KR20240036598A - 펠리클막, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 노광 방법, 반도체의 제조 방법 및 액정 표시판의 제조 방법 - Google Patents

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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 막(BNNT막)을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클막, 및 펠리클막과 펠리클 프레임으로 구성되고, 해당 펠리클막이 접착제를 개재하여 상기 펠리클 프레임의 일단면에 설치되는 포토리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클막이 BNNT막을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 펠리클을 제공한다. 본 발명에 의하면, EUV 노광에서의 투과율이 높고, 내열성 및 내구성이 뛰어나며, 또한, 수소 라디칼 내성을 갖는 펠리클막 및 이것을 구비한 펠리클을 제공할 수 있다.

Description

펠리클막, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 노광 방법, 반도체의 제조 방법 및 액정 표시판의 제조 방법
본 발명은, LSI, 초(超)LSI 등의 반도체 장치나 액정 디스플레이 등을 제조할 때에 이용하는 리소그래피용 포토마스크의 먼지 막이(dust cover)로서 사용되는 펠리클막 및 이것을 이용한 펠리클에 관한 것이다.
포토리소그래피라고 불리는 노광 기술의 발달은, 반도체 수정 회로의 고집적화를 가능하게 했다.
현재, 상용화된 노광 공정은, 193nm의 ArF 파장대를 이용하는 노광 장비로 전사 공정을 진행하여 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하고 있다. 그러나, 32nm 이하의 미세 패턴을 형성하기에는 한계가 있기 때문에, 액침 노광, 이중 노광, 위상 전이, 광학 위상 보정 등의 여러 가지 방법이 개발되어 있다. 그러나, ArF 파장을 이용하는 노광 기술에서는, 더욱 미세화한 32nm 이하의 회로 선폭을 구현하는 것은 곤란했다. 그래서, 193nm의 파장에 비해 단파장인 13.5nm 파장을 주노광 파장으로 하여 사용하는 극자외선(이하, 「EUV」라고 한다) 광을 이용하는 EUV 포토리소그래피 기술이 차세대 공정으로서 주목받고 있다.
한편, 포토리소그래피 공정은, 패터닝을 위한 원판으로서 포토마스크를 사용하고, 포토마스크 상의 패턴이 웨이퍼에 전사된다. 이때, 포토마스크에 파티클, 이물 등의 불순물이 부착되어 있으면, 불순물에 의해 노광광이 흡수되거나 반사되거나 하여, 전사된 패턴이 손상되기 때문에, 반도체 장치의 성능이나 수율의 저하를 초래한다.
따라서, 포토마스크의 표면에 불순물이 부착하는 것을 방지하기 위해서, 포토마스크에 펠리클을 장착하는 방법이 행하여지고 있다. 펠리클은, 일반적으로, 포토마스크의 표면 상부에 배치되어, 펠리클 상에 불순물이 부착되어도, 포토리소그래피 공정 시에, 초점은 포토마스크의 패턴 상에 일치하고 있으므로, 펠리클 상의 먼지 또는 이물은 초점이 맞지 않아, 패턴에 전사되지 않게 된다. 최근에는, 회로 선폭의 미세화에 수반하여 패턴의 손상에 영향을 미칠 수 있는 불순물의 크기도 줄어들고 있어, 포토마스크를 보호하는데 있어서, 펠리클의 역할은 보다 중요시되고 있다.
펠리클을 단일막으로 구성하는 경우, 13.5nm의 극자외선광에 대해 낮은 소광 계수를 갖는 물질을 적용하면, 투과율을 용이하게 확보할 수 있는 반면, 뛰어난 기계적 특성이나 열적 특성을 확보하는 것은 극히 곤란하다.
또, 펠리클막에 EUV가 조사되면, 그 에너지의 일부가 펠리클막에 흡수된다.그리고, 펠리클막에 흡수된 EUV의 에너지는, 다양한 완화 과정이 거쳐 열로 변환된다. 따라서, EUV 노광 시에는, 펠리클막의 온도가 상승하게 된다. 그래서, 펠리클막에는 높은 방열성이나 내열성도 요구된다.
특허문헌 1에는, 단결정 실리콘의 펠리클막이 기재되어 있다. 그러나, 이 단결정 실리콘막은 방열성이 낮고, 또한 융점도 낮다. 이 때문에, EUV 조사 시에는 펠리클막이 대미지를 받기 쉽다는 문제가 있었다.
또, 특허문헌 2에는, 그래핀으로 이루어지는 펠리클막이 기재되어 있다. 그래핀은, 사이즈가 작은 결정의 집합체이며, 이 때문에 펠리클막이 깨지기 쉬워지고, 펠리클막의 내구성이 불충분했다. 또, 이와 같은 그래핀을 다수 적층해도, 펠리클막에 충분한 강도를 담보하는 것은 어려웠다.
또한, 특허문헌 3에는, 카본 나노 튜브제의 펠리클막이 제안되어 있다. 카본 나노 튜브제의 펠리클막은, EUV 노광 공정 중에 발생하는 수소 라디칼에 대해 내성이 없고, 이 때문에, 카본 나노 튜브제의 펠리클막의 표면 및 공극을 적당한 재료로 충분히 코팅할 필요가 있어, 제조 공정이 번잡했다.
일본국 특개2010-256434호 공보 국제공개 제2019/176410호 공보 일본국 특개2018-194838호 공보
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, EUV 노광에서의 투과율이 높고, 내열성 및 내구성이 뛰어나며, 또한, 수소 라디칼 내성을 갖는 펠리클막 및 이것을 구비한 펠리클을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 행한 결과, EUV 노광용 펠리클막의 재질로서, 질화 붕소 나노 튜브(BNNT)를 선정함으로써, 카본 나노 튜브(CNT)와 같은 정도의 내열성 및 기계적 안정성을 갖고, 추가적으로는, 펠리클막의 표면을 특별한 재료로 코팅하지 않아도 수소 라디칼에 대해 안정인 것을 지견(知見)하여, 본 발명에 이른 것이다.
따라서, 본 발명은, 하기의 펠리클막, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 노광 방법, 반도체의 제조 방법 및 액정 표시판의 제조 방법을 제공한다.
1. 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 막(BNNT막)을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클막.
2. BNNT막은, BNNT의 다발을 갖는 메시, 웹 또는 그리드를 포함하는 상기 1 기재한 펠리클막.
3. 펠리클막의 두께 전체에서 차지하는 BNNT막의 두께의 비율은 90％ 이상인 상기 1 또는 2 기재한 펠리클막.
4. 13.5nm의 파장을 갖는 광에 대해, 투과율이 80％ 이상인 상기 1∼3 중 어느 것에 기재한 펠리클막.
5. 13.5nm 파장을 주노광 파장으로서 사용하는 극자외선(EUV) 광의 노광에 이용되는 상기 1∼4 중 어느 것에 기재한 펠리클막.
6. 펠리클막과 펠리클 프레임으로 구성되고, 해당 펠리클막이 접착제를 개재하여 상기 펠리클 프레임의 일단면에 설치되는 포토리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클막이 상기 1∼5 중 어느 것에 기재한 펠리클막인 것을 특징으로 하는 펠리클.
7. 노광 원판에 상기 6 기재의 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
8. 노광 원판이, EUV용 노광 원판인 상기 7 기재의 펠리클 부착 노광 원판.
9. 상기 8 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
10. 상기 7 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여, 진공하 또는 감압하에 있어서 기판을 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
11. 상기 7 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여, 진공하 또는 감압하에 있어서 기판을 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
12. 상기 7 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여, 기판을 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
13. 상기 7 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여, 기판을 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
본 발명에 의하면, EUV 노광에서의 투과율이 높고, 내열성 및 내구성이 뛰어나며, 또한, 수소 라디칼 내성을 갖는 펠리클막 및 이것을 구비한 펠리클을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해, 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 펠리클막은, 질화 붕소 나노 튜브로 이루어지는 막(BNNT막)이다. 이하, 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 막을 「BNNT막」이라고 줄여서 기재한다. 본 발명에 있어서, BNNT막은, 90 질량％ 이상의 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 것이 바람직하고, 95 질량％ 이상의 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 것이 보다 바람직하며, 98 질량％ 이상의 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 것이 특히 바람직하고, 실질적으로 질화 붕소 나노 튜브로 이루어지는 것이 본 발명의 효과를 최대한으로 얻을 수 있기 때문에 극히 바람직하다. 여기에서, 「실질적으로 질화 붕소 나노 튜브로 이루어진다」란 촉매나 불순물 성분을 제외한 막의 성분이 질화 붕소 나노 튜브로 이루어지는 것을 의미한다. 또, 본 발명의 효과를 이용할 수 있는 범위에 있어서, 카본 나노 튜브 등의 각종 재료와의 복합화를 해도 된다.
본 명세서의 문맥 중에서는, 「BNNT막」이라는 용어는, 각각의 BNNT 또는 BNNT의 다발로 형성된 메시, 웹, 그리드 등의 BNNT의 접속된 배치를 가리킬 수 있는 것에 유의하기 바란다. BNNT막의 각각의 BNNT(단층벽 BNNT 또는 다층벽 BNNT, MWBNNT)는 정렬되어 다발을 형성할 수 있다. 정렬된 BNNT의 이와 같은 다발은, BNNT막의 제조 중에 자발적으로 형성되는 경향이 있다.
BNNT막에 있어서의 BNNT 또는 BNNT 다발은, BNNT막 내에 랜덤으로 배치될 수 있다. 그러나, BNNT막의 BNNT 또는 BNNT 다발은, 중요 또는 주된 방향을 따라, 또는 복수의 주방향(主方向)을 따라 배치 또는 정렬되어도 된다.
BNNT막의 BNNT는, 단층 BNNT(SWBNNT), 또는 다층 BNNT(MWBNNT)일 수도 있다. 따라서, BNNT막은, SWBNNT 또는 SWBNNT의 다발, 더 나아가서는 MWBNNT 또는 MWBNNT의 다발에 의해 형성되어 있어도 된다.
BNNT막의 제조 방법의 일례로는, 이하와 같다.
＜BNNT막의 제조 방법＞
BNNT는, 부유 촉매 CVD법을 이용하여 합성할 수 있다. 아민보란보라진(B3N3H6) 또는 데카보란(B10H14)를 원료로 하고, 암모니아 중에서 니켈로센과 1200∼1300℃에서 반응시킴으로써, BNNT를 합성할 수 있다. 합성된 BNNT는, 소수성 필터 상에 퇴적되지만, BNNT끼리에 작용하는 분자간력(반데르발스력)에 의해, 서로 응집하여 막을 형성할 수 있다. 펠리클 프레임과는 다른 제 2 지지체를 이용하여, 이것에 의해 필터 상에 퇴적된 BNNT를 박리하고, 해당 지지체로부터 펠리클 프레임에 BNNT막을 전사한다. 펠리클 프레임의 상단면에 도공한 실리콘계 점착제(예를 들면, 신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「KE-101A/B」)를 가열 경화 후, 상기 지지체에 장설(張設)된 BNNT막(해당 지지체 내부)에 접촉시킨다. 펠리클 프레임보다 큰 해당 지지체에 첩부한 BNNT막에 펠리클 프레임의 상단면측을 첩부하고, 펠리클 프레임보다도 외측의 부분을 제거하여 펠리클을 완성시킬 수 있다.
또, 붕소 가루를 볼 밀 분쇄하고, 그 후, Fe2O3이나 Ga2O3, MgO, Li2O 등의 금속 산화물 촉매의 존재하, 또는 금속철과 붕화 니켈과의 존재하에 있어서, 암모니아와 1100℃에서 열CVD 반응시키는 것이어도 BNNT를 합성할 수 있다. 합성된 BNNT는 서로의 분자간력에 의해 응집함으로써 Si 기판 상에 막을 형성한다. 이 제법으로 성막된 BNNT막도, 상기 부유 촉매 CVD법과 마찬가지로, 제 2 지지체를 개재하여, 최종적으로 펠리클 프레임에 전사할 수 있다.
또, BNNT는, 아크 방전, 레이저 기화, 분산액 여과법 등에 의해 조제할 수 있지만, 이들로 한정되지 않는, 당 기술 분야에서 공지의 여러 가지 방법에 의해 조제할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 실시형태에서 사용하기 위한 적절한 BNNT막은, 국제공개 제2019/006549호의 「초소수성 나노마이크로스케일 패턴을 갖는 필름을 조제하기 위한 방법」에 기재되는 바와 같이 조제하고, 그 후, 전사에 의해 자립막화할 수 있다.
본 발명에 있어서의 BNNT막은, 수소 라디칼 내성이 높기 때문에, 통상, 카본 나노 튜브막(CNT막)에 형성되는 보호막이나 튜브에의 코팅이 불필요해진다. 본 발명의 BNNT막에 대해서도, 이와 같은 보호막이나 코팅을 설치해도 되지만, 이 경우, 이들의 부재를 필요 최소한으로 설치할 수 있다. 따라서, 펠리클막의 두께에서 차지하는 BNNT막의 두께를 90％ 이상으로 설정할 수 있고, 실질적으로 BNNT막만으로 이루어지는 펠리클막으로도, EUV 노광용 펠리클막으로서 기능시킬 수 있다.
상기 보호막이란, 예를 들면, BNNT막의 편면 또는 양면에 설치되고, 구체적으로는, SiOx(x≤2), SiaNb(a/b는 0.7∼1.5), SiON, Y2O3, YN, Mo, Ru, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, B4C, SiC 및 Rh로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 이상을 포함하는 보호막을 들 수 있다. 상기 코팅으로는, 예를 들면, 상기 보호막에 사용되는 재료를 사용할 수 있다.
또, BNNT막의 표면을, 주사형 전자현미경(SEM)-에너지 분산형 X선(EDX) 분석장치에 의해 관찰한 경우에, 관찰되는 원소 중, B 원소, N 원소 및 촉매를 구성하는 원소의 차지하는 비율이 90 몰％ 이상인 영역을 갖는 BNNT막으로 할 수 있다. 또는, 실질적으로 B 원소, N 원소 및 촉매를 구성하는 원소로 이루어지는 BNNT막으로도, EUV 노광용의 펠리클막으로서 기능시킬 수 있다. 여기서 촉매를 구성하는 원소는 가열 처리에 의해 제거해도 되며, 이 경우, 상기의 비율은 B 원소 및 N 원소가 차지하는 비율이 된다.
여기서, 상기의 SEM-EDX에 의한 관찰은, 예를 들면, 관찰 배율을 1000∼4000배로 하여 측정한 BNNT막 표면의 SEM-EDX 화상에 의한 맵핑에 의해 판별할 수 있다. SEM-EDX 화상의 측정예로는, 가속 전압을 10kV, 에미션 전류를 1μA, 측정 화소수를 256×256 픽셀, 적산 횟수를 50회로 하여 측정할 수 있다. 또한, 시료의 대전을 방지하기 위해서, 금, 백금, 오스뮴 등을 진공 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 표면 처리할 수 있다. SEM-EDX 화상의 측정 방법에 대해서는, 밝기는 최대 휘도에 달하는 화소가 없고, 밝기의 평균치가 휘도 40∼60％의 범위에 들어가도록 휘도 및 콘트라스트를 조정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 펠리클막은, EUV(13.5nm 파장)광에 대해, 투과율이 80％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90％ 이상이다. 이 투과율의 측정에 대해서는, 통상의 투과율 측정기를 이용하여 측정할 수 있다.
통상의 펠리클은, 펠리클 프레임, 펠리클막, 펠리클막 접착층, 포토마스크 기판 또는 노광 원판의 점착층(이하, 마스크 점착층이라고 한다), 통기공(通氣孔), 필터 등으로 구성되어 있다. 또, 통상, 마스크 접착층의 표면을 보호하기 위해서, 세퍼레이터를 부착할 수 있다.
펠리클막의 치수(사이즈)는, 이용되는 펠리클 프레임의 사이즈에 따라 적절히 선정된다. 펠리클막의 두께는, 통상, 10∼200nm이다.
펠리클막에 펠리클 프레임을 부착하는 경우는, 접착제를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 아크릴 수지 접착제, 에폭시 수지 접착제, 실리콘 수지 접착제, 함불소 실리콘 접착제 등의 불소 폴리머 등을 들 수 있다. 그중에서도 내열성의 관점에서, 실리콘 접착제가 적합하다. 접착제는, 필요에 따라서 용매로 희석되어, 펠리클 프레임의 상단면에 도포된다. 이 경우의 도포 방법으로는, 브러시 코팅(brush coating), 스프레이, 자동 디스펜서 등에 의한 방법이 채용된다.
펠리클을 마스크 기판에 장착하기 위한 마스크 점착층은, 양면 점착 테이프, 실리콘계 점착제, 아크릴계 점착제 등의 공지의 점착제로 형성할 수 있다. 통상, 펠리클 프레임의 하단면에 마스크 점착층이 형성되고, 추가로 세퍼레이터가 박리 가능하게 첩부된다.
펠리클 프레임의 재질에는, 특별히 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. EUV 노광에서는, ArF 노광보다도 높은 정밀도가 요구되기 때문에, 포토마스크에 대해 평탄성의 요구가 엄격하다. 포토마스크에 대한 평탄성은, 펠리클의 영향을 받는 것이 알려져 있다. 펠리클의 포토마스크에의 영향을 조금이라도 억제하기 위해서, 경량인 티탄, 티탄 합금이나 알루미늄, 알루미늄 합금을 이용하는 것이 바람직하다.
펠리클 프레임의 치수는 특별히 한정되지 않지만, EUV용 펠리클의 높이가 2.5mm 이하로 제한되는 경우에는, EUV용의 펠리클 프레임의 두께는 그것보다도 작아져 2.5mm 이하인 것이 바람직하다. 특히, EUV용 펠리클 프레임의 두께는, 펠리클막이나 포토마스크용 점착제 등의 두께를 감안하면, 1.5mm 이하인 것이 바람직하다. 또, 상기 펠리클 프레임의 두께의 하한치는 1.0mm 이상인 것이 바람직하다.
펠리클 프레임에는 펠리클 내외의 기압 변화에 대응하기 위해서, 통기구나 노치부를 설치해도 된다. 그때에는, 통기부를 통해 이물을 통과시키는 것을 방지하기 위해서, 필터를 구비해도 된다.
상기 펠리클 프레임의 마스크측 점착제의 하단면에는, 점착제를 보호하기 위한 이형층(세퍼레이터)이 첩부되어 있어도 된다. 이형층의 재질은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬 비닐 에테르 공중합체(PFA), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리염화비닐(PVC), 폴리프로필렌(PP) 등을 사용할 수 있다. 또, 필요에 따라서, 실리콘계 이형제나 불소계 이형제 등의 이형제를 이형층의 표면에 도포해도 된다.
본 발명의 펠리클 프레임은, 외측 또는 내측을 향한 돌기부를 설치해도 된다. 이와 같은 돌기부를 이용함으로써, 필터를 형성할 수도 있다. 또, 외측을 향한 돌기부에 노광 원판과의 접속 기구(나사, 점착제 등)를 설치함으로써, 포토마스크용 점착제를 생략할 수도 있다.
본 발명의 펠리클은, EUV 노광 장치 내에서, 노광 원판에 이물이 부착되는 것을 억제하기 위한 보호 부재로서 뿐만 아니라, 노광 원판의 보관 시나, 노광 원판의 운반 시에 노광 원판을 보호하기 위한 보호 부재로서도 좋다. 펠리클을 포토마스크 등의 노광 원판에 장착하여, 펠리클 부착 노광 원판을 제조하는 방법으로는, 전술한 포토마스크용 점착제로 첩부하는 방법 외, 정전 흡착법, 기계적으로 고정하는 방법 등이 있다.
본 발명의 실시형태에 관한 반도체 또는 액정 표시판의 제조 방법은, 상기의 펠리클 부착 노광 원판에 의해 기판(반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판)을 노광하는 공정을 구비한다. 예를 들면, 반도체 또는 액정 표시판의 제조 공정의 하나인 리소그래피 공정에 있어서, 집적 회로 등에 대응한 포토레지스트 패턴을 기판 상에 형성하기 위해서, 스텝퍼에 상기의 펠리클 부착 노광 원판을 설치하여 노광한다. 일반적으로, EUV 노광에서는 EUV 광이 노광 원판에 의해 반사되어 기판으로 유도되는 투영 광학계가 사용되고, 이들은 감압 또는 진공하에서 행하여진다. 이것에 의해, 만약 리소그래피 공정에 있어서 이물이 펠리클 상에 부착되었다고 하더라도, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상에 이들의 이물은 결상(結像)하지 않기 때문에, 이물의 상(像)에 의한 집적 회로 등의 단락(短絡)이나 단선 등을 방지할 수 있다. 따라서, 펠리클 부착 노광 원판의 사용에 의해, 리소그래피 공정에 있어서의 수율을 향상시킬 수 있다.
실시예
이하, 실시예와 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
아민보란보라진(B3N3H6)을 원료로 하고, 암모니아 중에서 니켈로센과 1200∼1300℃에서 반응시켜, BNNT를 합성했다. 합성한 BNNT를 소수성 필터(상품명 「어드반텍 멤브레인/T020A-293D」(주)산쇼 제조) 상에 퇴적하고, 다층의 BNNT막을 형성했다. 다음으로, 지지체로서, Si 웨이퍼를 가공하여 얻어진 Si 프레임체를 이용하여, 필터 상에 퇴적된 BNNT를 박리한다. 상기 지지체의 편측 단면(BNNT에 접촉하는 부분)에 아크릴계 점착제〔소켄 가가쿠(주) 제조 「SK-1499M)〕를 도공하고, 경화 후, BNNT막으로 꽉 눌러 박리 속도 0.1mm/s로 경사 박리를 행한다. 그 후, 해당 지지체로부터 펠리클 프레임으로 BNNT막을 전사한다. 펠리클 프레임으로는, 외측 치수: 118.3mm×150.8mm×1.5mm, 내측 치수: 110.3mm×142.8mm×1.5mm의 티탄제 펠리클 프레임을 이용했다. 이 펠리클 프레임의 상단면에 도공한 실리콘계 점착제(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「KE-101A/B」)를 가열 경화 후, 상기 지지체에 장설된 BNNT막(해당 지지체 내부)에 접촉시킨다. 펠리클 프레임보다 큰 해당 지지체에 첩부한 BNNT막에 펠리클 프레임의 상단면측을 첩부하고, 펠리클 프레임보다도 외측의 부분을 제거하여 펠리클을 완성시켰다.
＜EUV 투과율 측정＞
EUV 투과율은, 이하와 같이 행하였다.
EUV 조사 장치(뉴스바루(시설명) BL-10, 효고켄리츠다이가쿠)로, 파장 13.5nm의 광(EUV)을 펠리클에 조사했다. EUV의 조사 방향은 펠리클막면에 대해 수직 방향으로 하고, 펠리클막 상을 주사하도록 조사하여, EUV 투과율을 측정했다. 그 결과, EUV 투과율은 95％였다.
＜EUV 내구성＞
EUV 조사 장치(뉴스바루(시설명) BL-9, 효고켄리츠다이가쿠)로, 파장 13.5nm, 광원 강도 5W/cm2의 EUV를 3시간의 조건에서 펠리클에 조사했다. EUV 내구성에 대해서는, 내구 시험 전후의 외관 관찰에 의해 평가했다. 그 결과, 내구 시험 전후에서 펠리클의 외관 변화는 보이지 않았다.

Claims (13)

  1. 질화 붕소 나노 튜브를 갖는 막(BNNT막)을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    BNNT막은, BNNT의 다발을 갖는 메시, 웹 또는 그리드를 포함하는 펠리클막.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    펠리클막의 두께 전체에서 차지하는 BNNT막의 두께의 비율은 90％ 이상인 펠리클막.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    13.5nm의 파장을 갖는 광에 대해, 투과율이 80％ 이상인 펠리클막.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    13.5nm 파장을 주노광 파장으로서 사용하는 극자외선(EUV) 광의 노광에 이용되는 펠리클막.
  6. 펠리클막과 펠리클 프레임으로 구성되고, 상기 펠리클막이 접착제를 개재하여 상기 펠리클 프레임의 일단면에 설치되는 포토리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클막이 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 펠리클막인 것을 특징으로 하는 펠리클.
  7. 노광 원판에 제 6 항에 기재된 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
  8. 제 7 항에 있어서,
    노광 원판이, EUV용 노광 원판인 펠리클 부착 노광 원판.
  9. 제 8 항에 기재된 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  10. 제 7 항에 기재된 펠리클 부착 노광 원판을 이용하고, 진공하 또는 감압하에 있어서 기판을 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
  11. 제 7 항에 기재된 펠리클 부착 노광 원판을 이용하고, 진공하 또는 감압하에 있어서 기판을 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
  12. 제 7 항에 기재된 펠리클 부착 노광 원판을 이용하고, 기판을 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
  13. 제 7 항에 기재된 펠리클 부착 노광 원판을 이용하고, 기판을 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
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