JP7061895B2 - インプリントモールド用基板、マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 - Google Patents
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Description
インプリントモールドをインプリント装置の装着部に装着する際、モールドの側面を支持具で支持しつつ、モールドの裏面を真空チャックすることで固定する。モールド裏面の凹部の大きさを従来よりも大きくすると、モールドの裏面の真空チャックされる領域が小さくなるため、チャック力が大きく低下することになる。そのような低いチャック力で裏面が固定されたインプリントモールドのモールドパターンを転写対象物上の液体樹脂に押し当て、樹脂を硬化させた後にモールドを剥離しようとすると、モールド裏面を固定しているチャック力が、モールドパターンと樹脂との間の付着力に抗しきれず、インプリントモールドがインプリント装置の装着部から脱落する恐れがある。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
対向する2つの主表面を備え、一方の前記主表面に台座構造を有し、他方の前記主表面に凹部を有する基板からなるインプリントモールド用基板であって、前記凹部は、前記一方の主表面に対向する底面と側壁面とを有し、前記主表面方向から見たとき、前記凹部の底面は、前記台座構造を包含する大きさを有し、前記凹部の底面の面積は、前記凹部の開口端部の開口面積よりも大きく、前記凹部の底面の面積は、前記台座構造の面積の2倍以上であり、前記開口端部の開口面積を除いた前記他方の主表面の面積は、前記台座構造の面積の5倍以上である、ことを特徴とするインプリントモールド用基板。
前記凹部は、前記開口端部の開口面積が拡張された拡張部を底面側の側壁面に有することを特徴とする構成1に記載のインプリントモールド用基板。
(構成3)
前記拡張部は、前記底面近傍の側壁面の全周に渡って形成された溝部であることを特徴とする構成2に記載のインプリントモールド用基板。
前記主表面方向から見たときの前記台座構造の形状は多角形状であり、前記主表面方向から見たときの前記主表面の形状は矩形状であり、前記主表面の対角線の長さに対する前記多角形状の台座構造の外接円の直径の比率が0.38倍以上であることを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
(構成5)
前記他方の主表面の面積に対する前記凹部の底面の面積の比率は、0.7倍以下であることを特徴とする構成1乃至4のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
前記他方の主表面の面積に対する前記開口端部の開口面積の比率は、0.086倍以上であることを特徴とする構成1乃至5のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
(構成7)
前記凹部の底面と前記一方の主表面との間の前記基板の厚さは、1.5mm以下であることを特徴とする構成1乃至6のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
前記基板は、2つの主表面を貫通する孔を有する第1の基板と一方の主表面に前記台座構造を有する第2の基板を接合してなり、前記凹部は、前記第1の基板の孔によって前記側壁面が構成され、前記第2の基板の他方の主表面によって前記底面が構成されていることを特徴とする構成1乃至7のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
構成1乃至8のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記一方の主表面に、パターン形成用薄膜を備えることを特徴とするマスクブランク。
(構成10)
前記パターン形成用薄膜は、クロムを含有する材料からなることを特徴とする構成9に記載のマスクブランク。
構成9又は10に記載のマスクブランクを用いるインプリントモールドの製造方法であって、前記パターン形成用薄膜上に形成されたモールドパターンを有するレジスト膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記パターン形成用薄膜にモールドパターンを形成する工程と、前記モールドパターンが形成されたパターン形成用薄膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記台座構造の転写面にモールドパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
また、本発明によれば、このインプリントモールド用基板を用いて、上記インプリントモールドの製造に好適なマスクブランクを提供することができる。
[インプリントモールド用基板]
まず、インプリントモールドの製造に好適な本発明のインプリントモールド用基板(以下、単に「基板」と呼ぶこともある。)について説明する。
他方の主表面12の面積に対する上記凹部15の底面16の面積の比率が大きすぎると(0.7倍を超える)、底面16と台座構造14を有する一方の主表面11との間の部分の強度、溝部18と側面13との間の部分の強度が低下するという問題が生じる。
他方の主表面12の面積に対する上記開口端部19の開口面積の比率が小さすぎると(0.086倍未満)、洗浄時に洗浄液が溝部18に入りにくくなり、溝部18から洗浄液を排出させにくくなるという問題が生じる。また、溝部18を加工するための切削治具を凹部15内に挿入しにくくなる。
上記基板1は、たとえば平板状の基板の一方の主表面に上記台座構造14を形成し、他方の主表面に上記凹部15を形成することによって得られる。
上記基板の一方の主表面上にエッチングマスク膜を形成する方法は特に制約される必要はないが、たとえばスパッタリング成膜法が好ましく挙げられる。
この場合のエッチング液としては、上記基板がガラスからなる場合、フッ酸(HF)を含有するエッチング液が好ましい。エッチング液の液温は適宜設定される。また、エッチング処理中は、必要に応じて適宜エッチング液を攪拌するようにしてもよい。
本実施の形態のインプリントモールド用基板2は、図3に示されるように、対向する2つの主表面21、22を備え、これら2つの主表面の外周端の間に側面23を備えている。また、この基板2の一方の主表面21に台座構造24を有し、他方の主表面22に凹部25を有している。本実施の形態においても、上記基板2は、全体が矩形状を成しており、また、基板2の主表面方向から見たときの上記台座構造24の形状についても全体が矩形状である。また、基板2の主表面方向から見たときの上記凹部25の形状は全体が円形状を成している。
また、その他の構成については第1の実施の形態の場合と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。
また、本実施の形態の上記基板2は、前述の第1の実施の形態の基板1と同様の方法で製造することができる。
本実施の形態のインプリントモールド用基板3は、図4に示されるように、2つの主表面31A、31Bを貫通する孔33を有する第1の基板31と、一方の主表面32Aに前記台座構造14を有する第2の基板32とを、第1の基板31の他方の主表面31Bと第2の基板32の他方の主表面32Bとを向かい合わせて接合したものである。本実施の形態では、第1の実施の形態の基板1と同様の凹部15は、第1の基板31に穿設された上記貫通孔33によって側壁面17が構成され、第2の基板32の他方の主表面32Bによって底面16が構成されている。また、第1の基板31の2つの主表面31A、31Bを貫通する孔33は、他方の主表面31B側では、一方の主表面31A側の開口端部19よりも大きな径を有している。これにより、第1の基板31と第2の基板32を接合した時に、第1の実施の形態の基板1と同様の溝部18が凹部15の底面16側に形成される。
具体的には、例えば、溶接(溶着)法、接着法、陽極接合法、フッ酸接合法、光学溶着法(オプティカルコンタクト)などの方法を好ましく用いることができる。第1の基板31と第2の基板32のそれぞれの材質に応じて好適な接合方法を適宜選択して用いればよい。
次に、本発明に係るマスクブランクについて説明する。
本発明は、上述の本発明のインプリントモールド用基板の一方の主表面(台座構造を有する側の主表面)に、パターン形成用薄膜を備えるマスクブランクについても提供する。
すなわち、図5に示すマスクブランク(インプリントモールド用マスクブランク)10は、上述の第1の実施の形態のインプリントモールド用基板1の台座構造14を有する一方の主表面11、すなわちインプリントモールドのモールドパターンを形成する側の面(パターン形成面)に、パターン形成用薄膜5を備えたものである。
勿論、このようなパターン形成用薄膜5の構成および材料の例示はあくまでも一例であり、本発明はこれらに制約される必要はまったくない。
また、本発明のマスクブランク10は、上記パターン形成用薄膜5の上に、レジスト膜を形成した形態であっても構わない。
次に、本発明に係るインプリントモールドの製造方法について説明する。
本発明は、上述のマスクブランク10を用いたインプリントモールドの製造方法についても提供するものである。
すなわち、本発明は、上述のマスクブランクを用いるインプリントモールドの製造方法であって、前記パターン形成用薄膜上に形成されたモールドパターンを有するレジスト膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記パターン形成用薄膜にモールドパターンを形成する工程と、前記モールドパターンが形成されたパターン形成用薄膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記台座構造の転写面にモールドパターンを形成する工程とを有することを特徴としている。
以下、図6を参照してインプリントモールドの製造工程を説明する。
上述の本発明のマスクブランク10の上面に、液体状の光硬化型樹脂(または熱硬化型樹脂)からなるレジスト膜6を塗布する(図6(a)参照)。次に、上記の液体状の樹脂に対し、微細パターン(モールドパターン)を備えるマスターモールドを直接押し付けた状態で光照射処理(または加熱処理)を行って樹脂を硬化させてからマスターモールドを剥離する。さらに、酸素プラズマ等を用いるアッシングによって樹脂の残膜部分を除去するデスカム処理を行うことで、パターン形成用薄膜5上にレジストパターン6aを形成する(図6(b)参照)。
ここで、ドライエッチング装置からマスクブランクを一旦取り出して、残存する上記レジストパターン6aを除去してもよい(図6(d)参照)。
なお、上記薄膜5の膜構成、材質によっては、上記エッチング加工を1段階ではなく、2段階以上で行うこともある。
本発明により得られる上述のインプリントモールド20は、被転写体(転写対象物)40における被転写体構成層(例えばシリコンウェハ)41上に塗布されたレジスト膜(例えば光硬化型樹脂や熱硬化型樹脂)42に直接押し付けてモールドパターン20aを転写する。本発明により得られるインプリントモールドを用いることにより、転写対象物にモールドパターンを精度良く転写することができる。
また、本発明によれば、このインプリントモールド用基板を用いて、上記インプリントモールドの製造に好適なマスクブランクを得ることができる。
(実施例1)
本実施例に使用するインプリントモールド用基板を以下のようにして作製した。本実施例では、前述の第1の実施の形態の基板1を作製した。なお、以下の説明中で使用する符号は図1、図2中の符号に対応している。
次に、上記台座構造用のレジストパターンを形成したガラス基板について、塩素ガス(Cl2)と酸素ガス(O2)の混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより、台座構造用のレジストパターンで保護されている部分以外のエッチングマスク膜を除去して、台座構造用のエッチングマスク膜パターンを形成した。
上記インプリントモールド用基板をDCスパッタリング装置に導入し、クロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)、二酸化炭素(CO2)および窒素(N2)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリングにより、上記インプリントモールド用基板の台座構造14を形成した主表面上の全面にCrOCN膜からなるパターン形成用薄膜を5nmの厚みで成膜し、マスクブランクを作製した。
ここで、上記マスクブランクを一旦ドライエッチング装置から取り出して、残存するレジストパターンを酸素プラズマアッシングによって除去した。
ここで、走査型電子顕微鏡(SEM)によるパターン検査を行ったところ、モールドパターンの幅、深さの寸法、精度において良好なパターンが形成されていることを確認した。
実施例1のインプリントモールド用基板の作製において、台座構造の大きさ(面積)、凹部の大きさ(開口端部の開口面積、底面の面積)を後記表1に示すようにそれぞれ変更したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2、3および比較例1~3のインプリントモールド用基板をそれぞれ作製した。
また、これらのインプリントモールド用基板を用いて、実施例1と同様にして、マスクブランクをそれぞれ作製し、さらに、これらのマスクブランクを用いてインプリントモールドをそれぞれ作製した。
実施例1~3のインプリントモールド用基板を用いて得られたインプリントモールドを用いることにより、転写対象物にモールドパターンを精度良く転写することができた。すなわち、インプリントモールドの台座構造の大きさを従来よりも大きくし、台座構造領域上に複数個分の転写パターンを配置した場合でも、高い真空チャック力でインプリント装置に安定に固定でき、途中でモールドの脱落といった問題は生じなかった。また、パターン転写後のモールドの剥離が良好に行われたことにより、転写対象物にモールドパターンを精度良く転写することができた。
5 パターン形成用薄膜
6 レジスト膜
10 マスクブランク
11、12、21、22 主表面
13、23 側面
14、24 台座構造
15、25 凹部
16、26 底面
17、27 側壁面
18 溝部(拡張部)
19、28 開口端部
20 インプリントモールド
20a モールドパターン
31 第1の基板
32 第2の基板
31A、31B、32A、32B 主表面
33 孔
40 被転写体(転写対象物)
41 被転写体構成層
42 レジスト膜
Claims (10)
- 対向する2つの主表面を備え、一方の前記主表面に台座構造を有し、他方の前記主表面に凹部を有する基板からなるインプリントモールド用基板であって、
前記凹部は、前記一方の主表面に対向する底面と側壁面とを有し、
前記主表面方向から見たとき、前記凹部の底面は、前記台座構造を包含する大きさを有し、
前記凹部の底面の面積は、前記凹部の開口端部の開口面積よりも大きく、
前記凹部の底面の面積は、前記台座構造の面積の2倍以上であり、
前記開口端部の開口面積を除いた前記他方の主表面の面積は、前記台座構造の面積の5倍以上であり、
前記主表面方向から見たときの前記台座構造の形状は多角形状であり、前記主表面方向から見たときの前記主表面の形状は矩形状であり、前記主表面の対角線の長さに対する前記多角形状の台座構造の外接円の直径の比率が0.38倍以上である、
ことを特徴とするインプリントモールド用基板。 - 前記凹部は、前記開口端部の開口面積が拡張された拡張部を底面側の側壁面に有することを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールド用基板。
- 前記拡張部は、前記底面近傍の側壁面の全周に渡って形成された溝部であることを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールド用基板。
- 前記他方の主表面の面積に対する前記凹部の底面の面積の比率は、0.7倍以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
- 前記他方の主表面の面積に対する前記開口端部の開口面積の比率は、0.086倍以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
- 前記凹部の底面と前記一方の主表面との間の前記基板の厚さは、1.5mm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
- 前記基板は、2つの主表面を貫通する孔を有する第1の基板と一方の主表面に前記台座構造を有する第2の基板を接合してなり、
前記凹部は、前記第1の基板の孔によって前記側壁面が構成され、前記第2の基板の他方の主表面によって前記底面が構成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記一方の主表面に、パターン形成用薄膜を備えることを特徴とするマスクブランク。
- 前記パターン形成用薄膜は、クロムを含有する材料からなることを特徴とする請求項8に記載のマスクブランク。
- 請求項8又は9に記載のマスクブランクを用いるインプリントモールドの製造方法であって、
前記パターン形成用薄膜上に形成されたモールドパターンを有するレジスト膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記パターン形成用薄膜にモールドパターンを形成する工程と、
前記モールドパターンが形成されたパターン形成用薄膜をマスクとし、ドライエッチングによって前記台座構造の転写面にモールドパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
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