TWI682856B - Euv微影用防護膜 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種極紫外（EUV）微影用防護膜。該防護膜可以包括：支撐層圖案，其通過蝕刻支撐層而形成；防護膜層，其形成在所述支撐層圖案上；和蝕刻停止層圖案，其形成在所述支撐層圖案與所述防護膜層之間，並且在蝕刻所述支撐層時通過對停止蝕刻的蝕刻停止層進行蝕刻而形成。因此，本發明提供了一種EUV光阻用防護膜，其在具有最小厚度的同時保持了高的EUV曝光光線透過率，並且機械強度和熱特性優異。

Description

EUV微影用防護膜
本公開是有關於一種極紫外（EUV）微影用防護膜及其製造方法，尤其是有關於一種對EUV曝光光線具有高透過率且機械強度更高的EUV微影用防護膜，以及該防護膜的製造方法。
本申請要求於2017年11月10日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No. 10-2017-0149847的優先權，其內容通過引用併入本文中。
曝光技術（稱為微影）的發展使得半導體積體電路（IC）具有高集成度成為可能。為了在晶圓上形成更精細的電路圖案，曝光設備中的解析度（也稱為解析度極限）必須變得更高。當轉印超過解析度極限的精細圖案時，存在這樣的問題：由於衍射和散射引起的光干涉，導致會轉印與原始罩幕圖案不同的失真圖像。
目前商業化的曝光製程採用使用193 nm的ArF波長範圍的曝光設備來進行轉印製程，並在晶圓上形成精細圖案，但是在形成32 nm或更小的精細圖案方面存在一些限制。因此，已經開發了各種方法，例如使用折射率高於空氣（例如1.44）的液體介質的浸沒式微影；進行兩次曝光的雙重微影；將光的相位偏移180度並對相鄰的透射光造成相消干涉的相移技術；對由光的干涉和衍射引起的設計圖案的小尺寸或圓角端進行校正的光學相位校正等等。然而，使用ArF波長的曝光技術不僅難以獲得窄於或等於32 nm的更精細的電路線寬度，而且還增加了生產成本和製程複雜度。因此，極紫外（EUV）微影技術作為下一代製程而受到關注，在該技術中，使用了比193 nm的波長短很多的13.5 nm的波長作為主曝光波長。
順便提及，微影製程採用光阻作為用於圖案化的原始板，並且將光阻上的圖案轉移到晶圓上。在這種情況下，如果光阻附著有諸如顆粒、異物之類的雜質，則雜質可能會在吸收或反射曝光光線之後損害轉印的圖案，從而導致半導體器件的性能或產量降低。
為了防止光阻的表面附著雜質，使用了將防護膜附著到光阻的方法。由於防護膜附著在光阻的上表面上，所以即使雜質附著到防護膜上，光阻的圖案也能夠在微影製程中聚焦，因此防護膜上的灰塵或異物不會聚焦、也不會轉印到圖案上。隨著近年來電路線寬變細，可能對圖案的損壞構成影響的雜質尺寸減小，從而使用於保護光阻的防護膜的重要性增加。
當使用對於13.5 nm的EUV光具有低消光係數的材料，從而提供作為單層膜的防護膜時，容易保證透過率，但很難確保良好的機械特性和熱特性。因此，已經研究了多層防護膜以補充防護膜的性能。
防護膜被構造為包括厚度基本上為100 nm以下的呈極薄的膜形式的防護膜層，以便具有平穩且優異的EUV曝光光線的透過率。防護膜層必須滿足機械可靠性（針對真空環境和移動台的加速）以及熱可靠性（針對長期曝光製程）。考慮到這些條件，確定防護膜層的材料和結構。
因此，一個或多個示例性實施方案的一個方面可以提供一種EUV光阻用防護膜，其對於EUV曝光光線具有優異的透過率並具有優異的機械強度。
根據本公開的一個實施方案，極紫外（EUV）微影用防護膜包括：支撐層圖案，其通過蝕刻支撐層而形成；防護膜層，其形成在所述支撐層圖案上；和蝕刻停止層圖案，其形成在所述支撐層圖案與所述防護膜層之間，並且在蝕刻所述支撐層時通過對停止蝕刻的蝕刻停止層進行蝕刻而形成。
該防護膜層包括芯層和一個或多個增強層，該增強層形成在芯層的兩個表面中的至少一個表面上且與芯層的材料不同。
該芯層可以包含：除了單晶矽層、非晶矽層或多晶矽層之外，還包含硼（B）、磷（P）、砷（As）、釔（Y）、鋯（Zr）、鈮（Nb）和鉬（Mo）中的一種或多種材料；或矽化鉬（MoSi）、矽化鎢（WSi）、矽化鋯（ZrSi）和矽化鉭（TaSi）中的一種或多種金屬矽化物材料。
芯層的厚度可以為100 nm以下。
增強層可以包含：除了矽（Si）之外還包含碳（C）、氮（N）、氧（O）中的一種或多種的矽化合物；或者碳化矽（SiC）、碳化硼（B4 C）、釕（Ru）、鉬（Mo）、石墨烯和碳奈米管（CNT）中的一種或多種材料。
增強層的材料可以與芯層和蝕刻停止層圖案的材料不同，並且增強層的厚度可以為2 nm至10 nm且拉伸應力可以為50 MPa至150 MPa。
蝕刻停止層圖案可以包含：除了矽（Si）之外還包含碳（C）、氮（N）、氧（O）中的一種或多種的矽化合物。蝕刻停止層圖案的厚度可以為10 nm至500 nm。蝕刻停止層圖案可以包含壓縮應力為300 Mpa以下的氧化矽。
防護膜還可以包括額外地形成在至少一個增強層的外表面上的輔助增強層。
輔助增強層可以包含：除矽（Si）之外還包含碳（C）、氮（N）、氧（O）中的一種或多種的矽化合物；或碳化矽（SiC）、碳化硼（B4 C）、釕（Ru）、鉬（Mo）、石墨烯和碳奈米管（CNT）中的一種或多種材料。
輔助增強層的材料可以與芯層和增強層的材料不同，並且所述輔助增強層的厚度可以為2 nm至10 nm。
當蝕刻停止層包含氧（O）時，可以使用四甲基氫氧化銨（TMAH）來蝕刻支撐層以形成支撐層圖案。
防護膜可以還包括形成在增強層的外表面上的蝕刻罩幕層，並且該蝕刻罩幕層包含：除了矽（Si）之外還包含氧（O）的矽化合物。
蝕刻罩幕的矽化合物可以包含碳（C）和氮（N）中的至少一者，或鉻、金和鋁中的一種或多種金屬材料。
增強層可以包括具有奈米尺寸孔的外部多孔表面。
增強層的多孔表面可以通過使芯層具有多孔表面而形成。
芯層的多孔表面可以通過乾式蝕刻而形成，並且可以使用XeF2 和N2 氣體進行乾式蝕刻。
多孔表面的粗糙度可以為1 nm至10 nm。
結合圖式並通過以下對示例性實施方案的描述，上述方面及/或其他方面將變得顯而易見且更易於理解，在圖式中：
圖1是根據本公開第一實施方案的極紫外（EUV）光阻用防護膜的截面圖。
參考圖1，EUV光阻用防護膜100包括框架層110和形成在框架層110之上的防護膜層120。框架層110包括上部支撐層圖案102a和上部蝕刻停止層圖案103a。防護膜層120包括下部增強層104、芯層105和上部增強層106。
支撐層圖案102a支撐防護膜層120，並且在防護膜製造完成時便於處理和轉印。支撐層圖案102a由待通過乾/濕式蝕刻法蝕刻的材料製成。例如，可以通過對石英、絕緣體上矽(SOI)或矽(Si)晶圓應用微加工技術來形成支撐層圖案102a。
當通過濕式蝕刻法對圖3A至圖3I的支撐層102進行圖案化時，支撐層圖案102a可以由這樣的矽(Si)晶圓製成，從而容易地形成為具有期望的形狀，該矽(Si)晶圓的結晶取向為[100]；摻雜密度為1020離子/cm2；具有6吋、8吋等各種尺寸；並且厚度為400μm至800μm。
當對圖3A至圖3I的蝕刻停止層103進行乾/濕式蝕刻法時，蝕刻停止層圖案103a埋入在支撐層圖案102a和防護膜層120之間，並且包含除了矽(Si)之外還含有碳(C)、氮(N)和氧(O)中的一種或多種的矽(Si)化合物，該化合物對於支撐層102具有優異的蝕刻選擇性。蝕刻停止層圖案103a由與下部增強層104和芯層105不同的材料製成，並且厚度為10nm至500nm。
作為用於增強芯層105的機械強度和熱特性的層，上部增強層106和下部增強層104可以分別形成在芯層105的兩個表面上，或者僅上部增強層106和下部增強層104中的一者可以形成在芯層105的一側上。上部增強層106和下部增強層104具有高透過率並保護防護膜層120免受EUV製程的高溫的影響。上部增強層106和下部增強層104包含除矽（Si）之外還含有碳（C）、氮（N）、氧（O）中的一種或多種的矽化合物，或者碳化矽（SiC）、碳化硼（B4 C）、釕（Ru）、鉬（Mo）、石墨烯和碳奈米管（CNT）中的一種或多種的材料，其中上部增強層106和下部增強層104的材料與蝕刻停止層102和芯層105的材料不同，並且上部增強層106和下部增強層104各自的厚度為2 nm至10 nm。
在此，當上部增強層106和下部增強層104各自的厚度為2 nm以下時，其強度可能會降低，而當上部增強層106和下部增強層104各自的厚度為10 nm以上時，其EUV曝光光線的透過率可能顯著降低並且不可使用。因此，考慮到防護膜的整體透過率和機械強度，將上部增強層106和下部增強層104形成為各自具有最佳厚度。
通過透過率優異的單晶矽層、非晶矽層或多晶矽層實現芯層105，其還可包含硼（B）、磷（P）、砷（As）、釔（Y）、鋯（（Zr）、鈮（Nb）和鉬（Mo）中的一種或多種材料；或者矽化鉬（MoSi）、矽化鎢（WSi）、矽化鋯（ZrSi）、矽化鉭（TaSi）等中的一種或多種金屬矽化物材料。此外，芯層105的材料可以與蝕刻停止層圖案103a以及上部增強層106和下部增強層104的材料不同。芯層105的厚度可以為100 nm以下，並且對於波長為13.5 nm的EUV曝光光線具有80%以上的透過率。
EUV在任何材料中均能夠被很好地吸收，並具有強的熱能和短波長。因此，從防護膜層中散熱是非常重要的。順便提及，解決散熱問題的常規方法著重於找到具有良好散熱係數的材料。然而，根據本公開，除了選擇散熱係數優異的材料之外，還考慮增加表面積。為此，在芯層105的表面上形成奈米孔，從而使表面積最大化並且增加散熱效果。
即，根據本公開，對芯層105的表面進行表面處理以補充芯層105的熱特性。即，芯層105的表面形成有奈米尺寸的細孔，因此在其上形成的上部增強層106的外表面是多孔表面。藉此，上部增強層106的外表面的面積增加，從而增加了散熱效果。為了使上部增強層106具有多孔表面，可以對上部增強層106本身進行蝕刻。然而，就材料性質而言，當通過蝕刻形成多孔表面時，相比於蝕刻上部增強層106，蝕刻芯層105是更有效的。
在這種情況下，表面的粗糙度為1 nm至10 nm（參見圖4和5）。當芯層105的表面具有前述粗糙度時，增強層106的表面也具有相同的粗糙度。較佳地，表面粗糙度在3 nm至5nm的範圍內。當表面粗糙度為幾奈米時，層的表面對EUV光線的透過率均勻性幾乎沒有影響。當表面粗糙度高於幾奈米時，透光率均勻性會劣化。即，為了提高增加散熱效果並同時防止由於奈米結構導致的光散射，表面粗糙度較佳為1 nm至10 nm。
在該實施方案中，在框架層110的下方設置有包括多層圖案103a、104a、105a、106a的下部薄膜層圖案130a，並且當製造圖1的防護膜100時，形成下部薄膜層圖案130a。在這方面，將參考圖3A至圖3I進行描述。
圖2是根據本公開第二實施方案的EUV微影用防護膜的截面圖。在該實施方案中，將避免詳細的描述，並且關於與圖1所示的實施方案基本相同的元件將給出相同的圖式標記。
參考圖2，根據本公開第二實施方案的EUV微影用防護膜與前述第一實施方案的EUV微影用防護膜的相同之處在於：包括具有支撐層圖案102a和蝕刻停止層圖案103a的框架層110，並且防護膜層120具有下部增強層104、芯層105和上部增強層106。根據該實施方案的防護膜額外地包括在防護膜層120的兩個表面或任一表面上形成的輔助增強層201和202。
在該實施方案中，具有多層圖案201a、103a、104a、105a、106a和202a的下部薄膜層圖案130a被設置在框架層110的下方。當製造圖2的防護膜時，通過與圖3A至圖3I類似的製程（以下將描述）形成下部薄膜層圖案130a，因此將省略對其的詳細描述。
輔助增強層201和202包含：除了矽（Si）之外還含有碳（C）、氮（N）和氧（O）中的一種或多種的矽（Si）化合物；或者碳化矽（SiC）、碳化硼（B4 C）、釕（Ru）、鉬（Mo）、石墨烯和碳奈米管（CNT）中的一種或多種材料，其中該輔助增強層201和202的材料與蝕刻停止層圖案103a、芯層105和增強層104和106的材料不同，並且輔助增強層201和202各自的厚度為2 nm至10 nm。
如同第一實施方案那樣，對芯層105的表面進行表面處理以改善熱特性，並且使其形成有奈米尺寸的細孔。同樣，表面粗糙度也可以在1 nm至10 nm的範圍內。
根據該實施方案，當額外提供輔助增強層201和202時，輔助增強層可以由金屬材料製成，從而改善散熱特性。
圖3A至3I為依次示出了製造圖1所示的第一實施方案的EUV微影用防護膜的方法的視圖。
首先，如圖3A所述，準備支撐層102以用作製造根據本公開的EUV光阻用防護膜的基底。
參考圖3B，通過化學氣相沉積（CVD）、熱氧化製程、濺鍍、原子層沉積（ALD）等在支撐層102的上表面上形成蝕刻停止層103，該蝕刻停止層103包含矽（Si）化合物，該化合物除了包含矽（Si）之外，還含有氧（O）、氮（N）和碳（C）中的一種或多種。在這種情況下，在支撐層102的下表面上形成與蝕刻停止層103相同的層。
有利的是，蝕刻停止層103由在刻蝕製程中對支撐層102具有高蝕刻選擇性的材料製成。因此，蝕刻選擇性可以等於或高於104，使得蝕刻停止層103可以對支撐層102具有足夠的濕法蝕刻選擇性。此外，蝕刻停止層103可以具有最小殘餘應力，以在製造防護膜時防止防護膜的破裂。因此，形成了包含氧化矽的壓縮應力為300 Mpa以下的蝕刻停止層103。
參考圖3C，通過CVD、濺鍍、ALD等在上部蝕刻停止層103的上表面上形成下部增強層104。在這種情況下，在下部蝕刻停止層103的下表面上也形成了與下部增強層104相同的層。
為了使防護膜層120具有抗皺表面，下部增強層104可以形成為具有50 Mpa至150 Mpa的拉伸應力。因此，根據本公開的下部增強層104可以由不僅具有優異的機械強度和化學耐久性而且還具有優異的臺階覆蓋性的氮化矽製成。
參考圖3D，通過磊晶生長、CVD、濺鍍等在下部增強層104的上表面上形成芯層105。在這種情況下，在下部增強層104的下表面上也形成了與芯層105相同的層。
根據本公開，芯層105可以由對微製造製程有利並且光學特性、熱特性和機械特性優異的多晶矽製成。此外，如上所述，芯層105的表面被製造為具有奈米尺寸的孔隙以改善芯層105的熱特性。為了在表面上形成細孔，可以使用乾式蝕刻法和濕式蝕刻法。在該實施方案中，由於濕式蝕刻法難以使表面粗糙度低於或等於10 nm，並且較高的粗糙度會導致對於EUV光線的透過率均勻性降低，所以可以使用乾式蝕刻法。較佳地，可以使用25 sccm的XeF2 氣體和100 sccm的N2 氣體來製造奈米多孔結構，並且由於多晶矽被快速蝕刻，所以該方法在幾秒鐘的短時間內進行。
參考圖3E，在上部芯層105的上表面上沉積上部增強層106，並且同時在下部芯層105的下表面上形成與上部增強層106相同的層。在這種情況下，通過與形成前述下部增強層104相同的方法形成上部增強層106。
參考圖3F，通過熱氧化製程、CVD、濺鍍、ALD等在上部增強層106的上側和下側的外表面上形成蝕刻罩幕層107。
蝕刻罩幕層107由對支撐層102具有高蝕刻選擇性且在蝕刻支撐層102後容易除去的材料構成，並且蝕刻罩幕層107包含：除了矽（Si）之外還包含碳（C）、氮（N）和氧（O）中的一者或多者的矽化合物，或鉻、金、鋁等金屬中的一種或多種材料。根據本公開，蝕刻罩幕層107可以使用階梯覆蓋性和薄膜密度優異、並且所造成的表面缺陷較少或不會造成表面缺陷的氧化矽膜。考慮到在整個厚度上蝕刻支撐層102的製程，蝕刻罩幕層107被形成為具有至少100 nm的厚度。在蝕刻過程中，增強層106或輔助增強層被部分蝕刻，因此難以精確地保持厚度。為了防止出現這種情況，將蝕刻罩幕層107放置在增強層106或輔助增強層的上表面上，藉此保護增強層和輔助增強層的表面並控制它們的精確厚度。
參考圖3G，在基底的下表面上形成光致抗蝕劑膜圖案108a，並且使用光致抗蝕劑膜圖案108a作為蝕刻罩幕，以通過乾式蝕刻法和濕式蝕刻法依次對支撐層102下方的蝕刻罩幕層107、上部增強層106、芯層105、下部增強層104和蝕刻停止層103進行蝕刻，藉此形成下部薄膜層圖案130a(包含圖案103a、104a、105a、106a、107a、108a)，通過下部薄膜層圖案130a暴露出支撐層102。在這種情況下，使用獲得良好蝕刻輪廓的乾式蝕刻法。
參考圖3H，在去除光致抗蝕劑膜圖案108a之後，通過使用深蝕刻機、XeF2 蝕刻機等的乾式蝕刻法或通過使用氫氧化鉀（KOH）、四甲基氫氧化銨（TMAH）等濕式蝕刻法對支撐層102進行蝕刻，藉此形成支撐層圖案102a，通過該支撐層圖案102a暴露出了蝕刻停止層103。
根據本公開，使用對下部薄膜層圖案130a具有104以上的非常高的蝕刻選擇性的TMAH來蝕刻支撐層102。此外，當蝕刻停止層103包含氧（O）時，較佳使用TMAH來蝕刻支撐層102。如上所述，蝕刻罩幕層107可以由除了矽之外還包含氧、碳和氮中的一種或多種的矽化合物製成。具體地，當蝕刻罩幕層107包含氧（O）時，TMAH更適合用作蝕刻支撐層102的蝕刻劑。
順便提及，當支撐層102被蝕刻以形成支撐層圖案102a時，為了減少被刻蝕的表面的表面缺陷（例如粗糙度、小丘等），可以添加界面活性劑，例如異丙醇（IPA）、triton X-100等。
參考圖3I，通過乾式或濕式蝕刻法形成蝕刻停止層圖案103a，以暴露下部增強層104，並且去除蝕刻罩幕層107，從而完成根據本公開實施方案的EUV微影用防護膜的製造。當對蝕刻停止層103進行蝕刻時，可以同時去除蝕刻罩幕層107。為此，蝕刻停止層103和蝕刻罩幕層107可以由將被相同的蝕刻劑蝕刻的材料製成。
當去除蝕刻罩幕層107時，使用脫鹽水來完全去除殘留在防護膜層130的表面上的鹼性蝕刻溶液，然後蝕刻並去除蝕刻停止層103和蝕刻罩幕層107。在該實施方案中，可以使用氟化氫（HF）來蝕刻並去除蝕刻停止層103和蝕刻罩幕層107這兩者。
根據本公開，蝕刻停止層103被設置在支撐層102和防護膜層120之間，因此當通過蝕刻支撐層102來對支撐層圖案102a進行蝕刻時，防止了防護膜層120免於遭受用於支撐層102的蝕刻劑的無意損壞。特別地，防護膜層120或下部增強層104或下部輔助增強層201比防護膜中的支撐層102薄得多，因此，即使相對於支撐層102的蝕刻選擇性非常高，通常包含SiN的這些層也可能由於無意的蝕刻而被損壞。因此，當存在根據本公開的蝕刻停止層103時，可以防止這種損壞。
如上所述，根據本公開的示例性實施方案，可以提供這樣的EUV光阻用防護膜，其具有優異的機械強度和熱導率，並且在具有最小厚度的同時保持了高的EUV曝光光線透過率。
儘管已經參照圖式詳細示出並描述了本公開的一些示例性實施方案，但是僅出於說明的目的給出了這些實施方案，而不構成對所附權利要求中限定的本公開的含義和範圍的限制。因此，本領域普通技術人員可以理解，在這些示例性實施方案中可以做出各種改變和等同變化。因此，本公開的範圍必須由所附權利要求的技術主題來限定。
100‧‧‧防護膜102‧‧‧防護膜層102a‧‧‧支撐層圖案103‧‧‧蝕刻停止層103a‧‧‧停止層圖案104‧‧‧下部增強層104a、105a、106a、107a、201a、202a‧‧‧圖案105‧‧‧芯層106‧‧‧上部增強層107‧‧‧蝕刻罩幕層108a‧‧‧光致抗蝕劑膜圖案110‧‧‧框架層120‧‧‧防護膜層130a‧‧‧下部薄膜層圖案201、202‧‧‧輔助增強層
圖1是根據本公開第一實施方案的極紫外微影用防護膜的截面圖。 圖2是根據本公開第二實施方案的極紫外微影用防護膜的截面圖。 圖3A至圖3I為依次示出了製造圖1所示的第一實施方案的極紫外微影用防護膜的方法的視圖。 圖4是示出在根據圖1所示的第一實施方案的芯層中形成奈米芯的示意圖。 圖5是示出在圖4中的芯層的一部分中表示的奈米芯的視圖。
100‧‧‧防護膜
102a‧‧‧支撐層圖案
103a‧‧‧停止層圖案
104‧‧‧下部增強層
104a、105a、106a‧‧‧圖案
105‧‧‧芯層
106‧‧‧上部增強層
110‧‧‧框架層
120‧‧‧防護膜層
130a‧‧‧下部薄膜層圖案

Claims (19)

  1. 一種極紫外(EUV)微影用防護膜，該防護膜包括：支撐層圖案，其通過蝕刻支撐層而形成；防護膜層，其形成在所述支撐層圖案上；和蝕刻停止層圖案，其形成在所述支撐層圖案與所述防護膜層之間，並且在蝕刻所述支撐層時通過對停止蝕刻的蝕刻停止層進行蝕刻而形成，其中所述防護膜層包括芯層和一個或多個增強層，所述增強層形成在所述芯層的兩個表面中的至少一個表面上，所述增強層的材料與所述芯層的材料不同，且所述增強層包括具有奈米尺寸孔的外部多孔表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述芯層包含：除了單晶矽層、非晶矽層或多晶矽層之外，還包含硼(B)、磷(P)、砷(As)、釔(Y)、鋯(Zr)、鈮(Nb)和鉬(Mo)中的一種或多種材料；或矽化鉬(MoSi)、矽化鎢(WSi)、矽化鋯(ZrSi)和矽化鉭(TaSi)中的一種或多種金屬矽化物材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述芯層的厚度為100nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述增強層包含： 除了矽(Si)之外還含有碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一種或多種的矽化合物；或者碳化矽(SiC)、碳化硼(B4C)、釕(Ru)、鉬(Mo)、石墨烯和碳奈米管(CNT)中的一種或多種材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述增強層的材料與所述芯層和所述蝕刻停止層圖案的材料不同，並且所述增強層的厚度為2nm至10nm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述增強層的拉伸應力為50MPa至150MPa。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述蝕刻停止層圖案包含矽化合物，該矽化合物除了包含矽(Si)之外，還包含碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一種或多種。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述蝕刻停止層圖案的厚度為10nm至500nm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述蝕刻停止層圖案包含壓縮應力為300Mpa以下的氧化矽。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，還包括額外地形成在至少一個增強層的外表面上的輔助增強層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的防護膜，其中所述輔助增強層包含：除了矽(Si)之外還含有碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一種或多種的矽化合物；或 碳化矽(SiC)、碳化硼(B4C)、釕(Ru)、鉬(Mo)、石墨烯和碳奈米管(CNT)中的一種或多種材料。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的防護膜，其中所述輔助增強層的材料與所述芯層和所述增強層的材料不同，並且所述輔助增強層的厚度為2nm至10nm。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中當所述蝕刻停止層包含氧(O)時，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)來蝕刻所述支撐層以形成所述支撐層圖案。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的防護膜，還包括形成在所述增強層的外表面上的蝕刻罩幕層，並且該蝕刻罩幕層包含矽化合物，該矽化合物除了矽(Si)之外還含有氧(O)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的防護膜，其中所述蝕刻罩幕中的所述矽化合物包含碳(C)和氮(N)中的至少一者，或鉻、金和鋁中的一種或多種金屬材料。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的防護膜，其中所述增強層的所述多孔表面通過使所述芯層具有多孔表面而形成。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的防護膜，其中所述芯層的所述多孔表面是通過乾式蝕刻而形成的。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的防護膜，其中所述乾式蝕刻通過使用XeF2和N2氣體而進行。
  19. 如申請專利範圍第16項至第18項中任一項所述的防護膜，其中所述多孔表面的粗糙度為1nm至10nm。
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