JP2010256434A - リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のリソグラフィ用ペリクルは、単結晶シリコンのペリクル膜10を備えており、当該ペリクル膜10は、外枠部20aと該外枠部20aの内側領域の多孔部20b(メッシュ構造)を有する支持部材20により支持されている。また、ペリクル膜10の表面の酸化を防止するために、単結晶シリコン膜が外部に露出される部分を被覆する酸化防止膜30a、30bが形成されている。支持部材20はSOI基板のハンドル基板を加工することにより得られ、単結晶シリコンのペリクル膜10はSOI基板のSOI層から得られる。ペリクル膜10は支持部材20と強固に結合しているから、十分な機械的強度を確保することができる。
【選択図】図2B
Description
直径200mm、厚み725μmのシリコン基板(ハンドル基板)の上に、COP等の結晶欠陥が極めて低密度のシリコン単結晶(Nearly Perfect Crystal: NPC)の厚み100nmのSOI層が、500nmの膜厚のシリコン熱酸化膜を介して貼り付けられているSOI基板を用いた以外は、上述の実施例2と同様の手順によりペリクルを完成させた。このペリクルでは、用いたSOI基板の単結晶シリコン層の厚みが100nmと薄いため、ペリクル膜の一部に破損が観察された。
20 支持部材
20a 外枠部
20b 多孔部
30a、30b 酸化防止膜
40 絶縁体層(BOX層)
50a、50b フィルタ
60 保護膜
70 エッチングマスク
80 補強基板
Claims (17)
- 外枠部と該外枠部の内側領域の多孔部を有する支持部材と、前記多孔部により支持された単結晶シリコンのペリクル膜とを備えているリソグラフィ用ペリクル。
- 前記ペリクル膜の表面を被覆する酸化防止膜を備えている請求項1に記載のリソグラフィ用ペリクル。
- 前記酸化防止膜は、SiOx(x=2を含む)、SixNy(x:y=3:4を含む)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru、Rhの群のうちの少なくとも1種の材料からなる請求項1又は2に記載のリソグラフィ用ペリクル。
- 前記支持部材の枠部に気体を透過するフィルタが設けられている請求項1乃至3の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクル。
- 前記支持部材はシリコン結晶からなる請求項1乃至4の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクル。
- 外枠部と該外枠部の内側領域の多孔部を有する支持部材と、前記多孔部により支持された単結晶シリコンのペリクル膜とを備えたリソグラフィ用ペリクルの製造方法であって、
ハンドル基板の表面上に絶縁層を介して単結晶シリコン層が設けられているSOI基板の前記ハンドル基板を部分的に除去して前記外枠部と前記多孔部とを形成する支持部材形成工程を備えているリソグラフィ用ペリクルの製造方法。 - 前記ハンドル基板の部分的除去を、シリコンDRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching)法によりドライエッチングして実行する請求項6に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程の後に、前記多孔部に露出された絶縁層部分を除去する工程を備えている請求項6又は7に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程に先立ち、前記ハンドル基板の裏面から研磨して該ハンドル基板を400μm以下に薄板化する工程を備えている請求項6乃至8の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程に先立ち、前記単結晶シリコン層が設けられている面に補強基板を設ける工程を備えている請求項6乃至9の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程に先立ち、前記単結晶シリコン層が設けられている面に保護膜を形成する工程を備えている請求項6乃至10の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記保護膜形成工程は、酸化珪素膜(SiOx)、窒化珪素膜(SiNx)、酸窒化珪素膜(SiOxNy)の何れかの膜を堆積することにより実行される請求項11に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程に先立ち、前記単結晶シリコン層が設けられている面に酸化防止膜を形成する工程を備えている請求項6乃至12の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記支持部材形成工程の後に、前記多孔部に露出された単結晶シリコン層部分に酸化防止膜を形成する工程を備えている請求項6乃至13の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記酸化防止膜の形成は、SiOx(x=2を含む)、SixNy(x:y=3:4を含む)、SiON、SiC、Y2O3、YN、Mo、Ru、Rhの群のうちの少なくとも1種の材料からなる膜を堆積することにより実行される請求項13又は14に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記酸化膜防止膜の堆積はイオンビーム援用蒸着法または援用ガス・クラスター・イオンビーム(GCIB)蒸着法により実行される請求項15に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
- 前記外枠部に気体を透過するフィルタを設ける工程を備えている請求項6乃至16の何れか1項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
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