JPH05343301A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05343301A JPH05343301A JP15318092A JP15318092A JPH05343301A JP H05343301 A JPH05343301 A JP H05343301A JP 15318092 A JP15318092 A JP 15318092A JP 15318092 A JP15318092 A JP 15318092A JP H05343301 A JPH05343301 A JP H05343301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicon wafer
- membrane thin
- ray mask
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸収体膜の構造が緻密で、加工性に優れた吸
収体膜が得られ、高精度のＸ線マスクの製造方法を得
る。 【構成】 片面にのみメンブレン薄膜２が付いた状態の
シリコンウエハ１を支持枠４に接合した（第１工程）
後、シリコンウエハ１をすべてエッチングにより溶解し
て除去し（第２工程）、シリコンウエハ１のエッチング
により表出したメンブレン薄膜２に吸収体パタン３を形
成する（第３工程）。
収体膜が得られ、高精度のＸ線マスクの製造方法を得
る。 【構成】 片面にのみメンブレン薄膜２が付いた状態の
シリコンウエハ１を支持枠４に接合した（第１工程）
後、シリコンウエハ１をすべてエッチングにより溶解し
て除去し（第２工程）、シリコンウエハ１のエッチング
により表出したメンブレン薄膜２に吸収体パタン３を形
成する（第３工程）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＸ線リソグラ
フィーなどに使用するＸ線マスクの製造に関するもので
ある。
フィーなどに使用するＸ線マスクの製造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図３は一般的なＸ線マスクを示す断面図
である。Ｘ線マスクは軽元素からなる厚さ数μｍの薄膜
基板２（以下、メンブレン薄膜という）の上に、重元素
からなるＸ線吸収体の回路パタン３（以下、吸収体パタ
ンという）が形成された構成となっている。これらは通
常シリコンウエハ１上で作られ、このシリコンウエハ１
はガラスやセラミクスからなる支持枠４に接合されてい
る。
である。Ｘ線マスクは軽元素からなる厚さ数μｍの薄膜
基板２（以下、メンブレン薄膜という）の上に、重元素
からなるＸ線吸収体の回路パタン３（以下、吸収体パタ
ンという）が形成された構成となっている。これらは通
常シリコンウエハ１上で作られ、このシリコンウエハ１
はガラスやセラミクスからなる支持枠４に接合されてい
る。
【０００３】Ｘ線マスクの製造方法としては、使用する
材料や、プロセスの順序や、吸収体のパタン形成の方法
などが異なる種々の方法が提案されている。
材料や、プロセスの順序や、吸収体のパタン形成の方法
などが異なる種々の方法が提案されている。
【０００４】図４は、文献（ＪＪＡＰ Ｓｅｒｉｅｓ
３，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｎｇｓ ｏｆ １９８９年，Ｉ
ｎｔｅｒｎ．Ｓｙｍｐ．ｏｎ ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓ
ｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，第９９頁〜第１０３頁）に示
された従来のＸ線マスク製造方法を工程順に示す断面図
である。図において、１はシリコンウエハ、２はメンブ
レン薄膜、３は吸収体パタン、４は支持枠、５はレジス
トである。
３，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｎｇｓ ｏｆ １９８９年，Ｉ
ｎｔｅｒｎ．Ｓｙｍｐ．ｏｎ ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓ
ｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，第９９頁〜第１０３頁）に示
された従来のＸ線マスク製造方法を工程順に示す断面図
である。図において、１はシリコンウエハ、２はメンブ
レン薄膜、３は吸収体パタン、４は支持枠、５はレジス
トである。
【０００５】以下、図４に示した従来のＸ線マスクの製
造工程について説明する。まず（ａ）ではシリコンウエ
ハ１の両面に成膜されたメンブレン薄膜２のうち、裏面
の一部をドライエッチングによって取り除く。次に
（ｂ）で、メンブレン薄膜２を取り除いた面側で支持枠
４に接合する。そして（ｃ）ではシリコンウエハ１を裏
面からウエットエッチングし（この工程を通常バックエ
ッチングと称する）、支持枠４に展張したメンブレン薄
膜２を形成する。（ｄ）ではメンブレン薄膜２上に吸収
体膜３ａをスパッタリングなどの方法で成膜し、（ｅ）
でその上にレジスト５によって回路パタンを形成する。
最後に（ｆ）ではレジスト５をマスクにしてエッチング
し、吸収体パタン３を形成してＸ線マスクが完成する。
造工程について説明する。まず（ａ）ではシリコンウエ
ハ１の両面に成膜されたメンブレン薄膜２のうち、裏面
の一部をドライエッチングによって取り除く。次に
（ｂ）で、メンブレン薄膜２を取り除いた面側で支持枠
４に接合する。そして（ｃ）ではシリコンウエハ１を裏
面からウエットエッチングし（この工程を通常バックエ
ッチングと称する）、支持枠４に展張したメンブレン薄
膜２を形成する。（ｄ）ではメンブレン薄膜２上に吸収
体膜３ａをスパッタリングなどの方法で成膜し、（ｅ）
でその上にレジスト５によって回路パタンを形成する。
最後に（ｆ）ではレジスト５をマスクにしてエッチング
し、吸収体パタン３を形成してＸ線マスクが完成する。
【０００６】上記のような従来のＸ線マスクの製造方法
では、シリコンウエハ１上のメンブレン薄膜２の成膜表
面に吸収体パタン３が形成される。従って、吸収体膜３
ａの成膜時にメンブレン薄膜２の表面粗さの影響を受け
ることになる。良好なスパッタリングによる吸収体膜３
ａを得るためには、成膜時の下地となる面を平滑にする
ことが望ましい。しかし、この製造方法ではシリコンウ
エハ１に成膜されたメンブレン薄膜２の上面側は十分な
平面度が得られなかった。
では、シリコンウエハ１上のメンブレン薄膜２の成膜表
面に吸収体パタン３が形成される。従って、吸収体膜３
ａの成膜時にメンブレン薄膜２の表面粗さの影響を受け
ることになる。良好なスパッタリングによる吸収体膜３
ａを得るためには、成膜時の下地となる面を平滑にする
ことが望ましい。しかし、この製造方法ではシリコンウ
エハ１に成膜されたメンブレン薄膜２の上面側は十分な
平面度が得られなかった。
【０００７】他の従来のＸ線マスクの製造方法として、
特開昭６１−２４８０４９号公報に示されたものがあ
る。この従来例を図について説明する。図５はこのＸ線
マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。図にお
いて、１はシリコンウエハ、２はＡｌ−Ｎ−Ｏ系のメン
ブレン薄膜、４は支持枠で、例えばサポートリング、６
は接着剤、１０はポリイミド膜、１１は切れ目である。
特開昭６１−２４８０４９号公報に示されたものがあ
る。この従来例を図について説明する。図５はこのＸ線
マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。図にお
いて、１はシリコンウエハ、２はＡｌ−Ｎ−Ｏ系のメン
ブレン薄膜、４は支持枠で、例えばサポートリング、６
は接着剤、１０はポリイミド膜、１１は切れ目である。
【０００８】この製造方法を工程順に説明する。まず、
（ａ）において、シリコンウエハ１の上にポリイミド膜
１０を塗布して、ベークにより成膜する。（ｂ）でポリ
イミド膜１０の上にメンブレン薄膜２をイオンプレーテ
ィングで成膜する。（ｃ）では、サポートリング４を接
着剤６により接合する。（ｄ）でサポートリング４の外
周に沿って、積層膜１０，２に切れ目をいれる。続い
て、（ｅ）では、界面活性剤添加水溶液中で超音波によ
り、シリコンウエハ１を分離し、除去する。さらに
（ｆ）でポリイミド膜１０を除去し、所望のＸ線マスク
ブランクスを得る。この上に吸収体パタンを形成して、
Ｘ線マスクを得る。この製造方法により、吸収体の成膜
時の下地となる面を平滑にでき、平面度に優れたＸ線マ
スクを得ることが可能であるとされている。
（ａ）において、シリコンウエハ１の上にポリイミド膜
１０を塗布して、ベークにより成膜する。（ｂ）でポリ
イミド膜１０の上にメンブレン薄膜２をイオンプレーテ
ィングで成膜する。（ｃ）では、サポートリング４を接
着剤６により接合する。（ｄ）でサポートリング４の外
周に沿って、積層膜１０，２に切れ目をいれる。続い
て、（ｅ）では、界面活性剤添加水溶液中で超音波によ
り、シリコンウエハ１を分離し、除去する。さらに
（ｆ）でポリイミド膜１０を除去し、所望のＸ線マスク
ブランクスを得る。この上に吸収体パタンを形成して、
Ｘ線マスクを得る。この製造方法により、吸収体の成膜
時の下地となる面を平滑にでき、平面度に優れたＸ線マ
スクを得ることが可能であるとされている。
【０００９】この従来例では、吸収体パタンはメンブレ
ン薄膜２のもともとシリコンウエハとの界面であった面
に形成される。しかしながら、上記工程は、例えば、化
学気相蒸着法（ＣＶＤ法）でシリコンウエハに成膜され
たメンブレン薄膜のように、成膜時の密着性に優れたメ
ンブレン薄膜を得ることができない。
ン薄膜２のもともとシリコンウエハとの界面であった面
に形成される。しかしながら、上記工程は、例えば、化
学気相蒸着法（ＣＶＤ法）でシリコンウエハに成膜され
たメンブレン薄膜のように、成膜時の密着性に優れたメ
ンブレン薄膜を得ることができない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＸ
線マスクの製造方法では、吸収体膜の成膜時の下地とな
る面が十分に平滑でないという問題点があったり、メン
ブレン薄膜の密着性が不十分であるという問題点があっ
た。
線マスクの製造方法では、吸収体膜の成膜時の下地とな
る面が十分に平滑でないという問題点があったり、メン
ブレン薄膜の密着性が不十分であるという問題点があっ
た。
【００１１】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、平面度の優れたメンブレン薄膜上に
吸収体膜を形成し、より加工性に優れた吸収体膜を得る
ことのできるＸ線マスクの製造方法を得ることを目的と
している。
になされたもので、平面度の優れたメンブレン薄膜上に
吸収体膜を形成し、より加工性に優れた吸収体膜を得る
ことのできるＸ線マスクの製造方法を得ることを目的と
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＸ
線マスクの製造方法は、片面にメンブレン薄膜が成膜さ
れた状態のシリコンウエハをメンブレン薄膜面で支持枠
に接合するか、または両面にメンブレン薄膜が成膜され
たされたシリコンウエハを支持枠に接合した後、接合面
と反対の側のメンブレン薄膜をエッチングにより除去す
る第１工程、シリコンウエハをシリコンエッチング液に
より溶解除去して支持枠に展張したメンブレン薄膜を形
成する第２工程、及びシリコンウエハの除去により表出
したメンブレン薄膜面にＸ線吸収体パタンを形成する第
３工程を施すことを特徴としたものである。
線マスクの製造方法は、片面にメンブレン薄膜が成膜さ
れた状態のシリコンウエハをメンブレン薄膜面で支持枠
に接合するか、または両面にメンブレン薄膜が成膜され
たされたシリコンウエハを支持枠に接合した後、接合面
と反対の側のメンブレン薄膜をエッチングにより除去す
る第１工程、シリコンウエハをシリコンエッチング液に
より溶解除去して支持枠に展張したメンブレン薄膜を形
成する第２工程、及びシリコンウエハの除去により表出
したメンブレン薄膜面にＸ線吸収体パタンを形成する第
３工程を施すことを特徴としたものである。
【００１３】また請求項２の発明に係るＸ線マスクの製
造方法は、請求項１の発明に加え、シリコンウエハを支
持枠に接合する際、径の揃ったスペーサを混入した接着
剤を用いることを特徴としたものである。
造方法は、請求項１の発明に加え、シリコンウエハを支
持枠に接合する際、径の揃ったスペーサを混入した接着
剤を用いることを特徴としたものである。
【００１４】
【作用】上記のようなＸ線マスクの製造方法によれば、
表面が平滑なメンブレン薄膜の上に吸収体膜を形成する
ため、より加工性に優れた吸収体膜が得られ、Ｘ線マス
クの精度が高くなる。
表面が平滑なメンブレン薄膜の上に吸収体膜を形成する
ため、より加工性に優れた吸収体膜が得られ、Ｘ線マス
クの精度が高くなる。
【００１５】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の一実施例による
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。図
において、１はシリコンウエハ、２はメンブレン薄膜、
３は吸収体パタン、３ａは吸収体膜、４は支持枠で、例
えばサポートリング、６は接着剤である。
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。図
において、１はシリコンウエハ、２はメンブレン薄膜、
３は吸収体パタン、３ａは吸収体膜、４は支持枠で、例
えばサポートリング、６は接着剤である。
【００１６】以下、この実施例のＸ線マスクの製造方法
について説明する。（ａ）で、シリコンウエハ１の両面
にＣＶＤによりＳｉＣのメンブレン薄膜２を成膜し、
（ｂ）で片面のみを残し、他面及びエッジ部のＳｉＣを
エッチングにより除去する。ここで、片面にメンブレン
薄膜２が成膜された状態のシリコンウエハ１が形成され
る。次に、（ｃ）ではメンブレン薄膜２を残した面側を
サポートリング４に接着剤６によって接合する（第１工
程）。この時、接着剤６の中に粒径が７±０．１μｍの
範囲にあるシリカの粉を混入した。これにより、メンブ
レン薄膜２とサポートリング４のギャップはほぼ７μｍ
一定に保たれる。従ってメンブレン薄膜２は直接サポー
トリング４と接触することがなく、サポートリング４の
端面の凹凸等によって、メンブレン薄膜２が破壊される
ことが防止できる。
について説明する。（ａ）で、シリコンウエハ１の両面
にＣＶＤによりＳｉＣのメンブレン薄膜２を成膜し、
（ｂ）で片面のみを残し、他面及びエッジ部のＳｉＣを
エッチングにより除去する。ここで、片面にメンブレン
薄膜２が成膜された状態のシリコンウエハ１が形成され
る。次に、（ｃ）ではメンブレン薄膜２を残した面側を
サポートリング４に接着剤６によって接合する（第１工
程）。この時、接着剤６の中に粒径が７±０．１μｍの
範囲にあるシリカの粉を混入した。これにより、メンブ
レン薄膜２とサポートリング４のギャップはほぼ７μｍ
一定に保たれる。従ってメンブレン薄膜２は直接サポー
トリング４と接触することがなく、サポートリング４の
端面の凹凸等によって、メンブレン薄膜２が破壊される
ことが防止できる。
【００１７】（ｄ）で、シリコンエッチング液、例えば
フッ酸と硝酸の混合水溶液により、シリコンウエハ１を
すべて溶解し、除去する（第２工程）。ここで、サポー
トリング４に展張したメンブレン薄膜２が形成される。
（ｅ）で、第２工程（ｄ）の後に形成されたＳｉＣのメ
ンブレン薄膜２の平滑面に、Ｘ線の吸収体膜３ａとして
タングステンをスパッタリングにより成膜する。この時
下地が平滑であるため、ち密質のタングステン膜３ａを
形成することが容易になる。最後に、（ｆ）において、
レジスト塗布、電子線描画、現像、吸収体膜３ａのエッ
チングを行い、吸収体パタン３を形成する（第３工
程）。
フッ酸と硝酸の混合水溶液により、シリコンウエハ１を
すべて溶解し、除去する（第２工程）。ここで、サポー
トリング４に展張したメンブレン薄膜２が形成される。
（ｅ）で、第２工程（ｄ）の後に形成されたＳｉＣのメ
ンブレン薄膜２の平滑面に、Ｘ線の吸収体膜３ａとして
タングステンをスパッタリングにより成膜する。この時
下地が平滑であるため、ち密質のタングステン膜３ａを
形成することが容易になる。最後に、（ｆ）において、
レジスト塗布、電子線描画、現像、吸収体膜３ａのエッ
チングを行い、吸収体パタン３を形成する（第３工
程）。
【００１８】ここで、吸収体パタン３を作成する下地と
なるメンブレン薄膜２の表面荒さを比べれば、従来の製
造方法では０．１ミクロン程度の凹凸があるのに対し、
上記のように構成されたＸ線マスクの製造方法では、数
オングストロ−ム程度の凹凸になる。このため、ち密質
の吸収体膜３ａを形成することが容易になる。
なるメンブレン薄膜２の表面荒さを比べれば、従来の製
造方法では０．１ミクロン程度の凹凸があるのに対し、
上記のように構成されたＸ線マスクの製造方法では、数
オングストロ−ム程度の凹凸になる。このため、ち密質
の吸収体膜３ａを形成することが容易になる。
【００１９】上記の実施例において、第２工程における
シリコンエッチング液は水産化カルシウム水溶液でもよ
く、また、ＳｉＣのメンブレン薄膜に限らず、Ｓｉｎ，
ダイヤモンドなどでメンブレン薄膜を形成してもよい。
シリコンエッチング液は水産化カルシウム水溶液でもよ
く、また、ＳｉＣのメンブレン薄膜に限らず、Ｓｉｎ，
ダイヤモンドなどでメンブレン薄膜を形成してもよい。
【００２０】実施例２．図２はこの発明のＸ線マスクの
製造方法の他の実施例を示す断面図であり、符号は図１
と同様である。
製造方法の他の実施例を示す断面図であり、符号は図１
と同様である。
【００２１】以下、実施例の工程について説明する。実
施例１との差異は、メンブレン薄膜２のエッチングと接
合の順序であり他は同様である。（ａ）で、シリコンウ
エハ１の両面にＣＶＤにより、ＳｉＣのメンブレン薄膜
２を成膜し、（ｂ）でこのシリコンウエハ１をサポート
リング４に接着剤６により接合する。（ｃ）で、ＳｉＣ
のメンブレン薄膜２の、接合面と反対側の片面をエッチ
ングにより除去する（第１工程）。
施例１との差異は、メンブレン薄膜２のエッチングと接
合の順序であり他は同様である。（ａ）で、シリコンウ
エハ１の両面にＣＶＤにより、ＳｉＣのメンブレン薄膜
２を成膜し、（ｂ）でこのシリコンウエハ１をサポート
リング４に接着剤６により接合する。（ｃ）で、ＳｉＣ
のメンブレン薄膜２の、接合面と反対側の片面をエッチ
ングにより除去する（第１工程）。
【００２２】次に、（ｄ）で、フッ酸と硝酸の混合水溶
液により、シリコンウエハ１をすべて溶解し、除去する
（第２工程）。ここで、サポートリング４に展張したメ
ンブレン薄膜２が形成される。（ｅ）で、第２工程
（ｄ）の後に形成されたＳｉＣメンブレン薄膜２の平滑
面に、Ｘ線の吸収体膜３ａとしてタングステン膜をスパ
ッタリングにより成膜する。最後に、（ｆ）においてレ
ジスト塗布、電子線描画、現像、吸収体膜３ａのエッチ
ングを行い、吸収体パタン３を形成する（第３工程）。
液により、シリコンウエハ１をすべて溶解し、除去する
（第２工程）。ここで、サポートリング４に展張したメ
ンブレン薄膜２が形成される。（ｅ）で、第２工程
（ｄ）の後に形成されたＳｉＣメンブレン薄膜２の平滑
面に、Ｘ線の吸収体膜３ａとしてタングステン膜をスパ
ッタリングにより成膜する。最後に、（ｆ）においてレ
ジスト塗布、電子線描画、現像、吸収体膜３ａのエッチ
ングを行い、吸収体パタン３を形成する（第３工程）。
【００２３】この実施例でも上記実施例と同様、吸収体
３ａを成膜する時の下地が平滑であるため、ち密質の吸
収体３ａを形成することが容易になる。
３ａを成膜する時の下地が平滑であるため、ち密質の吸
収体３ａを形成することが容易になる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、片面にメンブレン薄膜が成膜された状態のシリコン
ウエハをメンブレン薄膜面で支持枠に接合するか、また
は両面にメンブレン薄膜が成膜されたされたシリコンウ
エハを支持枠に接合した後、接合面と反対の側のメンブ
レン薄膜をエッチングにより除去する第１工程、シリコ
ンウエハをシリコンエッチング液により溶解除去して支
持枠に展張したメンブレン薄膜を形成する第２工程、及
びシリコンウエハの除去により表出したメンブレン薄膜
面にＸ線吸収体パタンを形成する第３工程を施すことに
より、吸収体の構造がち密で、加工性に優れた吸収体膜
が得られ、高精度のＸ線マスクの製作が可能となるＸ線
マスクの製造方法が得られる効果がある。
ば、片面にメンブレン薄膜が成膜された状態のシリコン
ウエハをメンブレン薄膜面で支持枠に接合するか、また
は両面にメンブレン薄膜が成膜されたされたシリコンウ
エハを支持枠に接合した後、接合面と反対の側のメンブ
レン薄膜をエッチングにより除去する第１工程、シリコ
ンウエハをシリコンエッチング液により溶解除去して支
持枠に展張したメンブレン薄膜を形成する第２工程、及
びシリコンウエハの除去により表出したメンブレン薄膜
面にＸ線吸収体パタンを形成する第３工程を施すことに
より、吸収体の構造がち密で、加工性に優れた吸収体膜
が得られ、高精度のＸ線マスクの製作が可能となるＸ線
マスクの製造方法が得られる効果がある。
【００２５】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
に加え、シリコンウエハを支持枠に接合する際、径の揃
ったスペーサを混入した接着剤を用いることにより、請
求項１の効果に加え、支持枠に展張したメンブレン薄膜
が破壊されるのを防止できるＸ線マスクの製造方法が得
られる効果がある。
に加え、シリコンウエハを支持枠に接合する際、径の揃
ったスペーサを混入した接着剤を用いることにより、請
求項１の効果に加え、支持枠に展張したメンブレン薄膜
が破壊されるのを防止できるＸ線マスクの製造方法が得
られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１によるＸ線マスクの製造方
法を工程順に示す断面図である。
法を工程順に示す断面図である。
【図２】この発明の実施例２によるＸ線マスクの製造方
法を工程順に示す断面図である。
法を工程順に示す断面図である。
【図３】一般的なＸ線マスクを示す断面図である。
【図４】従来のＸ線マスクの製造方法の一例を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来のＸ線マスクの製造方法の他の例を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１ シリコンウエハ ２ メンブレン薄膜 ３ 吸収体パタン ４ 支持枠 ６ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠瀬 治彦 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社エル・エス・アイ研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 片面にメンブレン薄膜が成膜された状態
のシリコンウエハを上記メンブレン薄膜面で支持枠に接
合するか、または両面にメンブレン薄膜が成膜されたさ
れたシリコンウエハを支持枠に接合した後、上記接合面
と反対の側のメンブレン薄膜をエッチングにより除去す
る第１工程、上記シリコンウエハをシリコンエッチング
液により溶解除去して上記支持枠に展張したメンブレン
薄膜を形成する第２工程、及び上記シリコンウエハの除
去により表出した上記メンブレン薄膜面にＸ線吸収体パ
タンを形成する第３工程を施すことを特徴とするＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項２】 シリコンウエハを支持枠に接合する際、
径の揃ったスペーサを混入した接着剤を用いることを特
徴とする請求項第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318092A JPH05343301A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318092A JPH05343301A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343301A true JPH05343301A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15556800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15318092A Pending JPH05343301A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7648729B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-01-19 | Seiko Epson Corporation | Mask, method of manufacturing mask, device for manufacturing mask, method of manufacturing layer of luminescent material, electro-optical device, and electronic device |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP15318092A patent/JPH05343301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7648729B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-01-19 | Seiko Epson Corporation | Mask, method of manufacturing mask, device for manufacturing mask, method of manufacturing layer of luminescent material, electro-optical device, and electronic device |
| US8110063B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-02-07 | Seiko Epson Corporation | Mask, method of manufacturing mask, device for manufacturing mask, method of manufacturing layer of luminescent material, electro-optical device, and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6195356A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JPH05343301A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JP7061895B2 (ja) | インプリントモールド用基板、マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 | |
| JPS6235361A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPS59213131A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS63214754A (ja) | フオトマスク | |
| JPS63150918A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS63276228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04324613A (ja) | ウエハの貼り合わせ方法 | |
| JPS5856422A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS59117219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0831710A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0335525A (ja) | シリコンウエハの両面加工方法 | |
| JPS62204535A (ja) | 半導体シリコンウエハ−の製造方法 | |
| JPS60175425A (ja) | 選択エツチング方法 | |
| JPS5827655B2 (ja) | アパ−チャ絞りの製造方法 | |
| JPH05275319A (ja) | Ｘ線リソグラフィマスクの製造方法およびｘ線リソグラフィマスク | |
| JPS62298112A (ja) | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 | |
| JPH11283921A (ja) | セル投射マスクの製造方法 | |
| JPH02230715A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH05343300A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPH04269832A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |