JPH04324613A - ウエハの貼り合わせ方法 - Google Patents
ウエハの貼り合わせ方法Info
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- JPH04324613A JPH04324613A JP12245591A JP12245591A JPH04324613A JP H04324613 A JPH04324613 A JP H04324613A JP 12245591 A JP12245591 A JP 12245591A JP 12245591 A JP12245591 A JP 12245591A JP H04324613 A JPH04324613 A JP H04324613A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を製作する
のに用いるウエハの貼り合わせ方法に関するものである
。
ｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を製作する
のに用いるウエハの貼り合わせ方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】通常ＳＯＩ基板を形成するには、図５に
示す第１のウエハ６１を用いる。第１のウエハ６１は、
単結晶シリコンウエハ６２と、この単結晶シリコンウエ
ハ６２の上面側に形成した複数の溝６３と、各溝６３の
両側の単結晶シリコンウエハ６２部分よりなるパターン
６４と、各溝６３の内部を含む単結晶シリコンウエハ６
２の上面に形成したシリコン酸化膜６５と、シリコン酸
化膜６５の上面に形成したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜６６とによ
りなる。上記説明した第１のウエハ６１は反っているが
例えば平板状のウエハでもよい。
示す第１のウエハ６１を用いる。第１のウエハ６１は、
単結晶シリコンウエハ６２と、この単結晶シリコンウエ
ハ６２の上面側に形成した複数の溝６３と、各溝６３の
両側の単結晶シリコンウエハ６２部分よりなるパターン
６４と、各溝６３の内部を含む単結晶シリコンウエハ６
２の上面に形成したシリコン酸化膜６５と、シリコン酸
化膜６５の上面に形成したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜６６とによ
りなる。上記説明した第１のウエハ６１は反っているが
例えば平板状のウエハでもよい。
【０００３】上記第１のウエハ６１と通常の平板な単結
晶シリコンウエハよりなる第２のウエハ（７１）とを貼
り合わせて、ＳＯＩ基板を製作する方法を図６により説
明する。図に示すように、パターン６４を形成した側と
は反対側の面を真空チャック８１のウエハ吸着面８２に
吸着して、第１のウエハ６１を保持する。ウエハ吸着面
８２は凸球面状（曲率半径がおよそ１０ｍ）に形成され
ている。この場合にはパターン６４を形成した側の面が
第１のウエハ６１の貼り合わせ面６７になる。そして第
２のウエハ７１の貼り合わせ面７２と第１のウエハ６１
の貼り合わせ面６７とを対向させる。
晶シリコンウエハよりなる第２のウエハ（７１）とを貼
り合わせて、ＳＯＩ基板を製作する方法を図６により説
明する。図に示すように、パターン６４を形成した側と
は反対側の面を真空チャック８１のウエハ吸着面８２に
吸着して、第１のウエハ６１を保持する。ウエハ吸着面
８２は凸球面状（曲率半径がおよそ１０ｍ）に形成され
ている。この場合にはパターン６４を形成した側の面が
第１のウエハ６１の貼り合わせ面６７になる。そして第
２のウエハ７１の貼り合わせ面７２と第１のウエハ６１
の貼り合わせ面６７とを対向させる。
【０００４】次いで、各貼り合わせ面６７，７２を対向
させた状態で、第１，第２のウエハ６１，７１の一部分
どうしを水素結合力により貼り合わせる。通常各貼り合
わせ面６７，７２の中央部より外周方向に向かって貼り
合わされる。このとき貼り合わされる面積は全貼り合わ
せ面積のおよそ２／３になる。そして第２のウエハ７１
は貼り合わせ面６７に沿って湾曲した状態になる。
させた状態で、第１，第２のウエハ６１，７１の一部分
どうしを水素結合力により貼り合わせる。通常各貼り合
わせ面６７，７２の中央部より外周方向に向かって貼り
合わされる。このとき貼り合わされる面積は全貼り合わ
せ面積のおよそ２／３になる。そして第２のウエハ７１
は貼り合わせ面６７に沿って湾曲した状態になる。
【０００５】続いて真空チャック８１の吸着を序々に解
除する。すると、第１のウエハ６１は弾性による復元力
により貼り合わせる前の状態（平板状態）に戻って、各
貼り合わせ面６７，７２どうしが全面に亙って水素結合
力により貼り合わされる。上記の如くして形成した貼り
合わせウエハはパターン６４側が凸球面状に反ったウエ
ハになる。
除する。すると、第１のウエハ６１は弾性による復元力
により貼り合わせる前の状態（平板状態）に戻って、各
貼り合わせ面６７，７２どうしが全面に亙って水素結合
力により貼り合わされる。上記の如くして形成した貼り
合わせウエハはパターン６４側が凸球面状に反ったウエ
ハになる。
【０００６】そして、上記方法によって形成した貼り合
わせたウエハを用いてＳＯＩ基板を製作するには、まず
貼り合わせたウエハを熱処理する。その後、第２のウエ
ハ７１側を平坦なウエハ吸着面を有する真空チャック（
図示せず）に吸着し、第１のウエハ６１側の単結晶シリ
コンウエハ６２を研削，研磨してシリコン酸化膜６５を
露出させる。この結果、シリコン酸化膜６５の上面にパ
ターン６４が島状に形成されたＳＯＩ基板が完成する。
わせたウエハを用いてＳＯＩ基板を製作するには、まず
貼り合わせたウエハを熱処理する。その後、第２のウエ
ハ７１側を平坦なウエハ吸着面を有する真空チャック（
図示せず）に吸着し、第１のウエハ６１側の単結晶シリ
コンウエハ６２を研削，研磨してシリコン酸化膜６５を
露出させる。この結果、シリコン酸化膜６５の上面にパ
ターン６４が島状に形成されたＳＯＩ基板が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では、第１のウエハを凸球面状のウエハ吸着面に保持
した状態で第２のウエハを貼り合わせたので、貼り合わ
せたウエハは反った状態になる。このため、第１のウエ
ハに形成したパターンの寸法は例えば伸びて変化する。 したがって、従来の方法によって貼り合わせたウエハで
ＳＯＩ基板を製作した場合には、ＳＯＩ基板は反った状
態に形成され、しかもパターンの寸法は設計値と異なる
。そして、ホトリソグラフィー等によって上記ＳＯＩ基
板のパターン上に別のパターンを形成する場合には、通
常平坦なウエハ保持面を有するウエハチャックにＳＯＩ
基板を保持して感光工程を行う。このとき、ウエハチャ
ックに保持したＳＯＩ基板のパターンはさらに伸ばされ
る。このため、設計値に基づいて形成したフォトマスク
のパターンとＳＯＩ基板のパターンとに寸法差が生じて
、マスク合わせずれが生じて不良が発生する。この結果
、歩留りが低下する。
法では、第１のウエハを凸球面状のウエハ吸着面に保持
した状態で第２のウエハを貼り合わせたので、貼り合わ
せたウエハは反った状態になる。このため、第１のウエ
ハに形成したパターンの寸法は例えば伸びて変化する。 したがって、従来の方法によって貼り合わせたウエハで
ＳＯＩ基板を製作した場合には、ＳＯＩ基板は反った状
態に形成され、しかもパターンの寸法は設計値と異なる
。そして、ホトリソグラフィー等によって上記ＳＯＩ基
板のパターン上に別のパターンを形成する場合には、通
常平坦なウエハ保持面を有するウエハチャックにＳＯＩ
基板を保持して感光工程を行う。このとき、ウエハチャ
ックに保持したＳＯＩ基板のパターンはさらに伸ばされ
る。このため、設計値に基づいて形成したフォトマスク
のパターンとＳＯＩ基板のパターンとに寸法差が生じて
、マスク合わせずれが生じて不良が発生する。この結果
、歩留りが低下する。
【０００８】本発明は、ウエハの貼り合わせ後にパター
ンの寸法が変化しないウエハの貼り合わせ方法を提供す
ることを目的とする。
ンの寸法が変化しないウエハの貼り合わせ方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものである。第１のウエハの貼り
合わせ方法としては、第１のウエハの貼り合わせ面をほ
ぼ凸状球面に湾曲させて保持しかつ第２のウエハはその
貼り合わせ面を平坦な状態に保持するとともに、各貼り
合わせ面を対向させる。その後第１のウエハの貼り合わ
せ面の一部分と第２のウエハの貼り合わせ面の一部分と
を貼り合わす。次いで第１のウエハの保持を徐々に解除
して、各貼り合わせ面どうしを全面に亙って貼り合わす
。
成するためになされたものである。第１のウエハの貼り
合わせ方法としては、第１のウエハの貼り合わせ面をほ
ぼ凸状球面に湾曲させて保持しかつ第２のウエハはその
貼り合わせ面を平坦な状態に保持するとともに、各貼り
合わせ面を対向させる。その後第１のウエハの貼り合わ
せ面の一部分と第２のウエハの貼り合わせ面の一部分と
を貼り合わす。次いで第１のウエハの保持を徐々に解除
して、各貼り合わせ面どうしを全面に亙って貼り合わす
。
【００１０】また第２の方法としては、第１のウエハの
貼り合わせ面の予めほぼ凸球面状になる状態に湾曲させ
てかつ第２のウエハの貼り合わせ面をほぼ凸球面状に湾
曲した状態に保持するとともに各貼り合わせ面どうしを
対向させる。その後第１のウエハの貼り合わせ面の一部
分と第２のウエハの貼り合わせ面の一部分とを貼り合わ
せて第１のウエハの貼り合わせ面を平坦な状態にする。 次いで第２のウエハの保持を徐々に解除して、第１，第
２のウエハの貼り合わせ面どうしを全面に亙って貼り合
わせる。
貼り合わせ面の予めほぼ凸球面状になる状態に湾曲させ
てかつ第２のウエハの貼り合わせ面をほぼ凸球面状に湾
曲した状態に保持するとともに各貼り合わせ面どうしを
対向させる。その後第１のウエハの貼り合わせ面の一部
分と第２のウエハの貼り合わせ面の一部分とを貼り合わ
せて第１のウエハの貼り合わせ面を平坦な状態にする。 次いで第２のウエハの保持を徐々に解除して、第１，第
２のウエハの貼り合わせ面どうしを全面に亙って貼り合
わせる。
【００１１】
【作用】上記第１の方法では、第２のウエハの貼り合わ
せ面を平坦な状態に保持したので、第１，第２のウエハ
の各貼り合わせ面はほぼ平坦な状態で水素結合力により
貼り合わされる。この結果、パターン寸法が変化するこ
となく貼り合わせウエハが形成される。上記第２の方法
では、パターン形成側がほぼ凸球面状に湾曲した第１の
ウエハの貼り合わせ面の一部分と第２のウエハの貼り合
わせた面の一部分とを水素結合力によって貼り合わせる
。このとき、第１のウエハの貼り合わせ面はほぼ平坦に
なる。この状態で、第２のウエハの保持を徐々に解除し
たので、第２のウエハは復元力によりもとの状態（平板
状態）に戻る。そして平板状態の第１のウエハに第２の
ウエハが水素結合力により全面に亙って貼り合わされる
ので、第１，第２のウエハの貼り合わせ面はほぼ平坦に
なる。この結果、第１の方法と同様にパターン寸法が変
化することなく貼り合わせウエハが形成される。
せ面を平坦な状態に保持したので、第１，第２のウエハ
の各貼り合わせ面はほぼ平坦な状態で水素結合力により
貼り合わされる。この結果、パターン寸法が変化するこ
となく貼り合わせウエハが形成される。上記第２の方法
では、パターン形成側がほぼ凸球面状に湾曲した第１の
ウエハの貼り合わせ面の一部分と第２のウエハの貼り合
わせた面の一部分とを水素結合力によって貼り合わせる
。このとき、第１のウエハの貼り合わせ面はほぼ平坦に
なる。この状態で、第２のウエハの保持を徐々に解除し
たので、第２のウエハは復元力によりもとの状態（平板
状態）に戻る。そして平板状態の第１のウエハに第２の
ウエハが水素結合力により全面に亙って貼り合わされる
ので、第１，第２のウエハの貼り合わせ面はほぼ平坦に
なる。この結果、第１の方法と同様にパターン寸法が変
化することなく貼り合わせウエハが形成される。
【００１２】
【実施例】本発明の第１実施例を図１の製造工程図およ
び図２の第１のウエハの拡大断面図により説明する。ま
ず貼り合わせウエハを製作するのに用いる第１のウエハ
を図２により説明する。図に示すように、単結晶シリコ
ンウエハ１２の上面に複数の溝１３を形成する。そして
各溝１３の両側の単結晶シリコンウエハ部分でパターン
１４を形成する。また各溝１３の内部を含む単結晶シリ
コンウエハ１２の上面にシリコン酸化膜１５を堆積する
。さらにシリコン酸化膜１５の上面にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
１６を堆積する。上記の如くして、反っていない第１の
ウエハ１１が形成される。
び図２の第１のウエハの拡大断面図により説明する。ま
ず貼り合わせウエハを製作するのに用いる第１のウエハ
を図２により説明する。図に示すように、単結晶シリコ
ンウエハ１２の上面に複数の溝１３を形成する。そして
各溝１３の両側の単結晶シリコンウエハ部分でパターン
１４を形成する。また各溝１３の内部を含む単結晶シリ
コンウエハ１２の上面にシリコン酸化膜１５を堆積する
。さらにシリコン酸化膜１５の上面にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
１６を堆積する。上記の如くして、反っていない第１の
ウエハ１１が形成される。
【００１３】次にウエハの貼り合わせ方法を説明する。
図１に示す如く、上記第１のウエハ１１のパターン１４
側とは反対側の面を真空チャック４１のウエハ吸着面４
２に吸着して保持する。ウエハ吸着面４２は例えば凸球
面に形成されている。また第２のウエハ２１は両面が平
坦な通常の単結晶シリコンウエハよりなる。そして第２
のウエハ２１の貼り合わせ面２２とは反対側の面を真空
チャック５１の平坦なウエハ吸着面５２に吸着して保持
する。したがって、第２のウエハ２１の貼り合わせ面２
２は平坦な状態に保持される。続いて第１のウエハ１１
の貼り合わせ面１７と第２のウエハ２１の貼り合わせ面
２２とを対向させる。
側とは反対側の面を真空チャック４１のウエハ吸着面４
２に吸着して保持する。ウエハ吸着面４２は例えば凸球
面に形成されている。また第２のウエハ２１は両面が平
坦な通常の単結晶シリコンウエハよりなる。そして第２
のウエハ２１の貼り合わせ面２２とは反対側の面を真空
チャック５１の平坦なウエハ吸着面５２に吸着して保持
する。したがって、第２のウエハ２１の貼り合わせ面２
２は平坦な状態に保持される。続いて第１のウエハ１１
の貼り合わせ面１７と第２のウエハ２１の貼り合わせ面
２２とを対向させる。
【００１４】次いで各貼り合わせ面１７，２２を対向し
た状態で貼り合わせ面１７の一部分と貼り合わせ面２２
の一部分とを水素結合力により貼り合わせる。貼り合わ
せ面１７は凸球面状になっているので、通常各貼り合わ
せ面１７，２２どうしはその中央部より貼り合わされる
。
た状態で貼り合わせ面１７の一部分と貼り合わせ面２２
の一部分とを水素結合力により貼り合わせる。貼り合わ
せ面１７は凸球面状になっているので、通常各貼り合わ
せ面１７，２２どうしはその中央部より貼り合わされる
。
【００１５】続いて真空チャック４１の吸着を徐々に解
除して第１のウエハ１１を自由にする。このとき、第１
のウエハ１１は弾性による復元力により平板状態に戻る
。そして水素結合力により貼り合わせ面１７は、その中
央部側より周縁部方向に向かってかつ全面に亙って、貼
り合わせ面２２に貼り合わされる。上記の如くして、第
１，第２のウエハ１１，２１の貼り合わせ面１７，２２
はほぼ平坦な状態で貼り合わされる。よって第１，第２
のウエハ１１，２１を貼り合わせて形成したウエハ（以
下貼り合わせウエハと記す）は反った状態にならない。 よって、パターン１４は伸びないのでパターン３４の寸
法は変化しない。
除して第１のウエハ１１を自由にする。このとき、第１
のウエハ１１は弾性による復元力により平板状態に戻る
。そして水素結合力により貼り合わせ面１７は、その中
央部側より周縁部方向に向かってかつ全面に亙って、貼
り合わせ面２２に貼り合わされる。上記の如くして、第
１，第２のウエハ１１，２１の貼り合わせ面１７，２２
はほぼ平坦な状態で貼り合わされる。よって第１，第２
のウエハ１１，２１を貼り合わせて形成したウエハ（以
下貼り合わせウエハと記す）は反った状態にならない。 よって、パターン１４は伸びないのでパターン３４の寸
法は変化しない。
【００１６】そして、上記方法によって製作した貼り合
わせウエハを用いてＳＯＩ基板を製作するには、前記従
来の技術中で説明したと同様の方法によって行う。この
ようにして製作したＳＯＩ基板では、パターン１４の寸
法が変化しないのでパターン１４の寸法精度は高まる。
わせウエハを用いてＳＯＩ基板を製作するには、前記従
来の技術中で説明したと同様の方法によって行う。この
ようにして製作したＳＯＩ基板では、パターン１４の寸
法が変化しないのでパターン１４の寸法精度は高まる。
【００１７】次に第２実施例を図３の第１のウエハの説
明図と図４の製造工程図とにより説明する。図３に示す
如く、第１のウエハ３１は、通常のシリコンウエハ３２
の上面に形成した複数の溝３３と、各溝３３の両側の単
結晶シリコンウエハ部分で形成したパターン３４と、各
溝３３の内部を含む単結晶シリコンウエハ３２の上面に
形成したシリコン酸化膜３５と、シリコン酸化膜３５と
ともにシリコンウエハ３２を被覆する状態に形成したｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜３６とによりなる。そして上記第１のウ
エハ３１はパターン３４側がほぼ凸球面状に湾曲してい
る。通常、第１のウエハ３１を上記のように湾曲させる
には、シリコン酸化膜３５を形成した後に、例えば低圧
化学的気相成長法によりシリコン酸化膜３５とともにシ
リコンウエハ３２を被覆する状態に上記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３６を形成する。次いでパターン３４を形成していな
い側のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６を所定の厚さだけ除去する
。この結果、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６の熱膨張率とシリコ
ンウエハ３２の熱膨張率との差によってｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３６に生じる引張応力がパターン３４を形成した側の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６に多く働くので、第１のウエハ３
１はパターン３４を形成した側に湾曲する。第１のウエ
ハ３１の湾曲量は、第１のウエハ３１の貼り合わせ面の
一部分と後述する第２のウエハ（２１）の貼り合わせ面
の一部分とを貼り合わせたときに、第１のウエハ３１の
貼り合わせ面が平坦になるように調節される。例えば、
通常の５インチウエハの場合には、湾曲面の曲率半径が
およそ１０ｍになるように調節する。なおこの湾曲量は
ウエハの径やウエハの厚さ等により適宜決定される。
明図と図４の製造工程図とにより説明する。図３に示す
如く、第１のウエハ３１は、通常のシリコンウエハ３２
の上面に形成した複数の溝３３と、各溝３３の両側の単
結晶シリコンウエハ部分で形成したパターン３４と、各
溝３３の内部を含む単結晶シリコンウエハ３２の上面に
形成したシリコン酸化膜３５と、シリコン酸化膜３５と
ともにシリコンウエハ３２を被覆する状態に形成したｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜３６とによりなる。そして上記第１のウ
エハ３１はパターン３４側がほぼ凸球面状に湾曲してい
る。通常、第１のウエハ３１を上記のように湾曲させる
には、シリコン酸化膜３５を形成した後に、例えば低圧
化学的気相成長法によりシリコン酸化膜３５とともにシ
リコンウエハ３２を被覆する状態に上記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３６を形成する。次いでパターン３４を形成していな
い側のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６を所定の厚さだけ除去する
。この結果、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６の熱膨張率とシリコ
ンウエハ３２の熱膨張率との差によってｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３６に生じる引張応力がパターン３４を形成した側の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３６に多く働くので、第１のウエハ３
１はパターン３４を形成した側に湾曲する。第１のウエ
ハ３１の湾曲量は、第１のウエハ３１の貼り合わせ面の
一部分と後述する第２のウエハ（２１）の貼り合わせ面
の一部分とを貼り合わせたときに、第１のウエハ３１の
貼り合わせ面が平坦になるように調節される。例えば、
通常の５インチウエハの場合には、湾曲面の曲率半径が
およそ１０ｍになるように調節する。なおこの湾曲量は
ウエハの径やウエハの厚さ等により適宜決定される。
【００１８】次に第２実施例の製造方法を図４の製造工
程図により説明する。図に示すように、まず第２のウエ
ハ２１の貼り合わせ面２２とは反対側の面を真空チャッ
ク４３のウエハ吸着面４４に吸着する。真空チャック４
３のウエハ吸着面４４は凸状球面で形成する。この凸状
球面の曲率半径は例えば第１のウエハ３１の貼り合わせ
面３７の曲率半径とほぼ同等に設定する。そして上記第
１のウエハ３１のパターン３４側の面を貼り合わせ面３
７とし、この貼り合わせ面３７と通常の単結晶シリコン
ウエハよりなる第２のウエハ２１の貼り合わせ面２２と
を対向させる。
程図により説明する。図に示すように、まず第２のウエ
ハ２１の貼り合わせ面２２とは反対側の面を真空チャッ
ク４３のウエハ吸着面４４に吸着する。真空チャック４
３のウエハ吸着面４４は凸状球面で形成する。この凸状
球面の曲率半径は例えば第１のウエハ３１の貼り合わせ
面３７の曲率半径とほぼ同等に設定する。そして上記第
１のウエハ３１のパターン３４側の面を貼り合わせ面３
７とし、この貼り合わせ面３７と通常の単結晶シリコン
ウエハよりなる第２のウエハ２１の貼り合わせ面２２と
を対向させる。
【００１９】その後、第１のウエハ３１の貼り合わせ面
３７の一部分と第２のウエハ２１の貼り合わせ面２２の
一部分とを水素結合力によって貼り合わせる。このとき
各貼り合わせ面２２，３７はともに湾曲しているので、
通常各貼り合わせ面２２，３７のほぼ中央部より貼り合
わされる。そして全貼り合わせ面積のおよそ１／３が貼
り合わされて、第１のウエハ３１の貼り合わせ面３７は
ほぼ平坦な状態になる。
３７の一部分と第２のウエハ２１の貼り合わせ面２２の
一部分とを水素結合力によって貼り合わせる。このとき
各貼り合わせ面２２，３７はともに湾曲しているので、
通常各貼り合わせ面２２，３７のほぼ中央部より貼り合
わされる。そして全貼り合わせ面積のおよそ１／３が貼
り合わされて、第１のウエハ３１の貼り合わせ面３７は
ほぼ平坦な状態になる。
【００２０】続いて真空チャック４３による第２のウエ
ハ２１の吸着を徐々に解除する。このとき、第２のウエ
ハ２１は弾性による復元力によってもとの平板状態に戻
る。そして水素結合力により貼り合わせ面２２は、その
中央部側より周縁部方向に向かってかつ全面に亙って、
貼り合わせ面３７に貼り合わされる。この結果、各貼り
合わせ面２２，３７が平坦な状態で貼り合わされるので
、第１実施例で説明したと同様に、第１，第２ウエハ３
１，２１を貼り合わせて形成したウエハは反らない。 よってパターン３４の寸法は変化しないので設計値にな
る。
ハ２１の吸着を徐々に解除する。このとき、第２のウエ
ハ２１は弾性による復元力によってもとの平板状態に戻
る。そして水素結合力により貼り合わせ面２２は、その
中央部側より周縁部方向に向かってかつ全面に亙って、
貼り合わせ面３７に貼り合わされる。この結果、各貼り
合わせ面２２，３７が平坦な状態で貼り合わされるので
、第１実施例で説明したと同様に、第１，第２ウエハ３
１，２１を貼り合わせて形成したウエハは反らない。 よってパターン３４の寸法は変化しないので設計値にな
る。
【００２１】上記第１，第２実施例で説明した方法によ
り製作した貼り合わせウエハで、例えば前記パターン３
４を有するＳＯＩ基板を形成し、その後リソグラフィー
工程の感光工程でＳＯＩ基板に別のパターンを形成した
場合には、別のパターンを形成するためのマスクパター
ンとＳＯＩ基板のパターン３４とのずれは生じない。こ
の結果、マスク合わせずれがなくなるので、歩留りの向
上が図れる。
り製作した貼り合わせウエハで、例えば前記パターン３
４を有するＳＯＩ基板を形成し、その後リソグラフィー
工程の感光工程でＳＯＩ基板に別のパターンを形成した
場合には、別のパターンを形成するためのマスクパター
ンとＳＯＩ基板のパターン３４とのずれは生じない。こ
の結果、マスク合わせずれがなくなるので、歩留りの向
上が図れる。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第１の方
法によれば、パターンが形成されていない第２のウエハ
の貼り合わせ面を平坦な状態にして第１，第２のウエハ
どうしを貼り合わせたので、パターンの寸法は変化しな
い。また第２の方法によれば、第１，第２のウエハとを
初めに接触させて貼り合わせたときに第１のウエハをほ
ぼ平坦な状態にし、その後第２のウエハの保持を徐々に
解除して残りの部分を貼り合わせたので、貼り合わせ面
はほぼ平坦になる。この結果、パターンは変化しない。 よって、寸法精度の優れたパターンを有する貼り合わせ
ウエハができる。
法によれば、パターンが形成されていない第２のウエハ
の貼り合わせ面を平坦な状態にして第１，第２のウエハ
どうしを貼り合わせたので、パターンの寸法は変化しな
い。また第２の方法によれば、第１，第２のウエハとを
初めに接触させて貼り合わせたときに第１のウエハをほ
ぼ平坦な状態にし、その後第２のウエハの保持を徐々に
解除して残りの部分を貼り合わせたので、貼り合わせ面
はほぼ平坦になる。この結果、パターンは変化しない。 よって、寸法精度の優れたパターンを有する貼り合わせ
ウエハができる。
【図１】第１実施例の製造工程図である。
【図２】第１実施例の第１のウエハの拡大概略断面図で
ある。
ある。
【図３】第２実施例の第１のウエハの拡大概略断面図で
ある。
ある。
【図４】第２実施例の製造工程図である。
【図５】従来例の第１のウエハの拡大概略断面図である
。
。
【図６】従来例の製造工程図である。
１１ 第１のウエハ
１４ パターン
１７ 貼り合わせ面
２１ 第２のウエハ
２２ 貼り合わせ面
３１ 第１のウエハ
３４ パターン
３７ 貼り合わせ面
Claims (2)
- 【請求項１】 貼り合わせ面側にパターンを形成した
第１のウエハとパターンを形成しない第２のウエハとを
貼り合わせるウエハの貼り合わせ方法であって、前記第
１のウエハの貼り合わせ面をほぼ凸球面状になる状態に
湾曲してかつ前記第２のウエハの貼り合わせ面を平坦な
状態に保持するとともに各貼り合わせ面どうしを対向さ
せ、その後前記第１のウエハの各貼り合わせ面の一部分
と前記第２のウエハの貼り合わせ面の一部分とを貼り合
わせ、次いで前記第１のウエハの保持を徐々に解除し、
前記第１，第２のウエハの各貼り合わせ面どうしを全面
に亙って貼り合わせることを特徴とするウエハの貼り合
わせ方法。 - 【請求項２】 貼り合わせ面側にパターンを形成した
第１のウエハとパターンを形成しない第２のウエハとを
貼り合わせるウエハの貼り合わせ方法であって、前記第
１のウエハの貼り合わせ面を予めほぼ凸球面状になる状
態に湾曲させてかつ前記第２のウエハの貼り合わせ面を
ほぼ凸球面状に湾曲した状態に保持するとともに各貼り
合わせ面どうしを対向させ、その後前記第１のウエハの
貼り合わせ面の一部分と前記第２のウエハの貼り合わせ
面の一部分とを貼り合わせて第１のウエハの貼り合わせ
面をほぼ平坦な状態にし、次いで前記第２のウエハの保
持を徐々に解除して前記第１，第２のウエハの貼り合わ
せ面どうしを全面に亙って貼り合わせることを特徴とす
るウエハの貼り合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12245591A JP3160936B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの貼り合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12245591A JP3160936B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの貼り合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324613A true JPH04324613A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3160936B2 JP3160936B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=14836275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12245591A Expired - Fee Related JP3160936B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | ウエハの貼り合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160936B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU732569B2 (en) * | 1997-08-27 | 2001-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| WO2002056352A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Lintec Corporation | Appareil d'assemblage et procede d'assemblage |
| JP2012019209A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Soytec | 半径方向位置ずれの補償を含む分子接合による貼り合わせ方法 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP12245591A patent/JP3160936B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU732569B2 (en) * | 1997-08-27 | 2001-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| US6451670B1 (en) | 1997-08-27 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| US6706618B2 (en) | 1997-08-27 | 2004-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method |
| WO2002056352A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Lintec Corporation | Appareil d'assemblage et procede d'assemblage |
| GB2375733A (en) * | 2001-01-15 | 2002-11-27 | Lintec Corp | Bonding apparatus, and bonding method |
| GB2375733B (en) * | 2001-01-15 | 2004-11-03 | Lintec Corp | Laminating apparatus and laminating method |
| US6951593B2 (en) | 2001-01-15 | 2005-10-04 | Lintec Corporation | Laminating device and laminating method |
| JP2012019209A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Soytec | 半径方向位置ずれの補償を含む分子接合による貼り合わせ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3160936B2 (ja) | 2001-04-25 |
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