TWI428690B - 微影用防塵薄膜組件及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種微影用防塵薄膜組件及其製造方法，更詳而言之，本發明係關於一種以對極紫外光(EUV光)具有很高的透光性且在化學上很安定的矽單結晶膜作為防塵薄膜的微影用防塵薄膜組件及其製造方法。
半導體裝置的高積體化以及微細化每年不斷進步，現在線寬45nm左右的圖案成形技術也進入實用化階段。為了形成這麼微細的圖案，吾人改良習知的準分子曝光技術，亦即採用ArF浸液曝光技術或雙重曝光技術等方法，作為因應手段。
然而，使用準分子雷射的曝光技術已經無法因應被預定為次世代技術、更微細化、線寬32nm以下的圖案成形需求；使用波長比準分子雷射更短的光線，亦即使用主波長13.5nm的極紫外(EUV：Extreme Ultra Violet)光的EUV曝光技術，遂受到重視。
為了讓該EUV曝光技術實用化，必須解決光源、光阻以及用來防止異物附著到光罩上的防塵用防塵薄膜組件等的各個構成要件的技術問題。在這些構成要件中，光源與光阻的技術目前已經有了長足的進展。另一方面，影響半導體裝置等產品的製造成品率的防塵用防塵薄膜組件，目前仍存在各種尚未解決的技術問題，對EUV曝光技術的實用化形成很大的阻礙。
用於EUV曝光的防塵薄膜組件仍存在的尚未解決的技術問題具體而言有：(1)開發對EUV光具有很高的透光性且在化學上很安定的材料；(2)讓必須成為超薄膜的透光膜(防塵薄膜)保持在一定的張力下而沒有鬆弛的情況；(3)在常壓下黏貼於光罩之後可以在真空下使用；在這些尚未解決的問題中，尤其上述(1)的問題特別重要，開發對EUV光的透光率很高且即使長時間受到氧化等反應的影響也不會產生變化而在化學上很安定的透光膜材料，目前還沒找到著眼目標，恐是實情。
習知防塵薄膜所使用的材料(主要是有機材料)，在EUV光的波長帶中沒有透光性，不但EUV光無法透過，還會因為光線照射而分解劣化。目前吾人尚未發現在EUV光的波長帶中具有完全透光性的材料，但發現矽是透光性比較高的材料，文獻等亦有所介紹(非專利文獻1：Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006)，非專利文獻2：Livinson et al.,United States Patent US6,623,893 B1,“PELLICLE FOR USE IN EUV LITHOGRAPHIY AND METHOD OF MAKING SUCH A PELLICLE”)。
然而，上述非專利文獻1所揭示的用於EUV曝光用防塵薄膜組件的矽係用濺鍍等方法所堆積的矽膜，必然是非晶質薄膜，故對EUV波長帶的光線的吸收率(吸收係數)很高。
又，上述非專利文獻2所揭示的EUV曝光用防塵薄膜組件的矽係由CVD等方法所堆積的薄膜，在此前提下，矽膜為非晶質膜或多結晶膜，故對EUV波長帶的光線的吸收率(吸收係數)很高。
再者，雖然宜對當作防塵薄膜黏貼在框架上的矽膜施加若干拉伸應力，但應力若施加過度會造成破損，黏貼矽膜時的溫度宜為室溫或是比室溫更高若干程度。然而，以上述習知方法所製得的矽膜，在其堆積過程(濺鍍或CVD等步驟)已經承受了很高的應力。
又，由於該等矽膜並非單晶矽膜，故會因為薄膜中所含的非晶質部份或晶粒邊界，而讓EUV光的吸收率(吸收係數)提高，進而讓透光率降低。再者，化學上也很不安定，容易氧化，故隨著時間經過對EUV光的透光率會逐漸降低，並不是很耐用的薄膜。
[非專利文獻1]Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006).
[非專利文獻2]Livinson et al.,United States Patent US6,623,893 B1,“PELLICLE FOR USE IN EUV LITHOGRAPHIY AND METHOD OF MAKING SUCH A PELLICLE”.
[非專利文獻3]Edward D. Palik,ed.,“Handbook of Optical Constants of Solids,”Academic Press,Orlando(1985).
[非專利文獻4]L. Dong et al. Journal of Applied physics,vol.84,No.9,pp.5261-5269,1998.
[非專利文獻5]山田公編著「集簇型離子束 基礎與應用」第四章 日刊工業
有鑑於上述問題，本發明之目的在於提供一種微影用防塵薄膜組件及其製造方法，該微影用防塵薄膜組件以單晶矽膜作為防塵薄膜，該單晶矽膜對極紫外光(EUV光)具備很高的透光性且在化學上是很安定的材料。
為了解決上述問題，本發明之微影用防塵薄膜組件包含：支持構件，其具備外框部與在該外框部之內側區域的多孔部；以及單晶矽的防塵薄膜，其受到該多孔部的支持。
上述微影用防塵薄膜組件，宜具備覆蓋該防塵薄膜表面的防氧化膜。該等防氧化膜係由例如SiOx
(包含x=2)、Six
Ny
(包含x：y=3：4)、SiON、SiC、Y2
O3
、YN、Mo、Ru、Rh的群組之中的至少1種材料所構成。
上述微影用防塵薄膜組件，宜在該支持構件的框部上設置讓氣體通過的過濾部。又，該支持構件可由矽結晶所構成。
本發明提供一種微影用防塵薄膜組件的製造方法，該微影用防塵薄膜組件包含具備外框部與在該外框部之內側區域的多孔部的支持構件以及由該多孔部所支持的單晶矽防塵薄膜，該製造方法的特徵為包含：支持構件形成步驟，其將在承載基板的表面上隔著絶緣層設置單晶矽層的SOI基板的該承載基板的部份除去以形成該外框部與該多孔部。
將該承載基板的部份除去，可利用矽DRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching,矽深式反應性離子蝕刻)法以乾蝕刻方式進行。
上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之後，將在該多孔部所露出的絶緣層部份除去的步驟。
又，上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之前，先從該承載基板的背面研磨，將該承載基板製薄到400μm以下的步驟。
又，上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之前，先在該單晶矽層設置面上設置補強基板的步驟。
又，上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之前，先在該單晶矽層設置面上形成保護膜的步驟。
該保護膜形成步驟，宜堆積氧化矽膜(SiOx
)、氮化矽膜(SiNx
)、氮氧化矽膜(SiOx
Ny
)其中任一種薄膜。
上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之前，先在該單晶矽層設置面上形成防氧化膜的步驟。
又，上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該支持構件形成步驟之後，於該多孔部所露出之單晶矽層部份上形成防氧化膜的步驟。
該防氧化膜的形成步驟，宜堆積由SiOx
(包含x=2)、Six
Ny
(包含x：y=3：4)、SiON、SiC、Y2
O3
、YN、Mo、Ru、Rh的群組之中的至少1種材料所構成的薄膜。
又，該防氧化膜的堆積宜使用離子束輔助蒸鍍法或是氣體集簇離子束輔助(GCIB)蒸鍍法。
再者，上述微影用防塵薄膜組件的製造方法，亦可包含在該外框部上設置讓氣體通過的過濾部的步驟。
由於本發明之微影用防塵薄膜組件包含具備外框部與在該外框部之內側區域的多孔部的支持構件以及由該多孔部所支持的單晶矽防塵薄膜，故能夠提供出一種微影用防塵薄膜組件，其以單晶矽膜作為防塵薄膜，該單晶矽膜是對極紫外光(EUV光)具有很高的透光性且在化學上很安定的材料。
又，由於本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法將在承載基板的表面上隔著絶緣層設置單晶矽層所製得之SOI基板的該承載基板的部份除去以形成該外框部與該多孔部進而形成支持構件，並利用由該多孔部所支持的該單晶矽層作為防塵薄膜，故能夠提供一種微影用防塵薄膜組件的製造方法，該微影用防塵薄膜組件以單晶矽膜作為防塵薄膜，該單晶矽膜是對極紫外光(EUV光)具備很高的透光性且在化學上很安定的材料。
以下參照圖面說明本發明之微影用防塵薄膜組件及其製造方法。
如上所述，矽在EUV光的波長帶中是透光性比較高的材料，然而習知文獻揭示EUV曝光用的防塵薄膜組件的矽膜係由濺鍍法或CVD法所形成的，故為非晶質或多結晶的薄膜，而存在對EUV波長帶的光線的吸收率(吸收係數)很高等的問題。於是，本發明人不斷研究以單晶矽膜作為防塵薄膜的實用性，進而完成本發明。
圖1係對波長在13.5nm附近的光線單晶矽膜與非晶質矽膜的吸收係數的比較圖[參照非專利文獻3：Edward D. Palik,ed.,“Handbook of Optical Constants of Solids,”Academic Press,Orlando(1985)]。如該圖所示的，單晶矽膜的吸收係數約為非晶質矽膜的吸收係數的4成左右，對EUV波長帶的光線的透光性很高，具有作為防塵薄膜的優異特性。
為了實現以單晶矽膜作為防塵薄膜的微影用防塵薄膜組件，本發明人對使用以單晶矽層作為SOI層的SOI基板，將該單晶矽層當作防塵薄膜，同時將上述SOI基板的基底基板(承載基板)加工成防塵薄膜的支持構件的方法不斷研究。利用該等方法所製得之防塵薄膜組件，除了對EUV波長帶的光線具有很高的透光性之外，更無須如習知技術那樣，必須先將防塵薄膜與支持框架分別製作完成之後，再將防塵薄膜張設於框架上。
圖2A以及圖2B係本發明之微影用防塵薄膜組件的構造例示圖，圖2A係仰視圖，圖2B係沿圖2A中的A-A線段的剖面圖。如該等圖式所示的，本發明之微影用防塵薄膜組件，具備單晶矽的防塵薄膜10，該防塵薄膜10受到支持部材20的支持，該支持部材20具備外框部20a以及在該外框部20a之內側區域的多孔部20b(網格構造)。
在該實施例中，為了防止防塵薄膜10表面氧化，在單晶矽膜向外露出的部份覆蓋防氧化膜30a、30b。又，圖中符號40係表示SOI基板的絶緣體層(BOX層)的部份。又，圖中符號50a、50b表示設置在支持構件20的框部20a上的過濾部，藉由讓氣體通過該過濾部以調節防塵薄膜組件使用時的內部壓力。
圖3係將本發明之微影用防塵薄膜組件的上述網格構造部位放大顯示的光學顯微鏡照片。圖中「M」所表示的部份是支持構件的網格構造部，「P」所表示的部份是從網格構造部的孔部觀察單晶矽的防塵薄膜部份。在該實施例中，於支持構件的外框部的內側區域形成有複數個直徑約200μm、約略6角形的孔部，孔部與孔部之間的間隔大約為20μm。吾人可從這些孔部觀察到單晶矽的防塵薄膜部份，曝光時的光線從該部份照射到光罩(初縮遮罩)。
在接下來的說明中，SOI基板的承載基板係使用矽基板，然而使用其他種類的基板(例如，玻璃基板或石英基板)也可以。
用來製作具備上述構造之防塵薄膜組件的SOI基板，可使用例如將以CZ法結晶成長出來的單晶矽晶圓隔著氧化膜互相貼合所製作出來的SOI基板。
該等SOI基板，可按照例如以下順序製得。首先，在第1單晶矽基板的表面(貼合面)上利用熱氧化等方法預先形成氧化膜，在該單晶矽基板的表面上注入氫離子，於表面附近的既定深度(平均離子注入深度L)形成平均的離子注入層，再利用電漿處理等讓表面活性化。接著，將實施過表面活性化的第1單晶矽基板與第2單晶矽基板緊密貼合，利用上述的離子注入層，以機械方式從第1單晶矽基板將矽層剝離。按照該等順序，便可製得在第2單晶矽基板上設有矽層(SOI層)的SOI基板。
在本發明之微影用防塵薄膜組件所具備的支持構件的外框部的內側區域設置多孔部(網格構造)的理由，是因為EUV用防塵薄膜組件的單晶矽的防塵薄膜的厚度必須在很薄的數十nm～數百nm左右，這麼薄的防塵薄膜若僅靠防塵薄膜組件框架(外框部)而想要獲得能夠確保穩定性與機械性強度的支撐是非常困難的。
在上述非專利文獻1中，係採用以金屬製作網格構造，並利用有機物作為接合劑將非晶質矽的防塵薄膜與上述網格構造接合的方法。然而，該等方法很難讓防塵薄膜的整個表面以很平均且精密度很高的方式與網格構造緊密貼合。又，在真空下使用防塵薄膜組件時也可能會因為接合劑而產生有機物污染。再者，也很難對防塵薄膜作應力調整。
有鑑於上述問題，本發明選擇將SOI基板的承載基板加工作為支持構件這樣的方法。亦即，從底面將承載基板研削、研磨到吾人想要的厚度，再將部份承載基板除去形成孔部，如是便製得網格構造。上述將部份承載基板除去的方法，可使用例如在MEMS等廣泛使用的矽DRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching)法以乾蝕刻方式進行。
當實施過該等乾蝕刻之後，由於在矽氧化膜等的絶緣體層(BOX層)的蝕刻會停止(或蝕刻速度變得非常緩慢)，故被用來當作防塵薄膜的單晶矽層(SOI層)便不會被蝕刻掉。又，由於單晶矽的防塵薄膜與支持構件強而穩固的結合在一起，故能夠確保充分的機械性強度。再者，由於並未使用接合劑，故能夠防止有機物殘留造成污染。
又，若如圖2A以及圖2B所示之態樣那樣形成防氧化膜，便能夠獲得使用高輸出光源曝光時所需要的高耐氧化性。吾人可將例如由Mo、Ru、Rh等的耐氧化性金屬，或是SiOx
(包含x=2)、Six
Ny
(包含x：y=3：4)、SiON、SiC、Y2
O3
、YN等的無機物，或是這些群組之中的至少1種材料所構成的薄膜，形成於單晶矽層的表面上，以製得該等防氧化膜。
又，防氧化膜的形成方法，可使用CVD、濺鍍、電子束蒸鍍等方法，惟若使用離子束輔助蒸鍍法或氣體集簇離子束輔助(GCIB)蒸鍍法，便能夠形成接近理論密度的高密度緻密薄膜，即使將防氧化膜製得很薄也能夠獲得很高的耐氧化性，而不會損及高透光率(參照非專利文獻4：L.Dong et al.Journal of Applied physics,vol.84,No.9,pp.5261-5269,1998，非專利文獻5：山田公編著 「氣體集簇離子束 基礎與應用」第四章 日刊工業等)。
又，通常防塵薄膜組件係在真空下使用，故內部的壓力調整有其必要，惟相關壓力調整機構在氣體的流動出入時應防止異物混入。該等機構可使用連極微細異物也能捕獲的ULPA過濾部或金屬過濾部。又，相關過濾部，重要的是應具備防塵薄膜不會因為不平均的壓力差而伸縮破損的面積大小。
圖4A乃至G，係本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法的第1實施例的說明圖。首先，準備SOI基板(圖4A)。該SOI基板，在承載基板20之上，隔著矽氧化膜的BOX層40設置單晶矽的SOI層10。
通常，8英吋(200mm)基板其厚度在700μm左右，故可用研削、研磨等方法將承載基板側製薄到吾人所想要的厚度(例如400μm以下)。這是因為若支持構件的高度在必要高度以上的話會對之後的蝕刻步驟造成負擔。又，若預先將承載基板側製薄，則能夠縮短蝕刻步驟所需要的時間。
接著，因應需要，在單晶矽的SOI層10之上形成防氧化膜30a(圖4B)。又，亦可因應需要，在SOI層10設置面(在此為防氧化膜30a之上)設置用來保護SOI層10的保護膜60(圖4C)。
該等保護膜，可使用例如氧化矽膜(SiOx
)、氮化矽膜(SiNx
)，氮氧化矽膜(SiOx
Ny
)。
接著，在承載基板(背面)上設置用來形成網格構造的蝕刻遮罩70(圖4D)，將該蝕刻遮罩70未覆蓋的區域乾蝕刻成具備網格構造的多孔部。
然後，除去蝕刻遮罩70以及設置在SOI層側的保護膜60，同時除去從多孔部露出的部份絶緣體層(BOX層)40，製得具備單晶矽之防塵薄膜的微影用防塵薄膜組件(圖4F)。又，亦可設置防氧化膜30b，防止從多孔部露出的部份SOI層10氧化。又，如圖4G所示的，在保持構件的外框部20a上設置讓氣體通過的過濾部50a、50b。
圖5A乃至J，係本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法的第2實施例的說明圖。與上述第1實施例的差異點在於，為了補強SOI基板的機械性強度，在支持構件的形成步驟之前，先在SOI基板的單晶矽層設置面上設置補強基板80(圖5D)。
這是因為，當吾人將承載基板製作得很薄時(例如200μm以下)，SOI基板會無法自撐而翹曲，故藉由補強其機械性強度以防止不良情況。又，補強基板80，只是暫時賦予機械性強度的構件，最後還是會拿掉(圖5G)，其材質並無特別限制。
以下，說明實施例以更具體說明本發明。
將由COP等結晶缺陷密度非常低的單晶矽(Nearly Perfect Crystal：NPC)所構成且厚度為300nm的SOI層，隔著厚度500nm的矽熱氧化膜，黏貼在直徑200mm、厚度725μm的矽基板(承載基板)之上，製得SOI基板。將該SOI基板的承載基板研削、研磨到300μm這麼薄，之後利用微影步驟在承載基板側形成蝕刻遮罩圖案，並利用DRIE作出網格構造，最後實施HF處理將孔部所露出的矽熱氧化膜(BOX層)除去，完成防塵薄膜組件。在該防塵薄膜組件中，並未觀察到單晶矽的防塵薄膜有破損。
與實施例1同樣地，將由COP等結晶缺陷密度非常低的單晶矽(Nearly Perfect Crystal: NPC)所構成且厚度為300nm的SOI層，隔著厚度500nm的矽熱氧化膜黏貼在直徑200mm、厚度725μm的矽基板(承載基板)之上，製得SOI基板。將該SOI基板黏貼在耐熱玻璃(TEMPAX Float)製的補強基板上，之後將承載基板研削、研磨到100μm這麼薄，之後利用微影步驟在承載基板側形成蝕刻遮罩圖案，並利用DRIE作出網格構造，最後實施HF處理將孔部所露出的矽熱氧化膜(BOX層)除去，同時將補強基板剝離，完成防塵薄膜組件。在該防塵薄膜組件中，並未觀察到單晶矽的防塵薄膜有破損。
[比較例1]
將由COP等結晶缺陷密度非常低的單晶矽(Nearly Perfect Crystal: NPC)所構成且厚度為100nm的SOI層，隔著厚度500nm的矽熱氧化膜黏貼在直徑200mm、厚度725μm的矽基板(承載基板)之上，製得SOI基板，除此之外，按照與上述實施例2相同的順序，完成防塵薄膜組件。在該防塵薄膜組件中，所使用的SOI基板的單晶矽層的厚度僅有100nm，非常薄，吾人觀察到部份防塵薄膜有破損。
[實施例3]
將由COP等結晶缺陷密度非常低的單晶矽(Nearly Perfect Crystal: NPC)所構成且厚度為100nm的SOI層，隔著厚度500nm的矽熱氧化膜黏貼在直徑200mm、厚度725μm的矽基板(承載基板)之上，製得SOI基板。在該SOI基板的SOI層之上，用PECVD法堆積3μm的氧化膜作為保護膜，之後，將該保護膜黏貼到耐熱玻璃(TEMPAX Float)製的補強基板上。
接著，將承載基板研削、研磨到100μm這麼薄，之後利用微影步驟在承載基板側形成蝕刻遮罩圖案，並利用DRIE作出網格構造，最後實施HF處理將孔部所露出的矽熱氧化膜(BOX層)除去同時將補強基板剝離，再利用HF處理將保護膜除去，完成防塵薄膜組件。在該防塵薄膜組件中，並未觀察到單晶矽的防塵薄膜有破損。圖3係將如是製得之防塵薄膜組件的網格構造部放大表示的光學顯微鏡照片。如該照片所示的，單晶矽的防塵薄膜沒有撓曲，防塵薄膜的品質良好。
如上所述，本發明提供一種微影用防塵薄膜組件及其製造方法，該微影用防塵薄膜組件以單晶矽膜作為防塵薄膜，該單晶矽膜是對極紫外光(EUV光)具備很高的透光性且在化學上很安定的材料。
10．．．防塵薄膜
20．．．支持構件
20a．．．外框部
20b．．．多孔部
30a、30b．．．防氧化膜
40．．．絶緣體層(BOX層)
50a、50b．．．過濾部
60．．．保護膜
70‧‧‧蝕刻遮罩
80‧‧‧補強基板
A-A‧‧‧剖面線
M‧‧‧網格構造部
P‧‧‧防塵薄膜部份
圖1係對波長在13.5nm附近的光線單晶矽膜與非晶質矽膜的吸收係數的比較圖。
圖2A係仰視圖，其例示本發明之微影用防塵薄膜組件的構造。圖2B係沿圖2A中之A-A線段的剖面圖。
圖3係將本發明之微影用防塵薄膜組件的上述網格構造部放大表示的光學顯微鏡照片。
圖4A到圖4G係本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法的第1實施例的說明圖。
圖5A到圖5J係本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法的第2實施例的說明圖。
10．．．防塵薄膜
20a．．．外框部
20b．．．多孔部
30a、30b．．．防氧化膜
40．．．絶緣體層(BOX層)
Claims (16)
- 一種微影用防塵薄膜組件，包含：支持構件，其具備外框部與在該外框部之內側區域的多孔部；單晶矽的防塵薄膜，由該多孔部所支持；及防氧化膜，覆蓋該防塵薄膜表面。
- 如申請專利範圍第1項之微影用防塵薄膜組件，其中，該防氧化膜，係由SiOx (包含x=2)、Six Ny (包含x：y=3：4)、SiON、SiC、Y2 O3 、YN、Mo、Ru、Rh的群組之中的至少1種材料所構成。
- 如申請專利範圍第1項之微影用防塵薄膜組件，其中，在該支持構件的框部上設置讓氣體通過的過濾部。
- 如申請專利範圍第1項之微影用防塵薄膜組件，其中，該支持構件係由矽結晶所構成。
- 一種微影用防塵薄膜組件的製造方法，該微影用防塵薄膜組件包含：支持構件，其具備外框部與在該外框部之內側區域的多孔部；以及單晶矽的防塵薄膜，其係由該多孔部所支持；該製造方法的特徵為包含：支持構件形成步驟，其將在承載基板的表面上隔著絶緣層設置有單晶矽層的SOI基板之該承載基板部份除去，以形成該外框部與該多孔部。
- 如申請專利範圍第5項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，利用矽DRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching，矽深式反應性離子蝕刻)法以乾蝕刻方式將該承載基板部份除去。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之後，將該多孔部所露出之絶緣層部份除去的步驟。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方 法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之前，先從該承載基板的背面研磨，以將該承載基板製薄到400μm以下的步驟。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之前，先在設有該單晶矽層的面上設置補強基板的步驟。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之前，先在設有該單晶矽層的面上形成保護膜的步驟。
- 如申請專利範圍第10項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，該保護膜形成步驟，係藉由堆積氧化矽膜(SiOx )、氮化矽膜(SiNx )、氮氧化矽膜(SiOx Ny )之中的任一種薄膜之方式施行之。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之前，先在設有該單晶矽層的面上形成防氧化膜的步驟。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該支持構件形成步驟之後，於該多孔部所露出之單晶矽層部份上形成防氧化膜的步驟。
- 如申請專利範圍第12項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，該防氧化膜的形成步驟，係藉由堆積由SiOx (包含x=2)、Six Ny (包含x：y=3：4)、SiON、SiC、Y2 O3 、YN、Mo、Ru、Rh的群組之中的至少1種材料所構成的薄膜之方式施行之。
- 如申請專利範圍第14項之微影用防塵薄膜組件的製造方法， 其中，該防氧化膜的堆積，係藉由離子束輔助蒸鍍法或是氣體集簇離子束輔助(GCIB)蒸鍍法之方式施行之。
- 如申請專利範圍第5或6項之微影用防塵薄膜組件的製造方法，其中，更包含在該外框部上設置讓氣體通過之過濾部的步驟。
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