JP2005043895A - フィルタ・ウィンドウ、リソグラフ投影装置、フィルタ・ウィンドウの製造方法、デバイスの製造方法、及びそれらによって製造されたデバイス - Google Patents
フィルタ・ウィンドウ、リソグラフ投影装置、フィルタ・ウィンドウの製造方法、デバイスの製造方法、及びそれらによって製造されたデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005043895A JP2005043895A JP2004215962A JP2004215962A JP2005043895A JP 2005043895 A JP2005043895 A JP 2005043895A JP 2004215962 A JP2004215962 A JP 2004215962A JP 2004215962 A JP2004215962 A JP 2004215962A JP 2005043895 A JP2005043895 A JP 2005043895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- filter window
- substrate
- pellicle
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000234295 Musa Species 0.000 description 1
- 235000018290 Musa x paradisiaca Nutrition 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を含むことを特徴とするペリクルと、ペリクルを支持するワイヤ構造とを含むEUVリソグラフ用フィルタ・ウィンドウに関する。これらの材料を有するペリクルは最低の酸化速度を有すると共にEUV吸収が非常に低い。ペリクルの厚さは30nm〜100nmであることが好ましい。それらの薄いペリクルのEUV放射の吸収は知られたフィルタ・ウィンドウに等しい、すなわち波長13.5nmで約50%であることは容易に確認できるが、本発明によるペリクルの酸化ははるかに少ない。フィルタ・ウィンドウは、例えば投影光学系ボックスと装置のウェーハ貯蔵室を分離するのに使用でき、またはレチクルを粒子汚染から遮蔽することができる。
【選択図】図1
Description
ペリクルと、
前記ペリクルを支持するためのワイヤ構造とを含むEUVリソグラフ用フィルタ・ウィンドウに関する。
放射の投影ビームを供給するための放射システム(例えばEUV放射)と、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成する働きをするパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板(例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダーを備える基板テーブルと、
基板の目標部(例えば1個又は複数のダイを含む)上にマスクの照射部の像を形成するための投影システムとを含む、リソグラフ投影装置におけるそのフィルタ・ウィンドウの用途に関する。
マスク。マスクの概念はリソグラフで良く知られており、二元、交互相移動、及び減衰相移動などのマスクの種類、同様に様々な混成マスクの種類を含む。それらのマスクを放射ビームの中に置くことによって、マスク上のパターンに応じて、マスクに入射する放射の選択的な透過(透過式マスクの場合)又は反射(反射式マスクの場合)が起きる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、テーブルは入射する放射ビームの所望の位置にマスクを保持することができ、必要であればマスクをビームに対して動かすことができる。
プログラム可能なミラー・アレイ。それらのデバイスの例は、粘弾性制御層と反射表面を有する、マトリックスでアドレス呼び出し可能な表面である。それらの装置の背景となる基本的な原理は、(例えば)反射表面の呼び出された領域が入射光を回折光として反射し、一方呼び出されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用することによって、前記非回折光は反射されたビームから濾波して除かれ、回折光だけが後に残る。このようにして、ビームはマトリックス呼び出し可能な表面の呼び出されたパターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス呼び出しは適切な電子的手段を用いて実施することができる。それらのミラー・アレイに関するさらに多くの情報は、例えば、米国特許第5,296,891号、及び第5,523,193号から収集することができ、これらの特許は参照して本明細書に組み込まれている。プログラム可能なミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えば必要に応じて固定し、又は動かすことのできるフレーム又はテーブルとして具体化することができる。
放射に感受性のある材料の層で少なくとも一部を被覆した基板を基板テーブルに提供すること、
放射システムを用いて放射の投影ビームを提供すること、
パターン形成手段を用いてその断面にパターンを有する投影ビームを与えること、
パターン形成された放射ビームを放射に感受性のある材料層の目標部に投影すること、
上記のフィルタ・ウィンドウを用いることとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法に関する。
放射の投影ビームPB(例えばEUV放射)を供給するための放射システムIL(この特定の場合放射源LAも含む)と、
マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダーを備え、マスクを部品PLに対して正確に位置決めするための第1位置決め手段PMに接続されたマスク・テーブルMTと、
基板W(例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ)を保持するための基板ホルダーを備え、基板を部品PLに対して正確に位置決めするための第2位置決め手段PWに接続された基板テーブルWTと、
マスクMAの照射された部分を基板Wの目標部C(例えば1個又は複数のダイを含む)に像形成するための投影システム(「レンズ」)PL(例えばミラー・システム)とを含む。
1 ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは本質的に静止状態に保たれ、マスク像全体は一工程(すなわち単一「閃光」)で目標部Cに投影される。次いで基板テーブルWTは、異なる目標部CをビームPBで照射するために、x及び/又はy方向に移動する。
2 走査モードでは、所定の目標部Cが単一「閃光」で露光されないことを除き、本質的に同じシナリオが適用される。替わりに、マスク・テーブルMTは速度Vで所定の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy−方向)に移動可能であり、投影ビームPBによるマスク像の走査がもたらされる。平行して、基板テーブルWTは速度V=Mvで同方向又は反対方向に同時に動き、Mは投影システムPLの拡大率である(一般にM=1/4又は1/5)。このようにして、解像度に妥協することなく比較的大きな目標部Cを露光することができる。
EUVに透明な材料を含む第2層を作製すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第3層を堆積することを含む。このサンドイッチ構造はEUV吸収の向上、すなわちより少ない吸収をもたらすであろう。
IL 放射システム
LA 放射源
MA マスク
PL 部品
PM 第1位置決め手段
W 基板
PW 第2位置決め手段
WT 基板テーブル
C 目標部
PL 投影システム
IL 照明機
AM 調節手段
IN 集積機
CO コンデンサー
IF 干渉測定手段
MT マスク・テーブル
1 ペリクル
4 ワイヤ
5 基板
22 第1層
23 第3層
30 中間層
43 第2層
49 縞
42 第3層
45 光線
46 光線
54 ワイヤ構造
54 支持ワイヤ格子
58 バナナ形状ウィンドウ
Claims (20)
- ペリクルと、
前記ペリクルを支持するためのワイヤ構造とを含み、
前記ペリクルが、AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を含むことを特徴とする、EUVリソグラフ用フィルタ・ウィンドウ。 - 前記ペリクルの厚さが30nm〜300nmである請求項1に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記ペリクルの厚さが30nm〜100nmである請求項1から2までのいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記ペリクルが第2層及び第3層を含み、前記第2層が前記第1層と前記第3層の間に配置される請求項1から3までのいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記第2層が、Si、Be、B4C、Mo、Zr、Nb、C、Alの少なくとも1種を含む請求項4に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記第3層が、AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む請求項4又は5に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記第2層が、ベース層の頂部に隆起した縞を含む請求項4から6までのいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記隆起した縞がSiを含む請求項7に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記縞間のピッチが500〜5000nmの範囲であり、前記縞の高さが200〜500nmの範囲である請求項7又は8に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 前記ワイヤ構造が金属ワイヤを含み、前記ワイヤ間の距離が少なくとも一方向に数ミリメートルの大きさである請求項1から9のいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウ。
- 放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
マスクを保持するためのマスク・ホルダーを備えるマスク・テーブルと、
基板を保持するための基板ホルダーを備える基板テーブルと、
マスクの照射された部分を基板の目標部に像形成するための投影システムと、
請求項1から10までのいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウとを含むリソグラフ投影装置。 - 前記ワイヤ構造の各々のワイヤが、前記ワイヤが前記投影装置の走査方向に垂直な少なくとも一要素を有するように配置される請求項11に記載のリソグラフ投影装置。
- 基板を提供すること、
前記基板上にワイヤの構造を作製すること、
ラッカーを堆積すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を堆積すること、
前記ラッカーを焼却すること、
前記基板を取り去ること、
前記第1層を焼成することとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - 特定の流体に溶解可能な基板を提供すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第1層を堆積すること、
前記基板を前記特定の流体に溶解することによって前記基板を取り除くこと、
前記第1層をワイヤ構造に付着させることによって、前記第1層を前記特定の流体から取り除くこと、
前記第1層を焼成することとを含むフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - Si、Be、B4C、Mo、Zr、Nb、C、Alの少なくとも1種を含む第2層を作製すること、
AlN、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、Cの少なくとも1種を含む第3層を堆積することを含む請求項13から14のいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウの製造方法。 - 前記第2層を作製することが、ベース層及び前記ベース層上の隆起した縞を作製することを含む請求項15に記載のフィルタ・ウィンドウの製造方法。
- 放射に感受性のある材料の層で少なくとも部分的に被覆された基板を基板テーブルに提供すること、
放射システムを使用して放射の投影ビームを提供すること、
投影ビームの断面にパターンを与えるパターン形成手段を使用すること、
パターン形成された放射ビームを、放射に感受性のある材料層の目標部に投影すること、
請求項1から10までのいずれか一項に記載のフィルタ・ウィンドウを使用することを含む、デバイスの製造方法。 - 請求項17に記載の方法によって製造されるデバイス。
- 前記フィルタ・ウィンドウが、投影光学系ボックスを前記装置のウェーハ室から分離するように配置される請求項11に記載の装置。
- 前記フィルタ・ウィンドウが、レチクルを粒子汚染から遮蔽するように配置される請求項11に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03077350 | 2003-07-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008004936A Division JP4546547B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-01-11 | フィルタ・ウィンドウの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005043895A true JP2005043895A (ja) | 2005-02-17 |
JP4394531B2 JP4394531B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=34178526
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004215962A Expired - Fee Related JP4394531B2 (ja) | 2003-07-25 | 2004-07-23 | フィルタ・ウィンドウ、リソグラフ投影装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2008004936A Expired - Fee Related JP4546547B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-01-11 | フィルタ・ウィンドウの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008004936A Expired - Fee Related JP4546547B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-01-11 | フィルタ・ウィンドウの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7456932B2 (ja) |
JP (2) | JP4394531B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008268956A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Asml Netherlands Bv | ペリクル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
JPWO2007094197A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-07-02 | 株式会社ニコン | 保護装置、マスク及び露光装置 |
JP2010509774A (ja) * | 2006-11-10 | 2010-03-25 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Euv光の透過率が改善されたeuvペリクル |
WO2010122697A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
JP2010541267A (ja) * | 2007-10-02 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学薄膜素子 |
US7862961B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-01-04 | Nikon Corporation | Mask and exposure apparatus |
US7911588B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and original |
JP2012220533A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル及びペリクル膜の製造方法 |
JP2014049677A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Euv用ペリクル |
WO2014188710A1 (ja) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
KR20150119148A (ko) | 2013-03-15 | 2015-10-23 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 펠리클막 및 펠리클 |
JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
JP2016514854A (ja) * | 2013-03-27 | 2016-05-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
KR20160138160A (ko) | 2014-05-02 | 2016-12-02 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임, 펠리클 및 그 제조 방법, 노광 원판 및 그 제조 방법, 노광 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20160145073A (ko) | 2014-05-19 | 2016-12-19 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클막, 펠리클, 노광 원판, 노광 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20170029556A (ko) * | 2014-07-04 | 2017-03-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
JP2018536902A (ja) * | 2015-12-14 | 2018-12-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィのための膜 |
WO2023112330A1 (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 日本碍子株式会社 | ペリクルの製造に用いられるためのSiメンブレン構造体、及びペリクルの製造方法 |
JP7554368B2 (ja) | 2022-09-15 | 2024-09-19 | 日本碍子株式会社 | Euv透過膜及びその使用方法、並びに露光方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7372623B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7400383B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-07-15 | Entegris, Inc. | Environmental control in a reticle SMIF pod |
EP1938049B1 (en) * | 2005-09-22 | 2019-01-02 | Koninklijke Philips N.V. | Luminescence sensor comprising at least two wire grids |
US7666555B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-02-23 | Intel Corporation | Pellicle, methods of fabrication and methods of use for extreme ultraviolet lithography |
KR101494024B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2015-02-16 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기판 컨테이너를 위한 퍼지 시스템 |
US7663127B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-02-16 | Globalfoundries Inc. | EUV debris mitigation filter and method for fabricating semiconductor dies using same |
JP2009246046A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2004949A (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus. |
FR2951288A1 (fr) * | 2009-10-09 | 2011-04-15 | Commissariat Energie Atomique | Masque de photolithographie en extreme ultra-violet, en transmission, et procede de masquage |
KR102345543B1 (ko) * | 2015-08-03 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체 |
US11036128B2 (en) | 2015-12-14 | 2021-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Membrane assembly |
JP7009380B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2022-01-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
US10347486B1 (en) | 2017-12-19 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Patterning material film stack with metal-containing top coat for enhanced sensitivity in extreme ultraviolet (EUV) lithography |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3960562A (en) * | 1973-04-30 | 1976-06-01 | Raytheon Company | Thin film dielectric storage target and method for making same |
JPS53102400A (en) | 1976-05-14 | 1978-09-06 | Dainippon Toryo Co Ltd | Solventiless epoxy resin composition having chelate formability |
JPS5782954A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Nec Corp | X-ray window |
JPS58100803A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 多色光学フイルターの製造方法 |
US4861402A (en) * | 1984-10-16 | 1989-08-29 | Du Pont Tau Laboratories, Inc. | Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle |
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JPH03102300A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-26 | Hitachi Ltd | 軟x線用位相板 |
US5296891A (en) * | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
JPH0473765A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | X線透過膜およびその製法 |
JPH06102400A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | X線透過膜 |
JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 2000-09-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JPH07199449A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク及びペリクル並びにフォトマスク上の異物除去方法 |
US5965065A (en) * | 1994-12-05 | 1999-10-12 | Powell; Stephen Forbes | Method of filtering x-rays |
WO1997033205A1 (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
JPH09306825A (ja) | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
EP0849788B1 (en) * | 1996-12-18 | 2004-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor article by making use of a substrate having a porous semiconductor layer |
DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
US6459472B1 (en) * | 1998-05-15 | 2002-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic device |
JP2000012428A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Canon Inc | X線マスク構造体、該x線マスク構造体を用いたx線露光方法、前記x線マスク構造体を用いたx線露光装置、前記x線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法、および該製造方法によって製造された半導体デバイス |
JP2000323396A (ja) | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法 |
TWI267704B (en) | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
JP2001147519A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルおよびペリクル板の製造方法 |
CN1420982A (zh) | 2000-03-31 | 2003-05-28 | 株式会社尼康 | 计测方法以及计测装置、曝光方法以及曝光装置 |
JP2001326162A (ja) | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Canon Inc | 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
JP3411267B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2003-05-26 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | フォトマスク用ペリクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスクを用いた写真製版工程を含む半導体装置の製造方法 |
WO2002059905A2 (de) | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Schmalbandiger spektralfilter und seine verwendung |
US6623893B1 (en) * | 2001-01-26 | 2003-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in EUV lithography and a method of making such a pellicle |
JP2002359180A (ja) | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | ガス循環システム |
JP4904656B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2012-03-28 | パナソニック株式会社 | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2002208313A (ja) | 2001-10-24 | 2002-07-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 導電性樹脂組成物 |
JP2003163159A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nikon Corp | パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
JP2004186179A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004310063A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Sharp Corp | 露光用マスク、露光装置、露光方法および液晶表示装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-07-09 US US10/887,329 patent/US7456932B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-23 JP JP2004215962A patent/JP4394531B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-30 US US11/878,989 patent/US7776390B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-11 JP JP2008004936A patent/JP4546547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI463252B (zh) * | 2006-02-16 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法以及微型元件製造方法 |
JPWO2007094197A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-07-02 | 株式会社ニコン | 保護装置、マスク及び露光装置 |
US7862961B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-01-04 | Nikon Corporation | Mask and exposure apparatus |
JP2010509774A (ja) * | 2006-11-10 | 2010-03-25 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Euv光の透過率が改善されたeuvペリクル |
KR101321961B1 (ko) | 2006-11-10 | 2013-10-25 | 글로벌파운드리즈 인크. | Euv 광선 투과율이 증가된 euv 펠리클 |
TWI421628B (zh) * | 2006-11-10 | 2014-01-01 | Globalfoundries Us Inc | 具有超紫外線(euv)光透光率之euv膜結構 |
US7911588B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and original |
JP2008268956A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Asml Netherlands Bv | ペリクル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
JP2010541267A (ja) * | 2007-10-02 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学薄膜素子 |
WO2010122697A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
JP2010256434A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
US8518612B2 (en) | 2009-04-22 | 2013-08-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography and manufacturing method thereof |
JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
US9482960B2 (en) | 2010-06-25 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for reticle and multilayer mirror |
US9989844B2 (en) | 2010-06-25 | 2018-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for reticle and multilayer mirror |
US10481510B2 (en) | 2010-06-25 | 2019-11-19 | Asml Netherlands B.V. | Graphene spectral purity filter |
JP2012220533A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル及びペリクル膜の製造方法 |
JP2014049677A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Euv用ペリクル |
KR20150119148A (ko) | 2013-03-15 | 2015-10-23 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 펠리클막 및 펠리클 |
JP2016514854A (ja) * | 2013-03-27 | 2016-05-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
KR20150145256A (ko) | 2013-05-24 | 2015-12-29 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클 및 이것을 포함하는 euv 노광 장치 |
WO2014188710A1 (ja) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
US9703187B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-07-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle and EUV exposure device comprising same |
JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
US10216081B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-02-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle frame, pellicle and method of manufacturing the same, original plate for exposure and method of manufacturing the same, exposure device, and method of manufacturing semiconductor device |
KR20160138160A (ko) | 2014-05-02 | 2016-12-02 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임, 펠리클 및 그 제조 방법, 노광 원판 및 그 제조 방법, 노광 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20160145073A (ko) | 2014-05-19 | 2016-12-19 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클막, 펠리클, 노광 원판, 노광 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20180072844A (ko) | 2014-05-19 | 2018-06-29 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클막, 펠리클, 노광 원판, 노광 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10108084B2 (en) | 2014-05-19 | 2018-10-23 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle membrane, pellicle, original plate for exposure, exposure apparatus, and method of producing semiconductor device |
KR20220123482A (ko) * | 2014-07-04 | 2022-09-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR102560643B1 (ko) | 2014-07-04 | 2023-07-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
JP2019204132A (ja) * | 2014-07-04 | 2019-11-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置内で用いられる膜及びそのような膜を含むリソグラフィ装置 |
KR102650131B1 (ko) | 2014-07-04 | 2024-03-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR20170029556A (ko) * | 2014-07-04 | 2017-03-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR102438464B1 (ko) | 2014-07-04 | 2022-09-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR20230160962A (ko) * | 2014-07-04 | 2023-11-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한 멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR102604554B1 (ko) | 2014-07-04 | 2023-11-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
KR20230116956A (ko) * | 2014-07-04 | 2023-08-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 내에서 사용하는 멤브레인 및 이러한멤브레인을 포함한 리소그래피 장치 |
US11320731B2 (en) | 2015-12-14 | 2022-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Membrane for EUV lithography |
JP7258068B2 (ja) | 2015-12-14 | 2023-04-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィのための膜 |
JP2018536902A (ja) * | 2015-12-14 | 2018-12-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィのための膜 |
JP2021105730A (ja) * | 2015-12-14 | 2021-07-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィのための膜 |
WO2023112330A1 (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 日本碍子株式会社 | ペリクルの製造に用いられるためのSiメンブレン構造体、及びペリクルの製造方法 |
JP7554368B2 (ja) | 2022-09-15 | 2024-09-19 | 日本碍子株式会社 | Euv透過膜及びその使用方法、並びに露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080254211A1 (en) | 2008-10-16 |
US7776390B2 (en) | 2010-08-17 |
US20050040345A1 (en) | 2005-02-24 |
JP4394531B2 (ja) | 2010-01-06 |
JP4546547B2 (ja) | 2010-09-15 |
US7456932B2 (en) | 2008-11-25 |
JP2008124495A (ja) | 2008-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4546547B2 (ja) | フィルタ・ウィンドウの製造方法 | |
JP4743440B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
KR100779700B1 (ko) | 다층 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티필터를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및이에 의해 제조되는 디바이스 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
JP3727317B2 (ja) | リソグラフィに使用するためのマスク、マスクを作成する方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
KR100694572B1 (ko) | 오염 억제를 위한 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조된 디바이스 | |
JP4567659B2 (ja) | リソグフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100718743B1 (ko) | 광학요소, 이 광학요소를 포함하는 리소그래피 장치 및디바이스 제조방법 | |
JP2004519868A (ja) | Euvに透明な境界構造 | |
KR100589235B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,반사기제조방법, 그 반사기 및 위상반전마스크 | |
KR20050001428A (ko) | 포일 트랩을 구비한 레이저 생성 플라즈마 방사선 시스템 | |
KR20210090189A (ko) | Euv 리소그래피를 위한 펠리클 | |
JP2004040107A (ja) | 自己集合単分子層を伴う光学エレメントを備えたeuvリソグラフィ投影装置、自己集合単分子層を伴う光学エレメント、自己集合単分子層を適用する方法、デバイス製造法およびそれによって製造したデバイス | |
KR100526159B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR20040038847A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
JP4190469B2 (ja) | リソグラフ装置及び装置の製造方法 | |
KR100638371B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP3836751B2 (ja) | リソグラフィー投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造された素子 | |
JP4041791B2 (ja) | 光学素子を製造する方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
JP3837405B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2005183983A (ja) | 回折格子パッチ構造、リソグラフィ装置、試験方法、デバイス製造方法及び該方法によって製造したデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070713 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071012 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071017 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071113 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071212 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090302 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091008 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |