JP6382298B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents

Description

本出願は、２０１３年３月２７日に出願された米国仮出願第６１／８０５，５９２号、および、２０１３年９月３０日に出願された米国仮出願第６１／８８４，３８６号の利益を主張し、その全体が本書に援用される。

本発明は、リソグラフィ装置に関し、リソグラフィ装置（または、いくつかの他の装置）の部分を形成しうる構成要素に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、たいていは基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、一つのダイ、またはいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。パターンは典型的に基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により転写される。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続してパターン付与される。

リソグラフィはＩＣや他のデバイス及び／または構造の製造における主要な工程のひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイス及び／または構造を製造可能とするためのよりクリティカルな要因となってきている。

リソグラフィ装置は、典型的に、放射ビームを調整するよう構成される照明システムと；放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを形成可能なパターニングデバイス（レチクルまたはマスクなど）を保持するように構築されるサポート構造と；基板を保持するように構築される基板テーブルと；パターン放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成される投影システムと；を含む。

パターン印刷の限界の理論推定値は、分解能に関するレイリー基準によって以下に示される式（１）で与えられる。

ここでλは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターン印刷に使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はプロセスに依存する調整係数でありレイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）から導かれるのは、印刷可能なフィーチャサイズの最小値を小さくすることができる３つの方法があるということである。すなわち、露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡを大きくすることによって、またはｋ１の値を小さくすることによってである。

露光波長を短くしそれによって印刷可能な最小サイズを小さくするために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍから２０ｎｍの範囲内、例えば１３ｎｍから１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに波長１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなど５ｎｍから１０ｎｍの範囲内のＥＵＶ放射も使用可能であることが提案されている。そのような放射は極端紫外放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。実現可能なソースは例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングから供給されるシンクロトロン放射に基づくソースを含む。

ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成されてもよい。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを供給する燃料を励起するためのレーザと、プラズマを収容するためのソースコレクタ装置とを含んでもよい。プラズマは例えば、適切な材料（例えばスズ）の粒子、または、適切な気体または蒸気（例えばＸｅガスやＬｉ蒸気など）の流れ等の燃料にレーザビームを向けることにより生成されてもよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、その出力放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受けてその放射をビームに集中させる鏡面垂直入射放射コレクタであってもよい。ソースコレクタ装置は、プラズマを保持するための真空環境を提供するよう構成された包囲構造またはチャンバを含んでもよい。そのような放射システムは、典型的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。

別の構成において、ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、放電を用いてプラズマを生成してもよい。放電は、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気といったガスまたは蒸気を通過し、ＥＵＶ放射を出力する非常に熱いプラズマを生成する。このような放射システムは、典型的に放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と呼ばれる。

ＥＵＶ源内でのプラズマ生成は、燃料から生成される汚染粒子を生じさせうる。ＥＵＶリソグラフィ装置内での汚染は、例えば装置のミラーといった光学面またはリソグラフィ装置のパターニングデバイスに付着しうる。汚染は、ミラーにより反射されるＥＵＶ放射の効率を低減させ、および／または、ＥＵＶ装置により基板上に投影されるパターンの正確性を低減させうる。光学面またはパターニングデバイスの汚染は、これらの交換を必要としうる。これは高価であり、したがって、交換周期のいかなる低減も有利となりうる。さらに、リソグラフィ装置またはＥＵＶ装置のこのような部分の交換は時間のかかるプロセスであり、交換中においてリソグラフィ装置の動作を停止しなければならないかもしれない。リソグラフィ装置の動作の停止は、リソグラフ装置の生産性を低減させ、その効率を低減させうるため、好ましくない。

本明細書またはそれ以外で識別されるかに拘わらず、従来技術の少なくとも一つの課題を除去または低減させること又は既存の装置または方法の代替を提供することが好ましい。特に、本発明の目的の一つは、それ以外にＥＵＶ放射などの放射を生成するための方法および装置を提供することである。

ペリクルまたはフィルムは、レチクルのパターン面を保護するためにＥＵＶリソグラフィ装置に用いられる。レチクルは、デバイスパターニング用のレチクルパターン面に入射するＥＵＶビームにパターンを付すために用いられる。一般にペリクルは膜であり、放射ビームの膜の通過を可能にするように構成され、汚染粒子の膜の通過を防ぐように構成される。このようなペリクルは所望波長の放射に対して高い透過性を有する一方で、レチクルのパターン面上に移される粒子状付着物に対するバリアとしても機能することが望ましい。このような付着物はレチクルを用いてパターン化されるデバイスの欠陥につながりうるため、このような欠陥を低レベルに維持して高い生産性を持続させることが望ましい。実際のところ、レチクル面上に特定の粒子サイズ（例えば約２０ｎｍ）を超える粒子がないことが許容されうる。レチクル面から約２ｍｍの高さにペリクルを用いることは、許容される粒子サイズを例えば約２μｍに増大させうる。これは、ペリクル面上での粒子汚染の検査およびモニタリングを容易にもする。より大きい粒子は、より簡単にモニタされる。ペリクルは、レチクルに入射する放射から不要な波長（例えば深紫外（ＤＵＶ））をフィルタするスペクトル純度フィルタを提供するためにも用いられるうる。

汚染粒子は、ＥＵＶリソグラフィ装置内で様々なソースから生じうる。高速移動する粒子は、特にソースがＥＵＶ放射生成用のプラズマを含むときにＥＵＶ放射源から生成されうる。これらは、ＥＵＶビームの経路に沿って、ソースコレクタの中間焦点開口を通過してイルミネータアセンブリへ向かい、ミラーとの弾性衝突の後にやがてレチクルに到達しうる。

低速移動する粒子は、システムの振動およびＥＵＶ装置内の可動部により持ち上げられ、レチクルのパターン面上にランダムに付着しうる。

従来技術のペリクルは、シリコンがＥＵＶ放射に対して高い透過性を有するため、典型的にシリコンの膜またはフィルムでできている。しかしながら、シリコンペリクルに要求される薄さは、レチクルのパターン面上の位置にペリクルを保持するためのメッシュ（例えばグリッドまたはハニカム）のサポート構造を必要としうる。レチクルによるＥＵＶパターンと干渉するメッシュパターンの影響を低減するために、レチクルのパターン面から数ｍｍ、例えば５ｍｍ離れてサポートされるペリクルおよびメッシュが提案されている。リソグラフィ装置においてクリアランス間隔が重要であるため、ペリクルはパターンを持つレチクル面の近く、例えばレチクルから約２．５ｍｍ以下程度に近くに位置することが望ましい。しかしながら、ペリクルについてレチクルから約５ｍｍ以上の間隔を持つ場合でさえも、メッシュパターンは依然として高解像度パターニングに負の影響を有しうる。ペリクルとの組み合わせにおいてメッシュが用いられる別の理由は、例えば赤外放射をフィルタするためのスペクトル純度フィルタを提供するためでありうる。

本発明のある目的は、粒子状付着物からレチクルを保護するのに適したペリクル配置を提供し、従来技術に係る上述またはそれ以外の課題に対処または解決することにある。

本発明の第１態様によれば、リソグラフィ用のレチクルを保護する装置が提供される。この装置は、ペリクルと；少なくとも一つのアクチュエータと；を備え、当該装置は、使用中、アクチュエータがレチクルに対するペリクルの動きを生じさせるように構成される。

第１態様の装置によれば、ペリクルにより、ペリクルの表面上に留まるデブリにより又はペリクルのしわ／不均一性によりレチクルに影ができることに関連する負の影響を、ＥＵＶ放射などの放射のレチクルへの露光中のレチクルに対するペリクルの動きによって緩和できる。同様にこれはレチクルのパターン面により近接してレチクルを配置することを可能にし、したがってこの装置が用いられうるリソグラフィ装置内のスペースの要求を有利に低減させる。このようにして、第１態様の装置を従来技術のペリクルを使用すると問題となるようなスペースの制約があるリソグラフィ装置内に用いることができる。

動きは、実質的にレチクルのパターン面により規定される面に平行な面内であってもよい。このようにして、リソグラフィ装置内の装置に必要とされるスペースを有利に低減できる。

少なくとも一つのアクチュエータは圧電トランスデューサであってもよい。

装置は、少なくとも一つのアクチュエータがレチクルに対するペリクルの周期的な動きを生じさせるように構成されてもよい。例えば、動きがレチクルに対するペリクルの振動性の動きであってもよい。動きは、単調であってもよい。

ペリクルに生じる動きは、少なくとも一つの周期が放射の局所露光に必要な時間周期内に完了するようであってもよい。しかしながら、他の実施の形態において、誘起される動きが局所露光中に一周期未満が完了するようであってもよい。

装置は、少なくとも一つの周期が放射の全領域露光に必要な時間周期内に完了するようなペリクルの動きを少なくとも一つのアクチュエータが生じさせるように構成されてもよい。

装置は、リソグラフィ装置のレチクルの上方にペリクルを支持するためのフレームをさらに備えてもよい。フレームは、少なくとも一つのアクチュエータを備えてもよい。少なくとも一つのアクチュエータは、アクチュエータを含む装置全体をリソグラフィ装置から取り外して修理点検できるようにしてフレームと一体化されてもよい。

フレームは、レチクル表面に取り付けるための第１フレーム部材と、前記ペリクルを支持するための第２フレーム部材とを備えてもよい。第１および第２フレーム部材は、可撓性部材、弾性部材または衝撃吸収部材の少なくとも一つにより接続されてもよい。

本発明の第２態様によれば、リソグラフィ装置のレチクルを保護する方法が提供される。この方法は、レチクルのＥＵＶ放射露光中にレチクルの上方に支持されるペリクルの前記レチクルに対する動きを生じさせることを備える。

動きは、レチクルのパターン面により規定される面に平行な面内であってもよい。

動きは、圧電トランスデューサを用いて誘起されてもよい。

動きは、パッシブな動きであってもよい。例えば、動きがレチクルの動きにより受動的に生じてもよい。例えば、レチクルはスキャン動作中に動いてもよい。

動きは、周期的であってもよい。例えば、動きが振動性であってもよい。

少なくとも一つの周期が局所露光に必要な時間周期内に完了してもよい。

少なくとも一つの周期が全領域露光に必要な時間周期内に完了してもよい。

動きは、レチクルにて受ける放射がレチクルのパターン面にわたって実質的に均一な強度分布を有するように適合されてもよい。

動きは、ペリクルを支持するメッシュにより生じる影がレチクルのパターン面にて受ける放射の強度分布に及ぼす影響を実質的に低減させるように適合されてもよい。

動きは、メッシュにより生じる影の影響をレチクルのパターン面にわたって平均化させるように適合されてもよい。

本発明の第３態様によれば、ＥＵＶリソグラフィ用のレチクルアセンブリが提供される。このレチクルアセンブリは、入射する放射ビームにパターンを付すのに適したパターン面を有するレチクルと；パターン面上に少なくとも保持されるペリクルと；少なくとも一つのアクチュエータと；を備える。このレチクルアセンブリは、アクチュエータがパターン面に対するペリクルの動きを生じさせるように構成される。

本発明の第４態様によれば、約５ｎｍから約２０ｎｍの波長を有する放射ビームを用いてレチクルアセンブリからのパターンを基板上に投影するように構成され、レチクルアセンブリが第３態様に係るレチクルアセンブリであるリソグラフィ装置が提供される。

リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するよう構成される照明システムと；放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを形成可能なレチクルアセンブリを保持するよう構築されるサポート構造と；基板を保持するよう構築される基板テーブルと；パターン放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成される投影システムと；をさらに備えてもよい。

アクチュエータは、レチクルアセンブリを保持するよう構築されるサポート構造と一体化されてもよい。代わりに、ペリクルを支持するように構成されるフレームとアクチュエータが一体化されてもよい。この場合、ペリクルを支持するように構成されるフレームは、レチクルアセンブリを支持するように構成されるサポート構造と一体化されない。

本発明の第５態様によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、第４態様のリソグラフィ装置を用いて基板をパターン化する放射を生成することを備える。

本発明の第６態様によれば、ペリクルアセンブリが提供される。このペリクルアセンブリは、ペリクルフレームを備え、ペリクルフレームがレチクルの上方にペリクルを支持するための内側フレームと、内側フレームに着脱可能に結合される外側フレームとを備える。

内側フレームは可撓性である。外側フレームは堅固であってもよい。

内側フレームが長方形を形成してもよく、長方形の各辺が辺の長手方向と直交する面内において４ｍｍ^２以下の断面積を有してもよい。

内側フレームがステンレス鋼で構成されてもよい。

外側フレームが複数の留め具により内側フレームに結合されてもよい。ペリクルフレームの各辺に沿って少なくとも３個の留め具が設けられてもよい。

本発明の第７態様によれば、レチクル表面にペリクルを取り付ける方法が提供される。この方法は、第６態様に係るペリクルアセンブリをレチクルの上に配置することと；ペリクルアセンブリから外側フレームを取り外すこととを備える。

本発明の第８態様によれば、ペリクルアセンブリが提供される。このペリクルアセンブリは、レチクルの上方にペリクルを支持するためのフレームを備え、フレームが、使用中、レチクルに対するペリクルの動きが生じるように構成される。

動きは、実質的にレチクルのパターン面により規定される面に平行な面内であってもよい。

誘起される動きは、レチクルに対するペリクルの周期的な動きであってもよい。

ペリクルアセンブリは、レチクルに対するペリクルの振動性の動きが使用中に生じるように構成されてもよい。

ペリクルアセンブリは、少なくとも一つの周期がレチクルの局所放射露光に必要な時間周期内に完了するようなペリクルの動きが生じるように構成されてもよい。

ペリクルアセンブリは、少なくとも一つの周期がレチクルの全領域放射露光に必要な時間周期内に完了するようなペリクルの動きが生じるように構成されてもよい。

ペリクルアセンブリは、レチクルの上方にペリクルを支持するためのフレームをさらに備えてもよく、レチクルの動きを生じさせるアクチュエータが設けられてもよく、レチクルの前記動きがペリクルの前記動きを生じさせてもよい。

ペリクルアセンブリは、レチクルの上方にペリクルを支持するためのフレームをさらに備えてもよい。この場合、フレームは少なくとも一つのアクチュエータを備え、前記アクチュエータがペリクルの前記動きを生じさせるように構成される。

フレームは、レチクルの表面に取り付けられるための第１フレーム部材と、前記ペリクルを支持するための第２フレーム部材とを備えてもよく、第１および第２フレーム部材は、可撓性部材、弾性部材または衝撃吸収部材の少なくとも一つにより接続されてもよい。

第１、第３、第４、第６または第８のいずれかにおいて、二つのアクチュエータが設けられ、各アクチュエータが他方のアクチュエータと直交する方向にペリクルの振動を生じさせるように構成されてもよい。

二つのアクチュエータのそれぞれにより生じる振動は、周波数、位相または振幅の少なくとも一つについて異なってもよい。

二つの振動子は、ペリクルの移動中のいかなる時間においてもペリクルが静止しないようにペリクルを振動させるよう構成されてもよい。

二つの振動子は、ペリクルをリサージュパターンで振動させるように構成されてもよい。

上記第２態様において、動きを生じさせることは、二つの直交する方向にペリクルの振動性の動きを生じさせることを備えてもよい。

一の方向に誘起される振動は、周波数、位相または振幅の少なくとも一つに関して他の方向に誘起される振動と異なってもよい。

振動性の動きは、ペリクルの移動中のいかなる時間においてもペリクルが静止しないように構成されてもよい。

誘起される動きは、リサージュパターンに従ってもよい。

上記態様のいずれかにおいてメッシュが設けられる場合、メッシュは非周期的グリッド構造を備えてもよく、例えばペンローズグリッド構造を備えてもよい。

本発明の第９態様によれば、ペリクルアセンブリ又はダイナミックガスロック膜として使用する膜アセンブリを製造する方法が提供される。この方法は、膜の内部において第１方向に第１の量の張力と第２方向に第１の量より大きい第２の量の張力とを生じさせることを備える。膜は、フレームに取り付けられている間、第１および第２方向に異なる張力の下に維持される。応力は、膜がフレームに取り付けられる間に第１および第２方向のそれぞれ又はいずれかに加えられてもよいし、または、膜をフレームに取り付ける前に加えられてもよい。

第２方向は膜の長手軸と実質的に平行であってもよく、第１方向は膜の短手軸と実質的に平行であってもよい。

第２方向は使用中の膜に入射する放射ビームのスキャン方向と実質的に垂直であってもよい。第１方向は第１方向と実質的に垂直であってもよい。

膜内の第１および第２の量の応力差は、使用中の膜に入射するスキャン放射ビームのアスペクト比に依存して選択されてもよい。

膜内の第１および第２の量の応力差は、使用中の膜に第１方向および第２方向に生じる熱膨張の差に依存して選択されてもよい。

膜がペリクルとして用いられる場合、第１の量の応力と第２の量の応力の比率が１：１３程度であってもよい。

膜がダイナミックエアロック膜として用いられる場合、第１の量の応力と第２の量の応力の比率が１：３程度であってもよい。

第１０態様によれば、ペリクルアセンブリ又はダイナミックガスロック膜アセンブリとして用いられる装置が提供される。この装置は、フレームに取り付けられる膜を備え、取り付けられる膜が第１方向に第１の量の張力下にあり、第２方向に第１の量より大きい第２の量の張力下にある。

第２方向は膜の長手軸と実質的に平行であってもよく、第１方向は膜の短手軸と実質的に平行であってもよい。

第２方向は使用中の膜に入射する放射ビームのスキャン方向と実質的に垂直であってもよく、第１方向は前記第１方向と実質的に垂直であってもよい。

第１および第２の量の応力差は、使用中の膜に入射するスキャン放射ビームのアスペクト比に実質的に比例してもよい。

第１および第２の量の応力差は、使用中の膜に第１方向および第２方向に生じる熱膨張の差に実質的に比例してもよい。

膜はペリクルであってもよく、第１の量の応力と第２の量の応力の比率が１：１３程度であってもよい。

膜はダイナミックエアロック膜であってもよく、第１の量の応力と第２の量の応力の比率が１：３程度であってもよい。

本発明の第１１態様によれば、第１、第３、第４、第６または第８態様に係る装置であって、ペリクルが第１０態様に係るペリクルである装置が提供される。

第１２態様によれば、第２、第４または第７態様に係る方法であって、ペリクルが第１０態様に係るペリクルである方法が提供される。

本発明の一以上の態様は、当業者にとって適切であれば、本明細書に記載される任意の一以上の他の態様、および／または、本明細書に記載される任意の一以上の特徴と組み合わせられてもよい。

本発明のさらなる特徴および利点は、本発明の様々な実施の形態の構造および作用とともに、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。本発明は、本書で説明される特定の実施の形態に限定されないことに注意する。このような実施の形態は、例示を目的として本書に提示されているに過ぎない。本書に含まれる教示に基づけば、さらなる実施の形態は関連分野の当業者にとって明らかであろう。

本発明の実施の形態は、添付の概略的な図面を参照して以下に示されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する符号は対応する部分を示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。

図１のリソグラフィ装置を模式的に示す詳細図である。

本発明のある実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

本発明の別の実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

本発明のさらに別の実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

図６ａおよび６ｂは、それぞれのサポートメッシュ構造に関するペリクルの動きを模式的に示す図である。

本発明のさらに別の実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

ある実施の形態に係るペリクルアセンブリを模式的に示す上面図である。

本発明のさらに別の実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

二つ結合された調和振動子により記述できる四つのリサージュ曲線の例を示す図である。

ペンローズタイル構造を有するペリクルサポートメッシュを模式的に示す図である。

本発明のさらに別の実施の形態に係るペリクルの構成を模式的に示す図である。

熱膨張するペリクルの変形により形成されるしわを模式的に示す図である。

しわを防ぐためにペリクルに付加されうる張力を模式的に示す図である。

本発明の特徴および優位性は、一貫して同様の符号が対応する要素を同等に扱う図面を併用する場合に、以下の詳細な記載がより明らかになるであろう。図面において、同様の符号はたいていの場合、同一、機能的に同様または構造的に同様の要素を示す。ある要素が初めて登場する図面は、対応する符号の左端の数字により示される。

本明細書は、本発明の特徴を包含する実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により規定される。

開示される実施の形態および明細書にて参照される「一つの実施の形態」、「ある実施の形態」、「いくつかの実施の形態」などは、開示される実施の形態が具体的特徴、構造または特性を含んでもよいことを示すが、必ずしも全ての実施の形態がその具体的特徴、構造または特性を含まなければならないことを示すものではない。またこのような表現は、必ずしも同じ実施の形態を指すものではない。さらにある具体的特徴、構造または特性がある実施の形態に関連して記載されるとき、明示されているか否かにかかわらず、このような特徴、構造または性質と別の実施の形態との関連をもたらすことが当業者の知識の範囲内であることが理解されよう。

図１は、本発明のある実施の形態に係る放射源ＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め部ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えば、レジストで覆われたウエハ）Ｗを保持するよう構築され、基板を正確に位置決めする第２位置決め部ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影する投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳと、を備える。

照明システムは、放射を方向付け、成形し、又は制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子またはこれらの任意の組合せを含んでもよい。

サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置のデザイン、及び、パターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはパターニングデバイスを保持する他の固定技術を用いてもよい。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造は、例えば投影システムに対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。

「パターニングデバイス」なる用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用可能な何らかのデバイスを指し示すものと広義に解釈されるであろう。放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。

投影システムは、照明システムと同様、使用される露光放射に応じて、または真空の使用といった他の要因に応じて適切である限り、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含みうる。ガスは放射を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶ放射については真空または少なくとも低ガス圧環境を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプの助けによりビーム経路の全体に真空または低ガス圧環境が与えられてもよい。

図示されるように、本装置は（例えば反射型マスクを採用する）反射型の形式である。

リソグラフィ装置は二つ（デュアルステージ）またはそれより多数の基板テーブル（および／または二以上のマスクテーブル）を有する形式であってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的なテーブルが並行して使用されてもよく、あるいは一以上のテーブルが露光に使用されている間に一以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから極端紫外（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしもそれに限定されるわけではないが、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくとも一つの元素を有する物質をプラズマ状態に変換することを含む。こうした一つの方法（これは多くの場合レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称される）においては、要求される輝線を放出する元素を有する物質の液滴、流れ、又はクラスタなどの燃料にレーザビームを照射することによって、要求されるプラズマを生成することができる。

放射源ＳＯは、燃料の流れを生成するための燃料流発生器および／または燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１に図示せず）を含む、ＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出する。この出力放射は、放射源内に設けられる放射コレクタを使用して集められる。例えば燃料励起のためのレーザビームを提供するのにＣＯ_２レーザが使用される場合には、レーザおよび／または燃料流発生器とコレクタモジュール（しばしば放射源と称される）とは別体であってもよい。

こうした場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、レーザビームはレーザからビーム搬送系を介して放射源へと通過していく。ビーム搬送系は例えば適切な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。別のケース、例えばソースがしばしばＤＰＰソースと呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶ生成器である場合には、ソースが放射源の一体的な部分であってもよい。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常それぞれσアウタ、σインナと呼ばれる）が調整されうる。加えてイルミネータＩＬは、ファセットフィールドおよび瞳ミラーデバイスなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。

放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決め部ＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように、正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め部ＰＭと別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。

図示される装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。

１．ステップモードにおいて、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。

２．スキャンモードにおいて、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められてもよい。

３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。

上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。

図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、投影システムＰＳを含む、リソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの包囲構造２２０に真空または低ガス圧環境が維持されるように構築および配置される。

レーザ４は、燃料流発生器８から与えられるスズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザビーム６を介してレーザエネルギを与えるように構成される。液体（つまり溶融）スズもしくは別の液状金属が好ましい。燃料トラップ９は、プラズマ生成中に消費されなかった燃料を受けるよう構成される。燃料へのレーザエネルギの蓄積は、プラズマ形成位置１２において、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ１０を生成する。これらイオンの脱励起および再結合の間に生成される強力な放射はプラズマ１０から放出され、近法線入射放射コレクタ１４（より一般的に垂直入射放射コレクタと呼ばれることもある）によって集められ集束される。コレクタ１４は、多層構造を有してもよく、例えば特定波長の放射（例えば特定のＥＵＶ波長の放射）を反射、より容易に反射、または優先的に反射するように調整される。コレクタ１４は、二つの楕円焦点を有する楕円形状の構成を有してもよい。後述するように、一方の焦点はプラズマ形成位置１０に位置し、他方の焦点は中間焦点に位置するであろう。本発明のいくつかの実施の形態において、放射コレクタはグレージング入射コレクタを備えてもよい。

レーザ４および／または放射源および／またはコレクタ１４は、放射源、特にＥＵＶ放射源を一緒に構成すると考えられてもよい。このＥＵＶ放射源は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と称されうる。包囲構造２の内部のコレクタ１４は、（この例における）放射源の一部を形成するコレクタモジュールを形成してもよい。

第２レーザ（不図示）が提供されてもよく、第２レーザはレーザビーム６が入射する前の燃料を予熱するように構成されてもよい。このアプローチを使用するＬＰＰ源は、デュアルレーザパルス（ＤＬＰ）源と称されうる。このような第２レーザは、燃料ターゲットに入射する先行パルス（pre-pulse）を与えるものとして記載されてもよく、例えば改質されたターゲットを提供するためにターゲットの特性を変化させてもよい。この特性変化は例えば温度、サイズまたは形状などの変化であり、主にターゲットの加熱により生じるであろう。

図示していないが、燃料流発生器８は、プラズマ形成位置１２に向かう軌道に沿って燃料の液滴の流れを向かわせるように構成されるノズルを備える、もしくは、そのノズルと接続されるであろう。

放射コレクタ１４によって反射された放射Ｂはソース像１６に集束される。ソース像１６は一般に中間焦点と称され、放射源ＳＯは中間焦点１６が包囲構造２の開口１８またはその近くに配置されるように構成される。ソース像１６は放射放出プラズマ１０の像である。

つづいて、放射Ｂは照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬはファセットフィールドミラーデバイス２０とファセット瞳ミラーデバイス２２とを含んでもよい。それらのミラーデバイスは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームＢに所望の角度分布を提供し、かつ、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の一様性を提供するよう構成される。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームが反射されると、パターンが付与されたビーム２４が形成され、そのパターンが付与されたビーム２４は、投影システムＰＳによって反射性要素２６、２８を介して、ウエハステージまたは基板テーブルＷＴにより保持される基板Ｗ上に結像される。

照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、図示されるよりも多くの要素が一般に存在してもよい。また、図示されるよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、投影システムＰＳには、図２に示されるよりも１〜６個（またはそれ以上）の追加の反射性要素が存在してもよい。

ＬＰＰ源を図２に示したが、本発明の他の実施の形態において、ソースコレクタ装置ＳＯはＤＰＰ源を備えてもよい。

ペリクルの使用は、デブリ（例えば汚染粒子またはゴミ粒子）がパターニングデバイスに接触するのを防ぐ方法として知られている。パターニングデバイス（レチクルなど）に留まることになるいかなるデブリもリソグラフィ装置の結像性能の実質的な低下を生じさせうる。パターニングデバイス（およびパターニングデバイスに接触するデブリ）がリソグラフィ装置の焦点面に位置するためである。ペリクルは、パターニングデバイスをカバーし、デブリがパターニングデバイスに到達することを防ぐ。ペリクルに留まることになるいかなるデブリもリソグラフィ装置の焦点面に位置しなくなれば、パターニングデバイスにデバイスが留まる場合と比べて、デブリにより生じるリソグラフィ装置の結像性能のいかなる低下も小さくなるであろう。

図３は、本発明のある実施の形態に係るパターニングデバイスアセンブリのある実施の形態の断面を模式的に示す。このパターニングデバイスアセンブリは、例えば図１および／または図２に示されるリソグラフィ装置での使用に適する。レチクル３０の形態で示されるパターニングデバイスは、そのパターン面上に取り付けられる外側フレーム３１を有する。アクチュエータ３２ａ，３２ｂは外側フレーム３１に取り付けられる。内側フレーム３３はアクチュエータ３２ａ，３２ｂに取り付けられ、ペリクル３４はパターンが付されたレチクル３０の上方に内側フレーム３３（外側フレーム３１およびアクチュエータ３２ａ，３２ｂとの組み合わせ）により支持される。内側フレーム３３はレチクル３０から固定された距離にてペリクル３４を支持するように構成され、ペリクル３４の表面に入射するいかなる粒子もイルミネータＩＬの集光光学系の焦点面の外側となるようにする。ペリクル３４は、ペリクル３４と一体化されたメッシュ３４ｂにより支持される。

いくつかの実施の形態において、メッシュサポート３４ｂに加えて又は代えて、一以上の連続したサポート層が設けられてもよい。例えば、いくつかの実施の形態において、連続サポートおよび／またはメッシュサポートは、サンドイッチ構造で提供されてもよい。メッシュおよび／または連続サポートは、粒子状汚染からの保護に加えて、粒子状汚染とは異なる環境因子からの保護（温度および／または機械的応力からの保護など）をペリクル３４および／またはレチクル３０に与えるように適合されてもよい。

上述のように、使用中にレチクル３０は放射（ここに説明する実施の形態において、ＥＵＶ放射である）に曝される。図４に模式的に示されるように、ＥＵＶ放射ビーム３５ａは、ペリクル３４を通過してレチクル３０のパターン面に入射してパターンを獲得し、パターンＥＵＶビーム３５ｂとしてレチクル３０から反射されてペリクル３４を通過して戻る。デブリ粒子３６は、ペリクル３４の外面上に収集されることによりレチクル基板３０のパターン面への接触が妨げられる。パターンＥＵＶビーム３５ｂは、基板の目標部分にビームを集束させる投影システムに向かいそのパターンを目標部分に与える。

本発明のいくつかの実施の形態においてペリクル３４は単層を備えてよいが、別の実施の形態においてペリクル３４は複数層を備えてもよい。ペリクル３４は、約１ｎｍから約１００ｎｍの範囲となる全体の厚さを有する。サポートメッシュ３４ｂを含むペリクル３４の全体の厚さは、約１００ｎｍから５０μｍの範囲であってもよい。

露光中において、ペリクル３４を支持するメッシュ３４ｂは、レチクル３０のパターン面にて受ける放射強度の変動を生じさせる。つまり、レチクル３０の露光中の異なる時間にて、ＥＵＶビーム３５ａのいくつかの領域がペリクル３４を支持するメッシュ３４ｂに入射して吸収される。これはレチクル３０のパターン面上に影を生じさせる。このようなメッシュに起因する変動は、反射されパターンが付されたＥＵＶ放射ビーム３５ｂに対応する変動を生じさせる。

メッシュ３４ｂの影の影響に対処するため、アクチュエータ３２ａ，３２ｂはペリクル３４およびメッシュ３４ｂの位置で動き（振動など）を生じさせるように構成される。いくつかの実施の形態において、アクチュエータ３２ａ，３２ｂは小さな横方向の動きをペリクル３４（およびメッシュ３４ｂ）の位置でレチクル３０に対して生じさせるように構成される。アクチュエータ３２ａ，３２ｂにより誘起されるペリクル３４の動きは、矢印３７により図示される。側部により、ペリクル３４の動きが実質的にレチクル３０のパターン面により規定される面に平行な面内であることが理解されよう。

いくつかの実施の形態において、ペリクルの動きは実質的に一次元（つまり左右交互または前後方向）であるが、他の実施の形態において実質的に二次元内（つまり左右交互および／または前後方向）である。例えば、ペリクル３４は円状に動かされてもよい。本発明のいくつかの実施の形態において、追加の次元（つまりレチクルのパターン面により規定される面に直交する面の外側）で動いてもよい。つまり、いくつかの実施の形態において、動きは横方向のみではなく、縦方向（つまり、レチクル３０９のパターン面により規定される面に垂直な方向）であってもよい。いくつかの実施の形態において、ペリクル３４の動きは、レチクルの動きのスキャン方向と横切る方向であってもよい。一方で、他の実施の形態において、ペリクル３４の動きはレチクルの動きのスキャン方向と平行する方向であってもよい。

ペリクル３４の動きの方向は、メッシュ３４ｂの構成に依存して選択されてもよい。同様にメッシュ３４ｂの構成は、ペリクル３４の所定の動きに応じて選択されてもよい。特に、ペリクル３４の動きまたはメッシュ３４ｂの構成は、ペリクル３４の動きがメッシュ３４ｂのいかなる連続したフィーチャをも追跡しないように選択されてもよい。

例えば、図６ａは、ある実施の形態に係るメッシュ３４ｂの一部を模式的に示す。この実施の形態において、メッシュ３４ｂは、「縦」要素５０と水平要素５０を有する四角形のグリッド配置を備える。ペリクル３４の動きが縦および横要素５０，５１に対して４５度の角度であり、縦または横要素５０，５１のいずれもがペリクル３４の動きを追跡しないようになることが分かるであろう。図６ｂは、メッシュ３４が六角形のハニカム構造を備える別の例を示す。六角形構造の要素５５は水平方向を規定し、水平方向の要素に対して３０度の角度の矢印５６がペリクル３４の動きの方向を示す。図６ａ，６ｂに示されるメッシュ３４ｂの要素に関連するペリクル３４の動きの方向は、例示にすぎないことが理解されよう。

レチクルの露光中にペリクル３４の位置を変化させることにより、レチクル３０のパターン面にわたるメッシュに起因する強度変化の平均化を通じて、メッシュに起因する強度変動を低減できる。つまり、ＥＵＶ放射に対してペリクル３４の露光中のある瞬間にメッシュの影となるレチクル３０の部分は、ペリクル３４の露光中の別の瞬間にはメッシュの影にならないであろう。このようにして、レチクル３０の各部分は露光の時間にわたって実質的に同じ量のＥＵＶ放射を得る。

いくつかの実施の形態において、放射３５ａは任意のある時間においてレチクル３０のパターン面の一部のみに入射する。このような実施の形態において、放射３５ａは、基板のダイのパターンに必要な時間（これは放射ビーム３５ａのパワーに依存してもよい）を通じて、レチクル３０のパターン面にわたって（例えばマスクテーブルＭＴの動きにより）スキャンされる。図示される例のように、レチクル３０のパターン面が１３ｃｍ幅の場合、１ｃｍ幅を有する放射ビーム３５ａはレチクル３０のパターン面にわたって０．６５ｍ／ｓの速度でスキャンされる。その結果、放射ビーム３５ａはレチクル３０のパターン面の１ｃｍの短冊部分（ストリップ）のそれぞれに約１５ｍｓの時間をかけて入射するであろう。放射ビーム３５ａがレチクル３０の単一部分に入射する時間の周期は、局所露光時間と称されてもよい。

ペリクル３４の動きはそれぞれの単一局所露光時間にわたって繰り返され、それぞれの単一局所露光時間にわたってメッシュに起因する強度変化の所望の平均化が生じることができるようにしてもよい。例えば、上述の例において、ペリクル３４は少なくとも１５ｍｓに１回の周期（つまり約６７Ｈｚ）で振動が生じてもよい。より一般的に、本発明のいくつかの実施の形態においてペリクル３４の振動は約１００Ｈｚから１ｋＨの範囲の周波数を有してもよいが、任意の適切な周波数が用いられてよいことが理解されよう。

本発明のいくつかの実施の形態において、放射３５ａはレチクル３０のパターン面の全領域に入射し、その結果スキャンされない。このような実施の形態において、放射３５ａにレチクル３０のパターン面が露光される時間は全領域露光時間と称されてもよい。ペリクル３４の動きは、それぞれの全領域露光時間にわたって繰り返されてもよい。

外側フレーム３１、トランスデューサ３２ａ，３２ｂおよび内側フレーム３３は、一緒になって一体化されたペリクルフレームを提供してもよい。しかしながら、アクチュエータ３２ａ，３２ｂがレチクル３０の上のフレームに直接取り付けられるように図３に示される一方で、アクチュエータが任意の適切な方法で取り付けられてもよいことが理解されよう。

図４は、本発明の別の実施例を模式的に示す。この例では、アクチュエータ３２ａ，３２ｂがリソグラフィ装置の別の部分、具体的にはサポート構造ＭＴに取り付けられる。図４の実施の形態において、図３の実施の形態と同様に、ペリクル３４はレチクル３０に取り付けられるフレームにより支持される。具体的には、下側フレーム４１がレチクル３０のパターン面の上に取り付けられ、可撓性部材４３を介して上側フレーム４２に接続される。ペリクル３４は上側フレーム４２に接続される。サポート構造ＭＴは、上方にペリクル３４が位置するサポート構造の基部から延在するフレーム４４を備える。アクチュエータ４５は上側フレーム４２と接続するようにしてフレーム４４に取り付けられる。図３の実施の形態と同様に、アクチュエータ４５は、上側フレーム４２の動きを通じてペリクル３４の位置の振動を生じさせるように構成される。

いくつかの実施の形態において、アクチュエータ３２ａ，３２ｂは例えば圧電性の運動トランスデューサであってもよい。このようにして、ペリクル３４の動きを精密に制御できる。

図５は、ペリクル３４の動作が受動的（パッシブ）であってもよい本発明の別の実施の形態を示す。図５は、図４とほぼ同じ構成を示しており同等の構成は同じ符号を有する。しかしながら、図５の実施の形態において、上側フレーム４２はアクチュエータに接続されていない。図５の実施の形態において、スキャン動作中のレチクル３０の動きを通じてペリクル３４に動きが加えられる。具体的には、可撓性部材４３が固有振動数を有し、レチクル３０の動きがペリクル３４の所望の振動を生じさせるようにする。例えば、レチクル３０が個別のステップにて動く場合、可撓性部材４３の固有振動数は各ステップが所望の周波数および振幅の振動を生じさせるものであってもよい。図５に示される実施の形態は、追加のアクチュエータおよび付随する電源を必要としない点で特に有利である。

図７は、ペリクル３４の動作がパッシブである本発明のさらに別の実施の形態を示す。図７は、図３とほぼ同じ構成を示しており同等の構成は同じ符号を有する。図７の実施の形態において、弾性部材６０は外側フレーム３１に取り付けられる。図７では二つの弾性部材が示されているが、任意の数の弾性部材が設けられてもよいことが理解されよう。内側フレーム３３は弾性部材６０に接続される。図７において、弾性部材６０は螺旋ばねとして図示されているが、他の形態の弾性部材が用いられてもよいことが理解されよう。螺旋ばね６０はペリクル３４の移動面に実質的に平行な長手方向を規定する。

他の実施例において、螺旋ばねに代えて板ばねといった他の弾性部材が用いられてもよい。例えば、板ばねがペリクルの水平移動面と直角に外側フレーム３１に取り付けられ、内側フレームが板ばねに取り付けられてもよい。

いくつかの実施の形態において、レチクル３０の各放射露光の事前または間にペリクル３４に加えられる力によりペリクル３４に受動的な動きが生じてもよい。いくつかの実施の形態において、ペリクル３４は、各露光スキャン間のマスクテーブルＭＴの移動中に加えられる慣性力に起因してレチクル３０のパターン面により規定される面に平行な面内で水平な動きが生じる。いくつかの実施の形態において、ペリクル３４の所望の動きが生じるようにマスクテーブルＭＴの動きが構成され及び／又は能動的に制御されてもよい。つまり、マスクテーブルＭＴの動きは、ペリクル３４の所望の動きを実現するために、マスクテーブルＭＴにより示される通常または標準の動きから逸脱してもよい。しかしながら、レチクル３０のパターン表面に対するペリクル３４のパッシブ動作を生じさせるために任意の適切な手段が用いられてもよいことが理解されよう。

ペリクル３４の動きは一定であってもよいし周期性であってもよい。したがって、弾性部材３０に加えて又は代えて、衝撃吸収部材が外側フレーム３１と内側フレーム３３の間に設けられてもよい。例えば、いくつかの実施の形態において衝撃吸収材料が外側フレーム３１と内側フレーム３３の間に設けられてもよい。衝撃吸収デバイス（ダッシュポットなど）または材料の特性は、ペリクル３４に生じることが望ましい動きに依存して選択される。このような衝撃吸収体は、大きな力に応答して初期状態から圧縮し、かつ、ゆっくりと初期状態に戻るように構成される。圧縮力は、任意の手段（例えばアクチュエータなどの外部の手段）により供給されてもよく、マスクテーブルＭＴの動きにより供給されてもよい。

本発明のいくつかの実施の形態において、ペリクルは露光中のレチクルに対して回転してもよいし、それ以外の動きをしてもよい。ペリクルが回転する場合、ペリクルの回転により露光中のレチクルのパターン面に入射するＥＵＶ放射の量が実質的に等しくなるようにペリクルを支持するメッシュが構成されることが好ましい。

上述した実施の形態ではメッシュサポート型のペリクルを用いる場合が示されたが、本発明の実施の形態はメッシュサポート型ではないペリクルが用いられてもよい。双方（メッシュサポート型および非メッシュサポート型）のケースにおいて、本発明の実施の形態は、例えばペリクルに留まるデブリまたはペリクル３４自体のしわ／非均一性により生じるレチクル３０の影のいかなる有害な影響をも低減させる助けとなる。

本発明のいくつかの実施の形態において、トランスデューサ３２ａ，３２ｂまたは４５は、ペリクル上に留まるデブリを振り落とすために及び／又はペリクル上へのデブリ粒子の付着を防ぐために、高周波数の動きをペリクルに生じさせるために用いられてもよい。このようにして、ペリクルのより複雑な検査および洗浄がより少ない頻度で行われてもよく、リソグラフィ装置の連続動作時間の延長を助けてもよい。ペリクルの動き自体がペリクルの損傷といった有害な影響をもたらさないことを確実にするために、ペリクルの動きの適切な周波数および振幅が複数の要因（ペリクルの構造など）に依存しうることが理解されよう。

上述のように、ペリクルは、ペリクルを支持するフレームを用いてレチクルの表面の上に取り付けられる。例えば、図３の実施の形態において、ペリクル３４は内側フレーム３３および外側フレーム３１により支持される。ペリクルはフレームと一緒になってペリクルアセンブリと称されてもよい。一般に、ペリクルアセンブリ全体はレチクルのパターン面上に取り付けられ、レチクルへのＥＵＶ放射露光の間、レチクルのパターン面上に留まる。しかしながら、いくつかの実施の形態において、レチクルの変形を防ぐためにペリクルアセンブリが取り付けられるレチクル上に小さな力しか及ぼさないことが望ましい。

図８を参照すると、ペリクル及び二部式（two-part）フレームを有するペリクルアセンブリを備える実施の形態が記載される。図８には、ペリクル７１および二部式フレームを備えるペリクルアセンブリ７０の上面図が示される。二部式フレームは内側フレーム７３と外側フレーム７４を備える。図８に示されるように、内側フレーム７３および外側フレーム７４の双方は上から見たときに概ね長方形形状である。外側フレーム７４は内側フレームの周にぴったりとなるようなサイズであり、内側フレーム７３に対して着脱可能に取り付けられる。外側フレーム７４の内縁は内側フレーム７３の外縁と隣接してもよい。代わりに、外側フレーム７４の内縁と内側フレーム７３の外縁の間に間隔が存在してもよい。

ペリクル７１は内側フレーム７３に取り付けられ、その結果内側フレーム７３の内側の空洞をカバーする。レチクルの上にペリクルアセンブリ７０を配置する前に内側フレーム７３の下面（レチクル対向面）に接着剤が設けられる。いったん内側フレーム７３がペリクル表面上の位置に固定されると、外側フレーム７４はペリクル７０から取り外されてもよく、その結果ペリクルアセンブリ７０に起因してレチクルに加わる力を低減する。内側フレーム７３は、例えば糊または別の物体（不図示）に対する取付具などにより、レチクル表面に任意の適切な方法で接着されてもよい。

ペリクルアセンブリ７０から着脱可能な外側フレーム７４を設けることにより、レチクルの上方に位置決めして取り付けるためにペリクルアセンブリ７０をより簡単に扱うことができる。例えば外側フレーム７４は、位置決めツールにより操作されてもよいし、係合されてもよい。レチクルの露光中にレチクル上に取り付けられたままになるであろうペリクルアセンブリ７０の一部（つまり、内側フレーム７３およびペリクル７１）は係合する必要がない。

内側フレーム７３は、内側フレーム７３をレチクルに取り付けることでレチクルの変形が生じないまたはわずかとなるように、薄く、計量かつ柔軟となるように作られてもよい。例えばいくつかの実施の形態において、内側フレーム７３の各辺は、辺の長手方向と直交する面内（例えば図８の辺７３ａについてＹ軸と直交する面内）において４ｍｍ^２以下の断面積を有してもよい。例えば、内側フレーム７３の辺７３ａが概ね長方形の断面を与える場合、辺７３ａは２ｍｍ以下の深さ（つまり図８に示すＸ軸方向）および高さ（つまり図８に示すＺ軸方向）を有してもよい。内側フレーム７３は任意の適切な材料または材料の組み合わせで作られてもよい。例えば、一つの実施の形態において、内側フレーム７３はステンレス鋼で作られてもよい。

内側フレーム７３を薄く柔軟に作ることにより、いくつかのさらなる優位性が与えられる。例えば内側フレーム７３が取り付けられるレチクルの変形を低減または抑制することに加えて、内側フレーム７３の柔軟性は、温度変化の変動および内側フレーム７３が取り付けられるレチクル表面の平坦性の変動に対して内側フレーム７３が相対的に鈍感となるようになる。さらに、内側フレーム７３をより薄く作ることにより、フレーム７３をレチクル表面に取り付けるときに用いる接着剤がより少なくて済む。ペリクルをレチクル表面に取り付けるためにしばしば用いられる接着剤（糊など）は高いガス放出率を有し、このガス放出はレチクルに向けられるＥＵＶ放射を吸収しうる。したがって、内側フレーム７３のサイズを低減することは接着剤によるガス放出量を低減する。

さらにリソグラフィ装置の開口数が増加するにつれてレチクル上にスペースがより必要になることが理解されよう。内側フレーム７３のサイズを低減することにより、レチクル表面上のより小さいスペースを内側フレーム７３が引き受けてレチクル上に追加のスペースを提供し開口数の増加を助ける。

内側フレーム７３と比べると外側フレーム７４は堅固（リジッド）であってもよい。例えば外側フレーム７４は、外側フレーム７４が内側フレーム７３に結合される間、ペリクルアセンブリ７０全体の変形を防げる程度に十分に堅固であってもよい。したがって、ペリクルアセンブリ７０をレチクルに取り付ける間、外側フレーム７４はペリクルアセンブリ７０に剛性を提供し、ペリクルアセンブリ７０が取り付けられるレチクル表面により規定される面に平行な面内でペリクルアセンブリ７０の下面（レチクル対向面）が実質的に平坦となることを維持する。ペリクルアセンブリ７０の改善された取り扱いは、ペリクルアセンブリ７０をより簡単に輸送できるようにし、より効率的にレチクル上に取り付けできるようにもする。

外側フレーム７４は、任意の適切な手段を用いて内側フレーム７３と接続されてもよい。いくつかの実施の形態において、外側フレーム７４は、ピンなどの複数の留め具７５を通じて内側フレーム７３に取り付けられてもよい。図８の実施の形態において、ぺリクルアセンブリ７０の各辺に沿って３個の留め具７５が設けられ、全体で１２個の留め具が設けられる。このようにして、内側フレーム７３はその各辺に沿った３箇所で支持される。しかしながら、任意の数の留め具が用いられてもよいことが理解されよう。例えば、より大きなペリクルアセンブリには、より小さなペリクルアセンブリよりも多くの数の留め具７５が用いられてもよい。

いくつかの実施の形態において、ペリクルアセンブリ７０をレチクルに取り付けるために自動ツールが用いられてもよい。自動ツールは、ペリクルアセンブリ７０をレチクルの上方に位置決めしてレチクルの上に配置する前に外側フレーム７４に接続されるように構成されてもよい。自動ツールはさらに、外側フレーム７４をペリクルアセンブリ７０から取り外すように構成されてもよい。

図８の実施の形態に示されるペリクル７１はサポートメッシュを備えないが、他の実施の形態ではペリクル７１がメッシュを備えてもよいことが理解されよう。ペリクル７１がメッシュを備える場合、図８の実施の形態は図３から７を参照して記載される一以上の実施の形態と組み合わせられてもよい。例えば、図４および５を参照して、上側フレーム４２、下側フレーム４１および可撓性部材４３が一緒になって図８の内側フレーム７３を構成してもよい。

図６ａ、６ｂに示されるメッシュのような周期的メッシュについて、速度、方向、振幅などの振動パラメータは、メッシュのグリッド構造により生じるレチクル上の影の重なりを低減させるという要求が与えられる限定された範囲の値を取ってもよい。さらにペリクルが単一次元で振動する場合ペリクルは動きが一定でない。つまり、ペリクルの変位が最大値となるとき、ペリクルは静止する（つまり、ペリクルがゼロの速度を有する）。ペリクルが静止する場合、レチクル上のメッシュの有害な影響が増大することが理解されよう。

静止するペリクルの問題を克服するため、ペリクルは複数の直交する慣性結合された振動子により振動されてもよい。図９を参照すると、第１パッシブ振動子は、ペリクル／メッシュ８１および外側フレーム８３に接続された二つの振動部材８０ａ，８０ｂ（図９にて螺旋ばねとして示される）を備える。第１振動子は、ペリクル／メッシュ８１をＸ軸に平行な方向に直線的に振動させるよう構成される。第２パッシブ振動子は、ペリクル／メッシュ８１と外側フレーム８３の間に接続された二つの振動部材８２ａ，８２ｂ（図９にて螺旋ばねとして示される）を備え、ペリクル／メッシュ８１をＸ軸に直交するＹ軸に平行な方向に直線的に振動させるよう構成される。図示される螺旋ばねが単に例示であって任意の振動子が用いられてもよいことが理解されよう。例えば、受動的（パッシブ）振動子が示される一方で、上述したような能動的（アクティブ）振動子が設けられてもよい。

第１および第２振動子は一緒にペリクル／メッシュ８１の二次元の動きを生じさせるように機能する。さらに、第１および第２振動子の振動間の周波数、位相および振幅の一以上を異ならせることにより、ペリクル／メッシュ８１が動作中に静止しないような態様の振動を生じさせてもよい。例えば、第１および第２振動子の一方が最大または最小変位となるときに第１および第２振動子の他方が最大または最小変位とならないように各振動子の位相を制御できる。例えば、第１および第２振動子はペリクル／メッシュ８１をリサージュ曲線に沿って振動させるように構成されてもよい。図１０は、第１および第２振動子などの二つ結合された調和振動子により記述できる四つのリサージュ曲線を示す。

リサージュ曲線に沿ったパターンに従うペリクル／メッシュ振動は、時間変化する変位角を持つ一定の動きの下にある。したがって、図９に関して、ペリクル／メッシュ８１はその動作中に静止する必要がない。

周期グリッド構造を持つメッシュを用いる場合、グリッド構造により生じるレチクル表面上の影の重なりは、グリッド構造の並進対称性に起因して不可避であるかもしれない。いくつかの実施の形態において、メッシュに並進対称性を示さない準周期的な幾何学配置が設けられる。例えば「ペンローズ構造」が用いられてもよい。ペンローズ構造の例は図１０に示される。図１０において、ライン（黒で描かれる）を備えるグリッド構造は、グリッドライン間のギャップがペンローズタイル形状８６などのペンローズタイルを形成するように配列される。非周期的グリッド構造を提供すれば、フィーチャの非重複が可能となるようにペリクル／メッシュの振動が特定方向である又は特定周期を有する必要がないことが分かっている。このようにして、ペリクル／メッシュを振動させることは非常に単純化される。さらに、周期構造を持つペリクルメッシュの製造に用いられるのと同じプロセスを用いてペリクルメッシュが製造されてもよいことが分かっている。

図１１はペリクルアセンブリの実施例を模式的に示し、非周期的グリッド構造を有するサポートメッシュおよび直交位相シフトした慣性結合振動子の双方を組み合わせて用いている。具体的には、ペリクル９０がペンローズグリッド構造メッシュ９１により支持される。８個の振動部材９２ａ−９２ｈは、ペリクル／メッシュ９０，９１を外側フレーム９３に接続する。各振動部材９２ａ−９２ｈは、それぞれが異なるばね定数を有する螺旋ばねであり、したがって、非対称な振動システムを提供し、ＸおよびＹ方向のそれぞれにおいて異なる位相、振幅および周波数を提供する。ペンローズグリッドメッシュの使用は、振動の振幅、周波数および角度要件を低減し、したがって、コストおよび複雑性を低減しながら、六角形のグリッドメッシュの使用と比べて顕著に優れた結像性能を提供することが分かっている。

再び、図１０に示される振動子の構成が例示にすぎないことが理解されよう。例えば、アクティブ振動子（図３に示されるアクチュエータ３２ａ，３２ｂなど）が図示されるパッシブ振動子に代えて用いられてもよく、又は異なるパッシブ振動手段が設けられてもよい。上述したように、パッシブ振動手段を用いる場合、レチクルステージの動きがパッシブ振動子したがってメッシュ／ペリクルの振動を生じさせるのに十分なエネルギーを与えてもよい。

使用中、ペリクルに入射する放射はペリクルを加熱して熱膨張を生じさせる。ペリクルに向かう放射は一般に細長い形状（スリット形状）である。したがって、ペリクルの熱膨張はペリクルの長手軸に沿ったものの方が短手軸に沿ったものよりも大きい。これは図１３に模式的に示されており、図１３は、矢印１０２で示されるスキャン方向にペリクル１００にわたってスキャンされる放射１０１のビームにより生じる概ね長方形状のペリクル１００内の（図示されるｚ軸に沿う）たわみを示す。

ペリクル１００の外周に概ね沿って延びるペリクル１００の第１部分１０３は最小量でたわむ。ペリクル１００のより中央の部分１０４，１０５，１０６，１０７はそれぞれ段階的に増加する量でたわみ、部分１０７は最大量でたわむ。

スキャン動作中の任意の時間に放射ビーム１０１がペリクル１００に入射する間、放射ビーム１０１の細長形状の性質は、ペリクル１００の長手軸１０８（図示のｘ方向に延びる）に概ね平行に延びる短冊状（ストリップ状）の熱膨張をペリクル１００内で生じさせる。このようにして、ペリクルの熱膨張はペリクル１００の長手軸１０８に沿って概ね最大となり、短手軸１０９（図示のｙ方向に延びる）に沿って最小となる。ｘ寸法とｙ寸法の間の熱膨張の差はペリクル１００の表面上にしわ１１０が生じる結果となりうる。しわ１１０は、短手軸１０９およびスキャン方向１０２に概ね平行に延びる。

スキャン方向に直交して延びるしわの影響はペリクルを横切るビーム１０１のスキャンにより基板（つまりウェハ）の表面にわたって平均化されうるが、スキャン方向１０２に平行に延びるしわはスキャンプロセスにより平均化されず、したがって、ペリクルを通って基板の表面に向かう放射の不均一な透過性を導きうる。このような不均一性は、基板での限界寸法の均一性に及ぼす有害な影響を有しうる。

図１４を参照すると、ペリクル表面上の有害なしわの発生を低減する方法が示される。ペリクルアセンブリ１２０は、フレーム１２２に取り付けられるペリクル１２１を備える。ペリクル１２１は、図示されるｘ方向に延びる長手軸１２３と図示されるｙ方向に延びる短手軸１２４を有する。

ペリクル１２１はある張力下でフレーム１２２に取り付けられる。具体的には、ペリクル１２１は、ｙ方向の第１張力（細矢印１２５で示す）及びｘ方向のより大きい第２張力（太矢印１２６で示す）の下にある。より大きい熱膨張を受ける方向により大きい張力１２６を有することによりペリクル１２１内の全体としての張力を低減できることが分かっている。ペリクルは放射（具体的にＥＵＶ放射）の効果的な透過を可能とするために通常薄い構造であり、したがって各ペリクルは比較的低い引張強度を有するため、これは特に有益である。

ペリクルはリソグラフィ装置内での使用中に張力を受ける。使用前に張力下にあるペリクル（つまりリソグラフィ装置内で応力を受ける前）は、したがって「初期応力がある（pre-stressed）」と称されてもよい。

ｘ方向の初期張力とｙ方向の初期張力の差は放射ビーム１０１のアスペクト比（ｘ
：ｙ）の差に基づいてもよい。代替的または追加的に、予測されるペリクル１２１のｘおよびｙの両方向の熱膨張が具体的使用のために（放射１０１の強度や周囲の動作温度などに基づいて）計算されてもよい。各方向に加えられる初期応力の差はしたがって、予測される熱膨張に基づいてこれを低減または最小化するように選択されてもよい。例えば、ペリクルに異なる方向に加えられる初期応力の差は、その方向の熱膨張の予測される差に比例してもよい。

上述の初期応力のあるペリクルを備えるペリクルアセンブリは任意の便利な方法で提供されてもよい。例えば、ペリクル膜に初期応力が与えられ、初期応力が与えられた状態でペリクルフレームに取り付けられてもよい。代わりに、ペリクルが応力なしの状態でペリクルフレームに取り付けられ、ペリクルフレーム自体が上述のような張力をペリクルに生じさせるよう構成されてもよい。ペリクルアセンブリは、スパッタ堆積プロセスを用いて製造されてもよい。このスパッタ堆積プロセスは、堆積プロセスによりペリクルフレーム上にペリクルを堆積させて上述のような固有の張力を生じさせるように構成される。

上述の記載は主にペリクルに関するが、放射システム内に他の膜が用いられることが理解されよう。例えば、膜はダイナミックガスロックに用いられ、また、スペクトル純度フィルタとして用いられてもよい。したがって、上述の実施の形態はこのような他の膜に関連して用いられてもよい。膜の用途は、膜のｘ寸法およびｙ寸法に加えられる応力差を決定してもよい。例えば、ペリクルは約１：１３のアスペクト比を有する放射を受けてもよく、一方でダイナミックガスロック膜は約１：３のアスペクト比を有する放射を受けてもよい。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。

上記では、光学リソグラフィに照らして本発明の実施の形態の使用に特に言及しているが、本発明はインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、文脈上許されれば光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構造によって基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構造を基板に設けられたレジスト層に押しつけ、その後、電磁放射、熱、圧力またはその組合せによりレジストを硬化する。レジストを硬化した後、パターニングデバイスがレジストから除去されパターンが残される。

「レンズ」という用語は、文脈上許されれば、屈折性、反射性、磁気的、電磁気的および静電的な光学要素を含む、様々なタイプの光学要素のいずれか、またはその組合せを指してもよい。

本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよいことが理解されよう。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。上述の説明は例示であり限定することを意図していない。よって、当業者であれば以下に述べる請求項および条項の範囲から逸脱することなく本発明の変形例を実施することが可能であろう。
（条項）
項目１．ペリクルアセンブリ又はダイナミックガスロック膜として使用する膜アセンブリを製造する方法であって、
膜の内部において第１方向に第１の量の張力と第２方向に第１の量より大きい第２の量の張力とを生じさせることを備え、
前記膜は、前記フレームに取り付けられている間、前記第１および第２方向に異なる張力下に維持されることを特徴とする方法。
項目２．前記第２方向は前記膜の長手軸と実質的に平行であり、前記第１方向は前記膜の短手軸と実質的に平行であることを特徴とする項目１に記載の方法。
項目３．前記第２方向は使用中の前記膜に入射する放射ビームのスキャン方向と実質的に垂直であり、前記第１方向は前記第１方向と実質的に垂直であることを特徴とする項目１または２に記載の方法。
項目４．前記膜に加えられる前記第１および第２の量の応力差は、使用中の前記膜に入射するスキャン放射ビームのアスペクト比に依存して選択されることを特徴とする項目１から３のいずれかに記載の方法。
項目５．前記膜に加えられる前記第１および第２の量の応力差は、使用中の前記膜に前記第１方向および前記第２方向に生じる熱膨張の差に依存して選択されることを特徴とする項目１から４のいずれかに記載の方法。
項目６．前記膜はペリクルとして用いられ、前記第１の量の応力と前記第２の量の応力の比率は実質的に１：１３であることを特徴とする項目１から５のいずれかに記載の方法。
項目７．前記膜はダイナミックエアロック膜として用いられ、前記第１の量の応力と前記第２の量の応力の比率は実質的に１：３であることを特徴とする項目１から５のいずれかに記載の方法。
項目８．ペリクルアセンブリ又はダイナミックガスロック膜アセンブリとして用いられる装置であって、
フレームに取り付けられる膜を備え、前記取り付けられる膜が第１方向に第１の量の張力下にあり、第２方向に第１の量より大きい第２の量の張力下にあることを特徴とする装置。
項目９．前記第２方向は前記膜の長手軸と実質的に平行であり、前記第１方向は前記膜の短手軸と実質的に平行であることを特徴とする項目８に記載の装置。
項目１０．前記第２方向は使用中の前記膜に入射する放射ビームのスキャン方向と実質的に垂直であり、前記第１方向は前記第１方向と実質的に垂直であることを特徴とする項目８または９に記載の装置。
項目１１．前記第１および第２の量の応力差は、使用中の前記膜に入射するスキャン放射ビームのアスペクト比に実質的に比例することを特徴とする項目８から１０のいずれかに記載の装置。
項目１２．前記第１および第２の量の応力差は、使用中の前記膜に前記第１方向および前記第２方向に生じる熱膨張の差に実質的に比例することを特徴とする項目８から１０のいずれかに記載の装置。
項目１３．前記膜はペリクルであり、前記第１の量の応力と前記第２の量の応力の比率は実質的に１：１３であることを特徴とする項目１０から１２のいずれかに記載の装置。
項目１４．前記膜はダイナミックエアロック膜であり、前記第１の量の応力と前記第２の量の応力の比率は実質的に１：３であることを特徴とする項目８から１２のいずれかに記載の装置。

Claims (19)

1. リソグラフィ用のレチクルを保護する装置であって、
   ペリクルと；少なくとも一つのアクチュエータと；を備え、
   当該装置は、使用中、前記アクチュエータがレチクルに対する前記ペリクルの動きを生じさせるように構成され、前記ペリクルの動きが前記ペリクルの露光中に前記ペリクルが静止しないような振動性の動きであることを特徴とする装置。
2. 当該装置は、前記少なくとも一つのアクチュエータが前記レチクルに対する前記ペリクルの周期的な動きを生じさせるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 当該装置は、少なくとも一つの周期が放射の局所露光に必要な時間周期内に完了するようなペリクルの動きを前記少なくとも一つのアクチュエータが生じさせるように構成されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
4. 当該装置は、少なくとも一つの周期が放射の全領域露光に必要な時間周期内に完了するようなペリクルの動きを前記少なくとも一つのアクチュエータが生じさせるように構成されることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
5. レチクルの上方にペリクルを支持するためのフレームをさらに備え、前記フレームが前記少なくとも一つのアクチュエータを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の装置。
6. 前記フレームは、レチクル表面に取り付けるための第１フレーム部材と、前記ペリクルを支持するための第２フレーム部材と、を備え、
   前記第１および第２フレーム部材は、可撓性部材、弾性部材または衝撃吸収部材の少なくとも一つにより接続されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
7. リソグラフィ装置のレチクルを保護する方法であって、
   レチクルの放射露光中にレチクルの上方に支持されるペリクルの前記レチクルに対する動きを生じさせ、前記ペリクルの動きが前記ペリクルの露光中に前記ペリクルが静止しないような振動性の動きであることを備えることを特徴とする方法。
8. 前記動きは、パッシブな動きであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 前記動きは、周期的であることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
10. 少なくとも一つの周期が局所露光に必要な時間周期内に完了することを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 少なくとも一つの周期が全領域露光に必要な時間周期内に完了することを特徴とする請求項９に記載の方法。
12. 前記動きは、前記ペリクルを支持するメッシュにより生じる影がレチクルのパターン面にて受ける放射の強度分布に及ぼす影響を実質的に低減させるように適合されることを特徴とする請求項７から１１のいずれかに記載の方法。
13. リソグラフィのためのレチクルアセンブリであって、
    入射する放射ビームにパターンを付すのに適したパターン面を有するレチクルと；
    少なくとも前記パターン面の上に保持されるペリクルと；
    少なくとも一つのアクチュエータと；を備え、
    当該レチクルアセンブリは、前記アクチュエータが前記パターン面に対する前記ペリクルの動きを生じさせるように構成され、前記ペリクルの動きが前記ペリクルの露光中に前記ペリクルが静止しないような振動性の動きであることを特徴とするレチクルアセンブリ。
14. 約５ｎｍから約２０ｎｍの波長を有する放射ビームを用いてレチクルアセンブリからのパターンを基板上に投影するように構成され、前記レチクルアセンブリが請求項１３に記載のレチクルアセンブリであることを特徴とするリソグラフィ装置。
15. レチクルの上方にペリクルを支持するためのペリクルフレームを備え、前記ペリクルフレームが、使用中、レチクルに対するペリクルの動きが生じるように構成され、前記ペリクルの動きが前記ペリクルの露光中に前記ペリクルが静止しないような振動性の動きであることを特徴とするペリクルアセンブリ。
16. 誘起される前記動きは、前記レチクルに対する前記ペリクルの周期的な動きであることを特徴とする請求項１５に記載のペリクルアセンブリ。
17. レチクルの上方にペリクルを支持するためのペリクルフレームを備え、前記フレームは少なくとも一つのアクチュエータを備え、前記アクチュエータが前記ペリクルの前記動きを生じさせるように構成されることを特徴とする請求項１５または１６に記載のペリクルアセンブリ。
18. 前記ペリクルフレームは、前記レチクルの表面に取り付けるための第１フレーム部材と、前記ペリクルを支持するための第２フレーム部材と、を備え、
    前記第１および第２フレーム部材は、可撓性部材、弾性部材または衝撃吸収部材の少なくとも一つにより接続されることを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
19. 二つのアクチュエータを備え、各アクチュエータが他方のアクチュエータと直交する方向にペリクルの振動を生じさせるように構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の装置。

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