JP2002217100A - 電子ビーム近接露光用マスクの製作方法及びマスク - Google Patents

電子ビーム近接露光用マスクの製作方法及びマスク

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JP2002217100A
JP2002217100A JP2001371186A JP2001371186A JP2002217100A JP 2002217100 A JP2002217100 A JP 2002217100A JP 2001371186 A JP2001371186 A JP 2001371186A JP 2001371186 A JP2001371186 A JP 2001371186A JP 2002217100 A JP2002217100 A JP 2002217100A
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Nobuo Shimazu
信生 島津
Takao Uchiumi
孝雄 内海
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Reaple Inc
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RIIPURU KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで電子ビーム近接露光用のマスクを
製作する方法を実現する。 【解決手段】 平行な電子ビーム15を出射する電子ビ
ーム源14と、電子ビーム15の経路中に配置され、開
口を有するマスク30と、試料40を保持して移動する
ステージとを備え、マスク30は試料40の表面に近接
して配置され、マスク30の開口を通過した電子ビーム
15で、試料40の表面に開口に対応するパターンを露
光する電子ビーム近接露光装置で使用されるマスクの製
作方法であって、マスク30を複数の部分領域A〜Pに
分割し、複数の部分領域A〜Pと同一パターンの開口を
それぞれ有する複数の部分マスク111を製作する工程
と、電子ビーム近接露光方法で、複数の部分マスク11
1のパターンを、マスク基板31の対応する位置にそれ
ぞれ露光してマスク30を製作する工程と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路な
どの製作工程で使用される微細パターンを露光する露光
装置で使用されるマスクの製造方法に関し、特に露光パ
ターンに対応する開口を有するマスクを半導体ウエハな
どの試料の表面に近接して配置し、マスクに電子ビーム
を照射して開口を通過した電子ビームで露光を行う電子
ビーム近接露光装置で使用されるマスクの製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化が図られてお
り、回路パターンの一層の微細化が望まれている。現
在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置
であり、光学式露光装置であるステッパでは、光源の短
波長化、NA(開口数)の増加、位相シフト法の採用な
ど各種の方策が取られている。しかし、これ以上の微細
化は、製造コストの飛躍的な増大などの各種の問題があ
る。そこで、電子ビーム直接描画装置やX線露光装置な
どの新しい方式の露光装置が開発されているが、安定
性、生産性及びコストなどの面で多くの問題がある。
【0003】電子ビーム近接露光方式は、その露光原理
の単純さから“High Throughput Submicron Lithograph
y with Electron Beam Proximity Printing ”(H. Bohl
en et al., Solid State Technology, September 1984,
pp. 210-217) (以下、文献1と称する)に示される如
く、古くから研究開発が行なわれたが、電子ビーム特有
のプロクシミティ効果の除去が困難で実用性がないと考
えられていた。
【0004】米国特許第5,831,272 号(日本特許第2951
947 号に対応)及び“Low energy electron-beam proxi
mity projection lithography: Discovery of missing
link”(Takao Utsumi, J. Vac. Sci. Technol. B 17
(6), Nov/Dec 1999, pp. 2897-2902)は、この困難を解
決して、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子ビ
ーム近接露光装置を開示している。
【0005】図1は、米国特許第5,831,272 号に開示さ
れた電子ビーム近接露光装置を実現する場合の基本構成
を示す図である。この図を参照して、米国特許第5,831,
272号に開示された電子ビーム近接露光装置について簡
単に説明する。図1に示すように、コラム10内には、
電子ビーム15を発生する電子ビーム源14と整形アパ
ーチャ16と電子ビーム15を平行ビームにする照射レ
ンズ18とを有する電子銃12、対となる主偏向器2
2、24を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走
査手段20、露光するパターンに対応する開口を有する
試料用マスク(以下、単にマスクと称する)30、及び
表面にレジスト層42が形成された試料(半導体ウエ
ハ)40が設けられている。マスク30は、厚い外縁部
分34内の中央に開口の形成された薄い膜32を有して
おり、試料40は表面がマスク30に近接するように配
置される。この状態で、マスクに垂直に電子ビームを照
射すると、マスクの開口を通過した電子ビームが試料4
0の表面のレジスト層42に照射される。走査手段20
により電子ビーム15を偏向して(図1のA,B,Cは
3箇所に偏向されたビームを示す)、マスク30上の薄
い膜32の全面を走査すると、マスク30のすべての開
口パターンが露光されることになる。走査手段20に
は、電子ビームを僅かに傾斜するための副偏向器51、
52が設けられており、マスク30と試料40の位置合
わせと、マスクの歪と試料の歪による露光位置のずれを
補正するのに使用される。
【0006】電子ビーム近接露光装置のマスクには欠陥
があってはならない。そのため、製作されたマスクは検
査され、欠陥がないことを確認した上で使用される。欠
陥がある場合には修正機で修正するが、修正できない欠
陥もあり、そのような修正不能な欠陥がある場合にはマ
スクを廃棄して、新たに欠陥のないマスクを製作する必
要がある。
【0007】マスクの欠陥は各種の要因により発生する
が、1つの大きな要因はごみ(パーティクル)による汚
染である。同一の製作条件であれば、ごみによる欠陥の
発生する確率は、マスクの面積に比例する。従って、大
きなマスクを製作する時ほど欠陥が発生しやすい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム近接露光装
置のマスクは、任意のパターンを露光できる従来の電子
ビーム露光装置を使用してパターンを露光することによ
り製作されるが、このような装置で高精度のパターンを
露光するには非常な長時間を要し、その分マスクの製作
コストは高い。上記のように、修正不能な欠陥があった
場合にはマスクを廃棄し、欠陥のないマスクが製作でき
るまで、新たに長時間かけてマスクを露光する必要があ
る。これはマスクの製作コストを一層増加させるという
問題を生じる。
【0009】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、低コストで電子ビーム近接露光用のマスクを
製作する方法の実現を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、電子ビー
ム近接露光装置は等倍の露光装置であり、露光されるパ
ターンはマスクのパターンと同一であり、電子ビーム近
接露光装置を使用すれば短時間でパターンが複製できる
点に着目した。
【0011】本発明の電子ビーム近接露光用マスクの製
作方法は、平行な電子ビームを出射する電子ビーム源
と、前記電子ビームの経路中に配置され、開口を有する
マスクと、試料を保持して移動するステージとを備え、
前記マスクは前記試料の表面に近接して配置され、前記
マスクの開口を通過した電子ビームで、前記試料の表面
に前記開口に対応するパターンを露光する電子ビーム近
接露光装置で使用される前記マスクの製作方法であっ
て、前記マスクを複数の部分領域に分割し、前記複数の
部分領域と同一パターンの開口をそれぞれ有する複数の
部分マスクを製作する工程と、電子ビーム近接露光方法
で、前記複数の部分マスクのパターンを、マスク基板の
対応する位置にそれぞれ露光して前記マスクを製作する
工程と、を備えることを特徴とする。
【0012】各部分マスクのパターンは、相互に所定位
置に露光される必要があり、各部分マスクは、それぞれ
位置合わせマークを有することが望ましい。上記のよう
に、電子ビーム近接露光用マスクは非常に薄い膜である
が、非常に高い膜の平面度が要求される。そこで、膜の
表面に収縮する方向に力が働く薄い膜を形成し、マスク
の周囲の厚い部分から薄い膜の部分を引っ張る応力がか
かるようにする必要がある。しかし、この応力用の膜に
より、微少ではあるが開口パターンに歪が生じ、実際の
開口パターンと所望のパターンとの間にずれが生じる。
【0013】米国特許第5,831,272 号などに開示されて
いるように、電子ビーム近接露光装置では、マスクに照
射する電子ビームの方向を調整することにより、マスク
の小さな歪であれば補正できる。そこで、部分マスクを
製作した時には、そのパターンのずれを測定し、そのず
れの分を補正してマスクの露光を行うことが望ましい。
【0014】部分マスクは、1チップの大きさのマスク
を複数の領域に分割したマスクであるから、1チップの
大きさのマスクに比べて小さい。そのため、1チップの
大きさのマスクを製作する基板又はそれより大きな基板
を部分マスク基板として使用すれば、複数の部分マスク
を相互に離して製作することが可能である。例えば、す
べての部分マスクを相互に離して配置することが可能な
大きさの部分マスク基板を使用して、すべての部分マス
クを1つの部分マスク基板上に相互に離して製作する。
検査した結果すべての部分マスクに修正不能な欠陥がな
い時には、電子ビーム近接露光装置に部分マスク基板の
移動機構を設ければ、その部分マスク基板のみを使用し
て1つのマスクのパターンが露光できる。この場合、1
つのマスクのパターンを露光する間、装置外に部分マス
ク基板を取り出して交換する必要がなく、露光に要する
時間を低減できる。
【0015】一部の部分マスクに修正不能な欠陥がある
時には、第2の部分マスク基板に修正不能な欠陥があっ
た部分マスクをできるだけ多数製作する。例えば、16
個の部分マスクが製作できる部分マスク基板を使用する
場合、第1の部分マスク基板上で修正不能な欠陥があっ
た部分マスクが4個であった場合、第2の部分マスク基
板上には欠陥があった部分マスクそれぞれについて4個
の部分マスクが製作できる。4個すべての部分マスクに
修正不能な欠陥が発生する可能性は非常に低いので、多
くの場合2枚の部分マスク基板を使用すればマスクのす
べてのパターンが露光できる。
【0016】より多数の部分マスクを製作できる部分マ
スク基板を使用すれば、1枚の部分マスク基板上に各部
分マスクを複数製作できるので、1枚の部分マスク基板
で欠陥のない部分マスクの完全なセットを製作できる可
能性は向上する。
【0017】
【発明の実施の形態】図2は、本発明の基本原理を説明
する図である。
【0018】図2に示すように、最終的に必要な1チッ
プ(ダイ)全面のマスク30を複数の部分領域A〜Pに
分割する。そして、任意のパターンを露光できる従来の
電子ビーム露光装置101を使用して各部分領域A〜P
をそれぞれ露光し、各部分領域A〜Pに対応する部分マ
スク111を製作する。製作された部分マスク111は
それぞれ検査され、修正可能な欠陥であれば修正され、
修正不能な欠陥があればその部分マスクだけを再度製作
して、すべての部分領域A〜Pに対応する欠陥のない部
分マスク111を製作する。例えば、部分領域が16個
の同じ大きさであれば、修正不能な欠陥が発生した部分
マスクが1個であれば、その部分マスクのみを再度露光
するのに要する時間は、マスク30全体、すなわち部分
領域A〜Pをすべて露光する場合に比べてほぼ1/16
になる(実際にはパターンにより決定される)と考えら
れる。
【0019】次に、図1に示した米国特許第5,831,272
号に開示された構成と同様の構成を有する電子ビーム近
接露光装置102で部分領域A〜Pに対応する欠陥のな
い部分マスク111を対応する位置にそれぞれ露光し、
マスク30を製作する。部分領域A〜Pに対応する部分
マスク111をすべて露光するのに要する時間は、従来
の電子ビーム露光装置101でマスク30全体を露光す
る場合に比べて数千分の1から1万分の1である。
【0020】このようにして製作したマスク30を検査
し、修正不能の欠陥がある場合には、再度電子ビーム近
接露光装置102で部分領域A〜Pに対応する部分マス
ク111を対応する位置にそれぞれ露光してマスク30
を製作し、欠陥のないマスク30が製作できるまで繰り
返す。この場合、ごみによる欠陥の発生については、従
来の電子ビーム露光装置101を使用してマスク30全
体を露光した場合も、電子ビーム近接露光装置102で
複数の部分マスク111を露光した場合も同じであると
考えられる。しかし、露光に要する時間ははるかに少な
いので、欠陥のないマスク30が製作できるまで繰り返
す処理時間ははるかに短くできる。従って、マスク製作
のコストは大幅に低減できる。
【0021】本発明の第1の実施の形態では、1つのマ
スクのパターンを、図2に示すように16個の部分領域
A〜Pに分割し、各部分領域A〜Pのパターンを有する
16個の部分マスクを製作する。第1の実施の形態で
は、16個の部分マスクを互に離して製作できる部分マ
スク基板を使用する。図3(A)は、部分マスク基板1
21における16個の部分マスク111の配置と各部分
マスクの形状を例示する図であり、図3(B)は、図3
(A)の3(B)−3(B)線に沿った断面図である。
ここでは、各部分領域A〜Pに対応する各部分マスクを
A〜Pで表す。部分マスク基板121は、例えば厚さ数
mmの薄い基板(ウエハ)である。各部分マスク111
では、参照番号132で示す部分が数μmないしサブマ
イクロメートルの厚さに加工されており、その中の参照
番号133で示す部分に開口パターンが形成される。参
照番号135は、マスクの位置を検出するためのマーク
である。部分マスク基板を製作する場合には、従来の電
子ビーム露光装置101で部分マスク基板121の一方
の面に形成したレジスト層に、図示のように離して部分
マスクA〜Pのパターンを露光する。その後、レジスト
層を現像し、部分マスク基板121の一方の面をエッチ
ングして、パターンの開口部に穴を形成する。穴の深さ
は、参照番号132で示す部分の厚さより深くする。こ
の時、マーク135のパターンに対応する穴も形成す
る。
【0022】次に、部分マスク基板121の他方の面に
レジスト層を形成し、リソグラフィで各マスクの参照番
号132で示す部分のレジスト層を除去する。すなわ
ち、参照番号132で示す部分以外にレジスト層が形成
される。そして、部分マスク基板121の他方の面をエ
ッチングして数μmの厚さまで加工する。これにより、
一方の面に形成した穴は貫通し、開口パターンが形成さ
れる。このようにして、部分マスク基板121上に16
個の部分マスクが形成される。部分マスク基板121の
各部分マスクを検査し、修正可能な欠陥は修正し、使用
できる部分マスクを選別する。例えば、図3(A)に示
すように、16個の部分マスクのうち、C、F及びGに
修正不能な欠陥が存在するとする。
【0023】次に、図4に示すように、第2の部分マス
ク基板122に、C、F及びGの部分マスクを製作す
る。第2の部分マスク基板122は、図3の第1の部分
マスク基板121と同じように16個の部分マスクが製
作できるので、部分マスクCを6個、部分マスクF及び
Gを5個ずつ製作する。この第2の部分マスク基板12
2の部分マスクC、F及びGを検査し、使用できる部分
マスクを選別する。部分マスクC、F及びGについて、
使用できる部分マスクがそれぞれ1個あればよい。部分
マスクC、F又はGで、使用できる部分マスクが1個も
ないものについては、その部分マスクについてのみ、更
に別の部分マスク基板で部分マスクを製作する。例え
ば、部分マスクCとGは使用できる部分マスクがある
が、部分マスクFは5個すべてに修正不能の欠陥がある
場合には、更に別の部分マスク基板で部分マスクFを1
6個製作する。このようにして、部分マスクA〜Pのそ
れぞれについて1個は欠陥のない部分マスクが製作され
るまで上記工程を繰り返す。
【0024】ここで、部分マスク基板122では、部分
マスクCは6個製作するので、6個の部分マスクCのす
べてに修正不能の欠陥が発生する可能性はその分低くな
る。これは部分マスクF及びGについても同様である。
【0025】電子ビーム近接露光装置102で、以上の
ようにして製作された欠陥のない部分マスクA〜Pを使
用して、各部分マスクA〜Pのパターンを、マスク30
の基板31の対応する位置に露光し、上記と同様の方法
でマスク30を製作する。この露光は、部分マスクA〜
Pをマスク30の基板31に対して位置決めした上で電
子ビームを走査して露光するだけであるので、短時間に
終了する。第1の部分マスク基板121に使用できない
部分マスクがあり、第2の部分マスク基板にも部分マス
クを製作した時には、第1の部分マスク基板121の正
常な部分マスクの露光が終了したあと、第2の部分マス
ク基板を装着して残りの部分マスクの露光を行う。この
時、電子ビーム近接露光装置102の外に第1の部分マ
スク基板を取り出した後第2の部分マスク基板をセット
してもよいが、電子ビーム近接露光装置102内に部分
マスク基板の移動機構を設け、使用する部分マスク基板
を切り換えられるようにすることが望ましい。
【0026】このようにして製作したマスク30を検査
し、修正不能の欠陥がある場合には、再度マスク30を
製作し、欠陥のないマスク30が製作できるまで繰り返
す。1回の露光時間が短いので、このような動作をマス
ク30が製作できるまで繰り返しても、露光時間はあま
り長くならない。このようにして、マスク30が完成す
る。
【0027】従来の電子ビーム露光装置は非常に高価で
あり、これの使用時間がマスク製作の大きな割合を占め
る。本発明によれば、高価な従来の電子ビーム露光装置
を使用する時間が大幅に短縮されるので、マスク製作コ
ストを低減できる。また、電子ビーム近接露光装置は、
従来の電子ビーム露光装置に比べてはるかに構成が簡単
で安価である。従って、電子ビーム近接露光装置の使用
によるコストは小さい上使用時間も短いので、この分の
コストが製作コストを大きくすることはない。
【0028】電子ビーム近接露光用マスクは、数μmな
いしサブマイクロメートルの厚さの非常に薄い膜である
が、非常に高い膜の平面度が要求される。そこで、マス
クの薄膜の表面に収縮する方向に力が働く応力用薄膜を
形成し、マスクの周囲の厚い部分から薄膜の部分を引っ
張る応力がかかるようにして、高い平面度が得られるよ
うにしている。しかし、薄膜には開口が形成されてお
り、開口のパターンは部分的に異なるため、応力用薄膜
の収縮する力に部分的に差が生じ、マスクの薄膜に歪を
生じる。前述の文献1及び米国特許第5,831,272 号は、
電子ビーム近接露光装置において、マスクに照射する電
子ビームの方向を変化させてマスクの歪を補正する技術
を開示している。第1の実施の形態でも、部分マスクの
パターンを露光する時には、この技術を利用して以下に
説明するように歪を低減する。
【0029】図10は、本発明の実施の形態で使用する
電子ビーム近接露光装置102の構成を示す図である。
基本構成は、図1に示した構成及び上記の文献1に開示
された構成に類似した構成を有するので、図1と同一の
機能部分には同一の参照番号を付して表す。
【0030】図10に示すように、電子光学鏡筒10に
は、電子ビーム15を発生する電子銃14、電子ビーム
15を平行ビームにする照射レンズ18、主偏向器2
0、及び副偏向器50が設けられている。主偏向器20
と副偏向器50は、図10ではそれぞれ1つの偏向器と
して示してあるが、実際には図1に示したようにそれぞ
れ2段構成になっている。真空試料室8には、マスク
(本実施の形態では部分マスク基板121(又は12
2))を保持して移動するマスクステージ36、及び試
料(本実施の形態ではマスク30の基板31)を保持し
て移動するステージ131が設けられている。
【0031】図10では、主偏向器20で平行ビーム1
5の部分マスク基板121上の照射位置を変化させた状
態を示す。図示のように、主偏向器20で照射位置を変
化させても、電子ビーム15は部分マスク基板121へ
ほぼ垂直に入射する。
【0032】これに対して、図11に示すように、副偏
向器50で平行ビーム15の部分マスク基板121への
入射角を変化させると、電子ビーム15は部分マスク基
板121の同じ位置に入射するが、入射角は変化する。
入射角が変化すると、部分マスク上の同じ位置を通過し
た電子ビームでも、マスク30の基板31上の照射位置
が変化する。この変化量は、部分マスク基板121とマ
スク30の基板31との間隔と入射角との積である。従
って、あらかじめ部分マスクの歪を測定しておき、入射
角による照射位置の変化が歪量と同じで逆の方向になる
ように入射角を設定すれば、部分マスクの歪を補正する
ことが可能である。
【0033】部分マスクを走査する電子ビームを小さく
すれば、理論的にはどのような歪も補正できるが、スル
ープットの点から電子ビームはある程度の大きさを有す
ることが望ましく、その場合にはあまり大きな歪は補正
できない。また、歪は非線型であっても補正可能である
が、ここでは副偏向器の制御を容易にするために、図1
2に示すように、歪は線型であると仮定して補正を行う
例を説明する。
【0034】図12に示すように、部分マスクを露光す
る時には、P1〜P4の点はそれぞれ理想的な位置に露
光される。しかし、開口に相当する穴の形成及び薄膜部
分の加工により、実際に製作された部分マスクでは、P
1の点はP1’に、P2の点はP2’に、P3の点はP
3’に、P4の点はP4’に形成されていたとする。こ
れは、元の理想的XY座標が、実際には歪んだxy座標
に線型変換されたものと考えることができ、歪んだxy
座標を元の理想的XY座標に補正するには、次のような
変換式で線型変換を行えばよい:
【0035】 X=a1 +a2 ・x+a3 ・y+a4 ・xy
【0036】 Y=b1 +b2 ・x+b3 ・y+b4 ・xy
【0037】ここで、a1 〜a4 及びb1 〜b4 は部分
マスク歪の補正係数である。
【0038】補正係数a1 〜a4 及びb1 〜b4 は、上
記の変換式にP1’〜P4’の座標値及びP1〜P4の
座標値を代入した方程式から求めることができる。
【0039】上記のような変換式から算出した部分マス
ク上の各点の補正量に対応して入射角を決定し、更に副
偏向器の偏向量を決定して露光を行えば、たとえ部分マ
スクが歪んでいても、マスク30の基板31に歪のない
パターンを露光することが可能である。
【0040】第1の実施の形態は、部分マスク基板に1
つのマスクを分割した16個の部分マスクを製作できる
例であるが、より多数の部分マスクを製作できる部分マ
スク基板を使用することも可能である。図5は本発明の
第2の実施の形態の部分マスク基板の構成を示す図であ
る。第2の実施の形態では、マスク30は第1の実施の
形態と同様に16個の部分領域A〜Pに分割されるもの
とする。図5に示すように、第2の実施の形態の部分マ
スク基板123には、49個の部分マスク113が製作
できるものとし、部分マスクAを4個、他の部分マスク
B〜Pをそれぞれ3個ずつ製作する。この場合、露光時
間は増加するが、4個又は3個の同じ部分マスクのすべ
てに、修正不能な欠陥が生じる可能性は少ないので、ほ
とんどの場合、1枚の部分マスク基板で欠陥のない1組
の部分マスクA〜Pが得られる。この実施の形態は、欠
陥の発生が比較的高い時に適している。
【0041】第1の実施の形態では1つの部分マスク基
板に16個の部分マスクを、第2の実施の形態では49
個の部分マスクを製作できるとしたが、1つの部分マス
ク基板に製作できる部分マスクの個数は少なくてもよ
く、1個の部分マスクを1つの部分マスク基板に製作し
てもよい。この場合、各部分マスクを露光する度に部分
マスク基板を交換する必要があるが、高価な従来の電子
ビーム露光装置を使用する時間が大幅に短縮されるの
で、同様にマスク製作コストを低減できる。
【0042】また、第1及び第2の実施の形態では、マ
スクをほぼ同じ形状の複数の領域に分割したが、領域は
どのように分割してもよく、例えば、図6に示す領域A
〜Qに分割することも可能である。また、各領域の境界
では、パターンに応じてつなぎ合わせるのが容易なよう
に分割すればよい。
【0043】従来は、複数の汎用の半導体チップを組み
合わせて、所望の機能を有する回路装置を実現してい
た。これに対して、回路装置の小型化及び省電力化のた
め、1つの半導体チップに各種の機能回路をまとめるカ
スタマイズ化が進められている。図7は、CPU20
1、DSP202、キャッシュメモリ203、ディスプ
レイコントローラ204、画像処理ユニット205、D
RAM206などを組み込んだカスタマイズ化した半導
体チップ200の例を示す。このような構成により、装
置の小型化及び省電力化が可能である。しかし、このよ
うなカスタマイズされた装置の生産量は一般に少ない。
1種類のチップを生産する場合、チップの生産量が多い
ほど1チップ当りのマスクのコストは小さくなるが、カ
スタマイズされた半導体チップは生産量が少ないためマ
スクのコストが大きな問題になる。第3の実施の形態
は、このようなカスタマイズされた半導体チップに適し
たマスクの製作方法の例である。
【0044】カスタマイズされた半導体チップを設計す
る場合、CPU、DSP、DRAM、SRAM、フラッ
シュメモリ、画像処理回路、ディスプレイコントロー
ラ、アナログ回路などの機能別に基本回路群の設計デー
タを用意したライブラリィから、目的とする回路装置に
適した基本回路を選択して組み合わせるのが一般的であ
る。そこで、本発明の第3の実施の形態では、機能別の
基本回路群の設計データに対応してあらかじめマスクを
用意しておく。例えば、図8に示すように、CPU用マ
スク群211、DSP用マスク群212、DRAM用マ
スク群216、SRAM用マスク群217、画像処理用
マスク群215、ディスプレイコントローラ用マスク群
214などを用意しておく。そして、図9に示すよう
に、組み合わせる回路に応じて、CPU231、DSP
232、メモリ234、ディスプレイ235など用意さ
れたマスク群からマスクの組230を選択し、更にマス
クの組230の各マスクのパターンを接続するのに必要
な接続用パターン240を別に作成し、これらを組み合
わせて露光し、目的とする回路装置用のパターンを露光
してマスク250を製作する。このようにすれば、新た
に製作するのは接続用パターン240だけでよいので、
マスク250の製作のリード時間を大幅に短縮できる。
【0045】この場合も、マスクの組230の各マスク
のパターン及び接続用パターン240の露光は電子ビー
ム近接露光装置を使用して行うので、露光に要する時間
は、マスク250のパターンをすべて従来の電子ビーム
露光装置で露光する時に比べて大幅に短縮できる。
【0046】接続用パターン240が少ない時には、マ
スクの組230の各マスクのパターンを電子ビーム近接
露光装置を使用して露光し、接続用パターン240は従
来の電子ビーム露光装置で露光するようにしてもよい。
この場合でも、大きな部分を占めるパターンは電子ビー
ム近接露光装置を使用して露光されるので、すべてのパ
ターンを従来の電子ビーム露光装置で露光する時に比べ
て露光時間を大幅に短縮できる。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビーム近接露光装置で使用するマスクを低コストで
且つ短いリード時間で製作することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図
【図2】本発明の基本概念を説明する図
【図3】本発明の第1の実施の形態の部分マスク基板に
おける部分マスクの配置と各部分マスクの形状を示す図
【図4】第1の実施の形態で第1の部分マスク基板で製
作した部分マスクに欠陥があった時に第2の部分マスク
基板で製作する部分マスクを示す図
【図5】本発明の第2の実施の形態の部分マスク基板に
おける部分マスクの配置を示す図
【図6】マスクの部分マスクの領域への別の分割例を示
す図
【図7】カスタマイズした半導体チップの例を示す図
【図8】本発明の第3の実施の形態で用意されるマスク
群を示す図
【図9】第3の実施の形態でのマスクの露光を説明する
【図10】本発明の実施の形態で使用する電子ビーム近
接露光装置の構成を示す図
【図11】電子ビーム近接露光装置において部分マスク
の歪を補正して露光する方法を説明する図
【図12】部分マスクにおいて発生した歪の補正を説明
する図
【符号の説明】
8…真空試料室、10…電子光学鏡筒、14…電子銃、
15…電子ビーム、20…主偏向器、30…マスク、3
1…基板、36…マスクステージ、111…部分マス
ク、121…部分マスク基板、131…ステージ、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 541D

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平行な電子ビームを出射する電子ビーム
    源と、前記電子ビームの経路中に配置され、開口を有す
    るマスクと、試料を保持して移動するステージとを備
    え、前記マスクは前記試料の表面に近接して配置され、
    前記マスクの開口を通過した電子ビームで、前記試料の
    表面に前記開口に対応するパターンを露光する電子ビー
    ム近接露光装置で使用される前記マスクの製作方法であ
    って、 前記マスクを複数の部分領域に分割し、前記複数の部分
    領域と同一パターンの開口をそれぞれ有する複数の部分
    マスクを製作する工程と、 電子ビーム近接露光方法で、前記複数の部分マスクのパ
    ターンを、マスク基板の対応する位置にそれぞれ露光し
    て前記マスクを製作する工程と、を備えることを特徴と
    する電子ビーム近接露光用マスクの製作方法。
  2. 【請求項2】 前記複数の部分マスクは、それぞれ位置
    合わせマークを有することを特徴とする請求項1に記載
    の方法。
  3. 【請求項3】 前記複数の部分マスクは、製作後所望の
    パターンとのずれが測定され、前記複数の部分マスクの
    パターンをそれぞれ露光する場合には、前記測定された
    ずれを補正するように、電子ビームの照射方向を変化さ
    せることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記複数の部分マスクを製作する工程
    は、 単一の部分マスク基板に、前記複数の部分マスクを相互
    に離して製作する第1工程と、 前記複数の部分マスクのそれぞれの欠陥を検査する第2
    工程と、 前記複数の部分マスクのそれぞれの修正可能な欠陥を修
    正する第3工程と、 前記複数の部分マスクのうち修正不能な欠陥を含む部分
    マスクが有するべきパターンを有する部分マスクを、補
    助部分マスク基板に製作する第4工程と、 前記補助部分マスク基板に形成された前記部分マスクの
    欠陥を検査する第5工程と、 前記補助部分マスク基板に形成された各部分マスクの修
    正可能な欠陥を修正する第6工程とを備え、 前記第3工程で前記マスクの前記複数の部分領域すべて
    に対応して欠陥のない前記複数の部分マスクが得られた
    場合には、前記複数の部分マスクを製作する工程を終了
    し、 前記第3工程で前記マスクの前記複数の部分領域すべて
    に対応して欠陥のない前記複数の部分マスクが得られな
    い場合には、前記マスクの前記複数の部分領域すべてに
    対応して欠陥のない前記複数の部分マスクが得られるま
    で、前記第4工程から前記第6工程までを繰り返すこと
    を特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記第1工程では、前記マスクの前記複
    数の部分領域すべてに対応して前記複数の部分マスクを
    前記部分マスク基板に製作すると共に、前記マスクの前
    記複数の部分領域の少なくとも1つに対応して少なくと
    も1つの部分マスクを前記部分マスク基板に更に製作す
    ることを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】 前記第4工程では、前記修正不能な欠陥
    を有する部分マスクを前記補助部分マスク基板にできる
    だけ多数製作することを特徴とする請求項4に記載の方
    法。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の方法で製作されたマス
    ク。
  8. 【請求項8】 請求項2に記載の方法で製作されたマス
    ク。
  9. 【請求項9】 請求項3に記載の方法で製作されたマス
    ク。
  10. 【請求項10】 請求項4に記載の方法で製作されたマ
    スク。
  11. 【請求項11】 請求項5に記載の方法で製作されたマ
    スク。
  12. 【請求項12】 請求項6に記載の方法で製作されたマ
    スク。
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