CN102405440A - 光刻用防尘薄膜组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧化，而形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜(30a、30b)。支撑部件(20)是通过加工SOI基板的操作基板而获得的，单晶硅防尘薄膜组件膜(10)是由SOI基板的SOI层所获得。防尘薄膜组件膜(10)和支撑部件(20)牢固地结合在一起，所以可以确保充分的机械强度。

Description

光刻用防尘薄膜组件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻用防尘薄膜组件及其制造方法，更详细说来，涉及一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料、硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件及其制造方法。
背景技术
半导体元件的高集成化及微细化进展逐年加快，目前线宽为45nm左右的图案化(patterning)也逐渐得到实际应用。对于像这样的微细的图案化，通过现有的准分子曝光技术的改良，也就是说通过ArF液浸曝光技术或双重曝光(double exposure)技术等方法也可以应对。
但是，对于下一代预定的更为微细化的、线宽为32nm以下的图案化，使用准分子激光的曝光技术则已难以应对，而使用波长比准分子激光更短的光，即主波长为13.5nm的远紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)光的EUV曝光技术成为最受青睐的技术。
为了使此EUV曝光技术进入实际应用，对用来防止异物附着于光源、抗蚀膜及光掩模上的防尘用防尘薄膜组件等各要素技术中的技术性课题的解决必不可少。这些要素技术中，关于光源和抗蚀膜目前已经呈现出了显著的进展。而关于左右半导体元件等的制造产率的防尘用防尘薄膜组件，则至今仍遗留着各种尚未解决的课题，成为EUV曝光技术进入实际应用的巨大障碍。
用于EUV曝光的防尘薄膜组件所具有的尚未解决的技术性课题具体为：(1)开发对EUV光具有高透过性且化学性质稳定的材料；(2)使不得已而成为超薄薄膜的透过膜(防尘薄膜组件膜)具有在固定张力下不产生松弛地加以保持的构成；以及(3)实现在常压下将防尘薄膜组件粘贴至光掩模后，可以在真空下使用等。在这些尚未解决的课题中，所述(1)的问题尤其严重，实际情况是，目前在开发EUV光透过率高且不会因氧化等而经时变化、化学性质稳定的透过膜的材料方面尚无头绪。
现有的防尘薄膜组件膜所使用的材料(主要是有机材料)存在下述问题：在EUV光的波长范围内不具有透明性，不能透过EUV光，并且会因光照射而产生分解或劣化。现在虽然尚不知晓在EUV光的波长范围内呈现出完全的透明性的材料，但是硅作为透明性相对较高的材料而受到关注，且在文献等中也有介绍。
例如，可以参看Shroff et al.“EUV pellicle Development for MaskDefect Control，”Emerging Lithographic Technologies X，Proc of SPIEVol.6151 615104-1(2006)(文献1)或Livinson et al.，United States PatentUS6,623,893 B1，“PELLICLE FOR USE IN EUV LITHOGRAPHIY ANDMETHOD OF MAKING SUCH A PELLICLE”(文献2)。
但是，所述文献1所报告的EUV曝光用防尘薄膜组件所使用的硅是利用溅镀法(sputtering)等方法沉积所成的硅膜，此硅膜必为非晶膜，因此EUV波长范围的光的吸收率(吸收系数)会升高。
另外，所述文献2所报告的EUV曝光用防尘薄膜组件所使用的硅，前提是其为利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等沉积所成的膜，此时的硅膜也是非晶膜或者多晶膜，EUV波长范围的光的吸收率(吸收系数)会升高。
除此以外，对于作为防尘薄膜组件膜而粘贴在框架上的状态的硅膜而言，理想的是多少地施加有拉伸应力，但是如果过度施加应力则会导致硅膜破损，因此粘贴硅膜时的温度为室温或者比室温稍高的程度为佳。但是，以如上所述的现有方法形成的硅膜在沉积过程(溅镀工序或CVD工序等)中就已经导入了强应力。
另外，因为这些硅膜不是单晶硅膜，所以膜中所含的非晶部分或晶界会导致EUV光的吸收率(吸收系数)升高、透过率降低。而且，这些硅膜的化学性质也不稳定，容易被氧化，因此对EUV光的透过率会随着时间经过而逐渐降低，并不耐用。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于以上所述的问题而作出的，其目的在于提供一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件及其制造方法。
解决问题的技术手段
为了解决所述课题，本发明的光刻用防尘薄膜组件包括：支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着。
所述光刻用防尘薄膜组件优选的是包括被覆所述防尘薄膜组件膜的表面的抗氧化膜。这种抗氧化膜由例如SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成。
所述光刻用防尘薄膜组件优选的是，在所述支撑部件的框部设置了透过气体的过滤器。另外，所述支撑部件可以由硅晶体形成。
本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法是制造下述光刻用防尘薄膜组件的方法，此光刻用防尘薄膜组件包括：支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着；所述制造方法包括支撑部件形成工序，将在操作基板的表面上经由绝缘层而设置了单晶硅层的SOI基板的所述操作基板局部地去除，从而形成所述外框部和所述多孔部。
局部地去除所述操作基板可以通过硅DRIE(反应离子式深硅刻蚀，Silicon Deep Reactive Ion Etching)法进行干法蚀刻来实施。
所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，去除露出在所述多孔部的绝缘层部分。
另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，从所述操作基板的背面进行研磨，而使此操作基板形成为400μm以下的薄板。
另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面设置强化基板。
另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成保护膜。
所述保护膜形成工序优选的是通过沉积氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)中的任意一种膜来实施。
所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成抗氧化膜。
另外，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，于露出在所述多孔部的单晶硅层部分形成抗氧化膜。
所述抗氧化膜的形成优选的是通过沉积由SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。
另外，所述抗氧化膜的沉积优选的是通过离子辅助蒸镀法(Ion BeamAssisted Deposition Method)或者辅助气体团簇离子束(Gas Cluster IonBeam，GCIB)蒸镀法来实施。
再者，所述光刻用防尘薄膜组件的制造方法也可以构成为包括下述工序：在所述外框部设置透过气体的过滤器。
发明的效果
本发明的光刻用防尘薄膜组件构成为包括包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部的支撑部件，及由所述多孔部支撑的单晶硅防尘薄膜组件膜，所以可以提供一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件。
另外，本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法是将在操作基板的表面上经由绝缘层而设置了单晶硅层的SOI基板的所述操作基板局部地去除，形成所述外框部和所述多孔部从而形成支撑部件，并利用由所述多孔部支撑的所述单晶硅层来作为防尘薄膜组件膜，因此可以提供一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件的制造方法。
附图说明
图1是将单晶硅膜对波长为13.5nm左右的光的吸收系数和非晶硅膜对波长为13.5nm左右的光的吸收系数加以比较的示意图。
图2A是举例说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的结构的底视图。
图2B是沿着图2A中所示的A-A的截面图。
图3是将本发明的光刻用防尘薄膜组件的所述网状结构部放大表示的光学显微镜照片。
图4A～图4G是用来说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法的第1例的图。
图5A～图5J是用来说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法的第2例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的光刻用防尘薄膜组件及其制造方法。
如上所述，硅虽然是一种在EUV光的波长范围内透明性相对较高的材料，但是以往所报告的EUV曝光用防尘薄膜组件使用的硅膜是通过溅镀法或CVD法而形成的，所以为非晶膜或多晶膜，存在EUV波长范围的光的吸收率(吸收系数)升高等问题。因此，本发明人们反复进行了使用单晶硅膜来作为防尘薄膜组件膜的研究，最终完成了本发明。
图1是将单晶硅膜对波长为13.5nm左右的光的吸收系数和非晶硅膜对波长为13.5nm左右的光的吸收系数加以比较的示意图。如图1所示，与非晶硅膜的吸收系数相比，单晶硅膜的吸收系数约为40％左右，对EUV波长范围的光的透过性高，具有作为防尘薄膜组件膜的优异特性。此外，关于图1所示的吸收系数，请参看如Edward D.Palik，ed.，“Handbook ofOptical Constants of Solids，”Academic Press，Orlando(1985)(文献3)等。
为了实现具备单晶硅膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件，本发明人们反复地研究了下述方法：使用具备单晶硅层作为SOI(绝缘体上硅，Silicon-On-Insulator)层的SOI基板，将此单晶硅层作为防尘薄膜组件膜，并且加工所述SOI基板的基础基板(操作基板)而形成防尘薄膜组件膜的支撑部件。通过这种方法所获得的防尘薄膜组件不仅具有对EUV波长范围的光的透过性高的优点，而且还具有省去了像现有的光刻用防尘薄膜组件那样，在分别形成防尘薄膜组件膜和支撑此防尘薄膜组件膜的框架之后，再将防尘薄膜组件膜展开设置在框架上的麻烦的优点。
图2A及图2B是举例说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的结构的图，图2A是底视图，图2B是沿着图2A中所示的A-A的截面图。如这些图所示，本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅的防尘薄膜组件膜10，此防尘薄膜组件膜10由支撑部件20支撑着，此支撑部件20包括外框部20a、和此外框部20a的内侧区域的多孔部20b(网状结构)。
在此例子中，为了防止防尘薄膜组件膜10的表面氧化，形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜30a、30b。此外，图中符号40所示的是SOI基板的绝缘体层(BOX层(隐埋氧化物层，Buried OxideLayer))部分。另外，图中符号50a、50b所示的是设置在支撑部件20的框部20a的过滤器，通过使气体透过此过滤器，可以调节使用防尘薄膜组件时的内部压力。
图3是将本发明的光刻用防尘薄膜组件的所述网状结构部放大表示的光学显微镜照片。图中「M」所示的部分是支撑部件的网状结构部，「P」所示的部分是从网状结构部的孔部看到的单晶硅防尘薄膜组件膜部分。此例子中，在支撑部件的外框部的内侧区域，形成了多个直径约200μm且大致呈六边形的孔部，孔部与孔部的间隔约为20μm。从这些孔部中可以观察到单晶硅防尘薄膜组件膜部分，曝光时的光即是从这部分照射至光掩模(中间掩模(reticle))上。
在以下的说明中，将SOI基板的操作基板设为硅基板来进行说明，但是SOI基板的操作基板也可以是其他基板(例如玻璃基板或石英基板)。
作为用来制作具有所述构成的防尘薄膜组件的SOI基板，例如可以使用将利用CZ法(提拉法，Czochralski法)进行晶体生长所成的单晶硅晶片彼此经由氧化膜贴合在一起而制作的SOI基板。
这种SOI基板可以通过以如下为例的流程来获得。首先，预先在第1单晶硅基板的表面(贴合面)利用热氧化等方法形成氧化膜，向此单晶硅基板的表面注入氢离子，在表面附近的规定深度(平均离子注入深度L)处形成均匀的离子注入层，然后通过等离子处理等使表面活化。其次，使经过实施表面活化的第1单晶硅基板和第2单晶硅基板密接并贴合，利用所述离子注入层，用机械的方式从第1单晶硅基板上剥离硅层。通过这样的流程，可以获得在第2单晶硅基板上具有硅层(SOI层)的SOI基板。
在本发明的光刻用防尘薄膜组件所包括的支撑部件的外框部的内侧区域设置多孔部(网状结构)的理由是，EUV用防尘薄膜组件的单晶硅防尘薄膜组件膜的厚度必须为较薄的几十纳米～几百纳米左右，要仅依靠防尘薄膜组件框架(外框部)来在稳定且保证机械强度的状态下支承此薄防尘薄膜组件膜是极为困难的。
所述文献1中采用了下述方法：用金属制作网状结构，利用有机物作为粘接剂将非晶硅防尘薄膜组件膜粘接至所述网状结构上。但是，这种方法难以使整个防尘薄膜组件膜均匀且高精度地密接于网状结构上。而且，还存在当在真空下使用防尘薄膜组件时，会由于粘接剂而造成有机物污染的担忧。此外，防尘薄膜组件膜的应力调整极为困难。
鉴于这些问题，本发明选择了将SOI基板的操作基板加工成支撑部件的方法。也就是说，从背面对操作基板进行研削/研磨等直至此操作基板成为所需的厚度，然后局部地去除操作基板而形成孔部，从而获得网状结构。如上所述的局部地去除操作基板可以利用例如MEMS(微机电系统，Micro Electro Mechanical System)等中广泛采用的硅DRIE法的干法蚀刻。
实施这种干法蚀刻时，因为蚀刻会在硅氧化膜等绝缘体层(BOX层)处停止(或者蚀刻速度变得极其缓慢)，所以不会存在作为防尘薄膜组件膜而利用的单晶硅层(SOI层)被蚀刻的情况。另外，由于单晶硅防尘薄膜组件膜和支撑部件牢固地结合在一起，因此也能够确保充分的机械强度。而且，由于未使用粘接剂，所以还可以避免因有机物等残留而引起的污染。
此外，如果像图2A及图2B所示的形态那样形成抗氧化膜，则能够获得使用高功率光源进行曝光时所要求的高抗氧化性。这种抗氧化膜可以通过在单晶硅层的表面形成例如下述材料形成的膜而获得：Mo、Ru、Rh等抗氧化性金属；或SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3及YN等无机物；或者这些材料的群中的至少一种材料。
此外，也可以利用CVD法、溅镀法、电子束蒸镀法等方法来形成抗氧化膜，如果采用离子束辅助蒸镀法或辅助气体团簇离子束(GCIB)蒸镀法，则可以形成接近于理论密度的高密度的细密的膜，即使抗氧化膜较薄也能够获得高抗氧化性，因此不会损害高透过率。关于这一点，请参看例如L.Dong et al.Journal of Applied physics，vol.84，No.9，pp.5261-5269，1998(文献4)、或山田公编著的「团簇离子束基础与应用」第四章，日刊工业(文献5)等。
另外，防尘薄膜组件通常是在真空下使用，因此需要对内部的压力进行调整，但是要求此压力调整机构能够防止在气体流出或流入时混入异物。适合作为这种机构的是能够捕获极为微小的异物的ULPA(超高效空气过滤器，Ultra Low Penetration Air Filter)等过滤器或金属过滤器。另外，重要的是此过滤器的面积为防尘薄膜组件膜不会因为不均匀的压力差而伸缩或破损的程度。
图4A～图4G是用来说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法的第1例的图。首先，准备SOI基板(图4A)。此SOI基板在操作基板20上经由硅氧化膜的BOX层40而设置了单晶硅SOI层10。
通常，8英寸(200mm)基板的厚度为700μm左右，因此可以通过研削/研磨等使操作基板侧变薄至所需的厚度(例如400μm以下)。这是因为如果支撑部件的高度在所需高度以上，则会对之后的蚀刻工序造成负担。而且，如果预先使操作基板侧变薄，则也可以缩短蚀刻工序所需要的时间。
其次，根据需要在单晶硅的SOI层10上形成抗氧化膜30a(图4B)。另外，根据需要也可以在设有SOI层10的一面(这里是在抗氧化膜30a上)，设置用来保护SOI层10的保护膜60(图4C)。这种保护膜可以列举如氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)。
之后，在操作基板(背面)上形成用来形成网状结构的蚀刻掩模70(图4D)，以未被此蚀刻掩模70被覆的区域成为多孔部的方式进行干法蚀刻而形成网状结构。
然后，去除蚀刻掩模70和设置在SOI层侧的保护膜60，同时去除从多孔部中露出的部分的绝缘层即BOX层40，获得具有单晶硅防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件(图4F)。此外，为了防止从多孔部中露出的部分的SOI层10氧化，还可以设置抗氧化膜30b。另外，如图4G所示，在保持部件的外框部20a上设置透过气体的过滤器50a、50b。
图5A～图5J是用来说明本发明的光刻用防尘薄膜组件的制造方法的第2例的图。第2例与所述第1例的不同之处在于包括下述工序：为了补充SOI基板的机械强度，而在支撑部件的形成工序之前，在SOI基板的设有单晶硅层的一面设置强化基板80(图5D)。
其原因在于操作基板较薄时(例如为200μm以下)，SOI基板会无法自我支撑而产生翘曲，因而通过补充机械强度来避免这一不良状况。另外，强化基板80只是暂时性地赋予机械强度的基板，最后会被去除掉(图5G)，所以对于其材质并无特别限制。
以下，就用来更加具体地说明本发明的实施例进行说明。
实施例1
使用在直径为200mm、厚度为725μm的硅基板(操作基板)上，经由膜厚为500nm的硅热氧化膜而粘贴了由COP(结晶起因的微粒，Crystal Originated Particle)等晶体缺陷密度极低的硅单晶(近完美晶体(Nearly Perfect Crystal，NPC))所形成的厚度300nm的SOI层的SOI基板。通过研削及研磨使此SOI基板的操作基板变薄至300μm后，通过光刻在操作基板侧将蚀刻掩模图案化，并通过DRIE制成网状结构，最后进行HF处理去除从孔部露出的硅热氧化膜(BOX层)，从而完成防尘薄膜组件。此防尘薄膜组件中未观察到单晶硅防尘薄膜组件膜破损。
实施例2
与实施例1相同地，使用在直径为200mm、厚度为725μm的硅基板(操作基板)上，经由膜厚为500nm的硅热氧化膜而粘贴了由COP等晶体缺陷密度极低的硅单晶(Nearly Perfect Crystal，NPC)所形成的厚度300nm的SOI层的SOI基板。将此SOI基板贴合在Tempax玻璃制强化基板上之后，通过研削/研磨使操作基板变薄至100μm，然后通过光刻在操作基板侧将蚀刻掩模图案化，并通过DRIE制成网状结构，最后进行HF处理去除从孔部露出的硅热氧化膜(BOX层)，并且剥离强化基板，从而完成防尘薄膜组件。此防尘薄膜组件中未观察到单晶硅防尘薄膜组件膜破损。
比较例1
使用在直径为200mm、厚度为725μm的硅基板(操作基板)上，经由膜厚为500nm的硅热氧化膜而粘贴了由COP等晶体缺陷密度极低的硅单晶(Nearly Perfect Crystal，NPC)所形成的厚度100nm的SOI层的SOI基板，除此以外通过与所述实施例2相同的流程而完成防尘薄膜组件。此防尘薄膜组件中，因所使用的SOI基板的单晶硅层的厚度为较薄的100nm，所以在一部分防尘薄膜组件膜上观察到了破损。
实施例3
与比较例1相同，使用在直径为200mm、厚度为725μm的硅基板(操作基板)上，经由膜厚为500nm的硅热氧化膜而粘贴了由COP等晶体缺陷密度极低的硅单晶(Nearly Perfect Crystal，NPC)所形成的厚度100nm的SOI层的SOI基板。在此SOI基板的SOI层上，利用PECVD(等离子体增强化学气相沉积，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)法沉积3μm的作为保护膜的氧化膜后，将此保护膜贴合至Tempax玻璃制强化基板上。
接着，通过研削及研磨使操作基板变薄至100μm，然后通过光刻在操作基板侧将蚀刻掩模图案化，并通过DRIE制成网状结构，最后进行HF处理去除从孔部露出的硅热氧化膜(BOX层)，并且剥离强化基板，再通过HF处理去除保护膜，从而完成防尘薄膜组件。此防尘薄膜组件中未观察到单晶硅防尘薄膜组件膜破损。图3是将如此所得的防尘薄膜组件的网状结构部放大表示的光学显微镜照片。像此照片所示，在单晶硅防尘薄膜组件膜甚至不存在弯曲，获得了优质的防尘薄膜组件膜。
工业上的可利用性
如上所述，根据本发明，可以提供一种具备对远紫外光(EUV光)具有高透过性且化学性质稳定的材料硅单晶膜作为防尘薄膜组件膜的光刻用防尘薄膜组件及其制造方法。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
(按照专利合作条约第19条的修改)
1.(删除)
2.(修改后)一种光刻用防尘薄膜组件，其包括：
支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及
单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着；
还包括被覆所述防尘薄膜组件膜的表面的抗氧化膜。
3.(修改后)如权利要求2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：所述抗氧化膜包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料。
4.(修改后)如权利要求2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：在所述支撑部件的框部设置了透过气体的过滤器。
5.(修改后)如权利要求2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：所述支撑部件包含硅晶体。
6.一种光刻用防尘薄膜组件的制造方法，所述光刻用防尘薄膜组件包括：支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着；所述制造方法包括支撑部件形成工序：
将在操作基板的表面上经由绝缘层而设置了单晶硅层的SOI基板的所述操作基板局部地去除，从而形成所述外框部和所述多孔部。
7.如权利要求6所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：局部地去除所述操作基板是通过硅DRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching)法进行干法蚀刻而实施。
8.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，去除露出在所述多孔部的绝缘层部分。
9.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，从所述操作基板的背面进行研磨，而使此操作基板形成为400μm以下的薄板。
10.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面设置强化基板。
11.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成保护膜。
12.如权利要求11所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述保护膜形成工序是通过沉积氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)中的任意一种膜来实施。
13.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成抗氧化膜。
14.如权利要求13所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的形成是通过沉积包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。
15.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，于露出在所述多孔部的单晶硅层部分形成抗氧化膜。
16.如权利要求15所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的形成是通过沉积包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。
17.如权利要求14或16所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的沉积是通过离子束辅助蒸镀法或辅助气体团簇离子束(GCIB)蒸镀法来实施。
18.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述外框部设置透过气体的过滤器。

Claims (18)

1.一种光刻用防尘薄膜组件，其包括：支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着。
2.如权利要求1所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：包括被覆所述防尘薄膜组件膜的表面的抗氧化膜。
3.如权利要求1或2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：所述抗氧化膜包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料。
4.如权利要求1或2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：在所述支撑部件的框部设置了透过气体的过滤器。
5.如权利要求1或2所述的光刻用防尘薄膜组件，其中：所述支撑部件包含硅晶体。
6.一种光刻用防尘薄膜组件的制造方法，所述光刻用防尘薄膜组件包括：支撑部件，其包含外框部和此外框部的内侧区域的多孔部；及单晶硅防尘薄膜组件膜，其由所述多孔部支撑着；所述制造方法包括支撑部件形成工序：
将在操作基板的表面上经由绝缘层而设置了单晶硅层的SOI基板的所述操作基板局部地去除，从而形成所述外框部和所述多孔部。
7.如权利要求6所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：局部地去除所述操作基板是通过硅DRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching)法进行干法蚀刻而实施。
8.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，去除露出在所述多孔部的绝缘层部分。
9.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，从所述操作基板的背面进行研磨，而使此操作基板形成为400μm以下的薄板。
10.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面设置强化基板。
11.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成保护膜。
12.如权利要求11所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述保护膜形成工序是通过沉积氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)中的任意一种膜来实施。
13.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之前，在设置了所述单晶硅层的一面形成抗氧化膜。
14.如权利要求13所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的形成是通过沉积包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。
15.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述支撑部件形成工序之后，于露出在所述多孔部的单晶硅层部分形成抗氧化膜。
16.如权利要求15所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的形成是通过沉积包含SiOx(含x＝2)、SixNy(含x∶y＝3∶4)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru及Rh的群中的至少一种材料形成的膜来实施。
17.如权利要求14或16所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其中：所述抗氧化膜的沉积是通过离子束辅助蒸镀法或辅助气体团簇离子束(GCIB)蒸镀法来实施。
18.如权利要求6或7所述的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其包括下述工序：在所述外框部设置透过气体的过滤器。
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