TWI528117B - 光譜純度濾光器 - Google Patents

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Description

光譜純度濾光器
本發明係關於一種光譜純度濾光器，及(例如)一種適用於一微影裝置及/或一微影方法中之光譜純度濾光器。
本申請案主張2010年4月27日申請且全文以引用之方式併入本文中之美國臨時申請案61/328,426的權利。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影被廣泛地認為係在IC以及其他元件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷(亦即，圖案施加)限度之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射的波長，NA為用以印刷(亦即，施加)圖案之投影系統的數值孔徑，k 1為程序相依調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經印刷(亦即，經施加)特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷(亦即，可施加)大小的縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由降低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷(亦即，可施加)特徵大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，或在5奈米至10奈米之範圍內(諸如6.7奈米或6.8奈米))之波長的電磁輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿(LPP)源、放電電漿(DPP)源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
EUV輻射可使用電漿而產生。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如適當材料(例如，錫)之粒子，或適當氣體或蒸汽(諸如Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器加以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。通常，此輻射系統被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
實務EUV源(諸如使用電漿來產生EUV輻射之EUV源)不僅會發射所要「帶內」EUV輻射，而且會發射不良「帶外」輻射。此帶外輻射最顯著地係在深紫外線(DUV)輻射範圍(100奈米至400奈米)內。此外，在一些EUV源(例如，雷射產生電漿EUV源)之情況下，來自雷射之輻射(通常在10.6微米下)呈現大量帶外輻射。
在一微影裝置中，出於若干原因而需要光譜純度。一個原因為：抗蝕劑對帶外輻射波長敏感，且因此，若將該抗蝕劑曝光至此帶外輻射，則可能會劣化施加至該抗蝕劑之圖案的影像品質。此外，帶外輻射紅外線輻射(例如，在一些雷射產生電漿源中之10.6微米輻射)可導致該微影裝置內之圖案化元件、基板及光學儀器的非想要且不必要之加熱。此加熱可導致此等器件之損害、該等器件之壽命之降級，及/或投影至一抗蝕劑塗佈基板上及施加至該抗蝕劑塗佈基板之圖案之缺陷或失真。
為了克服此等挑戰，已提議若干不同透射光譜純度濾光器，該等透射光譜純度濾光器實質上防止紅外線輻射之透射，而同時允許EUV輻射之透射。此等所提議光譜純度濾光器中之一些光譜純度濾光器包含一結構，該結構對(例如)紅外線輻射實質上不透明，而同時對EUV輻射實質上透明。此等光譜純度濾光器及其他光譜純度濾光器亦可具備一或多個孔隙。可選擇該等孔隙之大小及間隔，使得藉由該等孔隙繞射(且藉此抑制)紅外線輻射，而使EUV輻射透射通過該等孔隙。相較於不具備孔隙之一光譜純度濾光器，具備孔隙之一光譜純度濾光器可具有一較高EUV透射率。此係因為EUV輻射將能夠比其傳遞通過一給定厚度之固體材料更容易地傳遞通過一孔隙。
舉例而言，一典型光譜純度濾光器可由經塗佈有一反射金屬(諸如鉬)之一矽基礎結構(例如，具備孔隙之一矽柵格或其他部件)形成。在使用中，一典型光譜純度濾光器可能會經受來自(例如)入射紅外線輻射及EUV輻射之高熱負荷。該熱負荷可能會導致該光譜純度濾光器之溫度高於攝氏800度。已發現，包含經塗佈有鉬之矽的一典型光譜純度濾光器在高於攝氏800度的情況下具有不能令人滿意地短的壽命。此係歸因於在反射鉬塗層與下伏矽支撐結構之間的反應，該反應導致該塗層之最終分層。該矽基礎結構之分層及降級係藉由氫氣之存在而加速，在使用該光譜純度濾光器之環境中通常使用該氫氣作為一氣體，以便抑制碎片(例如，諸如粒子或其類似者之碎片)進入或離開該微影裝置之特定部分。
在一微影裝置(及/或方法)中，需要最小化用以將一圖案施加至一抗蝕劑塗佈基板之輻射的強度損耗。此情形之一個原因為：理想地，儘可能多的輻射應可用於將一圖案施加至一基板，例如，以縮減曝光時間且增加產出率。同時，需要最小化傳遞通過該微影裝置且入射於該基板上之不良(例如，帶外)輻射的量。此外，需要確保用於一微影方法或裝置中之一光譜純度濾光器具有適當壽命，且不會由於該光譜純度濾光器可被曝光至之該高熱負荷及/或該光譜純度濾光器可被曝光至之該氫氣(或其類似者)而隨著時間快速地降級。因此，需要提供一種改良型(或替代)光譜純度濾光器，及(例如)一種適用於一微影裝置及/或方法中之光譜純度濾光器。
根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含：一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體；該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；該材料本體係由在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率的一材料形成，該材料亦具有高於攝氏1000度之一熔點。
該材料可包含以下各項中之一或多者：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。
該材料可包含以下各項中之一或多者之一合金：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。該合金可包含按以下各項中之一或多者或以下各項中之一或多者之一組合之原子量計算的一多數量：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。
該材料可進一步包含用於總體上增加該材料之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。該等奈米粒子可以層之形式分佈於該材料本體內。該等奈米粒子可包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
該等孔隙延伸通過的該材料本體之一面包含或具備由實質上純Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W或其矽化物形成之一區或層。在使用中，該面經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射。
該第一輻射波長可具有在電磁光譜之紅外線區中的一波長，及/或該第一波長係在9微米至12微米之範圍內，例如，為約9.4微米或約10.6微米。
該第二輻射波長可具有實質上等於或短於具有在該電磁光譜之EUV部分中之一波長之輻射的一波長，及/或該第二波長係在5奈米至20奈米之範圍內，例如，在13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，6.6奈米至6.9奈米)之範圍內。
根據本發明之一態樣，提供一種製造一光譜純度濾光器之方法，該方法包含：在提供於一基板上之一材料本體上使用一微影及蝕刻程序，以在該材料本體中提供複數個孔隙，該等孔隙經配置以在使用中抑制具有一第一波長之輻射，且在使用中允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；自該基板釋放該材料本體，該材料本體形成該光譜純度濾光器，其中該材料本體來自在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率的一材料，該材料亦具有高於攝氏1000度之一熔點。
根據本發明之一態樣，提供一種製造一光譜純度濾光器之方法，該方法包含：形成用於收納一材料本體之一模具，該模具經塑形以在該材料本體中提供複數個孔隙，該等孔隙經配置以在使用中抑制具有一第一波長之輻射，且在使用中允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；向該模具供應該材料本體；移除該模具以留存該材料本體，該材料本體形成該光譜純度濾光器，其中該材料本體來自在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率的一材料，該材料亦具有高於攝氏1000度之一熔點。
關於本發明之方法或裝置態樣，可藉由一第二材料之複數個相對薄層將該材料本體劃分成複數個相對厚層。該第二材料之該等層可包含：B、C、Si，或該材料本體之一成份之氧化物、氮化物或碳化物；及/或奈米粒子，該等奈米粒子包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
可以藉由該材料本體之表面之一蝕刻(例如，一濺鍍蝕刻)週期性地中斷的一方式提供(例如，沈積)該材料本體。
其他態樣可能係關於一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器係使用本發明之態樣之該等方法予以製造。
根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含：一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體；該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；該材料本體係由以下各項形成：一鉬-錸合金；或一鎢-錸合金；或一鎢-鉬合金；或一鎢-鉬-錸合金。
以原子百分比計算的在該合金中錸之含量可為：對於該鉬-錸合金為0.1%至49%；對於該鎢-錸合金為0.1%至27%；對於該鎢-鉬-錸合金為0.1%至49%。
該材料本體可進一步包含用於總體上增加該材料本體之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。該等奈米粒子可包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。該等奈米粒子可以層之形式分佈於該材料本體內。
該等孔隙延伸通過的該材料本體之一面可包含或可具備由實質上純鉬或鎢形成之一區或層。在使用中，該面可經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射。
該第一輻射波長可具有在電磁光譜之紅外線區中的一波長，及/或該第一波長係在9微米至12微米之範圍內，例如，為約9.4微米或約10.6微米。
該第二輻射波長可具有實質上等於或短於具有在該電磁光譜之EUV部分中之一波長之輻射的一波長，及/或該第二波長係在5奈米至20奈米之範圍內，例如，在13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，約6.6奈米至約6.9奈米)之範圍內。
根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含：一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體；該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；該材料本體係由鉬或鎢形成，且該材料本體進一步包含用於總體上增加該材料本體之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。
該等奈米粒子可包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
該等奈米粒子可以層之形式分佈於該材料本體內。
該鉬可形成一鉬-錸合金或一鎢-鉬合金或一鎢-鉬-錸合金之部分，或該鎢可形成一鎢-錸合金或一鎢-鉬合金或一鎢-鉬-錸合金之部分。以原子百分比計算的在該各別合金中錸之含量可為：對於該鉬-錸合金為0.1%至49%；對於該鎢-錸合金為0.1%至27%；對於該鎢-鉬-錸合金為0.1%至49%。
該等孔隙延伸通過的該材料本體之一面可包含或可具備由實質上純鉬或鎢形成之一區或層。在使用中，該面可經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射。
該第一輻射波長可具有在電磁光譜之紅外線區中的一波長，及/或該第一波長係在9微米至12微米之範圍內，例如，為約9.4微米或約10.6微米。
該第二輻射波長可具有實質上等於或短於具有在該電磁光譜之EUV部分中之一波長之輻射的一波長，及/或該第二波長係在5奈米至20奈米之範圍內，例如，在13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，6.6奈米至6.9奈米)之範圍內。
根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器總成，該光譜純度濾光器總成包含：一光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體，該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；及一配置，該配置係用於在使用中增加該光譜純度濾光器之至少一部分之一溫度，該配置係與該第一輻射波長及該第二輻射波長之一源分離。
該配置可經組態以將熱提供至該光譜純度濾光器之該至少一部分以便增加該溫度，及/或其中該配置可經配置以使該光譜純度濾光器至少部分地熱絕緣以在使用中增加該溫度。
該配置可包含一或多個座架，該一或多個座架用於裝配該光譜純度濾光器且用於使該光譜純度濾光器至少部分地熱絕緣。
該配置可包含一熱源。
該熱源可為以下各項中之一或多者：一或多個電加熱器或導體，該一或多個電加熱器或導體接觸該光譜純度濾光器或形成該光譜純度濾光器之一部分；及/或一輻射源，該輻射源經配置以將輻射引導於該光譜純度濾光器處，該輻射具有藉由該光譜純度濾光器實質上吸收之一波長。
該光譜純度濾光器可包含：一面，該面在使用中經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射；及一背側，該背側位於與該面相對置的該光譜純度濾光器之一側上，且其中該熱源經組態以將熱提供至該光譜純度濾光器之該背側。
該光譜純度濾光器之該面可相對於該第一輻射波長實質上反射，且其中該背側相對於該第一輻射波長實質上吸收。
根據本發明之一態樣，提供一種用於增加一光譜純度濾光器在使用中之溫度的方法，該方法包含：使用一熱源來加熱該光譜純度濾光器之至少一部分，該熱源係與該光譜純度濾光器經設計以濾光之一輻射源分離；及/或使該光譜純度濾光器至少部分地熱隔離。
一般而言，根據本發明之任何態樣，該第一輻射波長可具有在電磁光譜之紅外線區中的一波長，及/或該第一波長係在9微米至12微米之範圍內，例如，為約9.4微米或約10.6微米。該第二輻射波長可具有實質上等於或短於具有在該電磁光譜之EUV部分中之一波長之輻射的一波長，及/或該第二波長係在5奈米至20奈米之範圍內，例如，在13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，約6.6奈米至約6.9奈米)之範圍內。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置或一種輻射源，該微影裝置或該輻射源具有本發明之任何態樣之光譜純度濾光器。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(有時被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化元件MA之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置100之設計及其他條件(諸如圖案化元件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
如同照明系統，投影系統可包括各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如真空之使用的其他因素。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)以在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由以雷射光束來輻照燃料(諸如具有所要譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)的EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器加以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等情況下，不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(通常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。
照明系統IL可包含用於調整輻射光束B之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面元件及琢面化光瞳鏡面元件。照明系統可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地(例如，在X或Y方向上)掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿(DPP)源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽產生EUV輻射，例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中產生(極熱)電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。藉由(例如)產生至少部分離子化電漿的放電而產生(極熱)電漿210。為了輻射之有效率產生，可使用為(例如)10帕斯卡之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
藉由電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用之氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中所知，在本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可被反射離開光柵光譜濾光器240以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。在傳遞通過開口221之前，輻射可傳遞通過選用之光譜純度濾光器SPF。在其他實施例中，光譜純度濾光器SPF可位於微影裝置之不同部分中(例如，在源收集器模組SO外部)。下文更詳細地描述光譜純度濾光器之實施例。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24，琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射器件28、30而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所示器件多之器件通常可存在於照明光學儀器單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之反射器件多的反射器件(例如，鏡面或其類似者)，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
如圖2所說明之收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器CO理想地結合放電產生電漿源(通常被稱作DPP源)加以使用。
或者，源收集器模組SO可為如圖3所示之LPP輻射系統之部分、包含該LPP輻射系統或形成該LPP輻射系統。參看圖3，雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之小滴或區或蒸汽的燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生的高能輻射係自電漿210發射、藉由近正入射收集器CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。在傳遞通過開口221之前，輻射可傳遞通過選用之光譜純度濾光器SPF。在其他實施例中，光譜純度濾光器SPF可位於微影裝置之不同部分中(例如，在源收集器模組SO外部)。下文更詳細地描述光譜純度濾光器之實施例。
已知的是在微影裝置中使用光譜純度濾光器以濾出輻射光束之不良(例如，帶外)波長分量。舉例而言，已知的是提供一種包含一或多個孔隙之光譜純度濾光器。選擇該等孔隙之直徑及/或在該等孔隙之間的間隔，使得該等孔隙藉由繞射或散射或其類似者來抑制一或多個不良輻射波長(亦即，具有第一波長之輻射，諸如紅外線輻射)，同時允許一或多個理想輻射波長(亦即，具有第二波長之輻射，諸如EUV輻射)傳遞通過該等孔隙。舉例而言，不良輻射可包含可能會加熱且可能會損害或變形光譜純度濾光器之紅外線輻射，而理想輻射可包含可用以將圖案施加至抗蝕劑塗佈基板之EUV或遠EUV輻射。
圖4示意性地描繪光譜純度濾光器SPF光譜純度濾光器SPF包含以平面部件32(在下文予以更詳細地論述)之形式的材料本體，其中提供圓形孔隙34之週期性陣列。選擇孔隙34之直徑36及/或在孔隙34之間的間隔38，使得在每一孔隙34之入口處及/或在每一孔隙34內實質上繞射待抑制之第一輻射波長，而使第二較短波長之輻射透射通過孔隙34。舉例而言，孔隙34之直徑36可在1微米至100微米之範圍內，以便藉由繞射來抑制具有相當波長之輻射(例如，紅外線輻射)，同時允許較短波長之輻射(例如，EUV輻射)傳遞通過孔隙34。
平面部件32可對光譜純度濾光器SPF經設計以抑制之第一輻射波長或波長範圍實質上不透明。舉例而言，平面部件32可反射或吸收第一波長，例如，在電磁光譜之紅外線範圍內的波長。平面部件32亦可對光譜純度濾光器SPF經設計以透射之一或多個第二輻射波長(例如，在電磁光譜之EUV範圍內的波長)實質上不透明。然而，光譜純度濾光器SPF亦可由對光譜純度濾光器SPF經設計以透射之一或多個第一波長實質上透明的平面部件32形成。此情形可增加光譜純度濾光器SPF相對於光譜純度濾光器SPF經設計以透射之一或多個波長的透射率。
以六邊形圖案來配置光譜純度濾光器SPF中之孔隙34。此配置係所要的，此係因為該配置給出圓形孔隙之最緊密封裝，且因此給出光譜純度濾光器SPF之最高透射率。然而，孔隙之其他配置亦係可能的，例如，可使用正方形及矩形或其他週期性或非週期性配置。舉例而言，在週期性陣列之情況下，可使用隨機圖案。孔隙(在任何配置中)可為圓形形狀，或為(例如)橢圓形、六邊形、正方形、矩形或任何其他適當形狀。
圖5以側向展開及部分截面視圖示意性地描繪圖4之光譜純度濾光器SPF。圖5進一步描繪具有第一波長之輻射40(例如，紅外線輻射)及具有第二較短波長之輻射42(例如，EUV輻射)。輻射40、42由輻射光束(例如，上文關於圖1至圖3所論述之輻射光束)構成輻射。具有第一波長之輻射40及具有第二波長之輻射42入射於光譜純度濾光器SPF上。
當朝向光譜純度濾光器SPF之孔隙34引導具有第一波長之輻射40及具有第二波長之輻射42時，具有第一波長之輻射40係藉由孔隙34繞射且被實質上抑制透射通過光譜純度濾光器SPF。僅小百分比的具有第一波長之輻射40透射(44)通過孔隙34。具有第二波長之輻射42易於傳遞通過光譜純度濾光器SPF之孔隙34。此係因為具有第二波長之輻射42未藉由孔隙34實質上繞射及抑制。
當朝向形成光譜純度濾光器SPF的平面部件32之固體部分引導具有第一波長之輻射40及具有第二波長之輻射42時，具有第一波長之輻射40係藉由平面部件32之固體部分反射或吸收，且藉此被抑制透射通過光譜純度濾光器SPF。此係因為平面部件32相對於具有第一波長之輻射40不透射。具有第二波長之輻射42實質上透射(46)通過光譜純度濾光器SPF之平面部件32之固體部分。此係因為平面部件32相對於具有第一波長之輻射40實質上透射。
圖5展示出，僅少量的具有第一波長之輻射40能夠傳遞通過(44)光譜純度濾光器SPF，而相反地，顯著較大部分的具有第二波長之輻射42能夠傳遞通過(42、46)該光譜純度濾光器。
圖6為典型光譜純度濾光器SPF的側向展開及部分截面視圖(未根據本發明之一實施例)。舉例而言，所描繪之光譜純度濾光器SPF可為關於圖4及圖5所描述之光譜純度濾光器SPF的更詳細表示。
光譜純度濾光器SPF包含矽基礎結構50。該矽基礎結構包含(例如，在先前處理步驟中予以提供)複數個孔隙42，複數個孔隙42經組態(如上文所論述)以(例如)藉由繞射或其類似者來抑制具有特定波長之輻射。因為可易於在微影程序或其類似者中對矽起作用，所以選擇矽作為基礎材料。矽基礎結構50(其可被稱作矽柵格或矽光柵或其類似者)具備鉬塗層54。提供鉬塗層54以反射入射於光譜純度濾光器SPF上之紅外線輻射，且因此總體上縮減光譜純度濾光器SPF上之熱負荷及光譜純度濾光器SPF之溫度。在該圖中，鉬塗層54被展示為位於矽支撐結構50之單一面上，例如，將面向入射輻射之面。在其他實施例中，鉬塗層可塗佈矽基礎結構之更多區或面。
在光譜純度濾光器SPF之使用期間，甚至在存在反射鉬塗層54的情況下，光譜純度濾光器SPF仍可能會經受高熱負荷(例如，超過攝氏800度)且持續延長時段。已發現，此光譜純度濾光器SPF在高於攝氏800度的情況下具有不適當且不充分之壽命。此係歸因於在反射鉬塗層54與下伏矽基礎結構50之間的反應，該反應導致鉬塗層54之最終分層。通常，在存在氫氣之情況下使用光譜純度濾光器。此係因為通常使用氫氣作為碎片抑制劑，例如，以抑制在微影裝置之不同部分之間的碎片傳遞，或防止碎片入射於光譜純度濾光器上。然而，在存在氫氣之情況下，已發現，矽基礎結構50之分層加速，且因此，矽基礎結構50之降級加速，從而進一步縮減光譜純度濾光器SPF之壽命。
需要提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器對在該濾光器之典型使用期間及(例如)在存在氫氣之情況下此濾光器可能會經受的溫度更具回彈性。
根據本發明之一實施例，已發現對上文所論述之挑戰的材料解決方案。根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體。如同典型現有光譜純度濾光器，該等孔隙經配置以抑制具有第一波長之輻射(例如，藉由繞射或其類似者)且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。舉例而言，第一輻射波長可為或包含紅外線輻射，例如，具有9微米至12微米(例如，約9.4微米或約10.6微米)之波長的輻射。舉例而言，第二輻射波長可為具有在電磁光譜之EUV部分中之波長的輻射，例如，具有在5奈米至20奈米(例如，13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，6.6奈米至6.9奈米))之範圍內之波長的輻射。材料本體可由鉬-錸合金或鎢-錸合金或鎢-鉬-錸合金形成。此等合金更易延展且具有高於純鉬或純鎢之再結晶溫度的再結晶溫度，此情形意謂：由此等合金形成之光譜純度濾光器更耐用且具有長於如上文所論述之典型光譜純度濾光器之壽命的壽命。替代合金可能為鎢-鉬合金，該合金之表現仍優於已知金屬塗佈且以矽為基礎之光譜純度濾光器之表現。此外，知道此等合金不與氫氣反應，從而允許由此等合金形成之光譜純度濾光器在具有極小的或沒有由氫氣之存在導致之降級危險的情況下用於富含氫氣之氛圍中。
根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體。如同本發明之前述態樣，該等孔隙經配置以抑制具有第一波長之輻射(例如，藉由繞射或其類似者)且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。舉例而言，第一輻射波長可為或包含紅外線輻射，例如，具有9微米至12微米(例如，約9.4微米或約10.6微米)之波長的輻射。舉例而言，第二輻射波長可為具有在電磁光譜之EUV部分中之波長的輻射，例如，具有在5奈米至20奈米(例如，13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，6.6奈米至6.9奈米))之範圍內之波長的輻射。在本發明之此態樣中，材料本體係由鉬或鎢形成。此外，材料本體進一步包含用於總體上增加形成光譜純度濾光器之材料本體之再結晶溫度的複數個奈米粒子。藉由增加再結晶溫度，總體上，材料本體對在高溫下之延長使用更具回彈性，且因此，光譜純度濾光器對在高溫下之延長使用更具回彈性。再次，鉬或鎢之使用導致材料本體，且因此導致光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器不與氫氣反應，且此情形允許該光譜純度濾光器用於富含氫氣之環境中。
在本發明之兩個上述態樣中，光譜純度濾光器之孔隙被描述為經配置以抑制具有第一波長之輻射且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。本文中將不詳細地論述此等配置之典型實例，此係因為在此項技術中知道此等配置且此等配置不為本發明之主題。下文(例如)關於圖7至圖10更詳細地描述形成光譜純度濾光器之材料。在圖7至圖10中，尚未按任何特定標度來繪製該等圖，且僅藉由實例來給出該等圖。
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例之光譜純度濾光器SPF1的側向展開及部分截面視圖。光譜純度濾光器SPF1包含材料本體60(或係由材料本體60形成)，複數個孔隙62延伸通過材料本體60。可使用鑽孔或其類似者或以任何其他方式來提供該等孔隙。孔隙62經配置以抑制具有第一波長之輻射(例如，藉由繞射或其類似者)且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過孔隙62。材料本體60可由鉬-錸合金形成。在另一實例中，材料本體可包含鎢-錸合金或鎢-鉬-錸或由鎢-錸合金或鎢-鉬-錸形成。任一合金均更易延展且具有高於純鉬或純鎢之再結晶溫度的再結晶溫度，且可在高於典型(現有)以矽及鉬為基礎之光譜純度濾光器之溫度的溫度下起作用持續更長時段。在又一實例中，材料本體可包含鎢-鉬合金或由鎢-鉬合金形成，該合金亦可在高於典型(現有)以矽及鉬為基礎之光譜純度濾光器之溫度的溫度下起作用持續更長時段。
若材料本體60係由鉬-錸合金形成，則以原子百分比計算的在該合金中錸之含量可為0.1%至49%。若材料本體係由鎢-錸合金形成，則以原子百分比計算的在該合金中錸之含量可為0.1%至27%。若材料本體60係由鎢-鉬-錸合金形成，則以原子百分比計算的在該合金中錸之含量可為0.1%至49%。
圖8示意性地描繪光譜純度濾光器SPF2之另一實施例。鉬-錸合金或鎢-錸合金或鎢-鉬-錸合金、鎢-鉬合金形成材料本體60。光譜純度濾光器SPF2包含如先前所論述之孔隙62，孔隙62用於抑制具有第一波長之輻射且用於透射具有第二較短波長之輻射。光譜純度濾光器SPF2之此實施例與圖7之光譜純度濾光器之間的差異在於：在光譜純度濾光器SPF2中，材料本體60進一步具備用於總體上增加材料本體60之再結晶溫度且因此改良光譜純度濾光器SPF2之溫度回彈性的複數個奈米粒子64。該等奈米粒子可包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO、HfC。在一實施例中，奈米粒子64可以一或多個層之形式分佈於材料本體60中。舉例而言，在光譜純度濾光器SPF2之形成中，可沈積適量合金，接著沈積奈米粒子層，接著沈積適量合金，等等，直到形成材料本體及光譜純度濾光器為止。以層之形式提供奈米粒子可比一替代分佈(例如，其中奈米粒子均一地分佈於整個材料本體之中)更易於實施。
在光譜純度濾光器(圖中未繪示)之其他實施例中，可在材料本體中提供奈米粒子(例如，以一或多個層之形式)，材料本體包含實質上純鎢或純鉬或鎢與鉬之合金(亦即，不存在錸)。錸之缺少可意謂：總體上，材料本體及光譜純度濾光器不如包含鉬-錸合金或鎢-錸合金之光譜純度濾光器一樣易延展。然而，奈米粒子之存在將仍增加光譜純度濾光器之再結晶溫度。相較於如上文所論述之典型以矽及鉬為基礎之光譜純度濾光器，藉由增加再結晶溫度，總體上，材料本體可對在高溫下之延長使用更具回彈性，且因此，光譜純度濾光器可對在高溫下之延長使用更具回彈性。
光譜純度濾光器之功能係實質上抑制具有第一波長之輻射(例如，紅外線輻射)且允許(通過孔隙或通過形成光譜純度濾光器之材料本體)透射或傳遞具有第二較短波長之輻射。具有第一波長之輻射的抑制可經由輻射在孔隙之開口處及在孔隙內之繞射及/或根據該輻射自光譜純度濾光器自身之反射而進行。舉例而言，知道純鎢及鉬具有相對於紅外線輻射(例如，10.6微米輻射)之特定反射率。然而，知道鎢-錸合金及鉬-錸合金具有低於純鉬或鎢之反射率的反射率。需要能夠提供一種光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器對在高溫下之延長使用具回彈性，但不會遭受該光譜純度濾光器經設計以抑制及/或反射之輻射之反射率縮減(或實質縮減)。圖9展示可如何達到導致滿足此等要求之平衡。
圖9示意性地描繪根據本發明之第三實施例的光譜純度濾光器SPF3。光譜純度濾光器SPF3在許多方面類似於圖7所示且參看圖7所描述之光譜純度濾光器。返回參看圖9，光譜純度濾光器SPF3包含材料本體60，複數個孔隙延伸通過材料本體60。再次，孔隙62經配置以抑制具有第一波長之輻射且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。材料本體60係由鉬-錸合金或鎢-錸合金或鎢-鉬-錸合金形成。如上文所論述，相較於純鎢或純鉬，此等合金具有相對於(例如)在10.6微米下之紅外線輻射之縮減反射率。
為了克服此挑戰，孔隙62延伸通過的材料本體60之面包含或具備由實質上純鉬或鎢66或鉬與鎢之合金形成的區或層。在其他實施例中，分離層可能不提供於材料本體之面上。舉例而言，材料本體可經形成為使得材料本體包含用於本體之部分的合金，且接著，在接近及包括材料本體之面的區中，材料本體之處理或製造可使得材料不再為合金，而為純鉬或鎢，或不含有錸的鉬與鎢之合金。
在使用中，具備實質上純鉬或鎢或其合金層(或包含實質上純鉬或鎢或其合金區)之面將面向包含第一輻射波長及/或第二輻射波長之入射輻射，以便(例如)反射第一輻射波長。
圖9僅係藉由實例予以展示。舉例而言，在另一實施例(圖中未繪示)中，此純鉬或鎢層或區可提供於材料本體之面上或構成材料本體之面，材料本體之面包含實質上純鉬或鎢或其合金(亦即，不為含有錸之合金)，但具有附加奈米粒子。在另一實施例(圖中未繪示)中，此純鉬或鎢(或其合金)層或區可提供於材料本體之面上或構成材料本體之面，材料本體之面係由具有附加奈米粒子之鉬-錸合金或具有奈米粒子之鎢-錸合金或具有奈米粒子之鎢-鉬-錸合金(如上文所論述)形成。
圖9所示且參看圖9所描述之反射層或區有時被稱作罩蓋區或層。
圖10為展示例示性光譜純度濾光器之分數反射率R隨每一光譜純度濾光器之厚度T而變的曲線圖。反射率係在10.6微米下予以量測。
第一系列70(藉由實線表示)表示由包含鎢-錸合金且在面上無純鎢反射層或區(亦即，無罩蓋層)之材料本體形成之光譜純度濾光器的反射率。
第二系列72(藉由虛線指示)表示由包含鎢-錸合金且另外在面上具備純鎢層或區(其為100奈米厚)之材料本體形成之光譜純度濾光器的反射率。可看出，相較於不存在此純鎢反射層(亦即，如在第一系列70中所見)之情形，反射率已增加。
為了示範趨勢，第三系列74(藉由點/虛線指示)表示由純鎢(亦即，不存在錸，且不存在罩蓋層)形成之光譜純度濾光器的反射率。可看出，反射率已增加。然而，在此最後實例(其中光譜純度濾光器係由純鎢形成)中，光譜純度濾光器將不如上文在本發明之實施例中所描述之光譜純度濾光器一樣具熱回彈性。
至此已關於諸如鉬-錸合金或鎢-錸合金或鎢-鉬合金或鎢-鉬-錸合金或來自含鎢及/或鉬奈米粒子之材料的使用而描述本發明之實施例。可出於許多原因中之一或多者而需要此等材料，例如，以下各項中之一或多者：該等材料之相對高熔點(見(例如)下文之表1)；對此等材料在製造方法中之使用(但出於其他目的)的現有認識；對此等材料在(其他)高溫應用中之屬性及行為的現有認識。然而，本發明之實施例不限於此等材料之使用(亦即，可使用其他(例如，耐火)材料，此將在下文予以更詳細地描述)。
根據本發明之一更通用態樣，提供一種如上文所描述予以實質上組態之光譜純度濾光器，複數個孔隙延伸通過該光譜純度濾光器。如同典型現有光譜純度濾光器，孔隙經配置以抑制具有第一波長之輻射(例如，藉由輻射之繞射)且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。舉例而言，第一輻射波長可為或包含紅外線輻射，例如，具有9微米至12微米(例如，約9.4微米或約10.6微米)之波長的輻射。舉例而言，第二輻射波長可為具有在電磁光譜之EUV部分中之波長的輻射，例如，具有在5奈米至20奈米(例如，13奈米至14奈米或6奈米至7奈米(例如，6.6奈米至6.9奈米))之範圍內之波長的輻射。概括言之，形成光譜純度濾光器之材料本體可被描述為具有在第一輻射波長下實質上大於或等於70%或在第一輻射波長下大於或等於90%(且在第一輻射波長下小於或等於100%)之整體反射率的材料。「整體反射率」可被定義為具有實質上大於輻射波長之厚度之實質上完全平滑連續層的正入射反射率。此外，該材料亦具有高於攝氏1,000度或高於攝氏1,400度之熔點。不存在對熔點之所要上限，此係因為儘可能地高之熔點可為所要的。對熔點之任意限度可被描述為(例如)攝氏10,000度。或者，攝氏3,500度之熔點上限可連同攝氏1,400度之下限界定涵蓋適當材料(下文所描述)之範圍。具有此等屬性之材料特別可用作光譜純度濾光器，且尤其可用作EUV微影裝置中之光譜純度濾光器，其中溫度可接近攝氏1,000度或更高，且其中需要反射或抑制儘可能地多的紅外線輻射，例如，可被產生或用於EUV輻射或其類似者之產生中的10.6微米輻射。
有點令人驚訝的是，儘管具有上述反射率及溫度屬性之材料已用作光譜純度濾光器之塗層，但不存在對由此材料形成光譜純度濾光器之本體(亦即，光譜純度濾光器之多數)的揭示、提議或教示。然而，由此材料本體形成光譜純度濾光器具有優點，例如，當將此等材料用作塗層時可能會遭遇之較少分層或無分層。
滿足上述準則之適當材料可為(例如)以下各項中之一或多者或其組合：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W。該等材料可予以單獨地或組合地使用，或可形成合金。可能需要合金以達成特定材料屬性，例如，增加所得材料本體或其類似者之延展性。若使用此等材料來形成合金，則可使用其他材料(未列出)。理想地，此等其他材料形成按合金之原子量計算的少數部分，使得藉由上述材料形成之多數部分支配材料之結構屬性(例如，耐溫性或溫度回彈性，或反射率及其類似者)。
上述材料均具有超過攝氏1,400度之熔點，及超過90%的在10.6微米(及通常與EUV輻射之產生相關聯的紅外線波長，如上文所論述)下之整體反射率。下文之表1給出此等材料中之每一者之熔點及在10.6微米下之整體反射率的精確值：
可自表1中之值導出用以形成光譜純度濾光器之本體之材料之熔點的適當範圍。熔點範圍可為(例如)攝氏1453度至攝氏3422度(攝氏1453度及攝氏3422度係包括在內)。或者或另外，可自表1中之值導出在第一輻射波長下(例如，在10微米下)材料之整體反射率的適當範圍。在第一輻射波長下(例如，在10微米下)材料之整體反射率可在(例如)93.95%至98.81%之範圍內(93.95%及98.81%係包括在內)。
可能需要僅使用上文所描述之材料之子集，亦即，以下各項之子集：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W。舉例而言，該子集中之材料中的一些材料可具有針對氧化物之過高親和力，或過高蒸汽壓力，或其類似者。未展現此等缺點之理想子集可為(例如)Mo、W、Ta、Re、Ir、Nb及Ru。可自表1中之值導出用以形成光譜純度濾光器之本體之理想材料之子集之熔點的適當範圍。熔點範圍可(例如)大於或等於攝氏2250度，例如，在攝氏2250度至攝氏3422度之範圍內(攝氏2250度及攝氏3422度係包括在內)。或者或另外，可自表1中之值導出在第一輻射波長下(例如，在10微米下)材料之整體反射率的適當範圍。在第一輻射波長下(例如，在10微米下)材料之整體反射率可在(例如)97.18%至98.81%之範圍內(97.18%及98.81%係包括在內)。
可藉由添加已經關於更特定鉬及/或鎢實施例(及/或其合金)所描述之另外特徵來進一步界定(及/或限制)上文所提供的本發明之更通用描述。舉例而言，除了上文所給出之更通用界定以外，用以形成光譜純度濾光器之本體的該或該等材料可進一步包含用於總體上增加該材料(且因此增加該光譜純度濾光器)之再結晶溫度的複數個奈米粒子。舉例而言，該等奈米粒子可包含以下各項中之一或多者：HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。該等奈米粒子可以層之形式分佈於該材料本體內。以層之形式提供奈米粒子可比一替代分佈(例如，其中奈米粒子均一地分佈於整個材料本體之中)更易於實施。
如上文已關於鉬及鎢實施例所論述，一或多種材料之合金可導致反射率(例如，在10.6微米下)低於以純、獨立形式之材料的反射率。因此，對於更通用實施例，孔隙延伸通過的材料本體之面可包含或具備由實質上純Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W形成之區或層。可將該區或該層添加至現有材料本體，或可將該區或該層與該材料本體整體地形成。舉例而言，在一實施例中，材料本體之大部分可由材料之組合之合金形成，且藉由適當處理，面可僅由純材料整體地形成(例如，成長或沈積)。面之整體形成可導致較穩固構造。面將在使用中面向包含第一輻射波長及/或第二輻射波長之入射輻射，以確保適當地抑制(例如，藉由反射)第一輻射波長。
在上文所描述之更通用實施例中之任一者中，材料Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W之一或多種矽化物可代替或結合以純形式之該等材料予以使用。相較於以純形式之材料，該等材料之矽化物可具有針對第一輻射波長(例如，諸如10.6微米之紅外線波長)之較低整體反射率(例如，大於或等於70%)。相較於以純形式之材料，該等材料之矽化物可具有較低熔點，例如，攝氏1000度或更大、攝氏1100度或更大、攝氏1200度或更大，或攝氏1300度或更大，或攝氏1400度或更大。然而，同時，此等矽化物可具有較穩定再結晶溫度，及/或改良型抗氫性，此情形可有用於光譜純度濾光器重複地曝光至高溫之環境或充氫環境中。
在一些實施例中，光譜純度濾光器上之熱負荷將係使得再結晶仍可能普遍(可能即使已根據本發明之特徵而增加再結晶溫度)。一問題係如何抑制光譜純度濾光器中之再結晶或光譜純度濾光器之再結晶。
供製造光譜純度濾光器之經沈積(例如，金屬)層(亦即，材料本體)通常由於沈積程序(例如，濺鍍沈積程序)而具有柱狀顆粒微結構。此情形意謂：層主要地由具有顯著地大於側向大小之垂直大小的顆粒組成，該等顆粒以柱狀方式自經沈積層之底部延伸至其頂部。
大多數再結晶抑制機制依賴顆粒邊界之牽制(例如，經由溶質或雜質之偏析，或經由第二相粒子之沈澱)。具有柱狀顆粒微結構之光譜純度濾光器不最佳地適於此等抑制機制。此係因為顆粒及光譜純度濾光器壁(亦即，該等壁界定孔隙)兩者均具有高縱橫比形狀，該高縱橫比形狀具有垂直於層表面之長軸。結果，光譜純度濾光器結構之顆粒邊界含量相對低，且不令人滿意地抑制再結晶。
根據本發明，用以形成光譜純度濾光器之材料本體具有顆粒結構：顆粒結構實質上等軸(亦即，具有縱橫比為大約1之顆粒)；及/或在顆粒結構中，平均顆粒大小小於界定孔隙之壁的寬度，或小於在兩個鄰近孔隙之間的最短距離；及/或在顆粒結構中，平均顆粒大小或直徑小於500奈米或小於200奈米。在相同側向顆粒大小下，相較於具有柱狀顆粒微結構之光譜純度濾光器，具有等軸顆粒結構之光譜純度濾光器將含有實質上較高分數的顆粒邊界。因此，根據本發明之光譜純度濾光器將更具抗再結晶性。
圖11a展示使用濺鍍沈積而沈積於基板82上之金屬層80(亦即，材料本體)。存在柱狀顆粒微結構84。
圖11b展示已形成於圖11a之層中的光譜純度濾光器SPF4。參看圖11b，已藉由在圖11a之層中形成孔隙86而形成光譜純度濾光器SPF4。孔隙壁88保留，孔隙壁88對應於在已提供孔隙86之後保留的材料。孔隙壁88具有寬度90，寬度90亦可為在孔隙86之間的最短距離。歸因於經形成有孔隙86之層的柱狀顆粒結構，壁88僅含有極少顆粒邊界92。結果，不令人滿意地抑制再結晶。
根據本發明之一態樣，層可經沈積成使得顆粒具有大約1之縱橫比(亦即，等軸)。圖12a展示已提供於基板102上之金屬層100(亦即，材料本體)。金屬層100被展示為具有實質上等軸顆粒結構104。
圖12b展示已形成於圖12a之層中的光譜純度濾光器SPF5。參看圖12b，已藉由在圖12a之層中形成孔隙106而形成光譜純度濾光器SPF5。孔隙壁108保留，孔隙壁108對應於在已提供孔隙106之後保留的材料。孔隙壁108具有寬度110，寬度110亦可為在孔隙106之間的最短距離。歸因於經形成有孔隙106之層的等軸顆粒結構，壁108含有顯著地多於圖11b之光譜純度濾光器之顆粒邊界的顆粒邊界112。結果，更令人滿意地抑制再結晶。
在一較佳實施例中，平均顆粒大小小於光譜純度濾光器之壁的寬度，因此確保或至少促進在壁中形成顆粒邊界。舉例而言，平均顆粒大小(例如，直徑)可小於500奈米，或更佳地小於200奈米。
在一些實施例中，可能較佳的是促進或促使形成較等軸顆粒結構，或防止形成較柱狀結構。圖13展示具有總厚度135奈米之總厚度的W-Ti/B多層120之實例。該多層已提供於基板122上。藉由重複地沈積相對薄B層126(例如，具有~0.1奈米之厚度)而防止多層120之W-Ti 124形成柱狀顆粒結構。藉由較少地添加僅~5% B來達成具有大約幾奈米之顆粒大小之極精細的實質上等軸顆粒結構。
可藉由週期性地中斷一(例如，濺鍍)沈積程序以便重設優先晶體定向且開始下一沈積循環而無先前循環之歷史效應來達成在主要材料本體中沈積或促進等軸顆粒結構。舉例而言，此情形可藉由相對於形成主要材料本體之材料層的先前及/或後續沈積來沈積第二材料之薄層而實現，亦即，藉由第二材料之複數個相對薄層將材料本體劃分成複數個相對厚層。在任何實施例中，具有等軸顆粒結構之材料層(亦即，本體)可由上文關於其他實施例所論述之材料中之任一者或該等材料之組合形成。關於此特定方法，第二材料可為(例如)B、C、Si，或金屬層之成份中之一者之氧化物、氮化物或碳化物。第二材料亦可為前述奈米粒子(Al2O3，等等)中之一者。奈米粒子之使用的優點在於：奈米粒子可能已經通過金屬層而均質地分佈(若已使用此等奈米粒子，如上文更詳細地所描述)。或者，可藉由週期性地進行濺鍍蝕刻來重設晶體定向，該濺鍍蝕刻干擾表面之結晶，且因此允許沈積具有無關晶體定向之新層。
在使用中，入射於光譜純度濾光器上之輻射的非均一性或快速波動可導致光譜純度濾光器上之熱負荷的非均一波動分佈。藉由傳導及對流之熱轉移受到限制，且熱負荷之非均一波動分佈引起光譜純度濾光器之大溫度變化。歸因於熱膨脹，此等溫度變化導致機械應力，該機械應力可導致光譜純度濾光器之彎曲或故障。舉例而言，已發現，光譜純度濾光器之快速冷卻或脈衝式照明可快速地導致對該濾光器之損害。然而，藉由相同但恆定最大功率照明之光譜純度濾光器會無損害地繼續存在長得多的時間。因此，一問題係如何縮減光譜純度濾光器溫度之非均一性及改變率。
根據本發明，可至少部分地克服上述問題。根據本發明之一態樣，提供一種光譜純度濾光器總成，該光譜純度濾光器總成包含：一光譜純度濾光器，該光譜純度濾光器包含一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體，該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長。該總成進一步包含一配置，該配置係用於在使用中增加該光譜純度濾光器之至少一部分之一溫度，該配置係與該第一輻射波長及該第二輻射波長之一源分離。在使用期間增加該光譜純度濾光器之至少一部分之該溫度會改良該溫度之均一性及/或穩定性。
現廣泛地描述本發明之通用較佳或替代特徵。
該配置可經組態以將熱提供至該光譜純度濾光器之該至少一部分以便增加該溫度，及/或其中該配置可經配置以使該光譜純度濾光器至少部分地熱絕緣以在使用中增加該溫度。
該配置可包含一或多個座架(例如，陶瓷座架)，該一或多個座架用於裝配該光譜純度濾光器且用於使該光譜純度濾光器至少部分地熱絕緣(例如，與周圍結構或其類似者至少部分地熱絕緣)。
該配置可包含一熱源。該熱源可為以下各項中之一或多者：一或多個電加熱器或導體，該一或多個電加熱器或導體接觸該光譜純度濾光器或形成該光譜純度濾光器之一部分；及/或一輻射源，該輻射源經配置以將輻射引導於該光譜純度濾光器處，該輻射具有藉由該光譜純度濾光器實質上吸收之一波長。
該光譜純度濾光器可包含：一面，該面在使用中經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射；及一背側，該背側位於與該面相對置的該光譜純度濾光器之一側上，且其中該熱源經組態以將熱提供至該光譜純度濾光器之該背側。
該光譜純度濾光器之該面可相對於該第一輻射波長實質上反射，且其中該背側相對於該第一輻射波長實質上吸收。
根據本發明之一態樣，提供一種用於增加一光譜純度濾光器在使用中之溫度的方法，該方法包含：使用一熱源來加熱該光譜純度濾光器之至少一部分，該熱源係與該光譜純度濾光器經設計以濾光之一輻射源分離；及/或使該光譜純度濾光器至少部分地熱隔離。
現描述本發明之更特定實例及特徵。
圖14展示透射光譜純度濾光器SPF6。光譜純度濾光器SPF6可為(例如)上文關於本發明之其他態樣及實施例所論述的薄箔片或柵格光譜純度濾光器。光譜純度濾光器SPF6可安裝於如該圖所示之輻射光束之焦點IF附近。輻射光束不僅包含EUV輻射130，而且包含帶外(例如，紅外線)輻射132，其部分係藉由光譜純度濾光器SPF6實質上吸收(及/或，在一些實施例中，藉由光譜純度濾光器SPF6之面134反射)。一目標係縮減歸因於紅外線(或其他帶外)輻射132之吸收的光譜純度濾光器SPF6之加熱中之波動及非均一性。
在此實施例中，提供一或多個熱源總成136。每一熱源總成136包含輻射源138(例如，雷射或熱燈絲)，及(例如)用於將藉由輻射源138產生之輻射142(例如，可控制地)引導至光譜純度濾光器SPF6之一或多個特定區域或區上的光學儀器或其類似者140。輻射源138較佳地發射在藉由光譜純度濾光器SPF6實質上吸收之波長下的輻射。輻射源可定位於光譜純度濾光器SPF6上游或下游。
在一實施例中，光譜純度濾光器SPF6之前側144(亦即，面對待濾光之輻射的側)相對於紅外線輻射實質上反射，而背側146相對於紅外線輻射吸收(且因此，亦發射紅外線輻射)。在此幾何形狀中，較佳地，自吸收背側146提供用以改良溫度均一性之額外輻射142，此係因為此情形需要較少功率來達成。此光譜純度濾光器SPF6可為(例如)金屬塗佈Si柵格。金屬塗佈前側或面144之反射率將高於Si背側146之反射率。
一替代或額外實施例(圖中未繪示)使用電加熱。在此實施例中，橫越光譜純度濾光器(之部分)或位於光譜純度濾光器上之導體施加電壓，以便藉由電阻加熱來加熱光譜純度濾光器SPF6。
一替代或額外實施例(圖中未繪示)：光譜純度濾光器經裝配成使得(例如)藉由使用陶瓷座架而使光譜純度濾光器與其環境實質上熱絕緣。此情形相較於(例如)金屬(及因此，傳導)支撐結構將增加光譜純度濾光器之溫度。
在一實施例中，額外熱負荷(來自額外輻射源或電加熱或其類似者)可實質上均一。儘管此情形不縮減光譜純度濾光器SPF6上之總熱負荷的非均一性，但可使溫度顯著地更均一。舉例而言，考慮經受在一位置處之最小值P min=1 W/cm2至另一位置處之最大值P max=4 W/cm2之範圍內之非均一熱負荷(亦即，吸收功率)的光譜純度濾光器假定對於所有相關波長為0.5之光譜發射率，則此情形分別導致T min=1090 K及T max=771 K之平衡溫度。因此，橫越光譜純度濾光器之溫差為319 K。當添加4 W/cm2之均一功率負荷時，總熱負荷改變成P min'=5 W/cm2、P max'=8 W/cm2。對應平衡溫度為T min'=1296 K及T max'=1152 K，且溫差為144 K。因此，儘管最大溫度增加達約200 K，但橫越濾光器之溫度非均一性降低達175 K。
在另一實施例中，藉由熱源提供之額外熱負荷可具有與藉由待藉由光譜純度濾光器濾光之輻射提供之熱負荷(亦即，原始熱負荷)之分佈至少部分地互補的分佈。舉例而言，來自EUV源/收集器模組之輻射光束中的熱負荷在光束之中心(圍繞光軸)中通常最高，且在光束之橫截面之周邊附近較低。在此情況下，較佳的是，提供至光譜純度濾光器之額外熱負荷具有環形分佈，亦即，在中心中低且在光譜純度濾光器之外部處高。舉例而言，可使用圓形燈絲來實現此分佈，該圓形燈絲經適當地屏蔽成使得藉由該燈絲所產生之輻射來僅照明光譜純度濾光器之外環。藉由包括互補熱負荷，可使總熱負荷更均一且藉此使平衡溫度更均一，而不增加光譜純度濾光器之最大溫度。
為了限制功率消耗，且亦限制不同於光譜純度濾光器的微影裝置(或使用光譜純度濾光器總成之其他裝置)之其他部分上的熱負荷，額外輻射源可裝備有反射或透射收集及投影光學儀器(或包含反射或透射收集及投影光學儀器，或結合反射或透射收集及投影光學儀器予以使用)，使得藉由此等輻射源產生之顯著分數的功率傳送至光譜純度濾光器(而不傳送至外界)。此投影光學儀器中之圓形及環狀孔隙或輻射光束之傳播方向之主動控制可用以調諧傳送至光譜純度濾光器之功率的空間強度剖面。
在一另外實施例中，額外熱負荷可在時間上實質上恆定。類似於均一熱分佈，此情形將導致較高平均溫度，但亦將導致溫度波動之較小振幅。
在又一實施例中，可以與原始熱負荷之波動(例如，歸因於負責該原始熱負荷之輻射源之脈衝式或叢發操作)至少部分地互補的方式在時間上變化額外熱負荷。藉由當輻射源「關閉」時使用大額外加熱功率且當輻射源「開啟」時使用小額外加熱功率，可縮減加熱率及冷卻率。
如上文所論述，當前正考慮全金屬柵格光譜純度濾光器。該光譜純度濾光器可單獨地或主要地由鎢製成。此材料具有其可耐受極高溫度之優點。然而，在低溫下，鎢係脆性的且可易於破裂。在較高溫度下，鎢變得易延展。因此，本發明之另一實施例係使用額外加熱以將光譜純度濾光器之溫度維持為高於脆性至易延展轉變溫度(對於鎢為攝氏200度至攝氏500度)。當然，相同原理通常適用於其他材料，諸如上文所論述之該等耐火材料。
在微影裝置中，光譜純度濾光器可用於任何便利部位處，但通常位於源側處或中間焦點之照明器側處。當將光譜純度濾光器置放於源側上時，其很可能變得受到用於源中以產生EUV輻射之Sn污染。大量Sn污染物將降低SPF之EUV透射且因此係不良的。因此，本發明之另一實施例係使用額外加熱以維持足夠高溫度以自濾光器解吸(例如，蒸發)Sn且維持足夠EUV透射。Sn之蒸發率強烈地取決於溫度，例如：在攝氏700度下，蒸發率為0.03奈米/分鐘；在攝氏800度下，蒸發率為0.8奈米/分鐘；在攝氏900度下，蒸發率為13.7奈米/分鐘；在攝氏1000度下，蒸發率為147奈米/分鐘；在攝氏1100度下，蒸發率為1.1微米/分鐘；及在攝氏1200度下，蒸發率為6.5微米/分鐘。
在一另外實施例中，當心使在光譜純度濾光器之外部邊緣或框架處之溫度不會上升至高於臨界位準。舉例而言，在邊緣處具有矽框架之鎢柵格光譜純度濾光器的情況下，邊緣處之溫度應保持足夠低以避免在鎢柵格與矽基板之間的矽化反應(估計限度~攝氏700度至攝氏800度)。
額外輻射源可置放於微影裝置(或其模組)或輻射源之真空系統內部，或此真空系統外部。若位於外部，則輻射功率將需要透射通過此真空系統中之窗口或其類似者。應選擇波長及窗口材料，使得藉由窗口實質上透射功率。
據預期，光譜純度濾光器上之溫度變化或光譜純度濾光器之溫度變化在時間上將不恆定。在起動或停機時或當改變主源(亦即，其用以產生EUV輻射)之功率設定時將存在瞬變效應。此外，光譜純度濾光器之光學屬性可隨著其壽命而改變。在一實例中，在一或多個波長下之反射率可降低，而吸收率可增加。因此，需要具有光譜純度濾光器之額外加熱的監視及控制系統以及自動調整。作為輸入參數，此監視系統可量測(例如)以下各項中之一或多者：主源之功率位準；光譜純度濾光器上之入射輻射的功率(總功率、EUV功率或紅外線功率)；光譜純度濾光器之平均溫度；在中心或周邊處之光譜純度濾光器溫度，或在中心與周邊之間的溫差；藉由額外加熱源傳送之功率；光譜純度濾光器上之Sn的量；光譜純度濾光器之EUV透射的量。舉例而言，可經由光譜純度濾光器之電阻率、熱電偶或經由輻射(高溫計)量測溫度。因為將可能難以進行與極薄且易碎之光譜純度濾光器的優良實體接觸，所以經由輻射之量測可為較佳的。或者，可量測光譜純度濾光器之曲率半徑。當光譜純度濾光器變熱時，其可歸因於熱膨脹及所得應力而彎曲。可藉由量測經反射雷射光束或其類似者之偏轉而容易地量測曲率半徑，從而允許判定溫度或溫度改變。可控制一或多個熱源，以確保將光譜純度濾光器加熱至所需程度，及/或處於所需部位處。
較佳地，額外加熱及/或監視及/或控制系統可依附於備用電池系統而運行，使得在(例如)發生電源電故障之情況下，可緩慢地縮減光譜純度濾光器之溫度，以便避免光譜純度濾光器之斷裂。
藉由一或多個熱源提供之額外加熱的調整可涉及額外加熱之功率位準的調適，或(例如)藉由該等源產生之輻射之投影系統之光束形狀或傳播方向的改變(例如，藉由改變光束路徑中之孔隙或光罩，或藉由鏡面或透鏡之角度調節(angling))。
在上述光譜純度濾光器中之任一者中，可經由鑽孔或其類似者而形成延伸通過該光譜純度濾光器之孔隙。然而，在使用鑽孔的情況下，可能難以產生足夠高縱橫比幾何形狀，在一些光譜純度濾光器中可能需要產生足夠高縱橫比幾何形狀。因此，可能需要用於製造光譜純度濾光器之替代及/或改良型方法。
一種此類方法可涉及提供將在基板上形成光譜純度濾光器之材料本體的材料。接著，藉由微影(光學或壓印)及蝕刻(例如，各向異性蝕刻)來圖案化該材料。此微影及蝕刻程序可一起用以在該材料本體中形成複數個孔隙，該等孔隙稍後用以抑制具有第一波長之輻射且允許具有第二較短波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙。當自基板釋放材料本體時，材料本體將形成光譜純度濾光器。
在另一製造方法中，可形成一鑄模(有時被稱作「模具」)以用於收納待用以形成光譜純度濾光器之本體的材料本體。可(例如)使用微影及/或蝕刻將該鑄模形成於基板或其類似者中，且該鑄模將界定光譜純度濾光器之形狀。舉例而言，鑄模將經塑形以在提供於鑄模中之材料本體中提供複數個孔隙。該等孔隙將經配置以在使用中抑制具有第一波長之輻射，而同時允許具有第二較短波長之輻射透射通過該等孔隙。接著，(例如)使用化學氣相沈積、原子層沈積或電鍍而使鑄模具備(例如，至少部分地填充有)材料本體。接著，移除鑄模(例如，藉由材料本體與鑄模之實體分離，或藉由鑄模之溶解或汽化或其類似者)以留存材料本體，材料本體接著形成光譜純度濾光器。
上文所論述之光譜純度濾光器可用於多種應用中。舉例而言，光譜純度濾光器可用於微影裝置(諸如上文關於圖1至圖3所論述之微影裝置)中。或者或另外，光譜純度濾光器可用於輻射源或其類似者中，或形成輻射源或其類似者之部分。
上文所論述之光譜純度濾光器已被描述為由材料本體形成。該材料本體可為用於附加熱回彈性之單一連續材料片段(例如，無附加層或其他組件)。材料本體可為實質上平面的，但亦可具有另一形狀，例如，彎曲形狀。由如上文所描述之材料本體形成之光譜純度包含該材料之多數量(亦即，該材料不僅形成層或塗層或其類似者，而且形成光譜純度濾光器之本體)。
為了避免疑惑，光譜純度濾光器有時被給出字尾「柵格」或「光柵」(亦即，有時被稱作光譜純度濾光器光柵，或被稱作光譜純度濾光器柵格)。或者或另外，光譜純度濾光器有時被稱作柵格濾光器，或被稱作光柵濾光器。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面元件
24．．．琢面化光瞳鏡面元件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射器件
30．．．反射器件
32．．．平面部件
34．．．圓形孔隙
36．．．孔隙34之直徑
38．．．在孔隙34之間的間隔
40．．．具有第一波長之輻射
42．．．具有第二較短波長之輻射
44．．．透射
46．．．透射
50．．．矽基礎結構
54．．．鉬塗層
60．．．材料本體
62．．．孔隙
64．．．奈米粒子
66．．．實質上純鉬或鎢
70．．．第一系列
72．．．第二系列
74．．．第三系列
80．．．金屬層
82．．．基板
84．．．柱狀顆粒微結構
86．．．孔隙
88．．．孔隙壁
90．．．寬度
92．．．顆粒邊界
100．．．微影裝置(圖1)/金屬層(圖12a)
102．．．基板
104．．．實質上等軸顆粒結構
106．．．孔隙
108．．．孔隙壁
110．．．寬度
112．．．顆粒邊界
120．．．W-Ti/B多層
122．．．基板
124．．．多層120之W-Ti
126．．．相對薄B層
130．．．EUV輻射
132．．．帶外(例如，紅外線)輻射
134．．．光譜純度濾光器SPF6之面
136．．．熱源總成
138．．．輻射源
140．．．光學儀器或其類似者
142．．．輻射
144．．．光譜純度濾光器SPF6之前側/金屬塗佈前側或面
146．．．背側
210．．．EUV輻射發射電漿/高度離子化電漿
211．．．源腔室
212．．．收集器腔室
220．．．圍封結構
221．．．開口
230．．．氣體障壁/污染物截留器/污染物障壁
240．．．光柵光譜濾光器
251．．．上游輻射收集器側
252．．．下游輻射收集器側
253．．．掠入射反射器
254．．．掠入射反射器
255．．．掠入射反射器
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
CO．．．輻射收集器
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明光學儀器單元
LA．．．雷射
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．支撐結構
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．位置感測器
PS2．．．位置感測器
PW．．．第二定位器
SO．．．源收集器模組
SPF．．．光譜純度濾光器
SPF1．．．光譜純度濾光器
SPF2．．．光譜純度濾光器
SPF3．．．光譜純度濾光器
SPF4．．．光譜純度濾光器
SPF5．．．光譜純度濾光器
SPF6．．．光譜純度濾光器
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為包括放電產生電漿(DPP)源收集器模組SO的圖1所示之微影裝置的更詳細視圖；
圖3為圖1之裝置之雷射產生電漿(LPP)源收集器模組之實施例的視圖；
圖4示意性地描繪透射光譜純度濾光器；
圖5示意性地描繪圖4之光譜純度濾光器的側向展開及部分截面視圖，連同入射於光譜純度濾光器上之輻射；
圖6示意性地描繪圖4及圖5之光譜純度濾光器的更詳細或替代側向展開及部分截面視圖；
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例之光譜純度濾光器的側向展開及部分截面視圖；
圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例之光譜純度濾光器的側向展開及部分截面視圖；
圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例之光譜純度濾光器的側向展開及部分截面視圖；
圖10為描繪本發明之實施例之光譜純度濾光器之反射率(在10.6微米下)隨該等光譜純度濾光器之厚度而變的曲線圖；
圖11a及圖11b示意性地描繪分別在製造期間及當予以製造時光譜純度濾光器之柱狀顆粒結構；
圖12a及圖12b示意性地描繪根據本發明之一實施例的分別在製造期間及當予以製造時光譜純度濾光器之實質上等軸顆粒結構；
圖13示意性地描繪在圖12a及圖12b之光譜純度濾光器之製造方法中的步驟；及
圖14示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含光譜純度濾光器及熱源之光譜純度濾光器總成。
32．．．平面部件
34．．．圓形孔隙
36．．．孔隙34之直徑
38．．．在孔隙34之間的間隔
SPF．．．光譜純度濾光器

Claims (17)

  1. 一種光譜純度濾光器，其包含：一材料本體，複數個孔隙延伸通過該材料本體，該等孔隙經配置以抑制具有一第一波長之輻射且允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；該材料本體包含一材料，該材料在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率(bulk reflectance)，且具有高於攝氏1000度之一熔點，其中該材料進一步包含用於總體上增加該材料之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。
  2. 如請求項1之光譜純度濾光器，其中該材料包含以下各項中之一或多者：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。
  3. 如請求項1或2之光譜純度濾光器，其中該材料包含以下各項中之一或多者之一合金：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。
  4. 如請求項3之光譜純度濾光器，其中該合金包含按以下各項中之一或多者或以下各項中之一或多者之一組合之原子量計算的一多數量：Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta及W，或其矽化物。
  5. 如請求項1之光譜純度濾光器，其中該等奈米粒子包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
  6. 如請求項1之光譜純度濾光器，其中該等奈米粒子係以層之形式分佈於該材料本體內。
  7. 如請求項1或2之光譜純度濾光器，其中該等孔隙延伸通過的該材料本體之一面包含或具備由實質上純Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh、Ru、Ta、W或其矽化物形成之一區或層。
  8. 如請求項7之光譜純度濾光器，其中在使用中，該面經組態以面向包含該第一波長及/或該第二波長之入射輻射。
  9. 如請求項1或2之光譜純度濾光器，其中該材料本體具有一顆粒結構：該顆粒結構實質上等軸；及/或在該顆粒結構中，一平均顆粒大小小於界定一孔隙之一壁的一寬度，或小於在兩個鄰近孔隙之間的一最短距離；及/或在該顆粒結構中，一平均顆粒大小或直徑小於500奈米或小於200奈米。
  10. 如請求項1之光譜純度濾光器，其中藉由一第二材料之複數個相對薄層將該材料本體劃分成複數個相對厚層。
  11. 如請求項10之光譜純度濾光器，其中該第二材料之該等層包含：B、C、Si，或該材料本體之一成份之氧化物、氮化物或碳化物；及/或奈米粒子，該等奈米粒子包含以下各項中之一或多 者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
  12. 一種製造一光譜純度濾光器之方法，其包含：在提供於一基板上之一材料本體上使用一微影及蝕刻程序，以在該材料本體中提供複數個孔隙，該等孔隙經配置以在使用中抑制具有一第一波長之輻射，且在使用中允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；自該基板釋放該材料本體，該材料本體形成該光譜純度濾光器，其中該材料本體包含一材料，該材料在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率，且具有高於攝氏1000度之一熔點，其中該材料進一步包含用於總體上增加該材料之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。
  13. 如請求項12之方法，其中以藉由該材料本體之表面之一蝕刻週期性地中斷的一方式提供該材料本體。
  14. 一種製造一光譜純度濾光器之方法，其包含：形成用於收納一材料本體之一模具，該模具經塑形以在該材料本體中提供複數個孔隙，該等孔隙經配置以在使用中抑制具有一第一波長之輻射，且在使用中允許具有一第二波長之輻射之至少一部分透射通過該等孔隙，該第二輻射波長短於該第一輻射波長；向該模具供應該材料本體； 移除該模具以留存該材料本體，該材料本體形成該光譜純度濾光器；其中該材料本體包含一材料，該材料在該第一輻射波長下具有實質上大於或等於70%之一整體反射率，且具有高於攝氏1000度之一熔點，其中該材料進一步包含用於總體上增加該材料之一再結晶溫度的複數個奈米粒子。
  15. 如請求項14之方法，其中藉由一第二材料之複數個相對薄層將該材料本體劃分成複數個相對厚層。
  16. 如請求項15之方法，其中該第二材料之該等層包含：B、C、Si，或該材料本體之一成份之氧化物、氮化物或碳化物；及/或奈米粒子，該等奈米粒子包含以下各項中之一或多者：Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO及HfC。
  17. 如請求項14之方法，其中以藉由該材料本體之表面之一蝕刻週期性地中斷的一方式提供該材料本體。
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