CN101587294A - 防护薄膜组件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。

Description

防护薄膜组件及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种光刻用防护薄膜组件，更详而言之，是关于一种适用于极紫外线(Extreme Ultra Violet；EUV)光刻制程中的防护薄膜组件及其制造方法。

现有技术

随着半导体装置高度积体化，光刻所形成的图案也跟着细微化，现在图案宽度达到45nm左右的装置也进入实用阶段。像这样的细线图案，利用ArF浸液曝光法或双曝光法进行光刻便能实现，该等方法为现有准分子曝光技术的改良技术。

然而，以该等准分子曝光技术作为基础的光刻，难以应付想要让图案更细微化的要求，例如宽度32nm以下的图案，因此新的曝光技术，亦即使用EUV的光刻，开始受到重视。

为了实际运用以13.5nm为主要波长的EUV光的曝光技术，光源自不待言，连开发新的光阻或防护薄膜组件等也是不可或缺的，其中，光源或光阻的开发已经有相当的进展，相反的，就防护薄膜组件而言，想要实现EUV用防护薄膜组件却仍然有许多的技术问题尚未解决。

设置在EUV用防护薄膜组件上的防护薄膜，除了具有防止异物附着于光掩模上的防尘功能之外，更要求对EUV光具备高透光性与化学安定性，惟对于开发这种具备高透光性、化学安定性优异、成品率良好而且实用的防护薄膜材料而言，目前现状尚无法解决这个技术问题。

对以13.5nm为主要波长的波长带的光源呈现透明的材料现在仍是未知数，惟硅对该波长带的光源透光率比较高，所以就作为EUV用的防护薄膜材料而言，硅这种材料受到重视[例如，Shroff et al.“EUV pellicleDevelopment for Mask Defect Control，”Emerging Lithographic Technologies X，Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006)：(非专利文献1)、美国专利第6,623,893号说明书：(专利文献1)]。

然而，在非专利文献1中用来当作防护薄膜材料的硅是利用溅镀等方法堆积制成防护薄膜，故必然是非晶质的，其对EUV范围的光吸收系数会变高，透光率自然也会降低。

又，专利文献1所揭示的防护薄膜材料也是硅，惟该硅薄膜是以CVD等方法堆积为前提，此时硅薄膜形成非晶质或是多结晶薄膜，故对EUV范围的光吸收系数必定会很高。

再者，如专利文献1或非专利文献1所揭示的防护薄膜那样，用溅镀法或CVD法成膜的硅结晶容易受到强大的应力，该应力会导致光学薄膜特性劣化或不平均。

于是本发明人，为解决上述缺点，构思一种透光性与化学安定性相当优异而且实用的EUV用防护薄膜组件及其制造方法，并提出专利申请[特愿2007-293692(未公开)]。然而，在之后的检讨中发现，上述专利申请的发明，在将单晶硅膜当作防护薄膜使用而该单晶硅膜是以(100)面作为主面的情况下，EUV防护薄膜组件的光学特性虽然优异，但是在防护薄膜组件制造步骤中将硅结晶薄膜化时，硅结晶膜容易在剥离、蚀刻或处理等步骤中发生龟裂等缺陷，导致制造成品率降低，因此，本发明人进一步改良上述专利申请案的发明，并提出新的专利申请案[日本特愿2008-120664(未公开)]。

然而，本发明人在之后的检讨发现，该改良发明仍有以下缺点：输送时的振动会造成边缘崩裂现象，且在EUV曝光时单晶硅膜会因为光的能量而温度升高，结果，用接合剂贴合的防护薄膜组件框架，会受到其膨胀系数差所造成的热应力而产生翘曲，或是容易在接合时产生应变。于是本发明人再行改善检讨，进而完成本发明。

又，在本说明书中用来表示结晶面及其方位的使用记号的定义可参照非专利文献2的第2章2.2项所记载的内容，而这些是本领域从业人员一般常在使用的基本知识。

[专利文献1]美国专利第6,623,893号说明书

[非专利文献1]Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask DefectControl，”Emerging Lithographic Technologies X，Proc of SPIE  Vol.6151615104-1(2006).

[非专利文献2]志村史夫着“半导体硅结晶工学”第2章2.2项(丸善股份有限公司)1993年

[非专利文献3]F.Shimura，“Semiconductor Silicon Crystal Technology”Chapter3，Academic Press，Inc.(1989)

[非专利文献4]山田公编著“集簇型离子束基础与应用”第4章(日刊工业社)

发明内容

[发明所欲解决的问题]

有鉴于上述问题，本发明提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学安定性优异，更能解决在曝光或接合时发生翘曲或应变的问题，且制造成品率高，成本低廉，适合实际量产。

[解决问题的技术手段]

为了解决该等问题，本发明的防护薄膜组件，是以单晶硅膜作为防护薄膜的防护薄膜组件，其特征为：该防护薄膜与支持该防护薄膜的基底基板是从单一基板所制成的，该基底基板上设置有开口部，若该防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，则让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，并在该基底基板的非曝光区域上设置补强框。例如，该开口部被在该曝光区域上形成窗框状的壁部所包围。

该单晶硅膜对13.5nm波长的光线的吸收系数宜在0.005/nm以下。

又，该单晶硅膜的主面，宜为自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面。例如，该晶格面属于{100}面群，且该结晶面朝<111>方向倾斜3°～5°。又，例如，该晶格面属于{111}面群，且该结晶面朝<110>方向倾斜3°～5°。

该单一基板可使用SOI基板、SOQ基板或是SOG基板。

本发明的防护薄膜组件，亦可在该单晶硅膜的至少一边的面上设置保护膜。此时，该保护膜对13.5nm波长的光的吸收系数宜在0.05/nm以下。又，该保护膜，宜由SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、以及Rh所构成的族群之中的至少1种材料所构成。

[对照现有技术的功效]

在本发明中，是从单一基板制造出该防护薄膜与支持该防护薄膜的基底基板，并在基底基板上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，则让开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框，因此，能制得防护薄膜与基底基板形成一体化的结构，并达到利用补强框增加强度的目的。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜的主面，藉此提高解理耐性与化学安定性。

结果，能够让剥离、研磨或蚀刻等各种防护薄膜组件制作时所进行的机械性、化学性处理更安定，并大幅降低处理或输送的冲击所造成的龟裂、边缘崩裂或孔隙等缺陷情况的发生。换句话说，本发明提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学安定性优异，更能解决在曝光或接合时发生翘曲或应变的问题，且制造成品率高，成本低廉，适合实际量产。

附图说明

图1(A)、图1(B)是概略剖面图，用来说明本发明的防护薄膜组件的第1实施例的结构。

图2是概略剖面图，用来说明本发明的防护薄膜组件的第2实施例的结构。

图3(A)-图3(D)是制程图，用来说明本发明的防护薄膜组件的实施例的制造过程。

图4(A)-图4(C)是局部整平态样的例示图。

主要附图标记说明

10防护薄膜组件

11单晶硅膜

12支持基板(基底基板)

12a补强框

12b形成窗框状的壁部

13氧化膜

14防护薄膜组件框架

15超高效率过滤器

16保护膜

a-a’剖面线

具体实施方式

以下，参照图面说明本发明的防护薄膜组件的结构。

图1是本发明的防护薄膜组件的实施例的结构的说明图，图1(A)是概略俯视图，图1(B)是沿图1(A)中的a-a′线段的概略剖面图。该防护薄膜组件10，是以单晶硅膜作为防护薄膜的防护薄膜组件，其防护薄膜11与支持该防护薄膜的基底基板12是从单一基板所制造出来的。在基底基板12上形成有开口部，该开口部是将基底基板12部分除去所形成的，若将该防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，则让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，并在基底基板12的非曝光区域(外周围部位)设置补强框12a。又，在这里例示的防护薄膜组件中，开口部是由形成窗框状的壁部12b所包围。

单晶硅膜11可使用其面方位为<100>或<111>者，惟较宜使用自属于{100}面群以及{111}面群其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为主面者。该等单晶硅膜是以例如结晶方位从<100>朝<111>方向倾斜3°～5°(自属于{100}面群的晶格面朝<111>方向倾斜3°～5°)的结晶面作为主面，或是以结晶方位从<111>朝<110>方向倾斜3°～5°(自属于{111}面群的晶格面朝<110>方向倾斜3°～5°)的结晶面作为主面。

在此，结晶方位为<111>的结晶面({111}面)，包含结晶方位为[111]、[11-1]、[1-11]、[-111]、[1-1-1]、[-11-1]、[-1-11]、[-1-1-1]等8个结晶面，惟无论是这些结晶面当中的哪一个结晶面都可以。同样地，<110>方向，包含[110]、[-110]、[-1-10]、[1-10]、[011]、[0-11]、[0-1-1]、[01-1]、[-101]、[101]、[-10-1]、[10-1]等12方向。所谓“从<111>朝<110>方向偏移3°～5°”，就是在结晶方位为[111]的情况下，朝例如[-110]方向偏移3°～5°。

由于作为防护薄膜11的单晶硅膜，是间接跃迁型的半导体膜，故EUV光的吸收系数相对比其他物质低，很适合用来当作防护薄膜。根据本发明人的检讨，发现对于单晶硅膜的吸收系数等光学特性的良窳而言，其主面的结晶方位并无太大影响，然而关键的结晶方位对于机械特性、化学特性，或是成品率等制造成本面因素而言仍存在相依性。

如上所述，本发明人，使用以(100)面为主面的单晶硅膜作成防护薄膜，进而提供出透光性与化学安定性优异且实用的EUV用防护薄膜组件及其制作方法，然后为了更进一步改善其机械性缺点，又提供出以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面为主面的单晶硅膜作成防护薄膜的方法，并提出专利申请，然而，目前仍并未得到能够完全克服翘曲或歪斜等缺点的发明。

又，主面的结晶方位为<100>、<111>的单晶硅，虽然具备机械性、化学性质稳定、通电性能高、加工性优异、应用于半导体的平衡性佳、产量多、成本低廉等优点，但是在防护薄膜组件制造步骤中将硅结晶薄膜化时，在剥离、蚀刻或是其他处理步骤中，很明显地容易发生硅结晶膜龟裂或有瑕疵等问题。又，结晶方位为<110>或<511>的单晶硅基板，因为产量很少，故成本高，难谓实用。

该等结构的防护薄膜组件，可让剥离、研磨或蚀刻等各种防护薄膜组件制作时所实施的机械性、化学性处理更稳定，并大幅减低翘曲、歪斜、处理冲击造成的龟裂或孔隙等缺陷的发生。

这是因为，防护薄膜11与支持该防护薄膜的基底基板12是从单一基板所制造出来的(一体化结构)，且在基底基板上设置补强框以增加强度，除此之外，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°(3°off乃至5°off)的结晶面作为主面的单晶硅，跟例如结晶方位为<100>的单晶硅比起来，其有效键结密度或杨格系数高达40～50％左右，故不易发生解理或龟裂，又，耐氟化酸等的化学耐性很高，故不易产生腐蚀陷班或孔隙(参照例如非专利文献3)。

另外，作为防护薄膜的材料，除了要求像单晶硅材料那样吸收系数很低，以尽可能让EUV光通过之外，更必须具备一定程度的薄膜强度。具体而言，例如将防护薄膜的厚度设在20～150nm左右，让EUV光的透光率(13.5nm波长光的透光率)在50％以上。

将防护薄膜的吸收系数设为α(nm-1)、膜厚设为x(nm)、通过防护薄膜的光线强度设为I、入射光的强度设为I0，则可以得到以下等式。

式1

I＝I₀e^-αx    (1)

因此，为了让EUV光的透光率在50％以上所必要的防护薄膜厚度x大概为0.693/α，若吸收系数α在0.005/nm以下的话，即使是140nm厚度的防护薄膜也能确保具有50％的EUV透光率。单晶硅是最符合这些条件的物质。该等防护薄膜，宜利用例如后述方法从SOI膜制得，而SOI膜则是将SOI基板(在此“SOI基板”包含SOQ基板或SOG基板在内)薄膜化所制得的。

图2是用来说明本发明的防护薄膜组件的第2结构例的概略剖面图，如该图所示的，本发明的防护薄膜组件10，可在用来当作防护薄膜11的单晶硅膜其中至少一方主要表面上设置保护膜16以披覆硅结晶面。该等保护膜可防止高输出强度光源导致单晶硅膜表面氧化等情况，例如：SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN等陶瓷膜，或Mo、Ru、Rh等金属膜，亦可使用组合这些材料所制得的薄膜，或是使用复数层薄膜堆迭这种态样的薄膜。

保护膜的形成方法并无特别限制，可使用公开现有的CVD法、溅镀法、电子束蒸镀法等进行成膜，若使用气体集簇离子束(GCIB)蒸镀法的话便可形成接近理论密度的高密度致密保护膜，其虽然很薄但却具有很高的耐氧化特性(非专利文献4：山田公编着“集簇型离子束基础与应用”第四章日刊工业社)。因此，保护膜形成法选用GCIB蒸镀法会比较适当，其不会让防护薄膜的透光率降低那么多。

由于保护膜作得比较薄是很容易的，因此该吸收系数不必像防护薄膜那么低，惟对13.5nm波长光的吸收系数仍宜在0.05/nm以下为佳。设置保护膜时，可适当设定二者的厚度，使该保护膜与防护薄膜的EUV透光率在50％以上。

只有基底基板而防护薄膜组件高度不够的话亦可用单晶硅等材料再进一步将防护薄膜组件框架接合于基底基板的外周围部位。单晶硅不但纯度高而且更能确保具备足够的机械性强度，再者，当作防护薄膜组件框架时也能抑制发尘的情况。

又，若透光膜(防护薄膜以及保护膜)产生脏污皲裂时则必须替换该透光膜。故透光膜宜用简单方便的方式安装设置。因此，防护薄膜组件框架与防护薄膜的接合，不宜使用一般粘着剂或焊锡等的固定方法，而宜使用可移除/安装的粘着剂、磁石、静电夹头、吸盘或是挂钩等的机械式固定方法为佳。该等机械式固定构件，最好不易因为EUV光的照射而劣化，或是设置在不会受到EUV光照射的地方为佳。

在光掩模上贴合防护薄膜组件的作业，通常是在常压下进行的，然而EUV曝光是在真空下进行的。因此，宜在防护薄膜组件框架上设置压力调整机构为佳。该等压力调整机构必须具备气体流动进出时不会吸入异物的结构。因此，宜在压力调整机构上设置能够拦阻极微细异物的超高效率过滤器。该等过滤器重点在于具备适当的面积，以免透光膜因为不平均的压力差而大幅伸缩或是破损。

实施例1

图3是制程说明图，用来说明本发明的防护薄膜组件的制造方法。广义的SOI基板包含SOQ(Silicon On Quartz)基板以及SOG(Silicon On Glass)基板，此时的支持基板(基底基板)分别为石英基板以及玻璃基板。又，狭义的SOI(Silicon On Insulator)基板的支持基板是一块在硅基板表面上设置氧化膜的基板。图3是表示使用狭义的SOI基板的实施例，在支持基板(基底基板)12的一方主面上隔着氧化膜13设置单晶硅膜11[图3(A)]。

根据上述理由，单晶硅膜11，是以自属于{111}面群的晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为主面的薄膜，以该单晶硅膜11作成防护薄膜。又，该单晶硅膜11对EUV光的吸收系数大约为0.0015nm-1、膜厚约为70nm左右。

在此，成为SOI基板的支持基板的硅基板12，是例如用丘克拉斯基法(czochralski method；CZ法)所制成的一般市售的单结晶硅基板，在该单结晶硅基板12的表面上，利用热氧化等方法预先形成厚度100nm左右的氧化膜13，并在其上形成以结晶方位从<111>朝<110>方向倾斜3°～5°的结晶面作为主面的单结晶的硅结晶膜11当作SOI层。

准备短边122mm、长边149mm的矩形基板作为该等SOI基板(SOQ基板或SOG基板也是一样)，从支持基板(基底基板)12的底面侧(在图中为表面侧)，除去部分的支持基板，并在防护薄膜组件使用于光掩模上时的非曝光区域的支持基板上(最外周围的边缘部位)设置壁部(宽度5mm)作为补强框，接着，设置开口部，形成硅壁窗框，若防护薄膜组件使用于光掩模上时曝光区域面积为100％，则让该开口部占曝光区域面积的70％(开口比)[图3(B)]，然后，除去曝露出来的氧化膜13[图3(C)]。

具体而言，首先，将作为支持基板12的硅基板研削、研磨到100μm左右，经过局部整平之后，在最外周围留下宽度5mm作为补强框，用氢氧化钾蚀刻剂将曝光部位残留下来的硅薄膜蚀刻掉，形成窗框状，曝露出氧化膜13，使开口比为70％，之后用氟化氢将氧化膜13去除掉。

接着，在补强框12a上夹着5μm的金箔(未图示)并以450℃接合单晶硅制的防护薄膜组件框架14，该防护薄膜组件框架14上安装了超高效率过滤器(ultra low penetration air filter)15[图3(D)]。又，该防护薄膜组件框架14高度为7mm，厚度为2mm，侧面设置了用来安装超高效率过滤器的复数开口部，在底面的最外周围上设置了宽度1mm、深度2mm的沟槽。

当使用的基板是SOQ基板或SOG基板时，以跟上述同样的顺序从底面将支持基板12研磨到100μm左右，再局部整平之后，用氟化氢将残留的SiO2部分除去，只留下单晶硅膜作为防护薄膜11。

最后，在设置于防护薄膜组件框架12的底面最外周围部位上的沟槽内，注入硅氧粘着剂，便完成防护薄膜组件10。又，该沟槽是用来替硅氧粘着剂遮蔽曝光光线的构件。

如上所述，使用SOI基板(SOQ基板、SOG基板、狭义的SOI基板)，从单一基板制造出防护薄膜与支持该防护薄膜的基底基板，并在基底基板上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域面积为100％，则让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框，这样的话，就能让防护薄膜与基底基板形成一体化的结构，并利用补强框增加强度。

又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜的主面，藉此提高解理耐性与化学安定性。

结果，能够让剥离、研磨或蚀刻等各种防护薄膜组件制作时所进行的机械性、化学性处理更安定，并大幅降低处理或输送的冲击所造成的龟裂、边缘崩裂或孔隙等缺陷情况的发生。换句话说，本发明提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学安定性优异，更能解决在曝光或接合时发生翘曲或应变的问题，且制造成品率高，成本低廉，适合实际量产。

又，如上所述，可在由单晶硅膜作成的防护薄膜11的至少一边的面上形成保护膜，亦可使用预先在单晶硅膜上形成保护膜的基板。

实施例2

跟实施例1说明的作法一样，将作为SOI基板的支持基板(基底基板)的硅基板12研削、研磨到150μm左右再局部整平，最外周围留下宽度5mm当作补强框，曝光部位留下的硅薄膜部分用氢氧化钾蚀刻剂蚀刻掉以形成窗框状，让开口比变为75％，并曝露出氧化膜13，之后利用氟化氢除去氧化膜13，只留下单晶硅膜11作为防护薄膜。

单晶硅膜以结晶方位从<111>朝<110>方向倾斜3°～5°(3°off乃至5°off)的方位面作为主面。之后，将其接合到防护薄膜组件框架12上。又，本实施例的单晶硅膜的防护薄膜11的厚度为20nm。然后，在该防护薄膜11的表面与底面上，以气体集簇离子束蒸镀法，蒸镀数nm厚度的SiC薄膜，覆盖由单晶硅膜作成的防护薄膜11。

实施例1以及实施例2所制得的防护薄膜组件，其EUV光的透射系数均在50％以上，EUV曝光时的处理量也达到实用的水准，而且也未发现因为异物而导致装置成品率降低的问题。

在上述说明的实施例中，防护薄膜是以结晶方位从<111>朝<110>方向倾斜3°～5°(自属于{111}面群的晶格面朝<110>方向倾斜3°～5°)的结晶面作为主面的单晶硅膜，然而，单晶硅膜的主面，只要是自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面即可，例如，亦可以结晶方位从<100>朝<111>方向倾斜3°～5°(自属于{100}面群的晶格面朝<111>方向倾斜3°～5°)的结晶面作为主面的单晶硅膜，作成防护薄膜。

又，如图4所例示的，上述的局部整平可以有各种态样。例如，除了曝光区域之外，非曝光区域(的一部份)也实施局部整平的态样[图4(A)]，或仅在曝光区域实施局部整平的态样[图4(B)]，或是在曝光区域以及非曝光区域都不实施局部整平的态样[图4(C)]等。

产业利用性

本发明提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学安定性优异，无翘曲或应变的问题，且制造成品率高，成本低廉，适合实际量产。

Claims (14)

1、一种防护薄膜组件，具备作为防护薄膜的单晶硅膜，其特征为：

该防护薄膜与支持该防护薄膜的基底基板是由单一基板所形成，

在该基底基板上设置占在该防护薄膜组件使用于光掩模时的曝光区域的比例(开口比)为60％以上的开口部，

并在该基底基板的非曝光区域上设置补强框。

2、如权利要求1所述的防护薄膜组件，其中，该开口部是由在该曝光区域上形成的窗框状的壁部所包围。

3、如权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，该单晶硅膜对13.5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下。

4、如权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，该单晶硅膜的主面是自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面。

5、如权利要求4所述的防护薄膜组件，其中，该晶格面属于{100}面群，且该结晶面朝<111>方向倾斜3°～5°。

6、如权利要求4所述的防护薄膜组件，其中，该晶格面属于{111}面群，且该结晶面朝<110>方向倾斜3°～5°。

7、如权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，该单一基板是SOI基板、SOQ基板或SOG基板。

8、如权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，在该单晶硅膜的至少一边的面上设置保护膜。

9、如权利要求8所述的防护薄膜组件，其中，该保护膜对13.5nm波长的光的吸收系数在0.05/nm以下。

10、如权利要求8所述的防护薄膜组件，其中，该保护膜是由SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、以及Rh所构成的族群中的至少1种材料所构成。

11、一种防护薄膜组件的制造方法，其是从在基底基板上设有单晶硅膜的单一基板制造出具备由该单晶硅膜所构成的防护薄膜以及支持该防护薄膜的基底基板的防护薄膜组件，其特征为包含：

壁部形成步骤，藉由将该基底基板部分除去，而在将该防护薄膜组件使用于光掩模上时的非曝光区域的基底基板部上，形成作为补强框的壁部；以及

开口部设置步骤，在该防护薄膜组件使用于光掩模时的曝光区域的基底基板上设置占曝光区域的比例(开口比)为60％以上的开口部。

12、如权利要求11所述的防护薄膜组件的制造方法，其中，

更包含在该单晶硅膜的至少一边的面上设置保护膜的步骤。

13、如权利要求12所述的防护薄膜组件的制造方法，其中，

披覆由SiC、SiO2、Si3N4、SiON、Y2O3、YN、Mo、Ru、以及Rh所构成的族群之中的至少1种材料所构成的薄膜，作为该保护膜。

14、如权利要求13所述的防护薄膜组件的制造方法，其中，该保护膜的披覆方法是气体集簇离子束蒸镀法。

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