JP2638056B2 - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JP2638056B2 JP2638056B2 JP9382888A JP9382888A JP2638056B2 JP 2638056 B2 JP2638056 B2 JP 2638056B2 JP 9382888 A JP9382888 A JP 9382888A JP 9382888 A JP9382888 A JP 9382888A JP 2638056 B2 JP2638056 B2 JP 2638056B2
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［目次］ 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第４図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 第１実施例（第１、２図） 第２実施例（第３図） 発明の効果 ［概要］ Ｘ線露光装置に用いられるＸ線マスクに関し、塵埃の
影響を低減させ、しかも、メンブレンの平坦度の低下を
防止することを目的とし、 リング状の支持枠と、軽元素材料からなり該支持枠の
一端面に接着された膜状のメンブレンと、重金属からな
り該メンブレン上に形成された吸収体パターンとを有す
るＸ線マスクにおいて、該支持枠のメンブレン接着面
を、その内縁から外縁に向けて、該支持枠を薄くする方
向へ傾斜させて構成する。
影響を低減させ、しかも、メンブレンの平坦度の低下を
防止することを目的とし、 リング状の支持枠と、軽元素材料からなり該支持枠の
一端面に接着された膜状のメンブレンと、重金属からな
り該メンブレン上に形成された吸収体パターンとを有す
るＸ線マスクにおいて、該支持枠のメンブレン接着面
を、その内縁から外縁に向けて、該支持枠を薄くする方
向へ傾斜させて構成する。
［産業上の利用分野］ 本発明はＸ線露光装置に用いられるＸ線マスクに関す
る。
る。
［従来の技術］ Ｘ線露光によれば、理論的には0.2〜0.3μｍの微細パ
ターンを形成することが可能であるが、これを実現する
高精度Ｘ線マスクの製作技術が確立していない。
ターンを形成することが可能であるが、これを実現する
高精度Ｘ線マスクの製作技術が確立していない。
従来のＸ線マスクは、第４図（Ａ）に示す如く、Siウ
エーハ10の一面にメンブレン12が塗布、被着され、次に
同図（Ｂ）に示す如く、エッチングによりSiウエーハ10
の中央部が侵食されて円形の開口14が形成され、これに
よりメンブレン12に対する支持枠10Aが形成され、次に
開口14の内側のメンブレン12上に、レジストパターンを
用いたエッチングにより吸収体16のパターンが形成され
て構成されている。
エーハ10の一面にメンブレン12が塗布、被着され、次に
同図（Ｂ）に示す如く、エッチングによりSiウエーハ10
の中央部が侵食されて円形の開口14が形成され、これに
よりメンブレン12に対する支持枠10Aが形成され、次に
開口14の内側のメンブレン12上に、レジストパターンを
用いたエッチングにより吸収体16のパターンが形成され
て構成されている。
このＸ線マスクは、第４図（Ｂ）に示す如く、メンブ
レン12の劣化をさけるため、表面にレジスト18が被着さ
れたウエーハ20の上方に間隔Ｈをおいて配置される。Ｘ
線マスクの上方に配置されたＸ線源（不図示）からのＸ
線を、Ｘ線マスクを介しレジスト18に照射すると、吸収
体16からなる回路パターンがレジスト18に露光される。
レン12の劣化をさけるため、表面にレジスト18が被着さ
れたウエーハ20の上方に間隔Ｈをおいて配置される。Ｘ
線マスクの上方に配置されたＸ線源（不図示）からのＸ
線を、Ｘ線マスクを介しレジスト18に照射すると、吸収
体16からなる回路パターンがレジスト18に露光される。
ここで、メンブレン12透過後のフレネル回折を小さく
してぼけを少なくするために、メンブレン12とレジスト
18との間隔Ｈは10〜40μｍの所定値にされる。
してぼけを少なくするために、メンブレン12とレジスト
18との間隔Ｈは10〜40μｍの所定値にされる。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、この間隔Ｈを保つべきメンブレン12の面積が
比較的広い（支持枠10Aの直径は例えば４インチ）の
で、メンブレン12とレジスト18との間に塵埃が存在する
確率が大きくなり、したがって、間隔Ｈをメンブレン12
の面全域にわたって一定に保つことが容易でなく、ラン
アウト誤差の変動が大きくなる。
比較的広い（支持枠10Aの直径は例えば４インチ）の
で、メンブレン12とレジスト18との間に塵埃が存在する
確率が大きくなり、したがって、間隔Ｈをメンブレン12
の面全域にわたって一定に保つことが容易でなく、ラン
アウト誤差の変動が大きくなる。
また、メンブレン12をフラットにする必要があるため
メンブレン12は緊張されているが、その張力（１×109d
yne/cm2程度）により支持枠10Aが第４図（Ｂ）に示す如
く変形し、メンブレン12の一部が支持枠10Aから剥離
し、張力分布が不均一になって平坦度が悪くなるととも
に、支持枠10Aとレジスト18との間隔がさらに狭くなっ
て、前記塵埃による間隔Ｈの不均一化が著しくなる原因
となる。
メンブレン12は緊張されているが、その張力（１×109d
yne/cm2程度）により支持枠10Aが第４図（Ｂ）に示す如
く変形し、メンブレン12の一部が支持枠10Aから剥離
し、張力分布が不均一になって平坦度が悪くなるととも
に、支持枠10Aとレジスト18との間隔がさらに狭くなっ
て、前記塵埃による間隔Ｈの不均一化が著しくなる原因
となる。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、塵埃の影響を低
減でき、しかも、メンブレンの平坦度の低下を防止でき
るＸ線マスクを提供することにある。
減でき、しかも、メンブレンの平坦度の低下を防止でき
るＸ線マスクを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために、本発明では、Ｘ線透過性
の膜状メンブレンが基板に被着され、該基板に開口が形
成されて該基板が該メンブレンに対するリング状支持枠
にされ、該メンブレン上にＸ線吸収体パターンが形成さ
れたＸ線マスクにおいて、 該支持枠のメンブレン接着面全域が、その内縁から外
縁に向けて、該支持枠を薄くする方向へ傾斜している。
の膜状メンブレンが基板に被着され、該基板に開口が形
成されて該基板が該メンブレンに対するリング状支持枠
にされ、該メンブレン上にＸ線吸収体パターンが形成さ
れたＸ線マスクにおいて、 該支持枠のメンブレン接着面全域が、その内縁から外
縁に向けて、該支持枠を薄くする方向へ傾斜している。
［作用］ この傾斜により、メンブレンの被露光物に対する実質
的な対向面積は支持枠の開口面積に略等しい。したがっ
て、メンブレンと被露光物との間に塵埃が存在すること
による両者の間隔の不均一化が確率的に小さくなる。
的な対向面積は支持枠の開口面積に略等しい。したがっ
て、メンブレンと被露光物との間に塵埃が存在すること
による両者の間隔の不均一化が確率的に小さくなる。
また、メンブレンは緊張しており、支持枠にその中心
方向へ向かう力が作用するが、該傾斜により、メンブレ
ンの支持枠からの剥離が防止される。したがって、メン
ブレンの張力分布の不均一化が防止される。
方向へ向かう力が作用するが、該傾斜により、メンブレ
ンの支持枠からの剥離が防止される。したがって、メン
ブレンの張力分布の不均一化が防止される。
［実施例］ 以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
（１）第１実施例 第１図は第１実施例のＸ線マスク作成工程を示す。こ
のＸ線マスクは次のような工程（Ａ）〜（Ｄ）により作
成される。
のＸ線マスクは次のような工程（Ａ）〜（Ｄ）により作
成される。
（Ａ）最初に、Siウエーハ22の一面にメンブレン12を被
着する。
着する。
このSiウエーア22は、例えば直径４インチ、厚さ520
μｍである。また、メンブレン12の材料はＸ線透過率が
大きく、かつ、熱膨張率がSiウエーハ22のそれと同程度
のもの、例えばSiCが用いられる。
μｍである。また、メンブレン12の材料はＸ線透過率が
大きく、かつ、熱膨張率がSiウエーハ22のそれと同程度
のもの、例えばSiCが用いられる。
メンブレン12の膜厚は、Ｘ線吸収損失を小さくするた
め、例えば２μｍにされる。このメンブレン12は、例え
ばCVD法により、Siウエーハ22上に成膜される。
め、例えば２μｍにされる。このメンブレン12は、例え
ばCVD法により、Siウエーハ22上に成膜される。
（Ｂ）次に、接着剤24により、予め用意しておいた主支
持枠10B上にSiウエーハ22の縁部を接着する。
持枠10B上にSiウエーハ22の縁部を接着する。
この主支持枠10Bは、その直径がSiウエーハ22の直径
よりも僅かに大きく、中央部に円形の開口14が形成され
ている。また、この接着面は傾斜しており、主支持枠10
Bは内縁部よりも外縁部のほうが薄くなっている。主支
持枠10Bの幅Ｗは例えば20mmであり、この傾斜の傾きは2
0〜50μm/20mm程度である。主支持枠10Bの材料は、その
熱膨張率がSiウエーハ22の熱膨張率と同程度のものが好
ましく、例えばSiCセラミックスである。
よりも僅かに大きく、中央部に円形の開口14が形成され
ている。また、この接着面は傾斜しており、主支持枠10
Bは内縁部よりも外縁部のほうが薄くなっている。主支
持枠10Bの幅Ｗは例えば20mmであり、この傾斜の傾きは2
0〜50μm/20mm程度である。主支持枠10Bの材料は、その
熱膨張率がSiウエーハ22の熱膨張率と同程度のものが好
ましく、例えばSiCセラミックスである。
また、接着剤24は例えばエポキシ系接着剤である。
（Ｃ）次に、エッチング液によりSiウエーハ22の中央部
を侵食除去して副支持枠22Aを形成する。
を侵食除去して副支持枠22Aを形成する。
この開口径は開口14と略同一である。エッチング液は
例えば、 HF:NHO3:CH3COOH＝1:2:1.5を用いる。
例えば、 HF:NHO3:CH3COOH＝1:2:1.5を用いる。
本実施例における支持枠は、主支持枠10Bと副支持枠2
2Aとからなる。
2Aとからなる。
（Ｄ）次に、Ｘ線吸収性膜をメンブレン12上に被着した
後、レジストパターンを用い、エッチングにより、メン
ブレン12上に吸収体16のパターンを形成する。
後、レジストパターンを用い、エッチングにより、メン
ブレン12上に吸収体16のパターンを形成する。
吸収体16の材料はＷ、TaまたはAu等が好ましい。
次に、上記の如く構成されたＸ線マスクの使用法を第
２図に基づいて説明する。
２図に基づいて説明する。
Ｘ線源としては、例えば電子ビーム励起型Ｘ線源を用
いる。このＸ線源が配設されたＸ線露光装置内におい
て、ウエーハ20上のレジスト18及びＸ線マスクをそれぞ
れステージ（不図示）に固定し、Ｘ線マスクとレジスト
18との位置合わせを行う。
いる。このＸ線源が配設されたＸ線露光装置内におい
て、ウエーハ20上のレジスト18及びＸ線マスクをそれぞ
れステージ（不図示）に固定し、Ｘ線マスクとレジスト
18との位置合わせを行う。
メンブレン12は縁部が上方に傾斜しているので、メン
ブレン12のウエーハ20に対する実質的な対向面積は開口
14の面積に略等しい。したがって、メンブレン12とウエ
ーハ20との間に塵埃が存在することによるメンブレン12
とウエーハ20との間隔Ｈの不均一化が確率的に小さくな
る。
ブレン12のウエーハ20に対する実質的な対向面積は開口
14の面積に略等しい。したがって、メンブレン12とウエ
ーハ20との間に塵埃が存在することによるメンブレン12
とウエーハ20との間隔Ｈの不均一化が確率的に小さくな
る。
また、メンブレン12は緊張しており、副支持枠22Aに
その中心方向に向かう力が作用するが、副支持枠22Aが
縁部において上方へ傾斜しているので、メンブレン12の
副支持枠22Aからの剥離が防止される。したがって、メ
ンブレン12の平坦度を保持することができる。
その中心方向に向かう力が作用するが、副支持枠22Aが
縁部において上方へ傾斜しているので、メンブレン12の
副支持枠22Aからの剥離が防止される。したがって、メ
ンブレン12の平坦度を保持することができる。
このようなことから、ランアウト誤差の変動を従来よ
りも低減できる。
りも低減できる。
よって、電子銃26から放射される電子ビームを金属タ
ーゲット28に照射してＸ線を発生させると、レジスト18
に対し、吸収体16のパターンに基づいた所望のパターン
を露光することができる。
ーゲット28に照射してＸ線を発生させると、レジスト18
に対し、吸収体16のパターンに基づいた所望のパターン
を露光することができる。
（２）第２実施例 次に、第３図に基づいて本発明の第２実施例を説明す
る。
る。
第３図は第２実施例のＸ線マスク作成工程を示す。
（Ａ）Siウエーハ10を図示しないチャックで固定して回
転させ、研磨布をSiウエーハ10の一面縁部に押接するこ
とにより、Siウエーハ10の縁部に傾斜面10aを形成す
る。
転させ、研磨布をSiウエーハ10の一面縁部に押接するこ
とにより、Siウエーハ10の縁部に傾斜面10aを形成す
る。
この支持枠10Aの傾きは第１実施例の場合と同一であ
る。Siウエーハ10の厚さは、たわみを避けるため、1mm
以上であることが好ましい。
る。Siウエーハ10の厚さは、たわみを避けるため、1mm
以上であることが好ましい。
（Ｂ）次に、この傾斜面10aが形成されたSiウエーハ10
の面にメンブレン12を被着する。
の面にメンブレン12を被着する。
メンブレン12については第１実施例の場合と同一であ
る。
る。
（Ｃ）次に、Siウエーハ10の中央部をエッチングにより
侵食除去して円形の開口14を形成する。
侵食除去して円形の開口14を形成する。
（Ｄ）次に、メンブレン12上に吸収体16のパターンを形
成する。
成する。
この第２実施例では、第１実施例よりも部品点数及び
工程数が１つ少なく、製作時間を短縮できる。
工程数が１つ少なく、製作時間を短縮できる。
（３）拡張 なお、上記実施例ではメンブレン12の材料がSiCであ
る場合を説明したが、BN、BNC、SiN等であってもよい。
る場合を説明したが、BN、BNC、SiN等であってもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、支持枠のメン
ブレン接着面全域が、その内縁から外縁に向けて、該支
持枠を薄くする方向へ傾斜しているので、メンブレンの
被露光物に対する実質的な対向面積は支持枠の開口面積
に略等しくなり、メンブレンと被露光物との間に塵埃が
存在することによる両者の間隔の不均一化が確率的に小
さくなるという優れた効果を奏する。
ブレン接着面全域が、その内縁から外縁に向けて、該支
持枠を薄くする方向へ傾斜しているので、メンブレンの
被露光物に対する実質的な対向面積は支持枠の開口面積
に略等しくなり、メンブレンと被露光物との間に塵埃が
存在することによる両者の間隔の不均一化が確率的に小
さくなるという優れた効果を奏する。
また、メンブレンは緊張しており、支持枠にその中心
方向へ向かう力が作用するが、該傾斜により、メンブレ
ンの支持枠からの剥離が防止され、したがって、メンブ
レンの張力分布の不均一化が防止され、メンブレンの平
坦度の低下を防止できるという優れた効果を奏する。
方向へ向かう力が作用するが、該傾斜により、メンブレ
ンの支持枠からの剥離が防止され、したがって、メンブ
レンの張力分布の不均一化が防止され、メンブレンの平
坦度の低下を防止できるという優れた効果を奏する。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１実施例に係るＸ線
マスクの作成工程図、 第２図はこのＸ線マスクの使用状態を示すＸ線露光該説
図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第２実施例に係るＸ線
マスクの作成工程図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は従来のＸ線マスクの作成工程及
び使用状態を説明する図である。 図中、 10、22:Siウエーハ 10A:支持枠 10B:主支持枠 10a:傾斜面 12:メンブレン 14:開口 16:吸収体 18:レジスト 20:ウエーハ 22A:副支持枠 24:接着剤
マスクの作成工程図、 第２図はこのＸ線マスクの使用状態を示すＸ線露光該説
図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第２実施例に係るＸ線
マスクの作成工程図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は従来のＸ線マスクの作成工程及
び使用状態を説明する図である。 図中、 10、22:Siウエーハ 10A:支持枠 10B:主支持枠 10a:傾斜面 12:メンブレン 14:開口 16:吸収体 18:レジスト 20:ウエーハ 22A:副支持枠 24:接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線透過性の膜状メンブレンが基板に被着
され、該基板に開口が形成されて該基板が該メンブレン
に対するリング状支持枠にされ、該メンブレン上にＸ線
吸収体パターンが形成されたＸ線マスクにおいて、 該支持枠のメンブレン接着面全域が、その内縁から外縁
に向けて、該支持枠を薄くする方向へ傾斜していること
を特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9382888A JP2638056B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9382888A JP2638056B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265515A JPH01265515A (ja) | 1989-10-23 |
| JP2638056B2 true JP2638056B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=14093254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9382888A Expired - Fee Related JP2638056B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638056B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068339A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Canon Inc | リソグラフィ−用マスク構造体 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9382888A patent/JP2638056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01265515A (ja) | 1989-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |