JP2017118054A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 モールドおよび被処理領域を有する物体の光の吸収係数によらず、モールドに対して相対的に被処理領域を変形させること。
【解決手段】 本発明は、型２を用いて物体３の被処理領域上３ａにインプリント材４のパターンを形成するインプリント装置１に関する発明である。インプリント装置１は、物体３の前記被処理領域３ａ側とは反対側の面が対向する状態で物体３を保持するチャック１６と、チャック１６が物体３を保持した状態で、物体２の反対側の面側にあり且つ物体３またはチャック１６に設けられた凹部３４、５１に位置し、反対側の面における被処理領域の裏側の領域３３に向けて熱エネルギーを放出する放熱部材２１と、放熱部材２１が被処理領域３ａを変形させている間に被処理領域３ａ上の前記インプリント材４を硬化する硬化手段５と、を有する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。

半導体デバイス等の製造のために被処理領域に微細なパターンを形成する装置として、インプリント装置が知られている。インプリント装置は、物体上の被処理領域に供給されたインプリント材とモールド（型）とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。

プロセスの影響や保持部材で保持した際に物体に加わる力等によって被処理領域の形状が歪むことがある。特許文献１には、モールドのパターンが形成されている領域（以下、パターン部という）と基板上に下地パターンの形成された被処理領域との重ね合わせ精度向上のため、被処理領域を変形させるインプリント装置が開示されている。

硬化用の光の波長とは異なる波長の光をモールドの上方から照射し、被処理領域が吸収した光エネルギーにより被処理領域を加熱して変形させている。変形に用いる光に対するモールドの吸収係数と基板の吸収係数との違いを利用し、モールドに対して相対的に基板を変形させることが記載されている。

特許文献２には、電子線描画装置によりパターンが形成されたモールドを用いて当該モールドの複製を作製するインプリント装置が開示されている。複製される側のモールド（型）（以下、マスターモールドという）も、複製によって新たに作製される側のモールド（以下、ブランクモールドという）も、インプリント材の硬化用の光を透過できるように石英で構成されている。

特開２０１３−１０２１３２ 特開２０１３−１７５６７１

特許文献１に記載のインプリント装置では、モールドの材料や被処理領域を含む物体の材料によっては、モールドに対して相対的に当該被処理領域を変形させることは難しい。

例えば、特許文献２のインプリント装置のように、マスターモールドとブランクモールドの材料が同一である場合は、特許文献１に記載の方法を適用しても、マスターモールドに対して相対的にブランクモールドの被処理領域を変形させにくい。変形に用いる光に対するマスターモールドの吸収係数とブランクモールドの吸収係数との差が小さく、モールドとブランクモールドの被処理領域との間で相対変形に十分な温度差が生じないためである。

そこで、本発明は、モールドおよび被処理領域を有する物体の光の吸収係数によらず、モールドに対して相対的に被処理領域を変形させることができるインプリント装置、インプリント方法を提供することを目的とする。

本発明は、型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向する状態で前記物体を保持する保持部材と、前記保持部材が前記物体を保持した状態で、前記物体の前記反対側の面側にあり且つ前記物体または前記保持部材に設けられた凹部に位置し、前記反対側の面における前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出する放熱部材と、前記放熱部材が前記被処理領域を変形させている間に前記被処理領域上の前記インプリント材を硬化する硬化手段と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、モールドおよび被処理領域を有する物体の光の吸収係数によらず、モールドに対して相対的に被処理領域を変形させることができる。

第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 第１実施形態に係るマスターモールドの変形機構の構成を示す図である。 第１実施形態に係るブランクモールドの構成を示す図である。 第１実施形態に係る被処理領域を加熱により変形させる方法を説明する図である。 第１実施形態に係る実施例を示す図である。 第１実施形態に係る形状の補正方法について説明する図である。 第１実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る放熱版の構成を示す図である。 第３実施形態に係る放熱部材の加熱機構の構成を示す図である。 第４実施形態に係るブランクモールドおよびチャックの構成を示す図である。

［第１実施形態］
（インプリント装置の構成）
第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、第１実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。鉛直方向の軸をＺ軸、当該Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２軸をＸ軸及びＹ軸としている。

インプリント装置１は、パターンの形成されたパターン部２ａを有するマスターモールド（型）２を用いて、ブランクモールド（物体）３の被処理領域３ａ上にインプリント材４のパターンを形成する装置である。インプリント装置１は、被処理領域３ａに供給されたインプリント材４をマスターモールド２と接触させた状態で、インプリント材４に硬化用のエネルギーを与えることにより、インプリント材４を硬化させる。本実施形態では、硬化用のエネルギーが紫外線７の場合について説明する。

後述の放熱部材２１を用いて被処理領域３ａを変形させている間に、硬化手段である照射部５は、紫外線７を出射する。紫外線７は、ダイクロイックミラー６で反射され、マスターモールド２を透過してインプリント材４に照射される。

マスターモールド２は外周形状が矩形であり、パターン部２ａはブランクモールド３に対向する側の面に設けられている。パターン部２ａには、電子線描画装置等を用いて精度良く形成された回路パターンなどの凹凸パターンが形成されている。マスターモールド２の材料は、紫外線７の透過率が高い材料であることが好ましい。本実施形態では一例として石英ガラスとする。

チャック８は不図示の吸着手段を含み、真空吸着力や静電力によりチャック８にパターン部２ａの外周領域を保持可能である。

駆動機構９は、チャックと共にマスターモールド２を主にＺ軸方向に沿って移動させる。これにより、マスターモールド２とインプリント材４とを接触させる動作（以下、押印動作という）、およびマスターモールド２とインプリント材４とを引き離す動作（以下、離型動作という）を行う。駆動機構９は、ブランクモールド３との位置合わせの際にマスターモールド２をＸ―Ｙ平面内で移動させてもよい。駆動機構９に採用可能なアクチュエータとして、例えばボイスコイルモータやエアシリンダ等がある。

変形機構１０は、チャック８がマスターモールド２を保持した際にパターン部２ａの形状が歪んでしまった場合、ブランクモールド３がチャック（保持部材）１６で保持された際に被処理領域３ａの形状が歪んでしまった場合等に使用される。

図２は、マスターモールド２を変形させてパターン部２ａの形状を補正する変形機構１０の構成を示す図である。図２（ａ）は−Ｚ方向からマスターモールド２を見た図である。図２（ｂ）は、マスターモールド２および変形機構１０の図２（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。マスターモールド２の外周の四辺に対して、一辺あたり４箇所ずつアクチュエータ１１が配置されている。

全てのアクチュエータ１１を使用して、パターン部２ａを一定の倍率で縮小させた状態を基準の状態とし、その状態からそれぞれのアクチュエータ１１を任意の力で押し引きすることでパターン部２ａの形状を任意の形状に補正する。

図１の説明に戻る。チャック８および駆動機構９は、紫外線７の光路を遮らないように中央に開口領域１２を有する。開口領域１２には、開口領域１２の一部とマスターモールド２とで囲まれる空間１４を密閉空間とする石英板１３を配置してもよい。

石英板１３を配置した場合、空間１４の圧力を調整可能な圧力調整部（不図示）を併せて配置する。これにより、例えば、押印動作に際して空間１４の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部２ａをブランクモールド３の方に凸形になるようにたわませ、インプリント材４とパターン部２ａをパターン部２ａの中心部から接触させることができる。パターン部２ａとインプリント材４との間に周囲の気体が残留することを抑え、パターン部２ａの凹凸部にインプリント材４を隅々まで充填させることができる。

ステージ１５は、チャック１６と、チャック１６と共にブランクモールド３を移動させる駆動機構１７とを有する。チャック１６は不図示の吸着手段を含み、被処理領域３ａ側（図３に示す後述の上面３１）とは反対側の面（図３に示す後述の下面３２、底面３４ｂ）がチャック１６に対向する状態でブランクモールド３を保持する。

吸着手段は、ブランクモールド３を保持するための真空吸着力、静電力を発生させる手段、あるいはブランクモールド３を機械的に保持する手段等である。これらの吸着手段が無くとも、保持面１６ａと保持面１６ａに載置されたブランクモールド３との間にはたらく静止摩擦力によってブランクモールド３の位置がずれないのであれば、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態とみなしてもよい。

駆動機構１７は、ブランクモールド３を主にＸ−Ｙ平面内で移動させる。これにより、マスターモールド２とブランクモールド３上のインプリント材４との位置合わせをする。駆動機構１７に採用可能なアクチュエータとして、例えばリニアモータや平面パルスモータがある。押印動作および離型動作の際に、駆動機構１７がブランクモールド３をＺ軸方向に移動させてもよい。すなわち、押印動作および離型動作は、マスターモールド２あるいはブランクモールド３の少なくとも一方を移動させることで行えばよい。

マスターモールド２およびブランクモールド３を高精度に位置決めするために、駆動機構９や駆動機構１７は、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系で構成されていてもよい。さらに、Ｘ軸まわりの回転方向、Ｙ軸まわりの回転方向、Ｚ軸まわりの回転方向のそれぞれの方向に駆動できる構成でもよい。

計測部１８は、例えばレーザ干渉計である。計測部１８が出射したレーザ光と、駆動機構１７上に配置され、当該レーザ光を反射するミラー１９を用いてステージ１５の位置を計測する。計測部１８の計測結果に基づいて、後述の制御部２６は、ブランクモールド３の位置決めを制御する。

被処理領域３ａの形状を変える変形手段として、後述する放熱部材２１（図３に図示）と放熱部材２１を加熱する加熱機構２０とを有する。加熱機構２０および放熱部材２１は後で詳述する。

供給部２２は被処理領域３ａ上にインプリント材４を供給する。パターン部２ａに形成されたパターンの密度などにより決定された、インプリント材４の量や配置の情報に基づいて、供給部２２はインプリント材４を供給する。

計測部２３は、パターン部２ａと被処理領域３ａの相対位置を計測する。計測部２３から出射される光２４は、ダイクロイックミラー２５を透過し、マスターモールド２およびブランクモールド３上に形成されたアライメントマーク（不図示）に照射される。アライメントマーク（不図示）はマスターモールド２およびブランクモールド３のそれぞれに少なくとも４か所ずつ形成されている。計測部２３は、それぞれの当該アライメントマークで反射した光２４を受光することにより、パターン部２ａと被処理領域３ａのそれぞれのサイズや、パターン部２ａと被処理領域３ａとの相対位置のずれを計測する。

制御部２６は、加熱機構２０、計測部２３、照射部５、駆動機構９、変形機構１０、ステージ１５に有線又は無線の回線で接続されている。制御部２６は、不図示の、ＣＰＵやメモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ）等を含む。当該メモリには例えば、後述の図７のフローチャートに示すインプリント工程に関するプログラムや、変形機構１０および加熱機構２０による形状の補正量などが記憶されている。制御部２６は、当該メモリ記憶されているプログラムに従って、制御部２６に接続されている各構成部材を統括的に制御する。

制御部２６は、制御部２６が実行すべき機能を備えていれば、別個の情報処理装置の集合体であってもよいし、１つの情報処理装置であってもよい。

インプリント装置１は、さらに、ステージ１５を載置するベース定盤２７と、駆動機構９を支持するブリッジ定盤２８と、ベース定盤２７から鉛直方向に延設され、かつ除振器２９を介してブリッジ定盤２８を支持する支柱３０とを有する。除振器２９は、床面からブリッジ定盤２８へ伝わる振動を抑制する。

インプリント装置１は、マスターモールド２をインプリント装置１の外部からチャック８へ搬送する搬送機構（不図示）や、ブランクモールド３をインプリント装置１の外部からチャック１６へ搬送する搬送機構（不図示）などを有する。

図３は、ブランクモールドの構成を示す図である。図３（ａ）はブランクモールド３を＋Ｚ方向から見た図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。ブランクモールド３の外周形状は、マスターモールド２と同じサイズの矩形である。例えば、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ程度である。

被処理領域３ａのサイズは、パターン部２ａのサイズと同じである。例えば、２６ｍｍ×３３ｍｍの１ショット領域に相当するサイズである。ショット領域とは、半導体デバイス等を作る際の単位領域であり、１つのショット領域にはユーザが希望するチップサイズのパターンが１つ又は複数形成される。一度の押印動作で複数のショット領域にパターンを形成するインプリント装置の場合は、被処理領域３ａおよびパターン部２ａのサイズは複数のショット領域分のサイズであってもよい。

ブランクモールド３は、被処理領域３ａ側の面である上面３１と、チャック１６に保持された際に保持面１６ａと接触する下面３２と、凹部３４を有する。凹部３４は、ブランクモールド３の、上面３１とは反対側の面側に設けられている。凹部３４は、図３に示すように、側面３４ａと領域３３を含む凹部３４の底面である底面３４ｂとに対向する凹み空間である。領域３３は、上面３１の反対側の面における被処理領域３ａの裏側の領域である。凹部３４を−Ｚ方向から平面視した際の形状は円である。

ブランクモールド３はパターン部２ａの転写パターンが形成された後は、半導体デバイス等の製造に用いられる他のインプリント装置において、パターンが複製される側のモールドとして使用される。したがってブランクモールド３もマスターモールド２と同様に、紫外線７の透過率が高い材料であることが好ましい。すなわち、ブランクモールド３はマスターモールド２とインプリント材４の硬化に用いられる波長の光に対して同程度の吸収係数を有する材料であることが好ましい。

本実施形態では、ブランクモールド３の材料も石英ガラスとする。

マスターモールド２およびブランクモールド３が石英ガラスなので、マスターモールド２およびブランクモールド３は、被処理領域３ａの加熱に用いられる後述の光３９に対しても同程度の光の吸収係数を有する。本明細書において、同程度の光の吸収係数とは、マスターモールド２およびブランクモールド３のうち一方の光３９に対する吸収係数が他方の光３９に対する吸収係数の４倍未満のことをいう。

図４は、被処理領域３ａを加熱により変形させる方法を説明する図である。加熱機構２０と放熱部材２１とを用いて被処理領域３ａを加熱する。本実施形態における加熱機構２０は、マスターモールド２およびブランクモールド３を透過する波長の光を放熱部材２１に照射することで、放熱部材２１に光エネルギーを与える光学系である。加熱機構２０は、少なくとも光源３５、および変調素子３６を含む。本実施形態では、さらに光学素子３７、３８も有している。

光源３５は、光３９を出射する。光３９は、インプリント材４を硬化させない波長のレーザ光である。すなわち、光３９と照射部５から出射される紫外線７とは波長が異なる光である。したがって光３９は、例えば、可視光又は赤外光を選択することが好ましい。

光３９は、光学素子３７により面内照度が均一化されて、変調素子３６に照射される。変調素子３６は、変調素子３６に照射された光３９を任意の空間的に照射量分布を有する光（空間的な分布のある光エネルギー）に変調する素子である。変調素子３６として例えば、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）が用いられる。

ＤＭＤとは複数のマイクロミラーが配列された構造を有し、それぞれのマイクロミラーを、マイクロミラーの配列面に対して−１２度（ＯＮ状態）、あるいは＋１２度（ＯＦＦ状態）の角度で傾けることで選択的に光を反射するデバイスである。

変調素子３６は、均一な照射量分布で変調素子３６に入射した光３９を照射量分布を有する光に変換して光学素子３８に向けて反射する。変調素子３６は、制御部２６の指示に基づいて照射量分布を形成する。

光学素子３８は、倍率を調整してダイクロイックミラー２５に照射量分布のある光３９を導光する。ダイクロイックミラー２５に入射した光３９は、ダイクロイックミラー２５で−Ｚ方向に反射され、マスターモールド２およびブランクモールド３を透過し、放熱部材２１で吸収される。

放熱部材２１は、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で、上面３１とは反対側の面側にあり且つブランクモールド３に設けられた凹部３４に位置するように設けられている。放熱部材２１を支持する支持台（台）４０は、チャック１６のブランクモールド３側に設けられている。

放熱部材２１および支持台４０は、特に、図４のように、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で領域３３と対向する位置に設けられていることが好ましい。支持台４０は他の部材を介してチャック１６上に設けられていてもよい。

放熱部材２１は、放熱部材２１の領域３３側の面の材料がブランクモールド３の材料よりも光３９の吸収係数が高いものを使用する。すなわち、本実施形態では石英ガラスより吸収係数が大きいものを使用する。光３９に対する吸収係数は５０％以上が好ましく、より好ましくは８０％以上の材料である。放熱部材２１の材料は、例えば、シリコンウエハ、ステンレスが挙げられる。

放熱部材２１を２以上の層構造としてもよい。ブランクモールド３に近いほうの表面に、カーボン、クロム、あるいはニッケルをベースとする超耐熱合金であるインコネル（登録商標）等を光３９の吸収層として設けたものであってもよい。これらの吸収層はシート状の物でもよいし、蒸着などで塗布されたものでもよい。

吸収層以外の層は、熱伝導率の低い材料が好ましく、例えば石英ガラス、低膨張ガラス等でもよい。これにより、放熱部材２１から放熱する熱が、被処理領域３ａではなく支持台４０のほうに逃げてしまうことを抑制することができる。

放熱部材２１は、加熱機構２０から受けた光３９の光エネルギーを用いて被処理領域３ａに熱エネルギーを放出する。被処理領域３ａは、放熱部材２１から与えられた熱エネルギーを受けて加熱され、熱膨張により変形する。

チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に位置する放熱部材２１が被処理領域５２ａに向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１が熱エネルギーを与えることにより、被処理領域５２ａにパターン部２ａよりも大きな熱量を与えることができる。したがって、マスターモールド２およびブランクモールド３の光３９の吸収係数によらず、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域５２ａを変形させることができる。

放熱部材２１の熱エネルギーを放出する放熱面（被処理領域の裏側の領域側の面）には、加熱機構２０によりに形成された放熱面内の照射量分布に応じた、熱エネルギーが生じる。したがって、放熱部材２１は被処理領域３ａの面内に空間的な分布のある熱エネルギーを付与する。これにより、被処理領域３ａを局所的に変形させて被処理領域３ａを被処理領域３ａを目標の形状に補正する（近づける）ことができる。

チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に放熱部材２１が位置するように放熱部材２１を配置することにより、放熱部材２１から放出される熱エネルギーがチャック１６に逃げてしまうことを低減している。これにより、放熱部材２１が得た熱エネルギーを効率よく被処理領域３ａに伝えることができる。

供給部（気体供給部）４１は、チャック１６に設けられた供給口４２を介して凹部３４に気体を供給する。供給部４１が供給する気体は、光３９に対して不活性であり、かつ空気よりも熱伝導性のよい気体がよい。例えば、窒素やヘリウムである。ヘリウムが最も好ましい。このように気体を供給することによって、放熱部材２１から放熱された熱を効率よく被処理領域３ａに伝えることができ、被処理領域３ａを目標の形状に変形させやすくなる。チャック１６には、置換した気体を排気する排気口４３を備えていてもよい。

支持台４０は、放熱部材２１よりも熱伝導率が低い材料であることが好ましい。これにより、放熱部材２１から放熱する熱が、被処理領域３ａではなく支持台４０のほうに逃げてしまうことを抑制することができる。

放熱部材２１とブランクモールド３は、非接触であることが好ましい。これにより、放熱部材２１にパーティクル（不図示）が付着している場合に、当該パーティクルがブランクモールド３に付着することを防ぐことできる。また、非接触であることにより、凹部３４の高さがブランクモールド３の個体差として微小に異なる場合に、放熱部材２１がブランクモールド３をチャック１６から浮かせてしまうことを防ぐこともできる。

被処理領域３ａの加熱効率も考慮し、放熱部材２１とブランクモールド３の領域３３の距離は、２ｍｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは、１００μｍ以下である。距離が離れすぎることによる被処理領域３ａの加熱効率の低下を抑制でき、放熱部材２１が放出する熱エネルギーを効率よく被処理領域３ａに伝えることができる。

供給部４１が、押印動作に際して凹部３４の圧力をその外部よりも高くするように気体を供給して、被処理領域３ａをマスターモールド２の方に凸形になるようにたわませてもよい。マスターモールド２をたわませる理由と同様の理由により、押印動作においてパターン部２ａの隅々までインプリント材４を充填させることができる。あるいは離型動作において、被処理領域３ａを凸形にたわませてもよい。離型動作中に、硬化したインプリント材４のパターンが倒れてしまうことを防ぐことができる。

（実施例）
図５は第１実施形態の実施例を示す図である。図５は、図４に示す加熱機構２０と放熱部材２１とを用いて被処理領域３ａを加熱した場合の、マスターモールド２およびブランクモールド３の温度上昇をシミュレーションした結果である。

マスターモールド２およびブランクモールド３として石英ガラスを使用した。石英の熱伝導率を１．３８Ｗ／ｍ・Ｋ、石英の比熱を７４０［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］、線膨張係数を０．５１とした。マスターモールド２とチャック８との間の熱伝導率、ブランクモールド３とチャック１６との間の熱伝導率、マスターモールド２と空気間の熱伝導率、ブランクモールド３と空気間の熱伝導率を考慮した。

カーボンの吸収層を塗布した石英ガラスを有する放熱部材２１を使用した。凹部３４にヘリウムを供給し、放熱部材２１からブランクモールド３までの距離を５０μｍとした。光３９は波長４５０ｎｍの可視光とし、一様な照射量分布である４．３Ｗで照射した。

図５において、横軸は時間、左の縦軸は上昇した温度、右の縦軸はマスターモールド２とブランクモールド３の温度差ΔＴである。直線Ｌ１はマスターモールド２の温度上昇（左の縦軸）、直線Ｌ２はブランクモールド３の温度上昇（左の縦軸）、直線Ｌ３はブランクモールド３の温度からマスターモールド２の温度を引いた温度差ΔＴ［℃］（右の縦軸）である。

本実施例によれば、加熱機構２０および放熱部材２１が被処理領域３ａを加熱させる構成により、マスターモールド２に比べブランクモールド３を約０．３４℃温めることができた。マスターモールド２の線膨張係数とブランクモールド３の線膨張係数は同じなので、温度差ΔＴに応じて変形量が異なる。温度差ΔＴが０．３４℃の場合、約０．７ｎｍの変形量の差を生じさせることができた。このように、本実施例では、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域３ａを変形させることができた。

（比較例）
比較例として、放熱部材２１を配置せずに加熱機構２０だけで被処理領域３を加熱した。この場合、同じ条件で１．０［ｓｅｃ．］加熱しても０．０３℃程度しか温度は上昇せず、また、マスターモールド２とブランクモールド３との温度差ΔＴは０．０１℃以下であった。すなわち、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域３ａを変形させることができなかった。

以上の実施例および比較例から、放熱部材２１の配置により放熱部材２１が配置されていない場合に比べて、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域３ａを変形させるという結果が得られた。

（形状補正の方法）
図６（ａ）〜（ｅ）を用いて、第１実施形態に係るマスターモールド２とブランクモールド３の形状の補正方法について説明する。図６（ａ）〜（ｅ）は全て＋Ｚ方向から見た図である。

図６（ａ）は、チャック１６で保持していない状態のブランクモールド３の被処理領域３ａと、形成されるパターンの理想的な領域６０とを示している。領域６０のサイズは、パターン部２ａと同じサイズである。

図６（ｂ）は、パターン部２ａの形状と被処理領域３ａの形状を補正せずに、被処理領域３ａ上にパターンを形成した後且つチャック１６で保持されていない状態のブランクモールド３の被処理領域３ａを示している。下辺が長い台形の領域６１はインプリント材４のパターンが形成された領域を示している。

チャック１６の保持力の分布などに起因して、インプリント装置１が、−Ｙ方向側の領域ほど形成されるパターンがＸ軸方向に伸びやすい傾向があることを示している。領域６０と領域６１の形状差に基づいて、制御部２６がマスターモールド２の形状の補正量と被処理領域３ａの形状の補正量を算出する。図６（ｃ）〜図６（ｅ）を用いてこれらの補正量の算出方針について説明する。

図６（ｃ）は、チャック１６でブランクモールド３を保持している状態の被処理領域３ａを見た図である。制御部２６は、−Ｙ方向の領域ほど形成されるパターンがＸ軸方向に伸びやすい傾向に鑑み、マスターモールド２を変形させてパターン部２ａの目標形状を定める。例えば、目標形状は、−Ｙ方向の領域ほどＸ軸方向の幅が狭い台形の領域６２である。

図６（ｄ）は変形機構１０を用いて−Ｙ方向の領域にパターン部２ａに力６３を加えたときの様子を示している。パターン部２ａは、ポアソン比にしたがって矢印６４の方向（Ｙ軸方向）にパターン部２ａが延伸して台形６５に示す形状となる。そこで、パターン形成時のみ領域６２を一時的に加熱して、台形６５に近づくように変形させる。

図６（ｅ）は領域６２の内部を領域Ａ〜Ｄの領域に仮想的に分割した様子を示している。制御部２６は、加熱機構２０および放熱部材２１を用いて被処理領域３ａに熱エネルギーを与える。具体的には、被処理領域３ａのうち領域Ａが最も温度が高く、領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄの順に温度が低下するような空間的な分布のある熱エネルギーを与える。与えられた熱量が大きい領域ほど領域６２の変形量も大きくなる。加熱されている間は、被処理領域３ａは台形６５と同じ大きさになる。

このように、パターン部２ａと被処理領域の補正後の形状がパターン部２ａの形状でもある形状６０に一致した状態でインプリント材４を硬化できる。加熱を停止した後は形状６０の領域は領域６２のサイズに戻る。また、チャック１６から外した状態では図６（ａ）の領域６０と同じ形状に領域６２が変化する。よって理想的な形状でパターンを形成することができる。

図６（ｂ）では領域６１が台形の場合の補正方法を説明したが、ひし形、弓形、樽形、糸巻き型等の形状であったり、縦横方向に拡大あるいは縮小している形状であっても、適宜補正をすることで領域６０のようにパターンを形成することができる。

領域Ａ〜領域Ｄの４つに分割して熱エネルギーを空間的に分布させる例を示したが、領域の分割数はこれに限らない。また、被処理領域３ａを領域Ａ〜ＤをＹ方向に仮想的に分割した例を説明したが、Ｘ方向に分割、あるいは４つの格子形状に分割して、分布のある熱エネルギーを与えてもよい。

（インプリント方法）
図７は、第１実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。各工程は、制御部２６による処理工程、あるいは制御部２６の指示に基づいてインプリント装置１の他の構成部材が実行する工程である。

制御部２６は、パターン部２ａの形状の補正量と被処理領域３ａの形状の補正量と、をあらかじめ算出済みとする。すなわち、被処理領域３ａが目標の形状に近づくように補正するために必要な、変形機構１０の制御量と加熱機構２０が形成すべき照射量分布とが既知とする。

制御部２６の指示に基づいて搬送機構（不図示）がインプリント装置１内にマスターモールド２およびブランクモールド３を搬入する（Ｓ１０１）。チャック８がマスターモールド２を保持し、チャック１６がブランクモールド３を保持する。

駆動機構１７は、被処理領域３ａが供給部２２と対向する位置にブランクモールド３を移動させ、供給部２２が被処理領域３ａに未硬化状態のインプリント材４を供給する（Ｓ１０２）。

駆動機構１７が、ブランクモールド３をマスターモールド２と対向する位置に移動させる（Ｓ１０３）。

駆動機構９が、マスターモールド２を下降させ、押印動作を行う（Ｓ１０４）。パターン部２ａとインプリント材４との接触により、インプリント材４のパターン部２ａへの充填が始まる。

パターン部２ａとインプリント材４とが接触している状態で、計測部２３はアライメントマークを検出し、検出結果に基づいて駆動機構１７がブランクモールド３を駆動させる。これによりマスターモールド２とブランクモールド３の位置合わせを行う（Ｓ１０５）。

加熱機構２０が放熱部材２１に光３９を照射し、放熱部材２１が領域３３に向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１からの熱エネルギーにより被処理領域３ａを加熱し、変形させる（Ｓ１０６）。

照射部５およびダイクロイックミラー６が紫外線７をインプリント材４に照射してインプリント材４を硬化させ、硬化したインプリント材４のパターンを形成する（Ｓ１０７）。硬化工程は、放熱部材２１を用いて被処理領域３ａを変形させている間に行う。本実施形態のように、変形機構１０を使用している場合は、上記に加え、変形機構１０によりパターン部２ａを変形させている間にインプリント材を硬化させる。

駆動機構９がマスターモールド２を上昇させ、離型動作を行う（Ｓ１０８）。以上の工程により、被処理領域３ａ上に硬化したインプリント材４のパターンが形成される。当該パターンは、パターン部２ａに形成されたパターンの転写パターンである。

マスターモールド２とインプリント材４とを引き離した後、前述の搬送機構がブランクモールド３をインプリント装置１から搬出する（Ｓ１０９）。

搬出後、被処理領域３ａの形状に対する当該形成されたパターンの形状を計測装置（不図示）で計測する（Ｓ１１０）。制御部２６が、Ｓ１１０での計測結果が許容範囲に収まっているかどうか判断する（Ｓ１１１）。制御部２６が許容範囲内だと判断した場合は、本フローチャートは終了する。Ｓ１０１の前に予め算出していた補正量で、同様に他のブランクモールド３にパターンを形成する。

Ｓ１０９で、制御部２６が許容範囲に収まっていないと判断した場合は、再びマスターモールド２およびブランクモールド３の形状の補正量を算出する（Ｓ１１２）。理想の形状と形成されたパターンの形状との差が許容範囲内におさまるまでＳ１０１〜Ｓ１１１の工程を繰り返す。これにより、パターン部２ａと被処理領域３ａとを接触させる際の最適なパターン部２ａの形状の補正量と被処理領域３ａの形状の補正量とを算出することができる。このようにして得た形状の補正量を用いれば、より高精度に被処理領域３ａにインプリント材４のパターンを形成することができる。

以上でブランクモールド３にパターンを形成するインプリント方法の説明を終了する。Ｓ１０４〜Ｓ１０６の工程は、順番は可逆である。これらの複数の工程を同時に実行してもよい。

Ｓ１１０で形成されたパターンの線幅なども計測し、Ｓ１１２と同時に、インプリント材４の供給工程で使用されるインプリント材４の配置位置を示すデータを再作成してもよい。

また、Ｓ１０１の段階で、パターン部２ａの形状の補正量と、被処理領域３ａの形状の補正量が既知でない場合は、Ｓ１０５の工程は行わずに被処理領域３ａにＳ１０１〜Ｓ１１２までの工程を実行する。これにより、制御部２６がパターン部２ａの形状の補正量と、被処理領域３ａの形状の補正量と、をそれぞれ算出できる。

［第２実施形態］
第２実施形態に係るインプリント装置は、インプリント装置１とは放熱部材２１の構成が異なる。それ以外の構成はインプリント装置１と同様なので説明を省略する。

図８は、第２実施形態に係る放熱部材２１の構成を示す図である。図８（ａ）は放熱部材を＋Ｚ方向から見た図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。

放熱部材２１の放熱面には、当該面を複数の領域４６に分割する溝４７が設けられている。本実施形態では溝４７は、４×７個の領域４６に分割するように、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って等間隔で設けられている。

本実施形態では、第１実施形態と同様に、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に位置する放熱部材２１が被処理領域５２ａに向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１が熱エネルギーを与えることにより、被処理領域５２ａにパターン部２ａよりも大きな熱量を与えることができる。さらに、マスターモールド２およびブランクモールド３の光３９の吸収係数によらず、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域５２ａを変形させることができる。

チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に位置するように放熱部材２１を配置することにより、放熱部材２１から放出される熱エネルギーがチャック１６に逃げてしまうことを低減している。これにより、放熱部材２１が得た熱エネルギーを効率よく被処理領域３ａに伝えることができる。

隣り合う領域４６同士の間に凹部３４内の気体が介在することになる。これにより、加熱機構２０から受けた光エネルギーが変換されて生じた熱エネルギーが放熱部材２１の内部で拡散することを抑制することができる。すなわち、放熱部材２１のブランクモールド３と対向する側の面が一様な温度となることを抑制することができる。

これにより、放熱部材２１が、光３９の照射量分布に対応する分布のある熱エネルギーを放出しやすくすることができる。第１実施形態よりもさらに、被処理領域３ａを局所的に変形させることが容易となり、被処理領域３ａを目標の形状に近づけやすくなる。

溝４７の深さは、放熱部材２１の厚みが０．０５ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、隣り合う領域４６同士での熱の拡散を効果的に抑制することができる。溝４７はＸ軸方向やＹ軸方向に沿う方向以外の方向に形成されていてもよい。

また、分割された領域４６の数は本実施形態に限られない。少なくとも４つの領域４６が設けられていることが好ましい。領域４６が約３ｍｍ角の領域となるように、ブランクモールド３と対向する側の面が９×１１個に分割されていてもよい。溝４７の間隔は等間隔でなくてもよい。例えば、放熱部材２１の中央側の領域と外周側の領域とで間隔を異ならせてもよい。

溝４７を設ける場合、放熱部材２１は熱伝導率の低い材料かつ溝４７の形成のための加工がしやすい材料であることが好ましい。例えば前述の材料のうち、ステンレスが特に好ましい。

ブランクモールド３に対するインプリント方法は第１実施形態と同様のため説明を省略する。

［第３実施形態］
第３実施形態に係るインプリント装置は、インプリント装置１とは放熱部材２１を加熱する構成が異なる。被処理領域３ａの形状を変える変形手段として、放熱部材２１と、加熱機構２０の代わりに用いる加熱機構４８を有する。放熱部材２１には、第２実施形態に係る溝４７が形成されている。それ以外の構成はインプリント装置１と同様なので、説明を省略する。

図９（ａ）は放熱部材２１を＋Ｚ方向から見た図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である。加熱機構４８は、放熱部材２１に熱エネルギーを与える手段である複数の発熱体（ヒータ）４９と、制御部２６からの指示に基づいてそれぞれの発熱体４９で発生すべき熱量を制御する制御部５０とを有する。

発熱体４９は、放熱部材２１の下側に配置されている。それぞれの発熱体４９は、領域４６と一対一で対応する位置に配置されていてもよい。発熱体４９の個数と領域４６の個数はこれに限られない。

放熱部材２１は、複数の発熱体４９から受けた熱エネルギーを用いて、領域３３に向けて熱エネルギーを放出する。

本実施形態では、第１実施形態と同様にチャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に位置する放熱部材２１が被処理領域３ａに向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１が熱エネルギーを与えることにより、被処理領域３ａにパターン部２ａよりも大きな熱量を与えることができる。したがって、マスターモールド２およびブランクモールド３の光３９の吸収係数によらず、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域５２ａを変形させることができる。

加熱機構４８が空間的な分布のある熱エネルギーを与えてもよく、係る場合に放熱部材２１は複数の発熱体４９から受けた熱エネルギーの空間的な分布を維持しながら領域３３に向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１が被処理領域３ａの面内に空間的な分布のある熱エネルギーを付与するため、被処理領域３ａを局所的に変形させて被処理領域３ａを被処理領域３ａを目標の形状に補正することができる。

チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で凹部３４に位置するように放熱部材２１を配置することにより、放熱部材２１から放出される熱エネルギーがチャック１６に逃げてしまうことを低減している。これにより、放熱部材２１が得た熱エネルギーを効率よく被処理領域３ａに伝えることができる。

なお、溝４７は、放熱部材２１の厚みの８割以上の深さで形成されていることが好ましい。発熱体４９からの熱が、ブランクモールド３と対向する面に移動するまでの間での放熱部材２１の内部における熱の拡散を抑制する（低減する）ことができる。

本実施形態の変形例として、放熱部材２１が、自ら分布のある熱エネルギーを発生し、かつ放出することが可能な発熱体であってもよい。係る場合は、加熱機構２０あるいは加熱機構４８は不要である。

ブランクモールド３に対するインプリント方法は第１実施形態と同様のため説明を省略する。

［第４実施形態］
本実施形態では、チャック１６の被処理領域５２ａ側に、図１０に示すような凹部５１が形成されている。凹部５１は、側面５１ａと底面５１ｂと領域５３とに対向する凹み空間である。すなわち、凹部５１は、チャック１６がブランクモールド５２を保持した状態で、上面３１とは反対側の面側に位置する。放熱部材２１および支持台４０は、チャック１６がブランクモールド５２を保持した状態で凹部５１に位置するように設けられている。放熱部材２１の構成、および加熱機構２０、４８は前述の各実施形態のいずれを適用してもよい。

本実施形態では、第１実施形態と同様に、チャック１６がブランクモールド５２を保持した状態で凹部５１に位置する放熱部材２１が、上面３１の反対側の面における被処理領域５２ａの裏側の領域５３に向けて熱エネルギーを放出する。放熱部材２１が熱エネルギーを与えることにより、被処理領域５２ａにパターン部２ａよりも大きな熱量を与えることができる。したがって、マスターモールド２の光の吸収係数やブランクモールド５２の光の吸収係数によらず、マスターモールド２に対して相対的に被処理領域５２ａを変形させることができる。

放熱部材２１が被処理領域５２ａの面内に空間的な分布のある熱エネルギーを付与することができ、被処理領域５２ａを局所的に変形させて被処理領域３ａを目標の形状に補正することができる。

凹部５１内に放熱部材２１を配置することにより、放熱部材２１から放出される熱エネルギーがチャック１６に伝わることを低減している。これにより、被処理領域５２ａを効率良く加熱することができる。

チャック１６に凹部５１が形成されているため、凹部のないブランクモールド５２の被処理領域５２ａにパターンを形成することができる。

ブランクモールド５２は、例えば、マスターモールド２を用いてブランクモールド５２にパターンを形成した後、ブランクモールド５２を用いて凹部５１を有するブランクモールド５２にパターンを形成する目的で使用されうる。電子線描画装置でパターンを形成した高価なマスターモールド２の使用回数を減らすことができる。

ブランクモールド５２に対するインプリント方法は第１実施形態と同様のため説明を省略する。

［その他の実施形態］
第１〜第４実施形態にかかるインプリント装置の構成を適宜組み合わせて実施してもよい。

加熱機構２０は、必ずしもマスターモールド２およびブランクモールド３を透過するように光３９を放熱部材２１に照射しなくてもよい。例えば、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態における凹部３４、５１が配置される位置に加熱機構２０を配置し、放熱部材２１に直接光エネルギーを与えてもよい。

ブランクモールド３およびチャック１６の両方に、凹部が設けられていても良い。この場合、放熱部材２１は、チャック１６がブランクモールド３を保持した状態で、上面３１の反対側の面側にあり且つブランクモールド３またはチャック１６に設けられた凹部に位置していればよい。

また、変形機構１０によるパターン部２ａの変形が不要な場合には、被処理領域３ａのみを変形させてもよい。

変形機構１０によるパターン部２ａの補正後の形状と、加熱機構２０、４８による被処理領域３ａ、５２ａの補正後の形状とは、一致させることを目標としなくてもよい。例えば、被処理領域３ａに対して、外周が矩形とは異なる形状のパターンを転写したい場合に適用してもよい。

外周が矩形とは異なる形状のパターンを転写したい場合とは次の場合である。前述のインプリント方法を用いてパターンの形成されたブランクモールド３をマスターモールドとして用いて、別のインプリント装置にて半導体デバイス等の製造する場合である。

シリコンウエハ等の基板（不図示）に既に形成されているショット領域の形状がたる型、弓型等、高次に歪んでいることが多い。係る場合であっても、ブランクモールド３に形成されているパターンの外形が予め歪んだ形状となっていれば、ブランクモールド３を用いて基板上に形成されるパターンと、基板の下地パターンであるショット領域とを高精度に重ね合わせることができる。

第１〜第４実施形態にかかるインプリント装置は、ブランクモールド３、５２以外の物体にパターンを形成する装置であってもよい。当該物体は、例えば、石英ガラス、あるいはその他の硝材等の材料で構成される光学部材でもよい。

インプリント材４には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材４は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材４の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

マスターモールド２の材料として石英ガラスを例に挙げたが、他の材料でもよい。珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、さらにはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレンなどでもよい。あるいはこれらの任意の積層材でもよい。

［物品の製造方法］
前述の各実施形態に係るインプリント装置で基板上に形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。

基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板は、具体的には、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラス等である。

物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド（マスターモールド）等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板を加工する工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。加工工程はさらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１ インプリント装置
２ マスターモールド（型）
２ａ パターン部
３ ブランクモールド（物体）
３ａ、５２ａ 被処理領域
４ インプリント材
５ 照射部（硬化手段）
１６ チャック（保持部材）
２１ 放熱部材
３１ 上面
３３ 領域（被処理領域の裏側の領域）
３４、５１ 凹部
３４ｂ 底面

Claims (17)

1. 型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向する状態で前記物体を保持する保持部材と、
   前記保持部材が前記物体を保持した状態で、前記物体の前記反対側の面側にあり且つ前記物体または前記保持部材に設けられた凹部に位置し、前記反対側の面における前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出する放熱部材と、
   前記放熱部材が前記被処理領域を変形させている間に前記被処理領域上の前記インプリント材を硬化する硬化手段と、
   を有することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記放熱部材に光エネルギーを与える光学系を有し、
   前記放熱部材は、前記光学系から受けた前記光エネルギーを用いて前記熱エネルギーを放出することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記光学系は、前記型及び前記物体を透過する波長の光を前記放熱部材に照射して前記放熱部材に前記光エネルギーを与えることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記放熱部材の、前記被処理領域の裏側の領域側の面の材料は、石英よりも前記光学系が照射する前記光に対する吸収係数が大きいことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
5. 前記放熱部材に熱エネルギーを与える発熱体を有し、
   前記放熱部材は、前記発熱体から受けた熱エネルギーを用いて前記熱エネルギーを放出することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
6. 前記保持部材に設けられた供給口を介して前記凹部に気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記気体はヘリウムであることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
8. 前記放熱部材の、前記被処理領域の裏側の領域と対向する面には、前記被処理領域の裏側の領域と対向する面を複数の領域に分割する溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記放熱部材は、前記保持部材の前記物体側に設けられた台上に位置し、前記台の熱伝導率は前記放熱部材の熱伝導率よりも低いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 前記放熱部材は、前記被処理領域に対して空間的な分布のある熱エネルギーを付与することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 前記放熱部材と前記物体は非接触であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
12. 前記凹部は、前記被処理領域の裏側の領域と対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
13. 型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記物体を、前記被処理領域側とは反対側の面が対向する状態で保持する保持部材と、
    前記物体の前記被処理領域の形状を変える変形手段と、を有し、
    前記変形手段は、前記保持部材が前記物体を保持している状態で、前記物体の前記反対側の面側にあり且つ前記物体または前記保持部材に設けられた凹部に位置し、前記反対側の面における前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出する放熱部材を有することを特徴とするインプリント装置。
14. 型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記型および前記物体を搬入する工程と、
    前記被処理領域にインプリント材を供給する工程と、
    前記物体が前記物体を保持する保持部材に保持された状態で、前記物体の前記反対側の面側にあり且つ前記物体または前記保持部材に設けられた凹部に位置している放熱部材から、前記反対側の面における前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出して、前記被処理領域を変形させる工程と
    前記工程により前記被処理領域を変形させている間に、前記被処理領域上に供給された前記インプリント材を硬化する工程と、
    を有することを特徴とするインプリント方法。
15. 前記変形させる工程は、前記型および前記物体を透過する波長の光で前記放熱部材を加熱する工程を含み、
    前記放熱部材の前記光に対する吸収係数は、前記型および前記物体の前記光に対する吸収係数よりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載のインプリント方法。
16. 前記搬入する工程において搬入する前記型および前記物体のうち一方の前記光に対する吸収係数が他方の前記光に対する吸収係数の４倍未満であることを特徴とする請求項１５に記載のインプリント方法。
17. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて前記物体の前記被処理領域上に硬化した前記インプリント材のパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンの形成された前記物体を加工する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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