JP6650980B2 - インプリント装置、及び、物品の製造方法 - Google Patents
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図1は本実施形態におけるインプリント装置1の構成を示した図である。図1を用いてインプリント装置1の構成について説明する。ここでは、基板10が配置される面をXY面、それに直交する方向をZ方向として、図1に示したように各軸を決める。インプリント装置1は、基板上に供給されたインプリント材を型8(モールド)と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。型は、モールド、テンプレートまたは原版とも呼ばれうる。図1のインプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置1について説明する。
図2はインプリント装置1を用いて基板10上のインプリント材14を成形する成形工程を示したフローチャートである。図2を参照しながら光硬化法によるインプリント方法を説明する。
第2実施形態は、第1実施形態で説明した照射領域52の各小領域(小領域52a〜52n)に対して照射光50の照射量を変える場合について説明する。
第3実施形態は、第1実施形態で説明した照射領域52の各小領域(小領域52a〜52n)と、ショット領域の中心位置61との距離に基づき、各小領域に対して照射光50の照射タイミングを変える場合について説明する。
第4実施形態は、第1実施形態で説明した照射領域52の各小領域(小領域52a〜52n)と、型8の押印中心位置62との距離に基づき、各小領域に対して照射光50の照射タイミングを変える場合について説明する。照射タイミングの代わりに照射強度を変えてもよい。ここで、型8の押印中心位置62とは、型8のパターン領域8aと基板上のインプリント材とが最初に接触する位置を示している。一般的には、型8のパターン領域8aの中心が最初にインプリント材と接触するが、例えば、基板の外周を含むショット領域(周辺ショット、エッジショット)にパターンを形成する場合は、パターン領域8aの中心とは限らない。
第5実施形態は、上述の実施形態で説明した照射領域52の小領域とは異なる形状の照射領域52の小領域の場合について説明する。第5実施形態は、図12(a)に示すように、照射領域52を縦方向(y方向)の小領域52yと、横方向(x方向)の小領域52xに分割し、それぞれの小領域に対して照射タイミング、あるいは、照射強度を変えて照射光50を照射する。
第6実施形態は、上述の実施形態で説明した照射領域52の小領域とは異なる形状の照射領域52の小領域の場合について説明する。第6実施形態は、図13(a)に示すように、第1実施形態の図8で説明した照射領域52の小領域52a〜52nのそれぞれを、照射領域52をさらにショット領域の中心から外部に向かう方向に分割する。例えば、図13(a)に示すように小領域52cをショット領域の中心から3つの小領域52c1、52c2、52c3に分割する。分割個数は任意であり、それぞれの小領域の形状も任意に設定してよい。それぞれの小領域に対して照射タイミング、あるいは、照射強度を変えて照射光50を照射する。
本発明を適用した平坦化装置の実施形態について図14を用いて説明する。上記の実施形態は型(原版、テンプレート)に予め描画されたパターンを基板(ウエハ)に転写する方法であることに対し、本実施形態は型(平面テンプレート)には凹凸パターンが形成されていない。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化にともないプロセスウエハは1100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、露光工程で使われている走査型の露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能であるが、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板上の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon)、CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手段が用いられている。しかし従来例においては、図14(A)における孤立パターン領域Aと繰り返しDense(ライン&スペースパターンの密集)パターン領域Bとの境界部分においては40%〜70%の凹凸抑制率で十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
2 光照射系
6 撮像部
7 制御部
8 型
10 基板
52 照射領域
Claims (13)
- パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して、前記パターン領域の端が照射領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材に照射する光学系と、
前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングが、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングより早くなるように前記光学系を制御する制御部と、を有する
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記型と前記インプリント材とが接触する状態を撮像する撮像部を有し、
前記撮像部の撮像結果から求まる前記インプリント材が前記パターン領域の前記第1領域に到達する時間と前記パターン領域の前記第2領域に到達する時間に応じて前記照射光の照射タイミングが設定されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記型と前記インプリント材とが接触する領域の中心と前記パターン領域の前記第1領域までの距離が、前記型と前記インプリント材とが接触する領域の中心と前記パターン領域の前記第2領域までの距離よりも短いことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記型と前記インプリント材とが接触する領域の中心から前記周辺領域に向かって移動するインプリント材が、前記パターン領域の前記第1領域に到達する時間と前記パターン領域の前記第2領域に到達する時間に応じて前記照射光の照射タイミングが設定されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記パターン領域の前記第2領域は、前記パターン領域が矩形の場合の角部を含む領域であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記パターン領域の前記第1領域に対する前記基板上に供給されたインプリント材の供給位置と、前記パターン領域の前記第2領域に対する前記基板上に供給されたインプリント材の供給位置に応じて前記照射光の照射タイミングが設定されることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記光学系は、前記照射光を照射する前記照射タイミングを変える光変調素子を有することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載のインプリント装置。
- パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記パターン領域の端が前記基板上のインプリント材の粘性を上げる領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材の粘性を上げる硬化部と、
前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材の粘性を上げるタイミングが、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材の粘性を上げるタイミングより早くなるように前記硬化部を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。 - パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記インプリント材を硬化させるための硬化光を、前記型を介して、前記パターン領域に接触している前記インプリント材に照射する光学系と、
前記インプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して、前記パターン領域の端が照射領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材に照射する照射光学系と、
前記周辺領域のうち前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングが、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングより早くなるように前記照射光学系を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。 - 請求項1乃至9の何れか1項に記載のインプリント装置を用いて、基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、を有し、
加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 - パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材を接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材を接触させた状態で、前記型を介して、前記パターン領域の端が照射領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材にその粘性を増加させるための照射光を照射する工程と、を有し、
前記照射する工程において、前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングは、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングより早いことを特徴とするインプリント方法。 - パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材を接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材を接触させた状態で、前記パターン領域の端が前記基板上のインプリント材の粘性を上げる領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材の粘性を上げる工程と、を有し、
前記粘性を上げる工程において、前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材の粘性を上げるタイミングは、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材の粘性を上げるタイミングより早いことを特徴とするインプリント方法。 - パターン領域を有する型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材を接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材を接触させた状態で、前記型を介して、前記パターン領域の端が照射領域に含まれるように、前記パターン領域の周辺領域の前記インプリント材にその粘性を増加させるための照射光を照射する工程と、
前記型を介して、前記パターン領域に接触している前記インプリント材を硬化させるための硬化光を照射する工程と、を有し、
前記照射光を照射する工程において、前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第1領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングは、前記第1領域より遅いタイミングで前記周辺領域のうちの前記パターン領域の第2領域と接触するインプリント材に対する前記照射光の照射タイミングより早いことを特徴とするインプリント方法。
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