JP2018536902A - Ｅｕｖリソグラフィのための膜 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、少なくとも１つのシリコン層と、シリコンと、ホウ素、リン、臭素から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、を含むスタックを備える膜。
【選択図】 図３

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年１２月１４日に出願された欧州特許第１５１９９８４５．７号、及び２０１６年４月６日に出願された欧州特許第１６１６３９６２．０号の優先権を主張する。これらは参照により本願に含まれる。

[0002] 本発明は、ＥＵＶリソグラフィのための膜、パターニングデバイスアセンブリ、及び動的ガスロックアセンブリに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。

[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。

但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。

[0006] 露光波長を短くするため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更には、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用され得ることも提案されている。そのような放射は、極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

[0007] リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを通して提供されるか又はパターニングデバイスを反射して、基板上に像を形成する。空中を浮遊する粒子又は他の形態の汚染からパターニングデバイスを保護するため、膜アセンブリを提供することができる。パターニングデバイスを保護するための膜アセンブリはペリクルと呼ばれることがある。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板に対して製造欠陥を引き起こす可能性がある。膜アセンブリは、境界と、この境界の横断方向に延びる膜と、を備え得る。

[0008] 使用時、膜は、例えば取付特徴部によってパターニングデバイスに対して固定する必要がある。取付特徴部が占める空間の量を低減させることが望ましい。また、膜が高い放射率及び低い欠陥確率（ｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｆａｉｌｉｎｇ）を有することも望ましい。

[0009] 本発明の一態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、少なくとも１つのシリコン層と、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、を含むスタックを備える膜が提供される。

[0010] 本発明の一態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、少なくとも１つのシリコン層と、膜の外面における、ルテニウムを含む少なくとも１つのキャッピング層と、各キャッピング層に隣接した、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む少なくとも１つのマイグレーション防止層と、を含むスタックを備える膜が提供される。

[0011] 本発明の一態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、少なくとも１つのシリコン層、及び／又は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、膜の外面における少なくとも１つのキャッピング層であって、各々が、遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、及び遷移金属酸化物から成る群から選択された材料を含むキャッピング層と、及び／又は、キャッピング層とシリコン層又はシリコン化合物層との間の少なくとも１つの遷移金属層であって、各々が、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷから成る群から選択された遷移金属を含む遷移金属層と、を含むスタックを備える膜が提供される。

[0012] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0013] 本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0014] リソグラフィ装置のより詳細な図である。 [0015] 本発明の一実施形態に係る膜アセンブリの一部を断面図で概略的に示す。 [0016] 本発明の一実施形態に係る膜アセンブリのロック機構を使用する段階を平面図で概略的に示す。 [0016] 本発明の一実施形態に係る膜アセンブリのロック機構を使用する段階を平面図で概略的に示す。 [0016] 本発明の一実施形態に係る膜アセンブリのロック機構を使用する段階を平面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。 [0017] 本発明の異なる実施形態に係る膜を断面図で概略的に示す。

[0018] 図１は、本発明の一実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。装置１００は、
− 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（又はイルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳとを含む。

[0019] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0020] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[0021] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに形成されるデバイス内の特定の機能層に対応していてもよい。

[0022] パターニングデバイスＭＡは、透過性又は反射性であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブル液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0023] 照明システムＩＬと同様、投影システムＰＳは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。従って、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0024] 本明細書で示すように、リソグラフィ装置１００は、反射タイプである。（例えば、反射マスクを使用する。）

[0025] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上の支持構造ＭＴ）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」リソグラフィ装置においては、追加の基板テーブルＷＴ（及び／又は追加の支持構造ＭＴ）は並行して使用するか、又は別の１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は別の１つ以上の他の支持構造ＭＴ）を露光に使用している間に１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は１つ以上の支持構造ＭＴ）上で予備工程を実行することができる。

[0026] 図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、例えば、キセノン、リチウム又はスズなど少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する材料を、プラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる方法では、所望の線発光元素を有する材料の小滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１中図示なし）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ_２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールＳＯとは別個の構成要素とすることができる。

[0027] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合においては、放射源は、ソースコレクタモジュールＳＯの一体部分であってもよい。

[0028] 照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、ファセットされたフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節して、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0029] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計装置、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

[0030] コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００の全体的な動作を制御し、具体的には、以下に詳しく説明する動作プロセスを行う。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入力及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続及びリソグラフィ装置１００の様々な部分に接続される１つ以上のインターフェイスを含む適切にプログラムされた汎用コンピュータとして組み込まれてよい。コンピュータの制御とリソグラフィ装置１００の制御との１対１の関係は必要でないことが理解されよう。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置１００を制御することができる。本発明のある実施形態では、複数のネットワーク化されたコンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置１００を制御することができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００が一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ以上の関連プロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されてもよい。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製造工場の全体的な制御システムに従属するように構成されてもよい。

[0031] 図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、プラズマ源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガス又は蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために放射放出プラズマ２１０が生成される。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。

[0032] 放射放出プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２へと進む。

[0033] コレクタチャンバ２１２は放射コレクタＣＯを含んでよい。放射コレクタＣＯを通り抜けた放射は、仮想光源点ＩＦで合焦することができる。仮想光源点ＩＦを一般的に中間焦点と呼び、ソースコレクタモジュールＳＯは、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口部２２１に又はその近くに配置されるように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。

[0034] その後、放射は照明システムＩＬを通り抜け、この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおけるパターン形成されていないビーム２１の所望の角度分布、並びにパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでよい。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにてパターン形成されていないビーム２１が反射すると、パターン形成されたビーム２６が形成され、このパターン形成されたビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８、３０を介して基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。

[0035] 一般に、示されているよりも多くの要素が照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在してよい。更に、図に示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示すより１〜６個多くの反射要素が投影システムＰＳ内に存在してよい。

[0036] 代替的に、ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。

[0037] 図１に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢを放出するように構成される。投影システムＰＳは、介在空間によって基板テーブルＷＴから離される。投影システムＰＳは、放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗ上に投影するように構成される。パターンは、放射ビームＢのＥＵＶ放射のためのものである。

[0038] 投影システムＰＳと基板テーブルＷＴとの間に介在する空間は、少なくとも部分的に排気することができる。介在する空間は、投影システムＰＳの位置において、使用される放射が基板テーブルＷＴへ向けて誘導される固体表面によって画定され得る。

[0039] 一実施形態において、リソグラフィ装置１００は動的ガスロックを備えている。動的ガスロックは膜アセンブリ８０を備えている。一実施形態において、動的ガスロックは、介在する空間内に位置付けられた膜アセンブリ８０によって覆われた中空部分を備えている。中空部分は放射経路の周りに位置している。一実施形態において、リソグラフィ装置１００は、中空部分の内側をガス流で流すように構成されたガス送風機を備えている。放射は膜アセンブリを通過した後、基板Ｗに入射する。

[0040] 一実施形態において、リソグラフィ装置１００は膜アセンブリ８０を備えている。上述のように、一実施形態において、膜アセンブリ８０は動的ガスロックのためのものである。この場合、膜アセンブリ８０はＤＵＶ放射をフィルタリングするためのフィルタとして機能する。これに加えて又はこの代わりに、一実施形態において膜アセンブリ８０は、ＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスＭＡのためのペリクルである。本発明の膜アセンブリ８０は、動的ガスロックのため、又はペリクルのため、又はスペクトル純度フィルタのような別の目的のために使用され得る。一実施形態において膜アセンブリ８０は、膜スタックとも呼ぶことができる膜４０を備えている。一実施形態において、膜は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも８０％を透過させるように構成されている。

[0041] 概念上、ＥＵＶ膜スタックは１以上の材料層から成る。これらの層は、（寿命全体にわたる）性能、信頼性、及びコストの面で最適な膜スタックとなる機能的要件を満たすように特定の順序で積層される。特定の機能的要件を有する層は、例えば、コア材料層（すなわち、膜又は膜スタックのコア層）、熱放射強化のための層、酸化バリア層、腐食バリア層、及び／又は処理エッチストップ層から選択することができる。単一の材料層が複数の機能的要件を満たすことも可能である（例えば、Ｒｕ層の場合の腐食バリア及び放射強化）。

[0042] ある実施形態では、パターニングデバイスＭＡを密封し、パターニングデバイスＭＡを浮遊粒子及び他の形態の汚染物質から保護するように膜アセンブリ８０を構成する。パターニングデバイスＭＡの表面が汚染されることによって、基板Ｗ上に製造欠陥が生じる可能性がある。例えば、ある実施形態では、粒子がリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡのステッピングフィールドに移動する可能性を低下させるようにペリクルを構成する。

[0043] パターニングデバイスＭＡが無防備なままである場合、汚染によってパターニングデバイスＭＡを洗浄又は廃棄する必要性が生じる可能性がある。パターニングデバイスＭＡの洗浄は貴重な製造時間を中断させ、パターニングデバイスＭＡの廃棄には費用がかかる。パターニングデバイスＭＡの交換も貴重な製造時間を中断させる。

[0044] 図３は、本発明の一実施形態に従った膜アセンブリ８０の一部を断面図で概略的に示す。膜アセンブリ８０はＥＵＶリソグラフィ用である。膜アセンブリ８０は膜４０を備えている。膜４０はＥＵＶ放射に対して放射性（ｅｍｉｓｓｉｖｅ）である。むろん、膜４０はＥＵＶ放射に対して１００％の放射率を持たない場合がある。しかしながら、膜は例えば少なくとも５０％の放射率を有し得る。図３に示されているように、一実施形態において膜４０は実質的に平面状である。一実施形態において、膜４０の面はパターニングデバイスＭＡの面に対して実質的に平行である。

[0045] 膜アセンブリ８０は、例えば方形、円形、又は矩形等の形状を有する。膜アセンブリ８０の形状は特に限定されない。膜アセンブリ８０の大きさは特に限定されない。例えば一実施形態において、膜アセンブリ８０の直径は約１００ｍｍから約５００ｍｍの範囲内であり、例えば約２００ｍｍである。

[0046] 図３に示されているように、一実施形態において、膜アセンブリ８０は境界８１を備えている。境界８１は膜４０を保持するように構成されている。境界８１は膜４０に機械的安定性を与える。境界８１は、膜４０がその平面形状から変形する可能性を低下させるように構成されている。一実施形態では、膜４０には製造中にプレテンション（ｐｒｅ−ｔｅｎｓｉｏｎ）が加えられる。境界８１は、リソグラフィ装置１００の使用中に膜４０が起伏のある形状にならないように膜４０の張力を維持するよう構成されている。一実施形態において、境界８１は膜４０の周囲に沿って延出している。膜４０の外周は（図３の図によれば）境界８１の上に位置決めされている。

[0047] 境界８１の厚さは特に限定されない。例えば一実施形態において、境界８１の厚さは少なくとも３００μｍであり、任意選択的に少なくとも４００μｍである。一実施形態において、境界８１の厚さは最大で１，０００μｍであり、任意選択的に最大で８００μｍである。一実施形態において、境界８１の幅は少なくとも１ｍｍであり、任意選択的に少なくとも２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも４ｍｍである。一実施形態において、境界８１の幅は最大で１０ｍｍであり、任意選択的に最大で５ｍｍであり、任意選択的に最大で４ｍｍである。

[0048] 図３に示されているように、一実施形態では、膜アセンブリ８０はフレームアセンブリ５０を備えている。フレームアセンブリ５０は境界８１に接続されている。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、最初は境界８１とは別個のコンポーネントとして製造され、その後で境界８１に接続される。例えば、膜４０と境界８１の組み合わせを一緒に製造し、一方でフレームアセンブリ５０を別個に製造すればよい。その後の製造ステップにおいて、フレームアセンブリ５０を境界８１に取り付けるか又は固定すればよい。

[0049] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０の幅は少なくとも２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも５ｍｍであり、任意選択的に少なくとも８ｍｍである。一実施形態において、フレームアセンブリ５０の幅は最大で２０ｍｍであり、任意選択的に最大で１０ｍｍであり、任意選択的に最大で８ｍｍである。

[0050] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０はフレーム５１を備えている。フレーム５１は、境界８１に接続されるフレームアセンブリ５０の一部である。一実施形態において、フレーム５１は境界８１と同じ材料で作製される。例えば一実施形態において、境界８１及びフレーム５１は双方ともシリコンを含む材料で作製される。一実施形態において、境界８１はシリコンで作製される。一実施形態において、フレーム５１はシリコンで作製される。一実施形態において、境界８１の熱膨張はフレーム５１の熱膨張と実質的に一致している。一実施形態において、フレーム５１は接着剤によって境界８１に取り付けられる。一実施形態において、接着剤の熱膨張はフレーム５１及び／又は境界８１の熱膨張と実質的に一致している。

[0051] 図３に示されているように、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡに取り付けるように構成されている。フレームアセンブリ５０は、パターニングデバイスＭＡに対する膜４０の位置を保持するためのものである。この実施形態はパターニングデバイスＭＡを参照して記載されているが、本発明は、パターニングデバイスＭＡとは異なるコンポーネントに接続する膜アセンブリ８０にも等しく適用可能である。

[0052] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、膜４０の面に対して垂直な方向で境界８１に接続されている。これは図３に示されている。図３において、膜４０の面は左側から右側へ、紙面内から紙面外の方向へ延出している。膜４０の面に対して垂直な方向は、図３の縦（すなわち上下）方向に相当する。フレームアセンブリ５０は境界８１の直下に接続されている。図３において、境界８１及びフレームアセンブリ５０は縦方向に整合されている。一実施形態において、境界８１とフレームアセンブリ５０との間の界面は、膜４０の面に対して実質的に平行な面内にある。

[0053] 一実施形態において、膜アセンブリ８０はパターニングデバイスＭＡから着脱可能に構成されている。これによってパターニングデバイスＭＡの中間検査を実行することが可能となる。一実施形態において、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡに対して繰り返し取り付け及び取り外しが行われるように構成されている。

[0054] 使用時、フレームアセンブリ５０は境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間にある。この配置は、フレームアセンブリが境界の半径方向外側に位置決めされている配置とは異なる。本発明の一実施形態は、パターニングデバイスＭＡに対して適切な位置に膜４０を保持するため必要である膜４０の周囲の空間の縮小を達成することが予想される。

[0055] 比較例に従った膜アセンブリは、境界の半径方向外側にフレームアセンブリを有する。このフレームアセンブリは、パターニングデバイスに対するフレームアセンブリの取り付け／取り外しを行うには半径方向にアクセスする必要がある。境界、フレームアセンブリ、及びフレームアセンブリにアクセスするための空間を収容するため、約１６ｍｍの空間が必要となり得る。

[0056] これに対して一実施形態では、フレームアセンブリ５０が境界８１の直下に位置決めされていることにより、境界８１及びフレームアセンブリ５０を収容するために必要な半径方向空間が縮小する。例えば一実施形態において、境界８１、フレームアセンブリ５０、及びフレームアセンブリ５０にアクセスするための空間を収容するために必要な半径方向空間は約１２ｍｍである。

[0057] 本発明の一実施形態は、パターニングデバイスＭＡの領域において取付特徴部のために必要な空間を縮小することが予想される。取付特徴部は、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡに取り付けるため使用される特徴部である。一実施形態において、取付特徴部は境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間に提供される。これは図３に示されており、以下で更に詳しく説明する。

[0058] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも１つの孔５２を備えている。一実施形態において、孔５２はフレームアセンブリ５０のフレーム５１内のキャビティ又はチャンバである。孔５２はスタッド６０を受容するように構成されている。スタッド６０はパターニングデバイスＭＡから突出している。

[0059] 図３は、パターニングデバイスＭＡに固定されたスタッド６０を示している。一実施形態において、スタッド６０は接着剤を用いてパターニングデバイスＭＡに貼り付けられている。あるいは、スタッド６０はパターニングデバイスＭＡと一体的に形成することも可能である。更に別の代替案として、スタッド６０は、最初はパターニングデバイスＭＡとは別個のコンポーネントとして製造し、その後、例えばねじのような接着剤以外の手段を用いてパターニングデバイスＭＡに固定することも可能である。

[0060] スタッド６０及び孔５２は取付特徴部である。一実施形態において、スタッド６０及び孔５２は境界８１とパターニングデバイスＭＡとの間に提供されている。これは、取付特徴部が境界８１の半径方向外側に位置決めされている以前から既知の配置とは異なる。

[0061] 図３に示されているように、一実施形態において孔５２は、膜４０の面に対して垂直な方向で見た場合、少なくとも部分的に境界８１と重複している。これは図３に示されており、孔５２は縦方向に見た場合、部分的に境界８１と重複している。図３を見ると、境界８１及び孔５２の双方を通って延出する縦線を引くことができる。

[0062] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０はロック機構５５を備えている。ロック機構５５は、フレームアセンブリ５０をスタッド６０にロックするように構成されている。一実施形態において、ロック機構５５は弾性部材５３を備えている。一実施形態において、ロック機構５５は孔５２ごとに弾性部材５３を備えている。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、例えば２、３、４、又はそれ以上の孔５２のような複数の孔５２を備えている。各孔５２に対応して弾性部材５３が提供されている。

[0063] 図３に示されているように、一実施形態において、弾性部材５３はばねを含む。例えば、ばねはコイルばね又は板ばねとすればよい。代替的な実施形態では、弾性部材５３はゴム等の弾性部材を備えている。代替的な実施形態では、弾性部材５３は屈曲部（ｆｌｅｘｕｒｅ）を備えている。屈曲部は、例えば放電加工プロセスを用いて機械加工することができる。

[0064] 図４から図６は、ロック機構５５の使用の段階を概略的に示す。図４から図６は平面図で示されている。図４は、孔５２内にスタッド６０を受容するようにスタッド６０上にフレームアセンブリ５０が位置決めされている初期状態を示す。図４に示すように、弾性部材５３は孔５２内に延出している。従ってスタッド６０は、孔５２内に受容された場合に弾性部材５３と接触することができる。弾性部材５３は、孔５２内に受容されたスタッド６０が弾性部材５３を膜４０の面内の方向へ押圧した場合に圧縮可能であるように構成されている。例えば図４において、スタッド６０は、弾性部材５３を図の右方向に押圧することができる。

[0065] 図３から図６に示されているように、一実施形態において、ロック機構５５は孔５２ごとにロック部材５４を備えている。ロック部材５４は、ロック部材５４が孔５２内に延出するロック位置へ移動できるように構成されている。ロック位置では、圧縮された弾性部材５３が、孔５２内に受容されたスタッド６０に対して、ロック部材５４の方へ力を加える。これは図４から図６のシーケンスに示されている。

[0066] 図４から図５への遷移に示されているように、スタッド６０及びフレームアセンブリ５０は、スタッド６０が弾性部材５３を押圧するように相対的に移動する。図５に示されているように、スタッド６０は弾性部材５３を圧縮する。

[0067] 図５から図６への遷移に示されているように、ロック部材５４は、ロック部材５４が孔５２内に延出するロック位置へ移動する。例えば図４から図６に示すように、一実施形態において、フレームアセンブリ５０は少なくとも１つのロックアパーチャ５６を備えている。ロック部材５４はロックアパーチャ５６を貫通する。

[0068] 図６は、ロック位置におけるロック部材５４を示している。弾性部材５３は、スタッド６０に対して、ロック部材５４の方向への力を加える。図５に示す状況では、スタッド６０が弾性部材５３を圧縮するにはフレームアセンブリ５０及び／又はスタッド６０に外力を加える必要がある。一度ロック部材５４がロック位置にくると（例えば図６に示すように）、外力を加える必要はなくなる。これは、ロック部材５４がスタッド６０及びフレームアセンブリ５０を相互に対して適切な位置に保持するからである。

[0069] 上述のように、スタッド６０は、境界８１の半径方向外側でなく境界８１の下に位置決めされている。このため、パターニングデバイスＭＡと膜４０との間の距離（スタンドオフ（ｓｔａｎｄｏｆｆ）としても知られる）の増大が必要となり得る。パターニングデバイスＭＡの表面と膜４０との間の距離は、実質的に、フレームアセンブリ５０と境界８１とを合わせた高さに相当する。一実施形態において、フレームアセンブリ５０と境界８１とを合わせた高さは少なくとも１ｍｍ、少なくとも２ｍｍ、任意選択的に少なくとも５ｍｍである。一実施形態において、フレームアセンブリ５０と境界８１とを合わせた高さは、最大で２０ｍｍ、任意選択的に最大で１０ｍｍ、任意選択的に最大で５ｍｍである。

[0070] 一実施形態において、弾性部材５３は、ステンレス鋼のような材料で作製されたばねを含む。一実施形態において、弾性部材５３は、弾性部材５３とは異なる材料で作製されたコンタクトパッド５７に接続されている。例えばコンタクトパッド５７は、スタッド６０及び／又はロック部材５４と同じ材料で作製することができる。一実施形態において、コンタクトパッド５７はチタンを含む。一実施形態において、ロック部材５４はチタンを含む。一実施形態において、スタッド６０はチタンを含む。チタンは延性接点（ｄｕｃｔｉｌｅ ｃｏｎｔａｃｔ）を与えることが知られている。しかしながら、代替的な実施形態では、コンタクトパッド５７、スタッド６０、及びロック部材５４に他の材料を使用できる。

[0071] 図４から図６に示されているように、一実施形態において、平面図における孔５２の断面積はスタッド６０の断面積よりも大きい。孔５２はスタッド６０に対してオーバーサイズである。一実施形態において、弾性部材５３は、エンドストップ（図には示されていない）に対して提供される。弾性部材５３は、（図４に示すように）平面図で見た場合、孔５２内に突出している。従って弾性部材５３は事実上、平面図における孔５２の断面積を小さくする。孔５２の残りの断面寸法はスタッド６０の寸法よりも大きい。従って、スタッド６０上でフレームアセンブリ５０を縦方向に移動させると、スタッド６０を孔５２内に受容することができる。フレームアセンブリ５０を弾性部材５３に対して横に押して、弾性部材５３を内側にゆがませる。ロック部材５４を配置してフレームアセンブリ５０が後方に曲がるのを防ぐ。一実施形態において、ロック部材５４はピンである。ロック部材５４は側方から又は上部から挿入することができる。ロック部材５４を挿入した後、フレームアセンブリ５０はパターニングデバイスＭＡにロックされる。

[0072] 一実施形態において、フレームアセンブリ５０は、フレームアセンブリ５０の周囲に均等に分布させた４つの孔５２を備えている。一実施形態において、フレームアセンブリ５０は境界８１と同様の形状を有し、膜４０の周囲に沿っている。図３は、孔５２の半径方向内側の弾性部材５３を示している。しかしながら、必ずしもそうとは限らない。弾性部材５３は、孔５２の半径方向外側にあるか、又は孔５２に対して半径方向内側にも外側にもない場合がある。孔５２は弾性部材５３とロック部材５４との間に位置決めされている。

[0073] 一実施形態において、弾性部材５３は膜アセンブリ８０の一方側で孔５２の半径方向内側にあるが、別の弾性部材５３は、膜アセンブリ８０の反対側で別の孔５２の半径方向外側にある。このため、パターニングデバイスＭＡに対する膜アセンブリ８０の１回の移動によって、パターニングデバイスＭＡの両側のスタッド６０が双方の弾性部材５２を圧縮することが可能となる。一実施形態において、膜アセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡに対する膜アセンブリ８０の１回の移動によって、対応する孔５２内に受容されたスタッド６０の全てが対応する弾性部材５２を圧縮するように構成されている。

[0074] 図４から図６に示すように、一実施形態において、ロック部材５４はゆるい部分（ｌｏｏｓｅ ｐａｒｔ）として提供されている。代替的な実施形態では、ロック部材５４をロック位置へスライドできるならば、ロック部材はフレームアセンブリ５０の残り部分と一体的とすることができる。

[0075] 一実施形態において、スタッド６０の（平面図における）直径は少なくとも１ｍｍであり、任意選択的に少なくとも２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも３ｍｍである。一実施形態において、スタッド６０の直径は最大で１０ｍｍであり、任意選択的に最大で５ｍｍであり、任意選択的に最大で３ｍｍである。

[0076] 上述のように、一実施形態では、弾性部材５３は圧縮されていない場合に孔５２内に延出している。一実施形態において、弾性部材５３が孔５２内に延出する距離は少なくとも０．１ｍｍであり、任意選択的に少なくとも０．２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも０．５ｍｍである。一実施形態において、弾性部材５３が孔５２内に延出する距離は最大で２ｍｍであり、任意選択的に最大で１ｍｍであり、任意選択的に最大で０．５ｍｍである。

[0077] 上述のように、孔５２の直径はスタッド６０の直径よりも大きい。一実施形態において、孔の直径はスタッド６０の直径よりも少なくとも０．２ｍｍ、任意選択的に少なくとも０．５ｍｍ、任意選択的に少なくとも１ｍｍ大きい。一実施形態において、孔５２の直径はスタッド６０の直径よりも最大で５ｍｍ、任意選択的に最大で２ｍｍ、任意選択的に最大で１ｍｍ大きい。一実施形態において、ロック部材５４の長さは少なくとも１ｍｍであり、任意選択的に少なくとも２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも４ｍｍである。

[0078] 一実施形態において、ロック部材５４の長さは最大で１０ｍｍであり、任意選択的に最大で５ｍｍであり、任意選択的に最大で４ｍｍである。一実施形態において、ロック部材５４の幅は少なくとも０．２ｍｍであり、任意選択的に少なくとも０．５ｍｍであり、任意選択的に少なくとも１ｍｍである。一実施形態において、ロック部材５４の幅は最大で５ｍｍであり、任意選択的に最大で２ｍｍであり、任意選択的に最大で１ｍｍである。

[0079] 本発明の一実施形態は、パターニングデバイスＭＡに対する膜アセンブリ８０の取り付け／取り外しに必要なツーリングステップ（ｔｏｏｌｉｎｇ ｓｔｅｐｓ）の低減を達成することが予想される。

[0080] 図７は、本発明の一実施形態に従った膜４０を断面図で概略的に示す。図７に示されているように、膜４０はスタックを含む。スタックは複数の層を含む。

[0081] 一実施形態において、スタックは少なくとも１つのシリコン層４１を含む。シリコン層４１はシリコンの一形態を含む。一実施形態において、スタックは少なくとも１つのシリコン化合物層４３を含む。シリコン化合物層４３は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された別の元素との化合物で作製される。しかしながら、他の元素も使用できる。具体的には、一実施形態において、シリコンと結合してシリコン化合物層４３を形成する元素は、シリコン層４１をドーピングするためのドーパント材料として使用できる任意の元素である。この実施形態は、単に便宜のため、シリコンと結合する元素としてホウ素を用いて記載する。この実施形態は、元素がホウ素であることに限定されない。

[0082] 一実施形態において、シリコン化合物層４３はホウ化シリコンを含む。ホウ化シリコンは化学式ＳｉＢ_ｘを有し、ｘは、３、４、６、１４、１５、４０等であり得る。ホウ化シリコンは金属特性を有する。具体的には、シリコン化合物層４３は、膜４０のＥＵＶ放射に対する放射率が増大するという金属の特性を有する。シリコン層４１のみで作製された膜は、おそらく約３％という低い放射率を有すると推測される。金属特性を有する金属又は化合物が膜４０に追加された場合、放射率は劇的に上昇する。

[0083] 金属は、ＥＵＶ吸収のために膜の実際の厚さを制限することがわかっている。シリコン膜層４３を提供することによって、本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置１００で使用するのに充分な放射率を有する膜４０に可能な厚さの増大を達成することが予想される。

[0084] 図７に示されているように、一実施形態においてシリコン化合物層４３は、シリコン層４１と、シリコンと結合してシリコン化合物層４３を形成する元素を含む非金属層４２との間の中間層として形成されている。例えば一実施形態において、非金属層４２はホウ素を含む。一実施形態において、ホウ素は炭化ホウ素の形態で提供される。しかしながら、代替的な形態のホウ素も使用可能である。

[0085] 一実施形態において、シリコン層４１は、最初は非金属層４２に隣接して提供される。非金属層４２内のホウ素はシリコン層４１内のシリコンを局所的にドーピングする。ホウ化シリコンが生成されてシリコン化合物層４３を形成する程度まで、ホウ素はシリコンをドーピングする。ドーピングされたシリコン内にシリコン原子よりもホウ素原子の方が多くなる、すなわちホウ化シリコンを形成するように、ホウ素はシリコンをドーピングする。

[0086] 一実施形態において、シリコン層４１及び非金属層４２は多層として提供されている。局所的に、膜４０が高温に耐えられるように、ケイ化ホウ素（ｂｏｒｏｎ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で膜４０を強化する（ラミネート効果によって、及びシリコン内ホウ素の放射硬化によって）ことができる。

[0087] 図７に示されているように、一実施形態においてスタックは、複数のシリコン層４１、複数の非金属層４２、及び、シリコン層４１及び非金属層４２の各対の間のシリコン化合物層４３を含む。

[0088] 図７に示されているように、一実施形態において、スタックは以下の順序で層を含む。非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２。これは多層スタックである。一実施形態において、スタックは非金属層４２を含み、次に、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２を含む４層のセットの繰り返しを含む。

[0089] 一実施形態において、各非金属層４２の厚さは少なくとも０．５ｎｍであり、任意選択的に少なくとも１ｎｍであり、任意選択的に少なくとも２ｎｍである。一実施形態において、各非金属層４２の厚さは最大で１０ｎｍであり、任意選択的に最大で５ｎｍであり、任意選択的に最大で２ｎｍである。

[0090] 一実施形態において、各シリコン化合物層４３の厚さは少なくとも０．５ｎｍであり、任意選択的に少なくとも１ｎｍであり、任意選択的に少なくとも２ｎｍである。一実施形態において、各シリコン化合物層４３の厚さは最大で１０ｎｍであり、任意選択的に最大で５ｎｍであり、任意選択的に最大で２ｎｍである。

[0091] 一実施形態において、各シリコン層４１の厚さは少なくとも２ｎｍであり、任意選択的に少なくとも５ｎｍであり、任意選択的に少なくとも８ｎｍである。一実施形態において、各シリコン層５１の厚さは最大で２０ｎｍであり、任意選択的に最大で１０ｎｍであり、任意選択的に最大で８ｎｍである。

[0092] ８ｎｍの厚さのシリコン層４１、２ｎｍの厚さの非金属層４２、及び２ｎｍの厚さのシリコン化合物層４３を含む図７に示されている実施形態は、ＥＵＶ放射に対する約９０％の放射率を達成することが予想される。

[0093] 図８は、スタックが、非金属層４２、シリコン化合物層４３、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２の順序で層を含む代替的な実施形態を示す。

[0094] 図８に示されているように、一実施形態において、膜４０はシリコン層４１を１つだけ含む。そのような実施形態では、シリコン層４１の厚さは少なくとも１０ｎｍ、任意選択的に少なくとも２０ｎｍ、任意選択的に少なくとも３８ｎｍであり得る。一実施形態において、単一のシリコン層４１の厚さは最大で１００ｎｍであり、任意選択的に最大で５０ｎｍであり、任意選択的に最大で３８ｎｍである。図８に示され、３８ｎｍの厚さのシリコン層４１、４ｎｍの厚さの非金属層４２、及び２ｎｍの厚さのシリコン化合物層４３を有する実施形態は、ＥＵＶ放射に対して約９０％の放射率を達成することが予想される。

[0095] 一実施形態において、スタック内のシリコン化合物層の合計の厚さは最大で約２０ｎｍである。合計の厚さが大きすぎないならば、金属及び金属特性を有する化合物は膜４０の放射率を向上させる。金属又は金属特性を有する化合物の層が厚すぎる場合、放射率は低下する可能性がある。

[0096] 図９は、膜４０の代替的な実施形態を概略的に示す。図９に示されているように、一実施形態においてスタックは、少なくとも１つのシリコン層４１、少なくとも１つのキャッピング層４６、及び少なくとも１つのマイグレーション防止層４７を備えている。一実施形態において、キャッピング層４６はルテニウムを含む。キャッピング層４６は膜４０の外面に設けられている。マイグレーション防止層４７は、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む。マイグレーション防止層４７は各キャッピング層４６に隣接している。

[0097] ルテニウムを含むキャッピング層４６は膜４０の放射率を向上させる。キャッピング層４６は膜４０が酸化する可能性を低下させる。キャッピング層４６は膜４０を水素ガスから保護するように構成されている。

[0098] リソグラフィ装置１００の使用中、膜４０は放射を吸収するため加熱する可能性がある。キャッピング層４６が加熱すると、キャッピング層４６の材料（例えばルテニウム）がマイグレーションを起こすことがある。マイグレーションは、キャッピング層４６内のイオンが徐々に移動することによって引き起こされる材料の輸送である。材料がマイグレーションを開始すると、材料はキャッピング層４６内でアイランドを形成し得る。材料がマイグレーションを開始すると、キャッピング層４６による酸化低減、水素ガスからの保護、放射率向上の効果が低下する。従って、リソグラフィ装置１００の使用中、膜４０は酸化し始めると共に放射率が低下する可能性がある。

[0099] マイグレーション防止層４７を提供することによって、キャッピング層４６のマイグレーションを低減させる。モリブデン及びチタンは、融点が比較的高く、ＵＶ放射に対して良好な放射率を有する金属である。チタン及びモリブデンは、加熱された場合にルテニウムほどマイグレーションを生じない。チタン及びモリブデンは、ルテニウムに対して良好な金属間接触を有する。キャッピング層４６に隣接したマイグレーション防止層４７を提供することによって、キャッピング層４６のマイグレーションを低減させる。この結果、リソグラフィ装置１００の使用中にキャッピング層４６が加熱した場合であっても、キャッピング層４６の良好な特性は高温でも維持される。

[00100] 図９に示されているように、一実施形態において、スタックは以下の順序で層を含む。膜４０の外面におけるルテニウムを含むキャッピング層４６、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層４７、シリコン層４１、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層４７、膜４０の他方の外面におけるルテニウムを含むキャッピング層４６。一実施形態において、ルテニウムを含むキャッピング層４６は、膜４０の双方の外面に提供されている。

[00101] 図１０は、マイグレーション防止層４７の使用とシリコン化合物層４３を使用する考えを組み合わせた、膜の代替的な実施形態を示す。

[00102] 図１０に示されているように、一実施形態において、スタックは以下の順序で層を含む。膜４０の外面におけるルテニウムを含むキャッピング層４６、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層４７、シリコン層４１、シリコン化合物層４３、及び非金属層４２。

[00103] 膜アセンブリ８０の製造中、炭化ホウ素層はシリコン層４１をエッチングプロセスから化学的に保護することができる。一実施形態において、膜４０は周期構造を含む。一実施形態において、周期は６．６ｎｍ又は６．７ｎｍに等しく設定されない。周期が６．７ｎｍであるか又は６．７ｎｍに近い場合、膜はＥＵＶ放射に対してミラーとして作用し得る。

[00104] シリコンは、ダイアモンド立方晶系結晶構造に結晶化し得る。一実施形態において、境界８１はシリコンの立方晶系結晶を含む。一実施形態において、境界８１は＜１００＞結晶学的方向を有する。

[00105] 一実施形態において、シリコン層４１は多結晶又はナノ結晶シリコンから形成される。多結晶又はナノ結晶シリコンは、もろい性質を有する。従って、多結晶又はナノ結晶シリコンから形成されたシリコン層４１を備えた膜４０は、膜アセンブリ８０が壊れた場合、多くの粒子に砕ける可能性がある。本発明の一実施形態は、膜アセンブリ８０の機械的特性の改善を達成することが予想される。

[00106] 多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンの各々はＥＵＶ放射に対して高い透過性を有する。多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンの各々は良好な機械的強度を有する。

[00107] しかしながら、シリコン層４１の膜が多結晶又はナノ結晶シリコンから形成されることは必須ではない。例えば代替的な実施形態において、シリコン層４１は、多格子膜（ｍｕｌｔｉ−ｌａｔｔｉｃｅ ｍｅｍｂｒａｎｅ）又は窒化ケイ素から形成される。

[00108] 別の代替的な実施形態において、シリコン層４１は単結晶シリコンから形成される。そのような実施形態において、単結晶シリコン膜はシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技法によって形成することができる。この製品の出発材料はいわゆるＳＯＩ基板である。ＳＯＩ基板は、埋め込み隔離ＳｉＯ_２層の上に薄い単結晶シリコン層を備えたシリコンキャリア基板を含む基板である。一実施形態において、単結晶シリコン層の厚さは約５ｎｍ〜約５μｍの範囲とすることができる。一実施形態では、ＳＯＩ基板を製造方法において使用する前に、ＳＯＩ基板上にシリコン層４１が存在する。

[00109] 一実施形態において、シリコン層４１は、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン、又はナノ結晶シリコンのような同素体の形態のうち１つのシリコンを含む。ナノ結晶シリコンは、特定のアモルファスシリコン含有量を含む多結晶シリコンマトリックスを意味している。一実施形態において、多結晶又はナノ結晶シリコンは、シリコン層４１においてアモルファスシリコンを結晶化させることにより形成される。例えば一実施形態において、シリコン層４１はアモルファスシリコン層としてスタックに追加される。特定の温度を超えると、アモルファスシリコン層は多結晶層又はナノ結晶シリコン層に結晶化する。例えば、アモルファスシリコン層としてのシリコン層４１は、多結晶層又はナノ結晶シリコン層としてのシリコン層４１に変わる。

[00110] 一実施形態において、アモルファスシリコン層は成長中にインシチュ（ｉｎ ｓｉｔｕ）ドーピングされる。一実施形態において、アモルファスシリコン層は成長後にドーピングされる。ｐ型又はｎ型ドーパントを加えることによって、シリコン伝導率は上昇し、これはＥＵＶ放射源のパワーのため熱機械挙動に対してプラスの効果を有する。

[00111] 一実施形態において、膜４０は、ＥＵＶ放射に対する透過率が充分に高い、例えば５０％よりも大きいような充分な薄さである。一実施形態において、膜４０の厚さは最大で約２００ｎｍであり、任意選択的に最大で約１５０ｎｍである。１５０ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約７７％を透過する。一実施形態において、膜４０の厚さは最大で約１００ｎｍである。１００ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約８４％を透過する。６０ｎｍのＳｉ膜は入射するＥＵＶ放射の約９０％を透過する。

[00112] 一実施形態において、膜４０は、膜アセンブリ８０をリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡに固定する時及びリソグラフィ装置１００の使用中に機械的に安定する充分な厚さである。一実施形態において、膜４０の厚さは少なくとも約１０ｎｍであり、任意選択的に少なくとも約２０ｎｍであり、任意選択的に少なくとも約３５ｎｍである。一実施形態において、膜４０の厚さは約５５ｎｍである。

[00113] 図１１から図１３は、本発明に従った膜４０の異なる実施形態を断面図で概略的に示す。膜４０を設計する場合、膜４０の厚さ、その安定性、及びそのロバスト性の間にはトレードオフがある。

[00114] 図１１に示されているように、一実施形態において膜４０は、２つのキャッピング層４６に挟まれたシリコン層４１を備えている。一実施形態において、シリコン層４１はポリシリコンを含む。一実施形態において、２つのキャッピング層４６には同一の（キャッピング）材料が使用される。しかしながら、必ずしもそうとは限らない。代替的な実施形態では、キャッピング層４６の一方に使用される材料はキャッピング層４６の他方に使用される材料とは異なる。

[00115] 一実施形態において、キャッピング層４６は膜４０の外面にある。従って一実施形態では、スタックは、膜４０の外面におけるキャッピング層４６、シリコン層４１、遷移金属のシリサイドを含むキャッピング層３６の順序で層を含む。

[00116] 一実施形態において、キャッピング層４６は遷移金属のシリサイドを含む。具体的な遷移金属は、特に限定されないが、例えばＺｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷとすればよい。

[00117] 遷移金属のシリサイドは、ＥＵＶ放射の極めて高い割合を透過させる。ＥＵＶ放射に対する膜４０の透過はできる限り高いことが望ましい。一実施形態において、スタックの材料は、波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ放射に対する消衰係数（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｋが０．０１７５未満であるように選択される。

[00118] 消衰係数ｋはＥＵＶ透過に関連している。ＥＵＶ放射が媒質を通過する場合、ＥＵＶ放射の一部は減衰される。これは便宜上、複素屈折率

を定義することによって考慮することができる。

[00119] ここで、複素屈折率の実部ｎは屈折率であり、位相速度を示す。消衰係数ｋは複素屈折率の虚部である。消衰係数ｋは、電磁波が材料を伝搬した場合の減衰量を示す。

[00120] 上記の記載において、消衰係数ｋの値は、波長が１３．５ｎｍの放射に対して与えられる。この値と所与の材料厚さを用いて、膜４０内の層のＥＵＶ透過／吸収を計算することができる。特定の値の消衰係数ｋ＝０．０１７５を有する材料の層では、４ｎｍの厚さの層はＥＵＶ放射の６％を吸収する（すなわち、６％ＥＵＶ透過損失）。

[00121] キャッピング層４６が遷移金属シリサイドを含むことは必須ではない。代替的な実施形態において、キャッピング層４６の一方又は双方は、遷移金属のホウ化物、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の酸化物、又は純粋な形態の遷移金属を含む。

[00122] 表１は、選択された適切なキャッピング層材料について、融点の値、熱膨張係数（ＣＴＥ）、膜の抵抗、ＥＵＶ放射透過、６％ＥＵＶ透過損失に対応するキャッピング層厚さｄ（単位はｎｍ）、波長が１３．５ｎｍである放射の複素屈折率の実部ｎ、波長が１３．５ｎｍである放射に対する消衰係数ｋの値を、ＥＵＶ透過値の大きい順に示す。

[00123] 適切なキャッピング層材料の例は、（９９．８％から９４．６％までＥＵＶ透過値の大きい順に）Ｓｉ、Ｙ、ＹＳｉ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、Ｚｒ、ＹＢ６、ＮｂＳｉ３、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、ＺｒＢ２、Ｌａ、ＣｅＳｉ２、Ｂ４Ｃ、Ｎｂ、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＢ２、ＺｒＣ、Ｃｅ、Ｍｏ、ＣｅＣ２、ＹＮ、ＬａＣ２、ＭｏＢ、ＬａＮ、Ｃ、Ｍｏ２Ｃ、ＮｂＣ、ＴｉＳｉ２、Ｒｕ２Ｓｉ３、Ｓｉ３Ｎ６、ＢＮ、ＺｒＮ、ＶＳｉ２、ＣｅＮ、ＲｕＢ２、ＮｂＮ、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＮ、ＴｉＢ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＳｉ２、Ｔｉ、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＭｏＯ３、ＴｉＣ、ＲｕＣ、ＳｉＣｒ、Ｒｕ、ＷＢ２、ＶＢ２、ＴａＳｉ２、ＣｅＯ２、ＴｉＮ、ＲｕＮ、ＲｕＯ２、ＴｉＯ３、ＶＣ、Ｖ、ＴａＢ２、ＶＮ、ＷＣ、ＣｒＢ、ＴｉＷ、ＣｒＮ、Ｗ、ＨｆＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＮ、ＴａＣ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＮ、Ｃｒ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ、及びＰｔである。

[00124] 融点、抵抗、ＥＵＶ透過、屈折率ｎ、及び消衰係数ｋの最適な組み合わせを与え得る好適なキャッピング層材料は、例えば、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＳｉ３、Ｚｒ、ＹＳｉ２、ＣｅＳｉ２、Ｙ、ＣｅＣ２、ＬａＣ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＢ２、Ｎｂ、ＬａＮ、ＹＣ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、ＹＢ６、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、Ｌａ、Ｂ４Ｃ、Ｃｅ、ＣｅＮ、Ｒｕ２Ｓｉ３、ＹＮ、ＺｒＣ、ＮｂＢ２、ＮｂＣ、Ｍｏ２Ｃ、ＭｏＢ、及びＭｏである。

[00125] 遷移金属のシリサイドは、遷移金属のホウ化物、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の酸化物、又は純粋な形態の遷移金属に比べ、ＥＵＶ放射を高い割合で透過させる。

[00126] ＥＵＶ透過特性に関して、膜４０に可能な材料は、ＥＵＶ放射を透過させる割合が最も高い材料から順に、以下のランキングとなっている。遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、純粋な遷移金属、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、遷移金属酸化物。遷移金属によるが、純粋な遷移金属は遷移金属ホウ化物よりも優れている場合がある。遷移金属によるが、遷移金属炭化物は純粋な遷移金属よりも優れている場合がある。遷移金属の炭化物の一例は炭化モリブデンである。

[00127] 更に、遷移金属のシリサイドは特に望ましいＥＵＶ反射特性を有する。ＥＵＶ反射（すなわち、膜４０の表面で反射されるＥＵＶ放射の割合）は、できる限り低いことが望ましい。遷移金属のシリサイドは、遷移金属の酸化物、遷移金属のホウ化物、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、又は純粋な形態の遷移金属に比べ、ＥＵＶ放射を反射させる割合が低い。

[00128] 一実施形態において、膜４０のスタックの材料は、波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ放射に対するスタックの屈折率が０．９５よりも大きいように選択される。１に近い屈折率は、膜４０の界面でのＥＵＶ反射を制限する。

[00129] ＥＵＶ反射特性に関して、膜４０に可能な材料は、ＥＵＶ放射を反射する割合が最も低い材料から順に、以下のランキングとなっている。遷移金属シリサイド、遷移金属酸化物、純粋な遷移金属、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物。しかしながら、遷移金属酸化物、純粋な遷移金属、遷移金属ホウ化物、及び遷移金属炭化物の間に、ＥＵＶ放射特性に関して著しい差はない。

[00130] 膜４０の抵抗は低いことが望ましい。特に、キャッピング層４６の抵抗は低いことが望ましい。これは、伝導性（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ）コーティングによって膜４０の抵抗増大が起こり得るからである。遷移金属のシリサイドは、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、又は遷移金属の酸化物よりも低い抵抗を有する。

[00131] 一実施形態において、キャッピング層４６の材料は、キャッピング層４６の抵抗が１０^−３Ωｍ未満であるように選択される。

[00132] 抵抗に関して、膜４０に可能な材料は、抵抗が最も低い材料から順に、以下のランキングとなっている。純粋な遷移金属、遷移金属ホウ化物、遷移金属シリサイド、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、遷移金属酸化物。

[00133] 膜４０の使用中、膜４０は最高で約６００℃の動作温度に達し得る。従って、膜４０のスタックに使用される材料の融点は高いことが望ましい。一実施形態において、スタックの材料は、融点が１２００℃よりも高いように選択される。

[00134] 融点に関して、膜４０に可能な材料は、融点が最も高い材料から順に、以下のランキングとなっている。遷移金属炭化物、遷移金属ホウ化物、遷移金属窒化物、純粋な遷移金属、遷移金属酸化物、遷移金属シリサイド。遷移金属によるが、遷移金属ホウ化物は遷移金属炭化物よりも高い融点を有する場合がある。遷移金属によるが、遷移金属酸化物は純粋な遷移金属よりも高い融点を有する場合がある。

[00135] 一実施形態において、シリコン層４１以外の層の材料は、熱膨張係数がシリコン層４１の熱膨張係数に近いように選択される。シリコン層４１の熱膨張係数は約２．６×１０^−６ｍ／ｍＫの範囲内であり得る。熱膨張係数を膜４０のコアにおけるシリコン層４１のものに一致させると、膜４０の熱機械的故障の可能性が低下する。一実施形態において、スタックの材料は、熱膨張係数が約２×１０^−６ｍ／ｍＫから約６×１０^−６ｍ／ｍＫの範囲内となるように選択される。

[00136] 熱膨張係数に関して、膜４０に可能な材料のランキングは、具体的な化合物に大きく依存する。

[00137] 図１２に示されているように、一実施形態において、シリコン層４１とキャッピング層４６のうち１つとの間に遷移金属層４８が提供されている。遷移金属層４８は遷移金属を含む。例えば遷移金属は、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷとすればよい。一実施形態において、遷移金属層４８の遷移金属は純粋な形態で提供される（すなわち、遷移金属のシリサイド、ホウ化物、炭化物、窒化物、又は酸化物ではない）。従って、一実施形態において膜４０のスタックは、キャッピング層４６、遷移金属層４８、シリコン層、及びキャッピング層４６を順番に含む。

[00138] 一実施形態において、キャッピング層４６は、遷移金属のホウ化物、炭化物（例えば炭化モリブデン）、窒化物、又は酸化物を含む。遷移金属層４８の遷移金属は、遷移金属キャッピング層４６と同一であり得る。代替的な実施形態では、遷移金属層４８の遷移金属はキャッピング層４６に使用されている遷移金属とは異なる。

[00139] 図１３に示されているように、一実施形態では、シリコン層４１の両側に遷移金属層４８が提供されている。遷移金属層４８は、シリコン層４１とキャッピング層４６の各々との間に提供されている。従って、一実施形態において膜４０のスタックは、キャッピング層４６、遷移金属層４８、シリコン層、遷移金属層４８、及びキャッピング層４６を順番に含む。

[00140] 膜４０にどの材料を使用するか選択する場合、上記で識別された特性、すなわちＥＵＶ透過、ＥＵＶ反射、融点、熱膨張係数、及び抵抗の間には、トレードオフがある。

[00141] 上記で特定した基準を用いたキャッピング層４６に基づく、膜４０に可能なスタックのランキングを、表２にまとめることができる。１は最良の順位を示し、２は次に良い順位を示す等となっている。異なるスタックに同じ順位が与えられている場合（例えば、順位２が与えられた３つの異なるスタックが存在する）、それらのスタックは等しく良好であるとみなされる。この表において、Ｍは遷移金属を表し、ｐＳｉ（コア）は膜４０のコアにおけるシリコン層４１としてのポリシリコンを表す。符号「／」は、１つの層が終端し別の層が開始する場所を表す。

[00142] 一実施形態において、ホウ化物は非伝導性（ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）である（例えばＢ）。一実施形態において、炭化物は非伝導性である（例えばＢ_４Ｃ又はＳｉＣ）。一実施形態において、窒化物は非伝導性である（例えばＳｉＮ）。上に列挙したキャッピング層材料はいずれも、表２に示した組み合わせにおいて適切であり得る。４５０℃までの温度において熱的、機械的、及び化学的に（例えばＥＵＶ放射及びＨ２暴露に）耐えられる、そのような膜スタックの例は、例えばＺｒＯ２／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｍｏ／Ｒｕ、及びＢ／（ＳｉＮ）／ｐＳｉ／（ＳｉＮ）／Ｍｏ／Ｂである。例えば、Ｂ／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｚｒ／Ｂのスタックでは、キャップ層の組み合わせＺｒ及びＢによって、ＥＵＶ反射（ＥＵＶＲ）に対する膜の感度が０．０４％未満まで低下すると共に、８７〜８８％のＥＵＶ透過が可能となった。膜スタックＢ／ｐＳｉ／Ｂ／Ｚｒ／Ｂスタックでは、Ｂはキャッピング層であるが、拡散バリア層としても機能し、Ｚｒは放出層である。

[00143] 一実施形態において、膜４０のスタックは拡散バリア層を含む。拡散バリア層の厚さは、ＥＵＶ損失を最小限に抑えるため、好ましくは１ｎｍ未満である。拡散バリア層は、遷移金属層４８とシリコン層４１又はシリコン化合物層４３との間にある。拡散バリア層は、遷移金属層４８の遷移金属とシリコン層４１又はシリコン化合物層４３との間の混合及び／又は反応を低減させるように構成されている。例えば一実施形態において、拡散バリア層は、遷移金属とその下にあるシリコンコア材料との間のケイ素化を低減又は防止するように構成されている。遷移金属とシリコンとの間の混合又は反応は、膜４０の特性を望ましくないように変化させ得る。例えば、膜４０の放射率が望ましくないように低下する及び／又は膜４０の物理的応力が変化する可能性がある。

[00144] 一実施形態において、拡散バリア層は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、並びに、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、及びＷのいずれかの窒化物から成る群から選択された材料を含む。

一実施形態において、膜アセンブリ８０は、ペリクルとして又は動的ガスロックの一部として適用される。あるいは、膜アセンブリ８０は、照明等の他のフィルタ（ｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）エリアにおいて、又はビームスプリッタのために適用することができる。一実施形態において、動的ガスロックは、リソグラフィ装置１００内のデブリを阻止するように構成されている。一実施形態において、動的ガスロックは投影システムＰＳと基板Ｗとの間に位置決めされている。動的ガスロックは、基板Ｗから又は基板Ｗの近傍からの粒子が投影システムＰＳ内の又は投影システムＰＳの周囲の光学コンポーネントに到達する可能性を低下させる。同様に、動的ガスロックは照明システムＩＬを保護することができる。代替的な実施形態では、動的ガスロックは仮想光源点ＩＦに位置決めされる。例えば動的ガスロックは、ソースコレクタモジュールＳＯと照明システムＩＬとの間に位置決めされ得る。

[00145] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00146] 本発明の特定の実施形態について上述したが、本発明は記載したもの以外でも実施され得ることは認められよう。例えば、様々なフォトレジスト層は、同一の機能を実行する非フォトレジスト層で置き換えることも可能である。

[00147] 上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。従って、以下に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して改変を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

[00147] 上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。従って、以下に示す特許請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載された本発明に対して改変を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
［条項１]
ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、
少なくとも１つのシリコン層と、
シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、
を含むスタックを備える膜。
［条項２]
前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、条項１に記載の膜。
［条項３]
前記スタックは、
複数のシリコン層と、
複数の非金属層と、
シリコン層及び非金属層の各対の間のシリコン化合物層と、
を含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、条項１又は２に記載の膜。
［条項４]
前記スタックは層を、
非金属層、
シリコン化合物層、
シリコン層、
シリコン化合物層、
非金属層、
シリコン化合物層、
シリコン層、
シリコン化合物層、
非金属層、
シリコン化合物層、
シリコン層、
シリコン化合物層、
非金属層、
という順序で含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、条項１から３のいずれかに記載の膜。
［条項５]
前記スタックは層を、
非金属層、
シリコン化合物層、
シリコン層、
シリコン化合物層、
非金属層、
という順序で含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、条項１から３のいずれかに記載の膜。
［条項６]
前記スタック内のシリコン化合物（複数のシリコン化合物層）の合計の厚さは最大で約２０ｎｍである、条項１から５のいずれかに記載の膜。
［条項７]
各シリコン化合物層は少なくとも１ｎｍの厚さを有する、条項１から６のいずれかに記載の膜。
［条項８]
前記スタックは、
前記膜の外面における、ルテニウムを含む少なくとも１つのキャッピング層と、
各キャッピング層に隣接した、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む少なくとも１つのマイグレーション防止層と、
を含む、条項１から７のいずれかに記載の膜。
［条項９]
ルテニウムを含むキャッピング層は前記膜の双方の外面にある、条項８に記載の膜。
［条項１０]
前記スタックは、
前記膜の外面における少なくとも１つのキャッピング層であって、各々が、遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、及び遷移金属酸化物から成る群から選択された材料を含むキャッピング層を含む、条項１から７のいずれかに記載の膜。
［条項１１]
前記キャッピング層材料は、Ｓｉ、Ｙ、ＹＳｉ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、Ｚｒ、ＹＢ６、ＮｂＳｉ３、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、ＺｒＢ２、Ｌａ、ＣｅＳｉ２、Ｂ４Ｃ、Ｎｂ、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＢ２、ＺｒＣ、Ｃｅ、Ｍｏ、ＣｅＣ２、ＹＮ、ＬａＣ２、ＭｏＢ、ＬａＮ、Ｃ、Ｍｏ２Ｃ、ＮｂＣ、ＴｉＳｉ２、Ｒｕ２Ｓｉ３、Ｓｉ３Ｎ６、ＢＮ、ＺｒＮ、ＶＳｉ２、ＣｅＮ、ＲｕＢ２、ＮｂＮ、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＮ、ＴｉＢ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＳｉ２、Ｔｉ、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＭｏＯ３、ＴｉＣ、ＲｕＣ、ＳｉＣｒ、Ｒｕ、ＷＢ２、ＶＢ２、ＴａＳｉ２、ＣｅＯ２、ＴｉＮ、ＲｕＮ、ＲｕＯ２、ＴｉＯ３、ＶＣ、Ｖ、ＴａＢ２、ＶＮ、ＷＣ、ＣｒＢ、ＴｉＷ、ＣｒＮ、Ｗ、ＨｆＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＮ、ＴａＣ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＮ、Ｃｒ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ、及びＰｔから選択される、条項１０に記載の膜。
［条項１２]
前記キャッピング層材料は、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＳｉ３、Ｚｒ、ＹＳｉ２、ＣｅＳｉ２、Ｙ、ＣｅＣ２、ＬａＣ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＢ２、Ｎｂ、ＬａＮ、ＹＣ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、ＹＢ６、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、Ｌａ、Ｂ４Ｃ、Ｃｅ、ＣｅＮ、Ｒｕ２Ｓｉ３、ＹＮ、ＺｒＣ、ＮｂＢ２、ＮｂＣ、Ｍｏ２Ｃ、ＭｏＢ、及びＭｏから選択される、条項１０及び１１に記載の膜。
［条項１３]
前記スタックは、
キャッピング層と前記シリコン層との間の少なくとも１つの遷移金属層であって、各々が、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷから成る群から選択された遷移金属を含む遷移金属層を含む、条項１０に記載の膜。
［条項１４]
前記スタックは、
前記遷移金属層と前記シリコン層との間の拡散バリア層であって、前記遷移金属層の遷移金属と前記シリコン層との間の混合及び／又は反応を低減させるように構成されている拡散バリア層を含む、条項１１に記載の膜。
［条項１５]
前記拡散バリア層は、Ｂ、Ｂ _４ Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、並びに、Ｂ、Ｂ _４ Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、及びＷのいずれかの窒化物から成る群から選択された材料を含む、条項１２に記載の膜。
［条項１６]
ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、
少なくとも１つのシリコン層と、
前記膜の外面における、ルテニウムを含む少なくとも１つのキャッピング層と、
各キャッピング層に隣接した、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む少なくとも１つのマイグレーション防止層と、
を含むスタックを備える膜。
［条項１７]
ルテニウムを含むキャッピング層は前記膜の双方の外面にある、条項１４に記載の膜。
［条項１８]
前記スタックは層を、
前記膜の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
シリコン層、
モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
前記膜の他方の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
という順序で含む、条項１５に記載の膜。
［条項１９]
前記スタックは、
シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層を含む、条項１４又は１５に記載の膜。
［条項２０]
前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、条項１７に記載の膜。
［条項２１]
前記スタックは層を、
前記膜の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
シリコン層、
シリコン化合物層、
非金属層、
という順序で含み、前記シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製され、
前記非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含む、条項１７又は１８に記載の膜。
［条項２２]
ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、
少なくとも１つのシリコン層、及び／又は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、
前記膜の外面における少なくとも１つのキャッピング層であって、各々が、遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、及び遷移金属酸化物から成る群から選択された材料を含むキャッピング層と、及び／又は、
キャッピング層と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の少なくとも１つの遷移金属層であって、各々が、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷから成る群から選択された遷移金属を含む遷移金属層と、
を含むスタックを備える膜。
［条項２３]
ＺｒＯ２／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｍｏ／Ｒｕのスタックを含む、条項２０に記載の膜。
［条項２４]
Ｂ／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｍｏ／Ｂのスタックを含む、条項２０に記載の膜。
［条項２５]
前記スタックは、
前記遷移金属層と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の拡散バリア層であって、前記遷移金属層の遷移金属と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の混合及び／又は反応を低減させるように構成されている拡散バリア層を含む、条項２０に記載の膜。
［条項２６]
前記拡散バリア層は、Ｂ、Ｂ _４ Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、並びに、Ｂ、Ｂ _４ Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、及びＷのいずれかの窒化物から成る群から選択された材料を含む、条項２１に記載の膜。
［条項２７]
前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、条項２０から２２のいずれかに記載の膜。
［条項２８]
各シリコン化合物層は少なくとも１ｎｍの厚さを有する、条項１７から２３のいずれかに記載の膜。
［条項２９]
２００ｎｍ以下の厚さを有する、条項１４から１９又は２４のいずれかに記載の膜。
［条項３０]
条項１から２９のいずれかの膜を含む、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリ。
［条項３１]
条項１から２９のいずれかの膜を含む、ＥＵＶリソグラフィのための動的ガスロックアセンブリ。

Claims (31)

1. ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、
   少なくとも１つのシリコン層と、
   シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、
   を含むスタックを備える膜。
2. 前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、請求項１に記載の膜。
3. 前記スタックは、
   複数のシリコン層と、
   複数の非金属層と、
   シリコン層及び非金属層の各対の間のシリコン化合物層と、
   を含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
   各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、請求項１又は２に記載の膜。
4. 前記スタックは層を、
   非金属層、
   シリコン化合物層、
   シリコン層、
   シリコン化合物層、
   非金属層、
   シリコン化合物層、
   シリコン層、
   シリコン化合物層、
   非金属層、
   シリコン化合物層、
   シリコン層、
   シリコン化合物層、
   非金属層、
   という順序で含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
   各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、請求項１から３のいずれかに記載の膜。
5. 前記スタックは層を、
   非金属層、
   シリコン化合物層、
   シリコン層、
   シリコン化合物層、
   非金属層、
   という順序で含み、各非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含み、
   各シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製されている、請求項１から３のいずれかに記載の膜。
6. 前記スタック内のシリコン化合物（複数のシリコン化合物層）の合計の厚さは最大で約２０ｎｍである、請求項１から５のいずれかに記載の膜。
7. 各シリコン化合物層は少なくとも１ｎｍの厚さを有する、請求項１から６のいずれかに記載の膜。
8. 前記スタックは、
   前記膜の外面における、ルテニウムを含む少なくとも１つのキャッピング層と、
   各キャッピング層に隣接した、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む少なくとも１つのマイグレーション防止層と、
   を含む、請求項１から７のいずれかに記載の膜。
9. ルテニウムを含むキャッピング層は前記膜の双方の外面にある、請求項８に記載の膜。
10. 前記スタックは、
    前記膜の外面における少なくとも１つのキャッピング層であって、各々が、遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、及び遷移金属酸化物から成る群から選択された材料を含むキャッピング層を含む、請求項１から７のいずれかに記載の膜。
11. 前記キャッピング層材料は、Ｓｉ、Ｙ、ＹＳｉ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、Ｚｒ、ＹＢ６、ＮｂＳｉ３、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、ＺｒＢ２、Ｌａ、ＣｅＳｉ２、Ｂ４Ｃ、Ｎｂ、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＢ２、ＺｒＣ、Ｃｅ、Ｍｏ、ＣｅＣ２、ＹＮ、ＬａＣ２、ＭｏＢ、ＬａＮ、Ｃ、Ｍｏ２Ｃ、ＮｂＣ、ＴｉＳｉ２、Ｒｕ２Ｓｉ３、Ｓｉ３Ｎ６、ＢＮ、ＺｒＮ、ＶＳｉ２、ＣｅＮ、ＲｕＢ２、ＮｂＮ、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＮ、ＴｉＢ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＳｉ２、Ｔｉ、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＭｏＯ３、ＴｉＣ、ＲｕＣ、ＳｉＣｒ、Ｒｕ、ＷＢ２、ＶＢ２、ＴａＳｉ２、ＣｅＯ２、ＴｉＮ、ＲｕＮ、ＲｕＯ２、ＴｉＯ３、ＶＣ、Ｖ、ＴａＢ２、ＶＮ、ＷＣ、ＣｒＢ、ＴｉＷ、ＣｒＮ、Ｗ、ＨｆＯ２、Ｃｒ３Ｃ２、ＷＮ、ＴａＣ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＮ、Ｃｒ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ、及びＰｔから選択される、請求項１０に記載の膜。
12. 前記キャッピング層材料は、ＣｅＢ６、ＬａＢ６、ＮｂＳｉ３、Ｚｒ、ＹＳｉ２、ＣｅＳｉ２、Ｙ、ＣｅＣ２、ＬａＣ２、ＬａＳｉ２、ＺｒＢ２、Ｎｂ、ＬａＮ、ＹＣ２、ＺｒＳｉ２、ＳｉＢ４、Ｂ、ＹＢ６、ＭｏＳｉ２、ＹＣ２、ＳｉＣ、Ｌａ、Ｂ４Ｃ、Ｃｅ、ＣｅＮ、Ｒｕ２Ｓｉ３、ＹＮ、ＺｒＣ、ＮｂＢ２、ＮｂＣ、Ｍｏ２Ｃ、ＭｏＢ、及びＭｏから選択される、請求項１０及び１１に記載の膜。
13. 前記スタックは、
    キャッピング層と前記シリコン層との間の少なくとも１つの遷移金属層であって、各々が、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷから成る群から選択された遷移金属を含む遷移金属層を含む、請求項１０に記載の膜。
14. 前記スタックは、
    前記遷移金属層と前記シリコン層との間の拡散バリア層であって、前記遷移金属層の遷移金属と前記シリコン層との間の混合及び／又は反応を低減させるように構成されている拡散バリア層を含む、請求項１１に記載の膜。
15. 前記拡散バリア層は、Ｂ、Ｂ_４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、並びに、Ｂ、Ｂ_４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、及びＷのいずれかの窒化物から成る群から選択された材料を含む、請求項１２に記載の膜。
16. ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、
    少なくとも１つのシリコン層と、
    前記膜の外面における、ルテニウムを含む少なくとも１つのキャッピング層と、
    各キャッピング層に隣接した、モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含む少なくとも１つのマイグレーション防止層と、
    を含むスタックを備える膜。
17. ルテニウムを含むキャッピング層は前記膜の双方の外面にある、請求項１４に記載の膜。
18. 前記スタックは層を、
    前記膜の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
    モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
    シリコン層、
    モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
    前記膜の他方の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
    という順序で含む、請求項１５に記載の膜。
19. 前記スタックは、
    シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層を含む、請求項１４又は１５に記載の膜。
20. 前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、請求項１７に記載の膜。
21. 前記スタックは層を、
    前記膜の外面における、ルテニウムを含むキャッピング層、
    モリブデン及びチタンのうち少なくとも１つを含むマイグレーション防止層、
    シリコン層、
    シリコン化合物層、
    非金属層、
    という順序で含み、前記シリコン化合物層は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製され、
    前記非金属層は、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素を含む、請求項１７又は１８に記載の膜。
22. ＥＵＶリソグラフィのための膜であって、２００ｎｍ以下の厚さを有すると共に、
    少なくとも１つのシリコン層、及び／又は、シリコンと、ホウ素、リン、臭素、及び硫黄から成る群から選択された元素と、の化合物で作製された少なくとも１つのシリコン化合物層と、
    前記膜の外面における少なくとも１つのキャッピング層であって、各々が、遷移金属シリサイド、遷移金属ホウ化物、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、及び遷移金属酸化物から成る群から選択された材料を含むキャッピング層と、及び／又は、
    キャッピング層と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の少なくとも１つの遷移金属層であって、各々が、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、又はＷから成る群から選択された遷移金属を含む遷移金属層と、
    を含むスタックを備える膜。
23. ＺｒＯ２／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｍｏ／Ｒｕのスタックを含む、請求項２０に記載の膜。
24. Ｂ／ＳｉＮ／ｐＳｉ／ＳｉＮ／Ｍｏ／Ｂのスタックを含む、請求項２０に記載の膜。
25. 前記スタックは、
    前記遷移金属層と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の拡散バリア層であって、前記遷移金属層の遷移金属と前記シリコン層又は前記シリコン化合物層との間の混合及び／又は反応を低減させるように構成されている拡散バリア層を含む、請求項２０に記載の膜。
26. 前記拡散バリア層は、Ｂ、Ｂ_４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、並びに、Ｂ、Ｂ_４Ｃ、Ｃ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、及びＷのいずれかの窒化物から成る群から選択された材料を含む、請求項２１に記載の膜。
27. 前記シリコン化合物層は前記シリコン層と前記元素を含む非金属層との間の中間層として形成されている、請求項２０から２２のいずれかに記載の膜。
28. 各シリコン化合物層は少なくとも１ｎｍの厚さを有する、請求項１７から２３のいずれかに記載の膜。
29. ２００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１４から１９又は２４のいずれかに記載の膜。
30. 請求項１から２９のいずれかの膜を含む、ＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスアセンブリ。
31. 請求項１から２９のいずれかの膜を含む、ＥＵＶリソグラフィのための動的ガスロックアセンブリ。

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