TW201816519A - 薄膜總成及微粒捕捉器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種微粒捕捉器總成，其經組態以減小具有一較大範圍的大小、材料、行進速度及入射角之污染物微粒到達一微粒敏感環境之可能性。該微粒捕捉器可為位於微影裝置之一靜止零件與一可移動零件之間的一間隙幾何微粒捕捉器。該微粒捕捉器亦可為位於微影或度量衡裝置中之一微粒敏感環境之一表面上之一表面幾何微粒捕捉器。

Description

薄膜總成及微粒捕捉器

本發明係關於設計用於EUV微影之薄膜總成及微粒捕捉器。

微影裝置為將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼個例中，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。大體而言，單個基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。 微影被廣泛地認為係在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之構件之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使得能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性的因素。 圖案列印極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以列印圖案之投影系統之數值孔徑，k₁ 為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經列印構件之構件大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得構件之最小可列印大小之減小：藉由縮短曝光波長λ，藉由增加數值孔徑NA，或藉由減小k₁ 之值。 為了縮短曝光波長且因此減小最小可列印大小，已提議使用遠紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在10 nm至20 nm之範圍內(例如，在13 nm至14 nm之範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10 nm (例如，在5 nm至10 nm之範圍內，諸如6.7 nm或6.8 nm)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為遠紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。 微影裝置包括圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)。輻射經提供通過圖案化器件或自圖案化器件反射以在基板上形成影像。可提供薄膜總成以保護圖案化器件免受空浮微粒及其他形式之污染物影響。用於保護圖案化器件之薄膜總成可被稱為護膜。圖案化器件之表面上之污染物可造成基板上之製造缺陷。薄膜總成可包含邊界及橫越該邊界拉伸之薄膜。 在使用中，需要藉由(例如)安裝構件使薄膜相對於圖案化器件固定。需要減小由安裝構件所佔據之空間之量。亦需要使薄膜總成在其被輸送至供安裝至圖案化器件之位置中時佔據較小空間。亦需要減小污染物微粒到達薄膜與圖案化器件之間的區的可能性。

根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之薄膜總成，該薄膜總成包含：平面薄膜；邊界，其經組態以固持該薄膜；及框架總成，其連接至該邊界且經組態而以可釋放方式附接至用於EUV微影之圖案化器件，其中該框架總成包含回彈性部件；其中該框架總成在垂直於薄膜之平面之方向上連接至邊界，使得在使用中框架總成係介於邊界與圖案化器件之間。 根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之圖案化器件總成，該圖案化器件總成包含：平面圖案化器件；自該圖案化器件突起之至少一個突起部；及如前述技術方案中任一項之薄膜總成，該框架總成係經由至少一個突起部而連接至圖案化器件；其中該至少一個突起部係介於邊界與圖案化器件之間。 根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之薄膜總成，該薄膜總成包含：平面薄膜；及框架總成，其經組態以固持薄膜且附接至用於EUV微影之圖案化器件；其中該框架總成具有：鎖定狀態，其中該框架總成經鎖定至圖案化器件使得薄膜經固持為與圖案化器件相隔一預定距離；及解鎖狀態，其中薄膜與圖案化器件相隔小於該預定距離。 根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之圖案化器件總成，該圖案化器件總成包含：用於EUV微影之平面圖案化器件；薄膜總成，其包含：平面薄膜；及框架總成，其經組態以固持薄膜且附接至圖案化器件，其中間隙形成於框架總成與圖案化器件之相對表面之間；其中框架總成包含伸長擋板，該伸長擋板經組態以限制污染物微粒進入該間隙，其中該伸長擋板在超出圖案化器件之平面範圍之一位置處延伸超出圖案化器件之相對表面。 根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之圖案化器件總成，該圖案化器件總成包含：平面圖案化器件；薄膜總成，其包含平面薄膜及經組態以固持該薄膜之邊界；至少一個突起部，其自圖案化器件及邊界中之一者突起，其中該至少一個突起部係介於邊界與圖案化器件之間；及框架總成，其經連接至圖案化器件及邊界中之另一者，其中框架總成經組態以附接至邊界與圖案化器件之間的至少一個突起部。 根據本發明之一態樣，提供一種用於暫時容納安裝至用於EUV微影之圖案化器件上的薄膜總成之裝載裝置，該裝載裝置包含裝載裝置之內部表面處之突起部，其中該等突起部經組態以在裝載裝置容納薄膜總成時朝向圖案化器件來按壓薄膜總成之薄膜固持器。 根據本發明之一態樣，提供一種圖案化器件，其包含具有第一表面之圖案化器件之第一結構、具有第二表面之圖案化器件之第二結構(其中第一表面與第二表面彼此相對)，及形成於第一表面上且與第二表面相對之捕捉器，該捕捉器包含複數個擋板。間隙形成於相對的第一表面與第二表面之間。 根據本發明之一態樣，提供一種裝置，其包含具有第一表面之圖案化器件之第一結構、具有第二表面之圖案化器件之第二結構，及形成於第一表面與第二表面之間的間隙。該裝置進一步包含附接至第一表面之第一捕捉器，其中該第一捕捉器包含自第一表面突起的複數個擋板。 根據本發明之一態樣，提供一種裝置，其包含經組態以限制污染物微粒之捕捉器。捕捉器形成於裝置之表面上且包含自表面突起的複數個擋板。

圖1示意性地描繪根據本發明之一個實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置100包含： - 照明系統(或照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化器件之第一定位器PM； - 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，經抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。 術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指代可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化液晶顯示器(LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜之鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。 如此處所描繪，微影裝置100屬於反射類型(例如，採用反射光罩)。 微影裝置100可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個支撐結構MT)之類型。在此「多載物台」微影裝置中，可並行地使用額外基板台WT (及/或額外支撐結構MT)，或可在一或多個基板台WT (及/或一或多個支撐結構MT)上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT (及/或一或多個其他支撐結構MT)用於曝光。 參看圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收遠紫外線輻射光束。產生EUV光之方法包括(但不必限於)將在EUV範圍中具有一或多個發射譜線之材料(例如，氙、鋰或錫)轉換成具有至少一個元件之電漿狀態。在一種此類方法(其通常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由使用雷射光束來輻照燃料(諸如具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射來提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為分離實體。 在此等情況下，不認為雷射形成微影裝置100之部分，且輻射光束B係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組SO。在其他情況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組SO之整體部分。 照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。大體而言，可調整照明系統IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作外部及內部)。此外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明系統IL可用於調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上且由圖案化器件MA圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B穿過將輻射光束B聚焦到基板W之目標部分C上之投影系統PS。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使得在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。 控制器500控制微影裝置之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及微影裝置100之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置100之間的一對一關係係不必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影裝置100。在本發明之一實施例中，多個網路化電腦可用於控制一個微影裝置100。控制器500亦可經組態以控制微影單元或叢集中之一或多個關聯程序器件及基板處置器件，微影裝置100形成微影單元或叢集之一部分。控制器500亦可經組態以從屬於微影單元或叢集之監督控制系統及/或廠房(fab)之總控制系統。 圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。EUV輻射發射電漿210可由電漿源形成。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中產生輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由輻射發射電漿210發射之輻射自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。收集器腔室212可包括輻射收集器CO。橫穿輻射收集器CO之輻射可聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置以使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件經配置以提供在圖案化器件MA處未經圖案化光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。未經圖案化光束21在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射後，形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。 比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面更多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射器件多1至6個額外反射元件。 替代地，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。 如圖1中所描繪，在一實施例中，微影裝置100包含照明系統IL及投影系統PS。照明系統IL經組態以發射輻射光束B。投影系統PS係藉由介入空間而與基板台WT分離。投影系統PS經組態以將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W上。該圖案係用於輻射光束B之EUV輻射。 可至少部分地抽空介入於投影系統PS與基板台WT之間的空間。可在投影系統PS之位置處由固體表面定界介入空間，所採用之輻射係自該固體表面經導向朝向基板台WT。 在一實施例中，微影裝置100包含動態氣鎖。動態氣鎖包含薄膜總成80。在一實施例中，動態氣鎖包含由位於介入空間中之薄膜總成80覆蓋的中空部分。中空部分位於輻射之路徑周圍。在一實施例中，微影裝置100包含鼓風機，該鼓風機經組態以藉由氣流沖洗中空部分之內部。輻射在照射於基板W上之前行進通過薄膜總成。 在一實施例中，微影裝置100包含薄膜總成80。如上文所解釋，在一實施例中，薄膜總成80係用於動態氣鎖。在此情況下，薄膜總成80充當用於對DUV輻射進行過濾之濾光器。另外或替代地，在一實施例中，薄膜總成80為用於EUV微影之圖案化器件MA之護膜。本發明之薄膜總成80可用於動態氣鎖或用於護膜或用於另一目的，諸如光譜純度濾光器(spectral purity filter)。在一實施例中，薄膜總成80包含薄膜40，該薄膜亦可被稱為薄膜堆疊。在一實施例中，該薄膜經組態以透射至少80%的入射EUV輻射。 在一實施例中，薄膜總成80經組態以密封圖案化器件MA以保護圖案化器件MA免受空浮微粒及其他形式之污染物影響。圖案化器件MA之表面上之污染物可造成基板W上之製造缺陷。舉例而言，在一實施例中，護膜經組態以減小粒子可能遷移至微影裝置100中之圖案化器件MA之步進場中的可能性。 若圖案化裝置MA未受保護，則污染物可能需要清潔或捨棄圖案化器件MA。清潔圖案化器件MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化器件MA成本很高。替換圖案化器件MA亦會中斷寶貴的製造時間。 圖3以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之薄膜總成80的部分。薄膜總成80係用於EUV微影。薄膜總成80包含薄膜40。薄膜40發射EUV輻射。當然，薄膜40可不具有100%的EUV輻射發射率。然而，薄膜可具有(例如)至少50%的發射率。如圖3中所展示，在一實施例中，薄膜40實質上為平面。在一實施例中，薄膜40之平面實質上平行於圖案化器件MA之平面。 舉例而言，薄膜總成80具有諸如正方形、圓形或矩形之形狀。薄膜總成80之形狀並不特別受限。薄膜總成80之大小並不特別受限。舉例而言，在一實施例中，薄膜總成80之直徑在約100 mm至約500 mm之範圍內，例如約200 mm。 如圖3中所描繪，在一實施例中，薄膜總成80包含邊界81。邊界81經組態以固持薄膜40。邊界81提供對薄膜40之機械穩定性。邊界81經組態以減小薄膜40變形而脫離其平面形狀的可能性。在一實施例中，在薄膜40之製造期間將預張力施加至該薄膜。邊界81經組態以維持薄膜40中之張力使得薄膜40在微影裝置100之使用期間不具有起伏形狀。在一實施例中，邊界81沿著薄膜40之周邊而延伸。薄膜40之外部周邊定位於邊界81之頂部上(根據圖3之視圖)。邊界81可至少部分地由自製造薄膜總成80之程序剩下的薄膜40之部分形成。因此，邊界81可並非為來自薄膜40之分離組件。 邊界81之厚度並不特別受限。舉例而言，在一實施例中，邊界81之厚度為至少300 μm，視情況至少400 μm。在一實施例中，邊界81之厚度為至多1,000 μm，視情況至多800 μm。在一實施例中，邊界81之寬度為至少1 mm、視情況至少2 mm、視情況至少4 mm。在一實施例中，邊界81之寬度為至多10 mm、視情況至多5 mm、視情況至多4 mm。 如圖3中所描繪，在一實施例中，薄膜總成80包含框架總成50。框架總成50連接至邊界81。在一實施例中，框架總成50包含與邊界81接觸之框架表面。在一實施例中，框架總成50最初被製造為與邊界81分離之組件且隨後連接至邊界81。舉例而言，可一起製造薄膜40與邊界81之組合，而可分離地製造框架總成50。在後續製造步驟中，可將框架總成50附接至或固定至邊界81。 在一實施例中，框架總成50之寬度為至少2 mm、視情況至少5 mm、視情況至少8 mm。在一實施例中，框架總成50之寬度為至多20 mm、視情況至多10 mm、視情況至多8 mm。 在一實施例中，框架總成50包含框架51。框架51為連接至邊界81之框架總成50之部分。在一實施例中，框架51係由與邊界81相同之材料製成。舉例而言，在一實施例中，邊界81及框架51兩者係由包含矽之材料製成。在一實施例中，邊界81係由矽製成。在一實施例中，框架51係由矽製成。在一實施例中，邊界81之熱膨脹係與框架51之熱膨脹實質上匹配。在一實施例中，藉由黏著劑將框架51附接至邊界81。在一實施例中，黏著劑之熱膨脹與框架51及/或邊界81之熱膨脹實質上匹配。 如圖3中所描繪，框架總成50經組態以附接至圖案化器件MA。在一實施例中，框架總成50包含經組態以與圖案化器件MA接觸之框架表面。框架總成50係用於固持薄膜40相對於圖案化器件MA之位置。儘管參考圖案化器件MA來描述實施例，但本發明同樣適用於連接至除圖案化器件MA之外的不同組件之薄膜總成80。 在一實施例中，框架總成50在垂直於薄膜40之平面之方向上連接至邊界81。此展示於圖3中。在圖3中，薄膜40之平面自左至右延伸且延伸至紙張中且延伸出紙張。垂直於薄膜40之平面的方向對應於圖3中之垂直(亦即，上下)方向。框架總成50連接至邊界81至正下方。邊界81與框架總成50在圖3中在垂直方向上對準。在一實施例中，邊界81與框架總成50之間的介面在實質上平行於薄膜40之平面的平面中。 在一實施例中，薄膜總成80經組態以可自圖案化器件MA移除。此情形允許發生圖案化器件MA之中間檢測。在一實施例中，框架總成50經組態以重複地附接至圖案化器件MA且自圖案化器件MA拆卸。 在使用中，框架總成50係介於邊界81與圖案化器件MA之間。此配置不同於框架總成經定位成自邊界徑向地向外之配置。預期本發明之一實施例達成相對於圖案化器件MA將薄膜40固持於適當位置所需的圍繞薄膜40之空間減小。 根據比較實例，薄膜總成具有自邊界徑向地向外的框架總成。需要使框架總成在徑向方向上可進入以便將框架總成附接至圖案化器件/自圖案化器件拆卸框架總成。容納邊界、框架總成及用於進入框架總成之空間可需要約16 mm之空間。 與框架總成50位於邊界81下方之一實施例相比，藉此減小容納邊界81及框架總成50所需之徑向空間。舉例而言，在一實施例中，容納邊界81、框架總成50及用於存取框架總成50之空間為約12 mm之所需徑向空間。 預期本發明之一實施例實現用於安裝構件之圖案化器件MA區中所需空間的減小。安裝構件為用以將薄膜總成80安裝至圖案化器件MA上之構件。在一實施例中，安裝構件提供於邊界81與圖案化器件MA之間。此展示於圖3中且將在下文對其進行進一步詳細解釋。 在一實施例中，框架總成50包含至少一個孔52。在一實施例中，孔52為框架總成50之框架51內的空腔或腔室或開口。孔52經組態以接納突起部(例如，螺柱60)。螺柱60自圖案化器件MA突起。在一替代性實施例中，框架總成50永久地附接至圖案化器件MA，且螺柱60自薄膜總成80之邊界81突起。 圖3展示固定至圖案化器件MA之螺柱60。在一實施例中，使用黏著劑將螺柱60膠合至圖案化器件MA上。替代地，螺柱60可形成為與圖案化器件MA成整體。作為另一替代例，最初可將螺柱60製造為與圖案化器件MA分離之組件，且隨後使用不同於黏著劑之構件(例如，螺桿)將該螺柱固定至圖案化器件MA。 螺柱60及孔52為安裝構件。在一實施例中，螺柱60及孔52提供於邊界81與圖案化器件MA之間。此配置不同於安裝構件經定位成自邊界81徑向地向外之先前已知配置。 如圖3中所描繪，在一實施例中，當在垂直於薄膜40之平面之方向上檢視時，孔52與邊界81至少部分地重疊。此展示於圖3中，其中當在垂直方向上檢視時，孔52與邊界81部分地重疊。查看圖3，可繪製延伸通過邊界81及孔52兩者之垂直線。 在一實施例中，框架總成50包含鎖定機構55。鎖定機構55經組態以將框架總成50鎖定至螺柱60。在一實施例中，鎖定機構55包含回彈性部件53。在一實施例中，鎖定機構55包含用於每一孔52之回彈性部件53。在一實施例中，框架總成50包含複數個孔52，例如，兩個、三個、四個或更多個孔52。對應於每一孔52提供回彈性部件53。 如圖3中所描繪，在一實施例中，回彈性部件53包含彈簧。舉例而言，彈簧可為螺旋彈簧或板片彈簧。在替代性實施例中，回彈性部件53包含諸如橡膠之回彈性材料。在替代性實施例中，回彈性部件53包含撓曲件。可使用(例如)放電機械加工製程來加工撓曲件。 圖4至圖6示意性地描繪鎖定機構55之使用階段。圖4至圖6以平面圖來展示。圖4描繪初始狀態，其中框架總成50經定位於螺柱60上方使得螺柱60被接納至孔52中。回彈性部件53並未被壓縮。如圖4中所描繪，回彈性部件53延伸至孔52中。因此，當螺柱60被接納至孔52中時，螺柱60可與回彈性部件53接觸。回彈性部件53經組態以在接納於孔52中之螺柱60在薄膜40之平面內之方向上壓抵回彈性部件53時為可變形的(例如可壓縮的)。舉例而言，在圖4中，螺柱60可在該圖中向右之方向上壓抵回彈性部件53。 如圖3至圖6中所描繪，在一實施例中，鎖定機構55包含用於每一孔52之鎖定部件54。鎖定部件54經組態而可移動至鎖定位置，在該鎖定位置中，鎖定部件54延伸至孔52中。在鎖定位置中，經壓縮回彈性部件53朝向鎖定部件54將力施加於接納於孔52中之螺柱60上。此情形以自圖4至圖6之序列展示。 如自圖4至圖5之轉變中所展示，螺柱60與框架總成50相對於彼此而移動使得螺柱60壓抵回彈性部件53。螺柱60壓縮回彈性部件53，如圖5中所展示。 如自圖5至圖6之轉變中所展示，鎖定部件54移動至鎖定位置，在該鎖定位置鎖定部件54延伸至孔52中。舉例而言，如圖4至圖6中所展示，在一實施例中，框架總成50包含至少一個鎖定孔隙56。鎖定部件54穿過鎖定孔隙56。 圖6展示處於鎖定位置中之鎖定部件54。回彈性部件53在鎖定部件54之方向上將力施加於螺柱60上。在圖5所展示之情形中，需要將外力待施加於框架總成50上及/或螺柱60上使得螺柱60壓縮回彈性部件53。一旦鎖定部件54處於鎖定位置中(例如，如圖6所展示)，不再有必要施加外力。此係因為鎖定部件54將螺柱60與框架總成50相對於彼此固持於適當位置。如上文所解釋，螺柱60經定位於邊界81下方，而不是自邊界81徑向地向外。此可需要圖案化器件MA與薄膜40之間的距離(亦被稱為偏距)增大。圖案化器件MA之表面與薄膜40之間的距離實質上對應於框架總成50與邊界81之經組合高度。在一實施例中，框架總成50與邊界81之30經組合高度為至少1 mm、至少2 mm，且視情況至少5 mm。在一實施例中，框架總成50與邊界81之經組合高度為至多20 mm、視情況至多10 mm，且視情況至多5 mm。 在一實施例中，回彈性部件53包含由諸如不鏽鋼之材料製成的彈簧。在一實施例中，回彈性部件53連接至由與回彈性部件53不同之材料製成的接觸墊57。舉例而言，接觸墊57可由與螺柱60及/或鎖定部件54相同之材料製成。在一實施例中，接觸墊57包含鈦。在一實施例中，鎖定部件54包含鈦。在一實施例中，螺柱60包含鈦。已知鈦提供延性接觸。然而，在一替代性實施例中，其他材料可用於接觸墊57、螺柱60及鎖定部件54。 如圖4至圖6中所展示，在一實施例中，在平面圖中孔52之橫截面積大於螺柱60之橫截面積。孔52對於螺柱60來說過大。在一實施例中，回彈性部件53被提供為與末端擋板(諸圖中未展示)相抵。當在平面圖中檢視時，回彈性部件53突起至孔52中(如圖4中所展示)。因此，回彈性部件53有效地減小在平面圖中孔52之橫截面積。孔52之剩餘橫截面尺寸大於螺柱60之尺寸。因此，可在框架總成50在螺柱60上方垂直地移動時將螺柱60接納至孔52中。框架總成50相抵於回彈性部件53側向地推動使得回彈性部件53向內偏轉。將鎖定部件54置放成防止框架總成50向後彎曲。在一實施例中，鎖定部件54為銷釘。可自側面或自頂部插入鎖定部件54。在已插入鎖定部件54之後，將框架總成50鎖定至圖案化器件MA。 在一實施例中，框架總成50包含圍繞框架總成50均勻地分佈之四個孔52。在一實施例中，框架總成50具有與邊界81類似之形狀，其遵循薄膜40之周邊。圖3描繪自孔52徑向地向內之回彈性部件53。然而，情況未必如此。回彈性部件53可自孔52徑向地向外，或相對於孔52既不徑向地向內亦不徑向地向外。孔52經定位於回彈性部件53與鎖定部件54之間。 在一實施例中，一回彈性部件53在薄膜總成80之一側處自孔52徑向地向內，而另一回彈性部件53在薄膜總成80之相對側處自另孔52徑向地向外。此情形允許圖案化器件MA之相對側處之螺柱60在薄膜總成80相對於圖案化器件MA之一次移動的情況下壓縮兩個回彈性部件52。在一實施例中，薄膜總成80經組態成使得接納於對應孔52中之所有螺柱60在薄膜總成80相對於圖案化器件MA之一次移動的情況下壓縮對應回彈性部件52。 如圖4至圖6中所展示，在一實施例中，鎖定部件54被提供為鬆散零件。在一替代性實施例中，鎖定部件可經形成為與框架總成50之其餘部分成為整體，其限制條件為：鎖定部件54可滑動至鎖定位置中。 在一實施例中，螺柱60之直徑(在平面圖中)為至少1 mm、視情況至少2 mm，且視情況至少3 mm。在一實施例中，螺柱60之直徑為至多10 mm、視情況至多5 mm、視情況至多3 mm。 如上文所解釋，在一實施例中，當回彈性部件53未被壓縮時，其延伸至孔52中。在一實施例中，回彈性部件53延伸至孔52中達至少0.1 mm、視情況至少0.2 mm且視情況至少0.5 mm之距離。在一實施例中，回彈性部件53延伸至孔52中達至多2 mm、視情況至多1 mm且視情況至多0.5 mm之距離。 如上文所提及，孔52之直徑大於螺柱60之直徑。在一實施例中，孔之直徑比螺柱60之直徑大至少0.2 mm、視情況至少0.5 mm，且視情況至少1 mm。在一實施例中，孔52之直徑比螺柱60之直徑大至多5 mm、視情況至多2 mm，且視情況至多1 mm。在一實施例中，鎖定部件54之長度為至少1 mm、視情況至少2 mm，且視情況至少4 mm。 在一實施例中，鎖定部件54之長度為至多10 mm、視情況至多5 mm，且視情況至多4 mm。在一實施例中，鎖定部件54之寬度為至少0.2 mm、視情況至少0.5 mm，且視情況至少1 mm。在一實施例中，鎖定部件54之寬度為至多5 mm、視情況至多2 mm，且視情況至多1 mm。 預期本發明之一實施例實現將部件總成80附接至圖案化器件MA/自圖案化器件MA拆卸部件總成80所需的工具加工步驟之減少。 圖7以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之薄膜40。如圖7中所展示，薄膜40包含堆疊。堆疊包含複數個層。 在一實施例中，堆疊包含至少一個矽層41。矽層41包含一種形式之矽。在一實施例中，堆疊包含至少一個矽化合物層43。矽化合物層43係由矽與選自由硼、磷、溴及硫組成之群組之另一元素的化合物製成。然而，亦可使用其他元素。特定而言，在一實施例中，與矽組合以形成矽化合物層43之元素為可用作用於摻雜矽層41之摻雜劑材料的任何元素。僅僅出於方便起見，將描述其中硼作為與矽組合之元素的實施例。實施例並不限於元素為硼。 在一實施例中，矽化合物層43包含硼化矽。硼化矽具有化學式SiB_x ，其中x可為3、4、6、14、15、40等。硼化矽具有金屬屬性。特定而言，矽化合物層43具有金屬之屬性使得其增加對薄膜40之EUV輻射之發射率。僅由矽層41製成之薄膜將具有低發射率，可能為大約3%。若將金屬或具有金屬屬性之化合物添加至薄膜40，則發射率顯著地增大。 已知金屬由於EUV吸收率而限制薄膜之實際厚度。藉由提供矽薄膜層43，預期本發明之一實施例實現具有足夠發射率以供用於微影裝置100中之薄膜40的可能厚度增大。 如圖7中所描繪，在一實施例中，矽化合物層43形成為矽層41與非金屬層42之間的夾層，該非金屬層包含與矽組合以形成矽化合物層43之元素。舉例而言，在一實施例中，非金屬層42包含硼。在一實施例中，以碳化硼之形式提供硼。然而，可使用硼之替代形式。 在一實施例中，矽層41最初被提供為鄰近於非金屬層42。非金屬層42中之硼與矽層41中之矽局部地摻雜。硼與矽摻雜達產生硼化矽以形成矽化合物層43之程度。硼與矽摻雜使得在摻雜矽中硼原子多於矽原子，亦即，形成硼化矽。 在一實施例中，矽層41及非金屬層42被提供為多層。局部地，矽化硼可增強薄膜40 (藉由層合效應及藉由硼在矽中之輻射硬化)使得薄膜40可耐受較高溫度。 如圖7中所描繪，在一實施例中，堆疊包含複數個矽層41、複數個非金屬層42及每一對矽層41與非金屬層42之間的一矽化合物層43。 如圖7中所描繪，在一實施例中，堆疊包含按以下次序之層：非金屬層42、矽化合物層43、矽層41、矽化合物層43、非金屬層42、矽化合物層43、矽層41、矽化合物層43、非金屬層42、矽化合物層43、矽層41、矽化合物層43及非金屬層42。此堆疊為多層堆疊。在一實施例中，堆疊可包含一非金屬層42，及接著包含矽化合物層43、矽層41、矽化合物層43及非金屬層42之四個層之集合的重複循環。 在一實施例中，每一非金屬層42之厚度為至少0.5 nm、視情況至少1 nm，且視情況至少2 nm。在一實施例中，每一非金屬層42之厚度為至多10 nm、視情況至多5 nm，且視情況至多2 nm。 在一實施例中，每一矽化合物層43之厚度為至少0.5 nm、視情況至少1 nm，且視情況至少2 nm。在一實施例中，每一矽化合物層43之厚度為至多10 nm、視情況至多5 nm，且視情況至多2 nm。 在一實施例中，每一矽層41之厚度為至少2 nm、視情況至少5 nm，且視情況至少8 nm。在一實施例中，每一矽層41之厚度為至多20 nm、視情況至多10 nm，且視情況至多8 nm。 預期圖7中所描繪的具有厚度為8 nm之矽層41、厚度為2 nm之非金屬層42及厚度為2 nm之矽化合物層43的實施例實現約90%的針對EUV輻射之發射率。 圖8描繪一替代性實施例，其中堆疊包含按以下次序之層：非金屬層42、矽化合物層43、矽層41、矽化合物層43及非金屬層42。 如圖8中所描繪，在一實施例中，薄膜40僅包含一個矽層41。在此實施例中，矽層41之厚度可為至少10 nm、視情況至少20 nm，且視情況至少38 nm。在一實施例中，單個矽層41之厚度為至多100 nm、視情況至多50 nm，且視情況至多38 nm。預期圖8中所展示且具有厚度為38 nm之矽層41、厚度為4 nm之非金屬層42及厚度為2 nm之矽化合物層43的實施例實現約90%的針對EUV輻射之發射率。 在一實施例中，堆疊中之矽化合物層43之總組合厚度為至多約20 nm。金屬及具有金屬屬性之化合物改良薄膜40之發射率，其限制條件為：經組合厚度不過厚。對於過厚的金屬或具有金屬屬性之化合物的層，發射率可減小。 圖9示意性地描繪薄膜40之一替代性實施例。如圖9中所描繪，在一實施例中，堆疊包含至少一個矽層41、至少一個罩蓋層46及至少一個抗遷移層47。在一實施例中，罩蓋層46包含釕。罩蓋層46被提供於薄膜40之外部表面處。抗遷移層47包含鉬及鈦中之至少一者。抗遷移層47鄰近於每一罩蓋層46。 包含釕之罩蓋層46改良薄膜40之發射率。罩蓋層46減小薄膜40氧化之可能性。罩蓋層46經組態以保護薄膜40免受氫氣影響。 在微影裝置100之使用期間，薄膜40可由於吸收輻射而變熱。當罩蓋層46變熱時，罩蓋層46之材料((例如，釕)可遷移。遷移為由罩蓋層46中之離子之漸進移動造成的材料之輸送。當材料開始遷移時，材料可在罩蓋層46中形成島狀物。當材料開始遷移時，減小了罩蓋層46在減小氧化、保護免受氫氣影響及改良發射率方面之有效性。因此，在微影裝置100之使用期間，薄膜40可開始氧化且發射率可減低。 藉由提供抗遷移層47，減小了罩蓋層46之遷移。鉬及鈦為具有相對高熔融溫度及對UV輻射之良好發射率的金屬。鈦及鉬在其被加熱時並不遷移與釕同樣多。鈦及鉬具有與釕之良好的金屬間接觸。藉由鄰近於罩蓋層46提供抗遷移層47，減小了罩蓋層46之遷移。結果，即使當在微影裝置100之使用期間加熱罩蓋層46時，在較高溫度下亦保留罩蓋層46之良好屬性。 如圖9中所描繪，在一實施例中，堆疊包含按以下次序之層：薄膜40之外部表面處的包含釕之罩蓋層46、包含鉬及鈦中之至少一者之抗遷移層47、矽層41、包含鉬及鈦中之至少一者之抗遷移層47，及薄膜40之另一外部表面處的包含釕之罩蓋層46。在一實施例中，將包含釕之罩蓋層46提供於薄膜40之兩個外部表面處。 圖10描繪薄膜之一替代性實施例，其中將抗遷移層47之使用與使用矽化合物層43之構思組合。 如圖10中所描繪，在一實施例中，堆疊包含按以下次序之層：薄膜40之外部表面處的包含釕之罩蓋層46、包含鉬及鈦中之至少一者之抗遷移層47、矽層41、矽化合物層43及非金屬層42。 在薄膜總成80之製造期間，碳化硼層可以化學方式保護矽層41免受蝕刻製程影響。在一實施例中，薄膜40包含週期性結構。在一實施例中，週期未經設定為等於6.6 nm或6.7 nm。若週期處於或接近6.7 nm，則薄膜可用作用於EUV輻射之鏡面。 矽可在金剛石立方晶體結構中結晶。在一實施例中，邊界81包含矽之立方晶體。在一實施例中，邊界81具有＜100＞結晶方向。 在一實施例中，矽層41係由多晶矽或奈米晶矽形成。多晶矽或奈米晶矽具有脆性性質。因此，包含由多晶矽或奈米晶矽形成之矽層41之薄膜40可在薄膜總成80斷裂時碎裂成許多微粒。預期本發明之一實施例實現膜總成80之機械性質的改良。 多晶矽及奈米晶矽各自具有對EUV輻射之高透射率。多晶矽及奈米晶矽各自具有良好的機械強度。然而，使矽層41之薄膜由多晶矽或奈米晶矽形成並非必需的。舉例而言，在一替代性實施例中，矽層41係由多晶格薄膜或氮化矽形成。 在另一替代性實施例中，矽層41係由單晶矽形成。在此實施例中，單晶矽薄膜可藉由絕緣體上矽(SOI)技術形成。用於此產品之起始材料為所謂的SOI基板。SOI基板為包含矽載體基板之基板，其中在內埋式隔離SiO₂ 層之頂部具有薄單晶矽層。在一實施例中，單晶矽層之厚度可在約5 nm至約5 µm之間的範圍內。在一實施例中，在SOI基板用於製造方法中之前，矽層41存在於SOI基板上。 在一實施例中，矽層41包含呈其同素異形體形式中之一者的矽，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽或奈米晶矽。奈米晶矽意謂含有某一非晶矽含量之多晶矽基質。在一實施例中，多晶矽或奈米晶矽係藉由使矽層41中之非晶矽結晶而形成。舉例而言，在一實施例中，將矽層41作為非晶矽層添加至堆疊。當超過某一溫度時，該非晶矽層結晶成多晶矽層或奈米晶矽層。舉例而言，作為非晶矽層之矽層41變換成作為多晶矽層或奈米晶矽層之矽層41。 在一實施例中，非晶矽層在其生長期間經原位摻雜。在一實施例中，非晶矽層在其生長之後經摻雜。藉由添加p型或n型摻雜劑，矽導電性增加，此由於EUV源之功率對熱力學性能具有積極影響。 在一實施例中，薄膜40足夠薄以使得其對EUV輻射之透射率足夠高，例如大於50%。在一實施例中，薄膜40之厚度為至多約200 nm，且視情況至多約150 nm。150 nm之Si薄膜將透射約77%之入射EUV輻射。在一實施例中，薄膜40之厚度為至多約100 nm。100 nm之Si薄膜將透射約84%之入射EUV輻射。60 nm之Si薄膜將透射約90%之入射EUV輻射。 在一實施例中，薄膜40足夠厚以使得其在薄膜總成80固定至微影裝置100之圖案化器件MA時且在微影裝置100之使用期間機械地穩定。在一實施例中，薄膜40之厚度為至少約10 nm，視情況至少約20 nm，且視情況至少約35 nm。在一實施例中，薄膜40之厚度為約55 nm。 在一實施例中，將薄膜總成80應用為護膜或應用為動態氣鎖之部分。替代地，薄膜總成80可應用於諸如識別之其他過濾區域中，或應用於光束分光器。 圖11以橫截面示意性地描繪根據本發明之一替代性實施例之薄膜總成80。薄膜總成80係用於EUV微影。 薄膜總成80包含平面薄膜40。圖11中僅展示薄膜40之部分。薄膜總成80包含框架總成50。圖11展示在薄膜40之一側上之框架總成50的橫截面圖。框架總成50經組態以固持薄膜40。框架總成50經組態以附接至用於EUV微影之圖案化器件MA。如圖11中所描繪，在一實施例中，框架總成50經組態以經由邊界81來固持薄膜40。薄膜40及邊界81之構造可與本文件中所描述之其他實施例中的任一者中相同。 圖11至圖14示意性地描繪將框架總成50附接至圖案化器件MA之製程的各種階段。圖13示意性地描繪附接至圖案化器件MA之框架總成50。如圖13中所描繪，在一實施例中，框架總成50具有鎖定狀態。在鎖定狀態中，框架總成50被鎖定至圖案化器件MA使得薄膜40被固持為與圖案化器件MA相隔預定距離D1。圖13中展示該預定距離。在垂直於薄膜40之平面及圖案化器件MA之平面之方向上量測預定距離D1。框架總成50係由回彈性部件53而偏置成鎖定狀態。 如圖14中所描繪，在一實施例中，框架總成50具有解鎖狀態。在解鎖狀態中，薄膜總成50並未被鎖定至圖案化器件MA。在解鎖狀態中，薄膜40與圖案化器件MA相隔小於預定距離D1。舉例而言，如圖14中所展示，在解鎖狀態中，薄膜40與圖案化器件MA相隔解鎖狀態距離D2。解鎖狀態距離D2小於預定距離D1。如根據圖13與圖14之間的比較所展示，在解鎖狀態中，回彈性部件53經壓縮，其中框架總成50之薄膜固持器58被迫使較接近圖案化器件MA。 薄膜40係用於減輕圖案化器件MA之前側中之任何缺陷。薄膜40減小污染物微粒到達圖案化器件MA之可能性。在一實施例中，薄膜總成80在裝載裝置70 (圖15至圖17中所展示)中被裝載至微影裝置100中。如圖15至圖17中所展示，在一實施例中，裝載裝置70包含用於容納薄膜40之切斷部分。需要使裝載裝置70儘可能地薄。裝載裝置70之厚度在圖15至圖17中在上下方向上被展示。 實務上，薄膜40可在其自有重量下下陷。需要使薄膜40避免觸摸裝載裝置70之內部，以便避免對薄膜40之任何損害。需要使薄膜40為薄的以便能夠透射較高比例的EUV輻射。然而，較薄薄膜40傾向於更多地下陷。因此，在薄膜40之薄度與裝載裝置70之薄度之間存在取捨。 需要使在微影裝置100之使用中在薄膜40與圖案化器件MA之間存在大偏距。該偏距為當微影裝置100在使用中時圖案化器件MA與薄膜40之間的距離。因此，僅藉由減小薄膜40與圖案化器件MA之間的偏距而增加供薄膜40下陷之空間並不理想。 取而代之，圖11至圖14中所展示之實施例允許在薄膜40經輸送於裝載裝置70中時將薄膜40暫時地朝向圖案化器件MA按壓。舉例而言，圖15及圖16展示處於被朝向圖案化器件MA向上按壓之暫時性狀態中的薄膜40。此允許薄膜40在不觸摸裝載裝置70之內部的情況下較多地下陷。同時，圖17展示離開裝載裝置70之薄膜總成80。薄膜40不再被朝向圖案化器件MA向上按壓使得薄膜40與圖案化器件MA相隔預定距離D1。 因此，預期本發明之一實施例允許在不增加裝載裝置70之厚度的情況下根據較大設計自由度來製造薄膜40 (此係因為允許較大程度之下陷)。 如圖11中所描繪，在一實施例中，框架總成50包含回彈性部件53。在一替代性實施例中，回彈性部件53包含預負載彈簧。舉例而言，回彈性部件53可為扭轉彈簧或板片彈簧。如圖11中所描繪，在一實施例中，框架總成50包含薄膜固持器58。薄膜固持器58經組態以固持薄膜40。薄膜固持器58構成大多數框架總成50。薄膜固持器58相對於薄膜40具有固定位置。當薄膜固持器58移動時，薄膜40亦與薄膜固持器58一起移動。 如圖11中所描繪，在一實施例中，薄膜固持器58包含末端擋板表面33。末端擋板表面33經組態以接觸自圖案化器件MA突起之螺柱52之鎖定表面34。當框架總成50處於鎖定狀態中時，薄膜固持器58之末端擋板表面33與螺柱52之鎖定表面34鄰接。在一實施例中，末端擋板表面33處於螺柱52之鎖定表面34之頂部上。此不同於其中固定末端擋板定位於螺柱下方之先前已知機構。根據本發明，可將薄膜固持器58與回彈性部件53相抵而向上按壓。 如圖11中所描繪，在一實施例中，框架總成50包含夾持部件59。夾持部件59可相對於薄膜固持器58而移動。在一實施例中，框架總成50包含回彈性部件53。回彈性部件53將薄膜固持器58連接至夾持部件59。薄膜固持器58可藉由回彈性部件53之壓縮而相對於夾持部件59移動。薄膜固持器58可相對於夾持部件59在垂直於薄膜40之平面之方向上移動。 圖11描繪框架總成50處於初始狀態中之時間點。在初始狀態中，回彈性部件53處於實質上未經壓縮狀態中。框架總成50不能擬合於螺柱52上方，此係因為在薄膜固持器58之末端擋板表面33與夾持部件59之鄰接表面31之間存在不足空間。鄰接表面31經組態以接觸螺柱52之嚙合表面32。螺柱52之嚙合表面32背離圖案化器件MA。 圖12示意性地描繪處於預備狀態中之框架總成50。在預備狀態中，回彈性部件53經壓縮使得薄膜固持器58之末端擋板表面33與夾持部件59之鄰接表面31之間的距離增大。可使用特定工具執行此操作。特定而言，該工具可用以固持夾持部件59。在夾持部件59被固持於適當位置中之情況下，該工具用以施加在圖案化器件MA之方向上按壓薄膜固持器58的力。因此，回彈性部件53被壓縮且薄膜固持器58經朝向圖案化器件MA推動。接著將框架總成50與圖案化器件MA相對於彼此進行操縱使得螺柱52 (或螺柱52之部分)進入薄膜固持器58之末端擋板表面33與夾持部件59之鄰接表面31之間。 圖13描繪處於鎖定狀態中之框架總成50。在自圖12中所展示之預備狀態至圖13中所展示之鎖定狀態之轉變中，釋放薄膜固持器58上之力。結果，回彈性部件53擴展。夾持部件59之鄰接表面31與螺柱52之嚙合表面32接觸。薄膜固持器58之末端擋板表面33與螺柱52之鎖定表面34接觸。螺柱52之鎖定表面34面向圖案化器件MA。 圖14示意性地描繪處於解鎖狀態中之框架總成50。在解鎖狀態中，夾持部件59之鄰接表面31保持與螺柱52之嚙合表面32接觸。薄膜固持器58經朝向圖案化器件MA推動以使得薄膜固持器58之末端擋板表面33移動遠離螺柱52之鎖定表面34。因此，框架總成52不再被鎖定至圖案化器件MA。相比於在圖13中所展示之鎖定狀態中之情形，薄膜40更接近圖案化器件MA。當壓縮回彈性部件53時，薄膜固持器58朝向圖案化器件MA移動。 圖15示意性地描繪附接至圖案化器件MA且儲存於裝載裝置70中之薄膜總成80。裝載裝置70可替代地被稱為裝載鎖定件或內部隔艙。如圖15中所展示，在一實施例中，裝載裝置70包含至少一個突起部71。突起部71係用於向上按壓框架總成50之薄膜固持器58。突起部71自裝載裝置70之內部表面(或底板)突起。如自圖15可看到，藉由突起部71按壓回彈性部件53，可將薄膜固持器58朝向圖案化器件MA按壓。此情形添加供薄膜40朝向裝載裝置70之內部表面之空隙。 在一實施例中，藉由突起部71壓縮回彈性部件53而使薄膜40與裝載裝置70之內部表面之間的距離自約0.5 mm增大至約1.5 mm。在一實施例中，薄膜40朝向圖案化器件MA之空隙暫時地自約2.5 mm減小至約1.5 mm。隨後當自裝載裝置70釋放薄膜總成80時，將薄膜40朝向圖案化器件MA之空隙增大回至約2.5 mm。 預期本發明之一實施例減小裝載裝置70與薄膜40之間的靜電放電之風險。此係由於薄膜40與裝載裝置70之內部表面之間的空隙增大。 如圖16中所描繪，在一實施例中，薄膜總成80包含密封框架72。密封框架72經提供以控制薄膜40與圖案化器件MA之間的體積之開口。在一實施例中，密封框架72定位於薄膜40周圍。在一實施例中，密封框架72包含複數個密封開口73。當將薄膜固持器58朝向圖案化器件MA向上按壓時，框架總成50中之框架開口74將與密封開口73排成行以允許高速壓力均衡，如圖16中所展示。框架開口74與密封開口73排成行使得氣體(例如空氣)可穿過。 圖17示意性地描繪在裝載裝置70外部之薄膜總成80。密封開口73並不與框架開口74排成行使得用於氣體及微粒之路徑經阻擋。因此，密封框架72密封薄膜40與圖案化器件MA之間的空間。 圖18示意性地描繪薄膜總成80與圖案化器件MA之間的間隙G。在不提供螺柱52之位置中，污染物微粒可潛在地穿過間隙G且進入至圖案化器件MA與薄膜40之間的空間或區中。間隙G之厚度可為(例如)約300 μm。 薄膜總成80易損壞，以允許小於間隙G之大小的微粒到達薄膜40與圖案化器件MA之間的空間。舉例而言，起源於空間外部且大小小於約200 μm之污染物微粒可以直線形式或在圖案化器件MA與框架總成50之間具有一些跳動的情況下穿過間隙G。 圖19以橫截面示意性地描繪薄膜總成80之變化。圖19中所展示之此變化可應用於本文件中所描述之薄膜總成80之實施例中的任一者。 圖19中所展示之薄膜總成80之變化係用於減小微粒自薄膜40與圖案化器件MA之間的區之外部進入該區之可能性。另外，圖19中所展示之薄膜總成80之變化係用於減小起源於間隙G之微粒離開薄膜40與圖案化器件MA之間的區之可能性。如圖19中所描繪，在一實施例中，薄膜總成80包含框架總成50，該框架總成經組態以固持薄膜40且附接至圖案化器件MA。間隙G形成於框架總成50與圖案化器件MA之相對表面之間。 在一實施例中，框架總成50包含伸長擋板75。伸長擋板75經組態以限制污染物微粒進入間隙G。如圖19中所展示，伸長擋板75延伸超出圖案化器件MA之相對表面。在一實施例中，伸長擋板75在超出圖案化器件MA之平面範圍之位置處延伸超出圖案化器件MA之相對表面。 薄膜總成80減小微粒到達圖案化器件MA與薄膜40之間的空間之可能性。如圖19中所描繪，在一實施例中，框架總成50包含至少一個另外擋板76。每一另外擋板76經組態以限制污染物微粒進入間隙G。每一另外擋板76朝向圖案化器件MA延伸。 在一實施例中，框架總成50包含三個或四個凹槽(亦即，伸長擋板75與其他擋板76中之每一者之間的空間)。在一實施例中，該等凹槽並不具有相等寬度。換言之，伸長擋板75及其他擋板76可並非相等地間隔。釋放於薄膜40與圖案化器件MA之間的區內(例如，自面向圖案化器件MA之薄膜40之側釋放之微粒)且朝向框架總成50行進之微粒較不可能反射回至圖案化器件MA。該等微粒可經捕捉於凹槽內。 在一實施例中，伸長擋板75之高度大於或等於約1 mm。在一實施例中，伸長擋板75 (及其他擋板76)與圖案化器件MA之間的距離經選擇為用以促進在微影裝置100之操作期間之壓力均衡。在一實施例中，伸長擋板75與最接近的其他擋板76之間的距離為約300 μm。在一實施例中，最接近伸長擋板75之其他擋板76與下一另外擋板76之間的距離比伸長擋板75與該最接近的其他擋板76之間的距離大約1.2倍至1.5倍。在一實施例中，圖19中所展示之三個其他擋板中間的其他擋板76與最遠離伸長擋板75之較遠其他擋板76之間的距離為圖19中所展示之三個其他擋板76之中心與右側的兩個其他擋板76之間的距離的約1.2倍至1.5倍。在一實施例中，每一其他擋板76之高度為約600 μm。在一實施例中，擋板之間的凹槽之寬度在自伸長擋板75之方向上增加約20%至50%。 在一實施例中，伸長擋板75與其他擋板76經定位於圖案化器件MA之中心與螺柱52之間。因此，擋板結構可約束由螺柱52釋放之(例如)鈦合金之微粒。因此，在一實施例中，伸長擋板75在不超出圖案化器件MA之平面範圍之位置處延伸超出圖案化器件MA之相對表面。 在一實施例中，伸長擋板75及/或其他擋板76係由具有高哈馬克(Hamaker)常數之材料製成。在一實施例中，框架總成50係由具有高哈馬克常數之材料製成。預期本發明之一實施例減小具有大範圍的大小、材料、行進速度及入射角之微粒到達圖案化器件MA之可能性。 圖20A至圖20C以橫截面示意性地描繪位於圖案化器件之倍縮光罩台區中之間隙微粒捕捉器90之各種實施例。展示於圖20A至20C中之間隙微粒捕捉器90可應用於如本發明中所描述之微影裝置100之薄膜總成80及其他合適的組件之實施例中之任一者，或其他微粒敏感裝置，諸如，度量衡系統、導管、氣流管道或氣體管道/管之盒。大體而言，間隙微粒捕捉器90可位於任何微粒敏感裝置中以減小不需要的污染物微粒之數目。 在一個實例中，展示於圖20A至圖20C中之間隙微粒捕捉器90用以減小微粒進入圖案化器件MA安裝於其中之倍縮光罩台區RS中之可能性。如圖20A至圖20C中所描繪，倍縮光罩台區RS包含靜止零件(例如，支撐結構MT)及可移動零件MRS。應注意，術語「靜止」及「可移動」可互換，且僅用於描述倍縮光罩台區RS之不同零件之間的相對移動。支撐結構MT有可能為可移動的，及可移動零件MRS為靜止的，或二者視需要為可移動的或靜止的。圖案化器件MA安裝於可移動零件MRS上。可移動零件MRS可為(例如)框架或台，其可視需要而為固定的或可移動的。可移動零件MRS亦可包含用於改變或阻擋圖案化器件MA之器件。用於移動及改變圖案化器件MA之例示性器件為旋轉交換器件(RED)，且用於阻擋圖案化器件MA之例示性器件為可移動倍縮光罩遮蔽(REMA)葉片。例示性器件兩者皆由荷蘭ASML, Veldhoven製造，且分別描述於中美國專利申請案第9,268,241號及第7,359,037號，且以全文引用之方式併入本文中。 在實施例中，其中倍縮光罩台區RS之靜止及可移動零件之間不允許存在實體障壁，間隙G形成於支撐結構MT與可移動零件MRS之相對表面之間。支撐結構MT與可移動零件MRS之間的環境含有可為污染物微粒源之零件(例如)電纜或電纜厚塊盒(圖20A至圖20C中未展示)。可在微粒敏感裝置中實施各種設計或器件(諸如氣流操縱)以減小微粒污染。然而，此等方法並不足以防止所有污染物微粒，因此，間隙微粒捕捉器位於間隙G中，以進一步減小可潛在地穿過間隙G且最終與圖案化器件MA接觸之微粒的量。特定而言，間隙微粒捕捉器與僅平行表面相比可阻擋更多微粒穿過間隙G。應注意，根據各種實施例，微影裝置之合適的表面可用以形成間隙微粒捕捉器90。舉例而言，在倍縮光罩台RS之製造期間，倍縮光罩台RS之各種零件之表面可形成間隙微粒捕捉器90之機械結構，因此間隙微粒捕捉器90可為倍縮光罩台RS之積體零件。根據其他實施例，間隙微粒捕捉器90亦可為可附接零件，其視需要可安裝於支撐結構MT或可移動零件MRS上。 如圖20A中所展示，根據一實施例，間隙微粒捕捉器90置放於間隙G中且形成於可移動零件MRS之表面上。為捕獲具有各種速度、入射角或其他微粒屬性之污染物微粒，根據各種實施例且分別展示於圖20B及圖20C中，間隙微粒捕捉器90亦可形成於支撐結構MT之表面上，或形成於支撐結構MT及可移動零件MRS兩者之表面上。為簡單起見，未在圖20A至圖20C中展示間隙微粒捕捉器90之結構細節，但在圖21A至圖21D中進行展示。 圖21A以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之間隙微粒捕捉器90。間隙微粒捕捉器90包含擋板92。擋板92經組態以限制進入間隙G之污染物微粒到達圖案化器件MA。如圖21A中所展示，擋板92可具有矩形橫截面，其中每一擋板92具有高度H及寬度W。擋板92亦可具有任何合適的橫截面形狀，例如，近矩形、三角形、近三角形、菱形或近菱形。此等組態之其他實例展示於圖21B至圖21D中。擋板92之寬度W可等於或不同於高度H。在一實施例中，間隙微粒捕捉器90包含複數個凹槽(亦即，每一擋板92之間的空間)。在一實施例中，凹槽並不具有相同寬度，換言之，擋板92可並非相等地間隔。在另一實施例中，擋板92被相等地間隔。舉例而言，相鄰擋板92之相對側壁之間的距離為約500 μm。在其他實施例中，擋板之間可能不存在凹槽。可基於目標污染物微粒之屬性來組態擋板92之高度H、寬度W及間距。舉例而言，擋板92之組態可至少基於污染物微粒之速度、入射角、尺寸、材料或重量而不同。預期本發明之一實施例減小具有大範圍的大小、材料、行進速度及入射角之微粒到達圖案化器件MA之可能性。 參看圖20A，在下文中解釋間隙微粒捕捉器90之例示性操作。污染物微粒可自支撐結構MT與可移動零件MRS之間的污染物源進入間隙G，且最終朝向圖案化器件MA行進。此等污染物微粒將與支撐結構MT及間隙微粒捕捉器90之表面發生碰撞。污染物微粒很可能與間隙微粒捕捉器90之側壁及/或凹槽表面多次發生碰撞。藉由每次碰撞，微粒損失動能，且藉由足夠低的速度或動能，微粒將由於凡得瓦爾力(van der Waals)相互作用黏著至間隙微粒捕捉器之表面。在一實施例中，擋板92由具有高哈馬克常數之材料製成以增加污染物微粒與間隙微粒捕捉器90之表面之間的凡得瓦爾力力量，為污染物微粒提供黏著至捕捉器表面的較高機率。微粒與間隙微粒捕捉器之碰撞明顯地減小污染物微粒之動能，使得微粒在凹槽中或在間隙微粒捕捉器90之表面上變成可捕捉的。即使微粒具有足以離開凹槽且投影回至間隙之剩餘能量，其速度將減小且因此微粒更可由淨化氣流控制。由於與間隙微粒捕捉器之碰撞，微粒之速度亦可反向或部分反向，且其結果係微粒可自間隙G行進遠離並朝向較佳的方向。 在實施例中，其中污染物微粒行進通過間隙微粒捕捉器且進入圖案化器件MA位於其中之環境中，表面微粒捕捉器可形成於支撐結構MT或可移動零件MRS之合適的表面上以減小可接觸圖案化器件MA之微粒的量。類似於上文所揭示之間隙微粒捕捉器90，應注意，根據各種實施例，微影裝置之合適的表面可用於形成表面微粒捕捉器。舉例而言，在倍縮光罩台RS之製造階段期間，倍縮光罩台RS之各種零件之表面可形成表面微粒捕捉器之機械結構。根據其他實施例，表面微粒捕捉器亦可為可附接零件，其視需要可安裝於支撐結構MT或可移動零件MRS上。 如圖22A中所展示，根據一些實施例，表面微粒捕捉器94位於支撐結構MT之表面上。為捕獲具有各種速度、入射角或其他微粒屬性之污染物微粒，根據各種實施例且展示於圖22B中，表面微粒捕捉器94亦可形成於支撐結構MT之表面上，或形成於支撐結構MT及可移動零件MRS兩者之表面上。為簡單起見，未在圖22A及圖22B中展示表面微粒捕捉器94之結構細節，但在圖23A至圖23F中進行展示。如上文所提及，儘管圖22A及圖22B中所展示之表面微粒捕捉器94為可附接零件，但表面微粒捕捉器94亦可為倍縮光罩台RS之積體零件且使用倍縮光罩台RS之各種組件之表面而形成。 圖23A至圖23E以橫截面示意性地描繪表面微粒捕捉器94之各種實施例。表面微粒捕捉器94包含擋板96，該擋板經組態以捕捉污染物微粒且防止其到達圖案化器件MA。如圖23A中所展示，根據一實施例，擋板96可具有三角形橫截面區域，其中每一擋板96具有高度H及寬度W。出於說明之目的，每一擋板96具有波峰P及波谷T，其分別為三角形橫截面區域之最高點及最低點。擋板96亦可具有如圖23B中所展示之近三角形橫截面區域，其可較佳地為經反射微粒提供所需的行進方向。應注意，擋板96可具有多種橫截面形狀，例如，梯形形狀的橫截面。在一實施例中，每一擋板之間不存在間距(亦即，擋板形成Z形圖案)。出於說明之目的，角θ ₁ 及θ ₂ 分別為在結構支撐MT之表面(或由相鄰波谷形成之虛擬表面)與擋板96之每一側之間所量測之角，如自圖23A中之表面微粒捕捉器94之橫截面圖所見。 在一實施例中，角θ ₁ 及θ ₂ 可經組態使得基於污染物微粒的入射角，其可能並不能夠離開表面微粒捕捉器。舉例而言，圖23A展示角θ ₁ 等於角θ _{2 。} 在另一實例中，展示於圖23C中，擋板96之上表面垂直於或幾乎垂直於支撐結構MT之表面，表面微粒捕捉器形成於該支撐結構MT之表面上。因此，角θ ₁ 將等於或接近於90º。在圖23D中，擋板96之下表面垂直於或幾乎垂直於支撐結構MT之表面，表面微粒捕捉器形成於該支撐結構MT之表面上。因此，角θ ₂ 將等於或接近於90º。圖23E及圖23F展示表面微粒捕捉器96之其他實例。在圖23E中，角θ ₁ 及θ ₂ 針對每一擋板96單獨組態，使得用於第一擋板之角θ ₁ 或θ ₂ 可不同於用於相鄰第二擋板之對應的角或。在圖23F中，角θ ₁ 及θ ₂ 為不同的角，但擋板96中之每一者皆相同。 圖24A及圖24B以平面圖示意性地描繪表面微粒捕捉器94之各種實施例。圖24A可為描述於圖23A中之表面微粒捕捉器94之平面圖。如圖24A中所展示，擋板96之列彼此平行，相鄰波峰或波谷之間具有相等間距。替代地，擋板96之每一列亦可經佈置以形成特定形狀。如圖24B中所展示，每一列形成為V形且擋板96之列彼此平行，同時相鄰波峰或波谷之間的間距可不同。 預期本發明之一實施例減小具有大範圍的大小、材料、行進速度及入射角之微粒到達圖案化器件MA之可能性。表面微粒捕捉器94可安設或形成於如本文件中所描述之微影裝置100之其他微粒敏感環境中，或其他微粒敏感裝置中，諸如，度量衡系統、導管、氣流管道或氣體管道/管之盒。大體而言，表面微粒捕捉器94可位於任何微粒敏感裝置中以減小污染物微粒之數目。 參看圖22A，在下文中解釋表面微粒捕捉器94之例示性操作。在支撐結構MT與可移動零件MRS之間產生的污染物微粒可離開間隙G，且最終朝向圖案化器件MA行進。此等污染物微粒很可能與表面微粒捕捉器94發生碰撞且與擋板96發生多次碰撞。藉由每次碰撞，微粒損失動能，且藉由足夠低的速度或動能，微粒將由於凡得瓦爾力相互作用黏著至表面微粒捕捉器。在一實施例中，擋板96由具有高哈馬克常數之材料製成以增大污染物微粒與表面微粒捕捉器94之表面之間的凡得瓦爾力力量，為污染物微粒提供黏著至捕捉器表面的較高機率。表面微粒捕捉器中之碰撞明顯地減小污染物微粒之動能，且微粒在擋板之間變成可捕捉的。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測模式、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應理解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，各種光阻層可由執行相同功能之非光阻層替換。 以上之描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之精神及範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

21‧‧‧未經圖案化光束

22‧‧‧琢面化場鏡面器件

24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

26‧‧‧經圖案化光束

28‧‧‧反射元件

30‧‧‧反射元件

31‧‧‧鄰接表面

32‧‧‧嚙合表面

33‧‧‧末端擋板表面

34‧‧‧鎖定表面

40‧‧‧薄膜

41‧‧‧矽層

42‧‧‧非金屬層

43‧‧‧矽化合物層/矽薄膜層

46‧‧‧罩蓋層

47‧‧‧抗遷移層

50‧‧‧框架總成

51‧‧‧框架

52‧‧‧孔

53‧‧‧回彈性部件

54‧‧‧鎖定部件

55‧‧‧鎖定機構

56‧‧‧鎖定孔隙

57‧‧‧接觸墊

58‧‧‧薄膜固持器

59‧‧‧夾持部件

60‧‧‧螺柱

70‧‧‧裝載裝置

71‧‧‧突起部

72‧‧‧密封框架

73‧‧‧密封開口

74‧‧‧框架開口

75‧‧‧伸長擋板

76‧‧‧其他擋板

80‧‧‧薄膜總成/部件總成

81‧‧‧邊界

90‧‧‧間隙微粒捕捉器

92‧‧‧擋板

94‧‧‧表面微粒捕捉器

96‧‧‧擋板

100‧‧‧微影裝置

210‧‧‧EUV輻射發射電漿

211‧‧‧源腔室

212‧‧‧收集器腔室

220‧‧‧圍封結構

221‧‧‧開口

500‧‧‧控制器

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧輻射收集器

D1‧‧‧預定距離

D2‧‧‧解鎖狀態距離

G‧‧‧間隙

H‧‧‧高度

IF‧‧‧虛擬源點

IL‧‧‧照明系統

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MRS‧‧‧可移動零件

MT‧‧‧支撐結構

P‧‧‧波峰

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二定位器

RS‧‧‧倍縮光罩台區

SO‧‧‧源收集器模組

T‧‧‧波谷

W‧‧‧基板/寬度

WT‧‧‧基板台

現將參看隨附示意性圖式而僅借助於實例來描述本發明之實施例，其中對應參考符號指示對應零件，且其中： 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2為微影裝置之更詳細視圖； 圖3以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的薄膜總成之部分； 圖4至圖6以平面圖示意性地描繪根據本發明之一實施例的使用薄膜總成之鎖定機構的階段； 圖7至圖10以橫截面示意性地描繪根據本發明之不同實施例之薄膜； 圖11至圖14以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的安裝薄膜總成(將其安裝到圖案化器件上)之程序之各種階段； 圖15以橫截面示意性地描繪裝載裝置中之根據本發明之一實施例的薄膜總成； 圖16及圖17以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的自裝載裝置移除的薄膜總成； 圖18以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之薄膜總成與圖案化器件之間的間隙；及 圖19以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例之薄膜總成。 圖20A至圖20C以橫截面示意性地描繪根據本發明之各種實施例的間隙微粒捕捉器90形成於圖案化器件上。 圖21A至圖21D以橫截面示意性地描繪根據本發明之各種實施例的形成於圖案化器件上的間隙微粒捕捉器之各種組態。 圖22A及圖22B以橫截面示意性地描繪根據本發明之各種實施例的表面微粒捕捉器形成於圖案化器件上。 圖23A至圖23F以橫截面示意性地描繪根據本發明之各種實施例的形成於圖案化器件上之表面微粒捕捉器之各種組態。 圖24A及圖24B以平面圖示意性地描繪根據本發明之各種實施例的表面微粒捕捉器形成於圖案化器件上。

Claims (20)

1. 一種圖案化器件，其包含： 具有一第一表面之該圖案化器件之一第一結構； 具有一第二表面之該圖案化器件之一第二結構，其中該第一表面與該第二表面彼此相對；及 一捕捉器，其形成於該第一表面上且與該第二表面相對，該捕捉器包含複數個擋板， 其中一間隙形成於該等相對的第一表面與第二表面之間。
2. 如請求項1之圖案化器件，其中該複數個擋板包含具有一高哈馬克(Hamaker)常數之材料。
3. 如請求項1之圖案化器件，其中該捕捉器由該第一表面之至少一部分形成。
4. 如請求項1之圖案化器件，其中該複數個擋板包含自該第一表面突起之側壁。
5. 如請求項1之圖案化器件，其中該捕捉器經組態以限制污染物微粒穿過該間隙。
6. 如請求項1之圖案化器件，其中該複數個擋板中之每一者包含彼此平行之第一側壁及第二側壁。
7. 如請求項1之圖案化器件，其中該複數個擋板中之每一者包含彼此不平行之第一側壁及第二側壁。
8. 如請求項1之圖案化器件，其進一步包含複數個凹槽，其中該複數個凹槽中之每一者位於該複數個擋板之相鄰擋板之間且具有不同於每一擋板的一寬度之一凹槽寬度。
9. 如請求項1之圖案化器件，其進一步包含複數個凹槽，其中該複數個凹槽中之每一者位於該複數個擋板之相鄰擋板之間且具有與每一擋板的一寬度相同之一凹槽寬度。
10. 如請求項1之圖案化器件，其中該捕捉器之一部分形成於該第二表面上。
11. 一種裝置，其包含： 具有一第一表面之一圖案化器件之一第一結構； 具有一第二表面之該圖案化器件之一第二結構，其中一間隙形成於該第一表面與該第二表面之間；及 一第一捕捉器，其經附接至該第一表面，該第一捕捉器包含自該第一表面突起的複數個擋板。
12. 如請求項11之裝置，其進一步包含附接至該第二表面之一第二捕捉器。
13. 如請求項12之裝置，其中該第一捕捉器及該第二捕捉器經組態以限制污染物微粒穿過該間隙。
14. 如請求項11之裝置，其中該複數個擋板中之每一者包含相對的第一側壁及第二側壁，該第一側壁及該第二側壁基於污染物微粒穿過該間隙之屬性而經組態。
15. 如請求項11之裝置，其中該複數個擋板包含具有一高哈馬克常數之材料。
16. 一種裝置，其包含： 一捕捉器，其經組態以限制污染物微粒，其中該捕捉器形成於該裝置之一表面上且包含自該表面突起的複數個擋板。
17. 如請求項16之裝置，其中該複數個擋板包含具有一高哈馬克常數之材料。
18. 如請求項16之裝置，其中該複數個擋板之每一擋板包含相對的第一側壁及第二側壁，該第一側壁及該第二側壁基於該等污染物微粒之屬性而經組態。
19. 如請求項18之裝置，其中該第一側壁及該第二側壁由該表面之一部分形成。
20. 如請求項16之裝置，其中該複數個擋板之每一擋板之間的間距基於該等污染物微粒之屬性而經組態。