JPH0473765A - Ｘ線透過膜およびその製法 - Google Patents
Ｘ線透過膜およびその製法Info
- Publication number
- JPH0473765A JPH0473765A JP2185371A JP18537190A JPH0473765A JP H0473765 A JPH0473765 A JP H0473765A JP 2185371 A JP2185371 A JP 2185371A JP 18537190 A JP18537190 A JP 18537190A JP H0473765 A JPH0473765 A JP H0473765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- rays
- ray
- reinforcing member
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title abstract description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 61
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明はＸ線露光装置に用いられるＸ線透過膜および
その製法に関する。
その製法に関する。
（従来の技術）
半導体集積回路の高性能化、高集積化にともないパター
ンはますます微細化する傾向にある。
ンはますます微細化する傾向にある。
そのような微細なパターンを露光するために、光瀝とし
てＸ線を用いたＸ線リソグラフィーシステムが着目され
、実用化されつつある。
てＸ線を用いたＸ線リソグラフィーシステムが着目され
、実用化されつつある。
上記Ｘ線リソグラフィーシステムは、Ｘ線光源としての
ＳＯＲリングと、このＳＯＲリングからのＸ線の一部を
露光装置側へ導くビームラインと、上記ＳＯＲリングか
らのＸ線の短波長側をカットオフするためのＸ線ミラー
と、上記ビームライン側の超高真空領域と露光装置側の
大気圧領域とを隔別するためのチャンバーの側壁に設け
られたＸ線透過膜とから構成されている。
ＳＯＲリングと、このＳＯＲリングからのＸ線の一部を
露光装置側へ導くビームラインと、上記ＳＯＲリングか
らのＸ線の短波長側をカットオフするためのＸ線ミラー
と、上記ビームライン側の超高真空領域と露光装置側の
大気圧領域とを隔別するためのチャンバーの側壁に設け
られたＸ線透過膜とから構成されている。
従来、このようなＸｌ！リソグラフィーシステムにおい
て、上記Ｘ線透過膜はＸ線の透過率が高いＢｅ（ベリリ
ュウム）が用いられている。その場合、膜厚を薄くすれ
ばする程、Ｘ線の透過率を増大させることができる反面
、強度的には低下するということが避けられない。その
ため、膜厚を薄くしても、所定の強度が得られるよう上
記Ｘ線透過膜を補強するということが行われる。
て、上記Ｘ線透過膜はＸ線の透過率が高いＢｅ（ベリリ
ュウム）が用いられている。その場合、膜厚を薄くすれ
ばする程、Ｘ線の透過率を増大させることができる反面
、強度的には低下するということが避けられない。その
ため、膜厚を薄くしても、所定の強度が得られるよう上
記Ｘ線透過膜を補強するということが行われる。
第８図は従来のＸ線透過膜１を示す。このＸ線透過膜１
は円形状に形成され、その一方の側面には補強部材とし
てステンレス製のグリッド２が取着されている。このグ
リッド２はリング部３と、このリング部３の内周から所
定間隔で径方向中心に向かって延出された複数のノく一
部４とから形成されている。各バ一部４の先端はＸ線透
過膜１の中心部において一体的に結合されずに離間対向
している。
は円形状に形成され、その一方の側面には補強部材とし
てステンレス製のグリッド２が取着されている。このグ
リッド２はリング部３と、このリング部３の内周から所
定間隔で径方向中心に向かって延出された複数のノく一
部４とから形成されている。各バ一部４の先端はＸ線透
過膜１の中心部において一体的に結合されずに離間対向
している。
このような構成によると、複数のバ一部４が周方向に所
定間隔で設けられているため、周方向におけるＸ線の透
過率が均一とならない。そこで、ｘｌ透過膜１を回転さ
せて使用することで、周方向におけるＸ線の透過率を均
一にするようにしている。
定間隔で設けられているため、周方向におけるＸ線の透
過率が均一とならない。そこで、ｘｌ透過膜１を回転さ
せて使用することで、周方向におけるＸ線の透過率を均
一にするようにしている。
確かに、Ｘ線透過膜１を回転させて使用すれば、Ｘ線の
透過率をＸ線透過膜１の周方向にわたってほぼ均一にす
ることができる。しかしながら、上記Ｘ線透過膜１の中
心部においては、バ一部４が設けられていない非補強部
分５があるから、このＸ線通過膜］の径方向に沿うＸ線
の透過率を測定すると、第９図に示すように径方向中心
部の上記非補強部分５の透過率が他の部分に比べて高（
なってしまう。
透過率をＸ線透過膜１の周方向にわたってほぼ均一にす
ることができる。しかしながら、上記Ｘ線透過膜１の中
心部においては、バ一部４が設けられていない非補強部
分５があるから、このＸ線通過膜］の径方向に沿うＸ線
の透過率を測定すると、第９図に示すように径方向中心
部の上記非補強部分５の透過率が他の部分に比べて高（
なってしまう。
したがって、第８図に示される構成のグリッド２によっ
てＸ線透過膜１を補強する構造においては、Ｘ線透過膜
１の中心部分と他の部分においてＸ線の透過率にムラが
生じることが避けられないから、半導体ウェハに対して
均一な露光が行えないということがある。
てＸ線透過膜１を補強する構造においては、Ｘ線透過膜
１の中心部分と他の部分においてＸ線の透過率にムラが
生じることが避けられないから、半導体ウェハに対して
均一な露光が行えないということがある。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来のＸ線透過膜は、このＸ線の透過率が
均一になるように補強部材が設けられていなかったので
、Ｘ線の透過率にムラが生じるということがあった。
均一になるように補強部材が設けられていなかったので
、Ｘ線の透過率にムラが生じるということがあった。
この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、ｘｌの透過率にムラが生じることな
く補強部材を設けるようにしたＸ線透過膜およびその製
法を提供することにある。
的とするところは、ｘｌの透過率にムラが生じることな
く補強部材を設けるようにしたＸ線透過膜およびその製
法を提供することにある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段及び作用）上記課題を解決
するためにこの発明は、Ｘ線を透過する材料からなる膜
本体の一方の側面に、上記膜本体を補強する補強部材を
、膜本体の一方向と直交する方向の断面積がどの部分に
おいてもほぼ同じ大きさになる形状で設けたことにある
。
するためにこの発明は、Ｘ線を透過する材料からなる膜
本体の一方の側面に、上記膜本体を補強する補強部材を
、膜本体の一方向と直交する方向の断面積がどの部分に
おいてもほぼ同じ大きさになる形状で設けたことにある
。
また、この発明は、Ｘ線を透過する材料からなる膜本体
の一方の側面全体にわたって所定の材料からなる部材を
接合し、この部材を一部を残して除去することで上記膜
本体を補強する補強部材を形成することにある。
の一方の側面全体にわたって所定の材料からなる部材を
接合し、この部材を一部を残して除去することで上記膜
本体を補強する補強部材を形成することにある。
このような構成によれば、膜本体をその一方向と直交す
る方向に揺動させながら使用することでＸ線の透過ムラ
をなくすことができる。
る方向に揺動させながら使用することでＸ線の透過ムラ
をなくすことができる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を第１図乃至第３図を参照し
て説明する。第３図中１１はビームライン側の超高真空
領域と露光装置側の大気圧領域とを隔別するためのチャ
ンバー１０の側壁である。
て説明する。第３図中１１はビームライン側の超高真空
領域と露光装置側の大気圧領域とを隔別するためのチャ
ンバー１０の側壁である。
この側壁１１には矩形状の開口部１２が設けられ、この
開口部１２にはこの発明に係わるＸ線透過膜１３が設け
られている。このＸ線透過膜１３は強度低下を防ぐため
、Ｘ線の照射面積に比べて小さな矩形状に形成されてい
る。したがって、Ｘ線透過膜１３はチャンバー１０とと
もに第１図に矢印Ｚで示す長平方向と直交する方向に揺
動させることで露光を行う半導体ウェハ（図示せず）に
対してＸ線を所定の範囲で照射することができるように
なっている。
開口部１２にはこの発明に係わるＸ線透過膜１３が設け
られている。このＸ線透過膜１３は強度低下を防ぐため
、Ｘ線の照射面積に比べて小さな矩形状に形成されてい
る。したがって、Ｘ線透過膜１３はチャンバー１０とと
もに第１図に矢印Ｚで示す長平方向と直交する方向に揺
動させることで露光を行う半導体ウェハ（図示せず）に
対してＸ線を所定の範囲で照射することができるように
なっている。
」二記Ｘ線透過膜１３は第１図に示すように上記開口部
１２よりも大きな矩形状に形成された膜本体］４を有す
る。この膜本体１４はＸ線に対する透過率の高い材料、
たとえばＢｅ（ベリリュウム）からなる。この膜本体１
４の上記超高真空領域側に臨む一側面には、後述するご
とく補強部材１５が接合されている。この補強部材１５
は、Ｘ線に対して高い透過率を有する材料である１３ｅ
、Ｓｉ（シリコン） Ａρ （アルミニュウム）Ｍｇ（
マグネシュウム）、５ｉＮ（窒化シリコン）、ポリエス
テルなどによって形成されている。この補強部材１５は
、膜本体１４の周辺部に沿って設けられた枠部材１６お
よびこの枠部材１６の枠内を複数の三角形領域に隔別す
る仕切部材１７とからなる。
１２よりも大きな矩形状に形成された膜本体］４を有す
る。この膜本体１４はＸ線に対する透過率の高い材料、
たとえばＢｅ（ベリリュウム）からなる。この膜本体１
４の上記超高真空領域側に臨む一側面には、後述するご
とく補強部材１５が接合されている。この補強部材１５
は、Ｘ線に対して高い透過率を有する材料である１３ｅ
、Ｓｉ（シリコン） Ａρ （アルミニュウム）Ｍｇ（
マグネシュウム）、５ｉＮ（窒化シリコン）、ポリエス
テルなどによって形成されている。この補強部材１５は
、膜本体１４の周辺部に沿って設けられた枠部材１６お
よびこの枠部材１６の枠内を複数の三角形領域に隔別す
る仕切部材１７とからなる。
上記Ｘ線透過膜１３は、矢印２で示す揺動方向に沿う断
面積の大きさが揺動方向と直交する方向のいずれの箇所
においてもほぼ同じになるよう設定されている。つまり
、第１図のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う箇
所の断面積を比較すると、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す
ようにいずれの箇所においても、膜本体１４の断面積Ｓ
ｌと、補強部材１５の枠部材１６の２つの断面積Ｓ２と
、仕切部材１７の１つの断面積Ｓ３との和となるから、
各箇所における断面積はほぼ等しい。したがって、Ｘ線
透過膜１３を矢印Ｚ方向に揺動させれば、Ｚ方向と直交
する方向におけるＸ線の透過量は補強部材１５によって
不均一となるのが防止され、はぼ均一となる。
面積の大きさが揺動方向と直交する方向のいずれの箇所
においてもほぼ同じになるよう設定されている。つまり
、第１図のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う箇
所の断面積を比較すると、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す
ようにいずれの箇所においても、膜本体１４の断面積Ｓ
ｌと、補強部材１５の枠部材１６の２つの断面積Ｓ２と
、仕切部材１７の１つの断面積Ｓ３との和となるから、
各箇所における断面積はほぼ等しい。したがって、Ｘ線
透過膜１３を矢印Ｚ方向に揺動させれば、Ｚ方向と直交
する方向におけるＸ線の透過量は補強部材１５によって
不均一となるのが防止され、はぼ均一となる。
上記補強部材１５はケミカルエツチングによって膜本体
１４の一側面に形成されている。つまり、Ｘ線透過膜１
３を製作するに際しては、まず第４図（ａ）に示すよう
に膜本体１４の一側面の全体にわたって補強部材１５を
形成するためのＸ線に対して高い透過率を有する材料か
らなる部材２１をたとえばメツキや接着などの手段によ
って接合する。ついて、上記部材２１を、上述した補強
部材１５となる部分を残してケミカルエツチングするこ
とで、第４図（ｂ）に示すように補強部材１５によって
補強されたＸ線透過膜１３が形成される。
１４の一側面に形成されている。つまり、Ｘ線透過膜１
３を製作するに際しては、まず第４図（ａ）に示すよう
に膜本体１４の一側面の全体にわたって補強部材１５を
形成するためのＸ線に対して高い透過率を有する材料か
らなる部材２１をたとえばメツキや接着などの手段によ
って接合する。ついて、上記部材２１を、上述した補強
部材１５となる部分を残してケミカルエツチングするこ
とで、第４図（ｂ）に示すように補強部材１５によって
補強されたＸ線透過膜１３が形成される。
ケミカルエツチングによって補強部材１５を形成すれば
、その補強部材γ１５の枠部材１６や仕切部材１７の線
幅を十分に細くすることができる。
、その補強部材γ１５の枠部材１６や仕切部材１７の線
幅を十分に細くすることができる。
それによって、膜本体１４の一側面に占める補強部材１
５の面積を小さくすることができるから、この補強部材
１５によるＸ線の透過率の減少を小さくすることができ
る。
５の面積を小さくすることができるから、この補強部材
１５によるＸ線の透過率の減少を小さくすることができ
る。
ｘｉ透過膜１３の膜本体１４に補強部材１５を形成する
ための手段は、その−側面に接合された部材２１をケミ
カルエツチングによらず、レーザ光や電子ビームなどの
エネルギビームで照射して溶融除去するようにしてもよ
い。また部材２１を全面にわたって接合する代わりに、
細いワイヤーを所定の形状をなすように接合することで
補強部材１５を形成するようにしてもよい。これらいず
れの方法においても、ケミカルエツチングと同様細い線
幅のパターンで補強部材１５を形成し、Ｘ線の透過率の
低下を少なくすることができる。
ための手段は、その−側面に接合された部材２１をケミ
カルエツチングによらず、レーザ光や電子ビームなどの
エネルギビームで照射して溶融除去するようにしてもよ
い。また部材２１を全面にわたって接合する代わりに、
細いワイヤーを所定の形状をなすように接合することで
補強部材１５を形成するようにしてもよい。これらいず
れの方法においても、ケミカルエツチングと同様細い線
幅のパターンで補強部材１５を形成し、Ｘ線の透過率の
低下を少なくすることができる。
このようにして補強部材１５が設けられたＸ線透過膜１
３は、上述したごとくチャンバー１０の超高圧真空側に
補強部材１５側の面を向けて設置される。そのため、Ｘ
線透過膜１３がチャンバー１０の内部と外部との圧力差
によってチャンバ１０内に向かって変形すると、補強部
材１５と膜本体１４との密着性が高まるから、補強部材
１５が膜本体１４から剥離しずらくなる。
３は、上述したごとくチャンバー１０の超高圧真空側に
補強部材１５側の面を向けて設置される。そのため、Ｘ
線透過膜１３がチャンバー１０の内部と外部との圧力差
によってチャンバ１０内に向かって変形すると、補強部
材１５と膜本体１４との密着性が高まるから、補強部材
１５が膜本体１４から剥離しずらくなる。
第５図はＸ線透過膜１３に補強部材１５が設けられてい
ない場合の膜厚と最大応力との関係を示し、第６図は補
強部材１５を第１図に示す形状に設けた場合の膜厚と最
大応力どの関係を示す。
ない場合の膜厚と最大応力との関係を示し、第６図は補
強部材１５を第１図に示す形状に設けた場合の膜厚と最
大応力どの関係を示す。
各図において、実線はＸ線透過膜１３に０．０１Ｋｇ／
＋＋ｖ ２の圧力差ｐ１を与えた場合で、破線は０．０
５Ｋｇ／ｓｍ ２の圧力差ｐ２を与えた場合である。な
お、Ｘ線透過膜１３はＢｅによって形成されたものを用
いた。
＋＋ｖ ２の圧力差ｐ１を与えた場合で、破線は０．０
５Ｋｇ／ｓｍ ２の圧力差ｐ２を与えた場合である。な
お、Ｘ線透過膜１３はＢｅによって形成されたものを用
いた。
Ｂｅの許容応カフ０．０Ｋｇ／ａｓ ２に対する膜厚は
、補強部材１５を設けない場合、圧力差ｐ１では２５．
４μｍ、ｐ２では１８．４μｍであった。これに対して
補強部材１５を設けた場合には、圧力ｐ１では１４，１
μｍ、ｐ２では９．２μｍであった。つまり、補強部材
１５を取付ければ、許容応力に対する膜厚が薄くとも、
模本体１４の機械的強度が増大することになる。
、補強部材１５を設けない場合、圧力差ｐ１では２５．
４μｍ、ｐ２では１８．４μｍであった。これに対して
補強部材１５を設けた場合には、圧力ｐ１では１４，１
μｍ、ｐ２では９．２μｍであった。つまり、補強部材
１５を取付ければ、許容応力に対する膜厚が薄くとも、
模本体１４の機械的強度が増大することになる。
なお、この発明は上記一実施例に限定されず、その要旨
を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
たとえば、補強部材１５の枠部材１６内には、第７図（
ａ）〜（ｇ）に示される形状に仕切部材１７ａ〜１７ｇ
を設けるようにしてもよく、要はＸ線透過膜１３の揺動
方向に沿う断面積がいずれの箇所においても同じになる
形状であればよい。
ａ）〜（ｇ）に示される形状に仕切部材１７ａ〜１７ｇ
を設けるようにしてもよく、要はＸ線透過膜１３の揺動
方向に沿う断面積がいずれの箇所においても同じになる
形状であればよい。
［発明の効果］
以上述べたようにこの発明は、Ｘ線透過膜を揺動させる
ことでＸＮの照射範囲を拡大する場合、揺動方向と直交
する方向のどの部分においても、Ｘ線透過膜を補強する
補強部材の断面積が同じになるよう設定したから、補強
部材によりＸ線透過膜を透過するＸ線にムラが生じるの
を防ぐことができる。
ことでＸＮの照射範囲を拡大する場合、揺動方向と直交
する方向のどの部分においても、Ｘ線透過膜を補強する
補強部材の断面積が同じになるよう設定したから、補強
部材によりＸ線透過膜を透過するＸ線にムラが生じるの
を防ぐことができる。
また、模本体の一方の側面全体にわたって接合された部
材を、一部を残して除去することで補強部材を形成する
ようにしたから、補強部材の線幅を十分に細くし、Ｘ線
透過膜における補強部材が占める面積を小さくすること
ができる。そのため、補強部材によりＸ線透過膜を透過
するＸ線の透過量が減少するのを軽減することができる
。
材を、一部を残して除去することで補強部材を形成する
ようにしたから、補強部材の線幅を十分に細くし、Ｘ線
透過膜における補強部材が占める面積を小さくすること
ができる。そのため、補強部材によりＸ線透過膜を透過
するＸ線の透過量が減少するのを軽減することができる
。
第１図はこの発明の一実施例を示すＸ線透過膜の平面図
、第２図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ１図のＡ−Ａ線、Ｂ
−Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う箇所の断面図、第３図はチ
ャンバー側壁に設けられたＸ線透過膜の断面図、第４図
（ａ）、（ｂ）は補強部材を製作する工程の説明図、第
５図と第６図はそれぞれ補強部材が設けられていない場
合と設けられている場合との膜厚と最大応力との関係の
グラフ、第７図ｋ（ａ）〜（ｇ）はこの発明の他の実施
例を示す補強部材の平面図、第８図は従来のＸ線透過膜
の平面図、第９図は同じくＸ線の透過率を示すグラフで
ある。 １３・・・Ｘ線透過膜、１４・・・模本体、１５・・・
補強部材、１６・・・枠部材、１７・・・仕切部材。 １７（ｒｒ７］１１１１＋７ 弔 １ 図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｊ５ ２ 図 ｊＩ ３ 図 月莫厚 （！ｍ） 呂 月更厚 （ｐｍ） 第 医 （ａ） ７ｂ （ｄ） ７ｅ （ｅ） 第 ７ 口
、第２図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ１図のＡ−Ａ線、Ｂ
−Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う箇所の断面図、第３図はチ
ャンバー側壁に設けられたＸ線透過膜の断面図、第４図
（ａ）、（ｂ）は補強部材を製作する工程の説明図、第
５図と第６図はそれぞれ補強部材が設けられていない場
合と設けられている場合との膜厚と最大応力との関係の
グラフ、第７図ｋ（ａ）〜（ｇ）はこの発明の他の実施
例を示す補強部材の平面図、第８図は従来のＸ線透過膜
の平面図、第９図は同じくＸ線の透過率を示すグラフで
ある。 １３・・・Ｘ線透過膜、１４・・・模本体、１５・・・
補強部材、１６・・・枠部材、１７・・・仕切部材。 １７（ｒｒ７］１１１１＋７ 弔 １ 図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｊ５ ２ 図 ｊＩ ３ 図 月莫厚 （！ｍ） 呂 月更厚 （ｐｍ） 第 医 （ａ） ７ｂ （ｄ） ７ｅ （ｅ） 第 ７ 口
Claims (6)
- （１）Ｘ線を透過する材料からなる膜本体の一方の側面
に、上記膜本体を補強する補強部材を、膜本体の一方向
と直交する方向の断面積がどの部分においてもほぼ同じ
大きさになる形状で設けたことを特徴とするＸ線透過膜
。 - （２）上記補強部材は細いワイヤからなることを特徴と
する請求項（１）に記載のＸ線透過膜。 - （３）Ｘ線を透過する材料からなる膜本体の一方の側面
全体にわたって所定の材料からなる部材を接合し、この
部材を一部を残して除去することで上記膜本体を補強す
る補強部材を形成することを特徴とするＸ線透過膜の製
法。 - （４）膜本体の一方の側面に設けられた部材の一部を残
しての除去は、ケミカルエッチングによって行うことを
特徴とする請求項（３）に記載のＸ線透過膜の製法。 - （５）膜本体の一方の側面に設けられた部材の一部を残
しての除去は、エネルギービームを照射して行うことを
特徴とする請求項（３）に記載のＸ線透過膜の製法。 - （６）超高真空領域と大気圧領域とを隔別する膜におい
て、この膜の超高真空領域側の面には補強部材が設けら
れていることを特徴とするＸ線透過膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185371A JPH0473765A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Ｘ線透過膜およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185371A JPH0473765A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Ｘ線透過膜およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473765A true JPH0473765A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16169632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185371A Pending JPH0473765A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Ｘ線透過膜およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0473765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124495A (ja) * | 2003-07-25 | 2008-05-29 | Asml Netherlands Bv | フィルタ・ウィンドウ、リソグラフ投影装置、フィルタ・ウィンドウの製造方法、デバイスの製造方法、及びそれらによって製造されたデバイス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959575A (ja) * | 1972-06-29 | 1974-06-10 | ||
| JPS5312274A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for x-ray exposure |
| JPS5320767A (en) * | 1976-08-10 | 1978-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X-ray mask supporting underlayer and its production |
| JPS5370674A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Nippon Chemical Ind | Method of producing photomask |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2185371A patent/JPH0473765A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959575A (ja) * | 1972-06-29 | 1974-06-10 | ||
| JPS5312274A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for x-ray exposure |
| JPS5320767A (en) * | 1976-08-10 | 1978-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X-ray mask supporting underlayer and its production |
| JPS5370674A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Nippon Chemical Ind | Method of producing photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124495A (ja) * | 2003-07-25 | 2008-05-29 | Asml Netherlands Bv | フィルタ・ウィンドウ、リソグラフ投影装置、フィルタ・ウィンドウの製造方法、デバイスの製造方法、及びそれらによって製造されたデバイス |
| JP4546547B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-09-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | フィルタ・ウィンドウの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3854680B2 (ja) | 圧力隔壁およびこれを用いた露光装置 | |
| US4514857A (en) | X-Ray lithographic system | |
| JP3609833B2 (ja) | 硬ｘ−線を使用したミクロ機械加工法およびそのための装置 | |
| JPH0473765A (ja) | Ｘ線透過膜およびその製法 | |
| JPS6279647A (ja) | 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 | |
| JPH0613292A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS60226122A (ja) | 光反射鏡および露光装置 | |
| JPH09218299A (ja) | Ｘ線取り出し窓およびその製造方法ならびに前記ｘ線取り出し窓を用いたｘ線露光装置 | |
| JPH03235321A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH0473927A (ja) | Ｘ線透過膜およびその製法 | |
| JP3090708B2 (ja) | シンクロトロン放射光照射装置及びｘ線露光装置 | |
| JPH02140914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7031226B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0834132B2 (ja) | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 | |
| JP3624523B2 (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JPH06333804A (ja) | Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 | |
| JPH04120717A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP2638056B2 (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPH02272731A (ja) | 金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスク | |
| JPH03120714A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH02251128A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS6372117A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP2003133202A (ja) | 三次元微細構造体加工用ｘ線マスクとそれを用いた三次元微細構造体の加工方法 | |
| JPS63115332A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS62244131A (ja) | 短波長リソグラフイ用マスクの製造方法 |