JPH0834132B2 - 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 - Google Patents
放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法Info
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- JPH0834132B2 JPH0834132B2 JP1244992A JP24499289A JPH0834132B2 JP H0834132 B2 JPH0834132 B2 JP H0834132B2 JP 1244992 A JP1244992 A JP 1244992A JP 24499289 A JP24499289 A JP 24499289A JP H0834132 B2 JPH0834132 B2 JP H0834132B2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超LSI
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓及び該窓への放射光透過薄
膜の取付方法に関する。
等の回路パターンをウェハ等の被露光板状物に転写せし
める露光装置の放射光透過窓及び該窓への放射光透過薄
膜の取付方法に関する。
半導体（LSI）の高集積化技術の進歩に伴い、マスク
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになった。
上のパターンをレジストの付着したウェハ等の上に転写
する半導体リソグラフィ装置でも、軟Ｘ線を含むシンク
ロトロン放射光の利用が注目されるようになった。
この放射光は、第11図に示されるように、高真空の電
子蓄積リング（30）内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石（31）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向に
放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い軟
Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラスになる
超LSIのマスクパターンを上記露光板状物に転写するＸ
線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
子蓄積リング（30）内で光速に近い速さの電子を偏向磁
石（31）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線方向に
放射される電磁波であるが、平行性が良く、且つ強い軟
Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラスになる
超LSIのマスクパターンを上記露光板状物に転写するＸ
線露光装置の次期Ｘ線源として期待されている。
該シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置で
は、電子蓄積リング（30）から発した放射光がビームラ
イン（３）を通って転写装置（４）内に導かれ、その内
部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図
示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光
板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆されたレジ
スト）に転写する構成となっている。
は、電子蓄積リング（30）から発した放射光がビームラ
イン（３）を通って転写装置（４）内に導かれ、その内
部でＸ線マスク（図示なし）やウェハ駆動ステージ（図
示なし）等の各種装置を用いてマスクパターンを被露光
板状物の表面（この場合はウェハの上に被覆されたレジ
スト）に転写する構成となっている。
このうち、ビームライン（３）内部は、電子蓄積リン
グ（30）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（４）は、マ
スクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ（4
0）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光減衰
作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そこで
シンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図では電
子蓄積リング（30）及びビームライン（３））と転写装
置（４）との間には、放射光路途中に放射光源側の高真
空域と転写装置（４）側の雰囲気とを隔て且つ放射光の
一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射光透過薄膜
（１）が設けられている。
グ（30）内の高度の真空状態に悪影響を及ぼさないよう
にするため真空に保たれ、他方、転写装置（４）は、マ
スクの温度上昇を抑えるため、その周りをチャンバ（4
0）で囲んで内部を大気や他のガス雰囲気（放射光減衰
作用の小さいヘリウムガス等）で満たしている。そこで
シンクロトロン放射光を放射する放射光源側（図では電
子蓄積リング（30）及びビームライン（３））と転写装
置（４）との間には、放射光路途中に放射光源側の高真
空域と転写装置（４）側の雰囲気とを隔て且つ放射光の
一部を透過可能なベリリウム薄膜等の放射光透過薄膜
（１）が設けられている。
第12図は、このような放射光透過薄膜（１）の取付け
られた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図
に示すように、ビームライン（３）の真空フランジ（2
2）等からなる窓枠にスペーサ（23）を介して平板状の
放射光透過薄膜（１）の端部側が取付けられ、更にその
上から止めフランジ（24）等の窓枠材をクランプしてい
る。
られた放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図
に示すように、ビームライン（３）の真空フランジ（2
2）等からなる窓枠にスペーサ（23）を介して平板状の
放射光透過薄膜（１）の端部側が取付けられ、更にその
上から止めフランジ（24）等の窓枠材をクランプしてい
る。
放射光の照射によってマスクパターンの露光を行なう
場合に、実用的なスループットを得るためには、放射光
透過薄膜（１）の膜厚を薄くして放射光の減衰をできる
だけ低くしなければならない。
場合に、実用的なスループットを得るためには、放射光
透過薄膜（１）の膜厚を薄くして放射光の減衰をできる
だけ低くしなければならない。
しかし、放射光源側空間と転写装置（４）のチャンバ
（40）内雰囲気との間にはかなりの圧力差があるため、
放射光透過薄膜（１）の膜厚が薄くなると、上記放射光
透過窓の構成では、該薄膜（１）がその半径方向中心部
を中心に放射光源側に膨出することとなり、それにより
第12図に示すように、この薄膜（１）に大きな引張り応
力が掛ることになる。
（40）内雰囲気との間にはかなりの圧力差があるため、
放射光透過薄膜（１）の膜厚が薄くなると、上記放射光
透過窓の構成では、該薄膜（１）がその半径方向中心部
を中心に放射光源側に膨出することとなり、それにより
第12図に示すように、この薄膜（１）に大きな引張り応
力が掛ることになる。
そのため、転写装置のチャンバ（40）側雰囲気を減圧
状態に保持することで対応せざるを得ず、減圧設備の増
強及び減圧状態の維持・制御を行なう必要性を生じ、放
射光透過率のアップによる放射光リソグラフィのスルー
プット向上を相殺することにもなりかねないものであつ
た。
状態に保持することで対応せざるを得ず、減圧設備の増
強及び減圧状態の維持・制御を行なう必要性を生じ、放
射光透過率のアップによる放射光リソグラフィのスルー
プット向上を相殺することにもなりかねないものであつ
た。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案され
たものであって、放射光透過窓に取付けられる放射光透
過薄膜自身の構造に改良を加えて、転写装置側が大気圧
雰囲気下でも露光処理ができ、且つ薄膜化による放射光
透過率のアップを達成できるようにしようとするもので
あり、併せてそのような改良の加えられた放射光透過薄
膜の放射光透過窓への装着方法についても提案するもの
である。
たものであって、放射光透過窓に取付けられる放射光透
過薄膜自身の構造に改良を加えて、転写装置側が大気圧
雰囲気下でも露光処理ができ、且つ薄膜化による放射光
透過率のアップを達成できるようにしようとするもので
あり、併せてそのような改良の加えられた放射光透過薄
膜の放射光透過窓への装着方法についても提案するもの
である。
そのため本発明の放射光透過窓は、第１図に示すよう
に、放射光透過薄膜（１）を放射光源側に突出する球面
状にすることで、放射光源側と転写装置（４）側の圧力
差によって放射光透過薄膜（１）に作用する引張り応力
にも耐えられるようにするものである。
に、放射光透過薄膜（１）を放射光源側に突出する球面
状にすることで、放射光源側と転写装置（４）側の圧力
差によって放射光透過薄膜（１）に作用する引張り応力
にも耐えられるようにするものである。
このように放射光透過薄膜（１）を球面状に成形して
用いると、該薄膜（１）には次式に示す引張り応力σの
みが掛る。
用いると、該薄膜（１）には次式に示す引張り応力σの
みが掛る。
但し、P:圧力 R:球面曲率半径 t:膜厚み 従って、膜厚ｔが薄くてもそれに対応した球面曲率半
径Ｒを選ぶことにより、任意の引張り応力σにすること
ができる。
径Ｒを選ぶことにより、任意の引張り応力σにすること
ができる。
但し、球面状にした放射光透過薄膜（１）の膜厚ｔが
どの位置においても等しい場合、第２図に示すように、
放射光源側から入射して該放射光透過薄膜（１）中を透
過直進するシンクロトロン放射光は平行光であるため、
該直進方向における膜中の各透過距離X1…Xnは、膜中央
部が一番小さく、膜周縁端に近づく程次第に大きくな
る。従って放射光の減衰率も膜周縁端に向かう程大きな
ものとなる。
どの位置においても等しい場合、第２図に示すように、
放射光源側から入射して該放射光透過薄膜（１）中を透
過直進するシンクロトロン放射光は平行光であるため、
該直進方向における膜中の各透過距離X1…Xnは、膜中央
部が一番小さく、膜周縁端に近づく程次第に大きくな
る。従って放射光の減衰率も膜周縁端に向かう程大きな
ものとなる。
本発明では、放射光透過薄膜（１）の耐引張り応力特
性を高めるために単に球面状にするだけでなく、転写装
置（４）側で得られる放射光強度が略どの位置において
も等しくなるようにするため、第１図に示すように、放
射光透過薄膜（１）の球面状の中央部Ｃを中心にその周
りで膜厚ｔが次第に薄くなるよう（t0＞t1＞t2）に成形
し、これによって放射光の前記膜中透過距離ｘがどの位
置でも等しくなるようにしている。このように放射光の
膜中透過距離ｘがどの位置でも等しくなるようにする膜
厚成形の具体的構成としては、第３図に示すように、放
射光透過薄膜（１）の球面内側曲率半径Riと外側曲率Ro
とを同一にする（Ri＝Ro）と共に、これらの曲率半径中
心点moおよびmiを同一線Ｃ上で偏心せしめるようにすれ
ば良い。更にもし、この放射光透過薄膜（１）がベリリ
ウム等の金属で構成されるならば、該薄膜（１）を球面
状に成形し、且つ薄膜（１）の膜厚を上述のようにコン
トロールすることは、蒸着法によって簡単に実現でき
る。
性を高めるために単に球面状にするだけでなく、転写装
置（４）側で得られる放射光強度が略どの位置において
も等しくなるようにするため、第１図に示すように、放
射光透過薄膜（１）の球面状の中央部Ｃを中心にその周
りで膜厚ｔが次第に薄くなるよう（t0＞t1＞t2）に成形
し、これによって放射光の前記膜中透過距離ｘがどの位
置でも等しくなるようにしている。このように放射光の
膜中透過距離ｘがどの位置でも等しくなるようにする膜
厚成形の具体的構成としては、第３図に示すように、放
射光透過薄膜（１）の球面内側曲率半径Riと外側曲率Ro
とを同一にする（Ri＝Ro）と共に、これらの曲率半径中
心点moおよびmiを同一線Ｃ上で偏心せしめるようにすれ
ば良い。更にもし、この放射光透過薄膜（１）がベリリ
ウム等の金属で構成されるならば、該薄膜（１）を球面
状に成形し、且つ薄膜（１）の膜厚を上述のようにコン
トロールすることは、蒸着法によって簡単に実現でき
る。
又、上記式によれば、球面曲率半径Ｒを小さくすれ
ばする程、放射光透過薄膜（１）に掛かる引張り応力σ
を小さくすることができる。一方、上述のような各部分
の膜厚を異ならしめる薄膜成形がなされた場合、球面曲
率半径Ｒが小さければ小さい程、薄膜（１）外周部の厚
みｔ′が薄くなってしまい、ここでの応力は式より逆
に増えることになる。そこで本発明者はこの球面曲率半
径Ｒの最適値を求めた。
ばする程、放射光透過薄膜（１）に掛かる引張り応力σ
を小さくすることができる。一方、上述のような各部分
の膜厚を異ならしめる薄膜成形がなされた場合、球面曲
率半径Ｒが小さければ小さい程、薄膜（１）外周部の厚
みｔ′が薄くなってしまい、ここでの応力は式より逆
に増えることになる。そこで本発明者はこの球面曲率半
径Ｒの最適値を求めた。
即ち、第４図より、 但し、D:放射光透過薄膜の口径 又、薄膜（１）外周部の厚みｔ′は、 ｔ′＝ｔ・cosθ …… そして転写装置（４）側の圧力をＰとして、該圧力Ｐ
により薄膜（１）に係る合力Ｆは、 但し、π（D/2）2:面積 更に、該合力Ｆにより膜外周部に作用する反力Ｆ′
は、 Ｆ′＝πＤ×ｔ′×σ×sinθ …… 但し、πＤ×ｔ′：周面積 sinθ：方向 式の釣合いより この式に式を代入して 該式から と置けば、 となり、 ということになる。
により薄膜（１）に係る合力Ｆは、 但し、π（D/2）2:面積 更に、該合力Ｆにより膜外周部に作用する反力Ｆ′
は、 Ｆ′＝πＤ×ｔ′×σ×sinθ …… 但し、πＤ×ｔ′：周面積 sinθ：方向 式の釣合いより この式に式を代入して 該式から と置けば、 となり、 ということになる。
これを上記式に代入して、薄膜（１）の口径Ｄと球
面曲率半径Ｒとの関係で示せば、 となるため、球面曲率半径Ｒの最適値はこの関係式から
求めることができる。
面曲率半径Ｒとの関係で示せば、 となるため、球面曲率半径Ｒの最適値はこの関係式から
求めることができる。
尚、第５図に示すように、窓枠（２）に矩形の開口部
（2a）を設けて、そこに転写装置（４）側から薄膜
（１）の球面状突出面を露出せしめる窓構成の場合は、
該開口部（2a）の対角線の長さｌを上記薄膜（１）の口
径Ｄとして、球面曲率半径Ｒの最適値を求めれば良い。
（2a）を設けて、そこに転写装置（４）側から薄膜
（１）の球面状突出面を露出せしめる窓構成の場合は、
該開口部（2a）の対角線の長さｌを上記薄膜（１）の口
径Ｄとして、球面曲率半径Ｒの最適値を求めれば良い。
更に、第２乃至第４発明は、球面状に成形された放射
光透過薄膜（１）を放射光透過窓の窓枠（２）に取付け
る場合の取付法方法を提供するものである。
光透過薄膜（１）を放射光透過窓の窓枠（２）に取付け
る場合の取付法方法を提供するものである。
即ち、第１発明によって放射光透過薄膜（１）の形状
を球面状にすることで膜面に作用する引張り応力を低減
化できるようになったとしても、これを放射光透過窓の
窓枠（２）のクランプ部分に実際に取付ける段になっ
て、第12図の従来例に示されるように、フランジ面等の
ような垂直面に該放射光透過薄膜（１）の端部側を挾持
させた場合、この放射光透過薄膜（１）はそのクランプ
部分で放射光源側に折れ曲がり、そこに曲げ応力が発生
することになる。そこで第２乃至第４発明はこのような
球面状にした放射光透過薄膜（１）の取付方法につき、
更に改良を加え、上述のような局所的な応力の発生を避
け、膜面全体に均一な応力（引張り応力）が掛るように
したものである。
を球面状にすることで膜面に作用する引張り応力を低減
化できるようになったとしても、これを放射光透過窓の
窓枠（２）のクランプ部分に実際に取付ける段になっ
て、第12図の従来例に示されるように、フランジ面等の
ような垂直面に該放射光透過薄膜（１）の端部側を挾持
させた場合、この放射光透過薄膜（１）はそのクランプ
部分で放射光源側に折れ曲がり、そこに曲げ応力が発生
することになる。そこで第２乃至第４発明はこのような
球面状にした放射光透過薄膜（１）の取付方法につき、
更に改良を加え、上述のような局所的な応力の発生を避
け、膜面全体に均一な応力（引張り応力）が掛るように
したものである。
第２発明の取付方法は、第６図に示すように、放射光
透過薄膜（１）をクランプする窓枠（２）につき、転写
装置（４）側にテーパ面（20）を形成し、該テーパ面
（20）に沿わせて放射光透過薄膜（１）の球面状突出面
を接触させ、該薄膜（１）端部側を窓枠（２）にクラン
プするようにしたものである。
透過薄膜（１）をクランプする窓枠（２）につき、転写
装置（４）側にテーパ面（20）を形成し、該テーパ面
（20）に沿わせて放射光透過薄膜（１）の球面状突出面
を接触させ、該薄膜（１）端部側を窓枠（２）にクラン
プするようにしたものである。
第３発明の取付方法は、第７図に示すように、放射光
透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて球面座（21）
を窓枠（２）の転写装置（４）側に形成し、該放射光透
過薄膜（１）の端部側をこの球面座（21）に接着せしめ
ている。
透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて球面座（21）
を窓枠（２）の転写装置（４）側に形成し、該放射光透
過薄膜（１）の端部側をこの球面座（21）に接着せしめ
ている。
第４発明の取付方法は、第８図に示すように、放射光
透過薄膜（１）の端部側が放射光透過窓の窓枠（２）と
なるように一体成形されて該窓枠（２）と共に放射光透
過薄膜（１）が形成されるようにしたものである。
透過薄膜（１）の端部側が放射光透過窓の窓枠（２）と
なるように一体成形されて該窓枠（２）と共に放射光透
過薄膜（１）が形成されるようにしたものである。
以下、第２発明に係る放射光透過窓における放射光透
過薄膜の取付方法の実施例を示し、本発明の放射光透過
窓の具体的構成につき説明する。
過薄膜の取付方法の実施例を示し、本発明の放射光透過
窓の具体的構成につき説明する。
第９図は第２発明の取付方法により放射光透過薄膜
（１）の取付けられた放射光透過窓の構成を示す縦断面
図である。
（１）の取付けられた放射光透過窓の構成を示す縦断面
図である。
この放射光透過薄膜（１）はベリリウム製で、蒸着法
により球面状に成形され、しかもその膜厚が、球面状の
中央部Ｃを中心にその周りで次第に薄くなるように形成
されている。
により球面状に成形され、しかもその膜厚が、球面状の
中央部Ｃを中心にその周りで次第に薄くなるように形成
されている。
更にこの薄膜（１）の周側部は、図中A,A′点で接す
る球面接線方向に延出せしめられており、球面状部分と
一体的に形成された円錐台形状の放射状延出部（1a）が
設けられている。
る球面接線方向に延出せしめられており、球面状部分と
一体的に形成された円錐台形状の放射状延出部（1a）が
設けられている。
本実施例では、放射光透過窓の窓枠（２）につき、転
写装置（４）側にテーパ面（20）を形成すると共に、該
テーパ面（20）に前記放射状延出部（1a）が面接触し、
且つこの放射状延出部（1a）端部側が押え金具（50）に
よって窓枠（２）に固定されている。
写装置（４）側にテーパ面（20）を形成すると共に、該
テーパ面（20）に前記放射状延出部（1a）が面接触し、
且つこの放射状延出部（1a）端部側が押え金具（50）に
よって窓枠（２）に固定されている。
このように本実施例では、放射光透過薄膜（１）の放
射光源側高真空域と転写装置（４）側チャンバ雰囲気と
を隔てている部分が、放射光源側に突出する球面状の形
状を有しているため、膜面に作用する引張り応力を小さ
くでき、従ってその膜厚を薄くして放射光透過率を上げ
ても問題を生じることがない。又、上述のように膜厚各
部を調整しているため、前記薄膜（１）の放射光各透過
位置によって、該放射光強度に大きな差を生じることも
ない。
射光源側高真空域と転写装置（４）側チャンバ雰囲気と
を隔てている部分が、放射光源側に突出する球面状の形
状を有しているため、膜面に作用する引張り応力を小さ
くでき、従ってその膜厚を薄くして放射光透過率を上げ
ても問題を生じることがない。又、上述のように膜厚各
部を調整しているため、前記薄膜（１）の放射光各透過
位置によって、該放射光強度に大きな差を生じることも
ない。
更に、本実施例に示された放射光透過薄膜（１）の取
付方法によれば、球面状の該薄膜（１）の側面（本実施
例では放射状延出部（1a））が窓枠（２）のテーパ面
（20）に面接触し、その端部側だけが該窓枠（２）に固
定されるため、膜面には均一な引張り応力が作用するだ
けで、局所的に他の応力が発生することを避けることが
できる。そればかりか、この放射光透過薄膜（１）には
前述のように放射状延出部（1a）が一体的に設けられて
いるため、Ａ−Ａ′点を通る膜断面積に比べＢ−Ｂ′点
を通る膜断面積の方が大きくなり、押え金具（50）で押
えられるB,B′点では引張り応力が更に緩和されること
になる。
付方法によれば、球面状の該薄膜（１）の側面（本実施
例では放射状延出部（1a））が窓枠（２）のテーパ面
（20）に面接触し、その端部側だけが該窓枠（２）に固
定されるため、膜面には均一な引張り応力が作用するだ
けで、局所的に他の応力が発生することを避けることが
できる。そればかりか、この放射光透過薄膜（１）には
前述のように放射状延出部（1a）が一体的に設けられて
いるため、Ａ−Ａ′点を通る膜断面積に比べＢ−Ｂ′点
を通る膜断面積の方が大きくなり、押え金具（50）で押
えられるB,B′点では引張り応力が更に緩和されること
になる。
第10図は第２発明の取付方法により放射光透過薄膜
（１）の取付けられた放射光透過窓の他の実施例を示す
縦断面図である。
（１）の取付けられた放射光透過窓の他の実施例を示す
縦断面図である。
本実施例では、放射光透過薄膜（１）自身の構成につ
き、放射状延出部（1a）を設けていない点を除き、前記
実施例と同じであるので、その詳細は省略する。
き、放射状延出部（1a）を設けていない点を除き、前記
実施例と同じであるので、その詳細は省略する。
ここでは、窓枠（２）に形成されるテーパ面を、放射
光透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて形成される
球面座（20a）とし、該球面座（20a）に薄膜（１）の球
面状突出面を面接触させており、更にその反対側から前
記曲率に合わせて形成されたＲ状面（51a）を有する裏
当金（51）を当てて、放射光透過薄膜（１）の端部側を
前記窓枠（２）に固定している。
光透過薄膜（１）の球面状の曲率に合わせて形成される
球面座（20a）とし、該球面座（20a）に薄膜（１）の球
面状突出面を面接触させており、更にその反対側から前
記曲率に合わせて形成されたＲ状面（51a）を有する裏
当金（51）を当てて、放射光透過薄膜（１）の端部側を
前記窓枠（２）に固定している。
このように、球面座（20a）を設けて球面状の放射光
透過薄膜（１）をそこに接触させ、その端部側全体をそ
こに固定すれば、面接触している部分全体で放射光透過
薄膜（１）端部側周縁をクランプすることになり、該膜
面に局所的な応力を発生せずに、強力なクランプ力を得
ることができることになる。
透過薄膜（１）をそこに接触させ、その端部側全体をそ
こに固定すれば、面接触している部分全体で放射光透過
薄膜（１）端部側周縁をクランプすることになり、該膜
面に局所的な応力を発生せずに、強力なクランプ力を得
ることができることになる。
以上詳述したように本発明の構成を有する放射光透過
窓によれば、そこに取付けられる放射光透過薄膜の構造
を球面状にしたため、たとえ膜面を薄くしても、放射光
源側の高真空域と転写装置側のチャンバ内雰囲気との間
の大きな圧力差に対し十分に耐えられるようになる。そ
のため、放射光透過率を高めて放射光をリソグラフィの
スループットを向上せしめることができるようになると
共に、前記チャンバ内雰囲気の圧力を大気圧程度にして
おくことが可能となり、減圧設備の増強の必要性がなく
なる等、優れた効果を有している。又このように放射光
透過薄膜を球面状にしても、その膜厚が薄膜中央部を中
心にその周りで次第に薄くなるように成形してあるた
め、平行な放射光が膜中を透過する時の減衰率はどの膜
位置においても同じになり、その結果、透過した放射光
の強度はどの位置においても略等しくなる。
窓によれば、そこに取付けられる放射光透過薄膜の構造
を球面状にしたため、たとえ膜面を薄くしても、放射光
源側の高真空域と転写装置側のチャンバ内雰囲気との間
の大きな圧力差に対し十分に耐えられるようになる。そ
のため、放射光透過率を高めて放射光をリソグラフィの
スループットを向上せしめることができるようになると
共に、前記チャンバ内雰囲気の圧力を大気圧程度にして
おくことが可能となり、減圧設備の増強の必要性がなく
なる等、優れた効果を有している。又このように放射光
透過薄膜を球面状にしても、その膜厚が薄膜中央部を中
心にその周りで次第に薄くなるように成形してあるた
め、平行な放射光が膜中を透過する時の減衰率はどの膜
位置においても同じになり、その結果、透過した放射光
の強度はどの位置においても略等しくなる。
更に、第２乃至第４の放射光透過薄膜の取付方法によ
れば、局所的な応力の発生を避けながら、球面状の放射
光透過薄膜を放射光透過窓の窓枠に取付けることがで
き、そのため薄膜クランプ部での破断等を防止すること
が可能となる。
れば、局所的な応力の発生を避けながら、球面状の放射
光透過薄膜を放射光透過窓の窓枠に取付けることがで
き、そのため薄膜クランプ部での破断等を防止すること
が可能となる。
第１図は本発明の基本構成を示す断面図、第２図は放射
光透過薄膜の膜厚と放射光透過距離の関係を示す説明
図、第３図は放射光透過薄膜の最適膜面形状を示す断面
図、第４図は放射光透過薄膜の球面曲率半径の最適値を
求めるために便宜的にその膜面形状を示した断面図、第
５図は窓枠の矩形開口部に球面状の放射光透過薄膜を露
出せしめてそこに取付けた状態を示す斜視図、第６図は
第２発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示す説明
図、第７図は第３発明に係る放射光透過薄膜の取付方法
を示す説明図、第８図は第４発明に係る放射光透過薄膜
の取付方法を示す説明図、第９図は第２発明方法により
球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の
一実施例を示す断面図、第10図は同じく第２発明法によ
り球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓
の他の実施例を示す断面図、第11図はシンクロトロン放
射光を用いたＸ線リソグラフィの概略を示す説明図、第
12図は従来の放射光透過窓の構造を示す断面図である。 図中、（１）は放射光透過薄膜、（２）は窓枠、（20）
はテーパ面、（20a）（21）は球面座、（３）はビーム
ライン、（４）は転写装置を各示す。
光透過薄膜の膜厚と放射光透過距離の関係を示す説明
図、第３図は放射光透過薄膜の最適膜面形状を示す断面
図、第４図は放射光透過薄膜の球面曲率半径の最適値を
求めるために便宜的にその膜面形状を示した断面図、第
５図は窓枠の矩形開口部に球面状の放射光透過薄膜を露
出せしめてそこに取付けた状態を示す斜視図、第６図は
第２発明に係る放射光透過薄膜の取付方法を示す説明
図、第７図は第３発明に係る放射光透過薄膜の取付方法
を示す説明図、第８図は第４発明に係る放射光透過薄膜
の取付方法を示す説明図、第９図は第２発明方法により
球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓の
一実施例を示す断面図、第10図は同じく第２発明法によ
り球面状の放射光透過薄膜が取付けられた放射光透過窓
の他の実施例を示す断面図、第11図はシンクロトロン放
射光を用いたＸ線リソグラフィの概略を示す説明図、第
12図は従来の放射光透過窓の構造を示す断面図である。 図中、（１）は放射光透過薄膜、（２）は窓枠、（20）
はテーパ面、（20a）（21）は球面座、（３）はビーム
ライン、（４）は転写装置を各示す。
Claims (8)
- 【請求項１】放射光源側からシンクロトロン放射光を取
り出すビームラインと転写装置との間に設置され、放射
光源側の高真空域と転写装置側のチャンバ雰囲気とを隔
て且つ該シンクロトロン放射光を透過せしめる放射光透
過薄膜が設けられた放射光透過窓において、該放射光透
過薄膜を放射光源側に突出する球面状にすると共に、こ
の放射光透過薄膜の球面状の中央部を中心にその周りで
膜厚が次第に薄くなるように成形したことを特徴とする
放射光透過窓。 - 【請求項２】前項記載の放射光透過窓において、放射光
透過薄膜の球面内側曲率半径と外側曲率半径を同一にす
ると共に、これらの曲率半径中心点を同一線上で偏心せ
しめ、該放射光透過薄膜の球面状の中央部を中心にその
周りで膜厚が次第に薄くなるように成形したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の放射光透過窓。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の放
射光透過窓において、放射光透過薄膜の口径Ｄに対し、
該薄膜の球面曲率半径Ｒが下式を満たすことを条件とし
て、放射光透過薄膜を球面状に成形することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の放射光透過
窓。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球
面状放射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、
該放射光透過窓の窓枠につき、転写装置側にテーパ面を
形成し、前記放射光透過薄膜の球面状突出面を該テーパ
面に接触させて、この放射光透過薄膜の端部側を前記窓
枠に固定することを特徴とする放射光透過窓における放
射光透過薄膜の取付方法。 - 【請求項５】前項記載の放射光透過窓における放射光透
過薄膜の取付方法において、放射光透過薄膜の周側部を
その球面接線方向に延出せしめて放射状延出部を設ける
と共に、この放射状延出部をテーパ面に接触せしめ、且
つ放射状延出部の端部側を窓枠に固定することを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載の放射光透過窓における
放射光透過薄膜の取付方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項記載の放射光透過窓
における放射光透過薄膜の取付方法において、該放射光
透過窓の窓枠につき、転写装置側に形成されるテーパ面
を、放射光透過薄膜の球面状の曲率に合わせて形成され
る球面座とし、該放射光透過薄膜の球面状突出面をこの
球面座に接触させると共に、その反対側から前記曲率に
合わせて形成されたＲ状面を有する裏当金を当ててこの
放射光透過薄膜の端部側を前記窓枠に固定することを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の放射光透過窓にお
ける放射光透過薄膜の取付方法。 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球
面状放射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、
該放射光透過窓の窓枠につき、転写装置側に、放射光透
過薄膜の球面状の曲率に合わせて球面座を形成し、該放
射光透過薄膜の端部側をこの球面座に接着せしめること
を特徴とする放射光透過窓における放射光透過薄膜の取
付方法。 - 【請求項８】特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の球
面状放射光透過薄膜を放射光透過窓に取付ける場合に、
該放射光透過薄膜の端部側が放射光透過窓の窓枠となる
ように一体成形されて該窓枠と共に形成されたことを特
徴とする放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244992A JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244992A JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108699A JPH03108699A (ja) | 1991-05-08 |
| JPH0834132B2 true JPH0834132B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17126971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244992A Expired - Lifetime JPH0834132B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834132B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2584490Y2 (ja) * | 1991-12-12 | 1998-11-05 | 石川島播磨重工業株式会社 | シンクロトロンにおけるｓｏｒ光出射用窓装置 |
| US6289076B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1244992A patent/JPH0834132B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03108699A (ja) | 1991-05-08 |
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