WO2020175355A1 - ペリクル中間体、ペルクル、ペリクル中間体の製造方法、およびペリクルの製造方法 - Google Patents

ペリクル中間体、ペルクル、ペリクル中間体の製造方法、およびペリクルの製造方法 Download PDF

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WO2020175355A1
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oxide film
layer
film
pellicle
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秀彦 奥
慧 三原
一郎 秀
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エア・ウォーター株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide

Definitions

  • the present invention relates to a pellicle intermediate, a pellicle, a method for producing a pellicle intermediate, and a method for producing a pellicle, and more specifically, a pellicle intermediate capable of improving the quality of a pellicle film,
  • the present invention relates to a method for producing pellicle, a pellicle intermediate, and a method for producing vesicle.
  • a semiconductor wafer is coated with a resist, and a required portion of the coated resist is irradiated with exposure light using a photomask.
  • a resist pattern having a required shape is formed on the semiconductor wafer.
  • Patent Document 1 discloses a ring-shaped film made of a S i crystal film with respect to a SO I (S i I icon On Insulator) substrate.
  • a method of manufacturing a pellicle is disclosed in which a pellicle frame made of S i is manufactured by adhering a pellicle frame and removing the S i film and the S i oxide film of the S ⁇ I substrate.
  • the energy of light increases in inverse proportion to the length of the wavelength, the energy received by the pellicle film from the exposure light increases as the wavelength of the exposure light decreases. Therefore, as the wavelength of the exposure light is shortened, the pellicle film is required to have higher resistance to the exposure light, and as a material for such a pellicle film, it is more thermally and chemically stable than S i. S i C is preferable.
  • Patent Document 2 discloses a method for producing LPC VD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) on a silicon wafer.
  • the polycrystalline S i C film was grown to an abundance, and the polycrystalline S i C film was polished to a thickness of 150 nm by the CMP (Chemical Mechanical IP polishing) method, and a K 0 H (potassium hydroxide) aqueous solution was used.
  • a manufacturing method is disclosed in which a silicon wafer is wet-etched by using.
  • Patent Document 3 discloses a manufacturing method in which a pellicle film made of S i C is formed on a SO I substrate as a base, and the central portion of the SO substrate is removed to expose the back surface of the pellicle film at the bottom of the recess. It is disclosed. According to the technology of Patent Document 3 below, the tensile stress inside the pellicle film is relaxed by interposing the S i oxide film between the S i substrate and the pellicle film. It is possible to prevent the pellicle film from being damaged during manufacturing.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009 _ 1 1 16284
  • Patent Document 2 International Publication No. 201 4/1 887 10 Panflet
  • Patent Documents 2 and 3 have a problem that the quality of the pellicle film is low.
  • a pellicle intermediate body includes a Si substrate, a Si oxide film formed on the surface of the Si substrate, and a Si layer formed on the surface of the Si oxide film.
  • the S i layer is a low C ⁇ P part where the number of CO P (Crystal ⁇ riginated P article) decreases as it approaches the surface of the S i layer, and constitutes the surface of the S i layer. Including the low CO P part formed in.
  • a pellicle according to another aspect of the present invention is an S i substrate having an annular planar shape, an S i oxide film formed on the surface of the S i substrate having an annular planar shape, and an annular planar surface.
  • the S i layer has a shape, and includes a S i layer formed on the surface of the S i oxide film and a S i C film formed on the surface of the S i layer, and the S i layer becomes closer to the surface of the S i layer.
  • the low CO P part is a part where the number of CO P decreases, and includes the low CO P part formed in the part forming the surface of the S i layer.
  • the step of preparing the 3 layer including the low ⁇ 30 parts formed on the surface constituting part, the first 3 substrate and the first 3 layer formed on the surface of the first 3 substrate A step of preparing a first oxide film substrate including a 3 I oxide film, a second oxide film substrate, and a second oxide film formed on the surface of the second oxide film substrate. After the step of preparing the second oxide film substrate, the step of bonding the first 3rd oxide film to the surface of the 3rd layer, and the step of bonding the first 3rd oxide layer, After the step of removing the part forming the back surface of the three-layer and the step of removing the part forming the back surface of the three-layer, the second three-layer oxide film is bonded to the back surface of the three-layer.
  • the first 3 rd substrate is wet-etched under the condition that the etching rate of 3 rd is faster than the etching rate of the 3 rd oxide.
  • the first three-layer oxide film is removed to remove the three-layer layer. And exposing the front surface.
  • the second 3rd substrate and the second 3rd substrate formed on the front and back surfaces of the second 3rd substrate are preferably used.
  • the step of preparing a second oxide film substrate including a second oxide film and forming a second oxide film on the back surface of the second third oxide film in the second third oxide film is preferably used.
  • the method further comprises the step of exposing the back surface of the second 3rd substrate by removing the formed portion.
  • a method for producing a pellicle according to yet another aspect of the present invention comprises a step of producing a pellicle intermediate by using the above production method, a step of forming 3 films (3 films on the surface of a 3 layer, and a step of forming 3 films).
  • An etching rate of 3 ⁇ is faster than that of ⁇ oxide. ⁇ 0 2020/175 355 5 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • the step of exposing the 3 ⁇ 3 film at the bottom of the recess is performed by wet etching the second 3 ⁇ 0> oxide film present at the bottom of the recess to form the recess. It includes the step of exposing the 3 layer on the bottom and the step of exposing the 3 film on the bottom of the recess by wet etching the 3 I layer existing on the bottom of the recess. In the exposing step, the 3rd layer is moved relative to the chemical used for wet etching of the 3rd layer.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a pellicle 1 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross sectional view showing a first step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 An enlarged view of the pit part in Fig. 3 before and after annealing.
  • FIG. 5 shows a second step of the method for manufacturing the pellicle 1 in the embodiment of the present invention. ⁇ 0 2020/175 355 6 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • FIG. 1 A first figure.
  • FIG. 6 is a cross sectional view showing a third step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross sectional view showing a fourth step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross sectional view showing a fifth step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross sectional view showing a sixth step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross sectional view showing a seventh step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross sectional view showing the eighth step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross sectional view showing a ninth step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross sectional view showing a tenth step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross sectional view showing a first step 11 of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a sectional view showing a step 12 of the method for manufacturing the pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a first step of a modified example of the 12th step of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a second step of the modified example of the step 12 of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the step 13 of the method for manufacturing pellicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 14th step of manufacturing method of pellicle 1 in one embodiment of the present invention ⁇ 0 2020/175 355 7 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • FIG. 1 A first figure.
  • FIG. 20 A partially enlarged cross-sectional view schematically showing the manner in which the three-layer substrate 31 is wet-etched in the step shown in FIG.
  • FIG. 21 is a diagram schematically showing a first three methods of wet etching in one embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a diagram schematically showing a third method of wet etching according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing a third method of wet etching according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is an enlarged view of part 8 of the pellicle 1 shown in FIG.
  • FIG. 25 is a cross sectional view showing a fifteenth step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a cross sectional view showing a 16th step of the method for manufacturing vesicle 1 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating a (30 detection method using the (30 detection device 80 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a diagram showing a method of manufacturing the pellicle 100 in the reference example.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a vesicle 1 according to an embodiment of the present invention. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to the surface 40 3 of the 3O film 40.
  • a pellicle 1 (an example of a pellicle) in the present embodiment is a 3 ⁇ 0 self-standing substrate in which a pellicle film of .3 I ⁇ 3 is partially supported by a supporting substrate, The support substrate 41 and the pellicle film 3 (3 films 4 0 (an example of 3 I 0 film)) are provided.
  • the supporting substrate 41 is composed of 3 substrates 3 1 (an example of 3 substrates) and 3 oxide films 3 2 (
  • 3 I oxide film An example of 3 I oxide film) and 3 layers 10 (an example of 3 layers) are included.
  • Each of the substrates 3 1, 3 3 Oxide film 3 2 and 3 10 layer has an annular planar shape when viewed from a direction perpendicular to the surface 40 3 of 3 film 40.
  • a 3 oxide film 32 is formed on a surface 3 13 of the 3 substrate 3 1.
  • a 3 layer 10 is formed on the surface 3 2 3 of the 3 I oxide film 32.
  • the (1 1 1) surface is exposed on the surface 10 3 of the 3 layer 10.
  • (1 0 0) plane or (1 1 0) plane may be exposed on the surface 10 3 of the three-layer 10.
  • the 3rd layer 10 includes a low (3 0 part 1 1 (low (an example of 3 0 part)) formed in a portion forming the surface 10 3 of the 3rd layer 10. Is the part where the number decreases as it approaches the surface of the 3-layer.
  • 3 ⁇ 3 film 40 is formed on the surface 10 3 of the 3 layer 10 (the surface 4 13 of the supporting substrate 41).
  • 3 (3 film 40 does not have to be formed on the back surface 41 and the side surface 41 of the supporting substrate 41, or on the back surface 41 and the side surface 41 of the supporting substrate 41. Since the supporting substrate 41 is annular, a concave portion 42 is formed in the central portion of the supporting substrate 41. The concave portion 42 is covered with 3 layers (3 films 40). The bottom surface of the recess 42 exposes the backside 40 of the 30-layer film 40.
  • the 3 40 film 40 is composed of a single crystal 3 01 3 0, a polycrystalline 3 0 1 3 0, or an amorphous 3 0.
  • the 3x film 40 is generally composed of 3 0 1 3x.
  • FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the pellicle 1 when viewed from a direction perpendicular to the surface 40 3 of the film 3 0 ⁇ 3 ⁇ 3 in one embodiment of the present invention. ..
  • the supporting substrate 41 is shown by a dotted line for the purpose of showing the shape of the supporting substrate 41, but in reality, the supporting substrate 41 is not directly visible.
  • each of 3 ⁇ 3 film 40, supporting substrate 41, and recess 42 has an arbitrary planar shape.
  • 3 ⁇ 3 The film 40 has its outer peripheral end supported by an annular support substrate 41.
  • the mechanical strength of 3 ⁇ 3 film 40 ⁇ 0 2020/175 355 9 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • a disc-shaped three-dimensional substrate 10 is prepared. 3 ⁇ Board 1
  • 0 includes a front surface 10 3 and a back surface 10 13 which extend in directions parallel to each other.
  • the 3 substrate 10 includes a low ⁇ 30 part 11 in the portion forming the surface 10 3 of the 3 substrate 10.
  • ⁇ is an octahedral hole having a size of 100 nm to 200 nm. ⁇ is generated in the crystal during crystal growth of the 3rd substrate.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the ridge portion of FIG. 3 before and after the annealing treatment.
  • 3 ⁇ plate 1 0 is a low oxygen atmosphere, such as argon or hydrogen atmosphere at 1 1 0 0 ° ⁇ As 1 3 0 0 ° ⁇ temperatures below the low (3 ⁇ It is obtained by annealing 3 part substrate 12 which does not contain the part. In the 3 part substrate 12 before annealing process, many (3 0 1 3 exist almost evenly distributed). (Fig. 4 ( 3 ) ). The average (30 concentration in 3 substrate 12 before annealing treatment is, for example, 1 XI 0 6 pieces / 0 3 ).
  • the ⁇ 1 3 existing near the surface 10 3) of 10 is opened to the outside of the 3x substrate 12.
  • the surface of the substrate 12 is closer to the surface 1 2 3 (the larger the number is, the easier it is to open to the outside of the substrate 3 2.
  • the surface 1 of the substrate 3 10 As the surface becomes closer to the surface 10 3 (the number of 3 0 ⁇ 0 2020/175 355 10 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • a method of reducing (30?) of 3 substrate 12 other than the above-mentioned annealing treatment, a method of controlling the crystal growth rate at the time of manufacturing 3 substrate 12 or a method of homoepitaxial growth of 3 substrate May be
  • oxide film substrate 20 (an example of the first oxide film substrate) is prepared.
  • the oxide film substrate 20 includes a 3x substrate 21 (an example of the first 3x substrate) and a 3x oxide film 2 2 (an example of the 1st 3x oxide film).
  • the 3rd substrate 21 has the same planar shape as the 3rd substrate 10.
  • 3 Substrate 21 includes a front surface 2 1 3 and a back surface 21 which extend in a direction parallel to each other, and a side surface 2 10.
  • 3 I Oxide film 2 2 is 3 substrate It is formed on the back surface 21 and the side surface 210, and covers the entire 3 1 substrate 21.
  • the oxide film substrate 20 is
  • the part formed on the surface 2 1 3 of the 3 substrate 2 1 in 2 2 is bonded.
  • the 3D substrate 10 and the oxide film substrate 20 are bonded to each other.
  • the 3 I substrate 10 becomes the 3 I layer 10.
  • a method of removing the three layers of the three layers 10 is arbitrary, and in addition to grinding, a method such as dry etching or wet etching may be used.
  • the method of removing the 3 I oxide film 22 is arbitrary, and in addition to dry etching, methods such as wet etching or grinding may be used.
  • the .3 I oxide film 22 is formed as the oxide film substrate 20 only on the surface 2 13 of the 3D substrate 21, the step shown in FIG. 8 may be omitted.
  • the method of removing the 3 I oxide film 32 is arbitrary, and methods other than dry etching, such as wet etching or grinding, may be used.
  • dry etching such as wet etching or grinding
  • the oxide film substrate 30 is prepared such that the .3I oxide film 32 is formed only on the surface 3 13 of the 3D substrate 31, the step shown in FIG. 11 may be omitted.
  • the wet etching of the 3 I substrate 21 is performed by moving the 3 I substrate 21 relative to the chemical solution used for the wet etching. This will be described later with reference to FIGS. 21 to 23.
  • a SiC film 40 is formed on (the surface of the low COP portion 11).
  • the S i C film 40 is formed, for example, on an underlayer made of S i C obtained by carbonizing the surface 10 a of the S i layer 10, and MB E (Molecu I ar B e am
  • the film is formed by using the epitaxy method or the CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Further, the S i C film 40 may be formed only by carbonizing the surface 10 a of the S i layer 10. Furthermore, the S i C film 40 may be formed on the surface 10 a of the S i layer 10 by using the MBE method or the CVD method. Since the S i C film 40 is formed by using the low C O P portion 11 as a base, the formed S i C film 40 has high quality.
  • S i of the central portion RG 1 of the back surface 3 1 b of the Si substrate 31 is removed (the back surface 3 1 b of the Si substrate 31 is counterbored). ).
  • the removal of S i in the central portion RG 1 may be performed by mechanically grinding the S i in the central portion RG 1 of the Si substrate 31.
  • the removal of S i in the central portion RG 1 is performed by forming a photoresist on a region of the back surface 31 b of the Si substrate 31 except the central portion RG 1, and using the formed photoresist as a mask, the central portion RG 1 is removed. This may be done by etching S i.
  • the removal of S i in the central portion RG 1 may be performed by the following method. ⁇ 0 2020/175 355 14 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • mask layer 3 is then formed using photoresist 34 as a mask.
  • the mask layer 33 is patterned by wet etching. As a result, only the outer peripheral portion of the mask layer 33 is left.
  • a hydrofluoric acid solution or the like is used as a chemical solution for wet etching the mask layer 33.
  • a phosphoric acid solution or the like is used as the chemical solution for the wet etching of the mask layer 33.
  • a chemical solution such as mixed acid is used to centrally Remove 3 of 1 by wet etching. Then, the photoresist 34 and the mask layer 33 are removed. Note that the photoresist 34 may be removed before the third wet etching.
  • an oxide film or a nitride film other than the 3x3 oxide film and the 3x3 oxide film may be used.
  • the central portion As a result of the removal of 3 1 of 1, a recess 4 2 is formed in the back surface 31 of the 3 1 substrate 3 1.
  • the recess 42 has a depth such that it does not penetrate the 3 I substrate 31 and the bottom of the recess 42 is composed of 3 parts. Due to the presence of the concave portion 42, the thickness of the central portion of the 3 substrate 3 1 (the length in the vertical direction in FIG. 18) is thinner than the thickness of the outer peripheral portion of the 3 substrate 31.
  • FIG. 20 is a partially enlarged cross-sectional view schematically showing the manner in which the three-dimensional substrate 21 is wet-etched in the step shown in FIG.
  • the etching rate of the 3rd substrate 3 1 when viewed in plan.
  • the etching rate at the position ⁇ in the plane of the 3rd substrate 31 is slower than the etching rate at other positions in the plane of the 3rd substrate 31, the thickness of the position ⁇ during etching is reduced. Is thicker than other positions (Fig. 20 (3)).
  • the variation in the thickness of the 3 substrate 3 1 becomes remarkable (Fig. 20 ()). ..
  • the etching is performed on the back surface 3 of the 3 Oxide film 3 2.
  • the 3 I oxide film 32 functions as an etching stopper, and the adverse effect caused by variations in the etching rate of the 3 I substrate 3 1 is mitigated by the 3 I oxide film 3 2.
  • the 3rd to 3rd wet etching is performed by moving the 3rd substrate 3 1 relative to the chemical used for the wet etching.
  • 3 To move the 3 1 board 31, rotate the 3 I board 3 1 without changing the position of the 3 board 3 1 and change the position of the 3 board 3 1 (in other words, .3 I board 3 1 1) is moved, and the 3 I substrate 3 1 is rotated while changing the position of the 3 I substrate 3 1.
  • a chemical solution used for the three wet etching for example, a mixed acid containing hydrofluoric acid and nitric acid, an aqueous solution of potassium hydroxide ( ⁇ 1 to 1), or the like is used.
  • the 30 film 40 may be etched through the pinholes present at a low density in the 30 film 40.
  • the direction of moving the 3rd substrate 3 1 during the 3rd wet etching is arbitrary.
  • -It is preferable to move the 3 substrate 31 in a direction parallel to the surface 40 3 of the film 40 (plane !_ in FIGS. 21 to 23).
  • FIGS. 21 to 23 are diagrams schematically showing three to three wet etching methods according to one embodiment of the present invention.
  • the structure immediately before the wet etching of 3 layers is referred to as the intermediate 3.
  • the first method is a method of removing 3 layers by spin etching.
  • the intermediate 3 is fixed to the fixing bases 1 to 1 so that the back surface 3 1 of the 3 substrate 3 1 faces upward.
  • the fixed bases 1 to 1 are rotated about a rotation axis extending in a direction orthogonal to the back surface 3 1 swath.
  • the chemical solution 1 ⁇ /1/8 (etching solution) used for wet etching is used. Inject it into the bowl.
  • the number of rotations of the fixed base is set to, for example, about 500 to 150 million ".
  • a plurality of intermediate bodies 3 are fixed in an upright state. Then, a plurality of intermediates 3 are immersed in the chemical liquid 1 ⁇ /1 filled in the reaction vessel 03, and in a plane 1_ parallel to the surface 4033 of 3 ⁇ 3 membrane 40, The intermediate body 3 and the fixed bases 1 to 1 are rotated while changing the position of the intermediate body 3 as shown by the arrow 82.
  • the intermediate body 3 is fixed to the fixing base !! so that the back surface 31 of the 3rd substrate 31 faces upward. And inside the reaction vessel ⁇ 0 2020/175 355 17 ⁇ (: 170? 2020/007003
  • FIG. 24 is an enlarged view of part 8 of the pellicle 1 shown in FIG. In addition, in Fig. 24, the amount of change in the width of the 3x3 substrate 3 1 is shown more emphasized than the actual one.
  • the mixed acid containing hydrofluoric acid and nitric acid has a function of isotropically etching the 3rd order. For this reason, when using a mixed acid containing hydrofluoric acid and nitric acid as a chemical solution for wet etching for 3 mt, the traces are as follows:
  • the width of the substrate 3 1 (the length in the horizontal direction in Fig. 24) increases as it moves away from the film 3 0 (3 0 film 4 0 to 3 3) toward the back surface 3 1 substrate 3 1 ) is decreasing.
  • the low XX part 11 can be confirmed by the following method.
  • the sample 3 40 is removed by grinding to prepare a sample in which the surface 10 3 of the layer 3 10 is exposed.
  • ⁇ ⁇ Detecting device 80 ⁇ ⁇ of the surface 10 3 of the three layers 10 in the sample ⁇ 0 2020/175 355 18 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • FIG. 27 is a diagram illustrating the ⁇ detection circuit 80 according to the embodiment of the present invention.
  • the ⁇ detection device 80 includes a laser light irradiation unit 81 8
  • each of the laser light irradiation parts 8 1, 3, 8 1, and 8 1 The laser light is irradiated toward the specified detection position mouth on the surface (surface 103 of 3 layer 10).
  • the wavelength of the laser beam irradiated is 4 0 5 nm, the output
  • the beam splitter 8 2 made the laser light scattered at the predetermined detection position aperture enter the detection position aperture at a high incident angle and the scattered light of the laser beam incident on the detection position aperture at a low incident angle. Separated into scattered light of laser light.
  • the light receiving unit 8 3 3 receives the scattered light of the laser light that is incident on the detection position aperture at a high incident angle among the scattered light separated by the beam splitter 8 2 and outputs a signal according to the received light intensity. Is output.
  • the light receiving unit 8 3 receives the scattered light of the laser light that has entered the detection position ⁇ at a low incident angle among the scattered light separated by the beam splitter 8 2 and outputs a signal according to the received light intensity. ..
  • the control unit 8 4 is composed of ⁇ ( ⁇ "3 0 1 ⁇ 3 I ⁇ ⁇ 1 1 6 ").
  • the control unit 8 4 outputs from each of the light receiving units 8 3 3 and 8 3 13.
  • ⁇ is detected.
  • the minimum size (width) of ⁇ that can be detected by the ⁇ Detecting Device 80 is It is ⁇ .
  • the ⁇ detection device 80 is arranged in the direction indicated by the arrow While rotating By changing the detection position from the center of the sample to the outer periphery, (30 is detected on the entire surface of the sample. To measure.
  • the thickness of the three-layer 10 is gradually increased by etching the three-layer 10. ⁇ 0 2020/175 355 19 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • the pellicle film 3O film 40 can be formed by using the portion having a small number of defects (low O area 11) in the 3O layer 10 as a base. Therefore, the quality of the pellicle film can be improved.
  • the 3 Oxide film 32 functions as an etching stopper when the 3 Substrate 31 is etched, it is possible to mitigate the adverse effects caused by variations in the etching rate of the 3 Substrate 31. It is possible to suppress the occurrence of cracks in the film. As a result, the production yield of the pellicle film can be improved.
  • FIG. 28 is a diagram showing a method of manufacturing the pellicle 100 in the reference example.
  • a three-layer oxide film is used as an etching stopper and
  • the following manufacturing method can also be considered as a manufacturing method capable of forming a film with a thickness of 3 x ⁇ 3 as a base.
  • Including 3 substrate 10 1, 3 I oxide film 10 2 formed on 3 substrate 10 1, and 3 layer 10 3 formed on 3 oxide film 10 2 3 ⁇ Prepare the substrate 110 (Fig. 28 (3)).
  • the 30 I substrate 110 is annealed in a low-oxygen atmosphere to form a low portion 10 4 on the surface 10 3 3 of the 30 layer 10 3 (Fig. 28 (well)). ..
  • a 3x10 film 105 is formed on the surface 1033 of the 30x10 layer (Fig. 28 ( ⁇ )).
  • the etching rate of the 3 ⁇ 3 substrate 3 1 varies. ⁇ 02020/175355 20 ⁇ (: 170? 2020 /007003
  • the 30M film 40 While alleviating the adverse effects caused by the luck, it is possible to form the 30M film 40 using the low-temperature part 11 as a base. As a result, the quality of the pellicle film can be improved while improving the manufacturing yield of the pellicle film.
  • Oxide film substrate an example of 1st and 2nd oxide film substrate

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Abstract

ペリクル膜の品質を向上することのできるペリクル中間体、ペルクル、ペリクル中間体の製造方法、およびペリクルの製造方法を提供する。　ペリクル中間体は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の表面に形成されたＳｉ酸化膜と、Ｓｉ酸化膜の表面に形成されたＳｉ層とを備える。Ｓｉ層は、Ｓｉ層の表面に近づくに従ってＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ　Ｐａｒｔｉｃｌｅ）数が減少する部分である低ＣＯＰ部であって、Ｓｉ層の表面を構成する部分に形成された低ＣＯＰ部を含む。

Description

明 細 書
発明の名称 ：
ペリクル中間体、 ペルクル、 ペリクル中間体の製造方法、 およびペリクル の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、 ペリクル中間体、 ペルクル、 ペリクル中間体の製造方法、 およ びペリクルの製造方法に関し、 より特定的には、 ペリクル膜の品質を向上す ることのできるペリクル中間体、 ペルクル、 ペリクル中間体の製造方法、 お よびべリクルの製造方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスの製造プロセスに用いられるフォトリソグラフィ技術にお いては、 半導体ウェハにレジストを塗布し、 塗布したレジストの必要な箇所 に対してフォトマスクを用いて露光光を照射することにより、 半導体ウェハ 上に必要な形状のレジストパターンが作製される。
[0003] 半導体デバイスの製造プロセスにおいては、 半導体デバイスの微細化に伴 い、 フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。 近年で は、 露光光として従来の K r F （フッ化クリプトン） ェキシマレーザーを光 源とする光 （波長： 248 n m） や A r F （フッ化アルゴン） ェキシマレー ザーを光源とする光 （波長： 1 93 n m） などよりも短波長である E U V （ E x t r e me U l t r a V i o l e t） 光 （波長： 1 3 5 n m） な どを用いることが検討されている。
[0004] フォトリソグラフィ技術において、 レジストに対して露光光を照射する際 には、 ペリクルと呼ばれる防塵用のカバーでフォトマスクを覆うことにより 、 フォトマスクへの異物の付着が防止される。 ペリクルのペリクル膜として は、 露光光の透過性が高く、 露光光に対する耐性が高い （高温時の変質や変 形が少ない） 材料が適している。 ペリクル膜としては、 A r F世代までは有 機系薄膜が用いられていた。 しかし、 E UV世代ではより高い透過率および 耐性を有する材料として、 s i （ケイ素） 、 S i N （窒化ケイ素） 、 C （グ ラファイ ト、 グラフェン、 D LC （ダイヤモンドライクカーボン） 、 または アモルファスカーボンなど） 、 または S i C （炭化ケイ素） などよりなるぺ リクル膜を用いることが検討されている。
[0005] S i よりなるペリクル膜を含むペリクルの製造方法に関する技術として、 下記特許文献 1 には、 SO I （S i I i c o n O n I n s u l a t o r ） 基板に対して S i結晶膜よりなる環状のペリクルフレームを接着し、 S〇 I基板の S i膜および S i酸化膜を除去することで S i よりなるペリクル膜 を製造する、 ペリクルの製造方法が開示されている。
[0006] 光のェネルギーは波長の長さに反比例して大きくなるため、 露光光の波長 が短くなるとペリクル膜が露光光から受けるェネルギーは大きくなる。 この ため、 露光光の短波長化に伴って、 ペリクル膜には露光光に対するより高い 耐性が要求されており、 このようなペリクル膜の材料としては、 S i よりも 熱的および化学的に安定である S i Cの方が好適である。
[0007] S i Cよりなるペリクル膜を含むペリクルの製造方法に関する技術として 、 下記特許文献 2には、 シリコンウェハ上に L PC VD （L ow P r e s s u r e C h e m i c a l V a p o r D e p o s i t i o n） 法によ り多結晶 S i C月莫を成月莫し、 CMP （C h e m i c a l Me c h a n i c a I P o l i s h i n g） 法により多結晶 S i C膜を 1 50 n mの厚さに 研磨し、 K 0 H （水酸化カリウム） 水溶液を用いてシリコンウェハをウェッ トェッチングする製造方法が開示されている。
[0008] 下記特許文献 2の技術には、 シリコンウェハをウェッ トェッチングする際 にペリクル膜が破損しやすいという問題があった。 この問題を解決し得る技 術が下記特許文献 3には開示されている。 下記特許文献 3には、 SO I基板 を下地として S i Cよりなるペリクル膜を形成し、 SO 丨基板の中央部を除 去することにより凹部の底部にペリクル膜の裏面を露出させる製造方法が開 示されている。 下記特許文献 3の技術によれば、 S i基板とペリクル膜との 間に S i酸化膜を介在させることにより、 ペリクル膜内部の引張応力を緩和 することができ、 製造時のペリクル膜の破損を抑制することができる。 先行技術文献
特許文献
[0009] 特許文献 1 :特開 2009 _ 1 1 6284号公報
特許文献 2 :国際公開第 201 4/1 887 1 0号パンフレッ ト
特許文献 3 :特開 201 8- 1 1 5094号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0010] 特許文献 2および 3の技術には、 ペリクル膜の品質が低いという問題があ った。
[0011] 本発明は、 上記課題を解決するためのものであり、 その目的は、 ペリクル 膜の品質を向上することのできるペリクル中間体、 ペルクル、 ペリクル中間 体の製造方法、 およびべリクルの製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段
[0012] 本発明の一の局面に従うペリクル中間体は、 S i基板と、 S i基板の表面 に形成された S i酸化膜と、 S i酸化膜の表面に形成された S i層とを備え 、 S i層は、 S i層の表面に近づくに従って CO P (C r y s t a l 〇 r i g i n a t e d P a r t i c l e) 数が減少する部分である低 C〇 P部 であって、 S i層の表面を構成する部分に形成された低 CO P部を含む。
[0013] 本発明の他の局面に従うペリクルは、 環状の平面形状を有する S i基板と 、 環状の平面形状を有し、 S i基板の表面に形成された S i酸化膜と、 環状 の平面形状を有し、 S i酸化膜の表面に形成された S i層と、 S i層の表面 に形成された S i C膜とを備え、 S i層は、 S i層の表面に近づくに従って CO P数が減少する部分である低 CO P部であって、 S i層の表面を構成す る部分に形成された低 CO P部を含む。
[0014] 本発明のさらに他の局面に従うペリクル中間体の製造方法は、 S i層であ って、 表面に近づくに従って CO P数が減少する部分である低 CO P部であ \¥0 2020/175355 4 卩（：170? 2020 /007003
つて、 表面を構成する部分に形成された低＜3〇 部を含む 3 丨層を準備する 工程と、 第 1の 3 丨基板と、 第 1の 3 丨基板の表面に形成された第 1の 3 I 酸化膜とを含む第 1の酸化膜基板を準備する工程と、 第 2の 3 丨基板と、 第 2の 3 丨基板の表面に形成された第 2の 3 丨酸化膜とを含む第 2の酸化膜基 板を準備する工程と、 3 丨層の表面に対して、 第 1の 3 丨酸化膜を接合する 工程と、 第 1の 3 丨酸化膜を接合する工程の後で、 3 丨層の裏面を構成する 部分を除去する工程と、 3 丨層の裏面を構成する部分を除去する工程の後で 、 3 丨層の裏面に対して、 第 2の 3 丨酸化膜を接合する工程と、 第 2の 3 I 酸化膜を接合する工程の後で、 3 丨酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエ ッチング速度の方が速い条件で、 第 1の 3 丨基板をウエッ トエッチングする ことにより、 第 1の 3 丨酸化膜を露出させる工程と、 第 1の 3 丨酸化膜を露 出させる工程の後で、 第 1の 3 丨酸化膜を除去することにより、 3 丨層の表 面を露出させる工程とを備える。
[0015] 上記製造方法において好ましくは、 第 1の酸化膜基板を準備する工程にお いて、 第 1の 3 丨基板と、 第 1の 3 丨基板の表面および裏面に形成された第 1の 3 丨酸化膜とを含む第 1の酸化膜基板を準備し、 第 1の 3 丨酸化膜を接 合する工程の後で、 第 1の 3 丨酸化膜における第 1の 3 丨基板の裏面に形成 された部分を除去することにより、 第 1の 3 丨基板の裏面を露出させる工程 をさらに備える。
[0016] 上記製造方法において好ましくは、 第 2の酸化膜基板を準備する工程にお いて、 第 2の 3 丨基板と、 第 2の 3 丨基板の表面および裏面に形成された第 2の 3 丨酸化膜とを含む第 2の酸化膜基板を準備し、 第 2の 3 丨酸化膜を接 合する工程の後で、 第 2の 3 丨酸化膜における第 2の 3 丨基板の裏面に形成 された部分を除去することにより、 第 2の 3 丨基板の裏面を露出させる工程 をさらに備える。
[0017] 本発明のさらに他の局面に従うペリクルの製造方法は、 上記製造方法を用 いてペリクル中間体を製造する工程と、 3 丨層の表面に 3 丨 （3膜を形成する 工程と、 3 丨酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエッチング速度の方が速 \¥0 2020/175355 5 卩（：170? 2020 /007003
い条件で、 第 2の 3 丨基板をウエッ トエッチングすることにより、 第 2の 3 丨基板に凹部を形成し、 凹部の底部に第 2の 3 丨酸化膜を露出させる工程と 、 凹部の底部に存在する第 2の 3 丨酸化膜および 3 丨層をウエッ トエッチン グすることにより、 凹部の底部に 3 丨 （3膜を露出させる工程とを備える。 ［0018］ 上記製造方法において好ましくは、 ペリクル膜中間体を製造する工程の後 であって第 2の 3 丨酸化膜を露出させる工程の前に、 第 2の 3 丨基板を機械 的に研削することにより、 第 2の 3 丨基板に凹部を形成する工程をさらに備 え、 第 2の 3 丨酸化膜を露出させる工程において、 凹部の底部に存在する第 2の 3 丨基板をウエッ トエッチングすることにより、 凹部の底部に第 2の 3 I酸化膜を露出させる。
［0019］ 上記製造方法において好ましくは、 凹部の底部に 3 丨 <3膜を露出させるエ 程は、 凹部の底部に存在する第 2の 3 丨酸化膜をウエッ トエッチングするこ とにより、 凹部の底部に 3 丨層を露出させる工程と、 凹部の底部に存在する 3 I層をウエッ トエッチングすることにより、 凹部の底部に 3 丨 〇膜を露出 させる工程とを含み、 3 丨 <3膜を露出させる工程において、 3 丨層のウエッ トエッチングに用いる薬液に対して 3 丨層を相対的に動かす。
発明の効果
［0020］ 本発明によれば、 ペリクル膜の品質を向上することのできるペリクル中間 体、 ペルクル、 ペリクル中間体の製造方法、 およびペリクルの製造方法を提 供することができる。
図面の簡単な説明
［0021］ ［図 1］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の構成を示す断面図である。
［図 2］本発明の一実施の形態において、 3 丨 <3膜 4 0の表面 4 0 3に対して垂 直な方向から見た場合のペリクル 1の構成を示す平面図である。
［図 3］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1の工程を示 す断面図である。
［図 4］アニール処理前後の図 3の巳部拡大図である。
［図 5］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 2の工程を示 \¥0 2020/175355 6 卩（：170? 2020 /007003
す断面図である。
［図 6］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 3の工程を示 す断面図である。
［図 7］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 4の工程を示 す断面図である。
［図 8］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 5の工程を示 す断面図である。
［図 9］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 6の工程を示 す断面図である。
［図 10］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 7の工程を 示す断面図である。
［図 1 1］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 8の工程を 示す断面図である。
［図 12］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 9の工程を 示す断面図である。
［図 13］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 0の工程 を示す断面図である。
［図 14］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 1の工程 を示す断面図である。
［図 15］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 2の工程 を示す断面図である。
［図 16］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 2の工程 の変形例の第 1の工程を示す断面図である。
［図 17］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 2の工程 の変形例の第 2の工程を示す断面図である。
［図 18］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 3の工程 を示す断面図である。
［図 19］本発明の一実施の形態におけるペリクル 1の製造方法の第 1 4の工程 \¥0 2020/175355 7 卩（：170? 2020 /007003
を示す断面図である。
［図 20］図 1 9に示す工程において 3 丨基板 3 1がウエッ トエッチングされる 様子を模式的に示す部分拡大断面図である。
［図 21］本発明の一実施の形態における 3 丨のウエッ トエッチングの第 1の方 法を模式的に示す図である。
［図 22］本発明の一実施の形態における 3 丨のウエッ トエッチングの第 2の方 法を模式的に示す図である。
［図 23］本発明の一実施の形態における 3 丨のウエッ トエッチングの第 3の方 法を模式的に示す図である。
［図 24］図 1 に示すペリクル 1 における八部拡大図である。
［図 25］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 1 5の工程 を示す断面図である。
［図 26］本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の製造方法の第 1 6の工程 を示す断面図である。
［図 27］本発明の一実施の形態における（3 0 検知装置 8 0による（3 0 の検 知方法を説明する図である。
［図 28］参考例におけるペリクル 1 0 0の製造方法を示す図である。
発明を実施するための形態
［0022］ 以下、 本発明の一実施の形態について、 図面に基づいて説明する。
［0023］ 図 1は、 本発明の一実施の形態におけるべリクル 1の構成を示す断面図で ある。 なお図 1は、 3 丨 〇膜 4 0の表面 4 0 3に対して垂直な平面で切った 場合の断面図である。
［0024］ 図 1 を参照して、 本実施の形態におけるペリクル 1 （ペリクルの一例） は . 3 I <3よりなるペリクル膜が支持基板によって部分的に支持された 3 丨 〇 自立基板であり、 支持基板 4 1 と、 ペリクル膜としての 3 丨 （3膜 4 0 （3 I 〇膜の一例） とを備えている。
［0025］ 支持基板 4 1は、 3 丨基板 3 1 （3 丨基板の一例） と、 3 丨酸化膜 3 2 （
3 I酸化膜の一例） と、 3 丨層 1 0 （3 丨層の一例） とを含んでいる。 3 I \¥0 2020/175355 8 卩（：170? 2020 /007003
基板 3 1、 3 丨酸化膜 3 2、 および 3 丨層 1 0の各々は、 3 丨 （3膜 4 0の表 面 4 0 3に対して垂直な方向から見た場合に環状の平面形状を有している。
[0026] 3 丨基板 3 1の表面 3 1 3には、 3 丨酸化膜 3 2が形成されている。 3 I 酸化膜 3 2の表面 3 2 3には 3 丨層 1 0が形成されている。 3 丨層 1 0の表 面 1 0 3には （1 1 1） 面が露出している。 3 丨層 1 0の表面 1 0 3には （ 1 0 0） 面や （ 1 1 0） 面が露出していてもよい。 3 丨層 1 0は、 3 丨層 1 0の表面 1 0 3を構成する部分に形成された低（3 0 部 1 1 （低（3 0 部の 一例） を含んでいる。 低〇〇 部は、 3 丨層の表面に近づくに従って〇〇 数が減少する部分である。
[0027] 3 丨層 1 0の表面 1 0 3 （支持基板 4 1の表面 4 1 3） には 3 丨 <3膜 4 0 が形成されている。 3 丨 （3膜 4 0は、 支持基板 4 1の裏面 4 1 匕および側面 4 1 〇には形成されていなくてもよいし、 支持基板 4 1の裏面 4 1 匕および 側面 4 1 〇にも形成されていてもよい。 支持基板 4 1は環状であるため、 支 持基板 4 1の中央部には凹部 4 2が形成されている。 凹部 4 2は 3 丨 （3膜 4 0によって覆われており、 凹部 4 2の底部には 3 丨 〇膜 4 0の裏面 4 0匕が 露出している。
[0028] 3 丨 〇膜 4 0は、
Figure imgf000010_0001
以下の厚さ 1 を有している。
Figure imgf000010_0002
以上であることが好ましく、 3 0 n 以下であることが 好ましい。 3 丨 〇膜 4 0は、 単結晶 3〇一 3 丨 〇、 多結晶 3〇一 3 丨 〇、 ま たはアモルファス 3 丨 〇などよりなっている。 3 丨 〇膜 4 0が 3 丨基板上に 形成される場合、 一般的に 3 丨 〇膜 4 0は 3〇一 3 丨 〇よりなっている。
[0029] 図 2は、 本発明の一実施の形態において、 3 丨 <3膜 4 0の表面 4 0 3に対 して垂直な方向から見た場合のペリクル 1の構成を示す平面図である。 図 2 では、 支持基板 4 1の形状を示す目的で、 支持基板 4 1は点線で示されてい るが、 実際には支持基板 4 1は直接には見えない。
[0030] 図 2を参照して、 3 丨 <3膜 4 0、 支持基板 4 1、 および凹部 4 2の各々は 、 任意の平面形状を有している。 3 丨 <3膜 4 0はその外周端部を環状の支持 基板 4 1 によって支持されている。 これにより、 3 丨 <3膜 4 0の機械的強度 \¥0 2020/175355 9 卩（：170? 2020 /007003
が支持基板 4 1 によって補強されている。 3 丨 <3膜 4 0、 支持基板 4 1、 お よび凹部 4 2の各々は、 たとえば図 2 （a） に示すように、 円の平面形状を 有していてもよいし、 図 2 （1〇） に示すように、 矩形の平面形状を有してい てもよい。 図 2 （b） では、 支持基板 4 1は四角環状の平面形状を有してい る。 さらに図 2 （〇） に示すように、 3 丨 〇膜 4 0および支持基板 4 1の各 々は円の平面形状を有しており、 凹部 4 2は矩形の平面形状を有していても よい。 凹部 4 2の大きさは任意であり、 ペリクル 1 に要求される機械的強度 などに応じて決定されてもよい。
[0031 ] 次に、 本実施の形態におけるペリクル 1の製造方法について、 図 3〜図 2
6を用いて説明する。
[0032] 図 3を参照して、 たとえば円板状の 3 丨基板 1 0を準備する。 3 丨基板 1
0は、 互いに平行な方向に延在する表面 1 0 3および裏面 1 0 13を含んでい る。 3 丨基板 1 0は、 3 丨基板 1 0の表面 1 0 3を構成する部分に低<3〇 部 1 1 を含んでいる。 〇〇 とは、 1 0 0 n m ~ 2 0 0 n のサイズを有す る八面体形状の空孔である。 〇〇 は、 3 丨基板の結晶成長中に結晶内に生 じる。
[0033] 図 4は、 アニール処理前後の図 3の巳部拡大図である。
[0034] 図 4を参照して、 3 丨基板 1 0は、 アルゴン雰囲気や水素雰囲気などの低 酸素雰囲気で、 1 1 0 0 °〇以上 1 3 0 0 °〇以下の温度で、 低（3〇 部を含ま ない 3 丨基板 1 2をアニール処理することにより得られる。 アニール処理前 の 3 丨基板 1 2内には、 多数の（3 0 1 3がほぼ均等に分散して存在してい る （図 4 （3） ） 。 アニール処理前の 3 丨基板 1 2内の平均の（3 0 濃度は 、 たとえば 1 X I 〇6個/〇 3である。
[0035] 上記のアニール処理が施されると、 3 丨基板 1 2の表面 1 2 3 （3 丨基板
1 0の表面 1 0 3） 付近に存在していた〇〇 1 3は 3 丨基板 1 2の外部に 開放される。 3 丨基板 1 2の表面 1 2 3に近い位置に存在する（3 0 1 3で あるほど、 3 丨基板 1 2の外部に開放されやすくなる。 その結果、 3 丨基板 1 0の表面 1 0 3を構成する部分に、 表面 1 0 3に近づくに従って（3 0 数 \¥0 2020/175355 10 卩（：170? 2020 /007003
が減少する部分である低〇〇 部 1 1が発生する （図 4 （匕） ） 。 アニール 処理後の 3 丨基板 1 0の表面 1 0 3の（3 0 濃度は、 たとえば〇〜 1個/〇 1113である。
[0036] なお、 上記のアニール処理により 3 丨基板 1 0の裏面 1 0匕を構成する部 分にも低＜3〇 部が発生してもよい。 3 丨基板 1 2の（3〇？を低減させる方 法としては、 上記のアニール処理の他、 3 丨基板 1 2の作製時の結晶成長速 度を制御する方法や 3 丨 をホモエピタキシャル成長する方法などであっても よい。
[0037] 図 5を参照して、 酸化膜基板 2 0 （第 1の酸化膜基板の一例） を準備する 。 酸化膜基板 2 0は、 3 丨基板 2 1 （第 1の 3 丨基板の一例） と、 3 丨酸化 膜 2 2 （第 1の 3 丨酸化膜の一例） とを含んでいる。 3 丨基板 2 1は 3 丨基 板 1 〇と同一の平面形状を有している。 3 丨基板 2 1は、 互いに平行な方向 に延在する表面 2 1 3および裏面 2 1 匕と、 側面 2 1 〇とを含んでいる。 3 I酸化膜 2 2は、 3 丨基板
Figure imgf000012_0001
裏面 2 1 匕、 および側面 2 1 〇に形成されており、 3 丨基板 2 1全体を覆っている。 酸化膜基板 2 0は、
3 丨基板 2 1全体を熱酸化することにより作製される。 3 丨基板 2 1の表面 2 1 3に形成された 3 丨酸化膜 2 2は、 0 . 5 以上 5 以下の厚さを 有していることが好ましく、 2 の厚さを有していることがより好ましい
[0038] 同様に、 酸化膜基板 3 0 （第 2の酸化膜基板の一例） を準備する。 酸化膜 基板 3 0は、 酸化膜基板 2 0と同一の構成を有しており、 3 丨基板 3 1 （第 2の 3 丨基板の一例） と、 3 丨酸化膜 3 2 （第 2の 3 丨酸化膜の一例） とを 含んでいる。 3 丨基板 3 1は 3 丨基板 1 0と同一の平面形状を有している。
3 丨基板 3 1は、 互いに平行な方向に延在する表面 3 1 3および裏面 3 1 匕 と、 側面 3 1 〇とを含んでいる。 3 丨酸化膜 3 2は、 3 丨基板 3 1の表面 3 1 3、 裏面 3 1 匕、 および側面 3 1 〇に形成されており、 3 丨基板 3 1全体 を覆っている。 酸化膜基板 3 0は、 3 丨基板 3 1全体を熱酸化することによ り作製される。 3 丨基板 3 1の表面 3 1 3に形成された 3 丨酸化膜 3 2は、 \¥0 2020/175355 1 1 卩（：170? 2020 /007003
〇. 5 〇!以上 5 〇!以下の厚さを有していることが好ましく、 2 〇!の厚 さを有していることがより好ましい。
[0039] なお、 酸化膜基板 2 0および 3 0は、 3 丨酸化膜が 3 丨基板の表面にのみ 形成されたものであってもよい。 3 丨酸化膜 2 2および 3 2の形成方法は任 意であり、 熱酸化以外の方法であってもよい。
[0040] 図 6を参照して、 次に、 3 丨基板 1 0の表面 1 0 3に対して、 3 丨酸化膜
2 2における 3 丨基板 2 1の表面 2 1 3に形成された部分を接合する。 これ により、 3 丨基板 1 0と酸化膜基板 2 0とが互いに接合される。 以降の工程 において、 3 I基板 1 0は 3 I層 1 0となる。
[0041 ] 図 7を参照して、 3 丨層 1 0と酸化膜基板 2 0とを接合した後で、 3 丨層
1 0の裏面 1 0匕を構成する部分の 3 丨 を研削する。 低＜3〇 部 1 1は除去 されず残存する。 研削後の
Figure imgf000013_0001
以下であることが好ましく、 5 0 であることがより好ましい。
[0042] 3 丨層 1 0の 3 丨の除去方法は任意であり、 研削の他、 ドライエッチング またはウエッ トエッチングなどの方法であってもよい。
[0043] 図 8を参照して、 3 丨層 1 0と酸化膜基板 2 0とを接合した後で、 3 丨酸 化膜 2 2における 3 丨基板 2 1の裏面 2 1 匕および側面 2 1 〇に形成されて いる部分を除去する。 これにより、 3 丨基板 2 1の裏面 2 1 匕および側面 2 1 〇が露出し、 3 丨酸化膜 2 2は 3 丨基板 2 1の表面 2 1 3にのみ残存する
[0044] 3 I酸化膜 2 2の除去方法は任意であり、 ドライエッチングの他、 ウエッ トエッチングまたは研削などの方法であってもよい。 酸化膜基板 2 0として . 3 I酸化膜 2 2が 3 丨基板 2 1の表面 2 1 3にのみ形成されたものを準備 した場合、 図 8に示す工程は省略されてもよい。
[0045] 図 9を参照して、 3 丨層 1 0の裏面 1 0匕を構成する部分の 3 丨 を除去し た後で、 3 丨層 1 0の裏面 1 0匕に対して、 3 丨酸化膜 3 2における 3 丨基 板 3 1の表面 3 1 3に形成された部分を接合する。 これにより、 3 丨層 1 0 と酸化膜基板 3 0とが接合される。 \¥0 2020/175355 12 卩（：170? 2020 /007003
[0046] 図 1 0を参照して、 3 丨層 1 0と酸化膜基板 3 0とを接合した後、 得られ た構造を上下反転させる。
[0047] 図 1 1 を参照して、 上下反転した後で、 3 丨酸化膜 3 2における 3 丨基板
3 1の裏面 3 1 13および側面 3 1 〇に形成されている部分を除去する。 これ により、 3 丨酸化膜 3 2は 3 丨基板 3 1の表面 3 1 3にのみ残存する。
[0048] 3 I酸化膜 3 2の除去方法は任意であり、 ドライエッチングの他、 ウエッ トエッチングまたは研削などの方法であってもよい。 酸化膜基板 3 0として . 3 I酸化膜 3 2が 3 丨基板 3 1の表面 3 1 3にのみ形成されたものを準備 した場合、 図 1 1 に示す工程は省略されてもよい。
[0049] 図 1 2を参照して、 上下反転した後で、 3 丨基板 2 1 をウエッ トエッチン グにより除去する。 これにより、 3 丨酸化膜 2 2の表面 2 2 3が露出する。 このウエッ トエッチングは、 3 丨酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエッ チング速度の方が速い条件で行われる。 3 丨基板 2 1のウエッ トエッチング の際には、 3 丨酸化膜 2 2がエッチングストッパとして機能し、 3 丨基板 2 1のエッチング速度のバラツキに起因する悪影響は、 3 丨酸化膜 2 2によっ て緩和される。 これについては図 2 0を用いて後述する。 なお、 上記の 3 I 基板 2 1のウエッ トエッチングを行う前に、 研削などの方法により 3 丨基板 2 1の一部を予め除去してもよい。
[0050] 3 I基板 2 1のウエッ トエッチングは、 ウエッ トエッチングに用いる薬液 に対して 3 丨基板 2 1 を相対的に動かすことにより行われることが好ましい 。 これについては図 2 1〜図 2 3を用いて後述する。
[0051 ] 図 1 3を参照して、 3 丨酸化膜 2 2の表面 2 2 3を露出させた後、 3 丨酸 化膜 2 2をウエッ トエッチングにより除去する。 これにより、 3 丨層 1 0の 表面 1 0 8が露出し、 ペリクル中間体 2 （ペリクル中間体の _例） が得られ る。 3 丨酸化膜 2 2をウエッ トエッチングする際には 1~1 などの薬液が用い られる。
[0052] 3 I酸化膜 2 2の除去方法はウエッ トエッチングが好ましいが、 ウエッ ト エッチングの他、 ドライエッチングまたは研削などの方法であってもよい。 [0053] ペリクル中間体 2は、 S i基板 3 1 と、 S i基板 3 1の表面 3 1 aに形成 された S i酸化膜 32と、 S i酸化膜 32の表面 32 aに形成された S i層 1 〇とを備えている。 S i層 1 0は、 S i層 1 0の表面 1 0 aを構成する部 分に形成された低 CO P部 1 1 を含んでいる。
[0054] 図 1 4を参照して、 ペリクル中間体 2を得た後、 S i層 1 0の表面 1 0 a
(低 CO P部 1 1の表面) に S i C膜 40を形成する。 S i酸化膜 32、 S i層 1 0、 および S i C膜 40の各々の厚さを上述した範囲とすることによ り、 S i C膜 40の機械的強度を確保することができ、 後に行われる図 1 5 、 図 1 9、 図 25、 および図 26に示す各層の除去工程において、 S i C膜 40にクラックが発生する事態を回避することができる。
[0055] S i C膜 40は、 たとえば、 S i層 1 0の表面 1 0 aを炭化することで得 られた S i Cよりなる下地層上に、 MB E (Mo l e c u I a r B e am E p i t a x y) 法、 または CVD (C h e m i c a l V a p o r D e p o s i t i o n) 法などを用いて成膜される。 また S i C膜 40は、 S i層 1 0の表面 1 0 aを炭化することのみによって形成されてもよい。 さら に、 S i C膜 40は、 S i層 1 0の表面 1 0 aに MB E法または CVD法な どを用いて成膜されてもよい。 S i C膜 40は低 C〇 P部 1 1 を下地として 形成されるため、 形成される S i C膜 40は高い品質を有している。
[0056] 図 1 5を参照して、 次に、 S i基板 3 1の裏面 3 1 bの中央部 RG 1の S i を除去する (S i基板 3 1の裏面 3 1 bをザグリ加工する) 。 中央部 RG 1の S iの除去は、 S i基板 3 1の中央部 RG 1の S i を機械的に研削する ことにより行われてもよい。 また、 中央部 RG 1の S iの除去は、 S i基板 3 1の裏面 3 1 bにおける中央部 RG 1 を除く領域にフォトレジストを形成 し、 形成したフォトレジストをマスクとして中央部 RG 1の S i をエッチン グすることにより行われてもよい。
[0057] また、 S iのウエッ トエッチングに用いられる薬液に対するマスクの耐性 を高める場合には、 中央部 RG 1の S iの除去は次の方法により行われても よい。 \¥0 2020/175355 14 卩（：170? 2020 /007003
[0058] 図 1 6を参照して、 3 丨基板 3 1の裏面 3 1 匕全面に、 3 丨酸化膜または
3 丨窒化膜よりなるマスク層 3 3を形成する。 続いてマスク層 3 3上に、 必 要な形状にバターニングしたフォトレジスト 3 4を形成する。
[0059] 図 1 7を参照して、 次に、 フォトレジスト 3 4をマスクとしてマスク層 3
3をウエッ トエッチングによりパターニングする。 これにより、 マスク層 3 3の外周部のみが残される。 マスク層 3 3が 3 丨酸化膜よりなる場合、 マス ク層 3 3のウエッ トエッチングの薬液としてはフッ酸溶液などが用いられる 。 マスク層 3 3が 3 丨窒化膜よりなる場合、 マスク層 3 3のウエッ トエッチ ングの薬液としてはリン酸溶液などが用いられる。 続いて、 パターニングさ れたマスク層 3 3をマスクとして、 混酸などの薬液を用いて中央部
Figure imgf000016_0001
1の 3 丨 をウエッ トエッチングにより除去する。 その後、 フォトレジスト 3 4お よびマスク層 3 3を除去する。 なお、 フォトレジスト 3 4は、 3 丨のウエッ トエッチングの前に除去されてもよい。
[0060] なお、 マスク層 3 3としては、 3 丨酸化膜および 3 丨酸化膜以外の酸化膜 または窒化膜が用いられてもよい。
[0061 ] 図 1 8を参照して、 中央部
Figure imgf000016_0002
1の 3 丨が除去された結果、 3 丨基板 3 1 の裏面 3 1 匕には凹部 4 2が形成される。 図 1 8において、 凹部 4 2は 3 I 基板 3 1 を貫通しない程度の深さを有しており、 凹部 4 2の底面は 3 丨 によ り構成されている。 凹部 4 2の存在により、 3 丨基板 3 1の中央部の厚さ （ 図 1 8中縦方向の長さ） は、 3 丨基板 3 1の外周部の厚さよりも薄くなる。
[0062] 図 1 9を参照して、 続いて、 3 丨基板 3 1 における凹部
Figure imgf000016_0003
に存在する部分をウエッ トエッチングにより除去する。 これにより、 凹部 4 2の底面には 3 丨酸化膜 3 2の裏面 3 2匕が露出する。 このウエッ トエッチ ングは、 3 丨酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエッチング速度の方が速 い条件で行われる。
[0063] 図 2 0は、 図 1 9に示す工程において 3 丨基板 2 1がウエッ トエッチング される様子を模式的に示す部分拡大断面図である。
[0064] 図 2 0を参照して、 3 丨基板 3 1 に付着する薬液の量の違いなどに起因し \¥0 2020/175355 15 卩（：170? 2020 /007003
て、 平面的に見た場合に 3 丨基板 3 1のエッチング速度にはバラツキが存在 する。 特に、 3 丨基板 3 1の平面内の位置 〇のエッチング速度が、 3 丨基 板 3 1の平面内の他の位置のエッチング速度よりも遅い場合には、 エッチン グ中の位置 〇の厚さは他の位置よりも厚くなる （図 2 0 （3） ） 。 3 丨基 板 3 1のエッチングが進行するに従って （除去される 3 丨基板 3 1の量が多 くなるに従って） 、 3 丨基板 3 1の厚さのバラツキは顕著になる （図 2 0 （ ） 。
[0065] 3 丨酸化膜 3 2が存在する場合、 エッチングは、 3 丨酸化膜 3 2の裏面 3
2匕に到達すると減速する。 3 丨酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエッ チング速度の方が速いためである。 これにより、 位置 〇以外の位置のエッ チングは 3 丨酸化膜 3 2の裏面 3 2匕に到達した時点で減速する一方、 遅れ ていた位置 〇のエッチングは引き続き進行する （図 2 0 （〇） ） 。 その結 果、 3 丨基板 3 1は均一に除去される （図 2 0 （ ） ） 。 このようにして、
3 I酸化膜 3 2がエッチングストッパとして機能し、 3 丨基板 3 1のエッチ ング速度のバラツキに起因する悪影響は、 3 丨酸化膜 3 2によって緩和され る。
[0066] 3 丨基板 3 1のウエッ トエッチングの際に 3 丨酸化膜 3 2がエッチングス トッパとして機能したのと同様に、 3 丨基板 2 1のウエッ トエッチングの際 （図 1 2） には、 3 丨酸化膜 2 2がエッチングストッパとして機能する。
[0067] 底面
Figure imgf000017_0001
2の 3 丨のウエッ トエッチングは、 ウエッ トエッチングに用いる 薬液に対して 3 丨基板 3 1 を相対的に動かすことにより行われることが好ま しい。 3 丨基板 3 1 を動かすことには、 3 丨基板 3 1の位置を変えずに 3 I 基板 3 1 を回転させることと、 3 丨基板 3 1の位置を変える （言い換えれば . 3 I基板 3 1 を移動させる） ことと、 3 丨基板 3 1の位置を変えながら 3 I基板 3 1 を回転させることなどが含まれる。 3 丨のウエッ トエッチングに 用いる薬液としては、 たとえばフッ酸および硝酸を含む混酸や、 水酸化カリ ウム （＜〇1~1） 水溶液などが用いられる。
[0068] 3 丨のウエッ トエッチングの薬液として、 水酸化カリウム水溶液などのア \¥0 2020/175355 16 卩（：170? 2020 /007003
ルカリ溶液を用いた場合、 3 丨 〇膜 4 0中に低密度で存在するピンホールを 通じて 3 丨 〇膜 4 0までもがエッチングされることがある。 3 丨 〇膜 4 0が エッチングされることを抑止し、 3 丨 〇膜 4 0の品質を良好にするためには , 3 Iのウエッ トエッチングの薬液として上述の混酸を用いることが好まし い。
[0069] 3 丨のウエッ トエッチングの際に 3 丨基板 3 1 を動かす方向は任意である
。 しかし、 3 丨基板 3 1 を動かしている間に薬液から受ける圧力により 3 I 〇膜 4 0が破損する事態を回避するためには、 以下の第 1〜第 3の方法のよ うに、 3 丨 〇膜 4 0の表面 4 0 3に対して平行な平面 （図 2 1〜図 2 3中の 平面 !_） 内の方向に 3 丨基板 3 1 を動かすことが好ましい。
[0070] 図 2 1〜図 2 3は、 本発明の一実施の形態における 3 丨のウエッ トエッチ ングの第 1〜第 3の方法を模式的に示す図である。 なお、 図 2 1〜図 2 3の 説明では、 3 丨のウエッ トエッチング直前の構造を中間体 3と記している。
[0071 ] 図 2 1 を参照して、 第 1の方法は、 スピンエッチングにより 3 丨 を除去す る方法である。 第 1の方法では、 3 丨基板 3 1の裏面 3 1 匕が上を向くよう に中間体 3を固定台 1~1 に固定する。 そして、 矢印八
Figure imgf000018_0001
裏 面 3 1 匕と直交する方向に延在する回転軸を中心として固定台 1~1 を回転さ せる。 このようにして、 中間体 3の位置を変えずに中間体 3を回転させた状 態で、 ウエッ トエッチングに用いる薬液 1\/1八 （エッチング液） を 3 丨基板 3 1の裏面 3 1 匕に注入する。 固定台 の回転数は、 たとえば 5 0 0〜 1 5 0 0 「 程度に設定される。
[0072] 図 2 2を参照して、 第 2の方法では、 複数の中間体 3を立てた状態で固定 に固定する。 そして、 反応容器 0 3の内部に充填された薬液 1\/1 に複 数の中間体 3を浸潰し、 3 丨 <3膜 4 0の表面 4 0 3に対して平行な平面 1_ 内で、 矢印八 2で示すように中間体 3の位置を変えながら中間体 3および 固定台 1~1 を回転させる。
[0073] 図 2 3を参照して、 第 3の方法では、 3 丨基板 3 1の裏面 3 1 匕が上を向 くように中間体 3を固定台 ! ! に固定する。 そして、 反応容器 の内部に \¥0 2020/175355 17 卩（：170? 2020 /007003
充填された薬液 IV!八に中間体 3を浸潰し、 3 丨 <3膜 4 0の表面 4 0 3に対し て平行な平面 1-内で、 矢印八 3で示すように中間体 3および固定台 1~1 を直線上で往復移動させる。
[0074] 図 2 4は、 図 1 に示すペリクル 1 における八部拡大図である。 なお、 図 2 4では、 3 丨基板 3 1の幅の変化量を実際のものよりも強調して示している
[0075] 図 2 4を参照して、 フッ酸および硝酸を含む混酸は、 3 丨 を等方的にエッ チングする作用を有している。 このため、 フッ酸および硝酸を含む混酸を薬 液として用いて 3 丨のウエッ トエッチングした場合には、 その痕跡として、
3 丨基板 3 1の幅 （図 2 4中横方向の長さ） は、 3 丨 〇膜 4 0から離れる に従って （3 丨 〇膜 4 0から 3 丨基板 3 1の裏面 3 1 匕に向かって） 減少し ている。
[0076] 図 2 5を参照して、 3 丨酸化膜 3 2の裏面 3 2匕を露出させた後、 3 丨酸 化膜 3 2における凹部 4 2の底部 0 3に存在する部分をウエッ トエッチン グにより除去する。 これにより、 凹部 4 2の底面には 3 丨層 1 0の裏面 1 0 匕が露出する。 3 丨酸化膜 3 2をウエッ トエッチングする場合には 1~1 など の薬液が用いられる。
[0077] 図 2 6を参照して、 3 丨層 1 0の裏面 1 0匕を露出させた後、 3 丨層 1 0 における凹部 4 2の底面 0 4に存在する部分をウエッ トエッチングにより 除去する。 これにより、 凹部 4 2の底面には 3 丨 <3膜 4 0の裏面 4 0匕が露 出する。 以上の工程により、 図 1 に示すペリクル 1が得られる。
[0078] 3 丨層 1 0のウエッ トエッチングは、 図 2 1〜図 2 3を用いて説明した方 法と同様に、 3 丨層 1 0のウエッ トエッチングに用いる薬液に対して 3 丨層 1 0を相対的に動かすことにより行われることが好ましい。
[0079] なお、 低〇〇 部 1 1は次の方法で確認することができる。
[0080] ペリクル 1 またはペリクル中間体 2において、 3 丨 〇膜 4 0を研削で除去 することにより、 3 丨層 1 0の表面 1 0 3が露出した試料を準備する。 次に 、 〇〇 検知装置 8 0を用いて試料における 3 丨層 1 0の表面 1 0 3の〇〇 \¥0 2020/175355 18 卩（：170? 2020 /007003
を検知し、 〇〇 数を計測する。
[0081 ] 図 2 7は、 本発明の一実施の形態における〇〇 検知装置 8 0による〇〇
Pの検知方法を説明する図である。
[0082] 図 2 7を参照して、 〇〇 検知装置 8 0は、 レーザー光照射部 8 1
Figure imgf000020_0001
8
1 および 8 1 〇と、 ビームスブリッタ _ 8 2と、 受光部 8 3 3および 8 3匕と、 制御部 8 4とを含んでいる。 レーザー光照射部 8 1 3、 8 1 匕、 お よび 8 1 〇の各々は、 互いに異なる角度および方向から、
Figure imgf000020_0002
の表面 （ 3 丨層 1 0の表面 1 〇 3） における所定の検知位置口 に向けてレーザー光 を照射する。 レーザー光の照射条件の _例として、 照射されるレーザー光の 波長は 4 0 5 n mであり、 出力は
Figure imgf000020_0003
[0083] ビームスブリッター 8 2は、 所定の検知位置口 で散乱されたレーザー光 を、 高い入射角で検知位置口 に入射したレーザー光の散乱光と、 低い入射 角で検知位置口 に入射したレーザー光の散乱光とに分離する。
[0084] 受光部 8 3 3は、 ビームスブリッター8 2で分離された散乱光のうち、 高 い入射角で検知位置口 に入射したレーザー光の散乱光を受光し、 受光強度 に応じた信号を出力する。 受光部 8 3匕は、 ビームスブリッター8 2で分離 された散乱光のうち、 低い入射角で検知位置〇 に入射したレーザー光の散 乱光を受光し、 受光強度に応じた信号を出力する。
[0085] 制御部 8 4は 〇 （ ㊀ 「 3 0 1^ 3 I 〇〇〇1 リ 6 「） よりなってい る。 制御部 8 4は、 受光部 8 3 3および 8 3 13の各々から出力された信号の 強度を比較することにより、 検知位置口 の凹凸を判定し、 〇〇 を検知す る。 一例として、 〇〇 検知装置 8 0が検知可能な〇〇 の最小のサイズ （ 幅） は〇. 1 〇!である。
[0086] が円板形状を有している場合には、 〇〇 検知装置 8 0は、 矢印 巳で示す方向に試料
Figure imgf000020_0004
を回転させつつ、
Figure imgf000020_0005
の中心から外周部に向か って検知位置口 を変えることにより、 試料 の表面全体の（3〇 を検知
Figure imgf000020_0006
を計測する。
[0087] その後、 3 丨層 1 0をエッチングすることにより 3 丨層 1 0の厚さを徐々 \¥0 2020/175355 19 卩（：170? 2020 /007003
に薄く しながら、 〇〇 検知装置 8 0を用いた試料の表面全体にわたっての 〇〇 の検知を繰り返すことにより、 試料における 3 丨層 1 0の厚さ方向の 〇〇 数の分布を得ることができる。
[0088] 本実施の形態によれば、 3 丨層 1 0における欠陥の少ない部分 （低〇〇 部 1 1） を下地として、 ペリクル膜である 3 丨 〇膜 4 0を形成することがで きるため、 ペリクル膜の品質を向上することができる。 また、 3 丨基板 3 1 のエッチングの際に 3 丨酸化膜 3 2がエッチングストッパとして機能するた め、 3 丨基板 3 1のエッチング速度のバラツキに起因する悪影響を緩和する ことができ、 ぺリクル膜にクラックへのクラックの発生を抑止することがで きる。 その結果、 ペリクル膜の製造の歩留まりを改善することができる。
[0089] 図 2 8は、 参考例におけるペリクル 1 0 0の製造方法を示す図である。
[0090] 図 2 8を参照して、 3 丨酸化膜をエッチングストッパとして用い、 かつ低
〇〇 部を下地として 3 丨 ＜3膜を形成し得る製造方法としては、 次の製造方 法も考えられ得る。 3 丨基板 1 0 1 と、 3 丨基板 1 0 1上に形成された 3 I 酸化膜 1 0 2と、 3 丨酸化膜 1 0 2上に形成された 3 丨層 1 0 3とを含む 3 〇 丨基板 1 1 0を準備する （図 2 8 （3） ） 。 次に、 3 0 I基板 1 1 0を低 酸素雰囲気でアニールすることにより 3 丨層 1 0 3の表面 1 0 3 3に低〇〇 部 1 0 4を形成する （図 2 8 （匕） ） 。 続いて、 3 丨層 1 0 3の表面 1 0 3 3に 3 丨 〇膜 1 0 5を形成する （図 2 8 （〇） ） 。 その後、 3 丨基板 1 0 1、 3 丨酸化膜 1 0 2、 および 3 丨層 1 0 3の中央部をエッチングすること により凹部 1 0 6を形成し、 凹部 1 0 6の底部に 3 丨 〇膜 1 0 5の裏面 1 0 5 13を露出させる （図 2 8 （〇1） ） 。
[0091 ] しかし、 この製造方法を用いた場合には、 低＜3〇 部 1 0 4を形成するた めの 3〇 I基板 1 1 〇のアニール （図 2 8 （匕） ） の際に、 3 丨酸化膜 1 0 2中の 3 丨酸化物が雰囲気中にガスとして放出される、 その結果、 低酸素雰 囲気を維持することが困難となり、 低＜3〇 部 1 0 4を形成することが困難 となる。
[0092] 本実施の形態の製造方法によれば、 3 丨基板 3 1のエッチング速度のバラ \¥02020/175355 20 卩（：170? 2020 /007003
ツキに起因する悪影響を緩和しつつ、 低〇〇 部 1 1 を下地として 3 丨 〇膜 40を形成することができる。 その結果、 ペリクル膜の製造の歩留まりを改 善しつつ、 ペリクル膜の品質を向上することができる。
[0093] [その他]
[0094] 上述の実施の形態の製造方法における各工程の実施順序は、 適宜変更する ことが可能である。
[0095] 上述の実施の形態は、 すべての点で例示であって制限的なものではないと 考えられるべきである。 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の 範囲によって示され、 特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべて の変更が含まれることが意図される。
符号の説明
[0096] 1 , 1 00 ペリクル （ペリクルの一例）
2 ペリクル中間体 （ペリクル中間体の一例）
3 中間体
1 0. 1 03 3 I基板または 3 丨層 （3 丨層の一例）
1 03 , 1 033 3 I層の表面
1 0匕 3 I層の裏面
1 1. 1 04 低〇〇 部 （低〇〇 部の一例）
1 2 アニール処理前の 3 丨基板
1 23 アニール処理前の 3 丨基板の表面
20, 30 酸化膜基板 （第 1および第 2の酸化膜基板の一例）
2 1 , 3 1 , 1 01 3 丨基板 （3 丨基板、 第 1の 3 丨基板、 および第 2 の 3 丨基板の一例）
2 1 3, 3 1 3 3 丨基板の表面
2 1 匕， 3 1 匕 3 I基板の裏面
2 1 〇, 3 1 〇 3 I基板の側面
22, 32, 1 02 3 I酸化膜 （3 丨酸化膜、 第 1の 3 丨酸化膜、 およ び第 2の 3 丨酸化膜の一例） 22 a, 32 a S i酸化膜の表面
32 b S i酸化膜の裏面
33 マスク層
34 フォトレジスト
40, 1 05 S i C膜 (S i C膜の一例)
40 a S i C膜の表面
40 b, 1 05 b S i C膜の裏面
4 1 支持基板
4 1 a 支持基板の表面
4 1 b 支持基板の裏面
4 1 c 支持基板の側面
42, 1 06 凹部 (凹部の一例)
80 CO P (C r y s t a l O r i g i n a t e d P a r t i c I e ) 検知装置
81 a, 81 b, 81 c レーザー光照射部
82 ビームスブリッター
83 a, 83 b 受光部
84 制御部
1 1 0 S 0 I (S i l i c o n O n I n s u l a t o r) 基板 C S 反応容器
D P 検知位置
H P 固定台
MA 薬液
P L 平面
P〇 S i基板の平面内の位置
RG 1 S i基板の裏面の中央部
R G 2, RG3, RG4 凹部の底面
WR 試料

Claims

請求の範囲
[請求項 1] S i基板と、
前記 S i基板の表面に形成された S i酸化膜と、 前記 S i酸化膜の表面に形成された S i層とを備え、
前記 S i層は、 前記 S i層の表面に近づくに従って CO P (C r y s t a l O r i g i n a t e d P a r t i c l e) 数が減少する 部分である低 C〇 P部であって、 前記 S i層の表面を構成する部分に 形成された低 CO P部を含む、 ペリクル中間体。
[請求項 2] 環状の平面形状を有する S i基板と、
環状の平面形状を有し、 前記 S i基板の表面に形成された S i酸化 膜と、
環状の平面形状を有し、 前記 S i酸化膜の表面に形成された S i層 と、
前記 S i層の表面に形成された S i C膜とを備え、
前記 S i層は、 前記 S i層の表面に近づくに従って CO P (C r y s t a l O r i g i n a t e d P a r t i c l e) 数が減少する 部分である低 C〇 P部であって、 前記 S i層の表面を構成する部分に 形成された低 CO P部を含む、 ペリクル。
[請求項 3] S i層であって、 表面に近づくに従って CO P (C r y s t a l
O r i g i n a t e d P a r t i c l e) 数が減少する部分である 低 CO P部であって、 表面を構成する部分に形成された低 CO P部を 含む S i層を準備する工程と、
第 1の S i基板と、 前記第 1の S i基板の表面に形成された第 1の S i酸化膜とを含む第 1の酸化膜基板を準備する工程と、
第 2の S i基板と、 前記第 2の S i基板の表面に形成された第 2の S i酸化膜とを含む第 2の酸化膜基板を準備する工程と、
前記 S i層の表面に対して、 前記第 1の S i酸化膜を接合する工程 と、 \¥0 2020/175355 23 卩（：170? 2020 /007003
前記第 1の 3 丨酸化膜を接合する工程の後で、 前記 3 丨層の裏面を 構成する部分を除去する工程と、
前記 3 丨層の裏面を構成する部分を除去する工程の後で、 前記 3 丨 層の裏面に対して、 前記第 2の 3 丨酸化膜を接合する工程と、 前記第 2の 3 丨酸化膜を接合する工程の後で、 3 丨酸化物のエッチ ング速度よりも 3 丨のエッチング速度の方が速い条件で、 前記第 1の 3 I基板をウエッ トエッチングすることにより、 前記第 1の 3 丨酸化 膜を露出させる工程と、
前記第 1の 3 丨酸化膜を露出させる工程の後で、 前記第 1の 3 丨酸 化膜を除去することにより、 前記 3 丨層の表面を露出させる工程とを 備えた、 ペリクル中間体の製造方法。
[請求項 4] 前記第 1の酸化膜基板を準備する工程において、 前記第 1の 3 丨基 板と、 前記第 1の 3 丨基板の表面および裏面に形成された前記第 1の 3 I酸化膜とを含む前記第 1の酸化膜基板を準備し、 前記第 1の 3 丨酸化膜を接合する工程の後で、 前記第 1の 3 丨酸化 膜における前記第 1の 3 丨基板の裏面に形成された部分を除去するこ とにより、 前記第 1の 3 丨基板の裏面を露出させる工程をさらに備え た、 請求項 3に記載のペリクル中間体の製造方法。
[請求項 5] 前記第 2の酸化膜基板を準備する工程において、 前記第 2の 3 丨基 板と、 前記第 2の 3 丨基板の表面および裏面に形成された前記第 2の 3 丨酸化膜とを含む前記第 2の酸化膜基板を準備し、 前記第 2の 3 丨酸化膜を接合する工程の後で、 前記第 2の 3 丨酸化 膜における前記第 2の 3 丨基板の裏面に形成された部分を除去するこ とにより、 前記第 2の 3 丨基板の裏面を露出させる工程をさらに備え た、 請求項 3に記載のペリクル中間体の製造方法。
[請求項 6] 請求項 3に記載の方法を用いてペリクル中間体を製造する工程と、 前記 3 丨層の表面に 3 丨 <3膜を形成する工程と、
3 I酸化物のエッチング速度よりも 3 丨のエッチング速度の方が速 \¥0 2020/175355 24 卩（：170? 2020 /007003
い条件で、 前記第 2の 3 丨基板をウエッ トエッチングすることにより 、 前記第 2の 3 丨基板に凹部を形成し、 前記凹部の底部に前記第 2の 3 I酸化膜を露出させる工程と、
前記凹部の底部に存在する前記第 2の 3 丨酸化膜および前記 3 丨層 をウエッ トエッチングすることにより、 前記凹部の底部に前記 3 丨 〇 膜を露出させる工程とを備えた、 ペリクルの製造方法。
[請求項 7] 前記ペリクル膜中間体を製造する工程の後であって前記第 2の 3 丨 酸化膜を露出させる工程の前に、 前記第 2の 3 丨基板を機械的に研削 することにより、 前記第 2の 3 丨基板に前記凹部を形成する工程をさ らに備え、
前記第 2の 3 丨酸化膜を露出させる工程において、 前記凹部の底部 に存在する前記第 2の 3 丨基板をウエッ トエッチングすることにより 、 前記凹部の底部に前記第 2の 3 丨酸化膜を露出させる、 請求項 6に 記載のペリクルの製造方法。
[請求項 8] 前記凹部の底部に前記 3 丨 <3膜を露出させる工程は、
前記凹部の底部に存在する前記第 2の 3 丨酸化膜をウエッ トエッ チングすることにより、 前記凹部の底部に前記 3 丨層を露出させるエ 程と、
前記凹部の底部に存在する前記 3 丨層をウエッ トエッチングする ことにより、 前記凹部の底部に前記 3 丨 <3膜を露出させる工程とを含 み、
前記 3 丨 0膜を露出させる工程において、 前記 3 丨層のウエッ トエ ッチングに用いる薬液に対して前記 3 丨層を相対的に動かす、 請求項 6に記載のペリクルの製造方法。
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