JP3713497B2 - ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 - Google Patents
ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3713497B2 JP3713497B2 JP2003087806A JP2003087806A JP3713497B2 JP 3713497 B2 JP3713497 B2 JP 3713497B2 JP 2003087806 A JP2003087806 A JP 2003087806A JP 2003087806 A JP2003087806 A JP 2003087806A JP 3713497 B2 JP3713497 B2 JP 3713497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- film
- control mechanism
- pellicle structure
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01C—PLANTING; SOWING; FERTILISING
- A01C7/00—Sowing
- A01C7/08—Broadcast seeders; Seeders depositing seeds in rows
- A01C7/12—Seeders with feeding wheels
- A01C7/123—Housings for feed rollers or wheels
- A01C7/125—Housings for feed rollers or wheels with bottom delivery of the seeds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
- Y02P60/20—Reduction of greenhouse gas [GHG] emissions in agriculture, e.g. CO2
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Soil Sciences (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、フォトマスクに装着されるペリクル構造体の姿勢制御機構及びそれを用いた露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子などの製造工程におけるパターン転写技術に用いられる露光装置において、ペリクル構造体が装着されたフォトマスクが用いられる。このペリクル構造体は、フォトマスクのパターン面に対して間をおいてペリクル膜を設け、それらの間の空間に清浄な雰囲気を確保する。これにより、パターン面へのパーティクルの付着などを阻止し、欠陥の転写を回避することができる。
【0003】
従来の365nm、248nm、193nmといった露光波長を用いる露光装置では、ペリクル膜として1μm程度の膜厚のポリマー膜を用いていた。一方、次世代の露光装置として期待されているF2エキシマレーザー光源による157.6nmの露光波長を用いる露光装置では、透明性と照明耐性を両立したポリマー膜を薄膜で製作することは出来ておらず、数百μmの膜厚の透明ガラス板でペリクル膜を構成する技術の開発が進められている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、数百μmの膜厚の透明ガラス板で構成したペリクル膜は、従来のペリクル膜に比べて二桁以上膜厚が増大するため、ガラス板の状態で所望の光学特性・形状精度を達成しても、ペリクル膜としてマスクに装着した状態では、自重により撓んだり、露光処理における走査に伴って変形したりして、結像性能が著しく劣化するという問題がある。
【0005】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ペリクル膜の膜面の撓み、振動といった変形を防いで、転写精度を確保することができるペリクル構造体の姿勢制御機構及びそれを用いた露光方法を得るものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るペリクル構造体の姿勢制御機構は、ペリクル構造体のペリクル膜の膜面に近接して配置され、前記ペリクル膜の膜面を所定高さに補正する位置補正手段を有する。この発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1(a)はペリクル構造体を装着したフォトマスクの平面図であり、そのA−A´の断面図が図1(b)である。ここで、フォトマスク1は、6025ブランクスと呼ばれる6インチ角、0.25インチ厚規格の高透過率フッ素添加合成石英ガラスブランクスであり、その主面(図1(b)では下側の面)の遮光膜が加工されて、マスクパターンが形成されている。 このフォトマスク1の主面に、外寸122mm×149mm、高さ6.3mmのペリクル構造体2が装着されている。
【0008】
ペリクル構造体2は、ペリクル膜3と、ペリクルフレーム4と、フィルター5を有する。ここで、ペリクル膜3は、合成石英ガラス製で厚さが0.8mmである。そして、ペリクルフレーム4は、横幅が2mmであり、フォトマスク1と熱膨張係数がほぼ等しいセラミックで形成されている。さらに、フィルター5は、ペリクルフレーム4の149mmの長辺側に設けられた開孔部に挿入されている。
【0009】
次に、図2は、ペリクル構造体が装着されたフォトマスクをマスクステージに保持し、本発明のペリクル構造体の姿勢制御機構を設けた状態を示す断面図である。図2に示すように、マスクステージ6は、フォトマスク1の側面及びペリクル構造体2の側面には、接触せず、約0.1mmの隙間を有している。そして、ペリクル膜3の少なくとも露光領域の膜面を所定姿勢に補正するための姿勢制御手段として、位置補正手段10と整流手段11が設けられている。
【0010】
図3は、位置補正手段の断面図である。図3に示すように、位置補正手段10は、ペリクル膜3の膜面の高さを計測する計測手段15、窒素ガスを噴出する供給孔16及び吸引排気を行う吸引孔17とを有する。この供給孔16及び吸引孔17は、計測手段15の計測値に基づいてペリクル膜3の膜面との間にある気体(窒素ガス)の圧力を制御をする圧力制御手段である。これにより、ペリクル膜3の膜面の撓みを防いで、転写精度を確保することができる。
【0011】
また、計測手段15は、ペリクル膜3の有効領域に損傷を与えない手段であれば良く、静電センサーまたは光学式の検出手段で構成することができる。ここで、光学式の検出手段で構成する場合、位置補正手段10の一部を検出光に対して透明な材料で構成すれば、位置補正手段10の形状を損なうことがない。
【0012】
一方、整流手段11は、マスクステージ6の外側の側面のスキャン方向の前後に設けられ、マスクステージ6の外側方向に下る傾斜面を有する。この整流手段11は、スキャン型の縮小投影露光装置におけるマスクステージ6の走査(スキャン露光)時に、図4に示すように、ペリクル膜3の膜面付近の気流を整流する。これにより、スキャン露光時に、ペリクル膜3の膜面付近で乱流が発生するのを防ぎ、ペリクル膜3の膜面の振動を防いで、転写精度を確保することができる。
【0013】
次に、上記の露光装置を用いて、基板を露光する方法の一例について説明する。まず、露光処理を行う為に、フォトマスク1を位置決めしてマスクステージ6に保持させる。そして、マスクステージ6を投影光学系から離す方向に移動させ、ペリクル膜3の厚みに伴って発生する光路長差を相殺させる。この状態で、ペリクル膜3の表面に約1.8μmの撓みがある。この撓みを位置補正手段10により補正する。
【0014】
そして、10mJ/cm2の露光量を得るために、マスクステージ6を約300mm/秒の速度で走査させてスキャン露光を行う。なお、露光は、酸化膜加工工程の300mm径のシリコン基板に実施し、ポジ型の化学増幅系レジストを0.2μm膜厚で用いる。さらに、露光後、所定のベーキング処理を施した後、現像し、レジストパターンを得る。
【0015】
次に、この得られたレジストパターンをCD−SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)を用いて検査し、露光領域内で、ほぼ5mm間隔でメモリーセルアレイ部の端部でないセルパターンの寸法を測定した。測定は、連続して処理した15枚の基板の中から3枚目を選択し、基板の中の5ショットについて行った。
【0016】
本発明の露光装置で有効な帯状の約8mm幅の照明領域の転写特性を静止露光とスキャン露光とで比較した結果、解像性能に差異は認められなかった。また、スキャン露光を行い、その結果得られた転写像の線幅均一性を測定して、露光領域内で+/−8%に入っている結果を得た。この数値はペリクルを装着しないで同一のマスクを露光処理した結果と比較しても遜色の無いものであり、露光処理仕様を達成していた。
【0017】
そして、線幅の変動は、基板全体の現像に起因すると考えられるばらつきのみであり、ペリクルの撓み、振動などの異常に起因する分布も、走査方向に依存する分布も認められなかった。また、垂直方向、水平方向の直行する線幅を比較した結果には特に面内で分布が無かった。
【0018】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように、ペリクル膜の膜面の撓み、振動といった変形を防いで、転写精度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ペリクル構造体を装着したフォトマスクを示す図である。
【図2】 ペリクル構造体が装着されたフォトマスクをマスクステージに保持し、本発明のペリクル構造体の姿勢制御機構を配置した状態を示す断面図である。
【図3】 位置補正手段の断面図である。
【図4】 整流手段を設けてスキャン露光した場合のペリクル膜の膜面の気流を示す図である。
【符号の説明】
1 フォトマスク
2 ペリクル構造体
3 ペリクル膜
4 ペリクルフレーム
6 マスクステージ
10 位置補正手段
11 整流手段
15 計測手段
16 供給孔(圧力制御手段)
17 吸引孔(圧力制御手段)
Claims (5)
- ペリクル構造体のペリクル膜の膜面に近接して配置され、前記ペリクル膜の膜面を所定高さに補正する位置補正手段を有することを特徴とするペリクル構造体の姿勢制御機構。
- 前記位置補正手段は、前記ペリクル膜の膜面の高さを計測する計測手段と、この計測値に基づいて前記ペリクル膜の膜面との間にある気体の圧力を制御をする圧力制御手段を有することを特徴とする請求項1記載のペリクル構造体の姿勢制御機構。
- ペリクル構造体が装着されたフォトマスクを保持するマスクステージに設けられ、このマスクステージの走査時に前記ペリクル膜の膜面付近の気流を整流する整流手段を有することを特徴とするペリクル構造体の姿勢制御機構。
- 前記整流手段は、前記マスクステージの外側方向に下る傾斜面を有することを特徴とする請求項3記載のペリクル構造体の姿勢制御機構。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のペリクル構造体の姿勢制御機構を用いて、基板を露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003087806A JP3713497B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 |
KR1020040020559A KR100676351B1 (ko) | 2003-03-27 | 2004-03-26 | 펠리클 구조체의 자세 제어 기구 및 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003087806A JP3713497B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004296829A JP2004296829A (ja) | 2004-10-21 |
JP3713497B2 true JP3713497B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=33402107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003087806A Expired - Fee Related JP3713497B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3713497B2 (ja) |
KR (1) | KR100676351B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101076987B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-10-26 | 주식회사 피케이엘 | 펠리클 마운트 모니터링용 플레이트 및 이를 포함하는 펠리클 마운트 모니터링 시스템 |
US10139725B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN106537256B (zh) * | 2014-07-16 | 2019-12-27 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
JP6535103B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2019-06-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 |
TWI609235B (zh) * | 2015-11-09 | 2017-12-21 | 艾斯邁科技股份有限公司 | 光罩檢測裝置及其方法 |
EP3488294B1 (en) | 2016-07-21 | 2022-05-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method |
KR20240089744A (ko) * | 2022-01-26 | 2024-06-20 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | 펠리클 |
-
2003
- 2003-03-27 JP JP2003087806A patent/JP3713497B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-26 KR KR1020040020559A patent/KR100676351B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040084979A (ko) | 2004-10-07 |
JP2004296829A (ja) | 2004-10-21 |
KR100676351B1 (ko) | 2007-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4690471B2 (ja) | レチクルを保護するための取り外し可能なカバーを使用する方法 | |
US7182794B2 (en) | Correcting device, exposure apparatus, device production method, and device produced by the device production method | |
JP3713497B2 (ja) | ペリクル構造体の姿勢制御機構及び露光方法 | |
JP4634992B2 (ja) | 位置計測装置及び位置ずれ量計測方法 | |
TWI242634B (en) | Substrate holder, substrate processing apparatus, substrate inspection device and method of using the same | |
JP2005101226A (ja) | 基板保持装置,基板処理装置,基板検査装置及び基板保持方法 | |
TWI276922B (en) | Position detecting method, surface shape estimating method, and exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
JP2005101226A5 (ja) | ||
US20100007869A1 (en) | Reticle Handler | |
JP2010054933A (ja) | 露光装置 | |
JP2017129848A (ja) | 基板保持装置、描画装置、フォトマスク検査装置、および、フォトマスクの製造方法 | |
US6984474B2 (en) | Reticle barrier system for extreme ultra-violet lithography | |
JP2015002260A (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、それを用いた物品の製造方法 | |
JP4346063B2 (ja) | 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 | |
US6727975B1 (en) | Device and method of correcting exposure defects in photolithography | |
US20220066324A1 (en) | Exposing apparatus and method for manufacturing article | |
TWI813816B (zh) | 防塵薄膜框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件之光罩、防塵薄膜組件之檢查方法、曝光方法及液晶顯示器之製造方法 | |
JP2006041543A (ja) | リソグラフィにおいて使用するためのレチクルグリッパバリヤシステム | |
JP2017069426A (ja) | 異物除去装置及び異物除去方法 | |
JP2010245222A (ja) | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP5812642B2 (ja) | 荷電粒子線描画方法、およびそれを用いた物品の製造方法 | |
JP2022162408A (ja) | 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法 | |
JP2017015995A (ja) | 露光装置及び物品の製造方法 | |
JP2001305718A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005183612A (ja) | 電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050131 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050513 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050822 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090826 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090826 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100826 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100826 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110826 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110826 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120826 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120826 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130826 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |