JP2005183612A - 電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクに歪を生じている場合であっても、マスクパターンを精度よくウエハに転写する。
【解決手段】所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えた電子ビーム露光用マスク３０であって、複数のマスクパターン領域のうちの２以上には略同一のマスクパターンが形成されており、このうちの１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンＭが１以上形成されている。この電子ビーム露光用マスクにウエハ４０を近接配置し、電子ビームによって電子ビーム露光用マスクを走査することにより電子ビーム露光用マスクに形成されたマスクパターンをウエハ上のレジスト層に転写する。その際、座標測定手段によりマスク歪計測用のパターンの位置座標を測定し、これにより電子ビーム露光用マスクの歪を算出し、算出された電子ビーム露光用マスクの歪より、ウエハ上のレジスト層に転写されるパターンが歪が除去された形状となるように、電子ビームの入射角度を制御しながらマスクパターンをウエハ上のレジスト層に転写する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法に係り、特に、高精度の転写を要求される電子ビーム露光に好適な電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法に関する。

従来、この種の電子ビーム近接露光技術については、米国特許第５，８３１，２７２号（日本特許第２９５１９４７号に対応）に開示されている（特許文献１）。

図８は上記ＬＥＥＰＬ（low energy electron beam proximity projection lithography ）方式の電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置１０は、主として電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１６及び整形アパーチャ１８を含む電子銃１２と、主偏向器２２、２４及び副偏向器２６、２８を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２０と、マスク３０とから構成されている。

マスク３０は、表面にレジスト層４２が形成されたウエハ４０に近接するように（たとえば、隙間が５０μｍとなるように）配置される。この状態で、マスク３０に垂直に電子ビームを照射すると、マスク３０のマスクパターンを通過した電子ビームがウエハ４０上のレジスト層４２に照射される。

また、走査手段２０は、図９に示されるように電子ビーム１５がマスク３０の全面を走査するように電子ビームを偏向制御する。これにより、マスク３０のマスクパターンがウエハ４０上のレジスト層４２に等倍転写される。

この電子ビーム近接露光装置１０は、図１０に示されるように真空チャンバ５０内に設けられている。真空チャンバ５０内には、マスク３０を支持するマスクステージ８０と、このマスクステージ８０に支持されたマスク３０を水平の直交２軸方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動させるとともに、水平面内で回転させるためのマスク移動機構８３が設けられている。また、真空チャンバ５０内には、ウエハ４０を吸着するために静電チャック６０と、この静電チャック６０に吸着されたウエハ４０を水平の直交２軸方向に移動させるとともに、水平面内で回転させるためのθＸＹステージ（ウエハステージ）７０が設けられている。θＸＹステージ７０は、マスクパターンの等倍転写が終了するごとにウエハ４０を所定量移動させ、これにより１枚のウエハ４０に複数のマスクパターンが転写できるようにしている。なお、図１０上で、ウエハ４０の導通をとるために、ウエハ４０の上面に押し当てられた導通ピン８１が設けられる。

ところで、ウエハはそれぞれマスクパターンの異なる複数のマスクを用いて複数回露光され、これにより集積回路が形成される。そして、各マスクパターンの露光時には、露光するマスクパターンが、既に露光済みのマスクパターンと所定の位置関係になるようにマスクとウエハとを相対的に位置決めする必要がある。

ところが、マスクとウエハとの位置決めを精度よく行っても、例えばマスクに歪を生じている場合には、マスクパターンが設計値に対して伸縮している状態となり、露光されるパターンが設計値に一致しないという問題がある。

この問題を解決するために、マスクとウエハの倍率補正量を求める倍率補正量検出方法が提案されている（特許文献２）。この文献には、マスクをウエハに近接配置し、マスクパターンをウエハ上にＸ線露光する方法が開示され、また、倍率補正は、マスクを局所的に加熱して熱変形させたり、マスクに外部から応力を加えてマスクを変形させることによって行うことが開示されている。

また、これらとは別に、半導体回路等の集積回路の製造に必須の露光工程において、１枚のマスクに露光すべきパターンを複数個形成し、マスクの交換回数の低減、露光時間の短縮を図る提案がなされている（特許文献３）。この技術は１枚の電子ビーム露光用マスクに、たとえばホール層露光領域、配線層露光領域、ゲート層露光領域の３種の露光領域を設け、露光を行う際に、それぞれの露光領域を所定の位置に移動させて露光を行う方法を採用している。
米国特許第５，８３１，２７２号 特開２０００−３５３６４７号公報 特開２００２−３６７８８５号公報

しかしながら、マスクが設計値に対して伸縮している場合、特許文献２に記載のようにマスクを熱や外力によって変形させてマスクとウエハとの倍率を補正しても、精度よく変形させることが難しく、またマスクの変形の度合いを確認する必要があり、簡単に倍率補正を行うことができないという問題もある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、マスクに歪を生じている場合であっても、マスクパターンを精度よくウエハに転写するのに好適な電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法を提供することを目的とする。

前記課題を達成するために、本発明は、所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えた電子ビーム露光用マスクであって、前記複数のマスクパターン領域のうちの２以上は略同一のマスクパターンが形成されているマスクパターン領域であり、このうちの１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンが１以上形成されていることを特徴とする電子ビーム露光用マスク、及び、この電子ビーム露光用マスクにウエハを近接配置し、電子ビームによって前記電子ビーム露光用マスクを走査することにより該電子ビーム露光用マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する電子ビーム近接露光方法において、座標測定手段により前記マスク歪計測用のパターンの位置座標を測定し、これにより前記電子ビーム露光用マスクの歪を算出するステップと、算出された前記電子ビーム露光用マスクの歪より、前記ウエハ上のレジスト層に転写されるパターンが前記歪が除去された形状となるように、前記電子ビームの入射角度を制御しながら前記マスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写するステップと、を含むことを特徴とする電子ビーム近接露光方法を提供する。

本発明によれば、この電子ビーム露光用マスクは、所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えているので、マスクパターン領域が１個の通常のマスクと比べて、マスクのコストを低減することができる。

また、１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンが１以上形成されているので、このパターンの測定によりマスクの歪を算出でき、ウエハ上のレジスト層に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。これによりマスクパターンを精度よくウエハに転写できる。

本発明において、前記マスクがステンシルマスクであることが好ましい。このようなステンシルマスクは、マスクパターン領域が薄膜により形成されており、歪が生じ易いことより、本発明の、歪が除去された形状となるように露光できる効果が発揮できる。

以上説明したように、本発明によれば、電子ビーム露光用マスクは、所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えているので、マスクパターン領域が１個の通常のマスクと比べて、マスクのコストを低減することができる。

また、１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンが１以上形成されているので、このパターンの測定によりマスクの歪を算出でき、ウエハ上のレジスト層に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。これによりマスクパターンを精度よくウエハに転写できる。

以下、添付図面に従って本発明に係る電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法の好ましい実施の形態について説明する。図１は、電子ビーム露光用マスク３０を示す説明図である。このマスク３０にはマスクパターン領域が９箇所（Ａ〜Ｉ）設けられている。この９箇所のマスクパターン領域は、同一サイズ（３５×２７ｍｍ）である。マスク３０におけるこの９箇所のマスクパターン領域の配置は、３列×３行のマトリックス配置であり、マスクパターン領域同士の隙間は縦横いずれも５ｍｍとなっている。

この複数のマスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）のうちの２以上（たとえばＧ、Ｈ及びＩ）は略同一のマスクパターンが形成されているマスクパターン領域であり、このうちの１以上のマスクパターン領域（たとえばＧ）にはマスク歪計測用のパターンＭが１以上形成されている
このマスク歪計測用のパターンＭは、既存のマスクパターンに埋め込んだときに目立つ形状であり、かつ、二次元方向の位置計測が容易な形状であることが好ましい。したがって、パターンＭとしては、たとえば図１に示されるマスクパターン領域Ｇの円内の拡大図のような十字形状や、Ｌ字形状等が好ましく採用できる。

マスク歪計測用のパターンＭを、既存のマスクパターンに埋め込むときには、この部分のマスクパターンは除去される。すなわち、ステンシルマスクであれば、開口のない状態とされ、ここにパターンＭの形状の開口が形成される。すなわち、図１に示されるマスクパターン領域Ｇの円内の拡大図のように、平行線からなるマスクパターンの一部が除去され、ここに十字形状のマスク歪計測用のパターンＭが埋め込まれている。

このように、図１に示されるマスクパターン領域Ｇにおいては、マスクパターンの一部が除去されており、デバイスパターン形成用（転写用）のマスクパターン領域としては使用できず、専ら歪計測用のマスクパターン領域として使用される。このマスクパターン領域Ｇにおけるマスク歪計測用のパターンＭの二次元方向の位置を計測することにより、マスクパターンの設計値とのずれが読み取れる。

なお、マスクパターン領域Ｇにおけるマスク歪計測用のパターンＭの二次元方向の位置の計測には、座標測定手段として、たとえばライカ社製の二次元座標測定機（商品名：Ｉプロ）が好適に使用できる。

また、パターンＭの二次元方向の位置を計測する際の基準となるマーク等としては、同一のマスクパターン領域Ｇ又は他のマスクパターン領域（たとえばＣ）に設けられたマスク歪計測用のパターンＭでもよいし、図１に示されるマスク３０のマスクパターン領域外に設けられた基準マークＮでもよい。

このマスクパターンの設計値と実際のマスク３０のマスクパターンとのずれは、以下に列挙する要因によるものと推定される。マスク３０に起因する内的要因として、１）設けるマスクパターン領域の個数、２）マスクパターン領域のサイズ、３）マスクパターン領域の配置、４）マスクパターンの線幅、５）マスクパターンの種類（線状部分が多いか、パット状部分が多いか等）、６）パターンの開口率、７）マスク（メンブレン）の厚さ、８）マスク（メンブレン）の材質、等である。マスク３０以外に起因する外的要因として、１）測定雰囲気（温湿度）、２）マスク３０の保持方法、等である。

上記のマスク３０に起因する内的要因のうち、４）マスクパターンの線幅、５）マスクパターンの種類（線状部分が多いか、パット状部分が多いか等）、６）パターンの開口率は、同一マスクパターンであれば同様となることより、マスクパターン領域Ｇの設計値と実際値とのずれを求めることにより、他の同一マスクパターン領域（たとえばＨ及びＩ）の設計値と実際値とのずれも、上記要因に関する限り同一と推定できる。

このように、マスク歪計測用のパターンＭが埋め込まれたマスクパターン領域がデバイスパターン形成に寄与できなくても、これにより他の同一パターンのマスクパターン領域の歪状態が推定できるのであれば、マスクパターンを精度よくウエハに転写するのに寄与できることとなる。

一方、このようなマスク歪計測用のパターンＭを設けずに、各マスクパターン領域のマスクパターンを二次元座標測定機で読み取ることにより、設計値と実際値とのずれを求めることもできる。このようにすれば、図１に示される９箇所のマスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）全てをデバイスパターン形成用（転写用）のマスクパターン領域としては使用でき、マスクの利用効率が良い。しかし、実際に各マスクパターン領域のマスクパターンを二次元座標測定機で読み取るのは、目印となるパターンがないので、非常に作業効率が悪く、現実的ではない。

次に、マスク３０における複数のマスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）の一部にマスク歪計測用のパターンＭを形成し、マスクパターンの設計値と実際値とのずれを求める具体例について説明する。なお、以下の例におけるマスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）のサイズや配置は、図１と同一である。

図２は、電子ビーム露光用マスク３０の第１の具体例を示す説明図である。この例において、マスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）には３種類のマスクパターンが形成されている。このうち、左右の隣接したマスクパターン領域Ａ、Ｂ及びＣにおけるマスクパターンが同一であり、左右の隣接したマスクパターン領域Ｄ、Ｅ及びＦにおけるマスクパターンが同一であり、左右の隣接したマスクパターン領域Ｇ、Ｈ及びＩにおけるマスクパターンが同一である。

そして、左右の隣接した３箇所のマスクパターン領域のうち、中央のマスクパターン領域（Ｂ、Ｅ及びＨ）にマスク歪計測用のパターンＭがそれぞれ４個形成されている。この４個のマスク歪計測用のパターンＭは、マスクパターン領域の上下縁の中央部近傍と、左右縁の中央部近傍とに設けられている。このマスク歪計測用のパターンＭ同士の二次元方向の相対位置関係を計測することにより、マスクパターンの設計値とのずれが読み取れる。

なお、マスクパターンの設計値とのずれをより詳細に求める場合には、マスク歪計測用のパターンＭの配置箇所を増加させれば、その分だけ計測精度は向上する。

以上のような構成のマスク３０とすることにより、中央のマスクパターン領域（たとえばＢ）のマスク歪計測用のパターンＭ同士の二次元方向の相対位置関係を計測することにより、両側のマスクパターン領域（この場合Ａ及びＣ）のマスクパターンの設計値とのずれが推定でき、露光の際に（図８〜図１０参照）ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。これによりマスクパターンを精度よくウエハに転写できる。

図３は、電子ビーム露光用マスク３０の第２の具体例を示す説明図である。この例において、マスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）には全て同一種類のマスクパターンが形成されている。

そして、四隅に配されるマスクパターン領域（Ａ、Ｃ、Ｇ及びＩ）及び中央に配されるマスクパターン領域（Ｅ）にマスク歪計測用のパターンＭがそれぞれ４個形成されている。この４個のマスク歪計測用のパターンＭは、マスクパターン領域の四隅近傍に設けられている。このマスク歪計測用のパターンＭ同士の二次元方向の相対位置関係を計測することにより、マスクパターンの設計値とのずれが読み取れる。

すなわち、マスクパターン領域Ａ、Ｃ及びＥのそれぞれ４個のマスク歪計測用のパターンＭの相対位置関係を計測することにより、Ａ、Ｃ及びＥと隣接するマスクパターン領域Ｂにおけるマスクパターンの設計値とのずれが推定でき、マスクパターン領域Ｂを使用した露光の際に（図８〜図１０参照）ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。これによりマスクパターンを精度よくウエハに転写できる。

同様に、マスクパターン領域Ａ、Ｅ及びＧのそれぞれ４個のマスク歪計測用のパターンＭの相対位置関係を計測することにより、Ａ、Ｅ及びＧと隣接するマスクパターン領域Ｄにおけるマスクパターンの設計値とのずれが推定でき、マスクパターン領域Ｄを使用した露光の際に（図８〜図１０参照）ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。

以下、Ｃ、Ｅ及びＩと隣接するマスクパターン領域Ｆの場合、及び、Ｅ、Ｇ及びＩと隣接するマスクパターン領域Ｈの場合も同様であり、これらの説明は省略する。

図４は、電子ビーム露光用マスク３０の第３の具体例を示す説明図である。この例において、マスクパターン領域（Ａ〜Ｉ）には全て同一種類のマスクパターンが形成されている。

そして、マスクパターン領域Ｂ、Ｄ、Ｆ及びＨにマスク歪計測用のパターンＭがそれぞれ１個形成されている。このマスク歪計測用のパターンＭは、それぞれのマスクパターン領域の外側の縁部の中央部近傍に設けられている。このマスク歪計測用のパターンＭ同士の二次元方向の相対位置関係を計測することにより、マスクパターンの設計値とのずれが読み取れる。

特に、本例では、マスク３０の中心Ｏを基準にして、マスク３０が均等に膨張した場合、又は、均等に収縮した場合に好適に対応できる構成となっている。

すなわち、マスクパターン領域Ｂ、Ｄ、Ｆ及びＨのそれぞれ１個のマスク歪計測用のパターンＭの相対位置関係を計測することにより、これらと隣接するマスクパターン領域（Ａ、Ｃ、Ｅ、Ｇ及びＩ）におけるマスクパターンの設計値とのずれが推定でき、マスクパターン領域（Ａ、Ｃ、Ｅ、Ｇ及びＩ）を使用した露光の際に（図８〜図１０参照）ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。これによりマスクパターンを精度よくウエハに転写できる。

次に、図５により、電子ビーム露光用マスク３０としてステンシルマスクを形成する工程について説明する。この工程は図５（ａ）から（ｇ）までの順で進行する。

図５（ａ）において、ステンシルマスク１１２はシリコン１１４を備え、このシリコン１１４の下側表面の全面には酸化シリコン層１１６、シリコン膜１１８の順で薄膜が形成されている。なお、シリコン膜１１８がダイヤモンドやＳｉＣの場合、酸化シリコン層１１６は無くてもよい。シリコン１１４、酸化シリコン層１１６、シリコン膜１１８夫々の膜厚には特に制限はないが、たとえばシリコン１１４の膜厚は５２５μｍ程度、酸化シリコン層１１６やシリコン膜１１８の膜厚は０．３〜１．０μｍの範囲のものが好適に使用できる。

図５（ｂ）は、ステンシルマスク１１２の裏面（上面）にレジスト１２０が形成され、このレジスト１２０がバックエッチング処理のために窓状にパターニングされた状態を示す。

図５（ｃ）は、シリコン１１４および酸化シリコン層１１６がバックエッチング処理によって窓状に除去された状態を示す。除去されたシリコン１１４および酸化シリコン層１１６によって透過孔１２５、１２５…が形成され、メンブレン１２６、１２６…がステンシルマスク１１２の裏面（上面）に、当該透過孔１２５、１２５…から露呈される。ここで、バックエッチング処理は、たとえばウェットエッチング液、すなわち水酸化カリウムやヒドラジンなどのアルカリ溶液を加熱したものが用いられる。また、このようなウェットエッチング方式以外にドライエッチング方式を用いてもよい。

図５（ｄ）以降において、ステンシルマスク１１２は上下が反転した状態で示される。図５（ｄ）は、ステンシルマスク１１２表面（上面）のシリコン膜１１８にレジスト１２２が塗布形成された後、所定パターン部分が露光されている状態を示す。この露光によって図５（ｅ）に示すようにレジスト１２２にはパターンが形成される。

図５（ｆ）は、ステンシルマスク１１２の表面側（上面側）に露呈されたメンブレン１２６（シリコン膜１１８）の部分がドライエッチングによって除去され、マスクパターン１２７、１２７…が形成された状態を示す。

図５（ｇ）は、レジスト１２２が剥離された状態を示しており、本発明に係るステンシルマスク１１２の最終形態である。

ステンシルマスク１１２のマスクパターン形成領域には透過孔１２５、１２５…が形成され、ステンシルマスク１１２の上面にはマスクパターン１２７が形成されたメンブレン１２６、１２６…が成膜されている。バックエッチング処理において残されたシリコン１１４の一部が梁１２４として残され、メンブレン１２６、１２６…を支持している。以上が、電子ビーム露光用マスク３０として、ステンシルマスク１１２を形成する工程の１例である。

次に、図８〜図１０により説明した露光の際に、ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御する構成について説明する。図６は、電子ビーム近接露光装置１０において、副偏向器２６、２８によって電子ビーム１５の転写位置をシフトする様子を示す図である。

この転写に際して、マスク３０に歪みを生じている場合には、転写したパターンが歪んでしまうことより、副偏向器２６、２８により転写時における電子ビーム１５の入射角度の制御を行い、マスク歪みの修正を行う。この電子ビーム１５の入射角度の制御は、予め測定済みのマスク３０のデータ（マスクの歪み）に応じた補正データに基づいて、図示しないデジタル演算回路の指示により、マスク歪みを補正するように電子ビーム１５のマスクパターンへの入射角度を制御（傾き補正）する。

図６に示されるように、電子ビーム１５のマスク３０への入射角度をΨ、マスク３０とウエハ４０との間隔をＧとすると、入射角度Ψによるマスクパターンの転写位置のシフト量δは、δ＝Ｇ・tan Ψで表される。図６上ではマスクパターンは、シフト量δだけ当初の位置からずれた位置に転写される。したがって、電子ビームの走査位置に応じて入射角度Ψを変化させることにより、転写位置を変化させることができる。

マスク歪みを補正は、たとえばマスクパターンを拡大したり、マスクパターンを縮小したりして転写することにより、マスク歪みのない状態でマスクパターンが転写されたのと同じになるように電子ビームの傾き補正を行うことによりなされる。

以上のように制御しながら、電子ビーム１５によってマスク３０に形成されたマスクパターンをウエハ４０に転写し、この転写を繰り返して、所望のデバイスに必要な全てのマスクパターンを転写する。

図７は、ステンシルマスクの歪を除去するように転写する様子を示す図である。図７（ａ）において、マスクパターンの設計形状は、破線で示されるような形状であるが、歪みにより実線で示されるような形状に変形した状態にある。これに対し、図２〜図４の具体例で説明したように、マスク歪計測用のパターンＭの相対位置関係を計測することにより、これと隣接するマスクパターン領域におけるマスクパターンの設計値とのずれが推定でき、当該マスクパターン領域を使用した露光の際に（図８〜図１０参照）ウエハ４０上のレジスト層４２に転写されるパターンの歪が除去された形状となるように制御できる。その結果、図７（ｂ）に示されるような設計形状と同一のマスクパターンの転写がなされる。

以下、本発明に係る電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いた露光方法の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。たとえば、マスク３０における複数のマスクパターン領域の配置状態は、図１〜図３に示される形態以外の各種態様が採り得る。

また、本発明においては、マスク歪計測用のパターンＭの配置個数、配置箇所を極めて単純な状態で例示したが、これよりもより複雑化し、実際の状況により合致した構成とできる。

更に、本発明に係る電子ビーム露光用マスク及び該マスクを用いたマスク歪の評価方法は、マスクパターンをウエハに転写する露光工程意外にも適用できる。このような適用例としては、マスクの受け入れ検査、製造工程におけるマスクの定期的検査、品質保証の共通化、マスクの規格化等である。

電子ビーム露光用マスクの例を示す説明図 電子ビーム露光用マスクの他の例を示す説明図 電子ビーム露光用マスクの更に他の例を示す説明図 電子ビーム露光用マスクの更に他の例を示す説明図 ステンシルマスクを形成する工程を示す断面図 副偏向器によって電子ビームの転写位置をシフトする様子を示す図 ステンシルマスクの歪を除去するように転写する様子を示す図 電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図 電子ビームによるマスクの走査を説明するために用いた図 電子ビーム近接露光装置の全体構成図

符号の説明

１０…電子ビーム近接露光装置、１２…電子銃、１５…電子ビーム、２０…走査手段、２２、２４…主偏向器、２６、２８…副偏向器、３０…マスク、４０…ウエハ、７０…ウエハステージ、８０…マスクステージ、Ｍ…マスク歪計測用のパターン

Claims (3)

1. 所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えた電子ビーム露光用マスクであって、
   前記複数のマスクパターン領域のうちの２以上は略同一のマスクパターンが形成されているマスクパターン領域であり、このうちの１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンが１以上形成されていることを特徴とする電子ビーム露光用マスク。
2. 前記マスクがステンシルマスクであることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光用マスク。
3. 所定のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を複数備えた電子ビーム露光用マスクであって、前記複数のマスクパターン領域のうちの２以上は略同一のマスクパターンが形成されているマスクパターン領域であり、このうちの１以上のマスクパターン領域にはマスク歪計測用のパターンが１以上形成されている電子ビーム露光用マスクにウエハを近接配置し、電子ビームによって前記電子ビーム露光用マスクを走査することにより該電子ビーム露光用マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する電子ビーム近接露光方法であって、
   座標測定手段により前記マスク歪計測用のパターンの位置座標を測定し、これにより前記電子ビーム露光用マスクの歪を算出するステップと、
   算出された前記電子ビーム露光用マスクの歪より、前記ウエハ上のレジスト層に転写されるパターンが前記歪が除去された形状となるように、前記電子ビームの入射角度を制御しながら前記マスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写するステップと、
   を含むことを特徴とする電子ビーム近接露光方法。

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