CN108604058A - 隔膜组件 - Google Patents

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威廉·琼·范德赞德
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Abstract

一种用于EUV光刻术的隔膜组件(80)，所述隔膜组件包括：平面的隔膜(40)；边框(81)，配置成保持隔膜；和框架组件(50)，连接到边框并且被配置成附接到用于EUV光刻术的图案形成装置(MA)；其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连接到边框，使得在使用中框架组件位于边框和图案形成装置之间。

Description

隔膜组件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月14日提交的EP 15199845.7、2016年3月1日提交的EP16157967.7和2016年4月6日提交的EP 16163962.0的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及用于EUV光刻术的隔膜组件和图案形成装置组件。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。图案的转印通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的集合。
光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤中的一个。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。
图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：
其中入是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长入、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上的制造缺陷。隔膜组件可以包括边框和横跨边框伸展的隔膜。
在使用中，隔膜被要求例如通过安装特征而相对于图案形成装置固定。期望减小由安装特征所占据的空间大小。也期望隔膜组件在被输送到用于安装到图案形成装置的位置时占据较少的空间。也期望降低污染物颗粒到达隔膜和图案形成装置之间的区域的可能性。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜组件，该隔膜组件包括：平面的隔膜；边框，配置成保持隔膜；框架组件，连接到边框并且被配置成可释放地附接到用于EUV光刻术的图案形成装置，其中框架组件包括弹性构件；其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连接到边框，使得在使用中框架组件位于边框和图案形成装置之间。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，该图案形成装置组件包括：平面的图案形成装置；从图案形成装置突出的至少一个突起部；和根据前述权利要求中任一项所述的隔膜组件，所述框架组件经由所述至少一个突起部连接到所述图案形成装置；其中所述至少一个突起部位于边框和图案形成装置之间。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜组件，该隔膜组件包括：平面的隔膜；和框架组件，配置成保持隔膜并附接到用于EUV光刻术的图案形成装置；其中框架组件具有锁定状态和解锁状态，在所述锁定状态，框架组件锁定到图案形成装置，使得隔膜与图案形成装置保持相距预定距离；在所述解锁状态，隔膜与图案形成装置之间的距离小于所述预定距离。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，该图案形成装置组件包括：用于EUV光刻术的平面的图案形成装置；隔膜组件，包括：平面的隔膜；和框架组件，配置成保持隔膜并附接到图案形成装置，其中在框架组件和图案形成装置的相对表面之间形成间隙；其中所述框架组件包括细长挡板，配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中所述细长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的相对表面。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，该图案形成装置组件包括：平面的图案形成装置；隔膜组件，包括平面的膜和配置成保持隔膜的边框；从图案形成装置和边框中的一个突出的至少一个突出部，其中所述至少一个突出部位于边框与图案形成装置之间；和连接到图案形成装置和边框中的另一个的框架组件，其中框架组件配置成附接到边框和图案形成装置之间的至少一个突起部。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于临时容纳隔膜组件的装载设备，所述隔膜组件安装到用于EUV光刻术的图案形成装置上，所述装载设备包括在装载设备的内表面处的突起部，其中所述突起部配置成在装载设备容纳隔膜组件时将隔膜组件的隔膜保持器朝向图案形成装置按压。
附图说明
现在将参考所附示意性附图、仅以示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应的部件，且在所述附图中：
图1示出了根据本发明的实施例的光刻设备；
图2是光刻设备的更详细的视图；
图3以截面图示意性地示出了根据本发明的实施例的隔膜组件的部分；
图4至图6以平面图示意性地示出了使用根据本发明的实施例的隔膜组件的锁定机构的多个阶段；
图7至10以截面图示意性地示出了根据本发明的不同实施例的隔膜；
图11至14以截面图示意性地示出了将根据本发明的实施例的隔膜组件安装到图案形成装置上的安装过程的各个阶段；
图15以截面图示意性地示出了位于装载设备中的根据本发明的实施例的隔膜组件；
图16和17以截面图示意性地示出了从装载设备移除的根据本发明的实施例的隔膜组件；
图18以截面图示意性地示出了根据本发明的实施例的隔膜组件与图案形成装置之间的间隙；和
图19以截面图示意性地示出了根据本发明的实施例的隔膜组件。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备100包括：
-照射系统(或照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，配置成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置成精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如，晶片台)WT，配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置成准确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如反射式投影系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
与照射系统IL类似，投影系统PS可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空用于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。
如此处所示，所述光刻设备100是反射型的(例如采用反射式掩模)。
光刻设备100可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多的支撑结构MT)的类型。在这种“多平台”的光刻设备中，可以并行地使用附加的衬底台WT(和/或附加的支撑结构MT)，或可以在一个或更多个衬底台WT(和/或一个或更多个支撑结构MT)上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它的衬底台WT(和/或一个或更多的其它的支撑结构MT)用于曝光。
参照图1，照射系统IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需的等离子体可以通过以激光束照射燃料来产生，燃料例如是具有所需的发射线元素的材料的液滴、束流或簇团。源收集器模块SO可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图1中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块内的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块SO可以是分立的实体，例如当使用CO2激光器提供用于燃料激发的激光器时。
在这种情况下，不会将激光器看作是形成光刻设备100的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，辐射束B被从激光器传递到源收集器模块SO。在其它情况下，所述源可以是源收集器模块SO的组成部分，例如，当源是通常被称为DPP源的放电产生等离子体EUV产生器时。
照射系统IL可以包括调整器，用于调整辐射束的角强度分布。通常，可以对照射系统IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射系统IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。照射系统IL可以用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在已经由图案形成装置(例如，掩模)MA反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
控制器500控制光刻设备100的总体操作，且尤其是执行下文进一步所描述的操作过程。控制器500可被具体实施为合适地编程的通用目的计算机，该通用目的计算机包括中央处理单元、易失性和非易失性存储装置、一个或更多个输入输出装置(诸如键盘和屏幕)、一个或更多个网络连接件，以及至光刻设备100的各个部分的一个或更多个接口。应了解，控制计算机与光刻设备100之间的一对一关系不是必须的。在本发明的实施例中，一个计算机可以控制多个光刻设备100。在本发明的实施例中，多个网络计算机可以用于控制一个光刻设备100。控制器500也可以被配置成控制光刻单元(lithocell)或簇(cluster)中的一个或更多个相关联的处理装置和衬底处置装置，所述光刻设备100形成所述光刻单元或簇的一部分。控制器500也可以被配置成附属于光刻单元或簇的监控系统和/或工厂车间(fab)的总控制系统。
图2更详细地示出光刻设备100，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。发射EUV辐射的等离子体210可以由等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中形成发射辐射的等离子体210以发射在电磁波谱的EUV范围内的辐射。在一个实施例中，被激发的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。
由发射辐射的等离子体210发射的辐射从源腔211被传递到收集器腔212中。
收集器腔212可以包括辐射收集器CO。穿过辐射收集器CO的辐射可以被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常称为中间焦点，并且该源收集器模块SO布置成使得虚源点IF位于包围结构220的开口221处或其附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体210的像。
随后辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括布置成在图案形成装置MA处提供未形成图案的束21的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。在未形成图案的束21经过由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射后，形成图案的束26被形成，并且形成图案的束26通过投影系统PS经由反射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。
在照射系统IL和投影系统PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS中可以存在在图2中示出的元件以外的1-6个附加的反射元件。
可替代地，源收集器模块SO可以是LPP辐射系统的一部分。
如图1所示，在一个实施例中，光刻设备100包括照射系统IL和投影系统PS。照射系统IL被配置成发射辐射束B。投影系统PS通过介入空间(intervening space)与衬底台WT分离开。投影系统PS被配置成将赋予辐射束B的图案投影至衬底W上。所述图案用于辐射束B的EUV辐射。
可以至少部分抽空介于投影系统PS与衬底台WT之间的空间。可在投影系统PS的位置处由固体表面界定所述介入空间，所使用的辐射从所述固体表面被引导朝向衬底台WT。
在一个实施例中，光刻设备100包括动态气锁。动态气锁包括隔膜组件80。在一个实施例中，动态气锁包括由位于介入空间中的隔膜组件80覆盖的中空部。中空部位于辐射的路径周围。在一个实施例中，光刻设备100包括鼓风机，所述鼓风机被配置成用气流冲刷中空部分的内部。辐射行进通过隔膜组件，之后照射到衬底W上。
在一个实施例中，光刻设备100包括隔膜组件80。如上文所解释，在一个实施例中，隔膜组件80用于动态气锁。在这种情况下，隔膜组件80用作用于对DUV辐射进行滤光的滤光器。另外或替代地，在一个实施例中，隔膜组件80为用于EUV光刻术的图案形成装置MA的表膜。本发明的隔膜组件80可用于动态气锁或用于表膜或用于另一目的，诸如光谱纯度滤光器。在一个实施例中，隔膜组件80包括隔膜40，所述隔膜40也被称为隔膜叠层。在一个实施例中，所述隔膜被配置成透射至少80％的入射EUV辐射。
在一个实施例中，隔膜组件80被配置成密封图案形成装置MA，以保护图案形成装置MA免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。图案形成装置MA的表面上的污染物可能导致在衬底W上的制造缺陷。例如，在一个实施例中，表膜被配置为减小颗粒可能迁移到光刻设备100中的图案形成装置MA的步进场中的可能性。
如果图案形成装置MA未受到保护，则污染物可能要求清洁或弃用图案形成装置MA。清洁图案形成装置MA会中断宝贵的制造时间，弃用图案形成装置MA成本高。更换图案形成装置MA也会中断宝贵的制造时间。
图3以截面图示意性地示出了根据本发明的实施例的隔膜组件80的部分。隔膜组件80用于EUV光刻术。隔膜组件80包括隔膜40。隔膜40发射EUV辐射。当然，隔膜40对于EUV辐射可能不具有100％的发射率。然而，隔膜对于EUV辐射可具有例如至少50％的发射率，优选地至少85％的发射率，甚至更优选地至少95％的发射率。如图3所示，在一个实施例中，隔膜40基本上是平面的。在一个实施例中，隔膜40的平面基本上平行于图案形成装置MA的平面。
隔膜组件80具有例如正方形、圆形或矩形的形状。隔膜组件80的形状没有特别限制。隔膜组件80的尺寸没有特别限制。例如，在一个实施例中，隔膜组件80的直径在约100mm至约500mm的范围内，例如约200mm。
如图3所示，在一个实施例中，隔膜组件80包括边框81。边框81配置成保持隔膜40。边框81为隔膜40提供机械稳定性。边框81配置成减少隔膜40变形远离其平面形状的可能性。在一个实施例中，在隔膜40的制造期间将预张力施加到隔膜40。边框81配置成保持隔膜40中的张力，使得隔膜40在光刻设备100的使用期间不具有起伏的形状。在一个实施例中，边框81沿着隔膜40的周边延伸。隔膜40的外部周边设置在边框81的顶部(根据图3的视图)。边界81可以至少部分地由制造隔膜组件80的过程中留下来的隔膜40的一部分形成。因此，边界81可以不是与隔膜40分离的部件(即，是隔膜的组成部分)。
边框81的厚度没有特别限制。例如，在一个实施例中，边框81具有至少300μm的厚度，可选地至少400μm的厚度。在一个实施例中，边框81具有至多1,000μm的厚度，可选地至多800μm的厚度。在一个实施例中，边框81具有至少1mm的宽度，可选地至少2mm的宽度，可选地至少4mm的宽度。在一个实施例中，边框81具有至多10mm的宽度，可选地至多5mm的宽度，可选地至多4mm的宽度。
如图3所示，在一个实施例中，隔膜组件80包括框架组件50。框架组件50连接到边框81。在一个实施例中，框架组件50包括与边框81接触的框架表面。在一个实施例中，框架组件50最初被制造为与边框81分离的部件，并且随后连接到边框81。例如，隔膜40与边框81的组合可以一起制造，而框架组件50可以单独制造。在随后的制造步骤中，框架组件50可以附接或固定到边框81。
在一个实施例中，框架组件50具有至少2mm的宽度，可选地至少5mm的宽度，可选地至少8mm的宽度。在一个实施例中，框架组件50具有至多20mm的宽度，可选地至多10mm的宽度，可选地至多8mm的宽度。
在一个实施例中，框架组件50包括框架51。框架51是框架组件50的连接到边框81的部分。在一个实施例中，框架51由与边框81相同的材料制成。例如，在一个实施例中，边框81和框架51都是由包括硅的材料制成。在一个实施例中，边框81由硅制成。在一个实施例中，框架51由硅制成。在一个实施例中，边框81的热膨胀基本上与框架51的热膨胀相匹配。在一个实施例中，框架51通过粘合剂附接到边框81上。在一个实施例中，粘合剂的热膨胀基本上匹配框架51和/或边框81的热膨胀。
如图3所示，框架组件50被配置为附接到图案形成装置MA。在一个实施例中，框架组件50包括配置成接触图案形成装置MA的框架表面。框架组件50用于保持隔膜40相对于图案形成装置MA的位置。尽管参考图案形成装置MA描述了所述实施例，但是本发明同样适用于连接到除图案形成装置MA之外的不同部件的隔膜组件80。
在一个实施例中，框架组件50在垂直于隔膜40的平面的方向上连接到边框81。这在图3中示出。在图3中，隔膜40的平面从左向右延伸且延伸到纸面内并延伸出纸面。垂直于隔膜40的平面的方向对应于图3中的竖直(即上下)方向。框架组件50直接连接在边框81下方。框架组件50在垂直于隔膜40的屏幕的方向上连接到框架81应该被理解为，边框81和框架组件50在竖直方向(即，在垂直于图案形成装置MA的平面和垂直于隔膜40的平面的方向)上对齐，从而可以绘制延伸穿过边框81和框架组件50的竖直线，如图3所示。在一个实施例中，边框81和框架组件50之间的界面处于基本平行于隔膜40的平面的平面中。
在一个实施例中，隔膜组件80被配置为可从图案形成装置MA移除。这允许进行图案形成装置MA的中间检查。在一个实施例中，框架组件50被配置为重复地附接到图案形成装置MA和从图案形成装置MA拆卸。
在使用中，框架组件50位于边框81和图案形成装置MA之间。这里术语“在......之间”意味着框架组件50在边框81下方延伸并可以定位在图案形成装置的表面的顶部上。这种布置不同于框架组件从边框径向向外定位的布置。预期本发明的一个实施例实现了将隔膜40相对于图案形成装置MA保持就位所需的围绕隔膜40的空间的减小。
根据一个比较示例，隔膜组件具有从边框径向向外的框架组件，例如在WO 2016/079051A2中所述。框架组件需要在径向方向上被接近，以便将框架组件连接到图案形成装置/从图案形成装置拆卸框架组件。可能需要约16mm的空间来容纳边框、框架组件和用于接近框架组件的空间。
相比之下，在一个实施例中，框架组件50定位在边框81下方，从而减小了容纳边框81和框架组件50所需的径向空间。例如，在一个实施例中，容纳边框81、框架组件50和用于接近框架组件50的空间所需的径向空间为约12mm。
预期本发明的实施例实现了用于安装特征的在图案形成装置MA的区域中所需空间的减小。安装特征是用于将隔膜组件80安装到图案形成装置MA上的特征。在一个实施例中，安装特征设置在边框81和图案形成装置MA之间，因此，所述安装特征没有从边框径向向外地延伸。在一个实施例中，至少一个安装特征与图案形成装置接触，并基本上垂直于图案形成装置的表面。这在图3中示出，并将在下文进一步详细说明。
在一个实施例中，框架组件50包括至少一个孔52。在一个实施例中，孔52是框架组件50的框架51内的空腔或腔室或开口。孔52配置成接收突起部(例如螺柱60)。螺柱60与图案形成装置MA直接接触并从图案形成装置MA突出。在可替代的实施例中，框架组件50永久地附接到图案形成装置MA，螺柱60直接接触隔膜组件80的边框81并从边框81突出。
图3示出了固定到图案形成装置MA的螺柱60。在一个实施例中，使用粘合剂将螺柱60胶合到图案形成装置MA上。替代地，螺柱60可以与图案形成装置MA一体形成。作为另一替代方案，螺柱60可以最初制造为与图案形成装置MA分离的部件，并且随后使用除粘合剂之外的机构(例如螺钉)固定到图案形成装置MA。
螺柱60和孔52是安装特征。在一个实施例中，螺柱60和孔52设置在边框81和图案形成装置MA之间。这与先前已知的布置不同，在先前已知的布置中，安装特征从边框81径向向外定位。
如图3所示，在一个实施例中，当在垂直于隔膜40的平面的方向上观察时，孔52至少部分地与边框81重叠。这在图3中示出，当在竖直方向上观察时，孔52与边框81部分地重叠。参见图3，可绘制延伸穿过边框81和孔52的竖直线。
在一个实施例中，框架组件50包括锁定机构55。在一个实施例中，锁定机构55锁定在孔55中，孔55形成在框架51内的空腔或腔室。形成在框架55中的空腔可以是部分开口的，或可以完全围绕锁定机构55。锁定机构55配置成将框架组件50锁定到螺柱60。在一个实施例中，锁定机构55包括弹性构件53。在一个实施例中，锁定机构55包括用于每个孔52的弹性构件53。在一个实施例中，框架组件50包括多个孔52，例如两个、三个、四个或更多个孔52。弹性构件53对应于每个孔52设置。在一个实施例中，弹性构件53耦接到框架51。在一个实施例中，弹性构件53位于孔52内并且利用一个部分耦接到框架51，而弹性构件的另一部分可用于锁定框架组件和将框架组件从图案形成装置MA解锁。在一个实施例中，弹性构件53和锁定机构55施加在突起部上的力的方向平行于隔膜40和图案形成装置MA。在一个实施例中，弹性构件布置在孔52内并且附接到框架51，使得弹性构件将沿平行于隔膜40的方向推到突起部的侧表面上，如图3所示。
如图3所示，在一个实施例中，弹性构件53包括弹簧。例如，弹簧可以是螺旋弹簧或片簧。在替代实施例中，弹性构件53包括诸如橡胶的弹性材料。在替代实施例中，弹性构件53包括挠曲件。例如，可以使用放电加工处理来加工挠曲件。
图4-6示意性地示出了锁定机构55的使用阶段。图4至图6以平面图示出。图4示出了初始状态，其中框架组件50定位在螺柱60上方，使得螺柱60被接收到孔52中。弹性构件53未被压缩。如图4所示，弹性构件53延伸到孔52中。因此，当螺柱60被接收到孔52中时，螺柱60可以与弹性构件53接触。当接收在孔52中的螺柱60在隔膜40的平面内的方向上压靠弹性构件53时，弹性构件53配置成是可变形的(例如，可压缩的)。例如，在图4中，螺柱60可以在图中向右的方向上压靠弹性构件53。
如图3-6所示，在一个实施例中，锁定机构55包括用于每个孔52的锁定构件54。锁定构件54配置成可移动到锁定位置，在锁定位置中锁定构件54延伸到孔52中。在锁定位置中，被压缩的弹性构件53朝向锁定构件54将力施加在容纳在孔52中的螺柱60上。这显示在图4至图6的序列中。
如图4至图5的过渡所示，螺柱60和框架组件50相对于彼此移动，使得螺柱60压靠弹性构件53。螺柱60压缩弹性构件53，如图5所示。
如图5至图6的过渡所示，锁定构件54移动到锁定位置，在锁定位置中，锁定构件54延伸到孔52中。例如，如图4-6所示，在一个实施例中，框架组件50包括至少一个锁定孔隙56。锁定构件54穿过锁定孔隙56。
图6示出了处于锁定位置的锁定构件54。弹性构件53沿锁定构件54的方向将力施加于螺柱60上。在图5所示的情况下，需要在框架组件50和/或螺柱60上施加外力，使得螺柱60压缩弹性构件53。一旦锁定构件54处于锁定位置(例如，如图6所示)，就不再需要施加外力。这是因为锁定构件54将螺柱60和框架组件50相对于彼此保持就位。
如上所述，螺柱60位于边框81下方，而不是边框81的径向外侧。这可能需要增加图案形成装置MA和隔膜40之间的距离(也称为相隔距离(standoff))。图案形成装置MA的表面和隔膜40之间的距离基本上对应于框架组件50和边框81的组合高度。在一个实施例中，框架组件50和边框81的组合高度为至少1mm，至少2mm，并且可选地至少5mm。在一个实施例中，框架组件50与边框81的组合高度为至多20mm，可选地至多10mm，并且可选地至多5mm。
在一个实施例中，突起部(螺柱60)和锁定机构55位于孔(空腔)52内。在一个实施例中，包括锁定构件54和弹性构件53的突起部和锁定机构55位于孔53内部。在一个实施例中，在框架51中形成的空腔的表面具有与边框81直接接触的表面。在一个实施例中，包括限定孔52(孔52包围安装特征以将框架51附接到图案形成装置MA)的框架51的框架组件50与边框81直接接触并且在边框81下方，使得包括安装特征的框架组件布置在边框81和图案形成装置MA之间。在一个实施例中，孔52由比弹性构件更刚性的框架形成。因此，弹性构件53比形成有孔52的框架51更易变形，使得当处于锁定位置时，弹性构件53(因此不是框架51)在压缩下变形。因此，当弹性构件53和锁定机构54与突起部60接触时，空腔将不会弹性地变形(即，其保持其刚性形状)。
在一个实施例中，弹性构件53包括由诸如不锈钢的材料制成的弹性材料。在一个实施例中，弹性构件53连接到由与弹性构件53不同的材料制成的接触垫57。例如，接触垫57可以由与螺柱60和/或锁定构件54相同的材料制成。在一个实施例中，接触垫57包括钛。在一个实施例中，锁定构件54包括钛。在一个实施例中，螺柱60包括钛。已知钛提供延性接触。然而，在替代实施例中，其他材料可用于接触垫57、螺柱60和锁定构件54。
如图4至图6所示，在一个实施例中，在平面图中孔52的横截面积大于螺柱60的横截面积。孔52相对于螺柱60尺寸过大。在一个实施例中，弹性构件53设置在端部止挡件(图中未示出)上。当在平面图中观察时，弹性构件53突出到孔52中(如图4所示)。因此，弹性构件53在平面图中有效地减小了孔52的横截面积。孔52的剩余横截面尺寸大于螺柱60的横截面尺寸。因此，当框架组件50在螺柱60上竖直移动时，螺柱60可以容纳在孔52中。框架组件50被侧向推动抵靠弹性构件53，使弹性构件53向内偏转。放置锁定构件54以防止框架组件50向后弯曲。在一个实施例中，锁定构件54是销。锁定构件54可以从侧面或从顶部插入。在插入锁定构件54之后，框架组件50被锁定到图案形成装置MA。
在一个实施例中，框架组件50包括围绕框架组件50均匀分布的四个孔52。在一个实施例中，框架组件50具有与边框81类似的形状，并沿着隔膜40的周边延伸。图3示出了弹性构件53在孔52的径向内侧。然而，这并不一定是这种情况。弹性构件53可以在孔52的径向外侧，或者相对于孔52既不是径向向内也不是径向向外。孔52位于弹性构件53和锁定构件54之间。
在一个实施例中，一个弹性构件53在隔膜组件80的一侧的孔52的径向内侧，而另一弹性构件53在隔膜组件80的相对侧的另一个孔52的径向外侧。这允许在图案形成装置MA的相对侧处的螺柱60利用隔膜组件80相对于图案形成装置MA的一次移动来压缩两个弹性构件52。在一个实施例中，隔膜组件80配置成使得容纳在相应孔52中的所有螺柱60利用隔膜组件80相对于图案形成装置MA的一次移动来压缩相应的弹性构件52。
如图4-6所示，在一个实施例中，锁定构件54被设置为松动部件。在替代实施例中，锁定构件可以形成为与框架组件50的其余部分一体形成，只要锁定构件54可以滑入锁定位置即可。
在一个实施例中，螺柱60的直径(在平面图中)为至少1mm，可选地至少2mm，并且可选地至少3mm。在一个实施例中，螺柱60的直径为至多10mm，可选地至多5mm，并且可选地至多3mm。
如上所述，在一个实施例中，弹性构件53在未被压缩时延伸到孔52中。在一个实施例中，弹性构件53延伸到孔52中的距离为至少0.1mm，可选地至少0.2mm，并且可选地至少0.5mm。在一个实施例中，弹性构件53延伸到孔52中的距离为至多2mm，可选地至多1mm，并且可选地至多0.5mm。
如上所述，孔52的直径大于螺柱60的直径。在一个实施例中，孔的直径比螺柱60的直径大至少0.2mm，可选地至少0.5mm，并且可选地至少1mm。在一个实施例中，孔52的直径比螺柱60的直径大至多5mm，可选地至多2mm，并且可选地至多1mm。在一个实施例中，锁定构件54具有至少1mm的长度，可选地至少2mm的长度，并且可选地至少4mm的长度。
在一个实施例中，锁定构件54具有至多10mm的长度，可选地至多5mm的长度，并且可选地至多4mm的长度。在一个实施例中，锁定构件54具有至少0.2mm的宽度，可选地至少0.5mm的宽度，并且可选地至少1mm的宽度。在一个实施例中，锁定构件54具有至多5mm的宽度，可选地至多2mm的宽度，并且可选地至多1mm的宽度。
预期本发明的实施例实现了将构件组件80附接到图案形成装置MA/从图案形成装置MA拆卸所需的工具加工步骤的减少。
图11以截面图示意性地示出了根据本发明的替代实施例的隔膜组件80。隔膜组件80用于EUV光刻术。
隔膜组件80包括平面隔膜40。图11中仅示出了隔膜40的一部分。隔膜组件80包括框架组件50。图11示出了隔膜40的一侧上的框架组件50的横截面视图。框架组件50配置成保持隔膜40。框架组件50配置成连接到用于EUV光刻术的图案形成装置MA。如图11所示，在一个实施例中，框架组件50配置成经由边框81保持隔膜40。隔膜40和边框81的构造可以与本文中描述的任何其他实施例中的相同。。
图11至14示意性地示出了将框架组件50附接到图案形成装置MA的过程的各个阶段。图13示意性地示出了附接到图案形成装置MA的框架组件50。如图13所示，在一个实施例中，框架组件50具有锁定状态。在锁定状态下，框架组件50被锁定到图案形成装置MA，使得隔膜40与图案形成装置MA保持预定距离D1。预定距离在图13中示出。预定距离D1在垂直于隔膜40的平面和图案形成装置MA的平面的方向上测量。框架组件50通过弹性构件53偏置到锁定状态。
如图14所示，在一个实施例中，框架组件50具有解锁状态。在解锁状态下，隔膜组件50未锁定到图案形成装置MA。在解锁状态下，隔膜40与图案形成装置MA距离小于预定距离D1。例如，如图14所示，在解锁状态下，隔膜40与图案形成装置MA的距离是解锁状态距离D2。解锁状态距离D2小于预定距离D1。如图13和图14之间的比较所示，在解锁状态下，弹性构件53被压缩，框架组件50的隔膜保持器58被迫更靠近图案形成装置MA。
隔膜40用于减轻图案形成装置MA的前侧中的任何缺陷。隔膜40降低了污染物颗粒到达图案形成装置MA的可能性。在一个实施例中，隔膜组件80在装载设备70(图15至17中所示)中装载到光刻设备100中。如图15至17所示，在一个实施例中，装载设备70包括用于容纳隔膜40的切口部分。期望装载设备70尽可能薄。装载设备70的厚度在图15至17中的上下方向上示出。
在实践中，隔膜40可以在其自身重量下下垂。期望隔膜40避免接触装载设备70的内部，以避免对隔膜40的任何损坏。期望隔膜40是薄的，从而使得能够传输更高比例的EUV辐射。然而，越薄的隔膜40倾向于下垂越多。因此，在隔膜40的薄度和装载设备70的薄度之间存在折衷。
期望在使用光刻设备100时，在隔膜40和图案形成装置MA之间存在大的相隔距离。相隔距离是当光刻设备100在使用时的图案形成装置MA和隔膜40之间的距离。因此，简单地通过减小隔膜40和图案形成装置MA之间的相隔距离来增加隔膜40下垂的空间是不期望的。
相反，图11至图14中所示的实施例允许在隔膜40在装载设备70中输送时将隔膜40临时压向图案形成装置MA。例如，图15和16示出隔膜40处于朝向图案形成装置MA向上按压的临时状态下。这允许隔膜40更多地下垂而不接触装载设备70的内部。同时，图17示出了装配设备70外的隔膜组件80。隔膜40不再朝向图案形成装置MA向上按压，使得隔膜40距离图案形成装置MA具有预定距离D1。这种布置使得隔膜40和图案形成装置MA之间的距离在垂直于图案形成装置的方向上变化。增加隔膜40之间的距离增加了隔膜的间隙，这允许排气时间和抽真空时间更短。
因此，预期本发明的实施例允许在不增加装载设备70的厚度的情况下根据更高水平的设计自由度(因为允许更大水平的下垂)来制造隔膜40。
如图11所示，在一个实施例中，框架组件50包括弹性构件53。在一个实施例中，弹性构件53包括预加载弹簧。例如，弹性构件53可以是扭转弹簧或片簧。如图11所示，在一个实施例中，框架组件50包括隔膜保持器58。隔膜保持器58配置成保持隔膜40。隔膜保持器58构成框架组件50的大部分。隔膜保持器58相对于隔膜40具有固定的位置。当隔膜保持器58移动时，隔膜40也与隔膜保持器58一起移动。
如图11所示，在一个实施例中，隔膜保持器58包括端部止动表面33。端部止动表面33配置成接触从图案形成装置MA突出的螺柱52的锁定表面34。当框架组件50处于锁定状态时，隔膜保持器58的端部止动表面33抵接螺柱52的锁定表面34。
在一个实施例中，端部止动表面33位于螺柱52的锁定表面34的顶部上。这与先前已知的机构不同，在先前已知的机构中，固定端部止动件定位在螺柱下方。根据本发明，隔膜保持器58可以向上按压抵靠弹性构件53。
如图11所示，在一个实施例中，框架组件50包括夹紧构件59。夹紧构件59可相对于隔膜保持器58移动。在一个实施例中，框架组件50包括弹性构件53。弹性构件53将隔膜保持器58连接到夹紧构件59。隔膜保持器58可以通过弹性构件53的压缩而相对于夹紧构件59移动。隔膜保持器58可以在垂直于隔膜40的平面的方向上相对于夹紧构件59移动。
图11示出了框架组件50处于初始状态的时间点。在初始状态下，弹性构件53处于基本上未压缩的状态。框架组件50不能装配在螺柱52上，因为在隔膜保持器58的端部止动表面33和夹紧构件59的抵接表面31之间没有足够的空间。抵接表面31配置成接触螺柱52的接合表面32。螺柱52的接合表面32背离图案形成装置MA。
图12示意性地示出了处于准备状态的框架组件50。在准备状态下，弹性构件53被压缩，使得隔膜保持器58的端部止动表面33与夹紧构件59的抵接表面31之间的距离增大。可以使用特殊工具来执行此操作。具体地，该工具可用于保持夹紧构件59。在夹紧构件59保持就位的情况下，该工具用于施加将隔膜保持器58按压在图案形成装置MA的方向上的力。因此，弹性构件53被压缩并且隔膜保持器58被迫朝向图案形成装置MA。然后，框架组件50和图案形成装置MA相对于彼此操纵，使得螺柱52(或螺柱52的一部分)进入隔膜保持器58的端部止动表面33和夹紧构件59的抵接表面31之间。
图13示出了处于锁定状态的框架组件50。在从图12所示的预备状态到图13所示的锁定状态的过渡中，隔膜保持器58上的力被释放。结果，弹性构件53膨胀。夹紧构件59的抵接表面31与螺柱52的接合表面32接触。隔膜保持器58的端部止动表面33与螺柱52的锁定表面34接触。螺柱52的锁定表面34面向图案形成装置MA。
图14示意性地示出了处于解锁状态的框架组件50。在解锁状态下，夹紧构件59的抵接表面31保持与螺柱52的接合表面32接触。隔膜保持器58被迫朝向图案形成装置MA，使得隔膜保持器58的端部止动表面33远离螺柱52的锁定表面34移动。因此，框架组件52不再锁定到图案形成装置MA。与图13所示的锁定状态相比，隔膜40更靠近图案形成装置MA。当弹性构件53被压缩时，隔膜保持器58朝向图案形成装置MA移动。
图15示意性地示出了附接到图案形成装置MA并且存储在装载设备70中的隔膜组件80。装载设备70可替代地称为装载锁或内部隔舱(pod)。如图15所示，在一个实施例中，装载设备70包括至少一个突起部71。突起部71用于向上按压框架组件50的隔膜保持器58。突起部71从装载设备70的内表面(或底板)突起。
从图15中可以看出，通过突起部71按压弹性构件53，可以将隔膜保持器58压向图案形成装置MA。这增加了隔膜40朝向装载设备70的内表面的间隙。
在一个实施例中，通过由突起部71压缩弹性构件53，隔膜40与装载设备70的内表面之间的距离从约0.5mm增加到约1.5mm。在一个实施例中，隔膜40的朝向图案形成装置MA的间隙暂时从约2.5mm减小到约1.5mm。当隔膜组件80从装载设备70释放时，隔膜40朝向图案形成装置MA的间隙随后增加回至约2.5mm。
期望本发明的实施例降低装载设备70和隔膜40之间静电放电的风险。这是因为隔膜40与装载设备70的内表面之间的间隙增大。
如图16所示，在一个实施例中，隔膜组件80包括密封框架72。提供密封框架72以控制隔膜40和图案形成装置MA之间的容积的开口。在一个实施例中，密封框架72围绕隔膜40定位。在一个实施例中，密封框架72包括多个密封开口73。当隔膜保持器58被朝向图案形成装置MA向上按压时，框架组件50中的框架开口74将与密封开口73排成一行以允许高速压力均衡，如图16所示。框架开口74与密封开口73排成一行，使得气体(例如空气)可以通过。
图17示意性地示出了在装载设备70外部的隔膜组件80。密封开口73不与框架开口74排成一行，使得气体和颗粒的路径被阻挡。因此，密封框架72密封隔膜40和图案形成装置MA之间的空间。
图18示意性地示出了隔膜组件80和图案形成装置MA之间的间隙G。在没有设置螺柱52的位置，污染物颗粒可能潜在地通过间隙G并进入图案形成装置MA和隔膜40之间的空间或区域。间隙G可以具有例如约300μm的厚度。
隔膜组件80容易允许小于间隙G的尺寸的颗粒到达隔膜40和图案形成装置MA之间的空间。例如，源自所述空间外部并且具有小于约200μm的尺寸的污染物颗粒可以以直线或者在图案形成装置MA和框架组件50之间具有某种跳动的情况下通过间隙G。
图19以截面图示意性示出了隔膜组件80的变型。图19中所示的这种变型可以应用于本文中描述的隔膜组件80的任何实施例。
图19中所示的隔膜组件80的变型是用于降低颗粒从该区域外部进入隔膜40和图案形成装置MA之间的区域的可能性。替代地，图19中所示的隔膜组件80的变型是用于降低源自离开隔膜40和图案形成装置MA之间的区域的间隙G的颗粒的可能性。如图19所示，在一个实施例中，隔膜组件80包括框架组件50，配置成保持隔膜40并附接到图案形成装置MA。在框架组件50和图案形成装置MA的相对表面之间形成间隙G。
在一个实施例中，框架组件50包括细长挡板75。细长挡板75配置成限制污染物颗粒进入间隙G。如图19所示，细长挡板75延伸超出图案形成装置的相对表面。在一个实施例中，细长挡板75在超出图案形成装置MA的平面范围的位置处延伸超出图案形成装置MA的相对表面。
隔膜组件80降低了颗粒到达图案形成装置MA和隔膜40之间的空间的可能性。如图19所示，在一个实施例中，框架组件50包括至少一个另外的挡板76。每个另外的挡板76配置成限制污染物颗粒进入间隙G。每个另外的挡板76朝向图案形成装置MA延伸。
在一个实施例中，框架组件50包括三个或四个凹槽(即，细长挡板75和每个另外的挡板76之间的空间)。在一个实施例中，凹槽不具有相等的宽度。换句话说，细长挡板75和另外的挡板76可以不均匀地间隔开。在隔膜40和图案形成装置MA之间的区域内释放的(例如，从隔膜40的面向图案形成装置MA的侧面释放的颗粒)并朝向框架组件50行进的颗粒不太可能被反射回图案形成装置MA。颗粒可能被俘获在凹槽内。
在一个实施例中，细长挡板75的高度大于或等于约1mm。在一个实施例中，细长挡板75(和另外的挡板76)与图案形成装置MA之间的距离被选择成使得在光刻设备100的操作期间促进压力均衡。在一个实施例中，细长挡板75与最近的另外的挡板76之间的距离为约300μm。在一个实施例中，最靠近细长挡板75的另外的挡板76与下一个另外的挡板76之间的距离比细长挡板75和最近的另外的挡板76之间的距离大约1.2至1.5倍。在一个实施例中，在图19所示的三个另外的挡板76中中间的另外的挡板76和距离细长挡板75最远的另外的挡板76之间的距离是在图19所示的三个另外的挡板76中中心和右侧的两个另外的挡板76之间的距离的约1.2到1.5倍。在一个实施例中，每个另外的挡板76具有约600μm的高度。在一个实施例中，挡板之间的凹槽的宽度在从细长挡板75的方向上增加约20％至50％。
在一个实施例中，细长挡板75和另外的挡板76定位在图案形成装置MA的中心和螺柱52之间。因此，挡板结构可以约束由螺柱52释放的例如钛合金的颗粒。因此，在一个实施例中，细长挡板75在不超出图案形成装置MA的平面范围的位置处延伸超出图案形成装置MA的相对表面。
在一个实施例中，细长挡板75和/或另外的挡板76由具有高哈梅克(Hamaker)常数的材料制成。在一个实施例中，框架组件50由具有高哈梅克常数的材料制成。预期本发明的实施例降低具有大范围尺寸、材料、行进速度和入射角的颗粒到达图案形成装置MA的可能性。
图7以截面图示意性地示出了根据本发明的一个实施例的隔膜40。如图7所示，隔膜40包括叠层。所述叠层包括多个层。
在一个实施例中，叠层包括至少一个硅层41。硅层41包括硅的形式。在一个实施例中，叠层包括至少一个硅化合物层43。硅化合物层43由硅和选自硼、磷、溴和硫所组成的组中的另一种元素的化合物构成。然而，也可以使用其他元素。特别地，在一个实施例中，与硅结合以形成硅化合物层43的元素是可以用作用于掺杂硅层41的掺杂材料的任何元素。仅为方便起见，所述实施例将用硼作为与硅结合的元素来进行描述。所述实施例不限于硼元素。
在一个实施例中，硅化合物层43包括硼化硅。硼化硅具有化学式SiBx，其中x可以是3、4、6、14、15、40等。硼化硅具有金属属性。特别地，硅化合物层43具有金属的属性，其增加了隔膜40的EUV辐射的发射率。仅由硅层41制成的隔膜将具有低发射率，可能为3％量级。如果将具有金属属性的化合物或金属添加到隔膜40中，则发射率显著增加。
已知金属由于EUV吸收而限制隔膜的实际厚度。通过提供硅隔膜层43，预期本发明的实施例实现具有足够的发射率以用于光刻设备100中的隔膜40的可能厚度增加。
如图7所示，在一个实施例中，硅化合物层43形成为硅层41和非金属层42之间的中间层，非金属层42包括与硅结合以形成硅化合物层43的元素。例如，在一个实施例中，非金属层42包括硼。在一个实施例中，硼以碳化硼的形式提供。然而，可以使用替代形式的硼。
在一个实施例中，硅层41最初与非金属层42相邻地设置。非金属层42中的硼局部地掺杂硅层41中的硅。硼掺杂硅达到生成硅硼化硅以形成硅化合物层43的程度。硼掺杂硅使得在掺杂的硅中存在比硅原子更多的硼原子，即形成硼化硅。
在一个实施例中，硅层41和非金属层42被设置为多层。局部地，硼化硅可以增强隔膜40(通过层压效应和硼在硅中的辐射硬化)，使得隔膜40可以承受更高的温度。
如图7所示，在一个实施例中，叠层包括多个硅层41、多个非金属层42和在每对硅层41和非金属层42之间的硅化合物层43。
如图7所示，在一个实施例中，叠层包括以下顺序的层：非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43、非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43、非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42。这是一个多层的叠层。在一个实施例中，叠层可以包括非金属层42，然后是一组包括硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42的四层的重复循环。
在一个实施例中，每个非金属层42具有至少0.5nm的厚度，可选地至少1nm的厚度并且可选地至少2nm的厚度。在一个实施例中，每个非金属层42具有至多10nm的厚度，可选地至多5nm的厚度，并且可选地至多2nm的厚度。
在一个实施例中，每个硅化合物层43具有至少0.5nm的厚度，可选地至少1nm的厚度，并且可选地至少2nm的厚度。在一个实施例中，每个硅化合物层43具有至多10nm的厚度，可选地至多5nm的厚度，并且可选地至多2nm的厚度。
在一个实施例中，每个硅层41具有至少2nm的厚度，可选地至少5nm的厚度，并且可选地至少8nm的厚度。在一个实施例中，每个硅层41具有至多20nm的厚度，可选地至多10nm的厚度，可选地至多8nm的厚度。
图7中示出的实施例具有8nm厚度的硅层41、2nm厚度的非金属层42和2nm厚度的硅化合物层43，预期所述实施例将实现约90％的EUV辐射的发射率。
图8示出了替代实施例，在所述实施例中，叠层包括以下顺序的层：非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42。
如图8所示，在一个实施例中，隔膜40仅包括一个硅层41。在这样的实施例中，硅层41具有至少10nm的厚度，可选地至少20nm的厚度，并且可选地至少38nm的厚度。在一个实施例中，单个硅层41具有至多100nm的厚度，可选地至多50nm的厚度，并且可选地至多38nm的厚度。图8中示出的实施例具有38nm厚度的硅层41、4nm厚度的非金属层42和2nm厚度的硅化合物层43，预期所述实施例将实现约90％的EUV辐射的发射率。
在一个实施例中，叠层中的硅化合物层43的总组合厚度为至多约20nm。金属和具有金属属性的化合物改善了隔膜40的发射率，条件是组合的厚度不是太厚。对于太厚的金属层或具有金属属性的化合物层，可降低发射率。
图9示意性地示出了隔膜40的替代实施例。如图9所示，在一个实施例中，叠层包括至少一个硅层41、至少一个盖层46和至少一个抗迁移层47。在一个实施例中，盖层46包括钌。盖层46设置在隔膜40的外表面。抗迁移层47包括钼和钛中的至少一种。抗迁移层47与每个盖层46相邻。
包括钌的盖层46改善了隔膜40的发射率。盖层46降低了隔膜40氧化的可能性。盖层46配置成保护隔膜40免受氢气的影响。
在光刻设备100的使用期间，隔膜40可以由于吸收辐射而变热。当盖层46变热时，盖层46的材料(例如钌)可以迁移。迁移是由盖层46中的离子逐渐移动引起的材料的输送。当材料开始迁移时，材料可以在盖层46中形成岛状物。当材料开始迁移时，盖层46在减少氧化、保护免受氢气影响和改善发射率方面的效果被减小。因此，在使用光刻设备100期间，隔膜40可以开始氧化并且发射率可以降低。
通过提供抗迁移层47，减少了盖层46的迁移。钼和钛是具有相对高的熔融温度和良好的UV辐射的发射率的金属。当被加热时，钛和钼不会像钌迁移那么多。钛和钼具有与钌良好的金属与金属接触。通过提供与盖层46相邻的抗迁移层47，减少了盖层46的迁移。结果，即使当在光刻设备100的使用期间加热盖层46时，盖层46的良好属性在较高温度下也得到保持。
如图9所示，在一个实施例中，叠层包括以下顺序的层：位于隔膜40的外表面处的包括钌的盖层46，包括钼和钛中的至少一种的抗迁移层47，硅层41，包括钼和钛中的至少一种的抗迁移层47，在隔膜40的另一外表面处包括钌的盖层46。在一个实施例中，包括钌的盖层46被提供在隔膜40的两个外表面处。
图10示出了隔膜的替代实施例，在所述实施例中，抗迁移层47的使用与使用硅化合物层43的想法相结合。
如图10所示，在一个实施例中，叠层包括以下顺序的层：位于隔膜40的外表面处的包括钌的盖层46，包括钼和钛中的至少一种的抗迁移层47，硅层41，硅化合物层43和非金属层42。
在隔膜组件80的制造期间，碳化硼层可以以化学方式保护硅层41免受蚀刻过程的影响。在一个实施例中，隔膜40包括周期性结构。在一个实施例中，周期不设定为等于6.6nm或6.7nm。如果周期为或接近6.7nm，则隔膜可以充当EUV辐射的反射镜。
硅可以以金刚石立方晶体结构结晶。在一个实施例中，边框81包括硅的立方晶体。在一个实施例中，边框81具有＜100＞结晶方向。
在一个实施例中，硅层41由多晶硅或纳米晶硅形成。多晶硅或纳米晶硅具有脆性。因此，当隔膜组件80断裂时，包括由多晶硅或纳米晶硅形成的硅层41的隔膜40可破碎成许多颗粒。期望本发明的实施例实现隔膜组件80的机械性能的改进。
多晶硅和纳米晶硅各自具有用于EUV辐射的高透射率。多晶硅和纳米晶硅各自具有良好的机械强度。
然而，硅层41的隔膜不必由多晶硅或纳米晶硅形成。例如，在替代实施例中，硅层41由多晶格隔膜或氮化硅形成。
在另一替代实施例中，硅层41由单晶硅形成。在这样的实施例中，单晶硅隔膜可以通过绝缘体上硅(SOI)技术形成。用于该产品的起始材料是所谓的SOI衬底。SOI衬底是包括硅载体衬底的衬底，其中在内埋式隔离SiO2层的顶部具有薄单晶硅层。在一个实施例中，单晶硅层的厚度可以在约5nm至约5μm的范围内。在一个实施例中，在SOI衬底用于制造方法之前，硅层41存在于SOI衬底上。
在一个实施例中，硅层41包括其多种同素异形体形式中一种形式的硅，例如非晶硅，单晶硅，多晶硅或纳米晶硅。纳米晶硅是指含有某种非晶硅成分的多晶硅基质。在一个实施例中，多晶硅或纳米晶硅通过使硅层41中的非晶硅结晶来形成。例如，在一个实施例中，将硅层41添加到叠层中作为非晶硅层。当超过一定温度时，非晶硅层结晶成多晶硅层或纳米晶硅层。例如，作为非晶硅层的硅层41转变为作为多晶硅层或纳米晶硅层的硅层41。
在一个实施例中，非晶硅层在其生长期间被原位掺杂。在一个实施例中，非晶硅层在其生长之后被掺杂。通过添加p型或n型掺杂剂，硅电导率增加，这对由EUV源的功率引起的热力学性能具有积极影响。
在一个实施例中，隔膜40足够薄以使得其对EUV辐射的透射率足够高，例如大于50％。在一个实施例中，隔膜40的厚度为至多约200nm，并且可选地至多约150nm。150nm的Si隔膜将透射约77％的入射EUV辐射。在一个实施例中，隔膜40的厚度为至多约100nm。100nm的Si隔膜将透射约84％的入射EUV辐射。60nm的Si隔膜将透射约90％的入射EUV辐射。
在一个实施例中，隔膜40足够厚以使得当隔膜组件80固定到光刻设备100的图案形成装置MA时以及在光刻设备100的使用期间机械地稳定。在一个实施例中，隔膜40的厚度为至少约10nm，可选地至少约20nm，和可选地至少约35nm。在一个实施例中，隔膜40的厚度为约55nm。
在一个实施例中，隔膜组件80应用为表膜或动态气锁的一部分。替代地，隔膜组件80可以应用于诸如识别的其他滤光领域，或应用于分束器。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC中，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的术语“衬底”也可以表示已经包括多个已处理层的衬底。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，可以通过执行相同功能的非光致抗蚀剂层来替换各种光致抗蚀剂层。
上文描述旨在是示例性的而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (23)

1.一种用于EUV光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：
平面的隔膜；
边框，配置成保持所述隔膜；和
框架组件，连接到所述边框并且被配置成可释放地附接到用于EUV光刻术的图案形成装置，其中所述框架组件包括弹性构件；
其中所述框架组件在垂直于所述隔膜的平面的方向上连接到所述边框，使得在使用中所述框架组件位于所述边框和所述图案形成装置之间。
2.根据权利要求1所述的隔膜组件，其中，在所述边框和所述图案形成装置之间提供安装特征。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的隔膜组件，其中，所述框架组件包括配置成接收从所述图案形成装置突出的突起部的至少一个孔，其中，当在垂直于所述隔膜的平面的方向上观察时，所述孔至少部分地与所述边框重叠。
4.根据权利要求3所述的隔膜组件，其中，所述框架组件包括锁定机构，所述锁定机构配置成将所述框架组件锁定至所述突起部。
5.根据权利要求4所述的隔膜组件，其中，所述锁定机构包括用于每个孔的弹性构件，其中每个弹性构件延伸到所述孔中并且配置成当被收容在所述孔中的所述突起部压靠所述弹性构件时能够变形。
6.根据权利要求5所述的隔膜组件，其中，所述锁定机构包括用于每个孔的锁定构件，其中所述锁定构件配置成能够移动到锁定位置，在所述锁定位置，所述锁定构件延伸到所述孔中，使得被压缩的所述弹性构件朝向所述锁定构件施加力到被收容于所述孔中的所述突出部。
7.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：
平面的图案形成装置；
从所述图案形成装置突出的至少一个突起部；和
根据前述权利要求中任一项所述的隔膜组件，所述框架组件经由所述至少一个突起部连接到所述图案形成装置；
其中所述至少一个突起部位于所述边框和所述图案形成装置之间。
8.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：
平面的图案形成装置；
隔膜组件，包括平面的隔膜和配置成保持隔膜的边框；
从所述图案形成装置和所述边框中的一个突出的至少一个突起部，其中所述至少一个突起部位于所述边框与所述图案形成装置之间；和
连接到所述图案形成装置和所述边框中的另一个的框架组件，其中所述框架组件配置成附接到位于所述边框和所述图案形成装置之间的所述至少一个突起部。
9.一种用于EUV光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：
平面的隔膜；和
框架组件，配置成保持所述隔膜并附接到用于EUV光刻术的图案形成装置；
其中所述框架组件具有锁定状态和解锁状态，在所述锁定状态，所述框架组件被锁定到所述图案形成装置使得所述隔膜与所述图案形成装置保持相距预定距离，在所述解锁状态，所述隔膜与所述图案形成装置之间的距离小于所述预定距离。
10.根据权利要求9所述的隔膜组件，其中所述框架组件包括：
隔膜保持器，配置成保持所述隔膜；
夹紧构件；和
弹性构件，将所述隔膜保持器连接到所述夹紧构件上；
其中，所述隔膜保持器能够经由所述弹性构件的压缩在垂直于所述隔膜的平面的方向上相对于所述夹紧构件移动。
11.根据权利要求10所述的隔膜组件，其中，所述夹紧构件包括抵接表面，所述抵接表面配置成接触从所述图案形成装置突出的突起部的接合表面，其中所述接合表面背向所述图案形成装置。
12.根据权利要求10或11所述的隔膜组件，其中，所述隔膜保持器包括端部止动表面，所述端部止动表面配置成当所述框架组件处于所述锁定状态时接触从所述图案形成装置突出的突起部的锁定表面，其中所述锁定表面面向所述图案形成装置。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的隔膜组件，其中，所述弹性构件配置成将所述框架组件偏压至所述锁定状态。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的隔膜组件，其中，所述框架组件配置成使得当所述弹性构件被压缩时，所述隔膜保持器朝向所述图案形成装置移动。
15.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：
用于EUV光刻术的平面的图案形成装置；
隔膜组件，包括：
平面的隔膜；和
框架组件，配置成保持所述隔膜并附接到所述图案形成装置，其中在所述框架组件和所述图案形成装置的相对表面之间形成间隙；
其中所述框架组件包括细长挡板，所述细长挡板配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中所述细长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的相对表面。
16.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：
平面的图案形成装置；和
根据权利要求1至6和9至14中任一项所述的隔膜组件，其中，在所述框架组件和所述框架组件所附接的图案形成装置的相对表面之间形成间隙。
其中所述框架组件包括细长挡板，所述细长挡板配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中所述细长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的相对表面。
17.根据权利要求8或9所述的图案形成装置组件，其中，在所述框架组件和所述框架组件所附接的所述图案形成装置的相对表面之间形成间隙；
其中所述框架组件包括细长挡板，所述细长挡板配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中所述细长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的相对表面。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的图案形成装置组件，其中，所述框架组件包括：
至少一个另外的挡板，所述至少一个另外的挡板配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中每个另外的挡板朝向所述图案形成装置延伸。
19.一种装载设备，用于临时容纳安装在用于EUV光刻术的图案形成装置上的隔膜组件，所述装载设备包括在所述装载设备的内表面处的突起部，其中所述突起部配置成当所述装载设备容纳所述隔膜组件时朝向所述图案形成装置按压所述隔膜保持器。
20.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：
平面的图案形成装置；
根据权利要求9至14中任一项所述的隔膜组件，该隔膜组件安装在所述图案形成装置上；和
用于临时容纳所述隔膜组件的装载设备，所述装载设备包括在所述装载装置的内表面处的突起部，其中所述突起部配置成在所述装载设备容纳所述隔膜组件时朝向所述图案形成装置按压所述隔膜组件的隔膜保持器。
21.根据权利要求20所述的图案形成装置组件，其中，所述隔膜组件包括密封框架，所述密封框架围绕所述隔膜定位并且配置成控制所述隔膜和所述图案形成装置之间的容积的开口。
22.根据权利要求21所述的图案形成装置组件，其中，所述密封框架包括多个密封开口，其中当所述隔膜保持器被压向所述图案形成装置时，所述框架组件中的框架开口与所述密封开口排成一行以允许气体流通过所述密封开口和所述框架开口。
23.根据权利要求22所述的图案形成装置组件，其中，所述密封开口布置成使得当所述隔膜组件未被所述装载设备容纳时所述密封开口不与所述框架开口排成一行，使得所述隔膜保持器未被压向所述图案形成装置。
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