TWI812779B - 微影系統及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於將一粒子緊固至一護膜隔膜以供後續用於一微影設備中的系統，該系統包含經組態以將該粒子緊固至該護膜隔膜之一粒子緊固裝置。該粒子緊固裝置經組態以導引電子射束或輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入射於該粒子上之前通過該護膜隔膜。

Description

微影系統及方法
本發明係關於將粒子緊固至護膜隔膜之系統及方法，使得當在微影設備中使用時，粒子不會自護膜隔膜分離且藉此不能到達微影設備之倍縮光罩。
微影設備係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如倍縮光罩或光罩)處之圖案投影至經提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。
為了將圖案投影至基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長決定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長係365 nm、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內的波長(例如，6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
一些微影設備(例如EUV及DUV微影設備)包含附接至倍縮光罩之護膜隔膜。護膜隔膜為與倍縮光罩之圖案間隔開幾個mm(例如約5 mm)的薄(例如小於約70 nm之厚度)透射膜。在護膜隔膜上接收的粒子係在相對於倍縮光罩之圖案的遠場中，且因此對藉由微影設備投影至基板上的影像之品質沒有顯著影響。若不存在護膜隔膜，則粒子將處於倍縮光罩之圖案上且將混淆圖案之一部分，藉此防止圖案被正確地投影至基板上。因此，護膜隔膜在防止粒子不利地影響圖案由微影設備至基板上的投影方面發揮重要作用。
在護膜附接至倍縮光罩以供用於微影設備之前，護膜隔膜可變髒。亦即，粒子可在護膜隔膜用於微影設備之前入射於護膜隔膜上。包括輸送護膜隔膜、封裝護膜隔膜及安裝護膜隔膜至倍縮光罩的活動可導致粒子入射於護膜隔膜上。已發現存在於護膜隔膜上的一些粒子在微影曝光期間自護膜隔膜分離並行進至倍縮光罩，且藉此不利地影響投影至基板上的圖案。
目前，丟棄被認為對於使用而言太髒的護膜。處理髒護膜之問題的已知方法涉及例如使用振動、電漿、濕洗等清潔護膜。然而，已知方法有使護膜斷裂之風險，此係因為護膜為極薄之膜且有被容易地損壞的傾向。清潔髒護膜隔膜之一些已知方法涉及在清潔期間施加熱以嘗試避免引入裂紋至護膜隔膜。然而，施加熱量亦可促成護膜之變弱，籍此減小護膜隔膜之操作壽命。
舉例而言，需要提供預防或減輕不論是在本文中抑或在別處所識別的先前技術之一或多個問題之方法。
根據本發明的第一態樣，提供一種用於將粒子緊固至護膜隔膜以供後續用於微影設備中的系統，該系統包含經組態以將粒子緊固至護膜隔膜之粒子緊固裝置。
粒子可在護膜隔膜用於微影設備之前入射於護膜隔膜上。在微影曝光期間，護膜隔膜上的粒子中之一些可自護膜隔膜行進至倍縮光罩。此等粒子接著可在微影曝光期間成像至基板上，且藉此不利地影響微影曝光之品質。用於將粒子緊固至護膜隔膜之系統有利地防止粒子行進至倍縮光罩，且藉此防止粒子不利地影響微影曝光。
粒子緊固裝置可經組態以將粒子不能移除地緊固至護膜隔膜。粒子可在護膜隔膜之操作壽命的整個持續時間中緊固至護膜隔膜。
粒子緊固裝置可經組態以將粒子緊固至護膜隔膜之面向倍縮光罩表面。
粒子緊固裝置可經組態以將材料提供至護膜隔膜以用於將粒子緊固至護膜隔膜。
藉由粒子緊固裝置提供至護膜隔膜的材料可在護膜隔膜上在護膜隔膜之平面中具有小於約10 µm的大小。藉由粒子緊固裝置提供至護膜隔膜的材料可在護膜隔膜上在護膜隔膜之平面中具有約10 µm或更小的大小。
藉由粒子緊固裝置提供至護膜隔膜的材料可在護膜隔膜上具有小於約100 nm的厚度。藉由粒子緊固裝置提供至護膜隔膜的材料可在護膜隔膜上具有約100 nm或更小的厚度。
若提供至護膜隔膜之材料太厚及/或在護膜隔膜之平面中具有太大的大小(例如視沈積材料之形狀而定的長度、直徑、主軸等)，則存在在微影曝光期間材料自身至少部分成像至基板上的風險，籍此不利地影響微影曝光。藉由限制護膜隔膜上之材料的大小及/或厚度，材料及粒子有利地保持於相對於倍縮光罩之圖案的遠場中以避免不利地影響藉由微影設備投影於基板上的影像之品質。
藉由粒子緊固裝置提供之材料可包含以下各者中之至少一者：鉬Mo、釕Ru、鋯Zr、硼B、鈰Ce、矽Si、釤Sm、鐠Pr、銪Eu、鈧Sc、鉕Pm、釔Y及銣Rb。
藉由粒子緊固裝置提供之材料可包含碳、氧、氮及氫中之至少一者。
藉由粒子緊固裝置提供之材料可包含羰基金屬及環戊二烯基金屬中之至少一者。
藉由粒子緊固裝置提供之材料可包含樟腦、薄荷腦、萘及聯苯中之至少一者。
粒子緊固裝置可經組態以將電子射束或輻射射束提供至護膜隔膜以用於將粒子緊固至護膜隔膜。
電子射束或輻射射束可經組態以誘發材料與護膜隔膜及/或粒子之間的相互作用且藉此將粒子緊固至護膜隔膜。
相互作用可產生及/或增強在沈積材料與粒子及/或護膜隔膜之間起作用的吸引力且可例如包括共價鍵、金屬鍵、極性鍵、氫鍵、凡得瓦爾力等。
粒子緊固裝置可經組態以導引電子射束或輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入射於該粒子上之前通過該護膜隔膜。
電子射束或輻射射束可在護膜隔膜上形成具有大於約0.1 µm之直徑的射束點。電子射束或輻射射束可在護膜隔膜上形成具有小於約5 µm之直徑的射束點。提供具有此等直徑之電子射束或輻射射束可有利地實現作用於護膜隔膜上的熱效應之較佳管理。提供具有此等直徑之電子射束或輻射射束可有利地減少電子射束或輻射射束跨越護膜隔膜之掃描運動的範圍。
粒子緊固裝置可經組態以導引電子射束或輻射射束以在護膜隔膜上之粒子上形成射束點。射束點之外邊界可距粒子小於約5 µm。射束點之外邊界可距粒子小於約1 µm。
粒子緊固裝置可經組態以導引電子射束以在護膜隔膜之包括粒子的區域上形成射束點。電子射束可具有在約100 V與約100 kV之間的能量。
護膜隔膜可在使用粒子緊固裝置期間安裝至倍縮光罩。電子射束可具有在約0.5 keV與約5 keV之間的能量。
系統可進一步包含經組態以固持倍縮光罩之支撐件及經組態以在位於倍縮光罩與護膜之間的空隙中提供材料的材料遞送系統。
系統可進一步包含經組態以判定粒子在護膜隔膜上之位置的粒子定位器。
粒子定位器可經組態以產生指示粒子之位置的信號且將信號提供至粒子緊固裝置。粒子緊固裝置可經組態以使用信號來將材料及/或電子射束或輻射射束提供至粒子在護膜隔膜上之位置。電子射束或輻射射束可經組態以照射對應於粒子之位置的護膜隔膜之僅僅一部分。護膜隔膜之所照射部分可具有小於約5 µm (例如約1 µm)之直徑。
粒子定位器可經組態以使用電子射束或輻射射束來判定粒子在護膜隔膜上之位置。
粒子定位器可經組態以偵測藉由與護膜隔膜及/或粒子相互作用之電子射束或輻射射束產生的二次電子及/或反向散射電子。
粒子定位器可包含經組態以判定粒子在護膜隔膜上之位置的光學量測系統。光學量測系統可包含用於自粒子散射輻射的輻射源及用於偵測由粒子散射之輻射的輻射偵測器。
粒子定位器可包含明場成像裝置、暗場成像裝置、原子力顯微鏡及電容式粒子偵測構件中之至少一者。
粒子定位器可經組態以定位具有在約0.1 µm與約5 µm之間的直徑的粒子。
系統可進一步包含用於裝納處於非氣態中之材料的第一隔室。系統可進一步包含用於裝納處於氣態中之材料的第二隔室。系統可進一步包含用於將電子射束或輻射射束透射至護膜隔膜的第三隔室。
第一隔室可包含用於防止非氣態材料到達護膜隔膜之半滲透障壁。
護膜隔膜可形成第二隔室的至少部分。
粒子緊固裝置可包含第一隔室與第二隔室之間的通道。粒子緊固裝置可包含第二隔室與第三隔室之間的通道。通道可經組態以傳輸氣體且藉此實現隔室之抽汲及/或排氣。
第二隔室可保持處於在約0.001 Pa與約1 Pa之間的壓力。
第三隔室可包含真空環境(例如具有小於約10- 5 Pa之壓力)。第三隔室可包含低壓(例如大於約10- 5 Pa且小於約0.1 Pa之壓力)氣態環境(例如包括H2 、 H2 O、O2 中之至少一者)。護膜隔膜之降級可由例如可促成護膜隔膜之表面應力之變化的電子射束照射、護膜隔膜之氧化及/或還原等引起。真空環境及/或低壓氣態環境可有利地減少材料在護膜隔膜上(例如在護膜隔膜之非面向倍縮光罩表面上)之不需要沈積的範圍。真空環境及/或低壓氣態環境可例如藉由提供至少部分抵消護膜隔膜之表面應力之變化的反作用力而有利地減少護膜隔膜之降級。
粒子緊固裝置可例如經組態以維持護膜隔膜之不同側之間的小於約1 Pa之壓力差。
粒子緊固裝置可包含連接至護膜隔膜之電接地。電接地護膜隔膜可藉由電子射束有利地減少護膜隔膜之電充填。
系統可進一步包含經組態以將護膜隔膜容納於潔淨環境(例如具有為2或更佳之ISO類之潔淨環境)中的外殼。
系統可進一步包含經組態以在粒子緊固裝置已將粒子緊固至護膜隔膜之後將護膜隔膜安裝至固持於潔淨環境中之倍縮光罩的護膜隔膜傳送裝置。
根據本發明之一第二態樣，提供一種包含將粒子緊固至護膜隔膜的方法。
方法可進一步包含將粒子不能移除地緊固至護膜隔膜。
方法可進一步包含將粒子緊固至護膜隔膜之面向倍縮光罩表面。
方法可進一步包含提供材料至護膜隔膜以將粒子緊固至護膜隔膜。
方法可進一步包含提供材料至護膜隔膜，使得材料在護膜隔膜上具有小於約10 µm之大小。
方法可進一步包含提供材料至護膜隔膜，使得材料在護膜隔膜上具有小於約100 nm之厚度。
方法可進一步包含將電子射束或輻射射束提供至護膜隔膜以將材料及粒子緊固至護膜隔膜。
方法可進一步包含將電子射束或輻射射束導引至護膜隔膜以在護膜隔膜上形成具有大於約0.1 µm之直徑的射束點。方法可進一步包含將電子射束或輻射射束導引至護膜隔膜以在護膜隔膜上形成具有小於約5 µm之直徑的射束點。
電子射束或輻射射束之直徑可至少部分依賴於待緊固至護膜隔膜的粒子之大小而選擇。舉例而言，粒子在護膜隔膜上之位置可使用電子射束來判定。在已判定粒子在護膜隔膜上之位置後，電子射束或輻射射束之直徑可改變(例如減小至約100 nm)且電子射束或輻射射束可用於將粒子緊固至護膜隔膜。
方法可進一步包含使用電子射束或輻射射束來誘發材料及/或護膜隔膜或粒子之間的相互作用且藉此將粒子緊固至護膜隔膜。
方法可進一步包含導引電子射束或輻射射束，使得電子射束或輻射射束在入射於粒子上之前通過護膜隔膜。
方法可進一步包含將粒子緊固至護膜同時護膜安裝至倍縮光罩，且其中電子射束具備在約0.5 keV與約5 keV之間的能量。
方法可進一步包含在位於倍縮光罩與護膜之間的空隙中提供材料。
方法可進一步包含判定粒子在護膜隔膜上之位置。
方法可進一步包含定位具有大於約0.1 µm之直徑的粒子。方法可進一步包含定位具有小於約5 µm之直徑的粒子。
該方法可包含經由包含真空環境(例如小於約10- 5 Pa之壓力)的隔室將電子射束或輻射射束提供至護膜隔膜。或者，該方法可進一步包含經由具有低壓(例如大於約10-5 Pa且小於約0.1 Pa之壓力)氣態環境(例如包括H2 、H2 O、O2 中之至少一者)的隔室將電子射束或輻射射束提供至護膜隔膜。護膜隔膜之降級可由例如可促成護膜隔膜之表面應力之變化的電子射束照射、護膜隔膜之氧化及/或還原等引起。真空環境及/或低壓氣態環境可有利地減少材料在護膜隔膜上(例如在護膜隔膜之非面向倍縮光罩表面上)之不需要沈積的範圍。真空環境及/或低壓氣態環境可例如藉由提供至少部分抵消護膜隔膜之表面應力之變化的反作用力而有利地減少護膜隔膜之降級。
方法可進一步包含在粒子已緊固至護膜隔膜之後使護膜隔膜保持在潔淨環境中。方法可進一步包含在粒子已緊固至護膜隔膜之後安裝護膜隔膜至在潔淨環境中的倍縮光罩。
根據本發明之一第三態樣，提供一種將經圖案化輻射射束投影至基板上的方法，該經圖案化輻射射束在入射於基板上之前通過護膜隔膜，其中已使用本發明之第二態樣的方法將粒子緊固至護膜隔膜。
根據本發明之一第四態樣，提供一種包含已使用本發明之第二態樣的方法緊固至護膜隔膜之粒子的護膜隔膜。
根據本發明之第五態樣，本發明涉及使用根據第一態樣之系統以用於將粒子緊固至護膜隔膜以供後續用於微影設備中。
本發明之態樣中之任一者的任何部分可以任何方式而組合。
圖1展示根據本發明之實施例的包含輻射源SO、微影設備LA及護膜20之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射射束B且將EUV輻射射束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA(例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射射束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射射束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射射束B。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11之補充或替代，照明系統IL亦可包括其他鏡面或裝置。
在如此調節之後，EUV輻射射束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射射束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射射束B'投影至基板W上。出於該目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射射束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射射束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射射束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。
輻射源SO可係雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。
如先前論述，粒子可在護膜隔膜用於微影設備之前入射於護膜隔膜上。在微影曝光期間，粒子中之一些可自護膜隔膜行進至倍縮光罩，且藉此不利地影響微影曝光之品質。
圖2示意性地描繪根據本發明之實施例的用於將粒子24緊固至護膜隔膜20的系統22。系統22至少部分製備護膜隔膜20以供後續用於微影設備(例如圖1之微影設備)中。護膜隔膜20安裝至包含螺柱25之框架23。護膜隔膜20及框架23可被稱作護膜總成。護膜總成經組態以可移除地安裝在倍縮光罩MA上。在圖2之實例中，護膜總成安裝在系統22之基座29上。在以引用的方式全部併入於本文中的國際專利申請案WO/2016079051中論述安裝護膜總成至倍縮光罩MA及/或另一表面(諸如基座29)的方法及系統。系統22包含經組態以將粒子24緊固至護膜隔膜20之粒子緊固裝置26。粒子24可經描述為污染物粒子。粒子緊固裝置26可經組態以將粒子24緊固至護膜隔膜20，使得粒子24在微影曝光期間不與護膜隔膜20分離。粒子緊固裝置26可經組態以將粒子24不能移除地緊固至護膜隔膜20。亦即，粒子緊固裝置26可將粒子24緊固至護膜隔膜20，使得粒子24在護膜隔膜20之整個操作壽命中緊固至該護膜隔膜。
粒子緊固裝置26可經組態以將粒子24緊固至護膜隔膜20之面向倍縮光罩表面21。與存在於護膜隔膜20之相對側19上的粒子相比較，存在於護膜隔膜20之面向倍縮光罩表面21上的粒子可在微影曝光期間具有自護膜隔膜20行進至倍縮光罩MA的更大風險。此係至少部分因為與護膜隔膜20之相對表面19與倍縮光罩MA之間的距離相比較，在護膜隔膜20之面向倍縮光罩表面21與倍縮光罩MA之間存在更短行進距離。將粒子24緊固至護膜隔膜20之面向倍縮光罩表面21籍此有利地防止此等粒子24不利地影響微影曝光。
粒子緊固裝置26可經組態以將材料28提供至護膜隔膜20以用於將粒子24緊固至護膜隔膜20。可圍繞粒子24提供材料28，以便形成捕集且藉此固定粒子24至護膜隔膜20的蓋。替代地或另外，材料28可經提供於粒子24與護膜隔膜20之間且充當粒子24與護膜隔膜20之間的黏著層。材料28可用來增加在粒子24與護膜隔膜20之間起作用的吸引力，使得粒子24變得緊固至護膜隔膜20。材料28可另外或替代地用來引入在粒子24與護膜隔膜20之間起作用的新的吸引力，使得粒子24變得緊固至護膜隔膜20。以下關於圖3更詳細地描述此等吸引力。
材料28在經提供至護膜隔膜20後不應大的足以不利地影響涉及護膜隔膜20之微影曝光。亦即，若沈積於護膜隔膜20上之材料28太厚及/或在護膜隔膜20之平面中具有太大的大小(例如視沈積材料之形狀而定的長度、直徑、主軸等)，則存在在微影曝光期間材料28自身至少部分成像至基板上的風險，籍此不利地影響微影曝光。材料28以及粒子24應保持在相對於倍縮光罩之圖案的遠場中以避免不利地影響藉由微影設備投影至基板上的影像之品質。藉由粒子緊固裝置26提供至護膜隔膜20的材料28可在護膜隔膜10上在護膜隔膜20之平面中具有小於約10 µm的大小。藉由粒子緊固裝置26提供至護膜隔膜20的材料28可在護膜隔膜20之平面中具有小於約1 µm的大小。若經提供於護膜隔膜20上的材料28之厚度太大，則材料28可不再在相對於倍縮光罩MA之圖案的遠場中且藉此不利地影響經投影至基板上的影像之品質。藉由粒子緊固裝置26提供至護膜隔膜20的材料28可在護膜隔膜20上具有小於約100 nm的厚度。藉由粒子緊固裝置26提供至護膜隔膜20的材料28可在護膜隔膜20上具有小於約10 nm的厚度。
將瞭解圖2僅為本發明之實施例的示意性表示，且出於說明本發明之目的，其特徵之相對大小(例如粒子24、材料及護膜隔膜20之大小)已經調整。
藉由粒子緊固裝置26提供的材料28可包含適於在曝光至EUV輻射時使用的一或多種材料。舉例而言，材料28可包含以下各者中之至少一者：鉬Mo、釕Ru、鋯Zr、硼B、鈰Ce、矽Si、釤Sm、鐠Pr、銪Eu、鈧Sc、鉕Pm、釔Y及銣Rb。材料28可包含適合在存在可藉由EUV輻射產生的氫電漿之情況下使用的一或多種材料。舉例而言，藉由粒子緊固裝置26提供的材料28可包含碳、氧、氮及氫中之至少一者。即使該材料藉由氫電漿部分地蝕刻，其仍具有留下任何污染物(例如分子污染物)於護膜隔膜20及/或倍縮光罩MA上的減少之風險。藉由粒子緊固裝置26提供的材料28可包含羰基金屬(例如Mo(CO)6 或Ru3 (CO)12 )及環戊二烯基金屬(例如Ru(C5 H5 )2 )中之至少一者。藉由粒子緊固裝置26提供之材料28可包含樟腦、薄荷腦、萘及聯苯中之至少一者。
粒子緊固裝置26可經組態以將電子射束或輻射射束30提供至護膜隔膜20以用於將材料28及粒子24緊固至護膜隔膜20。電子射束或輻射射束30可經組態以誘發材料28與護膜隔膜20及/或粒子24之間的相互作用且藉此將粒子24緊固至護膜隔膜20。
舉例而言，護膜緊固裝置26可結合材料28使用電子射束30以執行電子射束誘發沈積以將粒子24緊固至護膜隔膜20。下文關於圖3更詳細地論述電子射束誘發沈積。電子射束30可具有大於約200 eV之能量。電子射束30可具有小於約100 keV之能量。電子射束30可具有在約1 keV至約50 keV範圍內的能量。電子射束30可具有在約10 keV至約30 keV範圍內的能量。
作為另一實例，護膜緊固裝置26可結合材料28使用輻射射束30以執行輻射射束誘發沈積以將粒子24緊固至護膜隔膜20。輻射射束30可具有大於約100 nm之波長。輻射射束30可具有小於約200 nm之波長。
粒子緊固裝置26可經組態以導引電子射束或輻射射束30以在護膜隔膜20上形成射束點27。舉例而言，射束點27可具有大於約0.1 µm之直徑。舉例而言，射束點27可在護膜隔膜20上具有小於約5 µm之直徑。
粒子緊固裝置26可經組態以導引電子射束或輻射射束30以在護膜隔膜20上之粒子24上形成射束點27。射束點27之外邊界31a、31b可在護膜隔膜20之平面中距粒子24小於約5 µm。射束點27之外邊界31a、31b可在護膜隔膜20之平面中距粒子24小於約1 µm。
系統22可進一步包含經組態以判定粒子24在護膜隔膜20上之位置的粒子定位器32。在圖2中所示之實例實施例中，護膜緊固裝置26之部分充當粒子定位器32。粒子定位器32可經組態以使用電子射束或輻射射束30以判定粒子24在護膜隔膜上之位置。亦即，用以將粒子24緊固至護膜隔膜20的電子射束或輻射射束30亦可用以將粒子24定位於護膜隔膜20上。
粒子定位器32可經組態以產生指示粒子24之位置的信號。粒子定位器32可提供該信號至粒子緊固裝置26。粒子緊固裝置26可經組態以使用該信號來將材料28提供至粒子24在護膜隔膜20上之位置。粒子緊固裝置26可經組態以使用該信號來將電子射束或輻射射束30提供至粒子24在護膜隔膜20上之位置。舉例而言，粒子定位器32可包含使用電子射束30以判定粒子24在護膜隔膜20上之位置的掃描電子顯微鏡。掃描電子顯微鏡可用以執行精細掃描以按所要準確度判定粒子24在護膜隔膜20上之位置。可至少部分依賴於粒子之大小及/或材料在護膜隔膜上的所預期沈積之大小而選擇掃描電子顯微鏡之準確度。可至少部分依賴於選自粒子之大小及/或在護膜隔膜上的所預期沈積之大小的較大值而選擇掃描電子顯微鏡之準確度。舉例而言，掃描電子顯微鏡可具有大於約10 µm (例如至少1 µm)之準確度。
粒子定位器32可經組態以偵測藉由與護膜隔膜20及/或粒子24相互作用之電子射束或輻射射束30產生的二次電子及/或反向散射電子(圖中未示)。
粒子定位器32可包含用於定位護膜隔膜20上之粒子的獨立裝置。粒子定位器32可例如包含光學量測系統、明場成像裝置、暗場成像裝置、原子力顯微鏡及電容式粒子偵測構件。下文關於圖4論述用於將粒子緊固至護膜隔膜的系統，其包含具有光學量測系統之粒子定位器。
已發現具有在約0.1 µm與約5 µm之間的直徑之粒子已被發現在微影曝光期間自護膜隔膜行進至倍縮光罩。此等粒子趨向於金屬粒子(例如釕粒子)及/或陶瓷粒子(例如Al2 O3 及/或SiO2 )。粒子定位器32可經組態以定位具有在約0.1 µm與約5 µm之間的直徑的粒子24。粒子定位器32可經組態以定位金屬粒子及/或陶瓷粒子。粒子定位器32可經組態以定位釕粒子、Al2 O3 粒子及SiO2 粒子中的任一者。
系統22可進一步包含用於裝納處於非氣態35中之材料28的第一隔室34及用於裝納處於氣態37中之材料28的第二隔室36。第一隔室34可位於系統22之基座29內。基座29可經組態以電接地護膜框架23。護膜框架23可經由螺柱25 (例如用以將框架23安裝至倍縮光罩MA的相同螺柱25)安裝至基座29。非氣態材料35可為固體或液體。裝納在第一隔室34中之液體材料可例如具有在約1 gcm- 3 與約10 gcm- 3 之間的濃度。
使用在室溫下為固體之材料35可歸因於操作及沈積之改良簡易性而係較佳的。第一隔室34可包含用於防止非氣態材料35到達護膜隔膜20之半滲透障壁40。亦即，當材料處於氣態37中時材料可離開第一隔室34。然而，半滲透障壁40用來防止非氣態物質35進入第二腔室36 (例如經由噴射及/或沸騰)，籍此減小損壞護膜隔膜20的風險。護膜隔膜20可形成第二隔室36的至少部分。第二隔室36可防止材料28 (氣態抑或非氣態)離開第二隔室36並干擾電子射束或輻射射束30。第二隔室36可未被完全密封。舉例而言，一或多個空隙或通道(圖中未示)可存在於框架23之螺柱25中或周圍以允許第二隔室36之抽汲及/或排氣。當第二隔室36未被完全密封時一些材料至第三隔室39之洩漏可發生。然而，一或多個空隙可充分小使得自第二隔室36洩漏至第三隔室39的任何材料藉由創建並維持第三隔室39中之真空環境的抽汲而自第三隔室39移除。第三隔室39為電子射束或輻射射束透射至護膜隔膜20所經由的隔室。第二隔室36可保持處於大於約0.001 Pa的壓力。第二隔室36可保持處於小於約1 Pa的壓力。
粒子緊固裝置26可經組態以導引電子射束或輻射射束30，使得電子射束或輻射射束30在入射於粒子24上之前通過護膜隔膜20。此有利地允許相對高分壓(例如在約100 Pa與約10- 3 Pa之間)存在於第一隔室34中，此使得非氣態材料35能夠變為氣態37並行進至第二隔室36中以用於沈積於粒子24上。此亦有利地允許真空環境(例如小於約10- 5 Pa之壓力)維持在第三隔室39中，使得電子射束或輻射射束30可在不由物質阻斷的情況下操作。護膜隔膜20可能能夠承受至多約100 Pa之壓力。因此，第三隔室39與第二隔室36之間的壓力差大小不足以損壞護膜隔膜20。粒子緊固裝置26可經組態以維持護膜隔膜20之不同側之間的小於約1 Pa之壓力差。
第二隔室36可經由通道連接至第三隔室39。通道可經組態以傳輸氣體且藉此實現第二隔室36之抽汲及/或排氣。
第三隔室39可包含具有大於約10- 5 Pa且小於約0.1 Pa之壓力的氣態環境。第三隔室可包含呈氣態形式的H2 、H2 O及O2 中之至少一者。
粒子緊固裝置26可包含電接地(圖中未示)，諸如連接至護膜隔膜20之導電電線。
系統22可進一步包含經組態以使護膜隔膜20容納於潔淨環境44中的外殼42。外殼42中之潔淨環境44可例如具有為2或更佳之ISO類。潔淨環境44可包含真空。或者，潔淨環境44可包含潔淨氣體，諸如氬氣、氮氣、潔淨空氣、極潔淨空氣等。
系統22可進一步包含經組態以在粒子緊固裝置26已將粒子24緊固至護膜隔膜20之後安裝護膜隔膜20至固持於潔淨環境44中之倍縮光罩MA的護膜隔膜傳送裝置46。護膜隔膜傳送裝置46可經組態以自基座29移動護膜總成(亦即，護膜隔膜20及框架23)並安裝護膜總成於倍縮光罩MA上。
圖3示意性地描繪根據本發明之實施例的包含已緊固至護膜隔膜20之粒子24的護膜隔膜20之放大視圖。圖3展示藉由粒子緊固裝置(圖中未示)提供至護膜隔膜20的呈使用不同陰影線區分之三種不同形式的材料37、50、52。氣態材料37由網狀影線表示，吸附材料50由水平影線表示且沈積材料52由豎直影線表示。三種不同形式材料37、50、52對應於粒子緊固過程中之不同階段。氣態材料37經由半滲透隔膜(圖中未示)藉由第一隔室(圖中未示)提供至第二隔室(圖中未示)。氣態材料37可入射於護膜隔膜20及粒子24上並變成吸附於護膜隔膜20及/或粒子24上。電子射束或輻射射束30可經提供至粒子24在護膜隔膜20上的位置。電子射束或輻射射束30可用來誘發吸附材料50與護膜隔膜20及/或粒子24之間的相互作用且藉此將粒子24緊固至護膜隔膜20。電子射束或輻射射束30可用來誘發粒子24及/或護膜隔膜20上之吸附材料37的解離。解離材料(亦即沈積材料52)可引入及/或增加在粒子24與護膜隔膜20之間起作用的吸引力且藉此將粒子24緊固至護膜隔膜20。在沈積材料52與粒子24及/或護膜隔膜20之間起作用的吸引力可例如包括共價鍵、金屬鍵、極性鍵、氫鍵、凡得瓦爾力等。可運用比粒子24未緊固至護膜隔膜20情況下之力強約10與100倍之間的力將藉由所沈積材料52緊固(例如藉由約10 nm與約100 nm之間的沈積材料內埋)的粒子24緊固至護膜隔膜20。此力減少粒子24自護膜隔膜20分離並朝向倍縮光罩(圖中未示)微影曝光行進的風險。
電子射束30的至少部分可經部分地散射及/或可藉由護膜隔膜20部分地阻止。電子射束30的至少部分可透射穿過護膜隔膜20並入射於粒子24上。電子射束30之至少部分56可透射穿過粒子24。
電子射束30可具有在約10 keV至約30 keV範圍內的能量。護膜隔膜20可吸收電子射束30之小於約10%的能量。由護膜隔膜20吸收的電子射束30之能量可產生護膜隔膜20內之能夠誘發吸附材料50之解離的經散射電子之雪崩，籍此形成用來將粒子24緊固至護膜隔膜20的沈積材料52。
材料52之沈積速率可在每nA*分鐘約0.01 µm3 與每nA*分鐘約0.1 µm3 之間。舉例而言，在護膜隔膜之平面中具有約1 µm2 之面積及在約10 nm與約100 nm之間的厚度的材料52之沈積可使用具有約1 nA電流之電子射束30在小於一分鐘內形成於護膜隔膜20上。沈積速率可至少部分受電子射束30之電子通量限制。此意謂較低壓力可用於第二隔室(圖中未示)，此係因為沈積速率可不受壓力限制。
在護膜隔膜20內耗散的電子射束30之功率可為約1 W cm- 2 。此功率可在護膜隔膜20之輻射冷卻限制內，因此護膜隔膜20可不受電子射束30損壞。具有較低電流之電子射束30可較佳用於增加入射於護膜隔膜20上的電子射束30內之材料50的吸附。
將瞭解圖3僅為本發明之實施例的示意性表示，且出於說明本發明之目的，其特徵之相對大小(例如粒子24、材料37、50、52及護膜隔膜20之大小)已經調整。
圖4示意性地描繪根據本發明之實施例的用於將粒子24緊固至安裝至倍縮光罩MA之護膜隔膜20的系統60。護膜隔膜20安裝至包含螺柱25之框架23。護膜隔膜20及框架23可被稱作護膜總成。護膜總成經組態以可移除地安裝在倍縮光罩MA上。
系統60可進一步包含經組態以使護膜隔膜20容納於潔淨環境44中的外殼42。潔淨環境44可包含真空。或者，潔淨環境44可包含潔淨氣體，諸如氬氣、氮氣、潔淨空氣、極潔淨空氣等。
為減少或防止材料28在倍縮光罩MA上的沈積，與圖2及圖3中所示的本發明之實施例相比較，電子射束或輻射射束(圖中未示)之能量減少。舉例而言，電子射束可具有大於約0.5 keV的能量。舉例而言，電子射束30可具有小於約5 keV的能量。電子射束之能量減少可增加由粒子24及/或護膜隔膜20阻止的電子之數目，籍此減小到達倍縮光罩MA的電子之數目。
電子射束或輻射射束可具備所要的數值孔徑以減少到達倍縮光罩MA之電子通量或輻射通量。舉例而言，在電子射束之情況下，在倍縮光罩MA處的電子通量可在低於入射於護膜隔膜20上的電子通量約100與約1000倍之間。
材料28之沈積可與電子射束之電子通量成比例。因此，可減少或完全防止材料28在倍縮光罩MA處的沈積。舉例而言，在鄰近粒子24沈積具有約1 µm2 之面積及約10 nm×(1 μm)之厚度的材料層所花費的時間中，具有約10 µm2 之面積及約0.1 nm之厚度的材料層可沈積於倍縮光罩MA上。此大小之沈積可能不影響在微影曝光期間形成於基板上之倍縮光罩圖案的影像之品質。
系統60可包含經組態以固持倍縮光罩MA之支撐件70及經組態以在位於倍縮光罩MA與護膜隔膜20之間的空隙74中提供材料28的材料遞送系統72。系統60可進一步包含用於裝納處於非氣態35中之材料28的第一隔室34及用於裝納處於氣態37中之材料28的第二隔室36。第一隔室34可包含用於防止非氣態材料35到達護膜隔膜20之半滲透障壁40。
在圖4的實例中，系統60包含光學量測系統80。光學量測系統80經組態以判定粒子24在護膜隔膜20上之位置。光學量測系統80可包含用於自粒子24散射輻射84的輻射源82及用於偵測由粒子24散射之輻射88的輻射偵測器86。藉由光學量測系統80判定的粒子24之位置可參考例如護膜框架的拐角之邊緣90及/或護膜隔膜之拐角的邊緣92及/或支撐件之表面94。護膜緊固裝置26之電子射束或輻射射束可使用同一位置參考系統。
光學量測系統80可經組態以對於粒子24執行粗略搜尋。在已藉由光學量測系統80判定粒子24之粗略位置後，粒子緊固裝置26之電子射束或輻射射束(圖中未示)可用於對於在粒子24之粗略位置處的粒子24執行精細搜尋。
在實施例之任一者中，材料28藉由護膜緊固裝置26的供應可係可調整的及/或時間相依的。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備之部分。此等設備可一般被稱為微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包含用於儲存或傳輸以可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。且這樣做可導致致動器或其他裝置與物理世界相互作用。
本發明之若干態樣之實施例可根據以下條項中的一或多者描述： 1]     一種用於將一粒子緊固至一護膜隔膜以供後續用於一微影設備中的系統，該系統包含經組態以將該粒子緊固至該護膜隔膜之一粒子緊固裝置。 2]     如條項1之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以將該粒子不能移除地緊固至該護膜隔膜。 3]     如條項1或條項2之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以將該粒子緊固至該護膜隔膜之一面向倍縮光罩表面。 4]     如條項1至3中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以提供一材料至該護膜隔膜以用於將該粒子緊固至該護膜隔膜。 5]     如條項4之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供至該護膜隔膜的該材料在該護膜隔膜之一平面中具有小於約10 µm的一大小。 6]     如條項4或條項5之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供至該護膜隔膜的該材料在該護膜隔膜上具有小於約100 nm的一厚度。 7]     如條項4至6中任一項之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含以下各者中之至少一者：鉬Mo、釕Ru、鋯Zr、硼B、鈰Ce、矽Si、釤Sm、鐠Pr、銪Eu、鈧Sc、鉕Pm、釔Y及銣Rb。 8]     如條項4至7中任一項之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供的該材料包含碳、氧、氮及氫中之至少一者。 9]     如條項4至8中任一項之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含一羰基金屬及一環戊二烯基金屬中之至少一者。 10]   如條項4至9中任一項之系統，其中藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含樟腦、薄荷腦、萘及聯苯中之至少一者。 11]   如任一前述條項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以將一電子射束或一輻射射束提供至該護膜隔膜以用於將該粒子緊固至該護膜隔膜。 12]   如條項11之系統，其中該電子射束或該輻射射束經組態以誘發該材料與該護膜隔膜及/或該粒子之間的一相互作用且藉此將該粒子緊固至該護膜隔膜。 13]   如條項11或條項12之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入射於該粒子上之前通過該護膜隔膜。 14]   如條項11至13中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束以在該護膜隔膜上形成具有在約0.1 µm與約5 µm之間的一直徑之一射束點。 15]   如條項11至14中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束以在該護膜隔膜上之該粒子上形成一射束點，且其中該射束點之一外邊界距該粒子小於約5 µm，且視情況其中該射束點之該外邊界距該粒子小於約1 µm。 16]   如條項11至14中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束以在該護膜隔膜之包括該粒子的一區域上形成一射束點，且其中該電子射束具有在約100 V與約100 kV之間的一能量。 17]   如條項11至15中任一項之系統，其中該護膜隔膜在該粒子緊固裝置之使用期間安裝至一倍縮光罩且其中該電子射束具有在約0.5 keV與約5 keV之間的一能量。 18]   如條項17之系統，其進一步包含經組態以固持該倍縮光罩之一支撐件及經組態以在位於該倍縮光罩與該護膜之間的一空隙中提供該材料的一材料遞送系統。 19]   如任一前述條項之系統，其進一步包含經組態以判定該粒子在該護膜隔膜上之該位置的一粒子定位器。 20]   如條項19之系統，其中該粒子定位器經組態以產生指示該粒子之該位置的一信號且將該信號提供至該粒子緊固裝置，且其中該粒子緊固裝置經組態以使用該信號來將該材料及/或該電子射束或該輻射射束提供至該粒子在該護膜隔膜上之該位置。 21]   如條項19或條項20之系統，其中該粒子定位器經組態以使用該電子射束或該輻射射束來判定該粒子在該護膜隔膜上之該位置。 22]   如條項21之系統，其中該粒子定位器經組態以偵測藉由與該護膜隔膜及/或該粒子相互作用之該電子射束或該輻射射束產生的二次電子及/或反向散射電子。 23]   如條項19至22中任一項之系統，其中該粒子定位器包含經組態以判定該粒子在該護膜隔膜上之該位置的一光學量測系統，該光學量測系統包含用於自該粒子散射輻射的一輻射源及用於偵測由該粒子散射之輻射的一輻射偵測器。 24]   如條項19至23中任一項之系統，其中該粒子定位器包含一明場成像裝置、一暗場成像裝置、一原子力顯微鏡及電容式粒子偵測構件中之至少一者。 25]   如條項19至24中任一項之系統，其中該粒子定位器經組態以定位具有在約0.1 µm與約5 µm之間的一直徑之粒子。 26]   如條項4至25中任一項之系統，其進一步包含用於裝納處於一非氣態中之該材料的一第一隔室及用於裝納處於一氣態中之該材料的一第二隔室及用於將該電子射束或該輻射射束透射至該護膜隔膜的一第三隔室。 27]   如條項26之系統，其中該第一隔室包含用於防止該非氣態材料到達該護膜隔膜的一半滲透障壁。 28]   如條項26或條項27之系統，其中該護膜隔膜形成該第二隔室的至少部分。 29]   如條項26至28中任一項之系統，其中該第二隔室經由一通道連接至該第三隔室，且其中該通道經組態以允許該第二隔室之抽汲及/或排氣 30]   如條項26至29中任一項之系統，其中該第二隔室保持處於在約0.001 Pa與約1 Pa之間的一壓力。 31]   如條項26至30中任一項之系統，其中該第三隔室包含具有小於約10- 5 Pa之一壓力的一真空環境。 32]   如條項26至30中任一項之系統，其中該第三隔室包含具有大於約10- 5 Pa且小於約0.1 Pa之一壓力的一氣態環境。 33]   如條項32之系統，其中該第三隔室包含H2 、H2 O及O2 中之至少一者。 34]   如任一前述條項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以維持該護膜隔膜之不同側之間的小於約1 Pa之一壓力差。 35]   如任一前述條項之系統，其中該粒子緊固裝置包含連接至該護膜隔膜之一電接地。 36]   如任一前述條項之系統，其進一步包含經組態以將該護膜隔膜容納於一潔淨環境中的一外殼。 37]   如條項36之系統，其進一步包含經組態以在該粒子緊固裝置已將該粒子緊固至該護膜隔膜之後安裝該護膜隔膜至固持於該潔淨環境中之一倍縮光罩的一護膜隔膜傳送裝置。 38]   一種包含將一粒子緊固至一護膜隔膜的方法。 39]   如條項38之方法，其進一步包含將該粒子不能移除地緊固至該護膜隔膜。 40]   如條項38或條項39之方法，其進一步包含將該粒子緊固至該護膜隔膜之一面向倍縮光罩表面。 41]   如條項38至40中任一項之方法，其進一步包含提供一材料至該護膜隔膜以將該粒子緊固至該護膜隔膜。 42]   如條項41之方法，其進一步包含提供該材料至該護膜隔膜，使得該材料在該護膜隔膜之一平面中具有小於約10 µm的一大小。 43]   如條項41或條項42之方法，其進一步包含提供該材料至該護膜隔膜，使得該材料在該護膜隔膜上具有小於約100 nm之一厚度。 44]   如條項41至43中任一項之方法，其進一步包含將一電子射束或一輻射射束提供至該護膜隔膜以將該材料及該粒子緊固至該護膜隔膜。 45]   如條項44之方法，其進一步包含將該電子射束或該輻射射束導引至該護膜隔膜以在該護膜隔膜上形成具有在約0.1 µm與約5 µm之間的一直徑之一射束點。 46]   如條項44或條項45之方法，其進一步包含使用該電子射束或該輻射射束以誘發該材料及/或該護膜隔膜或該粒子之間的一相互作用且藉此將該粒子緊固至該護膜隔膜。 47]   如條項44至46中任一項之方法，其進一步包含導引該電子射束或該輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入射於該粒子上之前通過該護膜隔膜。 48]   如條項44至47中任一項之方法，其進一步包含將該粒子緊固至該護膜隔膜同時將該護膜隔膜安裝至一倍縮光罩，且其中該電子射束具備在約0.5 keV與約5 keV之間的一能量。 49]   如條項48之方法，其進一步包含在位於該倍縮光罩與該護膜之間的一空隙中提供該材料。 50]   如條項38至49中任一項之方法，其進一步包含判定該粒子在該護膜隔膜上之該位置。 51]   如條項50之方法，其進一步包含將具有在約0.1 µm與約5 µm之間的一直徑的粒子定位於該護膜隔膜上。 52]   如條項44至51中任一項之方法，其進一步包含經由包含具有小於約10- 5 Pa的一壓力之一真空環境的一隔室將該電子射束或該輻射射束提供至該護膜隔膜。 53]   如條項44至52中任一項之方法，其進一步包含經由包含具有大於約10- 5 Pa且小於約0.1 Pa之一壓力的一氣態環境的一隔室將該電子射束或該輻射射束提供至該護膜隔膜。 54]   如條項53之方法，其進一步包含將H2 、H2 O及O2 中之至少一者提供給該隔室。 55]   如條項38至54中任一項之方法，其進一步包含在該粒子已緊固至該護膜隔膜之後使該護膜隔膜保持在一潔淨環境中。 56]   一種將一經圖案化輻射射束投影至一基板上的方法，該經圖案化輻射射束在入射於該基板上之前通過一護膜隔膜，其中已使用如條項38至55中任一項之方法將一粒子緊固至該護膜隔膜。 57]   一種護膜隔膜，其包含已使用如條項38至55中任一項之方法緊固至該護膜隔膜的一粒子。 58]   使用如條項1至37中任一項之系統以用於將一粒子緊固至一護膜隔膜以供後續用於一微影設備。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 19:護膜隔膜之相對側/護膜隔膜之相對表面 20:護膜隔膜 21:面向倍縮光罩表面 22:系統 23:框架 24:粒子 25:螺柱 26:粒子緊固裝置/護膜緊固裝置 27:射束點 28:材料 29:基座 30:電子射束/輻射射束 31a:外邊界 31b:外邊界 32:粒子定位器 34:第一隔室 35:非氣態物質 36:第二隔室 37:氣態材料 39:第三隔室 40:半滲透障壁 42:外殼 44:潔淨環境 46:護膜隔膜傳送裝置 50:吸附材料 52:沈積材料 56:電子射束之至少部分 60:系統 70:支撐件 72:材料遞送系統 74:空隙 80:光學量測系統 82:輻射源 84:輻射 86:輻射偵測器 88:散射之輻射 90:護膜框架的拐角之邊緣 92:護膜隔膜之拐角的邊緣 94:支撐件之表面 B:EUV輻射射束 B':經圖案化EUV輻射射束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置/倍縮光罩 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： 圖1示意性地描繪根據本發明之實施例的包含輻射源、微影設備及護膜的微影系統； 圖2示意性地描繪根據本發明之實施例的用於將粒子緊固至護膜隔膜的系統； 圖3示意性地描繪根據本發明之實施例的包含已緊固至護膜隔膜之粒子的護膜隔膜之放大視圖；且 圖4示意性地描繪根據本發明之實施例的用於將粒子緊固至安裝至倍縮光罩之護膜隔膜的系統。
20:護膜隔膜
24:粒子
30:電子射束/輻射射束
37:氣態材料
50:吸附材料
52:沈積材料
56:電子射束之至少部分

Claims (15)

  1. 一種用於將一粒子(particle)緊固至一護膜隔膜(pellicle membrane)以供後續用於一微影設備中的系統，該系統包含一粒子緊固裝置(particle securement device)，其經組態以將該粒子緊固至該護膜隔膜，其中該粒子緊固裝置包含一組件，其經組態以提供一電子射束或一輻射射束至該護膜隔膜。
  2. 如請求項1之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以將該粒子不能移除地緊固至該護膜隔膜；及/或該粒子緊固裝置經組態以將該粒子緊固至該護膜隔膜之一面向倍縮光罩表面。
  3. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以提供一材料至該護膜隔膜以用於將該粒子緊固至該護膜隔膜。
  4. 如請求項3之系統，其中：藉由該粒子緊固裝置提供至該護膜隔膜的該材料在該護膜隔膜之一平面中具有小於約10μm的一大小；或藉由該粒子緊固裝置提供至該護膜隔膜的該材料在護膜隔膜上具有小於約100nm的一厚度； 或藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含以下各者中之至少一者：鉬Mo、釕Ru、鋯Zr、硼B、鈰Ce、矽Si、釤Sm、鐠Pr、銪Eu、鈧Sc、鉕Pm、釔Y及銣Rb；或藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含碳、氧、氮及氫中之至少一者；或藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含一羰基金屬及一環戊二烯基金屬中之至少一者；或藉由該粒子緊固裝置提供之該材料包含樟腦、薄荷腦、萘及聯苯中之至少一者。
  5. 如請求項1之系統，其中該電子射束或該輻射射束經組態以誘發該材料與該護膜隔膜及/或該粒子之間的一相互作用且藉此將該粒子緊固至該護膜隔膜；或該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入射於該粒子上之前通過該護膜隔膜；或該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束以在該護膜隔膜上形成具有在約0.1μm與約5μm之間的一直徑的一射束點； 或該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束或該輻射射束以在該護膜隔膜上之該粒子上形成一射束點，且其中該射束點之一外邊界距該粒子小於約5μm，且視情況其中該射束點之該外邊界距該粒子小於約1μm；或該粒子緊固裝置經組態以導引該電子射束以在該護膜隔膜之包括該粒子的一區域上形成一射束點，且其中該電子射束具有在約100V與約100kV之間的一能量；或該護膜隔膜在該粒子緊固裝置之使用期間安裝至一倍縮光罩且其中該電子射束具有在約0.5keV與約5keV之間的一能量，其中該系統更佳包含經組態以固持該倍縮光罩的一支撐件及經組態以在位於該倍縮光罩與該護膜之間的一空隙中提供該材料的一材料遞送系統。
  6. 如請求項1至2中任一項之系統，其進一步包含經組態以判定該粒子在該護膜隔膜上之位置的一粒子定位器。
  7. 如請求項6之系統，其中該粒子定位器經組態以產生指示該粒子之該位置的一信號且將該信號提供至該粒子緊固裝置，且其中該粒子緊固裝置經組態以使用該信號來將該材料及/或該電子射束或該輻射射束提供至該粒子在該護膜隔膜上之該位置；或該粒子定位器經組態以使用該電子射束或該輻射射束來判定該粒子 在該護膜隔膜上之該位置；或該粒子定位器經組態以偵測藉由與該護膜隔膜及/或該粒子相互作用之該電子射束或該輻射射束產生的二次電子及/或反向散射電子；或該粒子定位器包含經組態以判定該粒子在該護膜隔膜上之該位置的一光學量測系統，該光學量測系統包含用於自該粒子散射輻射的一輻射源及用於偵測由該粒子散射之輻射的一輻射偵測器；或該粒子定位器包含一明場成像裝置、一暗場成像裝置、一原子力顯微鏡及電容式粒子偵測構件中之至少一者；或該粒子定位器經組態以定位具有在約0.1μm與約5μm之間的一直徑的粒子。
  8. 如請求項3之系統，其進一步包含用於裝納處於一非氣態中之該材料的一第一隔室及用於裝納處於一氣態中之該材料的一第二隔室及用於將該電子射束或該輻射射束透射至該護膜隔膜的一第三隔室。
  9. 如請求項8之系統，其中該第一隔室包含用於防止該非氣態材料到達該護膜隔膜的一半滲透障壁；或 該護膜隔膜形成該第二隔室的至少部分；或該第二隔室經由一通道連接至該第三隔室，且其中該通道經組態以允許該第二隔室之抽汲及/或排氣；或該第二隔室保持處於在約0.001Pa與約1Pa之間的一壓力；或該第三隔室包含：一真空環境，其具有小於約10-5Pa之一壓力；或一氣態環境，其具有大於約10-5Pa且小於約0.1Pa之一壓力，其中該第三隔室較佳包含H2、H2O及O2中之至少一者。
  10. 如請求項1至2中任一項之系統，其中該粒子緊固裝置經組態以維持該護膜隔膜之不同側之間的小於約1Pa之一壓力差；或該粒子緊固裝置包含連接至該護膜隔膜之一電接地；或該系統進一步包含經組態以將該護膜隔膜容納於一潔淨環境中的一外殼，其中該系統較佳進一步包含經組態以在該粒子緊固裝置已將該粒子緊固至該護膜隔膜之後將該護膜隔膜安裝至固持於該潔淨環境中之一倍縮光罩的一護膜隔膜傳送裝置。
  11. 一種用於將一粒子緊固至一護膜隔膜的方法，該方法包含：提供一電子射束或一輻射射束至該護膜隔膜。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包含：將該粒子不能移除地緊固至該護膜隔膜；或將該粒子緊固至該護膜隔膜之一面向倍縮光罩表面；或提供一材料至該護膜隔膜以將該粒子緊固至該護膜隔膜，較佳使得該材料在該護膜隔膜之一平面中具有小於約10μm的一大小；或該材料在該護膜隔膜上具有小於約100nm的一厚度；或將該電子射束或該輻射射束提供至該護膜隔膜以將該材料緊固至該護膜隔膜，其中該方法較佳進一步包含：將該電子射束或該輻射射束導引至該護膜隔膜以在該護膜隔膜上形成具有在約0.1μm與約5μm之間的一直徑的一射束點；或使用該電子射束或該輻射射束來誘發該材料及/或該護膜隔膜或該粒子之間的一相互作用且藉此將該粒子緊固至該護膜隔膜；或導引該電子射束或該輻射射束，使得該電子射束或該輻射射束在入 射於該粒子上之前通過該護膜隔膜；或將該粒子緊固至該護膜隔膜同時將該護膜隔膜安裝至一倍縮光罩，且其中該電子射束具備在約0.5keV與約5keV之間的一能量，其中該方法另外較佳包含在位於該倍縮光罩與該護膜之間的一空隙中提供該材料；或經由包含具有小於約10-5Pa的一壓力之一真空環境的一隔室將該電子射束或該輻射射束提供至該護膜隔膜；或經由包含具有大於約10-5Pa且小於約0.1Pa之一壓力之一氣態環境的一隔室將該電子射束或該輻射射束提供至該護膜隔膜，其中該方法另外較佳包含將H2、H2O及O2中之至少一者提供給該隔室；或判定該粒子在該護膜隔膜上之位置，其中該方法另外較佳包含將具有在約0.1μm與約5μm之間的一直徑的粒子定位於該護膜隔膜上；或在該粒子已緊固至該護膜隔膜之後使該護膜隔膜保持在一潔淨環境中。
  13. 一種將一經圖案化輻射射束投影至一基板上的方法，該經圖案化輻射射束在入射於該基板上之前通過一護膜隔膜，其中已使用如請求項11至12中任一項之方法將一粒子緊固至該護膜隔膜。
  14. 一種護膜隔膜，其包含已使用如請求項11至12中任一項之方法緊固至該護膜隔膜的一粒子。
  15. 一種如請求項1至10中任一項之系統的用途，其用於將一粒子緊固至一護膜隔膜以供後續用於一微影設備中。
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