TW201443554A - 微影裝置 - Google Patents

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Luigi Scaccabarozzi
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Winter Laurentius Cornelius De
Florian Didier Albin Dhalluin
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Abstract

本發明係關於一種用於屏蔽一EUV微影用光罩之裝置。該裝置包含一護膜，及與該護膜通信之至少一致動器，該致動器經組態以在使用時誘發該護膜相對於一光罩之移動。

Description

微影裝置
本發明係關於一種微影裝置，且係關於可形成微影裝置(或某一其他裝置)之零件之組件。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
微影裝置通常包括：照明系統，其經組態以調節輻射光束；支撐結構，其經建構以固持諸如比例光罩或光罩之圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，其經建構以固持基板；及投影系統，其經組態以 將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。
圖案印刷極限之理論估計係可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器裝置。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡像式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器裝置可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
在一替代配置中，用於產生EUV輻射之輻射系統可使用放電以產生電漿。放電傳遞至諸如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽之氣體或蒸汽中，從而產生發射EUV輻射之極熱電漿。此輻射系統通常被稱為放電產生電漿(DPP)源。
EUV源內之電漿產生可造成自燃料產生污染粒子。EUV微影裝置內之污染可黏附(例如)至該裝置的諸如鏡面之光學表面，或至該微影裝置之圖案化器件。該污染可縮減EUV輻射由鏡面反射之效率，及/或可縮減圖案由EUV微影裝置投影至基板上之準確度。光學表面或圖案化器件之污染可需要替換光學表面或圖案化器件，此情形可昂貴，且因此，替換頻率之任何縮減可有利。此外，微影裝置之此等零件或EUV源之替換為耗時程序，在該程序期間可必須停止微影裝置之操作。停止微影裝置之操作可縮減微影裝置之輸出且藉此縮減其效率，此情形不理想。
需要預防或減輕先前技術之至少一問題(無論在本文中抑或在別處予以識別)，或需要提供對現有裝置或方法之替代方案。詳言之，本發明之一個目標尤其係提供用於產生諸如EUV輻射之輻射的方法及裝置。
護膜或膜用於EUV微影中以屏蔽或保護光罩之經圖案化表面，其用以將圖案賦予至入射於光罩之經圖案化表面上之EUV光束以供器件圖案化中使用。一般而言，護膜為隔膜，其經組態以准許輻射光束傳遞通過隔膜，且防止污染粒子傳遞通過隔膜。需要使此等護膜對所要波長之輻射高度地透射，同時亦充當對轉移至光罩之經圖案化表面上之微粒沈積物的障壁。此等沈積物可在使用光罩而圖案化之器件中導致缺陷，且因此，需要維持此等缺陷之低位準以支持高生產產率。實務上，可在光罩表面上不容許超過某一粒子大小(比如，約20奈米)之 粒子。使用與光罩之表面相隔大約2毫米之高度的護膜可將容許粒子大小增加至(例如)約2微米，且此情形亦在護膜表面上促進粒子污染之檢測及監視。較容易地監視較大粒子。護膜亦可用以提供自入射於光罩上之輻射濾光不當波長(例如，深紫外線(DUV))之光譜純度濾光器。
在EUV微影裝置中，污染物粒子可起因於各種源。快速移動粒子係可自EUV輻射源產生(特別是當該源包括用於產生EUV輻射之電漿時)，且此等粒子可通過源收集器總成之中間焦點孔隙而傳遞至照明器總成中且最終可在與鏡面之彈性碰撞之後到達光罩，此遵循EUV光束之路徑。
緩慢移動粒子係可由EUV裝置內部之系統振動及移動零件提昇，且可隨機地沈積於光罩之經圖案化表面上。
先前技術之護膜通常係由矽隔膜或膜製成，此係因為矽具有針對EUV輻射之高透射率。然而，矽護膜所需要之低厚度可需要網目(例如，網格或蜂房式)支撐結構以將該護膜固持於光罩之經圖案化表面上方之適當位置中。為了縮減網目圖案干涉由光罩進行之EUV圖案化的影響，已建議將護膜及網目支撐為與光罩之經圖案化表面隔開幾毫米，諸如，5毫米。在微影裝置中，間隙空間非常珍貴，且因此，需要使護膜定位成接近於經圖案化光罩表面，比如，接近達與經圖案化表面相隔約2.5毫米或更小。然而，即使在護膜與光罩相隔約5毫米或更大之間隔的情況下，網目圖案仍可負面地影響高解析度圖案化。結合護膜來使用網目之其他原因可用於提供用以濾光(例如)紅外線輻射之光譜純度濾光器。
本發明之一目標係提供適合於屏蔽光罩免於微粒沈積之護膜配置，其處理或克服如上文或在別處所闡明的先前技術中之問題。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於屏蔽一微影用光罩之 裝置，該裝置包含：一護膜；及至少一致動器，該裝置經配置成使得在使用時該致動器造成該護膜相對於一光罩之移動。
該第一態樣之該裝置允許藉由在該光罩至諸如EUV輻射之輻射之曝光期間的該護膜相對於該光罩之移動來緩和與藉由該護膜、藉由停置於該護膜之一表面上之碎屑或藉由該護膜中之皺紋/非均一性而對該光罩之遮蔽相關聯的負面效應。又，此情形允許將該光罩置放成較近接於一光罩之經圖案化表面，藉此有利地縮減可使用該裝置之一微影裝置內之空間要求。因而，該第一態樣之該裝置可用於空間約束係使得使用先前技術之護膜有問題的微影裝置中。
該移動可實質上位於平行於由一光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面中。以此方式，有利地縮減在一微影裝置內為該裝置所需要之空間。
該至少一致動器可為一壓電傳感器。
該裝置可經配置成使得該至少一致動器誘發該護膜相對於該光罩之週期性移動。舉例而言，該移動可為該護膜相對於一光罩之振盪移動。該移動亦可為單調的。
該護膜之該誘發性移動可使得在至輻射之一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。然而，在其他實施例中，該誘發性移動可使得在一局域曝光期間完成不到一個週期。
該裝置可經配置成使得該至少一致動器將該護膜之移動誘發成使得在至輻射之一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
該裝置可進一步包含用於將該護膜支撐於一微影裝置之一光罩上方之一框架。該框架可包含該至少一致動器。該至少一致動器可與該框架成整體，使得可自一微影裝置移除及維修包括該等致動器之該整個裝置。
該框架可包含用於安裝於一光罩之一表面上之一第一框架部 件，及用於支撐該護膜之一第二框架部件。該第一框架部件及該第二框架部件係可藉由一可撓性部件、一回彈性部件或一減震部件中至少一者而連接。
根據本發明之一第二態樣，提供一種用於屏蔽一微影裝置之一光罩之方法，其包含：在該光罩曝光至EUV輻射期間誘發被支撐於該光罩上方之一護膜相對於該光罩之移動。
該移動可位於平行於由該光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面內。
該移動係可運用一壓電傳感器而誘發。
該移動可為被動式移動。舉例而言，該移動係可藉由該光罩之移動而被動式地誘發。舉例而言，可在一掃描操作期間移動該光罩。
該移動可為週期性的。舉例而言，該移動可為振盪的。
可在一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
可在一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
該移動可經調適成使得該光罩處接收之輻射遍及該光罩之一經圖案化表面具有一實質上均一強度分佈。
該移動可經調適以實質上縮減由支撐該護膜之一網目造成之遮蔽對該光罩之一經圖案化表面處接收之輻射之一強度分佈的一效應。
該移動可經調適以遍及該光罩之該經圖案化表面來平均化由該網目造成之遮蔽之一效應。
根據本發明之一第三態樣，提供一種EUV微影用光罩總成，該光罩總成包含：一光罩，其具有一經圖案化表面，該經圖案化表面經調適以將一圖案賦予至入射於該經圖案化表面上之一輻射光束；一護膜，其被固持於該經圖案化表面上方；及至少一致動器，該光罩總成經組態成使得該致動器誘發該護膜相對於該經圖案化表面之移動。
根據本發明之一第四態樣，提供一種微影裝置，其經配置以運 用具有自約5奈米至約20奈米之一波長之一輻射光束而將一圖案自一光罩總成投影至一基板上，其中該光罩總成為根據該第三態樣之一光罩總成。
該微影裝置可進一步包含：一照明系統，其經組態以調節該輻射光束；一支撐結構，其經建構以固持該光罩總成，該光罩總成能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
該等致動器可與經建構以固持該光罩總成之該支撐結構成整體。替代地，該等致動器可與經組態以支撐該護膜之一框架成整體，其中經組態以支撐該護膜之該框架不與經組態以支撐該光罩總成之該支撐結構成整體。
根據本發明之一第五態樣，提供一種器件製造方法，其包含：使用該第四態樣之微影裝置來產生輻射以圖案化一基板。
根據本發明之一第六態樣，提供一種護膜總成，其包含：一護膜框架；其中該護膜框架包含用於將護膜支撐於一光罩上方之一內部框架，及可移除地耦接至該內部框架之一外部框架。
該內部框架具可撓性。該外部框架可具剛性。
該內部框架可形成一矩形，且該矩形之每一邊緣可在垂直於該邊緣之一縱向軸線之一平面中具有4平方毫米或更小之一橫截面面積。
該內部框架係可由不鏽鋼建構。
該外部框架可藉由複數個扣件而耦接至該內部框架。可沿著該護膜框架之每一邊緣提供至少三個扣件。
根據本發明之一第七態樣，提供一種將一護膜安裝於一光罩之一表面上之方法，其包含：將根據該第六態樣之一護膜總成置放於該 光罩上方；及自該護膜總成移除該外部框架。
根據本發明之一第八態樣，提供一種護膜總成，其包含：用於將一護膜支撐於一光罩上方之一框架；且其中該護膜框架經配置成使得在使用時誘發該護膜相對於一光罩之移動。
該移動可實質上位於平行於由一光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面中。
所誘發之該移動可為該護膜相對於該光罩之週期性移動。
該護膜總成可經配置成使得在使用時誘發該護膜相對於一光罩之振盪移動。
該護膜總成可經配置成使得所誘發的該護膜之該移動係使得在一光罩至輻射之一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
該護膜總成可經配置成使得該護膜之移動經誘發成使得在一光罩至輻射之一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
該護膜總成可進一步包含用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架；且可提供一致動器以誘發一光罩之移動，該光罩之該移動造成該護膜之該移動。
該護膜總成可進一步包含用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架，其中該框架包含至少一致動器，該致動器經配置以誘發該護膜之該移動。
該框架可包含用於安裝於一光罩之一表面上之一第一框架部件、用於支撐該護膜之一第二框架部件；且該第一框架部件及該第二框架部件係可藉由一可撓性部件、一回彈性部件或一減震部件中至少一者而連接。
在該第一、該第三、該第四、該第六或該第八態樣中任一者中，可提供兩個致動器，每一致動器經配置以在垂直於另一致動器之一方向上誘發一護膜之振盪。
由該兩個致動器中每一者誘發之該等振盪可關於頻率、相位或振幅中至少一者而不同。
該兩個振盪器可經配置以振盪該護膜，使得該護膜在該護膜之該移動期間之任何時間不靜止。
該兩個振盪器可經配置成以一利薩如(Lissajous)圖案來振盪該護膜。
在上文之該第二態樣中，誘發移動可包含在兩個垂直方向上誘發該護膜之振盪移動。
在一個方向上誘發之振盪可關於頻率、相位或振幅中至少一者而不同於在另一方向上誘發之振盪。
該振盪移動可使得該護膜在該護膜之該移動期間之任何時間不靜止。
該誘發性移動可遵循一利薩如圖案。
在上文之該等態樣中任一者中提供一網目的情況下，該網目可包含一非週期性網格結構，且可(例如)包含一潘洛斯(Penrose)網格結構。
根據本發明之一第九態樣，提供一種用於製造用作一護膜總成或用作一動態氣鎖隔膜之一隔膜總成之方法，其包含：在一隔膜內在一第一維度中造成一第一量之一張應力且在一第二維度中造成大於該第一量之一第二量之一張應力。該隔膜在安裝至一框架時在該第一維度及該第二維度中保持於不同張應力下。可在將該隔膜安裝至一框架時在該第一維度及該第二維度中每一者或任一者中施加該等應力，或可在將該隔膜安裝至該框架之前施加該等應力。
該第二維度可實質上平行於該隔膜之一縱向軸線，且該第一維度可實質上平行於該隔膜之一緯度方向軸線。
該第二維度可實質上垂直於在使用期間入射於該隔膜上之一輻 射光束之一掃描方向。該第二維度可實質上垂直於該第一維度。
該隔膜內之應力之該第一量與該第二量之間的一差可取決於在使用期間入射於該隔膜上之一掃描輻射光束之一縱橫比予以選擇。
該隔膜內之應力之該第一量與該第二量之間的一差可取決於在使用期間在該第一維度及該第二維度中誘發於該隔膜中之一熱膨脹差予以選擇。
在該隔膜用作一護膜的情況下，應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率可為大約1：13。
在該隔膜用作一動態氣鎖隔膜的情況下，應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率可為大約1：3。
根據一第十態樣，提供一種用作一護膜總成或一動態氣鎖隔膜總成之裝置，其包含：安裝至一框架之一隔膜；其中該已安裝隔膜在一第一維度中處於一第一量之張應力下且在一第二維度中處於大於該第一量之一第二量之張應力下。
該第二維度可實質上平行於該隔膜之一縱向軸線，且該第一維度可實質上平行於該隔膜之一緯度方向軸線。
該第二維度可實質上垂直於在使用期間入射於該隔膜上之一輻射光束之一掃描方向，且該第一維度可實質上垂直於該第一維度。
應力之該第一量與該第二量之間的一差可與在使用期間入射於該隔膜上之一掃描輻射光束之一縱橫比實質上成比例。
應力之該第一量與該第二量之間的一差可與在使用期間在該第一維度及該第二維度中誘發於該隔膜中之一熱膨脹差實質上成比例。
該隔膜可為一護膜，且應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率可為大約1：13。
該隔膜可為一動態氣鎖隔膜，且應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率可為大約1：3。
根據本發明之一第十一態樣，提供一種根據該第一態樣、該第三態樣、該第四態樣、該第六態樣或該第八態樣中任一者之裝置，其中該護膜為根據該第十態樣之一護膜。
根據一第十二態樣，提供一種根據該第二態樣、該第五態樣或該第七態樣中任一者之方法，其中該護膜為根據該第十態樣之一護膜。
在對於熟習此項技術者而言適當的情況下，本發明之一或多個態樣係可與本文所描述之任何一或多個其他態樣進行組合，及/或與本文所描述之任何一或多個特徵進行組合。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
2‧‧‧圍封結構
4‧‧‧雷射
6‧‧‧雷射光束
8‧‧‧燃料串流產生器
9‧‧‧燃料截留器
10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
12‧‧‧電漿形成部位
14‧‧‧近正入射輻射收集器
16‧‧‧源影像/中間焦點
18‧‧‧開口
20‧‧‧琢面化場鏡面器件
22‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
24‧‧‧經圖案化光束
26‧‧‧反射元件
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧經圖案化光罩/光罩基板
31‧‧‧外部框架
32a‧‧‧致動器/傳感器
32b‧‧‧致動器/傳感器
33‧‧‧內部框架
34‧‧‧護膜
34b‧‧‧支撐網目/網目支撐件
35a‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
35b‧‧‧經圖案化極紫外線(EUV)光束
36‧‧‧碎屑粒子
37‧‧‧護膜之運動
41‧‧‧下部框架
42‧‧‧上部框架/頂部框架
43‧‧‧可撓性部件
44‧‧‧框架
45‧‧‧致動器/傳感器
50‧‧‧垂直組件
51‧‧‧水平組件
52‧‧‧護膜之移動方向
55‧‧‧組件
56‧‧‧護膜之移動方向
60‧‧‧回彈性部件/螺旋彈簧
70‧‧‧護膜總成
71‧‧‧護膜
73‧‧‧內部框架
73a‧‧‧邊緣
74‧‧‧外部框架
75‧‧‧扣件
80a‧‧‧振盪部件
80b‧‧‧振盪部件
81‧‧‧護膜/網目
82a‧‧‧振盪器部件
82b‧‧‧振盪器部件
83‧‧‧外部框架
86‧‧‧潘洛斯圖標形狀
90‧‧‧護膜
91‧‧‧潘洛斯網格支撐式網目
92a‧‧‧振盪部件
92b‧‧‧振盪部件
92c‧‧‧振盪部件
92d‧‧‧振盪部件
92e‧‧‧振盪部件
92f‧‧‧振盪部件
92g‧‧‧振盪部件
92h‧‧‧振盪部件
100‧‧‧大體上矩形護膜
101‧‧‧輻射光束
102‧‧‧掃描方向
103‧‧‧護膜之第一部分
104‧‧‧護膜之部分
105‧‧‧護膜之部分
106‧‧‧護膜之部分
107‧‧‧護膜之部分
108‧‧‧縱向軸線
109‧‧‧緯度方向軸線
110‧‧‧皺紋
120‧‧‧護膜總成
121‧‧‧護膜
122‧‧‧框架
123‧‧‧縱向軸線
124‧‧‧緯度方向軸線
125‧‧‧第一張應力
126‧‧‧第二較大張應力
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IL‧‧‧照明系統/照明器
LAP‧‧‧微影裝置
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源/源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件，且在該等圖式中：圖1為根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性描繪；圖2為圖1之微影裝置之更詳細視圖的示意性描繪；圖3為根據本發明之一實施例之護膜配置的示意性描繪；圖4為根據本發明之一替代實施例之護膜配置的示意性描繪；圖5為根據本發明之一另外替代實施例之護膜配置的示意性描繪；圖6a及圖6b示意性地描繪護膜相對於各別支撐網目組態之移動；圖7為根據本發明之一另外替代實施例之護膜配置的示意性描繪；圖8為根據一實施例之護膜總成的示意性俯視圖； 圖9為根據本發明之一另外替代實施例之護膜配置的示意性描繪；圖10為展示可藉由兩個耦接諧波振盪器而描述之四個例示性利薩如曲線的影像；圖11為具有潘洛斯圖標結構之護膜支撐網目的示意性說明；圖12為根據本發明之一另外替代實施例之護膜配置的示意性描繪；圖13為藉由經歷熱膨脹之護膜之偏轉而形成之皺紋的示意性描繪；及圖14為可施加至護膜以避免皺紋之張應力的示意性描繪。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時闡述之【實施方式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係在對應器件符號中由最左側數位指示。
本說明書揭示併入本發明之特徵之實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由此處隨附之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一項實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括輻射源SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經配置以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經配置以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經配置以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經配置以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配 置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空或至少低氣體壓力環境用於EUV輻射，此係因為氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空或低氣體壓力環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收極紫外輻射(EUV)光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流、叢集或射流)而產生所需電漿。
輻射源SO可為EUV輻射系統之零件，EUV輻射系統包括用於產生燃料串流之燃料串流產生器及/或用於提供雷射光束以用於激發燃料之雷射(該兩者皆在圖1中未繪示)。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於輻射源中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及/或燃料串流產生器及收集器模組(常常被稱作輻射源)可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至輻射源。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，激發光束源可為輻射源之整體零件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空或低氣體壓力環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構2中。
雷射4經配置以經由雷射光束6而將雷射能量儲放至自燃料串流產生器8提供之燃料(諸如，錫(Sn)或鋰(Li))中。液體(亦即，熔融)錫或呈液體形式之另一金屬受到青睞。燃料截留器9經配置以接收在電漿產生期間未消耗之燃料。雷射能量至燃料中之儲放會在電漿形成部位12處產生具有數十電子伏特(eV)之電子溫度的高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿10發射、由近正入射輻射收集器14(有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器14可具有多層結構，例如，經調諧以使特定波長之輻射(例如，特定EUV波長之輻射)反射、更易於反射或優先地反射的多 層結構。收集器14可具有橢圓形組態，其具有兩個自然橢圓焦點。一個焦點將處於電漿形成部位10，且另一焦點將處於下文所論述之中間焦點。在本發明之一些實施例中，輻射收集器可包含掠入射收集器。
雷射4及/或輻射源及/或收集器14可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。圍封結構2中之收集器14可形成一收集器模組，該收集器模組形成輻射源之零件(在此實例中)。
可提供第二雷射(圖中未繪示)，該第二雷射經組態以在雷射光束6入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(dual laser pulsing,DLP)源。此第二雷射可被描述為將預脈衝提供至燃料目標中，例如，以改變彼目標之屬性以便提供經修改目標。屬性改變可為(例如)溫度改變、大小改變、形狀改變或其類似者，且通常將由目標之加熱造成。
儘管圖中未繪示，但燃料串流產生器8通常將包含噴嘴或與噴嘴進行連接，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌跡引導燃料。
由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於源影像16處。源影像16通常被稱作中間焦點，且輻射源SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。源影像16為輻射發射電漿10之影像。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束B之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
通常，比所展示元件更多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面更多的鏡面。舉例而言，相比於圖2所展示之反射元件，在投影系統PS中可存在1個至6個(或更多)額外反射元件。
雖然圖2中展示LPP源，但在本發明之其他實施例中，源收集器裝置SO可包含DPP源。
護膜之使用被稱為防止碎屑(例如，污染物或粉塵粒子)與圖案化器件接觸之方式。停置於圖案化器件(諸如，光罩)上之任何碎屑可造成微影裝置之成像效能之實質降級，此係因為圖案化器件(及因此，與圖案化器件接觸之碎屑)位於微影裝置之焦平面中。護膜覆蓋圖案化器件，且防止碎屑到達圖案化器件。停置於護膜上之任何碎屑將不位於微影裝置之焦平面中，且因此，由碎屑造成的微影裝置之成像效能之任何降級相比於碎屑停置於圖案化器件上的情況將較少。
圖3示意性地說明根據本發明之一實施例的經由圖案化器件總成之實施例的橫截面圖，該圖案化器件總成適合於供(例如)圖1及/或圖2所描繪之微影裝置中使用。呈光罩30之形式的圖案化器件被展示為具有安裝於其經圖案化表面上之外部框架31。致動器32a、32b安裝至外部框架31。內部框架33安裝至致動器32a、32b，且護膜34係由內部框架33(結合外部框架31及致動器32a、32b)支撐於經圖案化光罩30上方。內部框架33經配置以將護膜34支撐為與光罩30相隔固定距離，使得入射於護膜34之表面上之任何粒子位於照明器IL之聚焦光學件之焦平面外部。護膜34係由網目34b支撐，網目34b係與護膜34成整體。
在一些實施例中，除了網目支撐件34b以外或代替網目支撐件34b，亦可提供一或多個連續支撐層。舉例而言，在一些實施例中，可以夾層組態來提供連續支撐件及/或網目支撐件。網目支撐件及/或連續支撐件可經調適以提供對護膜34及/或光罩30之保護免於不同於 微粒污染/除了微粒污染以外之環境因素，諸如，保護免於溫度及/或機械應力。
如上文所描述，在使用時，光罩30曝光至輻射，輻射在本描述實施例中為EUV輻射。如圖4示意性地所說明，EUV輻射光束35a傳遞通過護膜34以照射於光罩30之經圖案化表面上，從而自該經圖案化表面獲取圖案，且自光罩30反射為經圖案化EUV光束35b，經圖案化EUV光束35b返回傳遞通過護膜34。碎屑粒子36係藉由被收集於護膜34之外部表面上而被防止接觸光罩基板30之經圖案化表面。經圖案化EUV光束35b傳遞至一投影系統，該投影系統將該光束聚焦至基板之目標部分上，以將圖案賦予至該目標部分上。
在本發明之一些實施例中，護膜34可包含單一層，而在其他實施例中，護膜34可包含複數個層。護膜34可具有在大約1奈米至大約100奈米之範圍內的總厚度。護膜34與支撐網目34b之總厚度可在大約100奈米至50微米之範圍內。
在曝光期間，支撐護膜34之網目34b造成光罩30之經圖案化表面上接收之輻射的強度變化。亦即，在光罩30之曝光期間之不同時間，EUV光束35a之一些區將入射於支撐護膜34之網目34b上且由網目34b吸收，從而在光罩30之經圖案化表面上造成陰影。此等網目誘發性強度變化造成所反射之經圖案化EUV輻射光束35b之對應變化。
為了抵消網目34b之遮蔽效應，致動器32a、32b經組態以造成護膜34及網目34b之位置移動(諸如，振盪)。在一些實施例中，致動器32a、32b經組態以誘發護膜34(及網目34b)相對於光罩30之位置之小側向運動。由致動器32a、32b誘發的護膜34之運動係由箭頭37說明。就側向而言，應理解，護膜34之移動實質上位於平行於由光罩30之經圖案化表面界定之平面的平面中。
在一些實施例中，護膜之移動實質上位於一個維度中(亦即，左 右地或前後地)，而在其他實施例中，該移動實質上位於兩個維度內(亦即，左右地及/或前後地)。舉例而言，護膜34係可以圓形方式而移動。在本發明之一些實施例中，移動可位於額外維度中(亦即，在平行於由光罩之經圖案化表面界定之平面的平面外部)。亦即，在一些實施例中，移動不僅側向，而且可垂直(亦即，在垂直於由光罩30之經圖案化表面界定之平面的方向上)。在一些實施例中，護膜34之移動可位於橫向於光罩之移動掃描方向的方向上，而在其他實施例中，護膜34之移動可位於平行於光罩之移動掃描方向的方向上。
護膜34之移動方向係可取決於網目34b之組態予以選擇。相似地，網目34b之組態係可根據護膜34之預定移動予以選擇。詳言之，護膜34之移動或網目34b之組態可經選擇成使得護膜34之移動不追蹤網目34b之任何連續特徵。
舉例而言，圖6a示意性地描繪在一實施例中的網目34b之部分，在該實施例中，網目34b包含具有「垂直」組件50及水平組件51之正方形網格配置。箭頭52說明護膜34之移動方向。可看出，護膜34之移動係與垂直組件50及水平組件51成45度之角度，使得垂直組件50及水平組件51兩者皆未由護膜34之移動追蹤。圖6b說明一替代實例，其中網目34包含六邊形蜂房式結構。該六邊形結構之組件55界定水平方向，且與水平組件成30度之角度的箭頭56描繪護膜34之移動方向。應理解，護膜34相對於圖6a、圖6b所說明之網目34b之組件的移動方向僅僅為例示性的。
藉由在光罩30之曝光期間變化護膜34之位置，可經由遍及光罩30之經圖案化表面來平均化網目誘發性強度變化而縮減網目誘發性強度變化。亦即，在護膜34之曝光期間之一個時刻由網目對EUV輻射遮蔽的光罩30之部分將在護膜34之曝光期間之另一時刻未由網目遮蔽。因而，遍及曝光時間，光罩30之每一部分獲得實質上相同量之EUV輻 射。
在一些實施例中，輻射35a在任一時間僅入射於光罩30之經圖案化表面之部分上。在此等實施例中，輻射35a遍及圖案化基板之晶粒所需要之時間而橫越光罩30之經圖案化表面進行掃描(例如，藉由光罩台MT之移動)(該時間可取決於輻射光束35a之功率)。作為一說明性實例，若光罩30之經圖案化表面為13公分寬，則輻射光束35a具有1公分之寬度且橫越光罩30之經圖案化表面以0.65公尺/秒之速率進行掃描，接著，輻射光束35a將入射於光罩30之經圖案化表面之每一各別1公分條帶上歷時大約15毫秒之時間。輻射35a入射於光罩30之單一部分上的時段可被稱作局域曝光時間。
護膜34之移動可在每一單一局域曝光時間期間為重複性的，以便允許在每一單一局域曝光時間期間發生網目誘發性強度變化之所要平均化。舉例而言，在上文所描述之實例中，可造成護膜34以15毫秒內至少一次(亦即，大約67赫茲)之頻率而振盪。更通常，在本發明之一些實施例中，護膜34之振盪可具有在大約100赫茲至1千赫茲之範圍內的頻率，但應瞭解，可使用任何適當頻率。
在本發明之一些實施例中，輻射35a入射於光罩30之經圖案化表面之整個區域上，且因此未進行掃描。在此等實施例中，光罩30之經圖案化表面曝光至輻射35a的時間可被稱作全場曝光時間(full-field exposure time)。護膜34之移動可在每一全場曝光時間期間為重複性的。
外部框架31、傳感器32a、32b及內部框架33可一起提供整合式護膜框架。然而，雖然致動器32a、32b在圖3中被說明為直接地安裝至光罩30上方之框架，但應瞭解，可以任何適當方式來安裝該等致動器。
圖4示意性地說明本發明之一替代實例實施例，其中致動器32a、 32b安裝至微影裝置之另一零件，特別是支撐結構MT。在圖4之實施例中，與在圖3之實施例中一樣，護膜34係由安裝於光罩30上之框架支撐。詳言之，下部框架41安裝於光罩30之經圖案化表面上方，且經由可撓性部件43而連接至上部框架42。護膜34連接至上部框架42。支撐結構MT包含框架44，框架44自上方擱置有護膜34的支撐結構MT之基座延伸。致動器45係以與頂部框架42通信之方式安裝至框架44。與在圖3所說明之實施例中一樣，致動器45經組態以經由頂部框架42之移動而造成護膜34之位置振盪。
在一些實施例中，致動器32a、32b可為(例如)壓電運動傳感器。以此方式，可精確地控制護膜34之移動。
圖5說明本發明之一替代實施例，其中護膜34之致動可為被動式。圖5展示與圖4所展示之配置大體上相同的配置，其中等效組件具有相同元件符號。然而，在圖5之實施例中，上部框架42未連接至致動器。在圖5之實施例中，在掃描操作期間，經由光罩30之移動而將移動賦予至護膜34。詳言之，可撓性部件43具有一自然頻率，使得光罩30之移動造成護膜34之所要振盪。舉例而言，在光罩30係以離散步驟而移動的情況下，可撓性部件43之自然頻率可使得每一步驟引起所要頻率及量值之振盪。圖5所說明之實施例由於無需額外致動器及隨附電力供應器而特別有利。
圖7說明本發明之一另外替代實施例，其中護膜34之致動為被動式。圖7展示與圖3所展示之配置大體上相同的配置，其中等效組件具有相同元件符號。在圖7之實施例中，回彈性部件60安裝至外部框架31。圖7中說明兩個回彈性部件，但應瞭解，可提供任何數目個回彈性部件。內部框架33連接至回彈性部件60。在圖7中，回彈性部件60被描繪為螺旋彈簧，但應瞭解，可使用其他形式之回彈性部件。螺旋彈簧60界定實質上平行於護膜34之移動平面的縱向軸線。
在其他實例實施例中，可代替螺旋彈簧來使用諸如板片彈簧之其他回彈性部件。舉例而言，板片彈簧係可與護膜34之側向運動平面成直角而安裝至外部框架31，且內部框架可安裝至板片彈簧。
在一些實施例中，可在護膜34中由在光罩30至輻射之每一曝光之前或之間施加至護膜34之力誘發被動式運動。在一些實施例中，歸因於在每一曝光掃描之間的光罩台MT之移動期間賦予的慣性力而造成護膜34在平行於由光罩30之經圖案化表面界定之平面的平面中側向地移動。在一些實施例中，光罩台MT之移動可經配置及/或經主動式地控制以便誘發護膜34之所要移動。亦即，光罩台MT之移動可偏離由光罩台MT展現之正常或規則移動，以便達成護膜34之所要移動。然而，應瞭解，可使用任何適當構件以誘發護膜34相對於光罩30之經圖案化表面之被動式運動。
護膜34之移動可為單調的或振盪的。因而，除了回彈性部件60以外或代替回彈性部件60，亦可將減震部件提供於外部框架31與內部框架33之間。舉例而言，在一些實施例中，減震材料可提供於外部框架31與內部框架33之間，此減震器件(諸如，緩衝筒(dashpot))或材料之屬性係取決於需要在護膜34中誘發之移動予以選擇。此減震器可經配置以便回應於大力而自初始狀態壓縮，且緩慢地返回至初始狀態。壓縮力係可由任何構件供應；例如，諸如致動器之外部構件，或藉由光罩台MT之移動。
在本發明之一些實施例中，護膜可在曝光期間相對於光罩旋轉或以其他方式移動。在護膜旋轉的情況下，支撐護膜之任何網目較佳地經配置成使得護膜之旋轉引起實質上均勻量之EUV輻射在曝光期間入射於光罩之經圖案化表面上。
雖然上文所描述之實施例係有關於供網目支撐式護膜使用，但本發明之實施例可與並非網目支撐式之護膜一起利用。在兩種狀況下 (網目支撐式及非網目支撐式)，本發明之實施例幫助縮減由(例如)已停置於護膜上之碎屑或護膜34自身之皺紋/非均一性造成的光罩30之遮蔽之任何有害效應。
在本發明之一些實施例中，傳感器32a、32b或45可用以誘發護膜之高頻運動，以抖落已停置於護膜上之碎屑及/或防止碎屑粒子停置於護膜上。以此方式，可較不頻繁地從事護膜之較繁雜檢查及清潔，從而幫助延長微影裝置之連續操作時間。應瞭解，護膜之合適移動頻率及量值將取決於諸如護膜之結構的複數個因素，以確保護膜之移動自身不會引起有害效應，諸如，對護膜之損壞。
如上文所描述，使用支撐護膜之框架而將護膜安裝於光罩之表面上方。舉例而言，在圖3之實施例中，護膜34係由內部框架33及外部框架31支撐。護膜連同框架一起可被稱作護膜總成。一般而言，整個護膜總成安裝於光罩之經圖案化表面上，且在光罩至EUV輻射之曝光期間保持於光罩之經圖案化表面上。然而，在一些實施例中，為了避免光罩變形，需要使護膜總成僅將小力施加於被安裝有護膜總成之光罩上。
參看圖8，描述包含具有護膜及兩部分框架之護膜總成的實施例。在圖8中，展示包含護膜71及兩部分框架之護膜總成70的俯視圖。兩部分框架包含內部框架73及外部框架74。如在圖8中，當自上方進行觀察時，內部框架73及外部框架74兩者具有大體上矩形形狀。外部框架74經設定大小以便配合於內部框架73周圍，且可移除地耦接至內部框架73。外部框架74之內部邊緣可鄰接於內部框架73之外部邊緣。替代地，在外部框架74之內部邊緣與內部框架73之外部邊緣之間可存在間隔。
護膜71附接至內部框架73，藉此覆蓋內部框架73內之空腔。在將護膜總成70置放至光罩上之前，將黏接劑施加至內部框架73之底側 (面對光罩之側)。一旦將內部框架73固定至光罩表面上之適當位置中，就接著可自護膜總成70移除外部框架74，藉此縮減由護膜總成70引起的光罩上之力。可以任何適當方式(諸如，膠黏劑，或藉由附接至另外本體(圖中未繪示))而將內部框架73黏附至光罩之表面。
藉由提供可自護膜總成70移除之外部框架74，可更容易地處置護膜總成70以供定位於光罩上方且安裝於光罩上方。舉例而言，可操控外部框架74或其可與定位工具嚙合，而無需嚙合在光罩之曝光期間將保持安裝於光罩上方的護膜總成70之部分(亦即，內部框架73及護膜71)。
內部框架73可經建構為薄、輕量且具可撓性，使得將內部框架73安裝至光罩很少或不會引起光罩變形。舉例而言，在一些實施例中，內部框架73之每一邊緣可在垂直於該邊緣之縱向軸線之平面中(例如，針對圖8之邊緣73a在垂直於Y軸之平面中)具有4平方毫米或更小之橫截面面積。舉例而言，在內部框架73之邊緣73a提供大體上矩形橫截面的情況下，邊緣73a可具有2毫米或更小之深度(亦即，在圖8所展示的X軸之方向上)及高度(亦即，在圖8所展示的Z軸之方向上)。內部框架73係可由任何適當材料或材料組合建構。舉例而言，在一項實施例中，內部框架73係可由不鏽鋼建構。
藉由使內部框架73薄且具可撓性，提供若干另外優點。舉例而言，除了縮減或避免被安裝有內部框架73之光罩之變形以外，內部框架73之可撓性亦使得內部框架73對溫度改變變化相對不敏感，且對將被安裝有內部框架73的光罩之表面的平坦度變化相對不敏感。另外，藉由使內部框架73較薄，需要使用較少黏接劑以將框架73附接至光罩之表面。常常用以將護膜附接至光罩表面之黏接劑(諸如，膠黏劑)可具有高除氣率，此除氣可吸收被引導於光罩處之EUV輻射。因此，內部框架73之大小縮減會縮減黏接劑除氣之量。
另外，應瞭解，隨著微影裝置之數值孔徑增加，在光罩上需要更多空間。藉由縮減內部框架73之大小，內部框架73在光罩之表面上佔據較少空間，藉此在光罩上提供額外空間且促進數值孔徑之增加。
與內部框架73對比，外部框架74可具剛性。舉例而言，外部框架74可具足夠剛性以防止在外部框架74耦接至內部框架73時整個護膜總成70變形。因此，在護膜總成70安裝至光罩期間，外部框架74向護膜總成70提供硬度，從而使護膜總成70之底側(面對光罩之側)在平行於由將被安裝有護膜總成70的光罩之表面界定之平面的平面中維持實質上平坦。護膜總成70之改良型處置亦允許較容易地輸送護膜總成70，且將護膜總成70較有效率地安裝至光罩上。
可使用任何適當構件而將外部框架74連接至內部框架73。在一些實施例中，外部框架74可經由複數個扣件75(諸如，銷釘)而附接至內部框架73。在圖8之實施例中，沿著護膜總成70之每一邊緣提供三個扣件75，從而提供總共十二個扣件。以此方式，內部框架73沿著其邊緣中每一者被支撐於三個點處。然而，應瞭解，可使用任何數目個扣件75。舉例而言，相比於與較小護膜總成一起使用之扣件，較大數目個扣件75可與較大護膜總成一起使用。
在一些實施例中，可使用自動化工具以將護膜總成70安裝至光罩上。自動化工具可經組態以在將護膜總成70定位於光罩上方且將護膜總成70置放至光罩上之前連接至外部框架74。自動化工具可經進一步組態以自護膜總成70移除外部框架74。
雖然圖8之實施例中展示之護膜71不包含支撐網目，但應瞭解，在其他實施例中，護膜71可包含網目。在護膜71包含網目的情況下，圖8之實施例可與參看圖3至圖7所描述之實施例中之一或多者進行組合。舉例而言，參看圖4及圖5，上部框架42、內部框架41及可撓性部件43可一起包含圖8之內部框架73。
對於諸如圖6a、圖6b所展示之網目的週期性網目，倘若需要縮減由網目之網格結構造成的光罩上之陰影重疊，則諸如速率、方向、振幅之振盪參數可採取有限範圍之值。另外，在護膜在單一維度中振盪的情況下，該護膜並不經常地在移動中。亦即，當護膜之位移處於最大值時，護膜靜止(亦即，護膜具有零速率)。應瞭解，在護膜靜止的情況下，網目對光罩之有害影響會增加。
為了克服靜止護膜之問題，可藉由複數個垂直慣性耦接振盪器來振盪護膜。參看圖9，第一被動式振盪器包含連接至護膜/網目81及外部框架83之兩個振盪部件80a、80b(在圖9中被描繪為螺旋彈簧)。第一振盪器經配置以在平行於X軸之方向上線性地振盪護膜/網目81。包含連接於護膜/網目81與外部框架83之間的兩個振盪器部件82a、82b(在圖9中被描繪為螺旋彈簧)之第二被動式振盪器經配置以在平行於垂直於X軸之Y軸的方向上線性地振盪護膜/網目81。應瞭解，所描繪之螺旋彈簧僅僅為例示性的，且可使用任何振盪器。舉例而言，雖然展示被動式振盪器，但可提供諸如上文所描述之主動式振盪器的主動式振盪器。
第一振盪器及第二振盪器一起用來誘發護膜/網目81之二維移動。此外，藉由使第一振盪器之振盪與第二振盪器之振盪之間的頻率、相位及振幅中之一或多者不同，可造成護膜/網目81以使得護膜/網目81在其移動期間不靜止之方式而振盪。舉例而言，每一振盪器之相位可經控制成使得當第一振盪器及第二振盪器中之一者處於最大或最小位移時，第一振盪器及第二振盪器中之另一者不處於最大或最小位移。舉例而言，第一振盪器及第二振盪器可經配置以沿著利薩如曲線來振盪護膜/網目81。圖10說明可藉由諸如第一振盪器及第二振盪器之兩個耦接諧波振盪器而描述的四個利薩如曲線。
根據遵循利薩如曲線之圖案而振盪之護膜/網目處於恆定移動 下，其中位移角隨著時間推移而變化。因而，參看圖9，護膜/網目81在其移動期間無需靜止。
在使用具有週期性網格結構之網目的情況下，由該網格結構造成的光罩表面上之陰影重疊可歸因於該網格結構之平移對稱性而為不可避免的。在一些實施例中，一網目具備不呈現平移對稱性之準週期性幾何配置。舉例而言，可使用「潘洛斯結構」。圖10中描繪一實例潘洛斯結構，其中包含線(以黑色而描繪)之網格結構經配置成使得該等網格線之間的間隙形成潘洛斯圖標，諸如，潘洛斯圖標形狀86。已判定出，在提供非週期性網格結構的情況下，護膜/網目之振盪無需位於特定方向上或具有特定週期，此係因為特徵重疊係不可能的。以此方式，造成護膜/網目振盪被極大地簡化。另外，已判定出，護膜網目係可使用用以製作具有週期性結構之護膜網目的相同程序而製作。
圖11示意性地說明一護膜總成之實例實施例，其中具有非週期性網格結構之支撐網目及垂直相移式慣性耦接振盪器兩者被組合地使用。詳言之，護膜90係由潘洛斯網格支撐式網目91支撐。八個振盪部件92a至92h將護膜90/網目91連接至外部框架93。振盪部件92a至92h中每一者為一螺旋彈簧，其具有一各別且不同之彈簧常數，藉此提供不對稱振盪系統且在X方向及Y方向中每一者中提供不同振盪相位、振幅及頻率。相比於使用六邊形網格網目，使用潘洛斯網格網目已被發現為提供顯著較好的成像效能，同時縮減振盪振幅、頻率及角度要求，且因此縮減成本及複雜性。
再次，應瞭解，圖10所說明之振盪器之配置僅僅為例示性的。舉例而言，可代替所描繪之被動式振盪器來使用主動式振盪器(諸如，圖3所描繪之致動器32a、32b)，或可提供不同被動式振盪構件。如上文所描述，在使用被動式振盪構件的情況下，光罩載物台之移動 可提供足夠能量以誘發被動式振盪器之振盪且因此誘發網目/護膜之振盪。
在使用期間，入射於護膜上之輻射加熱護膜，從而造成護膜熱膨脹。落於護膜上之輻射之剖面大體上狹長(隙縫狀)。因而，護膜之熱膨脹沿著護膜之縱向軸線相比於沿著緯度方向軸線較大。圖13中示意性地說明此情形，其展示在大體上矩形護膜100內由輻射光束101造成之偏轉(沿著所描繪之z軸)，輻射光束101在由箭頭102指示之掃描方向上橫越護膜100進行掃描。
大體上沿著護膜100之外部周邊而延伸的護膜100之第一部分103偏轉達最小量。護膜100之漸進更中心部分104、105、106、107偏轉達各別增加量，其中部分107偏轉達最大量。
在掃描操作期間之任何時間，在輻射光束101入射於護膜100上時，輻射光束101之剖面之狹長性質在護膜100內造成以條帶形式之熱膨脹，該等條帶大體上平行於護膜100之縱向軸線108(其在所描繪之x維度中延伸)而延行。因而，護膜之熱膨脹通常沿著護膜100之縱向軸線108最大，且沿著緯度方向軸線109(其在所描繪之y維度中延伸)最小。x維度與y維度之間的熱膨脹差可引起皺紋110顯現於護膜100之表面上，皺紋110大體上平行於緯度方向軸線109及掃描方向102而延伸。
雖然可藉由光束101橫越護膜之掃描而遍及基板(亦即，晶圓)之表面來使垂直於掃描方向而延伸之任何皺紋之效應達到平均數，但藉由掃描程序未使平行於掃描方向102而延伸之皺紋達到平均數，且因此，平行於掃描方向102而延伸之皺紋可導致輻射通過護膜而非均一地透射至基板之表面。此非均一性可對基板處之臨界尺寸之均一性產生有害效應。
參看圖14，描述用以縮減有害皺紋在護膜之表面上之產生的方 法。護膜總成120包含安裝至框架122之護膜121。護膜121具有在所描繪之x維度中延伸之縱向軸線123，及在所描繪之y維度中延伸之緯度方向軸線124。
護膜121在張應力下安裝於框架122中。詳言之，護膜121在y維度中處於第一張應力(由窄箭頭125描繪)下，且在x維度中處於第二較大張應力(由粗箭頭126描繪)下。已判定出，藉由在經歷較大熱膨脹之維度中具有較大張應力126，可縮減護膜121內之總張應力。此情形特別有益，此係因為護膜通常具有薄構造以允許輻射(特別是EUV輻射)之有效透射，且因此，每一護膜具有相對低抗張強度。
護膜在微影裝置內之使用期間經歷張應力。因此，在使用之前(亦即，在經受微影裝置內之應力之前)處於張應力下的護膜可被稱作「被預加應力(pre-stressed)」。
在x維度中之張力預應力與在y維度中之張力預應力之間的差可基於輻射光束101之縱橫比(x：y)之差。替代地或另外，可針對特定使用(基於輻射101之強度、周圍操作溫度等等)來計算在x維度及y維度兩者中的護膜121之預期熱膨脹。因此，在每一維度中施加之張力預應力之間的差可基於預期熱膨脹，且經選擇成縮減或最小化預期熱膨脹。舉例而言，在不同維度中施加至護膜之張力預應力之差可與在彼等維度中之熱膨脹之預期差成比例。
可以任何方便方式來提供包含如上文所描述而被預加應力之護膜的護膜總成。舉例而言，護膜隔膜可被預加應力，且在被預加應力條件下安裝至護膜框架。替代地，護膜可在未加應力條件下安裝至護膜框架，其中護膜框架自身經組態以誘發至護膜之張應力，如上文所描述。可使用一濺鍍沈積程序來製造護膜總成，該濺鍍沈積程序經組態以將護膜沈積於護膜框架上，其中該沈積程序引起如上文所描述之固有張應力。
雖然以上描述大體上係關於護膜，但應瞭解，其他隔膜用於輻射系統內。舉例而言，隔膜用於動態氣鎖，且可用作光譜純度濾光器。因此，上文所描述之實施例亦可結合其他此等隔膜而使用。使用隔膜可判定施加至隔膜之x維度及y維度之應力的差。舉例而言，護膜可經歷具有大約1：13之縱橫比之輻射，而動態氣鎖隔膜可經歷具有大約1：3之縱橫比之輻射。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
可藉由以下已編號條項來描述本發明之實施例：
1.一種用於屏蔽一微影用光罩之裝置，該裝置包含：一護膜；及至少一致動器，該裝置經配置成使得在使用時該致動器誘發該護膜相對於一光罩之移動。
2.如條項1之裝置，其中該移動實質上位於平行於由一光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面中。
3.如條項1或2之裝置，其中該至少一致動器為一壓電傳感器。
4.如前述條項中任一項之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器誘發該護膜相對於該光罩之週期性移動。
5.如條項4之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器誘發該護膜相對於一光罩之振盪移動。
6.如條項4或5之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器將該護膜之移動誘發成使得在至輻射之一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
7.如條項4、5或6之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器將該護膜之移動誘發成使得在至輻射之一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
8.如前述條項中任一項之裝置，其進一步包含：用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架，其中該框架包含該至少一致動器。
9.如條項1至7中任一項之裝置，其進一步包含：用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架；且其中該致動器為經配置以誘發一光罩之移動之一致動器。
10.如條項8或9之裝置，其中該框架包含用於安裝於一光罩之一 表面上之一第一框架部件、用於支撐該護膜之一第二框架部件；且其中該第一框架部件及該第二框架部件係藉由一可撓性部件、一回彈性部件或一減震部件中至少一者而連接。
11.如前述條項中任一項之裝置，其中該護膜為一網目支撐式護膜。
12.一種用於屏蔽一微影裝置之一光罩之方法，其包含：在該光罩曝光至輻射期間誘發被支撐於該光罩上方之一護膜相對於該光罩之移動。
13.如條項12之方法，其中該移動位於平行於由該光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面內。
14.如條項12或13之方法，其中該移動係運用一壓電傳感器而誘發。
15.如條項12或13之方法，其中該移動為被動式移動。
16.如條項15之方法，其中該移動係藉由該光罩之移動而被動式地誘發。
17.如條項12至16中任一項之方法，其中該移動為週期性的。
18.如條項17之方法，其中該移動為振盪的。
19.如條項17或18之方法，其中在一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
20.如條項17至18中任一項之方法，其中在一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
21.如條項12至20中任一項之方法，其中該移動經調適成使得該光罩處接收之輻射遍及該光罩之一經圖案化表面具有一實質上均一強度分佈。
22.如條項12至21中任一項之方法，其中該移動經調適以實質上縮減由支撐該護膜之一網目造成之遮蔽對該光罩之一經圖案化表面處 接收之輻射之一強度分佈的一效應。
23.如條項22之方法，其中該移動經調適以遍及該光罩之該經圖案化表面來平均化由該網目造成之遮蔽之一效應。
24.一種微影用光罩總成，該光罩總成包含：一光罩，其具有一經圖案化表面，該經圖案化表面經調適以將一圖案賦予至入射於該經圖案化表面上之一輻射光束；一護膜，其至少被固持於該經圖案化表面上方；及至少一致動器，該光罩總成經組態成使得該致動器誘發該護膜相對於該經圖案化表面之移動。
25.一種微影裝置，其經配置以運用具有自約5奈米至約20奈米之一波長之一輻射光束而將一圖案自一光罩總成投影至一基板上，其中該光罩總成為一如條項24之光罩總成。
26.如條項25之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節該輻射光束；一支撐結構，其經建構以固持該光罩總成，該光罩總成能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
27.一種器件製造方法，其包含使用如條項25或26之微影裝置來產生輻射以圖案化一基板。
28.一種裝置，其經配置以檢測具有一經圖案化表面之一光罩之屬性，該經圖案化表面經調適以將一圖案賦予至入射於該經圖案化表面上之一輻射光束，其中該裝置包含如條項24之光罩總成。
29.一種護膜總成，其包含：一護膜框架；其中該護膜框架包含用於將一護膜支撐於一光罩上方之一內部框架，及可移除地耦接至該內部框架之一外部框架。
30.如條項29之護膜總成，其中該內部框架具可撓性。
31.如條項30或31之護膜總成，其中該外部框架具剛性。
32.如條項29至31中任一項之護膜總成，其中該內部框架包含複數個邊緣，且其中每一邊緣在垂直於由該邊緣界定之一縱向軸線之一平面中具有4平方毫米或更小之一橫截面面積。
33.如條項29至32中任一項之護膜總成，其中該內部框架係由不鏽鋼建構。
34.如條項29至33中任一項之護膜總成，其中該外部框架係藉由複數個扣件而耦接至該內部框架。
35.如條項34之護膜總成，其中沿著該護膜框架之每一邊緣提供至少三個扣件。
36.如條項29至35中任一項之護膜總成，其中該外部框架經配置以用於耦接至一自動置放工具。
37.一種將一護膜安裝於一光罩之一表面上之方法，其包含：將一如條項29至36中任一項之護膜總成置放於該光罩上方，該護膜安裝至該護膜總成之該內部框架；及自該護膜總成移除該外部框架。
38.一種護膜總成，其包含：用於將一護膜支撐於一光罩上方之一護膜框架；且其中該護膜框架經配置成使得在使用時誘發該護膜相對於該光罩之移動。
39.如條項38之護膜總成，其中該移動實質上位於平行於由該光 罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面中。
40.如條項38或39之護膜總成，其中所誘發之該移動為該護膜相對於該光罩之週期性移動。
41.如條項40之護膜總成，其中該護膜總成經配置成使得在使用時誘發該護膜相對於該光罩之振盪移動。
42.如條項40或41之護膜總成，其中該護膜總成經配置成使得所誘發的該護膜之該移動係使得在一光罩至輻射之一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
43.如條項40、41或42之護膜總成，其中該護膜總成經配置成使得該護膜之移動經誘發成使得在該光罩至輻射之一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
44.如條項38至43中任一項之護膜總成，其進一步包含：用於將該護膜支撐於該光罩上方之該護膜框架；且其中提供一致動器以誘發該光罩之移動，該光罩之該移動造成該護膜之該移動。
45.如條項38至43中任一項之護膜總成，其進一步包含：用於將該護膜支撐於該光罩上方之該護膜框架，其中該框架包含至少一致動器，該致動器經配置以誘發該護膜之該移動。
46.如條項38至45中任一項之護膜總成，其中該護膜框架包含用於安裝於該光罩之一表面上之一第一框架部件、用於支撐該護膜之一第二框架部件；且其中該第一框架部件及該第二框架部件係藉由一可撓性部件、一回彈性部件或一減震部件中至少一者而連接。
47.如條項1至11中任一項之裝置，其包含兩個致動器，每一致動器經配置以在垂直於另一致動器之一方向上誘發該護膜之振盪。
48.如條項47之裝置，其中由該兩個致動器中每一者誘發之振盪 關於頻率、相位或振幅中至少一者而不同。
49.如條項47或48中任一項之裝置，其中該兩個振盪器經配置以振盪該護膜，使得該護膜在該護膜之該移動期間之任何時間不靜止。
50.如條項47至49中任一項之裝置，其中該兩個振盪器經配置成以一利薩如圖案來振盪該護膜。
51.如條項11或其任一附屬條項之裝置，其中該網目包含一非週期性網格結構。
52.如條項51之裝置，其中該網目包含一潘洛斯網格結構。
53.如條項12至23中任一項之方法，其中誘發移動包含在兩個垂直方向上誘發該護膜之振盪移動。
54.如條項53之方法，其中在一個方向上誘發之振盪關於頻率、相位或振幅中至少一者而不同於在另一方向上誘發之振盪。
55.如條項53或54中任一項之方法，其中該振盪移動係使得該護膜在該護膜之該移動期間之任何時間不靜止。
56.如條項53至54中任一項之方法，其中該誘發性移動遵循一利薩如圖案。
57.如條項22或其任一附屬條項之方法，其中該網目包含一非週期性網格結構。
58.如條項56之方法，其中該網目包含一潘洛斯網格結構。
59.一種用於製造用作一護膜總成或用作一動態氣鎖隔膜之一隔膜總成之方法，其包含：在一隔膜內在一第一維度中造成一第一量之一張應力且在一第二維度中造成大於該第一量之一第二量之一張應力；其中該隔膜在安裝至一框架時在該第一維度及該第二維度中保持於不同張應力下。
60.如條項59之方法，其中該第二維度實質上平行於該隔膜之一 縱向軸線，且該第一維度實質上平行於該隔膜之一緯度方向軸線。
61.如條項59或60之方法，其中該第二維度實質上垂直於在使用期間入射於該隔膜上之一輻射光束之一掃描方向，且該第一維度實質上垂直於該第二維度。
62.如條項59至61中任一項之方法，其中施加至該隔膜之應力之該第一量與該第二量之間的一差係取決於在使用期間入射於該隔膜上之一掃描輻射光束之一縱橫比予以選擇。
63.如條項59至62中任一項之方法，其中施加至該隔膜之應力之該第一量與該第二量之間的一差係取決於在使用期間在該第一維度及該第二維度中誘發於該隔膜中之一熱膨脹差予以選擇。
64.如條項59至63中任一項之方法，其中該隔膜用作一護膜，且其中應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率為實質上1：13。
65.如條項59至63中任一項之方法，其中該隔膜用作一動態氣鎖隔膜，且其中應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率為實質上1：3。
66.一種用作一護膜總成或一動態氣鎖隔膜總成之裝置，其包含：安裝至一框架之一隔膜；其中該已安裝隔膜在一第一維度中處於一第一量之張應力下且在一第二維度中處於大於該第一量之一第二量之張應力下。
67.如條項66之裝置，其中該第二維度實質上平行於該隔膜之一縱向軸線，且該第一維度實質上平行於該隔膜之一緯度方向軸線。
68.如條項66或67之裝置，其中該第二維度實質上垂直於在使用期間入射於該隔膜上之一輻射光束之一掃描方向，且該第一維度實質上垂直於該第二維度。
69.如條項66至68中任一項之裝置，其中應力之該第一量與該第 二量之間的一差係與在使用期間入射於該隔膜上之一掃描輻射光束之一縱橫比實質上成比例。
70.如條項66至68中任一項之裝置，其中應力之該第一量與該第二量之間的一差係與在使用期間在該第一維度及該第二維度中誘發於該隔膜中之一熱膨脹差實質上成比例。
71.如條項68至70中任一項之裝置，其中該隔膜為一護膜，且其中應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率為實質上1：13。
72.如條項66至70中任一項之裝置，其中該隔膜為一動態氣鎖隔膜，且其中應力之該第一量與應力之該第二量之間的一比率為實質上1：3。
73.如條項1至11、24至26、28、29至36或38至52中任一項之裝置，其中該護膜為根據條項66至71中任一項之一隔膜。
74.如條項12至23、27、37或53至58中任一項之方法，其中該護膜為根據條項66至71中任一項之一隔膜。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
30‧‧‧經圖案化光罩/光罩基板
31‧‧‧外部框架
32a‧‧‧致動器/傳感器
32b‧‧‧致動器/傳感器
33‧‧‧內部框架
34‧‧‧護膜
34b‧‧‧支撐網目/網目支撐件
35a‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
35b‧‧‧經圖案化極紫外線(EUV)光束
36‧‧‧碎屑粒子
37‧‧‧護膜之運動

Claims (16)

  1. 一種用於屏蔽一微影用光罩之裝置，該裝置包含：一護膜；及至少一致動器，該裝置經配置成使得在使用時該致動器誘發該護膜相對於一光罩之移動。
  2. 如請求項1之裝置，其中該移動實質上位於平行於由一光罩之一經圖案化表面界定之一平面的一平面中。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該至少一致動器為一壓電傳感器。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器誘發該護膜相對於該光罩之週期性移動。
  5. 如請求項4之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器誘發該護膜相對於一光罩之振盪移動。
  6. 如請求項4之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器將該護膜之移動誘發成使得在至輻射之一局域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
  7. 如請求項4之裝置，其中該裝置經配置成使得該至少一致動器將該護膜之移動誘發成使得在至輻射之一全域曝光所需要之一時間週期中完成至少一週期。
  8. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含：用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架，其中該框架包含該至少一致動器。
  9. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含：用於將該護膜支撐於一光罩上方之一框架；且其中該致動器為經配置以誘發一光罩之移動之一致動器。
  10. 如請求項8之裝置，其中該框架包含用於安裝於一光罩之一表面上之一第一框架部件、用於支撐該護膜之一第二框架部件；且其中該第一框架部件及該第二框架部件係藉由一可撓性部件、一回彈性部件或一減震部件中至少一者而連接。
  11. 如請求項1或2之裝置，其中該護膜為一網目支撐式護膜。
  12. 一種用於屏蔽一微影裝置之一光罩之方法，其包含：在該光罩曝光至輻射期間誘發被支撐於該光罩上方之一護膜相對於該光罩之移動。
  13. 一種微影用光罩總成，該光罩總成包含：一光罩，其具有一經圖案化表面，該經圖案化表面經調適以將一圖案賦予至入射於該經圖案化表面上之一輻射光束；一護膜，其至少被固持於該經圖案化表面上方；及至少一致動器，該光罩總成經組態成使得該致動器誘發該護膜相對於該經圖案化表面之移動。
  14. 一種護膜總成，其包含：一護膜框架；其中該護膜框架包含用於將一護膜支撐於一光罩上方之一內部框架，及可移除地耦接至該內部框架之一外部框架。
  15. 一種護膜總成，其包含：用於將一護膜支撐於一光罩上方之一護膜框架；且其中該護膜框架經配置成使得在使用時誘發該護膜相對於該光罩之移動。
  16. 一種用作一護膜總成或一動態氣鎖隔膜總成之裝置，其包含：安裝至一框架之一隔膜； 其中該已安裝隔膜在一第一維度中處於一第一量之張應力下且在一第二維度中處於大於該第一量之一第二量之張應力下。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI679492B (zh) * 2014-11-17 2019-12-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 護膜附接裝置
TWI717437B (zh) * 2015-12-18 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 製造用於極紫外線微影之薄膜總成之方法、隔膜總成、微影裝置及器件製造方法
TWI812779B (zh) * 2018-09-28 2023-08-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 微影系統及方法
TWI826575B (zh) * 2018-11-16 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影之護膜、圖案化裝置總成及動態氣鎖總成

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6382298B2 (ja) * 2013-03-27 2018-08-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
TWI658321B (zh) * 2013-12-05 2019-05-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於製造一表膜的裝置與方法，以及一表膜
JP6261004B2 (ja) * 2014-01-20 2018-01-17 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクルとこれを用いたｅｕｖ用アセンブリーおよびその組立方法
NL2017093A (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Asml Netherlands Bv A method for manufacturing a membrane assembly
CA3002702C (en) * 2015-10-22 2022-12-13 Asml Netherlands B.V. A method of manufacturing a pellicle for a lithographic apparatus, a pellicle for a lithographic apparatus, a lithographic apparatus, a device manufacturing method, an apparatus for processing a pellicle, and a method for processing a pellicle
JP6516665B2 (ja) * 2015-10-29 2019-05-22 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用ペリクルに適した接着剤とこれを用いたペリクル
DE102015221209A1 (de) * 2015-10-29 2017-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe mit einem Schutzelement und optische Anordnung damit
US10852633B2 (en) * 2015-11-03 2020-12-01 Asml Netherlands B.V. Method for manufacturing a membrane assembly
NL2017912B1 (en) * 2015-12-14 2018-01-11 Asml Netherlands Bv A membrane assembly
WO2017102379A1 (en) 2015-12-14 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. A membrane for euv lithography
JP7009380B2 (ja) * 2016-04-25 2022-01-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｅｕｖリソグラフィ用のメンブレン
US10527956B2 (en) 2017-03-24 2020-01-07 Nikon Corporation Temperature controlled heat transfer frame for pellicle
KR102310124B1 (ko) 2017-03-28 2021-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
CN110809736B (zh) * 2017-06-15 2023-10-24 Asml荷兰有限公司 表膜和表膜组件
KR102266786B1 (ko) * 2018-12-19 2021-06-21 주식회사 에스앤에스텍 판면에 주름부를 구비한 펠리클
EP4163719A4 (en) * 2020-06-04 2024-08-07 Shinetsu Chemical Co PELLICLE FRAME, PELLICLE-EQUIPPED EXPOSURE ORIGINAL PLATE, EXPOSURE METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
CN116802563A (zh) * 2021-02-02 2023-09-22 Asml荷兰有限公司 光刻设备、组件和方法
WO2024208766A1 (en) * 2023-04-04 2024-10-10 Asml Netherlands B.V. Euv-transmissive barrier

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4131363A (en) 1977-12-05 1978-12-26 International Business Machines Corporation Pellicle cover for projection printing system
US4737387A (en) * 1986-07-07 1988-04-12 Yen Yung Tsai Removable pellicle and method
JPH09204039A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル枠保持具
US6317479B1 (en) * 1996-05-17 2001-11-13 Canon Kabushiki Kaisha X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same
JP3149830B2 (ja) 1997-11-05 2001-03-26 日本電気株式会社 ペリクル膜の洗浄方法
US6264773B1 (en) 1998-09-01 2001-07-24 Mark Damian Cerio Apparatus and method for temporary and permanent attachment of pellicle frame to photomask substrate
US6197454B1 (en) 1998-12-29 2001-03-06 Intel Corporation Clean-enclosure window to protect photolithographic mask
KR20040001790A (ko) 2002-06-28 2004-01-07 주식회사 하이닉스반도체 펠리클 간격조절장치
JP3713497B2 (ja) * 2003-03-27 2005-11-09 株式会社東芝 ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法
US7456932B2 (en) * 2003-07-25 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2005062634A (ja) 2003-08-19 2005-03-10 Asahi Glass Co Ltd ペリクルマウンタ及びペリクルのフォトマスクへの装着方法
US7264853B2 (en) * 2003-08-26 2007-09-04 Intel Corporation Attaching a pellicle frame to a reticle
US20070052945A1 (en) * 2003-09-23 2007-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination
JP2005195992A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Asahi Glass Co Ltd ペリクル装着治具、ペリクル装着方法及びペリクル装着構造並びにペリクル
DE102008041436A1 (de) * 2007-10-02 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Membranelement
JP2011034020A (ja) 2009-08-06 2011-02-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル収納容器
JP2011158585A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP5817976B2 (ja) * 2011-08-01 2015-11-18 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置
JP5854511B2 (ja) * 2012-10-16 2016-02-09 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの貼付け方法
JP6382298B2 (ja) * 2013-03-27 2018-08-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI679492B (zh) * 2014-11-17 2019-12-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 護膜附接裝置
TWI679491B (zh) * 2014-11-17 2019-12-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 適合用於一微影製程中之遮罩總成
US10539886B2 (en) 2014-11-17 2020-01-21 Asml Netherlands B.V. Pellicle attachment apparatus
US10558129B2 (en) 2014-11-17 2020-02-11 Asml Netherlands B.V. Mask assembly
US10969701B2 (en) 2014-11-17 2021-04-06 Asml Netherlands B.V. Pellicle attachment apparatus
US11003098B2 (en) 2014-11-17 2021-05-11 Asml Netherlands B.V Pellicle attachment apparatus
US11009803B2 (en) 2014-11-17 2021-05-18 Asml Netherlands B.V. Mask assembly
TWI717437B (zh) * 2015-12-18 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 製造用於極紫外線微影之薄膜總成之方法、隔膜總成、微影裝置及器件製造方法
US10928722B2 (en) 2015-12-18 2021-02-23 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing a membrane assembly for EUV lithography, a membrane assembly, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
TWI812779B (zh) * 2018-09-28 2023-08-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 微影系統及方法
TWI826575B (zh) * 2018-11-16 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影之護膜、圖案化裝置總成及動態氣鎖總成

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Publication number Publication date
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