JP4754616B2 - リソグラフィ方法およびキャリア基板 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ方法およびキャリア基板に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に結像することができる。一般には、単一の基板が、連続的に露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。

[0003] 従来のリソグラフィ装置では、パターンが投影される基板は、基板の最下面に基板テーブルを介して真空を与えることによって、基板テーブルの上に保持される。基板にパターンが付与されると、真空が解除されて、基板を基板テーブルから取り除き、パターン形成すべき次の基板と取り替えることができる。いくつかの例では、基板の形状または構造は、基板テーブル上に基板を保持するために真空を使用できないようなものであってもよい。

[0004] 本明細書中で確認されるか、または本明細書以外で確認されるかを問わず、従来技術の１つ以上の問題を克服または軽減するリソグラフィ方法およびリソグラフィキャリア基板を提供することが望ましい。

[0005] 本発明の一態様に従って、ＰＤＭＳおよび硬化剤の層を一方の面上に有するキャリア基板であって、前記ＰＤＭＳおよび硬化剤はリソグラフィ基板を受けてこれに付着するものであり、前記キャリア基板は従来のリソグラフィ装置が前記キャリア基板と前記リソグラフィ基板との組み合わせを扱うことができるような寸法である、キャリア基板が提供される。

[0006] 本発明の第二の態様に従って、キャリア基板上に設けられたＰＤＭＳおよび硬化剤の層にリソグラフィ基板を付着させ、その後、リソグラフィ装置を用いて、前記リソグラフィ基板にパターンを投影することを含む、リソグラフィ方法が提供される。

[0007] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。

[0008] 図１は、これに関連して本発明の一実施形態を使用し得るリソグラフィ装置を示す。 [0009] 図２は、図１のリソグラフィ装置の基板テーブルをより詳細に示す。 [0010] 図３ａおよび図３ｂは、本発明の一実施形態を使用し得る基板を示す。 [0011] 図４ａ〜図４ｃは、本発明の一実施形態に係る方法を示す。 [0012] 図５は、本発明の一実施形態に係る追加の方法を示す。

[0013] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0014] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0015] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0016] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。このようにして、反射されたビームにパターンを付ける。

[0017] サポート構造は、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式クランプ、真空式、またはその他のクランプ技術（例えば、真空状態での静電式クランプ技術など）を用いることができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよく、またパターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0018] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、例えば、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型光学系、反射型光学系、および反射屈折型光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0019] 照明システムとしては、放射ビームを誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、および反射屈折型光コンポーネントを含む様々なタイプの光コンポーネントを含むことができ、当該コンポーネントは、以下総称してまたは単独で「レンズ」と呼ぶ場合もある。

[0020] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0021] また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）に基板が浸されるタイプのものであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。

[0022] 図１は、これに関連して本発明の一実施形態が使用され得るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、以下を含む。
− 放射ビームＰＢ（例えば紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、
− パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、かつアイテムＰＬに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるための第１位置決めデバイスＰＭに連結されている、サポート構造ＭＴ、
− 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するためのものであり、アイテムＰＬに対して基板Ｗを正確に位置付けるための第２位置決めデバイスＰＷに連結されている、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ、および
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に結像するように構成された、投影システム（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬ。

[0023] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの）であってもよい。

[0024] イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、実装されている場合にはビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0025] イルミネータＩＬは、放射ビームＰＢの角度強度分布を調節する調節手段ＡＭを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった他の様々なコンポーネントを含む。イルミネータＩＬが調整済み放射ビームＰＢを供給することにより、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0026] 放射ビームＰＢは、サポート構造ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、レンズＰＬは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからパターニングデバイスを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＰＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。但し、ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。

[0027] 例示の装置は、以下の好適なモードで使用できる。

[0028] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、ビームＰＢに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0029] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、ビームＰＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0030] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、ビームＰＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0031] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0032] 従来のリソグラフィ装置では、基板テーブルＷＴから基板Ｗの最下面に真空を与えることによって、基板Ｗは基板テーブルＷＴ上に保持される。ターゲット部分Ｃのパターン形成が完了すると、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り除くことができるように、真空が解除される。その後、パターン形成すべき他の基板が基板テーブルＷＴ上に導入され、真空が再付与される。真空は、基板テーブルＷＴの高加速または減速が認められる場合でさえ、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で移動しないように、基板テーブルＷＴ上の所定の位置に堅固に基板Ｗを保持する。このように基板Ｗを基板テーブルＷＴに堅くクランプすることは、所定のターゲット部分Ｃに投影されるパターンが、それより以前にそのターゲット部分に投影されたパターンに確実に位置合わせされるようにする際の助けとなる。

[0033] 図２は、従来の基板Ｗが真空クランプされている基板テーブルＷＴの断面を概略的に示している。基板テーブルＷＴにはシールＳが設けられている。シールＳの形状は環状であり、その外径は基板Ｗの直径よりもわずかに小さい。また基板テーブルＷＴには、基板テーブルから上方に延びる複数の突起Ｐも設けられる。これらの突起は、リソグラフィ装置内の汚染粒子が、基板Ｗを汚染することなく突起Ｐと突起Ｐとの間に収まることができるような寸法となっている。

[0034] 使用時には、基板Ｗは基板テーブルＷＴ上に位置し、突起ＰとシールＳの上に載っている。その後、基板テーブルＷＴによって真空が適用される。図２において真空は下向きの矢印で示されている。シールＳは、空気が基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の領域に入るのを防ぐ。従って、真空は基板Ｗの最下面の大部分に対して作用し、この最下面を下方向に突起Ｐの上へと引き付ける。これによって基板Ｗは所定の位置にクランプされ、基板Ｗのリソグラフィパターニングを実行し得る。

[0035] 基板テーブルＷＴは、従来の寸法の基板に関連して使用することを意図した寸法を有する。リソグラフィ基板の直径は、従来、３００ｍｍまたは２００ｍｍである。よってシールＳの外径は、一般的には３００ｍｍよりわずかに小さいか、または２００ｍｍよりわずかに小さい。

[0036] 図３ａおよび図３ｂは、基板テーブルＷＴに真空クランプすることができないタイプの基板を概略的に示している。図３ａに示される基板２は、複数のスロット６が設けられた第１領域４（点線で示される）を含む。これらのスロット６は、基板２の最上面から最下面まで貫通した開口部である。スロット６が設けられる場所として基板２の領域４だけが示されているが、これは例示を目的としているだけであり、通常はスロット６は基板２全体にわたって設けられる。基板２にスロット６が存在することによって、基板２が基板テーブルＷＴに真空クランプされることを防ぐ。なぜならば、空気がスロット６を通過して、真空が適用される基板２と基板テーブルＷＴとの間の領域に入ることができるからである。

[0037] 図３ａは、複数の穴８が設けられた基板２の領域も示している。この領域は点線１０に囲まれている。穴８は基板２の一部だけに示されているが、通常は基板２全体にわたって設けられる。穴８は、基板２が基板テーブルＷＴに真空クランプされるのを防ぐ。なぜならば、空気が穴８を通過して、真空が適用される基板２と基板テーブルＷＴとの間の領域に入ることができるからである。

[0038] 図３ｂは、非通常形状を有する基板１２を示している。基板１２は、概して通常の基板の４分の１から成る。基板１２は、基板テーブルＷＴ上に設けられるシールＳの上に載るには十分に大きくない。従って、基板１２と基板テーブルＷＴとの間の領域に真空状態を生じることは不可能である。

[0039] 図３ａおよび図３ｂに示される基板２と基板１２をそれぞれ基板テーブルＷＴに真空クランプすることを可能にする本発明の一実施形態が図４に示されている。

[0040] 図４ａ〜４ｃは、本発明の一実施形態に従ってキャリア基板にリソグラフィ基板を結合する様子を示している。

[0041] 図４ａでは、キャリア基板２０が提供される。キャリア基板は、これが基板テーブル上に置かれたときに、基板テーブルによってキャリア基板２０の下方に真空状態が生じるような寸法になっている。図２を参照すると、キャリア基板２０は、シールＳの上に横たわり、これによってその中に真空状態を生じさせることのできる容積を形成するのに十分に大きい直径を有する。キャリア基板２０は、例えば、シリコン、ガラス、クォーツ、またはその他いくつかの適切な材料から形成され得る。キャリア基板２０は、例えば、従来のリソグラフィ基板であってもよい。キャリア基板２０の直径は、例えば、２００ｍｍまたは３００ｍｍ（大多数の従来のリソグラフィ基板の直径）であってもよい。キャリア基板２０は、例えば、リソグラフィ装置が異なる直径のリソグラフィ基板を処理するように構成されている場合は、その異なる直径を有し得る。一般に、キャリア基板２０の直径は、リソグラフィ装置が扱うように設計されているリソグラフィ基板のあらゆる直径と一致する。

[0042] 図４ｂを参照すると、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）の層２２が、キャリア基板２０の上に提供される。ＰＤＭＳは硬化剤を含む。層２２として使用し得る、硬化剤と組み合わされたＰＤＭＳの一例は、「Sylgard１８４」という商標が付され、米国ミシガン州のダウコーニング社から入手可能である市販の製品である。

[0043] 図４ｃを参照すると、リソグラフィ基板２４がＰＤＭＳに付着するように、リソグラフィ基板２４がＰＤＭＳの層２２の上に置かれる。リソグラフィ基板２４は、例えば、スロットまたは穴を含んでもよい。上記に加えて、または上記に代わって、リソグラフィ基板２４は、非通常形状または非通常寸法を有してもよい。

[0044] キャリア基板２０、ＰＤＭＳの層２２、およびリソグラフィ基板２４は、以下総称して「基板とキャリアの組み合わせ２６」という。

[0045] 基板とキャリアの組み合わせ２６は、リソグラフィ装置（例えば図１に概略的に示されるタイプ）に導入され得る。基板とキャリアの組み合わせ２６は、従来の方法でリソグラフィ装置の基板テーブルＷＴに真空クランプされてもよく、これによって基板２４へのパターンの投影が可能になる。基板とキャリアの組み合わせ２６は、真空を解除することによって基板テーブルＷＴから取り除かれ、パターン形成すべき他の基板とキャリアの組み合わせと取り替えることができる。リソグラフィ装置の操作の観点から、基板とキャリアの組み合わせ２６は、従来の基板と同じ態様で取り扱われる。

[0046] 基板とキャリアの組み合わせ２６の全体の厚さは、１.２ｍｍ未満であってもよい。これは、いくつかの従来のリソグラフィ基板の厚さである。基板２４の厚さがこの厚さ、またはこれより薄い厚さである場合、このことは、基板とキャリアの組み合わせ２６がリソグラフィ装置によって従来の方法で確実に扱われるようにする際に役立つ。より厚い基板（例えば最大２ｍｍまでの厚さの基板）を扱うように構成されているリソグラフィ装置もある。この場合、基板とキャリアの組み合わせ２６は、そのリソグラフィ装置によって扱われる基板の厚さ（例えば２ｍｍ）と一致する厚さを有してもよい。

[0047] リソグラフィ基板２４は、例えば基板２４をＰＤＭＳに押圧することによって、ＰＤＭＳ層２２に付着され得る。基板２４とＰＤＭＳ層２２の間に空気が含まれることを抑止するために、基板２４の表面全体に均一に圧力を加えてもよい。このプロセスは、存在する汚染のリスクを減らすために、クリーンルーム環境内で実行されることができる。

[0048] ＰＤＭＳ層２２にリソグラフィ基板２４を手動で付着させてもよい。あるいは、自動プロセスを用いてＰＤＭＳ層２２に基板２４を付着させてもよい。自動プロセスが用いられる場合には、装置は、非接触手法による基板２４へのを押圧を含み得る。これは例えば、ガス（例えば窒素、清浄空気など）によってもたらされる圧力を用いて実行することができる。

[0049] ＰＤＭＳ層２２は、これにリソグラフィ基板２４が付着しているときに、室温でよい。あるいは、ＰＤＭＳ層２２は加熱されてもよい。これは例えば、リソグラフィ基板２４をＰＤＭＳ層２２に押圧するために使用されるガスを加熱することによって実行し得る。

[0050] リソグラフィ基板２４は、圧力を加えることなしにＰＤＭＳ層２２に付着させてもよい。これは例えば、リソグラフィ基板２４を所定の場所に置き、次に、リソグラフィ基板２４がＰＤＭＳ層２２に付着するまでＰＤＭＳ層２２を加熱することによって実行し得る。

[0051] ＰＤＭＳ層２２の付着は、リソグラフィ基板２４のすべての望ましいターゲット領域に望ましいパターンが投影されるのに十分な時間、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０上に保持されるものである。ＰＤＭＳ層２２の付着は、リソグラフィ基板２４の露光後プロセスを実行可能とするのに十分な時間、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０に付着したままの状態を維持するほどのものとすることができる。これは例えば、エッチング、スパッタリング、堆積などを含むことができる。ＰＤＭＳ層２２の付着は、リソグラフィ基板２４の露光前プロセス（例えば、リソグラフィ基板２４上へのレジストのスピンコーティング）を実行可能とするのに十分なものとすることができる。

[0052] ＰＤＭＳ層２２の付着は、複数のパターン形成された層がリソグラフィ基板２４に投影されるのを可能にするのに十分な時間、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０に付着するほどのものとすることができる。それは、すべての望ましいパターン形成された層がリソグラフィ基板２４に投影されること、すなわち、例えば完全な集積回路を形成することを可能にするのに十分なものとすることができる。これは例えば、フィルムトランジスタの場合は約７枚の層であってもよく、または、例えばメモリの場合は約３０枚の層であってもよい。

[0053] リソグラフィ基板２４の処理では、約２００℃を超えてＰＤＭＳを加熱してはならない。なぜならば、このように加熱すると、リソグラフィ基板２４のＰＤＭＳ層２２への付着の低下を引き起こし、その結果、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０から分離してしまうかもしれないからである。

[0054] 基板２４へのパターンのリソグラフィ投影（lithographic projection）以外の目的で、リソグラフィ基板２４をキャリア基板２０に付着させてもよい。例えば、エッチング、スパッタリング、堆積などの処理工程のために付着させてもよい。

[0055] 様々なメカニズムのうちの１つを用いて、望ましい場合にキャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除いてもよい。例えば、リソグラフィ基板２４とＰＤＭＳ層２２の間にブレードを挿入して、これらの間にギャップを形成し、これによってリソグラフィ基板２４をＰＤＭＳ層２２から分離させてもよい。あるいは、非接触真空システムを用いて、リソグラフィ基板２４を確保するためにリソグラフィ基板２４の上面に真空を適用し、その後でリソグラフィ基板２４をＰＤＭＳ層２２とキャリア基板２０から引き離してもよい。ＰＤＭＳ層２２は、これらいずれの取除きプロセスの間も室温であってよく、または、その付着を低減し、かつそれによってリソグラフィ基板２４がより簡単に取り除かれるようにする温度まで加熱されてもよい。

[0056] キャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除くために、専用装置を使用してもよい。この専用装置は、例えば、キャリア基板２０を受け、かつこれを確実に保持するように配置される基板テーブルを含む。専用装置は、リソグラフィ基板２４とキャリア基板２０の間に挿入されるように配置される可動ブレードをさらに含むことができる。上記の代わりに、または上記に加えて、専用装置は、リソグラフィ基板２４の上面に真空を適用し、これによってリソグラフィ基板２４をキャリア基板２０から引き離すように配置される非接触真空システムを含むことができる。

[0057] クリーンルーム環境においてキャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除くことが望ましいかもしれない。しかし、形成中の製品の複数の層のすべてが既にリソグラフィ基板２４上に設けられている場合には、リソグラフィ基板２４を取り除く間に生じる汚染は、より小さい問題である。

[0058] ＰＤＭＳの層２２によってもたらされる付着は、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０から分離することなしに、リソグラフィ装置内でのリソグラフィ基板２４の露光（および、場合により後続の処理も）を可能とするのに十分に高いものである。また、リソグラフィ処理が完了すると、リソグラフィ基板２４が必要に応じてキャリア基板２０から分離され得るように、付着は十分に低いものである。

[0059] 異なるリソグラフィ基板がＰＤＭＳ層から取り除かれた後で、新しいリソグラフィ基板をＰＤＭＳ層２２に取り付けることが可能な場合もある。複数回これを行うことが可能な場合もある。

[0060] 一般に、リソグラフィ基板はキャリア基板２０に結合可能であり、キャリア基板２０から取除き可能であると言うことができる。

[0061] １つのアプローチでは、レジストがリソグラフィ基板２４上に提供される前に、リソグラフィ基板２４をキャリア基板２０に付着してもよい。あるいは、レジストがリソグラフィ基板２４上に提供された後で、リソグラフィ基板２４のキャリア基板２０への付着が生じてもよい。例えば、リソグラフィ装置に隣接して配置された、またはリソグラフィ装置の一部を形成する基板取扱装置内で上記付着が生じる。例えば、４つのキャリア基板２０がモジュール内に設けられ、このモジュールは、リソグラフィ装置内でプリアライメントが実行される前に、リソグラフィ基板２４をキャリア基板２０に付着させるように配置される。リソグラフィ基板２４とキャリア基板２０がリソグラフィ装置から排出された後で、モジュールはキャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除くことができる。その後、キャリア基板２０を再利用してもよい。一般的に、３つのリソグラフィ基板２４が任意の時点でリソグラフィ装置内に存在し、一つ目がプリアライメントされ、二つ目が露光され、三つ目が排出される。このように、４つのキャリア基板２０を使用することが可能であり、他の３つのキャリア基板２０がリソグラフィ装置の内部にある間に、第４のキャリア基板がリソグラフィ基板２４を受ける。これが行われる場合、時間遅延が生じ得る。なぜならば、新しいリソグラフィ基板２４がキャリア基板２０に付着できるようになる前に、キャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除いたほうが通常良いからである。上記の理由により、５つのキャリア基板２０を使用してもよく、それによってこの時間遅延を低減しまたは取除き得る。

[0062] ＰＤＭＳ層２２は、キャリア基板２０の表面全体に付与されてもよい。あるいは、キャリア基板２０の縁部の領域は、コーティングされないままでもよい。このようにする場合、キャリア基板２０からリソグラフィ基板２４を取り除くときに、上記領域が役に立つかもしれない。例えば、ブレードまたはその他の器具を上記領域に挿入してもよい。

[0063] キャリア基板２０からＰＤＭＳを取り除くことが望ましい場合は、ＰＤＭＳを手で剥がしてもよい。残ったＰＤＭＳは、プラズマ、過酸化物、および／または硫酸を使用して取り除いてもよい。

[0064] 図５は、前述した本発明の実施形態と概して一致するが、いくつかの違いがある本発明の一実施形態を示す。図５を参照すると、キャリア基板２０にはＰＤＭＳの層２２が設けられ、このＰＤＭＳの層２２の上にリソグラフィ基板２４が提供される。キャリア基板２０の外径は、リソグラフィ基板２４の外径よりも小さい。基板テーブルとキャリア基板２０の間に真空を発生するように、キャリア基板２０が、基板テーブル上に設けられるシールＳ（図２を参照）にしっかりと接触するのに十分なくらい、キャリア基板２０の外径は大きい。

[0065] リソグラフィ基板２４の縁部は、キャリア基板２０上に張り出す。この張出し部分は、例えば１ｍｍまたは２ｍｍ以上であってよい。それは、例えば５ｍｍ未満であってもよい。キャリア基板２０の直径は、２００ｍｍ未満であるが、１９５ｍｍより大きくてもよい（例えば２００ｍｍの直径のリソグラフィ基板とともに使用される）。キャリア基板２０の直径は、３００ｍｍ未満であるが、２９５ｍｍより大きくてもよい（例えば３００ｍｍの直径のリソグラフィ基板とともに使用される）。

[0066] 張出し部分は、リソグラフィ基板２４が確実に湾曲しないようにするために、５ｍｍ未満であってよい。このような湾曲が生じると、パターンがリソグラフィ基板２４に投影される際の精度を損ない得る。湾曲が生じるか否かは、ある程度、リソグラフィ基板２４の厚さに左右される。この理由により、リソグラフィ基板２４の様々な厚さには異なる張出し部分が適切となる。

[0067] 図５に示される実施形態の利点は、リソグラフィ装置内のプリアライメントの間に、基板２４の縁部の位置を決定するために配置される縁部検出器が、キャリア基板２０の縁部を検出するのではなく、リソグラフィ基板２４の縁部を検出するということである。

[0068] 通常、プリアライメントの間に、リソグラフィ基板２４に設けられたアライメントマークがリソグラフィ装置内のアライメントシステムのキャプチャレンジ内に位置づけられるように、所定の精度範囲内でリソグラフィ基板２４の位置を決めることが望ましい。縁部検出器がリソグラフィ基板２４ではなく、キャリア基板２０の縁部を検出すると、リソグラフィ基板２４の位置は、縁部検出によって測定されないということになる。これは、アライメントマークがアライメントシステムのキャプチャレンジ内に入るように、リソグラフィ基板２４が、高い位置精度でキャリア基板２０に付着されなければならないことを意味する。図５に示される本発明の実施形態が用いられる場合、リソグラフィ基板２４がキャリア基板２０に付着されなければならない時の精度が低められる。図５に示される本発明の実施形態が用いられる場合、張出し部分がキャリア基板２０の周辺部の周り全体に延在すること、およびリソグラフィ基板２４に投影されるパターンの忠実度が劣るという結果をもたらし得るリソグラフィ基板２４の湾曲を可能にするほど、張出し部がどの位置でも大きくはないことを確実にすることによってのみ、精度要件は満たされることができる。

[0069] 本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明を上述以外の態様で実施できることは明らかである。上記説明は、本発明を制限することを意図したものではない。

Claims (15)

1. ＰＤＭＳおよび硬化剤の層を一方の面上に有するキャリア基板であって、前記ＰＤＭＳおよび硬化剤はリソグラフィ基板を受けてこれに付着するものであり、前記キャリア基板は従来のリソグラフィ装置が前記キャリア基板と前記リソグラフィ基板との組み合わせを扱うことができるような寸法である、キャリア基板。
2. 前記キャリア基板が、シリコン、ガラス、またはクォーツから形成される、請求項１に記載のキャリア基板。
3. 前記キャリア基板の直径が、前記リソグラフィ基板の直径よりも小さいが、前記キャリア基板と前記従来のリソグラフィ装置の基板テーブルとの間にシールの形成を可能にするほど十分に大きい、請求項１に記載のキャリア基板。
4. 前記キャリア基板の直径が、前記リソグラフィ基板の直径よりも小さいが、前記リソグラフィ基板の前記直径より５ｍｍも小さくない、請求項１に記載のキャリア基板。
5. 前記キャリア基板の直径が２００ｍｍ未満であるが、１９５ｍｍよりも大きい、請求項１に記載のキャリア基板。
6. 前記キャリア基板の直径が３００ｍｍ未満であるが、２９５ｍｍよりも大きい、請求項１に記載のキャリア基板。
7. キャリア基板上に設けられたＰＤＭＳおよび硬化剤の層にリソグラフィ基板を付着させること、および
   リソグラフィ装置を用いて、前記リソグラフィ基板にパターンを投影すること
   を含む、リソグラフィ方法。
8. 前記ＰＤＭＳおよび硬化剤に前記リソグラフィ基板を押圧することによって前記付着を実行する、請求項７に記載の方法。
9. ガスを用いて前記押圧を実行する、請求項８に記載の方法。
10. 前記ガスが加熱される、請求項９に記載の方法。
11. 露光後プロセスの間、前記ＰＤＭＳ層によって前記リソグラフィ基板は前記キャリア基板に付着した状態を維持する、請求項７に記載の方法。
12. 後に続くリソグラフィ装置を用いた前記リソグラフィ基板への異なるパターンの投影の間、前記ＰＤＭＳ層によって前記リソグラフィ基板は前記キャリア基板に付着した状態を維持する、請求項１１に記載の方法。
13. 前記パターンが前記リソグラフィ基板上に投影された後、かつ露光後プロセスの前に、前記キャリア基板上の前記ＰＤＭＳ層から前記リソグラフィ基板を取り除くことをさらに含む、請求項７に記載の方法。
14. 前記キャリア基板上の前記ＰＤＭＳ層に異なるリソグラフィ基板を付着させることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 真空を用いて、前記キャリア基板上の前記ＰＤＭＳ層から前記リソグラフィ基板を取り除くことをさらに含む、請求項７に記載の方法。