TWI388924B - 防護薄膜組件及其製造方法 - Google Patents

Description

防護薄膜組件及其製造方法

本發明係關於一種微影用防護薄膜組件，更詳而言之，係關於一種適用於極紫外線(Extreme Ultra Violet；EUV)微影製程中的防護薄膜組件及其製造方法。

隨著半導體裝置高度積體化，微影所形成的圖案也跟著細微化，現在圖案寬度達到45nm左右的裝置也進入實用階段。像這樣的細線圖案，利用ArF浸液曝光法或雙曝光法進行微影便能實現，該等方法為習知準分子曝光技術的改良技術。

然而，以該等準分子曝光技術作為基礎的微影，難以應付想要讓圖案更細微化的要求，例如寬度32nm以下的圖案，因此新的曝光技術，亦即使用EUV的微影，開始受到重視。

為了實際運用以13.5nm為主要波長的EUV光的曝光技術，光源自不待言，連開發新的光阻或防護薄膜組件等也是不可或缺的，其中，光源或光阻的開發已經有相當的進展，相反的，就防護薄膜組件而言，想要實現EUV用防護薄膜組件卻仍然有許多的技術問題尚未解決。

設置在EUV用防護薄膜組件上的防護薄膜，除了具有防止異物附著於光掩模上的防塵功能之外，更要求對EUV光具備高透光性與化學安定性，惟對於開發這種具備高透光性、化學安定性優異、成品率良好而且實用的防護薄膜材料而言，目前現狀尚無法解決這個技術問題。

對以13.5nm為主要波長的波長帶的光源呈現透明的材料現在仍是未知數，惟矽對該波長帶的光源透光率比較高，所以就作為EUV用的防護薄膜材料而言，矽這種材料受到重視[例如，Shroff et al. “EUV pellicle Development for Mask Defect Control,” Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151615104-1(2006)：(非專利文獻1)、美國專利第6,623,893號說明書：(專利文獻1)]。

然而，在非專利文獻1中用來當作防護薄膜材料的矽是利用濺鍍等方法堆積製成防護薄膜，故必然是非晶質的，其對EUV範圍的光吸收係數會變高，透光率自然也會降低。

又，專利文獻1所揭示的防護薄膜材料也是矽，惟該矽薄膜係以CVD等方法堆積為前提，此時矽薄膜形成非晶質或是多結晶薄膜，故對EUV範圍的光吸收係數必定會很高。

再者，如專利文獻1或非專利文獻1所揭示的防護薄膜那樣，用濺鍍法或CVD法成膜的矽結晶容易受到強大的應力，該應力會導致光學薄膜特性劣化或不平均。

於是本發明人，為解決上述缺點，構思一種透光性與化學安定性相當優異而且實用的EUV用防護薄膜組件及其製造方法，並提出專利申請[特願2007-293692(未公開)]。然而，在之後的檢討中發現，上述專利申請之發明，在將單晶矽膜當作防護薄膜使用而該單晶矽膜係以(100)面作為主面的情況下，EUV防護薄膜組件的光學特性雖然優異，但是在防護薄膜組件製造步驟中將矽結晶薄膜化時，矽結晶膜容易在剝離、蝕刻或處理等步驟中發生龜裂等缺陷，導致製造成品率降低，因此，本發明人進一步改良上述專利申請案之發明，並提出新的專利申請案[日本特願2008-120664(未公開)]。

然而，本發明人在之後的檢討發現，該改良發明仍有以下缺點：輸送時的振動會造成邊緣崩裂現象，且在EUV曝光時單晶矽膜會因為光的能量而溫度昇高，結果，用接合劑貼合的防護薄膜組件框架，會受到其膨脹係數差所造成的熱應力而產生翹曲，或是容易在接合時產生應變。於是本發明人再行改善檢討，進而完成本發明。

又，在本說明書中用來表示結晶面及其方位的使用記號的定義可參照非專利文獻2的第2章2.2項所記載的內容，而這些是本領域從業人員一般常在使用的基本知識。

[專利文獻1]美國專利第6,623,893號說明書

[非專利文獻1]Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006).

[非專利文獻2]志村史夫著「半導體矽結晶工學」第2章2.2項(丸善股份有限公司)1993年

[非專利文獻3]F. Shimura,“Semiconductor Silicon Crystal Technology”Chapter3,Academic Press,Inc.(1989)

[非專利文獻4]山田公編著「集簇型離子束基礎與應用」第4章(日刊工業社)

有鑑於上述問題，本發明提供一種防護薄膜組件，其具備EUV用防護薄膜，該防護薄膜透光性、機械性、化學安定性優異，更能解決在曝光或接合時發生翹曲或應變的問題，且製造成品率高，成本低廉，適合實際量產。

為了解決該等問題，本發明之防護薄膜組件，係以單晶矽膜作為防護薄膜的防護薄膜組件，其特徵為：該防護薄膜與支持該防護薄膜的基底基板係從單一基板所製成的，該基底基板上設置有開口部，若該防護薄膜組件使用於光掩模上時的曝光區域的面積為100%，則讓該開口部佔曝光區域面積的60%(開口比)以上，並在該基底基板的非曝光區域上設置補強框。例如，該開口部被在該曝光區域上形成窗框狀的壁部所包圍。

該單晶矽膜對13.5nm波長的光線的吸收係數宜在0.005/nm以下。

又，該單晶矽膜的主面，宜為自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3～5°的結晶面。例如，該晶格面屬於{100}面群，且該結晶面朝＜111＞方向傾斜3～5°。又，例如，該晶格面屬於{111}面群，且該結晶面朝＜110＞方向傾斜3～5°。

該單一基板可使用SOI基板、SOQ基板或是SOG基板。

本發明之防護薄膜組件，亦可在該單晶矽膜的至少一邊的面上設置保護膜。此時，該保護膜對13.5nm波長的光的吸收係數宜在0.05/nm以下。又，該保護膜，宜由SiC、SiO₂ 、Si₃ N₄ 、SiON、Y₂ O₃ 、YN、Mo、Ru、以及Rh所構成的族群之中的至少1種材料所構成。

在本發明中，係從單一基板製造出該防護薄膜與支持該防護薄膜的基底基板，並在基底基板上設置開口部，若防護薄膜組件使用於光掩模上時的曝光區域的面積為100%，則讓開口部佔曝光區域面積的60%(開口比)以上，同時在基底基板的非曝光區域上設置補強框，因此，能製得防護薄膜與基底基板形成一體化的構造，並達到利用補強框增加強度的目的。又，以自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3~5°的結晶面作為單晶矽膜的主面，藉此提高解理耐性與化學安定性。

結果，能夠讓剝離、研磨或蝕刻等各種防護薄膜組件製作時所進行的機械性、化學性處理更安定，並大幅降低處理或輸送之衝撃所造成的龜裂、邊緣崩裂或孔隙等缺陷情況的發生。換句話說，本發明提供一種防護薄膜組件，其具備EUV用防護薄膜，該防護薄膜透光性、機械性、化學安定性優異，更能解決在曝光或接合時發生翹曲或應變的問題，且製造成品率高，成本低廉，適合實際量產。

以下，參照圖面說明本發明之防護薄膜組件的構造。

圖1係本發明之防護薄膜組件的實施例的構造的說明圖，圖1(A)係概略俯視圖，圖1(B)係沿圖1(A)中的a-a' 線段的概略剖面圖。該防護薄膜組件10，係以單晶矽膜作為防護薄膜的防護薄膜組件，其防護薄膜11與支持該防護薄膜的基底基板12係從單一基板所製造出來的。在基底基板12上形成有開口部，該開口部係將基底基板12部分除去所形成的，若將該防護薄膜組件使用於光掩模上時的曝光區域的面積為100%，則讓該開口部佔曝光區域面積的60%(開口比)以上，並在基底基板12的非曝光區域(外周圍部位)設置補強框12a。又，在這裡例示的防護薄膜組件中，開口部係由形成窗框狀的壁部12b所包圍。

作為防護薄膜11之單晶矽膜可使用其面方位為<100>或<111>者，惟較宜使用自屬於{100}面群以及{111}面群其中任 一個晶格面傾斜3~5°的結晶面作為主面者。該等單晶矽膜係以例如結晶方位從<100>朝<111>方向傾斜3~5°(自屬於{100}面群的晶格面朝<111>方向傾斜3~5°)的結晶面作為主面，或是以結晶方位從<111>朝<110>方向傾斜3~5°(自屬於{111}面群的晶格面朝<110>方向傾斜3~5°)的結晶面作為主面。

在此，結晶方位為<111>的結晶面({111}面)，包含結晶方位為〔111〕、〔11-1〕、〔1-11〕、〔-111〕、〔1-1-1〕、〔-11-1〕、〔-1-11〕、〔-1-1-1〕等8個結晶面，惟無論是這些結晶面當中的哪一個結晶面都可以。同樣地，<110>方向，包含〔110〕、〔-110〕、〔-1-10〕、〔1-10〕、〔011〕、〔0-11〕、〔0-1-1〕、〔01-1〕、〔-101〕、〔101〕、〔-10-1〕、〔10-1〕等12方向。所謂「從<111>朝<110>方向偏移3~5°」，就是在結晶方位為〔111〕的情況下，朝例如〔-110〕方向偏移3~5°。

由於作為防護薄膜11的單晶矽膜，是間接躍遷型的半導體膜，故EUV光的吸收係數相對比其他物質低，很適合用來當作防護薄膜。根據本發明人的檢討，發現對於單晶矽膜的吸收係數等光學特性的良窳而言，其主面的結晶方位並無太大影響，然而關鍵的結晶方位對於機械特性、化學特性，或是成品率等製造成本面因素而言仍存在相依性。

如上所述，本發明人，使用以(100)面為主面的單晶矽膜作成防護薄膜，進而提供出透光性與化學安定性優異且實用的EUV用防護薄膜組件及其製作方法，然後為了更進一步改善其機械性缺點，又提供出以自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3~5°的結晶面為主面的單晶矽膜作成防護薄膜的方法，並提出專利申請，然而，目前仍並未得到能夠完全克服翹曲或歪斜等缺點的發明。

又，主面的結晶方位為＜100＞、＜111＞的單晶矽，雖然具備機械性、化學性質穩定、通電性能高、加工性優異、應用於半導體的平衡性佳、產量多、成本低廉等優點，但是在防護薄膜組件製造步驟中將矽結晶薄膜化時，在剝離、蝕刻或是其他處理步驟中，很明顯地容易發生矽結晶膜龜裂或有瑕疵等問題。又，結晶方位為＜110＞或＜511＞的單晶矽基板，因為產量很少，故成本高，難謂實用。

該等構造的防護薄膜組件，可讓剝離、研磨或蝕刻等各種防護薄膜組件製作時所實施的機械性、化學性處理更穩定，並大幅減低翹曲、歪斜、處理衝擊造成的龜裂或孔隙等缺陷的發生。

這是因為，防護薄膜11與支持該防護薄膜的基底基板12係從單一基板所製造出來的(一體化構造)，且在基底基板上設置補強框以增加強度，除此之外，以自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3～5°(3°off乃至5°off)的結晶面作為主面的單晶矽，跟例如結晶方位為＜100＞的單晶矽比起來，其有效鍵結密度或楊格係數高達40～50%左右，故不易發生解理或龜裂，又，耐氟化酸等的化學耐性很高，故不易產生腐蝕陷班或孔隙(參照例如非專利文獻3)。

另外，作為防護薄膜的材料，除了要求像單晶矽材料那樣吸收係數很低，以儘可能讓EUV光通過之外，更必須具備一定程度的薄膜強度。具體而言，例如將防護薄膜的厚度設在20～150nm左右，讓EUV光的透光率(13.5nm波長光的透光率)在50%以上。

將防護薄膜的吸收係數設為α(nm^-1 )、膜厚設為x(nm)、通過防護薄膜的光線強度設為I，入射光的強度設為I₀ ，則可以得到以下等式。

【式1】

I =I _0θ ^{-α x} 　(1)

因此，為了讓EUV光的透光率在50%以上所必要的防護薄膜厚度x大概為0.693/α，若吸收係數α在0.005/nm以下的話，即使是140nm厚度的防護薄膜也能確保具有50%的EUV透光率。單晶矽是最符合這些條件的物質。該等防護薄膜，宜利用例如後述方法從SOI膜製得，而SOI膜則是將SOI基板(在此「SOI基板」包含SOQ基板或SOG基板在內)薄膜化所製得的。

圖2係用來說明本發明之防護薄膜組件的第2構造例的概略剖面圖，如該圖所示的，本發明的防護薄膜組件10，可在用來當作防護薄膜11的單晶矽膜其中至少一方主要表面上設置保護膜16以披覆矽結晶面。該等保護膜可防止高輸出強度光源導致單晶矽膜表面氧化等情況，例如：SiC、SiO₂ 、Si₃ N₄ 、SiON、Y₂ O₃ 、YN等陶瓷膜，或Mo、Ru、Rh等金屬膜，亦可使用組合這些材料所製得的薄膜，或是使用複數層薄膜堆疊這種態樣的薄膜。

保護膜的形成方法並無特別限制，可使用公開習知的CVD法、濺鍍法、電子束蒸鍍法等進行成膜，若使用氣體集簇離子束(GCIB)蒸鍍法的話便可形成接近理論密度的高密度緻密保護膜，其雖然很薄但卻具有很高的耐氧化特性(非專利文獻4：山田公編著「集簇型離子束基礎與應用」第四章日刊工業社)。因此，保護膜形成法選用GCIB蒸鍍法會比較適當，其不會讓防護薄膜的透光率降低那麼多。

由於保護膜作得比較薄是很容易的，因此該吸收係數不必像防護薄膜那麼低，惟對13.5nm波長光的吸收係數仍宜在0.05/nm以下為佳。設置保護膜時，可適當設定二者的厚度，使該保護膜與防護薄膜的EUV透光率在50%以上。

只有基底基板而防護薄膜組件高度不夠的話亦可用單晶矽等材料再進一步將防護薄膜組件框架接合於基底基板的外周圍部位。單晶矽不但純度高而且更能確保具備足夠的機械性強度，再者，當作防護薄膜組件框架時也能抑制發塵的情況。

又，若透光膜(防護薄膜以及保護膜)產生髒污皸裂時則必須替換該透光膜。故透光膜宜用簡單方便的方式安裝設置。因此，防護薄膜組件框架與防護薄膜的接合，不宜使用一般粘著劑或銲錫等的固定方法，而宜使用可移除/安裝的粘著劑、磁石、靜電夾頭、吸盤或是掛鉤等的機械式固定方法為佳。該等機械式固定構件，最好不易因為EUV光的照射而劣化，或是設置在不會受到EUV光照射的地方為佳。

在光掩模上貼合防護薄膜組件的作業，通常是在常壓下進行的，然而EUV曝光是在真空下進行的。因此，宜在防護薄膜組件框架上設置壓力調整機構為佳。該等壓力調整機構必須具備氣體流動進出時不會吸入異物的構造。因此，宜在壓力調整機構上設置能夠攔阻極微細異物的超高效率過濾器。該等過濾器重點在於具備適當的面積，以免透光膜因為不平均的壓力差而大幅伸縮或是破損。

【實施例1】

圖3係製程說明圖，用來說明本發明之防護薄膜組件的製造方法。廣義的SOI基板包含SOQ(Silicon On Quartz)基板以及SOG(Silicon On Glass)基板，此時的支持基板(基底基板)分別為石英基板以及玻璃基板。又，狹義的SOI(Silicon On Insulator)基板的支持基板是一塊在矽基板表面上設置氧化膜的基板。圖3係表示使用狹義的SOI基板的實施例，在支持基板(基底基板)12的一方主面上隔著氧化膜13設置作為防護薄膜11之單晶矽膜[圖3(A)]。

根據上述理由，單晶矽膜，係以自屬於{111}面群的晶格面傾斜3~5°的結晶面作為主面的薄膜，以該單晶矽膜作成防護薄膜11。又，該單晶矽膜對EUV光的吸收係數大約為0.0015nm^-1 、膜厚約為70nm左右。

在此，成為SOI基板之支持基板12的矽基板，係例如用丘克拉斯基法(czochralski method；CZ法)所製成的一般市售的單結晶矽基板，在該單結晶矽基板(支持基板12)的表面上，利用熱氧化等方法預先形成厚度100nm左右的氧化膜13，並在其上形成以結晶方位從<111>朝<110>方向傾斜3~5°的結晶面作為主面的單結晶的單晶矽膜(防護薄膜11)當作SOI層。

準備短邊122mm、長邊149mm的矩形基板作為該等SOI基板(SOQ基板或SOG基板也是一樣)，從支持基板(基底基板)12的底面側(在圖中為表面側)，除去部分的支持基板，並在防護薄膜組件使用於光掩模上時的非曝光區域的支持基板上(最外周圍的邊緣部位)設置壁部(寬度5mm)作為補強框，接著，設置開口部，形成矽壁窗框，若防護薄膜組件使用於光掩模上時曝光區域面積為100%，則讓該開口部佔曝光區域面積的70%(開口比)[圖3(B)]，然後，除去曝露出來的氧化膜13[圖3(C)]。

具體而言，首先，將作為支持基板12的矽基板研削、研磨到100μm左右，經過局部整平之後，在最外周圍留下寬度5mm作為補強框，用氫氧化鉀蝕刻劑將曝光部位殘留下來的矽薄膜蝕刻掉，形成窗框狀，曝露出氧化膜13，使開口比為70%，之後用氟化氫將氧化膜13去除掉。

接著，在補強框12a上夾著5μm的金箔(未圖示)並以450℃接合單晶矽製的防護薄膜組件框架14，該防護薄膜組件框架14上安裝了超高效率過濾器(ultra low penetration air filter)15[圖3(D)]。又，該防護薄膜組件框架14高度為7mm，厚度為2mm，側面設置了用來安裝超高效率過濾器的複數開口部，在底面的最外周圍上設置了寬度1mm、深度2mm的溝槽。

當使用的基板是SOQ基板或SOG基板時，以跟上述同樣的順序從底面將支持基板12研磨到100μm左右，再局部整平之後，用氟化氫將殘留的SiO₂ 部分除去，只留下單晶矽膜作為防護薄膜11。

最後，在設置於防護薄膜組件框架14的底面最外周圍部位上的溝槽內，注入矽氧粘著劑，便完成防護薄膜組件10。又，該溝槽係用來替矽氧粘著劑遮蔽曝光光線的構件。

如上所述，使用SOI基板(SOQ基板、SOG基板、狹義的SOI基板)，從單一基板製造出防護薄膜與支持該防護薄膜的基底基板，並在基底基板上設置開口部，若防護薄膜組件使用於光掩模上時的曝光區域面積為100%，則讓該開口部佔曝光區域面積的60%(開口比)以上，同時在基底基板的非曝光區域上設置補強框，這樣的話，就能讓防護薄膜與基底基板形成一體化的構造，並利用補強框增加強度。

又，以自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3~5°的結晶面作為單晶矽膜的主面，藉此提高解理耐性與化學安定性。

結果，能夠讓剝離、研磨或蝕刻等各種防護薄膜組件製作時所進行的機械性、化學性處理更安定，並大幅降低處理或輸送之 衝擊所造成的龜裂、邊緣崩裂或孔隙等缺陷情況的發生。換句話說，本發明提供一種防護薄膜組件，其具備EUV用防護薄膜，該防護薄膜透光性、機械性、化學安定性優異，更能解決在曝光或接合時發生翹曲或應變的問題，且製造成品率高，成本低廉，適合實際量產。

又，如上所述，可在由單晶矽膜作成的防護薄膜11的至少一邊的面上形成保護膜，亦可使用預先在單晶矽膜上形成保護膜的基板。

【實施例2】

跟實施例1說明的作法一樣，將作為SOI基板之支持基板(基底基板)12的矽基板研削、研磨到150μm左右再局部整平，最外周圍留下寬度5mm當作補強框，曝光部位留下的矽薄膜部分用氫氧化鉀蝕刻劑蝕刻掉以形成窗框狀，讓開口比變為75%，並曝露出氧化膜13，之後利用氟化氫除去氧化膜13，只留下單晶矽膜作為防護薄膜11。

單晶矽膜以結晶方位從<111>朝<110>方向傾斜3~5°(3°off乃至5°off)的方位面作為主面。之後，將其接合到補強框12a上。又，本實施例之單晶矽膜的防護薄膜11的厚度為20nm。然後，在該防護薄膜11的表面與底面上，以氣體集簇離子束蒸鍍法，蒸鍍數nm厚度的SiC薄膜，覆蓋由單晶矽膜作成的防護薄膜11。

實施例1以及實施例2所製得之防護薄膜組件，其EUV光的透射係數均在50%以上，EUV曝光時的處理量也達到實用的水準，而且也未發現因為異物而導致裝置成品率降低的問題。

在上述說明的實施例中，防護薄膜是以結晶方位從<111>朝 <110>方向傾斜3~5°(自屬於{111}面群的晶格面朝<110>方向傾斜3~5°)的結晶面作為主面的單晶矽膜，然而，單晶矽膜的主面，只要是自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3~5°的結晶面即可，例如，亦可以結晶方位從<100>朝<111>方向傾斜3~5°(自屬於{100}面群的晶格面朝<111>方向傾斜3~5°)的結晶面作為主面的單晶矽膜，作成防護薄膜。

又，如圖4所例示的，上述的局部整平可以有各種態樣。例如，除了曝光區域之外，非曝光區域(的一部份)也實施局部整平的態樣[圖4(A)]，或僅在曝光區域實施局部整平的態樣[圖4(B)]，或是在曝光區域以及非曝光區域都不實施局部整平的態樣[圖4(C)]等。

【產業利用性】

本發明提供一種防護薄膜組件，其具備EUV用防護薄膜，該防護薄膜透光性、機械性、化學安定性優異，無翹曲或應變的問題，且製造成品率高，成本低廉，適合實際量產。

10‧‧‧防護薄膜組件

11‧‧‧防護薄膜

12‧‧‧支持基板(基底基板)

12a‧‧‧補強框

12b‧‧‧形成窗框狀的壁部

13‧‧‧氧化膜

14‧‧‧防護薄膜組件框架

15‧‧‧超高效率過濾器

16‧‧‧保護膜

a-a’‧‧‧剖面線

圖1(a)、(b)係概略剖面圖，用來說明本發明之防護薄膜組件的第1實施例的構造。

圖2係概略剖面圖，用來說明本發明之防護薄膜組件的第2實施例的構造。

圖3(a)~(d)係製程圖，用來說明本發明之防護薄膜組件的實施例的製造過程。

圖4(a)~(c)係局部整平態樣的例示圖。

10‧‧‧防護薄膜組件

11‧‧‧防護薄膜

12a‧‧‧補強框

12b‧‧‧形成窗框狀的壁部

a-a’‧‧‧剖面線

Claims (13)

1. 一種防護薄膜組件，具備作為防護薄膜的單晶矽膜，其特徵為：該防護薄膜與支持該防護薄膜的基底基板係由單一基板所形成，在該基底基板上設置佔在該防護薄膜組件使用於光掩模時的曝光區域的比例(開口比)為60%以上的開口部，並在該基底基板的非曝光區域上設置補強框；該單晶矽膜的主面係自屬於{100}面群以及{111}面群的其中任一個晶格面傾斜3~5°的結晶面。
2. 如申請專利範圍第1項之防護薄膜組件，其中，該開口部係由在該曝光區域上形成之窗框狀的壁部所包圍。
3. 如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該單晶矽膜對13.5nm波長的光的吸收係數在0.005/nm以下。
4. 如申請專利範圍第1項之防護薄膜組件，其中，該晶格面屬於{100}面群，且該結晶面朝<111>方向傾斜3~5°。
5. 如申請專利範圍第1項之防護薄膜組件，其中，該晶格面屬於{111}面群，且該結晶面朝<110>方向傾斜3~5°。
6. 如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，該單一基板是SOI基板、SOQ基板或SOG基板。
7. 如申請專利範圍第1或2項之防護薄膜組件，其中，在該單晶矽膜的至少一邊的面上設置保護膜。
8. 如申請專利範圍第7項之防護薄膜組件，其中，該保護膜對13.5nm波長的光之吸收係數在0.05/nm以下。
9. 如申請專利範圍第7項之防護薄膜組件，其中，該保護膜係由SiC、SiO₂ 、Si₃ N₄ 、SiON、Y₂ O₃ 、YN、Mo、Ru、以及Rh所構成的族群中的至少1種材料所構成。
10. 一種防護薄膜組件的製造方法，其係從在基底基板上設有單晶矽膜的單一基板製造出具備由該單晶矽膜所構成的防護薄 膜以及支持該防護薄膜之基底基板的防護薄膜組件，其特徵為包含：壁部形成步驟，藉由將該基底基板部分除去，而在將該防護薄膜組件使用於光掩模上時的非曝光區域的基底基板部上，形成作為補強框的壁部；以及開口部設置步驟，在該防護薄膜組件使用於光掩模時的曝光區域的基底基板上設置佔曝光區域的比例(開口比)為60%以上的開口部。
11. 如申請專利範圍第10項之防護薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該單晶矽膜的至少一邊的面上設置保護膜的步驟。
12. 如申請專利範圍第11項之防護薄膜組件的製造方法，其中，披覆由SiC、SiO₂ 、Si₃ N₄ 、SiON、Y₂ O₃ 、YN、Mo、Ru、以及Rh所構成的族群之中的至少1種材料所構成的薄膜，作為該保護膜。
13. 如申請專利範圍第12項之防護薄膜組件的製造方法，其中，該保護膜的披覆方法係氣體集簇離子束蒸鍍法。