商行 ペリクル及びレチクル
JPH1048812A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd マスク保護装置と、その支持構造
JP2000292909A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
US6300019B1 (en) * 1999-10-13 2001-10-09 Oki Electric Industry Co., Ltd. Pellicle
JP2001133960A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法
JP2001312048A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2002107914A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクルの装着方法
JP2002107915A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの固定方法
US6524754B2 (en) * 2001-01-22 2003-02-25 Photronics, Inc. Fused silica pellicle
US6593035B1 (en) 2001-01-26 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films
JP2002323752A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2003107678A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
KR20030041811A (ko) 2001-11-21 2003-05-27 아사히 가라스 가부시키가이샤 페리클의 포토마스크에 대한 장착구조
JP2004258113A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Nikon Corp マスク保護装置、マスク、ガス置換装置、露光装置、ガス置換方法及び露光方法
JP2004294786A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクル
JP2004354720A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスク用ペリクル
JP2005019822A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Asahi Glass Co Ltd マスク保護装置及びマスク保護装置の製造方法、並びにマスク
US20050042524A1 (en) 2003-08-22 2005-02-24 Bellman Robert A. Process for making hard pellicles
JP2005250188A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
JP2006060037A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Inc 露光装置
JP4478558B2 (ja) * 2004-12-08 2010-06-09 大日本印刷株式会社 大型ペリクルの搬送方法、搬送用治具及びペリクルケース
WO2008105531A1 (ja) 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US8018578B2 (en) * 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101191055B1 (ko) * 2007-07-06 2012-10-15 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 대형 펠리클 프레임체 및 그 프레임체의 파지 방법
US7829248B2 (en) * 2007-07-24 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle stress relief
JP4928494B2 (ja) 2008-05-02 2012-05-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4903829B2 (ja) 2009-04-02 2012-03-28 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5047232B2 (ja) * 2009-06-26 2012-10-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5479868B2 (ja) * 2009-12-02 2014-04-23 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ペリクル及びその取付方法
JP5033891B2 (ja) 2010-02-23 2012-09-26 信越化学工業株式会社 ペリクル膜の製造方法
CN107402417B (zh) * 2010-06-25 2020-08-04 Asml荷兰有限公司 多层反射镜
JP2012093595A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレームおよびペリクル
JP2012151158A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｅｕｖ用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法
JP5279862B2 (ja) 2011-03-31 2013-09-04 信越化学工業株式会社 ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル
KR20130067325A (ko) 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
KR101303795B1 (ko) * 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
JP5711703B2 (ja) 2012-09-03 2015-05-07 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクル
JP5854511B2 (ja) 2012-10-16 2016-02-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの貼付け方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
JP6008784B2 (ja) * 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
CN103246157A (zh) 2013-05-21 2013-08-14 上海和辉光电有限公司 防尘薄膜框架、光学掩膜版及其安装方法
WO2014188710A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置
US9140975B2 (en) 2013-12-13 2015-09-22 Globalfoundries Inc. EUV pellicle frame with holes and method of forming
KR101853576B1 (ko) * 2014-05-02 2018-04-30 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클 프레임, 펠리클 및 그 제조 방법, 노광 원판 및 그 제조 방법, 노광 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법
JP6423730B2 (ja) * 2014-05-26 2018-11-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
JP6367342B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-01 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP6275270B2 (ja) 2014-09-19 2018-02-07 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法
CN107003602B (zh) 2015-02-24 2021-03-12 三井化学株式会社 防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法
EP3079013B1 (en) 2015-03-30 2018-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle
KR102060869B1 (ko) * 2015-04-27 2019-12-30 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 부착 포토마스크의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007108367A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトマスク
CN101587294A (zh) * 2008-05-22 2009-11-25 信越化学工业株式会社 防护薄膜组件及其制造方法
CN101930166A (zh) * 2009-06-24 2010-12-29 信越化学工业株式会社 防护膜框架及光刻用防护膜

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016043292A1 (ja) 2017-06-29
KR20170038907A (ko) 2017-04-07
WO2016043292A1 (ja) 2016-03-24
TW201612622A (en) 2016-04-01
CN113917783B (zh) 2023-12-19
US10488751B2 (en) 2019-11-26
TWI693467B (zh) 2020-05-11
CN106662806A (zh) 2017-05-10
KR101915912B1 (ko) 2018-11-06
EP3196699A4 (en) 2018-05-16
CN106662806B (zh) 2021-11-05
US20170184956A1 (en) 2017-06-29
EP3196699A1 (en) 2017-07-26
SG11201701805QA (en) 2017-04-27
JP6275270B2 (ja) 2018-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106662806B (zh) 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
CN106796391B (zh) 防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法
JP2017083791A (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
KR101853576B1 (ko) 펠리클 프레임, 펠리클 및 그 제조 방법, 노광 원판 및 그 제조 방법, 노광 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법
TWI761451B (zh) 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法
WO2019240166A1 (ja) ペリクル用支持枠、ペリクル及びペリクル用支持枠の製造方法、並びにペリクルを用いた露光原版及び露光装置
TWI817989B (zh) 保護膜、曝光原版、曝光裝置以及半導體裝置的製造方法
WO2015174412A1 (ja) ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
KR102465834B1 (ko) 펠리클용 지지 프레임, 펠리클 및 그의 제조 방법, 그리고 이것들을 사용한 노광 원판, 반도체 장치의 제조 방법
CN111919171B (zh) 支撑框、防护件、露光底版及装置、半导体装置制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant